KR102020824B1 - Flexible Electroluminescent Display Device - Google Patents
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- 230000009975 flexible effect Effects 0.000 title claims abstract description 134
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 110
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 72
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 195
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 63
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 42
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 35
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 20
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 15
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 14
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 14
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 14
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 claims description 9
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 8
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 claims description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 16
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 10
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 5
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- ZJFKMIYGRJGWIB-UHFFFAOYSA-N n-[3-methyl-4-[2-methyl-4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound CC1=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=CC=C1C(C(=C1)C)=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=CC=C1 ZJFKMIYGRJGWIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 3
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VBQVHWHWZOUENI-UHFFFAOYSA-N 1-phenyl-2H-quinoline Chemical compound C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 VBQVHWHWZOUENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMYIIHDQURVDRB-UHFFFAOYSA-N 1-phenylethenylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=C)C1=CC=CC=C1 ZMYIIHDQURVDRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylisoquinoline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 LPCWDYWZIWDTCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21,23-dihydroporphyrin platinum Chemical compound [Pt].CCc1c(CC)c2cc3[nH]c(cc4nc(cc5[nH]c(cc1n2)c(CC)c5CC)c(CC)c4CC)c(CC)c3CC VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 2-Methylquinolin-8-ol Chemical compound C1=CC=C(O)C2=NC(C)=CC=C21 NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 2-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n,2-n-triphenylbenzene-1,2-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C(=CC=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 HONWGFNQCPRRFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 9-phenylcarbazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C21 VIJYEGDOKCKUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCZFKUVLPJHHJB-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C1=CC=C(C=C1C(C)(C)C)C1=NNC=N1 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)C1=CC=C(C=C1C(C)(C)C)C1=NNC=N1 ZCZFKUVLPJHHJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWXBXZLPHUMRKT-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)[Ir]C=1C(=NC=CC=1)C(=O)O Chemical compound C1(=CC=CC=C1)[Ir]C=1C(=NC=CC=1)C(=O)O SWXBXZLPHUMRKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002319 Poly(methyl acrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N [1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CN=C2C3=NC=CC=C3C=CC2=C1 DGEZNRSVGBDHLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIRXDDRGHVUXNJ-UHFFFAOYSA-N [Cu].[P] Chemical compound [Cu].[P] RIRXDDRGHVUXNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GENZLHCFIPDZNJ-UHFFFAOYSA-N [In+3].[O-2].[Mg+2] Chemical compound [In+3].[O-2].[Mg+2] GENZLHCFIPDZNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJRJXFPRMUZBHQ-UHFFFAOYSA-N [Ir].C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 Chemical compound [Ir].C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1.C1C=CC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 PJRJXFPRMUZBHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDLSOIWNAZCAMB-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[Mg++].[Sn+4] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[Mg++].[Sn+4] FDLSOIWNAZCAMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGLYDBMDZXTCJA-UHFFFAOYSA-N aluminum zinc oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Al+3].[Sn+4].[Zn+2] VGLYDBMDZXTCJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Inorganic materials [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIRZZYBEAHUHST-UHFFFAOYSA-N bicyclo[4.2.0]octa-1,3,5-triene Chemical compound C1CC=2C1=CC=CC2.C2CC=1C2=CC=CC1 VIRZZYBEAHUHST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Inorganic materials [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical group [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M lithium;quinolin-8-olate Chemical compound [Li+].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N magnesium;zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Mg+2].[Zn+2] PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N oxoindium Chemical compound [O].[In] NQBRDZOHGALQCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001483 poly(ethyl methacrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003257 polycarbosilane Polymers 0.000 description 1
- 229920000120 polyethyl acrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical class [Si].[Si] SBEQWOXEGHQIMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 229920001909 styrene-acrylic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 229920006344 thermoplastic copolyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(oxo)tin Chemical compound [Zn+2].[O-][Sn]([O-])=O BNEMLSQAJOPTGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/10—OLED displays
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- Geometry (AREA)
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역, 및 표시영역의 일측에서 연장되어 벤딩된 벤딩영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 있는 박막 트랜지스터 및 발광소자, 표시영역 상에 있는 터치스크린 패널, 터치스크린 패널과 연결되며, 벤딩영역의 외곽에서 벤딩된 터치회로기판, 터치스크린 패널 상에 있으며, 터치회로기판의 일부를 덮는 편광판, 및 터치스크린 패널 및 터치회로기판과 편광판의 사이에 배치되는 단차 보상층을 포함하여 베젤영역을 최소화할 수 있다.The flexible electroluminescent display device includes a flexible substrate including a display area and a bending area extended from one side of the display area, a thin film transistor and a light emitting element on the display area, a touch screen panel on the display area, and a touch screen panel. And a touch circuit board bent at an outer side of the bending area, a polarizing plate on the touch screen panel, and covering a portion of the touch circuit board, and a step compensation layer disposed between the touch screen panel and the touch circuit board and the polarizing plate. It is possible to minimize the bezel area.
Description
본 명세서는 플렉시블 전계발광 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플렉시블 전계발광 표시장치의 베젤(Bezel)의 영역을 최소화할 수 있는 플렉시블 전계발광 표시장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a flexible electroluminescent display, and more particularly, to a flexible electroluminescent display capable of minimizing an area of a bezel of a flexible electroluminescent display.
본격적인 정보화 시대로 접어들면서 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시장치 분야가 급속도로 발전하고 있으며, 여러가지 표시장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다. In the era of full-scale information, the field of display devices for visually displaying electrical information signals is rapidly developing, and researches for developing performances such as thinning, light weight, and low power consumption for various display devices continue.
대표적인 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display device; LCD), 전계방출 표시장치(Field Emission Display device; FED), 전기습윤 표시장치(Electro-Wetting Display device; EWD) 및 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device; OLED) 등을 들 수 있다. Typical display devices include liquid crystal display (LCD), field emission display (FED), electro-wetting display (EWD) and organic light emitting display (Organic). Light Emitting Display Device (OLED), etc. can be mentioned.
유기발광 표시장치를 포함하는 전계발광 표시장치는 자체 발광형 표시장치로서, 액정 표시장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조가 가능하다. 또한, 전계발광 표시장치는 저전압 구동에 의해 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상구현, 응답속도, 시야각, 명암 대비비(Contrast Ratio; CR)도 우수하여, 다양한 분야에서 활용이 기대되고 있다.The electroluminescent display including the organic light emitting display is a self-luminous display, and unlike a liquid crystal display, it does not need a separate light source and thus can be manufactured in a light weight. In addition, the electroluminescent display is not only advantageous in terms of power consumption by low voltage driving but also excellent in color implementation, response speed, viewing angle, contrast ratio (CR), and is expected to be utilized in various fields.
전계발광 표시장치는 애노드(Anode)와 캐소드(Cathode)로 된 두 개의 전극 사이에 유기물을 사용한 발광층(Emissive Layer; EML)을 배치한다. 애노드에서의 정공(Hole)을 발광층으로 주입시키고, 캐소드에서의 전자(Electron)를 발광층으로 주입시키면, 주입된 전자와 정공이 서로 재결합하면서 발광층에서 여기자(Exciton)를 형성하며 발광한다. In the electroluminescent display, an organic light emitting layer (EML) using an organic material is disposed between two electrodes of an anode and a cathode. When holes are injected into the light emitting layer and electrons are injected into the light emitting layer from the anode, the injected electrons and holes recombine with each other to form excitons in the light emitting layer and emit light.
발광층에는 호스트(Host) 물질과 도펀트(Dopant) 물질이 포함되어 두 물질의 상호작용이 발생한다. 호스트는 전자와 정공으로부터 여기자를 생성하고 도펀트로 에너지를 전달하는 역할을 하고, 도펀트는 소량이 첨가되는 염료성 유기물로, 호스트로부터 에너지를 받아서 광으로 전환시키는 역할을 한다. The light emitting layer includes a host material and a dopant material so that interaction between the two materials occurs. The host is responsible for generating excitons from electrons and holes and transferring energy to the dopant, and the dopant is a dye organic material to which a small amount is added, and receives energy from the host and converts it into light.
유기물로 이루어진 발광층을 포함하는 전계발광 표시장치는 유리(Glass), 금속(Metal) 또는 필름(Film)으로 전계발광 표시장치를 봉지(Encapsulation)하여 외부에서 전계발광 표시장치의 내부로 수분이나 산소의 유입을 차단함으로써 발광층 및 전극의 산화를 방지하고, 외부에서 가해지는 기계적 또는 물리적 충격으로부터 보호한다.An electroluminescent display device including an emission layer made of organic material encapsulates an electroluminescent display device with glass, metal, or film, so that moisture or oxygen is absorbed from the outside into the electroluminescent display device. Blocking the ingress prevents oxidation of the light emitting layer and the electrode and protects it from mechanical or physical impacts from outside.
표시장치가 소형화됨에 따라, 표시장치의 동일 면적에서 유효 표시 화면 크기를 증가시키기 위해 표시영역(Active Area; A/A)의 외곽부인 베젤영역(Bezel Area)을 축소시키려는 노력이 계속되고 있다. As the display device becomes smaller, efforts are being made to reduce the bezel area, which is the outer portion of the active area (A / A), to increase the effective display screen size in the same area of the display device.
일반적으로 비표시영역(Non-active Area; N/A)에 해당하는 베젤영역에는 화면을 구동시키기 위한 배선 및 구동회로가 배치되기 때문에, 베젤영역을 최소화하는 데에는 한계가 있었다. In general, since the wiring and the driving circuit for driving the screen are disposed in the bezel area corresponding to the non-active area (N / A), there is a limit in minimizing the bezel area.
최근 개발되고 있는 플라스틱(Plastic)과 같은 연성재료의 플렉시블 기판(Flexible Substrate)을 적용하여 휘어져도 표시성능을 유지할 수 있는 플렉시블 전계발광 표시장치와 관련하여, 배선 및 구동회로를 위한 면적을 확보하면서도 베젤영역을 최소화하기 위해서 플렉시블 기판의 비표시영역을 벤딩(Bending)하여 베젤영역을 최소화하는 기술이 개발되어 적용되고 있다.In relation to a flexible electroluminescent display device that can maintain display performance even if it is bent by applying a flexible substrate made of a flexible material such as plastic, which is being developed recently, a bezel can be secured while securing an area for wiring and a driving circuit. In order to minimize the area, a technology for minimizing the bezel area by bending the non-display area of the flexible substrate has been developed and applied.
그리고, 플라스틱 등과 같이 플렉시블 기판을 사용한 플렉시블 전계발광 표시장치는 기판, 기판 상에 배치되는 각종 절연층 및 금속물질로 형성되는 배선 등의 플렉서빌리티(Flexibility)를 확보하고, 벤딩으로 발생될 수 있는 크랙(Crack)과 같은 불량을 방지하는 것이 필요하다. In addition, a flexible electroluminescent display using a flexible substrate, such as plastic, ensures flexibility of a substrate, various insulating layers disposed on the substrate, and wiring formed of a metal material, and may be generated by bending. It is necessary to prevent defects such as cracks.
이와 함께, 표시장치의 입력수단으로서 종래에 적용되었던 마우스나 키보드와 같은 입력수단을 대체하여 사용자가 손가락이나 펜을 이용하여 표시장치의 화면에 직접 정보를 입력할 수 있는 터치스크린 패널(Touch Screen Panel)을 탑재한 표시장치가 다양한 분야에서 활용이 늘어나고 있다.In addition, a touch screen panel that allows a user to directly input information on the screen of the display device using a finger or a pen, replacing an input means such as a mouse or a keyboard, which has been conventionally applied as an input means of a display device. Displays have been increasingly used in various fields.
표시장치의 상부에 배치되는 터치스크린 패널은 사용자의 손이나 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적신호로 변환하며, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여지고 이를 표시장치를 통해서 화면에 나타낸다. The touch screen panel disposed on the upper portion of the display device converts a contact position directly in contact with a user's hand or object into an electrical signal, and the instruction selected at the contact position is received as an input signal and displayed on the screen through the display device.
그리고, 표시장치의 비표시영역인 베젤영역에 배치되는 터치회로기판은 터치스크린 패널을 구동시키기 위해서 터치스크린 패널과 연결되는 배선 및 터치회로가 배치되며, 배선 및 터치회로에 대한 면적이 확보되어야 하기 때문에 표시장치의 베젤영역의 최소화에 장애가 되고 있었다. In addition, the touch circuit board disposed in the bezel area, which is a non-display area of the display device, has wiring and touch circuits connected to the touch screen panel to drive the touch screen panel, and an area for the wiring and the touch circuit should be secured. As a result, minimization of the bezel area of the display device has been an obstacle.
이에, 본 명세서의 발명자들은 전계발광 표시장치에서 베젤영역에 배치되는 터치스크린 패널의 터치회로기판의 영역을 최소화할 수 있는 새로운 구조의 전계발광 표시장치를 발명하였다. Accordingly, the inventors of the present invention have invented an electroluminescent display device having a new structure that can minimize the area of the touch circuit board of the touch screen panel disposed in the bezel area in the electroluminescent display device.
