KR102610555B1 - 다공질 세라믹스, 반도체 제조 장치용 부재, 샤워 플레이트, 및 플러그 - Google Patents

다공질 세라믹스, 반도체 제조 장치용 부재, 샤워 플레이트, 및 플러그 Download PDF

Info

Publication number
KR102610555B1
KR102610555B1 KR1020217012194A KR20217012194A KR102610555B1 KR 102610555 B1 KR102610555 B1 KR 102610555B1 KR 1020217012194 A KR1020217012194 A KR 1020217012194A KR 20217012194 A KR20217012194 A KR 20217012194A KR 102610555 B1 KR102610555 B1 KR 102610555B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
porous ceramics
yttrium
semiconductor manufacturing
zirconate
yttrium oxide
Prior art date
Application number
KR1020217012194A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210063399A (ko
Inventor
히로마사 마츠후지
Original Assignee
교세라 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 교세라 가부시키가이샤 filed Critical 교세라 가부시키가이샤
Publication of KR20210063399A publication Critical patent/KR20210063399A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102610555B1 publication Critical patent/KR102610555B1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/48—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zirconium or hafnium oxides, zirconates, zircon or hafnates
    • C04B35/486—Fine ceramics
    • C04B35/488—Composites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/50—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds
    • C04B35/505—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on rare-earth compounds based on yttrium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
    • C04B38/0051—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof characterised by the pore size, pore shape or kind of porosity
    • C04B38/0054—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof characterised by the pore size, pore shape or kind of porosity the pores being microsized or nanosized
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
    • C04B38/0051—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof characterised by the pore size, pore shape or kind of porosity
    • C04B38/0058—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof characterised by the pore size, pore shape or kind of porosity open porosity
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
    • C04B38/007—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof characterised by the pore distribution, e.g. inhomogeneous distribution of pores
    • C04B38/0074—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof characterised by the pore distribution, e.g. inhomogeneous distribution of pores expressed as porosity percentage
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
    • C04B38/06—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof by burning-out added substances by burning natural expanding materials or by sublimating or melting out added substances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
    • C04B2235/3225—Yttrium oxide or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3246—Stabilised zirconias, e.g. YSZ or cerium stabilised zirconia
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3244—Zirconium oxides, zirconates, hafnium oxides, hafnates, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3248—Zirconates or hafnates, e.g. zircon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3272—Iron oxides or oxide forming salts thereof, e.g. hematite, magnetite
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
    • C04B2235/405—Iron group metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6567—Treatment time
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/72—Products characterised by the absence or the low content of specific components, e.g. alkali metal free alumina ceramics
    • C04B2235/728—Silicon content
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/77—Density
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/80—Phases present in the sintered or melt-cast ceramic products other than the main phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Porous Artificial Stone Or Porous Ceramic Products (AREA)

Abstract

본 개시의 다공질 세라믹스는 지르콘산 이트륨 및 산화이트륨을 포함하고, 그 중 적어도 어느 하나를 주성분으로 한다. 반도체 제조 장치에 있어서의 샤워 플레이트 또는 플러그 등의 반도체 제조 장치용 부재는 상기 다공질 세라믹스로 이루어진다.

