TW393700B - Improved chemical mechanical polishing pad conditioner - Google Patents

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TW393700B
TW393700B TW087110159A TW87110159A TW393700B TW 393700 B TW393700 B TW 393700B TW 087110159 A TW087110159 A TW 087110159A TW 87110159 A TW87110159 A TW 87110159A TW 393700 B TW393700 B TW 393700B
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TW087110159A
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Robert Ploessl
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Siemens Ag
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Description

五、發明説明（1 ) 骨 背 晡 範 術 抟 Α7 Η 7 導拋 半械 在機 於學 醑化 是圓 別晶 特體 ，導 作半 製之 之良 置改 裝種 體一 導 Κ 半 . 於中 翮造 係製 示之 揭置 本 率 產 之 效 有 為明 更說 獲之 使蘊 ，抟帛^1 體光d 小存半夠 減儲則能 活如，是 包諸件因 常 ，另原 通路路其 步電電 ， 進體的 之積小 置種較 裝各比 子。用 電小。 大等 高 較 成 變 值 價 之 之等 件 ， 另置 各裝 路輯 電缠 體 ， 積片 成晶 形器 積供 面 Μ 位積 單面 1 圓 每晶 圓 個 晶整 體用 導蓮 (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 經濟部中央標隼局员工消费合作社印¾ 積體電路（1C)之改良。為了逋當形成能夠蓮用高百分比 晶圓面積之1C,關鍵在於將半導體晶圓表面上之污染粒 子數滅少至低於先前認為合格之程度。例如，對許多常 用之高级電路設計，小於0.2微米之氧化物和金靥撤小 粒子，因為能使二或多條導線短路而為不合格。為求濟 淨半導艚晶圓並除去不要的粒子，一種己知之化學機械 拋光法（CMP)已廣泛獲致成功。 通常，CMP系统將半導體晶圓與拋光墊接觸，後者相 對於半導體而運動。半導體晶圓可為固定，然也可在夾 持晶圓的載體上轉動。在半導髓晶圓和拋光墊之間， CMP系统常常用一種漿料。此漿料為一種液體，具有潤 滑半導體晶圓與拋光墊間之界面之能力，而Μ如矽石或 礬土之抛光劑磨蝕並拋光半導體晶圓表面。 在CMP程序中，因為拋光墊接觸半導髖晶圓，通常拋 -3- 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ'4規格（210X 297公犮） A7 R7 經濟部中央標準局員工消费合作社印聚 五、發明説明（2 ) 1 1 光 墊 終 於 於 其 表 面 作 不 勻 侵 蝕 或 磨 損 0 因 此 9 拋 光 墊 必 1 1 須 用 一 種 整 理 組 件 作 週 期 性 整 理 〇 一 般 之 整 理 組 件 包 括 1 | 在 整 理 面 上 有 許 多 鑽 石 ， 以 横 向 移 動 經 過 抛 光 墊 而 均 請 1 整 理 墊 之 表 面 0 閱 讀 背 習用CMP 系 統 栢 闞 各 項 問 題 之 一 » 是 拋 光 墊 表 面 上 所 面 之 累 積 之 粒 子 和 殘 渣 t 通 常 是 源 拋 光 程 序 和 整 理 程 序 0 ί 事 1 1 粒 子 和 殘 渣 因 為 會 刮 傷 半 導 體 晶 圓 和 表 面 而 對 拋 光 程 序 項 再 填 I 有 負 ffi 影 響 9 而 且 f 如 同 污 染 物 » 對 所 成 積 體 電 路 之 運 寫 本 作 可 能 有 決 定 性 影 響 0 頁 1 1 習用CMP % 統 相 關 之 另 一 問 題 t 為 抛 光 整 之 表 面 可 能 1 I 