KR19990007315A - 화학/기계 연마 패드 조절 장치 - Google Patents

화학/기계 연마 패드 조절 장치 Download PDF

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로베르트 플뢰슬
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빌헬름 에핑, 디터 라인하르트
지멘스 악티엔게젤샤프트
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Abstract

본 발명은 화학/기계 연마 시스템의 연마 패드를 조절하기 위한 방법과 연마 패드 조절 장치에 관한 것이다. 연마 패드 조절 장치는 상부 표면과 하부 표면을 한정하는 몸체, 몸체의 하부 표면상에 장착되고 조절 표면과 상기 조절 표면에 인접한 개구부를 가지는 적어도 하나 이상의 조절 엘리먼트 및 상기 조절 엘리먼트내의 개구부에 결합되는 진공 소스를 포함한다. 본 발명에 따른 방법은 조절 표면과 이러한 조절 표면과 인접하는 개구부를 갖는 조절 엘리먼트를 구비하는 연마 패드 조절 장치를 연마 패드 표면과 접촉하도록 유지하는 단계, 조절 엘리먼트와 결합하는 진공 소스를 연마 패드에 제공하는 단계 및 연마 패드 표면상의 미립자를 진공 소제함과 동시에 연마 패드를 조절하는 단계를 포함한다.

Description

화학/기계 연마 패드 조절 장치
본 발명은 반도체 소자 제조, 특히 반도체 소자를 용이하게 제조할 수 있는 개선된 반도체 웨이퍼의 화학/기계 연마(Chemical Mechanical Polishing : CMP)에 관한 것이다.
전자 소자에 있어서의 발전은 전반적으로 메모리 칩, 논리 소자 등과 같은 집적 회로(IC)를 형성하는 부품의 크기를 감소시키는 것이다. 더 작은 회로 부품을 위하여, 반도체 웨이퍼 각각의 유니트 영역이 중요하다. 이는 IC 부품을 위한 웨이퍼의 모든 영역을 사용할 수 있는 기술이 발전하고 있기 때문이다. 더 높은 사용 가능 웨이퍼 영역 비율을 가지는 IC를 적절히 형성하기 위하여, 반도체 웨이퍼 표면상에서의 불순물 입자수는 종래에 허용되던 수준 이하로 감소되어야만 한다. 예를 들면, 0.2미크론 이하의 산화물 및 금속의 미립자는 둘 이상의 도전 라인을 단락시킬 수 있기 때문에 많은 발전된 회로 설계에 적합하지 않다. 반도체 웨이퍼를 세정하고 원하지 않는 미립자를 제거하기 위해 화학/기계 연마(CMP)로서 알려진 공정이 널리 사용된다.
일반적으로, CMP 시스템은 반도체 웨이퍼를 이러한 반도체 웨이퍼에 따라 움직이는 연마 패드와 접촉하도록 위치시킨다. 반도체 웨이퍼는 고정될 수도 있고 또는 웨이퍼를 지지하는 캐리어상에서 회전될 수도 있다. 반도체 웨이퍼와 연마 패드 사이에서, CMP 시스템은 종종 현탁액을 사용한다. 현탁액은 반도체 웨이퍼 표면을 실리카 또는 알루미나와 같은 연마제로 부드럽게 마모시키고 연마하는 동안 반도체 웨이퍼와 연마 패드 사이의 움직이는 계면을 매끄럽게 하는 역할을 하는 액체다.
CMP 공정 동안, 연마 패드가 반도체 웨이퍼와 접촉하기 때문에 연마 패드 표면이 결국에는 평탄하지 않게 부식되거나 또는 마모되는 것이 일반적이다. 그러므로, 연마 패드는 조절 어셈블리에 의해 주기적으로 조절되어야만 한다. 조절 어셈블리는 전형적으로 조절 표면상에 다수의 다이아몬드를 포함하고 패드 표면을 균일하게 조절하도록 연마 패드를 가로질러 수평으로 움직인다.
종래의 CMP 시스템과 관련된 제반 문제점중 하나는 연마 패드 표면상에 전형적으로 연마 처리와 조절 처리로부터 발생하는 미립자와 미진이 축적되는 것이다. 미립자와 미진은 반도체 웨이퍼 표면을 스크래칭하는 하는 경향이 있기 때문에 연마 처리에 역효과를 초래하고, 불순물과 같이 집적 회로를 오동작시킬 수 있다.
