KR102638033B1 - 광파이버 - Google Patents
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Abstract
광파이버(1A)는, 최대 굴절률 n1을 갖는 코어(11)와, 상기 코어의 주위에 마련되고 굴절률 n0을 갖는 클래드(13)를 포함한다. 상기 코어의 지름 방향의 굴절률 분포가 α승으로, α가 1.5~10이다. Δ1=100×(n1 2-n0 2)/(2n1 2)의 식으로 나타내어지는 상기 코어의 중심 위치의 비굴절률차 Δ1이 0.3%~0.5%이다. 상기 코어의 지름이 9㎛~14㎛이다. 제로 분산 파장이 1300㎚~1324㎚이다. 케이블 컷오프 파장이 1260㎚ 이하이다. 지름 30㎜로 10턴 감았을 때의 파장 1550㎚에 있어서의 휨 손실이 0.25㏈ 이하이다.
Description
본 발명은, 광파이버에 관한 것이다.
국제 규격 ITU-T G.652에서 권고되는 싱글 모드 광파이버(SMF)는, 가장 범용적인 광파이버로서 세계 내의 광 통신 시스템에 있어서 폭넓게 이용되고 있다. G.652에서는, 파장 1310㎚에 있어서의 SMF의 모드 필드 지름(MFD)이 공칭치(normal value) 8.6㎛~9.2㎛(공차(tolerance)±0.4㎛)로 권고되어 있다. MFD가 이 범위 내에 있는 것에 의해, SMF의 단면끼리를 융착 접속할 때에, 융착되는 SMF 사이의 MFD 부정합을 작게 억제할 수 있고, 융착 손실을 작게 억제할 수 있다. 또한, G.652에서는, SMF의 케이블 컷오프 파장 λcc가 1260㎚ 이하로 권고되어 있다. λcc가 이 범위에 있는 것에 의해, 파장 1310㎚ 부근 및 그 이상의 파장에 있어서의 신호 광의 싱글 모드 동작을 보증할 수 있다.
한편, 광파이버를 작은 지름으로 구부린 상태에서 부설하거나, 1개의 케이블 내에 많은 광파이버를 고밀도로 수납하거나 하기 위해서는, 광파이버의 휨 손실(bending loss)을 작게 억제하는 것이 바람직하다. 광파이버의 휨 손실을 작게 억제하기 위해서는, 광파이버의 MAC 값을 작게 하면 되는 것이 알려져 있다. MAC 값은, 파장 1310㎚에 있어서의 MFD[㎛]를 파이버 컷오프 파장 λc[㎛]로 나눈 값이다. 즉, 광파이버의 휨 손실을 작게 하려면, MFD를 작게 하는 것 및/또는 λc를 길게 하는 것이 유효하다. 그러나, MFD를 작게 한 광파이버는, 범용적인 SMF와의 MFD 부정합이 커져 융착 손실이 커져 버린다. 또한, λc를 길게 한 광파이버는, 신호 광의 싱글 모드 동작을 보증할 수 없게 된다.
미국 특허 제 7,876,990호 명세서에서는, 코어의 지름 방향의 굴절률 분포가 α승이고 α가 2.5~3.0인 SMF의 발명이 개시되어 있다. 미국 특허 제 7,876,990호 명세서에서는, 지수 α를 이 범위 내로 하는 것에 의해 전송 손실을 낮게 할 수 있다고 기재되어 있다. 그러나, 미국 특허 제 7,876,990호 명세서에서는, 휨 손실의 개선은 고려되어 있지 않다. 또한, 미국 특허 제 7,876,990호 명세서에 개시된 SMF의 굴절률 분포는 오목부(depressed portion)를 갖고 있지 않다.
본 발명은, ITU-T G.652 권고에 준거하는 범용적인 SMF와 동등한 MAC 값을 가짐과 아울러 휨 손실을 작게 억제할 수 있는 광파이버를 제공한다.