그리고, 본 명세서의 발명자들은 전계발광 표시장치의 해상도가 점점 증가함에 따라, 배선을 배치할 공간이 부족함을 인식하고, 제한된 공간 내에서 배선을 보다 자유롭게 배치할 수 있는 새로운 구조의 전계발광 표시장치를 발명하였다.In addition, the inventors of the present disclosure recognize that the space for arranging wiring is insufficient as the resolution of the electroluminescent display is gradually increased, and thus the electroluminescent display having a new structure that can arrange the wiring more freely in a limited space is provided. Invented.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역, 및 표시영역의 일측에서 연장되어 벤딩된 벤딩영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 있는 박막 트랜지스터 및 발광소자, 표시영역 상에 있는 터치스크린 패널, 터치스크린 패널과 연결되며, 벤딩영역의 외곽에서 벤딩된 터치회로기판, 터치스크린 패널 상에 있으며, 터치회로기판의 일부를 덮는 편광판, 및 터치스크린 패널 상에 있으며, 터치스크린 패널과 터치회로기판 사이의 단차를 보상해 주는 단차 보상층을 포함한다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification is a flexible substrate including a display area and a bending area extending from one side of the display area, a thin film transistor and a light emitting element on the display area, and a display area. The touch screen panel is connected to the touch screen panel, the touch circuit board bent outside the bending area, on the touch screen panel, a polarizer covering a part of the touch circuit board, and on the touch screen panel, and the touch screen panel It includes a step compensation layer for compensating the step between the touch circuit board.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역 및 표시영역의 외곽을 두르고, 벤딩영역을 구비하는 비표시영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 있는 박막 트랜지스터 및 발광소자, 표시영역 상에 있는 터치스크린 패널, 터치스크린 패널과 연결되며, 벤딩된 벤딩영역의 외곽에서 벤딩된 터치회로기판, 터치스크린 패널 상에 있으며, 터치회로기판의 일부를 덮는 편광판, 및 터치스크린 패널과 터치회로기판의 끝단과의 단차를 보상해 주는 단차 보상층이 터치스크린 패널 상에 배치된다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification includes a flexible substrate including a display area and a non-display area surrounding the display area and having a bending area, a thin film transistor and a light emitting element on the display area, and a display area. A touch screen panel on the touch panel, a touch circuit board bent at the outside of the bent bending area, a polarizer on the touch screen panel, and covering a part of the touch circuit board, and the touch screen panel and the touch circuit A step compensating layer for compensating the step with the end of the substrate is disposed on the touch screen panel.
본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 플렉시블 기판의 상부에 배치되는 터치스크린 패널과 연결되는 터치회로기판이 차지하는 영역을 최소화하여 베젤영역을 최소화할 수 있는 효과가 있다.The electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present specification has an effect of minimizing an area occupied by a touch circuit board connected to a touch screen panel disposed on a flexible substrate, thereby minimizing a bezel area.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 플렉시블 전계발광 표시장치에 사용되는 배선을 제한된 공간 내에서 보다 자유롭게 배치할 수 있는 효과가 있다.Flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification has the effect that can be arranged more freely in a limited space wiring used in the flexible electroluminescent display.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Effects of the flexible electroluminescent display device according to the exemplary embodiment of the present specification are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.
이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 명세서의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 명세서의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.Since the content of the specification described in the problem, problem solving means, and effect to be solved above does not specify the essential features of the claim, the scope of the claims is not limited by the matter described in the content of the specification.
도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 블록도이다.
도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함되는 화소의 회로도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판 및 터치스크린 패널의 평면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 표시영역 및 벤딩영역의 상세구조 단면도이다.
도 5는 본 명세서의 일 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 벤딩영역의 단면도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 벤딩영역의 단면도 및 사시도이다.1 is a block diagram of an electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present specification.
2 is a circuit diagram of a pixel included in an electroluminescent display according to an exemplary embodiment of the present specification.
3A and 3B are plan views of a flexible substrate and a touch screen panel of an electroluminescent display according to an exemplary embodiment of the present specification.
4A and 4B are cross-sectional views illustrating detailed structures of a display area and a bending area of an electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present specification.
5 is a cross-sectional view of a bending area of a flexible electroluminescent display according to an exemplary embodiment of the present specification.
6A and 6B are cross-sectional views and perspective views of a bending area of a flexible electroluminescent display according to another exemplary embodiment of the present specification.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims.
본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. Shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are exemplary, and the present invention is not limited to the illustrated items. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related known technology may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When 'comprises', 'haves', 'consists of' and the like mentioned in the present specification, other parts may be added unless 'only' is used. In the case where the component is expressed in the singular, the plural includes the plural unless specifically stated otherwise.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting a component, it is interpreted to include an error range even if there is no separate description.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of the description of the positional relationship, for example, if the positional relationship of the two parts is described as 'on', 'upon', 'lower', 'next to', etc. Alternatively, one or more other parts may be located between the two parts unless 'direct' is used.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be a second component within the technical spirit of the present invention.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.The features of each of the various embodiments of the invention may be combined or combined with one another, in whole or in part, and various interlocking and driving technically may be possible, and each of the embodiments may be independently implemented with respect to each other or may be implemented in association with each other. It may be.
도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 블록도이다. 1 is a block diagram of an electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present specification.
도 1을 참조하면, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(100)는 영상처리부(110), 타이밍 컨트롤러(120), 데이터드라이버(130), 게이트드라이버(140) 및 표시패널(150)을 포함한다.Referring to FIG. 1, an
영상처리부(110)는 외부로부터 공급된 데이터신호(DATA)와 더불어 데이터인에이블신호(DE) 등을 출력한다. 영상처리부(110)는 데이터인에이블신호(DE) 외에도 수직동기신호, 수평동기신호 및 클럭신호 중 하나 이상을 출력할 수 있다.The
타이밍컨트롤러(120)는 영상처리부(110)로부터 데이터인에이블신호(DE) 또는 수직동기신호, 수평동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 데이터신호(DATA)를 공급받는다. 타이밍컨트롤러(120)는 구동신호에 기초하여 게이트드라이버(140)의 동작타이밍을 제어하기 위한 게이트타이밍 제어신호(GDC)와 데이터드라이버(130)의 동작타이밍을 제어하기 위한 데이터타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다. The
데이터드라이버(130)는 타이밍컨트롤러(120)로부터 공급된 데이터타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍컨트롤러(120)로부터 공급되는 데이터신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압으로 변환하여 출력한다. 데이터드라이버(130)는 데이터라인들(DL1~DLn)을 통해 데이터신호(DATA)를 출력한다.The
게이트드라이버(140)는 타이밍컨트롤러(120)로부터 공급된 게이트타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트전압의 레벨을 시프트시키면서 게이트신호를 출력한다. 게이트드라이버(140)는 게이트라인들(GL1~GLm)을 통해 게이트신호를 출력한다. The
표시패널(150)은 데이터드라이버(130) 및 게이트드라이버(140)로부터 공급된 데이터신호(DATA) 및 게이트신호에 대응하여 화소(160)가 발광하면서 영상을 표시한다. 화소(160)의 상세구조는 도 2 및 도 3에서 설명한다.The
도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함되는 화소의 회로도이다.2 is a circuit diagram of a pixel included in an electroluminescent display according to an exemplary embodiment of the present specification.
도 2를 참조하면, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(200)의 화소는 스위칭 트랜지스터(240), 구동 트랜지스터(250), 보상회로(260) 및 발광소자(270)를 포함한다. Referring to FIG. 2, a pixel of the
발광소자(270)는 구동 트랜지스터(250)에 의해 형성된 구동전류에 따라 발광하도록 동작한다.The
스위칭 트랜지스터(240)는 게이트라인(220)을 통해 공급된 게이트신호에 대응하여 데이터라인(230)을 통해 공급되는 데이터신호가 커패시터(Capacitor)에 데이터 전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. The switching
구동 트랜지스터(250)는 커패시터에 저장된 데이터전압에 대응하여 고전위 전원라인(VDD)과 저전위 전원라인(GND) 사이로 일정한 구동전류가 흐르도록 동작한다. The driving
보상회로(260)는 구동 트랜지스터(250)의 문턱전압 등을 보상하기 위한 회로이며, 보상회로(260)는 하나 이상의 박막 트랜지스터와 커패시터를 포함한다. 보상회로의 구성은 보상 방법에 따라 매우 다양할 수 있다. The
그리고, 전계발광 표시장치(200)의 화소는 스위칭 트랜지스터(240), 구동 트랜지스터(250), 커패시터 및 발광소자(270)를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성되며, 보상회로(260)가 추가된 경우 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T1C, 6T2C, 7T1C, 7T2C 등으로 다양하게 형성할 수 있다.The pixel of the
도 3a 및 도 3b는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판 및 터치스크린 패널의 평면도이다. 3A and 3B are plan views of a flexible substrate and a touch screen panel of an electroluminescent display according to an exemplary embodiment of the present specification.
도 3a는 플렉시블 전계발광 표시장치(300)의 플렉시블 기판(310)이 벤딩되지 않은 상태를 보여주고, 도 3b는 도 3a의 플렉시블 기판(310) 상에 배치되는 터치스크린 패널(320)를 보여주고 있다.3A illustrates a state in which the
도 3a를 참조하면, 본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치(300)는 플렉시블 기판(310) 상에 박막 트랜지스터 및 발광소자를 통해서 실제로 광을 발광하는 화소가 배치되는 표시영역(Active Area; A/A) 및 표시영역(A/A)의 가장자리의 외곽을 둘러싸는 비표시영역(Non-active Area; N/A)을 포함한다.Referring to FIG. 3A, a
플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)에는 플렉시블 전계발광 표시장치(300)의 구동을 위한 게이트구동부(390) 등과 같은 회로 및 스캔라인(Scan Line; S/L) 등과 같은 다양한 신호배선이 배치될 수 있다. 그리고, 플렉시블 전계발광 표시장치(300)의 구동을 위한 회로는 기판(310) 상에 GIP(Gate in Panel)로 배치되거나, TCP(Tape Carrier Package) 또는 COF(Chip on Film) 방식으로 플렉시블 기판(310)에 연결될 수도 있다. In the non-display area N / A of the
비표시영역(N/A)의 기판(310)의 일 측에 패드(395)가 배치된다. 패드(395)는 외부 모듈이 본딩되는(Bonded) 금속 패턴이다.The
플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)의 일부를 화살표와 같은 벤딩방향으로 구부려서 벤딩영역(B/A)을 형성할 수 있다. 플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)은 화면을 구동시키기 위한 배선 및 구동회로가 배치되며, 화상이 표시되는 영역이 아니므로, 플렉시블 기판(310)의 상면에서 시인될 필요가 없다. 따라서, 플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)의 일부영역을 벤딩하여 배선 및 구동회로를 위한 면적을 확보하면서도 베젤영역을 최소화할 수 있다.A portion of the non-display area N / A of the
플렉시블 기판(310) 상에는 다양한 배선들이 형성된다. 배선은 기판(310)의 표시 영역(A/A)에 형성될 수도 있다. 또는, 비표시영역(N/A)에 형성되는 회로배선(370)은 구동회로 또는 게이트드라이버, 데이터드라이버 등을 연결하여 신호를 전달할 수 있다. Various wirings are formed on the
회로배선(370)은 도전성물질로 형성되며, 기판(310)의 벤딩 시에 크랙이 발생하는 것을 줄이기 위해 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 회로배선(370)은 금(Au), 은(Ag), 및 알루미늄(Al) 등과 같이 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있고, 표시영역(A/A)에서 사용되는 다양한 도전성물질 중 하나로 형성될 수 있으며, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu), 및 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금 등으로도 구성될 수도 있다. 그리고, 회로배선(370)은 다양한 도전성물질을 포함하는 다층구조로 구성될 수도 있으며, 예를 들어, 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti)의 3층구조로 구성될 수도 있으며, 이에 제한되지는 않는다.The
벤딩영역(B/A)에 형성되는 회로배선(370)은 벤딩되는 경우 인장력을 받게 된다. 예를 들면, 플렉시블 기판(310) 상에서 벤딩방향(화살표로 표시)과 동일한 방향으로 연장하는 회로배선(370)이 가장 큰 인장력을 받게 되어, 크랙이 발생할 수 있으며, 크랙이 심할 경우 단선이 발생할 수 있다. 따라서, 벤딩방향으로 연장되도록 회로배선(370)을 형성하는 것이 아니라, 벤딩영역(B/A)을 포함하여 배치되는 회로배선(370) 중 적어도 일부분은 벤딩 방향과 상이한 방향인 사선 방향으로 연장하도록 형성함으로써, 인장력을 최소화하여 크랙 발생을 최소화할 수 있다. The
벤딩영역(B/A)을 포함하여 배치되는 회로배선(370)은 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 사다리꼴파 형상, 삼각파 형상, 톱니파 형상, 정현파 형상, 오메가(Ω) 형상, 및 마름모 형상 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. The
도 3b를 참조하면, 터치스크린 패널(320)은 도 3a에서 설명한 플렉시블 기판(310) 상에 배치된다. Referring to FIG. 3B, the
터치스크린 패널(320)은 플렉시블 기판(310)의 표시영역(A/A) 상에 대응하여 배치되는 터치영역(Touch Area; T/A) 및 표시영역(A/A)의 가장자리의 외곽을 둘러싸는 비표시영역(N/A) 상에 대응하여 배치되는 비터치영역(Non-Touch Area; NT/A)을 포함한다.The
터치전극(325)은 터치스크린 패널(320)의 터치영역(T/A)에 배치된다. 터치전극(325)은 복수의 터치구동전극(Tx) 및 복수의 터치감지전극(Rx)이 교차되도록 구성될 수 있다. The
터치스크린 패널(320)은 복수의 터치구동전극(Tx) 및 복수의 터치감지 전극(Rx)이 교차되도록 구성된 터치전극(325)으로 구성되는 상호-정전용량방식(mutual-capacitance type)이 적용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 자기-정전용량 방식(self-capacitance type)이 적용될 수도 있다. 자기-정전용량 방식은 복수의 터치감지 전극(Rx)으로만 배치된다. 그리고, 터치스크린 패널(320)은 저항막방식(resistive type) 또는 전자기방식(electromagnetic type) 등 다양한 방식으로 구현될 수도 있다.The
터치패드(330)는 터치스크린 패널(320)의 비터치영역(NT/A)에 배치되며, 플렉시블 기판(310) 상의 비표시영역(N/A) 상에 대응하여 배치된다. The
터치연결배선(335)은 터치전극(325)과 터치패드(330)를 전기적으로 연결시키는 역할을 하며, 터치스크린 패널(320)의 비터치영역(NT/A) 상에 대응하여 배치된다.The
터치스크린 패널(320)의 끝단에는 터치패드(330)와 연결되며, 절연필름으로 구성된 터치회로기판(340)이 배치된다.A
터치회로기판(340) 상에는 터치영역(T/A)에 배치된 터치전극(325)과 서로 신호를 전달하기 위한 다양한 배선과 터치입력을 센싱하기 위한 터치센싱회로를 포함할 수 있으며, 연성인쇄회로 기판(Flexible Printed Circuit Board; FPCB)으로 구성할 수 있다. The
터치회로기판(340)은 도 3a에서 설명한 플렉시블 기판(310)의 벤딩영역(B/A)의 외곽을 두르며 벤딩되어 배치할 수 있으며, 벤딩영역(B/A)의 상세 구조에 대해서는 도 5에서 설명한다.The
도 4a 및 도 4b는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 표시영역 및 벤딩영역의 상세구조 단면도이다. 4A and 4B are cross-sectional views illustrating detailed structures of a display area and a bending area of an electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present specification.
