KR19980064535A

KR19980064535A - 가요성 인쇄회로 및 그의 제조방법

Info

Publication number: KR19980064535A
Application number: KR1019970072856A
Authority: KR
Inventors: 시하루 미야아케; 요수케 미키; 도시히코 수기모토
Original assignee: 야마모토 히데키; 닛토 덴코(주)
Priority date: 1996-12-25
Filing date: 1997-12-24
Publication date: 1998-10-07
Also published as: SG77150A1; CN1188388A; JP3202935B2; JPH10242593A; CN1096824C; US6001489A; DE19757634A1

Abstract

플라스틱 막과 전도체 층을 구성하는 가요성 인쇄회로에 있어서, 플라스틱막이 나타내는 열수축률 타원은 0.7 이하의 편심도를 가지며 바람직하게 나타내는 초음파 전파율 타원은 0.4 이하의 편심도를 가지며, 편광 극초단과 전달 강도 타원은 0.55 이하의 편심도를 가진다. 가요성 인쇄회로는 플라스틱 막의 치수 안정성에 기인하여 개선된 치수 정밀도를 가진다.

Description

가요성 인쇄회로 및 그의 제조방법

도 1은 플라스틱 막의 열수축률 타원을 나타내는 극선좌표상에 도시된 도면.

도 2는 플라스틱 막의 초음파 전파율을 나타내는 극선좌표상에 도시된 도면.

도 3은 플라스틱 막의 편광 극초단파 전파강도를 나타내는 극선좌표상에 도시된 도면.

도 4(a) 내지 도 4(d) 는 가요성 인쇄회로 제조 방법을 나타내는 것으로,

도 4(a)는 접착제 층을 통하는 구리 박막을 가지는 플라스틱 베이스 막의 횡단면도.

도 4(d)는 회로내부에 패터닝한 구리 박막을 가지는 플라스틱 베이스 막의 횡단면도.

도 4(c)는 베이스 막상에 라미네이팅된 플라스틱 커버 막을 나타낸 횡단면도.

도 4(d)는 완성된 가요성 인쇄회로의 횡단면도.

도5는 만곡 형상을 가지는 가요성 인쇄회로를 도시하는 도면.

도 6(a) 내지 도 6(c)는 가요성 인쇄회로를 도시하는 것으로,

도 6(a)는 가요성 인쇄회로의 기본 구조의 횡단면도.

도 6(b)는 각 두 개의 플라스틱 막이 포함하는 접착제 층을 가지는 구조의 횡단면도.

도 6(c)는 각각 세 개의 플라스틱 막이 가지는 접착제 층을 포함하는 구조의 횡단면도.

도 7은 열 수축률의 측정을 위한 플라스틱 막의 시편의 크기를 도시한 도면.

도 8(a) 및 도 8(d)는 열수축률 타원의 편심률의 변화를 도시한 도면으로, 초음파 전파율 타원과 편광 극초단파 전파강도 타원의 각각에 기계방향으로 및 역방향으로 2축 신장 플라스틱 막을 도시한 도면.

도 9는 편광 극초단파 전파강도의 측정에서 플라스틱 막을 통해 전달되는 편광 극초단파를 개략적으로 나타낸 도면.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*

1 : 가요성 인쇄회로2 : 플라스틱 커버막

3 : 전도체 회로3a : 전도체층

4 : 플라스틱 베이스막

본 발명은 가요성 인쇄회로(FPC, flexible printed circuit)에 관한 것으로, 전기 및 전자 장비에서 주로 사용되는 기능적인 부품과 가요성 인쇄회로 제조방법에 관한 것이다.

[발명의 목적]

본 발명의 목적은 열에 대해 특별히 개선된 치수 안정성을 가지는 플라스틱 막의 사용에 의해 치수 정밀도가 개선된 가요성 인쇄회로를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 치수 정밀도를 개선하는 가요성 인쇄회로 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 상기 목적은 플라스틱 막과 전도층을 라미네이팅하여 구성되는 가요성 인쇄회로를 제조하기 위한 방식을 성취하는 데 있어서, 플라스틱 막은 0.7 이하의 편심률을 가지는 열수축률 타원을 나타내는 것이다.

[발명이 속하는 기술분야 및 그 분야의 종래기술]

가요성 인쇄회로(FPC)는 전기 및 전자장비의 분야에서 널리 사용된다. 가요성 인쇄회로는 메탈박막과 같은 플라스틱 막과 전도층으로 구성되는 통상의 라미네이팅구조를 가진다. 가요성 인쇄기판으로 예증되는 실예가 도 6(a)에 나타나며, 가요성 인쇄회로(1)는 인쇄공정, 기판공정, 등에 의해 전도체 회로(3)상에 형성되는 폴리이미드, 폴리에스터, 등으로 제조된 플라스틱 베이스 막(4)으로 구성된다. 그리고 전도체 회로(3)는 베이스 막(4)과 유사한 플라스틱 커버 막(2)으로 덮여진다. 부수적으로, 접착제 층은 도 6(a) 에서 생략된다.

