KR102646349B1 - 도체 기판, 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법 - Google Patents

도체 기판, 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102646349B1
KR102646349B1 KR1020197012015A KR20197012015A KR102646349B1 KR 102646349 B1 KR102646349 B1 KR 102646349B1 KR 1020197012015 A KR1020197012015 A KR 1020197012015A KR 20197012015 A KR20197012015 A KR 20197012015A KR 102646349 B1 KR102646349 B1 KR 102646349B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
resin layer
conductor
group
rubber
meth
Prior art date
Application number
KR1020197012015A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190087412A (ko
Inventor
타케시 마사키
탕이 심
쿤페이 야마다
타다히로 오가와
타카시 카와모리
Original Assignee
가부시끼가이샤 레조낙
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from PCT/JP2017/016052 external-priority patent/WO2018092329A1/ja
Priority claimed from PCT/JP2017/016024 external-priority patent/WO2018092328A1/ja
Application filed by 가부시끼가이샤 레조낙 filed Critical 가부시끼가이샤 레조낙
Priority to KR1020247007672A priority Critical patent/KR20240038807A/ko
Publication of KR20190087412A publication Critical patent/KR20190087412A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102646349B1 publication Critical patent/KR102646349B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0277—Bendability or stretchability details
    • H05K1/0283—Stretchable printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/056—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/06—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of natural rubber or synthetic rubber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F2/00—Processes of polymerisation
    • C08F2/46—Polymerisation initiated by wave energy or particle radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
    • C08K5/0025—Crosslinking or vulcanising agents; including accelerators
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L21/00—Compositions of unspecified rubbers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393—Flexible materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/118—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits specially for flexible printed circuits, e.g. using folded portions
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/189—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components characterised by the use of a flexible or folded printed circuit
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/182—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method
    • H05K3/184—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating characterised by the patterning method using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4635—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating flexible circuit boards using additional insulating adhesive materials between the boards
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0346—Organic insulating material consisting of one material containing N
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0133—Elastomeric or compliant polymer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09218—Conductive traces
    • H05K2201/09263—Meander

Abstract

신축성 수지층(3)과, 신축성 수지층(3) 상에 설치되어, 배선 패턴을 형성하고 있는 도체박 또는 도체 도금막(5)을 가지는, 배선 기판(1)이 개시된다.