도 4a는 도 3a에서 설명한 표시영역(A/A)의 상세구조에 대한 단면도이다. 4A is a cross-sectional view of a detailed structure of the display area A / A described with reference to FIG. 3A.
도 4a를 참조하면, 기판(410)은 상부에 배치되는 전계발광 표시장치(400)의 구성요소들을 지지 및 보호하는 역할을 하며, 최근에는 플렉시블 특성을 가지는 연성의 물질로 이루어질 수 있으므로, 기판(410)은 플렉시블 기판일 수 있다. 예를 들면, 플렉시블 기판은 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군 중 하나를 포함하는 필름형태일 수 있다. Referring to FIG. 4A, the
예를 들면, 기판(410)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리실란(polysilane), 폴리실록산(polysiloxane), 폴리실라잔(polysilazane), 폴리카르보실란(polycarbosilane), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리메타크릴레이트(polymethacrylate), 폴리메틸아크릴레이트(polymethylacrylate), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmetacrylate), 폴리에틸아크릴레이트(polyethylacrylate), 폴리에틸메타크릴레이트(polyethylmetacrylate), 사이클릭 올레핀 코폴리머(COC), 사이클릭 올레핀 폴리머(COP), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌(PS), 폴리아세탈(POM), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에스테르설폰(PES), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐리덴플로라이드(PVDF), 퍼플루오로알킬 고분자(PFA), 스타이렌아크릴나이트릴코폴리머(SAN) 및 이들의 조합 중에서 적어도 하나로 구성될 수 있다. For example, the
기판(410) 상에 버퍼층이 더 배치될 수 있다. 버퍼층은 기판(410)을 통한 수분이나 다른 불순물의 침투를 방지하며, 기판(410)의 표면을 평탄화할 수 있다. 그리고, 버퍼층은 반드시 필요한 구성은 아니며, 기판(410)의 종류나 기판(410) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(420)의 종류에 따라 삭제될 수도 있다. A buffer layer may be further disposed on the
기판(410) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(420)는 게이트전극(422), 소스전극(424), 드레인전극(426) 및 반도체층(428)을 포함한다.The
반도체층(428)은 비정질실리콘(Amorphous Silicon) 또는 비정질 실리콘보다 우수한 이동도(Mobility)를 가져서 에너지 소비 전력이 낮고 신뢰성이 우수하여, 화소 내에서 구동 박막 트랜지스터에 적용할 수 있는 다결정실리콘(Polycrystalline Silicon)로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The
그리고, 반도체층은 산화물(Oxide) 반도체로 구성할 수 있다. 산화물 반도체는 이동도와 균일도가 우수한 특성을 갖고 있다. 산화물 반도체는 4원계 금속 산화물인 인듐 주석 갈륨 아연 산화물(InSnGaZnO) 계 재료, 3원계 금속 산화물인 인듐 갈륨 아연 산화물(InGaZnO) 계 재료, 인듐 주석 아연 산화물(InSnZnO) 계 재료, 인듐 알루미늄 아연 산화물(InAlZnO) 계 재료, 주석 갈륨 아연 산화물(SnGaZnO) 계 재료, 알루미늄 갈륨 아연 산화물(AlGaZnO) 계 재료, 주석 알루미늄 아연 산화물(SnAlZnO) 계 재료, 2원계 금속 산화물인 인듐 아연 산화물(InZnO) 계 재료, 주석 아연 산화물(SnZnO) 계 재료, 알루미늄 아연 산화물(AlZnO) 계 재료, 아연 마그네슘 산화물(ZnMgO) 계 재료, 주석 마그네슘 산화물(SnMgO) 계 재료, 인듐 마그네슘 산화물(InMgO) 계 재료, 인듐 갈륨 산화물(InGaO) 계 재료, 인듐 산화물(InO) 계 재료, 주석 산화물(SnO) 계 재료, 아연 산화물(ZnO) 계 재료 등으로 반도체층(428)을 구성할 수 있으며, 각각의 원소의 조성 비율은 제한되지 않는다.The semiconductor layer may be formed of an oxide semiconductor. Oxide semiconductors have excellent mobility and uniformity. The oxide semiconductor is an indium tin gallium zinc oxide (InSnGaZnO) based material which is a quaternary metal oxide, an indium gallium zinc oxide (InGaZnO) based material which is a ternary metal oxide, an indium tin zinc oxide (InSnZnO) based material, and indium aluminum zinc oxide (InAlZnO). ) Based material, tin gallium zinc oxide (SnGaZnO) based material, aluminum gallium zinc oxide (AlGaZnO) based material, tin aluminum zinc oxide (SnAlZnO) based material, binary metal oxide indium zinc oxide (InZnO) based material, tin zinc Oxide (SnZnO) based material, Aluminum Zinc Oxide (AlZnO) based material, Zinc Magnesium Oxide (ZnMgO) based material, Tin Magnesium Oxide (SnMgO) based material, Indium Magnesium Oxide (InMgO) based material, Indium Gallium Oxide (InGaO) based The
반도체층(428)은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 소스영역(Source Region), 드레인영역(Drain Region), 및 소스영역 및 드레인영역 사이에 채널(Channel)을 포함할 수 있고, 채널과 인접한 소스영역 및 드레인영역 사이에는 저농도 도핑영역을 포함할 수 있다.The
소스영역 및 드레인영역은 불순물이 고농도로 도핑된 영역으로, 박막 트랜지스터(420)의 소스전극(424) 및 드레인전극(426)이 각각 접속되는 영역이다. 불순물 이온은 p형 불순물 또는 n형 불순물을 이용할 수 있는데, p형 불순물은 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 인듐(In) 중 하나일 수 있고, n형 불순물은 인(P), 비소(As) 및 안티몬(Sb) 등에서 하나일 수 있다. The source region and the drain region are regions in which impurities are heavily doped, and regions where the
반도체층(428)은 NMOS 또는 PMOS의 박막 트랜지스터 구조에 따라, 채널 영역은 n형 불순물 또는 p형 불순물로 도핑될 수 있으며, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함된 박막 트랜지스터는 NMOS 또는 PMOS의 박막 트랜지스터가 적용가능하다.The
제1 절연층(431)은 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성된 절연층이며, 반도체층(428)에 흐르는 전류가 게이트전극(422)으로 흘러가지 않도록 배치한다. 그리고, 실리콘산화물은 금속보다는 연성이 떨어지지만, 실리콘질화물에 비해서는 연성이 우수하며 그 특성에 따라 단일층 또는 복수층으로 형성할 수 있다. The first insulating
게이트전극(422)은 게이트라인을 통해 외부에서 전달되는 전기 신호에 기초하여 박막 트랜지스터(420)를 턴-온(turn-on) 또는 턴-오프(turn-off)하는 스위치 역할을 하며, 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등이나, 이에 대한 합금으로 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The
소스전극(424) 및 드레인전극(426)은 데이터라인과 연결되며 외부에서 전달되는 전기신호가 박막 트랜지스터(420)에서 발광소자(440)로 전달되도록 한다. 소스전극(424) 및 드레인전극(426)은 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등의 금속 재료나 이에 대한 합금으로 단일층 또는 다중층으로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The
게이트전극(422)과 소스전극(424) 및 드레인전극(426)을 서로 절연시키기 위해서 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)의 단일층이나 다중층으로 구성된 제2 절연층(433)을 게이트전극(422)과 소스전극(424) 및 드레인전극(426) 사이에 배치할 수 있다.In order to insulate the
박막 트랜지스터(420) 상에 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기절연층으로 구성된 패시베이션층을 더 배치할 수도 있다. 페시베이션층은, 패시베이션층 상, 하부의 구성요소들 사이의 불필요한 전기적 연결을 막고 외부로부터의 오염이나 손상 등을 막는 역할을 할 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략할 수도 있다.A passivation layer including an inorganic insulating layer such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) may be further disposed on the
박막 트랜지스터(420)는 박막 트랜지스터(420)를 구성하는 구성요소들의 위치에 따라 인버티드 스태거드(Inverted Staggered) 구조와 코플래너(Coplanar) 구조로 분류될 수 있다. 인버티드 스태거드 구조의 박막 트랜지스터는 반도체층을 기준으로 게이트전극이 소스전극 및 드레인전극의 반대편에 위치한다. 도 4a에서와 같이, 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(420)는 반도체층(428)을 기준으로 게이트전극(422)이 소스전극(424) 및 드레인전극(426)과 같은편에 위치한다. The
도 4a에서는 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(420)가 도시되었으나, 전계발광 표시장치(400)는 인버티드 스태거드 구조의 박막 트랜지스터를 포함할 수도 있다.Although the
설명의 편의를 위해, 도 4a에서는 전계발광 표시장치(400)에 포함될 수 있는 다양한 박막 트랜지스터 중에서 구동 박막 트랜지스터만을 도시하였으며, 스위칭 박막 트랜지스터, 커패시터 등도 전계발광 표시장치(400)에 포함될 수 있다. 그리고, 스위칭 박막 트랜지스터는 게이트라인으로부터 신호가 인가되면, 데이터라인으로부터의 신호를 구동 박막 트랜지스터의 게이트전극으로 전달한다. 구동 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터로부터 전달받은 신호에 의해 전원 배선을 통해 전달되는 전류를 애노드(442)로 전달하며, 애노드(442)로 전달되는 전류에 의해 발광을 제어한다.For convenience of description, FIG. 4A illustrates only a driving thin film transistor among various thin film transistors that may be included in the
박막 트랜지스터(420)를 보호하고 박막 트랜지스터(420)로 인해서 발생되는 단차를 완화시키며, 박막 트랜지스터(420)와 게이트라인 및 데이터라인, 발광소자(440)들 사이에 발생되는 기생정전용량(Parasitic-Capacitance)을 감소시키기 위해서 박막 트랜지스터(420) 상에 평탄화층(435, 437)을 배치한다.It protects the
평탄화층(435, 437)은 아크릴계 수지(Acrylic Resin), 에폭시 수지(Epoxy Resin), 페놀 수지(Phenolic Resin), 폴리아미드계 수지(Polyamides Resin), 폴리이미드계 수지(Polyimides Resin), 불포화 폴리에스테르계 수지(Unsaturated Polyesters Resin), 폴리페닐렌계 수지(Polyphenylene Resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(Polyphenylenesulfides Resin), 및 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.The planarization layers 435 and 437 include acrylic resins, epoxy resins, phenolic resins, polyamides resins, polyimides resins, and unsaturated polyesters. It may be formed of at least one material of an unsaturated polyester resin, a polyphenylene resin, a polyphenylene sulfide resin, and a benzocyclobutene, but is not limited thereto.