도 6(b)는 가요성 인쇄회로의 일반 구조를 보인다. 도 6(b)에서, 접착제 층(6)은 라미네이팅되는 전도체 회로(3)를 통해 플라스틱 베이스 막(4)상에 제공되며, 다른 접착제 층(6)은 플라스틱 커버 막(2)의 측부상에 또한 제공된다. 이는 플라스틱 막(2 및 4)이 서로에게 접하는 각각 그의 접착제 층과 함께 부착된다. 추후, 플라스틱 커버 막(2)의 일부분은 다른 전자부품에 전도체 회로(3)의 전기적인 접속을 위해 필요하다면 제거(도 6(a)및 도 6(b)의 부호 5 로 나타내는)될 수 있다.

가요성 인쇄회로는 미소 피치로서 커넥터를 통해 전자 장비에 접속되거나 또는 미소 피치로서 반도체 소자상에 고정되는 반도체 소자와 같은 전자 부품이기 때문에 치수 정밀도를 가지는 것이 요구된다. 도 6(a)내지 도 6(c)내에 통상적으로 보여지는 바와 같이 플라스틱 막과 전도체층을 구성하는 라미네이팅구조를 가지는 가요성 인쇄회로이므로, 이의 치수 정밀도는 사용되는 플라스틱 막의 치수 안정도에 크게 의존된다. 가요성 인쇄회로내에 사용되는 플라스틱 막은 가요성 인쇄회로의 제조시 높은 온도 조건하에서 취급되기 때문에 특히 열에 대해서 치수 안정도를 가지는 것이 요구된다.

플라스틱 막의 선정을 위해서는 제조가능한 개선된 치수 정밀도를 가지는 만족할만한 치수 안정성을 가요성 인쇄회로 이전에 가지는 것이 필요하다. 그러므로 플라스틱 막의 치수 안정성상의 정밀한 평가는 필수적이 된다.

종래 플라스틱 막을 사용하는 가요성 인쇄회로의 제조시 실행에서는, 열에의 한 플라스틱 막의 치수 변화는 가끔 사양을 이탈한 생산품을 생산하는 결과를 가져오며, 가요성 인쇄회로 및 커넥터와 같은 전자부품 간에 불완전한 전기접속을 하게 된다.

[발명의 구성 및 작용]

본 발명의 범위는 도 4(a)에 도시된 바와 같은, 하나의 플라스틱 막, 도4(b)에 도시된 두 개의 플라스틱 막, 도 4(c)에 도시된 바와 같은 세 개의 플라스틱 막 또는 그 이상의 전도체 층의 라미네이팅구조를 가지는 가요성 인쇄회로를 구비한다. 본원에서 사용되는 가요성 인쇄회로 조건은 회로 내부로 패터닝된 전도체층을 가지는 가요성 인쇄회로를 포함할 뿐만 아니라 회로 패턴의 형성 이전 통상의 라미네이팅 보드를 의도된다.

플라스틱 막의 열수축률 타원은 따르는 방법에 의해 극선좌표상에 나타낼 수 있다.

기준축은 신장된 플라스틱 막의 표면상에 연신 방향으로 그려진다. 기준점(P)은 축상에 임의로 배치되고, 기준점(P)으로부터 각도 θ를 가진 축을 형성하는 방향으로 막의 열수축률이 측정된다. 점(P)로부터 거리(r)와 같은 열수축률의 측정된 값을 말하는 거리(r)는 각도θ 의 방향상에 드로잉된다. 측정 및 제도는 가변되는 각도 θ에서 반복된다. 각 각도에서 평균 구성은 기준점(P)둘레의 분석적 타원을 그리기 위해 연결된다. 신장되지 않은 막의 실험 경우에는 기준축이 임의로 배치된다.

열수축률은 다음과 같이 측정된다. 플라스틱 막의 시편은 두 개의 기준점으로 도시된다. 시편에 130℃ 열 × 1kg/㎟ 의 인장하중이 1분동안 적용된후, 기준점 간의 거리(L₁)은 ㎛ 의 단위로 측정된다. 그러면, 막은 인장하중이 적용되지 않은 150℃ 로 1시간으로 가열되며, 기준점간의 거리(L₂)는 ㎛ 의 단위로 측정된다. 열수축률(R; %)은 식(1)에 따라 구해진다.

R = (L₁- L₂)/L₁× 100...(1)

열수축률의 측정을 위해 사용되는 플라스틱 막의 시편은 도 7에 나타난 형상을 가질 수 있다. 도 7의 시편은 길이 140mm 와 횡축 20mm과 2개의 기준점(각각 0.6mm 직경을 가진 중앙 구멍)으로 80 mm 의 거리에서 드로잉된다.

