KR102618289B1

KR102618289B1 - 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법

Info

Publication number: KR102618289B1
Application number: KR1020160158939A
Authority: KR
Inventors: 박은영
Original assignee: 에스케이하이닉스 주식회사
Priority date: 2016-11-28
Filing date: 2016-11-28
Publication date: 2023-12-27
Also published as: US10347339B2; US20180151230A1; TWI742151B; CN108122584A; KR20180059994A; US20190279718A1; TW201820321A; CN108122584B; US10916309B2

Abstract

본 기술은 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법에 관한 것으로, 반도체 메모리 장치는 다수의 메모리 블럭들을 포함하는 메모리 셀 어레이, 소거 동작 시 상기 다수의 메모리 블럭들 중 선택된 적어도 하나 이상의 메모리 블럭의 소스 라인에 소거 전압을 인가하기 위한 전압 생성 회로, 상기 소거 동작 시 상기 선택된 적어도 하나 이상의 메모리 블럭의 비트라인들에 초기 설정 전압을 인가하기 위한 읽기 및 쓰기 회로, 및 상기 소거 전압을 상기 소스 라인에 인가하기 이전에 상기 초기 설정 전압을 상기 비트라인들에 인가하도록 상기 전압 생성 회로 및 상기 읽기 및 쓰기 회로를 제어하기 위한 제어 로직을 포함한다.

Description

반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법{SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF}

본 발명은 전자 장치에 관한 것으로, 특히 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법에 관한 것이다.

반도체 장치 중 특히 반도체 메모리 장치는 크게 휘발성 메모리 장치(Volatile memory device)와 불휘발성 메모리 장치(Nonvolatile memory device)로 구분된다.

불휘발성 메모리 장치는 쓰기 및 읽기 속도가 상대적으로 느리지만 전원 공급이 차단되더라도 저장 데이터를 유지한다. 따라서 전원 공급 여부와 관계없이 유지되어야 할 데이터를 저장하기 위해 불휘발성 메모리 장치가 사용된다. 불휘발성 메모리 장치에는 ROM(Read Only Memory), MROM(Mask ROM), PROM(Programmable ROM), EPROM(Erasable Programmable ROM), EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM), 플래시 메모리(Flash memory), PRAM(Phase change Random Access Memory), MRAM(Magnetic RAM), RRAM(Resistive RAM), FRAM(Ferroelectric RAM) 등이 있다. 플래시 메모리는 노어 타입과 낸드 타입으로 구분된다.

플래시 메모리는 데이터의 프로그램과 소거가 자유로운 RAM의 장점과 전원 공급이 차단되어도 저장된 데이터를 보존할 수 있는 ROM의 장점을 가진다. 플래시 메모리는 디지털 카메라, PDA(Personal Digital Assistant) 및 MP3 플레이어와 같은 휴대용 전자기기의 저장 매체로 널리 사용되고 있다.

플래시 메모리 장치는 스트링이 반도체 기판에 수평하게 형성된 2차원 반도체 장치와, 스트링이 반도체 기판에 수직으로 형성된 3차원 반도체 장치로 구분될 수 있다.

본 발명의 실시 예는 반도체 메모리 장치의 소거 동작 시 소거 효율을 개선시킬 수 있는 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법에 관한 것이다.

본 발명의 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치는 다수의 메모리 블럭들을 포함하는 메모리 셀 어레이, 소거 동작 시 상기 다수의 메모리 블럭들 중 선택된 적어도 하나 이상의 메모리 블럭의 소스 라인에 소거 전압을 인가하기 위한 전압 생성 회로, 상기 소거 동작 시 상기 선택된 적어도 하나 이상의 메모리 블럭의 비트라인들에 초기 설정 전압을 인가하기 위한 읽기 및 쓰기 회로, 및 상기 소거 전압을 상기 소스 라인에 인가하기 이전에 상기 초기 설정 전압을 상기 비트라인들에 인가하도록 상기 전압 생성 회로 및 상기 읽기 및 쓰기 회로를 제어하기 위한 제어 로직을 포함한다.

본 발명의 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치는 소스 라인과 비트라인 사이에 소스 선택 트랜지스터, 다수의 메모리 셀들, 드레인 선택 트랜지스터가 직렬 연결된 메모리 스트링과, 상기 비트라인에 연결된 페이지 버퍼, 및 상기 소스 라인에 프리 소거 전압 및 소거 전압을 인가하기 위한 전압 생성 회로를 포함하며, 소거 동작시 상기 페이지 버퍼 회로는 상기 프리 소거 전압이 상기 소스 라인에 인가되기 이전에 상기 비트라인에 초기 설정 전압을 인가하고, 상기 프리 소거 전압 및 상기 소거 전압이 상기 소스 라인에 인가될 때 상기 비트라인을 플로팅시킨다.

본 발명의 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치의 동작 방법은 다수의 메모리 블럭들 중 선택된 메모리 블럭의 비트라인들에 초기 설정 전압을 인가하는 단계와 상기 비트라인들을 플로팅시키는 단계 및 상기 비트라인들이 플로팅된 상태에서 상기 선택된 메모리 블럭의 소스 라인에 소거 전압을 인가하는 단계를 포함한다.

본 발명의 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치는 다수의 메모리 블럭들을 포함하는 메모리 셀 어레이와 소거 동작 시 상기 다수의 메모리 블럭들 중 선택된 적어도 하나 이상의 메모리 블럭의 소스 라인에 소거 전압을 인가하기 위한 전압 생성 회로와 상기 소거 동작 시 상기 선택된 적어도 하나 이상의 메모리 블록의 비트라인들에 상기 소거 전압을 인가하기 위한 읽기 및 쓰기 회로, 및 상기 소거 동작시 상기 소거 전압이 상기 소스 라인 및 상기 비트라인들에 동시에 인가되거나 교번적으로 인가되도록 상기 전압 생성 회로 및 상기 읽기 및 쓰기 회로를 제어하기 위한 제어 로직을 포함한다.