본 발명의 광파이버는, 최대 굴절률 n1을 갖는 코어와, 상기 코어의 주위에 마련되고 상기 최대 굴절률 n1보다 낮은 굴절률 n0을 갖는 클래드를 포함한다. 상기 코어의 지름 방향의 굴절률 분포가 α승이고, α가 1.5~10이다. Δ1=100×(n1 2-n0 2)/(2n1 2)의 식으로 나타내어지는 상기 코어의 중심 위치의 비굴절률차(relative refractive-index difference) Δ1이 0.3%~0.5%이다. 상기 코어의 지름 2a가 9㎛~14㎛이다. 제로 분산 파장(zero-dispersion wavelength)이 1300㎚~1324㎚이다. 케이블 컷오프 파장 λcc가 1260㎚ 이하이다. 또한, 지름 30㎜로 10턴 감았을 때의 파장 1550㎚에 있어서의 휨 손실이 0.25㏈ 이하이다.
본 발명의 광파이버는, 상기 코어의 주위로서 상기 코어와 상기 클래드의 사이에 마련되고, 상기 최대 굴절률 n1 및 상기 굴절률 n0의 양쪽보다 낮은 굴절률 n2를 갖는 오목부를 더 포함하는 것이 바람직하다. Δ2=100×(n2 2-n0 2)/(2n2 2)의 식으로 나타내어지는 상기 오목부의 비굴절률차 Δ2가 -0.1%~0%인 것이 바람직하다. 상기 오목부의 외측 지름 2b와 상기 코어의 지름 2a의 비 (b/a)가 2.4~4.0인 것이 바람직하다.
α가 2.0~5.0인 것이 바람직하다. 지름 30㎜로 10턴 감았을 때의 파장 1550㎚에 있어서의 휨 손실이 0.03㏈ 이하(ITU-T G.657.A2 상당)인 것이 바람직하다. 파이버 컷오프 파장 λc와 케이블 컷오프 파장 λcc의 차 (λc-λcc)가 50㎚~100㎚인 것이 바람직하다.
본 발명의 광파이버는, 상기 클래드의 주위에 마련되고 자외선 경화형 수지로 이루어지는 제 1 수지층과, 상기 제 1 수지층의 주위에 마련되고 자외선 경화형 수지로 이루어지는 제 2 수지층을 더 포함하는 것이 바람직하다. 상기 클래드의 외측 지름이 124.3㎛~125.7㎛이고, 상기 제 2 수지층의 외측 지름이 188㎛~210㎛인 것이 바람직하다.
본 발명의 광파이버는, ITU-T G.652 권고에 준거하는 범용적인 SMF와 동등한 MAC 값을 가짐과 아울러, 휨 손실을 작게 억제할 수 있다.
도 1은 제 1 실시 형태의 광파이버의 단면과 지름 방향의 굴절률 분포를 나타내는 개념도이다.
도 2는 제 1 실시 형태의 광파이버의 굴절률 분포 n(r)의 여러 예를, 굴절률 분포 함수의 지수 α를 파라미터로 하여 나타내는 그래프이다.
도 3은 제 1 실시 형태의 광파이버를 휨 지름(bend diameter) 30㎜로 10턴 감았을 때의 파장 1550㎚에 있어서의 휨 손실과 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 제 1 실시 형태의 광파이버의 제로 분산 파장과 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 5는 제 1 실시 형태의 광파이버의 케이블 컷오프 파장 λcc와 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 6은 제 2 실시 형태의 광파이버의 단면과 지름 방향의 굴절률 분포를 나타내는 개념도이다.
도 7은 제 2 실시 형태의 광파이버의 굴절률 분포 n(r)의 여러 예를, 클래드에 대한 오목부의 비굴절률차 Δ2를 파라미터로 하여 나타내는 그래프이다.
