KR19980042153A - 전자 증배기 및 그와 함께 제공된 전자관 - Google Patents

전자 증배기 및 그와 함께 제공된 전자관 Download PDF

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KR19980042153A
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미노루 니이가키
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히루마 테루오
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Abstract

본 발명은 높은 2차 전자 발생 효율을 가지며 검출된 광의 입사 위치를 검출할 수 있는 구조를 갖는 투과형 전자 증배기 및 그와 함께 제공된 전자관에 관한 것이다. 전자관은 기밀 용기와, 기밀 용기로 전자를 방출하기 위해 기밀용기에 수용된 전자 소스와, 전자 소스를 마주 보도록 배치된 양극과, 전자 소스와 양극 사이에 배치된 투과형 전자 증배기로 이루어져 있다. 특히, 투과형 전자 증배기는 다이아몬드 또는 다이아몬드의 주성분을 포함하는 물질과, 박막을 보강하며 박막의 일부를 노출하기 위한 틈을 갖는 보강재로 이루어져 있다.

Description

전자 증배기 및 그와 함께 제공된 전자관
본 발명은 입사 전자의 2차 전자 증배하는 투과형 전자 증배기와 그와 함께 제공된 전자관에 관한 것이다.
최근에, 다이아몬드를 사용하는 수단이 전자관에서 사용된 전자 증배 수단으로서 주목되고 있다. 다이아몬드에 초점이 맞춰지는 이유는 다이아몬드가 부의 전자 친화력을 가지며 높은 2차 전자의 발생 효율을 가지기 때문이다. 솔리드 박막, 253(1994) 151은 다이아몬드를 사용하는 전자 증배 수단의 일례로서 반사형 전자 증배기로서 보고되어 있다. 이 전자 증배기는 Mo, Pd, Ti, 또는 Aln 등의 기판과 그 기판상에 배치된 표면이 수소-종단된(hydrogen-terminate) 다이아몬드 박막으로 구성되어 있고, 그에 의해 2차 전자의 방출 효율을 높인다.
발명자는 상술한 종래의 기술을 연구하여 다음의 문제점을 발견하였다. 상술한 반사형 전자 증배기의 다이아몬드 박막에 있어서, 1차 전자의 입사 표면은 또한 2차 전자의 방출 표면이다. 이는 1차 전자가 2-차원 분포로 다이아몬드 박막에 입사되고 2차 전자가 1차 전자가 입사된 표면으로부터 2-차원 분포로 될때, 2-차원 분포의 정보를 유지하면서 2차 전자를 신호로서 추출하는 것이 본질적으로 불가능하게 되는 것과 같은 문제점을 일으키는데, 이는 전자소스(source)와 전자 증배기 및 양극(anode)의 기하학적 정렬에 생긴다. 따라서, 검출될 입사광(이하, 검출광)의 위치는 이러한 반사형 전자 증배기를 결합하는 전자관으로 검출될 수 없다.
따라서, 본 발명의 목적은 높은 2차 전자 방출 효율을 갖고 검출광의 입사 위치를 검출할 수 있는 구조를 갖는 투과형 전자 증배기와, 투과형 전자 증배기를 결합하는 전자관을 제공하는데 있다.
본 발명에 따른 투과형 전자 증배기는 2차 전자를 출력하기 위해 증배기에 입사된 전자를 2차로 증배하는 전자 증배 수단이고, 투과형 전자 증배기가 적용될 수 있는 전자관은 적어도 기밀 용기와, 기밀 용기에 수용되어 기밀 용기로 전자를 방출하는 전자 소스와, 기밀 용기에 수용되고 전자 소스를 향해 위치한 양극과, 전자 소스와 양극 사이에 제공된 투과형 전자 증배기를 구비한다.
특히, 본 발명에 따른 투과형 전자 증배기는, 다이아몬드 또는 다이아몬드로 주로 이루어진 물질로 된 전자 증배 수단으로서 서비스되는 다이아몬드 박막과, 전자 소스로부터의 전자가 입사되는 제 1 주표면과 제 2 전자를 출력하기 위해 제 1 주표면을 향해 있는 제 2 주표면을 갖는 다이아몬드 박막을 구비하고, 다이아몬드 박막의 강도(rigidity)를 보상하기 위해 다이아몬드 박막을 유지하는 보강재와, 적어도 다이아몬드 박막의 일부를 노출하는 틈(aperture)을 갖는 보강재를 구비한다.
