KR19980032860A - 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 배리어 리브층을 샌드 블라스트법에 의해서 에칭할 때에 충돌대전에 의해서 에칭 레이트가 불균일하게 되는 것을 방지한다. 해결 수단은 배리어 리브용의 유리 페이스트에 도전성 재료를 포함시켜 인쇄하고, 건조시킨 후에 샌드 블라스트법에 의해서 어드레스 전극위를 에칭제거하고 소성공정으로 도전성을 낮게 또는 없애 절연성이 높은 배리어층으로 한다. 도전성의 성질로 전하가 자유롭게 이동하여 에칭 레이트가 균일하게 되는 것으로 생각한다.

Description

플라즈마 디스프레이 패널 및 그 제조 방법

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널의 구조 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 플라즈마 방전 공간을 확정하기 위하여 어드레스 전극간에 설치되는 배리어 리브(격벽)의 구조 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

3 전극의 면방전형의 플라즈마 디스플레이 패널의 구조는, 전면측의 유리기판상에 표시 전극 쌍을 표시 라인에 따라서 설치하고, 배향측의 유리 기판상의 표시 전극 쌍과 교차하는 방향으로 복수의 어드레스 전극을 설치하고, 양 유리 기판을 방전 공간을 끼고 대향시켜 봉지하는 것이다. 상기의 표시 전극 쌍과 어드레스 전극의 교차부가 표시 셀 영역으로 되고, 표시 전극과 어드레스 전극의 간에서 방전(어드레스 방전)시키고, 이것에 의해 발생한 벽 전하를 이용하여 표시 전극 쌍간에서 유지 방전이 행해진다.

어드레스 전극간에는 어드레스 방전 시의 인접 셀의 영향을 차단을 위한 등의 이유로부터, 절연재료로 된 격벽(배리어 리브)가 형성된다. 그리고, 어드레스 전극 상에 격벽간에 형성한 형광체에, 플라즈마 방전에 의해 발생하는 자외선을 대고 그 형광체로부터 여러 색의 광을 발출하는 것으로 표시를 행한다.

도 6은 통상의 격벽을 형성하는 제조 프로세스를 표시하는 요부 단면도이다. 상기와 같이, 배향면의 유리 기판(6)상에 복수의 어드레스 전극(7)이 형성되고, 그 위에 유전체층(10)이 유리 페이스트의 스크린 인쇄, 그 소성에 의해 형성된다. 그리고 그 위에 낮은 융점 유리 페이스트로 된 격벽층(8)을 스크린 인쇄로 도포하여, 건조시키고, 또한 그 위에 감광성 재료로 된 드라이 필름을 부착하고, 노광, 현상하여 격벽을 형성하는 영역에 드라이 필름 층(11)을 남긴다. 도 6(A)의 단면도는 그 상태이다.

그 후, 건조한 유리 페이스트로 된 두꺼운 격벽층(8)을 패턴화하기 위하여, 도 6(B)에 나타낸 바와 같이, 알루미나 또는 실리카 등의 분말 입자(13)를 에어 노즐(12)로 불어, 노출된 격벽층(8)의 부분을 에칭하여 제거한다. 이 방법은 샌드 블라스트법으로 널리 알려져 있고, 비교적 두꺼운 격벽을 형성하는데 적합한 방법이다.

그러나, 이 샌드 블라스트법에서는 불려진 입자가 격벽층(8)에 충돌하여 접촉대전을 야기하고, 입자와 격벽층 표면이 예를 들어 음과 양으로 대전하게 된다. 그 결과, 도 7의 샌드 블라스트 공정 종료시의 단면도에 나타낸 바와 같이, 어드레스 전극(7)의 상측에 격벽 재료 또는 불려진 입자가 잔사(8a)로서 남게 되는 현상이 나타난다.

이 잔사(8a)가 남는 이유는 접촉대전의 원인은 대체로 확인되지만, 접촉대전에 의해서 어떻게 하여 어드레스 전극(7)상에 남는가는 반드시 정확하게 파악되고 있지 않다. 즉, 도 7에 나타낸 바와 같이, 어드레스 전극(7)상에서 많은 잔사가 남아 있으므로, 어드레스 전극(7)에 의한 전위의 영향으로 전하 또는 대전한 입자가 어떤 작용을 일으키고, 그 결과 에칭 속도에 차가 생기는 것으로 예상된다.

