KR19980027605A - 반도체 장비의 가스 공급 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 레귤레이터 박스를 변형하여 여러 종류의 공정 가스를 중첩되지 않는 공급관을 통해 Fab내의 각 장비에 공급할 수 있는 반도체 장비의 가스 공급 장치에 관한 것이다.
본 발명에 의한 반도체 장비의 가스 공급 장치는 여러 종류의 공정가스가 각각 담겨 있는 복수 개의 가스 통이 안착되어 있는 가스 캐비넷과, 상기 가스 캐비넷에서 가스 라인을 따라 유입된 여러 종류의 공정 가스를 Fab내의 장비에 대응될 수 있도록 분기하여 중첩되지 않은 복수 개의 공급관을 통해 Fab내의 각 장비에 공급하는 레귤레이터 박스로 구성되어 있다.

Description

반도체 장비의 가스 공급 장치
제 1 도는 종래의 기술에 의한 반도체 장비의 가스 공급 장치를 도시한 사시도.
제 2 도는 본 발명에 의한 반도체 장비의 가스 공급 장치를 도시한 사시도.
제 3 도는 본 발명에 의한 반도체 장비의 가스 공급 장치 중 레귤레이터 박스의 기본 구조를 도시한 개략도.
제 4 도는 3 종류의 가스를 조절할 수 있는 레규레이터 박스의 구조를 도시한 개략도.
제 5 도는 제 4 도의 레귤레이터 박스 2개를 서로 맞붙여 사용하는 경우를 도시한 평면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
10: 가스 캐비넷,20: 가스 통,
30: 가스 라인,40: 안내 덕트,
50: 레귤레이터 박스,51: 확장 밸브,
52: 스톱 밸브,53: 제 1 센서,
54: 공급 밸브,55; 퍼지용 가스 조절 밸브,
56: 퍼지용 밸브,57: 레귤레이터,
58: 제 2 센서,59: 가스 휠터,
60: 최종 공급 밸브,61: 엑스트라 공급관,
62: 퍼지용 가스 공급관,70: Fab,
80: 장비,90: 공급관.
본 발명은 반도체 장비에 관한 것으로서, 특히, 레귤레이터 박스를 변형하여 여러 종류의 공정 가스를 중첩되지 않는 공급관을 통해 Fab내의 각 장비에 공급할 수 있는 반도체 장비의 가스 공급 장치에 관한 것이다.
반도체 공정은 산화 공정, 확산 공정, 이온 주입 공정, 금속 증착 공정, 식각 공정 등의 여러 공정으로 이루어졌는데, 이러한 각 공정에서는 여러 종류의 공정 가스를 공급하는 가스 공급 장치를 필요로 한다.
제 1 도는 종래의 기술에 의한 반도체 장비의 가스 공급 장치를 도시한 사시도로서, 도시된 바와 같이, Fab(7) 외부의 소정 장소에는 Fab(7)내의 여러 장비(8)에서 필요로 하는 SiH4, PH3, NF3, CF4 등과 같은 공정 가스가 각각 담겨있는 복수 개의 가스 통(2)을 안착할 수 있도록 가스 캐비넷(1)이 위치하고 있고, 상기 가스 캐비넷(1)의 측부에는 상기 가스 통(2)에 각각 연결되어 있는 가스 라인(3)을 안내할 수 있도록 안내 덕트(4)의 일 측이 장착되어 있다.
상기 안내 덕트(4)의 타측에는 가스 라인(3)을 따라 유입된 공정 가스를 공급할 수 있도록 가스 통(3)에 대응하는 갯수로 레귤레이터 박스(5)가 장착되어 있다.
상기 각각의 레귤레이터 박스(5)의 상단 부에는 Fab(7)내의 각 장비(8)에 대응하여 연결될 수 있도록 장비(8)의 갯수와 동일한 갯 수의 공급관(9)이 돌출되어 있다.
이러한 종래의 반도체 장비의 가스 공급 장치의 작동 과정 및 문제점을 살펴 보면 다음과 같다.
먼저, 가스 캐비넷(1)에 안착되어 있는 각각의 가스 통(2)에서 공정 가스가 공급되면, 각각의 공정 가스는 안내 덕트(4) 내부를 통과하는 가스 라인(3)을 따라 각각의 레귤레이터 박스(5)로 유입된다.