통상, 타원의 편심도(ε)는 식(2)를 통해 주어진다:

ε= (a²- b²)^1/2/a....(2)

a는 주축 반경 이고 b 는 단축 반경이다.

본 발명에 따른 가요성 인쇄회로는 적어도 하나의 플라스틱 막과 전도체 층에서 라미네이팅되는 것에 의해 생성된다. 사용되는 플라스틱 막의 열수축률 타원의 편심도는 라미네이팅되기 전에 통상 측정된다. 편심도는 라미네이팅시키는 것에 의해 영향을 심하게 받기 때문에, 측정은 생산된 가요성 인쇄회로를 분리한 플라스틱 막에서 수행될 수 있다.

본 발명의 기술적 사상은 아래에 설명된다. 가요성 인쇄회로의 치수 정밀도 문제를 해결하기 위해, 발명자는 치수적 결함의 원인을 광범위하게 조사하였다. 결과적으로, 치수 결함은 프라스틱 막의 열수축률의 내면 이방성에 의한 원인으로 발견되었다. 고려되는 플라스틱 막은 가요성 인쇄회로의 일반 제조 방법에서 고온내에 노출되며, 플라스틱 막의 열수축도는 막의 치수 안정성에서 직접 고려되는 것을 쉽게 예상할 수 있다. 이는 열수축도 뿐만 아니라 열수축의 방향성도 발견된다. 즉 가요성 인쇄회로의 연결장애를 방지하기 위해 적합하게 고려되는 열수축의 내면 이방성이 주어질 수 있으며, 특히 한 개는 밀집되고 미세한 전도체 회로 패턴을 가진다.

2축으로 신장된 막은 가요성 인쇄회로내에서 가끔 사용된다. 2축 신장 조건이 다소 변동될 때, 열수축률의 이방성은 측정의 위치에 의존하여 변화되는 경향이 있다. 그러므로, 2축으로 신장된 막의 사용에서, 열수축률의 이방성이 반드시 고려되는 것이 요구된다.

본 발명자는 상기 방식에 의해 언급되는 열수축률 타원의 편심도에 관해서 플라스틱 막의 열 수축률의 내면 이방성으로 평가된다. 이 경우는, 편심도 이상이거나, 이방성 이상인 경우나, 그리고 반대인 경우이다.

열수축률 타원과 같은 예는 도 1에 나타난다. θ는 측정된 열수축률의 기준축과 방향사이에 형성된 각도이다. r은 기준점(P)(중공원으로 가리키는)으로부터 거리로서 드로잉되는 열수축률이다.

열수축률 타원의 편심도가 0.7 이하일 때나, 바람직하게는 0.6 이하일 때, 결과가 되는 가요성 인쇄회로는 만족시키는 치수 정밀도와, 커넥터와 같은 다른 전자부품에 접속오류 발생은 효과적으로 억제된다.

반대로 , 0.7을 초과하는 편심도를 가지는 플라스틱 막이 사용된다면, 가요성 인쇄회로가 부족한 치수 정밀도를 갖는 결과와, 열수축률의 큰 내면 변화에 직면하여 중요한 주파수에서 접속오류의 원인이 된다.

본 발명에서, 플라스틱 막의 열수축률은 플라스틱 막의 열수축률에 깊이 관련되는 특성 값 측정에 의해 상대적으로 결정될 수 있다. 따라서, 플라스틱 막의 열수축률의 내면 이방성은 상술된 바와 같은 방식의 특성값과 같은 것을 사용에 의해 준비되는 타원의 편심도에 의해 평가될 수 있다.

열수축률에 깊이 관련이 있는 특성값과 열수축률은 내면의 초음파(본원에서는 초음파 전파율로서 참조되는)전달 비율과, 편광 극초단과 전송의 강도(본원에서는 편광 극초단파 전달 강도로서 참조되는) 및 영 계수를 상대적으로 포함하여 결정될 수 있다. 초음파 전파율 및 편광 극초단파 전송강도는 측정의 편리를 위해 바람직 하다.

23±2℃ 에서 75 mm의 거리 또는 전달률(m/sec)을 위한 플라스틱 막을 통해 전달되도록 초음파 펄수(주파수: 25kHz)를 위해 요구되는 시간(sec)을 의도하는 본원에서 사용되는 것과 같은 초음파 전파율 조건은 그것으로부터 계산된다. 초음파 전파율은 노무라 소지 케이. 케이(Nomura Shoji K. K.)로부터 가능한 소닉 시트 테스터(Sonic Sheet Tester, SST)에 의해 짧은 시간내에 쉽게 측정될 수 있다.

도 1의 열수축률 타원에 유사하게, 초음파 전파율 타원은 다음 방식에 따라 극선 좌표상에 도시되며, 상기의 실예는 도 2에 나타난다.

