KR19980039940A - 반도체 케미컬 공급시스템 - Google Patents

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Abstract

반도체 케미컬 공급시스템에 관한 것이다.
본 발명은, 공정수행시 케미컬을 버블링시켜 공정설비로 공급하는 케미컬공급부로 일정량의 케미컬을 공급하는 케미컬저장부가 구비되는 반도체 케미컬 공급시스템에 있어서, 상기 케미컬공급부의 수위를 감지하는 수위감지수단, 상기 수위감지수단의 센싱신호입력으로 상기 케미컬공급부로 케미컬이 공급되도록 상기 케미컬저장부를 제어하는 공급제어부 및 상기 센싱신호가 입력됨과 동시에 제공되는 상기 공급제어부의 제어신호를 입력받아 상기 공정설비를 제어하는 설비제어부를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 의하면 케미컬이 엠프티되면 공정수행이 중단되도록 하여 생산성이 향상되는 효과가 있다.

Description

반도체 케미컬 공급시스템
본 발명은 반도체 케미컬 공급시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 케미컬(Chemical)을 버블링(Bubbling)시켜 공정설비로 공급하는 케미컬공급부의 수위가 엠프티(Empty)되었을 때 공정설비의 가동이 중단되도록 개선시킨 반도체 케미컬 공급시스템에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조에서는 웨이퍼(Wafer) 상에 다수의 케미컬처리를 가하는 공정은 필수적으로 수행된다.
이러한 케미컬처리공정은 케미컬에 웨이퍼를 직접 담구거나, 케미컬을 웨이퍼 상에 도포시키거나 또는 케미컬을 버블링시켜 기체상태로 웨이퍼 상에 분사시키는 공정 등이 수행되고 있다.
여기서 케미컬을 버블링시켜 기체상태로 웨이퍼 상에 분사시키는 공정에서의 케미컬 공급은 케미컬을 버블링시켜 공정설비로 공급하는 케미컬공급부에 일정량의 케미컬을 공급하는 케미컬저장부가 구비되는 케미컬 공급시스템을 이용하는 것이 일반적이다.
도1은 종래의 반도체 케미컬 공급시스템을 나타내는 구성도이다.
먼저, 공정이 수행되는 공정설비(10)로 케미컬을 버블링시켜 공급하는 케미컬공급부(12)에 일정량의 케미컬을 공급하는 케미컬저장부(14)가 구비되어 있다.
그리고 케미컬공급부(12)의 수위를 감지하는 수위감지부(16)의 센싱(Sensing)신호입력으로 케미컬저장부(14)를 제어하여 케미컬공급부(12)로 케미컬공급이 이루어지도록 하는 공급제어부(18)가 구비되어 있다.
여기서 수위감지부(16)는 케미컬공급부(12)의 수위가 엠프티 또는 풀(Full)일 때 센싱신호를 공급제어부(12)로 입력시킨다.
그러나 종래의 공급시스템은 케미컬공급부(12)의 수위가 엠프티 또는 풀일 때의 판단여부를 공정설비(10)에는 제공하지 못하였다.
즉, 공정수행시 케미컬공급부(12)의 케미컬이 엠프티되었을 때 수위감지부(16)에 의해 센싱신호가 공급제어부(18)로 입력되면 공급제어부(18)는 케미컬저장부(14)를 제어하여 케미컬공급부(12)에 케미컬이 공급되도록 하지만, 공정설비(10)는 계속적인 공정이 수행되는 것이었다.
다시 말해, 케미컬저장부(14)에서 케미컬공급부(12)로 케미컬이 공급되는 동안에는 공정설비(10)는 버블링된 기체상태의 케미컬의 공급없이 공정이 수행되는 것이었다.
이로 인해, 웨이퍼가 불량처리되거나 재작업을 수행하여야 했고, 특히 단위공정이 완전히 수행된 후 공정검사를 수행하는 반도체 제조공정의 특성으로 인해 많은 양의 웨이퍼를 불량처리하여야 하는 심각한 문제를 초래하였다.
따라서 종래의 케미컬 공급시스템은 케미컬공급부의 수위가 엠프티되어도 공정설비제어가 이루어지지 않아 불량을 유발시켜 생산성을 저하시키는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 케미컬공급부의 수위가 엠프티되었을 때 공정설비제어가 동시에 이루어지도록 하여 생산성을 향상시키기 위한 반도체 케미컬 공급시스템을 제공하는 데 있다.
도1은 종래의 반도체 케미컬 공급시스템을 나타내는 구성도이다.
도2는 본 발명에 따른 반도체 케미컬 공급시스템의 실시예를 나타내는 구성도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10, 20 : 공정설비 12, 22 : 케미컬공급부
14, 24 : 케미컬저장부 16, 26 : 수위감지부
18, 28 : 공급제어부 30 : 설비제어부
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 케미컬 공급시스템은, 공정수행시 케미컬을 버블링시켜 공정설비로 공급하는 케미컬공급부로 일정량의 케미컬을 공급하는 케미컬저장부가 구비되는 반도체 케미컬 공급시스템에 있어서, 상기 케미컬공급부의 수위를 감지하는 수위감지수단, 상기 수위감지수단의 센싱신호입력으로 상기 케미컬공급부로 케미컬이 공급되도록 상기 케미컬저장부를 제어하는 공급제어부 및 상기 센싱신호가 입력됨과 동시에 제공되는 상기 공급제어부의 제어신호를 입력받아 상기 공정설비를 제어하는 설비제어부를 구비하여 이루어짐을 특징으로 한다.
