KR20190064988A - Flexible Electroluminescent Display Device - Google Patents

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KR20190064988A
KR20190064988A KR1020170164377A KR20170164377A KR20190064988A KR 20190064988 A KR20190064988 A KR 20190064988A KR 1020170164377 A KR1020170164377 A KR 1020170164377A KR 20170164377 A KR20170164377 A KR 20170164377A KR 20190064988 A KR20190064988 A KR 20190064988A
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Abstract

According to the present invention, provided is a flexible electroluminescent display device comprising: a flexible substrate including a display area, a bending area extended and bent in one side of the display area, and a cutting area formed by cutting one side of the bending area; a thin film transistor and a light emitting device disposed on the display area; wirings and planarization layers disposed on the display area and the bending area; a micro coating layer disposed on the planarization layer of the bending area; a touch screen substrate disposed on the display area; and a touch circuit board connected to the touch screen board. The flexible substrate includes the cutting area formed by cutting one side of the bending area, and the touch circuit board is inserted into the cutting area and bent.

Description

플렉시블 전계발광 표시장치{Flexible Electroluminescent Display Device}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a flexible electroluminescent display device,

본 명세서는 플렉시블 전계발광 표시장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플렉시블 전계발광 표시장치의 베젤(Bezel)의 영역을 최소화할 수 있는 플렉시블 전계발광 표시장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flexible electroluminescence display device, and more particularly, to a flexible electroluminescence display device capable of minimizing a region of a bezel of a flexible electroluminescence display device.

본격적인 정보화 시대로 접어들면서 전기적 정보신호를 시각적으로 표시하는 표시장치 분야가 급속도로 발전하고 있으며, 여러가지 표시장치에 대해 박형화, 경량화 및 저소비 전력화 등의 성능을 개발시키기 위한 연구가 계속되고 있다. As the era of information age approaches, there is a rapid development of a display device field for visually displaying electrical information signals. Researches are continuing to develop performance such as thinning, lightening, and low power consumption for various display devices.

대표적인 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display device; LCD), 전계방출 표시장치(Field Emission Display device; FED), 전기습윤 표시장치(Electro-Wetting Display device; EWD) 및 유기발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device; OLED) 등을 들 수 있다. Typical display devices include a liquid crystal display device (LCD), a field emission display device (FED), an electro-wetting display device (EWD), and an organic light- Light Emitting Display Device (OLED), and the like.

유기발광 표시장치로 대표되는 전계발광 표시장치는 자체 발광형 표시장치로서, 액정 표시장치와는 달리 별도의 광원이 필요하지 않아 경량 박형으로 제조가 가능하다. 또한, 전계발광 표시장치는 저전압 구동에 의해 소비전력 측면에서 유리할 뿐만 아니라, 색상구현, 응답속도, 시야각, 명암 대비비(Contrast Ratio; CR)도 우수하여, 다양한 분야에서 활용이 기대되고 있다.An electroluminescent display device typified by an organic light emitting display device is a self-emissive display device, and unlike a liquid crystal display device, a separate light source is not required, so that it can be manufactured in a light and thin shape. In addition, the electroluminescent display device is advantageous in terms of power consumption by low-voltage driving, and has excellent color implementation, response speed, viewing angle, and contrast ratio (CR), and is expected to be utilized in various fields.

전계발광 표시장치에는 애노드(Anode)와 캐소드(Cathode)로 된 두 개의 전극 사이에 발광층(Emissive Layer; EML)을 배치한다. 애노드에서의 정공(Hole)을 발광층으로 주입시키고, 캐소드에서의 전자(Electron)를 발광층으로 주입시키면, 주입된 전자와 정공이 서로 재결합하면서 발광층에서 여기자(Exciton)를 형성하며 발광한다. An electroluminescent display device has an emissive layer (EML) disposed between two electrodes made of an anode and a cathode. When holes in the anode are injected into the light emitting layer and electrons in the cathode are injected into the light emitting layer, excited electrons and holes are recombined to form excitons in the light emitting layer.

발광층에는 호스트(Host) 물질과 도펀트(Dopant) 물질이 포함되어 두 물질의 상호작용이 발생하여 호스트는 전자와 정공으로부터 여기자를 생성하고 도펀트로 에너지를 전달하며, 도펀트는 소량이 첨가되는 염료성 유기물로, 호스트로부터 에너지를 받아서 광으로 전환한다.A host material and a dopant material are included in the light emitting layer so that interaction between the two materials occurs. The host generates excitons from electrons and holes, transfers energy to the dopant, and the dopant is a dye organic material And receives energy from the host to convert it into light.

전계발광 표시장치는 유리(Glass), 금속(Metal) 또는 필름(Film)으로 전계발광 표시장치를 봉지(Encapsulation)하여 외부에서 전계발광 표시장치의 내부로 수분이나 산소의 유입을 차단하여 발광층이나 전극의 산화를 방지하고, 외부에서 가해지는 기계적 또는 물리적 충격으로부터 보호한다.The electroluminescence display device encapsulates an electroluminescence display device with a glass, a metal or a film to block moisture or oxygen from entering the electroluminescence display device from the outside, And protects against external mechanical or physical impacts.

표시장치가 소형화됨에 따라, 표시장치의 동일 면적에서 유효 표시 화면 크기를 증가시키기 위해 표시영역(Active Area; A/A)의 외곽부인 베젤영역(Bezel Area)을 축소시키려는 노력이 계속되고 있다. Efforts to reduce the bezel area, which is the outer portion of the active area (A / A), have been continued to increase the effective display screen size in the same area of the display device as the display device has become smaller.

비표시영역(Non-active Area; N/A)에 해당하는 베젤영역에는 화면을 구동시키기 위한 배선 및 구동회로가 배치되기 때문에, 베젤영역을 축소하는 데에는 한계가 있었다. In the bezel region corresponding to the non-active area (N / A), the wiring for driving the screen and the driving circuit are disposed.

최근 개발되고 있는 플라스틱(Plastic)과 같은 연성재료의 플렉시블 기판(Flexible Substrate)을 적용하여 휘어져도 표시성능을 유지할 수 있는 플렉시블 전계발광 표시장치와 관련하여, 배선 및 구동회로를 위한 면적을 확보하면서도 베젤영역을 축소시키기 위해서 플렉시블 기판의 비표시영역을 벤딩(Bending)하여 베젤영역을 축소시키는 기술이 개발되어 적용하고 있다.With respect to a flexible electroluminescent display device capable of maintaining the display performance even when bent by applying a flexible substrate of a flexible material such as plastic, which has been recently developed, an area for a wiring and a driving circuit is secured, A technology for reducing a bezel area by bending a non-display area of a flexible substrate to reduce an area has been developed and applied.

그리고, 플라스틱 등과 같이 플렉시블 기판을 사용한 전계발광 표시장치는 기판, 기판 상에 배치되는 각종 절연층 및 금속물질로 형성되는 배선 등의 플렉서빌리티(Flexibility)를 확보하고, 벤딩으로 발생될 수 있는 크랙(Crack)과 같은 불량을 방지하는 것이 필요하다. An electroluminescent display device using a flexible substrate such as a plastic substrate has flexibility of a substrate, various insulating layers disposed on the substrate, wiring formed of a metal material, etc., and a crack It is necessary to prevent defects such as cracks.

이와 함께, 표시장치의 입력수단으로서 종래에 적용되었던 마우스나 키보드와 같은 입력수단을 대체하여 사용자가 손가락이나 펜을 이용하여 표시장치의 화면에 직접 정보를 입력할 수 있는 터치스크린 패널(Touch Screen Panel)을 탑재한 표시장치가 다양한 분야에서 활용이 늘어나고 있다.In addition, as a means of inputting a display device, a touch screen panel (Touch Screen Panel) which can input information directly to a screen of a display device by using a finger or a pen instead of an input means such as a mouse or a keyboard, ) Is increasingly used in various fields.

표시장치의 상부에 배치되는 터치스크린 패널은 사용자의 손이나 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적신호로 변환하며, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여지고 이를 표시장치를 통해서 화면에 표시된다. A touch screen panel disposed on an upper portion of the display device converts a touch position directly touching a user's hand or an object into an electrical signal, and the instruction content selected at the touch position is received as an input signal and displayed on the screen through the display device .

그리고, 표시장치의 비표시영역인 베젤영역에 배치되는 터치회로기판은 터치스크린 패널을 구동시키기 위해서 터치스크린 패널과 연결되는 배선 및 터치회로가 배치되며, 배선 및 터치회로에 대한 면적을 확보되어야 하기 때문에 표시장치의 베젤영역 축소에 장애가 되고 있었다. The touch circuit board disposed in the bezel area, which is a non-display area of the display device, includes a wiring and a touch circuit connected to the touch screen panel for driving the touch screen panel. As a result, the bezel area of the display device has been obstructed.

이에, 본 명세서의 발명자들은 전계발광 표시장치에서 베젤영역에 배치되는 터치스크린 패널의 터치회로기판의 영역을 최소화할 수 있는 새로운 구조의 전계발광 표시장치를 발명하였다. Therefore, the inventors of the present invention have invented a new structure of an electroluminescent display device capable of minimizing a region of a touch circuit board of a touch screen panel disposed in a bezel region in an electroluminescent display device.