이와 같이, 에칭 제거되지 않고 남은 잔사(8a)는 매우 제거할 수 없고, 전면측 유리 기판과 조립되어 표시 전극과 어드레스 전극의 교차부의 셀의 특징을 불균일한 것으로 한다.

여기에서, 본 발명의 목적은 격벽층을 패턴화할 때에 이용되는 샌드 블라스트에 있어서, 잔사가 생기지 않는 제조 방법 및 그 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것에 있다.

또한, 본 발명의 목적은 격벽층을 패턴화할 때의 샌드 블라스트에 있어서, 이 에칭 속도가 균일하게 되도록 할 수 있는 제조방법 및 그 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것에 있다.

도 1은 3전극의 면방전형의 플라스마 디스플레이 패널의 개략적인 구조를 나타낸 분해사시도.

도 2는 PDP의 표시전극쌍에 따른 단면도.

도 3은 상기한 3전극 면방전형의 PDP의 X, Y전극과 어드레스 전극과의 관계를 나타낸 패널의 평면도.

도 4는 본 발명의 제1 실시예의 형태에 의한 배면 유리 기판의 제조 프로세스를 나타낸 단면도.

도 5는 본 발명의 제2 실시예의 형태에 의한 배면 유리 기판의 제조 프로페스를 나타낸 단면도.

도 6은 통상의 격벽을 형성하는 제조 프로세스를 나타낸 요부단면도.

도 7은 샌드 블라스트 공정 종료시의 단면도.

상기의 목적은 본 발명에 의하면, 방전 공간을 거쳐서 대향하는 1쌍의 절연 기판을 갖고, 상기 절연 기판상에 형성한 전극에서 플라즈마를 방전시켜서 표시를 행하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 있어서,

절연 기판상에 복수 개의 전극을 형성하는 공정과,

상기 절연 기판상에서 상기 복수 개의 전극을 피복하는 바와 같이, 도전성의 페이스트 층을 형성하는 공정과, 상기 페이스트 층상에 상기 복수개의 전극간의 위치에 마스크 막을 형성하는 공정과, 상기 페이스트 층에 입자를 불어서 상기 마스크 막이 형성되어 있지 않은 상기 페이스트 층 부분을 에칭하는 공정과, 상기 페이스트 층을 소성 분위기로 되게 하여 상기 복수개의 전극간에 격벽을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는데 있다.

또 상기 목적은 본 발명에 의하면 방전공간을 거쳐서 대향하는 1쌍의 절연기판을 갖고, 상기 절연 기판 상에 형성된 전극 사이에서 플라즈마 방전시켜서 표시를 행하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에서 절연기판상에서 상기 복수개의 전극을 피복하기는 바와 같이 도전성 절연막을 형성하는 공정과, 상기 도전성 박막상에 페이스트층을 형성하는 공정과, 상기 페이스트층상에 상기 복수개의 전극 사이의 위치에 마스크층이 형성되어 있지 않는 상기 페이스트층 부분을 에칭하는 공정과, 상기 페이스트층을 소정 분위기로 하여 강기 복수개의 전극 사이에 격벽을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법에 의해서 달성된다.

또 바람직하게는 상기 소성공정에 있어서, 도전성이 저하하도록 한다.

이러한 제조 방법에 의하면 배리어 리브층을 형성하는 샌드 블라스트 공정에서 그 페이스트 층의 도전성 또는 페이스트 층의 아래에 형성된 도전성 박막에 의해서 충돌대전의 결과 생성된 전하를 자유로이 이동시키고 어드레스 전극의 유무에 관계없이 에칭레이트를 균일하게 할 수 있다.

도전성 재료로서 고분자 유기재료, 전자 공여체와 전자 수용체로 되는 전하 이동 착체의 유기재료, 산화도전 재료, 금속 재료등을 사용할 수 있다.

(발명의 실시형태)

이하 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다. 그러나 이러한 실시 형태예가 본 발명의 기술적 범위를 한정하는 것은 아니다.

도 1은 본 발명의 실시형태의 3전극의 면방전형의 플라즈마 디스플레이 패널의 개략적인 구조를 나타낸 분해 사시도이다. 또 도2는 그 PDP의 표시 전극에 따른 단면도이다. 양 도면을 참조하여 그 기본적인 구성에 대해서 설명한다.