본 기술에 따르면, 반도체 메모리 장치의 소거 동작시 소스 라인에 소거 전압을 인가하기 이전에 비트라인에 초기 전압을 인가함으로써 비트라인의 전위 레벨을 상승시켜 소거 효율을 개선시킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치를 설명하기 위한 블럭도이다.
도 2는 도 1의 메모리 셀 어레이의 실시 예를 보여주는 블럭도이다.
도 3은 본 발명에 따른 메모리 블럭에 도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치를 설명하기 위한 블럭도이다.
도 2는 도 1의 메모리 셀 어레이의 실시 예를 보여주는 블럭도이다.
도 3은 본 발명에 따른 메모리 블럭에 포함된 메모리 스트링을 설명하기 위한 입체도이다.
도 4는 도 3에 도시된 메모리 스트링을 설명하기 위한 회로도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 메모리 블록에 포함된 메모리 스트링을 설명하기 위한 메모리 블록의 사시도이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치의 동작을 설명하기 위한 신호들의 파형도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치의 동작을 설명하기 위한 신호들의 파형도이다.
도 10은 도 1의 반도체 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템을 보여주는 블럭도이다.
도 11은 도 7의 메모리 시스템의 응용 예를 보여주는 블럭도이다.
도 12는 도 11 참조하여 설명된 메모리 시스템을 포함하는 컴퓨팅 시스템을 보여주는 블럭도이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 통해 설명될 것이다. 그러나 본 발명은 여기에서 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 단지, 본 실시 예들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여 제공되는 것이다.

명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "간접적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.

도 1은 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치를 설명하기 위한 블럭도이다.

도 1을 참조하면, 반도체 메모리 장치(100)는 메모리 셀 어레이(110), 어드레스 디코더(120), 읽기 및 쓰기 회로(130), 제어 로직(140), 그리고 전압 생성 회로(150)를 포함한다.

어드레스 디코더(120), 읽기 및 쓰기 회로(130) 및 전압 생성 회로(150)는 메모리 셀 어레이(110)에 대한 소거 동작을 수행하기 위한 주변 회로로 정의될 수 있다.

메모리 셀 어레이(110)는 복수의 메모리 블럭들(BLK1~BLKz)을 포함한다. 복수의 메모리 블럭들(BLK1~BLKz)은 워드 라인들(WL)을 통해 어드레스 디코더(120)에 연결된다. 복수의 메모리 블럭들(BLK1~BLKz)은 비트 라인들(BL1 내지 BLm)을 통해 읽기 및 쓰기 회로(130)에 연결된다. 복수의 메모리 블럭들(BLK1~BLKz) 각각은 복수의 메모리 셀들을 포함한다. 실시 예로서, 복수의 메모리 셀들은 불휘발성 메모리 셀들이며, 보다 상세하게 복수의 메모리 셀들은 차지 트랩 디바이스(charge trap device) 기반의 불휘발성 메모리 셀들일 수 있다. 동일한 워드라인에 공통적으로 연결된 다수의 메모리 셀들은 하나의 페이지로 정의될 수 있다. 메모리 셀 어레이(110)는 복수의 페이지로 구성된다. 또한 메모리 셀 어레이(110)의 복수의 메모리 블럭들(BLK1~BLKz) 각각은 복수의 스트링을 포함한다. 복수의 스트링 각각은 비트라인과 소스 라인 사이에 직렬 연결된 드레인 선택 트랜지스터, 복수의 메모리 셀들 및 소스 선택 트랜지스터를 포함한다.

어드레스 디코더(120)는 워드 라인들(WL)을 통해 메모리 셀 어레이(110)에 연결된다. 어드레스 디코더(120)는 제어 로직(140)에서 출력되는 제어 신호들(AD_signals)에 응답하여 동작하도록 구성된다. 어드레스 디코더(120)는 반도체 메모리 장치(100) 내부의 입출력 버퍼(미도시)를 통해 어드레스(ADDR)를 수신한다.

어드레스 디코더(120)는 프로그램 동작 또는 리드 동작 시 전압 생성 회로(150)에서 생성된 프로그램 전압(Vpgm) 또는 리드 전압(Vread)을 메모리 셀 어레이(110)의 복수의 워드 라인들(WL)에 인가한다. 또한 어드레스 디코더(120)는 소거 동작 시 메모리 셀 어레이(110)의 복수의 워드 라인들(WL)을 플로팅(floating) 상태로 제어할 수 있다.

반도체 메모리 장치(100)의 소거 동작은 메모리 블럭 단위로 수행될 수 있으며, 전체 메모리 블럭에 대한 소거 명령이 입력된 경우 복수의 메모리 블럭들(BLK1~BLKz)을 동시에 소거시키거나, 복수의 메모리 블럭들(BLK1~BLKz)을 각각 순차적으로 소거시킬 수 있다. 또한 반도체 메모리 장치(100)의 프로그램 또는 리드 동작은 복수의 메모리 블럭들(BLK1~BLKz) 중 적어도 하나의 메모리 블럭을 선택하여 프로그램 동작을 수행하되, 선택된 메모리 블럭에 대한 프로그램 동작 또는 리드 동작은 페이지 단위로 수행될 수 있다.

반도체 메모리 장치의 소거 동작 요청 시에 수신되는 어드레스(ADDR)는 블록 어드레스를 포함하며, 어드레스 디코더(120)는 블록 어드레스에 따라 적어도 하나의 메모리 블럭을 선택하거나, 전체 메모리 블럭을 선택할 수 있다.

또한 반도체 메모리 장치의 제반 동작시 수신되는 어드레스(ADDR)는 블록 어드레스, 행 어드레스 및 열 어드레스를 포함한다. 어드레스 디코더(120)는 블록 어드레스 및 행 어드레스에 따라 하나의 메모리 블럭 및 하나의 워드 라인을 선택한다. 열 어드레스(Yi)는 어드레스 디코더(120)에 의해 디코딩되어 읽기 및 쓰기 회로(130)에 제공된다.

어드레스 디코더(120)는 블록 디코더, 행 디코더, 열 디코더 및 어드레스 버퍼 등을 포함할 수 있다.

읽기 및 쓰기 회로(130)는 복수의 페이지 버퍼들(PB1~PBm)을 포함한다. 복수의 페이지 버퍼들(PB1~PBm)은 비트 라인들(BL1 내지 BLm)을 통해 메모리 셀 어레이(110)에 연결된다. 복수의 페이지 버퍼들(PB1~PBm) 각각은 소거 동작시 선택된 메모리 블럭의 소스 라인에 프리 소거 전압(Vepre)이 인가되기 이전에 비트 라인들(BL1 내지 BLm)에 초기 설정 전압을 인가할 수 있다. 초기 설정 전압은 0V 보다 높고 전원 전압(Vcc)보다 낮은 것이 바람직하다.

또한 복수의 페이지 버퍼들(PB1~PBm) 각각은 프로그램 동작 시 입력된 데이터(DATA)를 임시 저장하고 임시 저장된 데이터에 따라 각각 대응하는 비트라인들(BL1 내지 BLm)의 전위를 제어한다. 또한 읽기 및 쓰기 회로(130)는 리드 동작시 비트라인들(BL1 내지 BLm)의 전위 레벨 또는 전류량을 센싱하여 리드 데이터를 임시 저장한 후 외부로 출력한다.