Description

도체 기판, 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법
본 발명의 일 측면은, 높은 신축성을 가질 수 있는 배선 기판, 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 다른 측면은, 관련되는 배선 기판을 형성하기 위해서 사용할 수 있는 도체 기판에 관한 것이다.
최근, 웨어러블(wearable) 기기 및 헬스케어 관련 기기 등의 분야에 있어서, 예를 들면 신체의 곡면 또는 관절부를 따라 사용할 수 있음과 동시에, 탈착되어도 접속 불량이 발생되기 어렵기 위한 플렉서블성 및 신축성이 요구되고 있다. 이와 같은 기기를 구성하기 위해서는, 높은 신축성을 가지는 배선 기판 또는 기재(基材)가 요구된다.
특허문헌 1에는, 신축성의 수지 조성물을 사용하여 메모리 칩 등의 반도체소자를 봉지(封止)하는 방법이 기재되어 있다. 특허문헌 1에서는, 신축성의 수지 조성물의 봉지 용도로의 적용이 주로 검토되고 있다.
국제공개 제2016/080346호
배선 기판에 신축성을 부여하는 방법으로서, 미리 신장(伸長)시킨 기판에 금속 박막을 증착하여, 신장을 완화시킴으로써, 주름상(狀)의 금속 배선을 형성하는 프리스트레치(prestretch)법이 제안되고 있다. 그러나, 이 방법은, 금속 증착에 의해 도체를 형성하는 장시간의 진공 프로세스를 필요로 하기 때문에, 생산 효율의 점에서 충분하지 않았다.
신축성 엘라스토머 중에 도전 입자 등이 분산되어 있는 신축성 도전 페이스트를 사용한 인쇄에 의해, 신축성을 가지는 배선을 간편하게 형성하는 방법도 제안되고 있다. 그러나, 도전 페이스트에 의한 배선은, 금속 배선과 비교하여 저항값이 높은 것에 더하여, 신장 시의 저항값이 증가된다는 문제를 가지고 있었다.
이와 같은 상황에 있어서, 본 발명의 일 측면은, 신축성을 가지는 배선 기판을, 높은 생산성으로 간편하게 제조하는 것을 가능하게 하는 도체 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 예의(銳意) 검토한 결과, 신축성 수지층과 도체박(導體箔)을 조합함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견했다. 즉, 본 발명의 일 측면은, 신축성 수지층과, 신축성 수지층 상에 설치된 도체박을 가지는, 도체 기판을 제공한다.
또한 본 발명자들은, 신축성 수지층 상에 도체층으로서 도체 도금막을 형성함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견했다. 즉, 본 발명의 다른 일 측면은, 신축성 수지층과, 신축성 수지층 상에 설치된 도체 도금막을 가지는, 도체 기판을 제공한다.
본 발명의 일 측면에 관련되는 신축성을 가지는 배선 기판은, 도체 기판으로부터 높은 생산성으로 간편하게 제조될 수 있다. 본 발명의 몇 가지의 측면에 관련되는 도체 기판은, 높은 내열성을 가질 수 있다.
[도 1] 회복률의 측정예를 나타내는 응력-왜곡 곡선이다.
[도 2] 배선 기판의 일 실시형태를 나타내는 평면도이다.
[도 3] 내열성 시험의 온도 프로파일을 나타내는 그래프이다.
이하, 본 발명의 몇가지의 실시형태에 관하여 상세히 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
일 실시형태에 관련되는 도체 기판은, 신축성 수지층과, 신축성 수지층의 편면(片面) 또는 양면 상에 설치된 도체층을 가진다. 본 명세서에 있어서, 도체 기판은 「도체층 부착 적층판」이라고 불리워지는 경우가 있다. 일 실시형태에 관련되는 배선 기판은, 신축성 수지층과, 신축성 수지층의 편면 상 또는 양면 상에 설치되어 배선 패턴을 형성하고 있는 도체층을 가진다. 도체층은, 도체박 또는 도체 도금막일 수 있다.
도체박의 탄성률은, 40~300GPa이어도 된다. 도체박의 탄성률이 40~300GPa임으로써, 배선 기판의 신장에 의한 도체박의 파단이 발생되기 어려운 경향이 있다. 동일한 관점에서, 도체박의 탄성률은 50GPa 이상 또는 280GPa 이상이어도 되고, 60GPa 이하, 또는 250GPa 이하이어도 된다. 여기서의 도체박의 탄성률은, 공진법에 의해 측정되는 값일 수 있다.
도체박은, 금속박일 수 있다. 금속박으로서는, 구리박(銅箔), 티탄박, 스테인레스박, 니켈박, 퍼멀로이(permalloy)박, 42알로이(alloy)박, 코바르박, 니크롬박, 베릴륨 구리박, 인청구리박(燐靑銅箔), 황구리박(黃銅箔), 양은박(洋白箔), 알루미늄박, 주석박, 납박(鉛箔), 아납박(亞鉛箔), 땜납박, 철박(鐵箔), 탄탈박, 니오브박, 몰리브덴박, 지르코늄박, 금박, 은박, 팔라듐박, 모넬(monel)박, 인코넬(inconel)박, 하스텔로이(hastelloy)박 등을 들 수 있다. 적절한 탄성률 등의 관점에서, 도체박은, 구리박, 금박, 니켈박, 및 철박으로부터 선택되어도 된다. 배선 형성성의 관점에서, 도체박은 구리박이어도 된다. 구리박은, 포트리소그래피에 의해, 신축성 수지 기재의 특성을 손상시키지 않고, 간이적으로 배선 패턴을 형성할 수 있다.
구리박으로서는, 특별히 제한은 없으며, 예를 들면 동장적층판(銅張積層板) 및 플렉서블 배선판 등에 사용되는 전해 구리박 및 압연 구리박을 사용할 수 있다.시판의 전해 구리박으로서는, 예를 들면 F0-WS-18(후루카와덴코(주)제, 상품명), NC-WS-20(후루카와덴코(주)제, 상품명), YGP-12(니폰덴카이(주)제, 상품명), GTS-18(후루카와덴코(주)제, 상품명), 및 F2-WS-12(후루카와덴코(주)제, 상품명)을 들 수 있다. 압연 구리박으로서는, 예를 들면 TPC박(JX킨조쿠(주)제, 상품명), HA박(JX킨조쿠(주)제, 상품명), HA-V2박(JX킨조쿠(주)제, 상품명), 및 C1100R(미쓰이스미토모킨조쿠코잔신도(주)제, 상품명)을 들 수 있다. 신축성 수지층과의 밀착성의 관점에서, 조화(粗化) 처리를 실시하고 있는 구리박을 사용해도 된다. 내절성(耐折性)의 관점에서, 압연 구리박을 사용해도 된다.
금속박은, 조화 처리에 의해 형성된 조화면(粗化面)을 가지고 있어도 된다. 이 경우, 통상, 조화면이 신축성 수지층에 접하는 방향으로, 금속박이 신축성 수지층 상에 설치된다. 신축성 수지층과 금속박과의 밀착성의 관점에서, 조화면의 표면 거칠기 Ra는, 0.1~3㎛, 또는 0.2~2.0㎛이어도 된다. 미세한 배선을 용이하게 형성하기 위해서, 조화면의 표면 거칠기 Ra가 0.3~1.5㎛이어도 된다.
표면 거칠기 Ra는, 예를 들면, 표면형상 측정장치 Wyko　NT9100(Veeco사제)를 이용하여, 이하의 조건에서 측정할 수 있다.
측정 조건
내부 렌즈：1배
외부 렌즈：50배
측정 범위：0.120×0.095mm
측정 심도：10㎛
측정 방식：수직 주사형 간섭 방식(VSI 방식)
도체박의 두께는, 특별히 제한은 없지만, 1~50㎛이어도 된다. 도체박의 두께가 1㎛ 이상이면, 보다 용이하게 배선 패턴을 형성할 수 있다. 도체박의 두께가 50㎛ 이하이면, 에칭 및 취급이 특히 용이하다.
도체박은, 신축성 수지층의 편면 또는 양면 상에 설치된다. 신축성 수지층의 양면 상에 도체박을 설치함으로써, 경화 등을 위한 가열에 의한 휨을 억제할 수 있다.
도체박을 설치하는 방법은 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 신축성 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물을 금속박에 직접 도공하는 방법, 및, 신축성 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물을 캐리어 필름에 도공하여 수지층을 형성하고, 형성된 수지층을 도체박 상에 적층하는 방법이 있다.
도체 도금막은, 애더티브법 또는 세미애더티브법에 사용되는 통상의 도금법에 의해 형성할 수 있다. 예를 들면, 팔라듐을 부착시키는 도금 촉매 부여 처리를 실시한 후, 신축성 수지층을 무전해도금액에 침지하여 프라이머의 표면 전면(全面)에 두께 0.3~1.5㎛의 무전해도금층(도체층)을 석출시킨다. 필요에 따라, 전해도금(전기 도금)을 더 실시해서, 필요한 두께로 조정할 수 있다. 무전해도금에 사용되는 무전해도금액으로서는, 임의의 무전해도금액을 사용하는 것이 가능하며, 특별히 제한은 없다. 전해도금에 관해서도 통상의 방법을 채용하는 것이 가능하며, 특별히 제한은 없다. 도체 도금막(무전해도금막, 전해도금막)은, 비용면 및 저항값의 관점에서 구리 도금막이어도 된다.
또한 불필요한 개소(箇所)를 에칭 제거하여 회로층을 형성할 수 있다. 에칭에 사용되는 에칭액은, 도금의 종류에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 도체가 구리 도금인 경우, 에칭에 사용되는 에칭액으로서는, 예를 들면 농황산과 과산화수소수의 혼합 용액, 또는 염화제2철 용액 등을 사용할 수 있다.
도체 도금막과의 접착력을 향상시키기 위해서, 신축성 수지층 상에 미리 요철(凹凸)을 형성해도 된다. 요철을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면 구리박의 조화면을 전사(轉寫)하는 방법을 들 수 있다. 구리박으로서는, 예를 들면 YGP-12(니폰덴카이(주)제, 상품명), GTS-18(후루카와덴코(주)제, 상품명) 또는 F2-WS-12(후루카와덴코(주)제, 상품명)를 사용할 수 있다.
구리박의 조화면을 전사하는 방법으로서는, 예를 들면 구리박의 조화면에 신축성 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물을 직접 도공하는 방법, 및, 신축성 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물을 캐리어 필름에 도공 후, 수지층(신축성 수지 조성물층)을 구리박 상에 성형하는 방법이 있다. 신축성 수지층의 양면 상에 도체 도금막을 형성함으로써, 경화 등을 위한 가열에 의한 휨을 억제할 수 있다.
도체 도금막과의 고접착화를 목적으로 하여, 신축성 수지층에 표면 처리를 실시해도 된다. 표면 처리로서는, 예를 들면 일반적인 배선판 공정에 사용되는 조화 처리(데스미어(desmear) 처리), UV 처리, 및 플라즈마 처리를 들 수 있다.
데스미어 처리로서는, 일반적인 배선판의 제조 공정에서 이용되는 방법을 사용해도 되고, 예를 들면 과망간산나트륨 수용액을 사용할 수 있다.
신축성 수지층은, 예를 들면 왜곡 20%까지 인장(引張) 변형된 후의 회복률이 80% 이상인, 신축성을 가질 수 있다. 이 회복률은, 신축성 수지층의 측정 샘플을 사용한 인장시험에서 구할 수 있다. 1회째의 인장시험에서 실시한 왜곡(변위량)을 X, 다음으로 초기 위치로 되돌려 재차 인장시험을 실시했을 때에 하중이 걸리기 시작할 때의 위치와 X와의 차를 Y로 하고, 식：R(%)=(Y/X)×100으로 계산되는 R이, 회복률로서 정의된다. 회복률은, X를 20%로 하여 측정할 수 있다. 도 1은, 회복률의 측정예를 나타내는 응력-왜곡 곡선이다. 반복의 사용에 대한 내성의 관점에서, 회복률이 80% 이상, 85% 이상, 또는 90% 이상이어도 된다. 회복률의 정의 상의 상한은 100%이다.
신축성 수지층의 탄성률(인장 탄성률)은, 0.1MPa 이상 1000MPa 이하이어도 된다. 탄성률이 0.1MPa 이상 1000MPa 이하이면, 기재로서의 취급성 및 가요성이 특별히 뛰어난 경향이 있다. 이 관점에서, 탄성률이 0.3MPa 이상 100MPa 이하, 또는 0.5MPa 이상 50MPa 이하이어도 된다.
신축성 수지층의 파단연신율은, 100% 이상이어도 된다. 파단연신율이 100% 이상이면, 충분한 신축성을 얻기 쉬운 경향이 있다. 이 관점에서, 파단연신율은 150% 이상, 200% 이상, 300% 이상 또는 500% 이상이어도 된다. 파단연신율의 상한은, 특별히 제한되지 않지만, 통상 1000%정도 이하이다.
신축성 수지층은, (A)고무 성분을 함유 할 수 있다. 주로 이 고무 성분에 의해서, 신축성 수지층에 용이하게 신축성이 부여된다. 고무 성분의 함유량이, 신축성 수지층 100질량%에 대하여 30~100질량%이어도 된다.
고무 성분은, 예를 들면, 아크릴 고무, 이소프렌 고무, 부틸 고무, 스티렌부타디엔 고무, 부타디엔 고무, 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 실리콘 고무, 우레탄 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌프로필렌 고무, 불소 고무, 황화 고무, 에피클로르히드린 고무, 및 염소화 부틸 고무로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 고무를 포함할 수 있다. 흡습 등에 의한 배선에의 데미지를 보호하는 관점에서, 가스 투과성이 낮은 고무 성분을 사용해도 된다. 관계되는 관점에서, 고무 성분이, 스티렌부타디엔 고무, 부타디엔 고무, 및 부틸 고무로부터 선택되는 적어도 1종을 포함해도 된다. 스티렌부타디엔 고무를 사용함으로써, 도금 공정에 사용하는 각종 약액에 대한 신축성 수지층의 내성이 향상되고, 수율 좋게 배선 기판을 제조할 수 있다.
아크릴 고무의 시판품으로서는, 예를 들면 니폰제온(주) 「Nipol　AR 시리즈」, 쿠라레(주) 「쿠라리티 시리즈」를 들 수 있다.
이소프렌 고무의 시판품으로서는, 예를 들면 니폰제온(주) 「Nipol　IR 시리즈」를 들 수 있다.
부틸 고무의 시판품으로서는, 예를 들면 JSR(주) 「BUTYL 시리즈」 등을 들 수 있다.
스티렌부타디엔 고무의 시판품으로서는, 예를 들면 JSR(주) 「다이나론 SEBS 시리즈」, 「다이나론 HSBR 시리즈」, 크레이톤폴리머재팬(주) 「크레이톤D폴리머 시리즈」, 알론가세이(주) 「AR 시리즈」를 들 수 있다.
부타디엔 고무의 시판품으로서는, 예를 들면 니폰제온(주) 「Nipol　BR 시리즈」 등을 들 수 있다.
아크릴로니트릴부타디엔 고무의 시판품으로서는, 예를 들면 JSR(주) 「JSR　NBR 시리즈」를 들 수 있다.
실리콘 고무의 시판품으로서는, 예를 들면 신에츠실리콘(주) 「KMP 시리즈」를 들 수 있다.
에틸렌프로필렌 고무의 시판품으로서는, 예를 들면 JSR(주) 「JSREP 시리즈」 등을 들 수 있다.
불소 고무의 시판품으로서는, 예를 들면 다이킨(주) 「다이엘 시리즈」 등을 들 수 있다.
에피클로르히드린 고무의 시판품으로서는, 예를 들면 니폰제온(주) 「Hydrin 시리즈」를 들 수 있다.