1은 표기측의 절연 기판인 전면 유리 기판이고, 도면의 상측의 방향으로 광이 나온다. 6은 배면측의 절연 기판인 유리 기판이다. 이 배면기판은 반드시 투명기판일 필요는 없고 세라믹 기판이어도 좋다. 이들 유리 기판은 반드시 절연기판이다. 표시측의 유리 기판(1) 상에는 투명 전극(2)과 그 위(도면 위는 아래)에 형성된 도전성이 높은 버스전극(3)으로 되는 표시전극으로서 X전극과 Y 전극이 형성되고, PBO등의 저융점 유리로 되는 유전체층(4)과 MgO로 되는 보호층(5)으로 덮여있다. 버스전극(3)은 투명 전극(2)의 도전성을 보완하기 위해서 X 전극과 Y 전극의 반대측 단면부에 따라서 설비된다. 투명전극(2)은 예를들어 ITO에 의해서 형성되고, 버스 전극(3)은 예를 들어 Cr/Cu/Cr의 3층 구조로 된다.

배면 유리 기판(6) 상에는 예를 들어 실리콘 산화막으로 되는 하지의 패시베이션막(도시하지 않음) 상에 스트라이프상의 어드레스 전극(7)이 설비되고, 유전체층(도시하지 않음)으로 덮여져 있다. 어드레스 전극(7)은 예를 들어 Cr/Cu/Cr의 3층 구조로 되고, 유전체층은 PbO등의 저융점 유리로 된다. 도 어드레스 전극(7)에 인접하도록 스트라이프상의 격벽(배리어 리브)(8)가 형성된다. 이 격벽(8)은 PbO 등의 저융점 유리로 되고, 어드레스 방전시의 인접세로의 영향을 차단하기 위해서 광의 크로스 토크를 방지하기 위한 2가지 기능을 갖는다. 인접하는 배리어 리브(8)사이에 적, 청, 녹의 형광체(9)가 어드레스 전극 상 및 배리어 리브 벽면을 피복하도록 도포된다.

또 도 2에 나타낸 바와 같이, 표시측 기판(1)과 배면측 기판(6)은 약 100㎛정도 갭을 유지하고 조합되고, 그 사이의 공간(25)에는 Ne+Xe의 방전용의 혼입가스가 봉입된다.

도 3은 상기한 3 전극 면방전형의 PDP의 X 전극과 Y 전극과 어드레스 전극의 관계를 나타낸 평면도이다. X 전극(X1~X10)은 횡방향으로 나란하게 배열되고 또 기판 단부에 있어서, 공통접속 되고, Y전극(Y1~Y10)은 X전극의 사이에 각각 설비되고 또 개별로 기판 단부로 도출되어 있다. 이들의 X, Y전극은 각각 쌍으로 되어 표시라인을 형성하고, 표시하기 위한 유지 방전 전압이 교호로 인가된다. 또 XD1, XD2 및 YD1, YD2는 각각 유효표시 영역의 외측에 설비되는 더미 전극이고, 패널의 주변 부분의 제조 프로세스에 의한 비선형의 특성을 완화하기 위해서 설비되어 있으나 이들의 더미 전극의 수는 적의 선택된다. 그리고 표시측 기판(10)상에 설비되는 어드레스 전극(A1~A14)는 X, Y 전극과 직교하여 설비된다.

X 전극과 Y 전극은 쌍으로 되어 있어 유지 방전 전압이 교호로 인가되고, 또 Y 전극은 정보를 기입 할 때에 스캔 전극으로도 이용된다. 어드레스 전극은 정보를 기입할 때에 이용되고, 정보에 따라서 어드레스 전극과 스캔 대상의 Y전극의 사이에서 플라즈마 방전이 발생한다. 따라서 어드레스 전극에는 1셀 분의 방전 전류밖에 흐를 필요가 없다. 또 그 방전 전압은 Y전극의 조합으로 결정되므로 비교적 저전압에서의 구동이 가능하다. 이와 같은 저전류, 저전압 구동은 큰 표시 화면을 가능하게 한다.

그리고 어드레스 전극(7)과 Y전극의 사이에서 발생한 방전에 의해서 생성된 벽전하가 유전체층(4) 상에 남고, 그 후에 표시 전극쌍(2, 3) 사이에서 면방전에 의해서 유지 방전으로 이용된다.