전자 증배 수단은, 상술한 바와 같이 높은 2차 전자 방출 효율을 갖는 소정 두께의 다이아몬드의 박막으로 구성되어 있는 경우, 2차 전자 증배에 의해 발생된 전자가 박막을 효율적으로 통과하는 것이 가능해진다. 다이아몬드 박막은, 대량 생산 및 생산 비용면에서 보면, 서로 독립적인 다결정 또는 다공질 입자들의 집합체이다.
본 발명에 따른 투과형 전자 증배기의 보강재는, 다이아몬드 박막을 보강하기 위해 다이아몬드 박막의 한 주표면에 상기 보강재를 배치한 구조 뿐만 아니라 다음의 구조로 구성될 수 있다. 특히, 보강재는 다이아몬드 박막의 에지(edge) 부분을 유지하도록 한 쌍의 부재(제 1 및 제 2 부재)를 만듬으로써 다이아몬드 박막이 보강되는 구조가 될 수 있다. 이 경우에, 각각의 제 1 및 제 2 부재에는 다이아몬드 박막의 제 1 또는 제 2 주표면을 노출하기 위한 틈이 제공되며, 그에 의해 전자의 입사 및 방출이 가능해진다.
또한, 보강재는 복수의 틈을 갖는 한쌍의 판금재(plate member)에 의해 다이아몬드 박막을 유지하도록 하는 구조로 구성될 수 있다. 특히, 이같은 구조의 경우, 다이아몬드 박막의 강도는 충분히 보상될 수 있는데, 이는 다이아몬드 박막의 제 1 또는 제 2 의 주표면 전체를 포함하도록 다이아몬드 박막에 각각의 부재가 부속될 수 있기 때문이다. 따라서, 투과형 전자 증배기는 제작 등의 처리를 행하는데 충분한 세기로 얻어질 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 투과형 전자 증배기를 결합하는 전자관에 있어서, 투과형 전자 증배기는 2차 전자를 양극에 입사하도록 전자 소스의 소정의 위치로부터 방출된 전자의 2차 전자 증배를 효과적으로 행할 수 있다.
상기 전자관에서, 전자 소스가 검출될 광 입사의 위치에 대응하여 광전자를 방출하는 광음극이고, 양극이, 광음극으로부터의 광전자가 입사되는 경우 투과형 전자 증배기에 대한 입사 위치에 대응하여 방출된 2차 전자의 입사와 함께, 2차 전자의 입사 위치에 대응한 광을 검출하기 위한 형광막을 가지면, 검출광이 촬상될 수 있다. 즉, 투과형 전자 증배기를 결합하는 전자관은 검출광 등의 입사 위치의 2-차원 정보를 또한 얻을 수 있다.
여기서 광음극은 입사광에 의해 가전도대로부터 전도대까지 여기된 광전자를 방출하기 위한 전극이다.
본 발명은 이하의 상세한 설명과 첨부된 도면으로부터 충분히 이해될 것이며, 이 상세한 설명과 도면은 설명만을 위해 주어지고 본 발명을 제한하는 것으로서 고려되지는 않는다.
본 발명의 적응성의 또 다른 범위는 이하 상세한 설명을 통해 분명해질 것이다. 그러나, 본 발명의 바람직한 실시예를 가리키는 동안, 상세한 설명과 특수예가 설명만을 위해 주어지는데 이는 본 상세한 설명으로부터 종래 기술에 숙련된 사람들이 본 발명의 정신과 범위내에 다양한 변경 및 변형을 분명히 알 수 있기 때문이다.
도 1 은 본 발명에 따른 전자 증배기의 제 1 실시예가 적용되는 전자관의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도.
도 2 는 제 1 실시예의 전자 증배기를 도 1의 화살표 A가 가리킨 방향에서 보았을 경우의 전자 증배기의 평면도.