읽기 및 쓰기 회로(130)는 제어 로직(140)에서 출력되는 제어 신호들(PB_signals)에 응답하여 동작한다.

제어 로직(140)은 어드레스 디코더(120), 읽기 및 쓰기 회로(130), 및 전압 생성 회로(150)에 연결된다. 제어 로직(140)은 반도체 메모리 장치(100)의 입출력 버퍼(미도시)를 통해 커맨드(CMD)를 수신한다. 제어 로직(140)은 커맨드(CMD)에 응답하여 반도체 메모리 장치(100)의 제반 동작을 제어하도록 구성된다.

제어 로직(140)은 소거 동작에 대응하는 커맨드(CMD)가 입력될 경우, 비트 라인들(BL1 내지 BLm)에 초기 설정 전압을 인가하도록 읽기 및 쓰기 회로(130)를 제어한다. 이 후, 비트 라인들(BL1 내지 BLm)을 플로팅시킨 상태에서 프리 소거 전압(Vepre) 및 소거 전압(Vera)이 순차적으로 선택된 메모리 블럭의 소스 라인에 인가되도록 전압 생성 회로(150)를 제어한다.

또한 본 발명의 다른 실시 예에 따른 제어 로직(140)은 소거 동작시 소스 라인에 인가되는 프리 소거 전압(Vepre) 및 소거 전압(Vera)을 비트 라인들(BL1 내지 BLm)에도 인가하도록 읽기 및 쓰기 회로(130)를 제어할 수 있다. 이때 프리 소거 전압(Vepre) 및 소거 전압(Vera)은 소스 라인과 비트 라인들(BL1 내지 BLm)에 동시에 인가되거나 교번적으로 인가될 수 있다. 또한 비트 라인들(BL1 내지 BLm)에 인가되는 프리 소거 전압(Vepre) 및 소거 전압(Vera)의 인가 시간은 소스 라인에 인가되는 프리 소거 전압(Vepre) 및 소거 전압(Vera)의 인가 시간보다 짧을 수 있다.

전압 생성 회로(150)는 제어 로직(140)에서 출력되는 제어 신호들(VG_signals)에 응답하여 동작한다.

전압 생성 회로(150)는 소거 동작 시 제어 로직(140)의 제어에 따라 프리 소거 전압(Vepre) 및 소거 전압(Vera)을 순차적으로 생성하여 메모리 셀 어레이(110)의 소스 라인을 통해 복수의 메모리 블럭들(BLK1~BLKz) 중 선택된 메모리 블럭들에 제공된다.

또한 전압 생성 회로(150)는 프로그램 동작 또는 리드 동작 시 제어 로직(140)의 제어에 따라 프로그램 전압(Vpgm) 또는 리드 전압(Vread)을 생성한다.

도 2는 도 1의 메모리 셀 어레이(110)의 일 실시 예를 보여주는 블록도이다.

도 2를 참조하면, 메모리 셀 어레이(110)는 복수의 메모리 블럭들(BLK1~BLKz)을 포함한다. 각 메모리 블럭은 3차원 구조를 갖는다. 각 메모리 블럭은 기판 위에 적층된 복수의 메모리 셀들을 포함한다. 이러한 복수의 메모리 셀들은 +X 방향, +Y 방향 및 +Z 방향을 따라 배열된다. 각 메모리 블럭의 구조는 도 3 및 도 4를 참조하여 더 상세히 설명된다.

도 3은 본 발명에 따른 메모리 블럭에 포함된 메모리 스트링을 설명하기 위한 입체도이다. 도 4는 메모리 스트링을 설명하기 위한 회로도이다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 반도체 기판 상에 소스 라인(SL)이 형성된다. 소스 라인(SL) 상에는 수직 채널층(SP)이 형성된다. 수직 채널층(SP)의 상부는 비트라인(BL)과 연결된다. 수직 채널층(SP)은 폴리실리콘으로 형성될 수 있다. 수직 채널층(SP)의 서로 다른 높이에서 수직 채널층(SP)을 감싸도록 복수의 도전막들(SGS, WL0~WLn, SGD)이 형성된다. 수직 채널층(SP)의 표면에는 전하 저장막을 포함하는 다층막(미도시)이 형성되며, 다층막은 수직 채널층(SP)과 도전막들(SGSL, WL0~WLn, SGD) 사이에도 위치한다. 다층막은 산화막, 질화막, 및 산화막이 순차적으로 적층된 ONO 구조로 형성될 수 있다. 복수의 도전막들(WL0~WLn)은 워드라인이며 도전막들(SGS)는 소스 선택 트랜지스터(SST)와 연결된 소스 선택 라인, 도전막(SGD)는 드레인 선택 트랜지스터(SDT)와 연결된 드레인 선택 라인으로 정의할 수 있다.

최하부 도전막은 소스 선택 라인(또는 제1 선택 라인)(SGS)이 되고, 최상부 도전막은 드레인 선택 라인(또는 제2 선택 라인)(SGD)이 된다. 선택 라인들(SGS, SGD) 사이의 도전막들은 워드 라인들(WL0~WLn)이 된다. 다시 말해, 반도체 기판 상에는 도전막들(SGS, WL0~WLn, SGD)이 다층으로 형성되고, 도전막들(SGS, WL0~WLn, SGD)을 관통하는 수직 채널층(SP)이 비트라인(BL)과 반도체 기판에 형성된 소스 라인(SL) 사이에 수직으로 연결된다.

최상부 도전막(SGD)이 수직 채널층(SP)을 감싸는 부분에서 드레인 선택 트랜지스터(SDT)가 형성되고, 최하부 도전막(SGS)이 수직 채널층(SP)을 감싸는 부분에서 소스 선택 트랜지스터(SST)가 형성된다. 중간 도전막들(WL0~WLn)이 수직 채널층(SP)을 감싸는 부분들에서 메모리 셀들(C0~Cn)이 형성된다.

상기의 구조에 의해, 메모리 스트링은 소스 라인(SL)과 비트라인(BL) 사이에 기판과 수직으로 연결되는 소스 선택 트랜지스터(SST), 메모리 셀들(C0~Cn) 및 드레인 선택 트랜지스터(SDT)를 포함한다. 소스 선택 트랜지스터(SST)는 제1 선택 라인(SGS)으로 인가되는 제1 선택 신호에 따라 메모리 셀들(C0~Cn)을 소스 라인(SL)과 전기적으로 연결시킨다. 드레인 선택 트랜지스터(SDT)는 제2 선택 라인(SGD)으로 인가되는 제2 선택 신호에 따라 메모리 셀들(C0~Cn)을 비트라인(BL)과 전기적으로 연결시킨다.