이 후, 각각의 레귤레이터 박스(5)내로 유입된 각각의 공정 가스는 가스 휠터(미 도시)를 통해 정화된 다음 Fab(7)내의 장비(8)에 대응되는 갯수로 분기되어 돌출되어 있는 각각의 공급관(9)에 따라 흐른다.
이 후, 각 공급관(9)를 따라 흐르는 공정 가스는 Fab(7)내의 각 장비(8)로 공급된다.
그러나, 여러 종류의 공정 가스를 공급해야 하는 경우에는 여러 종류의 가스 통(2)에 대응되는 갯 수의 레귤레이터 박스(5)를 설치해야 하는 번거로움이 있었다.
또한, 각각의 레귤레이터 박스(5)에 돌출되어 있는 공급관(9)을 각장비(8)에 연결하는 경우 공급관(9)이 중첩되는 경우가 발생할 뿐만 아니라 여러 번의 벤딩 작업을 해야하는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 본 발명은 레귤레이터 박스를 변형하여 여러 종류의 공정 가스를 중첩되지 않는 공급관을 통해 Fab내의 각 장비에 공급할 수 있는 반도체 장비의 가스 공급 장치를 제공하는데 그 목적을 두고 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 반도체 장비의 가스 공급 장치는 여러 종류의 공정 가스가 각각 담겨 있는 복수 개의 가스 통이 안착되어 있는 가스 캐비넷과, 상기 가스 캐비넷에서 가스 라인을 따라 유입된 여러 종류의 공정 가스를 Fab내의 장비에 대응될 수 있도록 분기하여 중첩되지 않은 복수 개의 공급관을 통해 Fab내의 각 장비에 공급하는 레귤레이터 박스로 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이하, 예시된 도면 제 2 도 내지 제 5 도를 참조하여 본 발명에 의해 반도체 장비의 가스 공급 장치를 상세히 설명한다.
제 2 도는 본 발명에 의한 반도체 장비의 가스 공급 장치를 도시한 사시도로서, Fab(70) 외부의 소정 장소에는 SiH4, PH3, NF3, CF4 등과 같은 공정 가스가 각각 담겨있는 복수 개의 가스 통(20)을 안착할 수 있도록 가스 캐비넷(10)이 형성되어 있고, 상기 가스 캐비넷(10)의 측부에는 여러 종류의 가스통(20)에 연결되어 있는 가스 라인(30)을 안내할 수 있도록 안내 덕트(40)의 일 측이 장착되어 있다.
상기 안내 덕트(40)의 타측에는 가스 라인(30)을 따라 유입된 여러 종류의 공정 가스를 Fab(70)내의 각 장비(80)에 대응할 수 있도록 분기하여 공급할 수 있도록 레귤레이터 박스(50)가 장착되어 있다.
또한, 레귤레이터 박스(50)의 상부에는 분기된 여러 종류의 공정 가스를 Fab(70)내의 각 장비(80)에 공급할 수 있도록 복수 개의 공급관(90)이 돌출되어 있다.
제 3 도는 본 발명에 의한 반도체 장비의 가스 공급 장치 중 레귤레이터 박스(50)의 기본 구조를 도시한 개략도로서, 가스 라인(30)의 소정 위치에는 가스 캐비넷(10)으로부터 공급되는 공정 가스를 여러 방향으로 분기할 수 있도록 확장 밸브(51)가 장착되어 있다.
상기 확장 밸브(51)의 앞쪽에는 가스 누설과 같은 긴급 사태 발생시 공정 가스의 공급을 차단할 수 있도록 스톱 밸브(52)가 장착되어 있고, 상기 스톱 밸브(52)와 동일한 위치에는 상기 확장 밸브(51)를 통해 유입되는 공정 가스의 압력을 체크할 수 있도록 제 1 센서(53)가 장착되어 있다.
상기 제 1 센서(53)와 스톱 밸브(52) 앞쪽의 가스 라인(30)에는 공정 가스를 분기하여 Fab(70)내의 각 장비(80)로 공급할 수 있도록 복수 개의 공급 밸브(54)가 소정 간격으로 장착되어 있다.
레귤레이터 박스(50)내의 소정 위치에는 공급관(90) 내부의 불순물을 제거하는 퍼지용 가스의 공급량을 조절할 수 있도록 퍼지용 가스 조절 밸브(55)가 장착되어 있다.
