JP6156446B2 - 耐食性部材、静電チャック用部材および耐食性部材の製造方法 - Google Patents
耐食性部材、静電チャック用部材および耐食性部材の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6156446B2 JP6156446B2 JP2015131217A JP2015131217A JP6156446B2 JP 6156446 B2 JP6156446 B2 JP 6156446B2 JP 2015131217 A JP2015131217 A JP 2015131217A JP 2015131217 A JP2015131217 A JP 2015131217A JP 6156446 B2 JP6156446 B2 JP 6156446B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- corrosion
- resistant member
- powder
- oxide powder
- electrostatic chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 title claims description 111
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 title claims description 111
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 97
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 229910001954 samarium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 229940075630 samarium oxide Drugs 0.000 claims description 41
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 35
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 23
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 21
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 19
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 24
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 21
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 9
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 8
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 8
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 5
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 BCl 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- DDUQUDHFIZQTCS-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);samarium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Sm+3] DDUQUDHFIZQTCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 230000000274 adsorptive effect Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007088 Archimedes method Methods 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N aluminum;oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Y+3] JNDMLEXHDPKVFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/44—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62625—Wet mixtures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62625—Wet mixtures
- C04B35/6263—Wet mixtures characterised by their solids loadings, i.e. the percentage of solids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
- C04B35/62645—Thermal treatment of powders or mixtures thereof other than sintering
- C04B35/62655—Drying, e.g. freeze-drying, spray-drying, microwave or supercritical drying
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
- C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