기준점(P)은 플라스틱 막의 표면상에 임의로 세팅되며, 기준점(P)를 통과하는 기준축은 임의 방향으로 도시된다. 상기 기준점(P)으로부터 축이 가지는 각θ를 형성하는 방향내의 초음파 전파율이 측정된다. 점(P)으로부터 거리(r)로서 취하는 측정된 값은 각도θ 의 방향상에 드로잉된다. 측정 및 드로잉은 변화된 각도θ에서 반복된다. 각각 각도에서 평균 도면은 기준점(P)주위의 분석적 타원을 드로잉하도록 연결된다.

초음파 전파율 타원의 편심도가 0.4 이하 이거나, 바람직하게 0.3 이하 일때, 가요성 인쇄회로는 만족한 치수 정밀도 결과를 나타내고, 커넥터와 같은 다른 전자부품으로 접속오류 발생을 방지한다.

역으로, 0.4를 초과하는 편심도를 가지는 플라스틱 막이 가요성 인쇄회로에 사용된다면, 막은 고주파에서 접속오류 때문에 부족한 치수 정밀도를 갖는 가요성 인쇄회로 결과를 위해 열수축류 안의 면내 큰 변화를 가진다.

12 내지 13 GHz 로부터 임의로 선택된 주파수를 가지는 편광 극초단파의 강도 수단으로 본원에서 사용되는 것과 같은 편광 극초단파 전송강도 조건은 도 9에 도시된 바와 같이 23±2℃ 에서 두께의 방향으로 플라스틱 막을 통해 전송된다. 편광 극초단파 전송강도는 오지 게이소쿠키 케이.케이.(Oji Keisokuki K.K.)로부터 가능한 분자 방위미터 엠오에이 시리즈(molecular orientation meter MOA series)로서 짧은 시간내에 손쉽게 측정된다.

도 1의 열수축률 타원에 유사하게, 편광 극초단파 전파강도 타원은 이후의 방식에 따라 극선 좌표상에 도시된다. 도 3에서 플롯(중공 원, plot)은 각θ가 연속적으로 변화되기 때문에 도시되지 않는다.

기준점(P)은 플라스틱 막의 표면상에 임의로 설정되며, 기준점(P)을 통하는 기준축은 임의 방향으로 드로잉된다. 편광 극초단파는 두께방향에서 기준점(P)을 통해 전파되며, 전파된 극초단파의 강도가 측정된다. 점(P)로부터 거리(r)로서 측정된 값을 취하면, 거리(r)은 각도 θ의 방향상에 드로잉된다. 측정 및 드로잉는 기준축 및 편광 극초단파의 전계의 방향 사이에서 형성된 변각θ 에서 반복된다. 각각의 각도에서 평균 플롯은 기준점(P)주위에 분석적 타원을 드로잉하도록 연결된다.

편광 극초단파 전송강도 타원이 0.55 이하 일때나, 바람직하게는 0.45 이하일 때, 가요성 인쇄회로의 결과는 만족한 치수 정밀도를 나타내고, 커넥터와 같은 다른 전자부품에서 연결오류 발생을 효과적으로 방지한다.

역으로, 0.55 를 초과하는 편심도를 가지는 플라스틱 막이 사용된다면, 막이 가지는 열수축률이내에서 큰 면내 변화되도록 부족한 치수 정밀도를 가지는 가요성 인쇄회로 결과를 가져오고, 고주파에서 접속오류 원인이 된다.

초음파 전파율 타원의 편심도 또는 플라스틱 막의 편광 초음파 전파 타원은 플라스틱 막이 라미네이팅 되기전에 통상 측정된다. 이 타원의 편심도는 라미네이팅에 의해 크게 영향을 받기 때문에, 측정은 제조된 가요성 인쇄회로를 분리한 플라스틱 막상에 수행될 수 있다.

본 발명에 따른 가요성 인쇄회로는 플라스틱 막과 전도체 층에 라미네이팅된다. 2축으로 신축되는 플라스틱 막이 바람직하게 사용된다. 신축율은 통상적으로 1.05 내지 10 이며, 바람직하게는 기계방향(MD)으로 1.2 내지 9 및 역방향(TD)으로는 1.2 내지 9 이다. 역 방향분에 기계방향(MD/TD)의 신축은 바람직하게는 7/10 내지 10/7 이다.