그리고, 본 명세서의 발명자들은 전계발광 표시장치의 해상도가 점점 증가함에 따라, 배선을 배치할 공간이 부족함을 인식하고, 제한된 공간 내에서 배선을 보다 자유롭게 배치할 수 있는 새로운 구조의 전계발광 표시장치를 발명하였다.The inventors of the present invention have recognized that a space for arranging wiring is insufficient as the resolution of an electroluminescence display device increases, and realize a new structure of an electroluminescence display device capable of arranging wiring more freely in a limited space Invented.

본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems of the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역, 표시영역의 일측에서 연장되어 벤딩된 벤딩영역, 및 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성되는 커팅영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 배치되는 박막트랜지스터 및 발광소자, 표시영역 및 벤딩영역 상에 배치되는 배선 및 평탄화층, 벤딩영역의 평탄화층 상에 배치되는 마이크로 코팅층, 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판, 및 터치스크린 기판과 연결되는 터치회로기판을 포함하고, 플렉시블 기판은 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성되는 컷팅영역을 포함하며, 터치회로기판은 컷팅영역에 삽입되어 벤딩된다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a flexible substrate including a display region, a bending region extending from one side of the display region and bent, and a cutting region formed by cutting one side of the bending region, A wiring and a planarization layer disposed on the display region and the bending region, a micro-coating layer disposed on the planarization layer of the bending region, a touch screen substrate disposed on the display region, and a touch screen substrate And the flexible substrate includes a cutting area formed by cutting one side of the bending area, and the touch circuit board is inserted into the cutting area and bent.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 화소를 포함하는 표시영역, 표시영역 외곽에 배치된 벤딩영역을 구비하는 비표시영역, 및 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성된 컷팅영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판 및 터치스크린 기판과 연결되는 터치회로기판을 포함하고, 플렉시블 기판의 비표시영역의 일측이 절개되어 컷팅영역이 형성되며, 터치회로기판은 컷팅영역에 삽입되어 벤딩되어 비표시영역을 최소화 할수 있다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a display region including a pixel, a non-display region having a bending region disposed outside the display region, and a flexible region including a cut region formed by cutting one side of the bending region. A touch screen substrate disposed on the display area, and a touch circuit board connected to the touch screen substrate, wherein one side of the non-display area of the flexible substrate is cut to form a cut area, So that the non-display area can be minimized.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역, 표시영역 외곽에 배치된 벤딩영역 및 벤딩영역의 일측에 배치된 제1 영역 및 벤딩영역의 컷팅에 의해 형성된 제2 영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판, 및 터치스크린 기판과 연결되며, 제2 영역에 배치된 터치회로기판을 포함한다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a flexible region including a display region, a first region disposed on one side of a bending region disposed outside the display region, and a second region formed by cutting a bending region, A touch screen substrate disposed on the display region, and a touch circuit substrate connected to the touch screen substrate and disposed in the second region.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치는 플렉시블 기판의 상부에 배치되는 터치스크린 패널에 포함되는 터치회로기판의 영역을 축소하여 베젤영역을 최소화할 수 있는 효과가 있다.The electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention has an effect of minimizing a bezel area by reducing the area of a touch circuit board included in a touch screen panel disposed on an upper portion of a flexible substrate.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 플렉시블 전계발광 표시장치에 사용되는 배선을 제한된 공간 내에서 보다 자유롭게 배치할 수 있는 효과가 있다.The flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention has an effect that the wirings used in the flexible electroluminescent display device can be arranged more freely in a limited space.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.The effects of the flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention are not limited by the contents exemplified above, and more various effects are included in the specification.

이상에서 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단, 효과에 기재한 명세서의 내용이 청구항의 필수적인 특징을 특정하는 것은 아니므로, 청구항의 권리범위는 명세서의 내용에 기재된 사항에 의하여 제한되지 않는다.The scope of the claims is not limited by the matters described in the description of the specification, as the contents of the description in the problems, the solutions to the problems, and the effects described above do not specify the essential features of the claims.

도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 블록도이다.
도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함되는 화소의 회로도이다.
도 3은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 평면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 표시영역 및 벤딩영역의 상세구조 단면도이다.
도 5는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치 터치스크린 패널의 평면도이다.
도 6a 및 도 6b는 본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치스크린 및 플렉시블 기판의 평면도 및 사시도이다.
1 is a block diagram of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.
2 is a circuit diagram of a pixel included in an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.
3 is a plan view of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.
4A and 4B are cross-sectional views illustrating a detailed structure of a display region and a bending region of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.
5 is a plan view of an electroluminescence display touch screen panel according to an embodiment of the present invention.
6A and 6B are a plan view and a perspective view of a touch screen and a flexible substrate of a flexible electroluminescence display device according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The advantages and features of the present invention and the manner of achieving them will become apparent with reference to the embodiments described in detail below with reference to the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art. Is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the invention is only defined by the scope of the claims.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급된 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다. The shapes, sizes, ratios, angles, numbers, and the like disclosed in the drawings for describing the embodiments of the present invention are illustrative, and thus the present invention is not limited thereto. Like reference numerals refer to like elements throughout the specification. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Where the terms "comprises", "having", "done", and the like are used in this specification, other portions may be added unless "only" is used. Unless the context clearly dictates otherwise, including the plural unless the context clearly dictates otherwise.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.In interpreting the constituent elements, it is construed to include the error range even if there is no separate description.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.In the case of a description of the positional relationship, for example, if the positional relationship between two parts is described as 'on', 'on top', 'under', and 'next to' Or " direct " is not used, one or more other portions may be located between the two portions.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.The first, second, etc. are used to describe various components, but these components are not limited by these terms. These terms are used only to distinguish one component from another. Therefore, the first component mentioned below may be the second component within the technical spirit of the present invention.

본 명세서의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.It is to be understood that each of the features of the various embodiments herein may be combined or combined with each other, partially or wholly, and technically various interlocking and driving are possible, and that the embodiments may be practiced independently of each other, It is possible.

도 1은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(100)의 블록도이다. 1 is a block diagram of an electroluminescent display device 100 according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 전계발광 표시장치(100)는 영상처리부(110), 타이밍 컨트롤러(120), 데이터드라이버(130), 게이트드라이버(140) 및 표시패널(150)을 포함한다.Referring to FIG. 1, an EL display device 100 includes an image processing unit 110, a timing controller 120, a data driver 130, a gate driver 140, and a display panel 150.

영상처리부(110)는 외부로부터 공급된 데이터신호(DATA)와 더불어 데이터인에이블신호(DE) 등을 출력한다. 영상처리부(110)는 데이터인에이블신호(DE) 외에도 수직동기신호, 수평동기신호 및 클럭신호 중 하나 이상을 출력할 수 있다.The image processing unit 110 outputs a data enable signal DE together with a data signal DATA supplied from the outside. The image processing unit 110 may output at least one of a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and a clock signal in addition to the data enable signal DE.

타이밍컨트롤러(120)는 영상처리부(110)로부터 데이터인에이블신호(DE) 또는 수직동기신호, 수평동기신호 및 클럭신호 등을 포함하는 구동신호와 더불어 데이터신호(DATA)를 공급받는다. 타이밍컨트롤러(120)는 구동신호에 기초하여 게이트드라이버(140)의 동작타이밍을 제어하기 위한 게이트타이밍 제어신호(GDC)와 데이터드라이버(130)의 동작타이밍을 제어하기 위한 데이터 타이밍제어신호(DDC)를 출력한다. The timing controller 120 receives a data enable signal DE or a data signal DATA in addition to a drive signal including a vertical synchronization signal, a horizontal synchronization signal, and a clock signal from the image processing unit 110. The timing controller 120 generates a gate timing control signal GDC for controlling the operation timing of the gate driver 140 and a data timing control signal DDC for controlling the operation timing of the data driver 130 based on the drive signal. .

데이터드라이버(130)는 타이밍컨트롤러(120)로부터 공급된 데이터타이밍 제어신호(DDC)에 응답하여 타이밍컨트롤러(120)로부터 공급되는 데이터신호(DATA)를 샘플링하고 래치하여 감마 기준전압으로 변환하여 출력한다. 데이터드라이버(130)는 데이터라인들(DL1~DLn)을 통해 데이터신호(DATA)를 출력한다.The data driver 130 samples and latches the data signal DATA supplied from the timing controller 120 in response to the data timing control signal DDC supplied from the timing controller 120 and converts the sampled data signal into a gamma reference voltage . The data driver 130 outputs the data signal DATA through the data lines DL1 to DLn.

게이트드라이버(140)는 타이밍컨트롤러(120)로부터 공급된 게이트타이밍 제어신호(GDC)에 응답하여 게이트전압의 레벨을 시프트시키면서 게이트신호를 출력한다. 게이트드라이버(140)는 게이트라인들(GL1~GLm)을 통해 게이트신호를 출력한다. The gate driver 140 outputs a gate signal while shifting the level of the gate voltage in response to the gate timing control signal GDC supplied from the timing controller 120. The gate driver 140 outputs the gate signal through the gate lines GL1 to GLm.

표시패널(150)은 데이터드라이버(130) 및 게이트드라이버(140)로부터 공급된 데이터신호(DATA) 및 게이트신호에 대응하여 화소(160)가 발광하면서 영상을 표시한다. 화소(160)의 상세구조는 도 2 및 도 4 에서 상세히 설명한다.The display panel 150 displays an image while the pixel 160 emits light corresponding to the data signal DATA and the gate signal supplied from the data driver 130 and the gate driver 140. The detailed structure of the pixel 160 will be described in detail in FIG. 2 and FIG.

도 2는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함되는 화소의 회로도이다.2 is a circuit diagram of a pixel included in an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 전계발광 표시장치(200)의 화소는 스위칭 트랜지스터(240), 구동 트랜지스터(250), 보상회로(260) 및 발광소자(270)를 포함한다. 2, a pixel of the EL display device 200 includes a switching transistor 240, a driving transistor 250, a compensation circuit 260, and a light emitting element 270.

발광소자(270)는 구동 트랜지스터(250)에 의해 형성된 구동전류에 따라 발광하도록 동작한다.The light emitting element 270 operates to emit light in accordance with the driving current generated by the driving transistor 250.

스위칭 트랜지스터(240)는 게이트라인(220)을 통해 공급된 게이트신호에 대응하여 데이터라인(230)을 통해 공급되는 데이터신호가 커패시터(Capacitor)에 데이터 전압으로 저장되도록 스위칭 동작한다. The switching transistor 240 performs a switching operation so that a data signal supplied through the data line 230 corresponding to the gate signal supplied through the gate line 220 is stored in the capacitor as a data voltage.

구동 트랜지스터(250)는 커패시터에 저장된 데이터전압에 대응하여 고전위 전원라인(VDD)과 저전위 전원라인(GND) 사이로 일정한 구동전류가 흐르도록 동작한다. The driving transistor 250 operates so that a constant driving current flows between the high potential power supply line VDD and the low potential power supply line GND in response to the data voltage stored in the capacitor.

보상회로(260)는 구동 트랜지스터(250)의 문턱전압 등을 보상하기 위한 회로이며, 보상회로(260)는 하나 이상의 박막 트랜지스터와 커패시터를 포함한다. 보상회로의 구성은 보상 방법에 따라 매우 다양할 수 있다. The compensation circuit 260 is a circuit for compensating the threshold voltage and the like of the driving transistor 250, and the compensation circuit 260 includes at least one thin film transistor and a capacitor. The configuration of the compensation circuit may vary widely depending on the compensation method.

그리고, 전계발광 표시장치(200)의 화소는 스위칭 트랜지스터(240), 구동 트랜지스터(250), 커패시터 및 발광소자(270)를 포함하는 2T(Transistor)1C(Capacitor) 구조로 구성되지만, 보상회로(260)가 추가된 경우 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T1C, 6T2C, 7T1C, 7T2C 등으로 다양하게 형성할 수 있다.The pixel of the electroluminescence display device 200 is composed of a 2T (Transistor) 1C (Capacitor) structure including a switching transistor 240, a driving transistor 250, a capacitor and a light emitting element 270, 260 can be additionally formed in the present invention, it can be formed into 3T1C, 4T2C, 5T2C, 6T1C, 6T2C, 7T1C, 7T2C and the like.

도 3은 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 평면도이다. 상세하게는, 플렉시블 전계발광 표시장치(300)의 플렉시블 기판(310)이 벤딩되지 않은 상태이다.3 is a plan view of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention. Specifically, the flexible substrate 310 of the flexible electroluminescence display device 300 is not bent.

도 3을 참조하면, 플렉시블 전계발광 표시장치(300)는 플렉시블 기판(310) 상에 박막 트랜지스터 및 발광소자를 통해서 실제로 광을 발광하는 화소가 배치되는 표시영역(A/A) 및 표시영역(A/A)의 가장자리의 외곽을 둘러싸는 베젤영역인 비표시영역(N/A)을 포함한다.3, the flexible electroluminescent display device 300 includes a flexible substrate 310 on which a thin film transistor and a display region A / A and a display region A / Non-display area N / A which is a bezel area surrounding the periphery of the edge of the display area / A.

플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)은 플렉시블 전계발광 표시장치(300)의 구동을 위한 게이트구동부(390) 등과 같은 회로 및 스캔라인(Scan Line; S/L) 등과 같은 다양한 신호배선이 배치될 수 있다. A non-display area N / A of the flexible substrate 310 is connected to various circuits such as a gate driver 390 for driving the flexible electro-luminescence display device 300 and a scan line (S / L) Wiring can be arranged.

플렉시블 전계발광 표시장치(300)의 구동을 위한 회로는 기판(310) 상에 GIP(Gate in Panel)로 배치되거나, TCP(Tape Carrier Package) 또는 COF(Chip on Film) 방식으로 플렉시블 기판(310)에 연결될 수도 있다. The circuit for driving the flexible electroluminescence display device 300 may be arranged in a GIP (Gate in Panel) on a substrate 310 or a flexible substrate 310 in a TCP (Tape Carrier Package) or COF (Chip on Film) Lt; / RTI >

비표시영역(N/A)의 기판(310)의 일 측에는 금속 패턴인 패드(395)가 배치되어 외부 모듈이 본딩(Bonding) 될 수 있다.A pad 395, which is a metal pattern, may be disposed on one side of the substrate 310 of the non-display area N / A to bond the external module.

플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)의 일부를 화살표와 같은 벤딩방향으로 구부려서 벤딩영역(B/A)을 형성할 수 있다. 플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)은 화면을 구동시키기 위한 배선 및 구동회로가 배치되며, 화상이 표시되는 영역이 아니므로, 플렉시블 기판(310)의 상면에서 시인될 필요가 없다. 따라서, 플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)의 일부영역을 벤딩하여 배선 및 구동회로를 위한 면적을 확보하면서도 베젤영역을 축소시킬 수 있다.The bending area B / A can be formed by bending a part of the non-display area N / A of the flexible substrate 310 in the bending direction as shown by the arrow. The non-display area N / A of the flexible substrate 310 is not required to be visually recognized on the upper surface of the flexible substrate 310 because the wiring and the drive circuit for driving the screen are disposed and not the area where the image is displayed . Therefore, a portion of the non-display area N / A of the flexible substrate 310 can be bent to reduce the area of the bezel while securing an area for the wiring and the driver circuit.

플렉시블 기판(310) 상에는 다양한 배선들이 형성된다. 배선은 기판(310)의 표시 영역(A/A)에 형성될 수도 있고, 또는 비표시영역(N/A)에 형성되는 회로배선(370)은 구동회로 또는 게이트드라이버, 데이터드라이버 등을 연결하여 신호를 전달할 수 있다. Various wirings are formed on the flexible substrate 310. The wiring may be formed in the display area A / A of the substrate 310 or the circuit wiring 370 formed in the non-display area N / A may be formed by connecting a driving circuit, a gate driver, a data driver, Signal.

회로배선(370)은 도전성물질로 형성되며, 기판(310)의 벤딩 시에 크랙이 발생하는 것을 줄이기 위해 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들면, 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 그리고, 표시영역(A/A)에서 사용되는 다양한 도전성물질 중 하나로 형성될 수 있으며, 예를 들면, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu), 및 은(Ag)과 마그네슘(Mg)의 합금 등으로도 구성될 수도 있다. The circuit wiring 370 is formed of a conductive material and may be formed of a conductive material having excellent ductility to reduce the occurrence of cracks when the substrate 310 is bent. For example, the circuit wiring 370 may be formed of gold (Au), silver ), Aluminum (Al), or the like. For example, one or more of Mo, Cr, Ti, Ni, and Nd may be formed as one of various conductive materials used in the display area A / , Copper (Cu), and an alloy of silver (Ag) and magnesium (Mg).

회로배선(370)은 다양한 도전성물질을 포함하는 다층구조로 구성될 수도 있으며, 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti) 3층구조로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다.The circuit wiring 370 may be formed of a multilayer structure including various conductive materials and may have a three-layer structure of titanium (Ti) / aluminum (Al) / titanium (Ti), but the present invention is not limited thereto.

벤딩영역(B/A)에 형성되는 회로배선(370)은 벤딩되는 경우 인장력을 받게 된다. 플렉시블 기판(310) 상에서 벤딩방향과 동일한 방향으로 연장하는 회로배선(370)이 가장 큰 인장력을 받게 되어, 크랙이 발생하거나 단선이 발생할 수 있다. 따라서, 벤딩방향으로 연장하도록 회로배선(370)을 형성하는 것이 아니라, 벤딩영역(B/A)을 포함하여 배치되는 회로배선(370) 중 적어도 일부분은 벤딩 방향과 상이한 방향인 사선 방향으로 연장하도록 형성하여 인장력을 최소화할 수 있다. The circuit wiring 370 formed in the bending area B / A is subjected to tensile force when bent. The circuit wiring 370 extending on the flexible substrate 310 in the same direction as the bending direction is subjected to the greatest tensile force, so that cracks or disconnection may occur. Therefore, instead of forming the circuit wiring 370 so as to extend in the bending direction, at least a part of the circuit wiring 370 arranged to include the bending area B / A may be extended in a diagonal direction different from the bending direction So that the tensile force can be minimized.

벤딩영역(B/A)을 포함하여 배치되는 회로배선(370)은 다양한 형상으로 형성될 수 있으며, 사다리꼴파 형상, 삼각파 형상, 톱니파 형상, 정현파 형상, 오메가(Ω) 형상, 마름모 형상 등으로 형성될 수 있다. The circuit wiring 370 including the bending area B / A may be formed in various shapes and may be formed in a trapezoidal shape, a triangular shape, a sawtooth shape, a sinusoidal shape, an omega shape, .

플렉시블 기판(310)의 표시영역(A/A) 상에는 도 5 내지 도 6b에서 설명되는 터치스크린 패널이 배치된다. 터치스크린 패널은 사용자의 손이나 물체에 직접 접촉된 접촉위치를 전기적신호로 변환하며, 접촉위치에서 선택된 지시 내용이 입력신호로 받아들여지고 이를 표시장치를 통해서 화면에 표시된다. On the display area A / A of the flexible substrate 310, the touch screen panel described in FIGS. 5 to 6B is disposed. The touch screen panel converts the touch position directly touching the user's hand or object into an electrical signal, and the instruction selected at the touch position is received as an input signal and displayed on the screen through the display device.

플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)의 일 측에는 터치스크린 패널과 연결되는 배선 및 터치회로가 배치되는 터치회로기판이 삽입되어 벤딩되는 컷팅영역(Cutting Area; C/A)을 형성한다. A cut-out area (C / A) is formed at one side of the non-display area N / A of the flexible substrate 310 by inserting and bending a touch circuit board on which a wiring connected to the touch screen panel and a touch circuit is inserted do.

터치회로기판은 터치스크린패널 상에 배치되는 터치전극과 서로 신호를 전달하기 위한 다양한 배선 및 터치입력을 센싱하기 위한 터치센싱회로를 포함할 수 있으며, 절연필름으로 구성할 수 있다.The touch circuit board may include a touch electrode disposed on the touch screen panel, a touch sensing circuit for sensing various wirings and touch inputs for transmitting signals to each other, and an insulating film.

컷팅영역(C/A)은 플렉시블 기판(310)의 비표시영역(N/A)에 터치회로기판의 폭보다 더 큰 폭을 가지는 영역을 절개하여, 절연필름으로 구성되는 터치회로기판이 삽입되어 벤딩되는 영역이다. 이때, 컷팅영역(C/A)에 영향을 받지 않도록 플렉시블 기판(310)상에 배치되는 회로배선(370) 및 패드(395)는 컷팅영역(C/A)에 배치하지 않고 컷팅영역(C/A)과 인접한 영역에 배치된다.The cut area C / A is formed by cutting a region having a width larger than the width of the touch circuit board in the non-display area N / A of the flexible substrate 310 and inserting a touch circuit board composed of an insulating film Bending area. At this time, the circuit wiring 370 and the pad 395 arranged on the flexible substrate 310 are not arranged in the cutting area C / A but are not arranged in the cutting area C / A so as not to be affected by the cutting area C / A).

플렉시블 기판(310) 상에 배치되는 터치스크린패널의 구조 및 플렉시블 기판(310)과의 상세 결합구조에 대해서는 도 5 내지 도 6b에서 설명한다.The structure of the touch screen panel disposed on the flexible substrate 310 and the detailed connection structure with the flexible substrate 310 will be described with reference to FIGS. 5 to 6B.

도 4a 및 도 4b는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치의 표시영역 및 벤딩영역의 상세구조 단면도이다. 4A and 4B are cross-sectional views illustrating a detailed structure of a display region and a bending region of an electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention.

도 4a는 도 3에서 설명한 표시영역(A/A)의 상세구조 단면(I-I')이다. 4A is a cross-sectional view (I-I ') of the detailed structure of the display area A / A described with reference to FIG.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 기판(410)은 상부에 배치되는 전계발광 표시장치(400)의 구성요소들을 지지 및 보호하는 역할을 한다. 최근에는 플라스틱과 같은 플렉시블 특성을 가지는 연성의 물질로 플렉시블 기판(410)을 사용할 수 있다. Referring to FIGS. 4A and 4B, the substrate 410 serves to support and protect the elements of the electroluminescent display device 400 disposed thereon. In recent years, the flexible substrate 410 can be used as a flexible material having a flexible characteristic such as plastic.

플렉시블 기판(410)은 폴리에스터계 고분자, 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 폴리올레핀계 고분자, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군 중 하나를 포함하는 필름형태일 수 있으며, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리실란(polysilane), 폴리실록산(polysiloxane), 폴리실라잔(polysilazane), 폴리카르보실란(polycarbosilane), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리메타크릴레이트(polymethacrylate), 폴리메틸아크릴레이트(polymethylacrylate), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmetacrylate), 폴리에틸아크릴레이트(polyethylacrylate), 폴리에틸메타크릴레이트(polyethylmetacrylate), 사이클릭 올레핀 코폴리머(COC), 사이클릭 올레핀 폴리머(COP), 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리스타이렌(PS), 폴리아세탈(POM), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에스테르설폰(PES), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리카보네이트(PC), 폴리비닐리덴플로라이드(PVDF), 퍼플루오로알킬 고분자(PFA), 스타이렌아크릴나이트릴코폴리머(SAN) 및 이들의 조합 중에서 적어도 하나로 구성될 수 있다. The flexible substrate 410 may be in the form of a film including one of a polyester polymer, a silicone polymer, an acrylic polymer, a polyolefin polymer, and a copolymer thereof. Examples of the film include polyethylene terephthalate (PET) But are not limited to, polybutylene terephthalate (PBT), polysilane, polysiloxane, polysilazane, polycarbosilane, polyacrylate, polymethacrylate, poly (Meth) acrylate, polymethyl methacrylate, polyethylacrylate, polyethylmetacrylate, cyclic olefin copolymer (COC), cyclic olefin polymer (COP), (PE), polypropylene (PP), polyimide (PI), polymethylmethacrylate (PMMA), polystyrene (PS) (POM), polyetheretherketone (PEEK), polyester sulfone (PES), polytetrafluoroethylene (PTFE), polyvinyl chloride (PVC), polycarbonate (PC), polyvinylidene fluoride A perfluoroalkyl polymer (PFA), a styrene acrylonitrile polymer (SAN), and combinations thereof.

플렉시블 기판(410) 상에 버퍼층이 더 배치될 수 있다. 버퍼층은 플렉시블 기판(410)을 통해서 외부의 수분이나 다른 불순물의 침투를 방지하며, 플렉시블 기판(410)의 표면을 평탄화할 수 있다. 버퍼층은 반드시 필요한 구성은 아니며, 플렉시블 기판(410) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(420)의 종류에 따라 삭제될 수도 있다. A buffer layer may be further disposed on the flexible substrate 410. The buffer layer prevents penetration of moisture or other impurities from the outside through the flexible substrate 410, and the surface of the flexible substrate 410 can be planarized. The buffer layer is not necessarily required, and may be deleted depending on the type of the thin film transistor 420 disposed on the flexible substrate 410.

플렉시블 기판(410) 상에 배치되는 박막 트랜지스터(420)는 게이트전극(422), 소스전극(424), 드레인전극(426) 및 반도체층(428)을 포함한다.The thin film transistor 420 disposed on the flexible substrate 410 includes a gate electrode 422, a source electrode 424, a drain electrode 426, and a semiconductor layer 428.

반도체층(428)은 비정질실리콘(Amorphous Silicon) 또는 비정질 실리콘보다 우수한 이동도(Mobility)를 가져서 에너지 소비 전력이 낮고 신뢰성이 우수하여, 화소 내에서 구동 박막 트랜지스터에 적용할 수 있는 다결정실리콘(Polycrystalline Silicon)으로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The semiconductor layer 428 has a higher mobility than amorphous silicon or amorphous silicon and thus has low energy consumption and excellent reliability and can be applied to polycrystalline silicon ), But is not limited thereto.

그리고, 반도체층은 산화물(Oxide) 반도체로 구성할 수 있다. 산화물 반도체는 이동도와 균일도가 우수한 특성을 갖고 있다. 산화물 반도체는 4원계 금속 산화물인 인듐 주석 갈륨 아연 산화물(InSnGaZnO) 계 재료, 3원계 금속 산화물인 인듐 갈륨 아연 산화물(InGaZnO) 계 재료, 인듐 주석 아연 산화물(InSnZnO) 계 재료, 인듐 알루미늄 아연 산화물(InAlZnO) 계 재료, 주석 갈륨 아연 산화물(SnGaZnO) 계 재료, 알루미늄 갈륨 아연 산화물(AlGaZnO) 계 재료, 주석 알루미늄 아연 산화물(SnAlZnO) 계 재료, 2원계 금속 산화물인 인듐 아연 산화물(InZnO) 계 재료, 주석 아연 산화물(SnZnO) 계 재료, 알루미늄 아연 산화물(AlZnO) 계 재료, 아연 마그네슘 산화물(ZnMgO) 계 재료, 주석 마그네슘 산화물(SnMgO) 계 재료, 인듐 마그네슘 산화물(InMgO) 계 재료, 인듐 갈륨 산화물(InGaO) 계 재료, 인듐 산화물(InO) 계 재료, 주석 산화물(SnO) 계 재료, 아연 산화물(ZnO) 계 재료 등으로 반도체층(428)을 구성할 수 있으며, 각각의 원소의 조성 비율은 제한되지 않는다.The semiconductor layer may be formed of an oxide semiconductor. The oxide semiconductor has characteristics of excellent mobility and uniformity. The oxide semiconductors include indium tin gallium zinc oxide (InSnGaZnO) based materials which are quaternary metal oxides, indium gallium zinc oxide (InGaZnO) based materials which are ternary metal oxides, indium tin zinc oxide (InSnZnO) based materials, indium aluminum zinc oxide ) Based material, tin-gallium zinc oxide (SnGaZnO) -based material, aluminum gallium zinc oxide (AlGaZnO) -base material, tin aluminum zinc oxide (SnAlZnO) -based material, bimetallic metal oxide indium zinc oxide (InZnO) An InGaO 3 -based material, an InGaO 3 -based material, an InGaO 3 -based material, an InGaO 3 -based material, an AlGaN-based material, an SnZnO 3 -based material, an AlZnO 3 -based material, a ZnMgO 3 -based tin magnesium oxide material, The semiconductor layer 428 can be formed of a material selected from the group consisting of indium oxide (InO), tin oxide (SnO 2), and zinc oxide (ZnO) The composition ratio is not limited.

반도체층(428)은 p형 또는 n형의 불순물을 포함하는 소스영역(Source Region), 드레인영역(Drain Region), 및 소스영역 및 드레인영역 사이에 채널(Channel)을 포함할 수 있고, 채널과 인접한 소스영역 및 드레인영역 사이에는 저농도 도핑영역을 더 포함할 수 있다.The semiconductor layer 428 may include a source region including a p-type or an n-type impurity, a drain region, and a channel between the source region and the drain region, And may further include a lightly doped region between the adjacent source and drain regions.

소스영역 및 드레인영역은 불순물이 고농도로 도핑된 영역으로, 박막 트랜지스터(420)의 소스전극(424) 및 드레인전극(426)이 각각 접속되는 영역이다. 불순물 이온은 p형 불순물 또는 n형 불순물을 이용할 수 있는데, p형 불순물은 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 및 인듐(In) 중 하나일 수 있고, n형 불순물은 인(P), 비소(As) 및 안티몬(Sb) 등에서 하나일 수 있다. The source region and the drain region are regions where the impurity is highly doped, and the source electrode 424 and the drain electrode 426 of the thin film transistor 420 are connected, respectively. The p-type impurity may be one of boron (B), aluminum (Al), gallium (Ga), and indium (In), and the n-type impurity may be phosphorus P), arsenic (As) and antimony (Sb).

반도체층(428)은 NMOS 또는 PMOS의 박막 트랜지스터 구조에 따라, 채널 영역은 n형 불순물 또는 p형 불순물로 도핑될 수 있으며, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치에 포함된 박막 트랜지스터는 NMOS 또는 PMOS의 박막 트랜지스터가 적용가능하다.The semiconductor layer 428 may be doped with an n-type impurity or a p-type impurity depending on the structure of the NMOS or PMOS thin film transistor. The thin film transistor included in the electroluminescence display according to the embodiment of the present invention may be an NMOS Or a PMOS thin film transistor is applicable.

제1 절연층(431)은 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)의 단일층 또는 이들의 다중층으로 구성된 절연층이며, 반도체층(428)에 흐르는 전류가 게이트전극(422)으로 흘러가지 않도록 배치한다. 그리고, 실리콘산화물은 금속보다는 연성이 떨어지지만, 실리콘질화물에 비해서는 연성이 우수하며 그 특성에 따라 단일층 또는 복수층으로 형성할 수 있다. The first insulating layer 431 is an insulating layer composed of a single layer of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) or a multilayer thereof and a current flowing in the semiconductor layer 428 flows into the gate electrode 422 . The silicon oxide is less ductile than the metal, but is superior in ductility to silicon nitride and can be formed into a single layer or a plurality of layers depending on the characteristics.

게이트전극(422)은 게이트라인을 통해 외부에서 전달되는 전기 신호에 기초하여 박막 트랜지스터(420)를 턴-온(turn-on) 또는 턴-오프(turn-off)하는 스위치 역할을 하며, 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등이나, 이에 대한 합금으로 단일층 또는 다중층으로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The gate electrode 422 serves as a switch for turning on or turning off the thin film transistor 420 based on an electric signal transmitted from the outside through the gate line, (Al), molybdenum (Mo), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), and neodymium (Nd) Or multiple layers, but is not limited thereto.

소스전극(424) 및 드레인전극(426)은 데이터라인과 연결되며 외부에서 전달되는 전기신호가 박막 트랜지스터(420)에서 발광소자(440)로 전달되도록 한다. 소스전극(424) 및 드레인전극(426)은 도전성 금속인 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 및 네오디뮴(Nd) 등의 금속 재료나 이에 대한 합금으로 단일층 또는 다중층으로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The source electrode 424 and the drain electrode 426 are connected to the data line and electric signals transmitted from the outside are transmitted from the thin film transistor 420 to the light emitting element 440. The source electrode 424 and the drain electrode 426 are formed of a conductive metal such as Cu, Al, Mo, Cr, Au, Ti, Ni, And neodymium (Nd), or an alloy thereof, and may be composed of a single layer or a multilayer, but is not limited thereto.

게이트전극(422)과 소스전극(424) 및 드레인전극(426)을 서로 절연시키기 위해서 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘질화물(SiNx)의 단일층이나 다중층으로 구성된 제2 절연층(433)을 게이트전극(422)과 소스전극(424) 및 드레인전극(426) 사이에 배치할 수 있다.A second insulating layer 433 composed of a single layer or multiple layers of silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) is formed to cover the gate electrode 422, the source electrode 424, and the drain electrode 426, And between the electrode 422 and the source electrode 424 and the drain electrode 426.

박막 트랜지스터(420) 상에 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기절연층으로 구성된 패시베이션층을 더 배치할 수도 있다. 페시베이션층은, 패시베이션층의 상하에 배치되는 구성요소들 사이의 불필요한 전기적 연결을 막고 외부로부터의 오염이나 손상 등을 막는 역할을 할 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략할 수도 있다.A passivation layer composed of an inorganic insulating layer such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) may be further disposed on the thin film transistor 420. [ The passivation layer can prevent unnecessary electrical connection between components disposed above and below the passivation layer and prevent contamination or damage from the outside. The passivation layer can be formed by a combination of the thin film transistor 420 and the light emitting element 440 And may be omitted depending on the characteristics.

박막 트랜지스터(420)는 박막 트랜지스터(420)를 구성하는 구성요소들의 위치에 따라 인버티드 스태거드(Inverted Staggered) 구조와 코플래너(Coplanar) 구조로 분류될 수 있다. 인버티드 스태거드 구조의 박막 트랜지스터는 반도체층을 기준으로 게이트전극이 소스전극 및 드레인전극의 반대편에 위치한다. 도 4a에서와 같이, 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(420)는 반도체층(428)을 기준으로 게이트전극(422)이 소스전극(424) 및 드레인전극(426)과 같은편에 위치한다. The thin film transistor 420 may be classified into an inverted staggered structure and a coplanar structure depending on the positions of the constituent elements of the thin film transistor 420. In the thin film transistor of the inverted staggered structure, the gate electrode is located on the opposite side of the source electrode and the drain electrode with respect to the semiconductor layer. 4A, the thin film transistor 420 of the coplanar structure has the gate electrode 422 located on the same side of the source electrode 424 and the drain electrode 426 as the semiconductor layer 428 as a reference.

도 4a에서는 코플래너 구조의 박막 트랜지스터(420)가 도시되었으나, 전계발광 표시장치(400)는 인버티드 스태거드 구조의 박막 트랜지스터를 포함할 수도 있다.Although the thin film transistor 420 of the coplanar structure is shown in FIG. 4A, the electroluminescent display 400 may include a thin film transistor of an inverted staggered structure.

설명의 편의를 위해, 전계발광 표시장치(400)에 포함될 수 있는 다양한 박막 트랜지스터 중에서 구동 박막 트랜지스터만을 도시하였으며, 스위칭 박막 트랜지스터, 커패시터 등도 전계발광 표시장치(400)에 포함될 수 있다. 그리고, 스위칭 박막 트랜지스터는 게이트 배선으로부터 신호가 인가되면, 데이터 배선으로부터의 신호를 구동 박막트랜지스터의 게이트전극으로 전달한다. 구동 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터로부터 전달받은 신호에 의해 전원 배선을 통해 전달되는 전류를 애노드(442)로 전달하며, 애노드(442)로 전달되는 전류에 의해 발광을 제어한다.For convenience of explanation, only the driving thin film transistor among various thin film transistors included in the electroluminescence display device 400 is shown, and a switching thin film transistor, a capacitor, and the like may be included in the electroluminescence display device 400. [ When a signal is applied from the gate wiring, the switching thin film transistor transfers a signal from the data wiring to the gate electrode of the driving thin film transistor. The driving thin film transistor transmits a current, which is transmitted through the power supply wiring, to the anode 442 by a signal received from the switching thin film transistor, and controls the light emission by the current transmitted to the anode 442.