도 8은 제 2 실시 형태의 광파이버를 휨 지름 30㎜로 10턴 감았을 때의 파장 1550㎚에 있어서의 휨 손실과 비굴절률차 Δ2의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 9는 제 2 실시 형태의 광파이버의 제로 분산 파장과 비굴절률차 Δ2의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 10은 제 2 실시 형태의 광파이버의 케이블 컷오프 파장 λcc와 비굴절률차 Δ2의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 11은 제 2 실시 형태의 광파이버의 굴절률 분포 n(r)의 다른 여러 예를, 비굴절률차 Δ2를 파라미터로 하여 나타내는 그래프이다.
도 12는 제 2 실시 형태의 광파이버를 휨 지름 30㎜로 10턴 감았을 때의 파장 1550㎚에 있어서의 휨 손실과 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 13은 제 2 실시 형태의 광파이버의 제로 분산 파장과 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 14는 제 2 실시 형태의 광파이버의 케이블 컷오프 파장 λcc와 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 15는 실시예의 파이버 1~8의 제원을 정리한 표이다.
도 16은 실시예의 파이버 9~15의 제원을 정리한 표이다.
도 17은 실시예의 파이버 16~24의 제원을 정리한 표이다.
도 2는 제 1 실시 형태의 광파이버의 굴절률 분포 n(r)의 여러 예를, 굴절률 분포 함수의 지수 α를 파라미터로 하여 나타내는 그래프이다.
도 3은 제 1 실시 형태의 광파이버를 휨 지름(bend diameter) 30㎜로 10턴 감았을 때의 파장 1550㎚에 있어서의 휨 손실과 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 4는 제 1 실시 형태의 광파이버의 제로 분산 파장과 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 5는 제 1 실시 형태의 광파이버의 케이블 컷오프 파장 λcc와 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 6은 제 2 실시 형태의 광파이버의 단면과 지름 방향의 굴절률 분포를 나타내는 개념도이다.
도 7은 제 2 실시 형태의 광파이버의 굴절률 분포 n(r)의 여러 예를, 클래드에 대한 오목부의 비굴절률차 Δ2를 파라미터로 하여 나타내는 그래프이다.
도 8은 제 2 실시 형태의 광파이버를 휨 지름 30㎜로 10턴 감았을 때의 파장 1550㎚에 있어서의 휨 손실과 비굴절률차 Δ2의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 9는 제 2 실시 형태의 광파이버의 제로 분산 파장과 비굴절률차 Δ2의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 10은 제 2 실시 형태의 광파이버의 케이블 컷오프 파장 λcc와 비굴절률차 Δ2의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 11은 제 2 실시 형태의 광파이버의 굴절률 분포 n(r)의 다른 여러 예를, 비굴절률차 Δ2를 파라미터로 하여 나타내는 그래프이다.
도 12는 제 2 실시 형태의 광파이버를 휨 지름 30㎜로 10턴 감았을 때의 파장 1550㎚에 있어서의 휨 손실과 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 13은 제 2 실시 형태의 광파이버의 제로 분산 파장과 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 14는 제 2 실시 형태의 광파이버의 케이블 컷오프 파장 λcc와 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다.
도 15는 실시예의 파이버 1~8의 제원을 정리한 표이다.
도 16은 실시예의 파이버 9~15의 제원을 정리한 표이다.
도 17은 실시예의 파이버 16~24의 제원을 정리한 표이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본 발명을 실시하기 위한 형태를 상세하게 설명한다. 또, 도면의 설명에 있어서 동일한 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략한다. 본 발명은, 이러한 예시로 한정되는 것이 아니고, 특허 청구의 범위에 의해 나타내어지고, 특허 청구의 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.