플라스틱 막이 반드시 가지는 열수축률 타원의 편심률은 0.7을 초과하지 않고 바람직하게 초음파 전파율 타원이 가지는 편심률은 0.4를 초과하지 않으며 편광 극초단파 전파강도 타원의 편심도는 0.55를 초과 하지 않는다. 2축상으로 신축되는 플라스틱 막의 경우에, 열수축률 타원의 편심도, 초음파 전파율 타원, 편광 극초단과 전파강도 타원은 도 8(a)에 나타난 바와 같이 기계방향으로 일정한데 반하여 역방향으로 변화하는 것은 도 8(b)에 도시된 바와 같이 중앙에서 최소 및 양단부에서 최대를 보인다. 따라서, 2축으로 신축된 막의 사용에서는, 열수축률 타원의 편심도가 횡축방향으로 0.7 이하일 것이 요구되며, 초음파 전파율 타원의 편심도 및 편광 극초단과 전파 강도 타원은 폭 방향의 양단부에서 0.4 이하 와 0.55 이하인 것이 바람직하다.

가요성 인쇄회로의 제조에서 사용되는 플라스틱 막은 통상 별개로 준비된다. 어떤 경우에는, 막 형성 플라스틱 재료는 전도체 층 및 막 내부로 중합화되는 원인으로서 금속 박막상에 직접 적용된다.

플라스틱 막의 유용한 재료의 예는 폴리이미드, 폴리에테르 니트릴, 폴리에테르 술폰, 폴리에틸렌 테레파탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 및 폴리비닐 클로라이드를 포함한다. 플라스틱 막은 바람직하게는 적어도 300 kg/㎟ 의 탄성계수, 적어도 3×10^-5/℃ 선 팽창계수, 70℃ 이하로 낮아지지 않는 유리 이행온도를 가진다. 상술된 플라스틱 재료로 폴리에틸렌 테레파탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 및 폴리이미드들은 열저항, 치수 안정성, 전기특성, 기계 강도, 화학적 저항성, 및 비용면의 전부를 고려할 때 바람직하다. 플라스틱 막은 통상 0.01 내지 0.3 mm 의 두께를 가지며, 바람직하게는 0.025 내지 0.125 mm 두께를 가진다.

전도체 층으로서 유용한 금속은 구리, 금, 스테인레스 스틸, 알루미늄, 니켈, 그리고 이 금속들의 합금을 포함한다. 유연성, 작업성, 전기특성, 그리고 비용을 고려할 때, 구리 및 구리합금이 바람직하다. 금속의 전도체 회로는 통상 0.002 내지 0.100 mm의 두께를 가지며, 바람직하게는 0.005 내지 0.070 mm 두께를 가진다. 전도체 회로는 통상 2000 내지 20000 kg/㎟ 의 탄성계수를 가지며, 바람직하게는 박막로서 측정되는 것과 같이, 4000 내지 12000 kg/㎟ 의 탄성계수를 가진다. 탄성계수는 ASTM D-882-83 에 따라 인장시험기(Tensilon Tester)로 측정될 수 있다. 금속 전도체 회로 및 금속 박막의 탄성계수가 라미네이팅 또는 패턴 형성 이후 측정될때는 금속의 회로 이외의 부재 또는 금속 박막은 플라스마 에칭 또는 액시머레이저 에칭에 의해 제거되며, 금속의 회로 또는 금속 박막만이 상술된 측정에 속한다.

플라스틱 막과 전도체 층의 라미네이팅은 통상 접착제로서 수행된다. 적합한 접착제의 예는 열경화성 접착제(아이소크야네이트(isocyanate) 경화제를 여기에 첨가하는 것을 가지는 폴리에스터 수지를 구성하는 즉, 에폭시 고무 접착제 및 폴리에스터 접착제)열가소성 접착제(즉, 합성고무 접착제)그리고 접착제 (압력감응성 접착제, 즉 아크릴 접착제)를 포함한다. 열경화성 접착제는 접착에 관해 열저항, 습기 열 저항, 작업성, 내구성, 의 충분한 실행이 바람직하다.

본 발명의 가요성 인쇄회로의 제조 방법은 도 6(b)에 나타난 라미네이팅 구조의 실예를 취하는 것이 설명된다.

두 개의 플라스틱 막(2 및 4)이 준비된다. 폴리이미드 막은 선택을 위해 사용된다. 이 플라스틱 막은 0.7 이하인 상술된 방식으로 얻는 것과 같이 열수축률 타원의 편심도를 반드시 만족하는 조건이어야 한다. 상술된 방식에 의해 얻어지는 0.4 이하의 편심도를 가지는 초음파 전파율 타원을 갖기 위한 플라스틱 막이 바람직하고, 또는 상술된 방식에 의해 얻을 수 있는 0.55 이하의 편심도를 가지는 편광극초단파 전파강도 타원을 가지는 것이 바람직하다. 플라스틱 막의 사용은 커넥터와 같은 다른 전자부품에서 가요성 인쇄회로의 접속오류를 감소하기 위해 안내되는 본 발명에 명기된 바와 같이 열수축내의 작은 이방성을 가진다.

