TW442814B - Electron multiplier and electron tube provided therewith - Google Patents

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m. J4\ . 後是否變更原實質内客 442814 A7 B7 η -ί修正

補充I 五、發明説明（ 長 明 0 域 領 明 發

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 係此用 此因應 * 。 法 訊故無 資之 — 的置 佈配 分何 維幾 二 的 持極 保陽 子及 電器 次增置 二倍位 出子的 取電光 能 ，射 可源入 不子.之 上電測 本為偵 基因將 光 測 偵 為 光 該 稱 文 下 電 次 二 之 。 率 測效 偵高 Μ 有 加具 管種 子 I 電 供 的提 器係 曾 β 倍目 子的 sa Jj 型發 射本 反， 此此 含因 包 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210 X四7公釐） 442814 Μ Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裳 五、發明説明（ 2 ) I |， 子 產 生 的 傳 輸 型 電 子 倍 增 器 且 具 有 结 構 可 偵 測 人 射 之 |< 1 I 偵 測 光 的 位 置 9 且 在 該 傳 輪 型 電 子 倍 增 器 包 含 —- 電 子 管。 1 1 本 發 明 的 傳 輪 型 電 子 倍 增 器 為 — 電 子 倍 增 装 置 r 用 於 請 先 1 1 二 次 倍 增 —. 人 射 電 子 而 輪 出 二 次 電 子 « 及 一 傳 輸 型 電 子 閱 讀 1 背 1 倍 增 器 可 作 為 的 電 子 管 包 含 至 少 一 封 閉 容 器 * 及 在 封 閉 之 ί主 j 容 器 中 的 電 子 源 且 放 射 電 子 至 封 閉 容 器 中 » 一 在 封 閉 容 意 | 事 1 器 中 且 面 對 電 子 源 的 陽 掻 > 且 在 電 子 源 在 陽 極 中 提 供 傳 項 再 1 填 \ 輸 型 電 子 倍 增 器 〇 寫 本 木 尤 其 是 根 據 本 發 明 中 之 一 種 傳 輸 型 電 子 倍 增 器 » 此 倍 頁 1 1 增 器 包 含 ； 1 I 一 鑽 石 薄 膜 作 為 鑽 石 或 者 主 要 包 含 鑽 石 之 材 料 的 電 子 1 1 涪 增 裝 置 該 鑽 石 薄 膜 包 含 第 - 主 表 面 來 自.電子源的 1 訂 電 子 人 射 此 第 -- 主 表 面 y 且 包 含 面 對 第 — 主 表 面 的 第 二 1 I 主 表 面 此 第 二 主 表 面 用 於 輸 出 二 次 電 子 Μ 及 1 1 增 強 溝 件 ， 用 於 支 撐 該 鑽 石 薄 膜 kk 增 補 該 鑽 石 薄 膜 1 | 之 m 性 該 增 強 構 件 有 一 開 孔 9 用 於 曝 露 該 鑽 石 薄 膜 中 1 至 少 一 部 份 〇 i 當 電 子 倍 增 装 置 包 含 位 在 預 定 厚 度 之 m 石 薄 膜 中 > 且 i 1 具 有 上 述 高 效 率 之 電 子 放 射 效 率 時 9 則 有 可 能 使 經 由 二 l 1 次 電 子 倍 增 產 生 的 電 子 有 效 率 地 通 過 薄 膜 〇 最 好 該 鑽 石 1 1 薄 膜 為 一 多 晶 矽 的 m 合 ， 或 者 是 彼 此 相 當 的 多 孔 粒 子 > t I 其 生 產 量 或 生 產 成 本 表 示 〇 J 1 V 根 據 本 發 明 之 傳 輸 型 電 子 倍 增 器 之 增 強 構 件 的 结 構 中 ft _ 1 不 只 該 增強構 件 安 裝 在 鑽 石 薄 膜 的 — 主 表 面 上 Η 增 強 鑽 1 卜 4 - Γ L 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨Ο X 297公釐） 442 8 1 4 A7 B7五'發明説明（3) 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 一鑽組此 板此石膜石的 的之向 應光電射包位 導 由該二因 的在鑽薄鑽時 器源可 對螢型入，射 至 可持第 * 孔，蓋石在理 增子子 至有輸應即入 子 膜夾及面 開是覆鑽露處 倍電電 子具傳對。