JPH10223131A - 光電面 - Google Patents
光電面Info
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- JPH10223131A JPH10223131A JP9026919A JP2691997A JPH10223131A JP H10223131 A JPH10223131 A JP H10223131A JP 9026919 A JP9026919 A JP 9026919A JP 2691997 A JP2691997 A JP 2691997A JP H10223131 A JPH10223131 A JP H10223131A
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- Japan
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- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ２２５ｎｍより長い波長を有する光に対して
も感度がある光電面を提供することを目的とする。 【解決手段】 光電面２０は、Ｓｉからなる基板２１
と、基板２１上に形成され禁制帯に不純物準位を形成す
るためのＢとＮがドープされた多結晶ダイヤモンド２２
と、多結晶ダイヤモンド２２の表面の未結合炭素と結合
し、多結晶ダイヤモンド２２の仕事関数を実効的に低下
させる水素の単原子の層２３とを有している。この構成
によれば、不純物元素が価電子帯と伝導帯とのバンド間
に不純物準位を形成するので、多結晶ダイヤモンド２２
のエネルギギャップに対応した波長よりも長波長の光に
可視領域に感度を有するようになる。また、水素の単原
子の層２３により仕事関数が低下した多結晶ダイヤモン
ドは大きいエネルギギャップを有しているので、電子親
和力が容易に零又は負となる。
も感度がある光電面を提供することを目的とする。 【解決手段】 光電面２０は、Ｓｉからなる基板２１
と、基板２１上に形成され禁制帯に不純物準位を形成す
るためのＢとＮがドープされた多結晶ダイヤモンド２２
と、多結晶ダイヤモンド２２の表面の未結合炭素と結合
し、多結晶ダイヤモンド２２の仕事関数を実効的に低下
させる水素の単原子の層２３とを有している。この構成
によれば、不純物元素が価電子帯と伝導帯とのバンド間
に不純物準位を形成するので、多結晶ダイヤモンド２２
のエネルギギャップに対応した波長よりも長波長の光に
可視領域に感度を有するようになる。また、水素の単原
子の層２３により仕事関数が低下した多結晶ダイヤモン
ドは大きいエネルギギャップを有しているので、電子親
和力が容易に零又は負となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光電面に関し、特に
ダイヤモンドからなる光電面に関する。
ダイヤモンドからなる光電面に関する。
【０００２】
【従来の技術】エネルギギャップに対応した光の波長よ
りも長い光に感度を有する半導体光電面として、例えば
特開平２−２６０３４９号公報に開示されたものが知ら
れている。図５には、この半導体光電面５０のエネルギ
バンド図が示されている。この半導体光電面５０では、
価電子帯（ＶＢ）と伝導帯（ＣＢ）との間に高密度の不
純物準位（同図中一点鎖線で示されている）をもつ半絶
縁性のＧａＡｓ基板５１とｎ型ＧａＡｓ層５２とが接合
している。また、ＧａＡｓ基板５１及びＧａＡｓ層５２
には、電極５３，５４を介して逆バイアス電圧Ｖ0が印
加されている。
りも長い光に感度を有する半導体光電面として、例えば
特開平２−２６０３４９号公報に開示されたものが知ら
れている。図５には、この半導体光電面５０のエネルギ
バンド図が示されている。この半導体光電面５０では、
価電子帯（ＶＢ）と伝導帯（ＣＢ）との間に高密度の不
純物準位（同図中一点鎖線で示されている）をもつ半絶
縁性のＧａＡｓ基板５１とｎ型ＧａＡｓ層５２とが接合
している。また、ＧａＡｓ基板５１及びＧａＡｓ層５２
には、電極５３，５４を介して逆バイアス電圧Ｖ0が印
加されている。
【０００３】この半導体光電面５０では、エネルギギャ
ップに対応した光の波長よりも長い被検出光（ｈν）の
入射により、不純物準位の電子（ｅ-）が伝導帯に励起
される。そして、その電子が拡散してＧａＡｓ基板５１
とｎ型ＧａＡｓ層５２との接合部分に到達すると、逆バ
イアス電圧Ｖ0により形成された空乏層の電界により加
速されてホットエレクトロンとなり、表面障壁を越えて
真空中へ光電子として放出される。
ップに対応した光の波長よりも長い被検出光（ｈν）の
入射により、不純物準位の電子（ｅ-）が伝導帯に励起
される。そして、その電子が拡散してＧａＡｓ基板５１
とｎ型ＧａＡｓ層５２との接合部分に到達すると、逆バ
イアス電圧Ｖ0により形成された空乏層の電界により加
速されてホットエレクトロンとなり、表面障壁を越えて
真空中へ光電子として放出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た半導体光電面５０がホットエレクトロンを外部に放出
させるために、数１００Ｖの逆バイアスの電圧を必要と
する。このため、被検出光の入射がないときも、電極か
ら暗電流の原因となるリーク電流が無視できないほど生
じる。その結果、この半導体光電面５０が光電管や光電
子増倍管等に適用された場合、ＳＮ比の悪化といった欠
陥が生じる。
た半導体光電面５０がホットエレクトロンを外部に放出
させるために、数１００Ｖの逆バイアスの電圧を必要と
する。このため、被検出光の入射がないときも、電極か
ら暗電流の原因となるリーク電流が無視できないほど生
じる。その結果、この半導体光電面５０が光電管や光電
子増倍管等に適用された場合、ＳＮ比の悪化といった欠
陥が生じる。
【０００５】ところで、Himpsel等らの報告（フィジカ
ル・レビュー(Physical ReviewB,20,2,(1979)624)）に
より、ホウ素（Ｂ）をドープした天然単結晶ダイヤモン
ドの（１１１）面が原子的に清浄にされたとき、負の電
子親和力を有することが明らかになっている。このダイ