不 均 匀 磨 損 » 因 為 晶 圓 一 般 是 對 正 於 拋 光 墊 表 面 上 之 — 1 I 個 位 置 9 因 此 決 定 性 影 m 拋 光 的 一 致 性 0 在 矯 正 此 項 問 1 訂 題 的 一 項 «8 試 中 f 使 習 用 整 理 器 具 有 横 向 經 遇 墊 之 表 1 I 面 移 動 之 功 能 0 妖 而 堪 是 不 能 調 整 整 理 元 件 相 對 於 墊 片 1 1 之 栢 對 位 置 優 化 化 整 理 之 密 集 性 0 1 1 因 此 用於整理CMP 条 統 之 抛 光 墊 片 9 從 墊 片 表 面 除 1 1 去 粒 子 和 殘 渣 並 使 整 理 密 集 性 得 能 優 化 之 方 法 和 裝 置 » 1 有 其 必 要 0 1 1 明 概 I 此 項 裝 置 和 方 法 包 括 一 種 拋 光 墊 整 理 器 9 用 Η 克 復 習 1 用CMP 系 铳 所 發 生 之 各 項 問 題 0 拋 光 墊 整 理 器 含 有 一 界 Γ 定 上 表 面 和 下 表 面 之 本 體 一 裝 於 本 體 下 表 面 之 整 理 元 1 I 件 » 此 整 理 元 件 包 括 一 整 理 表 面 和 接 近 於 整 理 表 面 之 開 1 1 □ 和 接 連 於 整 理 元 件 中 之 開 □ 而 運 轉 之 真 空 源 0 抛 光 1 I -4 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（2丨0X297公犮) 經濟部中央標準局貝工消f合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（3 ) 墊整理器可另含一臂，附於本體之上表面，其中之真空 源通過該赞中之通道連接至整理元件中之開口。 在另一具體例，所提供之拋光墊整理器含有一界定一 穴之本體；一定位於封合該穴之彈性膜；至少一設於彈 性膜上之整理元件；以及用於整理穴中壓力之櫬構。此 用於整理穴中壓力之機構含有一流體源，使彈性膜之形 狀隨穴中壓力之埒減而改變，整理程序因而被優化。再 另一具體例中，提供一種用於整理拋光墊片之方法，包 含各項步驟，如固定一拋光墊整理器，包括一整理元件 ,一於其上之整理表面和一於整理元件中接近整理表面 之開口，與抛光墊片之表面相對；將真空源施加於墊片 上，此真空源是連接至整理元件之開口而蓮轉；於從其 中K真空抽取粒子之同時，整理拋光墊片之表面。 在再另一具體例中，提供一種拼合的拋光墊整理器， 點拼入於一器具之中。 此等目的、特性K及優點，和其他者，將從如下列舉 各具體例之詳细說明，參考附圖，而見明顯。 圈忒筋說 為便於瞭解本CMP墊片整理器，以下列各具體例及附 圓供作參考，圖式簡單說明如下： 第1圖為一棰用於化學/機械拋光半導體晶圓表面之 器具的頂視圖。 第2圖為一種與第1圖所示者相似之器具之側視圖， 表示本發明CMP整理器之局部剖面。 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標皁（CNS ) Λ4規格（2丨0X 297公犮） i tn ml i nn ll^A, _ - *·· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7五、發明説明（4 ) 第3圖為根據第一具體例之拋光墊整理器側視局部剖 面0 第4圖為根據另一具體例具有凹入彈性膜之抛光墊整 理器之側視剖面。 第5圖為具有凸起彌性膜之第4圖拋光墊整理器之側 視剖面。 第6圖為各個整理元件之幾何構形所示之底視圖。 第7圖為多個整理元件之另一幾何構形示之底視圖。 链明註钿說明 概括而言，本發明闞於一種拋光墊整理器和一種用於 整理化學/機械拋光系統之拋光墊的方法。在一具體例 中，抛光墊整理元件包括一整理表面，和一連接至整理 元件開口而運轉之真空源。在另一具體例中，拋光墊整 理器含有一界定一穴之本體部份，一包容該六而定位之 彈性膜，裝設於其上之至少一整理元件，和用於調節六 內壓力之機構，Μ改變彈性膜之形狀。從本發明之拋光 墊整理器可衍生之各項優點包括有能力提供更有效之半 導體晶圓產率。更特殊者，拋光墊整理器提供從摁光墊 表面除去殘渣和粒子之機構，Μ及優化整理程序之機構。 參考各圖之细部，第1圖表示配用本發明之一具體例 之習用半導體晶圓CMP法中之一個階段。為施行此程序 ，附於機械機24之晶圓載具24,從容存許多半導體晶圓 之存 中提取一半導體晶圓（未示）。此半導體晶圓含有 多個稹體電路（IC>,其如理輯裝置或随機存取儲存器 -6- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