제 1 실시 형태
도 1은 제 1 실시 형태의 광파이버(1A)의 단면과 지름 방향의 굴절률 분포를 나타내는 개념도이다. 광파이버(1A)는, 코어(11)와, 코어(11)의 주위에 마련된 클래드(13)를 포함한다. 코어(11)는, 최대 굴절률 n1을 갖는다. 클래드(13)는, n1보다 낮은 굴절률 n0을 갖는다. 예컨대, 코어(11)는 GeO2를 포함하는 실리카 유리로 이루어지고, 클래드(13)는 순수 실리카 유리로 이루어진다.
광파이버(1A)의 지름 방향의 굴절률 분포 n(r)은, 지수 α를 이용하여 (1)식으로 근사된다.
r은, 코어(11)의 중심으로부터의 지름 방향 거리이다. a는, 코어(11)의 반경으로, n(r)이 클래드(13)의 굴절률 n0과 동일하게 되는 지름 방향 거리 r이다. Δ1은, 코어(11)에 있어서 굴절률이 최대가 되는 중심 위치와 클래드(13) 사이의 비굴절률차이고, (2)식으로 나타내어진다.
광파이버(1A)는, 클래드(13)의 주위에 마련된 제 1 수지층(14)과, 제 1 수지층(14)의 주위에 마련된 제 2 수지층(15)을 더 포함한다. 제 1 수지층(14) 및 제 2 수지층(15)은 자외선 경화형 수지로 이루어진다. 제 1 수지층(14)의 영률(Young's modulus)은, 제 2 수지층(15)의 영률보다 낮다.
도 2는 제 1 실시 형태의 광파이버의 굴절률 분포 n(r)의 여러 예를, 굴절률 분포 함수의 지수 α를 파라미터로 하여 나타내는 그래프이다. 가로축은 코어 중심으로부터의 지름 방향 거리 r이다. 세로축은 클래드의 굴절률 n0을 기준으로 하는 비굴절률차 Δ이다. 클래드가 순수 실리카 유리로 이루어지는 것으로 하고, 파장 1310㎚에 있어서의 MFD가 9.0㎛가 되고, λc가 1280㎚가 되고, MAC 값이 7.0이 되도록, Δ1 및 코어 반경 a를 조정했다. 지수 α는 1~10의 범위 내의 각 값으로 했다.
도 3~도 5는 도 1에 나타낸 제 1 실시 형태의 광파이버의 휨 손실, 제로 분산 파장 또는 케이블 컷오프 파장 λcc와 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다. 또, 도 3~도 5는 코어에 있어서 굴절률이 일정한 스텝형의 경우의 휨 손실, 제로 분산 파장 또는 케이블 컷오프 파장 λcc의 값도 나타내고 있다.
도 3은 제 1 실시 형태의 광파이버를 휨 지름 30㎜로 10턴 감았을 때의 파장 1550㎚에 있어서의 휨 손실과 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다. 이 그래프로부터, 지수 α를 1.5~10의 범위 내로 하는 것에 의해, 스텝형 코어보다, 동일한 MAC 값에 대하여 휨 손실을 작게 할 수 있는 것을 알 수 있다. 또한, 지수 α를 2~5의 범위 내로 하는 것에 의해, 더욱 휨 손실을 작게 할 수 있는 것을 알 수 있다.
도 4는 제 1 실시 형태의 광파이버의 제로 분산 파장과 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다. 이 그래프로부터, 지수 α가 작으면, 제로 분산 파장이 길어져, ITU-T G.652에서 권고되는 범위(1300~1324㎚)를 벗어난 제로 분산 파장이 되는 것으로부터, 지수 α는 2 이상이 바람직한 것을 알 수 있다.
도 5는 제 1 실시 형태의 광파이버의 케이블 컷오프 파장 λcc와 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다. 이 그래프로부터, 지수 α를 1.5~10의 범위 내로 함으로써, ITU-T G.652에서 권고되는 케이블 컷오프 파장 λcc의 범위 내(1260㎚ 이하)로 할 수 있는 것을 알 수 있다.