之 電 薄於一表 個其 Μ 補曝之 子從次 電極射在光等 光 石用第主 多尤膜增份等 電受二 光陽入-之光 射 績件各二 有。薄地部.造 型接得 射果子子測測 放 是構供第 具膜石分大製 輸地使 放如電電偵偵 中 其該提及 對薄鑽充-受 傳效 Κ 為且次光將到 帶 尤 --一 一石接可孔忍 的有子 源 ，二 的像得 僧 。 強中第 由鑽連Μ開JW明可電 子極的極成也 從 構增子的 可持可所画足 發器增 電陰射陰可管 光 结所例膜 為夾件 多度 本增倍 果光放光，子 射 的^)此薄 構 Κ 構面含強 據倍子 如之中自光電 人 列構在石。架 W 各表包到 根子電 ，置置來射之 由 下二。鑽射的 為主件得。含電次 中位位射放器 經 有第位該放件四因二構可器包型二 管的射人置增. 一 具及部露及構第，第各-增在輸的 子光入此位倍。為 且一緣曝射強及中及為此倍 *傳射 電射應在的子訊極 而第邊Μ入增三子 一因因子面，放。的入對-子電資陰 ,ί 的孔子，第例第。。電方中置射述之在器電型維光 膜件膜開電且 ί 的之性中型一管位人上測且增次輸二此 薄構薄一許而件構膜剛膜輸另子定極在偵，倍二傳的在 石對石伴容 構架薄的薄傳 電預陽 將膜子之含置 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Α4規格（210X297公釐） 4428 1 4 A7 B7 五、發明説明（ 4 之 明 說 為 作 僅 文 T 但 明 發 本 解 了 〇 全明 完發 明本 。說制 極列限 電下在 的由非 帶可而 電用 點特不 観及内 3J 3J ho 應說覲 之種及 明一神 發的精 本例的 解胞明 了實發 步佳本 一 較在 進之為 更 明 因 明發 ， 說本定 细示給 詳指明 的知說 文須由 下，可 由是子 可但例 0定 瞭 明 中 明 說 细 詳 該 自 者 術 技 本 習 熟 由 可 I 飾明 修說 及里 變簡 改之 的式 同圖 本 據 根 用 應 中 其 画 意 示 ； 面洌 截施 的實 構一 结第 管的 子器 電增 為倍 圖子 1 電 第明 發 子 電 的 tfnu 施 實1 第 ； 之圖 示面 所平 頭之 箭器 之增 圖倍 1 子 第電 沿的 當 到 為得 圖中 2 器 第增 倍 曾 倍 子 電 明 發 本 據 根 造 以 用 示 顯 圖 意 示 之 圖r’ 5 序 3-程 第的 器 作據 動根 的用 子應 電中 光其 之 ， 生圖 產意 中示 ； 膜面例 薄截拖 石的實 鑽構二 矽结第 晶管的 多子器 在電增 明為倍 說為子 圖圖電 6 7 明 第第發 本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 子 電 的 例 施 實 二 第 ； 之圖 示面 所平 頭之 箭器 之增 圖倍 6 子 第電 沿的 當到 為得 圖中 8 器 第增 倍 之 圖構 9 結 第的 例 沲 實三 第 0 曾 rl 倍子 電 明 發 本 據 根 示 顯 圖 視 透 及 Μ 9 第 沿。之 為圖例 圖意施 10示窖 第面佳 截較