A
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2Ι0Χ 297公犮） 經濟部中央標準局員工消资合作社印製 A7 B7五、發明説明（5 ) (R A Μ ),包括動態R A M (D R A Μ)、靜態R A M ( S R A Μ ),和同步 DRAM(SDRAM)。在晶圓上之各1C可W在不同的加工階段 。半導體晶圓通常是真空力董保持於晶圓載具22之底面 上。然後晶圓載具被轉移至如第1圖所示之位置，其間 保持半導體晶圓之一表面對合於拋光墊26,並在晶圓載 具22與据光墊26之間胞加壓力。 摁光墊26可Μ装於一盤上以使墊片26旋轉，在此實例 中，^反時針方向。在拋光時，晶圓載體22也可以如此 旋轉使半導體晶圓之表面於各自移動中接觸墊Η 26。锥 然晶画載具22顯示與抛光墊26同向轉動（即反時針方向） ,然也可Μ與抛光墊26反向轉動。轉動之力量，併同墊 片26之拋光表面和漿料28之潤滑與磨蝕性質等，拋光半 導體晶圓。漿料給出機構30給出塗於墊片26所需之漿料 量。雖然方法中已說明拋光墊26轉動，然也可Μ使抛光 墊26以横向或结合横向與轉動方向而蓮轉。 因為拋光墊26最後將蝕去或磨損其表面，拋光墊整理 器32被提供以整理拋光墊26之表面，維持不變的拋光率 和均勻一致的抛光程序。拋光塑整理器32可以旋轉於與 抛光墊26之旋轉方向相同或相反之方向。而且，拋光墊 整理器32可Μ横向、直徑方向或半徑方向移動於墊片26 上而在機槭臂34控制之下，使在抛光墊上構成大於拋光 墊整理器32直徑之行跡範圍。 在完成半導體晶画表面的拋光之後，機械臂24轉移晶 圓載具22和半導體晶圖至一濟淨站（未示），在其中用水 -7- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
J 、1Τ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公犮） Λ7 U7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明 ( 6 ) ! I 溶 液 噴 瀰 而 從 半 導 體 晶 圓 上 除 去 殘 存 之 漿 料 0 此 水 溶 液 1 1 1 含 有 用 於 控 制 漿 料 預 定 pH值 之 一 種 pH 值 控 制 化 合 物 * 並 1 I 從 半 導 體 晶 圓 除 去 漿 料 〇 此 溶 液 可 為 如 授 予 He m p ed之 美 請 先 1 揭 合 物 列 閱 } 國 專 利 第 5 , 597 , 443 所 示 含 有 濃 的 NH 4 0Η混 i 讀 1 背 此 供 作 所 有 各 項 g 的 之 參 考 〇 其 後 9 半 導 體 晶 圓 被 轉 移 面 至 — 卸 下 而 於 其 間 可 K 接 受 另 外 之 加 工 0 注 意 事 1 I 如 刖 所 討 論 » 習 用 CMP 系 統 所 鼷 聯 之 問 題 為 殘 渣 和 粒 項 再 1 子 之 m 積 % 其 為 從 拋 光 程 序 和 整 理 程 序 兩 者 而 稹 於 抛 光 寫 本 1 墊 26之 表 面 上 造 成 已 抛 光 之 半 導 體 晶 圓 表 面 上 之 班 病0 頁 V_^ 1 1 參 考 第 2 圖 » 表 示 根 據 本 發 明 一 具 體 例 之 拋 光 墊 整 理 1 I 器 0 如 所 表 示 抛 光 墊 整 理 器 40 附 於 機 械 资 44之 晶 圓 載 1 | 具 和 抛 光 整 46 0 此 外 1 拋 光 墊 整 理 器 40在 櫬 械 臂 48内 以 1 訂 多 個 通 道 之 底 端 與 抛 光 墊 整 理 器 40本 體 部 份 50相 通 〇 舉 1 1 例 而 言 f 兩 個 外 通 道 52之 各 涸 末 端 連 接 於 供 m 真 空 至 拋 1 1 光 墊 4 6表 面 之 真 空 源 而 運 轉 9 將 詳 细 討 論 於 後 〇 中 央 通 1 I 道 54之 末 