제 2 실시 형태
도 6은 제 2 실시 형태의 광파이버(1B)의 단면과 지름 방향의 굴절률 분포를 나타내는 개념도이다. 광파이버(1B)는, 코어(11)와, 코어(11)의 주위에 마련된 오목부(12)와, 오목부(12)의 주위에 마련된 클래드(13)를 포함한다. 코어(11)는, 최대 굴절률 n1을 갖는다. 클래드(13)는, n1보다 낮은 굴절률 n0을 갖는다. 오목부(12)는, n1 및 n0의 양쪽보다 낮은 굴절률 n2를 갖는다. 예컨대, 코어(11)는 GeO2를 포함하는 실리카 유리로 이루어지고, 오목부(12)는 F를 포함하는 실리카 유리로 이루어지고, 클래드(13)는 순수 실리카 유리로 이루어진다.
광파이버(1B)의 지름 방향의 굴절률 분포 n(r)은, 지수 α를 이용하여 (3)식으로 근사된다.
r은, 코어(11)의 중심으로부터의 지름 방향 거리이다. a는, 코어(11)의 반경으로, n(r)이 클래드(13)의 굴절률 n0과 동일하게 되는 지름 방향 거리 r이다. b는, 오목부(12)의 외측 반지름이다. Δ2는, 클래드(13)에 대한 오목부(12)의 비굴절률차이고, (4)식으로 나타내어진다.
광파이버(1B)는, 클래드(13)의 주위에 마련된 제 1 수지층(14)과, 제 1 수지층(14)의 주위에 마련된 제 2 수지층(15)을 더 포함한다. 제 1 수지층(14) 및 제 2 수지층(15)은 자외선 경화형 수지로 이루어진다. 제 1 수지층(14)의 영률은, 제 2 수지층(15)의 영률보다 낮다.
도 7은 제 2 실시 형태의 광파이버의 굴절률 분포 n(r)의 여러 예를, 클래드에 대한 오목부의 비굴절률차 Δ2를 파라미터로 하여 나타내는 그래프이다. 가로축은 코어 중심으로부터의 지름 방향 거리 r이다. 세로축은 클래드의 굴절률 n0을 기준으로 하는 비굴절률차 Δ이다. 클래드가 순수 실리카 유리로 이루어지는 것으로 하고, 파장 1310㎚에 있어서의 MFD가 9.0㎛가 되고, λc가 1280㎚가 되고, MAC 값이 7.0이 되도록, Δ1 및 코어 반경 a를 조정했다. 지수 α는 2.5로 했다. 비굴절률차 Δ2는 -0.1~0%의 범위 내의 각 값으로 했다.
도 8은 제 2 실시 형태의 광파이버를 휨 지름 30㎜로 10턴 감았을 때의 파장 1550㎚에 있어서의 휨 손실과 비굴절률차 Δ2의 관계를 나타내는 그래프이다. 이 그래프로부터, 비굴절률차 Δ2가 음이고 절대치가 큰 쪽이, 휨 손실을 작게 억제할 수 있으므로 바람직한 것을 알 수 있다.
도 9는 제 2 실시 형태의 광파이버의 제로 분산 파장과 Δ2의 관계를 나타내는 그래프이다. 이 그래프로부터, 비굴절률차 Δ2가 -0.1%보다 작아지면(절대치가 커지면), 제로 분산 파장이 ITU-T에서 권고되는 범위보다 짧아지므로, 비굴절률차 Δ2는 -0.1% 이상이 바람직한 것을 알 수 있다.
도 10은 제 2 실시 형태의 광파이버의 케이블 컷오프 파장 λcc와 비굴절률차 Δ2의 관계를 나타내는 그래프이다. 이 그래프로부터, 비굴절률차 Δ2가 -0.1~0%인 범위 내에서, 케이블 컷오프 파장 λcc는 ITU-T G.652에서 권고되는 범위 내인 것을 알 수 있다.