Description

다공질 세라믹스, 반도체 제조 장치용 부재, 샤워 플레이트, 및 플러그
본 개시는 다공질 세라믹스 및 이 다공질 세라믹스를 구비해서 이루어지는 샤워 플레이트, 플러그 등의 반도체 제조 장치용 부재에 관한 것이다.
종래, 플라스마 에칭 장치 등의 반도체 제조 장치에서는 특허문헌 1에 나타내는 바와 같이 기판 지지 어셈블리 상에 재치되는 반도체 웨이퍼 등의 기판과 플라스마 생성용 가스를 도입해서 기판을 향해 공급하기 위한 샤워 플레이트(가스 분배 플레이트) 사이에 고주파 전압을 가해서 플라스마 상태로 하여 기판의 표면에 성막하거나, 기판의 표면에 형성한 박막을 에칭하거나 하는 것이 행해져 있다.
이 기판 지지 어셈블리는 그 두께 방향으로 헬륨 등의 냉각용 가스를 공급하기 위한 관통 구멍을 구비하고 있으며, 이 관통 구멍에는 AlO/SiO, AlO/MgO/SiO, SiC, SiN, AlN/SiO 등의 다공질 세라믹스로 이루어지는 플러그가 삽입되어 있다.
또한, 특허문헌 2에서는 알루미나를 99.5중량% 이상 함유하고, 기공률이 30~65%인 세라믹 다공질체로 이루어지는 샤워 플레이트가 제안되어 있다.
일본 특허공개 2018-162205호 공보 일본 특허공개 2003-282462호 공보
본 개시의 다공질 세라믹스는 지르콘산 이트륨 및 산화이트륨을 포함하고, 그 중 적어도 어느 하나를 주성분으로 한다.
본 개시의 반도체 제조 장치용 부재는 상기 다공질 세라믹스를 구비하여 이루어진다.
본 개시의 샤워 플레이트는 상기 반도체 제조 장치용 부재로 이루어진다.
본 개시의 플러그는 상기 반도체 제조 장치용 부재로 이루어진다.
도 1은 본 개시의 반도체 제조 장치용 부재인 샤워 플레이트 및 플러그를 구비하는 플라스마 처리 장치의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 플라스마 처리 장치의 내부에 배치되는 기판 지지 어셈블리를 확대한 단면도이다.
도 3은 본 개시의 다공질 세라믹스의 X선 회절 패턴을 나타내는 일례이다.
이하, 도면을 참조해서 본 개시의 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다. 단, 본 명세서의 전체 도면에 있어서 혼동을 발생하지 않는 한 동일 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 적시 생략한다.
도 1은 본 개시의 반도체 제조 장치용 부재인 샤워 플레이트 및 플러그를 구비하는 플라스마 처리 장치의 일부를 나타내는 단면도이다. 도 2는 도 1에 나타내는 플라스마 처리 장치의 내부에 배치되는 기판 지지 어셈블리를 확대한 단면도이다.
도 1에 나타내는 플라스마 처리 장치(20)는, 예를 들면 플라스마 에칭 장치이며, 내부에 반도체 웨이퍼 등의 피처리 부재(W)를 배치하는 체임버(1)를 구비하고, 체임버(1) 내의 상측에는 샤워 플레이트(2)가, 하측에는 기판 지지 어셈블리(3)가 대향해서 배치되어 있다.
샤워 플레이트(2)는 플라스마 생성용 가스(G)를 확산하기 위한 내부 공간인 확산부(2a)와, 플라스마 생성용 가스(G)를 체임버(1) 내에 공급하기 위한 가스 통로(기공)를 다수 갖는 다공질 세라믹스로 이루어지는 가스 공급부(2b)를 구비하고 있다.
그리고 가스 공급부(2b)로부터 샤워형상으로 배출된 플라스마 생성용 가스(G)는 고주파 전원(15)으로부터 고주파 전력을 공급함으로써 플라스마가 되며, 플라스마 공간(P)을 형성한다.
여기에서 플라스마 생성용 가스(G)의 예로서 SF6, CF4, CHF3, ClF3, NF3, C4F8, HF 등의 불소계 가스, Cl2, HCl, ＢCl3, CCl4 등의 염소계 가스를 들 수 있다.