그리고, 상기 수위감지수단은 상기 케미컬공급부의 수위가 풀 또는 엠프티일 때 센싱신호를 제공하도록 구성되는 바람직하다.
또한, 상기 센싱신호가 엠프티로 상기 공급제어부에 입력되면 상기 공급제어부는 상기 케미컬공급부로 케미컬공급이 이루어지도록 상기 케미컬저장부를 제어함과, 동시에 상기 설비제어부로 제어신호를 입력시켜 상기 설비제어부는 공정설비의 가동을 중단시키도록 구성되는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 공정제어부는 피엘씨(PLC)가 내장구성되는 것이 효율적이다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도2는 본 발명에 따른 반도체 케미컬 공급시스템의 실시예를 나타내는 구성도이다.
먼저, 공정이 수행되는 공정설비(20)로 케미컬을 버블링시켜 공급하는 케미컬공급부(22)에 일정량의 케미컬을 공급하는 케미컬저장부(24)가 구비된다.
그리고 케미컬공급부(22)의 수위를 감지하는 수위감지부(26)의 센싱신호입력으로 케미컬저장부(24)를 제어하여 케미컬공급부(22)에 케미컬공급이 이루어지도록 하는 공급제어부(28)가 구비된다.
또한 공급제어부(28)로 센싱신호가 입력됨과 동시에 제공되는 공급제어부(28)의 제어신호 입력으로 공정설비(20)를 제어하는 설비제어부(30)가 구비된다.
그리고 실시예의 수위감지부(26)는 케미컬공급부(22)의 수위가 엠프티 또는 풀일 때 센싱신호를 공급제어부(28)로 입력시키는 것으로, 케미컬공급부(22)의 수위가 엠프티되었을 때 수위감지부(26)에 의해 공급제어부(28)로 센싱신호가 입력되면 공급제어부(28)는 케미컬공급부(22)에 케미컬공급이 이루어지도록 케미컬저장부(24)를 제어함과 동시에 설비제어부(30)로 제어신호를 입력시켜 설비제어부(30)가 공정설비(30)를 제어하는 구성으로 이루어진다.
여기서 공급제어부(28)는 설비제어부(30)로 제어신호를 입력시킬 수 있도록 피엘씨(Programable Logic circuit)가 내장구성되는 것이 바람직하다.
또한 이러한 구성으로 이루어지는 케미컬 공급시스템의 케미컬을 공급받아 공정을 수행하는 공정설비(20)는 웨이퍼와 포토레지스트(Photo Resist)의 밀착력을 강화시키기 위하여 웨이퍼 상에 에이치엠디에스(Hexa Methyl Di Silazane)를 분사도포시킨다.
전술한 구성에 따라 본 발명의 실시예에 대한 작용 및 효과에 대하여 설명한다.
먼저, 공정수행시 케미컬공급부(22)는 케미컬을 버블링시켜 기체상태로 공정설비(20)에 공급한다.
이러한 공정이 계속적으로 반복수행되면 어느 일정시점에서는 케미컬공급부(22)의 수위는 엠프티된다.
여기서 케미컬공급부(22)는 케미컬을 버블링시켜 공정설비(20)로 공급하기 때문에 외부에서 계속적인 케미컬의 공급없이 공정을 수행하다가 케미컬이 엠프티되었을 때 케미컬저장부(24)로부터 케미컬을 공급받아 공정을 다시 수행하는 것이다.
이렇게 엠프티되었을 때 수위감지부(26)는 센싱신호, 즉 엠프티 센싱신호를 공급제어부(28)로 입력시키면 공급제어부(28)는 케미컬저장부(24)를 제어하여 케미컬공급부(22)에 케미컬공급이 수행되도록 한다.
그리고 공급제어부(28)로 엠프티 센싱신호가 입력됨과 동시에 공급제어부(28)는 설비제어부(30)로 제어신호를 입력시킨다.
그러면 설비제어부(30)는 제어신호입력으로 공정설비(20)를 제어하여 공정수행을 중단시킨다.
즉, 케미컬공급부(22)의 케미컬이 엠프티되어 케미컬저장부(24)로부터 케미컬을 공급받는 동안에는 공정설비(20)는 가동이 중단되는 것이다.
이어서 케미컬공급부(22)에 케미컬공급이 수행되어 수위가 풀이 되면 수위감지부(26)의 풀 센싱신호에 의해 공급제어부(28)는 케미컬저장부(24)를 제어하여 케미컬공급을 중단시키고, 동시에 공정수행이 진행되도록 설비제어부(30)로 제어신호를 입력시키면 된다.
이러한 구성으로 이루어지는 본 발명의 케미컬 공급시스템은 케미컬의 공급제어 뿐만 아니라 동시에 공정설비(20)의 제어가 이루어지도록 한다.
즉, 케미컬을 버블링시켜 기체상태로 공급하는 케미컬공급부(22)의 수위가 엠프티되면 공정수행이 중단되는 것이다.
그러면 케미컬공급부(22)가 케미컬을 공급받는 동안에는 공정설비(20)의 가동중단으로 공정수행으로 인한 불량을 방지할 수 있다.
따라서, 본 발명에 의하면 케미컬이 엠프티되면 공정수행이 중단되도록 하여 생산성이 향상되는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (4)