ヤモンドを材料とした光電面では、光子エネルギが５．
５ｅＶから９ｅＶの範囲で量子効率が２０％となり、ま
た、１３ｅＶから３５ｅＶの範囲では４０〜７０％とな
って、比較的高い。
ル・レビュー(Physical ReviewB,20,2,(1979)624)）に
より、ホウ素（Ｂ）をドープした天然単結晶ダイヤモン
ドの（１１１）面が原子的に清浄にされたとき、負の電
子親和力を有することが明らかになっている。このダイ
ヤモンドを材料とした光電面では、光子エネルギが５．
５ｅＶから９ｅＶの範囲で量子効率が２０％となり、ま
た、１３ｅＶから３５ｅＶの範囲では４０〜７０％とな
って、比較的高い。
【０００６】また、栄森等によって報告されたダイヤモ
ンド（ダイヤモンド・アンド・リレイテッド・マテリア
ル(Diamond and Related Material）4(1995)806，ジャ
パン・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス（Jp
n.J.Appl.Phys.）33,(1994)6312）でも、電子親和力が
負であることが見出されている。この報告によれば、高
圧合成された単結晶ダイヤモンド（１００）基板上にマ
イクロ波プラズマＣＶＤ（Chemical Vapour Depositio
n：化学気相堆積）法により形成された単結晶ダイヤモ
ンド膜の表面が、水素によって終端されて負の電子親和
力を有していることが見出されている。このように、単
結晶ダイヤモンド膜の（１１１）面ばかりでなく（１０
０）面においても、光電面の電子親和力が負になる。
ンド（ダイヤモンド・アンド・リレイテッド・マテリア
ル(Diamond and Related Material）4(1995)806，ジャ
パン・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジクス（Jp
n.J.Appl.Phys.）33,(1994)6312）でも、電子親和力が
負であることが見出されている。この報告によれば、高
圧合成された単結晶ダイヤモンド（１００）基板上にマ
イクロ波プラズマＣＶＤ（Chemical Vapour Depositio
n：化学気相堆積）法により形成された単結晶ダイヤモ
ンド膜の表面が、水素によって終端されて負の電子親和
力を有していることが見出されている。このように、単
結晶ダイヤモンド膜の（１１１）面ばかりでなく（１０
０）面においても、光電面の電子親和力が負になる。
【０００７】しかしながら、上述した光電面では、被検
出光が入射して電子を価電子帯から伝導帯に励起させる
ために、単結晶ダイヤモンドのエネルギギャップ（５．
５ｅＶ）に対応した波長を有しなければならない。この
ことは逆に、これら単結晶ダイヤモンドの光電面では、
そのエネルギギャップより小さい光子エネルギをもった
被検出光、すなわち波長に換算して２２５ｎｍより長い
波長を有する被検出光に感度がないことを意味する。し
たがって、このような光電面は非常に限られた範囲でし
か適用されない。
出光が入射して電子を価電子帯から伝導帯に励起させる
ために、単結晶ダイヤモンドのエネルギギャップ（５．
５ｅＶ）に対応した波長を有しなければならない。この
ことは逆に、これら単結晶ダイヤモンドの光電面では、
そのエネルギギャップより小さい光子エネルギをもった
被検出光、すなわち波長に換算して２２５ｎｍより長い
波長を有する被検出光に感度がないことを意味する。し
たがって、このような光電面は非常に限られた範囲でし
か適用されない。
【０００８】そこで、本発明は、２２５ｎｍより長い波
長を有する光に対しても感度がある光電面を提供するこ
とを目的とする。
長を有する光に対しても感度がある光電面を提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光電面は上
記目的を達成するためになされたもので、光の入射によ
り光電子が外部に放出される光電面において、多結晶ダ
イヤモンド又は多結晶ダイヤモンドを主成分としたもの
からなるダイヤモンド材料によって構成されると共に、
禁制帯中に光の入射により電子を伝導帯へ励起する不純
物準位を形成する不純物がドープされ、光電子が外部に
放出される面の電子親和力が零又は負とされていること
を特徴としている。
記目的を達成するためになされたもので、光の入射によ
り光電子が外部に放出される光電面において、多結晶ダ
イヤモンド又は多結晶ダイヤモンドを主成分としたもの
からなるダイヤモンド材料によって構成されると共に、
禁制帯中に光の入射により電子を伝導帯へ励起する不純
物準位を形成する不純物がドープされ、光電子が外部に
放出される面の電子親和力が零又は負とされていること
を特徴としている。
【００１０】この構成によれば、ダイヤモンド材料のエ
ネルギギャップに対応した光の波長よりも長い波長の光
に対しても、本発明の光電面は感度を有するようにな
る。また、光電子が放出される面が零又は負の電子親和
力を有するため、光電面は高い感度を有するようになる
と共に、電子が表面障壁を越えるための高いバイアス電
圧を光電面に印加する必要がなくなる。これにより、電
極から注入されるリーク電流によって発生する暗電流は
存在しなくなる結果、本発明では、ダイヤモンド材料の
エネルギギャップに対応した特定波長以外に、感度が高
く且つ雑音の低い光電面が得られるようになる。
ネルギギャップに対応した光の波長よりも長い波長の光
に対しても、本発明の光電面は感度を有するようにな
る。また、光電子が放出される面が零又は負の電子親和
力を有するため、光電面は高い感度を有するようになる
と共に、電子が表面障壁を越えるための高いバイアス電
圧を光電面に印加する必要がなくなる。これにより、電
極から注入されるリーク電流によって発生する暗電流は
存在しなくなる結果、本発明では、ダイヤモンド材料の
エネルギギャップに対応した特定波長以外に、感度が高
く且つ雑音の低い光電面が得られるようになる。
【００１１】また、ダイヤモンド表面の仕事関数を実効
的に低下させるために、ダイヤモンド材料の表面が水素
により終端されているのが好適である。これにより、表
面準位の形成が抑制されて不純物準位の制御が容易にな