종래의 CMP 시스템과 관련된 또다른 문제점은 웨이퍼가 전형적으로 연마 패드 표면상에서 한 위치로만 정렬되기 때문에 연마 패드 표면이 평탄하지 않게 마모되고, 이에 의해 바람직하지 않은 연마 균일도를 초래한다는 것이다. 이러한 문제점을 해결하기 위한 시도로, 종래의 패드 조절 장치가 패드 표면을 가로질러 수평 움직일 수 있는 능력을 가진다. 하지만, 조절 강도를 최적화할 수 있도록 패드에 대한 조절 엘리먼트의 상대적인 위치를 조정하기 위한 수단을 가지고 있지 않다.
따라서, 본 발명의 목적은 패드 표면으로부터 미립자와 미진을 제거하고 조절 강도를 최적화할 수 있는 CMP 시스템의 연마 패드를 조절하기 위한 개선된 방법과 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 반도체 웨이퍼 표면을 화학/기계 연마하기 위한 장치의 정면도이다.
도 2는 본 발명의 CMP 조절 장치의 부분 단면을 도시하는 도 1에서와 동일한 장치의 측면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 연마 패드 조절 장치의 부분 측단면도이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따라 오목한 가요성막을 가지는 연마 패드 조절 장치의 측단면도이다.
도 5는 볼록한 가요성막을 가지는 도 4의 연마 패드 조절 장치의 측단면도이다.
도 6은 다수의 조절 엘리먼트의 제 1 구성을 도시하는 저면도이다.
도 7은 다수의 조절 엘리먼트의 제 2 구성을 도시하는 저면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
40 : 연마 패드 조절 장치 42 : 웨이퍼 캐리어
44, 48 : 로봇 암 46 : 연마기
50 : 몸체부 52 : 외부 통로
54 : 중심 통로
본 발명에 따르면, 종래의 CMP 시스템과 관련된 문제점을 가지지 않는 연마 패드 조절 장치와 조절 방법이 제공된다. 연마 패드 조절 장치는 상부 표면과 하부 표면을 한정하는 몸체, 이러한 몸체 하부에 장착되고 조절 표면과 이 조절 표면에 인접한 개구부를 가지는 조절 엘리먼트 및 조절 엘리먼트 내의 개구부에 결합되는 진공 소스를 포함한다. 연마 패드 조절 장치는 몸체 상부 표면에 부착된 암(arm)을 더 포함하는데, 이곳에서 진공 소스는 암 내부에 있는 통로를 통해 조절 엘리먼트내의 개구부에 결합된다.
일실시예에서, 연마 패드 조절 장치는 공동을 한정하는 몸체, 공동을 밀폐시키도록 위치한 가요성막, 가요성막상에 장착된 적어도 하나 이상의 조절 엘리먼트 및 공동내의 압력을 조정하기 위한 수단을 포함한다. 공동내의 압력을 조정하기 위한 수단은 유동체 소스를 포함하여, 조절 처리를 최적화하기 위해 공동내 압력을 감소 또는 증가시킴에 따라 가요성막의 형상이 변화되도록 한다. 일실시예에서, 연마 패드 표면에 인접한 위치에 있는 조절 표면과 이 조절 표면에 인접한 개구부를 갖는 조절 엘리먼트를 포함하는 연마 패드 조절 장치를 지지하는 단계, 조절 엘리먼트내 개구부와 결합하도록 진공 소스를 패드에 제공하는 단계 및 미립자를 진공 소제함과 동시에 연마 패드 표면을 조절하는 포함하는 연마 패드를 조절하기 위한 방법이 제공된다.
일실시예에서, 본 발명에 따른 모든 특성을 가진 혼합 연마 패드 조절 장치가 제공된다.
본 발명의 목적, 특성 및 장점에 대한 이해를 위해 첨부된 도면을 참조로 하여 이하에서 상세히 설명될 것이다.