기판 지지 어셈블리(3)는 부착부(4), 절연부(5), 지지부(6), 열전도부(7), 및 정전 흡착부(8)를 구비해서 이루어지는 정전 척이며, 정전 흡착부(8)는, 예를 들면 도 2에 나타내는 바와 같이 실리콘 접착제로 이루어지는 접합층(9)을 통해 열전도부(7)에 접합되어 있다.
정전 흡착부(8)는 정전 흡착력에 의해 피처리 부재(W)를 유지하는 것이며, 그 내부에는 복수의 클램프 전극(10)이 배치되어 있다. 클램프 전극(10)은 플라스마 생성용 가스(G)로부터 생성된 플라스마(P)를 체임버(1) 내에 유지하기 위한 정합 회로를 통해 고주파 전원에 전기적으로 결합되어 있다.
그리고 플라스마에 포함되는 이온이나 라디칼에 의해 피처리 부재(W)의 표면에 형성된 피복막은 에칭 처리되도록 되어 있다.
O링(11)은 접합층(9)의 주위에 부착되어 있으며, 접합층(9)을 보호하기 위한 것이다. 절연부(5)는, 예를 들면 플라스틱으로 이루어지며, 부착부(4)로부터 전기적으로 절연하고 있다. 기판 지지 어셈블리(3)는 상하 방향으로 관통하는 관통 구멍(12)을 구비하고 있다. 플러그(13, 14)는 관통 구멍(12)에 삽입된다. 즉, 플러그(13)는 정전 흡착부(8) 내의 관통 구멍(12)에, 또한 플러그(14)는 절연부(5) 내의 관통 구멍(12)에 각각 설치되어 있다. 플러그(13)는 직선 몸통형상의 원기둥체이며, 플러그(14)는 원기둥형상의 축부와, 축부의 일단에 축부의 직경보다 큰 플랜지부를 구비해서 이루어지는 원기둥체이다. 관통 구멍(12)은 냉각용의 헬륨 가스를 체임버(1) 내에 공급하기 위한 통로이다.
플러그(13, 14)는 체임버(1)를 세정하기 위해서 사용되는 플라스마(P)가 관통 구멍(12)을 통과하는 것에 있어서 플라스마(P) 내를 부유하는 입자를 잡아서 이러한 입자의 기판 지지 어셈블리(3) 내로의 침입을 억제할 수 있다. 또한, 플러그(13, 14)는 관통 구멍(12) 내에 있어서의 2차적인 플라스마의 생성을 억제할 수 있다.
상술한 플러그, 샤워 플레이트 등의 본 개시의 반도체 제조 장치용 부재는 지르콘산 이트륨 및 산화이트륨을 포함하고, 그 중 적어도 어느 하나를 주성분으로 하는 다공질 세라믹스로 이루어지는 것이다.
이러한 구성이면 기계적 강도가 높은 지르콘산 이트륨과, 플라스마에 대한 내식성이 높은 산화이트륨을 포함하고, 그 중 적어도 어느 하나가 주성분이 되기 때문에 기계적 강도를 유지하면서도 플라스마에 대한 내식성이 높아지므로 장기간에 걸쳐서 사용할 수 있다.
구체적으로는 본 개시의 다공질 세라믹스에는 이하의 3타입이 포함된다.
(1) 지르콘산 이트륨을 주성분으로서 포함하고, 또한 산화이트륨을 포함한 다공질 세라믹스.
(2) 산화이트륨을 주성분으로서 포함하고, 또한 지르콘산 이트륨을 포함한 다공질 세라믹스.
(3) 지르콘산 이트륨 및 상기 산화이트륨을 주성분으로서 포함하는 다공질 세라믹스.
여기에서 다공질 세라믹스에 있어서의 주성분이란 다공질 세라믹스를 구성하는 성분의 합계 100몰% 중 50몰% 이상을 포함하는 성분을 말한다. 다공질 세라믹스를 구성하는 각 성분은 X선 회절 장치(XRD)를 사용하여 분류할 수 있고, 각 성분의 몰비율은 XRD를 사용한 리트벨트법에 의해 구할 수 있다.
지르콘산 이트륨이 주성분일 경우 산화이트륨의 몰비율은 20몰% 이상이며, 산화이트륨이 주성분일 경우 지르콘산 이트륨의 몰비율은 20몰% 이상이다.
지르콘산 이트륨 및 산화이트륨의 각 몰비율이 모두 50몰%이면 양자가 주성분이다.
지르콘산 이트륨은 조성식이, 예를 들면 YZrOx(3≤x≤3.5), YZr2O7, Y2ZrO5, Y2Zr2O3, Zr0.92Y0.08O1.96 등으로서 나타내어지는 것이다.