도 3 내지 도 5 는 각각 본 발명에 따른 전자 증배기를 제조하는 공정을 개략적으로 도시하는 도면.
도 6 은 박막내에서, 다결정의 다이아몬드 박막에서 발생된 광전자의 움직임을 설명하는 도면.
도 7 은 본 발명에 따른 전자 증배기의 제 2 실시예의 적용되는 전자관의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도.
도 8 은 제 2 실시예의 전자 증배기를 도 7의 화살표 B가 가리킨 방향에서 보는 경우의 전자 증배기의 평면도.
도 9 는 본 발명에 따른 전자 증배기의 구성을 개략적으로 도시하는 사시도.
도 10 은 도 9의 라인 C-C를 따라 제 3 실시예의 구성을 개략적으로 도시하는 단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10 : 영상 강화관12 : 기밀 용기
18 : 광음극20 : 양극
22 : 형광체26a, 26b : 스템핀
30 : 투과형 전자 증배기32 : 다이아몬드 박막
34 : 보강틀38a, 38b : 스템핀
본 발명의 바람직한 실시예는 도 1 내지 도 10을 참조하여 상세히 설명한다. 도면에서, 등가 또는 대응 부분은 동일한 참조 기호로 표시한다.
도 1 은 본 발명에 따른 전자 증배기의 제 1 실시예가 적용되는 전자관의 구성을 도시하고 있으며, 이 전자관은 강화된(intensified) 2-차원 영상 정보로서 전자관에 입사된 미약한 광을 검출할 수 있는 영상 강화관(10)이다. 내부가 감압된 기밀 용기(12)는 검출광을 내부로 입사하도록 하는 입사창(entrance window)(14)과 강화된 검출광을 외부로 방출되도록 하는 검출창(16)을 가지며, 입사창(14)과 검출창(16)은 서로 반대편에 위치한다. 전자 소스로서의 광음극(18)은 입사창(14)의 내부표면에 배치되고 형광체(22)(형광막)로 코팅된 유리판(24)을 포함하는 양극(20)은 검출창(16)의 내부 표면에 배치된다. 스템핀(26a, 26b)의 한 끝은 양극(20)의 각측면에 전기적으로 접속되어 있고 각 스템핀(26a, 26b)의 다른 끝은 기밀 용기(12)를 통해 외부로 확장한다. 스템핀(26a, 26b)은 밀봉 유리(28)에 의해 기밀 용기(12)에 고정되어, 그에 의해 양극(20)이 고정된다. 광음극(18)에 대한 소정의 정의 전압이 스템핀(26a, 26b)을 통해 양극(20)으로 인가된다.
투과형 전자 증배기(30)는 광음극(18) 양극(20) 사이에 위치한다. 본 실시예의 투과형 전자 증배기(30)는 도 1과 도 2에 도시한 바와 같이, 대량 생산 및 생산 비용의 관점에서, 부의 전자 친화력을 갖는 원형의 다결정 다이아몬드 박막(32)을 갖는다. 이 경우, 다이아몬드 박막(32)은 2차 전자의 평균 자유 경로 이하의 두께를 가지는 것이 바람직하나, 이 평균 자유 경로는 다이아몬드 박막(32)의 결정성에 강하게 의존한다.
한편, 다이아몬드 박막(32)자체는 기계적인 강도를 충분히 제공하기 위해 두께를 가질 필요가 있다. 기계적 강도는 다이아몬드 박막(32)의 결정성과, 다이아몬드 박막(32)내의 비-다이아몬드 성분의 백분율과, 다이아몬드 박막(32)의 밀도 혹은 영역에 의존한다. 따라서, 다이아몬드 박막(32)의 두께는 다이아몬드 박막(32)을 성막하는 다양한 조건을 고려하여 얻은 막의 질에 의해 결정될 수 있다.
또한, 본 실시예에서 다이아몬드 층이 박막으로 되어 있고, 그의 강도는 낮다. 따라서 쉽게 변형되거나 손상된다. 그러므로, 예를 들면, 몰리브덴(Mo)의 고리모양의 금속 보강틀(34a, 34b)이 상기 박막(32)의 주위에 부착되어, 박막을 협지(nip)하여, 다이아몬드 박막(32)의 저강도를 보충한다.