- C04B35/638—Removal thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
- C04B35/6455—Hot isostatic pressing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3224—Rare earth oxide or oxide forming salts thereof, e.g. scandium oxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
- C04B2235/54—Particle size related information
- C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
- C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/66—Specific sintering techniques, e.g. centrifugal sintering
- C04B2235/661—Multi-step sintering
- C04B2235/662—Annealing after sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
- C04B2235/761—Unit-cell parameters, e.g. lattice constants
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/76—Crystal structural characteristics, e.g. symmetry
- C04B2235/768—Perovskite structure ABO3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/74—Physical characteristics
- C04B2235/77—Density
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/9669—Resistance against chemicals, e.g. against molten glass or molten salts
- C04B2235/9684—Oxidation resistance
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/9669—Resistance against chemicals, e.g. against molten glass or molten salts
- C04B2235/9692—Acid, alkali or halogen resistance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
[1]サマリウムおよびアルミニウムを含み、ペロブスカイト型構造を有する酸化物を含む耐食性部材。
[2]上記耐食性部材における上記酸化物の割合は80体積%以上である上記[1]に記載の耐食性部材。
[3]上記酸化物におけるサマリウム:アルミニウム(モル比)の範囲は、73:27〜9:91である上記[1]または[2]に記載の耐食性部材。
[4]圧力が0.5Pa未満である雰囲気で、1mmの厚さを有する耐食性部材に2.0kVの電圧を60秒間印加して、1インチのシリコンウエハを耐食性部材に吸着させた後、電圧の印加を止めたときの残留吸着力が0.1〜0.9kPaである上記[1]〜[3]のいずれかに記載の耐食性部材。
[5]上記[1]〜[4]のいずれかに記載の耐食性部材を含む静電チャック用部材。
[6]酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末と溶媒とを混合して、酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末を含むスラリーを作製する工程、スラリーを乾燥して、アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末を含む混合粉末を作製し、該混合粉末を成形して成形体を作製する工程、および成形体を焼成して焼結体を作製する工程を含む耐食性部材の製造方法。
[7]焼結体をアニールする工程をさらに含む上記[6]に記載の耐食性部材の製造方法。
本発明の耐食性部材は、サマリウムおよびアルミニウムを含み、ペロブスカイト型構造を有する酸化物を含む。サマリウムおよびアルミニウムを含み、ペロブスカイト型構造を有する酸化物は、たとえば、SmAlO3である。
本発明の耐食性部材の製造方法は、酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末と溶媒とを混合して、酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末を含むスラリーを作製する工程(A)、スラリーを乾燥して、アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末を含む混合粉末を作製し、該混合粉末を成形して成形体を作製する工程(B)、および成形体を焼成して焼結体を作製する工程(C)を含む。
工程(A)では、酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末と溶媒とを混合して、酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末を含むスラリーを作製する。酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末の平均粒子径は、それぞれ、好ましくは0.01〜1.0μmである。酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末の平均粒子径が0.01〜1.0μmであると、相対密度が高い耐食性部材を得ることができる。また、耐食性部材中のアルミニウムおよびサマリウムの偏析を抑制できる。また、酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末の混合粉末の平均粒子径は、好ましくは0.01〜1.0μmである。なお、平均粒子径は、1次粒子の平均粒子径であり、レーザー回折・散乱法により測定した体積平均粒子径である。