端 連 接 至 流 體 源 而 運 轉 $ 以 改 變 在 位 於 拋 光 墊 1 I 整 理 器 本 體 部 份 50内 之 彈 性 膜 之 位 置 將 詳 细 討 論 於 後 0 於 是 * 預 期 第 2 ΓΒ1 _ 中 所 示 之 拋 光 墊 整 理 器 40成 為 可 與 各 具 體 例 之 至 少 一 項 特 微 配 合 之 綜 合 體 • 將 參 考 第 3-7 圃 予 討 論 0 I 現 在 參 考 第 3 圖 » 拋 光 墊 整 理 器 60 表 示 —— 具 體 例 y 含 1 有 一 真 空 源 (未示） t 運 轉 連 接 於 機 械 臂 68 中 所 形 成 通 道 1 I 62 64和 66中 之 至 少 一 通 道 0 中 央 通 道 64延 伸 經 過 臂 68 1 1 和 各 開 口 而 至 由 本 賭 部 份 76下 方 表 面 Λ 整 理 元 件 80和 拋 1 I ~ ? 1 1 1 本紙ί長尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公赴) Α7 Ml 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明（7 ) 光墊70之表面所形成之空間。兩涸外通道62和66與本體 部份76中之通道72和74,和整理元件80中之開口 78等相 通。於是，真空源被接至拋光墊70表面而運轉，依箭頭 指示方向除去殘渣和粒子。另亦期望用單一通道而可以 連接真空源與拋光墊70之表面，不用如上所述之多通道 。其優點為，真空力量可被調節Μ使有效除去粒子而有 大量的漿料留在拋光墊表面。而且，當整理元件80之整 理表面82整理拋光墊70之表面時，表面82將在垫片70之 表面形成密封，使真空力量被維持而從整理程序所造成 之殘渣和粒子將被有效除去。 雖然其他構形也可被預期，然而第3圖整理元件80之 較佳幾何構形如第6圜所示。因此，在第3圖中所示之 拋光墊整理器使整理程序和殘渣與粒子之除去同時發生 ，而且互相鄰接Κ消除或滅少殘渣和粒子之惫避免負面 影響半導體晶圓接受化學/機械拋光。 如在第4和5圖中所表示，本發明之拋光墊整理器之 另一具體例，包含一界定一穴92之本體部份90,-彈性 膜94被定位Κ包容穴92,並且使其遇邊固定。一通道96 具有一底端啟開於彈性膜94上表面之穴92,被連接至一 流體源之末端而運轉，以產生通道96和穴92内中壓力之 增大或減小。 如第4圖所示，彈性膜之中央上彌起如箭頭方向而回 應穴92和通道96内所減低之壓力。於是彈性膜94之形狀 為下凹而對向抛光墊。如所表示.整理元件98,裝於膜 -9- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .装.
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) Λ4規格（210X2W公#.) A7 Η 7 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 五、發明説明 ( 8 ) 1 1 94表 面 之 底 面 » 將 從 拋 光 墊 表 面 撤 離 9 因 而 改 變 整 理 的 • 1 I I 密 集 性 而 提 供 控 制 m 片 形 狀 之 能 力 0 在 一 具 體 例 中 墊 1 I 片 的 形 狀 被 調 整 Η 獲 得 優 良 的 拋 光 均 匀 性 〇 在 六 92和 通 請 先 1 道 96内 所 降 低 之 壓 力 * 舉 例 而 ψ 以 在 0 ρ S I g至5 P S i g 閱 讀 背 (鋳示每平方时磅數> 〇 其 他 可 獲 得 所 希 望 之 墊 片 形 狀 之 面 之 •i 1 m 力 也 可 採 用 〇 注 意 事 1 如 第 5 圖 所 示 彈 性 膜 94之 中 央 將 向 下 彈 如 箭 頭 方 向 項 1 填一 、1 t 回 m 穴 94和 通 道 96 内 所 增 加 之 壓 力 〇 於 是 彈 性 膜 94之 % 本 ί 形 狀 將 對 向 拋 光 墊 凸 起 0 如 所 表 示 整 理 元 件 98 $ 裝 於 頁 1 1 彈 性 膜 94之 底 面 上 1 將 向 外 伸 出 拋 光 墊 之 表 面 因 而 Μ 1 1 控 制 墊 片 形 吠 使 獲 逋 當 拋 光 均 勻 性 而 改 變 整 理 密 集 性 〇 I 1 在 穴 92和 通 道 96内 所 坩 加 之 壓 力 9 例 如 f 為 約 0 至 5p s i g 1 訂 之 範 圍 内 〇 此 外 f 其 他 能 產 生 所 希 望 之 墊 片 形 狀 之 各 種 1 I 壓 力 也 可 被 採 用 0 1 1 設 置 彈 性 膜 之 百 的 在 於 控 制 墊 Η 形 狀 » 因 而 使 操 作 人 1 1 可 選 擇 合 缠 之 整 理 程 序 0 雖 然 變 裀 彌 性 膜 94形 狀 已 經 參 1 考 以 . 