明 兌 inD 的 構 结 例 施 實三 第 之 示 所 線 C I C 之 匾 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210·〆297公釐） A7 B7 442 8 1 4 五、發明説明（5 ) 下文將應用第1至10圖詳细說明本發明之較佳實施例。 各附圖中相同的標號表示相同的構件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1圖顯示本發明之電子倍增器之第一實施例所使用 之電子管的结構，該電子管為一影像加強管10,此管具 有偵測微弱之人射光，如同增強的二維影像資訊之能力 。一内制滅壓的封閉容器12具有一進入窗口 14, Μ容許 偵測到的光可進人内側，及具有一偵測窗口，Μ容許偵 測到的光線增強Μ向外側放射，其配置為進人窗口 14及 偵測窗口 16互相面對。作為電子源的光陰極18配置在進 人窗口 14的内部表面，具包含塗敷螢光材料（螢光膜）22 的玻璃板24之陽極20配置在偵測窗口 16的内表面。在桿 腳26a,26b的一端電連接於陽極20的各側面，且各稈腳 26a, 26b的各端延伸過封閉容器12至外部。由密閉玻璃 28將桿腳26a,26b固定在封閉容器12上，因此可固定陽 極。一與光陰極之預定正電壓經由桿腳26a,26b作用在 陽極20上。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 傳輸型電子倍增器30置於光陰極18及陽極20之間。此 實陁例中的傳輸型電子倍增器包含一環形的多晶矽鑽石 薄膜32,如第1及2圖所示，該多晶矽鑽石薄膜具負電子 親和力，圖中以生產量及生產成本表示。此時，所需要 的鑽石薄膜32的厚度小於二次電子的平均自由徑，但是 平均自由徑則根據鑽石薄膜3 2的晶體化程度而有著強烈 的關係。 另一方面，必需鑽石薄膜32的厚度之機械強度相當充 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS > A4規格（210X297公釐} 4 428 1 4 A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、發明说明 ( 6 ) 1 ! 足 ο m 械 強 度 視 鑽 石 薄 瞑 32的 晶 體 化 程 度， 在 鑽石 薄 膜 I 1 1 32 中 非 鑽 石 組 成 的 比 率 及 m 石 薄 m 32 之 強度 或 區域 而 定 ί | 〇 因 此 1 鑽 石 薄 膜 32 的 厚 度 可 根 據 膜 的 口艇 cro m 及 考量 鑕 石 請 先 1 1 薄 m 32 之 膜 形 成 時 的 不 同 狀 態 而 加 Μ 決 定。 閱 1 背 1 而 且 » 因 為 在 此 實 施 例 中 * 鑽 石 層 為 一薄 膜 ,其 m 性 Τ& 之 卜 注 I 相 當 低 > 因 此 容 易 變 形 或 陂 壞 〇 所 Μ t 一對 如 鉬製 造 的 意 拳 環 狀 金 靨 增 強 架 子 34 a > 34b連结在鑽石薄膜32的周圍， Μ 項 再 1 填 1 挾 住 該 纘 石 薄 膜 所 Μ 可 補 充 鑽 石 薄 膜 3 2的 低 刚性 〇 寫 本 在 第 1及2 m 的 實 施 例 中 > 桿 腳 38 a > 38b由氣密玻璃固 頁 1 定 在 封 閉 容 器 中 0 各 稈 腳 38 a , 3 8b的頂端包含- -夾束部 1 I 位 36 a , 36 b以夾注增強架子3 4的周邊、 因為此配置， 傳 1 1 輸 型 電 子 倍 增 器 30 固 定 在 光 陰 極 18及 陽 極20 之 間。 最 好 1 訂 對 於 光 陰 極 1 8 之 幾 百 伏 至 戍 汗 伏 的 正 電 壓經 由 桿腳 38 a * 1 I 38b作用在傳輸型電子倍增器， 而幾百至幾千伏的負電 1 1 壓 作 用 在 陽 極 上 〇 1 1 第 3 - 5圖之示意圖顯示製造傳輸型電子倍增器30的程 1 序 0 在 此 製 造 程 序 中 1 微 波 電 漿 增 強 化 學氣 相 暇積 C 1 下 文 稱 為 微 波 電 漿 C V D ) 方 法 使 用 於 製 造 傳輸 型 電子 倍 增 ， 1 I 器 30 〇 1 首 先 > 商 用 Si 基 體 置 於 微 波 電 漿 C V D系統的殺積室中 1 1 0 之 所 使 用 si 基 體 的 原 因 係 因 為 Si 基 體具 有 穩定 的 品 1 1 I 筲 » 此 對 於 鑽 石 薄 膜 的 製 造 相 當 有 用 〇 其次 > 如第 3 圖 1 I 所 示 t 當 如 激 發 氣 體 的 氬 氣 導 入 m 積 室 時， 可 由微 波 達 1 成 電 漿 狀 態 0 - 8 ~ 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2!0X 297公釐） 4428 1 4 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 7 ) 1 1 當 對 於 鑽 石 薄 膜 作 為 原 材 料 之 甲 烷 (CH4 )導入澱積室 1 1 I 將 > 由 靠 近 澱 積 室 人 P 部 位 的 氫 離 子 分 解 0 因 為 由 甲 1 I 之 分 解 所 得 到 的 碳 在 SB 體 的 鑽 石 型 晶 體 結 溝 中 沉 積 r 請 先 1 1 所 Μ 此 時 可 形 成 厚 度 約 6 1 Μ 的 鑽 石 薄 膜 〇 閱 讀 1 背 t 因 為 此 製 造 程 序 中 Μ Si 作 為 基 體 1 所 可 製 造 大 面 積 之 且 均 勻 的 鑽 石 薄 膜 0 此 鑽 石 薄 膜 可 滲 人 P 型 硼 (B )， 係 由 意 t 事 i 鑽 石 薄 膜 的 膜 形 成 時 導 人 m 化 氫 (Β2Η6 )而達成 〇 摻 雜 硼 項 1 填 I 並 非 主 要 者 ) 但 是 根 據 本 發 明 人 實 驗 的 结 果 f 硼 摻 雑 鑽 寫 本 私 石 薄 m 之 二 次 電 子 產 生 效 率 比 沒 有 m 摻 雜 的 鑽 石 薄 瞑 頁 1 要 高 尤 其 是 當 在 高 加 速 電 壓 下 使 用 時 〇 在 膜 彤 成 後 1 I 如 第 4 圖 中 所 示 » 由 氫 氟 酸 加 上 氮 酸 (HF + ΗΝ °3 )的蝕刻 1 1 而 去 除 Si 基 體 因 此 得 到 多 晶 矽 鑽 石 薄 膜 〇 此 鑽 石 薄 膜 1 訂 1 I 的 周 園 經 由 附 著 劑300结合增強架34a ,34b ，荏此鑽石薄 膜 係 機 槭 地 夾 住 (見第5 圖） 〇 1 1 當 偵 測 的 光 (Hv)入射進入窗 □ 14 (在第1 圖的影像增 1 I 強 管 1 0中 )時， 光電子（e- )為主要電子， 且從光陰影1 3 1 Μ 對 應 人 射 之 偵 測 光 位 置 的 二 維 光 電 子 影 像 之 形 式 從 光 \ 陰 極 1 8的底面放射出 來 〇 因 為 至 光 陰 極 1δ之 預 定 電 Μ 經 i 1 由 桿 腳 3 6a» 36b作用在傳輸型電子倍增器30上， 形成二 1 1 ί 維 光 電 子 影 像 的 光 電 子 加 速 進 人 傳 輸 型 電 子 倍 增 器 之 I 1 中 〇 ί i 因 此 形 成 二 維 光 電 子 影 像 的 電 子 入 射 電 子 倍 增 器 中 1 而 在 均 勻 厚 度 的 多 晶 矽 鑽 石 薄 膜32中 耗 損 能 量 Μ 產 生 第 J 1 6 圖 所 示. 的 電 子 - 電 洞 時 » 所 Μ 倍 增 產 生 二 次 電 子 〇 此 1 I 9- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X 297公釐） 442814 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印業 五、發明説明（ 8 ) 1 1 時 t 因 為 鎩 石 薄膜32的 負 電子親 和 力 而 使 得 二 次 電 子 的 1 1 | 產 生 效 率 相 當 高 0 此 二 次 電子效 率 主 要 沿 著 與 底 面 的 顆 1 ! 