상기 공급 밸브(54)의 전방에는 퍼지용 가스를 유입 또는 차단할 수 있도록 퍼지용 밸브(56)가 장착되어 있고, 상기 퍼지용 밸브(56)의 앞쪽에는 공정 가스의 양을 조절할 수 있도록 레귤레이터(57)가 장착되어 있다.
상기 레귤레이터(57)의 앞쪽에는 공정 가스의 최종 압력을 체크할 수 있도록 제 2 센서(58)가 장착되어 있다.
상기 제 2 센서(58)의 앞쪽에는 공정 가스를 정화할 수 있도록 가스 휠터(59)가 장착되어 있다.
상기 가스 휠터(59)의 앞쪽에는 상기 가스 휠터(59)를 통과한 공정 가스의 출력을 조절할 수 있도록 최종 공급 밸브(60)가 장착되어 있다.
또한, 상기 확장 밸브(51)의 일 방향에는 Fab(70)내에 증설되는 장비(80)에 공정 가스를 탄력적으로 대응 공급할 수 있도록 엑스트라 공급관(61)이 연결되어 있다.
제 4 도는 3 종류의 가스를 조절할 수 있는 레귤레이터 박스의 구조를 도시한 개략도로서, 제 3 도에 도시한 기본 구조를 조합한 형태를 이루고 있다.
특히, 퍼지용 가스를 각각의 공급관(90)에 분기하여 공급할 수 있도록 퍼지용 가스 공급관(62)이 장작되어 있고, 각 가스의 출력을 조절하는 최종 공급 밸브(60)는 서로 겹치지 않도록 엇갈리게 장착되어 있다.
제 5 도는 제 4 도의 레귤레이터 박스 2개를 서로 맞붙여 사용하는 경우를 도시한 평면도로서, Fab(70)내에 증설되는 장비(80)에 공정 가스를 탄력적으로 대응 공급하기 위한 것이다.
이하, 본 발명에 의한 반도체 장비의 가스 공급 장치의 작동 과정 및 효과를 상세히 살펴 보자.
먼저 공급관(90) 내부의 불순물을 제거할 수 있도록 퍼지용 가스 조절 밸브(55)를 개방하여 퍼지용 가스를 공급관(90) 내부로 유입시킨다.
이 후, 가스통(20)에서 공급되는 공정 가스가 가스 라인(30)을 따라 확장 밸브(51)의 일 측을 통해 유입되면, 제 1 센서(53)에서는 유입되는 공정 가스의 압력을 체크한다.
이 후, 가스 라인(30)에 소정 간격으로 장착되어 있는 공급 밸브(54)를 통해 공정 가스가 분기되어 흐르면, 공급 밸브(54)의 앞쪽에 장착되어 있는 퍼지용 밸브(56)의 일 측을 폐쇄하여 퍼지용 가스의 유입을 차단하고, 타측을 개방하여 공정 가스가 소정 경로의 가스 라인(30)을 따라 이동하도록 한다.
이 후, 퍼지용 밸브(56)의 앞쪽에 있는 레귤레이터(57)에서 공정 가스의 양을 조절하여 통과시키면, 제 2 센서(58)에서는 공정 가스의 최종 압력을 체크한다.
이 후, 제 2 센서(58)를 통과한 공정 가스는 가스 휠터(59)를 통과하면서 정화되어 흐른다.
이 후, 최종 공급 밸브(60)가 열리면 공정 가스는 공급관(90)을 따라 Fab(70)내의 각 장비(80)로 이동하여 공정에 필요한 작용을 하게 된다.
즉, 3 종류의 공정 가스는, 상기와 같은 경로를 통해서, 서로 겹치지 않은 공급관(90)을 통해 각 장비(80)에 공급된다.
한편, 출력되는 공정 가스의 수요가 증가되는 경우에는 확장 밸브(51)의 일 측에 장착되어 있는 엑스트라 공급관(61)에 공급관(90)을 연결하여 대응할 수 있다.
또한, 제 5 도에 도시된 바와 같이, 더 많은 공정 가스가 필요로 하는 경우에는, 제 4 도 형태의 레귤레이터 뱍스(50)를 서로 맞붙여 사용할 수도 있다.
상술한 바와 같이, 본 발며이은 여러 종류의 공정 가스를 한 개의 레귤레이터 박스에서 분기하여 공급함으로써 공간 활용도를 높일 수 있는 효과가 있다.