個 通 道 而 予 說 明 » 該 通 道 習 用 氣 壓 % 液 壓 或 真 1 空 應 力 流 通 > 其 他 例 如 壓 電 技 術 亦 可 採 用 0 在 整 理 元 件 1. 1 98與 抛 光 墊 間 所 施 壓 力 也 可 以 用 機 械 臂 控 制 ， 改 變 從 拋 光 墊 至 本 髏 部 份 90之 距 離 » 使 更 能 適 合 η 光 均 匀 性 1 1 〇 雖 然 壓 力 的 增 減 是 由 流 體 源 或 其 他 方 式 所 促 成 t 然 而 1 | 彈 性 膜 也 可 Η 改 變 經 由 櫬 械 臂 施 於 本 體 部 份 90 之 力 量 而 1 1 機 械 性 改 雙 其 彈 性 0 拋 光 墊 整 理 器 也 被 期 望 可 被 調 整 1 1 Μ 維 持 其 與 m 片 表 面 的 接 觸 > 補 償 墊 片 厚 度 由 於 其 磨 蝕 1 I -10- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規袼（210Χ 297公处） 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 137五、發明説明（9 ) 之耗損。 企求K多個不同幾何形狀之整理元件被利用於本發明 拋光墊整理器。在第6和7圖中表示其中兩個具體例。 如上所已討論，在第6圖中所示之整理元件80,形成多 涸同心圓環，可K有利於用於如第3圖所示之摁光墊整 理器中。第7圖表示一具有實質為圓形整理元件102之 据光墊整理器100 。其優點為利用實質上為圓形之拋光 元件102 ,例如在對應於第3圖所述之具體例，在抛光 墊整理器100之外遇邊設置密封104 K維持真空力量。 在任何幾何構形中，較佳是Μ多數涸鑽石装於整理元件 80和102之表面而執行整理程序。 雖然在此已經參考附画說明各個具體例，然應瞭解本 發明不受此等明確之具體例所限制，精於此項技藝者將 能在不離本發明精神之範圍，Κ各種其他變更或修改而 多變動。所有如此之變更和修改被視為包括於所附申請 專利範圍所訂發明範圍之内。 ------Γ.----^、-- »· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本1) 、1Τ -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規枋（210X297公犮） A7 B7 五、發明説明（10 ) 兹老符諕說明 22 晶 圓 載 具 24,22, 48, 68 機 械 臂 26,46, 70 拋 光 墊 28 漿 料 30 漿 料 施 給 機 構 32,40, 60 , 100 拋 光 墊 整 理 器 50,76, 90 本 體 部 份 52,54, 62 , 64,66,72,74,96 通 道 78 開 P 80,98, 102 整 理 元 件 82 整 理 表 面 92 穴 94 彈 性 膜 104 密 封 (請·先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消费合作社印製 -12- 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4規格（210X 297公嫠）

Claims (1)