粒 邊 界 移 動 y 此 係 因 為鑽石薄膜32為 多 晶 矽 〇 二 次 電 子 請 i 先 [ 對 應 人 射 電 子 的 位 置 而 均 勻放射 f 其 分 佈 為 距 鑽 石 薄 膜 閲 讀 ί I 的 底 面 若 干 U 如第6 圖之箭頭所示， 此在供應使用 背 1 卜 之 1 上 不 會 產 生 任 何 問 題 〇 因 此，從 由 光 電 子 肜 成 之 二 維 光 意 事 1 電 子 影 像 對 應 的 倍 增 產 生 所導致 的 二 次 電 子 (形成二次 項 -4 1 \ 電 子 影 像 )從傳輸型電子倍增器的底面放射出來 ：> 填 寫 本 袈 因 為 至 傳 輸型電子倍增器30的 正 電 壓 作 用 在 陽 極 20上 頁 1 I * 形 成 二 次 電 子 影 像 的 二 次電子 人 射 陽 極 20 ϋ 當 人 射 時 1 I 二 次 電 子 能 量 之 耗 損 導 致 螢光材 料 放 射 預 定 的 位 置 上 放 1 1 射 螢 光 (對應電子之人射位置）， 且 對 應 二 次 電 子 影 像 之 1 訂 — 維 m 像 可 經 由 偵 測 窗 P 1 6中觀 察 到 〇 所 Μ 包 含 本 實 I 陁 例 之 傳 輸 型 電 子 倍 增器30的電 子 管 可 在 有 效 率 的 增 強 1 1 狀 態 下 得 到 對 應 ΛΛΛ. 微 弱 偵 測 光之入 射 位 置 的 二 維 影 像 〇 1 | 包 括 第 — 實 施 例 的 傳 輸 型電子 倍 增 器 3 0的 多 晶 矽 鑽 石 1 1 薄 膜 32可為 多 孔 態 » 因 此更有 效 率 地 放 射 二 次 電 子 〇 ; 1 為 了 製 造 此 多 孔 鑽 石 薄 膜 ，微波電漿CVD也使用在上逑 1 | 多 晶矽鑽石薄膜3 2的製造 中。在 此 方 法 中 * 可 經 由 膜 形 1 1 成 的 狀 態 » 如 m 形 成 時 的 氫氣壓 力 而 控 制 鑽 石 薄 膜 的 密 1 | 度 至 某 些 程 度 〇 由 將 壓 力 增加至 相 當 高 準 位 y 可 得 到 密 f I 度 相 當 低 的 多 孔 多 晶 矽 鑽 石薄膜 〇 1 I * 此 時 所 得 到 的 鑽 石 薄 膜 32筲際 上 為 彼 此 相 關 之 粒 子 的 \ I 總 合 0 因 此 鑽 石 薄 膜32本身的機 械 強 度 下 降 » 且 鑽 石 薄 1 1 I -10- 1 i 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 4428 1 4 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 Λ7 B7 五、發明説明（9 ) 膜需要比上述膜具有更大的厚度。 製造多孔多晶矽纘石薄膜3 2的方法不限於上逑方式， 但是也可由燒结環狀單晶矽鑽石的微粒子而製造此鑽石 薄膜3 2。 將鑽石薄膜周邊夾住的方法並不限制於上逑第1及2圖 中的增強架對34。尤其是第7及8圖顯示本發明之傳輸型 電子倍增器的第二實施例。在此實施例中，Si的環狀增 強架340連結上述多晶矽鑽石薄膜之上周邊部位，因此 增加了該鑽石薄膜的剛性。 為了得到增強架3 4 0經上述附著劑3 0 0連結的多晶矽鑽 石薄瞑32，先在Si基體上由微波電漿CVD程序形成一細 多晶矽鑽石薄膜，且此後由光阻等對S i基體的周邊加罩 。其次，由含M F及Η N 0 3的混合液而蝕刻去除S i基體的中 心部位，因此得到多晶矽鑽石薄膜3 2。 當然，在第二實施例之傳輸型電子倍增器中在增強 架34(1所支撐且增強的鑽石薄膜32可為多孔之鑽石薄膜。 建構第二實施例，使得鑽石薄膜3 2為璟形且增強架3 4 0 也是環形，但是本發明並沒有受此限制，例如使用如矩 形等的其他形狀。傳輸型電子倍增器6Π的增強架34Q可為 第9及1 0圖之透視圖所示的柵形。此形狀的增強架可為任 意大小且由新近的微影技術塑形。第9及1 D圖示本發明的 傳輸型電子倍增器之結構。第三實施例的傳輸型電子倍增 器9 ϋ包括多晶矽鑽石薄膜3 2及一對增強架3 (3 G a及3 fi 0 h β 對該對增強器36Qa，36t)b提供多館開孔36〗。這些增強板 "11- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2!〇X 297公釐） F— .....