고무 성분은, 합성에 의해 제작할 수도 있다. 예를 들면, 아크릴 고무에서는, (메타)아크릴산, (메타)아크릴산에스테르, 방향족 비닐 화합물, 시안화 비닐 화합물 등을 반응시킴으로써 얻어진다.
고무 성분은, 가교기를 가지는 고무를 포함하고 있어도 된다. 가교기를 가지는 고무를 사용함으로써, 신축성 수지층의 내열성이 향상되기 쉬운 경향이 있다. 가교기는, 고무 성분의 분자쇄를 가교하는 반응을 진행시킬 수 있는 반응성기이면 된다. 그 예로서는, 후술하는 (B)가교 성분이 가지는 반응성기, 산무수물기, 아미노기, 수산기, 에폭시기 및 카복실기를 들 수 있다.
고무 성분은, 산무수물기 또는 카복실기 중 적어도 한쪽의 가교기를 가지는 고무를 포함하고 있어도 된다. 산무수물기를 가지는 고무의 예로서는, 무수 말레산으로 부분적으로 변성된 고무를 들 수 있다. 무수 말레산으로 부분적으로 변성된 고무는, 무수 말레산에서 유래하는 구성 단위를 포함하는 중합체이다. 무수 말레산으로 부분적으로 변성된 고무의 시판품으로서는, 예를 들면, 아사히가세이(주)제의 스티렌계 엘라스토머 「터프푸렌912」가 있다.
무수 말레산으로 부분적으로 변성된 고무는, 무수 말레산으로 부분적으로 변성된 수소 첨가형 스티렌계 엘라스토머이어도 된다. 수소 첨가형 스티렌계 엘라스토머는, 내후성 향상 등의 효과도 기대할 수 있다. 수소 첨가형 스티렌계 엘라스토머는, 불포화 이중 결합을 포함하는 소프트 세그먼트(segment)를 가지는 스티렌계 엘라스토머의 불포화 이중 결합에 수소를 부가 반응시켜 얻을 수 있는 엘라스토머이다. 무수 말레산으로 부분적으로 변성된 수소 첨가형 스티렌계 엘라스토머의 시판품의 예로서는, 크레이톤폴리머재팬(주)의 「FG1901」, 「FG1924」, 아사히가세이(주)의 「터프텍M1911」, 「터프텍M1913」, 「터프텍M1943」이 있다.
고무 성분의 중량평균분자량은, 도막성의 관점에서, 20000~200000, 30000~150000, 또는 50000~125000이어도 된다. 여기서의 중량평균분자량(Mw)은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의해 구할 수 있는 표준 폴리스티렌 환산값을 의미한다.
신축성 수지층은, (A)고무 성분을 함유하는 수지 조성물의 경화물이어도 된다. 이 경우, 신축성 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물로서 경화성 수지 조성물이 사용된다. 이 경화성 수지 조성물은, 예를 들면, (B)가교 성분을 더 함유하고 있어도 된다. 즉, 신축성 수지층은, (B)가교 성분의 가교 중합체를 더 함유하고 있어도 된다. 가교 성분은, 예를 들면, (메타)아크릴기, 비닐기, 에폭시기, 스티릴기, 아미노기, 이소시아눌레이트기, 우레이드기, 시아네이트기, 이소시아네이트기, 머캅토기, 수산기, 및 카복실기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 반응성기를 가지는 화합물이어도 되고, 이들 반응성기의 반응에 의해 가교 중합체를 포함하는 경화물을 형성할 수 있다. 신축성 수지층의 내열성 향상의 관점에서, 가교 성분은, 에폭시기, 아미노기, 수산기, 및 카복실기로부터 선택되는 반응성기를 가지는 화합물이어도 된다. 이들 화합물은, 단독 또는 2종류 이상 조합할 수 있다.
(메타)아크릴기를 가지는 화합물로서는, (메타)아크릴레이트 화합물을 들 수 있다. (메타)아크릴레이트 화합물은, 단관능, 2관능 또는 다관능 중 어느 것이라도 되고, 특별히 제한은 없지만, 충분한 경화성을 얻기 위해서는 2관능 또는 다관능의 (메타)아크릴레이트이어도 된다.
단관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면, 메틸(메타)아크릴레이트, 에틸(메타)아크릴레이트, 부틸(메타)아크릴레이트, 이소부틸(메타)아크릴레이트, tert-부틸(메타)아크릴레이트, 부톡시에틸(메타)아크릴레이트, 이소아밀(메타)아크릴레이트, 헥실(메타)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메타)아크릴레이트, 헵틸(메타)아크릴레이트, 옥틸헵틸(메타)아크릴레이트, 노닐(메타)아크릴레이트, 데실(메타)아크릴레이트, 운데실(메타)아크릴레이트, 라우릴(메타)아크릴레이트, 트리데실(메타)아크릴레이트, 테트라데실(메타)아크릴레이트, 펜타데실(메타)아크릴레이트, 헥사데실(메타)아크릴레이트, 스테아릴(메타)아크릴레이트, 베헤닐(메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메타)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 3-클로로-2-히드록시프로필(메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메타)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 에톡시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 에톡시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 모노(2-(메타)아크릴로일옥시에틸)석시네이트 등의 지방족 (메타)아크릴레이트； 시클로펜틸(메타)아크릴레이트, 시클로헥실(메타)아크릴레이트, 시클로펜틸(메타)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메타)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메타)아크릴레이트, 이소보닐(메타)아크릴레이트, 모노(2-(메타)아크릴로일옥시에틸)테트라히드로프탈레이트, 모노(2-(메타)아크릴로일옥시에틸)헥사히드로프탈레이트 등의 지환식 (메타)아크릴레이트； 벤질(메타)아크릴레이트, 페닐(메타)아크릴레이트, o-비페닐(메타)아크릴레이트, 1-나프틸(메타)아크릴레이트, 2-나프틸(메타)아크릴레이트, 페녹시에틸(메타)아크릴레이트, p-쿠밀페녹시에틸(메타)아크릴레이트, o-페닐페녹시에틸(메타)아크릴레이트, 1-나프톡시에틸(메타)아크릴레이트, 2-나프톡시에틸(메타)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜(메타)아크릴레이트, 페녹시폴리프로필렌글리콜(메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필(메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-(o-페닐페녹시)프로필(메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-(1-나프톡시)프로필(메타)아크릴레이트, 2-히드록시-3-(2-나프톡시)프로필(메타)아크릴레이트 등의 방향족 (메타)아크릴레이트； 2-테트라히드로푸르프릴(메타)아크릴레이트, N-(메타)아크릴로일옥시에틸헥사히드로프탈이미드, 2-(메타)아크릴로일옥시에틸-N-카바졸 등의 복소환식 (메타)아크릴레이트, 이들의 카프로락톤 변성체를 들 수 있다. 이들 중에서도 스티렌계 엘라스토머와의 상용성(相溶性), 또한 투명성 및 내열성의 관점에서, 상기 지방족 (메타)아크릴레이트 및 상기 방향족 (메타)아크릴레이트로부터 단관능 (메타)아크릴레이트를 선택해도 된다.
2관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 디프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 트리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 테트라프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 에톡시화 폴리프로필렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,3-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메타)아크릴레이트, 3-메틸-1,5-펜탄디올디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올디(메타)아크릴레이트, 2-부틸-2-에틸-1,3-프로판디올디(메타)아크릴레이트, 1,9-노난디올디(메타)아크릴레이트, 1,10-데칸디올디(메타)아크릴레이트, 글리세린디(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올(메타)아크릴레이트, 에톡시화 2-메틸-1,3-프로판디올디(메타)아크릴레이트 등의 지방족 (메타)아크릴레이트； 시클로헥산디메탄올(메타)아크릴레이트, 에톡시화 시클로헥산디메탄올(메타)아크릴레이트, 프로폭시화 시클로헥산디메탄올(메타)아크릴레이트, 에톡시화 프로폭시화 시클로헥산디메탄올(메타)아크릴레이트, 트리시클로데칸디메탄올(메타)아크릴레이트, 에톡시화 트리시클로데칸디메탄올(메타)아크릴레이트, 프로폭시화 트리시클로데칸디메탄올(메타)아크릴레이트, 에톡시화 프로폭시화 트리시클로데칸디메탄올(메타)아크릴레이트, 에톡시화 수소 첨가 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 프로폭시화 수소 첨가 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 에톡시화 프로폭시화 수소 첨가 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 에톡시화 수소 첨가 비스페놀F 디(메타)아크릴레이트, 프로폭시화 수소 첨가 비스페놀F 디(메타)아크릴레이트, 에톡시화 프로폭시화 수소 첨가 비스페놀F 디(메타)아크릴레이트 등의 지환식 (메타)아크릴레이트； 에톡시화 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 프로폭시화 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 에톡시화 프로폭시화 비스페놀A 디(메타)아크릴레이트, 에톡시화 비스페놀F 디(메타)아크릴레이트, 프로폭시화 비스페놀F 디(메타)아크릴레이트, 에톡시화 프로폭시화 비스페놀F 디(메타)아크릴레이트, 에톡시화 비스페놀AF 디(메타)아크릴레이트, 프로폭시화 비스페놀AF 디(메타)아크릴레이트, 에톡시화 프로폭시화 비스페놀AF 디(메타)아크릴레이트, 에톡시화 플루오렌형 디(메타)아크릴레이트, 프로폭시화 플루오렌형 디(메타)아크릴레이트, 에톡시화 프로폭시화 플루오렌형 디(메타)아크릴레이트 등의 방향족 (메타)아크릴레이트； 에톡시화 이소시아눌산디(메타)아크릴레이트, 프로폭시화 이소시아눌산디(메타)아크릴레이트, 에톡시화 프로폭시화 이소시아눌산디(메타)아크릴레이트 등의 복소환식 (메타)아크릴레이트； 이들의 카프로락톤 변성체； 네오펜틸글리콜형 에폭시(메타)아크릴레이트 등의 지방족 에폭시(메타)아크릴레이트； 시클로헥산디메탄올형 에폭시(메타)아크릴레이트, 수소 첨가 비스페놀A형 에폭시(메타)아크릴레이트, 수소 첨가 비스페놀F형 에폭시(메타)아크릴레이트 등의 지환식 에폭시(메타)아크릴레이트； 레조르시놀형 에폭시(메타)아크릴레이트, 비스페놀A형 에폭시(메타)아크릴레이트, 비스페놀F형 에폭시(메타)아크릴레이트, 비스페놀AF형 에폭시(메타)아크릴레이트, 플루오렌형 에폭시(메타)아크릴레이트 등의 방향족 에폭시(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 스티렌계 엘라스토머와의 상용성, 또한 투명성 및 내열성의 관점에서, 상기 지방족 (메타)아크릴레이트 및 상기 방향족 (메타)아크릴레이트로부터 2관능 (메타)아크릴레이트를 선택해도 된다.
3관능 이상의 다관능 (메타)아크릴레이트로서는, 예를 들면 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 에톡시화 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 프로폭시화 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 에톡시화 프로폭시화 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 에톡시화 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 프로폭시화 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 에톡시화 프로폭시화 펜타에리트리톨트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 에톡시화 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 프로폭시화 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 에톡시화 프로폭시화 펜타에리트리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디트리메틸올프로판테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메타)아크릴레이트 등의 지방족 (메타)아크릴레이트； 에톡시화 이소시아눌산트리(메타)아크릴레이트, 프로폭시화 이소시아눌산트리(메타)아크릴레이트, 에톡시화 프로폭시화 이소시아눌산트리(메타)아크릴레이트 등의 복소환식 (메타)아크릴레이트； 이들의 카프로락톤 변성체； 페놀노볼락형 에폭시(메타)아크릴레이트, 크레졸노볼락형 에폭시(메타)아크릴레이트 등의 방향족 에폭시(메타)아크릴레이트를 들 수 있다. 이들 중에서도 스티렌계 엘라스토머와의 상용성, 또한 투명성 및 내열성의 관점에서, 상기 지방족 (메타)아크릴레이트 및 상기 방향족 (메타)아크릴레이트로부터 다관능 (메타)아크릴레이트를 선택해도 된다.
무수 말레산기 또는 카복실기를 가지는 고무와 에폭시기를 가지는 화합물(에폭시 수지)과의 조합에 의해, 신축성 수지층의 내열성 및 저투습도, 신축성 수지층과 도전층과의 밀착성, 및, 경화 후의 수지층의 낮은 택(tack)의 점에서, 특별히 뛰어난 효과를 얻을 수 있다. 신축성 수지층의 내열성이 향상되면, 예를 들면 질소 리플로우(reflow)와 같은 가열 공정에 있어서의 신축성 수지층의 열화(劣化)를 억제할 수 있다. 경화 후의 수지층이 낮은 택을 가지면, 작업성 좋게 도체 기판 또는 배선 기판을 취급할 수 있다.
에폭시기를 함유하는 화합물은, 분자 내에 에폭시기를 가지고 있으면 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면 일반적인 에폭시 수지일 수 있다. 에폭시 수지로서는, 단관능, 2관능 또는 다관능 중 어느 것이라도 되고, 특별히 제한은 없지만, 충분한 경화성을 얻기 위해서는 2관능 또는 다관능의 에폭시 수지를 사용해도 된다.