본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(400)는 순차적으로 적층된 복수의 평탄화층(435, 437)인 제1 평탄화층(435) 및 제2 평탄화층(437)을 포함할 수도 있다. The
예를 들면, 박막 트랜지스터(420) 상에 제1 평탄화층(435)이 적층되어 배치되고, 제1 평탄화층(435) 상에 순차적으로 제2 평탄화층(437)이 적층되어 배치될 수 있다. For example, the
그리고, 제1 평탄화층(435) 상에는 버퍼층이 배치될 수도 있다. 버퍼층은 제1 평탄화층(435) 상에 배치되는 구성요소를 보호하기 위해서 배치되며, 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략할 수도 있다.In addition, a buffer layer may be disposed on the
제1 평탄화층(435)에 형성되는 컨택홀(Contact Hole)을 통해서 중간전극(430)이 박막 트랜지스터(420)와 연결된다. 중간전극(430)은 박막 트랜지스터(420)와 연결되도록 한다. The
그리고, 데이터라인은 소스전극(424) 및 드레인전극(426)과 동일한 물질로 이루어지는 하부층과 중간전극(430)과 동일한 물질로 이루어지는 상부층이 연결되는 구조로 형성될 수 있다. 따라서, 두 개의 층이 서로 병렬 연결된 구조로 데이터라인이 구현될 수 있으므로, 데이터라인의 배선 저항이 감소될 수 있다.The data line may have a structure in which a lower layer made of the same material as the
제1 평탄화층(435) 및 중간전극(430) 상에 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기절연층으로 구성된 패시베이션층이 더 배치될 수도 있다. 패시베이션층은 구성요소들 사이의 불필요한 전기적 연결을 막고 외부로부터의 오염이나 손상 등을 막는 역할을 할 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략될 수도 있다.A passivation layer including an inorganic insulating layer such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) may be further disposed on the
제2 평탄화층(437) 상에 배치되는 발광소자(440)는 애노드(442), 발광부(444) 및 캐소드(446)를 포함한다.The
애노드(442)는 제2 평탄화층(437) 상에 배치될 수 있다. 애노드(442)는 발광부(444)에 정공을 공급하는 역할을 하는 전극으로, 제2 평탄화층(437)에 있는 컨택홀을 통해 중간전극(430)과 연결되어, 박막 트랜지스터(420)와 전기적으로 연결된다. The
애노드(442)는 투명 도전성 물질인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide; IZO) 등으로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The
전계발광 표시장치(400)가 캐소드(446)가 배치된 상부로 광을 발광하는 탑에미션(Top Emission)일 경우 발광된 광이 애노드(442)에서 반사되어 보다 원활하게 캐소드(446)가 배치된 상부 방향으로 방출될 수 있도록, 반사층을 더 포함할 수 있다. When the
예를 들면, 애노드(442)는 투명 도전성 물질로 구성된 투명 도전층과 반사층이 차례로 적층된 2층 구조이거나, 투명 도전층, 반사층 및 투명 도전층이 차례로 적층된 3층 구조일 수 있으며, 반사층은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 합금일 수 있다. For example, the
애노드(442) 및 제2 평탄화층(437) 상에 배치되는 뱅크(450)는 실제로 광을 발광하는 영역을 구획하여 화소를 정의할 수 있다. 애노드(442) 상에 포토레지스트(Photoresist)를 형성한 후에 사진식각공정(Photolithography)에 의해 뱅크(450)를 형성한다. 포토레지스트는 광의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화되는 감광성 수지를 말하며, 포토레지스트를 노광 및 현상하여 특정 패턴이 얻어질 수 있다. 포토레지스트는 포지티브형 포토레지스트(Positive Photoresist)와 네거티브형 포토레지스트(Negative photoresist)로 분류될 수 있다. 포지티브형 포토레지스트는 노광으로 노광부의 현상액에 대한 용해성이 증가되는 포토레지스트를 말하며, 포지티브형 포토레지스트를 현상하면 노광부가 제거된 패턴이 얻어진다. 그리고, 네거티브형 포토레지스트는 노광으로 노광부의 현상액에 대한 용해성이 크게 저하되는 포토레지스트를 말하며, 네거티브형 포토레지스트를 현상하면 비노광부가 제거된 패턴이 얻어 진다. The
발광소자(440)의 발광부(444)를 형성하기 위해서 증착마스크인 FMM(Fine Metal Mask)을 사용할 수 있다. 그리고, 뱅크(450) 상에 배치되는 증착마스크와 접촉하여 발생될 수 있는 손상을 방지하고, 뱅크(450)와 증착마스크 사이에 일정한 거리를 유지하기 위해서, 뱅크(450) 상부에 투명 유기물인 폴리이미드, 포토아크릴 및 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 하나로 구성되는 스페이서(Spacer; 452)를 배치할 수도 있다.In order to form the
애노드(442)와 캐소드(446) 사이에 발광부(444)가 배치된다. 발광부(444)는 광을 발광하는 역할을 하며, 정공주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공수송층(Hole Transport Layer; HTL), 발광층, 전자수송층(Electron Transport Layer; ETL), 전자주입층(Electron Injection Layer; EIL) 중 적어도 하나의 층을 포함할 수 있고, 전계발광 표시장치(400)의 구조나 특성에 따라 발광부(444)의 일부 구성요소는 생략될 수도 있다. 여기서 발광층은 전계발광층 및 무기발광층을 적용하는 것도 가능하다.The
정공주입층은 애노드(442) 상에 배치되어 정공의 주입이 원활하게 하는 역할을 한다. 정공주입층은, 예를 들어, HAT-CN(dipyrazino[2,3-f:2’,3’-h]quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc(phthalocyanine), 및 NPD(N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-2,2’-dimethylbenzidine) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다. The hole injection layer is disposed on the
정공수송층은 정공주입층 상에 배치되어 발광층으로 원활하게 정공을 전달하는 역할을 한다. 정공수송층은, 예를 들어, NPD(N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-2,2’-dimethylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD(2,2’,7,7’-tetrakis(N,N-dimethylamino)-9,9-spirofluorene), 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.The hole transport layer is disposed on the hole injection layer and serves to smoothly transfer holes to the light emitting layer. The hole transport layer is, for example, NPD (N, N'-bis (naphthalene-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -2,2'-dimethylbenzidine), TPD (N, N'-bis -(3-methylphenyl) -N, N'-bis- (phenyl) -benzidine), s-TAD (2,2 ', 7,7'-tetrakis (N, N-dimethylamino) -9,9-spirofluorene) And MTDATA (4,4 ', 4 "-Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine).
발광층은 정공수송층 상에 배치되며 특정 색의 광을 발광할 수 있는 물질을 포함하여 특정 색의 광을 발광할 수 있다. 그리고, 발광물질은 인광물질 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다. The emission layer may be disposed on the hole transport layer and may emit light of a specific color, including a material capable of emitting light of a specific color. The light emitting material may be formed using a phosphor or a fluorescent material.
발광층이 적색(Red)을 발광하는 경우, 발광하는 피크파장은 600㎚ 내지 650㎚ 범위가 될 수 있으며, CBP(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate) iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)(acetylacetonate) iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline) iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum) 중에서 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또는, PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting layer emits red, the peak wavelength that emits light may be in the range of 600 nm to 650 nm, and CBP (4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl) or mCP (1,3). host materials including -bis (carbazol-9-yl) benzene), PIQIr (acac) (bis (1-phenylisoquinoline) (acetylacetonate) iridium), PQIr (acac) (bis (1-phenylquinoline) (acetylacetonate ) iridium), PQIr (tris (1-phenylquinoline) iridium) and PtOEP (octaethylporphyrin platinum) may be made of a phosphorescent material including a dopant containing at least one. Alternatively, it may be made of a fluorescent material including PBD: Eu (DBM) 3 (Phen) or perylene.
여기서, 피크파장(λmax)은 EL(ElectroLuminescence)의 최대 파장을 말한다. 발광부를 구성하는 발광층들이 고유의 광을 내는 파장을 PL(PhotoLuminescence)이라 하며, 발광층들을 구성하는 층들의 두께나 광학적 특성의 영향을 받아 나오는 광을 에미턴스(Emittance)라 한다. 이때, EL(ElectroLuminescence)은 전계발광 표시장치가 최종적으로 방출하는 광을 말하며, PL(PhotoLuminescence) 및 에미턴스(Emittance)의 곱으로 표현될 수 있다.Here, the peak wavelength lambda max refers to the maximum wavelength of EL (ElectroLuminescence). The wavelength at which the light emitting layers constituting the light emitting unit emit light inherently is called PL (PhotoLuminescence), and the light emitted by the thickness or the optical properties of the layers constituting the light emitting layers is called an emission. In this case, EL (ElectroLuminescence) refers to the light finally emitted by the electroluminescent display, and may be expressed as a product of PL (PhotoLuminescence) and emittance (Emittance).
발광층이 녹색(Green)을 발광하는 경우, 발광하는 피크 파장은 520nm 내지 540nm 범위가 될 수 있으며, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 Ir complex와 같은 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting layer emits green, the peak wavelength that emits light may be in the range of 520 nm to 540 nm, includes a host material including CBP or mCP, and Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridine) iridium It may be made of a phosphorescent material including a dopant material, such as Ir complex containing. In addition, it may be made of a fluorescent material containing Alq 3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum).
발광층이 청색(Blue)을 발광하는 경우, 발광하는 피크 파장은 440㎚ 내지 480㎚ 범위가 될 수 있으며, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, FIrPic(bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium)를 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, spiro-DPVBi(4,4'-Bis(2,2-diphenyl-ethen-1-yl)biphenyl), DSA(1-4-di-[4-(N,N-di-phenyl)amino]styryl-benzene), PFO(polyfluorene)계 고분자 및 PPV(polyphenylenevinylene)계 고분자 중 어느 하나를 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting layer emits blue, the peak wavelength for emitting light may be in the range of 440 nm to 480 nm, and includes a host material including CBP or mCP, and FIrPic (bis (3,5-difluoro-2 It may be made of a phosphorescent material including a dopant material containing-(2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium) and spiro-DPVBi (4,4'-Bis (2,2-diphenyl-ethen). -1-yl) biphenyl), DSA (1-4-di- [4- (N, N-di-phenyl) amino] styryl-benzene), PFO (polyfluorene) polymer and PPV (polyphenylenevinylene) polymer It may be made of a fluorescent material containing one.
발광층 상에 전자수송층을 배치하여 발광층으로 전자의 이동을 원활하게 한다. 전자수송층은, 예를 들어, Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium), PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), TAZ(3-(4-biphenyl)4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), spiro-PBD, BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 BAlq(bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminum) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.The electron transport layer is disposed on the light emitting layer to facilitate the movement of electrons to the light emitting layer. The electron transport layer is, for example, Liq (8-hydroxyquinolinolato-lithium), PBD (2- (4-biphenyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole), TAZ (3- (4-biphenyl) 4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), spiro-PBD, BCP (2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) and BAlq It may be made of any one or more of (bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum).
전자수송층 상에 전자주입층이 더 배치될 수 있다. 전자주입층은 캐소드(446)로부터 전자의 주입을 원활하게 하는 유기층으로, 전계발광 표시장치(400)의 구조와 특성에 따라서 생략될 수 있다. 전자주입층은 BaF2, LiF, NaCl, CsF, Li2O 및 BaO와 같은 금속 무기 화합물일 수 있고, HAT-CN(dipyrazino[2,3-f:2’,3’-h]quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc(phthalocyanine), 및 NPD(N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-2,2’-dimethylbenzidine) 중에서 어느 하나 이상의 유기 화합물일 수 있다. The electron injection layer may be further disposed on the electron transport layer. The electron injection layer is an organic layer that facilitates injection of electrons from the
발광층과 인접한 위치에 정공 또는 전자의 흐름을 저지하는 전자저지층(Electron Blocking Layer) 또는 정공저지층(Hole Blocking Layer)을 더 배치하여, 전자가 발광층에 주입될 때 발광층에서 이동하여 인접한 정공수송층으로 통과하거나 정공이 발광층에 주입될 때 발광층에서 이동하여 인접한 전자수송층으로 통과하는 현상을 방지하여 발광효율을 향상시킬 수 있다.An electron blocking layer or hole blocking layer is further disposed at a position adjacent to the light emitting layer to prevent the flow of holes or electrons, and when electrons are injected into the light emitting layer, the electron blocking layer moves to the adjacent hole transport layer. When passing or holes are injected into the light emitting layer, it is possible to prevent the phenomenon of moving from the light emitting layer and passing to the adjacent electron transport layer, thereby improving luminous efficiency.