- H 装 .I1IJ 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4428 彳 4 A7 本 ，月 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 ,ί " > t Λ 1 五、發明説明 ( L〇) •―一 11 J 1 1 360a ,360 b經由附著劑300 連 结 多 晶 矽 m 石 薄 膜 32的 對 懕 1 1 周 面 t 因 此 可 維 持 該 多 晶 矽 鑽 石 薄 膜 32 〇 1 1 而 且 ， 上 述 說 明 的 傳 輸 型 電 子 倍 增 器 為 多 晶 矽 鑽 石 薄 请 1 先 1 膜 或 者 多 孔 多 晶 矽 鑽 石 薄 膜 * 但 是 其 一 部 份 可 為 單 晶 矽 鬩 讀 1 背 1 石 墨 > 或 者 似 鑽 石 之 碳 〇 I 之 1 如 上 所 述 本 發 明 的 傳 輸 型 電 子 倍 增 器 其 中 可 提 供 的 注 意 1 事 f 電 子 管 可 經 由 製 造 具 有 鑽 石 薄 膜 之 傅 輸 型 電 子 倍 增 器 而 項 再 1 t 偵 測 入 射 光 的 位 置 且 具 有 相 當 高 的 二 次 電 子 產 生 效 率 0 填 寫 本 .裝 1 而 且 > 提 供 有 傳 輸 型 電 子 倍 增 器 的 電 子 管 可 增 強 弱 光 影 頁 V_-· 1 I 像 〇 1 | 對 於 上 述 之 本 發 明 1 將 理 解 本 發 明 可 應 用 多 種 方 法 加 1 1 以 變 化 0 所 有 此 種 修 飾 並 沒 有 偏 離 本 發 明 的 精 神 及 範 疇 1 訂 » 且 所 Μ 表 面 所 執 行 的 更 改 均 包 含 在 下 列 申 請 專 利 範 圍 1 的 範 嚼 之 内 〇 1 1 曰 本 專 利 申 請 案 2 9 5 1 89/1 99 6 ( 1997 年 12 月 7號申請） 结 1 1 合 為 本 文 之 參 考 文 件 〇 1 1 主 要 元 件 符 號 說 明 - 線 I 10 影像加強 管 24 玻璃板 I 12 封閉容 器 26a,36a,38a, 3Sb 桿腳 1 14 進入 窗 P 28 密閉玻璃 1 I 16 偵測 窗 P 30 傳輸型 電子倍增器 1 18 光 極 32 鑽石薄膜 1 | 20 m 34 夾子增強架子 I 22 蛋 -光 膜 34a ,34b 環狀金靥架子 1 1 12 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 I 一種傳輸型電子倍增器，包含： (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一鑽石薄膜作為鑽石或者主要含有鑽石之材料的電 子倍增裝置，該鑽石薄膜具有一第一主表面，來自電 子源的電子入射該第一主表面，且具有面對第一主表 面的第二主表面，該第二主表面用Μ輸出二次電子； 以及 一增強構件，用以支撐該鑽石薄膜Μ增強該鑽石薄 膜，該增強構件具有一開孔，用Κ曝露該鑽石薄膜之 至少一部份。 2. 如申請專利範圍第1項之傳輸型電子倍增器，其中該 鑽石薄膜係由多晶矽鑽石或主要含有多晶矽鑌石的材 料所作成。 3. 如申請專利範圍第1項之傳輸型電子倍增器，其中該 鑽石薄膜係一多孔薄膜，且含有彼此無關的粒子集成。 4. 如申請專利範圍第1項之傳輸型電子倍增器，其中該 增強構件含有： 一配置在該鑽石薄膜之第一主表面上的第一構件， 及具有一開孔，用Μ曝露該第一主表面之至少一部分 ;Μ及 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 一配置在該鑽石薄瞑之第二主表面上的第二構件， 及结合該第一構件爽持該鑽石薄膜，該第二構件具有一 開孔，用Κ曝露該鑽石薄膜的第二主表面。 5. 