에폭시 수지로서는, 비스페놀A형, 비스페놀F형, 페놀노볼락형, 나프탈렌형, 디시클로펜타디엔형, 크레졸노볼락형 등을 들 수 있다. 지방쇄로 변성한 에폭시 수지는, 유연성을 부여할 수 있다. 시판의 지방쇄 변성 에폭시 수지로서는, 예를 들면 DIC(주)제의 EXA-4816을 들 수 있다. 경화성, 저(低)택성, 및 내열성의 관점에서, 페놀노볼락형, 크레졸노볼락형, 나프탈렌형, 또는 디시클로펜타디엔형의 에폭시 수지를 선택해도 된다. 이들 에폭시 수지는, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합할 수 있다.
가교 성분으로부터 형성된 가교 중합체의 함유량은, 신축성 수지층의 질량을 기준으로 하여, 10~50질량%이어도 된다. 가교 성분으로부터 형성된 가교 중합체의 함유량이 상기의 범위이면, 신축성 수지층의 특성을 유지한 채로, 도체박 또는 도체 도금막과의 밀착력이 향상되는 경향이 있다. 이상의 관점에서, 가교 성분으로부터 형성된 가교 중합체의 함유량이 15~40질량%이어도 된다. 신축성 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물에 있어서의 가교 성분의 함유량이, 이들 범위 내에 있어도 된다.
신축성 수지층, 또는 이것을 형성하기 위해서 사용되는 수지 조성물은, (C)성분으로서 첨가제를 더 함유할 수도 있다. (C) 첨가제는, 경화제 또는 경화촉진제 중 적어도 한쪽이어도 된다. 경화제는, 그 자체가 경화 반응에 관여하는 화합물이며, 경화촉진제는, 경화 반응의 촉매로서 기능하는 화합물이다. 경화제 및 경화촉진제의 양쪽의 기능을 가지는 화합물을 사용할 수도 있다. 경화제는, 중합 개시제이어도 된다. 이들은 수지 조성물이 함유하는 다른 성분에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, (메타)아크릴레이트 화합물 등을 함유하는 수지 조성물이면, 중합 개시제를 첨가해도 된다. 중합 개시제로서는, 가열 또는 자외선 등의 조사에 의해 중합을 개시시키는 것이면 특별히 제한은 없으며, 예를 들면 열라디칼 중합 개시제, 또는 광라디칼 중합 개시제를 사용할 수 있다. 열라디칼 개시제는, 수지 조성물의 반응을 균일하게 진행시키기 쉽다. 광라디칼 개시제는, 상온 경화가 가능한 점에서, 디바이스의 열에 의한 열화를 방지한다는 점, 및, 신축성 수지층의 휨을 억제할 수 있다는 점에서 유리하다.
열라디칼 중합 개시제로서는, 예를 들면, 메틸에틸케톤퍼옥시드, 시클로헥사논퍼옥시드, 메틸시클로헥사논퍼옥시드 등의 케톤퍼옥시드； 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-2-메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)시클로헥산, 1,1-비스(t-헥실퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산 등의 퍼옥시케탈； p-멘탄히드로퍼옥시드 등의 히드로퍼옥시드； α,α'-비스(t-부틸퍼옥시)디이소프로필벤젠, 디쿠밀퍼옥시드, t-부틸쿠밀퍼옥시드, 디-t-부틸퍼옥시드 등의 디알킬퍼옥시드； 옥타노일퍼옥시드, 라우로일퍼옥시드, 스테아릴퍼옥시드, 벤조일퍼옥시드 등의 디아실퍼옥시드； 비스(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시디카보네이트, 디-2-에톡시에틸퍼옥시디카보네이트, 디-2-에틸헥실퍼옥시디카보네이트, 디-3-메톡시부틸퍼옥시카보네이트 등의 퍼옥시카보네이트； t-부틸퍼옥시피발레이트, t-헥실퍼옥시피발레이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 2,5-디메틸-2,5-비스(2-에틸헥사노일퍼옥시)헥산, t-헥실퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시이소부틸레이트, t-헥실퍼옥시이소프로필모노카보네이트, t-부틸퍼옥시-3,5,5-트리메틸헥사노에이트, t-부틸퍼옥시라우릴레이트, t-부틸퍼옥시이소프로필모노카보네이트, t-부틸퍼옥시-2-에틸헥실모노카보네이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, t-헥실퍼옥시벤조에이트, 2,5-디메틸-2,5-비스(벤조일퍼옥시)헥산, t-부틸퍼옥시아세테이트 등의 퍼옥시에스테르； 2,2＇-아조비스이소부티로니트릴, 2,2＇-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 2,2＇-아조비스(4-메톡시-2＇-디메틸발레로니트릴) 등의 아조 화합물을 들 수 있다. 이들 중에서, 경화성, 투명성, 및 내열성의 관점에서, 상기 디아실퍼옥시드, 상기 퍼옥시에스테르, 및 상기 아조 화합물로부터 열라디칼 중합 개시제를 선택해도 된다.
광라디칼 중합 개시제로서는, 예를 들면 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 벤조인케탈； 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-[4-(2-히드록시에톡시)페닐]-2-히드록시-2-메틸-1-프로판-1-온 등의 α-히드록시케톤； 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 1,2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온 등의 α-아미노케톤； 1-[(4-페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온-2-(벤조일)옥심 등의 옥심에스테르； 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥시드, 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥시드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드 등의 포스핀옥시드； 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(메톡시페닐)이미다졸 2량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체, 2-(p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체 등의 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체； 벤조페논, N,N,N＇,N＇-테트라메틸-4,4＇-디아미노벤조페논, N,N"-테트라 에틸-4,4＇-디아미노벤조페논, 4-메톡시-4＇-디메틸아미노벤조페논 등의 벤조페논 화합물； 2-에틸안트라퀴논, 페난트렌퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-벤즈안트라퀴논, 2-페닐안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 9,10-페난트라퀴논, 2-메틸-1,4-나프토퀴논, 2,3-디메틸안트라퀴논 등의 퀴논 화합물； 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인페닐에테르 등의 벤조인에테르； 벤조인, 메틸벤조인, 에틸벤조인 등의 벤조인 화합물； 벤질디메틸케탈 등의 벤질 화합물； 9-페닐아크리딘, 1,7-비스(9,9＇-아크리디닐헵탄) 등의 아크리딘 화합물：N-페닐글리신, 쿠마린 등을 들 수 있다.
2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체에 있어서, 2개의 트리아릴이미다졸 부위의 아릴기의 치환기는, 동일하고 대칭인 화합물을 부여해도 되고, 상위(相違)하게 비대칭인 화합물을 부여해도 된다. 디에틸티옥산톤과 디메틸아미노 벤조산의 조합과 같이, 티옥산톤 화합물과 3급 아민을 조합해도 된다.
이들 중에서, 경화성, 투명성, 및 내열성의 관점에서, 상기 α-히드록시케톤 및 상기 포스핀옥시드로부터 광라디칼 중합 개시제를 선택해도 된다. 이들 열 및 광라디칼 중합 개시제는, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합할 수 있다. 또한, 적절한 증감제와 조합할 수도 있다.
신축성 수지층을 형성하기 위한 경화성 수지 조성물이 (A)고무 성분, (B)가교 성분 및 (C)성분으로서의 경화제를 함유하는 경우, 경화제(또는 중합 개시제)의 함유량은, 고무 성분 및 가교 성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.1~10질량부이어도 된다. 경화제(또는 중합 개시제)의 함유량이 0.1질량부 이상이면, 충분한 경화를 얻기 쉬운 경향이 있다. 경화제(또는 중합 개시제)의 함유량이 10질량부 이하이면 충분한 광투과성을 얻기 쉬운 경향이 있다. 이상의 관점에서, 경화제(또는 중합 개시제)의 함유량은 0.3~7질량부, 또는 0.5~5질량부이어도 된다.
경화제는, 지방족 폴리아민, 폴리아미노아미드, 폴리머캅탄, 방향족 폴리아민, 산무수물, 카복실산, 페놀노볼락 수지, 에스테르 수지, 및 디시안디아미드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하고 있어도 된다. 이들 경화제는, 예를 들면 에폭시기를 가지는 화합물(에폭시 수지)과 조합할 수 있다.
에폭시 수지를 함유하는 수지 조성물에, (C)성분으로서 3급 아민, 이미다졸, 산무수물, 및 포스핀으로부터 선택되는 경화촉진제를 첨가해도 된다. 니스의 보존 안정성 및 경화성의 관점에서, 이미다졸을 사용해도 된다. 고무 성분이 무수 말레산으로 부분적으로 변성된 고무를 포함하는 경우, 이것과 상용하는 이미다졸을 선택해도 된다.
신축성 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물이 (A)고무 성분 및 (B)가교 성분을 함유하는 경우, 이미다졸의 함유량은, 고무 성분 및 가교 성분의 합계량 100질량부에 대하여, 0.1~10질량부이어도 된다. 이미다졸의 함유량이 0.1질량부 이상이면, 충분한 경화를 얻기 쉬운 경향이 있다. 이미다졸의 함유량이 10질량부 이하이면 충분한 내열성을 얻기 쉬운 경향이 있다. 이상의 관점에서, 이미다졸의 함유량은 0.3~7질량부, 또는 0.5~5질량부이어도 된다.
신축성 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물이 (A)고무 성분, (B)가교 성분 및 (C) 첨가제를 함유하는 경우, 고무 성분의 함유량은, (A)고무 성분, (B)가교 성분 및 (C)성분의 총량을 기준으로 하여, 30~98질량%, 50~97질량%, 또는 60~95질량%이어도 된다. 고무 성분의 함유량이 30질량% 이상이면, 충분한 신축성을 얻기 쉽다. 고무 성분의 함유량이 98질량% 이하이면, 신축성 수지층이 밀착성, 절연 신뢰성, 및 내열성의 점에서 특별히 뛰어난 특성을 가지는 경향이 있다.
신축성 수지층, 또는 이것을 형성하기 위한 수지 조성물은, 이상의 성분 외에, 필요에 따라, 산화방지제, 황변방지제, 자외선 흡수제, 가시광선 흡수제, 착색제, 가소제, 안정제, 충전제, 난연제, 레벨링제 등을, 본 발명의 효과를 현저하게 손상시키지 않는 범위에서 더 포함해도 된다.
특히, 신축성 수지층, 또는 이것을 형성하기 위한 수지 조성물은, 산화방지제, 열안정제, 광안정제, 및 가수분해방지제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 열화방지제를 함유해도 된다. 산화방지제는, 산화에 의한 열화를 억제한다. 또한, 산화방지제는, 고온화에서의 충분한 내열성을 신축성 수지층에 부여한다. 열안정제는, 고온하에서의 안정성을 신축성 수지층에 부여한다. 광안정제의 예로서는, 자외선에 의한 열화를 방지하는 자외선 흡수제, 광(光)을 차단하는 광차단제, 유기 재료가 흡수한 광 에너지를 수용하여 유기 재료를 안정화하는 소광기능을 가지는 소광제를 들 수 있다. 가수분해방지제는, 수분에 의한 열화를 억제한다. 열화방지제는, 산화방지제, 열안정제, 및 자외선 흡수제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이어도 된다. 열화방지제로서는, 이상 예시한 성분으로부터 1종만을 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다. 보다 뛰어난 효과를 얻기 위해서, 2종 이상의 열화방지제를 병용해도 된다.
산화방지제는, 예를 들면, 페놀계 산화방지제, 아민계 산화방지제, 황계 산화방지제, 및 포스파이트계 산화방지제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상이어도 된다. 보다 뛰어난 효과를 얻기 위해서, 2종 이상의 산화방지제를 병용해도 된다. 페놀계 산화방지제와 황계 산화방지제를 병용해도 된다.
페놀계 산화방지제는, 페놀성 수산기의 오르토 위치에 t-부틸기(터셔리부틸기) 및 트리메틸실릴기 등의 입체 장해가 큰 치환기를 가지는 화합물이어도 된다.페놀계 산화방지제는, 힌더드 페놀계 산화방지제라고도 칭해진다.
페놀계 산화방지제는, 예를 들면 2-t-부틸-4-메톡시페놀, 3-t-부틸-4-메톡시페놀, 2,6-디-t-부틸-4-에틸페놀, 2,2＇-메틸렌비스(4-메틸-6-t-부틸페놀), 4,4＇-티오비스-(3-메틸-6-t-부틸페놀), 4,4＇-부틸리덴비스(3-메틸-6-t-부틸페놀), 1,1,3-트리스(2-메틸-4-히드록시-5-t-부틸페닐)부탄, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠 및 테트라키스-[메틸렌-3-(3＇,5＇-디-t-부틸-4＇-히드록시페닐)프로피오네이트]메탄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물이어도 된다. 페놀계 산화방지제는, 1,3,5-트리메틸-2,4,6-트리스(3,5-디-t-부틸-4-히드록시벤질)벤젠 및 테트라키스-[메틸렌-3-(3＇,5＇-디-t-부틸-4＇-히드록시페닐)프로피오네이트]메탄으로 대표되는 고분자형 페놀계 산화방지제이어도 된다.
포스파이트계 산화방지제는, 예를 들면, 트리페닐포스파이트, 디페닐이소데실포스파이트, 페닐디이소데실포스파이트, 4,4＇-부틸리덴-비스(3-메틸-6-t-부틸페닐디트리데실)포스파이트, 사이클릭네오펜탄테트라일비스(노닐페닐)포스파이트, 사이클릭네오펜탄테트라일비스(디노닐페닐)포스파이트, 사이클릭네오펜탄테트라일트리스(노닐페닐)포스파이트, 사이클릭네오펜탄테트라일트리스(디노닐페닐)포스파이트, 10-(2,5-디히드록시페닐)-10H-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥시드, 2,2-메틸렌에비스(4,6-디-t-부틸페닐)-2-에틸헥실포스파이트, 디이소데실펜타에리트리톨디포스파이트 및 트리스(2,4-디-t-부틸페닐)포스파이트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 화합물이어도 되고, 트리스(2,4-디-t-부틸페닐)포스파이트이어도 된다.