도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 메모리 블록에 포함된 메모리 스트링을 설명하기 위한 메모리 블록의 사시도이다. 단, 설명의 편의를 위해 층간절연막들은 생략하여 도시하였다.

도 5에 도시된 바와 같이, 메모리 블럭은 제1방향(I-I') 및 제1방향(I-I')과 교차되는 제2방향(Ⅱ-Ⅱ')으로 배열된 U형 채널층(CH)들을 포함한다. 여기서, U형 채널층(CH)은 파이프 게이트(PG) 내에 형성된 파이프 채널막(P_CH) 및 파이프 채널막(P_CH)과 연결된 한 쌍의 소스 사이드 채널막(S_CH) 및 드레인 사이드 채널막(D_CH)을 포함한다.

또한, 반도체 메모리 소자는 파이프 게이트(PG) 상에 소스 사이드 채널막(S_CH)을 따라 적층된 복수의 도전막들(S_WL) 및 파이프 게이트(PG) 상에 드레인 사이드 채널막(D_CH)을 따라 적층된 복수의 도전막들(D_WL)을 포함한다. 여기서, 복수의 도전막들(S_WL) 상에는 소스 선택 트랜지스터용 도전막(SGS)이 형성되고, 복수의 도전막들(D_WL) 상에는 드레인 선택 트랜지스터용 도전막(SGD)가 형성된다.

이와 같은 구조에 따르면, U형 채널층(CH)을 따라 메모리 셀들이 적층되고, U형 채널층(CH)의 양 끝단에 드레인 선택트랜지스터 및 소스 선택트랜지스터가 각각 구비되며, U 형태로 스트링의 최하부에 배치된 파이프 게이트(PG)는 메모리 셀들의 중간 위치에 배치되어 파이프 트랜지스터로 동작한다.

또한, 반도체 메모리 소자는 드레인 사이드 채널막(D_CH)과 연결되어 제1 방향(I-I')으로 확장된 비트라인(BL) 및 소스 사이드 채널막(S_CH)과 연결되어 제2 방향(Ⅱ-Ⅱ')으로 확장된 소스라인(SL)을 구비한다.

도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.

도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치의 동작을 설명하기 위한 신호들의 파형도이다.

도 1 내지 도 7을 참조하여 본 발명의 실시 예에 빠른 반도체 메모리 장치의 소거 동작을 설명하면 다음과 같다.

외부로부터 소거 명령에 대한 커맨드(CMD)가 입력되면(S110), 제어 로직(140)은 반도체 메모리 장치의 소거 동작을 수행하기 위하여 주변 회로들을 제어한다.

읽기 및 쓰기 회로(130)에 포함된 복수의 페이지 버퍼들(PB1~PBm)은 제어 로직(140)에서 출력되는 제어 신호들(PB_signals)에 응답하여 t1 구간 동안 비트 라인들(BL1 내지 BLm)에 초기 설정 전압(Vint)을 인가한다(S120). 초기 설정 전압은 0V 보다 높고 전원 전압(Vcc)보다 낮은 것이 바람직하다. 이때 워드라인들(WL<n:0>)에는 접지 전압(Vss, 0V)이 인가된다.

t1 구간이 종료된 후, t2 구간에서 복수의 페이지 버퍼들(PB1~PBm)은 비트 라인들(BL1 내지 BLm)에 인가되던 초기 설정 전압(Vint)을 차단하여 플로팅(floating) 상태가 되도록 제어함과 동시에 전압 생성 회로(150)는 프리 소거 전압(Vepre)을 선택된 메모리 블럭의 소스 라인(SL)에 인가한다(S130). 이로 인하여 플로팅(floating) 상태의 비트 라인들(BL1 내지 BLm)은 소스 라인(SL)에 인가되는 프리 소거 전압(Vepre)에 의한 커플링 현상에 의해 특정 전위 레벨(αV_epre)로 상승하게 된다. 특정 전위 레벨(αV_epre)은 프리 소거 전압(Vepre)과 초기 설정 전압(Vint)의 합과 유사하다. 즉, 비트 라인들(BL1 내지 BLm)의 전위 레벨은 초기 설정 전압(Vint)에서 프리 소거 전압(Vepre) 만큼 상승할 수 있다.

t2 구간에서 소스 라인(SL)에 인가된 프리 소거 전압(Vepre)에 의해 게이트 유기 전류(GIDL: Gate Induce Drain Leakage)가 소스 선택 트랜지스터(SST) 하부 채널에서 생성되어 채널(Channel) 방향으로 흐르게 된다. 즉, 소스 선택 트랜지스터(SST)의 드레인 영역에서 핫홀이 발생되어 채널(Channel) 방향으로 유입되어 채널(Channel)의 전위가 상승하게 된다. 이때 워드라인들(WL<n:0>)은 플로팅 상태로 제어된다.

이 후, t3 구간에서부터 전압 생성 회로(150)는 프리 소거 전압(Vepre) 보다 높은 소거 전압(Vera)을 생성하여 선택된 메모리 블럭의 소스 라인(SL)에 인가한다(S140). 이로 인하여 채널(Channel)의 전위 레벨은 더욱 상승하게 된다.

이때 비트 라인들(BL1 내지 BLm)의 전위 레벨(αV_pre)은 소스 라인(SL)에 인가되는 소거 전압(Vera)과 초기 설정 전압(Vint)의 합과 유사한 전위 레벨로 상승하게 된다.

t3 구간에서 소스 선택 트랜지스터(SST)의 게이트와 연결된 소스 선택 라인(SGS) 플로팅 상태로 제어된다.

이 후, t4 구간에서 워드라인들(WL<n:0>)은 플로팅 상태에서 접지 전압 레벨로 제어된다. 이로 인하여 메모리 셀들(C0 내지 Cn)의 전하 저장층에 저장된 전자들은 높은 전위 레벨을 갖는 채널(Channel)과 접지 전압 레벨의 워드라인들(WL<n:0>)에 의해 트랩된다. 즉, 메모리 셀들(C0 내지 Cn)에 저장된 데이터들이 소거된다.

이 후, t5 구간에서 소스 선택 라인(SGS)은 플로팅 상태에서 접지 전압 레벨로 제어되어 소스 선택 트랜지스터(SST)가 턴오프되어 소거 동작이 종료된다.