다공질 세라믹스는 지르콘산 이트륨 및 산화이트륨 이외 Si, Fe, Al, 및 주기표 제 2 족 원소(이하, 주기표 제 2 족 원소를 AE라고 기재한다)의 적어도 어느 하나를 산화물로서 포함하고 있어도 좋고, Si가 SiO2로 환산해서 300질량ppm 이하, Fe가 Fe2O3으로 환산해서 50질량ppm 이하, Al이 Al2O3으로 환산해서 100질량ppm 이하, AE가 AEO로 환산해서 350질량ppm 이하이어도 좋다.
이들 원소의 함유량은 ICP(Inductively Coupled Plasma) 발광 분광 분석 장치로 구하고, 각각 상기 산화물로 환산하면 좋다.
또한, 다공질 세라믹스는 철, 코발트, 및 니켈의 적어도 어느 하나를 포함하고, 이들 금속 원소의 함유량의 합계가 0.1질량% 이하이어도 좋다.
이들 금속 원소의 함유량의 합계가 0.1질량% 이하이면 다공질 세라믹스를 비자성으로 할 수 있으므로 다공질 세라믹스는, 예를 들면 전자 붐 노광 장치 등의 자성의 영향을 억제하는 것이 요구되는 장치의 부재에 사용할 수 있다.
이들 금속 원소 각각의 함유량은 글로 방전 질량 분석 장치(GDMS)를 사용하여 구하면 좋다.
여기에서 본 개시에 있어서의 다공질 세라믹스란 기공률이 10체적% 이상인 세라믹스를 말하고, 기공률은 수은 압입법에 의해 구할 수 있다.
또한, 다공질 세라믹스는 기공 면적 점유율이 20~45면적%이어도 좋다. 기공 면적 점유율이 이 범위이면 기계적 강도의 큰 저하를 억제하면서 승온, 강온을 반복해도 발생하는 열응력을 억제할 수 있다.
또한, 다공질 세라믹스는 평균 기공 지름이 1㎛~6㎛이어도 좋다. 평균 기공 지름이 이 범위이면 기계적 강도의 큰 저하를 억제하면서 플라스마 생성용 가스가 통과해도 기공의 주변이나 기공의 내부로부터 발생하는 파티클을 작게 할 수 있다.
또한, 기공 지름의 첨도는 2 이상이어도 좋다. 기공 지름의 첨도가 이 범위이면 매우 큰 지름을 갖는 기공이 적어지므로 상대적으로 이 기공의 내부로부터 발생하는 파티클을 감소시킬 수 있다.
또한, 기공 지름의 왜도는 0 이상이어도 좋다. 기공 지름의 왜도가 이 범위이면 작은 지름을 갖는 기공의 개수가 상대적으로 많아지므로 큰 파티클의 발생 비율을 감소시킬 수 있다.
기공 면적 점유율 및 평균 기공 지름에 대해서는 화상 해석 소프트 「Win ROOF(Ver．6.1.3)」(MITANI CORPORATION제)를 사용하여 배율을 100배로 하고, 표면에 있어서의 1개소의 계측 범위를 3.1585×105㎛2, 기공 지름의 역치를 0.8㎛로 해서 측정한다. 그리고 이 측정을 4개소에서 행함으로써 기공 면적 점유율 및 평균 기공 지름을 구할 수 있다.
기공 지름의 첨도는 Excel(등록 상표, Microsoft Corporation)에 구비되어 있는 함수 Kurt를 사용하여 구하면 좋다. 기공 지름의 왜도는 Excel(등록 상표, Microsoft Corporation)에 구비되어 있는 함수 Skew를 사용하여 구하면 좋다.
도 3은 본 개시의 다공질 세라믹스의 X선 회절 패턴을 나타내는 일례이다. 지르콘산 이트륨(YZrO3)의 (222)면의 회절 피크(I1)의 위치는 PDF(등록 상표) Number: 01-089-5593에 나타내어지는 카드에 의하면 회절각(2θ) 29.333°이다.
또한, 산화이트륨(Y2O3)의 (222)면의 회절 피크(I2)의 위치는 PDF(등록 상표) Number: 01-071-0099에 나타내어지는 카드에 의하면 회절각(2θ) 29.211°이다. 도 3에 나타내는 예에서는 CuKα선을 사용한 X선 회절에 의해 얻어지는 지르콘산 이트륨(YZrO3)의 (222)면 회절 피크(I1)의 회절각(2θ1)은 29.22°, 시프트량(Δ1)은 저각측으로 0.113°이다. 산화이트륨(Y2O3)의 (222)면의 회절 피크(I2)의 회절각(2θ2)은 29.50°, 시프트량(Δ2)은 고각측으로 0.289°이다.
