KR19980045815A - 반도체장치의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 바이폴라 트랜지스터의 제조 공정을 단순화할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체기판상에 불순물이 도핑되지 않은 폴리실리콘막을 형성하는 공정과; 상기 폴리실리콘막상에 에미터가 형성될 영역을 정의하여 질화막 패턴을 형성하는 공정과; 상기 질화막 패턴을 마스크로 사용하고, 상기 폴리실리콘막의 에미터가 형성될 영역에 제 1 불순물 이온을 주입하는 공정과; 상기 폴리실리콘막의 에미터가 형성될 영역상에 산화막을 형성하는 공정과; 상기 질화막 패턴을 제거하는 공정과; 상기 산화막의 양측벽에 질화막 스페이서를 형성하는 공정과; 상기 산화막 및 질화막 스페이서를 마스크로 사용하여 상기 질화막 스페이서 양측의 표면이 노출된 상기 폴리실리콘막에 제 2 불순물 이온을 주입하는 공정과; 상기 질화막 스페이서 양측의 표면이 노출된 상기 폴리실리콘막상에 산화박막을 형성하는 공정과; 상기 질화막 스페이서를 제거하는 공정과; 상기 산화막 및 산화박막을 마스크로 사용하여 상기 산화막 양측의 노출된 반도체기판에 제 3 불순물 이온을 주입하는 공정을 포함한다. 이와 같은 방법에 의해서, 반도체 장치의 동작 특성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 반도체 장치의 제조 공정을 단순화할 수 있다.

Description

반도체 장치의 제조 방법

본 발명은 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는, 바이폴라 트랜지스터의 제조 공정을 단순화하는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.

종래 싱글 폴리실리콘 스트라이프 트랜지스터(single poly-silicon STRIPE transistor)는 p+ 불순물 이온이 도핑된 폴리실리콘에 n+ 불순물 이온으로 카운트 도핑(count doping)하게 되면 소자의 동작 특성이 저하된다.

뿐만 아니라, 종래 싱글 폴리실리콘 스트라이프 트랜지스터는 마스크 공정을 최소한 두 번 이상 수행하여야 하기 때문에 제조 공정이 지나치게 복잡해지는 문제점이 발생된다.

상술한 문제점을 해결하기 위해 제안된 본 발명은 바이폴라 트랜지스터의 제조 공정을 단순화할 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 데 그 목적이 있다.

도 1A 내지 도 1E는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 순차적으로 보여주는 도면.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명

10 : 반도체기판12 : 폴리실리콘막

14 : 질화막18 : 산화막

(구성)

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의하면, 반도체 장치의 제조 방법은, 반도체기판상에 불순물이 도핑되지 않은 폴리실리콘막을 형성하는 공정과; 상기 폴리실리콘막상에 에미터가 형성될 영역을 정의하여 질화막 패턴을 형성하는 공정과; 상기 질화막 패턴을 마스크로 사용하고, 상기 폴리실리콘막의 에미터가 형성될 영역에 제 1 불순물 이온을 주입하는 공정과; 상기 폴리실리콘막의 에미터가 형성될 영역상에 산화막을 형성하는 공정과; 상기 질화막 패턴을 제거하는 공정과; 상기 산화막의 양측벽에 질화막 스페이서를 형성하는 공정과; 상기 산화막 및 질화막 스페이서를 마스크로 사용하여 상기 질화막 스페이서 양측의 표면이 노출된 상기 폴리실리콘막에 제 2 불순물 이온을 주입하는 공정과; 상기 질화막 스페이서 양측의 표면이 노출된 상기 폴리실리콘막상에 산화박막을 형성하는 공정과; 상기 질화막 스페이서를 제거하는 공정과; 상기 산화막 및 산화박막을 마스크로 사용하여 상기 산화막 양측의 노출된 반도체기판에 제 3 불순물 이온을 주입하는 공정을 포함한다.

이 방법에 있어서, 상기 제 1 불순물 이온은 n형 불순물 이온이고, 상기 제 2 및 제 3 불순물 이온은 p형 불순물 이온이다.

(작용)

이와 같은 방법에 의해서, 반도체 장치의 동작 특성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 반도체 장치의 제조 공정을 단순화할 수 있다.

(실시예)

이하, 본 발명의 실시예를 첨부 도면 도 1A 내지 도 1E에 의거해서 상세히 설명한다.

도 1A 내지 도 1E에는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 제조 방법이 순차적으로 도시되어 있다.

도 1A를 참조하면, 반도체기판(10)상에 불순물이 도핑되지 않은 폴리실리콘막(12)을 형성하고, 이어, 상기 폴리실리콘막(12)상에 에미터가 형성될 영역을 정의하여 질화막 패턴(14)을 형성한다. 그리고, 상기 질화막 패턴(14)을 마스크로 사용하고, 상기 폴리실리콘막(12)의 에미터가 형성될 영역에 n+형 불순물 이온(16)을 주입한다.

다음, 도 1B에 있어서, 상기 폴리실리콘막(12)의 에미터가 형성될 영역상에 산화막(18)을 형성한 후, 상기 질화막 패턴(14)을 제거한다.

그리고, 상기 산화막(18)의 양측벽에 도 1C에 도시된 바와 같이 질화막 스페이서(20)를 형성하고, 이어서, 상기 산화막(18) 및 질화막 스페이서(20)를 마스크로 사용하여 상기 질화막 스페이서(18)양측의 표면이 노출된 상기 폴리실리콘막(12)에 p+형 불순물 이온(22)을 주입한다.

도 1D를 참조하면, 상기 질화막 스페이서(20)양측의 표면이 노출된 상기 폴리실리콘막(12)상에 산화박막(24)을 형성하고, 그리고, 상기 질화막 스페이서(20)를 제거한 후, 상기 산화막(18) 및 산화박막(24)을 마스크로 사용하여 상기 산화막(18)양측의 노출된 반도체기판(10)에 p형 불순물 이온(26)을 주입한다.

다음, 도 1E에 도시된 바와 같이, 상기 산화막(18) 및 산화박막(24)을 제거하고, 상기 n+ 및 p+형 불순물 이온이 도핑된 폴리실리콘막(12a, 12b)을 포함하여 반도체기판(10)상에 층간 절연을 위한 산화막(28) 및 BPSG (boron - phosphorus-silicate-glass)막(30)을 순차적으로 형성한다.

그리고, 상기 BPSG막(30)상에 금속배선막이 형성될 영역을 정의하여 포토레지스트 패턴(도면에는 미도시)을 형성하고, 이를 마스크로 사용하여 상기 BPSG막(30)을 식각하여 상기 폴리실리콘막(12a, 12b)이 노출되도록 콘택홀을 형성한다. 이어서, 상기 콘택홀 내에 금속배선막을 형성한다.

상술한 바와 같은 반도체 장치의 제조 방법에 의하면, 반도체 장치의 동작 특성을 향상시킬 수 있고, 또한 반도체 장치의 제조 공정을 단순화할 수 있다.

Claims (2)

1. 반도체기판(10)상에 불순물이 도핑되지 않은 폴리실리콘막(12)을 형성하는 공정과;

   상기 폴리실리콘막(12)상에 에미터가 형성될 영역을 정의하여 질화막 패턴(14)을 형성하는 공정과;

   상기 질화막 패턴(14)을 마스크로 사용하고, 상기 폴리실리콘막(12)의 에미터가 형성될 영역에 제 1 불순물 이온(16)을 주입하는 공정과;

   상기 폴리실리콘막(12)의 에미터가 형성될 영역상에 산화막(18)을 형성하는 공정과;

   상기 질화막 패턴(14)을 제거하는 공정과;

   상기 산화막(18)의 양측벽에 질화막 스페이서(20)를 형성하는 공정과;

   상기 산화막(18) 및 질화막 스페이서(20)를 마스크로 사용하여 상기 질화막 스페이서(18)양측의 표면이 노출된 상기 폴리실리콘막(12)에 제 2 불순물 이온(22)을 주입하는 공정과;

   상기 질화막 스페이서(20)양측의 표면이 노출된 상기 폴리실리콘막(12)상에 산화박막(24)을 형성하는 공정과;

   상기 질화막 스페이서(20)를 제거하는 공정과;

   상기 산화막(18) 및 산화박막(24)을 마스크로 사용하여 상기 산화막(18)양측의 노출된 반도체기판(10)에 제 3 불순물 이온(26)을 주입하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1 불순물 이온(16)은 n형 불순물 이온이고, 상기 제 2 및 제 3 불순물 이온(22, 26)은 p형 불순물 이온인 반도체 장치의 제조 방법.