상술한 동작과 같이 프리 소거 전압(Vepre) 및 소거 전압(Vera)이 인가되기 이전의 t1 구간에서 복수의 페이지 버퍼들(PB1~PBm)을 이용하여 비트 라인들(BL1 내지 BLm)에 초기 설정 전압(Vint)을 인가함으로써 프리 소거 전압(Vepre) 및 소거 전압(Vera) 인가 동작시 커플링 현상에 의해 비트 라인들(BL1 내지 BLm)의 전위 레벨이 상승하되 초기 설정 전압(Vint) 만큼 더 높은 전위 레벨로 상승시킬 수 있다. 이로 인하여 비트 라인들(BL1 내지 BLm)과 소스 라인(SL)의 전위 레벨 차이가 감소하게 되어 소거 동작이 개선될 수 있다. 또한 비트 라인들(BL1 내지 BLm)의 전위 레벨이 상승하게 되어 드레인 선택 트랜지스터(SDT)의 하부 채널에서도 핫홀이 발생되어 소거 동작의 효율이 더욱 증대될 수 있다.

상술한 본 발명에 따른 소거 동작은 도 3 및 도 4에 도시된 메모리 스트링을 일예로 설명하였으나, 메모리 스트링이 도 5와 같이 파이프 트랜지스터를 포함하는 경우 도 7과 같이 t1 내지 t2 구간에서 파이프 게이트(PG)에 초기 설정 전압(Vint)을 인가한 후 t3 구간에서 플로팅 상태로 제어한다. 이때 파이프 게이트(PG)에 인가되는 초기 설정 전압(Vint)은 비트 라인들(BL1 내지 BLm)에 인가되는 초기 설정 전압(Vint)과 상이한 양의 전압일 수 있다.

이로 인하여 파이프 트랜지스터를 통해 전달되는 바이어스의 전달이 용이하게 되어 채널의 전위 레벨이 균일하게 상승될 수 있다.

또한 상술한 실시 예에서는 t1 내지 t2 구간에서 워드라인들(WL<n:0>)에 접지 전압을 인가하는 것으로 설명 및 도시하였으나, t1 내지 t2 구간에서 워드라인들(WL<n:0>)에 양의 설정 전압을 인가할 수 있다. 이로 인하여 후속 t3 구간에서의 플로팅시 워드라인들(WL<n:0>)의 전위 레벨이 더욱 높아지게 되어 채널을 통해 전달되는 바이어스가 더욱 용이하게 전달될 수 있다.

또한 소스 라인(SL)에도 프리 소거 전압(Vepre)이 인가되기 이전인 t1 구간에서 양의 설정 전압을 인가한 후 접지 전압 레벨로 하강시킬 수 있다. 이로 인하여 커플링 현상에 의해 비트 라인들(BL1 내지 BLm)의 초기 전위 레벨이 더욱 상승할 수 있다.

도 8은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치의 동작을 설명하기 위한 순서도이다.

도 9는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치의 동작을 설명하기 위한 신호들의 파형도이다.

도 1 내지 도 5, 도 8 및 도 9를 참조하여 본 발명의 실시 예에 빠른 반도체 메모리 장치의 소거 동작을 설명하면 다음과 같다.

외부로부터 소거 명령에 대한 커맨드(CMD)가 입력되면(S210), 제어 로직(140)은 반도체 메모리 장치의 소거 동작을 수행하기 위하여 주변 회로들을 제어한다.

전압 생성 회로(150) 및 읽기 및 쓰기 회로(130)는 소거 동작을 위하여 소스 라인(SL) 및 비트 라인들(BL1 내지 BLm)에 프리 소거 전압(Vepre) 및 소거 전압(Vera)을 인가한다(S220).

이를 좀 더 상세하게 설명하면 다음과 같다.

t1 구간 동안 전압 생성 회로(150)는 프리 소거 전압(Vepre)을 선택된 메모리 블럭의 소스 라인(SL)에 인가하고, 읽기 및 쓰기 회로(130)에 포함된 복수의 페이지 버퍼들(PB1~PBm)은 제어 로직(140)에서 출력되는 제어 신호들(PB_signals)에 응답하여 비트 라인들(BL1 내지 BLm)에 소스 라인(SL)에 인가되는 프리 소거 전압(Vepre)과 동일한 전압을 인가한다. 이때 워드라인들(WL<n:0>)은 워드라인들(WL<n:0>)은 플로팅 상태로 제어된다.

소스 라인(SL)에 인가된 프리 소거 전압(Vepre)에 의해 게이트 유기 전류(GIDL: Gate Induce Drain Leakage)가 소스 선택 트랜지스터(SST) 하부 채널에서 생성되고, 비트 라인들(BL1 내지 BLm)에 인가된 프리 소거 전압(Vepre)에 의해 게이트 유기 전류(GIDL)이 드레인 선택 트랜지스터(SDT) 하부 채널에서도 형성된다.

t1 구간이 종료된 후, t2 구간에서 전압 생성 회로(150) 및 복수의 페이지 버퍼들(PB1~PBm)은 제어 로직(140)에서 출력되는 제어 신호들(VG_signals, PB_signals)에 응답하여 소스 라인(SL) 및 비트 라인들(BL1 내지 BLm)에 소거 전압(Vera)을 인가한다. 이로 인하여 채널(Channel)의 전위 레벨은 더욱 상승하게 된다. t2 구간에서 소스 선택 트랜지스터(SST)의 게이트와 연결된 소스 선택 라인(SGS)은 플로팅 상태로 제어된다.

이 후, t3 구간에서 워드라인들(WL<n:0>)은 플로팅 상태에서 접지 전압 레벨로 제어된다. 이로 인하여 메모리 셀들(C0 내지 Cn)의 전하 저장층에 저장된 전자들은 높은 전위 레벨을 갖는 채널(Channel)과 접지 전압 레벨의 워드라인들(WL<n:0>)에 의해 트랩된다. 즉, 메모리 셀들(C0 내지 Cn)에 저장된 데이터들이 소거된다.

이 후, t4 구간에서 소스 선택 라인(SGS)은 플로팅 상태에서 접지 전압 레벨로 제어되어 소스 선택 트랜지스터(SST)가 턴오프되어 소거 동작이 종료된다.

상술한 동작과 같이 프리 소거 전압(Vepre) 및 소거 전압(Vera)이 소스 라인(SL)과 비트 라인들(BL1 내지 BLm)에 동시에 인가됨으로써, 비트 라인들(BL1 내지 BLm)과 소스 라인(SL)의 전위 레벨 차이가 감소하게 되어 소거 동작이 개선될 수 있다. 또한 비트 라인들(BL1 내지 BLm)에 프리 소거 전압(Vepre) 및 소거 전압(Vera)이 인가되어 드레인 선택 트랜지스터(SDT)의 하부 채널에서도 핫홀이 발생되어 소거 동작의 효율이 더욱 증대될 수 있다.