도 4(a)에 도시된 바와 같이, 접착제 층(6)은 플라스틱 베이스 막(4)상에 형성된다. 접착제 층(6)은 플라스틱 막(4)위의 릴리스 시트와 떼어낸 릴리스 시트상에 형성된 접착제 층에 건조 및 부착에 의해 따르는 플라스틱 막(4)에 접착제 적용에 의해 제공된다. 접착제 층(6)은 통상 0.003 내지 0.2mm의 두께를 가지며, 바람직하게는 0.005 내지 0.05 mm 이다. 전도체 층(3a)은 접착제 층상에 형성된다. 예를 들면, 금속 박막, 즉 구리박막은 접착제 층(6)상에 놓이고 롤(roll) 적용에 의해 부착된다. 전도체 층(3a)은 전기도금 또는 스퍼터링에 의해 형성될 수 있다. 이 경우에는, 접착제 층(6)은 필요치 않고, 전도체 층(3a)은 플라스틱 막(4)상에 직접 형성된다. 전도체 층(3a)은 도 4(b)에 도시된 바와 같이 전도체 회뢰(3)를 형성하기 위한 인쇄 공정, 빼는(subtractive) 공정, 또는 부가 공정과 같은 종래 기술에 의해 패터닝된다.

별도로, 접착제 층(6)은 커버링을 위해 플라스틱 막(2)상에 형성된다. 결과로서, 접착제 층(6)을 갖는 플라스틱 막(2)과 전도체 회로(3)를 갖는 플라스틱 막(4)은 도 4(c)에 도시된 바와 같이 서로 접하는 전도체 회로 측의 후자와 접착제층(6)이전에 라미네이팅된다.

두 개의 플라스틱 막은 가열하에서 가압에 의해 접착(압력 접착, pressure bonding)되거나, 가열 그리고/또는 압력의 적용에 의해 따르는 롤러의 수단에 의해 통상적으로 접착된다. 이는 도 4(d) 및 도 6(b)에 도시된 가요성 인쇄회로를 제조한다. 라미네이팅의 방식과 조건은 플라스틱 막과 접착제의 종류에 따라 적합하게 선정된다. 가요성 인쇄회로의 두께는 이의 사용 및 유사상에 따라 50 내지 800 ㎛ 바람직하게는 100 내지 600 ㎛ 이다. 가요성 인쇄회로의 형상은 특별히 제한하지 않으며, 가요성 인쇄회로는 다양한 형상을 가질 수 있고, 사용의 일치로, 도 5에 도시된 바와 같은 만곡 형상을 포함한다. 크기 또한 제한되지 않는다. 예를 들어, 최소 외접된 4변형 가요성 인쇄회로는 긴쪽의 길이가 10 내지 1000 mm 를 가지며, 바람직하게는 30 내지 600 mm(도 5 참조)이다.

본 발명은 실시예 및 비교예를 참조하여 보다 상세히 나타내어지나, 본 발명은 여기에서 구성에 한정되지 않는 것으로 이해되어야 한다.

[제 1 실시예]

0.025 mm 두께의 이축 신장 폴리이미드 스톡 막 롤(로트 번호 1) 및 다른 로트(로트 번호 2) 종류를 준비한다.

열수축률, 초음파 전파율, 이 스톡 막의 편광 극초단파 전파강도는 상술된 방식에 따라 그의 타원을 얻기 위해 측정되며, 각 타원의 편심도가 계산된다. 상기 편심도는 양 단부를 포함하는 횡축방향(TD)으로 20 점의 측정을 위해 얻어진다. 측정 결과를 이하에 보인다.

250×120 mm의 커버 막(2)이 로트 번호 1의 폴리이미드 스톡 필름 롤에서 절단되며, 동일한 크기의 베이스 막(4)이 로트 번호 2의 폴리이미드 스톡 막 롤에서 절단된다.

에폭시 타입 열경화성 접착제는 커버 막(2)의 표면에 적용되며 0.015mm의 두께를 가지는 접착제 층을 형성하도록 건조된다. 에폭시 타입 열경화성 접착제는 베이스 막(4)의 표면에 적용되며 0.025 mm의 두께를 가지는 접착제 층(6)을 형성하도록 건조된다.

0.035 mm의 두께를 가지는 구리박막은 베이스 막(4)의 접착제 층(6)상에 놓이며 120℃의 롤러 표면온도에서 롤링에 의해 접착된다. 구리박막(3a)은 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 인쇄회로를 형성하도록 빼내는 공정에 의해 에칭된다. 막(2 및 4)은 도 4(d)의 구조를 가지는 가요성 인쇄회로를 준비하기 위한 150℃ × 1 시간 × 30 kg/cm²의 조건아래에서 압력접착에 의해 도 4(c)에 도시된 막(2)의 접착쪽과 막(4)의 회로쪽 서로에게 접하는 동안 접착제 층(6)으로 라미네이팅된다.