工程(B)では、上記スラリーを乾燥して、アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末を含む混合粉末を作製し、その混合粉末を成形して成形体を作製する。
工程(C)では、成形体を焼成して焼結体を作製する。成形体を焼成するときの焼成温度は、好ましくは1400〜1800℃であり、より好ましくは1450〜1750℃であり、さらに好ましくは1500〜1700℃である。焼成温度が1400〜1800℃であると、緻密な焼結体を得ることができるとともに焼結体が溶融することを抑制することができる。上記焼成温度の焼成のおける焼成時間は、好ましくは1〜5時間であり、より好ましくは1〜4時間であり、さらに好ましくは1.5〜3時間である。焼成時間が1〜5時間であると、緻密な焼結体を得ることができるとともに、焼結体に異常粒成長が起こることを抑制することができる。大気中で成形体を焼成してもよいし、不活性ガス雰囲気中で成形体を焼成してもよい。
本発明の耐食性部材の製造方法は、焼結体をアニールする工程(D)をさらに含んでもよい。これにより、焼結体中の酸素欠陥を少なくすることができる。なお、焼結体中に酸素欠陥が多いと、誘電率が高くなり吸着力は高くなるが、抵抗値が低下するので残留吸着力は高くなる。酸素欠陥を少なくすることを目的とすることから、焼結体のアニール処理は大気中で実施することが好ましい。アニール処理温度は、好ましくは1300〜1600℃であり、より好ましくは1350〜1550℃であり、さらに好ましくは1400〜1500℃である。アニール処理温度が1300〜1600℃であると、酸素欠陥を充分に減少させることができるとともに、吸着力が低減しすぎることを抑制できる。上記アニール処理温度におけるアニール処理時間は、好ましくは2〜10時間であり、より好ましくは3〜10時間である。アニール処理時間が2〜10時間であると、酸素欠陥を充分に減少させることができるとともに吸着力が低減しすぎることを抑制できる。
本発明の静電チャック用部材は本発明の耐食性部材を含む。静電チャック用部材は、たとえば、試料を静電吸着するための試料載置面を有する板状体と、その背面に設けられた静電吸着用内部電極層と、静電吸着用内部電極層を埋設する接着剤層と、接着剤層における板状体と反対側に設けられた絶縁性材料層とを有する。静電チャック部材における板状体の少なくとも試料載置面に、本発明の耐食性部材が使用される。
(1)原料粉体の平均粒子径
原料粉体を水中に分散させた後、粒度分布測定装置((株)島津製作所製、SALD−2000J)を使用して原料粉体の平均粒子径を測定した。
(2)耐食性部材の相対密度
アルキメデス法により、実施例および比較例で得られた耐食性部材の密度を測定し、下記式により求めた理論密度で、測定した密度を割り算して相対密度を算出した。
単位胞重量(g)=酸化サマリウムアルミニウム結晶相の各単位胞重量×各結晶相のmol%
単位胞体積(cm3)=酸化サマリウムアルミニウム結晶相の各単位胞体積×各結晶相のmol%
理論密度(g/cm3)=単位胞重量/単位胞体積
なお、酸化サマリウムアルミニウムの各結晶相%のmol%は、原料粉体の仕込み量から算出した。
(3)耐食性部材の結晶相の同定
粉末X線回折法により、実施例および比較例で得られた耐食性部材の結晶相の同定を行った。粉末X線回折には、X線回折装置(PANalytical社製、X’Pert PRO MPD)を使用した。
(4)耐食性部材の比誘電率
実施例および比較例で得られた耐食性部材をφ48×1mmに加工した後、40MHzのおける耐食性部材の比誘電率を、充放電評価装置(東洋システム(株)製、TOSCAT−3000)を使用して測定した。
(5)耐食性部材の吸着力
実施例および比較例で得られた耐食性部材を厚さ1.0mmに加工し、加工した耐食性部材とアルミナセラミックスとの間に電極を埋設した接着層を形成して静電チャックを作製した。静電チャックの試料載置面温度を25℃にし、2.0kVの電圧を電極に60秒間印加して、1インチのシリコンウエハを静電チャックに真空中(<0.5Pa)で吸着させた。そして、1インチのシリコンウエハに対する吸着力を測定した。測定はロードセルを用いた引き剥がしにより行い、そのとき発生した最大引き剥がし応力を吸着力とした。
(6)耐食性部材の残留吸着力
実施例および比較例で得られた耐食性部材を厚さ1.0mmに加工し、加工した耐食性部材とアルミナセラミックスとの間に電極を埋設した接着層を形成して静電チャックを作製した。静電チャックの試料載置面温度を25℃にし、2.0kVの電圧を電極に60秒間印加して、1インチのシリコンウエハを静電チャックに真空中(<0.5Pa)で吸着させた。その後、電圧の印加を停止し、電圧の印加を停止した直後の1インチのシリコンウエハに対する残留吸着力を測定した。測定はロードセルを用いた引き剥がしにより行い、そのとき発生した最大引き剥がし応力を残留吸着力とした。
(7)耐食性部材の曲げ強度
JIS R1601に準拠して、4点曲げ試験により実施例および比較例で得られた耐食性部材の曲げ強度を測定した。測定には曲げ試験器((株)丸東製作所製、マルトーJIS曲げ試験機MZ−401)を使用した。
(8)耐食性評価
実施例および比較例で得られた耐食性部材に(i)CF4/O2/Ar(2/2/16mL/分)および(ii)SF6(10mL/分)のガス種を照射し、プラズマ暴露試験を行った。条件は真空度:1mTorr、電極周波数:2.5GHz、バイアス周波数:13.56MHz、電圧:3400V、電流:1.8A、プラズマパワー:420W(CF4) および400W(SF6)であった。
暴露していない部分と暴露後の部分の表面粗さを測定し、その差からエッチングレートを算出した。