るだけでなく、炭素よりも電気陰性度の低いために正に
分極した水素により終端されたダイヤモンド表面の電子
親和力は容易に零又は負となると考えられる。
的に低下させるために、ダイヤモンド材料の表面が水素
により終端されているのが好適である。これにより、表
面準位の形成が抑制されて不純物準位の制御が容易にな
るだけでなく、炭素よりも電気陰性度の低いために正に
分極した水素により終端されたダイヤモンド表面の電子
親和力は容易に零又は負となると考えられる。
【００１２】また、ダイヤモンド表面の仕事関数をさら
に低下させるために、ダイヤモンド材料の表面には、電
気的に陽性なアルカリ金属又はその化合物の層が形成さ
れていることがより好適である。
に低下させるために、ダイヤモンド材料の表面には、電
気的に陽性なアルカリ金属又はその化合物の層が形成さ
れていることがより好適である。
【００１３】また、ダイヤモンド材料の表面が酸素又は
フッ素により終端されると共に、アルカリ金属又はその
化合物の層が形成されていても、電子親和力が零又は負
になる。これは、例えばＣｓ+Ｏ-やＣｓ+Ｆ-等の表面ダ
イポールが形成されるため、その表面ダイポールの存在
により、ダイヤモンド表面の仕事関数が実効的に低下す
るからである。
フッ素により終端されると共に、アルカリ金属又はその
化合物の層が形成されていても、電子親和力が零又は負
になる。これは、例えばＣｓ+Ｏ-やＣｓ+Ｆ-等の表面ダ
イポールが形成されるため、その表面ダイポールの存在
により、ダイヤモンド表面の仕事関数が実効的に低下す
るからである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施形態について詳細に説明する。また、図中にお
いて同一要素には、同一符号を付すこととする。
適な実施形態について詳細に説明する。また、図中にお
いて同一要素には、同一符号を付すこととする。
【００１５】図１の光電管１０の断面図には、本発明が
適用される光電面２０が用いられた状態で示されてい
る。図示の通り、光電管１０は真空容器１１を備え、真
空容器１１は側面に開口が形成された円筒形状の円筒部
１２と、ドーム状の頂部１３と、平板状の底部１４とを
有している。円筒部１３の側面の開口端部は外方に突出
しており、ここに例えばフッ化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ2）からなる入射窓１５が取り付けられている。
適用される光電面２０が用いられた状態で示されてい
る。図示の通り、光電管１０は真空容器１１を備え、真
空容器１１は側面に開口が形成された円筒形状の円筒部
１２と、ドーム状の頂部１３と、平板状の底部１４とを
有している。円筒部１３の側面の開口端部は外方に突出
しており、ここに例えばフッ化マグネシウム（Ｍｇ
Ｆ2）からなる入射窓１５が取り付けられている。
【００１６】真空容器１１の底部には、金属製のステム
ピン３０ａ，３０ｂが貫通して固定されている。ステム
ピン３０ａの上端部は真空容器１１内部に突出して、矩
形枠状の陽極４０と接続している。また、ステムピン４
０ｂの上端部も真空容器１１内部に突出して、光電面２
０と接続している。これにより、光電面２０は入射窓１
５を臨み、陽極４０は入射窓１５と光電面２０との間に
位置するよう、真空容器１１内部で支持される。
ピン３０ａ，３０ｂが貫通して固定されている。ステム
ピン３０ａの上端部は真空容器１１内部に突出して、矩
形枠状の陽極４０と接続している。また、ステムピン４
０ｂの上端部も真空容器１１内部に突出して、光電面２
０と接続している。これにより、光電面２０は入射窓１
５を臨み、陽極４０は入射窓１５と光電面２０との間に
位置するよう、真空容器１１内部で支持される。
【００１７】なお、真空容器１１外部に突出したステム
ピン３０ａ，３０ｂの下端部間には、直流電源Ｖ1が電
気リード３１ａ，３１ｂを介して接続されて、陽極４０
が光電面２０よりも約１００Ｖだけ高い電圧を有するよ
うにしている。また、このとき、ステムピン３１ａと直
流電源Ｖ1との間には電流計３２が介在しており、光電
管１０からの出力信号を検出できるようになっている。
ピン３０ａ，３０ｂの下端部間には、直流電源Ｖ1が電
気リード３１ａ，３１ｂを介して接続されて、陽極４０
が光電面２０よりも約１００Ｖだけ高い電圧を有するよ
うにしている。また、このとき、ステムピン３１ａと直
流電源Ｖ1との間には電流計３２が介在しており、光電
管１０からの出力信号を検出できるようになっている。
【００１８】光電面２０は、Ｓｉ基板２１上に多結晶ダ
イヤモンド（ダイヤモンド材料）２２が膜状に形成され
たものである。多結晶ダイヤモンド２２の膜の表面に
は、図２に模式的に示されるように水素の単原子からな
る層２３が形成され、多結晶ダイヤモンド２２とその外
部空間との境界をなしている。
イヤモンド（ダイヤモンド材料）２２が膜状に形成され
たものである。多結晶ダイヤモンド２２の膜の表面に
は、図２に模式的に示されるように水素の単原子からな
る層２３が形成され、多結晶ダイヤモンド２２とその外
部空間との境界をなしている。
【００１９】また、本実施形態では、多結晶ダイヤモン
ド２２にホウ素（Ｂ）や窒素（Ｎ）が不純物元素として
所定量だけ含まれている。したがって、多結晶ダイヤモ
ンド２２のエネルギバンド図は図２に示されるような
り、伝導帯（ＣＢ）と価電子帯（ＶＢ）との間の禁制帯
に不純物準位（一点鎖線で示される）が形成される。こ
のときの不純物準位の位置は、多結晶ダイヤモンド２２
の膜内のＢやＮの濃度に依存する。Ｂの濃度がＮの濃度
に比べて比較的高い場合には、図２（ａ）に示されるよ
うに、比較的浅い不純物準位が価電子帯上端付近に形成
される。一方、Ｂの濃度がＮの濃度に比べて低い場合
は、図２（ｂ）に示されるように、比較的深い不純物準
位が禁制帯中央付近に形成されるようになる。かくし
て、上述した不純物準位の位置が制御可能となる。ま
た、上記いずれの場合も不純物準位は、フェルミ準位
（ＥF）とほぼ一致した状態で形成されるので、ほとん
ど束縛電子によって占有される。この結果、伝導帯と価
電子帯との間のバンド間以外における任意の電子の遷移
も可能となる。このことは、２２５ｎｍ以下の紫外領域
