KR20190135173A

KR20190135173A - Flexible Electroluminescent Display Apparatus

Info

Publication number: KR20190135173A
Application number: KR1020180060284A
Authority: KR
Inventors: 정용범; 박정권; 권상현; 이의준; 조흥주; 서두원
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2018-05-28
Filing date: 2018-05-28
Publication date: 2019-12-06

Abstract

According to an embodiment of the present specification, a flexible electroluminescent display device comprises a flexible substrate comprising a display area and a bending area extended and bent from one side of the display area, a thin film transistor and a light emitting element arranged on the display area, a microcoating layer arranged on the bending area, and a bending pattern arranged on an opposite surface of the flexible substrate opposite to a surface on which the microcoating layer is arranged; and a defect which can be generated in the bending area can be minimized.

Description

Flexible Electroluminescent Display Apparatus

본 명세서는 플렉시블 전계발광 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플렉시블 전계발광 표시장치의 베젤(Bezel) 영역을 최소화할 수 있는 플렉시블 전계발광 표시장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to a flexible electroluminescent display, and more particularly, to a flexible electroluminescent display capable of minimizing a bezel area of a flexible electroluminescent display.

본격적인 정보화 시대로 접어들면서 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시장치 분야가 급속도로 발전하고 있으며, 여러가지 표시장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다. In the era of full-scale information, the field of display devices for visually displaying electrical information signals is rapidly developing, and researches for developing performances such as thinning, light weight, and low power consumption for various display devices continue.

대표적인 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display apparatus; LCD), 전계방출 표시장치(Field Emission Display apparatus; FED), 전기습윤 표시장치(Electro-Wetting Display apparatus; EWD) 및 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display apparatus; OLED) 등을 들 수 있다. Typical display devices include liquid crystal display (LCD), field emission display (FED), electro-wetting display (EWD) and organic light emitting display (Organic). Light Emitting Display apparatus (OLED), etc. can be mentioned.

유기발광 표시장치를 포함하는 전계발광 표시장치는 자체 발광형 표시장치로서, 액정 표시장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조가 가능하다. 또한, 전계발광 표시장치는 저전압 구동에 의해 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상구현, 응답속도, 시야각, 명암 대비비(Contrast Ratio; CR)도 우수하여, 다양한 분야에서 활용이 기대되고 있다.The electroluminescent display including the organic light emitting display is a self-luminous display, and unlike a liquid crystal display, it does not need a separate light source and thus can be manufactured in a light weight. In addition, the electroluminescent display is not only advantageous in terms of power consumption by low voltage driving but also excellent in color implementation, response speed, viewing angle, contrast ratio (CR), and is expected to be utilized in various fields.

전계발광 표시장치는 애노드(Anode)와 캐소드(Cathode)로 된 두 개의 전극 사이에 유기물을 사용한 발광층(Emissive Layer; EML)을 배치한다. 애노드에서 정공(Hole)을 발광층으로 주입시키고, 캐소드에서 전자(Electron)를 발광층으로 주입시키면, 주입된 전자와 정공이 서로 재결합하면서 발광층에서 여기자(Exciton)를 형성하며 발광한다. In the electroluminescent display, an organic light emitting layer (EML) using an organic material is disposed between two electrodes of an anode and a cathode. When the anode is injected with holes (Hole) to the light emitting layer, and the cathode (Electron) is injected into the light emitting layer, the injected electrons and holes are recombined with each other to form an exciton (Exciton) in the light emitting layer and emit light.

발광층에는 호스트(Host) 물질과 도펀트(Dopant) 물질이 포함되어 있으며, 두 물질 사이에서 상호작용이 발생한다. 호스트는 전자와 정공으로부터 여기자를 생성하여 도펀트로 에너지를 전달하는 역할을 하고, 도펀트는 소량으로 첨가되는 염료성 유기물로, 호스트로부터 에너지를 받아서 광으로 전환시키는 역할을 한다. The emission layer includes a host material and a dopant material, and interactions between the two materials occur. The host generates excitons from electrons and holes to transfer energy to the dopant, and the dopant is a dye organic material added in a small amount, and receives energy from the host and converts the light into light.

유기물로 이루어진 발광층을 포함하는 전계발광 표시장치는 유리(Glass), 금속(Metal) 또는 필름(Film)으로 전계발광 표시장치를 봉지(Encapsulation)하여 외부에서 전계발광 표시장치의 내부로 수분이나 산소의 유입을 차단함으로써 발광층 및 전극의 산화를 방지하고, 외부에서 가해지는 기계적 또는 물리적 충격으로부터 보호한다.An electroluminescent display device including an emission layer made of organic material encapsulates an electroluminescent display device with glass, metal, or film, so that moisture or oxygen is absorbed from the outside into the electroluminescent display device. Blocking the ingress prevents oxidation of the light emitting layer and the electrode and protects it from mechanical or physical impacts from outside.

표시장치가 소형화됨에 따라, 표시장치의 동일 면적에서 유효 표시 화면 크기를 증가시키기 위해 표시영역(Active Area; A/A)의 외곽부인 베젤영역(Bezel Area)을 축소시키려는 노력이 계속되고 있다. As the display device becomes smaller, efforts are being made to reduce the bezel area, which is the outer portion of the active area (A / A), to increase the effective display screen size in the same area of the display device.

일반적으로 비표시영역(Non-active Area; N/A)에 해당하는 베젤영역에는 화면을 구동시키기 위한 배선 및 구동회로가 배치되기 때문에, 베젤영역을 최소화하는 데에는 한계가 있었다. In general, since the wiring and the driving circuit for driving the screen are disposed in the bezel area corresponding to the non-active area (N / A), there is a limit in minimizing the bezel area.

최근 개발되고 있는 플라스틱(Plastic)과 같은 연성재료의 플렉시블 기판(Flexible Substrate)을 적용하여 휘어져도 표시성능을 유지할 수 있는 플렉시블 전계발광 표시장치와 관련하여, 배선 및 구동회로를 위한 면적을 확보하면서도 베젤영역을 최소화하기 위해서 플렉시블 기판의 비표시영역을 벤딩(Bending)하여 베젤영역을 최소화하는 기술이 개발되어 적용되고 있다.In relation to a flexible electroluminescent display device that can maintain display performance even if it is bent by applying a flexible substrate made of a flexible material such as plastic, which is being developed recently, a bezel can be secured while securing an area for wiring and a driving circuit. In order to minimize the area, a technology for minimizing the bezel area by bending the non-display area of the flexible substrate has been developed and applied.

그리고, 플라스틱 등과 같이 플렉시블 기판을 사용한 플렉시블 전계발광 표시장치는 기판, 기판 상에 배치되는 각종 절연층 및 금속물질로 형성되는 배선 등의 플렉서빌리티(Flexibility)를 확보하면서도 벤딩으로 인해 발생될 수 있는 크랙(Crack)과 같은 불량을 방지하는 것이 필요하다. In addition, a flexible electroluminescent display using a flexible substrate, such as a plastic, may be generated due to bending while securing flexibility of a substrate, various insulating layers disposed on the substrate, and wiring formed of a metal material. It is necessary to prevent defects such as cracks.

벤딩영역(Bending Area; B/A)에 배치되는 절연층과 배선은 마이크로 코팅층(Micro Coating Layer)과 같은 보호층을 벤딩영역(B/A)의 배선 및 절연층 상에 배치하여 크랙을 방지하고 외부로부터의 이물질로부터 배선을 보호하며, 일정한 두께로 코팅하여 벤딩영역(B/A)의 중립면을 조정하는 역할을 한다.The insulating layer and the wiring arranged in the bending area (B / A) are disposed on the wiring and the insulating layer of the bending area (B / A) to prevent cracks by arranging a protective layer such as a micro coating layer. It protects the wiring from foreign matter from the outside and adjusts the neutral plane of the bending area (B / A) by coating to a certain thickness.

이때, 벤딩영역(B/A)의 중립면을 조정하기 위해서는 두꺼운 두께를 가지는 마이크로 코팅층을 배치해야 하지만, 두께가 두꺼워 질수록 마이크로 코팅층의 최외곽면의 표면에 크랙이 발생될 수 있는 확률이 커지게 된다. In this case, in order to adjust the neutral plane of the bending area B / A, a micro coating layer having a thick thickness must be disposed, but as the thickness becomes thicker, the probability of cracking on the outermost surface of the micro coating layer increases. You lose.

이와 함께, 두꺼운 두께로 코팅을 하기 위해서는 공정이 오랜시간 진행될 수 밖에 없는데, 이에 따라 외부에서 이물 유입이 용이해져 불량이 발생될 수도 있다. In addition, in order to coat with a thick thickness, the process has to proceed for a long time, thereby facilitating inflow of foreign substances from the outside, which may cause a defect.

이에, 본 명세서의 발명자들은 위에서 언급한 문제점을 인식하고, 새로운 구조의 벤딩영역(B/A) 구조를 포함한 플렉시블 전계발광 표시장치를 발명하였다.Accordingly, the inventors of the present specification recognize the above-mentioned problem and invent a flexible electroluminescent display including a bending area (B / A) structure of a new structure.

본 명세서의 발명자들은 전계발광 표시장치의 해상도가 점점 증가함에 따라, 배선을 배치할 공간이 부족함을 인식하고, 제한된 공간 내에서 배선을 보다 자유롭게 배치할 수 있는 새로운 구조의 전계발광 표시장치를 발명하였다.As the resolution of the electroluminescent display device increases, the inventors of the present disclosure have recognized a lack of space for wiring, and invented a electroluminescent display device having a new structure that can freely arrange wiring within a limited space. .

본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present specification are not limited to the above-mentioned objects, and other objects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역, 및 표시영역의 일측에서 연장되고 벤딩된 벤딩영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 배치되는 박막 트랜지스터 및 발광소자, 벤딩영역 상에 배치되는 마이크로 코팅층 및 마이크로 코팅층이 배치되는 면과 반대되는 플렉시블 기판의 반대면에 배치되는 벤딩패턴을 포함한다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification includes a display substrate and a flexible substrate including a bending region extending from one side of the display region, a thin film transistor and a light emitting element disposed on the display region, and a bending region. And a bending pattern disposed on an opposite surface of the flexible substrate opposite to the surface on which the micro coating layer and the micro coating layer are disposed.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 표시영역 및 표시영역의 외곽을 두르고, 벤딩영역을 구비하는 비표시영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 있는 박막 트랜지스터 및 발광소자, 벤딩영역 상에 배치되는 마이크로 코팅층, 및 마이크로 코팅층이 배치되는 면과 반대되는 플렉시블 기판의 반대면에 배치되는 벤딩패턴을 배치하여 마이크로 코팅층의 두께를 감소시켜 크랙 발생을 억제한다.A flexible substrate including a display area and a non-display area surrounding the display area and the display area of the flexible electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present specification, a thin film transistor and a light emitting element on the display area, and a bending area. The micro-coating layer disposed on and the bending pattern disposed on the opposite side of the flexible substrate opposite to the surface on which the micro-coating layer is disposed are disposed to reduce the thickness of the micro-coating layer to suppress cracking.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 플렉시블 기판의 벤딩영역에서 마이크로 코팅층으로 발생되는 불량을 최소화되는 효과가 있다.The electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present specification has an effect of minimizing a defect caused by a micro coating layer in a bending area of a flexible substrate.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 플렉시블 기판의 벤딩영역을 벤딩하는 공정에서 용이하게 벤딩이 될 수 있는 효과가 있다.The electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present specification has an effect that can be easily bent in the process of bending the bending area of the flexible substrate.

그리고, 본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 플렉시블 전계발광 표시장치에 사용되는 배선을 제한된 공간 내에서 보다 자유롭게 배치할 수 있는 효과가 있다.In addition, the flexible electroluminescent display device according to the exemplary embodiment of the present specification has an effect of more freely arranging the wiring used in the flexible electroluminescent display device in a limited space.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Effects of the flexible electroluminescent display device according to the exemplary embodiment of the present specification are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the present specification.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 명세서의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 명세서의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.Since the content of the specification described in the problem, problem solving means, and effect to be solved above does not specify the essential features of the claim, the scope of the claims is not limited by the matter described in the content of the specification.

도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 블록도이다.
도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함되는 화소의 회로도이다.
도 3은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판의 평면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 표시영역 및 벤딩영역의 상세구조 단면도이다.
도 5a는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 벤딩영역의 단면도이다.
도 5b는 본 명세서의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 벤딩영역의 평면도이다.
도 5c는 본 명세서의 제2 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 벤딩영역의 평면도이다. 1 is a block diagram of an electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present specification.
2 is a circuit diagram of a pixel included in an electroluminescent display according to an exemplary embodiment of the present specification.
3 is a plan view of a flexible substrate of an electroluminescent display according to an exemplary embodiment of the present specification.
4A and 4B are cross-sectional views illustrating detailed structures of a display area and a bending area of an electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present specification.
5A is a cross-sectional view of a bending area of an electroluminescent display according to an exemplary embodiment of the present specification.
5B is a plan view of a bending area of the electroluminescent display according to the first embodiment of the present specification.
5C is a plan view of a bending area of an electroluminescent display according to a second exemplary embodiment of the present specification.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will become apparent with reference to the embodiments described below in detail in conjunction with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. Shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are exemplary, and the present invention is not limited to the illustrated items. Like reference numerals refer to like elements throughout. In addition, in describing the present invention, if it is determined that the detailed description of the related known technology may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted. When 'comprises', 'haves', 'consists of' and the like mentioned in the present specification, other parts may be added unless 'only' is used. In the case where the component is expressed in the singular, the plural includes the plural unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting a component, it is interpreted to include an error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of the description of the positional relationship, for example, if the positional relationship of the two parts is described as 'on', 'upon', 'lower', 'next', etc. Alternatively, one or more other parts may be located between the two parts unless 'direct' is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be a second component within the technical spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.The features of each of the various embodiments of the invention may be combined or combined with one another, in whole or in part, and various interlocking and driving technically may be possible, and each of the embodiments may be independently implemented with respect to each other or may be implemented in association with each other. It may be.