도 4는 본 발명의 제 1 실시 형태에 의한 배면 유리 기판의 제조 프로세스를 나타낸 단면도이다. 본 발명의 실시 형태예에서는 격벽층(80) 내에 도전성 재료를 포함시켜 샌드 블라스트 공정에서 일어나는 충돌 대전에 의해서 발생한 전하가 도전성 재료에 의해서 균일하게 넓어지고, 에칭레이트가 균일하게 되도록 한다. 도전성 재료를 예를 들어 도전성의 유기 재료등을 선택함으로서 샌드 블라스트 공정의 에칭후의 소성공정에서 그 도전성을 저하 또는 없게 할 수 있다. 즉 샌드 블라스트 공정시는 격벽층(80)은 도전성을 갖고, 소성후는 절연성의 격벽으로 된다. 상기한 도전성 재료는 후에서 상술한다.

도전성 재료로서 예를 들어 도전성 유기 폴리머인 폴리 어닐링을 사용하면, 그 재료는 다음과 같이 생성된다. 우선 N-메틸-2-피롤리돈 에 폴리 어닐링을 5중량% 용해시킨 용액을 유리 기판 상에 스핀 코트하여 박막화하고, 그 폴리 어닐링 박막을 도포한 유리 기판을 40℃의 5% 황산 용액에 2분간정도 담근 후에 냉수로 세정한다. 황산에 침지함으로서 폴리 어닐링 내에 전하가 도입되어 도핑되고 도전성이 높아진다. 그리고 그 도전성이 부여된 폴리 어닐링 박막을 유리 기판으로부터 깍아내고, 분막 상태로 하여 종래로 부터의 격벽 재료인 산화아연등의 유리페이스트에 5중량% 첨가하고, 장벽재료의 페이스트로서 이용된다.

도4로 돌아가서 도4(a)에 나타낸 바와 같이 유리 기판(6) 상에 도시하지 않은 하층의 패시베이션층 위에 Cr/Cu/Cr의 3층 구조의 어드레스 전극막을 스퍼터링법에 의해서 형성하고, 통상 리소그라피 공정에 의해서 패턴닝하여 어드레스 전극(7)을 형성한다. 그리고 도4(b)에 나타낸 바와 같이 산화 아연을 주성분으로 하는 저융점 유리층을 약 10㎛ 도포하고 소성하여 유전체층(10)을 형성한다.

도4(c)에 나타낸 바와 같이 상술한 폴리 어닐링을 첨가한 격벽 재료층(80)을 건조상태에서 약 130㎛가 되도록 스크린 인쇄하고 건조시킨다. 그 후에 격벽 재료층(80) 상에 감광성의 드라이 필름을 부착하고, 포토 리소그라피법에 의해서 노광, 현상하여 마스크막(11)을 형성한다. 그리고 필름(11)을 마스크로서 하여 샌드 블라스트법에 의해서 격벽 재료층(80)을 패턴닝한다. 이 패턴닝 공정에서는 격벽 재료층(80)이 도전성을 가지므로 충돌 대전이 일어나도, 전하가 격벽 재료층(80)내를 자유롭게 이동할 수 있다. 따라서 대략 균일하게 전하가 분산되고 전하의 균일성에 따른다고 생각되는 에칭 레이트의 차이가 없게 된다. 그 결과 도4(d)에 나타낸 바와 같이 격벽(80)이 어드레스 전극(7) 상에 잔사가 남지 않게 형성된다.

그 후에 500℃ 정도의 온도에서 60분간 소성을 행함으로서 격벽(80) 내에 포함시킨 도전성의 유기 폴리머인 폴리 어닐링이 분해되어 절연체로 변환된다. 본 발명자들은 소성후의 폴리 어닐링 박막에 대해서 열중량분석(TGA)의 결과 소성온도로 된 결과를 분해하여 중량이 변화된 것을 확인했다. 이 소성 온도는 유기물의 도전성 페이스트를 사용하는 경우에는 예를 들어 400℃ 이상의 온도가 바람직하다. 이 경우에 유리 기판을 사용하는 때에는 600℃ 정도 보다 낮은 온도에서 행하는 것이 유리 기판 등의 손상을 고려하면 바람직하다. 또 절연기판으로서 세라믹 기판을 이용하는 경우에는 내열성이 높으므로 1000℃정도까지 높아질 수 있다. 이러한 정도에서 소성함으로서 도전성이 상실된다.