도 11은 제 2 실시 형태의 광파이버의 굴절률 분포 n(r)의 다른 여러 예를, 굴절률 분포 함수의 지수 α를 파라미터로 하여 나타내는 그래프이다. 가로축은 코어 중심으로부터의 지름 방향 거리 r이다. 세로축은 클래드의 굴절률 n0을 기준으로 하는 비굴절률차 Δ이다. 클래드가 순수 실리카 유리로 이루어지는 것으로 하고, 파장 1310㎚에 있어서의 MFD가 9.0㎛가 되고, λc가 1280㎚가 되고, MAC 값이 7.0이 되도록, Δ1 및 코어 반경 a를 조정했다. 비굴절률차 Δ2는 -0.02%로 했다. 지수 α는 1~10의 범위 내의 각 값으로 했다.
도 12~도 14는 도 6에 나타낸 제 2 실시 형태의 광파이버의 휨 손실, 제로 분산 파장 또는 케이블 컷오프 파장 λcc와 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다. 또, 도 12~도 14는 코어에 있어서 굴절률이 일정한 스텝형의 경우의 휨 손실, 제로 분산 파장 또는 케이블 컷오프 파장 λcc의 값도 나타내고 있다.
도 12는 제 2 실시 형태의 광파이버를 휨 지름 30㎜로 10턴 감았을 때의 파장 1550㎚에 있어서의 휨 손실과 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다. 이 그래프로부터, 지수 α를 1.5~10의 범위 내로 하는 것에 의해, 스텝형 코어보다, 동일한 MAC 값에 대하여 휨 손실을 작게 할 수 있는 것을 알 수 있다. 또한, 지수 α를 2~5의 범위 내로 하는 것에 의해, 더욱 휨 손실을 작게 할 수 있는 것을 알 수 있다.
도 13은 제 2 실시 형태의 광파이버의 제로 분산 파장과 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다. 이 그래프로부터, 지수 α가 작으면, 제로 분산 파장이 길어져, ITU-T G.652에서 권고되는 범위(1300~1324㎚)를 벗어난 제로 분산 파장이 되는 것으로부터, 지수 α는 2 이상이 바람직한 것을 알 수 있다.
도 14는 제 2 실시 형태의 광파이버의 케이블 컷오프 파장 λcc와 지수 α의 관계를 나타내는 그래프이다. 이 그래프로부터, 지수 α를 1.5~10의 범위 내로 함으로써, ITU-T G.652에서 권고되는 케이블 컷오프 파장 λcc의 범위 내(1260㎚ 이하)로 할 수 있는 것을 알 수 있다.
실시예
도 15는 실시예의 파이버 1~8의 제원을 정리한 표이다. 도 16은 실시예의 파이버 9~15의 제원을 정리한 표이다. 이들 표는, 위로부터 차례로, 지수 α, 코어의 중심 위치의 비굴절률차 Δ1, 오목부의 비굴절률차 Δ2, 코어의 지름 2a, 오목부의 외측 지름 2b, 비 (b/a), 제로 분산 파장, 파장 1310㎚에서의 모드 필드 지름 MFD, 파장 1310㎚에서의 실효 단면적 Aeff, 파장 1550㎚에서의 모드 필드 지름 MFD, 파장 1550㎚에서의 실효 단면적 Aeff, 파이버 컷오프 파장 λc, 케이블 컷오프 파장 λcc, 차 (λc-λcc), MAC 값, 휨 지름 30㎜로 10턴 감았을 때의 파장 1550㎚에 있어서의 휨 손실을 나타내고 있다.
파이버 1~15는, ITU-T G.652에 준거하는 특성을 갖는다. 파이버 4, 5, 13, 14는, 오목부를 갖지 않는 제 1 실시 형태의 것이고, 다른 파이버는, 오목부를 갖는 제 2 실시 형태의 것이다. 오목부가 마련되는 것에 의해, 휨 손실을 더 작게 억제할 수 있다.