  1. 공정수행시 케미컬을 버블링(Bubbling)시켜 공정설비로 공급하는 케미컬공급부로 일정량의 케미컬을 공급하는 케미컬저장부가 구비되는 반도체 케미컬 공급시스템에 있어서,
    상기 케미컬공급부의 수위를 감지하는 수위감지수단;
    상기 수위감지수단의 센싱신호입력으로 상기 케미컬공급부로 케미컬이 공급되도록 상기 케미컬저장부를 제어하는 공급제어부; 및
    상기 센싱신호가 입력됨과 동시에 제공되는 상기 공급제어부의 제어신호를 입력받아 상기 공정설비를 제어하는 설비제어부;
    를 구비하여 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 케미컬 공급시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 수위감지수단은 상기 케미컬공급부의 수위가 풀(Full) 또는 엠프티(Empty)일 때 센싱신호를 제공하도록 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 케미컬 공급시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 센싱신호가 엠프티로 상기 공급제어부에 입력되면 상기 공급제어부는 상기 케미컬공급부로 케미컬공급이 이루어지도록 상기 케미컬저장부를 제어함과, 동시에 상기 설비제어부로 제어신호를 입력시켜 상기 설비제어부는 공정설비의 가동을 중단시키도록 구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 케미컬 공급시스템.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 공급제어부는 피엘씨(PLC)가 내장구성됨을 특징으로 하는 상기 반도체 케미컬 공급시스템.
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