도 1 및 도 2 의 실시예에서, 스템핀(38a,386b)은 기밀 용기(12)를 통해 확장되도록 밀봉 유리(28)에 의해 기밀 용기에 고정된다. 각 스템핀(38a, 38b)은 그의 상단에 협지부(nipping portion)(36a, 36b)를 구비하여, 보강틀(34)의 주위를 협지한다. 이렇게 배치하여, 투과형 전자 증배기(30)는 광음극(18)과 양극(20) 사이에 고정된다. 또한, 광음극(18)에 대하여 수 100V 내지 수 1000V의 정의 전압이 스템핀(38a, 38b)을 통해 투과형 전자 증배기에 인가되고, 100V의 내지 수 1000V의 부(negative)전압이 양극에 인가된다.
도 3 내지 도 5 는 투과형 전자 증배기(30)를 제작하는 공정을 도시하는 개략적 도면이다. 본 제작 공정에서, 투과형 전자 증배기(30)를 제작하기 위해 마이크로파 플라즈마 강화된 기상 반응(이하, 마이크로파 플라즈마 CVD) 법이 사용된다.
우선, 상업적으로 이용가능한 Si 기판은 마이크로 플라즈마 CVD 시스템의 반응실(deposition chamber)에 존재한다. 이 Si 기판이 사용된 이유는, Si 기판이 품질이 안정되어 있으므로 다이아몬드 박막을 제작하는데 유리하기 때문이다. 또한, 도 3에 도시한 바와 같이, 플라즈마 상태는 여기(excitation) 가스로서의 수소가 반응실내로 도입되는 때에 마이크로파에 의해 이루어진다.
이 상태에서, 다이아몬드 박막의 원료로서의 메탄(CH4)이 반응실에 도입되고, CH4는 반응실의 입구 부근에서 수소 이온에 의해 분리된다. CH4를 분리하여 얻은 탄소가 다이아몬드형 결정 구조로 Si 기판 상에서 퇴적되기 때문에, 이 경우에 예를 들면 약 6㎛의 두께의 다이아몬드 박막이 성막된다.
이 제작 공정이 기판의 Si 를 사용하기 때문에, 큰 면적에서 균일한 다이아몬드 박막이 형성된다. 다이아몬드 박막은,다이아몬드 박막의 성막위에 디보랑(diborane)(B2H6)을 또한 도입함으로써, p형의 전도성을 갖는 붕소(B)로 도핑될 수 있다. B의 도핑을 항상 필요로하지는 않으나, 발명자의 실험 결과에 따르면, B-도핑된 다이아몬드 박막은, 특히 높은 가속 전압 상태에서 이용된 경우에 B의 도핑이 안된 다이아몬드 박막보다 높은 2차 전자 발생 효율을 갖는다. 성막후에, 도 4에 도시한 바와 같이, Si 기판은 불화수소산+질소산(HF+HNO3)의 혼합 용액으로 에칭되어 제거되고, 그에 의해 다결정 다이아몬드 박막이 얻어진다. 이 다이아몬드 박막의 주위는 접착제(300)를 통해 Mo의 보강틀(34a, 34b)에 접착되고, 다이아몬드 박막은 기계적으로 협지된다(도 5 참조).
검출광(hν)이 도 1의 영상 강화관(10)의 입사창(14)으로 입사되는 경우, 1차 전자인 광전자(e-)가 검출광의 입사 위치에 대응한 2차원 광전자상의 형태로 광음극(18)의 바닥면으로부터 방출된다. 광음극(18)에 대한 소정의 전압이 스템핀(36a, 36b)을 통해 투과형 전자 증배기(30)에 인가되기 때문에, 2차원 광전자상을 형성하는 광전자는 투과형 전자 증배기에 입사되기 위해 가속된다.
