KR20000046793A

KR20000046793A - 반도체 제조장비의 가스공급구조

Info

Publication number: KR20000046793A
Application number: KR1019980063520A
Authority: KR
Inventors: 봉원종
Original assignee: 김영환; 현대반도체 주식회사
Priority date: 1998-12-31
Filing date: 1998-12-31
Publication date: 2000-07-25

Abstract

본 발명은 반도체 제조장비의 가스공급구조에 관한 것으로, 가스 캐비넷에 연결된 가스공급라인이 분기되어 수개의 반도체 제조장비로 공정가스를 공급하도록 이루어진 반도체 제조장비의 가스공급구조에 있어서, 상기 가스공급라인이 각각의 반도체 제조장비에 연결되도록 분기되는 부위에 가스누출방지박스를 설치하고, 이 가스누출방지박스의 내부에 위치하여 각각의 반도체 제조장비에 연결되는 가스분기라인에 유량조절밸브 및 레귤레이터를 설치함으로써, 공정가스가 누출되는 경우에도 상기 가스누출방지박스에 의해 밀폐되므로 팹 내부로 확산되는 것을 방지하여 팹 내부의 오염을 방지함과 아울러 안전사고를 방지하게 된다.

Description

반도체 제조장비의 가스공급구조

본 발명은 반도체 제조장비의 가스공급구조에 관한 것으로, 특히 반도체 제조장비로 공정가스를 공급시 공정가스가 팹으로 누출되는 것을 방지하기 위한 반도체 제조장비의 가스공급구조에 관한 것이다.

일반적으로 식각장비, 증착장비, 이온주입장비 등 공정가스를 필요로 하는 다수개의 반도체 제조장비는 팹(Fab)의 내부 일측에 설치된 가스 캐비닛 또는 가스중앙공급장치로부터 상기 각각의 반도체 제조장비로 분기되도록 가스공급라인을 연결하여 가스를 공급받는다.

즉, 도 1에 도시한 바와 같이 가스 캐비닛(1) 또는 가스 중앙공급장치로부터 가스공급라인(L)을 통해 소정량의 가스를 공급하는데, 상기 가스공급라인(L)으로 공급된 가스는 가스분기라인(L')을 통해 각각의 반도체 제조장비(D)로 공급되며, 상기 각각의 가스분기라인(L')에는 제조장비로 유입되는 가스의 유량을 조절하기 위한 유량조절밸브(2)가 구비되어 있다.

그리고 상기 유량조절밸브(2)를 지나 장비측으로 연결된 각각의 가스분기라인(L')에는 가스의 공급 압력을 조절하는 레귤레이터(3)가 설치되어 있으며, 이 레귤레이터(3)를 통과한 가스는 압력 게이지(4)에 의해 공급되는 가스의 압력을 확인하게 되고, 상기 레귤레이터(3)를 통과한 가스는 반도체 제조장비(D)로 공급될 때 가스의 불순물을 포집하기 위한 필터(5)를 통과하게 된다.

그러나, 상기와 같은 종래 기술은 가스분기라인(L')에 수개의 부품들, 즉 유량조절밸브(2), 레귤레이터(3), 필터(5) 등을 설치함으로써 공정가스의 누출 가능성을 증가시킬 뿐만 아니라 설치비용을 증가시키게 된다.

또한, 상기 가스분기라인(L')에 설치된 각각의 부품들이 외부에 노출되어 있는 상태이므로 공정가스의 누출 발생시 팹 내부를 오염시킬 뿐만 아니라, 그 정도가 심화될 경우에는 작업자에게 유해한 영향을 끼치게 되는 문제점이 있었다.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 공정가스의 누출을 방지하여 안전사고를 방지할 뿐만 아니라 팹 내부가 오염되는 것을 방지하기 위한 반도체 제조장비의 가스공급구조를 제공하는데 그 목적이 있다.

도 1은 종래 기술에 의한 가스공급장치를 개략적으로 보인 사시도.

도 2는 본 발명에 의한 가스공급장치를 개략적으로 보인 사시도.

도 3은 본 발명에 의한 누출 방지용 박스의 내부 구조를 보인 개략도.