그 밖의 산화방지제의 예로서, N-메틸-2-디메틸아미노아세토히드록삼산으로 대표되는 히드록실아민계 산화방지제, 디라우릴3,3＇-티오디프로피오네이트로 대표되는 황계 산화방지제를 들 수 있다.
산화방지제의 함유량은, 신축성 수지층 또는 이것을 형성하기 위한 수지 조성물의 질량을 기준으로 하여, 0.1~20질량%이어도 된다. 산화방지제의 함유량이 0.1중량부 이상이면, 신축성 수지층의 충분한 내열성을 얻기 쉽다. 산화방지제의 함유량이 20중량부 이하이면, 블리드(bleed) 및 블룸(bloom)을 억제할 수 있다.
산화방지제의 분자량은, 가열 중의 승화 방지의 관점에서, 400 이상, 600 이상, 또는 750 이상이어도 된다. 2종 이상의 산화방지제를 포함하는 경우, 그들의 분자량의 평균이 상기 범위이어도 된다.
열안정제(열열화방지제)로서는, 고급 지방산의 아연염과 바륨염의 조합과 같은 금속 비누 또는 무기산염, 유기 주석말레이트 및 유기 주석머캅토와 같은 유기 주석 화합물, 및, 풀러렌(예를 들면, 수산화 풀러렌)을 들 수 있다.
자외선 흡수제로서는, 예를 들면, 2,4-디히드록시벤조페논으로 대표되는 벤조페논계 자외선 흡수제, 2-(2＇-히드록시-5＇-메틸페닐)벤조트리아졸로 대표되는 벤조트리아졸계 자외선 흡수제, 및, 2-에틸헥실-2-시아노-3,3＇-디페닐아크릴레이트로 대표되는 시아노아크릴레이트계 자외선 흡수제를 들 수 있다.
가수분해방지제로서는, 예를 들면, 카보디이미드 유도체, 에폭시 화합물, 이소시아네이트 화합물, 산무수물, 옥사졸린 화합물, 및 멜라민 화합물을 들 수 있다.
그 밖의 열화방지제의 예로서는, 힌더드아민계 광안정제, 아스코르빈산, 갈산프로필, 카테킨, 옥살산, 말론산, 및 아인산에스테르를 들 수 있다.
신축성 수지층은, 예를 들면, 고무 성분 및 필요에 따라 다른 성분을, 유기용제에 용해 또는 분산하여 수지 니스를 얻는 것과, 수지 니스를 후술하는 방법에 의해 도체박 또는 캐리어 필름 상에 성막(成膜)하는 것을 포함하는 방법에 의해, 제조할 수 있다.
여기서 사용되는 유기용제로서는, 특별히 제한은 없지만, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌, 큐멘, p-시멘 등의 방향족 탄화수소； 테트라히드로푸란, 1,4-디옥산 등의 환상 에테르； 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 4-히드록시-4-메틸-2-펜탄온 등의 케톤； 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 락트산메틸, 락트산에틸, γ-부티로락톤 등의 에스테르； 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트 등의 탄산에스테르； N,N-디메틸폼아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드 등을 들 수 있다. 용해성 및 비점의 관점에서, 톨루엔, 또는 N,N-디메틸아세토아미드를 사용해도 된다. 이들 유기용제는, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 수지 니스 중의 고형분(유기용매 이외의 성분) 농도는, 20~80질량%이어도 된다.
캐리어 필름으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르； 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀； 폴리카보네이트, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 폴리에테르설피드, 폴리에테르설폰, 폴리에테르케톤, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐렌설피드, 폴리아릴레이트, 폴리설폰, 액정 폴리머 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 유연성 및 강인성의 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리페닐렌에테르, 폴리페닐렌설피드, 폴리아릴레이트, 또는 폴리설폰의 필름을 캐리어 필름으로서 사용해도 된다.
캐리어 필름의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 3~250㎛이어도 된다. 캐리어 필름의 두께가 3㎛ 이상이면 필름 강도가 충분하고, 캐리어 필름의 두께가 250㎛ 이하이면 충분한 유연성을 얻을 수 있다. 이상의 관점에서, 두께는 5~200㎛, 또는 7~150㎛이어도 된다. 신축성 수지층과의 박리성 향상의 관점에서, 실리콘계 화합물, 함(含)불소 화합물 등에 의해 기재 필름에 이형처리가 실시된 필름을 필요에 따라 사용해도 된다.
필요에 따라, 보호 필름을 신축성 수지층 상에 첩부(貼付)하고, 도체박 또는 캐리어 필름, 신축성 수지층 및 보호 필름으로 이루어지는 3층 구조의 적층 필름으로 해도 된다.
보호 필름으로서는, 특별히 제한은 없으며, 예를 들면, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르； 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀을 들 수 있다. 이들 중에서, 유연성 및 강인성의 관점에서, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 폴리올레핀의 필름을 보호 필름으로서 사용해도 된다. 신축성 수지층과의 박리성 향상의 관점에서, 실리콘계 화합물, 함불소 화합물 등에 의해 보호 필름에 이형처리가 실시되어 있어도 된다.
보호 필름의 두께는, 목적으로 하는 유연성에 의해 적절히 변경해도 되지만, 10~250㎛이어도 된다. 두께가 10㎛ 이상이면 필름 강도가 충분한 경향이 있고, 250㎛ 이하이면 충분한 유연성을 얻을 수 있는 경향이 있다. 이상의 관점에서, 두께는 15~200㎛, 또는 20~150㎛이어도 된다.
일 실시형태에 관련되는 도체박을 가지는 배선 기판은, 예를 들면, 신축성 수지층과 신축성 수지층 상에 적층된 도체박을 가지는 적층판(도체 기판)을 준비하는 공정과, 도체박 상에 에칭 레지스터를 형성하는 공정과, 에칭 레지스터를 노광하고, 노광 후의 상기 에칭 레지스터를 현상하여, 도체박의 일부를 덮는 레지스터 패턴을 형성하는 공정과, 레지스터 패턴에 의해 덮이지 않은 부분의 도체막을 제거하는 공정과, 레지스터 패턴을 제거하는 공정을 포함하는 방법에 의해, 제조할 수 있다.
신축성 수지층 및 도체박을 가지는 적층판(도체 기판)을 얻는 방법으로서는, 어떠한 방법을 사용해도 되지만, 신축성 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물의 니스를 도체박에 도공하는 방법, 및, 캐리어 필름 상에 형성된 신축성 수지층에 도체박을 진공 프레스, 라미네이터 등에 의해 적층하는 방법 등이 있다. 신축성 수지층을 형성하기 위한 수지 조성물이 가교 성분을 함유하는 경우, 가열 또는 광조사에 의해 가교 성분의 가교 반응(경화 반응)을 진행시킴으로써, 신축성 수지층이 형성된다.
캐리어 필름 상의 신축성 수지층을 도체박에 적층하는 방법으로서는, 어떠한 것이라도 되지만, 롤 라미네이터, 진공 라미네이터, 진공 프레스 등이 사용된다. 생산 효율의 관점에서, 롤 라미네이터 또는 진공 라미네이터를 사용하여 성형해도 된다.
신축성 수지층의 건조 후의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 통상은 5~1000㎛이다. 상기의 범위이면, 신축성 기재의 충분한 강도를 얻기 쉽고, 또한 건조를 충분히 실시할 수 있기 때문에 수지 필름 중의 잔류 용매량을 저감할 수 있다.
신축성 수지층의 도체박과는 반대측의 면에 도체박을 더 적층함으로써, 신축성 수지층의 양면 상에 도체박이 형성된 적층판을 제조해도 된다. 신축성 수지층의 양면 상에 도체층을 설치 형성함으로써, 경화 시의 적층판의 휨을 억제할 수 있다.
적층판(배선 기판 형성용 적층판)의 도체박에 배선 패턴을 형성시키는 방법으로서는, 일반적으로 에칭 등을 이용한 방법이 사용된다. 예를 들면 도체박으로서 구리박을 사용한 경우, 에칭액으로서는, 예를 들면 농황산과 과산화수소수의 혼합 용액, 염화제2철 용액 등을 사용할 수 있다.
에칭에 사용되는 에칭 레지스터로서는, 예를 들면 포텍H-7025(히타치가세이제, 상품명), 및 포텍H-7030(히타치가세이제, 상품명), X-87(타이요홀딩스(주)제, 상품명)을 들 수 있다. 에칭 레지스터는, 배선 패턴의 형성 후, 통상, 제거된다.
도체 도금막을 가지는 배선 기판을 제조하는 방법의 일 실시형태는, 신축성 수지층 상에 무전해도금에 의해 도체 도금막을 형성하는 공정과, 도체 도금막 상에 도금 레지스터를 형성하는 공정과, 도금 레지스터를 노광하고, 노광 후의 도금 레지스터를 현상하여, 신축성 수지층의 일부를 덮는 레지스터 패턴을 형성하는 공정과, 레지스터 패턴에 의해 덮이지 않은 부분의 도체 도금막 상에, 전해도금에 의해 도체 도금막을 더 형성하는 공정과, 레지스터 패턴을 제거하는 공정과, 무전해도금에 의해 형성된 도체 도금막 중, 전해도금에 의해 형성된 도체 도금막에 의해 덮이지 않은 부분을 제거하는 공정을 포함한다.
배선 기판을 제조하는 방법의 또다른 일 실시형태는, 신축성 수지층 상에 형성된 도체 도금막 상에 에칭 레지스터를 형성하는 공정과, 에칭 레지스터를 노광하고, 노광 후의 에칭 레지스터를 현상하여, 신축성 수지층의 일부를 덮는 레지스터 패턴을 형성하는 공정과, 레지스터 패턴에 의해 덮이지 않은 부분의 도체 도금막을 제거하는 공정과, 레지스터 패턴을 제거하는 공정을 포함한다.
도금의 마스크로서 사용되는 도금 레지스터로서는, 예를 들면 포텍RY3325(히타치가세이제, 상품명), 및 포텍RY-5319(히타치가세이제, 상품명), MA-830(타이요홀딩스(주)제, 상품명)를 들 수 있다. 그 외, 무전해도금 및 전해도금의 상세(詳細)에 관해서는 상술(詳述)한 바와 같다.
배선 기판에 각종의 전자소자를 탑재함으로써, 스트레처블 디바이스(stretchable device)를 얻을 수 있다.
실시예
본 발명에 관하여 이하의 실시예를 들어 구체적으로 더 설명한다. 다만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.
검토 1
1-1. 신축성 수지층 형성용의 니스 조제
[수지 니스 A]
(A)성분으로서 수소 첨가형 스티렌부타디엔 고무(아사히가세이(주)제, 터프 텍P1500, 상품명) 30g과, 톨루엔 70g을 교반하면서 혼합하여 수지 니스 A를 얻었다.
[수지 니스 B]
(A)성분으로서 수소 첨가형 스티렌부타디엔 고무(JSR(주)제, 다이나론2324 P, 상품명) 20g, (B)성분으로서 부탄디올아크릴레이트(히타치가세이(주)제, 판크릴FA-124AS, 상품명) 5g, 및 (C)성분으로서 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥시드(BASF(주)제, 이르가큐어 819, 상품명) 0.4g과, 용제로서 톨루엔 15g을 교반하면서 혼합하여, 수지 니스 B를 얻었다.
[수지 니스 C]
(A)성분으로서 아크릴폴리머((주)쿠라레제, 쿠라리티 LA2140, 상품명) 20g, (B)성분으로서 지방쇄 변성 에폭시 수지(DIC(주)제, EXA4816, 상품명) 5g, 및 (C)성분으로서 2-페닐이미다졸(시코쿠가세이(주)제, 2PZ, 상품명) 0.5g과, 용제로서 메틸에틸케톤 15g을 교반하면서 혼합하여, 수지 니스 C를 얻었다.
[수지 니스 D]
비페닐아랄킬형 에폭시 수지(니폰가야쿠(주)제, NC-3000H, 상품명) 50g에, 메틸에틸케톤 25.0g을 혼합했다. 거기에 페놀노볼락형 페놀 수지(DIC(주)제, TD2131, 상품명) 20g 첨가하고, 경화촉진제로서 2-페닐이미다졸(시코쿠가세이공업(주)제, 2PZ, 상품명) 0.15g을 더 첨가했다. 그 후, 메틸에틸케톤으로 희석하여 수지 니스 D를 얻었다.
1-2. 도체층 부착 적층판의 제작
실시예 1-1
[신축성 수지층을 가지는 적층 필름]
캐리어 필름으로서 이형처리 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(테이진듀퐁필름(주)제 「퓨렉스A31」, 두께 25㎛)을 준비했다. 이 PET 필름의 이형처리면 상에 나이프코터((주)야스이세이키제 「SNC-350」을 사용하여 수지 니스 A를 도포했다. 도막을 건조기((주)후타바가가쿠제 「MSO-80 TPS」) 중 100℃에서 20분 건조하고, 도공 후의 두께가 100㎛인 신축성 수지층을 형성시켰다. 형성된 신축성 수지층에, 캐리어 필름과 동일한 이형처리 PET 필름을, 이형처리면이 신축성 수지층 측이 되는 방향으로 보호 필름으로서 첩부하여, 적층 필름 A를 얻었다.
[도체층 부착 적층판]
적층 필름 A의 보호 필름을 박리하고, 구리박(니폰덴카이(주)제, YGP-12, 상품명)의 조화면(粗化面)측에 적층 필름 A의 신축성 수지층을 겹쳤다. 진공 가압식 라미네이터(니치고·모톤(주) 「V130」)를 사용하고, 압력 0.5MPa, 온도 90℃ 및 가압 시간 60초의 조건에서 압착하여, 도체층 부착 적층판을 제작했다.
실시예 1-2
수지 니스 A를 수지 니스 B로, 구리박을(JX긴조쿠 주식회사제, BHY-82F-HA-V2-12㎛, 상품명)로 변경한 것 이외는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 구리박 및 미경화의 수지층을 가지는 적층체를 얻었다. 그 후, 자외선 노광기(미카사(주) 「ML-320FSAT」)에 의해 자외선(파장 365nm)을 2000mJ/cm2 조사함으로써 수지층을 경화시켜, 도체층 부착 적층판을 얻었다.
실시예 1-3
수지 니스 A를 수지 니스 C로 변경한 것 이외는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 구리박 및 미경화의 수지층을 가지는 적층체를 얻었다. 그 후, 건조기를 사용하고 180℃ 1시간의 조건에서 수지층을 경화시켜, 도체층 부착 적층판을 얻었다.
비교예 1-1