그 후에 적, 청, 녹의 형광체를 인가함으로서 유전체층(10) 및 격벽(80) 상에 형성하고, 가스 배출을 행하여 배면 유리 기판 측이 완성된다.

도 5는 본 발명의 제 2 실시 형태에 의한 배면 유리 기판의 제조 프로세스를 나타낸 단면도이다. 이 예에서는 격벽 재료내에 도전성 재료를 포함시키지는 않고, 종래의 격벽 재료층과 유전체층(10)의 사이에 도전성 재료층(81)을 형성하고, 샌드 블라스트공정 종료후에 그 도전성 재료층을 분해 등으로 비도전성으로 치환한다. 격벽내에 포함시켜도 제조 공정이 간단하게 된다.

도 5(a)에 나타낸 바와 같이, 유전체층(10)을 형성한 후에 전술한 폴리 어닐링의 분말을 톨루엔을 주 성분으로 하는 용제에 1 중량% 정도 녹아 들어간 도전 재료층(81)을 형성한다. 그 형성 방법은 예를 들어 스핀 코트법으로 두께는 약 0.5㎛ 정도로 한다.

도 5(b)에 나타낸 바와 같이, 그 후에 종래와 동일한 산화 주석을 주 성분으로 하는 낮은 융점 유리 페이스트를 인쇄하여, 100㎛ 정도의 격벽 재료층(82)를 형성한다. 격벽 재료층(82)를 건조시킨 후에 드라이 필름의 마스크(11)를 형성하고, 그 후 전술한 샌드 블라스트법에 의해서 격벽 재료층(82)을 에칭한다. 이 때 불어 부착된 입자가 충돌하는 것에 의한 전하가 발생하여도 도전 재료층(81)의 존재에 의해서, 대전에 의한 전하가 자유롭게 이동하고, 에칭 속도의 균일성이 확보된다.

따라서 도 5(c)에 나타낸 바와 같이, 어드레스 전극(7)상에 잔사가 남아 있지 않고 격벽이 형성된다. 그 후 580℃ 정도의 온도에서 30분간 정도의 분위기로 격벽층(82)를 이루게 하여 소성된다. 이 때의 소성 온도에 의해서 폴리 어닐링을 포함하는 도전 재료층(81)은 분해되어 절연성으로 변환된다. 이 소성 온도도 전술한 바와 같이 유리 기판에서는 400~600℃ 정도, 세라믹 기판에서는 500~1000℃ 정도가 바람직하다. 그 후 동일하게 하여 적, 청, 녹의 형광체 층을 인쇄하여 가스 배출함으로써 배면측 기판이 완성된다. 최후로 완성된 배면 기판과 전면 기판이 대향하여 유리 봉지되고, 내부에 Ne와 Xe 등의 방전용 가스가 봉입되고, 에칭 공정을 거쳐서 플라즈마 디스플레이 패널이 완성된다.

(도전성 재료)

상기한 실시 형태에서는 도전성 재료로서 폴리 어닐링의 유기 폴리머를 이용한 예를 나타냈다. 이하 그 이외의 재료의 예를 설명한다.

고분자 유기 재료 이외에 전자 공여체와 전자 수용체로 되는 전하 이동착체를 이용할 수도 있다. 이와 같은 물질에서도 소성 온도로 이루어짐으로써 분해되어 도전성을 상실하는 것으로 알려져 있다. 이와 같은 무기 재료의 경우에는 소성 온도는 50℃ 이상이 바람직하다. 따라서 유리 기판을 사용할 경우에는, 500~600℃ 정도 세라믹 기판을 사용하는 경우에는 500~1000℃ 정도가 바람직하다.

상기한 유기 도전재료의 경우는 격벽 소성 과정에서 분해되어 절연성으로 변환된다. 그러나 프라즈마 디스플레이 패널의 상기 특성에 영향이 없는 정도의 도전성을 남긴 격벽에서도 격벽의 기능을 다할 수 있다. 이러한 경우 예를 들어 도전 재료로서 산화물 도전 재료, 금속 재료, 또는 이들의 혼합물을 이용할 수 있다.

이와 같은 산화물도전재료나 금속 재료라도 격벽의 소성공정으로 산화물도전재료의 산소결합구조가 변화하여 절연재료로 변화하거나, 금속재료가 산화되어 절연재료로 변화하기도 한다. 따라서 도4 또는 도5 중의 어느 프로세스라도 샌드 블라스트공정시는 도전성이 높고, 소성공정을 취하면 그 도전성은 낮아진다.