본 개시의 다공질 세라믹스는 도 3에 나타내는 바와 같이 회절 피크(I1)는 저각측으로, 회절 피크(I2)는 고각측으로 시프트해서 있어도 좋다. 회절 피크(I1)가 저각측으로 시프트하고 있으면 결정 입자의 격자면 간격이 커지며, 인장 응력이 결정 격자에 잔류한 상태로 되어 있다. 한편, 회절 피크(I2)가 고각측으로 시프트하고 있으면 결정 입자의 격자면 간격이 작아지며, 압축 응력이 결정 격자에 잔류한 상태로 되어 있다. 이렇게 인장 응력 및 압축 응력이 잔류하면 서로 상쇄하도록 작용하기 때문에 탈립하기 어려워진다.
또한, 다공질 세라믹스는 회절 피크(I1)의 시프트량(Δ1) 및 회절 피크(I2)의 시프트량(Δ2)의 절대값이 모두 0.5° 이하이어도 좋다. 시프트량(Δ1) 및 시프트량(Δ2)이 이 범위이면 결정 격자에 축적하는 변형이 작아지므로 장기간에 걸쳐서 사용할 수 있다.
이어서, 본 개시의 다공질 세라믹스의 제조 방법의 일례에 대해서 설명한다.
산화이트륨의 분말과 산화지르코늄의 분말을 준비한다. 산화이트륨과 산화지르코늄을 몰비율이 55~65:45~35가 되도록 조합한 후 순차적으로 습식 혼합, 조립해서 산화이트륨 및 산화지르코늄으로 이루어지는 과립을 얻는다.
여기에서 지르콘산 이트륨(YZrO3)의 (222)면의 회절 피크(I1)가 저각측으로, 산화이트륨(Y2O3)의 (222)면의 회절 피크(I2)가 고각측으로 시프트하는 다공질 세라믹스를 얻기 위해서는 습식 혼합된 혼합 분말의 평균 입경 D50을 0.8㎛~0.9㎛로 하면 좋다.
회절 피크(I1)의 시프트량(Δ1) 및 회절 피크(I2)의 시프트량(Δ2)의 절대값이 모두 0.5° 이하인 다공질 세라믹스를 얻기 위해서는 습식 혼합된 혼합 분말의 평균 입경 D50을 0.82㎛~0.88㎛로 하면 좋다.
또한, 철, 코발트, 및 니켈의 적어도 어느 하나를 포함하고, 이들 금속 원소의 함유량의 합계가 0.1질량% 이하인 다공질 세라믹스를 얻기 위해서는 탈철기를 사용하고, 예를 들면 자속 밀도를 1테슬라, 처리 시간을 60분 이상으로 해서 탈철 처리를 실시하면 좋다. 이 과립을 성형 몰드에 충전하고, 건식 가압 성형법, 냉간 정수압 가압 성형법 등에 의해 소정 형상(예를 들면, 원기둥형상, 원판형상 등)으로 성형한다. 성형압은, 예를 들면 78㎫~118㎫로 하는 것이 좋다.
성형해서 얻어진 성형체를 대기 분위기 중 유지 온도를 1200~1600℃, 유지 시간을 1~5시간 이하로 해서 소성한다. 이것에 의해 본 개시의 다공질 세라믹스를 얻을 수 있다.
또한, 기공 면적 점유율이 20~45면적%인 다공질 세라믹스를 얻기 위해서는 유지 온도를 1250~1550℃로 하면 좋다.
또한, 평균 기공 지름이 1㎛~6㎛인 다공질 세라믹스를 얻기 위해서는 성형압을, 예를 들면 88㎫~108㎫로 하고, 유지 온도를 1250~1550℃로 하면 좋다.
상술한 제조 방법에 의해 얻어진 본 개시의 다공질 세라믹스를 구비해서 이루어지는 반도체 제조 장치용 부재는 기계적 강도가 높은 지르콘산 이트륨과, 플라스마에 대한 내식성이 높은 산화이트륨을 포함하고, 그 중 적어도 어느 하나가 주성분이 되기 때문에 기계적 강도를 유지하면서도 플라스마에 대한 내식성이 높아지게 되므로 장기간에 걸쳐서 사용할 수 있다.
1: 체임버 2: 샤워 플레이트
3: 기판 지지 어셈블리 지지부 4: 부착부
5: 절연부 6: 지지부
9: 접합층 10: 클램프 전극
11: O링 12: 관통 구멍
13: 플러그 14: 플러그
15: 고주파 전원 20: 플라스마 처리 장치