전반적으로, 본 발명은 연마 패드 조절 장치와 화학/기계 연마 시스템의 연마 패드를 조절하기 위한 방법에 관한 것이다. 일실시예에서, 연마 패드 조절 장치는 몸체부, 조절 표면을 가지는 적어도 하나 이상의 조절 엘리먼트 및 조절 엘리먼트내의 개구부와 결합하는 진공 소스를 포함한다. 일실시예에서, 연마 패드 조절 장치는 공동을 한정하는 몸체부, 공동을 밀폐하도록 위치한 가요성막, 가요성막상에 장착된 적어도 하나 이상의 조절 엘리먼트 및 가요성막의 형상을 변화시키기 위해 공동내의 압력을 조정하기 위한 수단을 포함한다. 본 발명의 연마 패드 조절 장치는 전반적으로 반도체 웨이퍼를 더욱 효과적으로 제조할 수 있다는 장점을 가진다. 더욱이, 연마 패드 조절 장치는 연마 패드 표면으로부터 미립자와 미진을 진공 소제하기 위한 수단 및 조절 처리를 최적화할 수 있는 수단을 포함한다.
도 1을 참조로 하면, 본 발명의 일실시예에 따른 전형적인 반도체 웨이퍼 CMP 공정의 일단계가 도시된다. 우선, 많은 반도체 웨이퍼를 수용하는 로드 카세트로부터 반도체 웨이퍼(도시 안됨)를 회수하는 로봇 암(24)에 부착된 반도체 캐리어(22)가 제공된다. 반도체 웨이퍼는 논리 소자 또는 동적 RAM(DRAM), 정전 RAM 및 동기 DRAM(SDRAM)을 포함하는 RAM과 같은 다수의 IC를 포함한다. 웨이퍼상의 IC는 여러 단계로 가공된다. 반도체 웨이퍼는 전형적으로 진공력에 의해 웨이퍼 캐리어(22)의 기저부 표면상에 지지된다. 웨이퍼 캐리어(22)는 그후에 웨이퍼 캐리어(22)와 연마 패드(26) 사이에 제공된 압력을 가지고 연마 패드(26)에 인접한 위치로 반도체 웨이퍼 표면을 지지하는 도 1에 도시된 위치로 옮겨진다.
연마 패드(26)는 예를 들면, 반시계 방향으로 패드(26)를 회전시키는 판상에 장착된다. 연마되는 동안, 웨이퍼 캐리어(22)는 회전하여 반도체 웨이퍼 표면이 각각 움직이면서 연마 패드(26)와 접촉하도록 한다. 비록 웨이퍼 캐리어(22)가 연마 패드(26)와 같은 방향(즉, 반시계 방향)으로 회전하도록 도시되었지만, 연마 패드(26)와 반대 방향으로 회전할 수도 있다. 패드(26) 연마 표면을 현탁액(28)의 윤활적 및 연마적 특성과 함께 회전력으로 반도체 웨이퍼를 연마한다. 현탁액 투여 장치(30)가 패드(26)를 코팅하기 위해 원하는 양의 현탁액(28)을 투여한다. 비록 연마 패드(26)가 가공 동안 회전하는 것으로 설명되었지만, 연마 패드(26)는 가공 동안 수평으로 움직이거나 또는 수평으로 움직임과 동시에 회전할 수도 있다.
연마 패드(26)의 표면이 결국에는 부식되고 마모되기 때문에, 연마 패드 표면(26)이 일정한 연마 속도와 균일한 연마 처리를 유지하도록 조절하기 위해 연마 패드 조절 장치(32)가 제공된다. 연마 패드 조절 장치(32)는 연마 패드(26)의 회전 방향과 같은 방향 또는 반대 방향으로 회전할 수 있다. 또한, 연마 패드 조절 장치(32)는 연마 패드 조절 장치(32) 직경보다 더 큰 연마 패드 형상을 만들기 위하여 로봇 암(34)의 제어하에서 패드(26) 상부에서 수평 방향, 직경 방향 또는 방사 방향으로 움직일 수 있다.
반도체 웨이퍼 표면이 연마된 이후에, 로봇 암(34)은 웨이퍼 캐리어(22)와 수용액을 분무함으로써 여분의 현탁액을 제거하기 위한 반도체 웨이퍼를 세정 스테이션으로 이동시킨다(도시 안됨). 수용액은 예를 들면, 현탁액의 미리 설정된 ph로 조절하고 반도체 웨이퍼로부터 현탁액을 제거하기 위한 ph 조절 콤포넌트를 포함한다. 수용액은 응축된 NH4OH 혼합액을 포함하는 것이 미국 특허 번호 제 5,597,443호에 개시되고, 이는 여기서는 참조를 위해 인용된다. 그후에, 반도체 웨이퍼는 다음 처리를 위해 언로드(unload) 카세트로 옮겨진다.
위에서 설명된 바와 같이, 종래의 CMP 시스템과 관련된 문제점은 연마 처리와 조절 처리에서 발생하여 연마 패드(26) 표면상에 형성되어 연마될 반도체 웨이퍼 표면에 손상을 주는 미립자와 미진이 연마 패드 표면상에 축적된다는 것이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 연마 패드 조절 장치가 도시된다. 도시된 바와 같이, 연마 패드 조절 장치(40)는 로봇 암(44)과 연마기(46)에 부착된 웨이퍼 캐리어(42)를 포함한다. 게다가, 연마 패드 조절 장치(40)는 인접 단부에서 연마 패드 조절 장치(40)의 몸체부(50)와 동력을 전달하는 로봇 암(48)내의 다수의 통로를 포함한다. 실례로, 두 외부 통로(52)의 각각의 말단부는 연마 패드(46) 표면에 진공 상태를 제공하는 진공 소스와 결합되고, 이는 이하에서 상세히 설명될 것이다. 중심 통로(54)의 말단부는 연마 패드 조절 장치 몸체부(50)내에 위치한 가요성막의 형상을 변화시키기 위한 유체 소스와 결합되고, 이는 이하에서 상세히 설명될 것이다. 따라서, 도 2에 도시된 연마 패드 조절 장치(40)는 도 3 내지 도 7을 참조로 설명되는 본 발명에 따른 실시예의 적어도 하나 이상의 특성을 가진다.
도 3을 참조하면, 연마 패드 조절 장치(60)는 로봇 암(68)내에 형성된 적어도 하나 이상의 통로(62, 64 및 66)의 말단부에 결합되는 진공 소스(도시 안됨)를 포함하는 것으로 도시된다. 중심 통로(64)는 암(68)을 통해 연장하고 몸체부(76) 하부 표면, 조절 엘리먼트(80) 및 연마 패드(70) 표면에 형성된 보이드를 개방한다. 두 외부 통로(62와 66)는 몸체부(76)내의 통로(72와 74)와 조절 엘리먼트(80)내 개구부(78)에 동력을 전달한다. 따라서, 진공 소스는 화살표 방향으로 미립자와 미진을 진공 소제하기 위해 연마 패드(70) 표면과 결합된다. 위에서 설명된 다수의 통로 대신에 단일 통로가 진공 소스와 연마 패드(70) 표면을 결합시킬 수도 있을 것으로 예상된다. 바람직하게는, 진공력은 연마 패드(70)상에 상당한 양의 현탁액을 남기지만 미립자를 효과적으로 진공 소제하도록 조정된다. 또한, 조절 엘리먼트(80)의 조절 표면(82)이 연마 패드(70) 표면을 조절함에 따라, 표면(82)은 패드(70) 표면에 밀봉부를 형성하여 진공력이 유지되고 조절 처리로부터 야기되는 미립자와 미진이 효과적으로 진공 소제되도록 한다. 비록 다른 구성도 가능하지만, 도 3의 조절 엘리먼트(80)의 바람직한 구성이 도 6에 도시된다. 따라서, 도 3에 도시된 연마 패드 조절 장치는 조절 처리와 동시에 발생하는 미립자와 미진을 진공 소제하고 상호 인접한 조절 장치 각각이 화학/기계 연마중에 반도체 웨이퍼 표면에 역효과를 미치는 미립자와 미진을 진공 소제하거나 또는 그 양을 최소화하는 것을 가능케 한다.
도 4와 도 5에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일실시예에서 연마 패드 조절 장치는 공동(92)을 한정하는 몸체부(90)를 포함한다. 가요성막(94)은 공동(92)을 밀폐하도록 위치하고 공동 외부에 고정된다. 가요성막(94)의 상부 표면상의 공동(92)을 개방하는 인접 단부를 가진 통로(96)는 말단부에서 통로(96)와 공동(92)내의 압력을 증가 또는 감소시키는 유체 소스와 결합된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 가요성막(94)의 중심부는 공동(92)과 통로(96)내의 압력이 감소되면 화살표 방향으로 위로 구부러진다. 따라서 가요성막(94)의 형상은 연마 패드에 대해 오목한 형상을 가진다. 도시된 바와 같이, 가요성막(94) 표면상에 장착된 조절 엘리먼트(98)는 연마 패드 표면으로부터 뒤로 물러나질 것이고, 이에 의해 조절 강도가 변화되고 패드 형상을 조절할 수 있는 능력이 제공된다. 일실시예에서, 패드 형상은 최상의 연마 균일도를 가지도록 조정된다. 공동(92)과 통로(96)내의 감소되는 압력은 예를 들면, 바람직하게는 대략 0psig 내지 5psig 범위이다. 원하는 패드 형상을 만들기 위해 다른 압력도 사용할 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 가요성막(94)의 중심부는 공동(92)과 통로(96)내의 압력이 증가되면 화살표 방향으로 아래로 구부러진다. 따라서, 가요성막(94)의 형상은 연마 패드에 대해 볼록한 형상이 된다. 도시된 것처럼, 가요성막(94)의 기저부 표면상에 장착된 조절 엘리먼트(98)는 연마 패드 표면을 향하여 밖으로 연장하고, 이에 의해 패드 형상을 조절함으로써 조절 강도를 변화시켜 최상의 연마 균일도를 가지도록 한다. 공동(92)과 통로(96)내의 증가된 압력은 예를 들면, 대략 0psig 내지 5psig 범위이다. 추가로, 원하는 패드 형상을 만들기 위해 다른 압력을 사용할 수도 있다.
가요성막을 제공하는 목적은 패드 형상을 조절하기 위한 것이고, 이에 의해 동작자가 조절 처리를 최적화할 수 있게 한다. 비록 가요성막(94)의 형상 변화가 전형적으로 공기압, 수압 또는 진공압으로 동력을 전달하는 통로를 참조로 설명되었지만, 예를 들면, 압전체를 사용하는 것과 같은 다른 기술 또한 가능하다. 조절 엘리먼트(98)와 연마 패드 사이에 제공되는 압력은 또한 몸체부(90)가 연마 패드로부터 위치하는 거리를 변화시킴으로써 로봇 암에 의해 조절되어 연마 균일도를 더욱 최적화한다. 유체 소스 또는 다른 수단에 의한 증가 또는 감소된 압력에도 불구하고, 가요성막은 또한 로봇 암을 통해 몸체부(90)상의 힘을 변화시킴으로써 기계적으로 구부러질 수 있다. 연마 패드 조절 장치는 부식으로 인한 패드 두께의 손실을 보상하면서 패드 표면과의 접촉을 유지하도록 조정된다.
다른 구성을 가진 다수의 조절 엘리먼트가 본 발명의 연마 패드 조절 장치에 의해 사용될 수 있다. 두 실시예가 도 6과 도 7에 도시된다. 위에서 설명된 바와 같이, 도 6에 도시된 다수의 동심원 고리를 형성하는 조절 엘리먼트(80)는 도 3에 도시된 연마 패드 조절 장치에 바람직하게 사용될 수 있다. 도 7은 실질적으로 원형인 다수의 조절 엘리먼트(102)가진 연마 패드 조절 장치(100)를 도시한다. 예를 들면, 바람직한 위치에 밀봉부(104)가 진공력을 유지하기 위해 도 3에 대해 설명된 실시예에서의 실질적으로 원형인 연마 엘리먼트(102)를 사용하는 것이 연마 패드 조절 장치(100) 외부 표면상에 제공된다. 어떠한 구성에서도 다수의 다이아몬드가 조절 엘리먼트(80과 102) 표면상에 장착되어 조절 처리를 용이하게 한다.
비록 이상에서 실시예들이 도면을 참조로 설명되었지만, 본 발명은 이상의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않는 변형들이 당업자에 의해 실행될 수 있다. 이러한 변형들은 이하의 청구항에 의해 한정될 것이다.
상술된 바와 같이, 본 발명에 따르면 패드 표면으로부터 미립자와 미진을 진공 소제하고 조절 강도를 최적화할 수 있는 CMP 시스템의 연마 패드를 조절하기 위한 개선된 방법과 장치가 제공된다.

Claims (20)

  1. 화학/기계 연마 시스템용 연마 패드 조절 장치에 있어서,
    상부 표면과 하부 표면을 한정하는 몸체;
    상기 몸체의 하부 표면상에 장착되고, 조절 표면과 상기 조절 표면에 인접한 개구부를 가지는 적어도 하나 이상의 조절 엘리먼트; 및
    상기 조절 엘리먼트내의 상기 개구부에 결합되는 진공 소스를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드 조절 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 장치는 상기 몸체 상부 표면에 부착되는 암을 더 포함하여, 상기 진공 소스는 상기 암내의 통로를 통해 상기 조절 엘리먼트내의 상기 개구부에 결합되는 것을 특징으로 하는 연마 패드 조절 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 몸체는 상기 암에 의해 회전되는 것을 특징으로 하는 연마 패드 조절 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 조절 표면은 다이아몬드를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드 조절 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 몸체 하부 표면에 다수의 원형인 조절 엘리먼트가 장착되는 것을 특징으로 하는 연마 패드 조절 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 몸체 하부 표면에 다수의 조절 엘리먼트가 동심원 고리를 형성하며 장착되는 것을 특징으로 하는 연마 패드 조절 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 몸체 하부 표면의 적어도 일부는 가요성막을 포함하며, 적어도 하나 이상의 상기 조절 엘리먼트가 상기 가요성막상에 장착되는 것을 특징으로 하는 연마 패드 조절 장치.
  8. 반도체 웨이퍼를 연마하는 화학/기계 연마 시스템용 연마 패드 조절 장치에 있어서,
    공동을 한정하는 몸체;
    상기 공동을 밀폐하도록 위치한 가요성막;
    상기 가요성막상에 장착되는 적어도 하나 이상의 조절 엘리먼트; 및
    연마 패드에 대한 상기 가요성막의 위치를 변화시키도록 상기 공동내의 압력을 조정하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드 조절 장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 공동내의 압력을 조정하는 상기 수단은 유체 소스를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드 조절 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 가요성막은 상기 공동내의 압력이 감소됨에 따라 연마 패드에 대해 오목한 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 연마 패드 조절 장치.
  11. 제 9 항에 있어서, 상기 가요성막은 상기 공동내의 압력이 증가됨에 따라 연마 패드에 대해 볼록한 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 연마 패드 조절 장치.
  12. 제 8 항에 있어서, 상기 조절 엘리먼트는 다이아몬드를 가지는 조절 표면을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드 조절 장치.
  13. 제 8 항에 있어서, 상기 가요성막상에 장착된 조절 엘리먼트중 적어도 하나 는 원형인 것을 특징으로 하는 연마 패드 조절 장치.
  14. 제 8 항에 있어서, 다수의 조절 엘리먼트는 동심원 고리를 형성하며 상기 가요성막상에 장착되는 것을 특징으로 하는 연마 패드 조절 장치.
  15. 제 8 항에 있어서, 상기 장치는 상기 몸체 상부 표면에 부착되는 암을 더 포함하여, 상기 몸체는 암에 의해 회전되는 것을 특징으로 하는 연마 패드 조절 장치.
  16. 화학/기계 연마 시스템의 연마 패드를 조절하는 방법에 있어서,
    조절 표면과 상기 조절 표면과 인접하는 개구부를 갖는 조절 엘리먼트를 구비하는 연마 패드 조절 장치를 연마 패드 표면과 접촉하도록 유지하는 단계;
    상기 조절 엘리먼트와 결합하는 진공 소스를 상기 연마 패드에 제공하는 단계; 및
    상기 연마 패드 표면상의 미립자를 진공 소제하면서 상기 연마 패드 표면을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드 조절 방법.
  17. 제 16 항에 있어서, 상기 방법은 상기 연마 패드 조절 장치를 회전시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드 조절 방법.
  18. 제 16 항에 있어서, 상기 방법은 상기 연마 패드 표면 상부에서 상기 연마 패드 조절 장치를 이동시키는 단계를 더 포함하여, 상기 연마 패드의 형상이 상기 연마 패드 조절 장치의 직경보다 더 큰 형상을 가지도록 하는 것을 특징으로 하는 연마 패드 조절 방법.
  19. 반도체 웨이퍼 연마용 화학/기계 연마 장치에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼를 수용하는 연마 표면을 가지며 상기 웨이퍼 표면을 연마하는 연마 패드;
    상기 반도체 웨이퍼와 상기 연마 패드 사이의 계면을 매끄럽게하도록 현탁액을 상기 연마 패드상에 제공하는 수단;
    상기 반도체 웨이퍼를 상기 연마 패드와 접촉하도록 지지하는 캐리어;
    상기 연마 표면을 조절하는 조절 엘리먼트; 및
    상기 조절 엘리먼트를 통해 상기 연마 패드와 결합하는 진공 소스를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학/기계 연마 장치.
  20. 제 19 항에 있어서, 상기 장치는 상기 연마 패드에 대한 상기 조절 엘리먼트의 위치를 변화시키는 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학/기계 연마 장치.
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