고분자의 유기재료의 예로서는, 폴리아닐린, 폴리티아질, 폴리아세틸렌, 폴리파라페닐렌, 폴리파라페닐렌설피드, 폴리페닐렌옥시드, 폴리비닐렌설피드, 폴리벤조티오피드, 폴리파라페닐렌비닐렌, 폴리(2, 5-티에닐렌비닐렌), 폴리아줄렌, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리티오펜비닐렌, 폴리셀레노펜, 폴리퓨란, 폴리(3-알칼티오펜)폴리퓨란, 폴리트리페닐아민, 폴리피리디노피리딘, 폴리피라지노피라딘, 폴리메틴이민, 폴리옥사디아졸, 또는 이들의 2종 이상의 혼합물이 적절하다.

전하이동착체를 이용한 유기재료의 예로서는, 테트라티오풀발렌, 테트라티오테트라센, 테트라메틸테트라세노풀발렌, 페노티아질 또는 이들의 유연체의 1 또는 2 종 이상을 갖는 전자 공여체와, 테트라시아노키노디메탄, 플루오라닐, 트리니트로플루오레논, 헥사시아노부타디엔, 또는 이들의 유연체의 1 또는 2 종 이상을 갖는 전자 수용체를 포함하는 전하이동 착체가 적절하다.

또, 상기한 산화물 도전재료의 예로서는, SnO₂, In₂O₃, Tl₂O₃, TlOF, SrTiO₃, ReO₃, TiO, LaNiO₃, LaCuO₃, CuRuO₃, SrIrO₃, SrCrO₃, RuO₂, OsO₂, IrO₂, MoO₂, WO₂, ReO₂, RhO₂, βPtO₂, V₂O₂, Fe₂O₄, VO₂, Ti₂O₃, VO, CrO₂, SrVO₃, CaCrO₃, CaFeO₃, SrFeO₃, SrCoO₃, LaCoO₃, LuNiO₃, CaRuO₃, SrRuO₃, La₂NiO₄, Nd₂NiO₄, CaO, NiO의 1 또는 2종류 이상을 갖는 산화물 도전재료가 적절하다.

금속재료로서는 Mo 등이 적절하다. 이 금속재료는 소성공정에 의해서 절연성의 산화물로 변환되는 것은 바람직하다.

본 발명자는 비교를 위해서 도4(c)에 나타낸 폴리아닐린의 도전재료를 포함한 격벽층(80)을 어드레스 전극(7)를 형성한 제1샘플과 형성하지 않는 제2샘플상에 형성하였다. 또 별도의 제3샘플로서 도전재료를 포함하지 않는 격벽층(80)을 어드레스전극 7상에 형성하였다. 그리고, 3개의 샘플에 대해서 샌드 블라스트법으로 채집한 결과, 제 1, 제 2 샘플에서는 잔사가 남아 있지 않았다. 그러나 제 3 샘플에서는 잔사가 남아 있었다. 따라서 도전재료를 포함한 격벽층을 이용하면, 어드레스전극의 유무에 불구하고 에칭 레이트(블라스트 레이트)는 균일로 할 수 있는 것이 확인되었다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 플라스마디스플레이패널의 격벽(배리어리브)를 형성하는 샌드 블라스트 공정에서, 블라스트에 의해서 대전한 전하를 도전재료를 거쳐서 화산시킬 수 있으므로, 어드레스 전극이 존재하고 있어도 블라스트레이트(에칭레이트)가 변화하지 않고 균일하게 된다. 따라서 균일한 셀구조를 얻을 수 있고, 플라스마 디스플레이 패널의 성능 향상에 기여하는 바가 크다.