따라서, 전자 증배기에 입사된 2차원 광전자상을 형성하는 광전자는, 도 6에 도시된 전자-정공쌍을 만들기 위해 균일한 두께의 다결정 다이아몬드 박막(32)내에서 에너지를 잃고, 그에 의해 2차 전자를 증배 발생한다. 이 경우, 2차 전자 발생 효율은 높은데, 이는 다이아몬드 박막(32)이 부의 전자 친화력을 가지기 때문이다. 이러한 2차 전자는, 다이아몬드 박막(32)이 다결정이기 때문에, 주로 그레인 경계(grain boundary)를 통해서 바닥면으로 이동한다. 2차 전자는 광전자의 입사 위치에 대응하여, 도 6의 화살표로 표시된 바와 같이 다이아몬드 박막의 바닥면으로부터 실제 사용상의 문제없이 수 ㎛의 확장되어 균일하게 방출된다. 따라서, 입사광전자에 의해 형성된 2차원 광전자상에 대응하는 증배 발생된 2차 전자(2차 전자상을 형성함)는 투과형 전자 증배기의 바닥면으로부터 방출된다.
투과형 전자 증배기(30)에 대한 정의 전압이 양극(20)에 인가되기 때문에, 2차 전자상을 형성하는 2차 전자는 양극(20)에 입사된다. 입사에 의해 잃은 운동 에너지는 형광체(22)가 소정의 위치(2차 전자 입사의 위치)에서 형광을 발하게 하고, 2차 전자상에 대응하는 2차원 영상은 검출창(16)을 통해 관찰될 수 있다. 따라서, 본 실시예의 투과형 전자 증배기(30)를 결합한 전자관은 미약한 검출광의 입사 위치에 대응한 2차원 영상을 효율적으로 증강된 상태로 얻을 수 있다.
제 1 실시예의 투과형 전자 증배기(30)를 포함하는 다결정 다이아몬드 박막(32)은 다공질 상태로 형성되어, 2차 전자를 보다 효율적으로 방출한다. 이와 같은 다공질 다이아몬드 박막을 제작하기 위해서는, 마이크로파 플라즈마 CVD 법이 전술한 다결정 다이아몬드 박막(32)의 제작 공정에도 사용된다. 이 방법에서, 다이아몬드 박막의 밀도은 성막 조건, 예를 들면 성막시의 수소 가스의 압력에 의해 어느정도 제어가 가능하다. 상대적으로 높은 레벨로 압력을 증가함으써, 상대적으로 낮은 밀도의 소위 다공질 다결정 다이아몬드 박막을 얻을 수 있다.
이 경우에 얻은 다이아몬드 박막(32)을 서로 독립한 입자의 집합체로서 실질적으로 간주될 수 있다. 본 다이아몬드 박막(32) 자체의 기계적 강도는 이렇게 약해지고, 다이아몬드 박막은 상기한 박막보다 더 두꺼울 필요가 있다.
다공질 다결정 다이아몬드 박막(32)을 제작하는 방법은 상기한 것으로 제한되지 않지만, 이와 같은 다이아몬드 박막(32)은 예를 들면, 미립자 모양의 단결정 다이아몬드를 소결하는(sinter) 방법에 의해 제작될 수도 있다.
보강재(34)는 다이아몬드 박막의 주위를 협지하는 도 1 및 도 2의 실시예로 제한되지 않는다. 특히, 도 7 및 도 8은 본 발명에 따른 투과형 전자 증배기의 제 2 실시예의 구성을 도시하고 있다. 본 실시예에서, Si로 된 고리 모양의 보강틀(340)은 상기 다결정 다이아몬드 박막(32) 위(上)의 주위에 부착되어, 그의 강도를 보충한다.
보강틀(340)이 접착제(300)에 의해 부착된 다결정 다이아몬드 박막(32)을 얻기 위해서, 미세한 다결정 다이아몬드 박막이 마이크로파 플라즈마 CVD법에 의해 Si 기판사에 우선 성막되고, 그 후에 Si 기판의 주위는 포토레지스트 등에 의해 마스트된다. 이어서, Si 기판의 중심부는 HF와 HNO3의 혼합 용액으로 에칭되어 제거되고, 그에 의해 다결정 다이아몬드 박막(32)을 얻는다.