또한, 공정 가스를 Fab내의 필요 장비에 탄력적으로 공급함으로써 생산성 향상을 가져오는 효과도 있다.

Claims (4)

  1. 여러 종류의 공정 가스가 각각 담겨 있는 복수 개의 가스 통이 안착되어 있는 가스 캐비넷과,
    상기 가스 캐비넷에서 가스 라인을 따라 유입된 여러 종류의 공정가스를 Fab내의 장비에 대응될 수 있도록 분기하여 중첩되지 않은 복수 개의 공급관을 통해 Fab내의 각 장비에 레귤레이터 박스로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장비의 가스 공급 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 레귤레이터 박스는 Fab내에 증설되는 장비에 공정 가스를 탄력적으로 대응 공급할 수 있도록 복수 개를 맞붙여 사용할 수 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장비의 가스 공급 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 레귤레이터 박스는 가스 캐비넷으로부터 공급되는 공정 가스를 여러 방향으로 분기할 수 있도록 가스 라인의 소정 위치에 장착되어 있는 확장 밸브와,
    상기 공정 가스의 공급을 중단할 수 있도록 확장 밸브의 앞쪽에 장착되어 있는 스톱 밸브와,
    상기 확장 밸브를 통해 유입되는 공정 가스의 압력을 체크할 수 있도록 장착되어 있는 제 1 센서와,
    상기 스톱 밸브와 제 1 센서를 지나는 공정 가스를 Fab내의 각 장비로 안내할 수 있도록 가스 라인에 소정 간격으로 장착되어 있는 복수 개의 공급 밸브와,
    상기 공급 밸브 앞쪽에 위치한 가스 라인 내부의 불순물을 제거하는 퍼지용 가스의 공급량을 조절하는 퍼지용 가스 조절 밸브와,
    상기 공급 밸브의 앞쪽에 위치하여 퍼지용 가스를 유입 또는 차단할 수 있도록 장착되어 있는 퍼지용 밸브와,
    상기 퍼지용 밸브를 통과한 공정 가스의 양을 조절할 수 있도록 장착되어 있는 레귤레이터와,
    상기 레귤레이터의 앞쪽에 장착되어 공정 가스의 최종 압력을 체크하는 제 2 센서와,
    상기 제 2 센서를 통과한 공정 가스를 정화할 수 있도록 장착되어 있는 가스 휠터와,
    상기 가스 휠터를 통과한 공정 가스의 출력을 조절할 수 있도록 장착되어 있는 최종 공급 밸브를 포함하고 있는 것을 특징으로 반도체 장비의 가스 공급 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 확장 밸브의 일 방향에는 Fab내에 증설되는 장비에 공정 가스를 탄력적으로 대응 공급할 수 있도록 엑스트라 공급관이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장비의 가스 공급장치.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100657747B1 (ko) * 2004-12-30 2006-12-13 동부일렉트로닉스 주식회사 탈부착식 프로브 핀 모듈을 가지는 프로브 카드
KR100825050B1 (ko) * 2004-03-01 2008-04-24 씨케이디 가부시키 가이샤 가스 공급 집적 유닛
KR100864168B1 (ko) * 2003-12-31 2008-10-16 동부일렉트로닉스 주식회사 수직 다중 가스 공급 시스템
KR20170043451A (ko) * 2015-10-13 2017-04-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리액 공급 장치

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9724168D0 (en) 1997-11-14 1998-01-14 Air Prod & Chem Gas control device and method of supplying gas
KR100628856B1 (ko) * 1998-06-30 2006-09-27 어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드 다수의 화학 약품들을 공정 툴에 공급하기 위한 시스템
US6345642B1 (en) * 1999-02-19 2002-02-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing processing liquid from a processing liquid path
FR2794844B1 (fr) * 1999-06-08 2001-08-03 Air Liquide Procede et dispositif de mise en gaz d'une ligne de distribution de gaz corrosif
US6302139B1 (en) * 1999-07-16 2001-10-16 Advanced Technology Materials, Inc. Auto-switching gas delivery system utilizing sub-atmospheric pressure gas supply vessels
US6676760B2 (en) 2001-08-16 2004-01-13 Appiled Materials, Inc. Process chamber having multiple gas distributors and method
JP4597440B2 (ja) * 2001-09-14 2010-12-15 シーケーディ株式会社 半導体製造装置用ガス供給集積ユニット
WO2004031670A1 (en) * 2002-09-30 2004-04-15 Bp Corporation North America Inc. Modular lng process
US6829056B1 (en) 2003-08-21 2004-12-07 Michael Barnes Monitoring dimensions of features at different locations in the processing of substrates