  1. 871 10 15 二’土 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局男工消费合作社印製 ·" 1- 六、申請專利範圍 1 1 1 . 一 種 用 於 化 學 / 機 械 拋 光 系 統 之 拋 光 墊 整 理 器 9 其 特 1 1 戡 為 含 有 ； 1 1 —. 界 定 上 表 面 和 下 表 面 之 本 體 ! 請· 1 先 1 至 少 一 個 整 理 元 件 裝 於 本 體 之 下 表 面 整 理 元 件 閲 讀· 1 | 包 括 一 整 理 表 面 和 一 鄰 接 於 整 理 表 面 之 開 口 » Μ 及 背 1 之 — 真 空 源 » 其 在 運 轉 時 連 接 至 整 理 元 件 中 之 開 口 〇 注 意 1 2 .如 申 謫 專 利 範 圍 第 1 項 用 於 化 學 / 機 械 拋 光 系 統 之 抛 事 項 I 1 再 1 光 m 整 理 器 其 中 另 含 —* 附 於 本 體 上 表 面 之 臂 9 真 空 填 寫 本 源 在 運 轉 時 經 由 寶 中 之 通 道 連 妾 至 整 理 元 件 中 之 開 Ρ ° 頁 1 I 3 .如 申 請 專 利 範 圍 第 2 項 用 於 化 學 / 機 械 拋 光 系 統 之 拋 1 1 光 墊 整 理 器 * 其 中 本 體 可 栢 對 於 該 臂 而 轉 動 0 1 I .4 ·如 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 用 於 化 學 / 機 械 拋 光 系 統 之 拋 1 訂 光 墊 整 理 器 t 其 中 整 理 表 面 包 含 鑽 石 粒 子 〇 1 5 .如 申 請 專 利 範 画 第 1 項 用 於 化 學 / 機 械 拋 光 系 統 之 拋 1 I 光 墊 整 理 器 9 其 中 多 個 實 質 上 為 圓 形 之 整 理 元 件 被 裝 1 1 於本體之下表面 〇 1 6 .如 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 用 於 化 學 / 機 械 拋 光 糸 统 之 拋 1 光 墊 整 理 器 f 其 中 多 個 整 理 元 件 形 成 同 心 環 而 装 設 於 1 I 本 體 之 下 表 面 0 1 7 ·如 甲 請 專 利 範 圍 第 1 項 用 於 化 學 / 機 械 拋 光 系 統 之 拋 - 1 I 光 墊 整 理 器 9 其 中 本 體 之 下 表 面 至 少 有 一 部 份 含 有 . 1 I 種 彈 性 膜 而 且 至 少 有 _ 整 理 元 件 是 裝 設 於 該 膜 上 0 1 1 8 * 一 種 拋 光 半 導 體 晶 圓 用 之 化 學 / 機 械 拋 光 系 統 之 拋 光 1 I 35 整 理 器 * 其 特 激 為 包 含 * 1 1 -1 3- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX 29*7公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 六、申請專利範 圍 1 一 界 定 一 穴 之 本 體 > • Γ 一 被 定 位 K 便 包 容 該 穴 之 弾 性 膜 » 1 1 至 少 —. 整 理 元 件 被 装 設 於 彈 性 膜 上 ; 以 及 y—S 讀 1 先 1 —1 涸 機 構 * 其 係 用 於 調 節 六 内 臞 力 改 變 該 膜 相 對 閱 於 於 拋 光 墊 之 位 置 〇 背 Λ 1 1 之 1 9 .如 串 請 專 利 範 圍 第 8 項 用 於 化 學 / 機 械 拋 光 系 統 之 抛 注 意 1 光 墊 整 理 器 • 其 中 用 於 調 節 •κ 內 朦 力 之 機 構 含 有 —^ 流 事 項 1 | 再 體 源 0 填 寫 本 裝 10 . 如 申 請 專 利 範 画 第 9 項 用 於 化 學 / 糖 械 换 光 糸 統 之 頁 1 I 抛 光 墊 整 理 器 * 其 中 彌 性 膜 因 穴 内 減 低 之 壓 力 而 具 有 1 1 一 種 相 對 於 拋 光 墊 之 凹 入 外 形 0 1 I 11. 如 Φ 請 專 利 範 面 第 9 項 用 於 化 學 / 機 械 拋 光 % 统 之 1 訂 拋 光 墊 整 理 器 9 其 中 弾 性 膜 因 穴 内 增 加 之 壓 力 而 具 有 1 一 種 相 對 於 拋 光 墊 之 凸 起 外 形 0 1 I 12 . 如 申 謫 專 利 範 園 第 8 項 用 於 化 學 / 檄 械 摁 光 系 統 之 1 1 抛 光 墊 整 理 器 » 其 中 整 理 元 件 包 括 一 個 帶 有 鑽 石 粒 子 1 之 整 理 表 面 〇 、泉 I 13 . 