酸化アルミニウム(Al2O3)粉末(大明化学工業(株)製、型番:TM−5D)および酸化サマリウム(Sm2O3)粉末(日本イットリウム(株)製、型番:N−SM3CP)を表1に示す組成となるようにそれぞれ秤量した。秤量した酸化アルミニウム粉末と酸化サマリウム粉末および酸化アルミニウム粉末と酸化サマリウム粉末の合計した質量に対して1質量%の分散剤(中京油脂(株)製、型番:D−735)を水の入ったビーカーに投入した。水の量は固形分が30%になるように測りとってあった。次に、撹拌羽により湿式混合した後、ボールミルで分散させて、酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末の混合粉末のスラリーを作製した。このスラリーの一部を採取して酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末の混合粉末の平均粒子径の測定を行ったところ、0.541μmであった。
焼成温度を1700℃にした以外は、実施例1と同様な方法で実施例2の耐食性部材を作製した。なお、酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末の混合粉末の平均粒子径は0.662μmであった。
焼成温度を1500℃にした以外は、実施例1と同様な方法で実施例3の耐食性部材を作製した。なお、酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末の混合粉末の平均粒子径は0.578μmであった。
焼成温度を1450℃にした以外は、実施例1と同様な方法で実施例4の耐食性部材を作製した。なお、酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末の混合粉末の平均粒子径は0.521μmであった。
サマリウム:アルミニウム(モル比)を9:91にした以外は、実施例1と同様な方法で実施例5の耐食性部材を作製した。なお、酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末の混合粉末の平均粒子径は0.552μmであった。
サマリウム:アルミニウム(モル比)を14:86にし、焼成温度を1400℃にした以外は、実施例1と同様な方法で実施例6の耐食性部材を作製した。なお、酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末の混合粉末の平均粒子径は0.548μmであった。
サマリウム:アルミニウム(モル比)を19:81にした以外は、実施例1と同様な方法で実施例6の耐食性部材を作製した。なお、酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末の混合粉末の平均粒子径は0.531μmであった。
サマリウム:アルミニウム(モル比)を26:74にし、焼成温度を1500℃にした以外は、実施例1と同様な方法で実施例8の耐食性部材を作製した。なお、酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末の混合粉末の平均粒子径は0.529μmであった。
サマリウム:アルミニウム(モル比)を47:53にし、焼成温度を1550℃にした以外は、実施例1と同様な方法で実施例8の耐食性部材を作製した。なお、酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末の混合粉末の平均粒子径は0.520μmであった。
酸化サマリウム粉末の代わりに酸化イットリウム(Y2O3)粉末(日本イットリウム(株)製、型番:YT3S)を使用した以外は、実施例1と同様な方法で比較例1の耐食性部材を作製した。なお、酸化アルミニウム粉末および酸化イットリウム粉末の混合粉末のスラリーの一部を採取して酸化アルミニウム粉末および酸化イットリウム粉末の混合粉末の平均粒子径の測定を行ったところ、0.674μmであった。
酸化サマリウム粉末の代わりに酸化イットリウム(Y2O3)粉末(日本イットリウム(株)製、型番:YT3S)を使用し、酸化アルミニウム粉末および酸化イットリウム粉末を表1に示す組成となるようにそれぞれ秤量した以外は、実施例1と同様な方法で比較例2の耐食性部材を作製した。なお、酸化アルミニウム粉末および酸化イットリウム粉末の混合粉末のスラリーの一部を採取して酸化アルミニウム粉末および酸化イットリウム粉末の混合粉末の平均粒子径の測定を行ったところ、0.564μmであった。
酸化アルミニウム粉末および酸化サマリウム粉末に加えて酸化イットリウム(Y2O3)粉末(日本イットリウム(株)製、型番:YT3S)をさらに使用し、酸化アルミニウム粉末、酸化サマリウム粉末および酸化イットリウム粉末を表1に示す組成となるようにそれぞれ秤量した以外は、実施例1と同様な方法で比較例3の耐食性部材を作製した。なお、酸化アルミニウム粉末、酸化サマリウム粉末および酸化イットリウム粉末の混合粉末のスラリーの一部を採取して酸化アルミニウム粉末、酸化サマリウムおよび酸化イットリウム粉末の混合粉末の平均粒子径の測定を行ったところ、0.775μmであった。
実施例1〜9で得られた耐食性部材の比誘電率は比較例1〜3で得られた耐食性部材の比誘電率に比べて高かった。これらの結果は、ペロブスカイト型構造はガーネット構造よりも分極が起こりやすいことと、サマリウムのイオン半径はイットリウムのイオン半径よりも大きいため分極が大きいこととによると予想される。
一方、実施例1〜9で得られた耐食性部材の吸着力は比較例1〜3で得られた耐食性部材の吸着力よりも大きかった。これより、実施例1〜9で得られた耐食性部材を静電チャック用部材として使用することにより、シリコンウエハなどの基板を静電チャックにより確実に固定できることがわかった。
また、実施例1〜9で得られた耐食性部材の残留吸着力は比較例1〜3で得られた耐食性部材の残留吸着力よりも小さかった。これより、実施例1〜9で得られた耐食性部材を静電チャック用部材として使用することにより、所定の処理が終わった後、シリコンウエハなどの基板を静電チャックからより容易に取り外せることがわかった。