Claims (13)

1. 방전 공간을 거쳐서 대향하는 1쌍의 절연 기판을 갖고, 상기 절연 기판상에 형성한 전극에서 플라즈마를 방전시켜서 표시를 행하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 있어서,

   절연 기판상에 복수개의 전극을 형성하는 공정과,

   상기 절연 기판상에서 상기 복수개의 전극을 피복하는 바와 같이, 도전성의 페이스트 층을 형성하는 공정과,

   상기 페이스트 층상에 상기 복수 개의 전극간의 위치에 마스크 막을 형성하는 공정과,

   상기 페이스트 층에 입자를 불어서 상기 마스크 막이 형성되어 있지 않은 상기 페이스트 층 부분을 에칭하는 공정과,

   상기 페이스트 층을 소정 분위기로 되게 하여 상기 복수 개의 전극간에 격벽을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 소성 공정에 의해 상기 도전성 페이스트 층의 도전성을 낮추는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
3. 방전 공간을 거쳐서 대향하는 1쌍의 절연 기판을 갖고, 상기 절연 기판상에 형성한 전극간에서 플라즈마를 방전시켜 표시를 행하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 있어서,

   절연 기판상에 복수의 전극을 형성하는 공정과,

   상기 절연 기판상에서 상기 복수개의 전극을 피복하는 바와 같이, 도전성 박막을 형성하는 공정과,

   상기 도전성 박막상에 페이스트 층을 형성하는 공정과,

   상기 페이스트 층상에 상기 복수 개의 전극간의 위치에 마스크 막을 형성하는 공정과,

   상기 페이스트 층에 입자를 불어서 상기 마스크 막이 형성되어 있지 않는 상기 페이스트 층 부분을 에칭하는 공정과,

   상기 페이스트 층을 소성 분위기로 하여 상기 복수 개의 전극간에 격벽을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
4. 제 3 항에 있어서, 상기 소성 공정에 의해, 상기 도전성 박막의 도전성을 낮추는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
5. 제 1 항 내지 제 5 항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 도전성의 페이스트 층은 도전성 재료를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
6. 제 5 항에 있어서, 상기 도전성 재료는 고분자 유기 재료를 함유하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
7. 제 6 항에 있어서, 상기 고분자 유기 재료는 폴리아닐린, 폴리티아질, 폴리아세틸렌, 폴리파라페닐렌, 폴리파라페닐렌설피드, 폴리페닐렌옥시드, 폴리비닐렌설피드, 폴리벤조티오피드, 폴리파라페닐렌비닐렌, 폴리(2, 5-티에닐렌비닐렌), 폴리아줄렌, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리티오펜비닐렌, 폴리셀레노펜, 폴리퓨란, 폴리(3-알칼티오펜)폴리퓨란, 폴리트리페닐아민, 폴리피리디노피리딘, 폴리피라지노피라딘, 폴리메틴이민, 폴리옥사디아졸, 또는 이들의 2종 이상의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
8. 제 5 항에 있어서, 상기 도전성 재료는 전자 공여체와 전자 수용체를 포함하는 전하 이동착체를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
9. 제 8 항에 있어서, 상기 전하 이동착체는 테트라티오풀발렌, 테트라티오테트라센, 테트라메틸테트라세노풀발렌, 페노티아질 또는 이들의 유연체의 1 또는 2 종 이상을 갖는 전자 공여체와, 테트라시아노키노디메탄, 플루오라닐, 트리니트로플루오레논, 헥사시아노부타디엔, 또는 이들의 유연체의 1 또는 2 종 이상을 갖는 전자 수용체를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조방법.
10. 제 5 항에 있어서, 상기 도전성 재료는 산화물 도전체를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
11. 제 10 항에 있어서, 상기 산화물 도전체는 SnO₂, In₂O₃, Tl₂O₃, TlOF, SrTiO₃, ReO₃, TiO, LaNiO₃, LaCuO₃, CuRuO₃, SrIrO₃, SrCrO₃, RuO₂, OsO₂, IrO₂, MoO₂, WO₂, ReO₂, RhO₂, βPtO₂, V₂O₂, Fe₂O₄, VO₂, Ti₂O₃, VO, CrO₂, SrVO₃, CaCrO₃, CaFeO₃, SrFeO₃, SrCoO₃, LaCoO₃, LuNiO₃, CaRuO₃, SrRuO₃, La₂NiO₄, Nd₂NiO₄, CaO, NiO의 1 또는 2종류 이상을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
12. 제 5 항에 있어서, 상기 도전성 재료는 금속 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.
13. 방전 공간을 거쳐서 대향하는 1 쌍의 절연 기판을 갖고, 상기 절연 기판상에 형성한 전극간에 플라즈마를 방전시켜 표시를 행하는 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서,

    절연 기판상에 형성된 복수 개의 전극과,

    상기 절연 기판상에서 상기 복수 개의 전극간에 형성된 배리어 리브 층을 갖고, 상기 배리어 리브 층이 도전성 재료를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널.