상술한 본 발명에 따른 소거 동작은 도 3 및 도 4에 도시된 메모리 스트링을 일예로 설명하였으나, 메모리 스트링이 도 5와 같이 파이프 트랜지스터를 포함하는 경우 도 9와 같이 t2 내지 t3 구간에서 파이프 게이트(PG)에 인가되는 전압을 플로팅 상태로 제어할 수 있다.

상술한 실시 예에서는 프리 소거 전압(Vepre) 및 소거 전압(Vera)이 소스 라인(SL)과 비트 라인들(BL1 내지 BLm)에 동시에 인가되는 것으로 설명하였으나, 프리 소거 전압(Vepre) 및 소거 전압(Vera)은 소스 라인(SL)과 비트 라인들(BL1 내지 BLm)에 교번적으로 인가될 수 있다. 또한 비트라인들(BL1 내지 BLm)의 캐패시턴스 값이 소스 라인(SL)의 캐패시턴스 값 보다 상대적으로 작으므로 비트 라인들(BL1 내지 BLm)에 인가되는 프리 소거 전압(Vepre) 및 소거 전압(Vera)의 인가 시간이 소스 라인(SL)에 인가되는 프리 소거 전압(Vepre) 및 소거 전압(Vera)의 인가 시간보다 짧도록 제어하는 것이 바람직하다.

도 10은 도 1의 반도체 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템을 보여주는 블럭도이다.

도 10을 참조하면, 메모리 시스템(1000)은 반도체 메모리 장치(100) 및 컨트롤러(1100)를 포함한다.

반도체 메모리 장치(100)는 도 1을 참조하여 설명된 바와 마찬가지로 구성되고, 동작할 수 있다. 이하, 중복되는 설명은 생략된다.

컨트롤러(1100)는 호스트(Host) 및 반도체 메모리 장치(100)에 연결된다. 호스트(Host)로부터의 요청에 응답하여, 컨트롤러(1100)는 반도체 메모리 장치(100)를 액세스하도록 구성된다. 예를 들면, 컨트롤러(1100)는 반도체 메모리 장치(100)의 읽기, 쓰기, 소거, 그리고 배경(background) 동작을 제어하도록 구성된다. 컨트롤러(1100)는 반도체 메모리 장치(100) 및 호스트(Host) 사이에 인터페이스를 제공하도록 구성된다. 컨트롤러(1100)는 반도체 메모리 장치(100)를 제어하기 위한 펌웨어(firmware)를 구동하도록 구성된다.

컨트롤러(1100)는 램(1110, Random Access Memory), 프로세싱 유닛(1120, processing unit), 호스트 인터페이스(1130, host interface), 메모리 인터페이스(1140, memory interface) 및 에러 정정 블록(1150)을 포함한다. 램(1110)은 프로세싱 유닛(1120)의 동작 메모리, 반도체 메모리 장치(100) 및 호스트(Host) 사이의 캐시 메모리, 그리고 반도체 메모리 장치(100) 및 호스트(Host) 사이의 버퍼 메모리 중 적어도 하나로서 이용된다. 프로세싱 유닛(1120)은 컨트롤러(1100)의 제반 동작을 제어한다. 또한 컨트롤러(1100)는 쓰기 동작시 호스트(Host)로 부터 제공되는 프로그램 데이터를 임시 저장할 수 있다.

호스트 인터페이스(1130)는 호스트(Host) 및 컨트롤러(1100) 사이의 데이터 교환을 수행하기 위한 프로토콜을 포함한다. 예시적인 실시 예로서, 컨트롤러(1200)는 USB (Universal Serial Bus) 프로토콜, MMC (multimedia card) 프로토콜, PCI (peripheral component interconnection) 프로토콜, PCI-E (PCI-express) 프로토콜, ATA (Advanced Technology Attachment) 프로토콜, Serial-ATA 프로토콜, Parallel-ATA 프로토콜, SCSI (small computer small interface) 프로토콜, ESDI (enhanced small disk interface) 프로토콜, 그리고 IDE (Integrated Drive Electronics) 프로토콜, 사유(private) 프로토콜 등과 같은 다양한 인터페이스 프로토콜들 중 적어도 하나를 통해 호스트(Host)와 통신하도록 구성된다.

메모리 인터페이스(1140)는 반도체 메모리 장치(100)와 인터페이싱한다. 예를 들면, 메모리 인터페이스는 낸드 인터페이스 또는 노어 인터페이스를 포함한다.

에러 정정 블록(1150)은 에러 정정 코드(ECC, Error Correcting Code)를 이용하여 반도체 메모리 장치(100)로부터 수신된 데이터의 에러를 검출하고, 정정하도록 구성된다. 프로세싱 유닛(1120)은 에러 정정 블록(1150)의 에러 검출 결과에 따라 읽기 전압을 조절하고, 재 읽기를 수행하도록 반도체 메모리 장치(100)를 제어할 것이다. 예시적인 실시 예로서, 에러 정정 블록은 컨트롤러(1100)의 구성 요소로서 제공될 수 있다.

컨트롤러(1100) 및 반도체 메모리 장치(100)는 하나의 반도체 장치로 집적될 수 있다. 예시적인 실시 예로서, 컨트롤러(1100) 및 반도체 메모리 장치(100)는 하나의 반도체 장치로 집적되어, 메모리 카드를 구성할 수 있다. 예를 들면, 컨트롤러(1100) 및 반도체 메모리 장치(100)는 하나의 반도체 장치로 집적되어 PC 카드(PCMCIA, personal computer memory card international association), 컴팩트 플래시 카드(CF), 스마트 미디어 카드(SM, SMC), 메모리 스틱, 멀티미디어 카드(MMC, RS-MMC, MMCmicro), SD 카드(SD, miniSD, microSD, SDHC), 유니버설 플래시 기억장치(UFS) 등과 같은 메모리 카드를 구성할 것이다.

컨트롤러(1100) 및 반도체 메모리 장치(100)는 하나의 반도체 장치로 집적되어 반도체 드라이브(SSD, Solid State Drive)를 구성할 수 있다. 반도체 드라이브(SSD)는 반도체 메모리에 데이터를 저장하도록 구성되는 저장 장치를 포함한다. 메모리 시스템(1000)이 반도체 드라이브(SSD)로 이용되는 경우, 메모리 시스템(1000)에 연결된 호스트(Host)의 동작 속도는 획기적으로 개선된다.