実施例1〜9で得られた耐食性部材の曲げ強度は比較例2および3で得られた耐食性部材の曲げ強度よりも強かった。これより、実施例1〜9で得られた耐食性部材を静電チャック用部材として使用することにより、静電チャックの強度を高くすることができることがわかった。
Claims (4)
- ペロブスカイト型構造を有するSm x Al (1−x) O 3 (x=0.09〜0.73)を含み、
前記Sm x Al (1−x) O 3 の割合は80体積%以上である、半導体装置を製造するための装置におけるハロゲン系腐食性ガスおよびプラズマの少なくとも一種に曝される部材。 - 圧力が0.5Pa未満である雰囲気で、1mmの厚さを有する前記耐食性部材に2.0kVの電圧を60秒間印加して、1インチのシリコンウエハを前記耐食性部材に吸着させた後、電圧の印加を止めたときの残留吸着力が0.1〜0.9kPaである請求項1に記載の部材。
- 請求項1または2に記載の部材を含む静電チャック用部材。
- 酸化アルミニウム原料粉末および酸化サマリウム原料粉末と溶媒とを混合して、前記酸化アルミニウム粉末および前記酸化サマリウム粉末を含むスラリーを作製する工程、
前記スラリーを乾燥して、アルミニウム粉末および前記酸化サマリウム粉末を含む混合粉末を作製し、該混合粉末を成形して成形体を作製する工程、
前記成形体を焼成してペロブスカイト型構造を有する焼結体を作製する工程、および
1300〜1600℃のアニール処理温度で前記焼結体をアニールする工程を含む耐食性部材の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/513,107 US10497599B2 (en) | 2014-09-29 | 2015-08-25 | Corrosion-resistant member, member for electrostatic chuck, and process for producing corrosion-resistant member |
KR1020177003868A KR102246850B1 (ko) | 2014-09-29 | 2015-08-25 | 내식성 부재, 정전 척용 부재 및 내식성 부재의 제조 방법 |
CN201580044157.7A CN106660884B (zh) | 2014-09-29 | 2015-08-25 | 耐蚀性部件、静电卡盘用部件及耐蚀性部件的制造方法 |
PCT/JP2015/073891 WO2016052010A1 (ja) | 2014-09-29 | 2015-08-25 | 耐食性部材、静電チャック用部材および耐食性部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014198317 | 2014-09-29 | ||
JP2014198317 | 2014-09-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016069268A JP2016069268A (ja) | 2016-05-09 |
JP6156446B2 true JP6156446B2 (ja) | 2017-07-05 |
Family
ID=55863975
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015131217A Active JP6156446B2 (ja) | 2014-09-29 | 2015-06-30 | 耐食性部材、静電チャック用部材および耐食性部材の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10497599B2 (ja) |
JP (1) | JP6156446B2 (ja) |
KR (1) | KR102246850B1 (ja) |
CN (1) | CN106660884B (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7378087B2 (ja) * | 2019-12-13 | 2023-11-13 | 株式会社デンソー | エレクトレット |
CN116283291B (zh) * | 2023-03-20 | 2024-02-23 | 中国矿业大学(北京) | 绝缘管制备方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2516620B2 (ja) * | 1987-03-24 | 1996-07-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 誘電体磁器 |
JPH08310802A (ja) * | 1995-03-15 | 1996-11-26 | Takeshi Yao | ペロブスカイト型複合酸化物析出物の製造方法 |
JP4277973B2 (ja) * | 2001-07-19 | 2009-06-10 | 日本碍子株式会社 | イットリア−アルミナ複合酸化物膜の製造方法、イットリア−アルミナ複合酸化物膜および耐蝕性部材 |
JP4493264B2 (ja) * | 2001-11-26 | 2010-06-30 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム質セラミックス、半導体製造用部材および耐蝕性部材 |
JP4480951B2 (ja) | 2003-04-17 | 2010-06-16 | 住友大阪セメント株式会社 | 耐食性部材 |
JP4928354B2 (ja) * | 2007-05-29 | 2012-05-09 | 太平洋セメント株式会社 | 半導体製造用セラミックス部品の製造方法及び装着方法 |
JP5604888B2 (ja) | 2009-12-21 | 2014-10-15 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャックの製造方法 |