如申請專利範圍第1項之傳_型電子倍增器，其中該 增強構件含有： -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 4428^4 ABCD 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一第三構件，配置以覆蓋該鑽石薄膜之整涸該第一 主表面，該第二構件具有多個以預定之間隔定位的開 孔而配置用Μ曝露該鑽石薄膜之該第一主表面上的相 關部分；Μ及 一第四構件，配置Μ薄蓋該鑽石薄膜之整個該第二 主表面，且结合該第三構件夾持該鑽石薄膜，該第四 構件具有多個Μ預定間隔定位的開孔，而配置用以曝 露該鑽石薄膜的部分該主表面。 封 子 器 電電表； 薄之 至 電 增 的自主子 石瞑 子 該 倍 料來一電 鑽薄 電 對 子 材，第次 該石 射 面 電 之面對二 強鑽 放 Μ 型 石表面出 增該 Μ 極 輸 鑽主有輸 以露 用 陽 傳 有一具以 膜暘 , 的 的 含第且用 薄Μ 源 中 置 要一 ，面 石用 子 器 配：主有面表 鑽， 電 容 所含者具表主 該孔 的 閉 間包或膜主二 撐開 内 封 之器石薄一第 支一 : 器 該 極增鑽石第該 以有 有容 在 陽倍為鑽該， 用具 具 ·，閉 位 與子作該射面 ，件 -器封 定.滙電膜 ，人表 件組。 管容該；且 子型薄置子主 構強份 子閉於内於及電輸石装電二 強增部 電封置器置以該傳鑽增的第 增該一 種一 一容一 .，在該一倍源的及一 ’少 一 閉 源 ， 子子面Μ膜至 經濟部中央標牟局負工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） ^42 8 Λδ Β8 C8 DS 申請專利範圍 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 含测導 型之倍。電括 電無 電 ，至 ，有 電 包偵至 輸子子線型包 型此 型 件之 件具 型 源之發 傳電電光輸要 輪彼 _ 構面 構件 輸 子射激 該次型射傳主 傳有 傳 一表 二構。傳 電人中 射二輸放該或 該含 該 第主 第.二面該 該應帶 人的傳處在石 在且 在 的一 的第表在 中對價 應出該置中鑽 中， 中 上第 上該主中 其一一 對輸射位其矽 其膜 其 丽該 面，二其 ，依從 著中人的-晶 ，薄 ， 表露 表膜第， 管其射 隨器子射管多 管孔 管：主曝 主薄的管 子極放 ，增電人子_由 子多 子含 一以 二石膜子含， 電電, 膜倍光子電係。電為 電包第用 第鑽薄電包15 之一光 光子的電之膜成之膜 之件之 ， 之該召之件 _ 項為的 螢電射次項薄作項薄 項構膜孔 讀持鑽項構 6 極測及一的放二 6 石所 6石 6 強薄開 薄夾該 δ 強 第陰偵以有置極在第鑽料第鑽 第增石一 石件露第增 圍光將 ，含位陰膜圍該材圍該。圍該If有及鑽構曝圍該 範該由子極之從光範之的範之成範之該具从該一 Μ 範之 利，，電陽器中螢利中石利中集利中在件·，在第用利中 專極置光該增其該專器鑽專器子專器置構分置該 ，專器 請陰位的中倍 .，請增矽請增粒請增配一部配合孔請增 申光的帶其子射器申倍晶申倍之申倍 一 第一 一结開申倍 如一光電 電入增如子多如子關如子 該少 及一如子 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 4428 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 一 開相 第的的 該位上 個定面 整隔表 之間主 膜之一 薄定第 石預之 鑽 K 膜 該個薄 蓋多石 覆有鑽 以具該 置件露 配構曝 ，三以 件第用 構該置 三 ，配 第而而 一 表 ， 主孔 二 第 該 個 整 之 膜 薄 石 鑽 該 蓋 覆 M 置 配 及件 >/構 ; 四 分第 部一 關 四曝 第K 該用 ，置 瞑配 薄而 石 ， 鑽孔 該開 持的 夾位。 件定面 構隔表 三間主 第定分 該預部 合M的 结個暝 且多薄 , 有石 面具鑽 表件該 主構露 ------：----裝— (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 i. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐）