KR102656855B1

KR102656855B1 - Flexible Electroluminescent Display Apparatus

Info

Publication number: KR102656855B1
Application number: KR1020180140831A
Authority: KR
Inventors: 이주엽; 권익현; 박정권; 김용수; 한상은; 강보경
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2018-11-15
Filing date: 2018-11-15
Publication date: 2024-04-11
Also published as: KR20200056763A

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치가 제공된다. 플렉시블 전계발광 표시장치는, 표시영역, 및 표시영역의 일측에서 연장되고 벤딩된 벤딩영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 배치되는 박막 트랜지스터 및 발광소자, 표시영역 상에 배치되며, 박막 트랜지스터 및 발광소자 상에 배치되는 편광판 및 벤딩영역 상에 필름형태로 구성되는 패널 테이프를 포함하며, 패널 테이프와 편광판이 같은 두께를 가진다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention is provided. A flexible electroluminescent display device includes a flexible substrate including a display area and a bending area extending and bent at one side of the display area, a thin film transistor and a light emitting element disposed on the display area, a thin film transistor and a light emitting element disposed on the display area, and It includes a polarizing plate disposed on the light emitting device and a panel tape in the form of a film on the bending area, and the panel tape and the polarizing plate have the same thickness.

Description

Flexible Electroluminescent Display Apparatus}

본 명세서는 플렉시블 전계발광 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 박형화된 플렉시블 전계발광 표시장치에 관한 것이다.This specification relates to a flexible electroluminescent display device, and more specifically, to a thinner flexible electroluminescent display device.

본격적인 정보화 시대로 접어들면서 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시장치 분야가 급속도로 발전하고 있으며, 여러가지 표시장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다. As we enter the information age, the field of display devices that visually display electrical information signals is developing rapidly, and research is continuing to develop performance such as thinner, lighter, and lower power consumption for various display devices.

대표적인 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display apparatus; LCD), 전계방출 표시장치(Field Emission Display apparatus; FED), 전기습윤 표시장치(Electro-Wetting Display apparatus; EWD) 및 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display apparatus; OLED) 등을 들 수 있다. Representative display devices include Liquid Crystal Display apparatus (LCD), Field Emission Display apparatus (FED), Electro-Wetting Display apparatus (EWD), and Organic Light Emitting Display apparatus (Organic light emitting display apparatus). Light Emitting Display apparatus (OLED), etc. may be mentioned.

유기발광 표시장치를 포함하는 전계발광 표시장치는 자체 발광형 표시장치로서, 액정 표시장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조가 가능하다. 또한, 전계발광 표시장치는 저전압 구동에 의해 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상구현, 응답속도, 시야각, 명암 대비비(Contrast Ratio; CR)도 우수하여, 다양한 분야에서 활용이 기대되고 있다.Electroluminescent displays, including organic light emitting displays, are self-luminous displays, and unlike liquid crystal displays, they do not require a separate light source and can be manufactured in a lightweight and thin form. In addition, electroluminescent display devices are not only advantageous in terms of power consumption due to low voltage operation, but also have excellent color reproduction, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), and are expected to be utilized in various fields.

전계발광 표시장치는 애노드(Anode)와 캐소드(Cathode)로 된 두 개의 전극 사이에 유기물을 사용한 발광층(Emissive Layer; EML)을 배치한다. 애노드에서 정공(Hole)을 발광층으로 주입시키고, 캐소드에서 전자(Electron)를 발광층으로 주입시키면, 주입된 전자와 정공이 서로 재결합하면서 발광층에서 여기자(Exciton)를 형성하며 발광한다. An electroluminescent display device places an emissive layer (EML) made of organic material between two electrodes, an anode and a cathode. When holes are injected from the anode into the light-emitting layer and electrons from the cathode are injected into the light-emitting layer, the injected electrons and holes recombine with each other, forming excitons in the light-emitting layer and emitting light.

발광층에는 호스트(Host) 물질과 도펀트(Dopant) 물질이 포함되어 있으며, 두 물질 사이에서 상호작용이 발생한다. 호스트는 전자와 정공으로부터 여기자를 생성하여 도펀트로 에너지를 전달하는 역할을 하고, 도펀트는 소량으로 첨가되는 염료성 유기물로, 호스트로부터 에너지를 받아서 광으로 전환시키는 역할을 한다. The emitting layer contains a host material and a dopant material, and interaction occurs between the two materials. The host generates excitons from electrons and holes and transfers energy to the dopant. The dopant is a dye-like organic substance added in small amounts and serves to receive energy from the host and convert it into light.

유기물로 이루어진 발광층을 포함하는 전계발광 표시장치는 유리(Glass), 금속(Metal) 또는 필름(Film)으로 전계발광 표시장치를 봉지(Encapsulation)하여 외부에서 전계발광 표시장치의 내부로 수분이나 산소의 유입을 차단함으로써 발광층 및 전극의 산화를 방지하고, 외부에서 가해지는 기계적 또는 물리적 충격으로부터 보호한다.An electroluminescent display device containing a light-emitting layer made of organic material encapsulates the electroluminescent display device with glass, metal, or film to prevent moisture or oxygen from entering the electroluminescent display device from the outside. By blocking the inflow, oxidation of the light emitting layer and electrode is prevented and protected from external mechanical or physical shock.

표시장치가 소형화됨에 따라, 표시장치의 동일 면적에서 유효 표시 화면 크기를 증가시키기 위해 표시영역(Active Area; A/A)의 외곽부인 베젤영역(Bezel Area)을 축소시키려는 노력이 계속되고 있다. As display devices become smaller, efforts are being made to reduce the bezel area, which is the outer portion of the active area (A/A), in order to increase the effective display screen size in the same area of the display device.

일반적으로 비표시영역(Non-active Area; N/A)에 해당하는 베젤영역에는 화면을 구동시키기 위한 배선 및 구동회로가 배치되기 때문에, 베젤영역을 최소화하는 데에는 한계가 있었다. Since wiring and driving circuits for driving the screen are generally placed in the bezel area, which is the non-active area (N/A), there was a limit to minimizing the bezel area.

플라스틱(Plastic)과 같은 연성재료의 플렉시블 기판(Flexible Substrate)을 적용하여 휘어져도 표시성능을 유지할 수 있는 플렉시블 전계발광 표시장치와 관련하여, 배선 및 구동회로를 위한 면적을 확보하면서도 베젤영역을 최소화하기 위해서 플렉시블 기판의 비표시영역을 벤딩(Bending)하여 베젤영역을 최소화하는 기술이 개발되어 적용되고 있다.Regarding flexible electroluminescent displays that can maintain display performance even when bent by applying a flexible substrate made of a soft material such as plastic, it is necessary to minimize the bezel area while securing area for wiring and driving circuits. For this purpose, technology has been developed and applied to minimize the bezel area by bending the non-display area of the flexible substrate.

플라스틱 등과 같이 플렉시블 기판을 사용한 플렉시블 전계발광 표시장치는 기판, 기판 상에 배치되는 각종 절연층 및 금속물질로 형성되는 배선 등의 플렉시빌리티(Flexibility)를 확보하면서도 벤딩으로 인해 발생될 수 있는 크랙(Crack)으로부터 발생될 수 있는 불량을 방지하는 것이 중요하다. Flexible electroluminescent displays using flexible substrates such as plastic ensure flexibility of the substrate, various insulating layers placed on the substrate, and wiring formed of metal materials, but are also resistant to cracks that may occur due to bending. ) It is important to prevent defects that may occur.

이와함께, 표시장치의 두께를 줄이기 위한 박형화 추세에 따라서 표시장치에 포함되어 있는 구성요소들의 두께를 줄여서 전체 표시장치의 두께를 줄이는 위한 연구가 진행되고 있다. 이때, 줄어든 표시장치의 구성요소들의 두께에 따라서 벤딩영역(B/A)의 구조역시 함께 변경할 필요성이 대두되고 있다.In addition, in accordance with the trend of thinning the display device, research is being conducted to reduce the thickness of the entire display device by reducing the thickness of the components included in the display device. At this time, there is a need to change the structure of the bending area (B/A) according to the reduced thickness of the components of the display device.

이에, 본 명세서의 발명자들은 위에서 언급한 문제점을 인식하고, 새로운 구조의 벤딩영역(B/A)을 포함한 플렉시블 전계발광 표시장치를 발명하였다.Accordingly, the inventors of the present specification recognized the above-mentioned problems and invented a flexible electroluminescent display device including a bending area (B/A) of a new structure.

본 명세서의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The tasks of this specification are not limited to the tasks mentioned above, and other tasks not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description below.

본 발명의 다른 특징에 따르면, 패널 테이프는 벤딩영역에서 플렉시블 기판과 직접 접한다.According to another feature of the present invention, the panel tape is in direct contact with the flexible substrate in the bending area.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 패널 테이프에는 플렉시블 기판과 직접 접하는 면에 접착성 물질이 도포된다.According to another feature of the present invention, an adhesive material is applied to the panel tape on the side that is in direct contact with the flexible substrate.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 패널 테이프는 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군 중 하나를 포함한다.According to another feature of the present invention, the panel tape includes one of the group consisting of polyester-based polymer, silicone-based polymer, acrylic polymer, polyolefin-based polymer, and copolymers thereof.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 표시장치는 표시영역의 하면에 백플레이트를 더 포함한다.According to another feature of the present invention, the display device further includes a back plate on the lower surface of the display area.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 백플레이트는 복수의 층으로 구성된다.According to another feature of the present invention, the backplate is composed of a plurality of layers.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 백플레이트의 복수의 층 중에서 적어도 한 층은 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 중 하나로 구성된다.According to another feature of the present invention, at least one layer among the plurality of layers of the back plate is made of one of polyimide, polyethylene naphthalate (PEN), and polyethylene terephthalate (PET).

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 표시장치는 편광판 상에 커버 글라스를 더 포함한다.According to another feature of the present invention, the display device further includes a cover glass on the polarizer.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 편광판 및 커버 글라스 사이에는 접착층이 배치되고, 편광판 및 커버 글라스는 접착층에 의해 서로 접착된다.According to another feature of the present invention, an adhesive layer is disposed between the polarizer and the cover glass, and the polarizer and the cover glass are adhered to each other by the adhesive layer.

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 접착층은 투명한 접착 레진(Optically Cleared Resin; OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Cleared film; OCA film) 재질로 구성된다.According to another feature of the present invention, the adhesive layer is made of a transparent adhesive resin (Optically Cleared Resin (OCR)) or a transparent adhesive film (Optically Cleared film (OCA film)).

본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 플렉시블 기판과 연결된 절연필름을 더 포함하며, 절연필름에는 회로구동소자가 배치된다.According to another feature of the present invention, it further includes an insulating film connected to the flexible substrate, and a circuit driving element is disposed on the insulating film.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 플렉시블 기판 벤딩영역의 마이크로 코팅층 구조를 개선하여 박형화된 표시장치를 제공할 수 있는 효과가 있다.The flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present specification has the effect of providing a thinner display device by improving the micro coating layer structure in the bending area of the flexible substrate.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects of the flexible electroluminescent display device according to the embodiments of the present specification are not limited to the contents exemplified above, and further various effects are included in the present specification.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 명세서의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 명세서의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.Since the contents of the specification described in the problem to be solved, the means to solve the problem, and the effect described above do not specify the essential features of the claim, the scope of the claim is not limited by the matters described in the content of the specification.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. The advantages and features of the present invention and methods for achieving them will become clear by referring to the embodiments described in detail below along with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below and will be implemented in various different forms. The present embodiments only serve to ensure that the disclosure of the present invention is complete and that common knowledge in the technical field to which the present invention pertains is not limited. It is provided to fully inform those who have the scope of the invention, and the present invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, proportions, angles, numbers, etc. disclosed in the drawings for explaining embodiments of the present invention are illustrative, and the present invention is not limited to the matters shown. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. Additionally, in describing the present invention, if it is determined that a detailed description of related known technologies may unnecessarily obscure the gist of the present invention, the detailed description will be omitted. When 'includes', 'has', 'consists of', etc. mentioned in this specification are used, other parts may be added unless 'only' is used. When a component is expressed in the singular, the plural is included unless specifically stated otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.When interpreting a component, it is interpreted to include the margin of error even if there is no separate explicit description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of a positional relationship, for example, if the positional relationship of two parts is described as 'on top', 'on the top', 'on the bottom', 'next to', etc., 'immediately' Alternatively, there may be one or more other parts placed between the two parts, unless 'directly' is used.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.Although first, second, etc. are used to describe various components, these components are not limited by these terms. These terms are merely used to distinguish one component from another. Accordingly, the first component mentioned below may also be the second component within the technical spirit of the present invention.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.Each feature of the various embodiments of the present invention can be combined or combined with each other, partially or entirely, and various technological interconnections and operations are possible, and each embodiment can be implemented independently of each other or together in a related relationship. It may be possible.

도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 블록도이다. 1 is a block diagram of an electroluminescence display device according to an embodiment of the present specification.

도 1을 참조하면, 본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치(100)는 영상처리부(110), 타이밍 컨트롤러(120), 데이터 구동부(130), 게이트 구동부(140) 및 표시패널(150)을 포함한다.Referring to FIG. 1, the flexible electroluminescent display device 100 according to an embodiment of the present specification includes an image processing unit 110, a timing controller 120, a data driver 130, a gate driver 140, and a display panel 150. ) includes.

영상처리부(110)는 외부로부터 공급된 데이터 신호(DATA)와 더불어 데이터 인에이블 신호(DE) 등을 출력한다. 영상처리부(110)는 데이터 인에이블 신호(DE) 외에도 수직동기신호, 수평동기신호 및 클럭신호 중 하나 이상을 출력할 수 있다.The image processing unit 110 outputs a data enable signal (DE) in addition to a data signal (DATA) supplied from the outside. The image processing unit 110 may output one or more of a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and a clock signal in addition to the data enable signal (DE).

타이밍 컨트롤러(120)는 영상처리부(110)로부터 데이터 인에이블 신호(DE) 또는 수직동기신호, 수평동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 데이터 신호(DATA)를 공급받아 데이터 구동부(130)로 출력한다. 타이밍 컨트롤러(120)는 구동신호에 기초하여 게이트 구동부(140)의 동작타이밍을 제어하기 위한 게이트타이밍 제어신호(GDC)와 데이터 구동부(130)의 동작타이밍을 제어하기 위한 데이터타이밍 제어신호(DDC)를 출력한다. The timing controller 120 receives a data signal (DATA) along with a driving signal including a data enable signal (DE) or a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and a clock signal from the image processing unit 110, and operates the data driver 130. ) is output. The timing controller 120 provides a gate timing control signal (GDC) for controlling the operation timing of the gate driver 140 and a data timing control signal (DDC) for controlling the operation timing of the data driver 130 based on the driving signal. outputs.

데이터 구동부(130)는 타이밍 컨트롤러(120)로부터 공급된 데이터타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍 컨트롤러(120)로부터 공급되는 데이터 신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압으로 변환하여 출력한다. 데이터 구동부(130)는 데이터 라인들(DL1~DLn)을 통해 데이터 신호(DATA)를 출력한다.The data driver 130 samples and latches the data signal (DATA) supplied from the timing controller 120 in response to the data timing control signal (DDC) supplied from the timing controller 120, converts it to a gamma reference voltage, and outputs it. . The data driver 130 outputs a data signal DATA through the data lines DL1 to DLn.

게이트 구동부(140)는 타이밍 컨트롤러(120)로부터 공급된 게이트타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트 전압의 레벨을 시프트시키면서 게이트 신호를 출력한다. 게이트 구동부(140)는 게이트 라인들(GL1~GLm)을 통해 게이트 신호를 출력한다. The gate driver 140 outputs a gate signal while shifting the level of the gate voltage in response to the gate timing control signal (GDC) supplied from the timing controller 120. The gate driver 140 outputs a gate signal through the gate lines GL1 to GLm.

표시패널(150)은 데이터 구동부(130) 및 게이트 구동부(140)로부터 공급된 데이터 신호(DATA) 및 게이트 신호에 대응하여 화소(160)가 발광하면서 영상을 표시한다. 화소(160)의 상세구조는 도 2 및 도 3에서 설명한다.The display panel 150 displays an image as the pixel 160 emits light in response to the data signal (DATA) and gate signal supplied from the data driver 130 and the gate driver 140. The detailed structure of the pixel 160 is explained in FIGS. 2 and 3.

도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함되는 화소 회로도이다.Figure 2 is a pixel circuit diagram included in an electroluminescence display device according to an embodiment of the present specification.

도 2를 참조하면, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(200)의 화소는 스위칭 트랜지스터(240), 구동 트랜지스터(250), 보상회로(260) 및 발광소자(270)를 포함한다. Referring to FIG. 2, the pixel of the electroluminescent display device 200 according to an embodiment of the present specification includes a switching transistor 240, a driving transistor 250, a compensation circuit 260, and a light emitting element 270.

발광소자(270)는 구동 트랜지스터(250)에 의해 형성된 구동전류에 따라 발광하도록 동작한다.The light emitting element 270 operates to emit light according to the driving current generated by the driving transistor 250.

스위칭 트랜지스터(240)는 게이트 라인(220)을 통해 공급된 게이트 신호에 대응하여 데이터 라인(230)을 통해 공급되는 데이터 신호가 보상회로(260)의 커패시터(Capacitor)에 데이터 전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. The switching transistor 240 performs a switching operation so that the data signal supplied through the data line 230 is stored as a data voltage in the capacitor of the compensation circuit 260 in response to the gate signal supplied through the gate line 220. do.

구동 트랜지스터(250)는 커패시터에 저장된 데이터 전압에 대응하여 고전위 전원라인(VDD)과 저전위 전원라인(GND) 사이로 일정한 구동전류가 흐르도록 동작한다. The driving transistor 250 operates so that a constant driving current flows between the high-potential power line (VDD) and the low-potential power line (GND) in response to the data voltage stored in the capacitor.

보상회로(260)는 구동 트랜지스터(250)의 문턱전압 등을 보상하기 위한 회로이며, 보상회로(260)는 하나 이상의 박막 트랜지스터와 커패시터를 포함한다. 보상회로의 구성은 보상 방법에 따라 매우 다양할 수 있다. The compensation circuit 260 is a circuit for compensating the threshold voltage of the driving transistor 250, and the compensation circuit 260 includes one or more thin film transistors and a capacitor. The composition of the compensation circuit can vary greatly depending on the compensation method.

그리고, 전계발광 표시장치(200)의 화소는 스위칭 트랜지스터(240), 구동 트랜지스터(250), 커패시터 및 발광소자(270)를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성되며, 보상회로(260)가 추가된 경우 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T1C, 6T2C, 7T1C, 7T2C 등으로 다양하게 형성할 수 있다.In addition, the pixel of the electroluminescent display device 200 is composed of a 2T (Transistor) 1C (Capacitor) structure including a switching transistor 240, a driving transistor 250, a capacitor, and a light emitting element 270, and a compensation circuit ( 260) is added, it can be formed in various ways, such as 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T1C, 6T2C, 7T1C, 7T2C, etc.

도 3은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판의 평면도이다. Figure 3 is a plan view of a flexible substrate of an electroluminescence display device according to an embodiment of the present specification.

이때, 도 3은 플렉시블 기판(310)을 포함하여 플렉시블 가능한 전계발광 표시장치(300)를 나타낸 것으로, 플렉시블 기판(310)이 벤딩되지 않은 상태이다. At this time, FIG. 3 shows a flexible electroluminescent display device 300 including a flexible substrate 310, and the flexible substrate 310 is not bent.

도 3을 참조하면, 본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 기판(310)은 박막 트랜지스터 및 발광소자를 통해서 실제로 광을 발광하는 화소가 배치되는 표시영역(Active Area; A/A) 및 표시영역(A/A)의 외곽을 둘러싸는 비표시영역(Non-active Area; N/A)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the flexible substrate 310 according to an embodiment of the present specification has an active area (A/A) and a display area (A) where pixels that actually emit light through thin film transistors and light emitting devices are arranged. /A) includes a non-active area (N/A) surrounding the outside of the area.

플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)에는 전계발광 표시장치(300)의 구동을 위한 게이트 구동부(390) 등과 같은 회로 및 게이트 라인인 스캔 라인(Scan Line; S/L) 등과 같은 다양한 신호배선이 배치될 수 있다. 그리고, 전계발광 표시장치(300)의 구동을 위한 회로는 플렉시블 기판(310) 상에 GIP(Gate in Panel) 방식으로 배치되거나, TCP(Tape Carrier Package) 또는 COF(Chip on Film) 방식으로 플렉시블 기판(310)에 연결될 수도 있다. In the non-display area (N/A) of the flexible substrate 310, circuits such as the gate driver 390 for driving the electroluminescence display device 300 and the gate line (Scan Line (S/L)) are provided. Various signal wires can be arranged. In addition, the circuit for driving the electroluminescent display device 300 is arranged on the flexible substrate 310 in the GIP (Gate in Panel) method, or is installed on the flexible substrate in the TCP (Tape Carrier Package) or COF (Chip on Film) method. It may also be connected to (310).

플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)의 일측에는 패드(395)가 배치된다. 패드(395)는 외부 모듈이 본딩되는(Bonded) 금속 패턴이다.A pad 395 is disposed on one side of the non-display area (N/A) of the flexible substrate 310. Pad 395 is a metal pattern to which an external module is bonded.

플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)의 일부는 도 3에 도시된 화살표와 같은 벤딩방향으로 구부려서 벤딩영역(B/A)을 형성할 수 있다. 다시 말해, 벤딩영역(B/A)은 표시영역(A/A)의 일측에서 연장된 비표시영역(N/A)의 일부일 수 있다.A portion of the non-display area (N/A) of the flexible substrate 310 may be bent in a bending direction as indicated by the arrow shown in FIG. 3 to form a bending area (B/A). In other words, the bending area (B/A) may be a part of the non-display area (N/A) extending from one side of the display area (A/A).

플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)은 화면을 구동시키기 위한 배선 및 구동회로가 배치되며, 화상이 표시되는 영역이 아니므로, 플렉시블 기판(310)의 상면에서 시인되지 않는 영역이다. 따라서, 플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)의 일부영역을 벤딩함으로써 배선 및 구동회로를 위한 면적을 확보하면서도 베젤영역을 최소화할 수 있다.The non-display area (N/A) of the flexible substrate 310 is an area where wiring and driving circuits for driving the screen are arranged and is not an area where images are displayed, so it is an area that is not visible from the top surface of the flexible substrate 310. . Therefore, by bending a portion of the non-display area (N/A) of the flexible substrate 310, the bezel area can be minimized while securing area for wiring and driving circuits.

플렉시블 기판(310) 상에는 다양한 배선들이 형성된다. 배선은 플렉시블 기판(310)의 표시영역(A/A)에 배치될 수 있고, 비표시영역(N/A)에도 배치될 수 있다. 특히, 비표시영역(N/A)에 형성되는 회로배선(370)은 구동회로, 예를 들어, 게이트 구동부 또는 데이터 구동부 등에 연결되어 신호를 전달할 수 있다. Various wiring lines are formed on the flexible substrate 310. The wiring may be placed in the display area (A/A) of the flexible substrate 310, and may also be placed in the non-display area (N/A). In particular, the circuit wiring 370 formed in the non-display area (N/A) may be connected to a driving circuit, for example, a gate driver or a data driver, and transmit a signal.

회로배선(370)은 도전성 물질로 형성되며, 플렉시블 기판(310)의 벤딩 시 크랙이 발생되는 것을 줄이기 위해 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 회로배선(370)은 금(Au), 은(Ag), 및 알루미늄(Al) 등과 같이 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있고, 표시영역(A/A)에서 사용되는 다양한 도전성 물질 중 하나로 형성될 수 있으며, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu), 및 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금 등으로도 구성될 수 있다. 그리고, 회로배선(370)은 다양한 도전성 물질을 포함하는 다층구조로 구성될 수도 있으며, 예를 들어, 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti)의 3층구조로 구성될 수도 있도 있으나, 본 명세서에 따른 회로배선(370)의 구조가 이에 제한되지는 않는다.The circuit wiring 370 is made of a conductive material and may be made of a conductive material with excellent ductility to reduce the occurrence of cracks when bending the flexible substrate 310. For example, the circuit wiring 370 may be formed of a conductive material with excellent ductility, such as gold (Au), silver (Ag), and aluminum (Al), and may be made of various conductive materials used in the display area (A/A). It can be formed from any of the following materials: molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), copper (Cu), and alloys of silver (Ag) and magnesium (Mg). It may also be composed of etc. In addition, the circuit wiring 370 may be composed of a multi-layer structure containing various conductive materials, for example, it may be composed of a three-layer structure of titanium (Ti) / aluminum (Al) / titanium (Ti). , the structure of the circuit wiring 370 according to the present specification is not limited thereto.

벤딩영역(B/A)에 형성되는 회로배선(370)은 벤딩되는 경우 인장력을 받게 된다. 예를 들면, 플렉시블 기판(310) 상에서 벤딩방향(화살표로 표시)과 동일한 방향으로 연장하는 회로배선(370)이 가장 큰 인장력을 받게 되어, 크랙이 발생할 수 있으며, 크랙이 심할 경우 단선이 발생할 수 있다. 따라서, 벤딩방향으로 연장되도록 회로배선(370)을 형성하는 것이 아니라, 벤딩영역(B/A)을 포함하여 배치되는 회로배선(370) 중 적어도 일부분은 벤딩 방향과 상이한 방향인 사선 방향으로 연장하도록 형성함으로써, 인장력을 최소화하여 크랙 발생을 최소화할 수 있다. The circuit wiring 370 formed in the bending area (B/A) receives a tensile force when bent. For example, the circuit wiring 370 extending in the same direction as the bending direction (indicated by an arrow) on the flexible substrate 310 is subjected to the greatest tensile force, which may cause cracks. If the cracks are severe, disconnection may occur. there is. Therefore, rather than forming the circuit wiring 370 to extend in the bending direction, at least a portion of the circuit wiring 370 disposed including the bending area (B/A) extends in a diagonal direction that is different from the bending direction. By forming it, the tensile force can be minimized and the occurrence of cracks can be minimized.

벤딩영역(B/A)을 포함하여 배치되는 회로배선(370)은 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 사다리꼴 형상, 삼각파 형상, 톱니파 형상, 정현파 형상, 오메가(Ω) 형상, 및 마름모 형상 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. The circuit wiring 370 disposed including the bending area (B/A) may be formed in various shapes, for example, trapezoidal shape, triangle wave shape, sawtooth wave shape, sinusoidal shape, omega (Ω) shape, and rhombus shape. It can be formed in various shapes, such as shape.

도 4는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 표시영역의 단면도이다. Figure 4 is a cross-sectional view of the display area of an electroluminescence display device according to an embodiment of the present specification.

도 4를 참조하면, 기판(410)은 상부에 배치되는 전계발광 표시장치(400)의 구성요소들을 지지 및 보호하는 역할을 하며, 최근에는 플렉시블 특성을 가지는 연성의 물질로 이루어질 수 있으므로, 기판(410)은 플렉시블 기판일 수 있다. 예를 들면, 플렉시블 기판은 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군 중 하나를 포함하는 필름형태일 수 있다. Referring to FIG. 4, the substrate 410 serves to support and protect the components of the electroluminescent display device 400 disposed on the upper portion, and has recently been made of a soft material with flexible characteristics, so the substrate ( 410) may be a flexible substrate. For example, the flexible substrate may be in the form of a film containing one of the group consisting of polyester-based polymer, silicon-based polymer, acrylic polymer, polyolefin-based polymer, and copolymers thereof.

예를 들면, 기판(410)은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리실란(polysilane), 폴리실록산(polysiloxane), 폴리실라잔(polysilazane), 폴리카르보실란(polycarbosilane), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리메타크릴레이트(polymethacrylate), 폴리메틸아크릴레이트(polymethylacrylate), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmetacrylate), 폴리에틸아크릴레이트(polyethylacrylate), 폴리에틸메타크릴레이트(polyethylmetacrylate), 사이클릭 올레핀 코폴리머(COC), 사이클릭 올레핀 폴리머(COP), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌(PS), 폴리아세탈(POM), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에스테르설폰(PES), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐리덴플로라이드(PVDF), 퍼플루오로알킬 고분자(PFA), 스타이렌아크릴나이트릴코폴리머(SAN) 및 이들의 조합 중에서 적어도 하나로 구성될 수 있다. For example, the substrate 410 is made of polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), polysilane, polysiloxane, polysilazane, polycarbosilane, polyacrylate, polymethacrylate, polymethylacrylate, polymethylmethacrylate, polyethylacrylate, polyethylmethacrylate, between Click olefin copolymer (COC), cyclic olefin polymer (COP), polyethylene (PE), polypropylene (PP), polyimide (PI), polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene (PS), polyacetal ( POM), polyetheretherketone (PEEK), polyestersulfone (PES), polytetrafluoroethylene (PTFE), polyvinyl chloride (PVC), polycarbonate (PC), polyvinylidene fluoride (PVDF), purple It may be composed of at least one of fluoroalkyl polymer (PFA), styrene acryl nitrile copolymer (SAN), and combinations thereof.

기판(410) 상에 버퍼층이 더 배치될 수 있다. 버퍼층은 기판(410)을 통한 수분이나 다른 불순물의 침투를 방지하며, 기판(410)의 표면을 평탄화할 수 있다. 이러한 버퍼층은 반드시 필요한 구성은 아니며, 기판(410)의 종류나 기판(410) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(420)의 종류에 따라 삭제될 수도 있다. A buffer layer may be further disposed on the substrate 410. The buffer layer prevents moisture or other impurities from penetrating through the substrate 410 and can flatten the surface of the substrate 410. This buffer layer is not necessarily a necessary component, and may be removed depending on the type of substrate 410 or the type of thin film transistor 420 disposed on the substrate 410.

기판(410) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(420)는 게이트 전극(422), 소스 전극(424), 드레인 전극(426) 및 반도체층(428)을 포함한다.The thin film transistor 420 disposed on the substrate 410 includes a gate electrode 422, a source electrode 424, a drain electrode 426, and a semiconductor layer 428.

반도체층(428)은 비정질실리콘(Amorphous Silicon) 또는 비정질 실리콘보다 우수한 이동도(Mobility)를 가져서 에너지 소비 전력이 낮고 신뢰성이 우수하여, 화소 내에서 구동 박막 트랜지스터에 적용할 수 있는 다결정실리콘(Polycrystalline Silicon)으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The semiconductor layer 428 is made of amorphous silicon or polycrystalline silicon, which has better mobility than amorphous silicon, has low energy consumption and excellent reliability, and can be applied to a driving thin film transistor within a pixel. ), but is not limited to this.

그리고, 반도체층(428)은 산화물(Oxide) 반도체로 구성될 수도 있다. 산화물 반도체는 이동도와 균일도가 우수한 특성을 갖고 있다. 산화물 반도체는, 예를 들어, 4원계 금속 산화물인 인듐 주석 갈륨 아연 산화물(InSnGaZnO)계 재료, 3원계 금속 산화물인 인듐 갈륨 아연 산화물(InGaZnO)계 재료, 인듐 주석 아연 산화물(InSnZnO)계 재료, 인듐 알루미늄 아연 산화물(InAlZnO)계 재료, 주석 갈륨 아연 산화물(SnGaZnO)계 재료, 알루미늄 갈륨 아연 산화물(AlGaZnO)계 재료, 주석 알루미늄 아연 산화물(SnAlZnO)계 재료, 2원계 금속 산화물인 인듐 아연 산화물(InZnO)계 재료, 주석 아연 산화물(SnZnO)계 재료, 알루미늄 아연 산화물(AlZnO)계 재료, 아연 마그네슘 산화물(ZnMgO)계 재료, 주석 마그네슘 산화물(SnMgO)계 재료, 인듐 마그네슘 산화물(InMgO)계 재료, 인듐 갈륨 산화물(InGaO)계 재료, 인듐 산화물(InO)계 재료, 주석 산화물(SnO)계 재료, 아연 산화물(ZnO)계 재료 등으로 반도체층(428)을 구성할 수 있으며, 각각의 원소의 조성 비율은 제한되지 않는다.Additionally, the semiconductor layer 428 may be composed of an oxide semiconductor. Oxide semiconductors have excellent mobility and uniformity properties. Oxide semiconductors include, for example, indium tin gallium zinc oxide (InSnGaZnO)-based materials, which are quaternary metal oxides, indium gallium zinc oxide (InGaZnO)-based materials, which are ternary metal oxides, indium tin zinc oxide (InSnZnO)-based materials, and indium. Aluminum zinc oxide (InAlZnO)-based materials, tin gallium zinc oxide (SnGaZnO)-based materials, aluminum gallium zinc oxide (AlGaZnO)-based materials, tin aluminum zinc oxide (SnAlZnO)-based materials, and indium zinc oxide (InZnO), a binary metal oxide. based material, tin zinc oxide (SnZnO) based material, aluminum zinc oxide (AlZnO) based material, zinc magnesium oxide (ZnMgO) based material, tin magnesium oxide (SnMgO) based material, indium magnesium oxide (InMgO) based material, indium gallium The semiconductor layer 428 can be composed of oxide (InGaO)-based materials, indium oxide (InO)-based materials, tin oxide (SnO)-based materials, zinc oxide (ZnO)-based materials, etc., and the composition ratio of each element is Not limited.

반도체층(428)은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 소스영역(Source Region), 드레인영역(Drain Region), 및 소스영역 및 드레인영역 사이에 채널(Channel)을 포함할 수 있고, 채널과 인접한 소스영역 및 드레인영역 사이에는 저농도 도핑영역을 포함할 수 있다.The semiconductor layer 428 may include a source region containing p-type or n-type impurities, a drain region, and a channel between the source region and the drain region. A low-concentration doping region may be included between adjacent source and drain regions.

소스영역 및 드레인영역은 불순물이 고농도로 도핑된 영역으로, 박막 트랜지스터(420)의 소스 전극(424) 및 드레인 전극(426)이 각각 접속되는 영역이다. 불순물 이온은 p형 불순물 또는 n형 불순물을 이용할 수 있는데, p형 불순물은, 예를 들어, 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 인듐(In) 중 하나일 수 있고, n형 불순물은, 예를 들어, 인(P), 비소(As) 및 안티몬(Sb) 등에서 하나일 수 있다. The source region and drain region are regions doped with impurities at a high concentration, and are regions where the source electrode 424 and drain electrode 426 of the thin film transistor 420 are connected, respectively. The impurity ion may be a p-type impurity or an n-type impurity. The p-type impurity may be, for example, one of boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), and indium (In), and n The type impurity may be one of, for example, phosphorus (P), arsenic (As), antimony (Sb), etc.

반도체층(428)은 NMOS 또는 PMOS의 박막 트랜지스터 구조에 따라, 채널 영역은 n형 불순물 또는 p형 불순물로 도핑될 수 있으며, 본 발명의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함된 박막 트랜지스터는 NMOS 또는 PMOS의 박막 트랜지스터가 적용가능하다.The semiconductor layer 428 may be doped with an n-type impurity or a p-type impurity in the channel region depending on the NMOS or PMOS thin film transistor structure, and the thin film transistor included in the electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention is NMOS. Alternatively, PMOS thin film transistors are applicable.

제1 절연층(431)은 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성된 절연층이며, 반도체층(428)에 흐르는 전류가 게이트 전극(422)으로 흘러가지 않도록 배치한다. 그리고, 실리콘산화물은 금속보다는 연성이 떨어지지만, 실리콘질화물에 비해서는 연성이 우수하며 그 특성에 따라 단일층 또는 복수층으로 형성할 수 있다. The first insulating layer 431 is an insulating layer composed of a single layer of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) or multiple layers thereof, and prevents the current flowing in the semiconductor layer 428 from flowing to the gate electrode 422. Arrange so that it does not occur. In addition, silicon oxide is less ductile than metal, but has superior ductility than silicon nitride and can be formed as a single layer or multiple layers depending on its characteristics.

게이트 전극(422)은 게이트 라인을 통해 외부에서 전달되는 전기 신호에 기초하여 박막 트랜지스터(420)를 턴-온(turn-on) 또는 턴-오프(turn-off)하는 스위치 역할을 하며, 예를 들어, 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등 또는 이들의 합금으로 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The gate electrode 422 serves as a switch to turn on or off the thin film transistor 420 based on an electrical signal transmitted externally through the gate line, for example. For example, conductive metals such as copper (Cu), aluminum (Al), molybdenum (Mo), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), and neodymium (Nd) or alloys thereof. It may be composed of a single layer or multiple layers, but is not limited thereto.

소스 전극(424) 및 드레인 전극(426)은 데이터 라인과 연결되며 외부에서 전달되는 전기신호가 박막 트랜지스터(420)에서 발광소자(440)로 전달되도록 한다. 소스 전극(424) 및 드레인 전극(426)은, 예를 들어, 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등의 금속 재료나 이들의 합금으로 단일층 또는 다중층으로 구성할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The source electrode 424 and the drain electrode 426 are connected to the data line and allow an external electrical signal to be transmitted from the thin film transistor 420 to the light emitting device 440. The source electrode 424 and the drain electrode 426 are, for example, made of conductive metals such as copper (Cu), aluminum (Al), molybdenum (Mo), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), It may be composed of a single layer or multiple layers of metal materials such as nickel (Ni) and neodymium (Nd) or alloys thereof, but is not limited thereto.

게이트 전극(422)과 소스 전극(424) 및 드레인 전극(426)을 서로 절연시키기 위해서 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)의 단일층이나 다중층으로 구성된 제2 절연층(433)을 게이트 전극(422)과 소스 전극(424) 및 드레인 전극(426) 사이에 배치할 수 있다.In order to insulate the gate electrode 422, the source electrode 424, and the drain electrode 426 from each other, a second insulating layer 433 composed of a single layer or multiple layers of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) is formed. It can be placed between the electrode 422, the source electrode 424, and the drain electrode 426.

박막 트랜지스터(420) 상에 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기절연층으로 구성된 패시베이션층을 더 배치할 수도 있다. 페시베이션층은, 패시베이션층 상, 하부의 구성요소들 사이의 불필요한 전기적 연결을 막고 외부로부터의 오염이나 손상 등을 막는 역할을 할 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략할 수도 있다.A passivation layer made of an inorganic insulating layer such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) may be further disposed on the thin film transistor 420. The passivation layer can play a role in preventing unnecessary electrical connections between components above and below the passivation layer, preventing contamination or damage from the outside, and forming the thin film transistor 420 and the light emitting device 440. Depending on the characteristics, it may be omitted.

박막 트랜지스터(420)는 박막 트랜지스터(420)를 구성하는 구성요소들의 위치에 따라 인버티드 스태거드(Inverted Staggered) 구조와 코플래너(Coplanar) 구조로 분류될 수 있다. 인버티드 스태거드 구조의 박막 트랜지스터는 반도체층을 기준으로 게이트 전극이 소스 전극 및 드레인 전극의 반대편에 위치한다. 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(420)는, 도 4에서와 같이, 반도체층(428)을 기준으로 게이트 전극(422)이 소스 전극(424) 및 드레인 전극(426)과 같은편에 위치한다. The thin film transistor 420 can be classified into an inverted staggered structure and a coplanar structure depending on the positions of the components constituting the thin film transistor 420. In an inverted staggered thin film transistor, the gate electrode is located on the opposite side of the source electrode and the drain electrode based on the semiconductor layer. In the thin film transistor 420 of the coplanar structure, as shown in FIG. 4, the gate electrode 422 is located on the same side as the source electrode 424 and the drain electrode 426 with respect to the semiconductor layer 428.

도 4에서는 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(420)가 도시되었으나, 본 명세서에 따른 전계발광 표시장치(400)는 이에 제한되지 않고, 인버티드 스태거드 구조의 박막 트랜지스터를 포함할 수도 있다.Although FIG. 4 shows a thin film transistor 420 having a coplanar structure, the electroluminescent display device 400 according to the present specification is not limited thereto and may include a thin film transistor having an inverted staggered structure.

설명의 편의를 위해, 도 4에서는 전계발광 표시장치(400)에 포함될 수 있는 다양한 박막 트랜지스터 중에서 구동 박막 트랜지스터만을 도시하였으며, 스위칭 박막 트랜지스터, 커패시터 등도 전계발광 표시장치(400)에 포함될 수 있다. 그리고, 스위칭 박막 트랜지스터는 게이트 라인으로부터 신호가 인가되면, 데이터 라인으로부터의 신호를 구동 박막 트랜지스터의 게이트 전극으로 전달한다. 구동 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터로부터 전달받은 신호에 의해 전원 배선을 통해 전달되는 전류를 애노드(442)로 전달하며, 애노드(442)로 전달되는 전류에 의해 발광을 제어한다.For convenience of explanation, FIG. 4 shows only a driving thin film transistor among various thin film transistors that may be included in the electroluminescent display device 400, and switching thin film transistors, capacitors, etc. may also be included in the electroluminescent display device 400. And, when a signal is applied from the gate line, the switching thin film transistor transfers the signal from the data line to the gate electrode of the driving thin film transistor. The driving thin film transistor transmits the current transmitted through the power wiring by a signal received from the switching thin film transistor to the anode 442, and controls light emission by the current transmitted to the anode 442.

박막 트랜지스터(420)를 보호하고 박막 트랜지스터(420)로 인해서 발생되는 단차를 완화시키며, 박막 트랜지스터(420)와 게이트 라인 및 데이터 라인, 발광소자(440)들 사이에 발생되는 기생정전용량(Parasitic-Capacitance)을 감소시키기 위해서 박막 트랜지스터(420) 상에 평탄화층(435, 437)을 배치한다.Protects the thin film transistor 420, alleviates the step difference caused by the thin film transistor 420, and reduces parasitic capacitance generated between the thin film transistor 420, the gate line, the data line, and the light emitting device 440. In order to reduce capacitance, planarization layers 435 and 437 are disposed on the thin film transistor 420.

평탄화층(435, 437)은, 예를 들어, 아크릴계 수지(Acrylic Resin), 에폭시 수지(Epoxy Resin), 페놀 수지(Phenolic Resin), 폴리아미드계 수지(Polyamides Resin), 폴리이미드계 수지(Polyimides Resin), 불포화 폴리에스테르계 수지(Unsaturated Polyesters Resin), 폴리페닐렌계 수지(Polyphenylene Resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(Polyphenylenesulfides Resin), 및 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The planarization layers 435 and 437 are, for example, acrylic resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamides resin, and polyimides resin. ), Unsaturated Polyesters Resin, Polyphenylene Resin, Polyphenylenesulfides Resin, and Benzocyclobutene. It is not limited to this.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(400)는 순차적으로 적층된 복수의 평탄화층(435, 437)인 제1 평탄화층(435) 및 제2 평탄화층(437)을 포함할 수도 있다. The electroluminescent display device 400 according to an embodiment of the present specification may include a first planarization layer 435 and a second planarization layer 437, which are a plurality of planarization layers 435 and 437 sequentially stacked.

예를 들면, 박막 트랜지스터(420) 상에는 제1 평탄화층(435)이 배치되고, 제1 평탄화층(435) 상에는 제2 평탄화층(437)이 배치될 수 있다. For example, a first planarization layer 435 may be disposed on the thin film transistor 420, and a second planarization layer 437 may be disposed on the first planarization layer 435.

그리고, 제1 평탄화층(435) 상에는 버퍼층이 배치될 수도 있다. 버퍼층은 제1 평탄화층(435) 상에 배치되는 구성요소를 보호하기 위해서 배치될 수 있으며, 예를 들어, 실리콘질화물(SiNx) 또는 실리콘산화물(SiOx)의 단일층 또는 실리콘질화물(SiNx) 또는 실리콘산화물(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략할 수도 있다.Additionally, a buffer layer may be disposed on the first planarization layer 435. The buffer layer may be disposed to protect components disposed on the first planarization layer 435, for example, a single layer of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx), or a single layer of silicon nitride (SiNx) or silicon. It may be composed of multiple layers of oxide (SiOx), and may be omitted depending on the configuration and characteristics of the thin film transistor 420 and the light emitting device 440.

제1 평탄화층(435)에 형성된 컨택홀(Contact Hole)을 통해서 중간전극(430)이 배치되고, 중간전극(430)은 박막 트랜지스터(420)와 전기적으로 연결된다. The intermediate electrode 430 is disposed through a contact hole formed in the first planarization layer 435, and the intermediate electrode 430 is electrically connected to the thin film transistor 420.

제1 평탄화층(435) 및 중간전극(430) 상에는 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기절연층으로 구성된 패시베이션층이 더 배치될 수 있다. 패시베이션층은 구성요소들 사이의 불필요한 전기적 연결을 막고 외부로부터의 오염이나 손상 등을 막는 역할을 할 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략될 수도 있다.A passivation layer made of an inorganic insulating layer such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) may be further disposed on the first planarization layer 435 and the intermediate electrode 430. The passivation layer may serve to prevent unnecessary electrical connections between components and prevent contamination or damage from the outside, and may be omitted depending on the configuration and characteristics of the thin film transistor 420 and the light emitting device 440.

제2 평탄화층(437) 상에는 발광소자(440)가 배치되고, 발광소자(440)는 애노드(442), 발광부(444) 및 캐소드(446)를 포함한다.A light emitting device 440 is disposed on the second planarization layer 437, and the light emitting device 440 includes an anode 442, a light emitting portion 444, and a cathode 446.

애노드(442)는 제2 평탄화층(437) 상에 배치될 수 있다. 애노드(442)는 발광부(444)에 정공을 공급하는 역할을 하는 전극으로, 제2 평탄화층(437)에 있는 컨택홀을 통해 중간전극(430)과 연결되고, 중간전극(430)을 통해 박막 트랜지스터(420)와 전기적으로 연결된다. The anode 442 may be disposed on the second planarization layer 437. The anode 442 is an electrode that supplies holes to the light emitting unit 444, and is connected to the middle electrode 430 through a contact hole in the second planarization layer 437, and is connected to the middle electrode 430 through the middle electrode 430. It is electrically connected to the thin film transistor 420.

애노드(442)는, 예를 들어, 투명 도전성 물질인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide; IZO) 등으로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The anode 442 may be made of, for example, transparent conductive materials such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), but is not limited thereto.

본 명세서에 따른 전계발광 표시장치(400)가 캐소드(446)가 배치된 상부로 광을 발광하는 탑 에미션(Top Emission)일 경우 애노드(442)는 발광된 광이 애노드(442)에서 반사되어 보다 원활하게 캐소드(446)가 배치된 상부 방향으로 방출될 수 있도록 하는 반사층을 더 포함할 수 있다. When the electroluminescent display device 400 according to the present specification is a top emission device that emits light toward the top where the cathode 446 is disposed, the anode 442 causes the emitted light to be reflected from the anode 442. It may further include a reflective layer that allows the light to be emitted more smoothly toward the top where the cathode 446 is disposed.

예를 들면, 애노드(442)는 투명 도전성 물질로 구성된 투명 도전층과 반사층이 차례로 적층된 2층 구조이거나, 투명 도전층, 반사층 및 투명 도전층이 차례로 적층된 3층 구조일 수 있으며, 반사층은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 합금일 수 있다. For example, the anode 442 may have a two-layer structure in which a transparent conductive layer made of a transparent conductive material and a reflective layer are sequentially stacked, or it may have a three-layer structure in which a transparent conductive layer, a reflective layer, and a transparent conductive layer are sequentially stacked, and the reflective layer is It may be silver (Ag) or an alloy containing silver.

애노드(442) 및 제2 평탄화층(437) 상에는 뱅크(450)가 배치된다. 뱅크(450)는 실제로 광을 발광하는 영역을 구획하여 각각의 화소를 정의할 수 있다. 뱅크(450)는 애노드(442) 상에 포토레지스트(Photoresist)를 형성한 후에 사진식각공정(Photolithography)에 의해 형성될 수 있다. 포토레지스트는 광의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화되는 감광성 수지를 말하며, 포토레지스트를 노광 및 현상하여 특정 패턴이 얻어질 수 있다. 포토레지스트는 포지티브형 포토레지스트(Positive Photoresist)와 네거티브형 포토레지스트(Negative photoresist)로 분류될 수 있다. 포지티브형 포토레지스트는 노광으로 노광부의 현상액에 대한 용해성이 증가되는 포토레지스트를 말하며, 포지티브형 포토레지스트를 현상하면 노광부가 제거된 패턴이 얻어진다. 그리고, 네거티브형 포토레지스트는 노광으로 노광부의 현상액에 대한 용해성이 크게 저하되는 포토레지스트를 말하며, 네거티브형 포토레지스트를 현상하면 비노광부가 제거된 패턴이 얻어진다. A bank 450 is disposed on the anode 442 and the second planarization layer 437. The bank 450 can define each pixel by dividing an area that actually emits light. The bank 450 may be formed by forming photoresist on the anode 442 and then using photolithography. Photoresist refers to a photosensitive resin whose solubility in a developer changes under the action of light, and a specific pattern can be obtained by exposing and developing the photoresist. Photoresist can be classified into positive photoresist and negative photoresist. Positive photoresist refers to a photoresist whose solubility in the developer of the exposed area increases with exposure. When a positive photoresist is developed, a pattern with the exposed area removed is obtained. Additionally, a negative photoresist refers to a photoresist whose solubility in a developing solution of the exposed portion is greatly reduced due to exposure. When the negative photoresist is developed, a pattern with the non-exposed portion removed is obtained.

발광소자(440)의 발광부(444)를 형성하기 위해서 증착마스크인 FMM(Fine Metal Mask)을 사용할 수 있다. 그리고, 뱅크(450) 상에 배치되는 증착마스크와 접촉하여 발생될 수 있는 손상을 방지하고, 뱅크(450)와 증착마스크 사이에 일정한 거리를 유지하기 위해서, 뱅크(450) 상부에 투명 유기물인 폴리이미드, 포토아크릴 및 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 하나로 구성되는 스페이서(Spacer; 452)를 배치할 수도 있다.To form the light emitting portion 444 of the light emitting device 440, a fine metal mask (FMM), which is a deposition mask, can be used. In addition, in order to prevent damage that may occur by contact with the deposition mask disposed on the bank 450 and to maintain a constant distance between the bank 450 and the deposition mask, a transparent organic polyethylene layer is placed on the top of the bank 450. A spacer (452) composed of one of mead, photoacrylic, and benzocyclobutene (BCB) may be placed.

애노드(442)와 캐소드(446) 사이에는 발광부(444)가 배치된다. 발광부(444)는 광을 발광하는 역할을 하며, 정공주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공수송층(Hole Transport Layer; HTL), 발광층, 전자수송층(Electron Transport Layer; ETL), 전자주입층(Electron Injection Layer; EIL) 중 적어도 하나의 층을 포함할 수 있고, 전계발광 표시장치(400)의 구조나 특성에 따라 발광부(444)의 일부 구성요소는 생략될 수도 있다. 여기서 발광층은 전계발광층 및 무기발광층을 적용하는 것도 가능하다.A light emitting unit 444 is disposed between the anode 442 and the cathode 446. The light emitting part 444 serves to emit light, and includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer, an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer. (Electron Injection Layer; EIL), and some components of the light emitting unit 444 may be omitted depending on the structure or characteristics of the electroluminescence display device 400. Here, it is also possible to apply an electroluminescent layer or an inorganic light emitting layer as the light emitting layer.

정공주입층은 애노드(442) 상에 배치되어 정공의 주입을 원활하게 하는 역할을 한다. 정공주입층은, 예를 들어, HAT-CN(dipyrazino[2,3-f:2’,3’-h]quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc(phthalocyanine), 및 NPD(N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-2,2’-dimethylbenzidine) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다. The hole injection layer is disposed on the anode 442 and serves to facilitate hole injection. The hole injection layer is, for example, HAT-CN (dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc (phthalocyanine), and It may be composed of one or more of NPD (N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine).

정공수송층은 정공주입층 상에 배치되어 발광층으로 원활하게 정공을 전달하는 역할을 한다. 정공수송층은, 예를 들어, NPD(N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-2,2’-dimethylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD(2,2’,7,7’-tetrakis(N,N-dimethylamino)-9,9-spirofluorene), 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.The hole transport layer is disposed on the hole injection layer and serves to smoothly transfer holes to the light emitting layer. The hole transport layer is, for example, NPD (N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine), TPD(N,N'-bis -(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD(2,2',7,7'-tetrakis(N,N-dimethylamino)-9,9-spirofluorene) , and MTDATA (4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine).

발광층은 정공수송층 상에 배치되며 특정 색의 광을 발광할 수 있는 물질을 포함하여 특정 색의 광을 발광할 수 있다. 그리고, 발광물질은 인광물질 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다. The light-emitting layer is disposed on the hole transport layer and can emit light of a specific color by including a material that can emit light of a specific color. Also, the light-emitting material can be formed using a phosphorescent material or a fluorescent material.

발광층이 적색(Red)을 발광하는 경우, 발광하는 피크파장은 600㎚ 내지 650㎚ 범위가 될 수 있으며, CBP(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate) iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)(acetylacetonate) iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline) iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum) 중에서 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또는, PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light-emitting layer emits red, the peak wavelength of light emission may be in the range of 600 nm to 650 nm, and CBP (4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl) or mCP (1,3 -Contains host materials including bis(carbazol-9-yl)benzene), PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate) iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)(acetylacetonate) ) iridium), tris(1-phenylquinoline) iridium (PQIr), and octaethylporphyrin platinum (PtOEP). Alternatively, it may be made of a fluorescent material containing PBD:Eu(DBM)3(Phen) or Perylene.

여기서, 피크파장(λ)은 EL(ElectroLuminescence)의 최대 파장을 말한다. 발광부를 구성하는 발광층들이 고유의 광을 내는 파장을 PL(PhotoLuminescence)이라 하며, 발광층들을 구성하는 층들의 두께나 광학적 특성의 영향을 받아 나오는 광을 에미턴스(Emittance)라 한다. 이때, EL(ElectroLuminescence)은 전계발광 표시장치가 최종적으로 방출하는 광을 말하며, PL(PhotoLuminescence) 및 에미턴스(Emittance)의 곱으로 표현될 수 있다.Here, the peak wavelength (λ) refers to the maximum wavelength of EL (ElectroLuminescence). The wavelength at which the light-emitting layers that make up the light-emitting part emit their own light is called PL (PhotoLuminescence), and the light that comes out under the influence of the thickness or optical characteristics of the layers that make up the light-emitting layer is called emittance. At this time, EL (ElectroLuminescence) refers to the light finally emitted by the electroluminescence display device, and can be expressed as the product of PL (PhotoLuminescence) and emittance.

발광층이 녹색(Green)을 발광하는 경우, 발광하는 피크 파장은 520nm 내지 540nm 범위가 될 수 있으며, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)₃(tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 Ir complex와 같은 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, Alq₃(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting layer emits green, the peak wavelength of the light may be in the range of 520nm to 540nm, and include a host material containing CBP or mCP, and Ir(ppy) ₃ (tris(2-phenylpyridine)iridium ) may be made of a phosphorescent material containing a dopant material such as an Ir complex containing. Additionally, it may be made of a fluorescent material containing Alq ₃ (tris(8-hydroxyquinolino)aluminum).

발광층이 청색(Blue)을 발광하는 경우, 발광하는 피크 파장은 440㎚ 내지 480㎚ 범위가 될 수 있으며, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, FIrPic(bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium)를 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, spiro-DPVBi(4,4'-Bis(2,2-diphenyl-ethen-1-yl)biphenyl), DSA(1-4-di-[4-(N,N-di-phenyl)amino]styryl-benzene), PFO(polyfluorene)계 고분자 및 PPV(polyphenylenevinylene)계 고분자 중 어느 하나를 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting layer emits blue, the peak wavelength of light emission may be in the range of 440 nm to 480 nm, contains a host material containing CBP or mCP, and FIrPic (bis(3,5-difluoro-2 It may be made of a phosphorescent material containing a dopant material containing -(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium). In addition, spiro-DPVBi(4,4'-Bis(2,2-diphenyl-ethen) -1-yl)biphenyl), DSA (1-4-di-[4-(N,N-di-phenyl)amino]styryl-benzene), PFO (polyfluorene) polymer, and PPV (polyphenylenevinylene) polymer. It may be made of a fluorescent material containing one.

발광층 상에는 전자수송층이 배치되며, 전자수송층은 발광층으로 전자의 이동을 원활하게 하는 역할을 한다. 전자수송층은, 예를 들어, Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium), PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), TAZ(3-(4-biphenyl)4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), spiro-PBD, BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 BAlq(bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminum) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.An electron transport layer is disposed on the light-emitting layer, and the electron transport layer serves to facilitate the movement of electrons to the light-emitting layer. The electron transport layer is, for example, Liq (8-hydroxyquinolinolato-lithium), PBD (2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), TAZ (3- (4-biphenyl)4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), spiro-PBD, BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) and BAlq (bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminum).

전자수송층 상에는 전자주입층이 더 배치될 수 있다. 전자주입층은 캐소드(446)로부터 전자의 주입을 원활하게 하는 유기층으로, 전계발광 표시장치(400)의 구조와 특성에 따라서 생략될 수 있다. 전자주입층은 BaF2, LiF, NaCl, CsF, Li₂O 및 BaO와 같은 금속 무기 화합물일 수 있고, HAT-CN(dipyrazino[2,3-f:2’,3’-h]quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc(phthalocyanine), 및 NPD(N,N’-bis(naphthalene-1-yl)-N,N’-bis(phenyl)-2,2’-dimethylbenzidine) 중에서 어느 하나 이상의 유기 화합물일 수 있다. An electron injection layer may be further disposed on the electron transport layer. The electron injection layer is an organic layer that facilitates injection of electrons from the cathode 446, and may be omitted depending on the structure and characteristics of the electroluminescence display device 400. The electron injection layer may be a metal inorganic compound such as BaF2, LiF, NaCl, CsF, _Li2O and BaO, and HAT-CN (dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2, 3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc (phthalocyanine), and NPD (N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine) It may be any one or more organic compounds.

발광층과 인접한 위치에 정공 또는 전자의 흐름을 저지하는 전자저지층(Electron Blocking Layer) 또는 정공저지층(Hole Blocking Layer)이 더 배치될 수 있다. 전자저지층 또는 정공저지층 각각은 전자가 발광층에 주입될 때 발광층에서 이동하여 인접한 정공수송층으로 통과하거나 정공이 발광층에 주입될 때 발광층에서 이동하여 인접한 전자수송층으로 통과하는 현상을 방지하여 발광효율을 향상시킬 수 있다.An electron blocking layer or hole blocking layer that blocks the flow of holes or electrons may be further disposed adjacent to the light emitting layer. The electron blocking layer or the hole blocking layer each prevents electrons from moving from the light-emitting layer and passing through the adjacent hole transport layer when injected into the light-emitting layer, or from moving from the light-emitting layer and passing through the adjacent electron transport layer when holes are injected into the light-emitting layer, thus improving luminous efficiency. It can be improved.

캐소드(446)는 발광부(444) 상에 배치되어, 발광부(444)로 전자를 공급하는 역할을 한다. 캐소드(446)는 전자를 공급하여야 하므로 일함수가 낮은 도전성 물질인 마그네슘(Mg), 은-마그네슘(Ag-Mg) 등과 같은 금속 물질로 구성할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. The cathode 446 is disposed on the light emitting unit 444 and serves to supply electrons to the light emitting unit 444. Since the cathode 446 must supply electrons, it can be made of a metal material such as magnesium (Mg) or silver-magnesium (Ag-Mg), which is a conductive material with a low work function, but is not limited thereto.

전계발광 표시장치(400)가 탑 에미션 방식인 경우, 캐소드(446)는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide; ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide; ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide; TiO) 계열의 투명 도전성 산화물로 이루어질 수 있다.When the electroluminescent display device 400 is a top emission type, the cathode 446 is made of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), zinc oxide ( It may be made of transparent conductive oxide of the Zinc Oxide (ZnO) and Tin Oxide (TiO) series.

발광소자(440) 상에는 전계발광 표시장치(400)의 구성요소인 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)가 외부에서 유입되는 수분, 산소 또는 불순물들로 인해서 산화 또는 손상되는 것을 방지하기 위한 봉지부(460)가 배치될 수 있다. 봉지부(460)는 순차적으로 적층되어 배치된 복수의 봉지층, 이물보상층 및 복수의 베리어필름(Barrier Film)을 포함할 수 있다. A bag is placed on the light emitting device 440 to prevent the thin film transistor 420 and the light emitting device 440, which are components of the electroluminescence display device 400, from being oxidized or damaged due to moisture, oxygen, or impurities flowing in from the outside. Unit 460 may be disposed. The encapsulation portion 460 may include a plurality of encapsulation layers, a foreign matter compensation layer, and a plurality of barrier films that are sequentially stacked.

봉지층은 박막 트렌지스터(420) 및 발광소자(440)의 상부 전면에 배치되며, 무기물인 실리콘질화물(SiNx) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 중 하나로 구성될 수 있으나, 이에 제한되지 않는다.The encapsulation layer is disposed on the entire upper surface of the thin film transistor 420 and the light emitting device 440, and may be made of one of the inorganic materials silicon nitride (SiNx) or aluminum oxide (AlyOz), but is not limited thereto.

봉지층 상에는 이물보상층이 배치되고, 이물보상층 상에는 봉지층이 더 배치될 수 있다. A foreign matter compensation layer may be disposed on the encapsulation layer, and an encapsulation layer may be further disposed on the foreign matter compensation layer.

이물보상층은, 예를 들어, 유기물인 실리콘옥시카본(SiOCz), 아크릴(Acryl) 또는 에폭시(Epoxy) 계열의 레진(Resin)으로 이루어질 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. 이물보상층은 공정 중에 발생될 수 있는 이물이나 파티클(Particle)에 의해서 발생된 크랙(Crack)에 의해 불량에 의해 발생된 굴곡 및 이물을 덮어 보상할 수 있다. The foreign matter compensation layer may be made of, for example, organic silicon oxycarbon (SiOCz), acryl, or epoxy-based resin, but is not limited thereto. The foreign matter compensation layer can cover and compensate for bends and foreign matter caused by defects due to cracks generated by foreign matter or particles that may be generated during the process.

봉지층 및 이물보상층 상에는 베리어필름이 더 배치될 수 있다. 베리어 필름은 외부에서의 산소 및 수분의 침투를 지연시킬 수 있다. 베리어필름은 투광성 및 양면 접착성을 띠는 필름 형태로 구성되며, 예를 들어, 올레핀(Olefin) 계열, 아크릴(Acrylic) 계열 및 실리콘(Silicon) 계열 중 어느 하나의 절연재료로 구성될 수 있고, 또는 COP(Cyclolefin Polymer), COC(Cycloolefin Copolymer) 및 PC(Polycarbonate) 중 어느 하나의 재료로 구성된 베리어필름을 더 적층할 수 있으나, 이에 제한되지 않는다. A barrier film may be further disposed on the encapsulation layer and the foreign matter compensation layer. The barrier film can delay the penetration of oxygen and moisture from the outside. The barrier film is composed of a light-transmitting and double-sided adhesive film. For example, it may be composed of any one of the following insulating materials: Olefin-based, Acrylic-based, and Silicon-based. Alternatively, a barrier film made of any one of COP (Cyclolefin Polymer), COC (Cycloolefin Copolymer), and PC (Polycarbonate) may be further laminated, but is not limited thereto.

도 5는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 벤딩영역의 단면도이다. Figure 5 is a cross-sectional view of a bending area of an electroluminescence display device according to an embodiment of the present specification.

도 5를 참조하면, 도 3 및 도 4에서 설명한 플렉시블 기판(510) 상에는 편광판(520) 및 커버 글라스(530)가 적층되어 배치될 수 있다. Referring to FIG. 5 , a polarizer 520 and a cover glass 530 may be stacked and disposed on the flexible substrate 510 illustrated in FIGS. 3 and 4 .

표시장치의 입력수단으로서 마우스나 키보드와 같은 입력수단을 대체하여 사용자가 손가락이나 펜을 이용하여 표시장치의 화면에 직접 정보를 입력할 수 있는 터치기능을 탑재한 표시장치가 다양한 분야에서 활용이 늘어나고 있으며, 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치(500)는 최근 표시장치(500)의 두께를 줄이기 위한 박형화 추세에 따라서 플렉시블 기판(510) 상에 직접 터치전극을 배치하여 두께를 줄일 수 있다. Display devices equipped with a touch function, which replaces input methods such as a mouse or keyboard as an input method for display devices and allows users to input information directly on the screen of the display device using a finger or pen, are increasingly being used in various fields. In addition, the thickness of the display device 500 according to an embodiment of the present specification can be reduced by placing a touch electrode directly on the flexible substrate 510 in accordance with the recent trend of thinning the display device 500 to reduce the thickness.

플렉시블 기판(510) 상에 편광판(520)이 배치될 수 있다. 편광판(520)은 플렉시블 기판(510)의 표시영역(A/A) 상에서 외부 광의 반사를 억제한다. 외부 자연 광이 유입되어 발광소자의 애노드에 포함된 반사판에 의해 반사되거나, 발광소자 하부에 배치된 금속으로 구성된 전극에 의해 반사될 수 있으며, 반사된 광들에 의해 영상이 시인되지 않을 수 있다. 이를 보완하기 위해 편광판(520)은 외부에서 유입된 광을 특정 방향으로 편광하며, 반사된 광이 다시 전계발광 표시장치(500)의 외부로 방출되지 못하게 한다. A polarizer 520 may be disposed on the flexible substrate 510. The polarizer 520 suppresses reflection of external light on the display area (A/A) of the flexible substrate 510. External natural light may flow in and be reflected by a reflector included in the anode of the light-emitting device or by an electrode made of metal disposed below the light-emitting device, and the image may not be visible due to the reflected light. To compensate for this, the polarizer 520 polarizes light coming from the outside in a specific direction and prevents the reflected light from being emitted outside of the electroluminescent display device 500 again.

최근 표시장치(500)의 두께를 줄이기 위한 박형화 추세에 따라서 표시장치(500)에 포함되어 있는 구성요소들의 두께를 줄여서 전체 표시장치(500)의 두께를 줄일 수 있다. 이에 따라 얇아진 표시장치(500)에 포함되는 편광판(520)의 두께도 대략 100㎛ 에서 대략 50㎛ 이하의 두께를 가지는 편광판(520)으로 개선되어 적용되고 있다. In accordance with the recent thinning trend to reduce the thickness of the display device 500, the thickness of the entire display device 500 can be reduced by reducing the thickness of the components included in the display device 500. Accordingly, the thickness of the polarizing plate 520 included in the thinner display device 500 is being improved from approximately 100 μm to a polarizing plate 520 having a thickness of approximately 50 μm or less.

50㎛ 이하의 두께를 가지는 편광판(520)을 적용하면서, 본 명세서의 실시예에 따른 표시장치(500)는 플렉시블 기판(510)의 벤딩영역(B/A)의 구조를 개선하였다.By applying the polarizer 520 with a thickness of 50 μm or less, the display device 500 according to the embodiment of the present specification has improved the structure of the bending area (B/A) of the flexible substrate 510.

편광판 상에는 전계발광 표시장치(500)의 외관을 보호하는 커버 글라스(Cover Glass; 540)가 배치된다. 이때, 커버 글라스(540)의 하부에 투명한 접착 레진(Optically Cleared Resin; OCR) 또는 투명한 접착 필름(Optically Cleared film; OCA film) 재질로 구성되는 접착층(530)을 배치하여 하부의 표시장치(500) 구성요소들을 접착하여 고정되도록 한다.A cover glass (Cover Glass) 540 is disposed on the polarizer to protect the exterior of the electroluminescence display device 500. At this time, an adhesive layer 530 made of a transparent adhesive resin (Optically Cleared Resin (OCR)) or a transparent adhesive film (Optically Cleared film (OCA film)) is disposed on the lower part of the cover glass 540 to maintain the display device 500 below. Glue the components together to ensure they are fixed.

플렉시블 기판(510)의 하부에는 백플레이트(550)가 배치된다. 플렉시블 기판(510)이 폴리이미드와 같은 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 플렉시블 기판(510) 하부에는 유리로 이루어지는 지지기판이 배치된 상황에서 전계발광 표시장치(500)의 제조공정이 진행되고, 제조공정이 완료된 후 지지기판은 분리되어 릴리즈될 수 있다. A back plate 550 is disposed below the flexible substrate 510. When the flexible substrate 510 is made of a plastic material such as polyimide, the manufacturing process of the electroluminescent display device 500 proceeds with a support substrate made of glass placed below the flexible substrate 510, and the manufacturing process After completion, the support substrate can be separated and released.

지지기판이 릴리즈된 이후에도 플렉시블 기판(510)을 지지하기 위한 구성요소가 필요하므로, 플렉시블 기판(510)을 지지하기 위한 백플레이트(550)가 플렉시블 기판(510)의 하부에 배치될 수 있다. Since components are needed to support the flexible substrate 510 even after the support substrate is released, a backplate 550 for supporting the flexible substrate 510 may be disposed below the flexible substrate 510.

백플레이트(550)는 벤딩영역(B/A)을 제외한 플렉시블 기판(510)의 다른 영역에서 벤딩영역(B/A)에 인접하도록 배치될 수 있다. 백플레이트(550)는, 예를 들어, 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리머들, 이들 폴리머들의 조합 등으로 형성된 플라스틱 박막으로 이루어질 수 있다.The backplate 550 may be disposed adjacent to the bending area (B/A) in other areas of the flexible substrate 510 other than the bending area (B/A). The backplate 550 may be made of a plastic thin film made of, for example, polyimide, polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polymers, or a combination of these polymers.

두 개의 백플레이트(550) 사이에는 지지부재(555)가 배치되고, 지지 부재(565)는 백플레이트(550)와 접착될 수 있다. 지지부재(555)는, 예를 들어, 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리머들, 이들 폴리머들의 조합 등과 같은 플라스틱 재료로 형성될 수 있다. 이러한 플라스틱 재료들로 형성된 지지부재(555)의 강도는 지지부재(555)의 두께 및 강도를 증가시키기 위한 첨가제들을 첨가하는 것에 의해 제어될 수 있다. 그리고, 지지부재(555)는 유리, 세라믹, 금속 또는 다른 강성이 있는(Rigid) 재료들 또는 전술한 재료들의 조합들로 형성될 수도 있다.A support member 555 is disposed between the two back plates 550, and the support member 565 may be adhered to the back plate 550. The support member 555 is formed of a plastic material such as, for example, polycarbonate (PC), polyimide (PI), polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polymers, combinations of these polymers, etc. It can be. The strength of the support member 555 formed from these plastic materials can be controlled by adding additives to increase the thickness and strength of the support member 555. In addition, the support member 555 may be formed of glass, ceramic, metal, or other rigid materials or a combination of the above materials.

플렉시블 기판(510)의 끝단에는 절연필름(570)이 연결된다. 절연필름(570) 상에는 표시영역(A/A)에 배치된 화소로 신호를 전달하기 위한 다양한 배선이 형성된다. 절연필름(570)은 휘어질 수 있도록 플렉시빌리티를 갖는 재료로 형성된다. 절연필름(570)에는 구동소자가 장착될 수 있으며, 절연필름(570)과 함께 칩 온 필름(Chip on Film; COF)과 같은 구동 패키지(Package)를 형성하며, 절연필름(570) 상에 형성된 배선에 연결되어 구동 신호 및 데이터를 표시영역(A/A)에 배치된 화소에 제공한다.An insulating film 570 is connected to the end of the flexible substrate 510. Various wirings are formed on the insulating film 570 to transmit signals to pixels arranged in the display area (A/A). The insulating film 570 is made of a material that has flexibility so that it can be bent. A driving element may be mounted on the insulating film 570, and together with the insulating film 570, it forms a driving package such as a chip on film (COF), and is formed on the insulating film 570. It is connected to the wiring and provides driving signals and data to the pixels placed in the display area (A/A).

절연필름(570)과 연결되는 회로기판은 외부로부터 영상신호를 입력받아 표시영역(A/A)에 배치된 화소에 다양한 신호를 인가할 수 있으며, 이러한 회로기판은 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board)일 수 있다.The circuit board connected to the insulating film 570 can receive image signals from the outside and apply various signals to the pixels placed in the display area (A/A). This circuit board is called a printed circuit board. It can be.

플렉시블 기판을 적용하여 베젤영역을 최소화하기 위해서 비표시영역을 벤딩하여 베젤영역(B/A)을 최소화할때, 플렉시블 기판(510)의 벤딩영역(B/A) 상에는 마이크로 코팅층을 배치하할 수 있다. 마이크로 코팅층은 벤딩 시에 플렉시블 기판(510) 상에 배치되는 배선에 인장력이 작용하여 미세 크랙이 발생될 수 있으므로, 벤딩되는 위치에 얇은 두께로 코팅하여 배선을 보호하는 역할을 하며, 마이크로 코팅층은 레진(Resin)으로 구성될 수 있다. When bending the non-display area to minimize the bezel area (B/A) by applying a flexible substrate, a micro coating layer can be placed on the bending area (B/A) of the flexible substrate 510. there is. The micro coating layer serves to protect the wiring by coating it with a thin layer at the bending position, as tension may apply to the wiring placed on the flexible substrate 510 during bending, causing micro cracks to occur. The micro coating layer is made of resin. It may be composed of (resin).

이미 설명한 바와 같이, 최근 표시장치(500)의 두께를 줄이기 위한 박형화 추세에 따라서 표시장치(500)에 포함되는 편광판(520)의 두께도 최소화하여 대략 50㎛ 이하의 두께를 가지는 편광판(520)으로 개선되어 적용되고 있으며, 이 두께에 한정되는 것은 아니다. 이때, 레진으로 마이크로 코팅층을 형성할 경우 에를 들면, 최소한 100㎛ 이상의 두께를 가지게 되어 편광판(520)의 상부에 배치되는 구성요소들과 접촉이 발생되어 불량이 발생될 가능성이 있다.As already explained, in accordance with the recent trend of thinning the display device 500 to reduce the thickness, the thickness of the polarizer 520 included in the display device 500 has been minimized to form a polarizer 520 with a thickness of approximately 50㎛ or less. It is being applied with improvements, and is not limited to this thickness. At this time, for example, when forming a micro coating layer with resin, it has a thickness of at least 100㎛, so there is a possibility that defects may occur due to contact with components disposed on the upper part of the polarizing plate 520.

본 명세서의 실시예에 따른 표시장치(500)는 얇은 두께, 예를 들면, 50㎛ 이하의 두께를 가지는 편광판(520)을 적용하여 박형화 표시장치(500)를 실현하면서, 플렉시블 기판(510)의 벤딩영역(B/A)에 배치되는 마이크로 코팅층을 새로운 구조인 패널 테이프(Panel Tape; 560)가 적용된 구조를 적용 하였다. The display device 500 according to an embodiment of the present specification realizes a thinner display device 500 by applying a polarizer 520 having a thin thickness, for example, 50㎛ or less, and the flexible substrate 510 The micro coating layer placed in the bending area (B/A) was made with a new structure, Panel Tape (560).

패널 테이프(560)는 플렉시블 기판(510)과 접촉하는 하면은 접착성 물질을 도포하고, 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자, 및 이들의 공중합체 중 하나를 포함하는 필름형태로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.The panel tape 560 is coated with an adhesive material on the lower surface in contact with the flexible substrate 510, and is in the form of a film containing one of polyester polymer, silicone polymer, acrylic polymer, polyolefin polymer, and copolymers thereof. It can be configured as, but is not limited to this.

패널 테이프(560)의 두께는 편광판(520)의 두께와 동일할 수 있다. 편광판(520) 및 패널 테이프(560) 상의 높이를 균일하게 하여 표시장치(500)가 최종 제품으로 완성 시에 편광판(520) 및 패널 테이프(560) 상에 불균일한 표면으로 발생될 수 있는 불량을 방지할 수 있는 효과가 있다. The thickness of the panel tape 560 may be the same as the thickness of the polarizing plate 520. By making the height of the polarizer 520 and the panel tape 560 uniform, defects that may occur due to uneven surfaces on the polarizer 520 and the panel tape 560 are prevented when the display device 500 is completed as a final product. There is a preventable effect.

패널 테이프(560)는 벤딩영역(B/A)의 중립면을 조절하는 역할을 할 수 있다. 중립면은 구조물이 벤딩되는 경우, 구조물에 인가되는 압축력(Compressive Force)과 인장력(Tensile Force)이 서로 상쇄되어 응력을 받지 않는 가상의 면일 수 있다. 2개 이상의 구조물이 적층되어 있는 경우, 구조물들 사이에 가상의 중립면이 형성될 수 있다. 구조물 전체가 일 방향으로 벤딩하는 경우, 중립면을 기준으로 벤딩 방향에 배치되는 구조물들은 벤딩에 의해 압축되게 되므로 압축력을 받는다. 이와 반대로 중립면을 기준으로 벤딩 방향과 반대 방향에 배치되는 구조물들은 벤딩에 의해 늘어나게 되므로 인장력을 받는다. 그리고, 구조물들은 동일한 압축력과 인장력 중 인장력을 받는 경우에 더 취약하므로, 인장력을 받을 때 크랙이 발생할 확률이 더 높다.The panel tape 560 may serve to adjust the neutral plane of the bending area (B/A). The neutral plane may be a virtual plane that does not receive stress because the compressive force and tensile force applied to the structure cancel each other out when the structure is bent. When two or more structures are stacked, a virtual neutral plane may be formed between the structures. When the entire structure is bent in one direction, the structures arranged in the bending direction with respect to the neutral plane are compressed by bending and thus receive a compressive force. On the contrary, structures placed in the direction opposite to the bending direction based on the neutral plane are stretched by bending and thus receive a tensile force. In addition, structures are more vulnerable when subjected to tensile force among the same compressive and tensile forces, so there is a higher probability of cracks occurring when subjected to tensile force.

중립면을 기준으로 하부에 배치되는 플렉시블 기판(510)은 압축되므로 압축력을 받고, 상부에 배치되는 배선들은 인장력을 받을 수 있으며, 이에 따라 인장력에 의하여 크랙이 발생할 수 있다. 따라서, 배선이 받는 인장력을 최소화하기 위해서는 패널 테이프(560)를 중립면 상에 위치시킬 수 있다.The flexible substrate 510 disposed below the neutral plane is compressed and thus receives a compressive force, and the wiring disposed on the upper portion may receive a tensile force, and thus cracks may occur due to the tensile force. Therefore, in order to minimize the tensile force experienced by the wiring, the panel tape 560 can be positioned on the neutral plane.

패널 테이프(560)를 벤딩영역(B/A) 상에 배치시킴으로써, 중립면을 상부 방향으로 상승시킬 수 있으며, 중립면이 배선과 동일한 위치에 형성하거나 중립면보다 높은 위치에 위치하여 벤딩 시 응력을 받지 않거나 압축력을 받게 되어 크랙 발생을 억제할 수 있다.By placing the panel tape 560 on the bending area (B/A), the neutral plane can be raised upward, and the neutral plane is formed at the same position as the wiring or is located at a higher position than the neutral plane to reduce stress during bending. The occurrence of cracks can be suppressed by not being exposed to compressive force.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although embodiments of the present invention have been described in more detail with reference to the accompanying drawings, the present invention is not necessarily limited to these embodiments, and various modifications may be made without departing from the technical spirit of the present invention. . Accordingly, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention, but are for illustrative purposes, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, the embodiments described above should be understood in all respects as illustrative and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be interpreted in accordance with the claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of rights of the present invention.

100, 200, 300, 400, 500: 전계발광 표시장치
110: 영상처리부
120: 타이밍 컨트롤러
130: 데이터 구동부
140: 게이트 구동부
150: 표시패널
160: 화소
220: 게이트 라인
230: 데이터 라인
240: 스위칭트랜지스터
250: 구동트랜지스터
260: 보상회로
270, 440: 발광소자
310, 410, 510: 플렉시블 기판
370: 회로배선
390: 게이트 구동부
395: 패드
420: 박막 트랜지스터
422: 게이트 전극
424: 소스 전극
426: 드레인 전극
428: 반도체층
431: 제1 절연층
433: 제2 절연층
435: 제1 평탄화층
437: 제2 평탄화층
442: 애노드
444: 발광부
446: 캐소드
450: 뱅크
452: 스페이서
460: 봉지부
520: 편광판
530: 접착층
540: 커버 글라스
550: 백플레이트
555: 지지부재
560: 패널 테이프
570: 절연필름
A/A: 표시영역
N/A: 비표시영역
B/A: 벤딩영역
S/L: 스캔라인100, 200, 300, 400, 500: Electroluminescent display device
110: Image processing unit
120: Timing controller
130: data driving unit
140: Gate driver
150: display panel
160: Pixels
220: gate line
230: data line
240: switching transistor
250: Driving transistor
260: Compensation circuit
270, 440: Light emitting device
310, 410, 510: Flexible substrate
370: Circuit wiring
390: Gate driver
395: pad
420: Thin film transistor
422: Gate electrode
424: source electrode
426: drain electrode
428: semiconductor layer
431: first insulating layer
433: second insulating layer
435: first planarization layer
437: second planarization layer
442: anode
444: light emitting unit
446: cathode
450: bank
452: spacer
460: Encapsulation part
520: Polarizer
530: Adhesive layer
540: Cover glass
550: backplate
555: Support member
560: panel tape
570: Insulating film
A/A: Display area
N/A: Non-display area
B/A: Bending area
S/L: scanline

Claims

a flexible substrate including a display area and a bending area extending from one side of the display area;
a thin film transistor and a light emitting element disposed on the display area;
a polarizing plate disposed on the display area and on the thin film transistor and the light emitting device; and
a panel tape in the form of a film disposed on the bending area and having the same thickness as the polarizing plate;
an adhesive layer disposed on the polarizer and the panel tape; and
Includes a cover glass disposed on the adhesive layer,
The panel tape includes one of polyester polymer, silicone polymer, acrylic polymer, polyolefin polymer, and copolymers thereof,
The lower surface of the adhesive layer is in contact with the upper surface of the polarizer and the upper surface of the panel tape,
The lower surface of the adhesive layer is flat,
A flexible electroluminescent display device, wherein one end of the cover glass is disposed in the bending area.

According to claim 1,
The panel tape is in direct contact with the flexible substrate in the bending area.

According to clause 2,
A flexible electroluminescent display device in which an adhesive material is applied to the panel tape on a surface directly in contact with the flexible substrate.

delete

According to claim 1,
A flexible electroluminescent display device further comprising a backplate on a lower surface of the display area.

According to clause 5,
A flexible electroluminescent display device, wherein the backplate is composed of a plurality of layers.

According to clause 6,
A flexible electroluminescent display device, wherein at least one layer among the plurality of layers of the back plate is made of one of polyimide, polyethylene naphthalate (PEN), and polyethylene terephthalate (PET).

delete

According to claim 1,
A flexible electroluminescent display device, wherein the adhesive layer is made of a transparent adhesive resin (Optically Cleared Resin (OCR)) or a transparent adhesive film (Optically Cleared film (OCA film)).

According to claim 1,
Further comprising an insulating film connected to the flexible substrate,
A flexible electroluminescent display device in which a circuit driving element is disposed on the insulating film.