도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 블록도이다. 1 is a block diagram of an electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present specification.

도 1을 참조하면, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(100)는 영상처리부(110), 타이밍 컨트롤러(120), 데이터 구동부(130), 게이트 구동부(140) 및 표시패널(150)을 포함한다.Referring to FIG. 1, an electroluminescent display device 100 according to an exemplary embodiment of the present specification includes an image processor 110, a timing controller 120, a data driver 130, a gate driver 140, and a display panel 150. It includes.

영상처리부(110)는 외부로부터 공급된 데이터 신호(DATA)와 더불어 데이터 인에이블 신호(DE) 등을 출력한다. 영상처리부(110)는 데이터 인에이블 신호(DE) 외에도 수직동기신호, 수평동기신호 및 클럭신호 중 하나 이상을 출력할 수 있다.The image processor 110 outputs a data enable signal DE and the like together with the data signal DATA supplied from the outside. The image processor 110 may output one or more of a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and a clock signal in addition to the data enable signal DE.

타이밍 컨트롤러(120)는 영상처리부(110)로부터 데이터 인에이블 신호(DE) 또는 수직동기신호, 수평동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 데이터 신호(DATA)를 공급받아 데이터 구동부(130)로 출력한다. 타이밍 컨트롤러(120)는 구동신호에 기초하여 게이트 구동부(140)의 동작타이밍을 제어하기 위한 게이트타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(130)의 동작타이밍을 제어하기 위한 데이터타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다. The timing controller 120 receives the data signal DATA along with a drive signal including a data enable signal DE or a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, a clock signal, and the like from the image processor 110. ) The timing controller 120 may include a gate timing control signal GDC for controlling the operation timing of the gate driver 140 and a data timing control signal DDC for controlling the operation timing of the data driver 130 based on the driving signal. Outputs

데이터 구동부(130)는 타이밍 컨트롤러(120)로부터 공급된 데이터타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍 컨트롤러(120)로부터 공급되는 데이터 신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압으로 변환하여 출력한다. 데이터 구동부(130)는 데이터 라인들(DL1~DLn)을 통해 데이터 신호(DATA)를 출력한다.The data driver 130 samples and latches the data signal DATA supplied from the timing controller 120 in response to the data timing control signal DDC supplied from the timing controller 120 to convert the data signal DATA into a gamma reference voltage. . The data driver 130 outputs the data signal DATA through the data lines DL1 to DLn.

게이트 구동부(140)는 타이밍 컨트롤러(120)로부터 공급된 게이트타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트 전압의 레벨을 시프트시키면서 게이트 신호를 출력한다. 게이트 구동부(140)는 게이트 라인들(GL1~GLm)을 통해 게이트 신호를 출력한다. The gate driver 140 outputs the gate signal while shifting the level of the gate voltage in response to the gate timing control signal GDC supplied from the timing controller 120. The gate driver 140 outputs a gate signal through the gate lines GL1 to GLm.

표시패널(150)은 데이터 구동부(130) 및 게이트 구동부(140)로부터 공급된 데이터 신호(DATA) 및 게이트 신호에 대응하여 화소(160)가 발광하면서 영상을 표시한다. 화소(160)의 상세구조는 도 2 및 도 3에서 설명한다.The display panel 150 displays an image while the pixel 160 emits light corresponding to the data signal DATA and the gate signal supplied from the data driver 130 and the gate driver 140. The detailed structure of the pixel 160 will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함되는 화소의 회로도이다.2 is a circuit diagram of a pixel included in an electroluminescent display according to an exemplary embodiment of the present specification.

도 2를 참조하면, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(200)의 화소는 스위칭 트랜지스터(240), 구동 트랜지스터(250), 보상회로(260) 및 발광소자(270)를 포함한다. Referring to FIG. 2, a pixel of the electroluminescent display 200 according to an exemplary embodiment of the present disclosure includes a switching transistor 240, a driving transistor 250, a compensation circuit 260, and a light emitting element 270.

발광소자(270)는 구동 트랜지스터(250)에 의해 형성된 구동전류에 따라 발광하도록 동작한다.The light emitting device 270 operates to emit light according to the driving current formed by the driving transistor 250.

스위칭 트랜지스터(240)는 게이트 라인(220)을 통해 공급된 게이트 신호에 대응하여 데이터 라인(230)을 통해 공급되는 데이터 신호가 보상회로(260)의 커패시터(Capacitor)에 데이터 전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. The switching transistor 240 performs a switching operation such that a data signal supplied through the data line 230 is stored as a data voltage in a capacitor of the compensation circuit 260 in response to a gate signal supplied through the gate line 220. do.

구동 트랜지스터(250)는 커패시터에 저장된 데이터 전압에 대응하여 고전위 전원라인(VDD)과 저전위 전원라인(GND) 사이로 일정한 구동전류가 흐르도록 동작한다. The driving transistor 250 operates so that a constant driving current flows between the high potential power line VDD and the low potential power line GND in response to the data voltage stored in the capacitor.

보상회로(260)는 구동 트랜지스터(250)의 문턱전압 등을 보상하기 위한 회로이며, 보상회로(260)는 하나 이상의 박막 트랜지스터와 커패시터를 포함한다. 보상회로의 구성은 보상 방법에 따라 매우 다양할 수 있다. The compensation circuit 260 is a circuit for compensating a threshold voltage and the like of the driving transistor 250, and the compensation circuit 260 includes one or more thin film transistors and a capacitor. The configuration of the compensation circuit can vary greatly depending on the compensation method.

그리고, 전계발광 표시장치(200)의 화소는 스위칭 트랜지스터(240), 구동 트랜지스터(250), 커패시터 및 발광소자(270)를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성되며, 보상회로(260)가 추가된 경우 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T1C, 6T2C, 7T1C, 7T2C 등으로 다양하게 형성할 수 있다.The pixel of the electroluminescent display 200 has a 2T (Transistor) 1C (Capacitor) structure including a switching transistor 240, a driving transistor 250, a capacitor, and a light emitting element 270, and includes a compensation circuit ( 260) may be variously formed as 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T1C, 6T2C, 7T1C, 7T2C, or the like.

도 3은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판 의 평면도이다. 3 is a plan view of a flexible substrate of an electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present specification.

이때, 도 3은 플렉시블 기판(310)을 포함하여 플렉시블 가능한 전계발광 표시장치(300)를 나타낸 것으로, 플렉시블 기판(310)이 벤딩되지 않은 상태이다. 3 illustrates the flexible electroluminescent display 300 including the flexible substrate 310, and the flexible substrate 310 is not bent.

도 3을 참조하면, 본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 기판(310)은 박막 트랜지스터 및 발광소자를 통해서 실제로 광을 발광하는 화소가 배치되는 표시영역(Active Area; A/A) 및 표시영역(A/A)의 외곽을 둘러싸는 비표시영역(Non-active Area; N/A)을 포함한다.Referring to FIG. 3, a flexible substrate 310 according to an exemplary embodiment of the present specification includes a display area (A / A) and a display area (A / A) in which pixels which actually emit light through thin film transistors and light emitting devices are disposed. Non-active Area (N / A) surrounding the periphery of / A).

플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)에는 전계발광 표시장치(300)의 구동을 위한 게이트 구동부(390) 등과 같은 회로 및 게이트 라인인 스캔 라인(Scan Line; S/L) 등과 같은 다양한 신호배선이 배치될 수 있다. 그리고, 전계발광 표시장치(300)의 구동을 위한 회로는 플렉시블 기판(310) 상에 GIP(Gate in Panel) 방식으로 배치되거나, TCP(Tape Carrier Package) 또는 COF(Chip on Film) 방식으로 플렉시블 기판(310)에 연결될 수도 있다. In the non-display area N / A of the flexible substrate 310, a circuit such as the gate driver 390 for driving the electroluminescent display 300 and a scan line, which is a gate line, may be used. Various signal wires can be arranged. In addition, a circuit for driving the electroluminescent display 300 may be disposed on a flexible substrate 310 in a gate in panel (GIP) manner, or in a flexible carrier package (TCP) or chip on film (COF) scheme. May be connected to 310.

플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)의 일측에는 패드(395)가 배치된다. 패드(395)는 외부 모듈이 본딩되는(Bonded) 금속 패턴이다.The pad 395 is disposed on one side of the non-display area N / A of the flexible substrate 310. The pad 395 is a metal pattern to which an external module is bonded.

플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)의 일부는 도 3에 도시된 화살표와 같은 벤딩방향으로 구부려서 벤딩영역(B/A)을 형성할 수 있다. 다시 말해, 벤딩영역(B/A)은 표시영역(A/A)의 일측에서 연장된 비표시영역(N/A)의 일부일 수 있다.A portion of the non-display area N / A of the flexible substrate 310 may be bent in the bending direction as shown by the arrow shown in FIG. 3 to form the bending area B / A. In other words, the bending area B / A may be part of the non-display area N / A extending from one side of the display area A / A.

플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)은 화면을 구동시키기 위한 배선 및 구동회로가 배치되며, 화상이 표시되는 영역이 아니므로, 플렉시블 기판(310)의 상면에서 시인되지 않는 영역이다. 따라서, 플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)의 일부영역을 벤딩함으로써 배선 및 구동회로를 위한 면적을 확보하면서도 베젤영역을 최소화할 수 있다.The non-display area N / A of the flexible substrate 310 is an area which is not visible from the upper surface of the flexible substrate 310 because wiring and driving circuits for driving a screen are arranged and are not areas where an image is displayed. . Therefore, by bending a portion of the non-display area N / A of the flexible substrate 310, the bezel area may be minimized while securing an area for the wiring and the driving circuit.

플렉시블 기판(310) 상에는 다양한 배선들이 형성된다. 배선은 플렉시블 기판(310)의 표시영역(A/A)에 배치될 수 있고, 비표시영역(N/A)에도 배치될 수 있다. 특히, 비표시영역(N/A)에 형성되는 회로배선(370)은 구동회로, 예를 들어, 게이트 구동부 또는 데이터 구동부 등에 연결되어 신호를 전달할 수 있다. Various wirings are formed on the flexible substrate 310. The wiring may be disposed in the display area A / A of the flexible substrate 310 or may be disposed in the non-display area N / A. In particular, the circuit wiring 370 formed in the non-display area N / A may be connected to a driving circuit, for example, a gate driver or a data driver to transmit a signal.

회로배선(370)은 도전성 물질로 형성되며, 플렉시블 기판(310)의 벤딩 시 크랙이 발생되는 것을 줄이기 위해 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 회로배선(370)은 금(Au), 은(Ag), 및 알루미늄(Al) 등과 같이 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있고, 표시영역(A/A)에서 사용되는 다양한 도전성 물질 중 하나로 형성될 수 있으며, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu), 및 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금 등으로도 구성될 수 있다. 그리고, 회로배선(370)은 다양한 도전성 물질을 포함하는 다층구조로 구성될 수도 있으며, 예를 들어, 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti)의 3층구조로 구성될 수도 있도 있으나, 본 명세서에 따른 회로배선(370)의 구조가 이에 제한되지는 않는다.The circuit wiring 370 may be formed of a conductive material, and may be formed of a conductive material having excellent ductility in order to reduce cracking when bending the flexible substrate 310. For example, the circuit wiring 370 may be formed of a conductive material having excellent ductility such as gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), and the like, and may be various conductive materials used in the display area (A / A). Molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), copper (Cu), and alloys of silver (Ag) and magnesium (Mg) Or the like. In addition, the circuit wiring 370 may be configured as a multilayer structure including various conductive materials. For example, the circuit wiring 370 may be configured as a three-layer structure of titanium (Ti) / aluminum (Al) / titanium (Ti). However, the structure of the circuit wiring 370 according to the present specification is not limited thereto.

벤딩영역(B/A)에 형성되는 회로배선(370)은 벤딩되는 경우 인장력을 받게 된다. 예를 들면, 플렉시블 기판(310) 상에서 벤딩방향(화살표로 표시)과 동일한 방향으로 연장하는 회로배선(370)이 가장 큰 인장력을 받게 되어, 크랙이 발생할 수 있으며, 크랙이 심할 경우 단선이 발생할 수 있다. 따라서, 벤딩방향으로 연장되도록 회로배선(370)을 형성하는 것이 아니라, 벤딩영역(B/A)을 포함하여 배치되는 회로배선(370) 중 적어도 일부분은 벤딩 방향과 상이한 방향인 사선 방향으로 연장하도록 형성함으로써, 인장력을 최소화하여 크랙 발생을 최소화할 수 있다. The circuit wiring 370 formed in the bending area B / A is subjected to a tensile force when bent. For example, the circuit wiring 370 extending in the same direction as the bending direction (indicated by an arrow) on the flexible substrate 310 may receive the greatest tensile force, and cracks may occur, and disconnection may occur when the cracks are severe. have. Therefore, instead of forming the circuit wiring 370 to extend in the bending direction, at least a portion of the circuit wiring 370 including the bending area B / A extends in a diagonal direction that is different from the bending direction. By forming, it is possible to minimize the tensile force to minimize the occurrence of cracks.

벤딩영역(B/A)을 포함하여 배치되는 회로배선(370)은 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 사다리꼴 형상, 삼각파 형상, 톱니파 형상, 정현파 형상, 오메가(Ω) 형상, 및 마름모 형상 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. The circuit wiring 370 including the bending area B / A may be formed in various shapes, for example, a trapezoidal shape, a triangular wave shape, a sawtooth wave shape, a sinusoidal wave shape, an omega (Ω) shape, and a rhombus. It may be formed in various shapes such as shape.

도 4a 및 도 4b는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 표시영역 및 벤딩영역의 상세구조 단면도이다. 4A and 4B are cross-sectional views illustrating detailed structures of a display area and a bending area of an electroluminescent display device according to an exemplary embodiment of the present specification.

도 4a는 도 3에서 설명한 표시영역(A/A)의 상세구조에 대한 단면도이다. 4A is a cross-sectional view of a detailed structure of the display area A / A described with reference to FIG. 3.

도 4a를 참조하면, 기판(410)은 상부에 배치되는 전계발광 표시장치(400)의 구성요소들을 지지 및 보호하는 역할을 하며, 최근에는 플렉시블 특성을 가지는 연성의 물질로 이루어질 수 있으므로, 기판(410)은 플렉시블 기판일 수 있다. 예를 들면, 플렉시블 기판은 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군 중 하나를 포함하는 필름형태일 수 있다. Referring to FIG. 4A, the substrate 410 supports and protects the components of the electroluminescent display device 400 disposed thereon, and may be formed of a flexible material having flexible properties. 410 may be a flexible substrate. For example, the flexible substrate may be in the form of a film including one of a group consisting of polyester polymer, silicon polymer, acrylic polymer, polyolefin polymer, and copolymers thereof.

예를 들면, 기판(410)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리실란(polysilane), 폴리실록산(polysiloxane), 폴리실라잔(polysilazane), 폴리카르보실란(polycarbosilane), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리메타크릴레이트(polymethacrylate), 폴리메틸아크릴레이트(polymethylacrylate), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmetacrylate), 폴리에틸아크릴레이트(polyethylacrylate), 폴리에틸메타크릴레이트(polyethylmetacrylate), 사이클릭 올레핀 코폴리머(COC), 사이클릭 올레핀 폴리머(COP), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌(PS), 폴리아세탈(POM), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에스테르설폰(PES), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐리덴플로라이드(PVDF), 퍼플루오로알킬 고분자(PFA), 스타이렌아크릴나이트릴코폴리머(SAN) 및 이들의 조합 중에서 적어도 하나로 구성될 수 있다. For example, the substrate 410 may be polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), polysilane, polysiloxane, polysiloxane, polysilazane, polycarbosilane, Polyacrylate, polymethacrylate, polymethylacrylate, polymethylmethacrylate, polyethylacrylate, polyethylmethacrylate, inter Click olefin copolymer (COC), cyclic olefin polymer (COP), polyethylene (PE), polypropylene (PP), polyimide (PI), polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene (PS), polyacetal ( POM), polyether ether ketone (PEEK), polyester sulfone (PES), polytetrafluoroethylene (PTFE), polyvinylchloride (PVC), polycarbonate (PC), polyvinylidene fluoride (PVDF), Fluoroalkyl polymer (PFA), a styrene acrylic nitro rilko polymer (SAN) to and may be made of at least one among these combinations.

기판(410) 상에 버퍼층이 더 배치될 수 있다. 버퍼층은 기판(410)을 통한 수분이나 다른 불순물의 침투를 방지하며, 기판(410)의 표면을 평탄화할 수 있다. 이러한 버퍼층은 반드시 필요한 구성은 아니며, 기판(410)의 종류나 기판(410) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(420)의 종류에 따라 삭제될 수도 있다. A buffer layer may be further disposed on the substrate 410. The buffer layer may prevent penetration of moisture or other impurities through the substrate 410, and may planarize the surface of the substrate 410. The buffer layer is not necessarily required and may be deleted depending on the type of the substrate 410 or the type of the thin film transistor 420 disposed on the substrate 410.

기판(410) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(420)는 게이트 전극(422), 소스 전극(424), 드레인 전극(426) 및 반도체층(428)을 포함한다.The thin film transistor 420 disposed on the substrate 410 includes a gate electrode 422, a source electrode 424, a drain electrode 426, and a semiconductor layer 428.

반도체층(428)은 비정질실리콘(Amorphous Silicon) 또는 비정질 실리콘보다 우수한 이동도(Mobility)를 가져서 에너지 소비 전력이 낮고 신뢰성이 우수하여, 화소 내에서 구동 박막 트랜지스터에 적용할 수 있는 다결정실리콘(Polycrystalline Silicon)으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The semiconductor layer 428 has better mobility than amorphous silicon or amorphous silicon, and thus has low energy consumption and high reliability, and thus can be applied to driving thin film transistors in a pixel. ), But is not limited thereto.

그리고, 반도체층(428)은 산화물(Oxide) 반도체로 구성될 수도 있다. 산화물 반도체는 이동도와 균일도가 우수한 특성을 갖고 있다. 산화물 반도체는, 예를 들어, 4원계 금속 산화물인 인듐 주석 갈륨 아연 산화물(InSnGaZnO)계 재료, 3원계 금속 산화물인 인듐 갈륨 아연 산화물(InGaZnO)계 재료, 인듐 주석 아연 산화물(InSnZnO)계 재료, 인듐 알루미늄 아연 산화물(InAlZnO)계 재료, 주석 갈륨 아연 산화물(SnGaZnO)계 재료, 알루미늄 갈륨 아연 산화물(AlGaZnO)계 재료, 주석 알루미늄 아연 산화물(SnAlZnO)계 재료, 2원계 금속 산화물인 인듐 아연 산화물(InZnO)계 재료, 주석 아연 산화물(SnZnO)계 재료, 알루미늄 아연 산화물(AlZnO)계 재료, 아연 마그네슘 산화물(ZnMgO)계 재료, 주석 마그네슘 산화물(SnMgO)계 재료, 인듐 마그네슘 산화물(InMgO)계 재료, 인듐 갈륨 산화물(InGaO)계 재료, 인듐 산화물(InO)계 재료, 주석 산화물(SnO)계 재료, 아연 산화물(ZnO)계 재료 등으로 반도체층(428)을 구성할 수 있으며, 각각의 원소의 조성 비율은 제한되지 않는다.In addition, the semiconductor layer 428 may be formed of an oxide semiconductor. Oxide semiconductors have excellent mobility and uniformity. The oxide semiconductor may be, for example, an indium tin gallium zinc oxide (InSnGaZnO) material that is a quaternary metal oxide, an indium gallium zinc oxide (InGaZnO) material that is a ternary metal oxide, an indium tin zinc oxide (InSnZnO) material, or indium Aluminum zinc oxide (InAlZnO) based material, tin gallium zinc oxide (SnGaZnO) based material, aluminum gallium zinc oxide (AlGaZnO) based material, tin aluminum zinc oxide (SnAlZnO) based material, indium zinc oxide (InZnO) as binary metal oxide Based material, tin zinc oxide (SnZnO) material, aluminum zinc oxide (AlZnO) material, zinc magnesium oxide (ZnMgO) material, tin magnesium oxide (SnMgO) material, indium magnesium oxide (InMgO) material, indium gallium The semiconductor layer 428 may be formed of an oxide (InGaO) material, an indium oxide (InO) material, a tin oxide (SnO) material, a zinc oxide (ZnO) material, or the like. Sex ratio is not limited.

반도체층(428)은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 소스영역(Source Region), 드레인영역(Drain Region), 및 소스영역 및 드레인영역 사이에 채널(Channel)을 포함할 수 있고, 채널과 인접한 소스영역 및 드레인영역 사이에는 저농도 도핑영역을 포함할 수 있다.The semiconductor layer 428 may include a source region, a drain region, and a channel between the source region and the drain region including p-type or n-type impurities. A lightly doped region may be included between adjacent source and drain regions.

소스영역 및 드레인영역은 불순물이 고농도로 도핑된 영역으로, 박막 트랜지스터(420)의 소스 전극(424) 및 드레인 전극(426)이 각각 접속되는 영역이다. 불순물 이온은 p형 불순물 또는 n형 불순물을 이용할 수 있는데, p형 불순물은, 예를 들어, 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 인듐(In) 중 하나일 수 있고, n형 불순물은, 예를 들어, 인(P), 비소(As) 및 안티몬(Sb) 등에서 하나일 수 있다. The source region and the drain region are regions in which impurities are heavily doped, and regions where the source electrode 424 and the drain electrode 426 of the thin film transistor 420 are connected to each other. The impurity ion may use a p-type impurity or an n-type impurity, which may be, for example, one of boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), and indium (In), and n The type impurity may be, for example, one of phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb), and the like.

반도체층(428)은 NMOS 또는 PMOS의 박막 트랜지스터 구조에 따라, 채널 영역은 n형 불순물 또는 p형 불순물로 도핑될 수 있으며, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함된 박막 트랜지스터는 NMOS 또는 PMOS의 박막 트랜지스터가 적용가능하다.The semiconductor layer 428 may be doped with n-type impurities or p-type impurities according to a thin film transistor structure of an NMOS or PMOS, and a thin film transistor included in an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention may be NMOS. Or a thin film transistor of a PMOS is applicable.

제1 절연층(431)은 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성된 절연층이며, 반도체층(428)에 흐르는 전류가 게이트 전극(422)으로 흘러가지 않도록 배치한다. 그리고, 실리콘산화물은 금속보다는 연성이 떨어지지만, 실리콘질화물에 비해서는 연성이 우수하며 그 특성에 따라 단일층 또는 복수층으로 형성할 수 있다. The first insulating layer 431 is an insulating layer composed of a single layer of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) or multiple layers thereof, and current flowing through the semiconductor layer 428 flows to the gate electrode 422. Do not place. In addition, silicon oxide is less ductile than metal, but excellent in ductility compared to silicon nitride, and may be formed in a single layer or a plurality of layers according to its characteristics.

게이트 전극(422)은 게이트 라인을 통해 외부에서 전달되는 전기 신호에 기초하여 박막 트랜지스터(420)를 턴-온(turn-on) 또는 턴-오프(turn-off)하는 스위치 역할을 하며, 예를 들어, 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등 또는 이들의 합금으로 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The gate electrode 422 serves as a switch to turn on or turn off the thin film transistor 420 based on an electrical signal transmitted from the outside through the gate line. For example, conductive metals such as copper (Cu), aluminum (Al), molybdenum (Mo), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and the like or alloys thereof It may be composed of a single layer or multiple layers, but is not limited thereto.

소스 전극(424) 및 드레인 전극(426)은 데이터 라인과 연결되며 외부에서 전달되는 전기신호가 박막 트랜지스터(420)에서 발광소자(440)로 전달되도록 한다. 소스 전극(424) 및 드레인 전극(426)은, 예를 들어, 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등의 금속 재료나 이들의 합금으로 단일층 또는 다중층으로 구성할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The source electrode 424 and the drain electrode 426 are connected to the data line and allow an electric signal transmitted from the outside to be transferred from the thin film transistor 420 to the light emitting device 440. The source electrode 424 and the drain electrode 426 are, for example, copper (Cu), aluminum (Al), molybdenum (Mo), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), which are conductive metals. Metal materials such as nickel (Ni) and neodymium (Nd), or alloys thereof, may be composed of a single layer or multiple layers, but are not limited thereto.

게이트 전극(422)과 소스 전극(424) 및 드레인 전극(426)을 서로 절연시키기 위해서 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)의 단일층이나 다중층으로 구성된 제2 절연층(433)을 게이트 전극(422)과 소스 전극(424) 및 드레인 전극(426) 사이에 배치할 수 있다.In order to insulate the gate electrode 422, the source electrode 424, and the drain electrode 426 from each other, the second insulating layer 433 formed of a single layer or multiple layers of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) is gated. The electrode 422 may be disposed between the source electrode 424 and the drain electrode 426.

박막 트랜지스터(420) 상에 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기절연층으로 구성된 패시베이션층을 더 배치할 수도 있다. 페시베이션층은, 패시베이션층 상, 하부의 구성요소들 사이의 불필요한 전기적 연결을 막고 외부로부터의 오염이나 손상 등을 막는 역할을 할 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략할 수도 있다.A passivation layer including an inorganic insulating layer such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) may be further disposed on the thin film transistor 420. The passivation layer may serve to prevent unnecessary electrical connection between components on and under the passivation layer and to prevent contamination or damage from the outside, and may be configured to include the thin film transistor 420 and the light emitting device 440. It may be omitted depending on the characteristics.

박막 트랜지스터(420)는 박막 트랜지스터(420)를 구성하는 구성요소들의 위치에 따라 인버티드 스태거드(Inverted Staggered) 구조와 코플래너(Coplanar) 구조로 분류될 수 있다. 인버티드 스태거드 구조의 박막 트랜지스터는 반도체층을 기준으로 게이트 전극이 소스 전극 및 드레인 전극의 반대편에 위치한다. 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(420)는, 도 4a에서와 같이, 반도체층(428)을 기준으로 게이트 전극(422)이 소스 전극(424) 및 드레인 전극(426)과 같은편에 위치한다. The thin film transistor 420 may be classified into an inverted staggered structure and a coplanar structure according to positions of components constituting the thin film transistor 420. In the inverted staggered thin film transistor, the gate electrode is positioned opposite to the source electrode and the drain electrode with respect to the semiconductor layer. In the coplanar thin film transistor 420, as shown in FIG. 4A, the gate electrode 422 is positioned on the same side as the source electrode 424 and the drain electrode 426 based on the semiconductor layer 428.

도 4a에서는 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(420)가 도시되었으나, 본 명세서에 따른 전계발광 표시장치(400)는 이에 제한되지 않고, 인버티드 스태거드 구조의 박막 트랜지스터를 포함할 수도 있다.Although the thin film transistor 420 of the coplanar structure is illustrated in FIG. 4A, the electroluminescent display device 400 according to the present disclosure is not limited thereto and may include a thin film transistor having an inverted staggered structure.

설명의 편의를 위해, 도 4a에서는 전계발광 표시장치(400)에 포함될 수 있는 다양한 박막 트랜지스터 중에서 구동 박막 트랜지스터만을 도시하였으며, 스위칭 박막 트랜지스터, 커패시터 등도 전계발광 표시장치(400)에 포함될 수 있다. 그리고, 스위칭 박막 트랜지스터는 게이트 라인으로부터 신호가 인가되면, 데이터 라인으로부터의 신호를 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극으로 전달한다. 구동 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터로부터 전달받은 신호에 의해 전원 배선을 통해 전달되는 전류를 애노드(442)로 전달하며, 애노드(442)로 전달되는 전류에 의해 발광을 제어한다.For convenience of description, FIG. 4A illustrates only a driving thin film transistor among various thin film transistors that may be included in the electroluminescent display 400, and a switching thin film transistor and a capacitor may also be included in the electroluminescent display 400. When a signal is applied from the gate line, the switching thin film transistor transfers the signal from the data line to the gate electrode of the driving thin film transistor. The driving thin film transistor transmits a current transmitted through the power line by the signal received from the switching thin film transistor to the anode 442, and controls light emission by the current delivered to the anode 442.

박막 트랜지스터(420)를 보호하고 박막 트랜지스터(420)로 인해서 발생되는 단차를 완화시키며, 박막 트랜지스터(420)와 게이트 라인 및 데이터 라인, 발광소자(440)들 사이에 발생되는 기생정전용량(Parasitic-Capacitance)을 감소시키기 위해서 박막 트랜지스터(420) 상에 평탄화층(435, 437)을 배치한다.It protects the thin film transistor 420 and mitigates the step caused by the thin film transistor 420, and the parasitic capacitance generated between the thin film transistor 420, the gate line, the data line, and the light emitting elements 440. The planarization layers 435 and 437 are disposed on the thin film transistor 420 to reduce the capacitance.

평탄화층(435, 437)은, 예를 들어, 아크릴계 수지(Acrylic Resin), 에폭시 수지(Epoxy Resin), 페놀 수지(Phenolic Resin), 폴리아미드계 수지(Polyamides Resin), 폴리이미드계 수지(Polyimides Resin), 불포화 폴리에스테르계 수지(Unsaturated Polyesters Resin), 폴리페닐렌계 수지(Polyphenylene Resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(Polyphenylenesulfides Resin), 및 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The planarization layers 435 and 437 may include, for example, acrylic resins, epoxy resins, phenolic resins, polyamides resins, and polyimide resins. ), Unsaturated polyester resin (Unsaturated Polyester Resin), polyphenylene resin (Polyphenylene Resin), polyphenylene sulfide resin (Polyphenylenesulfides Resin), and benzocyclobutene (Benzocyclobutene), This is not restrictive.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(400)는 순차적으로 적층된 복수의 평탄화층(435, 437)인 제1 평탄화층(435) 및 제2 평탄화층(437)을 포함할 수도 있다. The electroluminescent display device 400 according to the exemplary embodiment of the present specification may include a first planarization layer 435 and a second planarization layer 437 which are a plurality of planarization layers 435 and 437 sequentially stacked.

예를 들면, 박막 트랜지스터(420) 상에는 제1 평탄화층(435)이 배치되고, 제1 평탄화층(435) 상에는 제2 평탄화층(437)이 배치될 수 있다. For example, the first planarization layer 435 may be disposed on the thin film transistor 420, and the second planarization layer 437 may be disposed on the first planarization layer 435.

그리고, 제1 평탄화층(435) 상에는 버퍼층이 배치될 수도 있다. 버퍼층은 제1 평탄화층(435) 상에 배치되는 구성요소를 보호하기 위해서 배치될 수 있으며, 예를 들어, 실리콘질화물(SiNx) 또는 실리콘산화물(SiOx)의 단일층 또는 실리콘질화물(SiNx) 또는 실리콘산화물(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략할 수도 있다.In addition, a buffer layer may be disposed on the first planarization layer 435. The buffer layer may be disposed to protect a component disposed on the first planarization layer 435, and may be, for example, a single layer of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) or silicon. It may be formed of a multilayer of oxide (SiOx), and may be omitted depending on the configuration and characteristics of the thin film transistor 420 and the light emitting device 440.

제1 평탄화층(435)에 형성된 컨택홀(Contact Hole)을 통해서 중간전극(430)이 배치되고, 중간전극(430)은 박막 트랜지스터(420)와 전기적으로 연결된다. The intermediate electrode 430 is disposed through a contact hole formed in the first planarization layer 435, and the intermediate electrode 430 is electrically connected to the thin film transistor 420.

제1 평탄화층(435) 및 중간전극(430) 상에는 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기절연층으로 구성된 패시베이션층이 더 배치될 수 있다. 패시베이션층은 구성요소들 사이의 불필요한 전기적 연결을 막고 외부로부터의 오염이나 손상 등을 막는 역할을 할 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략될 수도 있다.A passivation layer including an inorganic insulating layer such as silicon oxide (SiOx) and silicon nitride (SiNx) may be further disposed on the first planarization layer 435 and the intermediate electrode 430. The passivation layer may serve to prevent unnecessary electrical connections between the components and to prevent contamination or damage from the outside, and may be omitted depending on the configuration and characteristics of the thin film transistor 420 and the light emitting device 440.

제2 평탄화층(437) 상에는 발광소자(440)가 배치되고, 발광소자(440)는 애노드(442), 발광부(444) 및 캐소드(446)를 포함한다.The light emitting device 440 is disposed on the second planarization layer 437, and the light emitting device 440 includes an anode 442, a light emitting part 444, and a cathode 446.

애노드(442)는 제2 평탄화층(437) 상에 배치될 수 있다. 애노드(442)는 발광부(444)에 정공을 공급하는 역할을 하는 전극으로, 제2 평탄화층(437)에 있는 컨택홀을 통해 중간전극(430)과 연결되고, 중간전극(430)을 통해 박막 트랜지스터(420)와 전기적으로 연결된다. The anode 442 may be disposed on the second planarization layer 437. The anode 442 is an electrode that supplies holes to the light emitting unit 444. The anode 442 is connected to the intermediate electrode 430 through a contact hole in the second planarization layer 437, and through the intermediate electrode 430. It is electrically connected to the thin film transistor 420.

애노드(442)는, 예를 들어, 투명 도전성 물질인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide; IZO) 등으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The anode 442 may be formed of, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like, which is a transparent conductive material, but is not limited thereto.

본 명세서에 따른 전계발광 표시장치(400)가 캐소드(446)가 배치된 상부로 광을 발광하는 탑 에미션(Top Emission)일 경우 애노드(442)는 발광된 광이 애노드(442)에서 반사되어 보다 원활하게 캐소드(446)가 배치된 상부 방향으로 방출될 수 있도록 하는 반사층을 더 포함할 수 있다. When the electroluminescent display 400 according to the present disclosure is a top emission that emits light to the top where the cathode 446 is disposed, the anode 442 reflects the emitted light from the anode 442. It may further include a reflective layer to be more smoothly emitted in the upper direction in which the cathode 446 is disposed.

예를 들면, 애노드(442)는 투명 도전성 물질로 구성된 투명 도전층과 반사층이 차례로 적층된 2층 구조이거나, 투명 도전층, 반사층 및 투명 도전층이 차례로 적층된 3층 구조일 수 있으며, 반사층은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 합금일 수 있다. For example, the anode 442 may be a two-layer structure in which a transparent conductive layer made of a transparent conductive material and a reflective layer are sequentially stacked, or a three-layer structure in which the transparent conductive layer, the reflective layer, and the transparent conductive layer are sequentially stacked, and the reflective layer may be It may be silver (Ag) or an alloy containing silver.

애노드(442) 및 제2 평탄화층(437) 상에는 뱅크(450)가 배치된다. 뱅크(450)는 실제로 광을 발광하는 영역을 구획하여 각각의 화소를 정의할 수 있다. 뱅크(450)는 애노드(442) 상에 포토레지스트(Photoresist)를 형성한 후에 사진식각공정(Photolithography)에 의해 형성될 수 있다. 포토레지스트는 광의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화되는 감광성 수지를 말하며, 포토레지스트를 노광 및 현상하여 특정 패턴이 얻어질 수 있다. 포토레지스트는 포지티브형 포토레지스트(Positive Photoresist)와 네거티브형 포토레지스트(Negative photoresist)로 분류될 수 있다. 포지티브형 포토레지스트는 노광으로 노광부의 현상액에 대한 용해성이 증가되는 포토레지스트를 말하며, 포지티브형 포토레지스트를 현상하면 노광부가 제거된 패턴이 얻어진다. 그리고, 네거티브형 포토레지스트는 노광으로 노광부의 현상액에 대한 용해성이 크게 저하되는 포토레지스트를 말하며, 네거티브형 포토레지스트를 현상하면 비노광부가 제거된 패턴이 얻어진다. The bank 450 is disposed on the anode 442 and the second planarization layer 437. The bank 450 may define each pixel by dividing an area that actually emits light. The bank 450 may be formed by photolithography after forming a photoresist on the anode 442. The photoresist refers to a photosensitive resin whose solubility in a developing solution is changed by the action of light, and a specific pattern can be obtained by exposing and developing the photoresist. Photoresists may be classified into positive photoresist and negative photoresist. The positive photoresist refers to a photoresist in which the solubility in the developer of the exposed portion is increased by exposure, and when the positive photoresist is developed, a pattern from which the exposed portion is removed is obtained. The negative photoresist refers to a photoresist in which the solubility in a developing solution of an exposed part is greatly reduced by exposure. When a negative photoresist is developed, a pattern in which a non-exposed part is removed is obtained.

발광소자(440)의 발광부(444)를 형성하기 위해서 증착마스크인 FMM(Fine Metal Mask)을 사용할 수 있다. 그리고, 뱅크(450) 상에 배치되는 증착마스크와 접촉하여 발생될 수 있는 손상을 방지하고, 뱅크(450)와 증착마스크 사이에 일정한 거리를 유지하기 위해서, 뱅크(450) 상부에 투명 유기물인 폴리이미드, 포토아크릴 및 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 하나로 구성되는 스페이서(Spacer; 452)를 배치할 수도 있다.In order to form the light emitting unit 444 of the light emitting device 440, a fine metal mask (FMM) may be used. In order to prevent damage that may occur in contact with the deposition mask disposed on the bank 450, and to maintain a constant distance between the bank 450 and the deposition mask, a polyorganic, which is a transparent organic material, is formed on the bank 450. A spacer 452 composed of one of mid, photoacrylic and benzocyclobutene (BCB) may be disposed.

애노드(442)와 캐소드(446) 사이에는 발광부(444)가 배치된다. 발광부(444)는 광을 발광하는 역할을 하며, 정공주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공수송층(Hole Transport Layer; HTL), 발광층, 전자수송층(Electron Transport Layer; ETL), 전자주입층(Electron Injection Layer; EIL) 중 적어도 하나의 층을 포함할 수 있고, 전계발광 표시장치(400)의 구조나 특성에 따라 발광부(444)의 일부 구성요소는 생략될 수도 있다. 여기서 발광층은 전계발광층 및 무기발광층을 적용하는 것도 가능하다.The light emitter 444 is disposed between the anode 442 and the cathode 446. The light emitting unit 444 emits light, and includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer, an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer. (Electron Injection Layer; EIL) may include at least one layer, and some components of the light emitting unit 444 may be omitted depending on the structure or characteristics of the electroluminescent display 400. The light emitting layer may be an electroluminescent layer and an inorganic light emitting layer.

정공주입층은 애노드(442) 상에 배치되어 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 한다. 정공주입층은, 예를 들어, HAT-CN(dipyrazino[2,3-f:2’,3’-h]quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc(phthalocyanine), 및 NPD(N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-2,2’-dimethylbenzidine) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다. The hole injection layer is disposed on the anode 442 and serves to facilitate the injection of holes. The hole injection layer is, for example, HAT-CN (dipyrazino [2,3-f: 2 ', 3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc (phthalocyanine), and NPD (N, N'-bis (naphthalene-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -2,2'-dimethylbenzidine).

정공수송층은 정공주입층 상에 배치되어 발광층으로 원활하게 정공을 전달하는 역할을 한다. 정공수송층은, 예를 들어, NPD(N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-2,2’-dimethylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD(2,2’,7,7’-tetrakis(N,N-dimethylamino)-9,9-spirofluorene), 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.The hole transport layer is disposed on the hole injection layer and serves to smoothly transfer holes to the light emitting layer. The hole transport layer is, for example, NPD (N, N'-bis (naphthalene-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -2,2'-dimethylbenzidine), TPD (N, N'-bis -(3-methylphenyl) -N, N'-bis- (phenyl) -benzidine), s-TAD (2,2 ', 7,7'-tetrakis (N, N-dimethylamino) -9,9-spirofluorene) And MTDATA (4,4 ', 4 "-Tris (N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino) -triphenylamine).

발광층은 정공수송층 상에 배치되며 특정 색의 광을 발광할 수 있는 물질을 포함하여 특정 색의 광을 발광할 수 있다. 그리고, 발광물질은 인광물질 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다. The emission layer may be disposed on the hole transport layer and may emit light of a specific color, including a material capable of emitting light of a specific color. The light emitting material may be formed using a phosphor or a fluorescent material.

발광층이 적색(Red)을 발광하는 경우, 발광하는 피크파장은 600㎚ 내지 650㎚ 범위가 될 수 있으며, CBP(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate) iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)(acetylacetonate) iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline) iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum) 중에서 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또는, PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting layer emits red, the peak wavelength that emits light may be in the range of 600 nm to 650 nm, and CBP (4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl) or mCP (1,3). host materials including -bis (carbazol-9-yl) benzene), PIQIr (acac) (bis (1-phenylisoquinoline) (acetylacetonate) iridium), PQIr (acac) (bis (1-phenylquinoline) (acetylacetonate ) iridium), PQIr (tris (1-phenylquinoline) iridium) and PtOEP (octaethylporphyrin platinum) may be made of a phosphorescent material including a dopant containing at least one. Alternatively, it may be made of a fluorescent material including PBD: Eu (DBM) 3 (Phen) or perylene.

여기서, 피크파장(λ은 EL(ElectroLuminescence)의 최대 파장을 말한다. 발광부를 구성하는 발광층들이 고유의 광을 내는 파장을 PL(PhotoLuminescence)이라 하며, 발광층들을 구성하는 층들의 두께나 광학적 특성의 영향을 받아 나오는 광을 에미턴스(Emittance)라 한다. 이때, EL(ElectroLuminescence)은 전계발광 표시장치가 최종적으로 방출하는 광을 말하며, PL(PhotoLuminescence) 및 에미턴스(Emittance)의 곱으로 표현될 수 있다.Here, the peak wavelength (λ) refers to the maximum wavelength of EL (ElectroLuminescence), and the wavelength of the light emitting layers constituting the light emitting unit emits unique light is called PL (PhotoLuminescence), and the influence of the thickness and the optical characteristics of the layers constituting the light emitting layers The received light is called an emission, where EL (ElectroLuminescence) refers to the light finally emitted by the electroluminescent display, and can be expressed as a product of PL (PhotoLuminescence) and emittance (Emittance).

발광층이 녹색(Green)을 발광하는 경우, 발광하는 피크 파장은 520nm 내지 540nm 범위가 될 수 있으며, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)₃(tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 Ir complex와 같은 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, Alq₃(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting layer emits green, the peak wavelength that emits light may be in the range of 520 nm to 540 nm, includes a host material including CBP or mCP, and Ir (ppy) ₃ (tris (2-phenylpyridine) iridium It may be made of a phosphorescent material including a dopant material, such as Ir complex containing. In addition, it may be made of a fluorescent material containing Alq ₃ (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum).

발광층이 청색(Blue)을 발광하는 경우, 발광하는 피크 파장은 440㎚ 내지 480㎚ 범위가 될 수 있으며, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, FIrPic(bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium)를 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, spiro-DPVBi(4,4'-Bis(2,2-diphenyl-ethen-1-yl)biphenyl), DSA(1-4-di-[4-(N,N-di-phenyl)amino]styryl-benzene), PFO(polyfluorene)계 고분자 및 PPV(polyphenylenevinylene)계 고분자 중 어느 하나를 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting layer emits blue, the peak wavelength for emitting light may be in the range of 440 nm to 480 nm, and includes a host material including CBP or mCP, and FIrPic (bis (3,5-difluoro-2 It may be made of a phosphorescent material including a dopant material containing-(2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium) and spiro-DPVBi (4,4'-Bis (2,2-diphenyl-ethen). -1-yl) biphenyl), DSA (1-4-di- [4- (N, N-di-phenyl) amino] styryl-benzene), PFO (polyfluorene) polymer and PPV (polyphenylenevinylene) polymer It may be made of a fluorescent material containing one.

발광층 상에는 전자수송층이 배치되며, 전자수송층은 발광층으로 전자의 이동을 원활하게 하는 역할을 한다. 전자수송층은, 예를 들어, Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium), PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), TAZ(3-(4-biphenyl)4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), spiro-PBD, BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 BAlq(bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminum) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.The electron transport layer is disposed on the light emitting layer, and the electron transport layer serves to smooth the movement of electrons to the light emitting layer. The electron transport layer is, for example, Liq (8-hydroxyquinolinolato-lithium), PBD (2- (4-biphenyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole), TAZ (3- (4-biphenyl) 4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), spiro-PBD, BCP (2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) and BAlq It may be made of any one or more of (bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum).

전자수송층 상에는 전자주입층이 더 배치될 수 있다. 전자주입층은 캐소드(446)로부터 전자의 주입을 원활하게 하는 유기층으로, 전계발광 표시장치(400)의 구조와 특성에 따라서 생략될 수 있다. 전자주입층은 BaF2, LiF, NaCl, CsF, Li₂O 및 BaO와 같은 금속 무기 화합물일 수 있고, HAT-CN(dipyrazino[2,3-f:2’,3’-h]quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc(phthalocyanine), 및 NPD(N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-2,2’-dimethylbenzidine) 중에서 어느 하나 이상의 유기 화합물일 수 있다. The electron injection layer may be further disposed on the electron transport layer. The electron injection layer is an organic layer that facilitates injection of electrons from the cathode 446 and may be omitted depending on the structure and characteristics of the electroluminescent display device 400. The electron injection layer may be a metal inorganic compound such as BaF 2, LiF, NaCl, CsF, Li ₂ O, and BaO, and may be HAT-CN (dipyrazino [2,3-f: 2 ′, 3′-h] quinoxaline-2, 3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), phthalocyanine (CuPc), and NPD (N, N'-bis (naphthalene-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -2,2'-dimethylbenzidine) It may be any one or more organic compounds.

발광층과 인접한 위치에 정공 또는 전자의 흐름을 저지하는 전자저지층(Electron Blocking Layer) 또는 정공저지층(Hole Blocking Layer)이 더 배치될 수 있다. 전자저지층 또는 정공저지층 각각은 전자가 발광층에 주입될 때 발광층에서 이동하여 인접한 정공수송층으로 통과하거나 정공이 발광층에 주입될 때 발광층에서 이동하여 인접한 전자수송층으로 통과하는 현상을 방지하여 발광효율을 향상시킬 수 있다.An electron blocking layer or a hole blocking layer may be further disposed at a position adjacent to the emission layer to block the flow of holes or electrons. Each of the electron blocking layer or the hole blocking layer prevents a phenomenon in which electrons move from the light emitting layer to pass to the adjacent hole transport layer when the electrons are injected into the light emitting layer or move from the light emitting layer to pass to the adjacent electron transport layer when holes are injected into the light emitting layer. Can be improved.

캐소드(446)는 발광부(444) 상에 배치되어, 발광부(444)로 전자를 공급하는 역할을 한다. 캐소드(446)는 전자를 공급하여야 하므로 일함수가 낮은 도전성 물질인 마그네슘(Mg), 은-마그네슘(Ag-Mg) 등과 같은 금속 물질로 구성할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The cathode 446 is disposed on the light emitting unit 444, and serves to supply electrons to the light emitting unit 444. Since the cathode 446 needs to supply electrons, the cathode 446 may be formed of a metal material such as magnesium (Mg) and silver-magnesium (Ag-Mg), which are low work functions, but are not limited thereto.

전계발광 표시장치(400)가 탑 에미션 방식인 경우, 캐소드(446)는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide; ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide; ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide; TiO) 계열의 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있다.When the electroluminescent display 400 is a top emission method, the cathode 446 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), or zinc oxide ( Zinc oxide (ZnO) and tin oxide (TiO) may be made of a transparent conductive oxide.

발광소자(440) 상에는 전계발광 표시장치(400)의 구성요소인 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)가 외부에서 유입되는 수분, 산소 또는 불순물들로 인해서 산화 또는 손상되는 것을 방지하기 위한 봉지부(460)가 배치될 수 있다. 봉지부(460)는 순차적으로 적층되어 배치된 복수의 봉지층, 이물보상층 및 복수의 베리어필름(Barrier Film)을 포함할 수 있다. On the light emitting device 440, a bag for preventing the thin film transistor 420, which is a component of the electroluminescent display device 400, and the light emitting device 440 from being oxidized or damaged due to moisture, oxygen, or impurities introduced from the outside. The unit 460 may be disposed. The encapsulation unit 460 may include a plurality of encapsulation layers, a foreign material compensation layer, and a plurality of barrier films that are sequentially stacked and disposed.

봉지층은 박막 트렌지스터(420) 및 발광소자(440)의 상부 전면에 배치되며, 무기물인 실리콘질화물(SiNx) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 중 하나로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The encapsulation layer is disposed on the top surface of the thin film transistor 420 and the light emitting device 440, and may be formed of one of inorganic silicon nitride (SiNx) or aluminum oxide (AlyOz), but is not limited thereto.

봉지층 상에는 이물보상층이 배치되고, 이물보상층 상에는 봉지층이 더 배치될 수 있다. The foreign material compensation layer may be disposed on the encapsulation layer, and the encapsulation layer may be further disposed on the foreign material compensation layer.

이물보상층은, 예를 들어, 유기물인 실리콘옥시카본(SiOCz), 아크릴(Acryl) 또는 에폭시(Epoxy) 계열의 레진(Resin)으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 이물보상층은 공정 중에 발생될 수 있는 이물이나 파티클(Particle)에 의해서 발생된 크랙(Crack)에 의해 불량에 의해 발생된 굴곡 및 이물을 덮어 보상할 수 있다. The foreign material compensation layer may be formed of, for example, an organic material, silicon oxycarbon (SiOCz), acrylic, or epoxy resin, but is not limited thereto. The foreign material compensation layer may cover and compensate for the bend and foreign matter caused by the defect by the crack generated by the foreign matter or particles that may be generated during the process.

봉지층 및 이물보상층 상에는 베리어필름이 더 배치될 수 있다. 베리어 필름은 외부에서의 산소 및 수분의 침투를 지연시킬 수 있다. 베리어필름은 투광성 및 양면 접착성을 띠는 필름 형태로 구성되며, 예를 들어, 올레핀(Olefin) 계열, 아크릴(Acrylic) 계열 및 실리콘(Silicon) 계열 중 어느 하나의 절연재료로 구성될 수 있고, 또는 COP(Cyclolefin Polymer), COC(Cycloolefin Copolymer) 및 PC(Polycarbonate) 중 어느 하나의 재료로 구성된 베리어필름을 더 적층할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The barrier film may be further disposed on the encapsulation layer and the foreign material compensation layer. The barrier film can delay the penetration of oxygen and moisture from the outside. Barrier film is composed of a light-transmissive and double-sided film form, for example, may be composed of an insulating material of any one of the olefin (Olefin), acrylic (Acrylic) and silicon (Silicon), Alternatively, a barrier film made of any one material of Cyclolefin Polymer (COP), Cycloolefin Copolymer (COC), and Polycarbonate (PC) may be further laminated, but is not limited thereto.

도 4b 는 도 3에서 설명한 벤딩영역(B/A)의 상세구조에 대한 단면도이다.4B is a cross-sectional view of a detailed structure of the bending area B / A described with reference to FIG. 3.

도 4b의 일부 구성요소는 도 4a에서 설명된 구성요소와 실질적으로 동일/유사하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. Some components of FIG. 4B are substantially the same / similar to those described in FIG. 4A, and detailed descriptions thereof are omitted.

도 1 내지 도 3에서 설명한 게이트 신호 및 데이터 신호는 외부로부터 입력되고, 전계발광 표시장치(400)의 비표시영역(N/A)에 배치되는 회로배선을 거쳐서 표시영역(A/A)에 배치되어 있는 화소로 전달되어 발광되도록 한다. The gate signal and the data signal described with reference to FIGS. 1 to 3 are input from the outside and are disposed in the display area A / A via circuit wiring arranged in the non-display area N / A of the electroluminescent display device 400. It is transmitted to the pixel to be emitted light.

전계발광 표시장치(400)의 벤딩영역(B/A)을 포함한 비표시영역(N/A)에 배치되는 배선이 단층 구조로 형성되는 경우, 배선을 배치하기 위한 많은 공간이 요구된다. 일반적으로, 도전성 물질을 증착한 후, 형성하고자 하는 배선의 형상으로 도전성 물질을 에칭 등의 공정으로 패터닝하는데, 에칭 공정의 세밀도에는 한계가 있으므로 배선 사이의 간격을 좁히기 위한 한계로 인하여 많은 공간이 요구되므로, 비표시영역(N/A)의 면적이 커지게 되어 네로우 베젤 구현에 어려움이 발생할 수 있다. When the wiring disposed in the non-display area N / A including the bending area B / A of the electroluminescent display 400 is formed in a single layer structure, a large space for arranging the wiring is required. In general, after depositing the conductive material, the conductive material is patterned by a process such as etching in the shape of the wiring to be formed, but since the fineness of the etching process is limited, a lot of space is required due to the limitation for narrowing the space between the wirings. As it is required, the area of the non-display area N / A becomes large, which may cause difficulty in implementing the narrow bezel.

이와 함께, 하나의 신호를 전달하기 위해 하나의 배선을 사용하는 경우, 해당 배선에 크랙이 발생되는 경우 해당 신호가 제대로 전달되지 못할 수 있다. 플렉시블 기판(410)을 벤딩하는 과정에서 배선 자체에 크랙이 발생되는 경우도 있으나, 다른 층에 배치된 구성에 크랙이 발생되는 경우에도 크랙이 배선으로 전파될 수도 있다. 이와 같이, 배선에 크랙이 발생되는 경우에는 전달하는 신호가 전달되지 않을 수도 있다.In addition, when one wire is used to transmit one signal, if a crack occurs in the corresponding wire, the corresponding signal may not be properly transmitted. In the process of bending the flexible substrate 410, cracks may be generated in the wirings themselves, but cracks may be propagated through the wirings even when cracks are generated in the configuration disposed on other layers. As such, when a crack occurs in the wiring, a signal to be transmitted may not be transmitted.

이에 따라, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(400)의 벤딩영역(B/A)에 배치되는 배선은 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)의 이중배선 형태로 배치된다.Accordingly, the wirings arranged in the bending area B / A of the electroluminescent display device 400 according to the exemplary embodiment of the present specification are arranged in the form of double wiring of the first wiring 462 and the second wiring 464. .

제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 도전성 물질로 형성될 수 있고, 보다 상세하게, 플렉시블 기판(410)의 벤딩 시에 크랙이 발생하는 것을 줄이기 위해 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 예를 들어, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있고, 표시영역(A/A)에서 사용되는 다양한 도전성 물질 중 하나로 형성될 수 있으며, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu), 및 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금 등으로도 구성될 수도 있다. 그리고, 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 다양한 도전성 물질을 포함하는 다층구조로 구성될 수도 있으며, 예를 들어, 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti)의 3층구조로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.The first wiring 462 and the second wiring 464 may be formed of a conductive material, and more specifically, may be formed of a conductive material having excellent ductility in order to reduce cracking during bending of the flexible substrate 410. Can be. The first wiring 462 and the second wiring 464 may be formed of a conductive material having excellent ductility, for example, gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), and the like. Molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), copper (Cu), and silver (Ag). And an alloy of magnesium (Mg) and the like. In addition, the first wiring 462 and the second wiring 464 may have a multilayer structure including various conductive materials. For example, three of titanium (Ti) / aluminum (Al) / titanium (Ti) may be used. It may be configured as a layer structure, but is not limited thereto.

제1 배선(462) 및 제2 배선(464)을 보호하기 위해서 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)의 하부에는 무기절연층으로 이루어지는 버퍼층이 배치될 수도 있고, 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)의 상부 및 측부를 둘러싸도록 무기절연층으로 이루어지는 패시베이션층이 배치될 수 있어 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)이 수분 등과 반응하여 부식되는 등의 현상이 방지될 수도 있다.In order to protect the first wiring 462 and the second wiring 464, a buffer layer made of an inorganic insulating layer may be disposed below the first wiring 462 and the second wiring 464, and the first wiring 462 may be disposed. ) And a passivation layer made of an inorganic insulating layer may be disposed to surround the upper and side portions of the second wiring 464, such that the first wiring 462 and the second wiring 464 corrode in response to moisture or the like. This may be prevented.

벤딩영역(B/A)에 형성되는 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 벤딩되는 경우 인장력을 받게 된다. 도 3에서 설명한 바와 같이, 플렉시블 기판(410) 상에서 벤딩방향과 동일한 방향으로 연장되는 배선은 가장 큰 인장력을 받게 되고, 크랙이 발생할 수 있으며, 크랙이 심하면 단선이 발생할 수 있다. 따라서, 벤딩방향으로 연장되도록 배선을 형성하는 것이 아니라, 벤딩영역(B/A)을 포함하여 배치되는 배선 중 적어도 일부분은 벤딩 방향과 상이한 방향인 사선 방향으로 연장되도록 형성함으로써, 인장력을 최소화하여 크랙 발생을 줄일 수 있다. 배선의 형상은 마름모 형상, 삼각파 형상, 정현파 형상, 사다리꼴 형상 등으로 구성할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The first wire 462 and the second wire 464 formed in the bending area B / A are subjected to a tensile force when bent. As described with reference to FIG. 3, the wires extending in the same direction as the bending direction on the flexible substrate 410 may receive the greatest tensile force, cracks may occur, and disconnection may occur when the cracks are severe. Therefore, the wiring is not formed to extend in the bending direction, but at least a part of the wiring including the bending area B / A is formed to extend in an oblique direction which is different from the bending direction, thereby minimizing the tensile force and cracking. It can reduce the occurrence. The shape of the wiring may be configured in a rhombus shape, a triangular wave shape, a sine wave shape, a trapezoidal shape, or the like, but is not limited thereto.

플렉시블 기판(410) 상에는 제1 배선(462)이 배치되고 제1 배선(462) 상에는 제1 평탄화층(435)이 배치된다. 제1 평탄화층(435) 상에는 제2 배선(464)이 배치되고, 제2 배선(464) 상에는 제2 평탄화층(437)이 배치된다. The first wiring 462 is disposed on the flexible substrate 410, and the first planarization layer 435 is disposed on the first wiring 462. The second wiring 464 is disposed on the first planarization layer 435, and the second planarization layer 437 is disposed on the second wiring 464.

제1 평탄화층(435) 및 제2 평탄화층(437)은, 예를 들어, 아크릴계 수지(Acrylic Resin), 에폭시 수지(Epoxy Resin), 페놀 수지(Phenolic Resin), 폴리아미드계 수지(Polyamides Resin), 폴리이미드계 수지(Polyimides Resin), 불포화 폴리에스테르계 수지(Unsaturated Polyesters Resin), 폴리페닐렌계 수지(Polyphenylene Resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(Polyphenylenesulfides Resin), 및 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The first planarization layer 435 and the second planarization layer 437 are, for example, acrylic resin (Acrylic Resin), epoxy resin (Epoxy Resin), phenol resin (Phenolic Resin), polyamide resin (Polyamides Resin) , Polyimide resin (Polyimides Resin), unsaturated polyester resin (Unsaturated Polyester Resin), polyphenylene resin (Polyphenylene Resin), polyphenylene sulfide resin (Polyphenylenesulfides Resin), and benzocyclobutene (Benzocyclobutene) It may be formed of the above materials, but is not limited thereto.

제2 평탄화층(437) 상에는 마이크로 코팅층(Micro Coating Layer; 466)이 배치된다. 마이크로 코팅층(466)은 벤딩 시에 플렉시블 기판(410) 상에 배치되는 배선에 인장력이 작용하여 미세 크랙이 발생될 수 있으므로, 벤딩되는 위치에 얇은 두께로 레진(Resin)을 코팅하여 배선을 보호하는 역할을 할 수 있다. A micro coating layer 466 is disposed on the second planarization layer 437. Since the micro-coating layer 466 may apply a tensile force to the wiring disposed on the flexible substrate 410 during bending, fine cracks may be generated. Thus, the resin may be coated to a thin thickness at the bending position to protect the wiring. Can play a role.

도 5a는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 벤딩영역의 단면도이다. 5A is a cross-sectional view of a bending area of an electroluminescent display according to an exemplary embodiment of the present specification.

도 5a의 일부 구성요소는 도 3에서 설명된 구성요소와 실질적으로 동일/유사하며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. Some components of FIG. 5A are substantially the same / similar to those described in FIG. 3, and a detailed description thereof will be omitted.

도 5a를 참조하면, 플렉시블 기판(510) 상에는 터치스크린 패널(Touch Screen Panel; 530)이 접착층으로 고정되어 배치된다. 이때, 접착층은 투명한 접착 레진(Optically Cleared Resin; OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Cleared film; OCA film)일 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.Referring to FIG. 5A, a touch screen panel 530 is fixedly disposed on an adhesive layer on the flexible substrate 510. In this case, the adhesive layer may be a transparent adhesive resin (Optically Cleared Resin; OCR) or a transparent adhesive film (Optically Cleared film; OCA film), but is not limited thereto.

최근 표시장치의 입력수단으로서 마우스나 키보드와 같은 입력수단을 대체하여 사용자가 손가락이나 펜을 이용하여 표시장치의 화면에 직접 정보를 입력할 수 있는 터치스크린 패널(530)을 탑재한 표시장치가 다양한 분야에서 활용이 늘어나고 있다.Recently, a display device equipped with a touch screen panel 530 that replaces an input means such as a mouse or a keyboard as an input means of a display device and allows a user to directly input information on a screen of the display device using a finger or a pen. Increasing use in the field.

터치스크린 패널(530)은 사용자의 손이나 물체가 직접 접촉한 접촉위치를 전기적 신호로 변환하고, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 입력된다.The touch screen panel 530 converts a contact position of a user's hand or an object directly into an electrical signal, and an instruction selected at the contact position is input as an input signal.

터치스크린 패널(530)은 복수의 터치구동전극 및 복수의 터치감지전극이 교차되어 구성되는 상호-정전용량 방식(mutual-capacitance type)이 적용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 자기-정전용량 방식(self-capacitance type)이 적용될 수도 있다. 자기-정전용량 방식은 복수의 터치감지 전극으로만 배치된다. 이외에도, 터치스크린 패널(530)은 저항막 방식(resistive type) 또는 전자기 방식(electromagnetic type) 등 다양한 방식으로 구현될 수도 있다.The touch screen panel 530 may be a mutual-capacitance type configured by crossing a plurality of touch driving electrodes and a plurality of touch sensing electrodes, but is not limited thereto. (self-capacitance type) may be applied. The self-capacitance method is arranged only with a plurality of touch sensing electrodes. In addition, the touch screen panel 530 may be implemented in various ways, such as a resistive type or an electromagnetic type.

터치스크린 패널(530) 상에는 편광판(540)이 접착되어 배치된다. The polarizer 540 is bonded to the touch screen panel 530.

편광판(540)은 플렉시블 기판(510)의 표시영역(A/A) 상에서 외부 광의 반사를 억제한다. 전계발광 표시장치(500)가 외부에서 사용되는 경우, 외부 자연 광이 유입되어 발광소자의 애노드에 포함된 반사판에 의해 반사되거나, 발광소자 하부에 배치된 금속으로 구성된 전극에 의해 반사될 수 있다. 이와 같이 반사된 광들에 의해 전계발광 표시장치(500)의 영상이 시인되지 않을 수 있다. 이를 보완하기 위해 편광판(540)은 외부에서 유입된 광을 특정 방향으로 편광하며, 반사된 광이 다시 전계발광 표시장치(500)의 외부로 방출되지 못하게 한다. The polarizer 540 suppresses reflection of external light on the display area A / A of the flexible substrate 510. When the electroluminescent display device 500 is used externally, external natural light may be introduced and reflected by a reflector included in an anode of the light emitting device, or may be reflected by an electrode formed of a metal disposed under the light emitting device. As such, the image of the electroluminescent display 500 may not be viewed by the reflected light. To compensate for this, the polarizer 540 polarizes the light introduced from the outside in a specific direction, and prevents the reflected light from being emitted to the outside of the electroluminescent display 500 again.

편광판(540) 상에는 전계발광 표시장치(500)의 외관을 보호하는 커버 글라스(Cover Glass; 550)가 접착층에 의해 접착하여 배치될 수도 있다. A cover glass 550 that protects the appearance of the electroluminescent display 500 may be attached to the polarizer 540 by an adhesive layer.

플렉시블 기판(510) 하부에는 백플레이트(560)가 배치된다. 플렉시블 기판(510)이 폴리이미드와 같은 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 플렉시블 기판(510) 하부에는 유리로 이루어지는 지지기판이 배치된 상황에서 전계발광 표시장치(500)의 제조공정이 진행되고, 제조공정이 완료된 후 지지기판은 분리되어 릴리즈될 수 있다. The back plate 560 is disposed under the flexible substrate 510. When the flexible substrate 510 is made of a plastic material such as polyimide, a manufacturing process of the electroluminescent display device 500 is performed in a situation where a support substrate made of glass is disposed below the flexible substrate 510. After completion the support substrate can be released separately.

지지기판이 릴리즈된 이후에도 플렉시블 기판(510)을 지지하기 위한 구성요소가 필요하므로, 플렉시블 기판(510)을 지지하기 위한 백플레이트(560)가 플렉시블 기판(510)의 하부에 배치될 수 있다. Since a component for supporting the flexible substrate 510 is required even after the supporting substrate is released, a back plate 560 for supporting the flexible substrate 510 may be disposed under the flexible substrate 510.

백플레이트(560)는 벤딩영역(B/A)을 제외한 플렉시블 기판(510)의 다른 영역에서 벤딩영역(B/A)에 인접하도록 배치될 수 있다. 백플레이트(560)는, 예를 들어, 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리머들, 이들 폴리머들의 조합 등으로 형성된 플라스틱 박막으로 이루어질 수 있다.The back plate 560 may be disposed to be adjacent to the bending area B / A in another area of the flexible substrate 510 except for the bending area B / A. The backplate 560 may be made of, for example, a plastic thin film formed of polyimide, polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polymers, combinations of these polymers, or the like.

두 개의 백플레이트(560) 사이에는 지지부재(565)가 배치되고, 지지 부재(565)는 백플레이트(560)와 접착될 수 있다. 지지부재(565)는, 예를 들어, 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리머들, 이들 폴리머들의 조합 등과 같은 플라스틱 재료로 형성될 수 있다. 이러한 플라스틱 재료들로 형성된 지지부재(565)의 강도는 지지부재(565)의 두께 및 강도를 증가시키기 위한 첨가제들을 첨가하는 것에 의해 제어될 수 있다. 그리고, 지지부재(565)는 유리, 세라믹, 금속 또는 다른 강성이 있는(Rigid) 재료들 또는 전술한 재료들의 조합들로 형성될 수도 있다.A support member 565 is disposed between the two back plates 560, and the support member 565 may be attached to the back plate 560. The support member 565 is formed of a plastic material such as, for example, polycarbonate (PC), polyimide (PI), polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polymers, combinations of these polymers, and the like. Can be. The strength of the support member 565 formed of such plastic materials can be controlled by adding additives to increase the thickness and strength of the support member 565. And, the support member 565 may be formed of glass, ceramic, metal or other rigid materials, or combinations of the foregoing materials.

플렉시블 기판(510)의 끝단에는 절연필름(580)이 연결된다. 절연필름(580) 상에는 표시영역(A/A)에 배치된 화소로 신호를 전달하기 위한 다양한 배선이 형성된다. 절연필름(580)은 휘어질 수 있도록 플렉서빌리티를 갖는 재료로 형성된다. 절연필름(580)에는 구동소자가 장착될 수 있으며, 절연필름(580)과 함께 칩 온 필름(Chip on Film; COF)과 같은 구동 패키지(Package)를 형성하며, 절연필름(580) 상에 형성된 배선에 연결되어 구동 신호 및 데이터를 표시영역(A/A)에 배치된 화소에 제공한다.An insulating film 580 is connected to the end of the flexible substrate 510. Various wirings are formed on the insulating film 580 to transmit signals to the pixels disposed in the display area A / A. The insulating film 580 is formed of a material having flexibility to bend. A driving device may be mounted on the insulating film 580, and together with the insulating film 580, a driving package such as a chip on film (COF) is formed and formed on the insulating film 580. It is connected to the wiring to provide driving signals and data to the pixels disposed in the display area A / A.

절연필름(580)과 연결되는 회로기판은 외부로부터 영상신호를 입력받아 표시영역(A/A)에 배치된 화소에 다양한 신호를 인가할 수 있으며, 이러한 회로기판은 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board)일 수 있다.The circuit board connected to the insulating film 580 receives an image signal from the outside and applies various signals to the pixels disposed in the display area A / A. Such a circuit board is a printed circuit board. Can be.

플렉시블 기판(510)의 벤딩영역(B/A) 상에는 마이크로 코팅층(570)이 배치된다. 마이크로 코팅층(570)은 벤딩 시에 플렉시블 기판(510) 상에 배치되는 배선에 인장력이 작용하여 미세 크랙이 발생될 수 있으므로, 벤딩되는 위치에 얇은 두께로 코팅하여 배선을 보호하는 역할을 할 수 있다. 이때, 마이크로 코팅층(570)은 레진(Resin)으로 구성될 수 있으며, 예를 들어, 아크릴계 물질이나 우레탄 아크릴레이트로 구성될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.The micro coating layer 570 is disposed on the bending area B / A of the flexible substrate 510. The micro coating layer 570 may act to protect the wiring by coating a thin thickness at the bending position because a tensile force may be applied to the wiring disposed on the flexible substrate 510 during bending. . In this case, the micro coating layer 570 may be made of a resin (Resin), for example, may be made of an acrylic material or urethane acrylate, but is not limited thereto.

마이크로 코팅층(570)은 벤딩영역(B/A)의 중립면을 조절할 수 있다. 중립면은 구조물이 벤딩되는 경우, 구조물에 인가되는 압축력(Compressive Force)과 인장력(Tensile Force)이 서로 상쇄되어 응력을 받지 않는 가상의 면을 의미한다. 2개 이상의 구조물이 적층되어 있는 경우, 구조물들 사이에 가상의 중립면이 형성될 수 있다. 구조물 전체가 일 방향으로 벤딩하는 경우, 중립면을 기준으로 벤딩 방향에 배치되는 구조물들은 벤딩에 의해 압축되게 되므로 압축력을 받는다. 이와 반대로 중립면을 기준으로 벤딩 방향과 반대 방향에 배치되는 구조물들은 벤딩에 의해 늘어나게 되므로 인장력을 받는다. 그리고, 일반적으로 구조물들은 동일한 압축력과 인장력 중 인장력을 받는 경우에 더 취약하므로, 인장력을 받을 때 크랙이 발생할 확률이 더 높다.The micro coating layer 570 may adjust the neutral plane of the bending area B / A. The neutral plane refers to a virtual plane in which the compressive force and the tension force applied to the structure cancel each other and are not stressed when the structure is bent. When two or more structures are stacked, a virtual neutral plane may be formed between the structures. When the entire structure is bent in one direction, the structures arranged in the bending direction with respect to the neutral plane are compressed by bending and thus receive a compressive force. On the contrary, the structures arranged in the direction opposite to the bending direction with respect to the neutral plane are stretched by the bending and thus are subjected to tensile force. And, since structures are generally more vulnerable to being subjected to tensile force among the same compressive and tensile forces, cracks are more likely to occur when subjected to tensile force.

중립면을 기준으로 하부에 배치되는 플렉시블 기판(510)은 압축되므로 압축력을 받고, 상부에 배치되는 배선들은 인장력을 받을 수 있으며, 이에 따라 인장력에 의하여 크랙이 발생할 수 있다. 따라서, 배선이 받는 인장력을 최소화하기 위해서는 마이크로 코팅층(570)을 중립면 상에 위치시킬 수 있다.Since the flexible substrate 510 disposed below the neutral plane is compressed, the flexible substrate 510 is compressed, and thus, the wirings disposed above may receive a tensile force, and thus cracks may occur due to the tensile force. Therefore, in order to minimize the tensile force applied to the wiring, the micro coating layer 570 may be positioned on the neutral plane.

마이크로 코팅층(570)을 벤딩영역(B/A) 상에 배치시킴으로써, 중립면을 상부 방향으로 상승시킬 수 있으며, 중립면이 배선과 동일한 위치에 형성하거나 중립면보다 높은 위치에 위치하여 벤딩 시 응력을 받지 않거나 압축력을 받게 되어 크랙 발생을 억제할 수 있다.By arranging the micro coating layer 570 on the bending area B / A, the neutral plane can be raised upward, and the neutral plane is formed at the same position as the wiring or at a position higher than the neutral plane to stress the bending. It can not be received or compressive force can be suppressed crack generation.

이때, 벤딩영역(B/A)에 배치되는 마이크로 코팅층(570)의 두께는 하부에 배치되는 플렉시블 기판(510)에 대해서 중립면의 위치를 적절히 조절하기 위해 더 두꺼워질 수 있는데, 이렇게 마이크로 코팅층(570)의 두께가 두꺼워지면 마이크로 코팅층(570)의 최외곽면의 표면에 크랙이 발생될 수 있는 확률이 커지게 된다. In this case, the thickness of the micro coating layer 570 disposed in the bending area B / A may be thicker to appropriately adjust the position of the neutral plane with respect to the flexible substrate 510 disposed below. If the thickness of the 570 is increased, the probability that cracks may occur on the surface of the outermost surface of the micro coating layer 570 increases.

이와 함께, 마이크로 코팅층(570)을 두꺼운 두께로 코팅을 하기 위해서는 공정이 오랜시간 진행될 수 밖에 없고, 오랜 시간의 공정은 상대적으로 외부에서의 이물이 유입되는 확률이 높아져 불량이 발생될 수도 있다. In addition, in order to coat the micro coating layer 570 to a thick thickness, the process must be performed for a long time, and a long time process may have a relatively high probability of introducing foreign substances from the outside, thereby causing a defect.

플렉시블 기판(510)이 얇은 두께를 가지면 마이크로 코팅층(570)의 두께도 함께 얇아지게 되지만 이 경우 플렉시블 기판(510)의 내구성이 낮아지게 되어 불량이 발생될 확률이 더 커지게 된다. If the flexible substrate 510 has a thin thickness, the thickness of the micro coating layer 570 is also thinned, but in this case, the durability of the flexible substrate 510 is lowered, thereby increasing the probability of a defect being generated.

이에, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(500)는 위에서 언급한 문제점을 인식하고 벤딩영역(B/A)에서 플렉시블 기판(510)의 하부에 일정한 형태를 가지는 벤딩패턴(520)을 형성하여 상부에 배치되는 마이크로 코팅층(570)이 얇은 두께를 가질 때도 중립면의 위치가 동일하게 형성되도록 할 수 있다. Accordingly, the electroluminescent display device 500 according to the exemplary embodiment of the present disclosure recognizes the above-mentioned problem and uses the bending pattern 520 having a predetermined shape under the flexible substrate 510 in the bending area B / A. When the micro-coating layer 570 formed on the upper portion is formed to have a thin thickness, the neutral surface may be formed in the same position.

벤딩패턴(520)은 플렉시블 기판(510)의 벤딩영역(B/A) 하부에 배치될 수 있다. 예를 들면, 벤딩패턴(520)은 플렉시블 기판(510) 상에 배치된 마이크로 코팅층(570)이 배치된 면과 반대되는 플렉시블 기판(510)의 면에 배치될 수 있다. 이와 같은 벤딩패턴(520)에 의해 마이크로 코팅층(570)은 얇은 두께를 가질 수 있으며, 이에 따라 마이크로 코팅층(570)의 최외곽면에 발생될 수 있는 크랙을 방지하면서 코팅 공정시간을 단축시킬 수 있으므로, 공정 시 외부에서 이물이 유입되는 확률을 줄일 수 있는 효과가 있다. The bending pattern 520 may be disposed under the bending area B / A of the flexible substrate 510. For example, the bending pattern 520 may be disposed on the surface of the flexible substrate 510 opposite to the surface on which the micro coating layer 570 disposed on the flexible substrate 510 is disposed. By the bending pattern 520, the micro-coating layer 570 may have a thin thickness, thereby reducing the coating process time while preventing cracks that may occur on the outermost surface of the micro-coating layer 570. In addition, the process has the effect of reducing the probability of foreign matter introduced from the outside.

이와 함께, 벤딩패턴(520)은 플렉시블 기판(510)의 벤딩영역(B/A)을 벤딩하는 공정에서 용이하게 벤딩이 될 수 있는 효과도 가져올 수 있다. In addition, the bending pattern 520 may also have an effect that can be easily bent in the process of bending the bending area (B / A) of the flexible substrate 510.

마이크로 코팅층(570)은 플렉시블 기판(510)의 상부에 배치되며 벤딩패턴(520)은 벤딩영역(B/A)의 플렉시블 기판(510) 하면에 일정한 크기의 오목한 복수의 홈(Groove) 또는 홀(Hole)의 형태로 형성될 수 있다.The micro coating layer 570 is disposed on the flexible substrate 510, and the bending pattern 520 is formed on the lower surface of the flexible substrate 510 of the bending area B / A. Hole) may be formed in the form of.

이때, 벤딩패턴(520)의 단면은 삼각형, 사각형 및 반원 중 하나로 형성될 수 있으며, 플렉시블 기판(510) 하면으로부터 오목한 형태를 가지는 벤딩패턴(520)의 깊이는 플렉시블 기판(510)의 재질 및 두께에 따라 적절한 깊이를 가질 수 있다.In this case, the cross section of the bending pattern 520 may be formed as one of a triangle, a quadrangle, and a semi-circle, and the depth of the bending pattern 520 having a concave shape from the lower surface of the flexible substrate 510 is the material and thickness of the flexible substrate 510. It can have an appropriate depth.

벤딩패턴(520)의 상세 평면구조에 대해서는 도 5b 및 도 5c에서 상세히 설명한다. A detailed planar structure of the bending pattern 520 will be described in detail with reference to FIGS. 5B and 5C.

도 5b는 본 명세서의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 벤딩영역의 평면도이다. 5B is a plan view of a bending area of the electroluminescent display according to the first embodiment of the present specification.

도 5b의 일부 구성요소는 도 3 및 도 5a에서 설명된 구성요소와 실질적으로 동일 또는 유사하며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. Some components of FIG. 5B are substantially the same as or similar to those described in FIGS. 3 and 5A, and a detailed description thereof will be omitted.

본 명세서의 제1 실시예에 따른 전계발광 표시장치(500)는, 도 5b에 도시된 바와 같이, 벤딩영역(B/A)에서 플렉시블 기판(510)의 하부에 플렉시블 기판(510)의 끝단과 평행한 직선의 복수의 슬릿(Slit)이 예를 들어, 스트라이트(stripe) 무늬를 이루도록 복수의 오목한 홈(Groove)이 일정 거리 이격되어 배치된 벤딩패턴(520a)을 포함할 수 있다. 이때, 벤딩패턴(520a)을 이루는 복수의 슬릿의 갯수는 플렉시블 기판(510)의 재질 및 두께에 따라서 달라질 수 있다.As shown in FIG. 5B, the electroluminescent display device 500 according to the first exemplary embodiment of the present disclosure has an end portion of the flexible substrate 510 at the lower portion of the flexible substrate 510 in the bending area B / A. For example, the plurality of slits in parallel straight lines may include a bending pattern 520a disposed to be spaced apart from each other by a predetermined distance so as to form a stripe pattern. In this case, the number of slits forming the bending pattern 520a may vary depending on the material and the thickness of the flexible substrate 510.

벤딩패턴(520a)의 단면은 삼각형, 사각형 및 반원 중 하나로 형성할 수 있으며, 플렉시블 기판(510) 하면으로부터 오목한 형태를 가지는 벤딩패턴(520a)의 깊이는 플렉시블 기판(510)의 재질 및 두께에 따라 적절한 깊이를 가질 수 있다.The cross section of the bending pattern 520a may be formed as one of a triangle, a quadrangle, and a semicircle, and the depth of the bending pattern 520a having a concave shape from the lower surface of the flexible substrate 510 may vary depending on the material and thickness of the flexible substrate 510. It can have an appropriate depth.

벤딩패턴(520a)은 플렉시블 기판(510)의 제조공정 중에 릴리즈 되는 지지기판에 형성되는 희생층(Sacrifice Layer)을 이용하여 벤딩패턴(520a)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 플렉시블 기판(510)이 형성될 때 벤딩영역(B/A)의 하부에 벤딩패턴(520a)이 형성되고, 벤딩패턴(520a)은 지지기판이 분리되어 릴리즈되도록 하는 희생층 패터닝(Sacrifice Layer Patterning)으로 형성될 수 있다.The bending pattern 520a may form the bending pattern 520a using a sacrificial layer formed on the support substrate released during the manufacturing process of the flexible substrate 510. For example, when the flexible substrate 510 is formed, a bending pattern 520a is formed under the bending area B / A, and the bending pattern 520a is a sacrificial layer patterning pattern in which the support substrate is separated and released. Sacrifice Layer Patterning).

또는, 플렉시블 기판(510)이 형성될 때 벤딩영역(B/A)의 플렉시블 기판(510)의 하면에 레이저(Laser)를 사용하여 직접 형성하는 레이저 패터닝 (Laser Patterning)을 통해서 벤딩패턴(520a)을 형성할 수도 있으나, 이에 제한되지 않는다. Alternatively, when the flexible substrate 510 is formed, the bending pattern 520a is formed through laser patterning that is directly formed on the lower surface of the flexible substrate 510 of the bending area B / A by using a laser. It may be formed, but is not limited thereto.

도 5c는 본 명세서의 제2 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 벤딩영역의 평면도이다. 5C is a plan view of a bending area of an electroluminescent display according to a second exemplary embodiment of the present specification.

도 5c의 일부 구성요소는 도 3 및 도 5a에서 설명된 구성요소와 실질적으로 동일/유사하며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. Some components of FIG. 5C are substantially the same / similar to those described in FIGS. 3 and 5A, and a detailed description thereof will be omitted.

본 명세서의 제2 실시예에 따른 전계발광 표시장치(500)는, 도 5c에 도시된 바와 같이, 벤딩 영역(B/A)에서 플렉시블 기판(510)의 하면에는 일정한 크기의 사각형을 갖는 복수의 오목한 홀(Hole)이 격자 무늬를 이루도록 서로 일정 거리 이격하여 형성된 벤딩패턴(520b)이 배치된다. 이때, 벤딩패턴(520b)을 이루는 복수의 홀의 갯수는 플렉시블 기판(510)의 재질 및 두께에 따라서 달라질 수 있다.In the electroluminescent display device 500 according to the second exemplary embodiment of the present specification, as illustrated in FIG. 5C, a plurality of quadrangles having a constant size square on the bottom surface of the flexible substrate 510 in the bending area B / A. The bending patterns 520b formed to be spaced apart from each other by a predetermined distance such that the concave holes are formed in a lattice pattern are disposed. In this case, the number of holes forming the bending pattern 520b may vary depending on the material and the thickness of the flexible substrate 510.

벤딩패턴(520b)의 단면은 사각형, 삼각형, 원형 및 반원 중 하나로 형성할 수 있으며, 플렉시블 기판(510) 하면으로부터 오목한 형태를 가지는 벤딩패턴(520b)의 깊이는 플렉시블 기판(510)의 재질 및 두께에 따라 적절한 깊이를 가질 수 있다.The cross section of the bending pattern 520b may be formed as one of a rectangle, a triangle, a circle, and a semicircle, and the depth of the bending pattern 520b having a concave shape from the lower surface of the flexible substrate 510 may be the material and thickness of the flexible substrate 510. It can have an appropriate depth.

벤딩패턴(520b)은 플렉시블 기판(510)의 제조공정 중에 릴리즈 되는 지지기판에 형성되는 희생층(Sacrifice Layer)을 이용하여 벤딩패턴(520b)을 형성할 수 있다. 예를 들면, 플렉시블 기판(510)이 형성될 때 벤딩영역(B/A)의 하부에 벤딩패턴(520b)이 형성되고, 벤딩패턴(520b)은 지지기판이 분리되어 릴리즈되도록 하는 희생층 패터닝(Sacrifice Layer Patterning)으로 형성될 수 있다.The bending pattern 520b may form the bending pattern 520b using a sacrificial layer formed on the support substrate released during the manufacturing process of the flexible substrate 510. For example, when the flexible substrate 510 is formed, a bending pattern 520b is formed under the bending area B / A, and the bending pattern 520b is a sacrificial layer patterning pattern in which the support substrate is separated and released. Sacrifice Layer Patterning).

또는, 플렉시블 기판(510)이 형성될 때 벤딩영역(B/A)의 플렉시블 기판(510) 하면에 레이저(Laser)를 사용하여 직접 형성하는 레이저 패터닝 (Laser Patterning)을 통해서 벤딩패턴(520b)을 형성할 수도 있으나, 이에 제한되지 않는다. Alternatively, when the flexible substrate 510 is formed, the bending pattern 520b is formed through laser patterning that is directly formed on the lower surface of the flexible substrate 510 of the bending area B / A by using a laser. It may be formed, but is not limited thereto.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 벤딩패턴은 복수의 홀(Hole) 또는 홈(Groove)으로 이루어진다.The bending pattern of the flexible electroluminescent display device according to the exemplary embodiment of the present specification includes a plurality of holes or grooves.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 복수의 홀(Hole) 또는 홈(Groove)은 서로 일정 거리 이격되어 배치된다.A plurality of holes or grooves of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification are spaced apart from each other by a predetermined distance.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 벤딩패턴은 스트라이프(stripe) 무늬 또는 격자 무늬를 갖는다.The bending pattern of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification has a stripe pattern or a grid pattern.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 복수의 홀(Hole) 또는 홈(Groove)의 단면은 삼각형, 사각형 및 반원 중 하나의 형상으로 구성된다.Cross sections of the plurality of holes or grooves of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification are configured in the shape of one of a triangle, a quadrangle, and a semicircle.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 표시영역의 하면에는 백플레이트가 배치된다.A back plate is disposed on the bottom surface of the display area of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 백플레이트는 복수의 층으로 구성된다.The back plate of the flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification is composed of a plurality of layers.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 백플레이트의 복수의 층 중에서 적어도 한 층은 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 중 하나로 구성된다.At least one layer of the plurality of layers of the back plate of the flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification is composed of one of polyimide, polyethylene naphthalate (PEN), and polyethylene terephthalate (PET).

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 표시영역 상에는 터치 스크린패널, 편광판 및 커버 글라스가 더 배치된다.A touch screen panel, a polarizer, and a cover glass are further disposed on the display area of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치스크린 패널, 편광판 및 커버 글라스 사이에는 접착층이 배치되고, 접착층에 의해 서로 접착된다.An adhesive layer is disposed between the touch screen panel, the polarizing plate, and the cover glass of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification, and is bonded to each other by the adhesive layer.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 접착층은 투명한 접착 레진(Optically Cleared Resin, OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Cleared film, OCA film) 재질로 구성된다.The adhesive layer of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification is made of a transparent adhesive resin (Optically Cleared Resin (OCR)) or a transparent adhesive film (Optically Cleared film, OCA film) material.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판과 연결된 절연필름을 더 포함하며, 절연필름에는 회로구동소자가 배치된다.An insulating film connected to the flexible substrate of the flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present disclosure further comprises a circuit driving device.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 마이크로 커버층은 레진(Resin), 아크릴계 물질, 우레탄 아크릴레이트 중 하나로 구성된다.The micro cover layer of the flexible electroluminescent display device according to the exemplary embodiment of the present specification is composed of one of a resin, an acrylic material, and a urethane acrylate.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 벤딩패턴은 복수의 홀(Hole) 또는 홈(Groove)로 이루어지고, 복수의 홀(Hole) 또는 홈(Groove)은 서로 일정 거리 이격하여 배치된다.The bending pattern of the flexible electroluminescent display device according to the exemplary embodiment of the present specification is composed of a plurality of holes or grooves, and the plurality of holes or grooves are spaced apart from each other by a predetermined distance. .

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 복수의 홀(Hole) 또는 홈(Groove)의 단면은 삼각형, 사각형 및 반원 중의 하나의 형상으로 구성된다.Cross sections of the plurality of holes or grooves of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification are configured in the shape of one of a triangle, a quadrangle, and a semicircle.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치스크린 패널, 편광판 및 커버 글라스 사이에는 접착층이 배치되고, 접착층에 의해 서로 접착되어 고정된다.An adhesive layer is disposed between the touch screen panel, the polarizing plate, and the cover glass of the flexible electroluminescent display according to the exemplary embodiment of the present specification, and is bonded and fixed to each other by the adhesive layer.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be interpreted by the claims, and all technical ideas within the scope equivalent thereto should be construed as being included in the scope of the present invention.

100, 200, 300, 400, 500: 전계발광 표시장치
110: 영상처리부
120: 타이밍 컨트롤러
130: 데이터 구동부
140: 게이트 구동부
150: 표시패널
160: 화소
220: 게이트 라인
230: 데이터 라인
240: 스위칭트랜지스터
250: 구동트랜지스터
260: 보상회로
270, 440: 발광소자
310, 410, 510: 플렉시블 기판
370: 회로배선
390: 게이트 구동부
395: 패드
420: 박막 트랜지스터
422: 게이트 전극
424: 소스 전극
426: 드레인 전극
428: 반도체층
431: 제1 절연층
433: 제2 절연층
435: 제1 평탄화층
437: 제2 평탄화층
442: 애노드
444: 발광부
446: 캐소드
450: 뱅크
452: 스페이서
460: 봉지부
462: 제1 배선
464: 제2 배선
466, 570: 마이크로 코팅층
520, 520a, 520b: 벤딩패턴
530: 터치스크린 패널
540: 편광판
550: 커버글라스
560: 백플레이트
565: 지지부재
580: 절연필름
A/A: 표시영역 N/A: 비표시영역
B/A: 벤딩영역 S/L: 스캔라인100, 200, 300, 400, 500: electroluminescent display
110: image processing unit
120: timing controller
130: data driver
140: gate driver
150: display panel
160 pixels
220: gate line
230: data line
240: switching transistor
250: drive transistor
260: compensation circuit
270, 440: light emitting element
310, 410, 510: flexible substrate
370: circuit wiring
390: gate driver
395: pad
420: thin film transistor
422: gate electrode
424 source electrode
426: drain electrode
428: semiconductor layer
431: first insulating layer
433: second insulating layer
435: first planarization layer
437: second planarization layer
442: anode
444: light emitting unit
446: cathode
450: bank
452: spacer
460: encapsulation
462: first wiring
464: second wiring
466, 570: micro coating layer
520, 520a, 520b: bending pattern
530: touch screen panel
540: polarizer
550: cover glass
560: backplate
565: support member
580: insulation film
A / A: display area N / A: non-display area
B / A: Bending Area S / L: Scan Line

Claims

A flexible substrate including a display area and a bending area extended and bent from one side of the display area;
A thin film transistor and a light emitting element on the display area;
A micro coating layer disposed on the bending area; And
And a bending pattern disposed on an opposite surface of the flexible substrate opposite to a surface on which the micro coating layer is disposed.

According to claim 1,
The bending pattern includes a plurality of holes or grooves.

The method of claim 2,
The plurality of holes or grooves are disposed spaced apart from each other by a predetermined distance.

The method of claim 2,
And the bending pattern has a stripe pattern or a lattice pattern.

The method of claim 2,
And a cross section of the plurality of holes or grooves has a shape of one of a triangle, a square, and a semicircle.

According to claim 1,
And a back plate disposed on a lower surface of the display area.

The method of claim 6,
And the back plate is composed of a plurality of layers.

The method of claim 6,
And at least one of the plurality of layers of the backplate is comprised of one of polyimide, polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET).

According to claim 1,
And a touch screen panel, a polarizing plate, and a cover glass are further disposed on the display area.

The method of claim 9,
An adhesive layer is disposed between the touch screen panel, the polarizing plate, and the cover glass, and is bonded to each other by the adhesive layer.

The method of claim 10,
The adhesive layer is made of a transparent adhesive resin (Optically Cleared Resin (OCR)) or a transparent adhesive film (Optically Cleared film (OCA film) material, a flexible electroluminescent display device.

According to claim 1,
Further comprising an insulating film connected to the flexible substrate,
And a circuit driving element in the insulating film.

According to claim 1,
The micro cover layer is made of one of resin, acrylic material, urethane acrylate, flexible electroluminescent display.

A flexible substrate comprising a display area and a non-display area surrounding the display area and having a bending area;
A thin film transistor and a light emitting element on the display area;
A micro coating layer disposed on the bending area; And
And a bending pattern disposed on an opposite surface of the flexible substrate opposite to a surface on which the micro coating layer is disposed to reduce a thickness of the micro coating layer to suppress crack generation.

The method of claim 14,
The bending pattern may include a plurality of holes or grooves, and the plurality of holes or grooves may be spaced apart from each other by a predetermined distance.

The method of claim 15,
The cross-section of the plurality of holes (Hole) or groove (groove) is configured in the shape of one of the triangle, quadrangle and semi-circular, Flexible electroluminescent display device.

The method of claim 14,
And a back plate disposed on a lower surface of the display area.

The method of claim 14,
And a touch screen panel, a polarizing plate, and a cover glass are further disposed on the display area.

The method of claim 18,
An adhesive layer is disposed between the touch screen panel, the polarizing plate, and the cover glass, and is bonded and fixed to each other by the adhesive layer.

The method of claim 14,
The micro cover layer is made of one of resin, acrylic material, urethane acrylate, flexible electroluminescent display.