** 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 **

10 ; 가스 캐비닛 20 ; 가스누출방지박스

21 ; 유량조절밸브 22 ; 레귤레이터

23 ; 압력 게이지 L ; 가스공급라인

L' ; 가스분기라인 L" ; 퍼지가스공급라인

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 가스 캐비넷에 연결된 가스공급라인이 분기되어 수개의 반도체 제조장비로 공정가스를 공급하도록 이루어진 반도체 제조장비의 가스공급구조에 있어서, 상기 가스공급라인이 각각의 반도체 제조장비에 연결되도록 분기되는 부위에 가스누출방지박스를 설치하고, 이 가스누출방지박스의 내부에 위치하여 각각의 반도체 제조장비로에 연결되는 가스분기라인에 유량조절밸브 및 레귤레이터를 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 가스공급구조가 제공된다.

이하, 본 발명에 의한 반도체 제조장비의 가스공급구조를 첨부도면에 도시한 실시예에 따라 설명하면 다음과 같다.

본 발명에 의한 가스공급구조는 도 2에 도시한 바와 같이, 팹의 일측에 설치된 가스 캐비닛(10)으로부터 가스공급라인(L)으로 각각의 반도체 제조장비(D)에 연결되는데, 이때 상기 가스공급라인(L)은 종래에서처럼 제조장비에 바로 연결되지 않고 중간에 가스누출방지박스(20)를 거쳐 연결된다.

즉, 상기 가스 캐비닛(10)에 연결된 가스공급라인(L)은 가스누출방지박스(20)로 유입되어 각각의 제조장비(D)에 연결된 가스분기라인(L')에 연결되며, 상기 각각의 가스분기라인(L')에는 도 3에 도시한 바와 같이 제조장비(D)로 공급되는 공정가스의 유량을 조절하기 위한 유량조절밸브(21)와 공정가스의 압력을 조절하기 위한 레귤레이터(22)가 결합 설치되며, 상기 각각의 레귤레이터(22)의 일측에는 압력 게이지(23)가 연결 설치된다.

그리고 상기 각각의 가스분기라인(L')에는 공정가스를 퍼지시키기 위해 질소가스를 공급하는 퍼지가스공급라인(L")이 분기되어 연결된다.

한편, 상기 각각의 반도체 제조장비(D) 및 가스누출방지박스(20)에는 공정가스의 누출 여부 및 누출량을 감지하기 위한 검출기(미도시)에 연결되도록 리크 포트(P)가 연결 설치된다.

따라서, 가스 캐비닛(10)으로부터 공급된 공정가스가 각각의 제조장비(D)로 공급될 때 상기 유량조절밸브(21) 및 레귤레이터(22)가 결합된 부위의 가스분기라인(L')에 공정가스의 누출이 발생하더라도 누출된 공정가스들은 상기 밀폐된 가스누출방지박스(20)에 의해 팹으로 확산되는 것이 방지된다.

그리고 상기 가스 캐비닛(10)에 연결된 모든 가스공급라인(L) 및 가스분기라인(L')은 공정가스의 누출 발생시 팹으로의 확산을 방지하기 위해 2중으로 설치한다.

이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 가스공급구조는 가스공급라인과 가스분기라인을 가스누출방지박스 내부에서 연결되도록 하며, 유량조절밸브와 레귤레이터 등을 상기 가스누출방지박스 내부에 설치함으로써 공정가스가 누출되는 경우에도 상기 가스누출방지박스에 의해 밀폐되므로 팹 내부로 확산되는 것을 방지하여 팹 내부의 오염을 방지함과 아울러 안전사고를 방지하게 된다.

Claims

가스 캐비넷에 연결된 가스공급라인이 분기되어 수개의 반도체 제조장비로 공정가스를 공급하도록 이루어진 반도체 제조장비의 가스공급구조에 있어서, 상기 가스공급라인이 각각의 반도체 제조장비에 연결되도록 분기되는 부위에 가스누출방지박스를 설치하고, 이 가스누출방지박스의 내부에 위치하여 각각의 반도체 제조장비에 연결되는 가스분기라인에 유량조절밸브 및 레귤레이터를 설치하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 가스공급구조.
제 1항에 있어서, 상기 가스공급라인 및 가스분기라인은 2중 배관으로 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비의 가스공급구조.