캐소드(446)는 발광부(444) 상에 배치되어, 발광부(444)로 전자를 공급하는 역할을 한다. 캐소드(446)는 전자를 공급하여야 하므로 일함수가 낮은 도전성 물질인 마그네슘(Mg), 은-마그네슘(Ag:Mg) 등과 같은 금속 물질로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The
전계발광 표시장치(400)가 탑에미션 방식인 경우, 캐소드(446)는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide; ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide; ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide; TiO) 계열의 투명 도전성 산화물일 수 있다.When the
발광소자(440) 상에는 전계발광 표시장치(400)의 구성요소인 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)가 외부에서 유입되는 수분, 산소 또는 불순물들로 인해서 산화 또는 손상되는 것을 방지하기 위한 봉지부(460)를 배치할 수 있으며, 복수의 봉지층, 이물보상층 및 복수의 베리어필름(Barrier Film)이 적층되어 형성할 수 있다. On the
봉지층은 박막 트렌지스터(420) 및 발광소자(440)의 상부 전면에 배치되며, 무기물인 질화실리콘(SiNx) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 중 하나로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.The encapsulation layer is disposed on the upper front surface of the
봉지층 상에 배치되는 이물보상층 상에는 봉지층이 더 배치될 수 있다. The encapsulation layer may be further disposed on the foreign material compensation layer disposed on the encapsulation layer.
이물보상층은 봉지층 상에 배치되며, 유기물인 실리콘옥시카본(SiOCz), 아크릴(Acryl) 또는 에폭시(Epoxy) 계열의 레진(Resin)을 사용할 수 있으며, 이에 제한되지 않으며, 공정 중에 발생될 수 있는 이물이나 파티클(Particle)에 의해서 발생된 크랙(Crack)에 의해 불량이 발생할 때 이물보상층에 의해서 굴곡 및 이물이 덮히면서 보상할 수 있다. The foreign material compensation layer may be disposed on the encapsulation layer, and may use an organic material, silicon oxycarbon (SiOCz), acrylic, or epoxy resin, but is not limited thereto. When defects are caused by cracks caused by foreign particles or particles, the foreign material compensation layer can compensate for the bending and foreign substances.
봉지층 및 이물보상층 상에 베리어필름을 배치하여 전계발광 표시장치(400)가 외부에서의 산소 및 수분의 침투를 지연시킬 수 있다. 베리어필름은 투광성 및 양면 접착성을 띠는 필름 형태로 구성되며, 올레핀(Olefin) 계열, 아크릴(Acrylic) 계열 및 실리콘(Silicon) 계열 중 어느 하나의 절연재료로 구성될 수 있고, 또는 COP(Cyclolefin Polymer), COC(Cycloolefin Copolymer) 및 PC(Polycarbonate) 중 어느 하나의 재료로 구성된 베리어필름을 더 적층할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The barrier film may be disposed on the encapsulation layer and the foreign material compensation layer to delay the penetration of oxygen and moisture from the outside. Barrier film is composed of a light-transmitting and double-sided adhesive film, and may be composed of any one of an insulating material of olefin (Olefin), acrylic (silicone) and silicon (silicon) series, or COP (Cyclolefin) A barrier film made of any one of a polymer, a cycloolefin copolymer (COC), and a polycarbonate (PC) may be further stacked, but is not limited thereto.
도 4b 는 도 3a에서 설명한 벤딩영역(B/A)의 상세구조에 대한 단면도이다.4B is a cross-sectional view of a detailed structure of the bending area B / A described with reference to FIG. 3A.
도 4b의 일부 구성요소는 도 4a에서 설명된 구성요소와 실질적으로 동일/유사하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. Some components of FIG. 4B are substantially the same / similar to those described in FIG. 4A, and detailed descriptions thereof are omitted.
도 1 내지 도 3a에서 설명한 게이트신호 및 데이터신호는 외부에서부터 전계발광 표시장치(400)의 비표시영역(N/A)에 배치되는 회로배선을 거쳐서 표시영역(A/A)에 배치되어 있는 화소로 전달되어 발광되도록 한다. The gate and data signals described with reference to FIGS. 1 to 3A are arranged in the display area A / A through circuit wiring arranged in the non-display area N / A of the
전계발광 표시장치(400)의 벤딩영역(B/A)을 포함한 비표시영역(N/A)에 배치되는 배선이 단층 구조로 형성되는 경우, 배선을 배치하기 위한 많은 공간이 요구된다. 도전성 물질을 증착한 후, 형성하고자 하는 배선의 형상으로 도전성 물질을 에칭 등의 공정으로 패터닝하는데, 에칭 공정의 세밀도에는 한계가 있으므로 배선 사이의 간격을 좁히기 위한 한계로 인하여 많은 공간이 요구되므로, 비표시영역(N/A)의 면적이 커지게 되어 네로우 베젤 구현에 어려움이 발생할 수 있다. When the wiring disposed in the non-display area N / A including the bending area B / A of the
이와 함께, 하나의 신호를 전달하기 위해 하나의 배선을 사용하는 경우, 해당 배선이 크랙이 발생되는 경우 해당 신호가 제대로 전달되지 못할 수 있다. 기판(410)을 벤딩하는 과정에서 배선 자체에 크랙이 발생하거나, 다른 층에 크랙이 발생되어 크랙이 배선으로 전파될 수도 있다. 이와 같이, 배선에 크랙이 발생되는 경우에는 전달하는 신호가 전달되지 않을 수도 있다.In addition, when one wire is used to transmit one signal, the signal may not be properly transmitted when the wire is cracked. In the process of bending the
이에 따라, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(400)의 벤딩영역(B/A)에 배치되는 배선은 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)의 이중배선 형태로 배치된다.Accordingly, the wirings arranged in the bending area B / A of the
제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 도전성물질로 형성하며, 플렉시블 기판(410)의 벤딩 시에 크랙이 발생하는 것을 줄이기 위해 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 예를 들어, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있고, 표시영역(A/A)에서 사용되는 다양한 도전성물질 중 하나로 형성될 수 있으며, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu), 및 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금 등으로도 구성될 수도 있다. 그리고, 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 다양한 도전성물질을 포함하는 다층구조로 구성될 수도 있으며, 예를 들어, 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti)의 3층구조로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다.The
제1 배선(462) 및 제2 배선(464)을 보호하기 위해서 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)의 하부에는 무기절연층으로 이루어지는 버퍼층이 배치될 수도 있고, 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)의 상부 및 측부를 둘러싸도록 무기절연층으로 이루어지는 패시베이션층이 형성되어 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)이 수분 등과 반응하여 부식되는 등의 현상이 방지될 수도 있다.In order to protect the
벤딩영역(B/A)에 형성되는 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 벤딩되는 경우 인장력을 받게 된다. 도 3에서 설명한 바와 같이, 기판(410) 상에서 벤딩방향과 동일한 방향으로 연장하는 배선이 가장 큰 인장력을 받게 되고, 크랙이 발생할 수 있으며, 크랙이 심하면 단선이 발생할 수 있다. 따라서, 벤딩방향으로 연장하도록 배선을 형성하는 것이 아니라, 벤딩영역(B/A)을 포함하여 배치되는 배선 중 적어도 일부분은 벤딩 방향과 상이한 방향인 사선 방향으로 연장하도록 형성함으로써, 인장력을 최소화하여 크랙 발생을 줄일 수 있다. 배선의 형상을 마름모 형상, 삼각파 형상, 정현파 형상, 사다리꼴 형상 등으로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The
기판(410) 상에 제1 배선(462)이 배치되고 제1 배선(462) 상에 제1 평탄화층(435)이 배치된다. 제1 평탄화층(435) 상에는 제2 배선(464)이 배치되고, 제2 배선(464) 상에 제2 평탄화층(437)이 배치된다. The
제1 평탄화층(435) 및 제2 평탄화층(437)은 아크릴계 수지(Acrylic Resin), 에폭시 수지(Epoxy Resin), 페놀 수지(Phenolic Resin), 폴리아미드계 수지(Polyamides Resin), 폴리이미드계 수지(Polyimides Resin), 불포화 폴리에스테르계 수지(Unsaturated Polyesters Resin), 폴리페닐렌계 수지(Polyphenylene Resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(Polyphenylenesulfides Resin), 및 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.The
제2 평탄화층(437) 상에는 마이크로 코팅층(Micro Coating Layer; 466)이 배치된다. 마이크로 코팅층(466)은 벤딩 시에 기판(410) 상에 배치되는 배선부에 인장력이 작용하여 미세 크랙이 발생될 수 있으므로, 벤딩되는 위치에 얇은 두께로 레진(Resin)을 코팅하여 배선을 보호하는 역할을 할 수 있다. A
도 5는 본 명세서의 일 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 벤딩영역의 단면도이다. 5 is a cross-sectional view of a bending area of a flexible electroluminescent display according to an exemplary embodiment of the present specification.
도 5의 일부 구성요소는 도 3a 및 도 3b에서 설명된 구성요소와 실질적으로 동일/유사하며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. Some components of FIG. 5 are substantially the same / similar to those described in FIGS. 3A and 3B, and detailed descriptions thereof will be omitted.
도 5를 참조하면, 플렉시블 기판(510) 상에 제1 접착층(530)이 배치된다. 제1 접착층(530)은 투명한 접착 레진(Optically Cleared Resin; OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Cleared film; OCA film)일 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 5, the first
제1 접착층(530) 상에는 도 3b에서 설명한 터치스크린 패널(520)이 배치되며, 제1 접착층(530)에 의해서 플렉시블 기판(510)과 서로 접착하여 고정된다. 터치스크린 패널(520)은 터치기판일 수 있다.The
터치스크린 패널(520)은 플렉시블 기판(510)의 표시영역(A/A) 상에 대응하여 배치되는 터치영역(T/A) 및 표시영역(A/A)의 가장자리의 외곽을 둘러싸는 비표시영역(N/A) 상에 대응하여 배치되는 비터치영역(NT/A)을 포함한다.The
터치패드(545)는 터치스크린 패널(520)의 비터치영역(NT/A)에 배치되며, 플렉시블 기판(520) 상의 비표시영역(N/A) 상에 대응하여 배치된다. The
터치스크린 패널(520)의 끝단에는 터치패드(545)와 연결되며, 절연필름으로 구성된 터치회로기판(540)이 배치된다.A
터치회로기판(540) 상에는 터치영역(T/A)에 배치된 터치전극과 서로 신호를 전달하기 위한 다양한 배선과 터치입력을 센싱하기 위한 터치센싱회로를 포함할 수 있으며, 연성인쇄회로 기판으로 구성할 수 있으며, 플렉시블 기판(510)의 벤딩영역(B/A)의 외곽을 두르며 벤딩되어 배치한다. The
터치스크린 패널(520) 및 터치회로기판(540) 상에는 편광판(550)이 서로 접착하여 고정되어 배치된다. On the
편광판(550)은 플렉시블 기판(510)의 표시영역(A/A) 상에서 외부 광의 반사를 억제한다. 표시장치(500)가 외부에서 사용되는 경우, 외부 자연 광이 유입되어 전계발광소자의 애노드에 포함된 반사판에 의해 반사되거나, 유기 발광소자 하부에 배치된 금속으로 구성된 전극에 의해 반사될 수 있다. 이와 같이 반사된 광들에 의해 표시장치(500)의 영상이 시인되지 않을 수 있다. 편광판(550)은 외부에서 유입된 광을 특정 방향으로 편광하며, 반사된 광이 다시 표시장치(500)의 외부로 방출되지 못하게 한다. The
편광판(550)은 플렉시블 기판(510)의 표시영역(A/A)의 외곽영역까지 외부광의 반사를 억제하기 위해서 표시영역(A/A)보다 더 넓은 영역까지 포함하여 배치할 수 있다. 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(500)에 포함된 편광판(550)은 표시영역(A/A) 상의 터치스크린 패널(520)과 비표시영역(N/A) 상의 터치회로기판(540)의 일측을 모두 덮도록 배치한다. The
이때, 터치회로기판(540)과 터치패드(545)는 일정한 두께를 가지기 때문에, 터치스크린 패널(520)과 터치회로기판(540) 사이에는 일정한 단차가 발생되어 터치스크린 패널(520)과 터치회로기판(540)의 일측을 동시에 덮으면서 접착하여 고정되는 편광판(550)은 터치회로기판(540)과 인접한 영역에서 발생되는 단차로 기포가 발생되며, 이에 따라 서로 접착하지 못하고 들뜨는 영역이 발생될 수 있다. 편광판(550)이 제대로 접착하지 못하고 들뜨게 되는 경우 편광판(550)이 제대로 역할을 하지 못하게 되어서 일부 영역에서 외부에서 영상이 시인되지 않을 수 있다. In this case, since the