如 申 請 專 利 範 國 第 8 項 用 於 化 學 / 機 械 拋 光 糸 統 之 1 |, 之 擔 光 墊 整 理 器 * 其 中 裝 設 於 强 性 膜 上 之 至 少 一 m 整 • | - 理 元 件 具 有 實 霣 上 為 画 形 之 形 狀 〇 - 1 I 14. 如 申 請 專 利 範 圍 第 8 項 用 於 化 學 / 機 械 m 光 系 統 之 丨 抛 光 墊 整 理 器 9 其 中 形 成 同 心 環 之 多 個 整 理 元 件 裝 設 1 1 於 彈 性 膜 上 0 1 1 15 . 如 申 請 專 利 範 圃 第 8 項 用 於 化 學 / 櫬 械 拋 光 系 統 之 I 1 -14- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） S98700 b8 D8 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1. 拋 光 墊 整 理 器 > 其 中 另 含 一 臂 f 此 臂 附 於 本 體 之 上 表 1 面 t 本 體 可 相 對 於 該 臂 而 旋 轉 0 1 | 16 . —· 種 用 於 化 學 / 機 械 拋 光 系 統 Μ 整 理 拋 光 墊 之 方 法 诸 1 I 9 其 特 戡 為 包 含 下 述 步 驟 5 先 閲 1, 1 I 1 I 使 拋 光 墊 整 理 器 保 持 與 拋 光 墊 之 表 面 相 接 觭 f 拋 光 背 1 之 1 m 整 理 器 包 括 一 整 理 元 件 9 —* 設 於 其 上 之 整 理 表 面 和 注 意 1 在 整 理 元 件 中 鄰 接 於 整 理 表 面 之 開 □ 事 項 1 1 并一-SI 施 加 真 空 源 至 該 拋 光 墊 r 該 真 空 源 在 操 作 時 建 接 至 填 寫 本 裝 整 理 元 件 kk 及 頁 1 I 整 理 抛 光 塱 表 面 9 同 時 由 抛 光 墊 抽 出 粒 子 使 成 真 空。 1 1 17 . 如 串 請專利範圍第16項用於化學/櫬械拋光条统以 1 I 整 理 拋 光 墊 之 方 法 > 其 中 又 包 含 旋 轉 拋 光 墊 整 理 器 之 1 1 訂 1 步 驟 〇 18 . 如申請專利範圍第16項用於化學/機械拋光系統以 1 I 整 理 拋 光 墊 之 方 法 9 其 中 又 包 含 一 步 驟 Μ 移 動 拋 光 墊 1 1 整 理 器 使 經 由 拋 光 墊 表 面 上 方 而 產 生 拋 光 墊 之 外 形 * 1 此 種 外 形 大 於 拋 光 墊 整 理 器 之 直 徑 0 k I 19 . — 種 拋 光 半 導 體 晶 圓 用 之 改 良 之 化 學 / 糖 械 拋 光 糸 1 统 9 其 特 戡 為 含 有 1 • |· —' 拋 光 墊 9 其 具 有 一 用 於 承 接 半 導 體 晶 圓 t 並 拋 光 1 | 該 晶 圓 表 面 之 拋 光 表 面 丨 1 . 種 機 構 9 其 係 用 於 施 加 漿 料 於 該 抛 光 墊 上 便 潤 1 1 滑 半 導 體 晶 圓 和 該 拋 光 墊 間 之 界 面 • 1 I —~* 個 載 體 t 其 係 用 於 使 半 導 體 晶 圓 保 持 與 該 拋 光 墊 1 1 ~ 1 5 - 1 f 1 ] 本紙張尺度適用中囷國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 393700 8 8 88 ABCD 六、申請專利範圍 栢接觸， 一整理元件，用於整理該拋光表面；以及 一真空源，其在操作時經由該整理元件而連接至該 抛光墊。 20.如申請專利範圍第19項之改良之化學/機械拋光系 統，其中又包含一酒櫬構以便改變整理元件相對於抛 光墊之位置。 (逢先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 旅 經濟部中央標準扃員工消费合作社印製 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X297公釐）
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