の光にのみ感度を有していたダイヤモンドからなる光電
面が、可視領域の光に対しても感度を有することを意味
する。
ド２２にホウ素（Ｂ）や窒素（Ｎ）が不純物元素として
所定量だけ含まれている。したがって、多結晶ダイヤモ
ンド２２のエネルギバンド図は図２に示されるような
り、伝導帯（ＣＢ）と価電子帯（ＶＢ）との間の禁制帯
に不純物準位（一点鎖線で示される）が形成される。こ
のときの不純物準位の位置は、多結晶ダイヤモンド２２
の膜内のＢやＮの濃度に依存する。Ｂの濃度がＮの濃度
に比べて比較的高い場合には、図２（ａ）に示されるよ
うに、比較的浅い不純物準位が価電子帯上端付近に形成
される。一方、Ｂの濃度がＮの濃度に比べて低い場合
は、図２（ｂ）に示されるように、比較的深い不純物準
位が禁制帯中央付近に形成されるようになる。かくし
て、上述した不純物準位の位置が制御可能となる。ま
た、上記いずれの場合も不純物準位は、フェルミ準位
（ＥF）とほぼ一致した状態で形成されるので、ほとん
ど束縛電子によって占有される。この結果、伝導帯と価
電子帯との間のバンド間以外における任意の電子の遷移
も可能となる。このことは、２２５ｎｍ以下の紫外領域
の光にのみ感度を有していたダイヤモンドからなる光電
面が、可視領域の光に対しても感度を有することを意味
する。
【００２０】なお、Ｂ及びＮの濃度の最適値は、フェル
ミ準位に対する真空準位（ＶＬ）の差である仕事関数
（φ）に影響を及ぼす多結晶ダイヤモンド２２の表面状
態と、多結晶ダイヤモンド２２内で励起された電子の平
均自由行程とによってきまる。仕事関数及び平均自由行
程は、後述する多結晶ダイヤモンド２１の成膜方法及び
表面処理の条件に依存するので、具体的な最適値はかか
る条件を勘案して定められるべきである。
ミ準位に対する真空準位（ＶＬ）の差である仕事関数
（φ）に影響を及ぼす多結晶ダイヤモンド２２の表面状
態と、多結晶ダイヤモンド２２内で励起された電子の平
均自由行程とによってきまる。仕事関数及び平均自由行
程は、後述する多結晶ダイヤモンド２１の成膜方法及び
表面処理の条件に依存するので、具体的な最適値はかか
る条件を勘案して定められるべきである。
【００２１】多結晶ダイヤモンド２２には結晶粒界が多
数存在する。結晶粒界の界面には結合相手のない未結合
の炭素が含まれている。また、このような未結合炭素
は、多結晶ダイヤモンド２２の表面にも存在する。この
未結合の炭素は禁制帯中に局在準位を形成する。このと
き、局在準位の密度によっては、フェルミ準位が禁制帯
中央付近に固定され、不純物元素により不純物準位の位
置の制御を行うことが困難となる場合がある。しかし、
本実施形態では、多結晶ダイヤモンド２２とその外部空
間との境界をなす単原子の層２３の水素が、多結晶ダイ
ヤモンド２２の未結合の炭素と結合している。これによ
り、局在準位が大幅に低減され、上述した制御が十分に
可能となる。
数存在する。結晶粒界の界面には結合相手のない未結合
の炭素が含まれている。また、このような未結合炭素
は、多結晶ダイヤモンド２２の表面にも存在する。この
未結合の炭素は禁制帯中に局在準位を形成する。このと
き、局在準位の密度によっては、フェルミ準位が禁制帯
中央付近に固定され、不純物元素により不純物準位の位
置の制御を行うことが困難となる場合がある。しかし、
本実施形態では、多結晶ダイヤモンド２２とその外部空
間との境界をなす単原子の層２３の水素が、多結晶ダイ
ヤモンド２２の未結合の炭素と結合している。これによ
り、局在準位が大幅に低減され、上述した制御が十分に
可能となる。
【００２２】この水素は多結晶ダイヤモンド２２に化学
吸着したものと考えることができる。このとき、未結合
の炭素と炭素より電気陰性度の低い水素との間で電子の
授受が生じて電子のしみ出し具合が変化し、ダイヤモン
ド表面２２が正に帯電すると推測される。その結果、表
面電位が形成され、図２の仕事関数（φ）が実効的に低
下する。また、多結晶ダイヤモンド２２はワイドギャッ
プ半導体の一種である。このため、図３に示されるよう
に、半導体としてよく知られた図５のＧａＡｓ５１のエ
ネルギギャップ（Ｅｇ1）より、多結晶ダイヤモンド２
２のエネルギギャップ（Ｅｇ2）は大きい。このとき、
伝導帯下端に対する真空準位（ＶＬ）の差である電子親
和力について両者を比較すると、ＧａＡｓ５１の電子親
和力（χ1）に比べて多結晶ダイヤモンド２２の電子親
和力（χ2）が小さくなる。したがって、図３（ｂ）に
示されるように、多結晶ダイヤモンド２２の仕事関数が
実効的に低下してφ2になった場合には、エネルギギャ
ップが大きい多結晶ダイヤモンド２２の電子親和力（χ
2）は、容易に零または負となる。これに対して、図３
（ａ）のＧａＡｓ５１では、表面準位が形成されるため
に、不純物のドーピングなどに関係なく表面ではフェル
ミ準位（ＥF1）が禁制帯の中央付近でピニングされてし
まう。また、ダイヤモンドに比べてＧａＡｓのエネルギ
ギャップが小さい。したがって、表面に強いダイポール
を形成しない限り電子親和力（χ1）が容易に零または
負にならない。
吸着したものと考えることができる。このとき、未結合
の炭素と炭素より電気陰性度の低い水素との間で電子の
授受が生じて電子のしみ出し具合が変化し、ダイヤモン
ド表面２２が正に帯電すると推測される。その結果、表
面電位が形成され、図２の仕事関数（φ）が実効的に低
下する。また、多結晶ダイヤモンド２２はワイドギャッ
プ半導体の一種である。このため、図３に示されるよう
に、半導体としてよく知られた図５のＧａＡｓ５１のエ
ネルギギャップ（Ｅｇ1）より、多結晶ダイヤモンド２
２のエネルギギャップ（Ｅｇ2）は大きい。このとき、
伝導帯下端に対する真空準位（ＶＬ）の差である電子親
和力について両者を比較すると、ＧａＡｓ５１の電子親
和力（χ1）に比べて多結晶ダイヤモンド２２の電子親
和力（χ2）が小さくなる。したがって、図３（ｂ）に
示されるように、多結晶ダイヤモンド２２の仕事関数が
実効的に低下してφ2になった場合には、エネルギギャ
ップが大きい多結晶ダイヤモンド２２の電子親和力（χ
2）は、容易に零または負となる。これに対して、図３
（ａ）のＧａＡｓ５１では、表面準位が形成されるため
に、不純物のドーピングなどに関係なく表面ではフェル
ミ準位（ＥF1）が禁制帯の中央付近でピニングされてし
まう。また、ダイヤモンドに比べてＧａＡｓのエネルギ
ギャップが小さい。したがって、表面に強いダイポール
を形成しない限り電子親和力（χ1）が容易に零または
負にならない。
【００２３】このような光電面２０の作製は、図示され
ないが、以下の方法でなされる。まず、Ｓｉ基板２１を
脱脂洗浄した後に所定のエッチング処理をする。その
後、例えば、マイクロ波励起によるプラズマ放電室内
で、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によって、Ｓｉ基板２
１上に多結晶ダイヤモンド２２を成膜する。すなわち、
Ｓｉ基板２１をプラズマ放電室に配置し、そのプラズマ
放電室内に例えば原料ガスとしての一酸化炭素（ＣＯ）
及びメタン(ＣＨ4)と、キャリアガスとしての水素
（Ｈ2）とを導入する。この状態で、マイクロ波を用い
て、このプラズマ放電室内の原料ガス等を放電分解する
と、Ｓｉ基板２１上に多結晶ダイヤモンド２２が堆積す
る。また、本実施形態では上記堆積中に、ジボラン（Ｂ
2Ｈ6），アンモニア（ＮＨ3）のガスをドーパントガス
として所定量だけ導入して、多結晶ダイヤモンド２２に
所定濃度のＢ、Ｎをドープして、多結晶ダイヤモンド２
２に不純物準位を形成する。その後、水素プラズマ雰囲
気中でＳｉ基板２１上の多結晶ダイヤモンド２２を数分
間放置することにより、その表面を水素によって終端す
る。なお、多結晶ダイヤモンド２２の薄膜を形成する際
に、本実施形態ではマイクロ波プラズマＣＶＤ法を用い
たが、形成方法についてもこれに限定されず、例えば熱
フィラメント法等で形成してもよい。
ないが、以下の方法でなされる。まず、Ｓｉ基板２１を
脱脂洗浄した後に所定のエッチング処理をする。その
後、例えば、マイクロ波励起によるプラズマ放電室内
で、マイクロ波プラズマＣＶＤ法によって、Ｓｉ基板２
１上に多結晶ダイヤモンド２２を成膜する。すなわち、
Ｓｉ基板２１をプラズマ放電室に配置し、そのプラズマ
放電室内に例えば原料ガスとしての一酸化炭素（ＣＯ）
及びメタン(ＣＨ4)と、キャリアガスとしての水素
（Ｈ2）とを導入する。この状態で、マイクロ波を用い
て、このプラズマ放電室内の原料ガス等を放電分解する
と、Ｓｉ基板２１上に多結晶ダイヤモンド２２が堆積す
る。また、本実施形態では上記堆積中に、ジボラン（Ｂ
2Ｈ6），アンモニア（ＮＨ3）のガスをドーパントガス
として所定量だけ導入して、多結晶ダイヤモンド２２に
所定濃度のＢ、Ｎをドープして、多結晶ダイヤモンド２
２に不純物準位を形成する。その後、水素プラズマ雰囲
気中でＳｉ基板２１上の多結晶ダイヤモンド２２を数分
間放置することにより、その表面を水素によって終端す
る。なお、多結晶ダイヤモンド２２の薄膜を形成する際
に、本実施形態ではマイクロ波プラズマＣＶＤ法を用い
たが、形成方法についてもこれに限定されず、例えば熱
フィラメント法等で形成してもよい。
【００２４】また、以上に述べた光電面２０を図１に示
した光電管１０の一部として使用するためには、光電管
１０の入射窓１５に検出対象である被検出光（ｈν）を
入射させる。入射窓１２に入射した被検出光は入射窓１
２を透過して光電面２０に入射する。この光電面２０で
は、多結晶ダイヤモンド２２にＢとＮが含まれているこ
とにより、図２又は図３（ｂ）に示されるように、不純
物準位が禁制帯に形成されている。したがって、光電面
２０に入射した被検出光のうち、ダイヤモンドのエネル
ギギャップの５．５ｅＶより低いエネルギを有する被検
出光が吸収される。この吸収により、不純物準位の電子
（ｅ-）が伝導帯（ＣＢ）に励起する。
した光電管１０の一部として使用するためには、光電管
１０の入射窓１５に検出対象である被検出光（ｈν）を
入射させる。入射窓１２に入射した被検出光は入射窓１
２を透過して光電面２０に入射する。この光電面２０で
は、多結晶ダイヤモンド２２にＢとＮが含まれているこ
とにより、図２又は図３（ｂ）に示されるように、不純
物準位が禁制帯に形成されている。したがって、光電面
２０に入射した被検出光のうち、ダイヤモンドのエネル
ギギャップの５．５ｅＶより低いエネルギを有する被検
出光が吸収される。この吸収により、不純物準位の電子
（ｅ-）が伝導帯（ＣＢ）に励起する。
【００２５】伝導帯へ励起した電子は拡散して多結晶ダ
イヤモンド２２表面まで到達する。
イヤモンド２２表面まで到達する。
【００２６】このとき、光電面２０は多結晶ダイヤモン
ド２２からなるので、その表面には凹凸が形成される。
その結果、被検出光がその凹凸によって光学的に屈折・
散乱されてその光路長が長くなり、実質的な光吸収効率
が増加するので、発生する光電子が多くなる。また、そ
の膜は粒状物からなるため、各粒状物から放出された光
電子の電子走行距離は短かくなり、光電子が放出表面へ
到達する到達効率も増加する。また、多結晶ダイヤモン
ド２２の表面の未結合炭素は単原子の層２３の水素と結
合しているので、仕事関数が低下して、図３（ｂ）に示
されるように電子親和力（χ2）が零または負の状態に
なっている。したがって、多結晶ダイヤモンド２２の表
面まで効率よく到達した電子のほとんどが、光電子とな
って真空中へ容易に放出される。
ド２２からなるので、その表面には凹凸が形成される。
その結果、被検出光がその凹凸によって光学的に屈折・
散乱されてその光路長が長くなり、実質的な光吸収効率
が増加するので、発生する光電子が多くなる。また、そ
の膜は粒状物からなるため、各粒状物から放出された光
電子の電子走行距離は短かくなり、光電子が放出表面へ
到達する到達効率も増加する。また、多結晶ダイヤモン
ド２２の表面の未結合炭素は単原子の層２３の水素と結
合しているので、仕事関数が低下して、図３（ｂ）に示
されるように電子親和力（χ2）が零または負の状態に
なっている。したがって、多結晶ダイヤモンド２２の表
面まで効率よく到達した電子のほとんどが、光電子とな
って真空中へ容易に放出される。
【００２７】真空中へ放出された光電子（ｅ-）は、図
１に示されるように、光電面２０に対して正の電圧が印
加された陽極４０に集められる。陽極４０に集められた
光電子はステムピン３０ａ，３０ｂにより外部に取り出
されると共に、光電流として電流計３２により検出され
る。
１に示されるように、光電面２０に対して正の電圧が印
加された陽極４０に集められる。陽極４０に集められた
光電子はステムピン３０ａ，３０ｂにより外部に取り出
されると共に、光電流として電流計３２により検出され
る。
【００２８】このように、本実施形態では、光電子がそ
の表面障壁を容易に越えて放出されるため、光電面２０
内に暗電流を増加させるバイアス電圧を印加する必要が
なくなる。その結果、光電面２０の冷却をせずに使用が
可能となる。したがって、これを用いた光電管では、高
感度且つ低雑音が得られるだけでなく、微小電流の取り
扱いが容易となり、微弱光の検出が可能となる。
の表面障壁を容易に越えて放出されるため、光電面２０
内に暗電流を増加させるバイアス電圧を印加する必要が
なくなる。その結果、光電面２０の冷却をせずに使用が
可能となる。したがって、これを用いた光電管では、高
感度且つ低雑音が得られるだけでなく、微小電流の取り
扱いが容易となり、微弱光の検出が可能となる。
【００２９】なお、光電面２０の仕事関数をさらに低下
させるために、図４に示されるように、その表面上に例
えば電気的に陽性なＣｓ，Ｒｂ又はＫのようなアルカリ
金属からなる吸着層２４がさらに形成されていてもよ
い。ただし、吸着層２４はアルカリ金属のみからなるも
のに限定されず、上記アルカリ金属の酸化物のような化
合物からなるものであってもよい。
させるために、図４に示されるように、その表面上に例
えば電気的に陽性なＣｓ，Ｒｂ又はＫのようなアルカリ
金属からなる吸着層２４がさらに形成されていてもよ
い。ただし、吸着層２４はアルカリ金属のみからなるも
のに限定されず、上記アルカリ金属の酸化物のような化
合物からなるものであってもよい。
【００３０】本発明の光電面は上記実施形態に限定され
ない。すなわち、多結晶ダイヤモンド２２表面に形成さ
れた図４の水素の単原子の層２３の代わりに、酸素又は
フッ素の単原子の層が形成されても、電子親和力が負又
は零の光電面２０が得られる。これは、酸素やフッ素が
アルカリ金属と化合して例えばＣｓ+Ｏ-やＣｓ+Ｆ-等の
表面ダイポールが形成されるため、その表面ダイポール
の存在により、ダイヤモンド表面の仕事関数が実効的に
低下するからである。なお、多結晶ダイヤモンド２２表
面が単に酸素やフッ素によって終端されただけでは、電
子親和力が零又は負とならないことに留意すべきであ
る。表面準位の形成を抑制するためにダイヤモンド表面
を終端している酸素やフッ素が、水素と異なり炭素より
高い電気陰性度を有するために負に分極するからであ
る。
ない。すなわち、多結晶ダイヤモンド２２表面に形成さ
れた図４の水素の単原子の層２３の代わりに、酸素又は
フッ素の単原子の層が形成されても、電子親和力が負又
は零の光電面２０が得られる。これは、酸素やフッ素が
アルカリ金属と化合して例えばＣｓ+Ｏ-やＣｓ+Ｆ-等の
表面ダイポールが形成されるため、その表面ダイポール
の存在により、ダイヤモンド表面の仕事関数が実効的に
低下するからである。なお、多結晶ダイヤモンド２２表
面が単に酸素やフッ素によって終端されただけでは、電
子親和力が零又は負とならないことに留意すべきであ
る。表面準位の形成を抑制するためにダイヤモンド表面
を終端している酸素やフッ素が、水素と異なり炭素より
高い電気陰性度を有するために負に分極するからであ
る。
【００３１】上記実施形態の光電面は、多結晶ダイヤモ
ンドがＳｉ基板上に形成されたものであるが、本発明は
これに限定されない。他の半導体、金属等の上に多結晶
ダイヤモンドを主成分としたものが形成されても、同様
の効果を有する光電面が得られることはもちろんであ
る。また、光電面は、多結晶ダイヤモンド又は多結晶ダ
イヤモンドを主成分としたものからなるものに限定され
ず、単結晶ダイヤモンド又はダイヤモンドライクカーボ
ンからなるものでもよいことはいうまでもない。しか
し、単結晶ダイヤモンド内では、光の入射により励起さ
れた電子の走行距離が長くなるため、結晶格子と電子は
衝突して運動エネルギを失うおそれがある。このため、
多結晶ダイヤモンドに比べて感度が低下するおそれがあ
る。また、単結晶ダイヤモンドの合成は現状では高価な
単結晶ダイヤモンド基板を必要とし、産業上利用性び経
済性の観点からは問題がある。さらに、ダイヤモンドラ
イクカーボンでは、一定の品質のもの作成するのが困難
である。したがって、安価で品質の安定した大面積のＳ
ｉ基板等を使用できる多結晶ダイヤモンド等が現状では
好適である。
ンドがＳｉ基板上に形成されたものであるが、本発明は
これに限定されない。他の半導体、金属等の上に多結晶
ダイヤモンドを主成分としたものが形成されても、同様
の効果を有する光電面が得られることはもちろんであ
る。また、光電面は、多結晶ダイヤモンド又は多結晶ダ
イヤモンドを主成分としたものからなるものに限定され
ず、単結晶ダイヤモンド又はダイヤモンドライクカーボ
ンからなるものでもよいことはいうまでもない。しか
し、単結晶ダイヤモンド内では、光の入射により励起さ
れた電子の走行距離が長くなるため、結晶格子と電子は
衝突して運動エネルギを失うおそれがある。このため、
多結晶ダイヤモンドに比べて感度が低下するおそれがあ
る。また、単結晶ダイヤモンドの合成は現状では高価な
単結晶ダイヤモンド基板を必要とし、産業上利用性び経
済性の観点からは問題がある。さらに、ダイヤモンドラ
イクカーボンでは、一定の品質のもの作成するのが困難
である。したがって、安価で品質の安定した大面積のＳ
ｉ基板等を使用できる多結晶ダイヤモンド等が現状では
好適である。
【００３２】また、不純物準位の形成にＢとＮをドーピ
ングしたものを例に説明したが、所定の位置に不純物準
位を形成できるものであれば、不純物元素の種類はＢや
Ｎに限られないことはもちろんであり、Ｅｒなどの希土
類元素などをドーピングしても構わない。しかしなが
ら、不純物準位と伝導帯下端との間のエネルギ差が小さ
くなりすぎて、零または負の電子親和力の状態が達成さ
れない場合には、感度は著しく低下するので、本発明の
効果も著しく低下することは留意すべきである。また、
光電面の電子親和力の値は、上述した仕事関数の値と同
様、ダイヤモンドの表面状態に強く依存するので、不純
物元素の種類、濃度だけでは決定できない。
ングしたものを例に説明したが、所定の位置に不純物準
位を形成できるものであれば、不純物元素の種類はＢや
Ｎに限られないことはもちろんであり、Ｅｒなどの希土
類元素などをドーピングしても構わない。しかしなが
ら、不純物準位と伝導帯下端との間のエネルギ差が小さ
くなりすぎて、零または負の電子親和力の状態が達成さ
れない場合には、感度は著しく低下するので、本発明の
効果も著しく低下することは留意すべきである。また、
光電面の電子親和力の値は、上述した仕事関数の値と同
様、ダイヤモンドの表面状態に強く依存するので、不純
物元素の種類、濃度だけでは決定できない。
【００３３】本発明の光電面の効果を説明するために、
上記実施形態では光電面が光電管に用いられていた。し
かし、広い検出範囲及び高い検出感度を有する本発明の
光電面が組み込まれるものは光電管に限定されず、他の
微弱光検出機器でもよい。例えば、極めて低雑音の２次
電子増倍部と組み合わた光電子増倍管でもよい。これに
より、極微弱光検出が可能となる。また、２次電子増倍
部をマイクロチャンネルプレートにすることにより、極
微弱光の２次元光の検出が可能となるので、暗視力メラ
などの性能が飛躍的に向上するようになる。さらに、本
発明の光電面が、電子偏向を利用したストリークカメラ
等に適用されれば、非常に高い検出効率をもって超高速
の微弱光の測定が可能となる。
上記実施形態では光電面が光電管に用いられていた。し
かし、広い検出範囲及び高い検出感度を有する本発明の
光電面が組み込まれるものは光電管に限定されず、他の
微弱光検出機器でもよい。例えば、極めて低雑音の２次
電子増倍部と組み合わた光電子増倍管でもよい。これに
より、極微弱光検出が可能となる。また、２次電子増倍
部をマイクロチャンネルプレートにすることにより、極
微弱光の２次元光の検出が可能となるので、暗視力メラ
などの性能が飛躍的に向上するようになる。さらに、本
発明の光電面が、電子偏向を利用したストリークカメラ
等に適用されれば、非常に高い検出効率をもって超高速
の微弱光の測定が可能となる。
【００３４】
【発明の効果】本発明の光電面では、ダイヤモンド材料
が不純物準位を有しているので、不純物準位から伝導帯
へ電子の遷移が可能となる。すなわち、ダイヤモンド材
料のエネルギギャップに対応した光の波長よりも長い波
長の光に対しても、本発明の光電面は感度を有する。ま
た、不純物準位の位置は、それを形成する不純物元素の
濃度等により制御されうる。したがって、かかる光電面
の適用範囲は広い。
が不純物準位を有しているので、不純物準位から伝導帯
へ電子の遷移が可能となる。すなわち、ダイヤモンド材
料のエネルギギャップに対応した光の波長よりも長い波
長の光に対しても、本発明の光電面は感度を有する。ま
た、不純物準位の位置は、それを形成する不純物元素の
濃度等により制御されうる。したがって、かかる光電面
の適用範囲は広い。
【００３５】さらに、本発明の光電面のダイヤモンド材
料が水素等によって適当に処理されることにより、零又
は負の電子親和力を容易に有するようになる。このた
め、電子が表面障壁を越えるための高いバイアス電圧を
印加する必要がなくなり、電極から注入されるリーク電
流によって発生する暗電流は存在しなくなる。したがっ
て、本発明では、広い波長範囲にわたって感度が高く且
つ雑音の低い光電面が得られるようになる。
料が水素等によって適当に処理されることにより、零又
は負の電子親和力を容易に有するようになる。このた
め、電子が表面障壁を越えるための高いバイアス電圧を
印加する必要がなくなり、電極から注入されるリーク電
流によって発生する暗電流は存在しなくなる。したがっ
て、本発明では、広い波長範囲にわたって感度が高く且
つ雑音の低い光電面が得られるようになる。
【図１】本発明の第１実施形態の光電面が用いられた光
電管の断面図である。
電管の断面図である。
【図２】不純物元素がドーピングされた多結晶ダイヤモ
ンドのエネルギバンド図である。
ンドのエネルギバンド図である。
【図３】ＧａＡｓのエネルギバンド図と比較して示し
た、図１の光電面のエネルギバンド図である。
た、図１の光電面のエネルギバンド図である。
【図４】本発明の光電面の第２実施形態を示した断面図
である。
である。
【図５】ＧａＡｓからなる従来の半導体光電面のエネル
ギバンド図である。
ギバンド図である。
１０…光電管、２０…光電面、２１…Ｓｉ基板、２２…
多結晶ダイヤモンド、２４…吸着層、３０，３０ａ，３
０ｂ…ステムピン、４０…陽極。
多結晶ダイヤモンド、２４…吸着層、３０，３０ａ，３
０ｂ…ステムピン、４０…陽極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 正美 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 光の入射により光電子が外部に放出され
る光電面において、 多結晶ダイヤモンド又は多結晶ダイヤモンドを主成分と
したものからなるダイヤモンド材料によって構成される
と共に、禁制帯中に前記光の入射により電子を伝導帯へ
励起する不純物準位を形成する不純物がドープされ、 前記光電子が外部に放出される面の電子親和力が零又は
負とされていることを特徴とする光電面。 - 【請求項２】 前記ダイヤモンド材料の表面が水素によ
り終端されていることを特徴とする請求項１に記載の光
電面。 - 【請求項３】 前記ダイヤモンド材料の表面には、アル
カリ金属又はその化合物の層が形成されていることを特
徴とする請求項１又は２に記載の光電面。 - 【請求項４】 前記ダイヤモンド材料の表面が酸素によ
り終端されると共に、アルカリ金属又はその化合物の層
が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光
電面。 - 【請求項５】 前記ダイヤモンド材料の表面がフッ素に
より終端されると共に、アルカリ金属又はその化合物の
層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の
光電面。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02691997A JP3580973B2 (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | 光電面 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02691997A JP3580973B2 (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | 光電面 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10223131A true JPH10223131A (ja) | 1998-08-21 |
| JP3580973B2 JP3580973B2 (ja) | 2004-10-27 |
Family
ID=12206610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02691997A Expired - Fee Related JP3580973B2 (ja) | 1997-02-10 | 1997-02-10 | 光電面 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3580973B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003071570A1 (fr) * | 2002-02-22 | 2003-08-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Cathode photoelectrique du type a emission et tube electronique |
| WO2003077271A1 (fr) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Surface electronique d'emission secondaire et tube electronique |
| JP2005340496A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Toppan Printing Co Ltd | 有機太陽電池及びその製造方法 |
| WO2016147603A1 (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-22 | 株式会社デンソー | 熱電子発電素子及びその製造方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3444835A4 (en) * | 2016-04-15 | 2019-05-08 | Inter-University Research Institute Corporation High Energy Accelerator Research Organization | SPIN-POLARIZED PHOTO CATHODE FOR THE PRODUCTION OF ELECTRONS WITH HIGH BRIGHTNESS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| JP7234099B2 (ja) | 2019-11-12 | 2023-03-07 | 株式会社東芝 | 電子放出素子 |
-
1997
- 1997-02-10 JP JP02691997A patent/JP3580973B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003071570A1 (fr) * | 2002-02-22 | 2003-08-28 | Hamamatsu Photonics K.K. | Cathode photoelectrique du type a emission et tube electronique |
| US7652425B2 (en) | 2002-02-22 | 2010-01-26 | Hamamatsu Photonics K.K. | Transmission type photocathode including light absorption layer and voltage applying arrangement and electron tube |
| WO2003077271A1 (fr) * | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Surface electronique d'emission secondaire et tube electronique |
| US7208874B2 (en) | 2002-03-08 | 2007-04-24 | Hamamatsu Photonics K. K. | Transmitting type secondary electron surface and electron tube |
| JP2005340496A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Toppan Printing Co Ltd | 有機太陽電池及びその製造方法 |
| WO2016147603A1 (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-22 | 株式会社デンソー | 熱電子発電素子及びその製造方法 |
| JP2016171246A (ja) * | 2015-03-13 | 2016-09-23 | 株式会社デンソー | 熱電子発電素子及びその製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3580973B2 (ja) | 2004-10-27 |
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