제 2 실시예의 투과형 전자 증배기(60)의 보강틀(340)에 의해 지지되고 보강되는 다이아몬드 박막(32)은 다공질의 박막일 것은 당연하다.
제 2 실시예는 다이아몬드 박막(32)이 원형이고, 보강틀(340)이 고리 모양인 구성을 하고 있지만, 본 발명은 여기에 제한되지 않고, 다른 형태, 예를 들면 직사각형 모양을 채택할 수 있다. 투과형 전자 증배기(60)의 보강틀(340)은 도 9 및 도 10의 사시도에 도시한 바와 같이 격자 모양으로 될 수 있다. 이런 모양의 보강틀은 최근의 석판 인쇄 기술에 의해 임의의 크기와 형태로 제작될 수 있다. 도 9 및 도 10은 본 발명에 따른 투과형 전자 증배기(90)의 구성을 도시하고 있다. 제 3 실시예의 투과형 전자 증배기(90)는 다결정 다이아몬드 박막(32)과 한쌍의 보강틀(360a, 360b)로 이루어져 있다. 이 한쌍의 보강틀(360a, 360b)은 복수의 틈(361)을 가지고 있다. 이 한 쌍의 보강틀(34)은 다결정 다이아몬드 박막(32)을 유지하도록 접착제(300)을 통해 다결정 다이아몬드 박막(32)의 주평면에 대응하여 접착되어 있다.
또한, 상술한 투과형 전자 증배기는 다결정 다이아몬드 박막 또는 다공질 다결정 다이아몬드 박막으로 이루어져 있지만, 그의 일부는 단결정, 흑연, 또는 다이아몬드형 탄소로 구성될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 투과형 전자 증배기와 전자관은 높은 전자 발생 효율을 갖는 다이아몬드 박막의 투과형 전자 증배기를 만들므로써 검출광의 입사 위치를 검출할 수 있다. 또한, 이 투과형 전자 증배기를 갖는 전자관은 미약한 광의 영상을 증강할 수 있다.
이렇게 설명된 본 발명으로부터, 본 발명은 다양한 방법으로 변경이 가능하다. 이러한 변형은 본 발명의 정신과 범위로부터의 이탈로 간주되지 않고, 종래 기술에 숙련된 사람들에게는 분명해지는 바의 이러한 모든 변형은 다음의 청구범위내에 포함된다.
1997년 11월 7일 출원한 기초 일본 출원 제 96-295189호가 이로써 본원에 인용참증으로서 통합된다.
내용 없음.

Claims (11)

  1. 투과형 전자 증배기에 있어서,
    다이아몬드 또는 다이아몬드로 주로 구성된 물질로 된 전자 증배 수단으로서 사용되는 다이아몬드 박막으로서, 2차 전자를 출력하기 위해, 전자 소스로부터의 전자가 입사되는 제 1 주표면과 상기 제 1 주표면과 마주보고 있는 제 2 주표면을 갖는 다이아몬드 박막과,
    상기 다이아몬드 박막을 보강하기 위해 상기 다이아몬드 박막을 지탱하는 보강재로서, 상기 다이아몬드 박막의 적어도 일부를 노출하는 틈을 갖는 보강재를 구비하는 것을 특징으로 하는 투과형 전자 증배기.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 다이아몬드 박막은 다결정 다이아몬드 또는 다결정 다이아몬드로 주로 이루어진 물질로 만들어지는 것을 특징으로 하는 투과형 전자 증배기.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 다이아몬드 박막은 다공질 박막이고 서로 독립적인 입자들의 집합체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 투과형 전자 증배기.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 보강재는,
    상기 다이아몬드 박막의 상기 제 1 주표면상에 배치되고 상기 제 1 주표면의 적어도 일부를 노출하는 틈을 갖는 제 1 부재와,
    상기 다이아몬드 박막의 제 2 주표면상에 배치되고 상기 제 1 부재와 협력하여 상기 다이아몬드 박막을 유지하여, 상기 다이아몬드 박막의 상기 제 2 주표면을 노출하는 틈을 갖는 제 2 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 투과형 전자 증배기.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 보강재는,
    상기 다이아몬드 박막의 상기 제 1 주표면의 전체를 커버하도록 제공되며, 소정의 간격으로 위치한 복수의 틈을 가지며 상기 다이아몬드 박막의 상기 제 1 주표면의 결합(associate) 부분을 노출하기 위해 제공된 제 3 부재와,
    상기 다이아몬드 박막의 상기 제 2 주표면 전체를 커버하도록 제공되며 상기 제 3 부재와 협력하여 상기 다이아몬드 박막을 유지하며, 소정의 간격으로 위치한 복수의 틈을 가지며 상기 다이아몬드 박막의 상기 주표면의 결합 부분을 노출하기 위해 제공된 제 4 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 투과형 전자 증배기.
  6. 전자관에 있어서,
    기밀 용기와,
    전자를 기밀 용기로 방출하기 위해, 상기 기밀용기에 수용된 전자 소스와, 상기 기밀 용기에 수용되고 상기 전자 소스에 마주 보도록 위치한 양극과,
    상기 전자 소스와 양극 사이에 제공된 투과형 전자 증배기를 구비하며,
    상기 투과형 전자 증배기는,
    다이아몬드 또는 다이아몬드로 주로 구성된 물질의 전자 증배 수단으로서 사용되고, 상기 전자 소스로부터의 전자가 입사되는 제 1 주표면과 제 2 전자를 출력하기 위해 제 1 주표면을 마주 보고있는 제 2 주표면을 갖는 다이아몬드 박막과,
    주 다이아몬드 박막을 보강하기 위해 상기 다이아몬드 박막을 지탱하며, 사기 다의 적어도 일부를 노출하는 틈을 갖는 보강재를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자관.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 전자 소스는 검출광의 입사 위치에 상응하여 검출될 광에 의해 가전자대에서 전도때가지 여기된 광전자를 방출하는 전극인 광음극을 구비하며,
    상기 양극은, 상기 양극으로부터 방출된 광전자가 입사된 경우 상기 투과형 전자 증배기에 대한 입사 위치에 대응하여 전자 증배기로부터 출력된 2차 전자가 입사되는 형광막을 포함하며, 상기 형광막은 2차 전자가 입사되는 위치에서 광을 방출하는 것을 특징으로 하는 전자관.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 투과형 전자 증배기의 상기 다이아몬드 박막은 다결정 다이아몬드 또는 다결정 다이아몬드로 주로 구성된 물질로 만들어지는 것을 특징으로 하는 전자관.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 투과형 전자 증배기의 상기 다이아몬드 박막은 다공질 박막이고 서로 독립적인 입자들의 집합체로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자관.
  10. 제 6 항에 있어서, 상기 투과형 전자 증배기의 상기 보강재는,
    상기 다이아몬드 박막의 제 1 주표면상에 배치되며, 적어도 상기 제 1 주표면의 일부를 노출하는 틈을 갖는 제 1 부재와,
    상기 다이아몬드 박막의 제 2 주표면에 배치되며, 상기 제 1 부재에 대응하여 다이아몬드 박막을 유지하는 제 2 부재로서, 상기 다이아몬드 박막의 제 2 주표면을 노출하는 틈을 갖는 제 2 부재와를 구비하는 특징으로 하는 전자관.
  11. 제 6 항에 있어서, 상기 투과형 전자 증배기의 상기 보강재는,
    상기 다이아몬드 박막의 제 1 주표면 전체를 커버하도록 제공되며, 소정의 간격으로 위치한 복수의 틈을 가지며, 상기 다이아몬드 박막의 상기 제 1 주표면의 결합 부분을 노출하기 위해 제공된 제 3 부재와,
    상기 다이아몬드 박막의 상기 제 2 주표면 전체를 커버하도록 제공되며, 상기 제 3 부재에 대응하여 상기 다이아몬드 박막을 유지하는 제 4 부재로서, 소정의 간격으로 위치한 복수의 틈을 갖고 다이아몬드 박막의 제 2 주표면의 결합 부분을 노출하기 위해 제공된 제 4 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자관.
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