플라스틱 커버 막(2)과 플라스틱 베이스 막(4)은 가요성 인쇄회로를 떼어낸 결과이며, 각 막의 열수축의 이방성의 면내에는 상술된 바와 같이, 동일 방식으로 평가된다. 결과로는 각각 스톡 막을 위해 실제로 동등해진다. 이는 열수축률 타원의 편심도가 0.7 이하이며, 초음파 전파율 타원은 0.4 이하이고, 편광 극초단파 전달 타원은 0.55 이하이다.

21000 의 치수로 완료되는 이렇게 제조되는 가요성 인쇄회로는 사양으로부터 0.15 mm 또는 이상 치수의 왜곡을 나타내지 않도록 측정된다.

[비교예]

실시예 1에서 사용되는 동일한 종류의 폴리이미드 스톡막 롤로서 다른 생산품 로드(로트번호 3)가 준비되며, 각각의 특성 타원의 편심도는 실시예 1에서와 같이 동일한 방식으로 얻어진다. 얻어진 결과는 이하에 따른다.

열수축률 타원:

최대 = 0.908;최소 = 0.502;평균 = 0.719;

표준편차 = 0.123

초음파 전파율 타원:

최대 = 0.561;최소 = 0.252;평균 = 0.399;

표준편차 = 0.093

편광 극초단파 전파강도 타원:

최대 = 0.827;최소 = 0.383;평균 = 0.567;

표준편차 = 0.134

250 × 120 mm 의 커버 막(2)은 로트번호 3의 폴리이미드 스톡 막 롤으로 도려내지며, 동일 사이즈의 베이스 막(4)은 실시예 1 에서 사용되는 로트번호 1의 폴리이미드 스톡 막 롤으로 도려내진다. 도 4(c)에 도시된 구조를 가지는 가요성 인쇄회로는 실시예 1과 동일한 방식으로 제조된다.

치수의 측정에서, 21000을 벗어나는 2054 가요성 인쇄회로는 사양으로부터 0.15 mm 또는 이상의 치수 왜곡을 허용하도록 생산되며, 2054 가요성 인쇄회로를 벗어나는 39는 0.18 mm 또는 이상의 치수 왜곡을 보인다.

상술된 바와 같이, 본 발명의 가요성 인쇄회로와 본 발명에 따른 상기 제조를 위한 방법은 플라스틱 막이 소정범위내의 편심도를 가지는 열 수축률 타원을 나타내는 데 사용되는 것을 특징으로 한다. 플라스틱 막과 같이 열수축의 면내 이방성은 이렇게 감소되며, 개선된 치수 정밀도를 가지는 가요성 인쇄회로의 결과로 되며 커넥터와 같은 다른 전자 부품에 접속불량을 방지하게 된다.

소정의 실시예를 참조하여 본 발명이 상세하게 설명되었지만, 당업자는 본원의 정신과 범위에 이탈함이 없이 다양한 변경과 변형을 실시할 수 있다. 예를 들면, 본 발명은 가요성 인쇄회로 뿐만 아니라 일반 합성의 박판(sheet)에도 적용할 수 있다. 본 발명에 따른 합성 박판은 IC 카드, 신용카드 등에 또한 적용할 수 있다.

Claims

플라스틱 막과,

전도체 층으로 구성되는 가요성 인쇄회로에 있어서,

상기 플라스틱 막은 0.7 이하의 편심도를 가지는 열수축률 타원을 가지는 것을 특징으로 하는 가요성 인쇄회로.
제 1 항에 있어서, 상기 열수축률 타원은 상기 플라스틱 막의 신장방향의 기준축 및 기준축은 상기 기준축 상에 임의로 설정되는 기준점에 의해 한정되며, 열수축률 타원은 기준축에 대해서 측정각 θ를 가지는 방향으로 상기 플라스틱 막의 열수축률의 크기를 나타내는 기준점으로부터 일련의 거리 인것을 특징으로 하는 가요성 인쇄회로
제 2 항에 있어서, 상기 플라스틱 막은 2축으로 신장된 막인 것을 특징으로 하는 가요성 인쇄회로.
플라스틱 막과,

전도체 층으로 구성되는 가요성 인쇄회로에 있어서,

상기 플라스틱 막은 0.4 이하의 편심도를 가지는 초음파 전파율 타원을 가지는 것을 특징으로 하는 가요성 인쇄회로.
제 4 항에 있어서, 상기 초음파 전파율 타원은 상기 플라스틱 막상에 임의로 설정되는 기준점과 상기 플라스틱 막상에 임의 방향으로 기준점을 통과하는 기준축에 의해 한정되며, 초음파 전파율 타원은 기준축에 대해서 측정각θ를 가지는 방향으로 상기 플라스틱 막의 초음파 전파율의 크기를 나타내는 기준점으로부터 일련의 거리 인 것을 특징으로 하는 가요성 인쇄회로.
제 5 항에 있어서, 상기 플라스틱 막은 2축 신장된 막 인 것을 특징으로 하는 가요성 인쇄회로.
플라스틱 막과,