수지 니스 A를 수지 니스 D로 변경한 것 이외는 실시예 1-1과 동일하게 하여, 구리박 및 미경화의 수지층을 가지는 적층체를 얻었다. 그 후, 건조기를 사용하고 180℃ 1시간의 조건에서 수지층을 경화시켜, 도체층 부착 적층판을 얻었다.
[배선 기판의 제작과 그 평가]
도 2에 나타내는 바와 같이, 신축성 수지층(3) 및 신축성 수지층(3) 상에 형성된 파형 패턴을 가지는 도체박을 도체층(5)으로서 가지는 시험용의 배선 기판(1)을 제작했다. 우선, 각 도체층 부착 적층판의 도체층 상에 에칭 레지스터(히타치가세이(주)제, Photec　RY-5325, 상품명)를 롤 라미네이터로 첩착(貼着)하고, 거기에 파형 패턴을 형성한 포토 툴을 밀착시켰다. 에칭 레지스터를, 오크세이사쿠쇼사제 EXM-1201형 노광기를 사용하여, 50mJ/cm2의 에너지량으로 노광했다. 다음으로, 30℃의 1중량% 탄산나트륨 수용액으로, 240초간 스프레이 현상을 실시하여, 에칭 레지스터의 미노광부를 용해시켜, 파형의 개구부를 가지는 레지스터 패턴을 형성했다. 다음으로, 에칭액에 의해, 레지스터 패턴에 의해 덮이지 않은 부분의 구리박을 제거했다. 그 후, 박리액에 의해 에칭 레지스터를 제거하고, 배선폭이 50㎛이고 소정의 방향 X를 따라 사행(蛇行)하는 파형의 배선 패턴을 형성하고 있는 도체박(5)을 신축성 수지층(3) 상에 가지는 배선 기판(1)을 얻었다.
얻어진 배선 기판을 X의 방향으로 왜곡 10%까지 인장 변형시켜, 원래로 되돌렸을 때의, 신축성 수지층 및 파형의 배선 패턴을 관찰했다. 신축성 수지층 및 배선 패턴에 관해서는, 신장 시에 파단을 발생시키지 않았던 경우를 「A」, 파단을 발생시킨 경우를 「C」이라고 했다.
Figure 112019042742799-pct00001
실시예 1-1~1-3및 비교예 1-1의 평가 결과를 표 1에 나타낸다. 실시예 1-1~1-3의 도체층 부착 적층판에 의해 형성된 파형의 배선 패턴을 가지는 배선 기판에 있어서는, 10% 신장 시도 신축성 수지층이 파단되지 않고, 파형의 배선 패턴의 외관도 문제 없는 것을 알았다. 한편, 비교예 1-1에서는, 수지층이 신축성을 가지지 않기 때문에, 10% 신장 전에 수지층이 파단되어 버리고, 배선도 동시에 파단되어 버리는 것을 알 수 있었다.
검토 2
실시예 2-1
[수지 니스]
(A)성분으로서 무수 말레산 변성 스티렌에틸렌부타디엔 고무(KRATON(주)제, FG1924GT, 상품명) 10g, (B)성분으로서 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC(주)제, EPICLON　HP7200H, 상품명) 2.5g, 및 (C)성분(경화촉진제)으로서 1-벤질-2-메틸이미다졸(시코쿠가세이(주)제, 1B2MZ, 상품명) 0.38g과, 톨루엔 50g을 교반하면서 혼합하여, 수지 니스를 얻었다.
[적층 필름]
캐리어 필름으로서 이형처리 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(테이진듀퐁필름(주)제 「퓨렉스A31」, 두께 25㎛)을 준비했다. 이 PET 필름의 이형처리면 상에 나이프코터((주)야스이세이키제 「SNC-350」)를 사용하여 상기 수지 니스를 도포했다. 도막을 건조기((주)후타바가가쿠제 「MSO-80TPS」) 안에서 100℃에서 20분의 가열에 의해 건조시켜, 두께 100㎛의 수지층을 형성시켰다. 형성된 수지층에, 캐리어 필름과 동일한 이형처리 PET 필름을, 이형처리면이 수지층 측이 되는 방향으로 보호 필름으로서 첩부하여, 적층 필름을 얻었다.
[도체 기판의 제작]
적층 필름의 보호 필름을 박리하고, 노출된 수지층에, 표면 거칠기 Ra가 1.5㎛인 조화면을 가지는 전해 구리박(후루카와덴키고교(주)제, F2-WS-12, 상품명)을, 조화면이 수지층 측이 되는 방향으로 겹쳤다. 그 상태에서, 진공 가압식 라미네이터(닛코·마테리알즈(주) 「V130」)를 사용하여, 압력 0.5MPa, 온도 90℃ 및 가압 시간 60초의 조건에서 전해 구리박을 수지층에 라미네이트했다. 그 후, 건조기((주)후타바가가쿠제 「MSO-80 TPS」) 안, 180℃에서 60분의 가열에 의해, 수지층의 경화물인 신축성 수지층과, 전해 구리박을 가지는 도체 기판을 얻었다.
실시예 2-2
(A)성분으로서 무수 말레산 변성 스티렌에틸렌부타디엔 고무(KRATON(주)제, FG1924GT, 상품명) 10g, (B)성분으로서 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지(DIC(주)제, EPICLON　HP7200H, 상품명) 2.5g, (C)성분(경화촉진제)으로서 1-벤질-2-메틸이미다졸(시코쿠가세이(주)제, 1B2MZ, 상품명) 0.38g, 페놀계 산화방지제((주)ADEKA제, AO-60, 상품명) 0.1g, 및 포스파이트 산화방지제((주)ADEKA제, 2112, 상품명) 0.1g과, 톨루엔 50g을 교반하면서 혼합하여, 수지 니스를 얻었다. 얻어진 수지 니스를 사용하고, 실시예 2-1과 동일하게 하여 수지층을 가지는 적층 필름, 및 도체 기판을 제작했다.
평가
[내열성 시험]
적층 필름을 180℃에서 60분 가열함으로써 수지층을 경화시켜, 신축성 수지층을 형성시켰다. 캐리어 필름 및 보호 필름을 제거하고 나서, 신축성 수지층을 질소 리플로우 시스템(타무라세이사쿠쇼(주)제, TNV-EN)을 사용하고, IPC/JEDEC　J-STD-020에 준거하는 도 3의 온도 프로파일로 가열 처리하는 내열성 시험을 실시했다. 내열성 시험 전후의 신축성 수지층의 신장률 및 인장 탄성률을 측정했다. 도체 기판도 동일한 내열성 시험에 제공하고, 내열성 시험 전후의 90도 필(peel) 강도를 측정했다.
[인장 탄성률 및 파단연신율]
길이 40mm, 폭 10mm의 단책상(短冊狀)의 신축성 수지층의 시험편을 준비했다. 이 시험편의 인장 시험을 오토그래프((주)시마즈세이사쿠쇼 「EZ-S」)를 사용하여 실시하고, 응력-왜곡 곡선을 얻었다. 얻어진 응력-왜곡 곡선으로부터, 인장 탄성률 및 파단연신율을 구했다. 인장 시험은, 척(chuck)간 거리 20mm, 인장 속도 50mm/분의 조건에서 실시했다. 인장 탄성률은, 응력 0.5~1.0N의 범위의 응력-왜곡 곡선의 기울기로부터 구했다. 시험편이 파단된 시점의 왜곡을 파단연신율로서 기록했다.
[밀착성(90도 필 강도)]
도체 기판으로부터 박리 각도 90도에서 구리박을 박리하는 박리 시험에 의해서, 구리박과 신축성 수지층과의 90도 필 강도를 측정했다.
[택(tack)]
적층 필름을 180℃에서 60분 가열함으로써 수지층을 경화시켜, 신축성 수지층을 형성시켰다. 경화 후의 적층 필름으로부터 캐리어 필름 및 보호 필름을 제거하여, 길이 70mm, 폭 20mm의 적층 필름의 시험편을 준비했다. 노출된 신축성 수지층의 표면의 택을, 택킹시험기((주)레스카제 「TACII」)를 사용하여 측정했다. 측정 조건은, 정하중 모드, 침몰 속도 120mm/분, 테스트 속도 600mm/분, 하중 100 gf, 하중 유지 시간 1s, 온도 30℃로 설정했다.
Figure 112019042742799-pct00002
표 2에 나타내는 바와 같이, 실시예 2-1 및 실시예 2-2의 신축성 수지층은, 내열성성 시험 후도, 뛰어난 신축성, 및 구리박에 대한 높은 밀착성을 유지했다. 또한, 신축성 수지층의 택은 적당히 낮고, 신축성 수지층의 취급성도 뛰어났다.
고온 장시간 방치 시험
적층 필름을 180℃에서 60분 가열함으로써 수지층을 경화시켜, 신축성 수지층을 형성시켰다. 경화 후의 적층 필름으로부터 캐리어 필름 및 보호 필름을 제거하여, 신축성 수지층을, 세프티오븐(에스페크(주)제, SPH(H)-102) 내에, 대기 중, 160℃, 168시간의 조건에서 방치하는 고온 장시간 방치 시험을 실시했다. 고온 장시간 방치 시험 전후의 파단연신율 및 탄성률을, 상술한 조건과 동일한 조건에서 측정했다. 또한, 고온 장시간 방치 시험 후의 신축성 수지층의 외관을 육안으로 관찰하여, 변색의 유무를 확인했다. 실시예 2-2에 관해서는 밀착성도 평가했다.
Figure 112019042742799-pct00003
표 3에 나타내는 바와 같이, 산화방지제를 포함하는 실시예 2-2의 신축성 수지층은, 160℃에서 168시간의 조건에서의 고온 장시간 방치 시험 후이라도, 특성의 변화가 적고, 또한, 변색도 확인되지 않았다. 실시예 2-1의 신축성 수지층은, 내열성 시험에서는 초기의 특성을 유지했지만, 보다 가혹한 고온 장시간 방치 시험 후에서는 특성의 변화가 확인되었다. 특히 높은 내열성이 요구되는 용도에 있어서는, 산화방지제의 적용이 유효하다고 할 수 있다.
검토 3
실시예 3-1
[도체층 부착 적층체의 제작]
검토 1의 적층 필름 A로부터 보호 필름을 박리하고, 신축성 수지층을, 팽윤액으로서의 스웰링 디프 세큐리간트 P(1000mL/L, 아토텍사제, 상품명) 및 NaOH：3g/L의 70℃의 혼합액에, 5분간 침지했다. 다음으로 조화액으로서의 콘센트 레이트 컴팩트 CP(640mL/L, 아토텍사제, 상품명) 및 NaOH：40g/L의 70℃의 혼합액에, 신축성 수지층을 10분간 침지했다. 계속하여, 중화액으로서의 리덕션 솔루션 세큐리간트 P500(200mL/L, 아토텍사제, 상품명) 및 H2SO4：100mL/L)의 40℃의 혼합액에 신축성 수지층을 5분간 침지했다.
다음으로 무전해도금의 전(前)처리로서, 컨디셔너액으로서의 클리너 세큐리간트 902(40mL/L, 아토텍사제, 상품명)에 신축성 수지층을 60℃에서 5분간 침지하고, 그 후 수세(水洗)했다. 다음으로 프리디프 공정으로서 프리 디프 네오간트 B(20mL/L, 아토텍사제, 상품명) 및 황산(1mL/L)의 혼합액에 25℃에서 1분 신축성 수지층을 침지했다. 다음으로 촉매 부여 공정으로서 액티베이터 네오간트 834 콘크(conc)(40mL/L, 아토텍사제, 상품명) 및 수산화나트륨(4g/L), 붕산(5g/L)의 혼합액에 신축성 수지층을 35℃에서 5분 침지했다. 다음으로 환원 공정으로서 리듀서 네오간트 WA(5mL/L, 아토텍사제, 상품명) 및 리듀서 액셀러레이터 810 mod(100mL/L, 아토텍사제, 상품명)의 혼합액에 25℃에서 신축성 수지층을 1분 침지했다. 그 후, 무전해구리 도금 공정으로서 베이직 솔루션 프린트간트 MSK(80mL/L, 아토텍사제, 상품명) 및 카퍼 솔루션 프린트간트 MSK(40mL/L, 아토텍사제, 상품명), 리듀서 Cu(14mL/L, 아토텍사제, 상품명), 스태빌리저 프린트간트 MSK(3mL/L, 아토텍사제, 상품명)의 혼합액에 신축성 수지층을 28℃에서 15분 침지하여, 두께 약 0.5㎛의 구리 도금 피막을 신축성 수지층 상에 형성했다. 그 후 건조기를 사용하여 80℃에서 15분간 건조 후, 황산구리 전해도금에 의해 구리 도금을 더 형성했다. 그 후, 어닐 처리를 150℃에서 30분간 실시하고, 신축성 수지층의 표면 상에 두께 5㎛의 도체층을 가지는 적층판을 얻었다.
실시예 3-2
수지 니스 A를 검토 1의 수지 니스 B로 변경한 것 이외는 실시예 3-1과 동일하게 하여, 미경화의 수지층을 가지는 적층 필름을 얻었다. 적층 필름의 보호 필름을 박리한 후, 자외선노광기(미카사(주) 「ML-320FSAT」)에 의해 자외선(파장 365nm)을 2000mJ/cm2의 에너지량으로 조사하고, 적층 필름의 수지층을 경화시켜, 신축성 수지층을 형성했다. 형성된 신축성 수지층 상에, 실시예 3-1과 동일한 방법으로 도금에 의한 도체층을 형성하고, 도체층 부착 적층판을 얻었다.
실시예 3-3
수지 니스 A를 검토 1의 수지 니스 C로 변경한 것 이외는 실시예 3-1과 동일하게 하여, 미경화의 수지층을 가지는 적층 필름을 얻었다. 그 후, 건조기를 사용하고 180℃ 1시간의 조건에서 수지층을 경화시켜, 신축성 수지층을 형성했다. 형성된 신축성 수지층 상에, 실시예 3-1과 동일한 방법으로 도금에 의한 도체층을 형성하고, 도체층 부착 적층판을 얻었다.
비교예 3-1
수지 니스 A를 검토 1의 수지 니스 D로 변경한 것 이외는 실시예 3-1과 동일하게 하여, 미경화의 수지층을 가지는 적층 필름을 얻었다. 그 후, 건조기를 사용하고 180℃ 1시간의 조건에서 수지층을 경화시켜, 신축성 수지층을 형성했다. 형성된 신축성 수지층 상에, 실시예 3-1과 동일한 방법으로 도금에 의한 도체층을 형성하고, 도체층 부착 적층판을 얻었다.
[배선 기판의 제작과 그 평가]
도 2에 나타내는 바와 같이, 신축성 수지층(3) 및 신축성 수지층(3) 상에 형성된 파형 패턴을 가지는 도체 도금막을 도체층(5)으로서 가지는 시험용의 배선 기판(1)을 제작했다. 우선, 각 도체층 부착 적층판의 도체층 상에 에칭 레지스터(히타치가세이(주)제, Photec　RY-5325, 상품명)를 롤 라미네이터로 첩착하고, 거기에 파형 패턴을 형성한 포토 툴을 밀착시켰다. 에칭 레지스터를, 오크세이사쿠쇼사제 EXM-1201형 노광기를 사용하고, 50mJ/cm2의 에너지량으로 노광했다. 다음으로, 30℃의 1중량% 탄산나트륨 수용액으로, 240초간 스프레이 현상을 실시하고, 에칭 레지스터의 미노광부를 용해시켜, 파형의 개구부를 가지는 레지스터 패턴을 형성했다. 다음으로, 에칭액에 의해, 레지스터 패턴에 의해 덮이지 않은 부분의 구리박을 제거했다. 그 후, 박리액에 의해 에칭 레지스터를 제거하고, 배선폭이 50㎛이고 소정의 방향 X를 따라 사행하는 파형의 배선 패턴을 형성하고 있는 도체 도금막(5)를 신축성 수지층(3) 상에 가지는 배선 기판(1)을 얻었다.
　얻어진 배선 기판을 X의 방향으로 왜곡 10%까지 인장 변형시켜, 원래로 되돌렸을 때의, 신축성 수지층 및 파형의 배선 패턴을 관찰했다. 신축성 수지층 및 배선 패턴에 관해서는, 신장 시에 파단을 발생시키지 않았던 경우를 「A」, 파단을 발생시킨 경우를 「C」이라고 했다.
Figure 112019042742799-pct00004
실시예 3-1~3-3 및 비교예 3-1의 평가 결과를 표 4에 나타낸다. 실시예 3-1~3-3의 도체 기판(도체층 부착 적층판)에 의해 형성된 파형의 배선 패턴을 가지는 배선 기판에 있어서는, 10% 신장 시도 신축성 수지층이 파단되지 않고, 파형의 배선 패턴의 외관도 문제 없는 것을 알았다. 한편, 비교예 3-1에서는, 수지층이 신축성을 가지지 않기 때문에, 10% 신장 전에 수지층이 파단되어 버리고, 배선도 동시에 파단되어 버리는 것을 알 수 있었다.
본 발명의 도체 기판 및 이것으로부터 얻어지는 배선 기판은, 예를 들면 웨어러블 기기의 기판으로서 적용하는 것이 기대된다.
1…배선 기판, 3…신축성 수지층, 5…도체층(도체박 또는 도체 도금막).