다른 예로서, 메모리 시스템(1000)은 컴퓨터, UMPC (Ultra Mobile PC), 워크스테이션, 넷북(net-book), PDA (Personal Digital Assistants), 포터블(portable) 컴퓨터, 웹 타블렛(web tablet), 무선 전화기(wireless phone), 모바일 폰(mobile phone), 스마트폰(smart phone), e-북(e-book), PMP(portable multimedia player), 휴대용 게임기, 네비게이션(navigation) 장치, 블랙박스(black box), 디지털 카메라(digital camera), 3차원 수상기(3-dimensional television), 디지털 음성 녹음기(digital audio recorder), 디지털 음성 재생기(digital audio player), 디지털 영상 녹화기(digital picture recorder), 디지털 영상 재생기(digital picture player), 디지털 동영상 녹화기(digital video recorder), 디지털 동영상 재생기(digital video player), 정보를 무선 환경에서 송수신할 수 있는 장치, 홈 네트워크를 구성하는 다양한 전자 장치들 중 하나, 컴퓨터 네트워크를 구성하는 다양한 전자 장치들 중 하나, 텔레매틱스 네트워크를 구성하는 다양한 전자 장치들 중 하나, RFID 장치, 또는 컴퓨팅 시스템을 구성하는 다양한 구성 요소들 중 하나 등과 같은 전자 장치의 다양한 구성 요소들 중 하나로 제공된다.

예시적인 실시 예로서, 반도체 메모리 장치(100) 또는 메모리 시스템(1000)은 다양한 형태들의 패키지로 실장될 수 있다. 예를 들면, 반도체 메모리 장치(100) 또는 메모리 시스템(1000)은 PoP(Package on Package), Ball grid arrays(BGAs), Chip scale packages(CSPs), Plastic Leaded Chip Carrier(PLCC), Plastic Dual In Line Package(PDIP), Die in Waffle Pack, Die in Wafer Form, Chip On Board(COB), Ceramic Dual In Line Package(CERDIP), Plastic Metric Quad Flat Pack(MQFP), Thin Quad Flatpack(TQFP), Small Outline(SOIC), Shrink Small Outline Package(SSOP), Thin Small Outline(TSOP), Thin Quad Flatpack(TQFP), System In Package(SIP), Multi Chip Package(MCP), Wafer-level Fabricated Package(WFP), Wafer-Level Processed Stack Package(WSP) 등과 같은 방식으로 패키지화되어 실장될 수 있다.

도 11은 도 10의 메모리 시스템의 응용 예를 보여주는 블럭도이다.

도 11을 참조하면, 메모리 시스템(2000)은 반도체 메모리 장치(2100) 및 컨트롤러(2200)를 포함한다. 반도체 메모리 장치(2100)는 복수의 반도체 메모리 칩들을 포함한다. 복수의 반도체 메모리 칩들은 복수의 그룹들로 분할된다.

도 11에서, 복수의 그룹들은 각각 제 1 내지 제 k 채널들(CH1~CHk)을 통해 컨트롤러(2200)와 통신하는 것으로 도시되어 있다. 각 반도체 메모리 칩은 도 1을 참조하여 설명된 반도체 메모리 장치(100) 중 하나와 마찬가지로 구성되고, 동작할 것이다.

각 그룹은 하나의 공통 채널을 통해 컨트롤러(2200)와 통신하도록 구성된다. 컨트롤러(2200)는 도 10을 참조하여 설명된 컨트롤러(1100)와 마찬가지로 구성되고, 복수의 채널들(CH1~CHk)을 통해 반도체 메모리 장치(2100)의 복수의 메모리 칩들을 제어하도록 구성된다.

도 12는 도 11을 참조하여 설명된 메모리 시스템을 포함하는 컴퓨팅 시스템을 보여주는 블럭도이다.

도 12를 참조하면, 컴퓨팅 시스템(3000)은 중앙 처리 장치(3100), 램(3200, RAM, Random Access Memory), 사용자 인터페이스(3300), 전원(3400), 시스템 버스(3500), 그리고 메모리 시스템(2000)을 포함한다.

메모리 시스템(2000)은 시스템 버스(3500)를 통해, 중앙처리장치(3100), 램(3200), 사용자 인터페이스(3300), 그리고 전원(3400)에 전기적으로 연결된다. 사용자 인터페이스(3300)를 통해 제공되거나, 중앙 처리 장치(3100)에 의해서 처리된 데이터는 메모리 시스템(2000)에 저장된다.

도 12에서, 반도체 메모리 장치(2100)는 컨트롤러(2200)를 통해 시스템 버스(3500)에 연결되는 것으로 도시되어 있다. 그러나, 반도체 메모리 장치(2100)는 시스템 버스(3500)에 직접 연결되도록 구성될 수 있다. 이때, 컨트롤러(2200)의 기능은 중앙 처리 장치(3100) 및 램(3200)에 의해 수행될 것이다.

도 12에서, 도 11을 참조하여 설명된 메모리 시스템(2000)이 제공되는 것으로 도시되어 있다. 그러나, 메모리 시스템(2000)은 도 10을 참조하여 설명된 메모리 시스템(1000)으로 대체될 수 있다. 예시적인 실시 예로서, 컴퓨팅 시스템(3000)은 도 10 및 도 11을 참조하여 설명된 메모리 시스템들(1000, 2000)을 모두 포함하도록 구성될 수 있다.

본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위와 기술적 사상에서 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 변경이 가능하다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

100: 반도체 메모리 장치
110: 메모리 셀 어레이
120: 어드레스 디코더
130: 읽기 및 쓰기 회로
140: 제어 로직
150: 전압 생성 회로