전도체 층으로 구성되는 가요성 인쇄회로에 있어서,

0.55이하의 편심도를 가지는 편광 극초단파 전파강도 타원을 가지는 것을 특징으로 하는 가요성 인쇄회로.
제 7 항에 있어서, 편광 극초단파 전파강도 타원은 상기 플라스틱 막상의 임의 방향의 기준점과 상기 플라스틱 막상에 임의 방향으로 기준점을 관통하는 기준축에 의해 한정되며, 편광 극초단파 전파강도 타원은 기준축에 대한 측정각θ를 가지는 편광 극초단파의 자계의 방향으로 상기 플라스틱 막의 편광 극초단파 전파강도의 크기를 나타내는 기준점으로부터의 일련의 거리 인것을 특징으로 하는 가요성 인쇄회로.
제 5 항에 있어서, 상기 플라스틱 막은 2축 신장 막인 것을 특징으로 하는 가요성 인쇄회로.
전도체 층을 준비하는 단계와,

0.7 이하의 편심도를 가지는 열수축률 타원을 갖는 플라스틱 막을 준비하는 단계와,

플라스틱 막과 전도체 층을 라미네이팅하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가요성 인쇄회로 제조방법.
제 10 항에 있어서, 상기 플라스틱 막을 준비하는 단계는,

상기 플라스틱 막의 신장 방향으로 기준축을 드로잉하는 단계와,

기준축상에 임의로 기준점을 설정하는 단계와,

기준축에 대해서 측정각 θ를 가지는 방향으로 플라스틱 막의 열수축률을 측정하는 단계와,

플라스틱 막의 열수축률 타원을 얻기위해 열수축률의 크기를 나타내, 기준점으로부터 일련의 거리를 구성하는 단계와,

열수축률 타원의 편심도를 계산하는 단계와,

0.7 이하의 편심도를 가지는 열수축률 타원을 갖는 플라스틱 막을 선택하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가요성 인쇄회로 제조방법.
제 11 항에 있어서, 플라스틱 막을 2축으로 신장하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 가요성 인쇄회로 제조방법.
전도체 층을 준비하는 단계와,

0.4 이하의 편심도를 갖는 초음파 전파율 타원을 가지는 플라스틱 막을 준비하는 단계와,

플라스틱 막과 전도체 층을 라미네이팅하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가요성 인쇄회로 제조방법.
제 13 항에 있어서, 플라스틱 막을 준비하는 단계는,

플라스틱 막 상에 임의로 기준점을 설정하는 단계와,

플라스틱 막 상에 임의 방향으로 기준점을 통과하는 기준축을 드로잉하는 단계와,

기준축에 대해서 측정값 θ 를 갖는 방향으로 플라스틱 막의 초음파 전파율을 측정하는 단계와,

플라스틱 막의 초음파 전파율 타원을 얻기 위해 초음파 전파율의 크기를 나타내며, 기준점으로부터 거리 설정을 구성하는 단계와,

초음파 전파율 타원의 편심도를 계산하는 단계와,

0.4 이하의 편심도를 갖는 초음파 전파율 타원을 가지는 플라스틱 막을 선택하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가요성 인쇄회로 제조방법.
제 14 항에 있어서, 플라스틱 막을 2축으로 신장하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 가요성 인쇄회로 제조방법.
전도체 층을 준비하는 단계와,

0.55 이하의 편심도를 가지는 편광 극초단파 강도 타원을 갖는 플라스틱 막을 준비하는 단계와,

플라스틱 막과 전도체 층을 라미네이팅하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가요성 인쇄회로 제조방법.
제 16 항에 있어서, 상기 플라스틱 막을 준비하기 위한 단계는,

플라스틱 막 상에 임의로 기준점을 설정하는 단계와,

플라스틱 막 상에 임의 방향으로 기준점을 통과하는 기준축을 드로잉하는 단계와,

기준축에 대해서 측정각 θ를 가지는 편광 극초단파의 전계의 방향으로 플라스틱 막의 편광 극초단파 전파 강도를 측정하는 단계와,

플라스틱 막의 편광 극초단파 전파 강도 타원을 얻기 위해 편광 극초단파 전파 강도의 크기를 나타내는 기준점으로부터 일련의 거리를 구성하는 단계와,

편광 극초단파 전파 강도 타원의 편심도를 계산하는 단계와,

0.55 이하의 편심도를 갖는 편광 극초단파 전파 강도 타원으르 가지는 플라스틱 막을 선택하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 가요성 인쇄회로 제조방법.
제 17 항에 있어서, 플라스틱 막을 2축으로 신장하는 단계를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 가요성 인쇄회로 제조방법.