Claims (22)

  1. 신축성 수지층과,
    상기 신축성 수지층 상에 설치된 도체박(導體箔)을 가지는, 도체 기판으로서,
    상기 신축성 수지층을 왜곡 20%까지 인장 변형시킨 후의 회복률이 80% 이상이고,
    상기 신축성 수지층이, (A) 고무성분 및 (B) 가교성분을 함유하는 수지조성물의 경화물을 포함하고,
    (B) 가교성분이, (메타)아크릴기, 비닐기, 에폭시기, 스티릴기, 아미노기, 이소시아눌레이트기, 우레이드기, 시아네이트기, 이소시아네이트기, 및 머캅토기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 반응성기를 가지는 화합물을 포함하고,
    상기 도체박의 탄성률이 40~300GPa이고,
    상기 도체박은 조화처리에 의해 형성된 조화면을 가지며, 상기 조화면이 상기 신축성 수지층에 접하는 방향으로 신축성 수지층 상에 설치되고, 상기 조화면의 표면 거칠기 Ra는 0.3 ~ 1.5㎛인, 도체기판인, 도체 기판.
  2. 삭제
  3. 신축성 수지층과,
    상기 신축성 수지층 상에 설치된 도체 도금막을 가지는, 도체 기판으로서,
    상기 신축성 수지층이, (A) 고무성분 및 (B) 가교성분을 함유하는 수지조성물의 경화물을 포함하고,
    (B) 가교성분이, (메타)아크릴기, 비닐기, 에폭시기, 스티릴기, 아미노기, 이소시아눌레이트기, 우레이드기, 시아네이트기, 이소시아네이트기, 및 머캅토기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 반응성기를 가지는 화합물을 포함하고,
    상기 신축성 수지층을 왜곡 20%까지 인장 변형시킨 후의 회복률이 80% 이상이고,
    상기 신축성 수지층에 표면 처리로서 조화처리(desmear 처리), UV처리, 및 플라즈마 처리 중 어느 하나의 처리를 실시한, 도체기판.
  4. 삭제
  5. 청구항 1 또는 3에 있어서,
    상기 신축성 수지층이, (A)고무 성분을 함유하고,
    상기 고무 성분이, 아크릴 고무, 이소프렌 고무, 부틸 고무, 스티렌부타디엔 고무, 부타디엔 고무, 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 실리콘 고무, 우레탄고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌프로필렌 고무, 불소 고무, 황화고무, 에피클로르히드린 고무, 및 염소화 부틸 고무로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 고무를 포함하는, 도체 기판.
  6. 청구항 1 또는 3에 있어서,
    상기 신축성 수지층이, (A)고무 성분을 함유하는 수지 조성물의 경화물을 포함하는, 도체 기판.
  7. 청구항 6에 있어서,
    (A)고무 성분이, 가교기를 가지는 고무를 포함하는, 도체 기판.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 가교기가, 산무수물기 또는 카복실기 중 적어도 한쪽인, 도체 기판.
  9. 청구항 6에 있어서,
    상기 수지 조성물이, (B)가교 성분을 더 함유하는, 도체 기판.
  10. 청구항 9에 있어서,
    (B)가교 성분이, (메타)아크릴기, 비닐기, 에폭시기, 스티릴기, 아미노기, 이소시아눌레이트기, 우레이드기, 시아네이트기, 이소시아네이트기, 및 머캅토기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 반응성기를 가지는 화합물을 포함하는, 도체 기판.
  11. 청구항 6에 있어서,
    상기 수지 조성물이, (C) 경화제 또는 경화촉진제 중 적어도 한쪽을 더 함유하는, 도체 기판.
  12. 청구항 5에 있어서,
    (A)고무 성분의 함유량이, 상기 신축성 수지층 100질량%에 대하여 30~100질량%인, 도체 기판.
  13. 청구항 1 또는 3에 있어서,
    상기 신축성 수지층이, 산화방지제를 더 함유하는, 도체 기판.
  14. 청구항 1에 기재된 도체 기판을 포함하고, 상기 도체박이 배선 패턴을 형성하고 있는, 배선 기판.
  15. 청구항 3에 기재된 도체 기판을 포함하고, 상기 도체 도금막이 배선 패턴을 형성하고 있는, 배선 기판.
  16. 청구항 14 또는 15에 기재된 배선 기판과, 상기 배선 기판에 탑재된 전자소자를 구비하는 스트레처블 디바이스(stretchable device).
  17. 청구항 1에 있어서,
    신축성 수지층과, 상기 신축성 수지층 상에 설치된 도체박을 가지는 도체 기판을 포함하고, 상기 도체박이 배선 패턴을 형성하고 있는, 배선 기판을 형성하기 위해 사용되는, 도체 기판.
  18. 청구항 3에 있어서,
    신축성 수지층과, 상기 신축성 수지층 상에 설치된 도체 도금막을 가지는 도체 기판을 포함하고, 상기 도체 도금막이 배선 패턴을 형성하고 있는, 배선 기판을 형성하기 위해 사용되는, 도체 기판.
  19. 신축성 수지층과, 상기 신축성 수지층 상에 적층된 도체박을 가지는 적층판을 준비하는 공정과,
    상기 도체박 상에 에칭 레지스터를 형성하는 공정과,
    상기 에칭 레지스터를 노광하고, 노광 후의 상기 에칭 레지스터를 현상하여, 상기 도체박의 일부를 덮는 레지스터 패턴을 형성하는 공정과,
    상기 레지스터 패턴에 의해 덮이지 않은 부분의 상기 도체박을 제거하는 공정과,
    상기 레지스터 패턴을 제거하는 공정을 포함하는, 청구항 14에 기재된 배선 기판을 제조하는 방법.
  20. 신축성 수지층 상에 도금 레지스터를 형성하는 공정과,
    상기 도금 레지스터를 노광하고, 노광 후의 상기 도금 레지스터를 현상하여, 상기 신축성 수지층의 일부를 덮는 레지스터 패턴을 형성하는 공정과,
    상기 신축성 수지층의 상기 레지스터 패턴에 의해 덮이지 않은 부분의 표면상에 무전해도금에 의해 도체 도금막을 형성하는 공정과,
    상기 레지스터 패턴을 제거하는 공정을 포함하는, 청구항 15에 기재된 배선 기판을 제조하는 방법.
  21. 신축성 수지층 상에 무전해도금에 의해 도체 도금막을 형성하는 공정과,
    상기 도체 도금막 상에 도금 레지스터를 형성하는 공정과,
    상기 도금 레지스터를 노광하고, 노광 후의 상기 도금 레지스터를 현상하여, 상기 신축성 수지층의 일부를 덮는 레지스터 패턴을 형성하는 공정과,
    상기 레지스터 패턴에 의해 덮이지 않은 부분의 상기 도체 도금막 상에, 전해도금에 의해 도체 도금막을 더 형성하는 공정과,
    상기 레지스터 패턴을 제거하는 공정과,
    무전해도금에 의해 형성된 상기 도체 도금막 중, 전해도금에 의해 형성된 도체 도금막에 의해 덮이지 않은 부분을 제거하는 공정을 포함하는, 청구항 15에 기재된 배선 기판을 제조하는 방법.
  22. 신축성 수지층 상에 형성된 도체 도금막 상에 에칭 레지스터를 형성하는 공정과,
    상기 에칭 레지스터를 노광하고, 노광 후의 상기 에칭 레지스터를 현상하여, 상기 신축성 수지층의 일부를 덮는 레지스터 패턴을 형성하는 공정과,
    상기 레지스터 패턴에 의해 덮이지 않은 부분의 상기 도체 도금막을 제거하는 공정과,
    상기 레지스터 패턴을 제거하는 공정
    을 포함하는, 청구항 15에 기재된 배선 기판을 제조하는 방법.
KR1020197012015A 2016-11-15 2017-11-14 도체 기판, 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법 KR102646349B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020247007672A KR20240038807A (ko) 2016-11-15 2017-11-14 도체 기판, 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법