JP5874248B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2016-03-02 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック及びその製造方法 |
JP5668572B2 (ja) * | 2011-03-29 | 2015-02-12 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物およびセラミック電子部品 |
US10189745B2 (en) | 2013-10-15 | 2019-01-29 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Corrosion-resistant member and electrostatic chuck device |
-
2015
- 2015-06-30 JP JP2015131217A patent/JP6156446B2/ja active Active
- 2015-08-25 US US15/513,107 patent/US10497599B2/en active Active
- 2015-08-25 CN CN201580044157.7A patent/CN106660884B/zh active Active
- 2015-08-25 KR KR1020177003868A patent/KR102246850B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016069268A (ja) | 2016-05-09 |
CN106660884A (zh) | 2017-05-10 |
US20170294331A1 (en) | 2017-10-12 |
CN106660884B (zh) | 2018-08-14 |
KR102246850B1 (ko) | 2021-04-30 |
US10497599B2 (en) | 2019-12-03 |
KR20170066313A (ko) | 2017-06-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI772112B (zh) | 噴塗塗層、製造噴塗塗層的方法、噴塗構件和噴塗材料 | |
JP5604888B2 (ja) | 静電チャックの製造方法 | |
KR101400598B1 (ko) | 반도체 제조 장치용 내식성 부재 및 그 제법 | |
WO2015056702A1 (ja) | 耐食性部材、静電チャック装置 | |
KR101965895B1 (ko) | 정전 척 및 그 제조 방법 | |
US8231964B2 (en) | Aluminum oxide sintered body, method for producing the same and member for semiconductor producing apparatus | |
JP4003907B2 (ja) | 窒化アルミニウム焼結体からなる半導体製造装置関連製品及びその製造方法並びに静電チャック、サセプタ、ダミーウエハ、クランプリング及びパーティクルキャッチャー | |
JP5593694B2 (ja) | 耐食性部材及びその製造方法 | |
JP6156446B2 (ja) | 耐食性部材、静電チャック用部材および耐食性部材の製造方法 | |
KR101101214B1 (ko) | 질화알루미늄 소결체 및 그 제조 방법 | |
JP5874248B2 (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
WO2016052010A1 (ja) | 耐食性部材、静電チャック用部材および耐食性部材の製造方法 | |
JP6015012B2 (ja) | 静電チャック部材 | |
JP2016155705A (ja) | 耐食性部材、その製造方法および静電チャック装置 | |
JP2016160123A (ja) | 耐食性部材および静電チャック装置 | |
JP2016155704A (ja) | 耐食性部材、その製造方法および静電チャック装置 | |
JP2016188160A (ja) | 耐食性部材及び静電チャック用部材 | |
KR102659099B1 (ko) | 이트륨계 복합 소결체를 포함하는 반도체 제조용 플라즈마 식각 장치 부품 및 그 제조방법 | |
JP2016154178A (ja) | 静電チャック用部材及びその製造方法 | |
JP2023062501A (ja) | 焼結体及び半導体製造装置用部材 | |
JP2009004752A (ja) | 静電チャック | |
JP2009152570A (ja) | 静電チャック | |
JP2009149496A (ja) | 導電性セラミック材料 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161129 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20161129 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20161221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170117 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170308 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170509 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170522 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6156446 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |