KR102588338B1 - Flexible Electroluminescent Display Device - Google Patents

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Abstract

플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역, 표시영역의 일측에서 연장되어 벤딩된 벤딩영역, 및 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성되는 커팅영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 배치되는 박막트랜지스터 및 발광소자, 표시영역 및 벤딩영역 상에 배치되는 배선 및 평탄화층, 벤딩영역의 평탄화층 상에 배치되는 마이크로 코팅층, 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판, 및 터치스크린 기판과 연결되는 터치회로기판을 포함하고, 플렉시블 기판은 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성되는 컷팅영역을 포함하며, 터치회로기판은 컷팅영역에 삽입되어 벤딩된다.A flexible electroluminescent display device includes a flexible substrate including a display area, a bending area extending from one side of the display area, and a cutting area formed by cutting one side of the bending area, a thin film transistor and a light emitting element disposed on the display area. , wiring and a flattening layer disposed on the display area and the bending area, a micro coating layer disposed on the flattening layer of the bending area, a touch screen substrate disposed on the display area, and a touch circuit board connected to the touch screen substrate, , the flexible substrate includes a cutting area formed by cutting one side of the bending area, and the touch circuit board is inserted into the cutting area and bent.

Description

플렉시블 전계발광 표시장치{Flexible Electroluminescent Display Device}Flexible Electroluminescent Display Device

본 명세서는 플렉시블 전계발광 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플렉시블 전계발광 표시장치의 베젤(Bezel)의 영역을 최소화할 수 있는 플렉시블 전계발광 표시장치에 관한 것이다.This specification relates to a flexible electroluminescent display device, and more specifically, to a flexible electroluminescent display device that can minimize the bezel area of a flexible electroluminescent display device.

본격적인 정보화 시대로 접어들면서 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시장치 분야가 급속도로 발전하고 있으며, 여러가지 표시장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다. As we enter the information age, the field of display devices that visually display electrical information signals is developing rapidly, and research is continuing to develop performance such as thinner, lighter, and lower power consumption for various display devices.

대표적인 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display device; LCD), 전계방출 표시장치(Field Emission Display device; FED), 전기습윤 표시장치(Electro-Wetting Display device; EWD) 및 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device; OLED) 등을 들 수 있다. Representative display devices include Liquid Crystal Display device (LCD), Field Emission Display device (FED), Electro-Wetting Display device (EWD), and Organic Light Emitting Display device (Organic Light Emission Display). Light Emitting Display Device (OLED), etc.

유기발광 표시장치로 대표되는 전계발광 표시장치는 자체 발광형 표시장치로서, 액정 표시장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조가 가능하다. 또한, 전계발광 표시장치는 저전압 구동에 의해 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상구현, 응답속도, 시야각, 명암 대비비(Contrast Ratio; CR)도 우수하여, 다양한 분야에서 활용이 기대되고 있다.Electroluminescent displays, represented by organic light emitting displays, are self-luminous displays, and unlike liquid crystal displays, they do not require a separate light source and can be manufactured in a lightweight and thin form. In addition, electroluminescent display devices are not only advantageous in terms of power consumption due to low voltage operation, but also have excellent color reproduction, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), and are expected to be utilized in various fields.

전계발광 표시장치에는 애노드(Anode)와 캐소드(Cathode)로 된 두 개의 전극 사이에 발광층(Emissive Layer; EML)을 배치한다. 애노드에서의 정공(Hole)을 발광층으로 주입시키고, 캐소드에서의 전자(Electron)를 발광층으로 주입시키면, 주입된 전자와 정공이 서로 재결합하면서 발광층에서 여기자(Exciton)를 형성하며 발광한다. In an electroluminescent display device, an emissive layer (EML) is placed between two electrodes, an anode and a cathode. When holes from the anode are injected into the light-emitting layer and electrons from the cathode are injected into the light-emitting layer, the injected electrons and holes recombine with each other to form excitons in the light-emitting layer and emit light.

발광층에는 호스트(Host) 물질과 도펀트(Dopant) 물질이 포함되어 두 물질의 상호작용이 발생하여 호스트는 전자와 정공으로부터 여기자를 생성하고 도펀트로 에너지를 전달하며, 도펀트는 소량이 첨가되는 염료성 유기물로, 호스트로부터 에너지를 받아서 광으로 전환한다.The light-emitting layer contains a host material and a dopant material, and the interaction between the two materials occurs. The host generates excitons from electrons and holes and transfers energy to the dopant. The dopant is a dye-based organic material added in small amounts. It receives energy from the host and converts it into light.

전계발광 표시장치는 유리(Glass), 금속(Metal) 또는 필름(Film)으로 전계발광 표시장치를 봉지(Encapsulation)하여 외부에서 전계발광 표시장치의 내부로 수분이나 산소의 유입을 차단하여 발광층이나 전극의 산화를 방지하고, 외부에서 가해지는 기계적 또는 물리적 충격으로부터 보호한다.The electroluminescent display device encapsulates the electroluminescent display device with glass, metal, or film to block the inflow of moisture or oxygen from the outside into the electroluminescent display device, creating a light emitting layer or electrode. Prevents oxidation and protects from external mechanical or physical shock.

표시장치가 소형화됨에 따라, 표시장치의 동일 면적에서 유효 표시 화면 크기를 증가시키기 위해 표시영역(Active Area; A/A)의 외곽부인 베젤영역(Bezel Area)을 축소시키려는 노력이 계속되고 있다. As display devices become smaller, efforts are being made to reduce the bezel area, which is the outer portion of the active area (A/A), in order to increase the effective display screen size in the same area of the display device.

비표시영역(Non-active Area; N/A)에 해당하는 베젤영역에는 화면을 구동시키기 위한 배선 및 구동회로가 배치되기 때문에, 베젤영역을 축소하는 데에는 한계가 있었다. Since wiring and driving circuits for driving the screen are placed in the bezel area, which is the non-active area (N/A), there was a limit to reducing the bezel area.

최근 개발되고 있는 플라스틱(Plastic)과 같은 연성재료의 플렉시블 기판(Flexible Substrate)을 적용하여 휘어져도 표시성능을 유지할 수 있는 플렉시블 전계발광 표시장치와 관련하여, 배선 및 구동회로를 위한 면적을 확보하면서도 베젤영역을 축소시키기 위해서 플렉시블 기판의 비표시영역을 벤딩(Bending)하여 베젤영역을 축소시키는 기술이 개발되어 적용하고 있다.Regarding the recently developed flexible electroluminescent display device that can maintain display performance even when bent by applying a flexible substrate made of a soft material such as plastic, the bezel while securing area for wiring and driving circuits In order to reduce the area, technology has been developed and applied to reduce the bezel area by bending the non-display area of the flexible substrate.

그리고, 플라스틱 등과 같이 플렉시블 기판을 사용한 전계발광 표시장치는 기판, 기판 상에 배치되는 각종 절연층 및 금속물질로 형성되는 배선 등의 플렉서빌리티(Flexibility)를 확보하고, 벤딩으로 발생될 수 있는 크랙(Crack)과 같은 불량을 방지하는 것이 필요하다. In addition, electroluminescent display devices using flexible substrates such as plastic ensure flexibility of the substrate, various insulating layers placed on the substrate, and wiring formed of metal materials, and prevent cracks that may occur due to bending. It is necessary to prevent defects such as cracks.

이와 함께, 표시장치의 입력수단으로서 종래에 적용되었던 마우스나 키보드와 같은 입력수단을 대체하여 사용자가 손가락이나 펜을 이용하여 표시장치의 화면에 직접 정보를 입력할 수 있는 터치스크린 패널(Touch Screen Panel)을 탑재한 표시장치가 다양한 분야에서 활용이 늘어나고 있다.In addition, a touch screen panel replaces the input means such as a mouse or keyboard that was previously applied as an input means for a display device and allows the user to directly input information on the screen of the display device using a finger or a pen. ) Display devices equipped with are increasingly being used in various fields.

표시장치의 상부에 배치되는 터치스크린 패널은 사용자의 손이나 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적신호로 변환하며, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여지고 이를 표시장치를 통해서 화면에 표시된다. The touch screen panel placed at the top of the display device converts the contact location directly touched by the user's hand or object into an electrical signal, and the instructions selected at the contact location are accepted as input signals and displayed on the screen through the display device. .

그리고, 표시장치의 비표시영역인 베젤영역에 배치되는 터치회로기판은 터치스크린 패널을 구동시키기 위해서 터치스크린 패널과 연결되는 배선 및 터치회로가 배치되며, 배선 및 터치회로에 대한 면적을 확보되어야 하기 때문에 표시장치의 베젤영역 축소에 장애가 되고 있었다. In addition, the touch circuit board disposed in the bezel area, which is a non-display area of the display device, has wiring and touch circuits connected to the touch screen panel to drive the touch screen panel, and an area for the wiring and touch circuits must be secured. Therefore, it was an obstacle to reducing the bezel area of the display device.

이에, 본 명세서의 발명자들은 전계발광 표시장치에서 베젤영역에 배치되는 터치스크린 패널의 터치회로기판의 영역을 최소화할 수 있는 새로운 구조의 전계발광 표시장치를 발명하였다. Accordingly, the inventors of the present specification have invented an electroluminescent display device with a new structure that can minimize the area of the touch circuit board of the touch screen panel disposed in the bezel area of the electroluminescent display device.

그리고, 본 명세서의 발명자들은 전계발광 표시장치의 해상도가 점점 증가함에 따라, 배선을 배치할 공간이 부족함을 인식하고, 제한된 공간 내에서 배선을 보다 자유롭게 배치할 수 있는 새로운 구조의 전계발광 표시장치를 발명하였다.In addition, the inventors of the present specification recognized that as the resolution of electroluminescent display devices gradually increases, there is a shortage of space to place wiring, and developed an electroluminescent display device with a new structure that allows wiring to be arranged more freely within a limited space. invented.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the problems mentioned above, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역, 표시영역의 일측에서 연장되어 벤딩된 벤딩영역, 및 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성되는 커팅영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 배치되는 박막트랜지스터 및 발광소자, 표시영역 및 벤딩영역 상에 배치되는 배선 및 평탄화층, 벤딩영역의 평탄화층 상에 배치되는 마이크로 코팅층, 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판, 및 터치스크린 기판과 연결되는 터치회로기판을 포함하고, 플렉시블 기판은 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성되는 컷팅영역을 포함하며, 터치회로기판은 컷팅영역에 삽입되어 벤딩된다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification includes a flexible substrate including a display area, a bending area extending from one side of the display area, and a cutting area formed by cutting one side of the bending area, and on the display area. Thin film transistor and light emitting device disposed, wiring and planarization layer disposed on the display area and bending area, micro coating layer disposed on the flattening layer of the bending area, touch screen substrate disposed on the display area, and connection to the touch screen substrate. The flexible substrate includes a cutting area formed by cutting one side of the bending area, and the touch circuit board is inserted into the cutting area and bent.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 화소를 포함하는 표시영역, 표시영역 외곽에 배치된 벤딩영역을 구비하는 비표시영역, 및 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성된 컷팅영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판 및 터치스크린 기판과 연결되는 터치회로기판을 포함하고, 플렉시블 기판의 비표시영역의 일측이 절개되어 컷팅영역이 형성되며, 터치회로기판은 컷팅영역에 삽입되어 벤딩되어 비표시영역을 최소화 할수 있다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification is a flexible display area including a display area including pixels, a non-display area including a bending area disposed outside the display area, and a cutting area formed by cutting one side of the bending area. It includes a substrate, a touch screen substrate disposed on the display area, and a touch circuit board connected to the touch screen substrate. One side of the non-display area of the flexible substrate is cut to form a cutting area, and the touch circuit board is inserted into the cutting area. It can be bent to minimize the non-display area.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역, 표시영역 외곽에 배치된 벤딩영역 및 벤딩영역의 일측에 배치된 제1 영역 및 벤딩영역의 컷팅에 의해 형성된 제2 영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판, 및 터치스크린 기판과 연결되며, 제2 영역에 배치된 터치회로기판을 포함한다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification is a flexible display including a display area, a bending area disposed outside the display area, a first area disposed on one side of the bending area, and a second area formed by cutting the bending area. It includes a substrate, a touch screen substrate disposed on a display area, and a touch circuit board connected to the touch screen substrate and disposed in a second area.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 플렉시블 기판의 상부에 배치되는 터치스크린 패널에 포함되는 터치회로기판의 영역을 축소하여 베젤영역을 최소화할 수 있는 효과가 있다.The electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification has the effect of minimizing the bezel area by reducing the area of the touch circuit board included in the touch screen panel disposed on the upper part of the flexible substrate.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 플렉시블 전계발광 표시장치에 사용되는 배선을 제한된 공간 내에서 보다 자유롭게 배치할 수 있는 효과가 있다.The flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification has the effect of allowing wiring used in the flexible electroluminescent display device to be more freely arranged within a limited space.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects of the flexible electroluminescent display device according to the embodiments of the present specification are not limited to the contents exemplified above, and further various effects are included in the present specification.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 명세서의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 명세서의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.Since the contents of the specification described in the problem to be solved, the means to solve the problem, and the effect described above do not specify the essential features of the claim, the scope of the claim is not limited by the matters described in the content of the specification.

도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 블록도이다.
도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함되는 화소의 회로도이다.
도 3은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 평면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 표시영역 및 벤딩영역의 상세구조 단면도이다.
도 5는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치 터치스크린 패널의 평면도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치스크린 및 플렉시블 기판의 평면도 및 사시도이다.
1 is a block diagram of an electroluminescence display device according to an embodiment of the present specification.
Figure 2 is a circuit diagram of a pixel included in an electroluminescence display device according to an embodiment of the present specification.
Figure 3 is a plan view of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification.
4A and 4B are cross-sectional views of detailed structures of a display area and a bending area of an electroluminescence display device according to an embodiment of the present specification.
Figure 5 is a plan view of an electroluminescence display touch screen panel according to an embodiment of the present specification.
6A and 6B are a plan view and a perspective view of a touch screen and a flexible substrate of a flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and will be implemented in various different forms. The present embodiments only serve to ensure that the disclosure of the present invention is complete and that common knowledge in the technical field to which the present invention pertains is not limited. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining embodiments of the present invention are illustrative, and the present invention is not limited to the matters shown. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. Additionally, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the plural is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.When interpreting a component, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of a positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as 'on top', 'on the top', 'on the bottom', 'next to', etc., 'immediately' Alternatively, there may be one or more other parts placed between the two parts, unless 'directly' is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may also be the second component within the technical spirit of the present invention.

본 명세서의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present specification can be combined or combined with each other, partially or entirely, and various technological interconnections and operations are possible, and each embodiment may be implemented independently of each other or together in a related relationship. It may be possible.

도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(100)의 블록도이다. Figure 1 is a block diagram of an electroluminescent display device 100 according to an embodiment of the present specification.

도 1을 참조하면, 전계발광 표시장치(100)는 영상처리부(110), 타이밍 컨트롤러(120), 데이터드라이버(130), 게이트드라이버(140) 및 표시패널(150)을 포함한다.Referring to FIG. 1 , the electroluminescent display device 100 includes an image processing unit 110, a timing controller 120, a data driver 130, a gate driver 140, and a display panel 150.

영상처리부(110)는 외부로부터 공급된 데이터신호(DATA)와 더불어 데이터인에이블신호(DE) 등을 출력한다. 영상처리부(110)는 데이터인에이블신호(DE) 외에도 수직동기신호, 수평동기신호 및 클럭신호 중 하나 이상을 출력할 수 있다.The image processing unit 110 outputs a data enable signal (DE) in addition to a data signal (DATA) supplied from the outside. In addition to the data enable signal (DE), the image processing unit 110 may output one or more of a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and a clock signal.

타이밍컨트롤러(120)는 영상처리부(110)로부터 데이터인에이블신호(DE) 또는 수직동기신호, 수평동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 데이터신호(DATA)를 공급받는다. 타이밍컨트롤러(120)는 구동신호에 기초하여 게이트드라이버(140)의 동작타이밍을 제어하기 위한 게이트타이밍 제어신호(GDC)와 데이터드라이버(130)의 동작타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍제어신호(DDC)를 출력한다. The timing controller 120 receives a data enable signal (DE) or a driving signal including a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and a clock signal, as well as a data signal (DATA) from the image processing unit 110. The timing controller 120 includes a gate timing control signal (GDC) for controlling the operation timing of the gate driver 140 and a data timing control signal (DDC) for controlling the operation timing of the data driver 130 based on the driving signal. outputs.

데이터드라이버(130)는 타이밍컨트롤러(120)로부터 공급된 데이터타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍컨트롤러(120)로부터 공급되는 데이터신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압으로 변환하여 출력한다. 데이터드라이버(130)는 데이터라인들(DL1~DLn)을 통해 데이터신호(DATA)를 출력한다.The data driver 130 samples and latches the data signal (DATA) supplied from the timing controller 120 in response to the data timing control signal (DDC) supplied from the timing controller 120, converts it to a gamma reference voltage, and outputs it. . The data driver 130 outputs a data signal (DATA) through the data lines (DL1 to DLn).

게이트드라이버(140)는 타이밍컨트롤러(120)로부터 공급된 게이트타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트전압의 레벨을 시프트시키면서 게이트신호를 출력한다. 게이트드라이버(140)는 게이트라인들(GL1~GLm)을 통해 게이트신호를 출력한다. The gate driver 140 outputs a gate signal while shifting the level of the gate voltage in response to the gate timing control signal (GDC) supplied from the timing controller 120. The gate driver 140 outputs a gate signal through the gate lines GL1 to GLm.

표시패널(150)은 데이터드라이버(130) 및 게이트드라이버(140)로부터 공급된 데이터신호(DATA) 및 게이트신호에 대응하여 화소(160)가 발광하면서 영상을 표시한다. 화소(160)의 상세구조는 도 2 및 도 4 에서 상세히 설명한다.The display panel 150 displays an image as the pixel 160 emits light in response to the data signal (DATA) and gate signal supplied from the data driver 130 and the gate driver 140. The detailed structure of the pixel 160 is explained in detail in FIGS. 2 and 4.

도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함되는 화소의 회로도이다.Figure 2 is a circuit diagram of a pixel included in an electroluminescence display device according to an embodiment of the present specification.

도 2를 참조하면, 전계발광 표시장치(200)의 화소는 스위칭 트랜지스터(240), 구동 트랜지스터(250), 보상회로(260) 및 발광소자(270)를 포함한다. Referring to FIG. 2 , the pixel of the electroluminescent display device 200 includes a switching transistor 240, a driving transistor 250, a compensation circuit 260, and a light emitting element 270.

발광소자(270)는 구동 트랜지스터(250)에 의해 형성된 구동전류에 따라 발광하도록 동작한다.The light emitting element 270 operates to emit light according to the driving current generated by the driving transistor 250.

스위칭 트랜지스터(240)는 게이트라인(220)을 통해 공급된 게이트신호에 대응하여 데이터라인(230)을 통해 공급되는 데이터신호가 커패시터(Capacitor)에 데이터 전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. The switching transistor 240 performs a switching operation so that the data signal supplied through the data line 230 is stored as a data voltage in a capacitor in response to the gate signal supplied through the gate line 220.

구동 트랜지스터(250)는 커패시터에 저장된 데이터전압에 대응하여 고전위 전원라인(VDD)과 저전위 전원라인(GND) 사이로 일정한 구동전류가 흐르도록 동작한다. The driving transistor 250 operates so that a constant driving current flows between the high-potential power line (VDD) and the low-potential power line (GND) in response to the data voltage stored in the capacitor.

보상회로(260)는 구동 트랜지스터(250)의 문턱전압 등을 보상하기 위한 회로이며, 보상회로(260)는 하나 이상의 박막 트랜지스터와 커패시터를 포함한다. 보상회로의 구성은 보상 방법에 따라 매우 다양할 수 있다. The compensation circuit 260 is a circuit for compensating the threshold voltage of the driving transistor 250, and the compensation circuit 260 includes one or more thin film transistors and a capacitor. The composition of the compensation circuit can vary greatly depending on the compensation method.

그리고, 전계발광 표시장치(200)의 화소는 스위칭 트랜지스터(240), 구동 트랜지스터(250), 커패시터 및 발광소자(270)를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성되지만, 보상회로(260)가 추가된 경우 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T1C, 6T2C, 7T1C, 7T2C 등으로 다양하게 형성할 수 있다.In addition, the pixel of the electroluminescent display device 200 is composed of a 2T (Transistor) 1C (Capacitor) structure including a switching transistor 240, a driving transistor 250, a capacitor, and a light emitting element 270, but a compensation circuit ( 260) is added, it can be formed in various ways, such as 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T1C, 6T2C, 7T1C, 7T2C, etc.

도 3은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 평면도이다. 상세하게는, 플렉시블 전계발광 표시장치(300)의 플렉시블 기판(310)이 벤딩되지 않은 상태이다.Figure 3 is a plan view of an electroluminescence display device according to an embodiment of the present specification. In detail, the flexible substrate 310 of the flexible electroluminescent display device 300 is not bent.

도 3을 참조하면, 플렉시블 전계발광 표시장치(300)는 플렉시블 기판(310) 상에 박막 트랜지스터 및 발광소자를 통해서 실제로 광을 발광하는 화소가 배치되는 표시영역(A/A) 및 표시영역(A/A)의 가장자리의 외곽을 둘러싸는 베젤영역인 비표시영역(N/A)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the flexible electroluminescent display device 300 has a display area (A/A) and a display area (A) in which pixels that actually emit light through thin film transistors and light emitting devices are arranged on the flexible substrate 310. It includes a non-display area (N/A), which is the bezel area surrounding the outer edge of /A).

플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)은 플렉시블 전계발광 표시장치(300)의 구동을 위한 게이트구동부(390) 등과 같은 회로 및 스캔라인(Scan Line; S/L) 등과 같은 다양한 신호배선이 배치될 수 있다. The non-display area (N/A) of the flexible substrate 310 is a circuit such as a gate driver 390 for driving the flexible electroluminescent display device 300 and various signals such as a scan line (S/L). Wiring may be placed.

플렉시블 전계발광 표시장치(300)의 구동을 위한 회로는 기판(310) 상에 GIP(Gate in Panel)로 배치되거나, TCP(Tape Carrier Package) 또는 COF(Chip on Film) 방식으로 플렉시블 기판(310)에 연결될 수도 있다. The circuit for driving the flexible electroluminescent display device 300 is arranged as a GIP (Gate in Panel) on the substrate 310, or is installed on the flexible substrate 310 using a TCP (Tape Carrier Package) or COF (Chip on Film) method. It may also be connected to .

비표시영역(N/A)의 기판(310)의 일 측에는 금속 패턴인 패드(395)가 배치되어 외부 모듈이 본딩(Bonding) 될 수 있다.A pad 395, which is a metal pattern, is disposed on one side of the substrate 310 in the non-display area (N/A) to enable bonding to an external module.

플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)의 일부를 화살표와 같은 벤딩방향으로 구부려서 벤딩영역(B/A)을 형성할 수 있다. 플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)은 화면을 구동시키기 위한 배선 및 구동회로가 배치되며, 화상이 표시되는 영역이 아니므로, 플렉시블 기판(310)의 상면에서 시인될 필요가 없다. 따라서, 플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)의 일부영역을 벤딩하여 배선 및 구동회로를 위한 면적을 확보하면서도 베젤영역을 축소시킬 수 있다.A bending area (B/A) can be formed by bending a portion of the non-display area (N/A) of the flexible substrate 310 in the bending direction as indicated by the arrow. The non-display area (N/A) of the flexible substrate 310 has wiring and driving circuits for driving the screen, and is not an area where images are displayed, so it does not need to be visible from the top of the flexible substrate 310. . Accordingly, by bending a portion of the non-display area (N/A) of the flexible substrate 310, the bezel area can be reduced while securing an area for wiring and driving circuits.

플렉시블 기판(310) 상에는 다양한 배선들이 형성된다. 배선은 기판(310)의 표시 영역(A/A)에 형성될 수도 있고, 또는 비표시영역(N/A)에 형성되는 회로배선(370)은 구동회로 또는 게이트드라이버, 데이터드라이버 등을 연결하여 신호를 전달할 수 있다. Various wiring lines are formed on the flexible substrate 310. The wiring may be formed in the display area (A/A) of the substrate 310, or the circuit wiring 370 formed in the non-display area (N/A) may connect a driving circuit, gate driver, data driver, etc. Signals can be transmitted.

회로배선(370)은 도전성물질로 형성되며, 기판(310)의 벤딩 시에 크랙이 발생하는 것을 줄이기 위해 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들면, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 그리고, 표시영역(A/A)에서 사용되는 다양한 도전성물질 중 하나로 형성될 수 있으며, 예를 들면, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu), 및 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금 등으로도 구성될 수도 있다. The circuit wiring 370 is made of a conductive material, and may be made of a conductive material with excellent ductility to reduce the occurrence of cracks when bending the substrate 310, for example, gold (Au), silver (Ag). ), aluminum (Al), etc. may be formed of a conductive material with excellent ductility. And, it can be formed of one of various conductive materials used in the display area (A/A), such as molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium (Ti), nickel (Ni), and neodymium (Nd). , copper (Cu), and an alloy of silver (Ag) and magnesium (Mg).

회로배선(370)은 다양한 도전성물질을 포함하는 다층구조로 구성될 수도 있으며, 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti) 3층구조로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다.The circuit wiring 370 may be composed of a multi-layer structure containing various conductive materials, and may be composed of a three-layer structure of titanium (Ti)/aluminum (Al)/titanium (Ti), but is not limited thereto.

벤딩영역(B/A)에 형성되는 회로배선(370)은 벤딩되는 경우 인장력을 받게 된다. 플렉시블 기판(310) 상에서 벤딩방향과 동일한 방향으로 연장하는 회로배선(370)이 가장 큰 인장력을 받게 되어, 크랙이 발생하거나 단선이 발생할 수 있다. 따라서, 벤딩방향으로 연장하도록 회로배선(370)을 형성하는 것이 아니라, 벤딩영역(B/A)을 포함하여 배치되는 회로배선(370) 중 적어도 일부분은 벤딩 방향과 상이한 방향인 사선 방향으로 연장하도록 형성하여 인장력을 최소화할 수 있다. The circuit wiring 370 formed in the bending area (B/A) receives a tensile force when bent. The circuit wiring 370 extending in the same direction as the bending direction on the flexible substrate 310 is subjected to the greatest tensile force, which may cause cracks or disconnection. Therefore, rather than forming the circuit wiring 370 to extend in the bending direction, at least a portion of the circuit wiring 370 disposed including the bending area (B/A) extends in a diagonal direction that is different from the bending direction. By forming it, the tensile force can be minimized.

벤딩영역(B/A)을 포함하여 배치되는 회로배선(370)은 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 사다리꼴파 형상, 삼각파 형상, 톱니파 형상, 정현파 형상, 오메가(Ω) 형상, 마름모 형상 등으로 형성될 수 있다. The circuit wiring 370 disposed including the bending area (B/A) can be formed in various shapes, such as trapezoidal wave shape, triangle wave shape, sawtooth wave shape, sinusoidal wave shape, omega (Ω) shape, diamond shape, etc. It can be.

플렉시블 기판(310)의 표시영역(A/A) 상에는 도 5 내지 도 6b에서 설명되는 터치스크린 패널이 배치된다. 터치스크린 패널은 사용자의 손이나 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적신호로 변환하며, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여지고 이를 표시장치를 통해서 화면에 표시된다. The touch screen panel described in FIGS. 5 to 6B is disposed on the display area (A/A) of the flexible substrate 310. The touch screen panel converts the contact position directly touched by the user's hand or object into an electrical signal, and the instructions selected at the contact position are accepted as input signals and displayed on the screen through the display device.

플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)의 일 측에는 터치스크린 패널과 연결되는 배선 및 터치회로가 배치되는 터치회로기판이 삽입되어 벤딩되는 컷팅영역(Cutting Area; C/A)을 형성한다. On one side of the non-display area (N/A) of the flexible board 310, a touch circuit board on which wiring and touch circuits connected to the touch screen panel are placed is inserted to form a cutting area (C/A) that is bent. do.

터치회로기판은 터치스크린패널 상에 배치되는 터치전극과 서로 신호를 전달하기 위한 다양한 배선 및 터치입력을 센싱하기 위한 터치센싱회로를 포함할 수 있으며, 절연필름으로 구성할 수 있다.The touch circuit board may include touch electrodes disposed on the touch screen panel, various wiring for transmitting signals to each other, and a touch sensing circuit for sensing touch input, and may be composed of an insulating film.

컷팅영역(C/A)은 플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)에 터치회로기판의 폭보다 더 큰 폭을 가지는 영역을 절개하여, 절연필름으로 구성되는 터치회로기판이 삽입되어 벤딩되는 영역이다. 이때, 컷팅영역(C/A)에 영향을 받지 않도록 플렉시블 기판(310)상에 배치되는 회로배선(370) 및 패드(395)는 컷팅영역(C/A)에 배치하지 않고 컷팅영역(C/A)과 인접한 영역에 배치된다.In the cutting area (C/A), an area with a width greater than the width of the touch circuit board is cut into the non-display area (N/A) of the flexible substrate 310, and a touch circuit board composed of an insulating film is inserted. This is the area that is bent. At this time, the circuit wiring 370 and pad 395 placed on the flexible substrate 310 so as not to be affected by the cutting area (C/A) are not placed in the cutting area (C/A) but are placed in the cutting area (C/A). It is placed in an area adjacent to A).

플렉시블 기판(310) 상에 배치되는 터치스크린패널의 구조 및 플렉시블 기판(310)과의 상세 결합구조에 대해서는 도 5 내지 도 6b에서 설명한다.The structure of the touch screen panel disposed on the flexible substrate 310 and the detailed connection structure with the flexible substrate 310 will be described in FIGS. 5 to 6B.

도 4a 및 도 4b는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 표시영역 및 벤딩영역의 상세구조 단면도이다. 4A and 4B are cross-sectional views of detailed structures of a display area and a bending area of an electroluminescence display device according to an embodiment of the present specification.

도 4a는 도 3에서 설명한 표시영역(A/A)의 상세구조 단면(I-I')이다. FIG. 4A is a cross-section (I-I') of the detailed structure of the display area (A/A) described in FIG. 3.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 기판(410)은 상부에 배치되는 전계발광 표시장치(400)의 구성요소들을 지지 및 보호하는 역할을 한다. 최근에는 플라스틱과 같은 플렉시블 특성을 가지는 연성의 물질로 플렉시블 기판(410)을 사용할 수 있다. Referring to FIGS. 4A and 4B , the substrate 410 serves to support and protect the components of the electroluminescent display device 400 disposed on the top. Recently, the flexible substrate 410 can be used as a soft material with flexible characteristics such as plastic.

플렉시블 기판(410)은 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군 중 하나를 포함하는 필름형태일 수 있으며, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리실란(polysilane), 폴리실록산(polysiloxane), 폴리실라잔(polysilazane), 폴리카르보실란(polycarbosilane), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리메타크릴레이트(polymethacrylate), 폴리메틸아크릴레이트(polymethylacrylate), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmetacrylate), 폴리에틸아크릴레이트(polyethylacrylate), 폴리에틸메타크릴레이트(polyethylmetacrylate), 사이클릭 올레핀 코폴리머(COC), 사이클릭 올레핀 폴리머(COP), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌(PS), 폴리아세탈(POM), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에스테르설폰(PES), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐리덴플로라이드(PVDF), 퍼플루오로알킬 고분자(PFA), 스타이렌아크릴나이트릴코폴리머(SAN) 및 이들의 조합 중에서 적어도 하나로 구성될 수 있다. The flexible substrate 410 may be in the form of a film containing one of the group consisting of polyester polymer, silicon polymer, acrylic polymer, polyolefin polymer, and copolymers thereof, for example, polyethylene terephthalate (PET), Polybutylene terephthalate (PBT), polysilane, polysiloxane, polysilazane, polycarbosilane, polyacrylate, polymethacrylate, poly methyl acrylate, polymethylmethacrylate, polyethyl acrylate, polyethyl methacrylate, cyclic olefin copolymer (COC), cyclic olefin polymer (COP), Polyethylene (PE), polypropylene (PP), polyimide (PI), polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene (PS), polyacetal (POM), polyether ether ketone (PEEK), polyester sulfone (PES) ), polytetrafluoroethylene (PTFE), polyvinyl chloride (PVC), polycarbonate (PC), polyvinylidene fluoride (PVDF), perfluoroalkyl polymer (PFA), styrene acryl nitrile copolymer (SAN) ) and combinations thereof.

플렉시블 기판(410) 상에 버퍼층이 더 배치될 수 있다. 버퍼층은 플렉시블 기판(410)을 통해서 외부의 수분이나 다른 불순물의 침투를 방지하며, 플렉시블 기판(410)의 표면을 평탄화할 수 있다. 버퍼층은 반드시 필요한 구성은 아니며, 플렉시블 기판(410) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(420)의 종류에 따라 삭제될 수도 있다. A buffer layer may be further disposed on the flexible substrate 410. The buffer layer prevents external moisture or other impurities from penetrating through the flexible substrate 410 and can flatten the surface of the flexible substrate 410. The buffer layer is not necessarily a necessary component, and may be removed depending on the type of thin film transistor 420 disposed on the flexible substrate 410.

플렉시블 기판(410) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(420)는 게이트전극(422), 소스전극(424), 드레인전극(426) 및 반도체층(428)을 포함한다.The thin film transistor 420 disposed on the flexible substrate 410 includes a gate electrode 422, a source electrode 424, a drain electrode 426, and a semiconductor layer 428.

반도체층(428)은 비정질실리콘(Amorphous Silicon) 또는 비정질 실리콘보다 우수한 이동도(Mobility)를 가져서 에너지 소비 전력이 낮고 신뢰성이 우수하여, 화소 내에서 구동 박막 트랜지스터에 적용할 수 있는 다결정실리콘(Polycrystalline Silicon)으로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The semiconductor layer 428 is made of amorphous silicon or polycrystalline silicon, which has better mobility than amorphous silicon, has low energy consumption and excellent reliability, and can be applied to a driving thin film transistor within a pixel. ), but is not limited to this.

그리고, 반도체층은 산화물(Oxide) 반도체로 구성할 수 있다. 산화물 반도체는 이동도와 균일도가 우수한 특성을 갖고 있다. 산화물 반도체는 4원계 금속 산화물인 인듐 주석 갈륨 아연 산화물(InSnGaZnO) 계 재료, 3원계 금속 산화물인 인듐 갈륨 아연 산화물(InGaZnO) 계 재료, 인듐 주석 아연 산화물(InSnZnO) 계 재료, 인듐 알루미늄 아연 산화물(InAlZnO) 계 재료, 주석 갈륨 아연 산화물(SnGaZnO) 계 재료, 알루미늄 갈륨 아연 산화물(AlGaZnO) 계 재료, 주석 알루미늄 아연 산화물(SnAlZnO) 계 재료, 2원계 금속 산화물인 인듐 아연 산화물(InZnO) 계 재료, 주석 아연 산화물(SnZnO) 계 재료, 알루미늄 아연 산화물(AlZnO) 계 재료, 아연 마그네슘 산화물(ZnMgO) 계 재료, 주석 마그네슘 산화물(SnMgO) 계 재료, 인듐 마그네슘 산화물(InMgO) 계 재료, 인듐 갈륨 산화물(InGaO) 계 재료, 인듐 산화물(InO) 계 재료, 주석 산화물(SnO) 계 재료, 아연 산화물(ZnO) 계 재료 등으로 반도체층(428)을 구성할 수 있으며, 각각의 원소의 조성 비율은 제한되지 않는다.And, the semiconductor layer may be composed of an oxide semiconductor. Oxide semiconductors have excellent mobility and uniformity properties. Oxide semiconductors include indium tin gallium zinc oxide (InSnGaZnO)-based materials, which are quaternary metal oxides, indium gallium zinc oxide (InGaZnO)-based materials, which are ternary metal oxides, indium tin zinc oxide (InSnZnO)-based materials, and indium aluminum zinc oxide (InAlZnO). )-based materials, tin gallium zinc oxide (SnGaZnO)-based materials, aluminum gallium zinc oxide (AlGaZnO)-based materials, tin aluminum zinc oxide (SnAlZnO)-based materials, indium zinc oxide (InZnO)-based materials, which are binary metal oxides, tin-zinc Oxide (SnZnO) based material, aluminum zinc oxide (AlZnO) based material, zinc magnesium oxide (ZnMgO) based material, tin magnesium oxide (SnMgO) based material, indium magnesium oxide (InMgO) based material, indium gallium oxide (InGaO) based material The semiconductor layer 428 can be formed of indium oxide (InO)-based materials, tin oxide (SnO)-based materials, zinc oxide (ZnO)-based materials, etc., and the composition ratio of each element is not limited.

반도체층(428)은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 소스영역(Source Region), 드레인영역(Drain Region), 및 소스영역 및 드레인영역 사이에 채널(Channel)을 포함할 수 있고, 채널과 인접한 소스영역 및 드레인영역 사이에는 저농도 도핑영역을 더 포함할 수 있다.The semiconductor layer 428 may include a source region containing p-type or n-type impurities, a drain region, and a channel between the source region and the drain region. A low-concentration doping region may be further included between adjacent source and drain regions.

소스영역 및 드레인영역은 불순물이 고농도로 도핑된 영역으로, 박막 트랜지스터(420)의 소스전극(424) 및 드레인전극(426)이 각각 접속되는 영역이다. 불순물 이온은 p형 불순물 또는 n형 불순물을 이용할 수 있는데, p형 불순물은 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 인듐(In) 중 하나일 수 있고, n형 불순물은 인(P), 비소(As) 및 안티몬(Sb) 등에서 하나일 수 있다. The source region and drain region are regions doped with impurities at a high concentration, and are regions where the source electrode 424 and drain electrode 426 of the thin film transistor 420 are connected, respectively. The impurity ion may be a p-type impurity or an n-type impurity. The p-type impurity may be one of boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), and indium (In), and the n-type impurity may be phosphorus ( It may be one of P), arsenic (As), antimony (Sb), etc.

반도체층(428)은 NMOS 또는 PMOS의 박막 트랜지스터 구조에 따라, 채널 영역은 n형 불순물 또는 p형 불순물로 도핑될 수 있으며, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함된 박막 트랜지스터는 NMOS 또는 PMOS의 박막 트랜지스터가 적용가능하다.The semiconductor layer 428 may be doped with an n-type impurity or a p-type impurity in the channel region depending on the thin film transistor structure of NMOS or PMOS, and the thin film transistor included in the electroluminescent display device according to the embodiment of the present specification is NMOS. Alternatively, PMOS thin film transistors are applicable.

제1 절연층(431)은 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성된 절연층이며, 반도체층(428)에 흐르는 전류가 게이트전극(422)으로 흘러가지 않도록 배치한다. 그리고, 실리콘산화물은 금속보다는 연성이 떨어지지만, 실리콘질화물에 비해서는 연성이 우수하며 그 특성에 따라 단일층 또는 복수층으로 형성할 수 있다. The first insulating layer 431 is an insulating layer composed of a single layer of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) or multiple layers thereof, and prevents the current flowing in the semiconductor layer 428 from flowing to the gate electrode 422. Arrange so that it does not occur. In addition, silicon oxide is less ductile than metal, but has superior ductility than silicon nitride and can be formed as a single layer or multiple layers depending on its characteristics.

게이트전극(422)은 게이트라인을 통해 외부에서 전달되는 전기 신호에 기초하여 박막 트랜지스터(420)를 턴-온(turn-on) 또는 턴-오프(turn-off)하는 스위치 역할을 하며, 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등이나, 이에 대한 합금으로 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The gate electrode 422 serves as a switch to turn on or off the thin film transistor 420 based on an external electrical signal transmitted through the gate line, and is made of a conductive metal. Single layer of copper (Cu), aluminum (Al), molybdenum (Mo), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), and neodymium (Nd), or alloys thereof. Alternatively, it may be composed of multiple layers, but is not limited thereto.

소스전극(424) 및 드레인전극(426)은 데이터라인과 연결되며 외부에서 전달되는 전기신호가 박막 트랜지스터(420)에서 발광소자(440)로 전달되도록 한다. 소스전극(424) 및 드레인전극(426)은 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등의 금속 재료나 이에 대한 합금으로 단일층 또는 다중층으로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The source electrode 424 and the drain electrode 426 are connected to the data line and allow electrical signals transmitted from the outside to be transmitted from the thin film transistor 420 to the light emitting device 440. The source electrode 424 and the drain electrode 426 are made of conductive metals such as copper (Cu), aluminum (Al), molybdenum (Mo), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), It may be composed of a single layer or multiple layers of metal materials such as neodymium (Nd) or alloys thereof, but is not limited thereto.

게이트전극(422)과 소스전극(424) 및 드레인전극(426)을 서로 절연시키기 위해서 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)의 단일층이나 다중층으로 구성된 제2 절연층(433)을 게이트전극(422)과 소스전극(424) 및 드레인전극(426) 사이에 배치할 수 있다.In order to insulate the gate electrode 422, the source electrode 424, and the drain electrode 426 from each other, a second insulating layer 433 composed of a single layer or multiple layers of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) is formed on the gate. It can be placed between the electrode 422, the source electrode 424, and the drain electrode 426.

박막 트랜지스터(420) 상에 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기절연층으로 구성된 패시베이션층을 더 배치할 수도 있다. 페시베이션층은, 패시베이션층의 상하에 배치되는 구성요소들 사이의 불필요한 전기적 연결을 막고 외부로부터의 오염이나 손상 등을 막는 역할을 할 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략할 수도 있다.A passivation layer made of an inorganic insulating layer such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) may be further disposed on the thin film transistor 420. The passivation layer can serve to prevent unnecessary electrical connections between components disposed above and below the passivation layer and prevent contamination or damage from the outside, and constitutes the thin film transistor 420 and the light emitting device 440. and may be omitted depending on the characteristics.

박막 트랜지스터(420)는 박막 트랜지스터(420)를 구성하는 구성요소들의 위치에 따라 인버티드 스태거드(Inverted Staggered) 구조와 코플래너(Coplanar) 구조로 분류될 수 있다. 인버티드 스태거드 구조의 박막 트랜지스터는 반도체층을 기준으로 게이트전극이 소스전극 및 드레인전극의 반대편에 위치한다. 도 4a에서와 같이, 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(420)는 반도체층(428)을 기준으로 게이트전극(422)이 소스전극(424) 및 드레인전극(426)과 같은편에 위치한다. The thin film transistor 420 can be classified into an inverted staggered structure and a coplanar structure depending on the positions of the components constituting the thin film transistor 420. In an inverted staggered thin film transistor, the gate electrode is located on the opposite side of the source electrode and drain electrode based on the semiconductor layer. As shown in FIG. 4A, in the thin film transistor 420 having a coplanar structure, the gate electrode 422 is located on the same side as the source electrode 424 and the drain electrode 426 with respect to the semiconductor layer 428.

도 4a에서는 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(420)가 도시되었으나, 전계발광 표시장치(400)는 인버티드 스태거드 구조의 박막 트랜지스터를 포함할 수도 있다.Although FIG. 4A shows a thin film transistor 420 having a coplanar structure, the electroluminescent display device 400 may also include a thin film transistor having an inverted staggered structure.

설명의 편의를 위해, 전계발광 표시장치(400)에 포함될 수 있는 다양한 박막 트랜지스터 중에서 구동 박막 트랜지스터만을 도시하였으며, 스위칭 박막 트랜지스터, 커패시터 등도 전계발광 표시장치(400)에 포함될 수 있다. 그리고, 스위칭 박막 트랜지스터는 게이트 배선으로부터 신호가 인가되면, 데이터 배선으로부터의 신호를 구동 박막트랜지스터의 게이트전극으로 전달한다. 구동 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터로부터 전달받은 신호에 의해 전원 배선을 통해 전달되는 전류를 애노드(442)로 전달하며, 애노드(442)로 전달되는 전류에 의해 발광을 제어한다.For convenience of explanation, only the driving thin film transistor is shown among the various thin film transistors that may be included in the electroluminescent display device 400, and switching thin film transistors, capacitors, etc. may also be included in the electroluminescent display device 400. And, when a signal is applied from the gate wire, the switching thin film transistor transfers the signal from the data wire to the gate electrode of the driving thin film transistor. The driving thin film transistor transmits the current transmitted through the power wiring by a signal received from the switching thin film transistor to the anode 442, and controls light emission by the current transmitted to the anode 442.

박막 트랜지스터(420)를 보호하고 박막 트랜지스터(420)로 인해서 발생되는 단차를 완화시키며, 박막 트랜지스터(420)와 게이트라인 및 데이터라인, 발광소자(440)들 사이에 발생되는 기생정전용량(Parasitic-Capacitance)을 감소시키기 위해서 박막 트랜지스터(420) 상에 평탄화층(435, 437)을 배치한다.Protects the thin film transistor 420, alleviates the step difference caused by the thin film transistor 420, and reduces parasitic capacitance generated between the thin film transistor 420, the gate line, the data line, and the light emitting device 440. In order to reduce capacitance, planarization layers 435 and 437 are disposed on the thin film transistor 420.

평탄화층(435, 437)은 아크릴계 수지(Acrylic Resin), 에폭시 수지 (Epoxy Resin), 페놀 수지 (Phenolic Resin), 폴리아미드계 수지(Polyamides Resin), 폴리이미드계 수지(Polyimides Resin), 불포화 폴리에스테르계 수지(Unsaturated Polyesters Resin), 폴리페닐렌계 수지(Polyphenylene Resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(Polyphenylenesulfides Resin), 및 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.The planarization layers 435 and 437 are made of acrylic resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamides resin, polyimides resin, and unsaturated polyester. It may be formed of one or more materials among Unsaturated Polyesters Resin, Polyphenylene Resin, Polyphenylenesulfides Resin, and Benzocyclobutene, but is not limited thereto.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(400)는 순차적으로 적층된 복수의 평탄화층(435, 437)인 제1 평탄화층(435) 및 제2 평탄화층(437)을 포함할 수도 있다. 박막 트랜지스터(420) 상에 제1 평탄화층(435)이 적층되어 배치되고, 제1 평탄화층(435) 상에 순차적으로 제2 평탄화층(437)이 적층되어 배치될 수 있다. The electroluminescent display device 400 according to an embodiment of the present specification may include a first planarization layer 435 and a second planarization layer 437, which are a plurality of planarization layers 435 and 437 sequentially stacked. The first planarization layer 435 may be stacked and disposed on the thin film transistor 420, and the second planarization layer 437 may be sequentially stacked on the first planarization layer 435.

제1 평탄화층(435) 상에는 버퍼층이 배치될 수도 있다. 버퍼층은 제1 평탄화층(435) 상에 배치되는 구성요소를 보호하기 위해서 배치되며, 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략할 수도 있다.A buffer layer may be disposed on the first planarization layer 435. The buffer layer is disposed to protect the components disposed on the first planarization layer 435, and is a single layer of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) or a multilayer of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx). It may be composed of layers, and may be omitted depending on the configuration and characteristics of the thin film transistor 420 and the light emitting device 440.

제1 평탄화층(435)에 형성되는 컨택홀(Contact Hole)을 통해서 중간전극(430)이 박막 트랜지스터(420)와 연결된다. 중간전극(430)은 박막 트랜지스터(420)와 연결되도록 적층되어 데이터라인도 복층 구조로 형성될 수 있다. The intermediate electrode 430 is connected to the thin film transistor 420 through a contact hole formed in the first planarization layer 435. The intermediate electrode 430 is stacked to be connected to the thin film transistor 420, so that the data line can also be formed in a multi-layer structure.

데이터라인은 소스전극(424) 및 드레인전극(426)과 동일한 물질로 이루어지는 하부층과 중간전극(430)과 동일한 물질로 이루어지는 상부층이 연결되는 구조로 형성될 수 있으므로, 두 개의 층이 서로 병렬 연결된 구조로 데이터라인이 구현될 수 있으므로, 데이터라인의 배선 저항이 감소될 수 있다.The data line may be formed in a structure in which a lower layer made of the same material as the source electrode 424 and the drain electrode 426 and an upper layer made of the same material as the intermediate electrode 430 are connected, so the two layers are connected in parallel. Since the data line can be implemented, the wiring resistance of the data line can be reduced.

제1 평탄화층(435) 및 중간전극(430) 상에 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기절연층으로 구성된 패시베이션층이 더 배치될 수도 있다. 패시베이션층은 구성요소들 사이의 불필요한 전기적 연결을 막고 외부로부터의 오염이나 손상 등을 막는 역할을 할 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략될 수도 있다.A passivation layer made of an inorganic insulating layer such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) may be further disposed on the first planarization layer 435 and the intermediate electrode 430. The passivation layer may serve to prevent unnecessary electrical connections between components and prevent contamination or damage from the outside, and may be omitted depending on the configuration and characteristics of the thin film transistor 420 and the light emitting device 440.

제2 평탄화층(437) 상에 배치되는 발광소자(440)는 애노드(442), 발광부(444) 및 캐소드(446)를 포함한다.The light emitting device 440 disposed on the second planarization layer 437 includes an anode 442, a light emitting portion 444, and a cathode 446.

애노드(442)는 제2 평탄화층(437) 상에 배치될 수 있다. 애노드(442)는 발광부(444)에 정공을 공급하는 역할을 하는 전극으로, 제2 평탄화층(437)에 있는 컨택홀을 통해 중간전극(430)과 연결되며, 박막 트랜지스터(420)와 전기적으로 연결된다. The anode 442 may be disposed on the second planarization layer 437. The anode 442 is an electrode that supplies holes to the light emitting unit 444, and is connected to the intermediate electrode 430 through a contact hole in the second planarization layer 437, and is electrically connected to the thin film transistor 420. It is connected to

애노드(442)는 투명 도전성 물질인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide; IZO) 등으로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The anode 442 may be made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), but is not limited thereto.

전계발광 표시장치(400)가 캐소드(446)가 배치된 상부로 광을 발광하는 탑에미션(Top Emission)일 경우 발광된 광이 애노드(442)에서 반사되어 보다 원활하게 캐소드(446)가 배치된 상부 방향으로 방출될 수 있도록, 반사층을 더 포함할 수 있다. If the electroluminescent display device 400 is a top emission device that emits light toward the top where the cathode 446 is placed, the emitted light is reflected from the anode 442 and the cathode 446 is positioned more smoothly. It may further include a reflective layer so that it can be emitted in the upper direction.

애노드(442)는 투명 도전성 물질로 구성된 투명 도전층과 반사층이 차례로 적층된 2층 구조이거나, 투명 도전층, 반사층 및 투명 도전층이 차례로 적층된 3층 구조일 수 있으며, 반사층은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 합금일 수 있다. The anode 442 may have a two-layer structure in which a transparent conductive layer made of a transparent conductive material and a reflective layer are sequentially stacked, or it may have a three-layer structure in which a transparent conductive layer, a reflective layer, and a transparent conductive layer are sequentially stacked, and the reflective layer is made of silver (Ag). Or it may be an alloy containing silver.

애노드(442) 및 제2 평탄화층(437) 상에 배치되는 뱅크(450)는 실제로 광을 발광하는 영역을 구획하여 화소를 정의할 수 있다. 애노드(442) 상에 포토레지스트(Photoresist)를 형성한 후에 사진식각공정(Photolithography)에 의해 뱅크(450)를 형성한다. 포토레지스트는 광의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화되는 감광성 수지를 말하며, 포토레지스트를 노광 및 현상하여 특정 패턴이 얻어질 수 있다. 포토레지스트는 포지티브형 포토레지스트(Positive Photoresist)와 네거티브형 포토레지스트(Negative photoresist)로 분류될 수 있다. 포지티브형 포토레지스트는 노광으로 노광부의 현상액에 대한 용해성이 증가되는 포토레지스트를 말하며, 포지티브형 포토레지스트를 현상하면 노광부가 제거된 패턴이 얻어진다. 그리고, 네거티브형 포토레지스트는 노광으로 노광부의 현상액에 대한 용해성이 크게 저하되는 포토레지스트를 말하며, 네거티브형 포토레지스트를 현상하면 비노광부가 제거된 패턴이 얻어 진다. The bank 450 disposed on the anode 442 and the second planarization layer 437 may define a pixel by dividing an area that actually emits light. After forming photoresist on the anode 442, the bank 450 is formed by photolithography. Photoresist refers to a photosensitive resin whose solubility in a developer changes under the action of light, and a specific pattern can be obtained by exposing and developing the photoresist. Photoresist can be classified into positive photoresist and negative photoresist. Positive photoresist refers to a photoresist whose solubility in the developer of the exposed area increases with exposure. When a positive photoresist is developed, a pattern with the exposed area removed is obtained. In addition, negative photoresist refers to a photoresist whose solubility in the developer of the exposed area is greatly reduced by exposure. When the negative photoresist is developed, a pattern with the non-exposed area removed is obtained.

발광소자(440)의 발광부(444)를 형성하기 위해서 증착마스크인 FMM(Fine Metal Mask)을 사용할 수 있다. 그리고, 뱅크(450) 상에 배치되는 증착마스크와 접촉하여 발생될 수 있는 손상을 방지하고, 뱅크(450)와 증착마스크 사이에 일정한 거리를 유지하기 위해서, 뱅크(450) 상부에 투명 유기물인 폴리이미드, 포토아크릴 및 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 하나로 구성되는 스페이서(Spacer; 452)를 배치할 수도 있다.To form the light emitting portion 444 of the light emitting device 440, a fine metal mask (FMM), which is a deposition mask, can be used. In addition, in order to prevent damage that may occur by contact with the deposition mask disposed on the bank 450 and to maintain a constant distance between the bank 450 and the deposition mask, a transparent organic polyethylene layer is placed on the top of the bank 450. A spacer (452) composed of one of mead, photoacrylic, and benzocyclobutene (BCB) may be placed.

애노드(442)와 캐소드(446) 사이에는 발광부(444)가 배치된다. 발광부(444)는 광을 발광하는 역할을 하며, 정공주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공수송층(Hole Transport Layer; HTL), 발광층, 전자수송층(Electron Transport Layer; ETL), 전자주입층(Electron Injection Layer; EIL) 중 적어도 하나의 층을 포함할 수 있고, 전계발광 표시장치(400)의 구조나 특성에 따라 발광부(444)의 일부 구성요소는 생략될 수도 있다. 여기서 발광층은 전계발광층 및 무기발광층을 적용하는 것도 가능하다.A light emitting unit 444 is disposed between the anode 442 and the cathode 446. The light emitting part 444 serves to emit light, and includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer, an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer. (Electron Injection Layer; EIL), and some components of the light emitting unit 444 may be omitted depending on the structure or characteristics of the electroluminescence display device 400. Here, it is also possible to apply an electroluminescent layer or an inorganic light emitting layer as the light emitting layer.

정공주입층은 애노드(442) 상에 배치하여 정공의 주입이 원활하게 하는 역할을 한다. 정공주입층은, HAT-CN(dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc(phthalocyanine), 및 NPD(N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다. The hole injection layer is disposed on the anode 442 to facilitate hole injection. The hole injection layer is HAT-CN (dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc (phthalocyanine), and NPD (N, It may be composed of one or more of N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine).

정공수송층은 정공주입층 상에 배치하여 발광층으로 원활하게 정공을 전달하는 역할을 한다. 정공수송층은, NPD(N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD(2,2',7,7'-tetrakis(N,N-dimethylamino)-9,9-spirofluorene), 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.The hole transport layer is disposed on the hole injection layer and serves to smoothly transfer holes to the light emitting layer. The hole transport layer is NPD(N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3- methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD(2,2',7,7'-tetrakis(N,N-dimethylamino)-9,9-spirofluorene), and MTDATA( It may be composed of one or more of 4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine).

발광층은 정공수송층 상에 배치되며 특정 색의 광을 발광할 수 있는 물질을 포함하여 특정 색의 광을 발광할 수 있다. 그리고, 발광물질은 인광물질 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다. The light-emitting layer is disposed on the hole transport layer and can emit light of a specific color by including a material that can emit light of a specific color. Also, the light-emitting material can be formed using a phosphorescent material or a fluorescent material.

발광층이 적색(Red)을 발광하는 경우, 발광하는 피크파장은 600㎚ 내지 650㎚ 범위가 될 수 있으며, CBP(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate) iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)(acetylacetonate) iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline) iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum) 중에서 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또는, PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light-emitting layer emits red, the peak wavelength of light emission may be in the range of 600 nm to 650 nm, and CBP (4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl) or mCP (1,3 -Contains host materials including bis(carbazol-9-yl)benzene), PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate) iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)(acetylacetonate) ) iridium), tris(1-phenylquinoline) iridium (PQIr), and octaethylporphyrin platinum (PtOEP). Alternatively, it may be made of a fluorescent material containing PBD:Eu(DBM)3(Phen) or Perylene.

여기서, 피크파장(λmax)은 EL(ElectroLuminescence)의 최대 파장을 말한다. 발광부를 구성하는 발광층들이 고유의 광을 내는 파장을 PL(PhotoLuminescence)이라 하며, 발광층들을 구성하는 층들의 두께나 광학적 특성의 영향을 받아 나오는 광을 에미턴스(Emittance)라 한다. 이때, EL(ElectroLuminescence)은 전계발광 표시장치가 최종적으로 방출하는 광을 말하며, PL(PhotoLuminescence) 및 에미턴스(Emittance)의 곱으로 표현될 수 있다.Here, the peak wavelength (λmax) refers to the maximum wavelength of EL (ElectroLuminescence). The wavelength at which the light-emitting layers that make up the light-emitting part emit their own light is called PL (PhotoLuminescence), and the light that comes out under the influence of the thickness or optical characteristics of the layers that make up the light-emitting layer is called emittance. At this time, EL (ElectroLuminescence) refers to the light finally emitted by the electroluminescence display device, and can be expressed as the product of PL (PhotoLuminescence) and emittance.

발광층이 녹색(Green)을 발광하는 경우, 발광하는 피크 파장은 520nm 내지 540nm 범위가 될 수 있으며, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 Ir complex와 같은 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light-emitting layer emits green, the peak wavelength of light emission may be in the range of 520nm to 540nm, and includes a host material containing CBP or mCP, and Ir(ppy)3(tris(2-phenylpyridine)iridium ) may be made of a phosphorescent material containing a dopant material such as an Ir complex containing. Additionally, it may be made of a fluorescent material containing Alq3 (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum).

발광층이 청색(Blue)을 발광하는 경우, 발광하는 피크 파장은 440㎚ 내지 480㎚ 범위가 될 수 있으며, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, FIrPic(bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium)를 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, spiro-DPVBi(4,4'-Bis(2,2-diphenyl-ethen-1-yl)biphenyl), DSA(1-4-di-[4-(N,N-di-phenyl)amino]styryl-benzene), PFO(polyfluorene)계 고분자 및 PPV(polyphenylenevinylene)계 고분자중 어느 하나를 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting layer emits blue, the peak wavelength of light emission may be in the range of 440 nm to 480 nm, contains a host material containing CBP or mCP, and FIrPic (bis(3,5-difluoro-2 It may be made of a phosphorescent material containing a dopant material containing -(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium). In addition, spiro-DPVBi(4,4'-Bis(2,2-diphenyl-ethen) -1-yl)biphenyl), DSA (1-4-di-[4-(N,N-di-phenyl)amino]styryl-benzene), PFO (polyfluorene) polymer, and PPV (polyphenylenevinylene) polymer. It may be made of a fluorescent material containing one.