이를 방지하기 위해서 표시영역(A/A) 상에서는 위에서 설명한 들뜸 현상이 발생되지 않도록 터치스크린 패널(520)과 터치회로기판(540)이 연결되는 영역인 단차영역을 표시영역(A/A)에서 충분한 거리를 떨어지도록 배치할 수밖에 없으며, 이에 따라 전계발광 표시장치(500)의 베젤영역을 최소화하는 것에 어려움이 있었다.In order to prevent this, the stepped area, which is the area where the
이에, 본 명세서의 일 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치(500)는 터치스크린 패널(520)과 터치회로기판(540)의 상부에 제2 접착층(533)을 배치하여 터치회로기판(540)과 터치패드(545)에 발생되는 단차를 보상할 수 있다. 여기서 제2 접착은(533)은 단차 보상층일 수 있다. 제2 접착층(533) 상에 배치되는 편광판(550)에 대해서, 표시영역(A/A) 및 비표시영역(N/A)을 모두 포함한 편광판(550)이 배치되는 전 영역에서 제2 접착층(533)으로 기포 발생이 최소화되면서 그에 따라 편광판(550)의 들뜸이 발생되지 않도록 하여 들뜸으로 발생되는 일부 영역에서 외부에서 영상이 시인되지 않는 것을 방지할 수 있다. Accordingly, in the flexible
편광판(550)과 터치스크린 패널(520) 및 터치회로기판(540) 사이의 기포를 최소화 하고 편광판(550)의 들뜸을 방지하여 표시영역(A/A)에 인접하여 터치회로기판(540)과 터치패드(545)를 배치할 수 있게 되어 전계발광 표시장치(500)의 베젤영역을 최소화하는 효과가 있다. Minimize air bubbles between the
터치스크린 패널(520)과 터치회로기판(540) 상에 플렉시블한 특성을 가지는 제2 접착층(533)을 터치회로기판(540)과 터치패드(545)로 발생되는 단차이상의 두께로 배치하면 도 5에서 거리 A에 기포가 발생되어 들뜸이 발생되지만, 이는 플렉시블한 특성을 가지는 제2 접착층(533)으로 단차를 보상해 주면서 제2 접착층(533)의 상면은 평탄하게 되며, 상부의 편광판(550)을 고정하여 접착할 수 있다. When the second
그리고, 제2 접착층(533)은, 터치회로기판(540)과 인접한 영역에서 발생되는 단차를 완화하기 위해 터치회로기판(540)과 터치패드(545) 상부에는 상대적으로 얇은 두께를 가지며, 그 외 영역에서는 상대적으로 두꺼운 두께를 가지도록 형성될 수 있으며, 그 사이에는 소정 기울기를 가질 수 있다.In addition, the second
편광판(550)은 단차로 기포가 발생되어 접착되지 않고 들뜸이 발생되는 것을 방지할 수 있어서 터치회로기판(540)이 최대한 표시영역(A/A)으로 인접하여 배치할 수 있기 때문에 터치회로기판(540)을 배치하는 베젤영역을 최소화 할 수 있다.Since the
플렉시블 기판(510) 하부에는 백플레이트(560)가 배치된다. 플렉시블 기판(510)이 폴리이미드와 같은 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 플렉시블 기판(510) 하부에 유리로 이루어지는 지지기판이 배치된 상황에서 플렉시블 전계발광 표시장치(500)의 제조공정이 진행되고, 제조공정이 완료된 후 지지기판이 분리되어 릴리즈될 수 있다. The
편광판(550) 상에 제3 접착층(536)을 배치하여 표시장치(500)의 외관을 보호하는 커버 글라스(Cover Glass; CG, 555)를 접착하여 배치할 수도 있다. A
지지기판이 릴리즈된 이후에도 플렉시블 기판(510)을 지지하기 위한 구성요소가 필요하므로, 플렉시블 기판(510)을 지지하기 위한 백플레이트(560)가 플렉시블 기판(510)의 하부에 배치될 수 있다. Since a component for supporting the
백플레이트(560)는 벤딩영역(B/A)을 제외한 플렉시블 기판(510)의 다른 영역에서 벤딩영역(B/A)에 인접하도록 배치될 수 있다. 백플레이트(560)는 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리머들, 이들 폴리머들의 조합 등으로 형성된 플라스틱 박막으로 이루어질 수 있다.The
두 개의 백플레이트(560) 사이에는 지지부재(565)가 배치되고, 지지 부재(565)는 백플레이트(560)와 접착될 수 있다. 지지부재(565)는 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리머들, 이들 폴리머들의 조합 등과 같은 플라스틱 재료로 형성될 수 있다. 이러한 플라스틱 재료들로 형성된 지지부재(565)의 강도는 지지부재(565)의 두께 및 강도를 증가시키기 위한 첨가제들을 첨가하는 것에 의해 제어될 수도 있다. 그리고, 지지부재(565)는 유리, 세라믹, 금속 또는 다른 강성이 있는(Rigid) 재료들 또는 전술한 재료들의 조합들로 형성될 수도 있다.A
플렉시블 기판(510)의 벤딩영역(B/A) 상에는 마이크로 코팅층(Micro Coating Layer; 570)이 배치된다. A
마이크로 코팅층(570)은 벤딩 시에 플렉시블 기판(510) 상에 배치되는 배선부에 인장력이 작용하여 미세 크랙이 발생될 수 있으므로, 레진(Resin)을 벤딩되는 위치에 얇은 두께로 코팅하여 배선을 보호하는 역할을 할 수 있다. When the
마이크로 코팅층(570)은 벤딩영역(B/A)의 중립면을 조절할 수 있다. 중립면은 구조물이 벤딩되는 경우, 구조물에 인가되는 압축력(Compressive Force)과 인장력(Tensile Force)이 서로 상쇄되어 응력을 받지 않는 가상의 면을 의미한다. 2개 이상의 구조물이 적층되어 있는 경우, 구조물들 사이에 가상의 중립면이 형성될 수 있다. 구조물 전체가 일 방향으로 벤딩하는 경우, 중립면을 기준으로 벤딩 방향에 배치되는 구조물들은 벤딩에 의해 압축되게 되므로 압축력을 받는다. 이와 반대로 중립면을 기준으로 벤딩 방향과 반대 방향에 배치되는 구조물들은 벤딩에 의해 늘어나게 되므로 인장력을 받는다. 그리고, 일반적으로 구조물들은 동일한 압축력과 인장력 중 인장력을 받는 경우에 더 취약하므로, 인장력을 받을 때 크랙이 발생할 확률이 더 높다.The
중립면을 기준으로 하부에 배치되는 플렉시블 기판(510)은 압축되므로 압축력을 받고, 상부에 배치되는 배선들은 인장력을 받을 수 있고, 이에 따라 인장력에 의하여 크랙이 발생할 수 있다. 따라서, 배선이 받는 인장력을 최소화하기 위해서는 중립면 상에 위치시킬 수 있다.Since the
마이크로 코팅층(570)을 벤딩영역(B/A) 상에 배치시킴으로써, 중립면을 상부 방향으로 상승시킬 수 있으며, 중립면이 배선과 동일한 위치에 형성하거나 중립면보다 높은 위치에 위치하여 벤딩 시 응력을 받지 않거나 압축력을 받게 되어 크랙 발생을 억제할 수 있다.By arranging the
마이크로 코팅층(570)은 레진으로 구성될 수 있으며, 아크릴계 물질이나 우레탄 아크릴레이트로 구성될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.The
플렉시블 기판(510)의 끝단에 절연필름(580)이 연결된다. 절연필름(580) 상에는 표시영역(A/A)에 배치된 화소로 신호를 전달하기 위한 다양한 배선이 형성된다. 절연필름(580)은 휘어질 수 있도록 플렉서빌리티를 갖는 재료로 형성된다. 절연필름(580)에는 구동소자가 장착될 수 있으며, 절연필름(580)과 함께 칩 온 필름(Chip on Film; COF)과 같은 구동 패키지(Package)를 형성하며, 절연필름(580) 상에 형성된 배선에 연결되어 구동 신호 및 데이터를 표시영역(A/A)에 배치된 화소에 제공한다.The insulating
절연필름(580)과 연결되는 회로기판은 외부로부터 영상신호를 입력받아 표시영역(A/A)에 배치된 화소에 다양한 신호를 인가할 수 있으며, 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board)일 수 있다.The circuit board connected to the insulating
도 6a 및 도 6b는 본 명세서의 다른 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 벤딩영역의 단면도 및 사시도이다.6A and 6B are cross-sectional views and perspective views of a bending area of a flexible electroluminescent display according to another exemplary embodiment of the present specification.
도 6a 및 도 6b의 일부 구성요소는 도 3a 및 도 3b에서 설명된 구성요소와 실질적으로 동일/유사하며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. Some components of FIGS. 6A and 6B are substantially the same / similar to those described in FIGS. 3A and 3B, and detailed descriptions thereof are omitted.
도 6a를 참조하면, 플렉시블 기판(610) 상에 제1 접착층(630)이 배치된다. 제1 접착층(630)은 투명한 접착 레진(Optically Cleared Resin; OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Cleared film; OCA film)일 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 6A, a first
제1 접착층(630) 상에는 도 3b에서 설명한 터치스크린 패널(620)이 배치되며, 제1 접착층(630)에 의해서 플렉시블 기판(610)과 서로 접착하여 고정된다. 터치스크린 패널(620)은 터치기판일 수 있다.The
터치스크린 패널(620)은 플렉시블 기판(610)의 표시영역(A/A) 상에 대응하여 배치되는 터치영역(T/A) 및 표시영역(A/A)의 가장자리의 외곽을 둘러싸는 비표시영역(N/A) 상에 대응하여 배치되는 비터치영역(NT/A)을 포함한다.The
터치패드(645)는 터치스크린 패널(620)의 비터치영역(NT/A)에 배치되며, 플렉시블 기판(620) 상의 비표시영역(N/A) 상에 대응하여 배치된다. The
터치스크린 패널(620)의 끝단에는 터치패드(645)와 연결되며, 절연필름으로 구성된 터치회로기판(640)이 배치된다.A
터치회로기판(640) 상에는 터치영역(T/A)에 배치된 터치전극과 서로 신호를 전달하기 위한 다양한 배선과 터치입력을 센싱하기 위한 터치센싱회로를 포함할 수 있으며, 연성인쇄회로 기판으로 구성할 수 있으며, 플렉시블 기판(610)의 벤딩영역(B/A)의 외곽을 두르며 벤딩되어 배치한다. The
터치스크린 패널(620) 상에는 하부에 배치되는 터치스크린 패널(620)을 외부로부터의 충격이나 이물질로부터 보호하기 위한 배리어층(632)이 더 배치될 수 있다. 배리어층(632)은 COP(Copolyester Thermoplastic Elastomer), COC(Cycoolefin Copolymer) 및 PC(Polycarbonate) 중 어느 하나의 재료로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. A
도 5에서 설명한 것과 같이, 터치회로기판(640)과 터치패드(645)는 일정한 두께를 가지기 때문에, 터치스크린 패널(620)과 터치회로기판(640) 사이에는 일정한 단차가 발생된다. 이때, 터치스크린 패널(620)과 터치회로기판(640)을 보호하기 위한 배리어층(632)이 터치스크린 패널(620) 상에 배치될 경우 터치회로기판(640)과 인접한 영역에서는 터치스크린 패널(620)과 터치회로기판(640) 사이의 단차로 기포가 발생될 수 있다. As described in FIG. 5, since the
터치회로기판(640)과 인접한 영역에서 발생된 기포는 배리어층(632)의 상부에 배치되는 편광판(650)이 제대로 접착하지 못하고 들뜨게 되면서 편광판(650)이 제대로 역할을 하지 못하게 되어서 일부 영역에서 외부에서 영상이 시인되지 않을 수 있다. 이를 방지하기 위해서 표시영역(A/A) 상에서는 위에서 설명한 들뜸 현상이 발생되지 않도록 터치스크린 패널(620)과 터치회로기판(640)이 연결되는 영역인 단차영역을 표시영역(A/A)에서 충분한 거리를 떨어지도록 배치할 수밖에 없으며, 이에 따라 전계발광 표시장치(600)의 베젤영역을 최소화하는 것에 어려움이 있었다.Bubbles generated in an area adjacent to the
이에, 본 명세서의 다른 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치(600)는 터치스크린 패널(620) 상에 배치되는 배리어층(632)은 터치회로기판(640)이 배치되는 영역에서 최소한의 일정거리(B)를 이격하도록 절개한 노치(Notch)영역(N)을 포함하여 배치한다. Accordingly, in the flexible
노치영역(N)은 배리어층(632)과 터치회로기판(640)이 서로 영향을 받지 않으면서 베젤영역이 최소화되도록 최소한의 일정거리(B)를 가지도록 하며, 배리어층(632)과 터치회로기판(640)의 최소한의 일정거리(B)는 50μm일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 노치영역(N)은 배리어층(632)과 터치회로기판(640)이 서로 영향을 받지 않도록 터치회로기판(640)의 폭보다 넓은 폭으로 절개될 수 있다. 또한, 노치영역(N)은 터치회로기판(640)의 형태에 상응하는 형태로 절개될 수 있다.The notch region N has a minimum distance B to minimize the bezel region while the
배리어층(632)의 두께는 35μm 내지 60μm이며, 바람직하게는 50μm일 수 있다. 이러한 두께일 때 터치스크린 패널(620)과 터치회로기판(640) 사이에 발생되는 단차와 동일한 두께를 가지게 되며, 단차를 보상하는 역할을 한다. 따라서, 터치회로기판(640)은 배리어층(632)의 노치영역(N)에 배치되어 터치스크린 패널(620) 상에 배치되는 편광판(650)의 들뜸이 발생되지 않으면서도, 베젤영역을 최소화 할 수 있다. The
배리어층(632)에 포함된 노치영역(N)에 대해서는 도 6b에서 상세히 설명한다.The notch region N included in the
배리어층(632) 상에는 투명한 접착 레진(OCR) 또는 투명한 접착 필름(OCA film)으로 구성되는 제2 접착층(634)를 배치하여 제2 접착층(634) 상에 배치되는 편광판(650)과 서로 접착하여 고정되어 배치된다.A second
편광판(650)은 플렉시블 기판(610)의 표시영역(A/A) 상에서 외부 광의 반사를 억제한다. 표시장치(600)가 외부에서 사용되는 경우, 외부 자연 광이 유입되어 전계발광소자의 애노드에 포함된 반사판에 의해 반사되거나, 유기 발광소자 하부에 배치된 금속으로 구성된 전극에 의해 반사될 수 있다. 이와 같이 반사된 광들에 의해 표시장치(600)의 영상이 시인되지 않을 수 있다. 편광판(650)은 외부에서 유입된 광을 특정 방향으로 편광하며, 반사된 광이 다시 표시장치(600)의 외부로 방출되지 못하게 한다. The
편광판(650)은 플렉시블 기판(610)의 표시영역(A/A)의 외곽영역까지 외부광의 반사를 억제하기 위해서 표시영역(A/A)보다 더 넓은 영역까지 포함하여 배치할 수 있다. 본 명세서의 다른 실시예에 따른 전계발광 표시장치(600)에 포함된 편광판(650)은 표시영역(A/A) 상의 터치스크린 패널(620)과 비표시영역(N/A) 상의 터치회로기판(640)의 일측을 모두 덮도록 배치한다. The
편광판(650) 상에 제3 접착층(636)을 배치하여 표시장치(600)의 외관을 보호하는 커버 글라스(655)를 접착하여 배치할 수도 있다. The third
플렉시블 기판(610) 하부에는 백플레이트(660)가 배치된다. 플렉시블 기판(610)이 폴리이미드와 같은 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 플렉시블 기판(610) 하부에 유리로 이루어지는 지지기판이 배치된 상황에서 플렉시블 전계발광 표시장치(600)의 제조공정이 진행되고, 제조공정이 완료된 후 지지기판이 분리되어 릴리즈될 수 있다. 지지기판이 릴리즈된 이후에도 플렉시블 기판(610)을 지지하기 위한 구성요소가 필요하므로, 플렉시블 기판(610)을 지지하기 위한 백플레이트(660)가 플렉시블 기판(610)의 하부에 배치될 수 있다. The
백플레이트(660)는 벤딩영역(B/A)을 제외한 플렉시블 기판(610)의 다른 영역에서 벤딩영역(B/A)에 인접하도록 배치될 수 있다. 백플레이트(660)는 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리머들, 이들 폴리머들의 조합 등으로 형성된 플라스틱 박막으로 이루어질 수 있다.The
두 개의 백플레이트(660) 사이에는 지지부재(665)가 배치되고, 지지 부재(665)는 백플레이트(660)와 접착될 수 있다. 지지부재(665)는 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리머들, 이들 폴리머들의 조합 등과 같은 플라스틱 재료로 형성될 수 있다. 이러한 플라스틱 재료들로 형성된 지지부재(665)의 강도는 지지부재(665)의 두께 및 강도를 증가시키기 위한 첨가제들을 첨가하는 것에 의해 제어될 수도 있다. 그리고, 지지부재(665)는 유리, 세라믹, 금속 또는 다른 강성이 있는(Rigid) 재료들 또는 전술한 재료들의 조합들로 형성될 수도 있다.A
플렉시블 기판(610)의 벤딩영역(B/A) 상에는 마이크로 코팅층(670)이 배치된다. The
마이크로 코팅층(670)은 벤딩 시에 플렉시블 기판(610) 상에 배치되는 배선부에 인장력이 작용하여 미세 크랙이 발생될 수 있으므로, 레진(Resin)을 벤딩되는 위치에 얇은 두께로 코팅하여 배선을 보호하는 역할을 할 수 있다. Since the
마이크로 코팅층(670)은 벤딩영역(B/A)의 중립면을 조절할 수 있다. 마이크로 코팅층(670)을 벤딩영역(B/A) 상에 배치시킴으로써, 중립면을 상부 방향으로 상승시킬 수 있으며, 중립면이 배선과 동일한 위치에 형성하거나 중립면보다 높은 위치에 위치하여 벤딩 시 응력을 받지 않거나 압축력을 받게 되어 크랙 발생을 억제할 수 있다.The
마이크로 코팅층(670)은 레진으로 구성될 수 있으며, 아크릴계 물질이나 우레탄 아크릴레이트로 구성될 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.The
플렉시블 기판(610)의 끝단에 절연필름(680)이 연결된다. 절연필름(680) 상에는 표시영역(A/A)에 배치된 화소로 신호를 전달하기 위한 다양한 배선이 형성된다. 절연필름(680)은 휘어질 수 있도록 플렉서빌리티를 갖는 재료로 형성된다. 절연필름(680)에는 구동소자가 장착될 수 있으며, 절연필름(680)과 함께 칩 온 필름(Chip on Film; COF)과 같은 구동 패키지(Package)를 형성하며, 절연필름(680) 상에 형성된 배선에 연결되어 구동 신호 및 데이터를 표시영역(A/A)에 배치된 화소에 제공한다.The insulating
절연필름(680)과 연결되는 회로기판은 외부로부터 영상신호를 입력받아 표시영역(A/A)에 배치된 화소에 다양한 신호를 인가할 수 있으며, 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board)일 수 있다.The circuit board connected to the insulating
도 6b를 참조하면, 터치스크린 패널(620)은 플렉시블 기판(610)의 표시영역(A/A) 상에 대응하여 배치되는 터치영역(T/A) 및 표시영역(A/A)의 가장자리의 외곽을 둘러싸는 비표시영역(N/A) 상에 대응하여 배치되는 비터치영역(NT/A)을 포함한다. Referring to FIG. 6B, the
터치패드(645)는 터치스크린 패널(620)의 비터치영역(NT/A)에 배치되며, 플렉시블 기판(620) 상의 비표시영역(N/A) 상에 대응하여 배치된다. 터치스크린 패널(620)의 끝단에는 터치패드(645)와 연결되며, 절연필름으로 구성된 터치회로기판(640)이 배치된다.The
터치스크린 패널(620) 상에는 하부에 배치되는 터치스크린 패널(620)을 외부로부터의 충격이나 이물질로부터 보호하기 위한 배리어층(632)을 더 배치할 수 있다. The
터치스크린 패널(620) 상에 배치되는 배리어층(632)은 터치회로기판(640)이 배치되는 영역에서 최소한의 일정거리(B)를 이격하도록 절개한 노치(Notch)영역(N)을 포함하여 배치한다. The
노치영역(N)은 배리어층(632)과 터치회로기판(640)이 서로 영향을 받지 않으면서 베젤영역이 최소화되도록 최소한의 일정거리(B)를 가지도록 하며, 배리어층(632)과 터치회로기판(640)의 최소한의 일정거리(B)는 50μm일 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.The notch region N has a minimum distance B to minimize the bezel region while the
노치영역(N)은 배리어층(632)을 전계발광 표시장치(600)에 부착(Laminating)하는 전단계에, 레이저(Laser)를 조사하여 터치회로기판(640)이 배치되는 영역에 맞춘 노치영역(N)을 타공공정으로 형성하고ㅡ 전계발광 표시장치(600)에 부착(Laminating)할 수 있다.The notch region N is a notch region that is aligned with an area where the
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역, 및 표시영역의 일측에서 연장되어 벤딩된 벤딩영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 있는 박막 트랜지스터 및 발광소자, 표시영역 상에 있는 터치스크린 패널, 터치스크린 패널과 연결되며, 벤딩영역의 외곽에서 벤딩된 터치회로기판, 터치스크린 패널 상에 있으며, 터치회로기판의 일부를 덮는 편광판, 및 터치스크린 패널 상에 있으며, 터치스크린 패널과 터치회로기판 사이의 단차를 보상해 주는 단차 보상층을 포함한다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification is a flexible substrate including a display area and a bending area extending from one side of the display area, a thin film transistor and a light emitting element on the display area, and a display area. The touch screen panel is connected to the touch screen panel, the touch circuit board bent outside the bending area, on the touch screen panel, a polarizer covering a part of the touch circuit board, and on the touch screen panel, and the touch screen panel It includes a step compensation layer for compensating the step between the touch circuit board.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판의 하면에는 백플레이트가 배치된다.The back plate is disposed on the bottom surface of the flexible substrate of the flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present specification.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 백플레이트는 복수의 층으로 구성된다.The back plate of the flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification is composed of a plurality of layers.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 백플레이트의 복수의 층 중에서 적어도 한 층은 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 중 하나로 구성된다.At least one layer of the plurality of layers of the back plate of the flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification is composed of one of polyimide, polyethylene naphthalate (PEN), and polyethylene terephthalate (PET).
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 편광판 상에는 커버 글라스가 배치된다.A cover glass is disposed on the polarizing plate of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 편광판과 커버 글라스 사이에는 접착층이 배치되어 편광판과 커버 글라스를 접착한다.An adhesive layer is disposed between the polarizing plate and the cover glass of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification to bond the polarizing plate and the cover glass.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판과 연결된 절연필름을 더 포함하며, 절연필름에는 회로구동소자가 배치된다. An insulating film connected to the flexible substrate of the flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present disclosure further comprises a circuit driving device.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 벤딩영역 상에 마이크로 커버층이 있다.The micro cover layer is disposed on the bending area of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 단차 보상층은 접착층이다. The step compensation layer of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification is an adhesive layer.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 접착층은 투명한 접착 레진(Optically Cleared Resin, OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Cleared film, OCA film) 재질로 구성된다.The adhesive layer of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification is made of a transparent adhesive resin (Optically Cleared Resin (OCR)) or a transparent adhesive film (Optically Cleared film, OCA film) material.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 단차 보상층의 두께는 단차보다 큰 값을 가진다.The thickness of the step compensation layer of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification has a larger value than the step difference.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 단차 보상층은 배리어층이다.The step compensation layer of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification is a barrier layer.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 단차 보상층은 터치회로기판과 중첩하는 영역이 절개된 노치영역을 더 포함한다.The step compensation layer of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification further includes a notched region in which a region overlapping the touch circuit board is cut.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 단차 보상층의 두께는 단차와 동일한 값을 가진다.The thickness of the step compensation layer of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification has the same value as the step difference.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역 및 표시영역의 외곽을 두르고, 벤딩영역을 구비하는 비표시영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 있는 박막 트랜지스터 및 발광소자, 표시영역 상에 있는 터치스크린 패널, 터치스크린 패널과 연결되며, 벤딩된 벤딩영역의 외곽에서 벤딩된 터치회로기판, 터치스크린 패널 상에 있으며, 터치회로기판의 일부를 덮는 편광판, 및 터치스크린 패널과 터치회로기판의 끝단과의 단차를 보상해 주는 단차 보상층이 터치스크린 패널 상에 배치된다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification includes a flexible substrate including a display area and a non-display area surrounding the display area and having a bending area, a thin film transistor and a light emitting element on the display area, and a display area. A touch screen panel on the touch panel, a touch circuit board bent at the outside of the bent bending area, a polarizer on the touch screen panel, and covering a part of the touch circuit board, and the touch screen panel and the touch circuit A step compensating layer for compensating the step with the end of the substrate is disposed on the touch screen panel.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 단차 보상층은 접착층이다. The step compensation layer of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification is an adhesive layer.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 접착층은 투명한 접착 레진(Optically Cleared Resin, OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Cleared film, OCA film) 재질로 구성된다. The adhesive layer of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification is made of a transparent adhesive resin (Optically Cleared Resin (OCR)) or a transparent adhesive film (Optically Cleared film, OCA film) material.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 단차 보상층의 두께는 단차보다 큰 값을 가진다. The thickness of the step compensation layer of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification has a larger value than the step difference.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 단차 보상층은 배리어층이다. The step compensation layer of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification is a barrier layer.
본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 단차 보상층은 터치회로기판과 중첩하는 영역이 절개된 노치영역을 더 포함한다.The step compensation layer of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification further includes a notched region in which a region overlapping the touch circuit board is cut.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.