도 17은 실시예의 파이버 16~24의 제원을 정리한 표이다. 이러한 표는, 위로부터 차례로, 제로 분산 파장 λ0, 파장 1310㎚에서의 모드 필드 지름 MFD, 파이버 컷오프 파장 λc, 케이블 컷오프 파장 λcc, 차 (λc-λcc), MAC 값, 휨 지름 30㎜로 10턴 감았을 때의 파장 1550㎚에 있어서의 휨 손실, 클래드 외경, 제 1 수지층의 외경, 및 제 2 수지층의 외경을 나타내고 있다.
광파이버는, 124.3~125.7㎛의 클래드 외측 지름을 갖는 것이 바람직하다. 광파이버의 하나의 실시예로서, 제 1 수지층의 외경(지름)은 180~200㎛이고, 제 2 수지층의 외경(지름)은 235~255㎛이다. 다른 실시예로서, 제 1 수지층의 외경(지름)이 150~175㎛, 제 2 수지층의 외경(지름)이 188~210㎛이더라도 좋다. 이와 같이 수지의 피복 지름이 종래의 광파이버보다 가는 것에 의해, 케이블 내에 더욱 고밀도로 광파이버를 수납할 수 있으므로, 보다 바람직하다.
Claims (7)
- 최대 굴절률 n1을 갖는 코어와,
상기 코어의 주위에 마련되고 상기 최대 굴절률 n1보다 낮은 굴절률 n0을 갖는 클래드와,
상기 코어의 주위로서 상기 코어와 상기 클래드 사이에 마련되고, 상기 최대 굴절률 n1 및 상기 굴절률 n0의 양쪽보다 낮은 굴절률 n2를 갖는 오목부
를 포함하고,
상기 코어의 지름 방향의 굴절률 분포가 α승으로, α가 2.0~4.0이고,
Δ1=100×(n1 2-n0 2)/(2n1 2)의 식으로 나타내어지는 상기 코어의 중심 위치의 비굴절률차(relative refractive-index difference) Δ1이 0.405%~0.466%이고,
Δ2=100×(n2 2-n0 2)/(2n2 2)의 식으로 나타내어지는 상기 오목부의 비굴절률차 Δ2가 -0.1% 초과 0% 미만이고,
상기 코어의 지름 2a가 10.61㎛~12.14㎛이고,
제로 분산 파장(zero-dispersion wavelength)이 1300㎚~1308㎚이고,
케이블 컷오프 파장 λcc가 1258㎚ 이하이고,
지름 30㎜로 10턴 감았을 때의 파장 1550㎚에 있어서의 휨 손실(bending loss)이 0.03㏈ 이하인
광파이버.
- 제 1 항에 있어서,
상기 오목부의 외측 지름 2b와 상기 코어의 지름 2a의 비 (b/a)가 2.4~4.0인 광파이버.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
파이버 컷오프 파장 λc와 케이블 컷오프 파장 λcc의 차 (λc-λcc)가 50㎚~100㎚인 광파이버.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 클래드의 주위에 마련되고 자외선 경화형 수지로 이루어지는 제 1 수지층과,
상기 제 1 수지층의 주위에 마련되고 자외선 경화형 수지로 이루어지는 제 2 수지층
을 더 포함하고,
상기 클래드의 외측 지름이 124.3㎛~125.7㎛이고,
상기 제 2 수지층의 외측 지름이 188㎛~210㎛인
광파이버.
- 제 3 항에 있어서,
상기 클래드의 주위에 마련되고 자외선 경화형 수지로 이루어지는 제 1 수지층과,
상기 제 1 수지층의 주위에 마련되고 자외선 경화형 수지로 이루어지는 제 2 수지층
을 더 포함하고,
상기 클래드의 외측 지름이 124.3㎛~125.7㎛이고,
상기 제 2 수지층의 외측 지름이 188㎛~210㎛인
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