발광층 상에 전자수송층을 배치하여 발광층으로 전자의 이동을 원활하게 한다. 전자수송층은, Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium), PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), TAZ(3-(4-biphenyl)4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), spiro-PBD, BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 BAlq(bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminum) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.An electron transport layer is placed on the light emitting layer to facilitate the movement of electrons to the light emitting layer. The electron transport layer is Liq (8-hydroxyquinolinolato-lithium), PBD (2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), TAZ (3-(4-biphenyl) )4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), spiro-PBD, BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) and BAlq(bis(2 -methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminum).

전자수송층 상에 전자주입층이 더 배치될 수 있다. 전자주입층은 캐소드(446)로부터 전자의 주입을 원활하게 하는 유기층으로, 전계발광 표시장치(400)의 구조와 특성에 따라서 생략될 수 있다. 전자주입층은 BaF2, LiF, NaCl, CsF, Li2O 및 BaO와 같은 금속 무기 화합물일 수 있고, HAT-CN(dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc(phthalocyanine), 및 NPD(N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine) 중에서 어느 하나 이상의 유기 화합물일 수 있다. An electron injection layer may be further disposed on the electron transport layer. The electron injection layer is an organic layer that facilitates injection of electrons from the cathode 446, and may be omitted depending on the structure and characteristics of the electroluminescence display device 400. The electron injection layer may be a metal inorganic compound such as BaF2, LiF, NaCl, CsF, Li2O and BaO, and HAT-CN (dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3, 6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc (phthalocyanine), and NPD (N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine) It may be one or more organic compounds.

발광층과 인접한 위치에 정공 또는 전자의 흐름을 저지하는 전자저지층(Electron Blocking Layer) 또는 정공저지층(Hole Blocking Layer)을 더 배치하여 전자가 발광층에 주입될때 발광층에서 이동하여 인접한 정공수송층으로 통과하거나 정공이 발광층에 주입될 때 발광층에서 이동하여 인접한 전자수송층으로 통과하는 현상을 방지하여 발광효율을 향상시킬 수 있다.An electron blocking layer or hole blocking layer is further placed adjacent to the light emitting layer to block the flow of holes or electrons, so that when electrons are injected into the light emitting layer, they move from the light emitting layer and pass through the adjacent hole transport layer. When holes are injected into the light-emitting layer, the luminous efficiency can be improved by preventing the hole from moving from the light-emitting layer and passing through the adjacent electron transport layer.

캐소드(446)는 발광부(444) 상에 배치되어, 발광부(444)로 전자를 공급하는 역할을 한다. 캐소드(446)는 전자를 공급하여야 하므로 일함수가 낮은 도전성 물질인 마그네슘(Mg), 은-마그네슘(Ag:Mg) 등과 같은 금속 물질로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The cathode 446 is disposed on the light emitting unit 444 and serves to supply electrons to the light emitting unit 444. Since the cathode 446 must supply electrons, it can be made of a metal material such as magnesium (Mg) or silver-magnesium (Ag:Mg), which is a conductive material with a low work function, but is not limited thereto.

전계발광 표시장치(400)가 탑에미션 방식인 경우, 캐소드(446)는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide; ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide; ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide; TiO) 계열의 투명 도전성 산화물일 수 있다.When the electroluminescent display device 400 is a top emission type, the cathode 446 is made of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), zinc oxide ( It may be a transparent conductive oxide of the Zinc Oxide (ZnO) and Tin Oxide (TiO) series.

발광소자(440) 상에는 전계발광 표시장치(400)의 구성요소인 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)가 외부에서 유입되는 수분, 산소 또는 불순물들로 인해서 산화 또는 손상되는 것을 방지하기 위한 봉지부(460)를 배치할 수 있으며, 복수의 봉지층, 이물보상층 및 복수의 배리어필름(Barrier Film)이 적층되어 형성할 수 있다. A bag is placed on the light emitting device 440 to prevent the thin film transistor 420 and the light emitting device 440, which are components of the electroluminescence display device 400, from being oxidized or damaged due to moisture, oxygen, or impurities flowing in from the outside. The portion 460 can be disposed and formed by stacking a plurality of encapsulation layers, a foreign matter compensation layer, and a plurality of barrier films.

봉지층은 박막 트렌지스터(420) 및 발광소자(440)의 상부 전면에 배치되며, 무기물인 질화실리콘(SiNx) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 중 하나로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. 봉지층 상에 배치되는 이물보상층 상에는 봉지층이 더 배치될 수 있다. The encapsulation layer is disposed on the entire upper surface of the thin film transistor 420 and the light emitting device 440, and may be made of one of inorganic silicon nitride (SiNx) or aluminum oxide (AlyOz), but is not limited thereto. An encapsulation layer may be further disposed on the foreign matter compensation layer disposed on the encapsulation layer.

이물보상층은 봉지층 상에 배치되며, 유기물인 실리콘옥시카본(SiOCz), 아크릴(Acryl) 또는 에폭시(Epoxy) 계열의 레진(Resin)을 사용할 수 있으며, 이에 제한되지 않으며, 공정 중에 발생될 수 있는 이물이나 파티클(Particle)에 의해서 발생된 크랙(Crack)에 의해 불량이 발생할 때 이물보상층에 의해서 굴곡 및 이물이 덮히면서 보상할 수 있다. The foreign matter compensation layer is placed on the encapsulation layer, and can use organic silicon oxycarbon (SiOCz), acryl, or epoxy-based resin, but is not limited to this, and may be generated during the process. When defects occur due to cracks caused by foreign matter or particles, the bending and foreign matter can be covered by the foreign matter compensation layer to compensate.

봉지층 및 이물보상층 상에 배리어필름을 배치하여 전계발광 표시장치(400)가 외부에서의 산소 및 수분의 침투를 지연시킬 수 있다. 배리어필름은 투광성 및 양면 접착성을 띠는 필름 형태로 구성되며, 올레핀(Olefin) 계열, 아크릴(Acrylic) 계열 및 실리콘(Silicon) 계열 중 어느 하나의 절연재료로 구성될 수 있고, 또는 COP(Cyclolefin Polymer), COC(Cycloolefin Copolymer) 및 PC(Polycarbonate) 중 어느 하나의 재료로 구성된 배리어필름을 더 적층할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.By disposing a barrier film on the encapsulation layer and the foreign matter compensation layer, the electroluminescent display device 400 can delay the infiltration of oxygen and moisture from the outside. The barrier film is composed of a light-transmitting and double-sided adhesive film, and can be made of any one of the following insulating materials: Olefin-based, Acrylic-based, and Silicon-based, or COP (Cyclolefin). A barrier film made of any one of materials such as polymer), COC (cycloolefin copolymer), and PC (polycarbonate) can be further laminated, but is not limited thereto.

도 4b는 도 3에서 설명한 벤딩영역(B/A)의 상세구조 단면(II-II')이다. FIG. 4B is a detailed structural cross-section (II-II') of the bending area (B/A) described in FIG. 3.

도 4b의 일부 구성요소는 도 4a에서 설명된 구성요소와 실질적으로 동일/유사하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. Some components of FIG. 4B are substantially the same/similar to the components described in FIG. 4A and detailed description thereof will be omitted.

도 1 내지 도 3에서 설명한 게이트신호 및 데이터신호는 외부에서부터 전계발광 표시장치(400)의 비표시영역(N/A)에 배치되는 회로배선을 거쳐서 표시영역(A/A)에 배치되어 있는 화소로 전달되어 발광되도록 한다. The gate signal and data signal described in FIGS. 1 to 3 pass from the outside through circuit wiring disposed in the non-display area (N/A) of the electroluminescent display device 400 to the pixels disposed in the display area (A/A). It is transmitted to and emits light.

전계발광 표시장치(400)의 벤딩영역(B/A)을 포함한 비표시영역(N/A)에 배치되는 배선이 단층 구조로 형성되는 경우, 배선을 배치하기 위한 많은 공간이 요구된다. 도전성 물질을 증착한 후, 형성하고자 하는 배선의 형상으로 도전성 물질을 에칭 등의 공정으로 패터닝하는데, 에칭 공정의 세밀도에는 한계가 있으므로 배선 사이의 간격을 좁히기 위한 한계로 인하여 많은 공간이 요구되므로, 비표시영역(N/A)의 면적이 커지게 되어 네로우 베젤 구현에 어려움이 발생할 수 있다. When the wires disposed in the non-display area (N/A) including the bending area (B/A) of the electroluminescent display device 400 are formed in a single layer structure, a large amount of space is required to place the wires. After depositing a conductive material, the conductive material is patterned into the shape of the wire to be formed through a process such as etching. However, since the precision of the etching process is limited, a lot of space is required due to the limitation of narrowing the gap between wires. As the area of the non-display area (N/A) increases, difficulties may arise in implementing a narrow bezel.

이와 함께, 하나의 신호를 전달하기 위해 하나의 배선을 사용하는 경우, 해당 배선이 크랙이 발생되는 경우 해당 신호가 전달되지 못할 수 있다. 기판(410)을 벤딩하는 과정에서 배선 자체에 크랙이 발생하거나, 다른 층에 크랙이 발생되어 크랙이 배선으로 전파될 수도 있다. 이와 같이, 배선에 크랙이 발생되는 경우에는 전달하려는 신호가 전달되지 않을 수도 있다.Additionally, when one wire is used to transmit one signal, if the wire is cracked, the signal may not be transmitted. In the process of bending the substrate 410, cracks may occur in the wiring itself, or cracks may occur in other layers and the cracks may propagate to the wiring. Likewise, if a crack occurs in the wiring, the signal to be transmitted may not be transmitted.

이에 따라, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(400)의 벤딩영역(B/A)에 배치되는 배선은 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)의 이중배선 형태로 배치된다.Accordingly, the wiring disposed in the bending area (B/A) of the electroluminescent display device 400 according to the embodiment of the present specification is arranged in the form of a double wiring of the first wiring 462 and the second wiring 464. .

제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 도전성물질로 형성하며, 플렉시블 기판(410)의 벤딩 시에 크랙이 발생하는 것을 줄이기 위해 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있고, 표시영역(A/A)에서 사용되는 다양한 도전성물질 중 하나로 형성될 수 있으며, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu), 및 은(Ag) 과 마그네슘(Mg)의 합금 등으로도 구성될 수도 있다. 그리고, 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 다양한 도전성물질을 포함하는 다층구조로 구성될 수도 있는며, 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti) 3층구조로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다.The first wiring 462 and the second wiring 464 are made of a conductive material and may be made of a conductive material with excellent ductility to reduce the occurrence of cracks when bending the flexible substrate 410. The first wiring 462 and the second wiring 464 may be formed of a conductive material with excellent ductility, such as gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), etc., and are used in the display area (A/A). It can be formed from one of a variety of conductive materials, including molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), copper (Cu), silver (Ag), and magnesium (Mg). ) may also be composed of an alloy, etc. In addition, the first wiring 462 and the second wiring 464 may be composed of a multi-layer structure containing various conductive materials, and are composed of a three-layer structure of titanium (Ti) / aluminum (Al) / titanium (Ti). It may be, but is not limited to this.

제1 배선(462) 및 제2 배선(464)을 보호하기 위해서 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)의 하부에는 무기절연층으로 이루어지는 버퍼층이 배치될 수도 있고, 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)의 상부 및 측부를 둘러싸도록 무기절연층으로 이루어지는 패시베이션층이 형성되어 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)이 수분 등과 반응하여 부식되는 등의 현상이 방지될 수도 있다.In order to protect the first wiring 462 and the second wiring 464, a buffer layer made of an inorganic insulating layer may be disposed under the first wiring 462 and the second wiring 464, and the first wiring 462 ) and a passivation layer made of an inorganic insulating layer is formed to surround the top and sides of the second wiring 464 to prevent phenomena such as corrosion of the first wiring 462 and the second wiring 464 by reacting with moisture, etc. It could be.

벤딩영역(B/A)에 형성되는 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 벤딩되는 경우 인장력을 받게 된다. 도 3에서 설명한 바와 같이, 기판(410) 상에서 벤딩방향과 동일한 방향으로 연장하는 배선이 가장 큰 인장력을 받게 되고, 크랙이 발생할 수 있으며, 크랙이 심하면 단선이 발생할 수 있다. 따라서, 벤딩방향으로 연장하도록 배선을 형성하는 것이 아니라, 벤딩영역(B/A)을 포함하여 배치되는 배선 중 적어도 일부분은 벤딩 방향과 상이한 방향인 사선 방향으로 연장하도록 형성함으로써, 인장력을 최소화하여 크랙 발생을 줄일 수 있다. 배선의 형상을 마름모 형상, 삼각파 형상, 정현파 형상, 사다리꼴 형상 등으로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The first wiring 462 and the second wiring 464 formed in the bending area B/A are subjected to a tensile force when bent. As explained in FIG. 3, the wiring extending in the same direction as the bending direction on the substrate 410 receives the greatest tensile force, and cracks may occur. If the cracks are severe, wire breakage may occur. Therefore, rather than forming the wiring to extend in the bending direction, at least a portion of the wiring arranged including the bending area (B/A) is formed to extend in a diagonal direction that is different from the bending direction, thereby minimizing the tensile force and cracking. occurrence can be reduced. The shape of the wiring may be a diamond shape, a triangular wave shape, a sinusoidal shape, a trapezoid shape, etc., but is not limited thereto.

기판(410) 상에 제1 배선(462)이 배치되고 제1 배선(462) 상에 제1 평탄화층(435)이 배치된다. 제1 평탄화층(435) 상에는 제2 배선(464)이 배치되고, 제2 배선(464) 상에 제2 평탄화층(437)이 배치된다. A first wiring 462 is disposed on the substrate 410 and a first planarization layer 435 is disposed on the first wiring 462. A second wiring 464 is disposed on the first planarization layer 435, and a second planarization layer 437 is disposed on the second wiring 464.

제1 평탄화층(435) 및 제2 평탄화층(437)은 아크릴계 수지(Acrylic Resin), 에폭시 수지(Epoxy Resin), 페놀 수지(Phenolic Resin), 폴리아미드계 수지(Polyamides Resin), 폴리이미드계 수지(Polyimides Resin), 불포화 폴리에스테르계 수지(Unsaturated Polyesters Resin), 폴리페닐렌계 수지(Polyphenylene Resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(Polyphenylenesulfides Resin), 및 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.The first planarization layer 435 and the second planarization layer 437 are made of acrylic resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamides resin, and polyimide resin. (Polyimides Resin), Unsaturated Polyesters Resin, Polyphenylene Resin, Polyphenylenesulfides Resin, and Benzocyclobutene. may, but is not limited to this.

제2 평탄화층(437) 상에는 마이크로 코팅층(Micro Coating Layer; 466)이 배치된다. 마이크로 코팅층(466)은 벤딩 시에 기판(410) 상에 배치되는 배선부에 인장력이 작용하여 크랙이 발생될 수 있기 때문에, 벤딩되는 위치에 얇은 두께로 레진(Resin)을 코팅하여 배선을 보호하는 역할을 한다.A micro coating layer (Micro Coating Layer) 466 is disposed on the second planarization layer 437. Since the micro coating layer 466 may crack due to tensile force acting on the wiring portion disposed on the substrate 410 during bending, it protects the wiring by coating a thin layer of resin at the bending position. It plays a role.

도 5는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치 터치스크린 패널의 평면도이다.Figure 5 is a plan view of an electroluminescence display touch screen panel according to an embodiment of the present specification.

터치스크린 패널(520)은 도 3에서 설명한 플렉시블 기판(310) 상의 표시영역(A/A)과 터치전극(525)이 배치되는 터치영역(Touch Area; T/A)을 서로 대응하도록 배치된다.The touch screen panel 520 is arranged so that the display area (A/A) on the flexible substrate 310 described in FIG. 3 corresponds to the touch area (T/A) where the touch electrodes 525 are disposed.

터치전극(525)은 터치스크린 패널(520)의 터치영역(T/A)에 배치된다. 터치전극(525)은 복수의 터치구동전극(Tx) 및 복수의 터치감지전극(Rx)이 교차되도록 구성될 수 있다. The touch electrode 525 is disposed in the touch area (T/A) of the touch screen panel 520. The touch electrode 525 may be configured so that a plurality of touch driving electrodes (Tx) and a plurality of touch sensing electrodes (Rx) intersect.

복수의 터치구동전극(Tx) 및 복수의 터치감지 전극(Rx)이 교차되도록 구성된 터치전극(525)으로 구성되는 상호-정전용량방식(mutual-capacitance type)이 적용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 자기-정전용량 방식(self-capacitance type)이 적용될 수도 있다. 자기-정전용량 방식은 복수의 터치 감지 전극(Rx)들로만 배치된다. 그리고, 터치스크린 패널(520)은 저항막방식(resistive type) 또는 전자기방식(electromagnetic type) 등 다양한 방식으로 구현될 수도 있다.A mutual-capacitance type consisting of a touch electrode 525 configured to cross a plurality of touch driving electrodes (Tx) and a plurality of touch sensing electrodes (Rx) may be applied, but is not limited to this. , self-capacitance type may be applied. The self-capacitance method is arranged only with a plurality of touch sensing electrodes (Rx). Additionally, the touch screen panel 520 may be implemented in various ways, such as a resistive type or an electromagnetic type.

터치패드(530)는 터치스크린 패널(520)의 터치영역(T/A)을 두르는 외곽부의 일 측에 배치되며, 플렉시블 기판(520) 비표시영역(N/A) 상에 대응하여 배치된다. The touch pad 530 is disposed on one side of the outer portion surrounding the touch area (T/A) of the touch screen panel 520 and is correspondingly disposed on the non-display area (N/A) of the flexible substrate 520.

터치연결배선(535)은 터치전극(525)과 터치패드(530)를 전기적으로 연결시키는 역할을 한다. 이때, 터치패드(530)는 플렉시블 기판(310)의 컷팅영역(C/A)에 터치회로기판(540)이 용이하게 삽입하여 벤딩되도록 컷팅영역(C/A)과 대응되는 위치에 배치한다. The touch connection wire 535 serves to electrically connect the touch electrode 525 and the touch pad 530. At this time, the touch pad 530 is placed at a position corresponding to the cutting area (C/A) of the flexible substrate 310 so that the touch circuit board 540 can be easily inserted into the cutting area (C/A) and bent.

터치스크린 패널(520)의 끝단에는 터치패드(530)와 연결되며, 절연필름으로 구성된 터치회로기판(540)이 배치된다. 터치회로기판(540) 상에는 터치영역(T/A) 상에 배치되는 터치전극(525)과 서로 신호를 전달하기 위한 다양한 배선과 터치입력을 센싱하기 위한 터치센싱회로를 포함할 수 있으며, 연성인쇄회로 기판(Flexible Printed Circuit Board)으로 구성할 수 있다.At the end of the touch screen panel 520, a touch circuit board 540 is connected to the touch pad 530 and made of an insulating film. The touch circuit board 540 may include a touch electrode 525 disposed on the touch area (T/A), various wiring for transmitting signals to each other, and a touch sensing circuit for sensing touch input. It can be composed of a circuit board (Flexible Printed Circuit Board).

터치회로기판(540)은 도 3에서 설명한 플렉시블 기판(310)의 컷팅영역(C/A)에 삽입되어 벤딩되면서 벤딩영역(B/A)에서 플렉시블 기판(310)이 벤딩되어 형성되는 비표시영역(N/A)의 폭과 동일하거나 더 좁은 폭을 가진다. The touch circuit board 540 is inserted into the cutting area (C/A) of the flexible substrate 310 described in FIG. 3 and bent, and a non-display area is formed by bending the flexible substrate 310 in the bending area (B/A). It has a width equal to or narrower than that of (N/A).

터치회로기판(540)이 벤딩될 때 플렉시블 기판(310) 상에서 벤딩되는 경우 불필요하게 비표시영역(N/A)의 폭이 늘어나게 되어 플렉시블 전계발광 표시장치의 베젤영역을 최소화 하는데 어려움이 있다. 이에 따라 본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 터치회로기판(540)이 플렉시블 기판(310) 상에 배치되는 컷팅영역(C/A)에 삽입되어 벤딩되면서 형성되는 비표시영역(N/A)의 폭을 최소화 하여 플렉시블 전계발광 표시장치의 베젤 영역을 최소화할 수 있는 효과가 있다. 상세히 설명하면, 터치회로기판(540)이 컷팅영역(C/A)에 삽입되어 벤딩영역(B/A)의 마이크로 코팅층을 포함한 플렉시블 기판(510)이 터치회로기판(540)보다 실질적으로 외곽방향으로 더 돌출되며, 이에 따라, 터치회로기판(540)으로 인해서 발생되는 불필요한 비표시영역(N/A)의 폭을 줄일수 있는 효과가 있다. When the touch circuit board 540 is bent on the flexible board 310, the width of the non-display area (N/A) is unnecessarily increased, making it difficult to minimize the bezel area of the flexible electroluminescent display device. Accordingly, the flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present specification has a non-display area (N) formed when the touch circuit board 540 is inserted into the cutting area (C/A) disposed on the flexible substrate 310 and bent. By minimizing the width of /A), there is an effect of minimizing the bezel area of the flexible electroluminescent display device. In detail, the touch circuit board 540 is inserted into the cutting area (C/A) so that the flexible board 510 including the micro coating layer in the bending area (B/A) is oriented substantially outward from the touch circuit board 540. It protrudes further, and thus, there is an effect of reducing the width of the unnecessary non-display area (N/A) generated by the touch circuit board 540.

터치스크린 패널(520)이 플렉시블 기판(310) 상에 배치되는 상세 구조에 대해서는 도 6a 및 도 6b에서 설명한다.The detailed structure of the touch screen panel 520 disposed on the flexible substrate 310 will be described in FIGS. 6A and 6B.

도 6a 및 도 6b는 본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치스크린 및 플렉시블 기판의 평면도 및 사시도이다. 6A and 6B are a plan view and a perspective view of a touch screen and a flexible substrate of a flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification.

도 6a 본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치스크린 및 플렉시블 기판의 평면도이다. 도 6a의 일부 구성요소는 도 1 내지 도 5에서 설명된 구성요소와 실질적으로 동일/유사하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. Figure 6a is a plan view of a touch screen and a flexible substrate of a flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification. Some components of FIG. 6A are substantially the same/similar to the components described in FIGS. 1 to 5 and detailed description thereof will be omitted.

도 6을 참조하면, 플렉시블 전계발광 표시장치(600)는 플렉시블 기판(610) 상에 박막 트랜지스터 및 발광소자를 통해서 실제로 광을 발광하는 화소가 배치되는 표시영역(A/A) 및 표시영역(A/A)의 가장자리의 외곽을 둘러싸는 베젤영역인 비표시영역(N/A)을 포함한다.Referring to FIG. 6, the flexible electroluminescent display device 600 has a display area (A/A) and a display area (A) in which pixels that actually emit light through thin film transistors and light emitting devices are arranged on the flexible substrate 610. It includes a non-display area (N/A), which is the bezel area surrounding the outer edge of /A).

비표시영역(N/A)의 기판(610)의 일 측에는 금속 패턴인 패드(695)가 배치되어 외부 모듈이 본딩(Bonding) 될 수 있다.A pad 695, which is a metal pattern, is disposed on one side of the substrate 610 in the non-display area (N/A) to enable bonding to an external module.

플렉시블 기판(610)의 비표시영역(N/A)의 일부를 화살표와 같은 벤딩방향으로 구부려서 벤딩영역(B/A)을 형성할 수 있다. 플렉시블 기판(610)의 비표시영역(N/A)은 화면을 구동시키기 위한 배선 및 구동회로가 배치되며, 화상이 표시되는 영역이 아니므로, 플렉시블 기판(610)의 상면에서 시인될 필요가 없다. 따라서, 플렉시블 기판(610)의 비표시영역(N/A)의 일부영역을 벤딩하여 배선 및 구동회로를 위한 면적을 확보하면서도 베젤영역을 축소시킬 수 있다.A bending area (B/A) can be formed by bending a portion of the non-display area (N/A) of the flexible substrate 610 in the bending direction shown by the arrow. The non-display area (N/A) of the flexible substrate 610 is where wiring and driving circuits for driving the screen are placed, and is not an area where images are displayed, so it does not need to be visible from the top of the flexible substrate 610. . Accordingly, by bending a portion of the non-display area (N/A) of the flexible substrate 610, the bezel area can be reduced while securing area for wiring and driving circuits.

플렉시블 기판(610) 상에는 다양한 배선들이 형성된다. 배선은 기판(610)의 표시 영역(A/A)에 형성될 수도 있고, 또는 비표시영역(N/A)에 형성되는 회로배선(670)은 구동회로 또는 게이트드라이버, 데이터드라이버 등을 연결하여 신호를 전달할 수 있다. Various wiring lines are formed on the flexible substrate 610. The wiring may be formed in the display area (A/A) of the substrate 610, or the circuit wiring 670 formed in the non-display area (N/A) may connect a driving circuit, gate driver, data driver, etc. Signals can be transmitted.

컷팅영역(C/A)은 플렉시블 기판(610)의 비표시영역(N/A)에 터치회로기판(640)의 폭보다 큰 폭을 가지는 영역을 절개하여, 절연필름으로 구성되는 터치회로기판이 삽입되어 벤딩될수 있도록 하는 영역이다. The cutting area (C/A) is made by cutting an area with a width greater than the width of the touch circuit board 640 in the non-display area (N/A) of the flexible substrate 610 to form a touch circuit board composed of an insulating film. This is an area that can be inserted and bent.

터치스크린 패널(620)은 플렉시블 기판(610) 상의 표시영역(A/A)과 터치전극(625)이 배치되는 터치영역(T/A)을 서로 대응하도록 배치된다.The touch screen panel 620 is arranged so that the display area (A/A) on the flexible substrate 610 and the touch area (T/A) where the touch electrodes 625 are disposed correspond to each other.

터치전극(625)은 터치스크린 패널(620)의 터치영역(T/A)에 배치된다. 터치전극(625)은 복수의 터치구동전극(Tx) 및 복수의 터치감지전극(Rx)이 교차되도록 구성될 수 있다. The touch electrode 625 is disposed in the touch area (T/A) of the touch screen panel 620. The touch electrode 625 may be configured so that a plurality of touch driving electrodes (Tx) and a plurality of touch sensing electrodes (Rx) intersect.

터치패드(630)는 터치스크린 패널(620)의 터치영역(T/A)을 두르는 외곽부의 일 측에 배치되며, 플렉시블 기판(620) 상의 비표시영역(N/A) 상에 대응하여 배치된다. 터치연결배선(635)은 터치전극(625)과 터치패드(630)를 전기적으로 연결시키는 역할을 한다. The touch pad 630 is disposed on one side of the outer portion surrounding the touch area (T/A) of the touch screen panel 620, and is correspondingly disposed on the non-display area (N/A) on the flexible substrate 620. . The touch connection wire 635 serves to electrically connect the touch electrode 625 and the touch pad 630.

터치스크린 패널(620)의 끝단에는 터치패드(630)와 연결되며, 절연필름으로 구성된 터치회로기판(640)이 배치된다. 터치회로기판(640) 상에는 터치영역(T/A)에 배치된 터치전극(625)과 서로 신호를 전달하기 위한 다양한 배선과 터치입력을 센싱하기 위한 터치센싱회로를 포함할 수 있다.At the end of the touch screen panel 620, a touch circuit board 640 is connected to the touch pad 630 and made of an insulating film. The touch circuit board 640 may include a touch electrode 625 disposed in the touch area (T/A), various wiring for transmitting signals to each other, and a touch sensing circuit for sensing touch input.

터치회로기판(640)은 플렉시블 기판(610)의 컷팅영역(C/A)에 삽입되어 벤딩되면서 벤딩영역(B/A)에서 플렉시블 기판(610)이 벤딩되어 형성되는 비표시영역(N/A) 폭과 동일하거나 더 좁은 폭을 가지고 벤딩되도록 하여 터치회로기판(640)이 벤딩될 때 플렉시블 기판(610) 상에서 벤딩되는 경우보다 플렉시블 전계발광 표시장치(600)의 베젤영역을 최소화할 수 있는 효과가 있다. The touch circuit board 640 is inserted into the cutting area (C/A) of the flexible board 610 and bent, and the non-display area (N/A) is formed by bending the flexible board 610 in the bending area (B/A). ) When the touch circuit board 640 is bent by bending it with a width equal to or narrower than the width, the bezel area of the flexible electroluminescent display device 600 can be minimized compared to when it is bent on the flexible substrate 610. There is.

도 6b는 본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치스크린 및 플렉시블 기판의 사시도이다. Figure 6b is a perspective view of a touch screen and a flexible substrate of a flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification.

도 6b의 일부 구성요소는 도 6a에서 설명된 구성요소와 실질적으로 동일/유사하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. Some components of FIG. 6B are substantially the same/similar to the components described in FIG. 6A and detailed description thereof will be omitted.

도 6b를 참조하면, 도 6a에서 설명한 것처럼 터치스크린 패널(620)은 플렉시블 기판(610) 상의 표시영역(A/A)과 터치전극(625)이 배치되는 터치영역(T/A)을 서로 대응하도록 배치된다. 터치전극(625)은 터치스크린 패널(620)의 터치영역(T/A)에 배치된다. Referring to FIG. 6B, as described in FIG. 6A, the touch screen panel 620 corresponds to the display area (A/A) on the flexible substrate 610 and the touch area (T/A) where the touch electrode 625 is disposed. arranged to do so. The touch electrode 625 is disposed in the touch area (T/A) of the touch screen panel 620.

터치스크린 패널(620) 상에 배치되는 편광판(630)은 표시영역(A/A) 상에서 외부 광의 반사를 억제한다. 플렉시블 전계발광 표시장치(600)가 외부에서 사용되는 경우, 외부 자연 광이 유입되어 전계발광소자의 애노드에 포함된 반사판에 의해 반사되거나, 전계발광소자 하부에 배치된 금속으로 구성된 전극에 의해 반사될 수 있다. 이와 같이 반사된 광들에 의해 영상이 잘 시인되지 않을 수 있다. 편광판(630)은 외부에서 유입된 광을 특정 방향으로 편광하며, 반사된 광이 다시 표시장치(600)의 외부로 방출되지 못하게 한다. 편광판(630)은 표시영역(A/A) 상에 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The polarizer 630 disposed on the touch screen panel 620 suppresses reflection of external light on the display area A/A. When the flexible electroluminescent display device 600 is used outside, external natural light flows in and is reflected by a reflector included in the anode of the electroluminescent device or by an electrode made of metal disposed at the bottom of the electroluminescent device. You can. The image may not be clearly visible due to the reflected lights. The polarizer 630 polarizes light introduced from the outside in a specific direction and prevents the reflected light from being emitted outside of the display device 600 again. The polarizer 630 may be disposed on the display area A/A, but is not limited thereto.

편광판(630)은 편광자 및 이를 보호하는 보호필름으로 구성된 편광판일 수도 있고, 플렉서블리티를 위하여 편광물질을 코팅하는 방식으로 형성할 수도 있다. The polarizing plate 630 may be a polarizing plate composed of a polarizer and a protective film that protects it, or may be formed by coating a polarizing material for flexibility.

편광판(630) 상에 접착층을 배치하여 표시장치(600)의 외관을 보호하는 커버 글라스(Cover Glass; CG)를 접착하여 배치할 수도 있다. A cover glass (CG) that protects the exterior of the display device 600 may be placed by placing an adhesive layer on the polarizing plate 630.

플렉시블 기판(610) 하부에는 백플레이트(650)가 배치된다. 플렉시블 기판(610)이 폴리이미드와 같은 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 플렉시블 기판(610) 하부에 유리로 이루어지는 지지기판이 배치된 상황에서 플렉시블 전계발광 표시장치(600) 제조공정이 진행되고, 제조공정이 완료된 후 지지기판이 분리되어 릴리즈될 수 있다. A back plate 650 is disposed below the flexible substrate 610. When the flexible substrate 610 is made of a plastic material such as polyimide, the manufacturing process of the flexible electroluminescent display device 600 proceeds with a support substrate made of glass placed below the flexible substrate 610, and the manufacturing process proceeds. After completion, the support substrate can be separated and released.

지지기판이 릴리즈된 이후에도 플렉시블 기판(610)을 지지하기 위한 구성요소가 필요하므로, 플렉시블 기판(610)을 지지하기 위한 백플레이트(650)가 플렉시블 기판(610)의 하부에 배치될 수 있다. 백플레이트(650)는 벤딩 영역(B/A)을 제외한 플렉시블 기판(610)의 다른 영역에서 벤딩영역(B/A)에 인접하도록 배치될 수 있다. Since components are needed to support the flexible substrate 610 even after the support substrate is released, a backplate 650 for supporting the flexible substrate 610 may be disposed below the flexible substrate 610. The backplate 650 may be disposed adjacent to the bending area (B/A) in other areas of the flexible substrate 610 other than the bending area (B/A).

백플레이트(650)는 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리머들, 이들 폴리머들의 조합 등으로 형성된 플라스틱 박막으로 이루어질 수 있다.The backplate 650 may be made of a plastic thin film formed of polyimide, polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polymers, or a combination of these polymers.

두 개의 백플레이트들(650) 사이에는 지지부재(655)가 배치되고, 지지부재(655)는 접착층에 의해 백플레이트(650)와 접착될 수 있다. A support member 655 is disposed between the two back plates 650, and the support member 655 may be adhered to the back plate 650 by an adhesive layer.

지지부재(655)는 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리머들, 이들 폴리머들의 조합 등과 같은 플라스틱 재료로 형성될 수 있다. 이러한 플라스틱 재료들로 형성된 지지부재(66)의 강도는 지지부재(655)의 두께 및 강도를 증가시키기 위한 첨가제들을 첨가하는 것에 의해 제어될 수도 있으며, 유리, 세라믹, 금속 또는 다른 강성이 있는(Rigid) 재료들 또는 전술한 재료들의 조합들로 형성될 수도 있다.The support member 655 may be formed of a plastic material such as polycarbonate (PC), polyimide (PI), polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polymers, or combinations of these polymers. The strength of the support member 66 formed of these plastic materials may be controlled by adding additives to increase the thickness and strength of the support member 655, such as glass, ceramic, metal or other rigid material. ) may be formed from materials or combinations of the foregoing materials.

플렉시블 기판(610)의 벤딩영역(B/A) 상에는 마이크로 코팅층(660)이 배치된다. 이때, 도 6a에서 설명된 것처럼, 플렉시블 기판(610)의 일측에 절개되어 형성되는 컷팅영역(C/A) 상에는 마이크로 코팅층(660)이 배치되지 않는다. A micro coating layer 660 is disposed on the bending area (B/A) of the flexible substrate 610. At this time, as described in FIG. 6A, the micro coating layer 660 is not disposed on the cutting area (C/A) formed by cutting one side of the flexible substrate 610.

마이크로 코팅층(660)은 벤딩 시에 플렉시블 기판(610) 상에 배치되는 배선부에 인장력이 작용하여 크랙이 발생될 수 있기 때문에, 레진을 벤딩되는 위치에 얇은 두께로 코팅하여 배선을 보호하는 역할을 할 수 있다. 마이크로 코팅층(660)은 아크릴레이트 폴리머와 같은 아크릴계 물질로 구성할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.The micro coating layer 660 serves to protect the wiring by coating it with a thin layer of resin at the bending position because tension may occur on the wiring portion disposed on the flexible substrate 610 during bending, which may cause cracks. can do. The micro coating layer 660 may be made of an acrylic material such as acrylate polymer, but is not limited thereto.

마이크로 코팅층(660)은 벤딩영역(B/A)의 중립면을 조절할 수 있다. 중립면은 구조물이 벤딩되는 경우, 구조물에 인가되는 압축력(Compressive Force)과 인장력(Tensile Force)이 서로 상쇄되어 응력을 받지 않는 가상의 면을 의미한다. 2개 이상의 구조물이 적층되어 있는 경우, 구조물들 사이에 가상의 중립면이 형성될 수 있다. 구조물 전체가 일 방향으로 벤딩하는 경우, 중립면을 기준으로 벤딩 방향에 배치되는 구조물들은 벤딩에 의해 압축되게 되므로 압축력을 받는다. 이와 반대로 중립면을 기준으로 벤딩 방향과 반대 방향에 배치되는 구조물들은 벤딩에 의해 늘어나게 되므로 인장력을 받는다. 이때, 일반적으로 구조물들은 동일한 압축력과 인장력 중 인장력을 받는 경우에 더 취약하므로, 인장력을 받을 때 크랙이 발생할 확률이 더 높다.The micro coating layer 660 can adjust the neutral plane of the bending area (B/A). The neutral plane refers to a virtual surface on which no stress occurs because the compressive force and tensile force applied to the structure cancel each other out when the structure is bent. When two or more structures are stacked, a virtual neutral plane may be formed between the structures. When the entire structure is bent in one direction, the structures arranged in the bending direction with respect to the neutral plane are compressed by bending and thus receive a compressive force. On the contrary, structures placed in the direction opposite to the bending direction based on the neutral plane are stretched by bending and thus receive a tensile force. At this time, structures are generally more vulnerable when subjected to tensile force among the same compressive force and tensile force, so the probability of cracks occurring when subjected to tensile force is higher.

중립면을 기준으로 하부에 배치되는 플렉시블 기판(610)은 압축되므로 압축력을 받고, 상부에 배치되는 배선들은 인장력을 받을 수 있고, 이에 따라 인장력에 의하여 크랙이 발생할 수 있다. 따라서, 배선이 받는 인장력을 최소화하기 위해서는 중립면 상에 위치시킬 수 있다.The flexible substrate 610 disposed below the neutral plane is compressed and thus receives a compressive force, and the wiring disposed on the upper portion may receive a tensile force, and thus cracks may occur due to the tensile force. Therefore, in order to minimize the tension on the wiring, it can be located on the neutral plane.

마이크로 코팅층(660)을 벤딩 영역(B/A) 상에 배치시킴으로써, 중립면을 상부 방향으로 상승시킬 수 있으며, 중립면이 배선과 동일한 위치에 형성하거나 중립면보다 높은 위치에 위치하여 벤딩 시 응력을 받지 않거나 압축력을 받게 되어 크랙 발생을 억제할 수 있다.By placing the micro coating layer 660 on the bending area (B/A), the neutral plane can be raised upward, and the neutral plane can be formed at the same position as the wiring or located at a higher position than the neutral plane to reduce stress during bending. The occurrence of cracks can be suppressed by not being exposed to compressive force.

플렉시블 기판(610)의 끝단에 절연필름(680)이 연결된다. 절연필름(680) 상에는 표시영역(A/A)에 배치된 화소로 신호를 전달하기 위한 다양한 배선이 형성된다. 절연필름(680)은 휘어질 수 있도록 플렉서빌리티를 갖는 재료로 형성된다. 절연필름(680)에는 구동소자가 장착될 수 있으며, 절연필름(680)과 함께 칩 온 필름(Chip on Film; COF)과 같은 구동 패키지(Package)를 형성하며, 절연필름(680) 상에 형성된 배선에 연결되어 구동 신호 및 데이터를 표시영역(A/A)에 배치된 화소에 제공한다.An insulating film 680 is connected to the end of the flexible substrate 610. Various wirings are formed on the insulating film 680 to transmit signals to pixels arranged in the display area (A/A). The insulating film 680 is made of a material that has flexibility so that it can be bent. A driving element may be mounted on the insulating film 680, and together with the insulating film 680, it forms a driving package such as a chip on film (COF), and is formed on the insulating film 680. It is connected to the wiring and provides driving signals and data to the pixels placed in the display area (A/A).

절연필름(680)과 연결되는 회로기판은 외부로부터 영상신호를 입력받아 표시영역(A/A)에 배치된 화소에 다양한 신호를 인가할 수 있으며, 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board)일 수 있다.The circuit board connected to the insulating film 680 can receive image signals from the outside and apply various signals to pixels arranged in the display area (A/A), and may be a printed circuit board.

터치스크린 패널(620)의 끝단에는 터치패드(630)와 연결되며, 절연필름으로 구성된 터치회로기판(640)이 배치된다. 도 6a에서 설명된 것처럼, 터치회로기판(640)은 플렉시블 기판(610)의 컷팅영역(C/A)에 삽입되어 벤딩되면서 벤딩영역(B/A)에서 플렉시블 기판(610)이 벤딩되어 형성되는 비표시영역(N/A) 폭과 동일하거나 더 좁은 폭을 가지고 벤딩되도록 하여, 터치회로기판(640)이 벤딩될 때 플렉시블 기판(610) 상에서 벤딩되는 경우보다 플렉시블 전계발광 표시장치(600)의 베젤영역을 최소화할 수 있는 효과가 있다. At the end of the touch screen panel 620, a touch circuit board 640 is connected to the touch pad 630 and made of an insulating film. As explained in FIG. 6A, the touch circuit board 640 is formed by inserting and bending the cutting area (C/A) of the flexible substrate 610 and bending the flexible substrate 610 in the bending area (B/A). By bending the touch circuit board 640 with a width equal to or narrower than the width of the non-display area (N/A), the size of the flexible electroluminescent display device 600 is higher than when the touch circuit board 640 is bent on the flexible board 610. This has the effect of minimizing the bezel area.