Applications Claiming Priority (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2016-222785 2016-11-15
JP2016222785 2016-11-15
JP2016222786 2016-11-15
JPJP-P-2016-222786 2016-11-15
PCT/JP2017/016052 WO2018092329A1 (ja) 2016-11-15 2017-04-21 配線基板及びその製造方法
JPPCT/JP2017/016052 2017-04-21
PCT/JP2017/016024 WO2018092328A1 (ja) 2016-11-15 2017-04-21 配線基板及びその製造方法
JPPCT/JP2017/016024 2017-04-21
PCT/JP2017/040979 WO2018092778A1 (ja) 2016-11-15 2017-11-14 導体基板、配線基板及び配線基板の製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020247007672A Division KR20240038807A (ko) 2016-11-15 2017-11-14 도체 기판, 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190087412A KR20190087412A (ko) 2019-07-24
KR102646349B1 true KR102646349B1 (ko) 2024-03-11

Family

ID=62146522

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020247007672A KR20240038807A (ko) 2016-11-15 2017-11-14 도체 기판, 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법
KR1020197012015A KR102646349B1 (ko) 2016-11-15 2017-11-14 도체 기판, 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020247007672A KR20240038807A (ko) 2016-11-15 2017-11-14 도체 기판, 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11259409B2 (ko)
JP (2) JP7305958B2 (ko)
KR (2) KR20240038807A (ko)
CN (2) CN116614940A (ko)
TW (1) TW201829180A (ko)
WO (1) WO2018092778A1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2019107289A1 (ja) * 2017-11-28 2020-11-19 住友電工プリントサーキット株式会社 フレキシブルプリント配線板の製造方法及びフレキシブルプリント配線板
WO2019216425A1 (ja) * 2018-05-11 2019-11-14 日立化成株式会社 導体基板、配線基板、ストレッチャブルデバイス及び配線基板の製造方法
US20210345484A1 (en) * 2018-10-22 2021-11-04 Toyobo Co., Ltd. Method for manufacturing device connected body, and device connected body
CN112362436B (zh) * 2020-10-27 2023-06-13 华能国际电力股份有限公司 一种金相腐蚀剂及腐蚀方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000151030A (ja) * 1998-11-18 2000-05-30 Nitto Denko Corp フレキシブル配線板
US20010018122A1 (en) * 2000-01-20 2001-08-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Adhesive composition
JP2006147662A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Fujikura Ltd 銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及びその製造方法
JP2010171268A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Nippon Steel Chem Co Ltd 回路配線基板の製造方法
JP2012033674A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 Tokai Rubber Ind Ltd 柔軟配線体
JP2012251896A (ja) 2011-06-03 2012-12-20 Tokai Rubber Ind Ltd 柔軟電極構造、および柔軟電極構造を有する電極を備えるトランスデューサ
JP2013145842A (ja) * 2012-01-16 2013-07-25 Nippon Mektron Ltd フレキシブル回路基板
JP2013187380A (ja) 2012-03-08 2013-09-19 Nippon Mektron Ltd 伸縮性フレキシブル回路基板およびその製造方法
JP2014162125A (ja) * 2013-02-26 2014-09-08 Fujikura Ltd 伸縮性基板、その製造方法、及び伸縮性基板を備える電子部品
WO2016080346A1 (ja) * 2014-11-18 2016-05-26 日立化成株式会社 半導体装置及びその製造方法、並びに可撓性樹脂層形成用樹脂組成物
WO2016084345A1 (en) * 2014-11-27 2016-06-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Sheet-shaped stretchable structure, and resin composition for stretchable resin sheet and stretchable resin sheet used for the structure
WO2016093210A1 (ja) 2014-12-08 2016-06-16 株式会社フジクラ 伸縮性基板

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2912737B2 (ja) * 1991-08-06 1999-06-28 イビデン株式会社 バイアホールを備えたプリント配線板の製造方法
JP3166868B2 (ja) * 1991-09-27 2001-05-14 住友金属鉱山株式会社 銅ポリイミド基板の製造方法
JPH0590739A (ja) * 1991-09-30 1993-04-09 Ibiden Co Ltd アデイテイブ法による導体回路の形成方法
JPH07316525A (ja) * 1994-05-24 1995-12-05 Mitsui Petrochem Ind Ltd フレキシブルプリント配線板用接着剤組成物
JPH08302161A (ja) * 1995-05-10 1996-11-19 Hitachi Chem Co Ltd 樹脂組成物及びその樹脂組成物をケミカルエッチングする方法
US7265298B2 (en) * 2003-05-30 2007-09-04 The Regents Of The University Of California Serpentine and corduroy circuits to enhance the stretchability of a stretchable electronic device
WO2006051820A1 (ja) * 2004-11-10 2006-05-18 Jsr Corporation 熱硬化性樹脂組成物、熱硬化性フィルムおよびそれらの硬化物、ならびに電子部品
DE102004057650A1 (de) * 2004-11-29 2006-06-01 Tesa Ag Hitzeaktivierbares Klebeband auf Basis carboxylierter Nitrilkautschuke für die Verklebung von elektronischen Bauteilen und Leiterbahnen
DE102004057651A1 (de) * 2004-11-29 2006-06-01 Tesa Ag Hitzeaktivierbares Klebeband auf der Basis von Nitrilkautschuk und Polyvinylbutyral für die Verklebung von elektronischen Bauteilen und Leiterbahnen
WO2007013234A1 (ja) * 2005-07-28 2007-02-01 Nec Corporation 絶縁材料、配線基板及び半導体装置
WO2009023937A1 (en) * 2007-08-22 2009-02-26 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation A system, garment and method
WO2009093679A1 (ja) * 2008-01-24 2009-07-30 Hitachi Chemical Company, Ltd. クラッド層形成用樹脂組成物およびこれを用いたクラッド層形成用樹脂フィルム、これらを用いた光導波路ならびに光モジュール
US8207473B2 (en) * 2008-06-24 2012-06-26 Imec Method for manufacturing a stretchable electronic device
WO2010086033A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Stretchable electronic device
FR2955168B1 (fr) * 2010-01-14 2012-02-10 Mann & Hummel Gmbh Vanne de commande pour circuit de circulation de liquide
TWI494340B (zh) * 2010-08-02 2015-08-01 Taiwan Union Technology Corp 環氧樹脂組成物及其製成的預浸材和印刷電路板
US9018532B2 (en) * 2011-06-09 2015-04-28 Multi-Fineline Electronix, Inc. Stretchable circuit assemblies
KR101477353B1 (ko) * 2012-11-09 2014-12-29 주식회사 두산 수지 조성물 및 이를 포함하는 인쇄 회로 기판용 적층체
US9613911B2 (en) * 2013-02-06 2017-04-04 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Self-similar and fractal design for stretchable electronics
JP6287840B2 (ja) * 2013-04-16 2018-03-07 東洋紡株式会社 金属箔積層体
US9706647B2 (en) * 2013-05-14 2017-07-11 Mc10, Inc. Conformal electronics including nested serpentine interconnects
US9554465B1 (en) * 2013-08-27 2017-01-24 Flextronics Ap, Llc Stretchable conductor design and methods of making
TWI695657B (zh) * 2015-03-30 2020-06-01 日商則武股份有限公司 柔性配線基板及其利用
JP6484133B2 (ja) * 2015-07-09 2019-03-13 日東電工株式会社 配線回路基板の製造方法
US9844133B2 (en) * 2015-12-21 2017-12-12 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Flexible substrate including stretchable sheet
JP2017204594A (ja) * 2016-05-13 2017-11-16 ニッカン工業株式会社 回路基板用の伸縮性シート

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000151030A (ja) * 1998-11-18 2000-05-30 Nitto Denko Corp フレキシブル配線板
US20010018122A1 (en) * 2000-01-20 2001-08-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Adhesive composition
JP2006147662A (ja) * 2004-11-16 2006-06-08 Fujikura Ltd 銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及びその製造方法
JP2010171268A (ja) * 2009-01-23 2010-08-05 Nippon Steel Chem Co Ltd 回路配線基板の製造方法
JP2012033674A (ja) * 2010-07-30 2012-02-16 Tokai Rubber Ind Ltd 柔軟配線体
JP2012251896A (ja) 2011-06-03 2012-12-20 Tokai Rubber Ind Ltd 柔軟電極構造、および柔軟電極構造を有する電極を備えるトランスデューサ
JP2013145842A (ja) * 2012-01-16 2013-07-25 Nippon Mektron Ltd フレキシブル回路基板
JP2013187380A (ja) 2012-03-08 2013-09-19 Nippon Mektron Ltd 伸縮性フレキシブル回路基板およびその製造方法
JP2014162125A (ja) * 2013-02-26 2014-09-08 Fujikura Ltd 伸縮性基板、その製造方法、及び伸縮性基板を備える電子部品
WO2016080346A1 (ja) * 2014-11-18 2016-05-26 日立化成株式会社 半導体装置及びその製造方法、並びに可撓性樹脂層形成用樹脂組成物
WO2016084345A1 (en) * 2014-11-27 2016-06-02 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Sheet-shaped stretchable structure, and resin composition for stretchable resin sheet and stretchable resin sheet used for the structure
WO2016093210A1 (ja) 2014-12-08 2016-06-16 株式会社フジクラ 伸縮性基板

Also Published As

Publication number Publication date
TW201829180A (zh) 2018-08-16
JPWO2018092778A1 (ja) 2019-10-17
US11259409B2 (en) 2022-02-22
CN109952817A (zh) 2019-06-28
JP2023075219A (ja) 2023-05-30
KR20240038807A (ko) 2024-03-25
CN116614940A (zh) 2023-08-18
JP7305958B2 (ja) 2023-07-11
US20190320527A1 (en) 2019-10-17
WO2018092778A1 (ja) 2018-05-24
KR20190087412A (ko) 2019-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6624065B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法、並びに可撓性樹脂層形成用樹脂組成物
KR102646349B1 (ko) 도체 기판, 배선 기판 및 배선 기판의 제조 방법
JP6789496B2 (ja) 硬化性樹脂シート、電気回路用可撓性基材、可撓性電気回路体及び半導体装置
JP2018116959A (ja) 回路基板装置
JP7124711B2 (ja) 配線基板及びその製造方法、並びにストレッチャブルデバイス
JP7306381B2 (ja) 導体基板、伸縮性配線基板、及び配線基板用伸縮性樹脂フィルム
TWI751251B (zh) 帶金屬箔的伸縮性構件
JP6766417B2 (ja) 硬化性樹脂シート、可撓性電気回路体及び半導体装置
JP7108505B2 (ja) 機械加工性向上フィルム、積層体、及び機械加工性向上フィルムの使用方法
JP7110711B2 (ja) 導体基板、配線基板、ストレッチャブルデバイス及び配線基板の製造方法
JP2021027099A (ja) 導体基板、伸縮性配線基板、及び伸縮性樹脂フィルム
WO2019216425A1 (ja) 導体基板、配線基板、ストレッチャブルデバイス及び配線基板の製造方法
JP2019160965A (ja) 導体基板、配線基板及びそれらの製造方法
WO2018092329A1 (ja) 配線基板及びその製造方法
JP7410633B2 (ja) 配線基板、ストレッチャブルデバイス、配線基板形成用積層板、及び配線基板を製造する方法
WO2018092328A1 (ja) 配線基板及びその製造方法
JP2018103524A (ja) 可撓性樹脂フィルム及び可撓性複合シート
JP2019197867A (ja) 導体基板の製造方法、導体基板、伸縮性配線基板及びストレッチャブルデバイス
JP2018172460A (ja) 可撓性樹脂形成用組成物、樹脂フィルム、電気回路体及び半導体装置
JP2018116958A (ja) 回路基板装置の製造方法
JP2018111745A (ja) 可撓性樹脂形成用硬化性樹脂組成物、樹脂フィルム、電気回路体及び半導体装置
JP2019043974A (ja) 可撓性樹脂形成用硬化性樹脂組成物、樹脂フィルム、電気回路体、及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
X091 Application refused [patent]
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant