KR20190043676A - Flexible Electroluminescent Display Device - Google Patents

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KR20190043676A
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권익현
박정권
김문구
박찬
김용수
한상은
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

According to an embodiment of the present invention, a flexible electroluminescent display device comprises: a flexible substrate including a display region and a bending region extending from one side of the display region and bent; a thin film transistor and a light emitting element on a display region; a touch screen panel on the display region of the flexible substrate; a touch circuit board connected to the touch screen panel and bent at the outside of the bending region; a polarizing plate on the touch screen panel and covering a part of the touch circuit board; and a step difference compensating member which is adjacent to the touch circuit substrate and contacts the upper surface of the touch screen panel and the lower surface of the polarizing plate. Accordingly, a bezel area can be minimized.

Description

플렉시블 전계발광 표시장치{Flexible Electroluminescent Display Device}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a flexible electroluminescent display device,

본 명세서는 플렉시블 전계발광 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플렉시블 전계발광 표시장치의 베젤(Bezel)의 영역을 최소화할 수 있는 플렉시블 전계발광 표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flexible electroluminescence display device, and more particularly, to a flexible electroluminescence display device capable of minimizing a region of a bezel of a flexible electroluminescence display device.

본격적인 정보화 시대로 접어들면서 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시장치 분야가 급속도로 발전하고 있으며, 여러가지 표시장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다. As the era of information age approaches, there is a rapid development of a display device field for visually displaying electrical information signals. Researches are continuing to develop performance such as thinning, lightening, and low power consumption for various display devices.

대표적인 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display device; LCD), 전계방출 표시장치(Field Emission Display device; FED), 전기습윤 표시장치(Electro-Wetting Display device; EWD) 및 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device; OLED) 등을 들 수 있다. Typical display devices include a liquid crystal display device (LCD), a field emission display device (FED), an electro-wetting display device (EWD), and an organic light- Light Emitting Display Device (OLED), and the like.

유기발광 표시장치를 포함하는 전계발광 표시장치는 자체 발광형 표시장치로서, 액정 표시장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조가 가능하다. 또한, 전계발광 표시장치는 저전압 구동에 의해 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상구현, 응답속도, 시야각, 명암 대비비(Contrast Ratio; CR)도 우수하여, 다양한 분야에서 활용이 기대되고 있다.An electroluminescent display device including an organic light emitting display device is a self light emitting display device, and unlike a liquid crystal display device, a separate light source is not necessary, so that it can be manufactured in a light and thin shape. In addition, the electroluminescent display device is advantageous in terms of power consumption by low-voltage driving, and has excellent color implementation, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), and is expected to be utilized in various fields.

전계발광 표시장치에는 애노드(Anode)와 캐소드(Cathode)로 된 두 개의 전극 사이에 유기물을 사용한 발광층(Emissive Layer; EML)을 배치한다. 애노드에서의 정공(Hole)을 발광층으로 주입시키고, 캐소드에서의 전자(Electron)를 발광층으로 주입시키면, 주입된 전자와 정공이 서로 재결합하면서 발광층에서 여기자(Exciton)를 형성하며 발광한다. In the electroluminescence display device, an emissive layer (EML) using an organic material is disposed between two electrodes made of an anode and a cathode. When holes in the anode are injected into the light emitting layer and electrons in the cathode are injected into the light emitting layer, excited electrons and holes are recombined to form excitons in the light emitting layer.

발광층에는 호스트(Host) 물질과 도펀트(Dopant) 물질이 포함되어 두 물질의 상호작용이 발생한다. 호스트는 전자와 정공으로부터 여기자를 생성하고 도펀트로 에너지를 전달하는 역할을 하고, 도펀트는 소량이 첨가되는 염료성 유기물로, 호스트로부터 에너지를 받아서 광으로 전환시키는 역할을 한다. A host material and a dopant material are included in the light emitting layer to cause interaction between the two materials. The host generates excitons from electrons and holes and transfers energy to the dopant. The dopant is a dye organic material to which a small amount of dopant is added, and receives energy from the host and converts the light into light.

유기물로 이루어진 발광층을 포함하는 전계발광 표시장치는 유리(Glass), 금속(Metal) 또는 필름(Film)으로 전계발광 표시장치를 봉지(Encapsulation)하여 외부에서 전계발광 표시장치의 내부로 수분이나 산소의 유입을 차단하여 발광층 및 전극의 산화를 방지하고, 외부에서 가해지는 기계적 또는 물리적 충격으로부터 보호한다.An electroluminescent display device including a light emitting layer made of an organic material encapsulates an electroluminescence display device with a glass, a metal, or a film so that moisture or oxygen Thereby preventing oxidation of the light emitting layer and the electrode, and protecting it from mechanical or physical impact externally applied.

표시장치가 소형화됨에 따라, 표시장치의 동일 면적에서 유효 표시 화면 크기를 증가시키기 위해 표시영역(Active Area; A/A)의 외곽부인 베젤영역(Bezel Area) 을 축소시키려는 노력이 계속되고 있다. Efforts to reduce the bezel area, which is the outer portion of the active area (A / A), have been continued to increase the effective display screen size in the same area of the display device as the display device has become smaller.

일반적으로 비표시영역(Non-active Area; N/A)에 해당하는 베젤영역에는 화면을 구동시키기 위한 배선 및 구동회로가 배치되기 때문에, 베젤영역을 축소하는 데에는 한계가 있었다. Generally, a bezel area corresponding to a non-active area (N / A) has a wiring and a driving circuit for driving the screen disposed therein.

최근 개발되고 있는 플라스틱(Plastic)과 같은 연성재료의 플렉시블 기판(Flexible Substrate)을 적용하여 휘어져도 표시성능을 유지할 수 있는 플렉시블 전계발광 표시장치와 관련하여, 배선 및 구동회로를 위한 면적을 확보하면서도 베젤영역을 축소시키기 위해서 플렉시블 기판의 비표시영역을 벤딩(Bending)하여 베젤영역을 축소시키는 기술이 개발되어 적용하고 있다.With respect to a flexible electroluminescent display device capable of maintaining the display performance even when bent by applying a flexible substrate of a flexible material such as plastic, which has been recently developed, an area for a wiring and a driving circuit is secured, A technology for reducing a bezel area by bending a non-display area of a flexible substrate to reduce an area has been developed and applied.

그리고, 플라스틱 등과 같이 플렉시블 기판을 사용한 전계발광 표시장치는 기판, 기판 상에 배치되는 각종 절연층 및 금속물질로 형성되는 배선 등의 플렉서빌리티(Flexibility)를 확보하고, 벤딩으로 발생될 수 있는 크랙(Crack)과 같은 불량을 방지하는 것이 필요하다. An electroluminescent display device using a flexible substrate such as a plastic substrate has flexibility of a substrate, various insulating layers disposed on the substrate, wiring formed of a metal material, etc., and a crack It is necessary to prevent defects such as cracks.

이와 함께, 표시장치의 입력수단으로서 종래에 적용되었던 마우스나 키보드와 같은 입력수단을 대체하여 사용자가 손가락이나 펜을 이용하여 표시장치의 화면에 직접 정보를 입력할 수 있는 터치스크린 패널(Touch Screen Panel)을 탑재한 표시장치가 다양한 분야에서 활용이 늘어나고 있다.In addition, as a means of inputting a display device, a touch screen panel (Touch Screen Panel) which can input information directly to a screen of a display device by using a finger or a pen instead of an input means such as a mouse or a keyboard, ) Is increasingly used in various fields.

표시장치의 상부에 배치되는 터치스크린 패널은 사용자의 손이나 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적신호로 변환하며, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여지고 이를 표시장치를 통해서 화면에 나타낸다. The touch screen panel disposed on the upper portion of the display device converts a contact position directly touching the user's hand or object into an electrical signal, and the instruction content selected at the contact position is received as an input signal and displayed on the screen through the display device.

그리고, 표시장치의 비표시영역인 베젤영역에 배치되는 터치회로기판은 터치스크린 패널을 구동시키기 위해서 터치스크린 패널과 연결되는 배선 및 터치회로가 배치되며, 배선 및 터치회로에 대한 면적을 확보되어야 하기 때문에 표시장치의 베젤영역 축소에 장애가 되고 있었다. The touch circuit board disposed in the bezel area, which is a non-display area of the display device, includes a wiring and a touch circuit connected to the touch screen panel for driving the touch screen panel. As a result, the bezel area of the display device has been obstructed.

이에, 본 명세서의 발명자들은 전계발광 표시장치에서 베젤영역에 배치되는 터치스크린 패널의 터치회로기판의 영역을 최소화할 수 있는 새로운 구조의 전계발광 표시장치를 발명하였다. Therefore, the inventors of the present invention have invented a new structure of an electroluminescent display device capable of minimizing a region of a touch circuit board of a touch screen panel disposed in a bezel region in an electroluminescent display device.

그리고, 본 명세서의 발명자들은 전계발광 표시장치의 해상도가 점점 증가함에 따라, 배선을 배치할 공간이 부족함을 인식하고, 제한된 공간 내에서 배선을 보다 자유롭게 배치할 수 있는 새로운 구조의 전계발광 표시장치를 발명하였다.The inventors of the present invention have recognized that a space for arranging wiring is insufficient as the resolution of an electroluminescence display device increases, and realize a new structure of an electroluminescence display device capable of arranging wiring more freely in a limited space Invented.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역, 및 표시영역의 일측에서 연장되어 벤딩된 벤딩영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 있는 박막트랜지스터 및 발광소자, 플렉시블 기판의 표시영역 상에 있는 터치스크린패널, 터치스크린패널과 연결되며 벤딩영역의 외곽에서 벤딩된 터치회로기판, 터치스크린패널 상에 있으며, 터치회로기판의 일부를 덮는 편광판, 및 터치회로기판과 인접하며, 터치스크린패널의 상면 및 편광판의 하면과 접하는 단차보상부재를 포함한다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a flexible substrate including a display region and a bending region extending from one side of the display region, a thin film transistor and a light emitting element on the display region, a display region A touch screen panel on the touch screen panel, a touch circuit board bent on the periphery of the bending area and connected to the touch screen panel, a polarizer on the touch screen panel, a polarizer covering a part of the touch circuit board, And a step difference compensating member contacting the upper surface of the panel and the lower surface of the polarizing plate.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역 및 표시영역의 외곽을 두르고, 벤딩영역을 구비하는 비표시영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 있는 박막트랜지스터 및 발광소자, 플렉시블 기판의 표시영역 상에 있는 터치스크린패널, 터치스크린패널과 연결되고 벤딩된 벤딩영역의 외곽에서 벤딩된 터치회로기판, 터치스크린패널 상에 있으며, 터치회로기판의 일부를 덮는 편광판, 및 터치스크린패널과 터치회로기판의 끝단과의 단차를 채우는 단차보상부재를 포함하며, 단차보상부재는 터치스크린패널의 상면 및 편광판의 하면과 접한다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a flexible substrate including a non-display region having a display region and a periphery of a display region and having a bending region, a thin film transistor and a light emitting element on the display region, A touch screen panel on the display area of the touch screen panel, a touch circuit board bent at the periphery of the bent bending area connected to the touch screen panel, a polarizer plate covering a part of the touch circuit board on the touch screen panel, And a step difference compensating member which fills a step with the end of the touch circuit board, wherein the step difference compensating member contacts the upper surface of the touch screen panel and the lower surface of the polarizing plate.

본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 플렉시블 기판의 상부에 배치되는 터치스크린 패널에 포함되는 터치회로기판의 영역을 축소하여 베젤영역을 최소화할 수 있는 효과가 있다.The electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention can minimize the bezel area by reducing the area of the touch circuit board included in the touch screen panel disposed on the upper portion of the flexible substrate.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 플렉시블 전계발광 표시장치에 사용되는 배선을 제한된 공간 내에서 보다 자유롭게 배치할 수 있는 효과가 있다.The flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention has an effect that the wirings used in the flexible electroluminescent display device can be arranged more freely in a limited space.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.Effects of the flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 명세서의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 명세서의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.The scope of the claims is not limited by the matters described in the description of the specification, as the contents of the description in the problems, the solutions to the problems, and the effects described above do not specify the essential features of the claims.

도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 블록도이다.
도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함되는 화소의 회로도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판 및 터치스크린 패널의 평면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 표시영역 및 벤딩영역의 상세구조 단면도이다.
도 5는 본 명세서의 일 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 벤딩영역의 단면도이다.
1 is a block diagram of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram of a pixel included in an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.
3A and 3B are plan views of a flexible substrate and a touch screen panel of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.
4A and 4B are cross-sectional views illustrating a detailed structure of a display region and a bending region of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a bending region of a flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments of the present invention may be combined or combined with each other, partially or wholly, technically various interlocking and driving, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 블록도이다. 1 is a block diagram of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 전계발광 표시장치(100)는 영상처리부(110), 타이밍 컨트롤러(120), 데이터드라이버(130), 게이트드라이버(140) 및 표시패널(150)을 포함한다.Referring to FIG. 1, an EL display device 100 includes an image processing unit 110, a timing controller 120, a data driver 130, a gate driver 140, and a display panel 150.

영상처리부(110)는 외부로부터 공급된 데이터신호(DATA)와 더불어 데이터인에이블신호(DE) 등을 출력한다. 영상처리부(110)는 데이터인에이블신호(DE) 외에도 수직동기신호, 수평동기신호 및 클럭신호 중 하나 이상을 출력할 수 있다.The image processing unit 110 outputs a data enable signal DE together with a data signal DATA supplied from the outside. The image processing unit 110 may output at least one of a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and a clock signal in addition to the data enable signal DE.

타이밍컨트롤러(120)는 영상처리부(110)로부터 데이터인에이블신호(DE) 또는 수직동기신호, 수평동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 데이터신호(DATA)를 공급받는다. 타이밍컨트롤러(120)는 구동신호에 기초하여 게이트드라이버(140)의 동작타이밍을 제어하기 위한 게이트타이밍 제어신호(GDC)와 데이터드라이버(130)의 동작타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍제어신호(DDC)를 출력한다. The timing controller 120 receives a data enable signal DE or a data signal DATA in addition to a drive signal including a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and a clock signal from the image processing unit 110. The timing controller 120 generates a gate timing control signal GDC for controlling the operation timing of the gate driver 140 and a data timing control signal DDC for controlling the operation timing of the data driver 130 based on the drive signal. .

데이터드라이버(130)는 타이밍컨트롤러(120)로부터 공급된 데이터타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍컨트롤러(120)로부터 공급되는 데이터신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압으로 변환하여 출력한다. 데이터드라이버(130)는 데이터라인들(DL1~DLn)을 통해 데이터신호(DATA)를 출력한다.The data driver 130 samples and latches the data signal DATA supplied from the timing controller 120 in response to the data timing control signal DDC supplied from the timing controller 120 and converts the sampled data signal into a gamma reference voltage . The data driver 130 outputs the data signal DATA through the data lines DL1 to DLn.

게이트드라이버(140)는 타이밍컨트롤러(120)로부터 공급된 게이트타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트전압의 레벨을 시프트시키면서 게이트신호를 출력한다. 게이트드라이버(140)는 게이트라인들(GL1~GLm)을 통해 게이트신호를 출력한다. The gate driver 140 outputs a gate signal while shifting the level of the gate voltage in response to the gate timing control signal GDC supplied from the timing controller 120. The gate driver 140 outputs the gate signal through the gate lines GL1 to GLm.

표시패널(150)은 데이터드라이버(130) 및 게이트드라이버(140)로부터 공급된 데이터신호(DATA) 및 게이트신호에 대응하여 화소(160)가 발광하면서 영상을 표시한다. 화소(160)의 상세구조는 도 2 및 도 3에서 설명한다.The display panel 150 displays an image while the pixel 160 emits light corresponding to the data signal DATA and the gate signal supplied from the data driver 130 and the gate driver 140. The detailed structure of the pixel 160 will be described in FIG. 2 and FIG.

도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함되는 화소의 회로도이다.2 is a circuit diagram of a pixel included in an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 전계발광 표시장치(200)의 화소는 스위칭 트랜지스터(240), 구동 트랜지스터(250), 보상회로(260) 및 발광소자(270)를 포함한다. 2, a pixel of the EL display device 200 includes a switching transistor 240, a driving transistor 250, a compensation circuit 260, and a light emitting element 270.

발광소자(270)는 구동 트랜지스터(250)에 의해 형성된 구동전류에 따라 발광하도록 동작한다.The light emitting element 270 operates to emit light in accordance with the driving current generated by the driving transistor 250.

스위칭 트랜지스터(240)는 게이트라인(220)을 통해 공급된 게이트신호에 대응하여 데이터라인(230)을 통해 공급되는 데이터신호가 커패시터(Capacitor)에 데이터 전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. The switching transistor 240 performs a switching operation so that a data signal supplied through the data line 230 corresponding to the gate signal supplied through the gate line 220 is stored in the capacitor as a data voltage.

구동 트랜지스터(250)는 커패시터에 저장된 데이터전압에 대응하여 고전위 전원라인(VDD)과 저전위 전원라인(GND) 사이로 일정한 구동전류가 흐르도록 동작한다. The driving transistor 250 operates so that a constant driving current flows between the high potential power supply line VDD and the low potential power supply line GND in response to the data voltage stored in the capacitor.

보상회로(260)는 구동 트랜지스터(250)의 문턱전압 등을 보상하기 위한 회로이며, 보상회로(260)는 하나 이상의 박막 트랜지스터와 커패시터를 포함한다. 보상회로의 구성은 보상 방법에 따라 매우 다양할 수 있다. The compensation circuit 260 is a circuit for compensating the threshold voltage and the like of the driving transistor 250, and the compensation circuit 260 includes at least one thin film transistor and a capacitor. The configuration of the compensation circuit may vary widely depending on the compensation method.

그리고, 전계발광 표시장치(200)의 화소는 스위칭 트랜지스터(240), 구동 트랜지스터(250), 커패시터 및 발광소자(270)를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성되며, 보상회로(260)가 추가된 경우 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T1C, 6T2C, 7T1C, 7T2C 등으로 다양하게 형성할 수 있다.The pixel of the electroluminescence display device 200 is composed of a 2T (Transistor) 1C (capacitor) structure including a switching transistor 240, a driving transistor 250, a capacitor and a light emitting element 270, 260 can be additionally formed in the present invention, it can be formed into 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T1C, 6T2C, 7T1C, 7T2C and the like.

도 3a 및 도 3b는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판 및 터치스크린 패널의 평면도이다. 3A and 3B are plan views of a flexible substrate and a touch screen panel of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.

도 3a는 플렉시블 전계발광 표시장치(300)의 플렉시블 기판(310)이 벤딩되지 않은 상태이고, 도 3b는 도 3a의 플렉시블 기판(310) 상에 배치되는 터치스크린 패널(320)이다.3A is a state in which the flexible substrate 310 of the flexible electro-luminescence display device 300 is not bent, and FIG. 3B is a touch screen panel 320 disposed on the flexible substrate 310 of FIG. 3A.

도 3a를 참조하면, 플렉시블 전계발광 표시장치(300)는 플렉시블 기판(310) 상에 박막 트랜지스터 및 발광소자를 통해서 실제로 광을 발광하는 화소가 배치되는 표시영역(Active Area; A/A) 및 표시영역(A/A)의 가장자리의 외곽을 둘러싸는 비표시영역(Non-active Area; N/A)을 포함한다.3A, the flexible electroluminescent display device 300 includes a flexible substrate 310, a thin film transistor and a display area (A / A) in which pixels for actually emitting light are disposed through the light emitting element, And a non-active area (N / A) surrounding the periphery of the edge of the area A / A.

플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)에는 플렉시블 전계발광 표시장치(300)의 구동을 위한 게이트구동부(390) 등과 같은 회로 및 스캔라인(Scan Line; S/L) 등과 같은 다양한 신호배선이 배치될 수 있다. 그리고, 플렉시블 전계발광 표시장치(300)의 구동을 위한 회로는 기판(310) 상에 GIP(Gate in Panel)로 배치되거나, TCP(Tape Carrier Package) 또는 COF(Chip on Film) 방식으로 플렉시블 기판(310)에 연결될 수도 있다. A circuit such as a gate driver 390 for driving the flexible electro-luminescent display device 300 and various circuits such as a scan line (S / L) are connected to the non-display area N / A of the flexible substrate 310, Wiring can be arranged. The circuit for driving the flexible electroluminescence display device 300 may be arranged in a GIP (Gate in Panel) on the substrate 310 or a flexible substrate such as TCP (Tape Carrier Package) or COF (Chip on Film) 310, respectively.

비표시영역(N/A)의 기판(310)의 일 측에 패드(395)가 배치된다. 패드(395)는 외부 모듈이 본딩되는(Bonded) 금속 패턴이다.A pad 395 is disposed on one side of the substrate 310 of the non-display area N / A. The pad 395 is a metal pattern to which the external module is bonded.

플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)의 일부를 화살표와 같은 벤딩방향으로 구부려서 벤딩영역(B/A)을 형성할 수 있다. 플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)은 화면을 구동시키기 위한 배선 및 구동회로가 배치되며, 화상이 표시되는 영역이 아니므로, 플렉시블 기판(310)의 상면에서 시인될 필요가 없다. 따라서, 플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)의 일부영역을 벤딩하여 배선 및 구동회로를 위한 면적을 확보하면서도 베젤영역을 축소시킬 수 있다.The bending area B / A can be formed by bending a part of the non-display area N / A of the flexible substrate 310 in the bending direction as shown by the arrow. The non-display area N / A of the flexible substrate 310 is not required to be visually recognized on the upper surface of the flexible substrate 310 because the wiring and the drive circuit for driving the screen are disposed and not the area where the image is displayed . Therefore, a portion of the non-display area N / A of the flexible substrate 310 can be bent to reduce the area of the bezel while securing an area for the wiring and the driver circuit.

플렉시블 기판(310) 상에는 다양한 배선들이 형성된다. 배선은 기판(310)의 표시 영역(A/A)에 형성될 수도 있다. 또는, 비표시영역(N/A)에 형성되는 회로배선(370)는 구동회로 또는 게이트드라이버, 데이터드라이버 등을 연결하여 신호를 전달할 수 있다. Various wirings are formed on the flexible substrate 310. The wiring may be formed in the display area A / A of the substrate 310. [ Alternatively, the circuit wiring 370 formed in the non-display area N / A may transmit a signal by connecting a driving circuit, a gate driver, a data driver, or the like.

회로배선(370)은 도전성물질로 형성되며, 기판(310)의 벤딩 시에 크랙이 발생하는 것을 줄이기 위해 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 회로배선(370)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있고, 표시영역(A/A)에서 사용되는 다양한 도전성물질 중 하나로 형성될 수 있으며, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu), 및 은(Ag) 과 마그네슘(Mg) 의 합금 등으로도 구성될 수도 있다. 그리고, 회로배선(370)은 다양한 도전성물질을 포함하는 다층구조로 구성될 수도 있으며, 예를 들어, 티타늄 (Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti) 3층구조로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다.The circuit wiring 370 is formed of a conductive material and may be formed of a conductive material having excellent ductility to reduce the occurrence of cracks when the substrate 310 is bent. For example, the circuit wiring 370 may be formed of a conductive material having excellent ductility such as gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al), or the like and may be formed of various conductive materials And may be formed of any one of molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), copper (Cu), and alloys of silver (Ag) . ≪ / RTI > The circuit wiring 370 may be formed of a multilayer structure including various conductive materials, for example, a three-layer structure of titanium (Ti) / aluminum (Al) / titanium (Ti) But is not limited to.

벤딩영역(B/A)에 형성되는 회로배선(370)은 벤딩되는 경우 인장력을 받게 된다. 예를 들면, 플렉시블 기판(310) 상에서 벤딩방향(화살표로 표시)과 동일한 방향으로 연장하는 회로배선(370)이 가장 큰 인장력을 받게 되어, 크랙이 발생할 수 있으며, 크랙이 심할 경우 단선이 발생할 수 있다. 따라서, 벤딩방향으로 연장하도록 회로배선(370)을 형성하는 것이 아니라, 벤딩영역(B/A)을 포함하여 배치되는 회로배선(370) 중 적어도 일부분은 벤딩 방향과 상이한 방향인 사선 방향으로 연장하도록 형성함으로써, 인장력을 최소화하여 크랙 발생을 최소화할 수 있다. The circuit wiring 370 formed in the bending area B / A is subjected to tensile force when bent. For example, the circuit wiring 370 extending on the flexible substrate 310 in the same direction as the bending direction (indicated by an arrow) is subjected to the greatest tensile force, so that cracks may occur. If the cracks are severe, have. Therefore, instead of forming the circuit wiring 370 so as to extend in the bending direction, at least a part of the circuit wiring 370 arranged to include the bending area B / A may be extended in a diagonal direction different from the bending direction The tensile force can be minimized and the occurrence of cracks can be minimized.

벤딩영역(B/A)을 포함하여 배치되는 회로배선(370)은 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 사다리꼴파 형상, 삼각파 형상, 톱니파 형상, 정현파 형상, 오메가 (Ω) 형상, 마름모 형상 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. The circuit wiring 370 including the bending region B / A may be formed in various shapes and may be formed in various shapes such as a trapezoidal wave shape, a triangular wave shape, a sawtooth wave shape, a sinusoidal wave shape, an omega Shape, or the like.

도 3b를 참조하면, 터치스크린 패널(320)은 도 3a에서 설명한 플렉시블 기판(310) 상에 배치된다. Referring to FIG. 3B, the touch screen panel 320 is disposed on the flexible substrate 310 described with reference to FIG. 3A.

터치스크린 패널(320)은 플렉시블 기판(310)의 표시영역(A/A) 상에 대응하여 배치되는 터치영역(Touch Area; T/A) 및 표시영역(A/A)의 가장자리의 외곽을 둘러싸는 비표시영역(N/A) 상에 대응하여 배치되는 (Non-Touch Area; NT/A)을 포함한다.The touch screen panel 320 surrounds the outer edge of the touch area T / A and the edge of the display area A / A disposed correspondingly on the display area A / A of the flexible substrate 310 (Non-Touch Area) (NT / A) arranged corresponding to the non-display area N / A.

터치전극(325)은 터치스크린 패널(320)의 터치영역(T/A)에 배치된다. 터치전극(325)은 복수의 터치구동전극(Tx) 및 복수의 터치감지전극(Rx)이 교차되도록 구성될 수 있다. The touch electrode 325 is disposed in the touch area T / A of the touch screen panel 320. The touch electrode 325 may be configured to cross a plurality of touch driving electrodes Tx and a plurality of touch sensing electrodes Rx.

복수의 터치구동전극(Tx) 및 복수의 터치감지 전극(Rx)이 교차되도록 구성된 터치전극(325)으로 구성되는 상호-정전용량방식(mutual-capacitance type)이 적용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 자기-정전용량 방식(self-capacitance type)이 적용될 수도 있다. 자기-정전용량 방식은 복수의 터치 감지 전극(Rx)들로만 배치된다. 그리고, 터치스크린 패널(320)은 저항막방식(resistive type) 또는 전자기방식(electromagnetic type) 등 다양한 방식으로 구현될 수도 있다.A mutual-capacitance type including a plurality of touch driving electrodes Tx and a plurality of touch electrodes 325 crossing the touch sensing electrodes Rx may be applied. However, the present invention is not limited thereto, , A self-capacitance type may be applied. The self-capacitance method is disposed only on the plurality of touch sensing electrodes (Rx). In addition, the touch screen panel 320 may be implemented in various ways such as a resistive type or an electromagnetic type.

터치패드(330)는 터치스크린 패널(320)의 비터치영역(NT/A)에 배치되며, 플렉시블 기판(320) 상의 비표시영역(N/A) 상에 대응하여 배치된다. The touch pad 330 is disposed in the non-touch area NT / A of the touch screen panel 320 and is disposed corresponding to the non-display area N / A on the flexible substrate 320.

터치연결배선(335)은 터치전극(325)과 터치패드(330)를 전기적으로 연결시키는 역할을 하며, 터치스크린 패널(320)의 비터치영역(NT/A) 상에 대응하여 배치된다.The touch connection wiring 335 serves to electrically connect the touch electrode 325 and the touch pad 330 and is disposed corresponding to the non-touch area NT / A of the touch screen panel 320. [

터치스크린 패널(320)의 끝단에는 터치패드(335)와 연결되며, 절연필름으로 구성된 터치회로기판(340)이 배치된다.The touch screen panel 320 is connected to the touch pad 335 at an end thereof, and a touch circuit board 340 composed of an insulating film is disposed.

터치회로기판(340) 상에는 터치영역(T/A)에 배치된 터치전극(325)과 서로 신호를 전달하기 위한 다양한 배선과 터치입력을 센싱하기 위한 터치센싱회로를 포함할 수 있으며, 연성인쇄회로 기판(Flexible Printed Circuit Board)으로 구성할 수 있다. The touch circuit board 340 may include a touch sensing circuit for sensing a touch input and various wires for transmitting signals to the touch electrode 325 disposed in the touch area T / (Flexible Printed Circuit Board).

터치회로기판(340)은 도 3a에서 설명한 플렉시블 기판(310)의 벤딩영역(B/A)의 외곽을 두르며 벤딩되어 배치할 수 있으며, 벤딩영역(B/A)의 상세 구조에 대해서는 도 5에서 설명한다.The touch circuit board 340 can be bent and disposed at the outer periphery of the bending area B / A of the flexible substrate 310 described with reference to FIG. 3A, and the detailed structure of the bending area B / .

도 4a 및 도 4b는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 표시영역 및 벤딩영역의 상세구조 단면도이다. 4A and 4B are cross-sectional views illustrating a detailed structure of a display region and a bending region of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.

도 4a 는 도 3a에서 설명한 표시영역(A/A)의 상세구조에 대한 단면도이다. 4A is a sectional view of the detailed structure of the display area A / A described with reference to FIG. 3A.

도 4a를 참조하면, 기판(410)은 상부에 배치되는 전계발광 표시장치(400)의 구성요소들을 지지 및 보호하는 역할을 하며, 최근에는 플렉시블 특성을 가지는 연성의 물질로 이루어질 수 있으므로, 기판(410)은 플렉시블 기판일 수 있다. 예를 들면, 플렉시블 기판은 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군 중 하나를 포함하는 필름형태일 수 있다. Referring to FIG. 4A, the substrate 410 supports and protects the elements of the EL display device 400 disposed at the upper portion. In recent years, the substrate 410 may be made of a flexible material having a flexible characteristic, 410 may be a flexible substrate. For example, the flexible substrate may be in the form of a film comprising one of the group consisting of a polyester-based polymer, a silicon-based polymer, an acrylic polymer, a polyolefin-based polymer, and a copolymer thereof.

예를 들면, 기판(410)은 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트 (PBT), 폴리실란 (polysilane), 폴리실록산 (polysiloxane), 폴리실라잔 (polysilazane), 폴리카르보실란 (polycarbosilane), 폴리아크릴레이트 (polyacrylate), 폴리메타크릴레이트 (polymethacrylate), 폴리메틸아크릴레이트 (polymethylacrylate), 폴리메틸메타크릴레이트 (polymethylmetacrylate), 폴리에틸아크릴레이트 (polyethylacrylate), 폴리에틸메타크릴레이트 (polyethylmetacrylate), 사이클릭 올레핀 코폴리머 (COC), 사이클릭 올레핀 폴리머 (COP), 폴리에틸렌 (PE), 폴리프로필렌 (PP), 폴리이미드 (PI), 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA), 폴리스타이렌 (PS), 폴리아세탈 (POM), 폴리에테르에테르케톤 (PEEK), 폴리에스테르설폰 (PES), 폴리테트라플루오로에틸렌 (PTFE), 폴리비닐클로라이드 (PVC), 폴리카보네이트 (PC), 폴리비닐리덴플로라이드 (PVDF), 퍼플루오로알킬 고분자 (PFA), 스타이렌아크릴나이트릴코폴리머 (SAN) 및 이들의 조합 중에서 적어도 하나로 구성될 수 있다. For example, the substrate 410 may be formed of a material selected from the group consisting of polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), polysilane, polysiloxane, polysilazane, polycarbosilane, But are not limited to, polyacrylate, polymethacrylate, polymethylacrylate, polymethylmetacrylate, polyethylacrylate, polyethylmetacrylate, (CO), cyclic olefin polymer (COP), polyethylene (PE), polypropylene (PP), polyimide (PI), polymethylmethacrylate (PMMA), polystyrene (PS), polyacetal (POM), polyetheretherketone (PEEK), polyester sulfone (PES), polytetrafluoroethylene (PTFE), polyvinyl chloride (PVC), polycarbonate (PVDF), perfluoroalkyl polymer (PFA), styrene acrylonitrile polymer (SAN), and combinations thereof.

기판(410) 상에 버퍼층이 더 배치될 수 있다. 버퍼층은 기판(410)을 통한 수분이나 다른 불순물의 침투를 방지하며, 기판(410) 의 표면을 평탄화할 수 있다. 그리고, 버퍼층은 반드시 필요한 구성은 아니며, 기판(410)의 종류나 기판(410) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(420)의 종류에 따라 삭제될 수도 있다. A buffer layer may be further disposed on the substrate 410. The buffer layer prevents penetration of moisture or other impurities through the substrate 410 and can flatten the surface of the substrate 410. The buffer layer is not necessarily required, and may be removed depending on the type of the substrate 410 and the type of the thin film transistor 420 disposed on the substrate 410.

기판(410) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(420)는 게이트전극(422), 소스전극(424), 드레인전극(426) 및 반도체층(428)을 포함한다.The thin film transistor 420 disposed on the substrate 410 includes a gate electrode 422, a source electrode 424, a drain electrode 426, and a semiconductor layer 428.

반도체층(428)은 비정질실리콘(Amorphous Silicon) 또는 비정질 실리콘보다 우수한 이동도(Mobility)를 가져서 에너지 소비 전력이 낮고 신뢰성이 우수하여, 화소 내에서 구동 박막 트랜지스터에 적용할 수 있는 다결정실리콘(Polycrystalline Silicon)로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The semiconductor layer 428 has a higher mobility than amorphous silicon or amorphous silicon and thus has low energy consumption and excellent reliability and can be applied to polycrystalline silicon ), But is not limited thereto.

그리고, 반도체층은 산화물(Oxide) 반도체로 구성할 수 있다. 산화물 반도체는 이동도와 균일도가 우수한 특성을 갖고 있다. 산화물 반도체는 4원계 금속 산화물인 인듐 주석 갈륨 아연 산화물 (InSnGaZnO) 계 재료, 3원계 금속 산화물인 인듐 갈륨 아연 산화물 (InGaZnO) 계 재료, 인듐 주석 아연 산화물 (InSnZnO) 계 재료, 인듐 알루미늄 아연 산화물 (InAlZnO) 계 재료, 주석 갈륨 아연 산화물 (SnGaZnO) 계 재료, 알루미늄 갈륨 아연 산화물 (AlGaZnO) 계 재료, 주석 알루미늄 아연 산화물 (SnAlZnO) 계 재료, 2원계 금속 산화물인 인듐 아연 산화물 (InZnO) 계 재료, 주석 아연 산화물 (SnZnO) 계 재료, 알루미늄 아연 산화물 (AlZnO) 계 재료, 아연 마그네슘 산화물 (ZnMgO) 계 재료, 주석 마그네슘 산화물 (SnMgO) 계 재료, 인듐 마그네슘 산화물 (InMgO) 계 재료, 인듐 갈륨 산화물 (InGaO) 계 재료, 인듐 산화물 (InO) 계 재료, 주석 산화물 (SnO) 계 재료, 아연 산화물 (ZnO) 계 재료 등으로 반도체층(428)을 구성할 수 있으며, 각각의 원소의 조성 비율은 제한되지 않는다.The semiconductor layer may be formed of an oxide semiconductor. The oxide semiconductor has characteristics of excellent mobility and uniformity. The oxide semiconductors include indium tin gallium zinc oxide (InSnGaZnO) based materials which are quaternary metal oxides, indium gallium zinc oxide (InGaZnO) based materials which are ternary metal oxides, indium tin zinc oxide (InSnZnO) based materials, indium aluminum zinc oxide ) Based material, tin-gallium zinc oxide (SnGaZnO) -based material, aluminum gallium zinc oxide (AlGaZnO) -base material, tin aluminum zinc oxide (SnAlZnO) -based material, bimetallic metal oxide indium zinc oxide (InZnO) An InGaO 3 -based material, an InGaO 3 -based material, an InGaO 3 -based material, an InGaO 3 -based material, an AlGaN-based material, an SnZnO 3 -based material, an AlZnO 3 -based material, a ZnMgO 3 -based tin magnesium oxide material, The semiconductor layer 428 can be constituted by a material, an indium oxide (InO) based material, a tin oxide (SnO) based material, a zinc oxide (ZnO) The composition ratio of each element is not limited.

반도체층(428)은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 소스영역(Source Region), 드레인영역(Drain Region), 및 소스영역 및 드레인영역 사이에 채널(Channel)을 포함할 수 있고, 채널과 인접한 소스영역 및 드레인영역 사이에는 저농도 도핑영역을 포함할 수 있다.The semiconductor layer 428 may include a source region including a p-type or an n-type impurity, a drain region, and a channel between the source region and the drain region, And may include a lightly doped region between the adjacent source and drain regions.

소스영역 및 드레인영역은 불순물이 고농도로 도핑된 영역으로, 박막 트랜지스터(420)의 소스전극(424) 및 드레인전극(426)이 각각 접속되는 영역이다. 불순물 이온은 p형 불순물 또는 n형 불순물을 이용할 수 있는데, p형 불순물은 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 인듐(In)중 하나일 수 있고, n형 불순물은 인(P), 비소(As) 및 안티몬(Sb) 등에서 하나일 수 있다. The source region and the drain region are regions where the impurity is highly doped, and the source electrode 424 and the drain electrode 426 of the thin film transistor 420 are connected, respectively. The p-type impurity may be one of boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), and indium (In), and the n-type impurity may be phosphorus P), arsenic (As) and antimony (Sb).

반도체층(428)은 NMOS 또는 PMOS의 박막 트랜지스터 구조에 따라, 채널 영역은 n형 불순물 또는 p형 불순물로 도핑될 수 있으며, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함된 박막 트랜지스터는 NMOS 또는 PMOS의 박막 트랜지스터가 적용가능하다.The semiconductor layer 428 may be doped with an n-type impurity or a p-type impurity depending on the structure of the NMOS or PMOS thin film transistor, and the thin film transistor included in the electroluminescence display according to an embodiment of the present invention may include an NMOS Or a PMOS thin film transistor is applicable.

제1 절연층(431)은 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성된 절연층이며, 반도체층(428)에 흐르는 전류가 게이트전극(422)으로 흘러가지 않도록 배치한다. 그리고, 실리콘산화물은 금속보다는 연성이 떨어지지만, 실리콘질화물에 비해서는 연성이 우수하며 그 특성에 따라 단일층 또는 복수층으로 형성할 수 있다. The first insulating layer 431 is an insulating layer composed of a single layer of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) or a multilayer thereof and a current flowing in the semiconductor layer 428 flows into the gate electrode 422 . The silicon oxide is less ductile than the metal, but is superior in ductility to silicon nitride and can be formed into a single layer or a plurality of layers depending on the characteristics.

게이트전극(422)은 게이트라인을 통해 외부에서 전달되는 전기 신호에 기초하여 박막 트랜지스터(420)를 턴-온(turn-on) 또는 턴-오프(turn-off)하는 스위치 역할을 하며, 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등이나, 이에 대한 합금으로 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The gate electrode 422 serves as a switch for turning on or turning off the thin film transistor 420 based on an electric signal transmitted from the outside through the gate line, (Al), molybdenum (Mo), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), and neodymium (Nd) Or multiple layers, but is not limited thereto.

소스전극(424) 및 드레인전극(426)은 데이터라인과 연결되며 외부에서 전달되는 전기신호가 박막 트랜지스터(420)에서 발광소자(440)로 전달되도록 한다. 소스전극(424) 및 드레인전극(426)은 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등의 금속 재료나 이에 대한 합금으로 단일층 또는 다중층으로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The source electrode 424 and the drain electrode 426 are connected to the data line and electric signals transmitted from the outside are transmitted from the thin film transistor 420 to the light emitting element 440. The source electrode 424 and the drain electrode 426 are formed of a conductive metal such as Cu, Al, Mo, Cr, Au, Ti, Ni, And neodymium (Nd), or an alloy thereof, and may be composed of a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

게이트전극(422)과 소스전극(424) 및 드레인전극(426)을 서로 절연시키기 위해서 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)의 단일층이나 다중층으로 구성된 제2 절연층(433)을 게이트전극(422)과 소스전극(424) 및 드레인전극(426) 사이에 배치할 수 있다.A second insulating layer 433 composed of a single layer or multiple layers of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) is formed to cover the gate electrode 422, the source electrode 424, and the drain electrode 426, And between the electrode 422 and the source electrode 424 and the drain electrode 426.

박막 트랜지스터(420) 상에 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기절연층으로 구성된 패시베이션층을 더 배치할 수도 있다. 페시베이션층은, 패시베이션층 구성요소들 사이의 불필요한 전기적 연결을 막고 외부로부터의 오염이나 손상 등을 막는 역할을 할 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략할 수도 있다.A passivation layer composed of an inorganic insulating layer such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) may be further disposed on the thin film transistor 420. [ The passivation layer can prevent unnecessary electrical connection between the passivation layer constituents and prevent contamination or damage from the outside. The passivation layer can be omitted depending on the configuration and characteristics of the thin film transistor 420 and the light emitting element 440 You may.

박막 트랜지스터(420)는 박막 트랜지스터(420)를 구성하는 구성요소들의 위치에 따라 인버티드 스태거드(Inverted Staggered) 구조와 코플래너(Coplanar) 구조로 분류될 수 있다. 인버티드 스태거드 구조의 박막 트랜지스터는 반도체층을 기준으로 게이트전극이 소스전극 및 드레인전극의 반대편에 위치한다. 도 4a에서와 같이, 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(420)는 반도체층(428)을 기준으로 게이트전극(422)이 소스전극(424) 및 드레인전극(426)과 같은편에 위치한다. The thin film transistor 420 may be classified into an inverted staggered structure and a coplanar structure depending on the positions of the constituent elements of the thin film transistor 420. In the thin film transistor of the inverted staggered structure, the gate electrode is located on the opposite side of the source electrode and the drain electrode with respect to the semiconductor layer. 4A, the thin film transistor 420 of the coplanar structure has the gate electrode 422 located on the same side of the source electrode 424 and the drain electrode 426 as the semiconductor layer 428 as a reference.

도 4a에서는 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(420)가 도시되었으나, 전계발광 표시장치(400)는 인버티드 스태거드 구조의 박막 트랜지스터를 포함할 수도 있다.Although the thin film transistor 420 of the coplanar structure is shown in FIG. 4A, the electroluminescent display 400 may include a thin film transistor of an inverted staggered structure.

설명의 편의를 위해, 전계발광 표시장치(400)에 포함될 수 있는 다양한 박막 트랜지스터 중에서 구동 박막 트랜지스터만을 도시하였며, 스위칭 박막 트랜지스터, 커패시터 등도 전계발광 표시장치(400)에 포함될 수 있다. 그리고, 스위칭 박막 트랜지스터는 게이트배선으로부터 신호가 인가되면, 데이터 배선으로부터의 신호를 구동 박막트랜지스터의 게이트 전극으로 전달한다. 구동 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터로부터 전달받은 신호에 의해 전원 배선을 통해 전달되는 전류를 애노드(442)로 전달하며, 애노드(442)로 전달되는 전류에 의해 발광을 제어한다.For convenience of explanation, only the driving thin film transistor among various thin film transistors included in the electroluminescence display device 400 is shown, and a switching thin film transistor, a capacitor, and the like may be included in the electroluminescence display device 400 as well. When a signal is applied from the gate wiring, the switching thin film transistor transfers a signal from the data wiring to the gate electrode of the driving thin film transistor. The driving thin film transistor transmits a current, which is transmitted through the power supply wiring, to the anode 442 by a signal received from the switching thin film transistor, and controls the light emission by the current transmitted to the anode 442.

박막 트랜지스터(420)를 보호하고 박막 트랜지스터(420)로 인해서 발생되는 단차를 완화시키며, 박막 트랜지스터(420)와 게이트라인 및 데이터 라인, 발광소자(440) 들 사이에 발생되는 기생정전용량(Parasitic-Capacitance)을 감소시키기 위해서 박막 트랜지스터(420) 상에 평탄화층(435, 437)을 배치한다.The parasitic capacitance generated between the thin film transistor 420 and the gate line and the data line and the light emitting elements 440 is reduced by protecting the thin film transistor 420 and alleviating a step generated by the thin film transistor 420. [ The planarization layers 435 and 437 are disposed on the thin film transistor 420 in order to reduce capacitance.

평탄화층(435, 437)은 아크릴계 수지 (Acrylic Resin), 에폭시 수지 (Epoxy Resin), 페놀 수지 (Phenolic Resin), 폴리아미드계 수지 (Polyamides Resin), 폴리이미드계 수지 (Polyimides Resin), 불포화 폴리에스테르계 수지 (Unsaturated Polyesters Resin), 폴리페닐렌계 수지 (Polyphenylene Resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지 (Polyphenylenesulfides Resin), 및 벤조사이클로부텐 (Benzocyclobutene) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.The planarization layers 435 and 437 may be formed of an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, a polyimide resin, an unsaturated polyester resin, But is not limited to, one or more of Unsaturated Polyesters Resin, Polyphenylene Resin, Polyphenylenesulfides Resin, and Benzocyclobutene.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(400)는 순차적으로 적층된 복수의 평탄화층(435, 437)인 제1 평탄화층(435) 및 제2 평탄화층(437)을 포함할 수도 있다. The electroluminescent display 400 according to the embodiment of the present invention may include a first planarization layer 435 and a second planarization layer 437 which are a plurality of planarization layers 435 and 437 sequentially stacked.

예를 들면, 박막 트랜지스터(420) 상에 제1 평탄화층(435)이 적층되어 배치되고, 제1 평탄화층(435) 상에 순차적으로 제2 평탄화층(437)이 적층되어 배치될 수 있다. For example, a first planarization layer 435 may be stacked on the thin film transistor 420, and a second planarization layer 437 may be sequentially stacked on the first planarization layer 435.

그리고, 제1 평탄화층(435) 상에는 버퍼층이 배치될 수도 있다. 버퍼층은 제1 평탄화층(435) 상에 배치되는 구성요소를 보호하기 위해서 배치되며, 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략할 수도 있다.A buffer layer may be disposed on the first planarization layer 435. The buffer layer is disposed to protect the components disposed on the first planarization layer 435 and may be a single layer of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) or a multiple layer of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide Layer, and may be omitted depending on the configuration and characteristics of the thin film transistor 420 and the light emitting element 440. [

제1 평탄화층(435)에 형성되는 컨택홀(Contact Hole)을 통해서 중간전극(430)이 박막 트랜지스터(420)와 연결된다. 중간전극(430)은 박막 트랜지스터(420)와 연결되도록 적층되어 데이터라인도 복층 구조로 형성될 수 있다. The intermediate electrode 430 is connected to the thin film transistor 420 through a contact hole formed in the first planarization layer 435. The intermediate electrode 430 may be laminated to be connected to the thin film transistor 420, and the data line may be formed in a multi-layer structure.

그리고, 데이터라인은 소스전극(424) 및 드레인전극(426)과 동일한 물질로 이루어지는 하부층과 중간전극(430)과 동일한 물질로 이루어지는 층이 연결되는 구조로 형성될 수 있으므로, 두 개의 층이 서로 병렬 연결된 구조로 데이터라인이 구현될 수 있으므로, 데이터라인의 배선 저항이 감소될 수 있다.Since the data line can be formed in a structure in which the lower layer made of the same material as the source electrode 424 and the drain electrode 426 and the layer made of the same material as the intermediate electrode 430 are connected to each other, Since the data line can be implemented in a connected structure, the wiring resistance of the data line can be reduced.

제1 평탄화층(435) 및 중간전극(430) 상에 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기절연층으로 구성된 패시베이션층이 더 배치될 수도 있다. 패시베이션층은 구성요소들 사이의 불필요한 전기적 연결을 막고 외부로부터의 오염이나 손상 등을 막는 역할을 할 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략될 수도 있다.A passivation layer composed of an inorganic insulating layer such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) may be further disposed on the first planarizing layer 435 and the intermediate electrode 430. [ The passivation layer may prevent unnecessary electrical connection between the components and prevent contamination or damage from the outside, and may be omitted depending on the configuration and characteristics of the thin film transistor 420 and the light emitting device 440.

제2 평탄화층(437) 상에 배치되는 발광소자(440)는 애노드(442), 발광부(444) 및 캐소드(446)를 포함한다.The light emitting element 440 disposed on the second planarization layer 437 includes an anode 442, a light emitting portion 444, and a cathode 446.

애노드(442)는 제2 평탄화층(437) 상에 배치될 수 있다. 애노드(442)는 발광부(444)에 정공을 공급하는 역할을 하는 전극으로, 제2 평탄화층(437)에 있는 컨택홀을 통해 중간전극(430)과 연결되며, 박막 트랜지스터(420)와 전기적으로 연결된다. The anode 442 may be disposed on the second planarization layer 437. The anode 442 is an electrode serving to supply holes to the light emitting portion 444 and is connected to the intermediate electrode 430 through a contact hole in the second planarization layer 437. The anode 442 is electrically connected to the thin film transistor 420, Lt; / RTI >

애노드(442)는 투명 도전성 물질인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide, IZO) 등으로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The anode 442 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) or the like, which is a transparent conductive material, but is not limited thereto.

전계발광 표시장치(400)가 캐소드(446)가 배치된 상부로 광을 발광하는 탑에미션(Top Emission)일 경우 발광된 광이 애노드(442)에서 반사되어 보다 원활하게 캐소드(446)가 배치된 상부 방향으로 방출될 수 있도록, 반사층을 더 포함할 수 있다. When the electroluminescent display device 400 is in the top emission mode in which the cathode 446 is disposed, the emitted light is reflected by the anode 442 so that the cathode 446 is arranged more smoothly So that it can be emitted in the upward direction.

예를 들면, 애노드(442)는 투명 도전성 물질로 구성된 투명 도전층과 반사층이 차례로 적층된 2층 구조이거나, 투명 도전층, 반사층 및 투명 도전층이 차례로 적층된 3층 구조일 수 있으며, 반사층은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 합금일 수 있다. For example, the anode 442 may be a two-layer structure in which a transparent conductive layer composed of a transparent conductive material and a reflective layer are sequentially stacked, or a three-layer structure in which a transparent conductive layer, a reflective layer, and a transparent conductive layer are sequentially stacked, Silver (Ag) or an alloy containing silver.

애노드(442) 및 제2 평탄화층(437) 상에 배치되는 뱅크(450)는 실제로 광을 발광하는 영역을 구획하여 화소를 정의할 수 있다. 애노드(442) 상에 포토레지스트(Photoresist)를 형성한 후에 사진식각공정(Photolithography)에 의해 뱅크(450)를 형성한다. 포토레지스트는 광의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화되는 감광성 수지를 말하며, 포토레지스트를 노광 및 현상하여 특정 패턴이 얻어질 수 있다. 포토레지스트는 포지티브형 포토레지스트(Positive Photoresist)와 네거티브형 포토레지스트(Negative photoresist)로 분류될 수 있다. 포지티브형 포토레지스트는 노광으로 노광부의 현상액에 대한 용해성이 증가되는 포토레지스트를 말하며, 포지티브형 포토레지스트를 현상하면 노광부가 제거된 패턴이 얻어진다. 그리고, 네거티브형 포토레지스트는 노광으로 노광부의 현상액에 대한 용해성이 크게 저하되는 포토레지스트를 말하며, 네거티브형 포토레지스트를 현상하면 비노광부가 제거된 패턴이 얻어 진다. The bank 450 disposed on the anode 442 and the second planarization layer 437 can define a pixel by dividing a region that actually emits light. After the photoresist is formed on the anode 442, the bank 450 is formed by photolithography. A photoresist is a photosensitive resin whose solubility in a developer is changed by the action of light, and a specific pattern can be obtained by exposing and developing the photoresist. The photoresist can be classified into a positive photoresist and a negative photoresist. The positive type photoresist refers to a photoresist whose solubility in a developing solution of the exposed portion is increased by exposure. When the positive type photoresist is developed, a pattern in which the exposed portion is removed is obtained. The negative type photoresist is a photoresist which is greatly reduced in the solubility of the exposed portion in a developing solution upon exposure. When the negative type photoresist is developed, a pattern in which the non-exposed portion is removed is obtained.

발광소자(440)의 발광부(444)를 형성하기 위해서 증착마스크인 FMM(Fine Metal Mask)을 사용할 수 있다. 그리고, 뱅크(450) 상에 배치되는 증착마스크와 접촉하여 발생될 수 있는 손상을 방지하고, 뱅크(450)와 증착마스크 사이에 일정한 거리를 유지하기 위해서, 뱅크(450) 상부에 투명 유기물인 폴리이미드, 포토아크릴 및 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 하나로 구성되는 스페이서(Spacer; 452)를 배치할 수도 있다.A FMM (Fine Metal Mask) which is a deposition mask may be used to form the light emitting portion 444 of the light emitting element 440. In order to prevent damage that may occur in contact with the deposition masks disposed on the banks 450 and to maintain a certain distance between the banks 450 and the deposition masks, (Spacer) 452 made of one of a perovskite-mesoporous, a photoacid, a benzocyclobutene (BCB) may be disposed.

애노드(442)와 캐소드(446) 사이에는 발광부(444)가 배치된다. 발광부(444)는 광을 발광하는 역할을 하며, 정공주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공수송층(Hole Transport Layer; HTL), 발광층, 전자수송층(Electron Transport Layer; ETL), 전자주입층(Electron Injection Layer; EIL) 중 적어도 하나의 층을 포함할 수 있고, 전계발광 표시장치(400)의 구조나 특성에 따라 발광부(444)의 일부 구성요소는 생략될 수도 있다. 여기서 발광층은 전계발광층 및 무기발광층을 적용하는 것도 가능하다.A light emitting portion 444 is disposed between the anode 442 and the cathode 446. The light emitting portion 444 emits light and includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer, an electron transport layer (ETL) And an electron injection layer (EIL), and some components of the light emitting portion 444 may be omitted depending on the structure or characteristics of the electroluminescence display device 400. Here, the electroluminescent layer and the inorganic luminescent layer can be applied to the luminescent layer.

정공주입층은 애노드(442) 상에 배치하여 정공의 주입이 원활하게 하는 역할을 한다. 정공주입층은, 예를 들어, HAT-CN(dipyrazino[2,3-f:2’,3’-h]quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc(phthalocyanine), 및 NPD(N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-2,2’-dimethylbenzidine)중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다. The hole injection layer is disposed on the anode 442, and serves to smoothly inject holes. The hole injection layer may be formed by, for example, HAT-CN (dipyrazino [2,3-f: 2 ', 3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc NPD (N, N'-bis (naphthalene-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -2,2'-dimethylbenzidine).

정공수송층은 정공주입층 상에 배치하여 발광층으로 원활하게 정공을 전달하는 역할을 한다. 정공수송층은, 예를 들어, NPD(N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-2,2’-dimethylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD(2,2’,7,7’-tetrakis(N,N-dimethylamino)-9,9-spirofluorene), 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.The hole transport layer is disposed on the hole injection layer and serves to smoothly transfer holes to the light emitting layer. The hole transporting layer may be formed of, for example, NPD (N, N'-bis (naphthalene-1-yl) -N, N'- TAD (2,2 ', 7,7'-tetrakis (N, N-dimethylamino) -9,9-spirofluorene) - (3-methylphenyl) -N, N'- , And MTDATA (4,4 ', 4 "-Tris (N-3-methylphenyl-N-phenylamino) -triphenylamine).

발광층은 정공수송층 상에 배치되며 특정 색의 광을 발광할 수 있는 물질을 포함하여 특정 색의 광을 발광할 수 있다. 그리고, 발광물질은 인광물질 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다. The light emitting layer is disposed on the hole transporting layer and can emit light of a specific color including a substance capable of emitting light of a specific color. The light emitting material may be formed using a phosphor or a fluorescent material.

발광층이 적색(Red)을 발광하는 경우, 발광하는 피크파장은 600㎚ 내지 650㎚ 범위가 될 수 있으며, CBP(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate) iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)(acetylacetonate) iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline) iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum)중에서 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또는, PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting layer emits red light, the peak wavelength of emitted light may be in the range of 600 nm to 650 nm, and CBP (4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl) or mCP bis (1-phenylisoquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr (acac) (bis (1-phenylquinoline) (acetylacetonate) ) iridium, PQIr (tris (1-phenylquinoline) iridium), and PtOEP (octaethylporphyrin platinum). Or a fluorescent material containing PBD: Eu (DBM) 3 (Phen) or Perylene.

여기서, 피크파장(λmax)은 EL(ElectroLuminescence)의 최대 파장을 말한다. 발광부를 구성하는 발광층들이 고유의 광을 내는 파장을 PL(PhotoLuminescence)이라 하며, 발광층들을 구성하는 층들의 두께나 광학적 특성의 영향을 받아 나오는 광을 에미턴스(Emittance)라 한다. 이때, EL(ElectroLuminescence)은 전계발광 표시장치가 최종적으로 방출하는 광을 말하며, PL(PhotoLuminescence) 및 에미턴스(Emittance)의 곱으로 표현될 수 있다.Here, the peak wavelength? Max refers to the maximum wavelength of EL (Electroluminescence). The wavelength at which the light emitting layers forming the light emitting portion emit light intrinsically is referred to as PL (Photo Luminescence), and the light that is influenced by the thickness and optical characteristics of the layers constituting the light emitting layers is referred to as emittance. At this time, EL (Electroluminescence) refers to light finally emitted by the electroluminescence display device, and can be expressed by a product of PL (Photo Luminescence) and Emittance.

발광층이 녹색(Green)을 발광하는 경우, 발광하는 피크 파장은 520nm 내지 540nm 범위가 될 수 있으며, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 Ir complex와 같은 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting layer emits green light, the peak emission wavelength may range from 520 nm to 540 nm, including a host material including CBP or mCP, and Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridine) iridium Lt; RTI ID = 0.0 > Ir complex < / RTI > Further, it may be made of a fluorescent material containing Alq 3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum).

발광층이 청색(Blue)을 발광하는 경우, 발광하는 피크 파장은 440㎚ 내지 480㎚ 범위가 될 수 있으며, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, FIrPic(bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium)를 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, spiro-DPVBi(4,4'-Bis(2,2-diphenyl-ethen-1-yl)biphenyl), DSA(1-4-di-[4-(N,N-di-phenyl)amino]styryl-benzene), PFO(polyfluorene)계 고분자 및 PPV(polyphenylenevinylene)계 고분자중 어느 하나를 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting layer emits blue light, the peak emission wavelength may range from 440 nm to 480 nm, including a host material including CBP or mCP, and FIrPic (bis (3,5-difluoro-2 - (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium), and a phosphorescent material containing a dopant material such as spiro-DPVBi (4,4'-Bis -1-yl) biphenyl, DSA (1-4-di- [4- (N, N-di-phenyl) amino] styryl-benzene, PFO, polyphenylenevinylene Or a fluorescent material containing one of them.

발광층 상에 전자수송층을 배치하여 발광층으로 전자의 이동을 원활하게 한다. 전자수송층은, 예를 들어, Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium), PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), TAZ(3-(4-biphenyl)4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), spiro-PBD, BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 BAlq(bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminum) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.An electron transporting layer is disposed on the light emitting layer to smooth the movement of electrons to the light emitting layer. The electron transport layer may be formed of, for example, Liq (8-hydroxyquinolinolato-lithium), PBD (2- (4-biphenyl) -5- (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) and BAlq (4-biphenyl) (bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum).

전자수송층 상에 전자주입층이 더 배치될 수 있다. 전자주입층은 캐소드(446)로부터 전자의 주입을 원활하게 하는 유기층으로, 전계발광 표시장치(400)의 구조와 특성에 따라서 생략될 수 있다. 전자주입층은 BaF2, LiF, NaCl, CsF, Li2O 및 BaO와 같은 금속 무기 화합물일 수 있고, HAT-CN(dipyrazino[2,3-f:2’,3’-h]quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc(phthalocyanine), 및 NPD(N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-2,2’-dimethylbenzidine) 중에서 어느 하나 이상의 유기 화합물일 수 있다. An electron injection layer may further be disposed on the electron transporting layer. The electron injection layer is an organic layer that facilitates the injection of electrons from the cathode 446, and may be omitted depending on the structure and characteristics of the electroluminescence display device 400. The electron injection layer is BaF2, LiF, NaCl, CsF, Li 2 O , and may be a metallic inorganic compound such as BaO, HAT-CN (dipyrazino [ 2,3-f: 2 ', 3'-h] quinoxaline-2, 3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc (phthalocyanine), and NPD (N, N'-bis (naphthalene- , And the like.

발광층과 인접한 위치에 정공 또는 전자의 흐름을 저지하는 전자저지층(Electron Blocking Layer) 또는 정공저지층(Hole Blocking Layer)을 더 배치하여 전자가 발광층에 주입될때 발광층에서 이동하여 인접한 정공수송층으로 통과하거나 정공이 발광층에 주입될 때 발광층에서 이동하여 인접한 전자수송층으로 통과하는 현상을 방지하여 발광효율을 향상시킬 수 있다.An electron blocking layer or a hole blocking layer blocking the flow of holes or electrons is disposed at a position adjacent to the light emitting layer so that when electrons are injected into the light emitting layer, they move from the light emitting layer to pass through the adjacent hole transporting layer It is possible to prevent the phenomenon that the holes migrate from the light emitting layer to the adjacent electron transporting layer when the holes are injected into the light emitting layer, thereby improving the light emitting efficiency.

캐소드(446)는 발광부(444) 상에 배치되어, 발광부(444)로 전자를 공급하는 역할을 한다. 캐소드(446)는 전자를 공급하여야 하므로 일함수가 낮은 도전성 물질인 마그네슘(Mg), 은-마그네슘(Ag:Mg) 등과 같은 금속 물질로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The cathode 446 is disposed on the light emitting portion 444 and serves to supply electrons to the light emitting portion 444. [ The cathode 446 may be formed of a metal material such as magnesium (Mg), silver-magnesium (Ag: Mg) or the like, which is a conductive material having a low work function, and is not limited thereto.

전계발광 표시장치(400)가 탑에미션 방식인 경우, 캐소드(446)는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide, ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide, ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide, TiO) 계열의 투명 도전성 산화물일 수 있다.When the electroluminescent display device 400 is a top-mounted type, the cathode 446 is formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO) Zinc oxide (ZnO), and tin oxide (TiO 2).

발광소자(440) 상에는 전계발광 표시장치(400)의 구성요소인 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)가 외부에서 유입되는 수분, 산소 또는 불순물들로 인해서 산화 또는 손상되는 것을 방지하기 위한 봉지부(460)를 배치할 수 있으며, 복수의 봉지층, 이물보상층 및 복수의 베리어필름(Barrier Film)이 적층되어 형성할 수 있다. The thin film transistor 420 and the light emitting element 440 which are components of the electroluminescence display device 400 are sealed on the light emitting element 440 with a bag for preventing oxidation or damage due to moisture, A plurality of sealing layers, a foreign material compensation layer, and a plurality of barrier films may be stacked.

봉지층은 박막 트렌지스터(420) 및 발광소자(440)의 상부 전면에 배치되며, 무기물인 질화실리콘(SiNx) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 중 하나로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.The sealing layer is disposed on the upper surface of the thin film transistor 420 and the light emitting device 440 and may be composed of one of silicon nitride (SiNx) or aluminum oxide (AlOz), which is an inorganic material.

봉지층 상에 배치되는 이물보상층 상에는 봉지층이 더 배치될 수 있다. An encapsulation layer may be further disposed on the foreign material compensation layer disposed on the encapsulation layer.

이물보상층은 봉지층 상에 배치되며, 유기물인 실리콘옥시카본(SiOCz), 아크릴(Acryl) 또는 에폭시(Epoxy) 계열의 레진(Resin)을 사용할 수 있으며, 이에 제한되지 않으며, 공정 중에 발생될 수 있는 이물이나 파티클(Particle)에 의해서 발생된 크랙(Crack)에 의해 불량이 발생할 때 이물보상층에 의해서 굴곡 및 이물이 덮히면서 보상할 수 있다. The foreign material compensation layer is disposed on the sealing layer and may be an organic material such as silicon oxy carbon (SiOCz), acrylic or epoxy resin, but not limited thereto, When a defect occurs due to a foreign substance or a crack generated by a particle, the foreign substance compensating layer can compensate the foreign substance by covering the foreign object.

봉지층 및 이물보상층 상에 베리어필름을 배치하여 전계발광 표시장치(400)가 외부에서의 산소 및 수분의 침투를 지연시킬 수 있다. 베리어필름은 투광성 및 양면 접착성을 띠는 필름 형태로 구성되며, 올레핀(Olefin) 계열, 아크릴(Acrylic) 계열 및 실리콘(Silicon) 계열 중 어느 하나의 절연재료로 구성될 수 있고, 또는 COP(Cyclolefin Polymer), COC(Cycloolefin Copolymer) 및 PC(Polycarbonate) 중 어느 하나의 재료로 구성된 베리어필름을 더 적층할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. A barrier film may be disposed on the sealing layer and the foreign material compensation layer so that the electroluminescent display device 400 can delay the penetration of oxygen and moisture from the outside. The barrier film may be formed of an insulating material selected from the group consisting of olefin series, acrylic series and silicon series, or COP (Cyclolefin A barrier film composed of any one of a polymer, a COC (Cycloolefin Copolymer), and a PC (Polycarbonate) may be further laminated, but the present invention is not limited thereto.

도 4b 는 도 3a에서 설명한 벤딩영역(B/A)의 상세구조에 대한 단면도이다.FIG. 4B is a cross-sectional view of the detailed structure of the bending area B / A illustrated in FIG. 3A.

도 4b의 일부 구성요소는 도 4a에서 설명된 구성요소와 실질적으로 동일/유사하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 4B is substantially the same as or similar to the components described in FIG. 4A, and a detailed description thereof will be omitted.

도 1 내지 도 3a에서 설명한 게이트신호 및 데이터신호는 외부에서부터 전계발광 표시장치(400)의 비표시영역(N/A)에 배치되는 회로배선을 거쳐서 표시영역(A/A)에 배치되어 있는 화소로 전달되어 발광되도록 한다. The gate signal and the data signal described with reference to FIGS. 1 to 3A are supplied from outside to the pixels (not shown) arranged in the display area A / A via the circuit wiring arranged in the non-display area N / A of the electroluminescence display device 400 So as to emit light.

전계발광 표시장치(400)의 벤딩영역(B/A)을 포함한 비표시영역(N/A)에 배치되는 배선이 단층 구조로 형성되는 경우, 배선을 배치하기 위한 많은 공간이 요구된다. 도전성 물질을 증착한 후, 형성하고자 하는 배선의 형상으로 도전성 물질을 에칭 등의 공정으로 패터닝하는데, 에칭 공정의 세밀도에는 한계가 있으므로 배선 사이의 간격을 좁히기 위한 한계로 인하여 많은 공간이 요구되므로, 비표시영역(N/A)의 면적이 커지게 되어 네로우 베젤 구현에 어려움이 발생할 수 있다. When wiring arranged in the non-display area N / A including the bending area B / A of the electroluminescence display 400 is formed as a single layer structure, a lot of space is required for disposing the wiring. Since a conductive material is deposited and a conductive material is patterned by a process such as etching in the form of a wiring to be formed, since the fineness of the etching process is limited, a large space is required due to the limit for narrowing the interval between the wirings, The area of the non-display area N / A becomes large, which may cause difficulties in implementation of the narrow bezel.

이와 함께, 하나의 신호를 전달하기 위해 하나의 배선을 사용하는 경우, 해당 배선이 크랙이 발생되는 경우 해당 신호가 전달되지 못할 수 있다. 기판(410)을 벤딩하는 과정에서 배선 자체에 크랙이 발생하거나, 다른 층에 크랙이 발생되어 크랙이 배선으로 전파될 수도 있다. 이와 같이, 배선에 크랙이 발생되는 경우에는 전달하는 신호가 전달되지 않을 수도 있다.In addition, when one wiring is used to transmit one signal, the corresponding signal may not be transmitted when the wiring is cracked. A crack may be generated in the wiring itself in the process of bending the substrate 410, or a crack may be generated in the other layer, and the crack may be propagated to the wiring. In this way, when a crack is generated in the wiring, a signal to be transmitted may not be transmitted.

이에 따라, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(400)의 벤딩영역(B/A)에 배치되는 배선은 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)의 이중배선 형태로 배치된다.Accordingly, the wirings disposed in the bending area B / A of the electroluminescent display device 400 according to the embodiment of the present invention are arranged in the form of a double wiring of the first wirings 462 and the second wirings 464 .

제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 도전성물질로 형성하며, 플렉시블 기판(410)의 벤딩 시에 크랙이 발생하는 것을 줄이기 위해 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 예를 들어, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있고, 표시영역(A/A)에서 사용되는 다양한 도전성물질 중 하나로 형성될 수 있으며, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu), 및 은(Ag) 과 마그네슘(Mg) 의 합금 등으로도 구성될 수도 있다. 그리고, 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 다양한 도전성물질을 포함하는 다층구조로 구성될 수도 있으며, 예를 들어, 티타늄 (Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti) 3층구조로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다.The first wiring 462 and the second wiring 464 are formed of a conductive material and may be formed of a conductive material having excellent ductility to reduce the occurrence of cracks when the flexible substrate 410 is bent. The first wiring 462 and the second wiring 464 may be formed of a conductive material having excellent ductility such as gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al) A, Ni, Ni, Nd, Cu, and Ag may be formed as one of the various conductive materials used in the first and second embodiments. And an alloy of magnesium (Mg). The first wiring 462 and the second wiring 464 may have a multilayer structure including various conductive materials. For example, the first wiring 462 and the second wiring 464 may be formed of three layers of titanium (Ti) / aluminum (Al) / titanium Structure, but it is not limited thereto.

제1 배선(462) 및 제2 배선(464)을 보호하기 위해서 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)의 하부에는 무기절연층으로 이루어지는 버퍼층이 배치될 수도 있고, 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)의 상부 및 측부를 둘러싸도록 무기절연층으로 이루어지는 패시베이션층이 형성되어 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)이 수분 등과 반응하여 부식되는 등의 현상이 방지될 수도 있다.A buffer layer made of an inorganic insulating layer may be disposed below the first wirings 462 and the second wirings 464 to protect the first wirings 462 and the second wirings 464, The first wiring 462 and the second wiring 464 are prevented from being corroded by reacting with moisture or the like by forming a passivation layer made of an inorganic insulating layer so as to surround the upper and the side of the second wiring 464 and the second wiring 464 .

벤딩영역(B/A)에 형성되는 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 벤딩되는 경우 인장력을 받게 된다. 도 3에서 설명한 바와 같이, 기판(410) 상에서 벤딩방향과 동일한 방향으로 연장하는 배선이 가장 큰 인장력을 받게 되고, 크랙이 발생할 수 있으며, 크랙이 심하면 단선이 발생할 수 있다. 따라서, 벤딩방향으로 연장하도록 배선을 형성하는 것이 아니라, 벤딩영역(B/A)을 포함하여 배치되는 배선 중 적어도 일부분은 벤딩 방향과 상이한 방향인 사선 방향으로 연장하도록 형성함으로써, 인장력을 최소화하여 크랙 발생을 줄일 수 있다. 배선의 형상을 마름모 형상, 삼각파 형상, 정현파 형상, 사다리꼴 형상 등으로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The first wiring 462 and the second wiring 464 formed in the bending area B / A are subjected to a tensile force when bent. As described with reference to FIG. 3, wirings extending in the same direction as the bending direction on the substrate 410 are subjected to the greatest tensile force, cracks may occur, and breakage may occur if the cracks are severe. Therefore, instead of forming the wiring to extend in the bending direction, at least a part of the wiring disposed including the bending region B / A is formed to extend in the diagonal direction different from the bending direction, thereby minimizing the tensile force, The occurrence can be reduced. The shape of the wiring can be configured as a rhombic shape, a triangular wave shape, a sinusoidal shape, a trapezoidal shape, and the like, but is not limited thereto.

기판(410) 상에 제1 배선(462)이 배치되고 제1 배선(462) 상에 제1 평탄화층(435b)이 배치된다. 제1 평탄화층(435) 상에는 제2 배선(464)이 배치되고, 제2 배선(464) 상에 제2 평탄화층(437)이 배치된다. The first wiring 462 is disposed on the substrate 410 and the first planarization layer 435b is disposed on the first wiring 462. [ A second wiring 464 is disposed on the first planarization layer 435 and a second planarization layer 437 is disposed on the second wiring 464. [

제1 평탄화층(435) 및 제2 평탄화층(437)은 아크릴계 수지 (Acrylic Resin), 에폭시 수지 (Epoxy Resin), 페놀 수지 (Phenolic Resin), 폴리아미드계 수지 (Polyamides Resin), 폴리이미드계 수지 (Polyimides Resin), 불포화 폴리에스테르계 수지 (Unsaturated Polyesters Resin), 폴리페닐렌계 수지 (Polyphenylene Resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지 (Polyphenylenesulfides Resin), 및 벤조사이클로부텐 (Benzocyclobutene) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.The first planarizing layer 435 and the second planarizing layer 437 may be formed of a resin such as acrylic resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamide resin, And may be formed of one or more of polyimides resin, unsaturated polyester resin, polyphenylene resin, polyphenylenesulfide resin, and benzocyclobutene. But is not limited thereto.

제2 평탄화층(437) 상에는 마이크로 코팅층(Micro Coating Layer; 466)이 배치된다. 마이크로 코팅층(466)은 벤딩 시에 기판(410) 상에 배치되는 배선부에 인장력이 작용하여 미세 크랙이 발생될 수 있으므로, 벤딩되는 위치에 얇은 두께로 레진(Resin)을 코팅하여 배선을 보호하는 역할을 할 수 있다. A micro-coating layer 466 is disposed on the second planarization layer 437. Since micro-cracks may be generated due to a tensile force acting on the wiring part disposed on the substrate 410 at the time of bending, the micro-coating layer 466 may be formed by coating resin with a thin thickness at the bent position to protect the wiring Can play a role.

도 5는 본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 벤딩영역의 단면도이다. 5 is a cross-sectional view of a bending region of a flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.

도 5의 일부 구성요소는 도 3a 및 도 3b에서 설명된 구성요소와 실질적으로 동일/유사하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 5 are substantially the same as or similar to those described in Figs. 3A and 3B, and a detailed description thereof will be omitted.

도 5를 참조하면, 플렉시블 기판(510) 상에 접착층(515)이 배치된다. 접착층(515)은 투명한 접착 레진(optically cleared resin, OCR) 또는 투명한 접착 필름(optically cleared film, OCA film)일 수 있으며, 이에 한정되지 않는다.Referring to FIG. 5, an adhesive layer 515 is disposed on the flexible substrate 510. The adhesive layer 515 may be an optically cleared resin (OCR) or an optically cleared film (OCA film), but is not limited thereto.

접착층(515) 상에는 도 3b에서 설명한 터치스크린패널(520)이 배치되며, 접착층(515)에 의해서 플렉시블 기판(510)과 서로 접착하여 고정된다. 터치스크린패널(520)은 터치기판일 수 있다.The touch screen panel 520 described with reference to FIG. 3B is disposed on the adhesive layer 515 and adhered and fixed to the flexible substrate 510 by the adhesive layer 515. The touch screen panel 520 may be a touch substrate.

터치스크린 패널(520)은 플렉시블 기판(510)의 표시영역(A/A) 상에 대응하여 배치되는 터치영역(T/A) 및 표시영역(A/A)의 가장자리의 외곽을 둘러싸는 비표시영역(N/A) 상에 대응하여 배치되는 (NT/A)을 포함한다.The touch screen panel 520 includes a touch area T / A disposed correspondingly on the display area A / A of the flexible substrate 510 and a non-display area A / A surrounding the periphery of the edge of the display area A / (NT / A) correspondingly arranged on the region N / A.

터치패드(545)는 터치스크린 패널(520)의 비터치영역(NT/A)에 배치되며, 플렉시블 기판(520) 상의 비표시영역(N/A) 상에 대응하여 배치된다. The touch pad 545 is disposed in the non-touch area NT / A of the touch screen panel 520 and is disposed corresponding to the non-display area N / A on the flexible substrate 520.

터치스크린 패널(520)의 끝단에는 터치패드(545)와 연결되며, 절연필름으로 구성된 터치회로기판(540)이 배치된다.At the end of the touch screen panel 520, a touch circuit board 540 formed of an insulating film is connected to the touch pad 545.

터치회로기판(540) 상에는 터치영역(T/A)에 배치된 터치전극과 서로 신호를 전달하기 위한 다양한 배선과 터치입력을 센싱하기 위한 터치센싱회로를 포함할 수 있으며, 연성인쇄회로 기판으로 구성할 수 있으며, 플렉시블 기판(510)의 벤딩영역(B/A)의 외곽을 두르며 벤딩되어 배치한다.  The touch circuit board 540 may include a touch sensing circuit for sensing various types of wires and touch inputs to transmit signals to the touch electrodes disposed in the touch region T / And bends and arranges the outer periphery of the bending region B / A of the flexible substrate 510.

터치스크린 패널(520) 및 터치회로기판(540) 상에는 편광판(530)이 서로 접착하여 고정되어 배치된다. On the touch screen panel 520 and the touch circuit board 540, a polarizing plate 530 is adhered and fixed.

편광판(530)은 플렉시블 기판(510)의 표시영역(A/A) 상에서 외부 광의 반사를 억제한다. 표시장치(500)가 외부에서 사용되는 경우, 외부 자연 광이 유입되어 전계발광소자의 애노드에 포함된 반사판에 의해 반사되거나, 유기 발광소자 하부에 배치된 금속으로 구성된 전극에 의해 반사될 수 있다. 이와 같이 반사된 광들에 의해 표시장치(500)의 영상이 시인되지 않을 수 있다. 편광판(530)은 외부에서 유입된 광을 특정 방향으로 편광하며, 반사된 광이 다시 표시장치(500)의 외부로 방출되지 못하게 한다. The polarizing plate 530 suppresses the reflection of external light on the display area A / A of the flexible substrate 510. When the display device 500 is used from the outside, external natural light may be reflected by a reflector included in the anode of the electroluminescent element or by an electrode composed of metal disposed under the organic electroluminescent element. The image of the display device 500 may not be visually recognized by the reflected light. The polarizing plate 530 polarizes the light incident from the outside in a specific direction and prevents the reflected light from being emitted again to the outside of the display apparatus 500.

편광판(530)은 편광자 및 이를 보호하는 보호필름으로 구성된 편광판일 수도 있고, 플렉서블리티를 위하여 편광물질을 코팅하는 방식으로 형성할 수도 있다. The polarizing plate 530 may be a polarizing plate composed of a polarizer and a protective film for protecting the polarizing plate 530, or may be formed by coating a polarizing material for flexibility.

편광판(530)은 플렉시블 기판(510)의 표시영역(A/A)의 외곽영역까지 외부광의 반사를 억제하기 위해서 표시영역(A/A) 보다 더 넓은 영역까지 포함하여 배치할 수 있다. 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함된 편광판(530)은 표시영역(A/A) 상의 터치스크린패널(520)과 비표시영역(N/A) 상의 터치회로기판(540)의 일측을 모두 덮도록 배치한다. The polarizing plate 530 can be arranged so as to include a wider area than the display area A / A in order to suppress the reflection of external light up to the outer area of the display area A / A of the flexible substrate 510. [ The polarizing plate 530 included in the electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention may be used in combination with the touch screen panel 520 on the display area A / A and the touch screen substrate 540 on the non-display area N / Place one side to cover all.

그리고, 터치회로기판(540)은 일정한 두께를 가지기 때문에, 터치스크린패널(520)과 터치회로기판(540) 사이에는 일정한 단차가 발생되어 터치스크린패널(520)과 터치회로기판(540)의 일측을 동시에 덮으면서 접착하여 고정되는 편광판(530)은 터치회로기판(540)과 인접한 영역에서 발생되는 단차로 서로 접착하지 못하고 들뜨는 영역이 발생 될 수 있다.Since the touch circuit board 540 has a predetermined thickness, a certain level difference is generated between the touch screen panel 520 and the touch circuit board 540, so that the touch screen panel 520 and the touch circuit board 540 The polarizing plate 530 can be prevented from adhering to the touching circuit substrate 540 due to the difference in level between the touching substrate 540 and the touching circuit substrate 540.

이와 같이, 터치스크린패널(520)과 터치회로기판(540) 사이의 단차로 인해서 편광판(530)이 터치회로기판(540)의 상부와 완전히 접착하지 못하고 들뜨는 영역이 발생되지 않도록, 터치회로기판(540)의 두께를 고려하여 터치회로기판(540)의 끝단은 표시영역(A/A)과 일정한 거리를 가지도록 배치하며, 이때 발생되는 면적은 표시장치의 베젤영역 축소에 장애가 된다.In order to prevent the polarizing plate 530 from completely adhering to the upper portion of the touch circuit substrate 540 due to the difference in level between the touch screen panel 520 and the touch circuit substrate 540, 540, the end of the touch circuit board 540 is arranged to have a certain distance from the display area A / A, and the area generated at this time is an obstacle to the reduction of the bezel area of the display device.

예를 들어, 터치회로기판(540)이 70um의 두께를 가지고 있을 때, 표시영역(A/A) 상에 배치되는 편광판(530)이 터치스크린패널(520)과 접착되는 영역과 터치회로기판(540) 과 편광판(530)이 접착되는 영역 사이에는 1000um를 서로 이격되어야 편광판(530)이 들뜨지 않고 접착하여 고정될 수 있었다.For example, when the touch circuit board 540 has a thickness of 70 um, the polarizing plate 530 disposed on the display area A / A is divided into a region where the polarizing plate 530 is bonded to the touch screen panel 520, 540 and the area where the polarizer 530 is to be adhered, the polarizer 530 can be adhered and fixed without lifting.

이에 따라, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 터치스크린패널(520)과 터치회로기판(540) 사이의 단차로 발생되는 불필요한 베젤영역을 줄이기 위해서, 터치스크린패널(520)과 터치회로기판(540)사이의 단차를 보상해주는 단차보상부재(550)를 배치한다. Accordingly, the electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention includes a touch screen panel 520 and a touch circuit board 540 in order to reduce an unnecessary bezel area generated by a step between the touch screen panel 520 and the touch circuit board 540, A step difference compensating member 550 for compensating a step between the substrates 540 is disposed.

단차보상부재(550)는 수지(Resin) 계열 물질로 구성할 수 있으며, 아크릴계 수지 (Acrylic Resin), 에폭시 수지 (Epoxy Resin), 페놀 수지 (Phenolic Resin), 폴리아미드계 수지 (Polyamides Resin), 폴리이미드계 수지 (Polyimides Resin), 불포화 폴리에스테르계 수지 (Unsaturated Polyesters Resin), 폴리페닐렌계 수지 (Polyphenylene Resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지 (Polyphenylenesulfides Resin), 및 벤조사이클로부텐 (Benzocyclobutene) 중 하나 이상의 물질로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.The step difference compensating member 550 may be made of a resin based material and may be formed of an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, One or more materials selected from the group consisting of Polyimides Resin, Unsaturated Polyesters Resin, Polyphenylene Resin, Polyphenylenesulfides Resin, and Benzocyclobutene. But is not limited thereto.

단차보상부재(550)는 터치스크린패널(520) 상에 터치회로기판(540)의 끝단을 따라서 배치되며, 터치스크린패널(520)과 터치회로기판(540) 사이의 단차가 발생되는 영역에서, 터치스크린패널(520) 상부에 배치되는 편광판(530)을 고정시키는 역할을 한다. The step difference compensating member 550 is disposed along the end of the touch circuit board 540 on the touch screen panel 520 and in a region where a step between the touch screen panel 520 and the touch circuit board 540 is generated, And serves to fix the polarizing plate 530 disposed on the upper portion of the touch screen panel 520.

그리고, 터치스크린패널(520)과 터치회로기판(540) 사이의 단차로 인해서 편광판(530)이 터치회로기판(540)의 상부와 완전히 접착하지 못하고 들뜨는 영역이 발생되지 않도록, 단차보상부재(550)가 상부의 편광판(530)을 고정하여 터치회로기판(540)의 끝단이 표시영역(A/A)과 일정한 거리를 두고 배치할 수 있다. 이 경우, 단차보상부재(550)는 편광판(530)과 접착하여 고정되어 기존보다 더 좁은 거리를 두고 터치회로기판(540)이 배치할 수 있으므로, 표시장치의 베젤영역을 축소할 수 있다.In order to prevent the polarizing plate 530 from completely adhering to the upper portion of the touch circuit substrate 540 due to the step difference between the touch screen panel 520 and the touch circuit substrate 540, Can fix the upper polarizing plate 530 and arrange the end of the touch circuit board 540 at a certain distance from the display area A / A. In this case, since the level difference compensating member 550 is adhered and fixed to the polarizing plate 530, the touch circuit substrate 540 can be disposed at a narrower distance than the conventional one, so that the bezel area of the display device can be reduced.

예를 들어, 터치회로기판(540)이 70um의 두께를 가지고 있을 때, 기존에 터치스크린패널(520)과 편광판(530)이 접착되는 영역과 터치회로기판(540)이 과 편광판(530)이 접착되는 영역 사이에는 1000um를 서로 이격되어야 편광판(530)이 들뜨지 않고 접착하여 고정될 수 있었지만, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 단차보상부재(550)가 상부에 배치되는 편광판(530)을 고정하면서 터치스크린패널(520)과 편광판(530)이 접착되는 영역과, 터치회로기판(540)과 편광판(530)이 접착되는 영역 사이에는 500um를 서로 이격되어도 편광판(530)이 들뜨지 않고 접착되어 고정할 수 있으며, 이에 따라 표시장치(500)의 베젤영역의 폭을 500um 줄일 수 있는 효과가 있다.For example, when the touch circuit board 540 has a thickness of 70 um, a region where the touch screen panel 520 and the polarizer 530 are bonded to each other and the area where the touch circuit substrate 540 is bonded to the upper polarizer 530 The OLED display according to the embodiment of the present invention may be configured such that the step difference compensating member 550 is disposed on the upper side of the polarizing plate 530 The polarizer 530 is not lifted even when the distance between the touch screen panel 520 and the polarizer 530 and the area where the touch circuit substrate 540 and the polarizer 530 are bonded is 500 μm apart from each other The width of the bezel region of the display apparatus 500 can be reduced by 500 mu m.

플렉시블 기판(510) 하부에는 백플레이트(560)가 배치된다. 플렉시블 기판(510)이 폴리이미드와 같은 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 플렉시블 기판(510) 하부에 유리로 이루어지는 지지기판이 배치된 상황에서 플렉시블 전계발광 표시장치(500)의 제조공정이 진행되고, 제조공정이 완료된 후 지지기판이 분리되어 릴리즈될 수 있다. A back plate 560 is disposed under the flexible substrate 510. In the case where the flexible substrate 510 is made of a plastic material such as polyimide, the manufacturing process of the flexible electroluminescence display device 500 is advanced in a situation where a support substrate made of glass is disposed under the flexible substrate 510, The support substrate can be released and released.

지지기판이 릴리즈된 이후에도 플렉시블 기판(510)을 지지하기 위한 구성요소가 필요하므로, 플렉시블 기판(710)을 지지하기 위한 백플레이트(740)가 플렉시블 기판(510)의 하부에 배치될 수 있다. A back plate 740 for supporting the flexible substrate 710 can be disposed under the flexible substrate 510 since components for supporting the flexible substrate 510 are required even after the supporting substrate is released.

백플레이트(560)는 벤딩영역(B/A)을 제외한 플렉시블 기판(510)의 다른 영역에서 벤딩영역(B/A)에 인접하도록 배치될 수 있다. 백플레이트(560)는 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리머들, 이들 폴리머들의 조합 등으로 형성된 플라스틱 박막으로 이루어질 수 있다.The back plate 560 may be disposed adjacent to the bending area B / A in another area of the flexible substrate 510 except for the bending area B / A. The back plate 560 may be formed of a plastic film formed of polyimide, polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polymers, a combination of these polymers, and the like.

두 개의 백플레이트(560) 사이에는 지지부재(565)가 배치되고, 지지 부재(565)는 백플레이트(560)와 접착될 수 있다. 지지부재(565)는 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리머들, 이들 폴리머들의 조합 등과 같은 플라스틱 재료로 형성될 수 있다. 이러한 플라스틱 재료들로 형성된 지지부재(565)의 강도는 지지부재(565)의 두께 및 강도를 증가시키기 위한 첨가제들을 첨가하는 것에 의해 제어될 수도 있다. 그리고, 지지부재(565)는 유리, 세라믹, 금속 또는 다른 강성이 있는(Rigid) 재료들 또는 전술한 재료들의 조합들로 형성될 수도 있다.A support member 565 may be disposed between the two back plates 560 and the support member 565 may be bonded to the back plate 560. The support member 565 may be formed of a plastic material such as polycarbonate (PC), polyimide (PI), polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polymers, The strength of the support member 565 formed of such plastic materials may be controlled by adding additives to increase the thickness and strength of the support member 565. [ And, the support member 565 may be formed of glass, ceramic, metal or other rigid materials or combinations of the above-described materials.

플렉시블 기판(510)의 벤딩영역(B/A) 상에는 마이크로 코팅층 (Micro Coating Layer; 570)이 배치된다. A micro-coating layer 570 is disposed on the bending region B / A of the flexible substrate 510.

마이크로 코팅층(750)은 벤딩 시에 플렉시블 기판(510) 상에 배치되는 배선부에 인장력이 작용하여 미세 크랙이 발생될 수 있으므로, 레진(Resin)을 벤딩되는 위치에 얇은 두께로 코팅하여 배선을 보호하는 역할을 할 수 있다. Since micro-cracks may be generated due to a tensile force acting on the wiring portion disposed on the flexible substrate 510 at the time of bending, the micro-coating layer 750 may be formed by coating resin with a thin thickness at a bent position to protect the wiring Can play a role.

마이크로 코팅층(570)은 벤딩영역(B/A)의 중립면을 조절할 수 있다. 중립면은 구조물이 벤딩되는 경우, 구조물에 인가되는 압축력(Compressive Force)과 인장력(Tensile Force)이 서로 상쇄되어 응력을 받지 않는 가상의 면을 의미한다. 2개 이상의 구조물이 적층되어 있는 경우, 구조물들 사이에 가상의 중립면이 형성될 수 있다. 구조물 전체가 일 방향으로 벤딩하는 경우, 중립면을 기준으로 벤딩 방향에 배치되는 구조물들은 벤딩에 의해 압축되게 되므로 압축력을 받는다. 이와 반대로 중립면을 기준으로 벤딩 방향과 반대 방향에 배치되는 구조물들은 벤딩에 의해 늘어나게 되므로 인장력을 받는다. 그리고, 일반적으로 구조물들은 동일한 압축력과 인장력 중 인장력을 받는 경우에 더 취약하므로, 인장력을 받을 때 크랙이 발생할 확률이 더 높다.The micro-coating layer 570 can adjust the neutral plane of the bending area B / A. The neutral plane means a virtual surface that is not stressed because the compressive force and the tensile force applied to the structure are canceled each other when the structure is bent. If two or more structures are stacked, a virtual neutral plane may be formed between the structures. When the entire structure is bent in one direction, the structures arranged in the bending direction with respect to the neutral plane are compressed by the bending, so that they are subjected to the compressive force. On the contrary, the structures arranged in the direction opposite to the bending direction with respect to the neutral plane are stretched by bending, so that they are subjected to a tensile force. And, in general, structures are more susceptible to tensile forces of the same compressive and tensile forces, so they are more likely to crack when subjected to tensile forces.

중립면을 기준으로 하부에 배치되는 플렉시블 기판(510)은 압축되므로 압축력을 받고, 상부에 배치되는 배선들은 인장력을 받을 수 있고, 이에 따라 인장력에 의하여 크랙이 발생할 수 있다. 따라서, 배선이 받는 인장력을 최소화하기 위해서는 중립면 상에 위치시킬 수 있다.Since the flexible substrate 510 disposed under the neutral plane is compressed, the compressive force is applied to the flexible substrate 510, and the wirings disposed on the upper side can receive a tensile force, thereby causing a crack due to the tensile force. Therefore, it can be placed on the neutral plane to minimize the tensile force applied to the wiring.

마이크로 코팅층(570)을 벤딩영역(B/A) 상에 배치시킴으로써, 중립면을 상부 방향으로 상승시킬 수 있으며, 중립면이 배선과 동일한 위치에 형성하거나 중립면보다 높은 위치에 위치하여 벤딩 시 응력을 받지 않거나 압축력을 받게 되어 크랙 발생을 억제할 수 있다.By placing the microcoat layer 570 on the bending region B / A, the neutral plane can be raised in the upward direction, and the neutral plane can be formed at the same position as the wiring or at a higher position than the neutral plane, It is not received or is subjected to a compressive force, so that occurrence of cracks can be suppressed.

마이크로 코팅층(570)은 레진으로 구성될 수 있으며, 아크릴계 물질이나 우레탄 아크릴레이트로 구성될 수 있지만 이에 한정되는 것은 아니다.The micro-coating layer 570 may be composed of a resin, and may be composed of an acrylic material or urethane acrylate, but is not limited thereto.

플렉시블 기판(510)의 끝단에 절연필름(580)이 연결된다. 절연필름(580) 상에는 표시영역(A/A)에 배치된 화소로 신호를 전달하기 위한 다양한 배선이 형성된다. 절연필름(580)은 휘어질 수 있도록 플렉서빌리티를 갖는 재료로 형성된다. 절연필름(580)에는 구동소자가 장착될 수 있으며, 절연필름(580)과 함께 칩 온 필름(Chip on Film; COF)과 같은 구동 패키지(Package)를 형성하며, 절연필름(580) 상에 형성된 배선에 연결되어 구동 신호 및 데이터를 표시영역(A/A)에 배치된 화소에 제공한다.An insulating film 580 is connected to an end of the flexible substrate 510. On the insulating film 580, various wirings for transmitting signals to pixels arranged in the display area A / A are formed. The insulating film 580 is formed of a material having flexibility to be bent. A driving device may be mounted on the insulating film 580 and a driving package such as a chip on film (COF) may be formed together with the insulating film 580 and may be formed on the insulating film 580 And supplies driving signals and data to the pixels arranged in the display area A / A.

절연필름(580)과 연결되는 회로기판은 외부로부터 영상신호를 입력받아 표시영역(A/A)에 배치된 화소에 에 다양한 신호를 인가할 수 있으며, 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board)일 수 있다.The circuit board connected to the insulating film 580 may apply various signals to pixels arranged in the display area A / A by receiving an image signal from the outside and may be a printed circuit board .

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역, 및 표시영역의 일측에서 연장되어 벤딩된 벤딩영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 있는 박막트랜지스터 및 발광소자, 플렉시블 기판의 표시영역 상에 있는 터치스크린패널, 터치스크린패널과 연결되며 벤딩영역의 외곽에서 벤딩된 터치회로기판, 터치스크린패널 상에 있으며, 터치회로기판의 일부를 덮는 편광판, 및 터치회로기판과 인접하며, 터치스크린패널의 상면 및 편광판의 하면과 접하는 단차보상부재를 포함한다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a flexible substrate including a display region and a bending region extending from one side of the display region, a thin film transistor and a light emitting element on the display region, a display region A touch screen panel on the touch screen panel, a touch circuit board bent on the periphery of the bending area and connected to the touch screen panel, a polarizer on the touch screen panel, a polarizer covering a part of the touch circuit board, And a step difference compensating member contacting the upper surface of the panel and the lower surface of the polarizing plate.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판의 표시영역 하면 및 벤딩영역 하면의 일측의 각각에 더 배치되며, 각각의 백플레이트는 서로 대향한다.The flexible substrate of the flexible electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention is further disposed on each of the lower surface and the lower surface of the lower surface of the display region of the flexible substrate and the lower surface of the bending region.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 백플레이트는 복수의 층으로 구성된다.The back plate of the flexible electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention is composed of a plurality of layers.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 백플레이트의 복수의 층 중에서 적어도 한 층은 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 중 하나로 구성된다.At least one of the plurality of layers of the back plate of the flexible electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention is composed of one of polyimide, polyethylene naphthalate (PEN), and polyethylene terephthalate (PET).

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 각각의 백플레이트 사이에 지지부재가 더 배치되며, 지지부재는 각각의 백플레이트와 접한다.A supporting member is further disposed between each back plate of the flexible electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention, and the supporting member contacts with each back plate.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 지지부재는 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 중 하나로 구성된다.The supporting member of the flexible electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention is composed of one of polycarbonate (PC), polyimide (PI), polyethylene naphthalate (PEN), and polyethylene terephthalate (PET).

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 단차보상부재는 수지(Resin) 재질로 구성된다.The step difference compensation member of the flexible electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention is made of a resin material.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 단차보상부재는 터치스크린패널과 터치회로기판 사이에 배치된다.The step difference compensating member of the flexible electroluminescence display according to the embodiment of the present invention is disposed between the touch screen panel and the touch circuit board.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치스크린패널과 편광판은 서로 접착되어 고정된다.The touch screen panel and the polarizing plate of the flexible electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention are adhered and fixed to each other.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치스크린패널과 터치회로기판의 끝단 사이에는 단차가 있다.A step is provided between the touch screen panel of the flexible electroluminescence display device and the end of the touch circuit board according to the embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 단차보상부재는 터치회로기판과 인접한 영역에서 단차를 채우며, 터치스크린패널의 상면에 있는 편광판을 고정한다. The step difference compensating member of the flexible electroluminescence display according to the embodiment of the present invention fills the step difference in the region adjacent to the touch circuit substrate and fixes the polarizing plate on the upper surface of the touch screen panel.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판과 터치스크린패널 사이에 접착제가 더 포함되며, 접착제는 플렉시블 기판과 터치기판을 고정한다.An adhesive is further provided between the flexible substrate and the touch screen panel of the flexible electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention, and the adhesive fixes the flexible substrate and the touch substrate.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 접착제는 투명 접착 레진 및 투명 접착 필름 중 하나로 구성된다.The adhesive of the flexible electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention is composed of one of a transparent adhesive resin and a transparent adhesive film.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 벤딩영역과 연결된 절연필름을 더 포함하며, 절연필름에는 회로구동소자가 배치되어 있다.The flexible electro-luminescence display device according to an embodiment of the present invention further includes an insulation film connected to a bending region, and a circuit driving device is disposed on the insulation film.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 벤딩영역 상에 마이크로 커버층이 있다.There is a micro-cover layer on the bending region of the flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역 및 표시영역의 외곽을 두르고, 벤딩영역을 구비하는 비표시영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 있는 박막트랜지스터 및 발광소자, 플렉시블 기판의 표시영역 상에 있는 터치스크린패널, 터치스크린패널과 연결되고 벤딩된 벤딩영역의 외곽에서 벤딩된 터치회로기판, 터치스크린패널 상에 있으며, 터치회로기판의 일부를 덮는 편광판, 및 터치스크린패널과 터치회로기판의 끝단과의 단차를 채우는 단차보상부재를 포함하며, 단차보상부재는 터치스크린패널의 상면 및 편광판의 하면과 접한다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a flexible substrate including a non-display region having a display region and a periphery of a display region and having a bending region, a thin film transistor and a light emitting element on the display region, A touch screen panel on the display area of the touch screen panel, a touch circuit board bent at the periphery of the bent bending area connected to the touch screen panel, a polarizer plate covering a part of the touch circuit board on the touch screen panel, And a step difference compensating member which fills a step with the end of the touch circuit board, wherein the step difference compensating member contacts the upper surface of the touch screen panel and the lower surface of the polarizing plate.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치스크린패널과 편광판은 서로 접착하여 고정한다.The touch screen panel and the polarizing plate of the flexible electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention are bonded and fixed to each other.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 단차보상부재는 터치스크린패널과 터치회로기판의 끝단과의 단차로 인해, 터치스크린패널과 편광판이 접착하지 않는 영역을 채운다.The step difference compensation member of the flexible electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention fills a region where the touch screen panel and the polarizer do not adhere due to the step difference between the touch screen panel and the end of the touch circuit board.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 단차보상부재는 수지(Resin) 재질로 구성된다.The step difference compensation member of the flexible electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention is made of a resin material.

본 발명의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판의 표시영역 하면 및 벤딩영역 하면의 일측의 각각에 백플레이트가 있으며, 각각의 백플레이트는 서로 대향한다.The flexible EL display device according to the embodiment of the present invention has a back plate on each of the bottom surface and the bottom surface of the bending region of the flexible substrate, and the back plates are opposed to each other.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100, 200, 300, 400, 500: 전계발광 표시장치
110: 영상처리부 120: 타이밍 컨트롤러
130: 데이터드라이버 140: 게이트드라이버
150: 표시패널
160: 화소
220: 게이트라인
230: 데이터라인
240: 스위칭트랜지스터 250: 구동트랜지스터
260: 보상회로
270, 440: 발광소자
310, 410, 510: 플렉시블 기판
320, 520: 터치스크린 패널
325: 터치전극
330, 545: 터치패드
335: 터치배선
340, 540: 터치회로기판
370: 회로배선
390: 게이트구동부 395: 패드
420: 박막트랜지스터 422: 게이트전극
424: 소스전극 426: 드레인전극
428: 반도체층
431: 제1 절연층 433: 제2 절연층
435: 제1 평탄화층 437: 제2 평탄화층
442: 애노드 444: 발광부
446: 캐소드 450: 뱅크
452: 스페이서 460: 봉지부
462: 제1 배선 464: 제2 배선
466, 570: 마이크로 코팅층
515: 접착층
530: 편광판
550: 단차보상부재
560: 백플레이트
565: 지지부재
580: 절연필름
A/A: 표시영역 N/A: 비표시영역
B/A: 벤딩영역 S/L: 스캔라인
T/A: 터치영역 NT/A: 비터치영역
100, 200, 300, 400, 500: electroluminescent display device
110: image processor 120: timing controller
130: Data driver 140: Gate driver
150: Display panel
160: pixel
220: gate line
230: Data line
240: switching transistor 250: driving transistor
260: Compensation circuit
270, 440: Light emitting element
310, 410, 510: Flexible substrate
320, 520: touch screen panel
325: touch electrode
330, 545: Touchpad
335: Touch wiring
340, 540: Touch circuit board
370: Circuit Wiring
390: gate driver 395: pad
420: thin film transistor 422: gate electrode
424: source electrode 426: drain electrode
428: Semiconductor layer
431: first insulation layer 433: second insulation layer
435: first planarization layer 437: second planarization layer
442: anode 444:
446: cathode 450: bank
452: spacer 460:
462: first wiring 464: second wiring
466, 570: micro coating layer
515: Adhesive layer
530: polarizer
550: step difference compensating member
560: back plate
565: Support member
580: Insulation film
A / A: display area N / A: non-display area
B / A: Bending area S / L: Scan line
T / A: Touch area NT / A: Non touch area

Claims (20)

표시영역, 및 상기 표시영역의 일측에서 연장되어 벤딩된 벤딩영역을 포함하는 플렉시블 기판;
상기 표시영역 상에 있는 박막트랜지스터 및 발광소자;
상기 플렉시블 기판의 상기 표시영역 상에 있는 터치스크린패널;
상기 터치스크린패널과 연결되며, 상기 벤딩영역의 외곽에서 벤딩된 터치회로기판;
상기 터치스크린패널 상에 있으며, 상기 터치회로기판의 일부를 덮는 편광판; 및
상기 터치회로기판과 인접하며, 상기 터치스크린패널의 상면 및 상기 편광판의 하면과 접하는 단차보상부재를 포함하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
A flexible substrate including a display region and a bending region extending from one side of the display region;
A thin film transistor and a light emitting element on the display region;
A touch screen panel on the display area of the flexible substrate;
A touch circuit board connected to the touch screen panel and bent at a periphery of the bending area;
A polarizing plate on the touch screen panel and covering a part of the touch circuit board; And
And a level difference compensating member adjacent to the touch circuit substrate and contacting the upper surface of the touch screen panel and the lower surface of the polarizer.
제1 항에 있어서,
상기 표시영역 하면 및 상기 벤딩영역 하면의 일측의 각각에 백플레이트가 더 배치되며, 상기 각각의 백플레이트는 서로 대향하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein a back plate is further disposed on each of the bottom surface of the display area and the bottom surface of the bending area, and the back plates are opposed to each other.
제2 항에 있어서,
상기 백플레이트는 복수의 층으로 구성되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the back plate is composed of a plurality of layers.
제3 항에 있어서,
상기 백플레이트의 복수의 층 중에서 적어도 한 층은 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 중 하나로 구성되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method of claim 3,
Wherein at least one of the plurality of layers of the back plate is composed of one of polyimide, polyethylene naphthalate (PEN), and polyethylene terephthalate (PET).
제2 항에 있어서,
상기 각각의 백플레이트 사이에 지지부재가 더 배치되며, 상기 지지부재는 상기 각각의 백플레이트와 접하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
3. The method of claim 2,
Wherein a support member is further disposed between each of the back plates, and the support member is in contact with each of the back plates.
제5 항에 있어서,
상기 지지부재는 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 중 하나로 구성되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the supporting member is formed of one of polycarbonate (PC), polyimide (PI), polyethylene naphthalate (PEN), and polyethylene terephthalate (PET).
제1 항에 있어서,
상기 단차보상부재는 수지(Resin) 재질로 구성되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the step difference compensating member is made of a resin material.
제1 항에 있어서,
상기 단차보상부재는 상기 터치스크린패널과 상기 터치회로기판 사이에 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the step difference compensating member is disposed between the touch screen panel and the touch circuit board.
제1 항에 있어서,
상기 터치스크린패널과 상기 편광판은 서로 접착되어 고정되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the touch screen panel and the polarizing plate are adhered and fixed to each other.
제1 항에 있어서,
상기 터치스크린패널과 상기 터치회로기판의 끝단 사이에는 단차가 있는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
And a step is provided between the touch screen panel and an end of the touch circuit board.
제10 항에 있어서,
상기 단차보상부재는 상기 터치회로기판과 인접한 영역에서 상기 단차를 채우며, 상기 터치스크린패널의 상면에 있는 상기 편광판을 고정하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
11. The method of claim 10,
Wherein the step compensating member fills the step in an area adjacent to the touch circuit substrate and fixes the polarizing plate on an upper surface of the touch screen panel.
제1 항에 있어서,
상기 플렉시블 기판과 상기 터치스크린패널 사이에 접착제가 더 포함되며, 상기 접착제는 상기 플렉시블 기판과 상기 터치기판을 고정하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the flexible substrate further comprises an adhesive between the flexible substrate and the touch screen panel, and the adhesive fixes the flexible substrate and the touch substrate.
제12 항에 있어서,
상기 접착제는 투명 접착 레진 및 투명 접착 필름 중 하나로 구성되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
13. The method of claim 12,
Wherein the adhesive is composed of one of a transparent adhesive resin and a transparent adhesive film.
제1 항에 있어서,
상기 벤딩영역과 연결된 절연필름을 더 포함하며, 상기 절연필름에는 회로구동소자가 배치되어 있는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Further comprising an insulating film connected to the bending region, wherein a circuit driving element is disposed in the insulating film.
제1 항에 있어서,
상기 벤딩영역 상에 마이크로 커버층이 있는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
And a micro-cover layer on the bending region.
표시영역 및 상기 표시영역의 외곽을 두르고, 벤딩영역을 구비하는 비표시영역을 포함하는 플렉시블 기판;
상기 표시영역 상에 있는 박막트랜지스터 및 발광소자;
상기 플렉시블 기판의 상기 표시영역 상에 있는 터치스크린패널;
상기 터치스크린패널과 연결되며, 상기 벤딩된 벤딩영역의 외곽에서 벤딩된 터치회로기판;
상기 터치스크린패널 상에 있으며, 상기 터치회로기판의 일부를 덮는 편광판; 및
상기 터치스크린패널과 상기 터치회로기판의 끝단과의 단차를 채우는 단차보상부재를 포함하며, 상기 단차보상부재는 상기 터치스크린패널의 상면 및 상기 편광판의 하면과 접하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
A flexible substrate including a non-display region having a display region and an outer periphery of the display region and having a bending region;
A thin film transistor and a light emitting element on the display region;
A touch screen panel on the display area of the flexible substrate;
A touch circuit board connected to the touch screen panel and bent at a periphery of the bent bending region;
A polarizing plate on the touch screen panel and covering a part of the touch circuit board; And
And a level difference compensating member for compensating a level difference between the touch screen panel and an end of the touch circuit board, wherein the level compensating member is in contact with the upper surface of the touch screen panel and the lower surface of the polarizer.
제16 항에 있어서,
상기 터치스크린패널과 상기 편광판은 서로 접착하여 고정하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
17. The method of claim 16,
Wherein the touch screen panel and the polarizing plate are adhered and fixed to each other.
제17 항에 있어서,
상기 단차보상부재는 상기 단차로 인하여 상기 터치스크린패널과 상기 편광판이 접착하지 않는 영역을 채우는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
18. The method of claim 17,
Wherein the step compensating member fills an area where the touch screen panel and the polarizing plate are not bonded due to the step difference.
제16 항에 있어서,
상기 단차보상부재는 수지(Resin) 재질로 구성되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
17. The method of claim 16,
Wherein the step difference compensating member is made of a resin material.
제16 항에 있어서,
상기 표시영역 하면 및 상기 벤딩영역 하면의 일측의 각각에 백플레이트가 있으며, 상기 각각의 백플레이트는 서로 대향하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
17. The method of claim 16,
Wherein a back plate is provided on each of the lower surface of the display area and the lower surface of the lower surface of the bending area, and the back plates face each other.
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