상세히 설명하면, 터치회로기판(540)이 컷팅영역(C/A)에 삽입되어 벤딩영역(B/A)의 마이크로 코팅층(660)을 포함한 플렉시블 기판(610)이 터치회로기판(640)보다 실질적으로 외곽방향으로 더 돌출되며, 이에 따라, 터치회로기판(640)으로 인해서 발생되는 불필요한 비표시영역(N/A)의 폭을 줄일수 있는 효과가 있다. In detail, the touch circuit board 540 is inserted into the cutting area (C/A) so that the flexible board 610 including the micro coating layer 660 in the bending area (B/A) is substantially larger than the touch circuit board 640. It protrudes further in the outer direction, which has the effect of reducing the width of the unnecessary non-display area (N/A) generated by the touch circuit board 640.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역, 표시영역의 일측에서 연장되어 벤딩된 벤딩영역, 및 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성되는 커팅영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 배치되는 박막트랜지스터 및 발광소자, 표시영역 및 벤딩영역 상에 배치되는 배선 및 평탄화층, 벤딩영역의 평탄화층 상에 배치되는 마이크로 코팅층, 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판, 및 터치스크린 기판과 연결되는 터치회로기판을 포함하고, 플렉시블 기판은 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성되는 컷팅영역을 포함하며, 터치회로기판은 컷팅영역에 삽입되어 벤딩된다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification includes a flexible substrate including a display area, a bending area extending from one side of the display area, and a cutting area formed by cutting one side of the bending area, and on the display area. Thin film transistor and light emitting device disposed, wiring and planarization layer disposed on the display area and bending area, micro coating layer disposed on the flattening layer of the bending area, touch screen substrate disposed on the display area, and connection to the touch screen substrate. The flexible substrate includes a cutting area formed by cutting one side of the bending area, and the touch circuit board is inserted into the cutting area and bent.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 컷팅영역의 폭은 터치회로기판의 폭보다 크다.The width of the cutting area of the flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present specification is larger than the width of the touch circuit board.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 터치회로기판보다 벤딩영역의 마이크로코팅층이 플렉시블기판의 외곽방향으로 더 돌출된다.In the flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification, the microcoating layer in the bending area protrudes more toward the outside of the flexible substrate than the touch circuit board.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 플렉시블 기판 상에 버퍼층이 더 배치된다.The flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification further includes a buffer layer disposed on the flexible substrate.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 배선은 복수의 금속층으로 구성된다.The wiring of the flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present specification is composed of a plurality of metal layers.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 벤딩영역 상에 배치되는 배선은 마름모 형상, 삼각파 형상, 정현파 형상, 사다리꼴 형상 중 하나의 형상으로 구성된다.The wiring disposed on the bending area of the flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present specification has one of the following shapes: a diamond shape, a triangular wave shape, a sinusoidal wave shape, and a trapezoid shape.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 플렉시블 기판과 연결된 절연필름 및 절연필름에는 구동소자가 배치된다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification includes an insulating film connected to a flexible substrate, and a driving element is disposed on the insulating film.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 평탄화층은 복수의 유기물층으로 구성된다.The planarization layer of the flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present specification is composed of a plurality of organic material layers.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판 및 평탄화층 상에 각각 배선이 배치된다.Wiring lines are disposed on the flexible substrate and the planarization layer of the flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present specification.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 발광소자는 애노드, 발광부 및 캐소드를 포함한다.The light emitting element of the flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present specification includes an anode, a light emitting unit, and a cathode.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치스크린 기판 상에 편광판이 더 배치된다.A polarizer is further disposed on the touch screen substrate of the flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present specification.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판 하면에 백플레이트가 배치된다.A backplate is disposed on the bottom of the flexible substrate of the flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 화소를 포함하는 표시영역, 표시영역 외곽에 배치된 벤딩영역을 구비하는 비표시영역, 및 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성된 컷팅영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판 및 터치스크린 기판과 연결되는 터치회로기판을 포함하고, 플렉시블 기판의 비표시영역의 일측이 절개되어 컷팅영역이 형성되며, 터치회로기판은 컷팅영역에 삽입되어 벤딩되어 비표시영역을 최소화 할수 있다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification is a flexible display area including a display area including pixels, a non-display area including a bending area disposed outside the display area, and a cutting area formed by cutting one side of the bending area. It includes a substrate, a touch screen substrate disposed on the display area, and a touch circuit board connected to the touch screen substrate. One side of the non-display area of the flexible substrate is cut to form a cutting area, and the touch circuit board is inserted into the cutting area. It can be bent to minimize the non-display area.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 컷팅영역의 폭은 터치회로기판의 폭보다 크다.The width of the cutting area of the flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present specification is larger than the width of the touch circuit board.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 벤딩영역에 배치되는 마이크로코팅층을 더 포함하며, 터치회로기판보다 마이크로코팅층이 플렉시블기판의 외곽방향으로 더 돌출된다.The flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification further includes a microcoating layer disposed in the bending area, and the microcoating layer protrudes further outward from the flexible substrate than the touch circuit board.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치스크린 기판 상에 편광판이 더 배치된다.A polarizer is further disposed on the touch screen substrate of the flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present specification.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 플렉시블 기판과 연결된 절연필름 및 절연필름에는 구동소자가 배치된다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification includes an insulating film connected to a flexible substrate, and a driving element is disposed on the insulating film.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 화소는 박막 트랜지스터 및 발광소자를 통해서 발광한다.A pixel of a flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification emits light through a thin film transistor and a light emitting element.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 발광소자는 애노드, 발광부 및 캐소드를 포함한다.The light emitting element of the flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present specification includes an anode, a light emitting unit, and a cathode.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판 하면에 백플레이트가 배치된다.A backplate is disposed on the bottom of the flexible substrate of the flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역, 표시영역 외곽에 배치된 벤딩영역 및 벤딩영역의 일측에 배치된 제1 영역 및 벤딩영역의 컷팅에 의해 형성된 제2 영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판, 및 터치스크린 기판과 연결되며, 제2 영역에 배치된 터치회로기판을 포함한다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification is a flexible display including a display area, a bending area disposed outside the display area, a first area disposed on one side of the bending area, and a second area formed by cutting the bending area. It includes a substrate, a touch screen substrate disposed on a display area, and a touch circuit board connected to the touch screen substrate and disposed in a second area.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 제1 영역에는 표시영역에 신호를 전달하는 회로배선, 및 패드가 배치된다.Circuit wiring that transmits signals to the display area and a pad are disposed in the first area of the flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치회로기판은 벤딩영역에서 벤딩된다.The touch circuit board of the flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present specification is bent in the bending area.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 제1 영역에 배치되는 마이크로 코팅층을 더 포함하며, 터치회로기판보다 마이크로코팅층이 플렉시블기판의 외곽방향으로 더 돌출된다.It further includes a micro coating layer disposed in the first region of the flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification, and the micro coating layer protrudes more toward the outside of the flexible substrate than the touch circuit board.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the technical spirit of the present invention. . Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of rights of the present invention.

100, 200, 300, 400, 500, 600: 전계발광 표시장치
110: 영상처리부
120: 타이밍 컨트롤러
130: 데이터드라이버
140: 게이트드라이버
150: 표시패널
160: 화소
220: 게이트라인
230: 데이터라인
240: 스위칭트랜지스터
250: 구동트랜지스터
260: 보상회로
270, 440: 발광소자
310, 410, 610: 플렉시블 기판
370, 670: 회로배선
390, 690: 게이트구동부
395, 695: 패드
420: 박막트랜지스터
422: 게이트전극
424: 소스전극
426: 드레인전극
428: 반도체층
431: 제1 절연층
433: 제2 절연층
435: 제1 평탄화층
437: 제2 평탄화층
442: 애노드
444: 발광부
446: 캐소드
450: 뱅크
452: 스페이서
460: 봉지부
462: 제1 배선
464: 제2 배선
466, 650: 마이크로 코팅층
520, 620: 터치스크린 기판
525, 625: 터치전극
530, 630: 터치패드
535, 635: 터치연결배선
540, 640: 터치회로기판
630: 편광판
650: 백플레이트
655: 접착층
660: 지지부재
680: 회로기판
A/A: 표시영역
N/A: 비표시영역
B/A: 벤딩영역
C/A: 컷팅영역
T/A: 터치영역
S/L: 스캔라인
100, 200, 300, 400, 500, 600: Electroluminescent display device
110: Image processing unit
120: Timing controller
130: data driver
140: gate driver
150: display panel
160: Pixels
220: Gateline
230: data line
240: switching transistor
250: Driving transistor
260: Compensation circuit
270, 440: Light emitting device
310, 410, 610: Flexible substrate
370, 670: Circuit wiring
390, 690: Gate driving part
395, 695: pad
420: Thin film transistor
422: Gate electrode
424: Source electrode
426: Drain electrode
428: semiconductor layer
431: first insulating layer
433: second insulating layer
435: first planarization layer
437: second planarization layer
442: anode
444: light emitting unit
446: cathode
450: bank
452: spacer
460: Encapsulation part
462: first wiring
464: second wiring
466, 650: Micro coating layer
520, 620: Touch screen board
525, 625: touch electrode
530, 630: Touchpad
535, 635: Touch connection wiring
540, 640: Touch circuit board
630: Polarizer
650: backplate
655: adhesive layer
660: Support member
680: circuit board
A/A: Display area
N/A: Non-display area
B/A: Bending area
C/A: Cutting area
T/A: Touch area
S/L: scanline

Claims (24)

표시영역, 상기 표시영역의 일측에서 연장되어 벤딩된 벤딩영역, 및 상기 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성되는 컷팅영역을 포함하는 플렉시블 기판;
상기 표시영역 상에 배치되는 박막트랜지스터 및 발광소자;
상기 표시영역 및 상기 벤딩영역 상에 배치되는 배선 및 평탄화층;
상기 벤딩영역의 상기 평탄화층 상에 배치되는 마이크로 코팅층;
상기 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판; 및
상기 터치스크린 기판과 연결되는 터치회로기판을 포함하고,
상기 플렉시블 기판은 상기 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성되는 컷팅영역을 포함하며, 상기 터치회로기판은 상기 컷팅영역에 삽입되어 벤딩되고,
상기 컷팅영역은 상기 벤딩영역의 일측에서부터 상기 플렉시블 기판의 일단까지 연장되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
A flexible substrate including a display area, a bending area extending from one side of the display area, and a cutting area formed by cutting one side of the bending area;
a thin film transistor and a light emitting element disposed on the display area;
wiring and a planarization layer disposed on the display area and the bending area;
A micro coating layer disposed on the flattening layer in the bending area;
a touch screen substrate disposed on the display area; and
Includes a touch circuit board connected to the touch screen board,
The flexible substrate includes a cutting area formed by cutting one side of the bending area, and the touch circuit board is inserted into the cutting area and bent,
The cutting area extends from one side of the bending area to one end of the flexible substrate.
제1 항에 있어서,
상기 컷팅영역의 폭은 상기 터치회로기판의 폭보다 큰, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 1,
A flexible electroluminescent display device wherein the width of the cutting area is larger than the width of the touch circuit board.
제1 항에 있어서,
상기 터치회로기판보다 상기 벤딩영역의 상기 마이크로코팅층이 상기 플렉시블기판의 외곽방향으로 더 돌출되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 1,
A flexible electroluminescent display device, wherein the microcoating layer in the bending area protrudes more toward the outside of the flexible substrate than the touch circuit board.
제1 항에 있어서,
상기 플렉시블 기판 상에 버퍼층이 더 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 1,
A flexible electroluminescent display device in which a buffer layer is further disposed on the flexible substrate.
제1 항에 있어서,
상기 배선은 복수의 금속층으로 구성되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 1,
A flexible electroluminescent display device, wherein the wiring is composed of a plurality of metal layers.
제1 항에 있어서,
상기 벤딩영역 상에 배치되는 배선은 마름모 형상, 삼각파 형상, 정현파 형상, 사다리꼴 형상 중 하나의 형상으로 구성되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 1,
A flexible electroluminescent display device, wherein the wiring disposed on the bending area has one of a diamond shape, a triangular wave shape, a sinusoidal wave shape, and a trapezoid shape.
제1 항에 있어서,
상기 플렉시블 기판과 연결된 절연필름; 및
상기 절연필름에는 구동소자가 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 1,
an insulating film connected to the flexible substrate; and
A flexible electroluminescent display device in which a driving element is disposed on the insulating film.
제1 항에 있어서,
상기 평탄화층은 복수의 유기물층으로 구성되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 1,
A flexible electroluminescent display device, wherein the planarization layer is composed of a plurality of organic material layers.
제7 항에 있어서,
상기 플렉시블 기판 및 상기 평탄화층 상에 각각 상기 배선이 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to clause 7,
A flexible electroluminescent display device, wherein the wiring is disposed on the flexible substrate and the planarization layer, respectively.
제1 항에 있어서,
상기 발광소자는 애노드, 발광부 및 캐소드를 포함하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 1,
A flexible electroluminescent display device, wherein the light emitting element includes an anode, a light emitting unit, and a cathode.
제1 항에 있어서,
상기 터치스크린 기판 상에 편광판이 더 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 1,
A flexible electroluminescent display device in which a polarizer is further disposed on the touch screen substrate.
제1 항에 있어서,
상기 플렉시블 기판 하면에 백플레이트가 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 1,
A flexible electroluminescent display device in which a backplate is disposed on a lower surface of the flexible substrate.
화소를 포함하는 표시영역, 상기 표시영역 외곽에 배치된 벤딩영역을 구비하는 비표시영역, 및 상기 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성된 컷팅영역을 포함하는 플렉시블 기판;
상기 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판; 및
상기 터치스크린 기판과 연결되는 터치회로기판을 포함하고,
상기 플렉시블 기판의 비표시영역의 일측이 절개되어 컷팅영역이 형성되며, 상기 터치회로기판은 상기 컷팅영역에 삽입되어 벤딩되어 비표시영역을 최소화 할수 있고,
상기 컷팅영역은 상기 벤딩영역의 일측에서부터 상기 플렉시블 기판의 일단까지 연장되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
A flexible substrate including a display area including pixels, a non-display area including a bending area disposed outside the display area, and a cutting area formed by cutting one side of the bending area;
a touch screen substrate disposed on the display area; and
Includes a touch circuit board connected to the touch screen board,
One side of the non-display area of the flexible substrate is cut to form a cutting area, and the touch circuit board is inserted into the cutting area and bent to minimize the non-display area,
The cutting area extends from one side of the bending area to one end of the flexible substrate.
제13 항에 있어서,
상기 컷팅영역의 폭은 상기 터치회로기판의 폭보다 큰, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 13,
A flexible electroluminescent display device wherein the width of the cutting area is larger than the width of the touch circuit board.
제13 항에 있어서,
상기 벤딩영역에 배치되는 마이크로코팅층을 더 포함하며, 상기 터치회로기판보다 상기 마이크로코팅층이 상기 플렉시블기판의 외곽방향으로 더 돌출되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 13,
A flexible electroluminescent display device further comprising a microcoating layer disposed in the bending area, wherein the microcoating layer protrudes more toward the outside of the flexible substrate than the touch circuit board.
제13 항에 있어서,
상기 터치스크린 기판 상에 편광판이 더 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 13,
A flexible electroluminescent display device in which a polarizer is further disposed on the touch screen substrate.
제13 항에 있어서,
상기 플렉시블 기판과 연결된 절연필름; 및
상기 절연필름에는 구동소자가 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 13,
an insulating film connected to the flexible substrate; and
A flexible electroluminescent display device in which a driving element is disposed on the insulating film.
제13 항에 있어서,
상기 화소는 박막 트랜지스터 및 발광소자를 통해서 발광하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 13,
A flexible electroluminescent display device in which the pixel emits light through a thin film transistor and a light emitting element.
제18 항에 있어서,
상기 발광소자는 애노드, 발광부 및 캐소드를 포함하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to clause 18,
A flexible electroluminescent display device, wherein the light emitting element includes an anode, a light emitting unit, and a cathode.
제13 항에 있어서,
상기 플렉시블 기판 하면에 백플레이트가 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 13,
A flexible electroluminescent display device in which a backplate is disposed on a lower surface of the flexible substrate.
표시영역, 상기 표시영역 외곽에 배치된 벤딩영역, 및 상기 벤딩영역의 일측에 배치된 제1 영역 및 상기 벤딩영역의 컷팅에 의해 형성된 제2 영역을 포함하는 플렉시블 기판;
상기 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판; 및
상기 터치스크린 기판과 연결되며, 상기 제2 영역에 배치된 터치회로기판을 포함하고,
상기 제2 영역은 상기 벤딩영역의 일측에서부터 상기 벤딩영역의 타단까지 연장되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
A flexible substrate including a display area, a bending area disposed outside the display area, and a first area disposed on one side of the bending area and a second area formed by cutting the bending area;
a touch screen substrate disposed on the display area; and
It is connected to the touch screen substrate and includes a touch circuit board disposed in the second area,
The second area extends from one side of the bending area to the other end of the bending area.
제21 항에 있어서,
상기 제1 영역에는 상기 표시영역에 신호를 전달하는 회로배선, 및 패드가 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 21,
A flexible electroluminescent display device, wherein circuit wiring for transmitting signals to the display area and a pad are disposed in the first area.
제21 항에 있어서,
상기 터치회로기판은 상기 벤딩영역에서 벤딩되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 21,
A flexible electroluminescent display device, wherein the touch circuit board is bent in the bending area.
제21 항에 있어서,
상기 제1 영역에 배치되는 마이크로 코팅층을 더 포함하며, 상기 터치회로기판보다 상기 마이크로코팅층이 상기 플렉시블기판의 외곽방향으로 더 돌출되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
According to claim 21,
A flexible electroluminescent display device further comprising a micro coating layer disposed in the first area, wherein the micro coating layer protrudes further outward from the flexible substrate than the touch circuit board.
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