Claims (12)

  1. 지르콘산 이트륨 및 산화이트륨을 포함하고, 그 중 적어도 어느 하나를 주성분으로 하는 다공질 세라믹스.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 지르콘산 이트륨을 주성분으로서 포함하고, 또한 산화이트륨을 포함하는 다공질 세라믹스.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 산화이트륨을 주성분으로서 포함하고, 또한 지르콘산 이트륨을 포함하는 다공질 세라믹스.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 지르콘산 이트륨 및 상기 산화이트륨을 주성분으로서 포함하는 다공질 세라믹스.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    기공 면적 점유율이 20~45면적%인 다공질 세라믹스.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    평균 기공 지름이 1㎛~6㎛인 다공질 세라믹스.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    X선 회절에 의해 얻어지는 지르콘산 이트륨(YZrO3)의 (222)면의 회절 피크(I1)는 저각측으로, 산화이트륨(Y2O3)의 (222)면의 회절 피크(I2)는 고각측으로 시프트하고 있는 다공질 세라믹스.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 회절 피크(I1)의 시프트량(Δ1) 및 상기 회절 피크(I2)의 시프트량(Δ2)의 절대값이 모두 0.5° 이하인 다공질 세라믹스.
  9. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    철, 코발트, 및 니켈 중 적어도 어느 하나의 금속 원소를 포함하고, 상기 금속 원소의 함유량의 합계가 0.1질량% 이하인 다공질 세라믹스.
  10. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 다공질 세라믹스를 구비해서 이루어지는 반도체 제조 장치용 부재.
  11. 제 10 항에 기재된 반도체 제조 장치용 부재로 이루어지는 샤워 플레이트.
  12. 제 10 항에 기재된 반도체 제조 장치용 부재로 이루어지는 플러그.
KR1020217012194A 2018-10-30 2019-10-24 다공질 세라믹스, 반도체 제조 장치용 부재, 샤워 플레이트, 및 플러그 KR102610555B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-203822 2018-10-30
JP2018203822 2018-10-30
PCT/JP2019/041682 WO2020090613A1 (ja) 2018-10-30 2019-10-24 多孔質セラミックス、半導体製造装置用部材、シャワープレートおよびプラグ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210063399A KR20210063399A (ko) 2021-06-01
KR102610555B1 true KR102610555B1 (ko) 2023-12-07

Family

ID=70462441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217012194A KR102610555B1 (ko) 2018-10-30 2019-10-24 다공질 세라믹스, 반도체 제조 장치용 부재, 샤워 플레이트, 및 플러그

Country Status (5)

Country Link
US (1) US12006264B2 (ko)
JP (1) JP7085015B2 (ko)
KR (1) KR102610555B1 (ko)
CN (1) CN112889135B (ko)
WO (1) WO2020090613A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2021241645A1 (ko) * 2020-05-28 2021-12-02

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005126768A (ja) 2003-10-24 2005-05-19 Toshiba Ceramics Co Ltd 溶射膜形成方法及び複合材料の製造方法
JP2007099584A (ja) 2005-10-07 2007-04-19 Nitsukatoo:Kk 多孔質導電性ジルコニア質焼結体およびそれよりなる真空チャック部材
WO2018180180A1 (ja) 2017-03-29 2018-10-04 日本碍子株式会社 多孔質セラミック粒子および多孔質セラミック構造体

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0658434A (ja) 1992-08-05 1994-03-01 Kyocera Corp セラミック摺動部材
JP2960665B2 (ja) * 1995-05-11 1999-10-12 トーカロ株式会社 耐熱性材料およびその製造方法
JPH09132459A (ja) 1995-11-08 1997-05-20 Shin Etsu Chem Co Ltd 多孔質セラミックス焼結体
JP2000001362A (ja) * 1998-06-10 2000-01-07 Nippon Seratekku:Kk 耐食性セラミックス材料
JP2001148370A (ja) * 1999-11-19 2001-05-29 Kyocera Corp 耐食・耐プラズマ性セラミック部材
JP3570676B2 (ja) * 2000-12-28 2004-09-29 独立行政法人産業技術総合研究所 セラミックス多孔体及びその製造方法
JP2003119087A (ja) * 2001-10-17 2003-04-23 Ngk Insulators Ltd 複合コーティング材料、積層体、耐蝕性部材、耐ハロゲンガスプラズマ用部材および複合コーティング材料の製造方法
JP2003282462A (ja) 2002-03-27 2003-10-03 Kyocera Corp シャワープレートとその製造方法及びそれを用いたシャワーヘッド
WO2014209867A1 (en) * 2013-06-27 2014-12-31 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Porous articles, methods, and apparatuses for forming same
JP2018070897A (ja) * 2015-03-02 2018-05-10 国立大学法人北海道大学 鉄−クロム−アルミニウム系酸化物分散強化型鋼およびその製造方法
US10975469B2 (en) * 2017-03-17 2021-04-13 Applied Materials, Inc. Plasma resistant coating of porous body by atomic layer deposition

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005126768A (ja) 2003-10-24 2005-05-19 Toshiba Ceramics Co Ltd 溶射膜形成方法及び複合材料の製造方法
JP2007099584A (ja) 2005-10-07 2007-04-19 Nitsukatoo:Kk 多孔質導電性ジルコニア質焼結体およびそれよりなる真空チャック部材
WO2018180180A1 (ja) 2017-03-29 2018-10-04 日本碍子株式会社 多孔質セラミック粒子および多孔質セラミック構造体

Also Published As

Publication number Publication date
JP7085015B2 (ja) 2022-06-15
US20210380487A1 (en) 2021-12-09
CN112889135B (zh) 2024-06-21
KR20210063399A (ko) 2021-06-01
WO2020090613A1 (ja) 2020-05-07
US12006264B2 (en) 2024-06-11
JPWO2020090613A1 (ja) 2021-09-30
CN112889135A (zh) 2021-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20030051811A1 (en) Plasma resistant member
WO2014119177A1 (ja) ガスノズルおよびこれを用いたプラズマ装置
KR102373031B1 (ko) 부품 및 반도체 제조 장치
US20240059616A1 (en) Plasma resistant yttrium aluminum oxide chamber components
KR102610555B1 (ko) 다공질 세라믹스, 반도체 제조 장치용 부재, 샤워 플레이트, 및 플러그
JP2010006641A (ja) 耐食性部材およびこれを用いた処理装置
WO2021241645A1 (ja) 通気性プラグ、基板支持アセンブリおよびシャワープレート
KR20230104668A (ko) 다층 소결 세라믹체
US20230150889A1 (en) Air-permeable member, member for semiconductor manufacturing device, plug, and adsorption member
KR20200133734A (ko) 복합 소결체, 정전 척 부재, 정전 척 장치 및 복합 소결체의 제조 방법
KR102585554B1 (ko) 세라믹 소결체 및 플라즈마 처리 장치용 부재
US11837488B2 (en) Composite sintered body, semiconductor manufacturing apparatus member, and method of manufacturing composite sintered body
WO2020204087A1 (ja) 耐食性セラミックス
JP6156446B2 (ja) 耐食性部材、静電チャック用部材および耐食性部材の製造方法
JP4623794B2 (ja) アルミナ質耐食部材及びプラズマ装置
JP2004107718A (ja) 積層体、溶射膜および積層体の製造方法
WO2020090426A1 (ja) セラミックチューブ
WO2016052010A1 (ja) 耐食性部材、静電チャック用部材および耐食性部材の製造方法
JP2016160123A (ja) 耐食性部材および静電チャック装置
US20220285164A1 (en) Plasma Etching Apparatus Component for Manufacturing Semiconductor Comprising Composite Sintered Body and Manufacturing Method Therefor
TW202325681A (zh) 氧化鋁質燒結體、及靜電吸盤
KR102618403B1 (ko) 세라믹스 재료, 그 제조 방법 및 반도체 제조 장치용 부재
JP2016155704A (ja) 耐食性部材、その製造方法および静電チャック装置
KR20210011321A (ko) 복합 소결체를 포함하는 반도체 제조용 플라즈마 식각 장치 부품 및 그 제조방법
JP2004273618A (ja) 耐プラズマ性部材

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right