100, 200, 300, 400, 500, 600: 전계발광 표시장치
110: 영상처리부
120: 타이밍 컨트롤러
130: 데이터드라이버
140: 게이트드라이버
150: 표시패널
160: 화소
220: 게이트라인
230: 데이터라인
240: 스위칭트랜지스터
250: 구동트랜지스터
260: 보상회로
270, 440: 발광소자
310, 410, 510, 610: 플렉시블 기판
320, 520, 620: 터치스크린 패널
325: 터치전극
330, 545, 645: 터치패드
335: 터치배선
340, 540, 640: 터치회로기판
370: 회로배선
390: 게이트구동부
395: 패드
420: 박막 트랜지스터
422: 게이트전극
424: 소스전극
426: 드레인전극
428: 반도체층
431: 제1 절연층
433: 제2 절연층
435: 제1 평탄화층
437: 제2 평탄화층
442: 애노드
444: 발광부
446: 캐소드
450: 뱅크
452: 스페이서
460: 봉지부
462: 제1 배선
464: 제2 배선
466, 570, 670: 마이크로 코팅층
530, 630: 제1 접착층
533, 634: 제2 접착층
536, 636: 제3 접착층
550, 650: 편광판
555, 655: 커버글라스
560, 660: 백플레이트
565, 665: 지지부재
580, 680: 절연필름
632: 배리어층
A/A: 표시영역 N/A: 비표시영역
B/A: 벤딩영역 S/L: 스캔라인
T/A: 터치영역 NT/A: 비터치영역
N: 노치영역100, 200, 300, 400, 500, 600: electroluminescent display
110: image processing unit
120: timing controller
130: data driver
140: gate driver
150: display panel
160 pixels
220: gate line
230: data line
240: switching transistor
250: drive transistor
260: compensation circuit
270, 440: light emitting element
310, 410, 510, 610: flexible substrate
320, 520, 620: touch screen panel
325: touch electrode
330, 545, 645: touchpad
335: touch wiring
340, 540, 640: touch circuit board
370: circuit wiring
390: gate driver
395: pad
420: thin film transistor
422: gate electrode
424: source electrode
426: drain electrode
428: semiconductor layer
431: first insulating layer
433: second insulating layer
435: first planarization layer
437: second planarization layer
442: anode
444: light emitting unit
446: cathode
450: bank
452: spacer
460: encapsulation
462: first wiring
464: second wiring
466, 570, 670: micro coating layer
530 and 630: first adhesive layer
533, 634: second adhesive layer
536, 636: third adhesive layer
550, 650: polarizer
555, 655: cover glass
560, 660: backplate
565, 665: support member
580, 680: insulation film
632: barrier layer
A / A: display area N / A: non-display area
B / A: Bending Area S / L: Scan Line
T / A: Touch Area NT / A: Non-Touch Area
N: notch area
Claims (20)
상기 표시영역 상에 있는 박막 트랜지스터 및 발광소자;
상기 표시영역 상에 있는 터치스크린 패널;
상기 터치스크린 패널과 연결되며, 상기 벤딩영역의 외곽에서 벤딩된 터치회로기판;
상기 터치스크린 패널과 상기 터치회로기판을 연결하는 터치패드;
상기 터치스크린 패널 상에 있는 단차 보상층;
상기 단차 보상층 상에 있으며, 상기 터치회로기판의 상면에 접하는 접착층; 및
상가 접착층 상에 있으며, 상기 터치회로기판의 일부를 덮는 편광판을 포함하고,
상기 터치스크린 패널의 상면, 상기 단차 보상층의 측면, 상기 접착층의 하면, 상기 터치 패드의 측면 및 상기 터치회로기판의 측면은 빈 공간을 둘러싸는 폐곡선을 이루는, 플렉시블 전계발광 표시장치.A flexible substrate including a display area and a bending area extended from one side of the display area and bent;
A thin film transistor and a light emitting element on the display area;
A touch screen panel on the display area;
A touch circuit board connected to the touch screen panel and bent at an outer side of the bending area;
A touch pad connecting the touch screen panel and the touch circuit board;
A step compensation layer on the touch screen panel;
An adhesive layer on the step compensation layer and in contact with an upper surface of the touch circuit board; And
A polarizing plate on a malleable adhesive layer and covering a part of the touch circuit board,
And a top surface of the touch screen panel, a side surface of the step compensation layer, a bottom surface of the adhesive layer, a side surface of the touch pad, and a side surface of the touch circuit board form a closed curve surrounding an empty space.
상기 플렉시블 기판의 하면에는 백플레이트가 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.According to claim 1,
And a back plate disposed on a bottom surface of the flexible substrate.
상기 백플레이트는 복수의 층으로 구성되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.The method of claim 2,
And the back plate is composed of a plurality of layers.
상기 백플레이트의 복수의 층 중에서 적어도 한 층은 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 중 하나로 구성되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.The method of claim 3, wherein
Wherein at least one of the plurality of layers of the backplate is comprised of one of polyimide, polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET).
상기 편광판 상에는 커버 글라스가 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.According to claim 1,
And a cover glass disposed on the polarizing plate.
상기 편광판과 상기 커버 글라스 사이에는 접착층이 배치되어 상기 편광판과 상기 커버 글라스를 접착하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.The method of claim 5,
An adhesive layer is disposed between the polarizing plate and the cover glass to bond the polarizing plate and the cover glass.
상기 플렉시블 기판과 연결된 절연필름을 더 포함하며,
상기 절연필름에는 회로구동소자가 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.According to claim 1,
Further comprising an insulating film connected to the flexible substrate,
And a circuit driving element in the insulating film.
상기 벤딩영역 상에 마이크로 커버층이 있는, 플렉시블 전계발광 표시장치.According to claim 1,
And a micro cover layer on the bending area.
상기 표시영역 상에 있는 박막 트랜지스터 및 발광소자;
상기 표시영역 상에 있는 터치스크린 패널;
상기 터치스크린 패널과 연결되며, 상기 벤딩영역의 외곽에서 벤딩된 터치회로기판;
상기 터치스크린 패널과 상기 터치회로기판을 연결하는 터치패드;
상기 터치스크린 패널 상에 있으며, 상기 터치회로기판의 상면에 접하며, 접착층으로 이루어지는 단차 보상층; 및
상가 단차 보상층 상에 있으며, 상기 터치회로기판의 일부를 덮는 편광판을 포함하고,
상기 터치스크린 패널의 상면, 상기 단차 보상층의 하면, 상기 터치 패드의 측면 및 상기 터치회로기판의 측면은 에어갭(air gap)을 정의하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.A flexible substrate including a display area and a bending area extended from one side of the display area and bent;
A thin film transistor and a light emitting element on the display area;
A touch screen panel on the display area;
A touch circuit board connected to the touch screen panel and bent at an outer side of the bending area;
A touch pad connecting the touch screen panel and the touch circuit board;
A step compensation layer on the touch screen panel and in contact with an upper surface of the touch circuit board and formed of an adhesive layer; And
A polarizing plate on a phase difference compensation layer and covering a portion of the touch circuit board,
A top surface of the touch screen panel, a bottom surface of the step compensation layer, a side surface of the touch pad and a side surface of the touch circuit board define an air gap.
상기 단차 보상층은 투명한 접착 레진(Optically Cleared Resin; OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Cleared film; OCA film) 재질로 구성되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.The method of claim 9,
The step compensation layer is made of a transparent adhesive resin (Optically Cleared Resin (OCR) or a transparent adhesive film (OCA film) material, flexible electroluminescent display device.
상기 단차 보상층의 두께는 상기 단차보다 큰 값을 가지는, 플렉시블 전계발광 표시장치.The method of claim 9,
The thickness of the step compensation layer has a larger value than the step.
상기 단차 보상층은 배리어층인, 플렉시블 전계발광 표시장치.According to claim 1,
And the step compensation layer is a barrier layer.
상기 단차 보상층은 상기 터치회로기판과 중첩하는 영역이 절개된 노치영역을 더 포함하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.The method of claim 12,
And the step compensation layer further comprises a notch region in which an area overlapping the touch circuit board is cut.
상기 단차 보상층의 두께는 상기 단차와 동일한 값을 가지는, 플렉시블 전계발광 표시장치.The method of claim 12,
The thickness of the step compensation layer has the same value as the step, flexible electroluminescent display.
상기 표시영역 상에 있는 박막 트랜지스터 및 발광소자;
상기 표시영역 상에 있는 터치스크린 패널;
상기 터치스크린 패널과 연결되며, 상기 벤딩된 벤딩영역의 외곽에서 벤딩된 터치회로기판;
상기 터치스크린 패널과 상기 터치회로기판을 연결하는 터치패드;
상기 터치스크린 패널 상에 있으며, 상기 터치회로기판의 일부를 덮는 편광판;
상기 터치스크린 패널과 상기 터치회로기판의 끝단과의 단차를 보상하도록, 상기 터치스크린 패널 상에 배치되는 단차 보상층; 및
상기 편광판의 하면과 상기 단차 보상층의 상면 사이에 그리고 상기 편광판의 하면과 상기 터치회로기판의 상면 사이에 배치되는 접착층을 포함하고,
상기 터치스크린 패널의 상면, 상기 단차 보상층의 측면, 상기 접착층의 하면, 상기 터치 패드의 측면 및 상기 터치회로기판의 측면은 빈 공간을 둘러싸는 폐곡선을 이루는, 플렉시블 전계발광 표시장치.A flexible substrate comprising a display area and a non-display area surrounding the display area and having a bending area;
A thin film transistor and a light emitting element on the display area;
A touch screen panel on the display area;
A touch circuit board connected to the touch screen panel and bent at an outer side of the bent region;
A touch pad connecting the touch screen panel and the touch circuit board;
A polarizer disposed on the touch screen panel and covering a portion of the touch circuit board;
A step compensation layer disposed on the touch screen panel to compensate for the step difference between the touch screen panel and an end of the touch circuit board; And
An adhesive layer disposed between the lower surface of the polarizing plate and the upper surface of the step compensation layer and between the lower surface of the polarizing plate and the upper surface of the touch circuit board,
And a top surface of the touch screen panel, a side surface of the step compensation layer, a bottom surface of the adhesive layer, a side surface of the touch pad, and a side surface of the touch circuit board form a closed curve surrounding an empty space.
상기 표시영역 상에 있는 박막 트랜지스터 및 발광소자;
상기 표시영역 상에 있는 터치스크린 패널;
상기 터치스크린 패널과 연결되며, 상기 벤딩된 벤딩영역의 외곽에서 벤딩된 터치회로기판;
상기 터치스크린 패널과 상기 터치회로기판을 연결하는 터치패드;
상기 터치스크린 패널 상에 있으며, 상기 터치회로기판의 일부를 덮는 편광판;
상기 터치스크린 패널과 상기 터치회로기판의 끝단과의 단차를 보상하도록 상기 터치스크린 및 상기 터치회로기판의 끝단 상에 배치되고, 상기 편광판의 하면과 접하며, 접착층으로 이루어지는 단차 보상층; 및
상기 터치스크린 패널의 상면, 상기 단차 보상층의 하면, 상기 터치 패드의 측면 및 상기 터치회로기판의 측면은 에어갭을 정의하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.A flexible substrate comprising a display area and a non-display area surrounding the display area and having a bending area;
A thin film transistor and a light emitting element on the display area;
A touch screen panel on the display area;
A touch circuit board connected to the touch screen panel and bent at an outer side of the bent region;
A touch pad connecting the touch screen panel and the touch circuit board;
A polarizer disposed on the touch screen panel and covering a portion of the touch circuit board;
A step compensation layer disposed on an end of the touch screen and the touch circuit board so as to compensate for the step difference between the touch screen panel and the end of the touch circuit board, and in contact with a bottom surface of the polarizing plate and formed of an adhesive layer; And
And a top surface of the touch screen panel, a bottom surface of the step compensation layer, a side surface of the touch pad, and a side surface of the touch circuit board define an air gap.
상기 단차 보상층은 투명한 접착 레진(Optically Cleared Resin; OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Cleared film; OCA film) 재질로 구성되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.The method of claim 16,
The step compensation layer is made of a transparent adhesive resin (Optically Cleared Resin (OCR) or a transparent adhesive film (OCA film) material, flexible electroluminescent display device.
상기 단차 보상층의 두께는 상기 단차보다 큰 값을 가지는, 플렉시블 전계발광 표시장치.The method of claim 16,
The thickness of the step compensation layer has a larger value than the step.
상기 단차 보상층은 배리어층인, 플렉시블 전계발광 표시장치.The method of claim 15,
And the step compensation layer is a barrier layer.
상기 단차 보상층은 상기 터치회로기판과 중첩하는 영역이 절개된 노치영역을 더 포함하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.The method of claim 19,
And the step compensation layer further comprises a notch region in which an area overlapping the touch circuit board is cut.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/049,300 US10910592B2 (en) | 2017-12-22 | 2018-07-30 | Flexible electroluminescent display device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20170178765 | 2017-12-22 | ||
KR1020170178765 | 2017-12-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190076811A KR20190076811A (en) | 2019-07-02 |
KR102020824B1 true KR102020824B1 (en) | 2019-10-18 |
Family
ID=67258175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180014041A KR102020824B1 (en) | 2017-12-22 | 2018-02-05 | Flexible Electroluminescent Display Device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102020824B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11609667B2 (en) | 2020-08-18 | 2023-03-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing same |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN118038759A (en) * | 2022-02-11 | 2024-05-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Display panel and mobile terminal |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011007830A (en) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Hitachi Displays Ltd | Display device |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102138926B1 (en) * | 2014-03-28 | 2020-07-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | Flexible display device and method for manufacturing the same |
US9614168B2 (en) * | 2015-01-12 | 2017-04-04 | Apple Inc. | Flexible display panel with bent substrate |
KR102509524B1 (en) * | 2016-05-04 | 2023-03-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | Flexible display device and method of manufacturing the same |
-
2018
- 2018-02-05 KR KR1020180014041A patent/KR102020824B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11609667B2 (en) | 2020-08-18 | 2023-03-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing same |
US11934619B2 (en) | 2020-08-18 | 2024-03-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190076811A (en) | 2019-07-02 |
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