US6955198B2 (en) * 2003-09-09 2005-10-18 Advanced Technology Materials, Inc. Auto-switching system for switch-over of gas storage and dispensing vessels in a multi-vessel array
US7051749B2 (en) * 2003-11-24 2006-05-30 Advanced Technology Materials, Inc. Gas delivery system with integrated valve manifold functionality for sub-atmospheric and super-atmospheric pressure applications
JP5519105B2 (ja) * 2004-08-02 2014-06-11 ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド 化学気相成長の方法及び化学気相成長リアクタ用のガス供給システム
WO2007142850A2 (en) * 2006-06-02 2007-12-13 Applied Materials Gas flow control by differential pressure measurements
JP5438439B2 (ja) * 2009-09-04 2014-03-12 東洋炭素株式会社 気体供給システム
CA2773896C (en) * 2009-09-16 2017-03-28 Leonard James Humphreys An assembly for reducing slurry pressure in a slurry processing system
DE212011100116U1 (de) * 2010-07-05 2013-02-22 Solvay Sa Spülbox für Fluorzufuhr
KR101940325B1 (ko) * 2011-10-05 2019-01-18 가부시키가이샤 호리바 에스텍 유체 기구 및 상기 유체 기구를 구성하는 지지 부재 및 유체 제어 시스템
US10460960B2 (en) * 2016-05-09 2019-10-29 Applied Materials, Inc. Gas panel apparatus and method for reducing exhaust requirements
KR102035697B1 (ko) 2017-08-02 2019-10-23 에이엠티 주식회사 가스통 밸브 자동 개폐장치 및 그 방법
KR102040713B1 (ko) 2017-10-11 2019-11-27 에이엠티 주식회사 고압가스통 자동교체시스템 및 그 방법
KR102142980B1 (ko) 2017-12-13 2020-08-11 에이엠티 주식회사 고압가스통의 가스켓 자동 교체장치
KR102120752B1 (ko) 2017-12-13 2020-06-09 에이엠티 주식회사 고압가스통의 자동 얼라인방법
US11619355B2 (en) 2017-12-19 2023-04-04 Amt Co., Ltd. Method for automatically replacing high-pressure gas barrels
GB2581999B (en) * 2019-03-07 2023-01-04 Bpr Medical Ltd Gas flow alarm
KR102272028B1 (ko) * 2021-01-22 2021-07-02 주식회사 솔텍크 반도체 제조를 위한 데이터 분석 서비스 시스템 및 그 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2602880B2 (ja) * 1988-03-05 1997-04-23 忠弘 大見 シリンダーキャビネット配管装置
JPH0644986B2 (ja) * 1988-05-08 1994-06-15 忠弘 大見 プロセスガス供給配管装置
US5240024A (en) * 1992-03-31 1993-08-31 Moore Epitaxial, Inc. Automated process gas supply system for evacuating a process line
US5749389A (en) * 1993-12-22 1998-05-12 Liquid Air Corporation Purgeable connection for gas supply cabinet
JPH08153685A (ja) * 1994-11-25 1996-06-11 Mitsubishi Corp 半導体用特殊材料ガス供給装置
US5605179A (en) * 1995-03-17 1997-02-25 Insync Systems, Inc. Integrated gas panel

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100864168B1 (ko) * 2003-12-31 2008-10-16 동부일렉트로닉스 주식회사 수직 다중 가스 공급 시스템
KR100825050B1 (ko) * 2004-03-01 2008-04-24 씨케이디 가부시키 가이샤 가스 공급 집적 유닛
KR100657747B1 (ko) * 2004-12-30 2006-12-13 동부일렉트로닉스 주식회사 탈부착식 프로브 핀 모듈을 가지는 프로브 카드
KR20170043451A (ko) * 2015-10-13 2017-04-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리액 공급 장치

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Publication number Publication date
JP3350642B2 (ja) 2002-11-25
KR100242982B1 (ko) 2000-02-01
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JPH10141599A (ja) 1998-05-29

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