Claims

다수의 메모리 블럭들을 포함하는 메모리 셀 어레이;
소거 동작 시 상기 다수의 메모리 블럭들 중 선택된 적어도 하나 이상의 메모리 블럭의 소스 라인에 소거 전압을 인가하기 위한 전압 생성 회로;
상기 소거 동작 시 상기 선택된 적어도 하나 이상의 메모리 블럭의 비트라인들에 0V보다 높은 초기 설정 전압을 인가하기 위한 읽기 및 쓰기 회로; 및
상기 소거 전압을 상기 소스 라인에 인가하기 이전에 상기 초기 설정 전압을 상기 비트라인들에 인가하도록 상기 전압 생성 회로 및 상기 읽기 및 쓰기 회로를 제어하기 위한 제어 로직을 포함하는 반도체 메모리 장치.
◈청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 1 항에 있어서,
상기 초기 설정 전압은 전원 전압보다 낮은 반도체 메모리 장치.
◈청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 1 항에 있어서,
상기 전압 생성 회로는 상기 소거 전압을 인가하기 이전에 프리 소거 전압을 상기 소스 라인에 인가한 후 상기 프리 소거 전압을 상승시켜 상기 소거 전압을 상기 소스 라인에 인가하는 반도체 메모리 장치.
◈청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 3 항에 있어서,
상기 읽기 및 쓰기 회로는 상기 프리 소거 전압을 인가하기 이전에 상기 초기 설정 전압을 상기 비트라인들에 인가하는 반도체 메모리 장치.
◈청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 1 항에 있어서,
상기 읽기 및 쓰기 회로는 상기 초기 설정 전압을 상기 비트라인들에 인가한 후 상기 소거 전압이 상기 소스 라인에 인가될 때 상기 비트라인들을 플로팅 상태로 제어하는 반도체 메모리 장치.
◈청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 1 항에 있어서,
상기 전압 생성 회로는 상기 소거 전압을 인가할 때 상기 선택된 적어도 하나 이상의 메모리 블럭의 워드라인들을 플로팅 상태로 제어하는 반도체 메모리 장치.
◈청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 6 항에 있어서,
상기 전압 생성 회로는 상기 워드라인들은 상기 플로팅 상태로 제어되기 전에 양의 설정 전압을 인가하는 반도체 메모리 장치.
◈청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 1 항에 있어서,
상기 전압 생성 회로는 상기 소스 라인에 상기 소거 전압을 인가하기 전에 상기 선택된 적어도 하나 이상의 메모리 블록에 포함된 파이프 트랜지스터의 게이트에 양의 설정 전압을 인가하고, 상기 소거 전압이 상기 소스 라인에 인가될 때 상기 파이프 트랜지스터를 플로팅 상태로 제어하는 반도체 메모리 장치.
◈청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 1 항에 있어서,
상기 전압 생성 회로는 상기 소스 라인에 상기 소거 전압을 인가하기 이전에 상기 소스 라인에 접지 전압 및 설정된 양의 전압을 순차적으로 인가하는 반도체 메모리 장치.
소스 라인과 비트라인 사이에 소스 선택 트랜지스터, 다수의 메모리 셀들, 드레인 선택 트랜지스터가 직렬 연결된 메모리 스트링;
상기 비트라인에 연결된 페이지 버퍼; 및
상기 소스 라인에 프리 소거 전압 및 소거 전압을 인가하기 위한 전압 생성 회로를 포함하며,
소거 동작시 상기 페이지 버퍼는 상기 프리 소거 전압이 상기 소스 라인에 인가되기 이전에 상기 비트라인에 0V보다 높은 초기 설정 전압을 인가하고, 상기 프리 소거 전압 및 상기 소거 전압이 상기 소스 라인에 인가될 때 상기 비트라인을 플로팅시키는 반도체 메모리 장치.
◈청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 10 항에 있어서,
상기 초기 설정 전압은 전원 전압보다 낮은 반도체 메모리 장치.
◈청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 10 항에 있어서,
상기 전압 생성 회로는 상기 프리 소거 전압이 상기 소스 라인에 인가될 때 설정된 양의 전압을 상기 다수의 메모리 셀들과 연결된 워드라인들에 인가하고,
상기 소거 전압이 인가될 때 상기 워드라인들을 플로팅시키는 반도체 메모리 장치.
◈청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 10 항에 있어서,
상기 전압 생성 회로는 상기 소스 라인에 상기 프리 소거 전압을 인가하기 이전에 상기 소스 라인에 접지 전압을 인가하는 반도체 메모리 장치.
다수의 메모리 블럭들 중 선택된 메모리 블럭의 비트라인들에 0V보다 높은 초기 설정 전압을 인가하는 단계;
상기 비트라인들을 플로팅시키는 단계; 및
상기 비트라인들이 플로팅된 상태에서 상기 선택된 메모리 블럭의 소스 라인에 소거 전압을 인가하는 단계를 포함하는 반도체 메모리 장치의 동작 방법.
◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 14 항에 있어서,
상기 초기 설정 전압은 전원 전압보다 낮은 반도체 메모리 장치의 동작 방법.
◈청구항 16은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 14 항에 있어서,
상기 소거 전압을 인가하는 단계는 상기 비트라인들이 플로팅된 상태에서 상기 소스 라인에 프리 소거 전압을 일정시간 동안 인가한 후 상기 프리 소거 전압을 상승시켜 상기 소거 전압을 인가하는 반도체 메모리 장치의 동작 방법.
◈청구항 17은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 16 항에 있어서,
상기 비트라인들에 상기 초기 설정 전압을 인가할 때 상기 선택된 메모리 블록의 워드라인들에 양의 설정 전압을 인가시키는 단계; 및
상기 프리 소거 전압을 상승시킬 때 상기 워드라인들을 플로팅 시키는 단계를 더 포함하는 반도체 메모리 장치의 동작 방법.
◈청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 16 항에 있어서,
상기 프리 소거 전압을 상승시킬 때 상기 선택된 메모리 블럭의 소스 선택 라인을 플로팅 시키는 단계를 더 포함하는 반도체 메모리 장치의 동작 방법.
◈청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 16 항에 있어서,
상기 소스 라인에 상기 프리 소거 전압을 인가하기 이전에 상기 소스 라인에 접지 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는 반도체 메모리 장치의 동작 방법.
다수의 메모리 블럭들을 포함하는 메모리 셀 어레이;
소거 동작 시 상기 다수의 메모리 블럭들 중 선택된 적어도 하나 이상의 메모리 블럭의 소스 라인에 소거 전압을 인가하기 위한 전압 생성 회로;
상기 소거 동작 시 상기 선택된 적어도 하나 이상의 메모리 블록의 비트라인들에 상기 소거 전압을 인가하기 위한 읽기 및 쓰기 회로; 및
상기 소거 동작시 상기 소거 전압이 상기 소스 라인 및 상기 비트라인들에 동시에 인가되거나 교번적으로 인가되도록 상기 전압 생성 회로 및 상기 읽기 및 쓰기 회로를 제어하기 위한 제어 로직을 포함하는 반도체 메모리 장치.
◈청구항 21은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈

제 20 항에 있어서,
상기 제어 로직은 상기 비트라인들에 인가되는 상기 소거 전압의 인가시간이 상기 소스 라인에 인가되는 상기 소거 전압의 인가시간보다 짧도록 상기 전압 생성 회로 및 상기 읽기 및 쓰기 회로를 제어하는 반도체 메모리 장치.