박막 트랜지스터(420)를 보호하고 박막 트랜지스터(420)로 인해서 발생되는 단차를 완화시키며, 박막 트랜지스터(420)와 게이트라인 및 데이터라인, 발광소자(440)들 사이에 발생되는 기생정전용량(Parasitic-Capacitance)을 감소시키기 위해서 박막 트랜지스터(420) 상에 평탄화층(435, 437)을 배치한다.The parasitic capacitance generated between the thin film transistor 420 and the gate line and the data line and the light emitting elements 440 is reduced by protecting the thin film transistor 420 and alleviating a step generated by the thin film transistor 420. [ The planarization layers 435 and 437 are disposed on the thin film transistor 420 in order to reduce capacitance.

평탄화층(435, 437)은 아크릴계 수지(Acrylic Resin), 에폭시 수지 (Epoxy Resin), 페놀 수지 (Phenolic Resin), 폴리아미드계 수지(Polyamides Resin), 폴리이미드계 수지(Polyimides Resin), 불포화 폴리에스테르계 수지(Unsaturated Polyesters Resin), 폴리페닐렌계 수지(Polyphenylene Resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(Polyphenylenesulfides Resin), 및 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.The planarization layers 435 and 437 may be formed of an acrylic resin, an epoxy resin, a phenolic resin, a polyamide resin, a polyimide resin, an unsaturated polyester resin, But is not limited to, one or more of Unsaturated Polyesters Resin, Polyphenylene Resin, Polyphenylenesulfides Resin, and Benzocyclobutene.

본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(400)는 순차적으로 적층된 복수의 평탄화층(435, 437)인 제1 평탄화층(435) 및 제2 평탄화층(437)을 포함할 수도 있다. 박막 트랜지스터(420) 상에 제1 평탄화층(435)이 적층되어 배치되고, 제1 평탄화층(435) 상에 순차적으로 제2 평탄화층(437)이 적층되어 배치될 수 있다. The electroluminescent display 400 according to the embodiment of the present invention may include a first planarization layer 435 and a second planarization layer 437 which are a plurality of planarization layers 435 and 437 sequentially stacked. A first planarization layer 435 may be stacked on the thin film transistor 420 and a second planarization layer 437 may be sequentially stacked on the first planarization layer 435.

제1 평탄화층(435) 상에는 버퍼층이 배치될 수도 있다. 버퍼층은 제1 평탄화층(435) 상에 배치되는 구성요소를 보호하기 위해서 배치되며, 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 단일층 또는 질화 실리콘(SiNx) 또는 산화 실리콘(SiOx)의 다중층으로 구성될 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략할 수도 있다.A buffer layer may be disposed on the first planarization layer 435. The buffer layer is disposed to protect the components disposed on the first planarization layer 435 and may be a single layer of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) or a multiple layer of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide Layer, and may be omitted depending on the configuration and characteristics of the thin film transistor 420 and the light emitting element 440. [

제1 평탄화층(435)에 형성되는 컨택홀(Contact Hole)을 통해서 중간전극(430)이 박막 트랜지스터(420)와 연결된다. 중간전극(430)은 박막 트랜지스터(420)와 연결되도록 적층되어 데이터라인도 복층 구조로 형성될 수 있다. The intermediate electrode 430 is connected to the thin film transistor 420 through a contact hole formed in the first planarization layer 435. The intermediate electrode 430 may be laminated to be connected to the thin film transistor 420, and the data line may be formed in a multi-layer structure.

데이터라인은 소스전극(424) 및 드레인전극(426)과 동일한 물질로 이루어지는 하부층과 중간전극(430)과 동일한 물질로 이루어지는 상부층이 연결되는 구조로 형성될 수 있으므로, 두 개의 층이 서로 병렬 연결된 구조로 데이터라인이 구현될 수 있으므로, 데이터라인의 배선 저항이 감소될 수 있다.Since the data line can be formed by connecting the lower layer made of the same material as the source electrode 424 and the drain electrode 426 and the upper layer made of the same material as the intermediate electrode 430, The data line can be implemented, so that the wiring resistance of the data line can be reduced.

제1 평탄화층(435) 및 중간전극(430) 상에 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNx)과 같은 무기절연층으로 구성된 패시베이션층이 더 배치될 수도 있다. 패시베이션층은 구성요소들 사이의 불필요한 전기적 연결을 막고 외부로부터의 오염이나 손상 등을 막는 역할을 할 수 있으며, 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)의 구성 및 특성에 따라서 생략될 수도 있다.A passivation layer composed of an inorganic insulating layer such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) may be further disposed on the first planarizing layer 435 and the intermediate electrode 430. [ The passivation layer may prevent unnecessary electrical connection between the components and prevent contamination or damage from the outside, and may be omitted depending on the configuration and characteristics of the thin film transistor 420 and the light emitting device 440.

제2 평탄화층(437) 상에 배치되는 발광소자(440)는 애노드(442), 발광부(444) 및 캐소드(446)를 포함한다.The light emitting element 440 disposed on the second planarization layer 437 includes an anode 442, a light emitting portion 444, and a cathode 446.

애노드(442)는 제2 평탄화층(437) 상에 배치될 수 있다. 애노드(442)는 발광부(444)에 정공을 공급하는 역할을 하는 전극으로, 제2 평탄화층(437)에 있는 컨택홀을 통해 중간전극(430)과 연결되며, 박막 트랜지스터(420)와 전기적으로 연결된다. The anode 442 may be disposed on the second planarization layer 437. The anode 442 is an electrode serving to supply holes to the light emitting portion 444 and is connected to the intermediate electrode 430 through a contact hole in the second planarization layer 437. The anode 442 is electrically connected to the thin film transistor 420, Lt; / RTI >

애노드(442)는 투명 도전성 물질인 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide; ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zin Oxide; IZO) 등으로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The anode 442 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or the like, which is a transparent conductive material, but is not limited thereto.

전계발광 표시장치(400)가 캐소드(446)가 배치된 상부로 광을 발광하는 탑에미션(Top Emission)일 경우 발광된 광이 애노드(442)에서 반사되어 보다 원활하게 캐소드(446)가 배치된 상부 방향으로 방출될 수 있도록, 반사층을 더 포함할 수 있다. When the electroluminescent display device 400 is in the top emission mode in which the cathode 446 is disposed, the emitted light is reflected by the anode 442 so that the cathode 446 is arranged more smoothly So that it can be emitted in the upward direction.

애노드(442)는 투명 도전성 물질로 구성된 투명 도전층과 반사층이 차례로 적층된 2층 구조이거나, 투명 도전층, 반사층 및 투명 도전층이 차례로 적층된 3층 구조일 수 있으며, 반사층은 은(Ag) 또는 은을 포함하는 합금일 수 있다. The anode 442 may have a two-layer structure in which a transparent conductive layer composed of a transparent conductive material and a reflective layer are sequentially stacked or a three-layer structure in which a transparent conductive layer, a reflective layer, and a transparent conductive layer are sequentially stacked, Or an alloy including silver.

애노드(442) 및 제2 평탄화층(437) 상에 배치되는 뱅크(450)는 실제로 광을 발광하는 영역을 구획하여 화소를 정의할 수 있다. 애노드(442) 상에 포토레지스트(Photoresist)를 형성한 후에 사진식각공정(Photolithography)에 의해 뱅크(450)를 형성한다. 포토레지스트는 광의 작용에 의해 현상액에 대한 용해성이 변화되는 감광성 수지를 말하며, 포토레지스트를 노광 및 현상하여 특정 패턴이 얻어질 수 있다. 포토레지스트는 포지티브형 포토레지스트(Positive Photoresist)와 네거티브형 포토레지스트(Negative photoresist)로 분류될 수 있다. 포지티브형 포토레지스트는 노광으로 노광부의 현상액에 대한 용해성이 증가되는 포토레지스트를 말하며, 포지티브형 포토레지스트를 현상하면 노광부가 제거된 패턴이 얻어진다. 그리고, 네거티브형 포토레지스트는 노광으로 노광부의 현상액에 대한 용해성이 크게 저하되는 포토레지스트를 말하며, 네거티브형 포토레지스트를 현상하면 비노광부가 제거된 패턴이 얻어 진다. The bank 450 disposed on the anode 442 and the second planarization layer 437 can define a pixel by dividing a region that actually emits light. After the photoresist is formed on the anode 442, the bank 450 is formed by photolithography. A photoresist is a photosensitive resin whose solubility in a developer is changed by the action of light, and a specific pattern can be obtained by exposing and developing the photoresist. The photoresist can be classified into a positive photoresist and a negative photoresist. The positive type photoresist refers to a photoresist whose solubility in a developing solution of the exposed portion is increased by exposure. When the positive type photoresist is developed, a pattern in which the exposed portion is removed is obtained. The negative type photoresist is a photoresist which is greatly reduced in the solubility of the exposed portion in a developing solution upon exposure. When the negative type photoresist is developed, a pattern in which the non-exposed portion is removed is obtained.

발광소자(440)의 발광부(444)를 형성하기 위해서 증착마스크인 FMM(Fine Metal Mask)을 사용할 수 있다. 그리고, 뱅크(450) 상에 배치되는 증착마스크와 접촉하여 발생될 수 있는 손상을 방지하고, 뱅크(450)와 증착마스크 사이에 일정한 거리를 유지하기 위해서, 뱅크(450) 상부에 투명 유기물인 폴리이미드, 포토아크릴 및 벤조사이클로뷰텐(BCB) 중 하나로 구성되는 스페이서(Spacer; 452)를 배치할 수도 있다.A FMM (Fine Metal Mask) which is a deposition mask may be used to form the light emitting portion 444 of the light emitting element 440. In order to prevent damage that may occur in contact with the deposition masks disposed on the banks 450 and to maintain a certain distance between the banks 450 and the deposition masks, (Spacer) 452 made of one of a perovskite-mesoporous, a photoacid, a benzocyclobutene (BCB) may be disposed.

애노드(442)와 캐소드(446) 사이에는 발광부(444)가 배치된다. 발광부(444)는 광을 발광하는 역할을 하며, 정공주입층(Hole Injection Layer; HIL), 정공수송층(Hole Transport Layer; HTL), 발광층, 전자수송층(Electron Transport Layer; ETL), 전자주입층(Electron Injection Layer; EIL) 중 적어도 하나의 층을 포함할 수 있고, 전계발광 표시장치(400)의 구조나 특성에 따라 발광부(444)의 일부 구성요소는 생략될 수도 있다. 여기서 발광층은 전계발광층 및 무기발광층을 적용하는 것도 가능하다.A light emitting portion 444 is disposed between the anode 442 and the cathode 446. The light emitting portion 444 emits light and includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting layer, an electron transport layer (ETL) And an electron injection layer (EIL), and some components of the light emitting portion 444 may be omitted depending on the structure or characteristics of the electroluminescence display device 400. Here, the electroluminescent layer and the inorganic luminescent layer can be applied to the luminescent layer.

정공주입층은 애노드(442) 상에 배치하여 정공의 주입이 원활하게 하는 역할을 한다. 정공주입층은, HAT-CN(dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc(phthalocyanine), 및 NPD(N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다. The hole injection layer is disposed on the anode 442, and serves to smoothly inject holes. The hole-injecting layer may be formed of HAT-CN (dipyrazino [2,3-f: 2 ', 3'-h] quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc (phthalocyanine) N'-bis (N'-bis (naphthalene-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -2,2'-dimethylbenzidine).

정공수송층은 정공주입층 상에 배치하여 발광층으로 원활하게 정공을 전달하는 역할을 한다. 정공수송층은, NPD(N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine), TPD(N,N'-bis-(3-methylphenyl)-N,N'-bis-(phenyl)-benzidine), s-TAD(2,2',7,7'-tetrakis(N,N-dimethylamino)-9,9-spirofluorene), 및 MTDATA(4,4',4"-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.The hole transport layer is disposed on the hole injection layer and serves to smoothly transfer holes to the light emitting layer. The hole-transporting layer may be formed of at least one selected from the group consisting of NPD (N, N'-bis (naphthalene-1-yl) -N, N'- methylphenyl) -N, N'-bis- (phenyl) -benzidine), s-TAD (2,2 ', 7,7'-tetrakis (N, N- dimethylamino) -9,9- spirofluorene), and MTDATA 4,4 ', 4 "-Tris (N-3-methylphenyl-N-phenylamino) -triphenylamine.

발광층은 정공수송층 상에 배치되며 특정 색의 광을 발광할 수 있는 물질을 포함하여 특정 색의 광을 발광할 수 있다. 그리고, 발광물질은 인광물질 또는 형광물질을 이용하여 형성할 수 있다. The light emitting layer is disposed on the hole transporting layer and can emit light of a specific color including a substance capable of emitting light of a specific color. The light emitting material may be formed using a phosphor or a fluorescent material.

발광층이 적색(Red)을 발광하는 경우, 발광하는 피크파장은 600㎚ 내지 650㎚ 범위가 될 수 있으며, CBP(4,4'-bis(carbazol-9-yl)biphenyl) 또는 mCP(1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene)를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, PIQIr(acac)(bis(1-phenylisoquinoline)(acetylacetonate) iridium), PQIr(acac)(bis(1-phenylquinoline)(acetylacetonate) iridium), PQIr(tris(1-phenylquinoline) iridium) 및 PtOEP(octaethylporphyrin platinum) 중에서 하나 이상을 포함하는 도펀트를 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또는, PBD:Eu(DBM)3(Phen) 또는 Perylene을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting layer emits red light, the peak wavelength of emitted light may be in the range of 600 nm to 650 nm, and CBP (4,4'-bis (carbazol-9-yl) biphenyl) or mCP bis (1-phenylisoquinoline) acetylacetonate iridium), PQIr (acac) (bis (1-phenylquinoline) (acetylacetonate) ) iridium, PQIr (tris (1-phenylquinoline) iridium), and PtOEP (octaethylporphyrin platinum). Or a fluorescent material containing PBD: Eu (DBM) 3 (Phen) or Perylene.

여기서, 피크파장(λmax)은 EL(ElectroLuminescence)의 최대 파장을 말한다. 발광부를 구성하는 발광층들이 고유의 광을 내는 파장을 PL(PhotoLuminescence)이라 하며, 발광층들을 구성하는 층들의 두께나 광학적 특성의 영향을 받아 나오는 광을 에미턴스(Emittance)라 한다. 이때, EL(ElectroLuminescence)은 전계발광 표시장치가 최종적으로 방출하는 광을 말하며, PL(PhotoLuminescence) 및 에미턴스(Emittance)의 곱으로 표현될 수 있다.Here, the peak wavelength? Max refers to the maximum wavelength of EL (Electroluminescence). The wavelength at which the light emitting layers forming the light emitting portion emit light intrinsically is referred to as PL (Photo Luminescence), and the light that is influenced by the thickness and optical characteristics of the layers constituting the light emitting layers is referred to as emittance. At this time, EL (Electroluminescence) refers to light finally emitted by the electroluminescence display device, and can be expressed by a product of PL (Photo Luminescence) and Emittance.

발광층이 녹색(Green)을 발광하는 경우, 발광하는 피크 파장은 520nm 내지 540nm 범위가 될 수 있으며, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, Ir(ppy)3(tris(2-phenylpyridine)iridium)을 포함하는 Ir complex와 같은 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, Alq3(tris(8-hydroxyquinolino)aluminum)을 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting layer emits green light, the peak emission wavelength may range from 520 nm to 540 nm, including a host material including CBP or mCP, and Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridine) iridium Lt; RTI ID = 0.0 > Ir complex < / RTI > Further, it may be made of a fluorescent material containing Alq3 (tris (8-hydroxyquinolino) aluminum).

발광층이 청색(Blue)을 발광하는 경우, 발광하는 피크 파장은 440㎚ 내지 480㎚ 범위가 될 수 있으며, CBP 또는 mCP를 포함하는 호스트 물질을 포함하며, FIrPic(bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium)를 포함하는 도펀트 물질을 포함하는 인광 물질로 이루어질 수 있다. 또한, spiro-DPVBi(4,4'-Bis(2,2-diphenyl-ethen-1-yl)biphenyl), DSA(1-4-di-[4-(N,N-di-phenyl)amino]styryl-benzene), PFO(polyfluorene)계 고분자 및 PPV(polyphenylenevinylene)계 고분자중 어느 하나를 포함하는 형광 물질로 이루어질 수 있다.When the light emitting layer emits blue light, the peak emission wavelength may range from 440 nm to 480 nm, including a host material including CBP or mCP, and FIrPic (bis (3,5-difluoro-2 - (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium), and a phosphorescent material containing a dopant material such as spiro-DPVBi (4,4'-Bis -1-yl) biphenyl, DSA (1-4-di- [4- (N, N-di-phenyl) amino] styryl-benzene, PFO, polyphenylenevinylene Or a fluorescent material containing one of them.

발광층 상에 전자수송층을 배치하여 발광층으로 전자의 이동을 원활하게 한다. 전자수송층은, Liq(8-hydroxyquinolinolato-lithium), PBD(2-(4-biphenyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole), TAZ(3-(4-biphenyl)4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), spiro-PBD, BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) 및 BAlq(bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminum) 중에서 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다.An electron transporting layer is disposed on the light emitting layer to smooth the movement of electrons to the light emitting layer. The electron transport layer is composed of Liq (8-hydroxyquinolinolato-lithium), PBD (2- (4-biphenyl) -5- (4- tert- butylphenyl) ), 4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole), spiro-PBD, 2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline and BAlq -methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum).

전자수송층 상에 전자주입층이 더 배치될 수 있다. 전자주입층은 캐소드(446)로부터 전자의 주입을 원활하게 하는 유기층으로, 전계발광 표시장치(400)의 구조와 특성에 따라서 생략될 수 있다. 전자주입층은 BaF2, LiF, NaCl, CsF, Li2O 및 BaO와 같은 금속 무기 화합물일 수 있고, HAT-CN(dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc(phthalocyanine), 및 NPD(N,N'-bis(naphthalene-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-2,2'-dimethylbenzidine) 중에서 어느 하나 이상의 유기 화합물일 수 있다. An electron injection layer may further be disposed on the electron transporting layer. The electron injection layer is an organic layer that facilitates the injection of electrons from the cathode 446, and may be omitted depending on the structure and characteristics of the electroluminescence display device 400. The electron injection layer may be a metallic inorganic compound such as BaF2, LiF, NaCl, CsF, Li2O and BaO, and may be a dipyrazino [2,3-f: 2 ', 3'-h] quinoxaline- 6,7,10.11-hexacarbonitrile), CuPc (phthalocyanine), and NPD (N, N'-bis (naphthalene-1-yl) -N, N'-bis May be one or more organic compounds.

발광층과 인접한 위치에 정공 또는 전자의 흐름을 저지하는 전자저지층(Electron Blocking Layer) 또는 정공저지층(Hole Blocking Layer)을 더 배치하여 전자가 발광층에 주입될때 발광층에서 이동하여 인접한 정공수송층으로 통과하거나 정공이 발광층에 주입될 때 발광층에서 이동하여 인접한 전자수송층으로 통과하는 현상을 방지하여 발광효율을 향상시킬 수 있다.An electron blocking layer or a hole blocking layer blocking the flow of holes or electrons is disposed at a position adjacent to the light emitting layer so that when electrons are injected into the light emitting layer, they move from the light emitting layer to pass through the adjacent hole transporting layer It is possible to prevent the phenomenon that the holes migrate from the light emitting layer to the adjacent electron transporting layer when the holes are injected into the light emitting layer, thereby improving the light emitting efficiency.

캐소드(446)는 발광부(444) 상에 배치되어, 발광부(444)로 전자를 공급하는 역할을 한다. 캐소드(446)는 전자를 공급하여야 하므로 일함수가 낮은 도전성 물질인 마그네슘(Mg), 은-마그네슘(Ag:Mg) 등과 같은 금속 물질로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The cathode 446 is disposed on the light emitting portion 444 and serves to supply electrons to the light emitting portion 444. [ The cathode 446 may be formed of a metal material such as magnesium (Mg), silver-magnesium (Ag: Mg) or the like, which is a conductive material having a low work function, and is not limited thereto.

전계발광 표시장치(400)가 탑에미션 방식인 경우, 캐소드(446)는 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide; ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide; ZnO) 및 주석 산화물(Tin Oxide; TiO) 계열의 투명 도전성 산화물일 수 있다.When the electroluminescent display device 400 is a top-mounted type, the cathode 446 may be formed of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO) Zinc oxide (ZnO), and tin oxide (TiO 2).

발광소자(440) 상에는 전계발광 표시장치(400)의 구성요소인 박막 트랜지스터(420) 및 발광소자(440)가 외부에서 유입되는 수분, 산소 또는 불순물들로 인해서 산화 또는 손상되는 것을 방지하기 위한 봉지부(460)를 배치할 수 있으며, 복수의 봉지층, 이물보상층 및 복수의 배리어필름(Barrier Film)이 적층되어 형성할 수 있다. The thin film transistor 420 and the light emitting element 440 which are components of the electroluminescence display device 400 are sealed on the light emitting element 440 with a bag for preventing oxidation or damage due to moisture, A plurality of seal layers, a foreign substance compensation layer, and a plurality of barrier films may be stacked.

봉지층은 박막 트렌지스터(420) 및 발광소자(440)의 상부 전면에 배치되며, 무기물인 질화실리콘(SiNx) 또는 산화알루미늄(AlyOz) 중 하나로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. 봉지층 상에 배치되는 이물보상층 상에는 봉지층이 더 배치될 수 있다. The sealing layer is disposed on the upper surface of the thin film transistor 420 and the light emitting device 440 and may be composed of one of silicon nitride (SiNx) or aluminum oxide (AlOz), which is an inorganic material. An encapsulation layer may be further disposed on the foreign material compensation layer disposed on the encapsulation layer.

이물보상층은 봉지층 상에 배치되며, 유기물인 실리콘옥시카본(SiOCz), 아크릴(Acryl) 또는 에폭시(Epoxy) 계열의 레진(Resin)을 사용할 수 있으며, 이에 제한되지 않으며, 공정 중에 발생될 수 있는 이물이나 파티클(Particle)에 의해서 발생된 크랙(Crack)에 의해 불량이 발생할 때 이물보상층에 의해서 굴곡 및 이물이 덮히면서 보상할 수 있다. The foreign material compensation layer is disposed on the sealing layer and may be an organic material such as silicon oxy carbon (SiOCz), acrylic or epoxy resin, but not limited thereto, When a defect occurs due to a foreign substance or a crack generated by a particle, the foreign substance compensating layer can compensate the foreign substance by covering the foreign object.

봉지층 및 이물보상층 상에 배리어필름을 배치하여 전계발광 표시장치(400)가 외부에서의 산소 및 수분의 침투를 지연시킬 수 있다. 배리어필름은 투광성 및 양면 접착성을 띠는 필름 형태로 구성되며, 올레핀(Olefin) 계열, 아크릴(Acrylic) 계열 및 실리콘(Silicon) 계열 중 어느 하나의 절연재료로 구성될 수 있고, 또는 COP(Cyclolefin Polymer), COC(Cycloolefin Copolymer) 및 PC(Polycarbonate) 중 어느 하나의 재료로 구성된 배리어필름을 더 적층할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.A barrier film may be disposed on the sealing layer and the foreign material compensation layer so that the electroluminescent display device 400 can delay the penetration of oxygen and moisture from the outside. The barrier film is formed of a film having a light-transmitting property and a double-sided adhesive property, and may be composed of an insulating material selected from the group consisting of an olefin series, an acrylic series, and a silicone series, or a COP A barrier film composed of a material selected from the group consisting of a polymer, a COC (Cycloolefin Copolymer), and a PC (Polycarbonate) may be further laminated, but the present invention is not limited thereto.

도 4b는 도 3에서 설명한 벤딩영역(B/A)의 상세구조 단면(II-II')이다. FIG. 4B is a cross-sectional view (II-II ') of the detailed structure of the bending region B / A described in FIG.

도 4b의 일부 구성요소는 도 4a에서 설명된 구성요소와 실질적으로 동일/유사하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 4B is substantially the same as or similar to the components described in FIG. 4A, and a detailed description thereof will be omitted.

도 1 내지 도 3에서 설명한 게이트신호 및 데이터신호는 외부에서부터 전계발광 표시장치(400)의 비표시영역(N/A)에 배치되는 회로배선을 거쳐서 표시영역(A/A)에 배치되어 있는 화소로 전달되어 발광되도록 한다. The gate signal and the data signal described with reference to FIGS. 1 to 3 are connected to a pixel (not shown) disposed in the display area A / A via a circuit wiring arranged in the non-display area N / A of the electroluminescence display device 400 from the outside. So as to emit light.

전계발광 표시장치(400)의 벤딩영역(B/A)을 포함한 비표시영역(N/A)에 배치되는 배선이 단층 구조로 형성되는 경우, 배선을 배치하기 위한 많은 공간이 요구된다. 도전성 물질을 증착한 후, 형성하고자 하는 배선의 형상으로 도전성 물질을 에칭 등의 공정으로 패터닝하는데, 에칭 공정의 세밀도에는 한계가 있으므로 배선 사이의 간격을 좁히기 위한 한계로 인하여 많은 공간이 요구되므로, 비표시영역(N/A)의 면적이 커지게 되어 네로우 베젤 구현에 어려움이 발생할 수 있다. When wiring arranged in the non-display area N / A including the bending area B / A of the electroluminescence display 400 is formed as a single layer structure, a lot of space is required for disposing the wiring. Since a conductive material is deposited and a conductive material is patterned by a process such as etching in the form of a wiring to be formed, since the fineness of the etching process is limited, a large space is required due to the limit for narrowing the interval between the wirings, The area of the non-display area N / A becomes large, which may cause difficulties in implementation of the narrow bezel.

이와 함께, 하나의 신호를 전달하기 위해 하나의 배선을 사용하는 경우, 해당 배선이 크랙이 발생되는 경우 해당 신호가 전달되지 못할 수 있다. 기판(410)을 벤딩하는 과정에서 배선 자체에 크랙이 발생하거나, 다른 층에 크랙이 발생되어 크랙이 배선으로 전파될 수도 있다. 이와 같이, 배선에 크랙이 발생되는 경우에는 전달하려는 신호가 전달되지 않을 수도 있다.In addition, when one wiring is used to transmit one signal, the corresponding signal may not be transmitted when the wiring is cracked. A crack may be generated in the wiring itself in the process of bending the substrate 410, or a crack may be generated in the other layer, and the crack may be propagated to the wiring. In this way, when a crack is generated in the wiring, the signal to be transmitted may not be transmitted.

이에 따라, 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치(400)의 벤딩영역(B/A)에 배치되는 배선은 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)의 이중배선 형태로 배치된다.Accordingly, the wirings disposed in the bending area B / A of the electroluminescent display device 400 according to the embodiment of the present invention are arranged in the form of a double wiring of the first wirings 462 and the second wirings 464 .

제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 도전성물질로 형성하며, 플렉시블 기판(410)의 벤딩 시에 크랙이 발생하는 것을 줄이기 위해 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있다. 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등과 같이 연성이 우수한 도전성 물질로 형성될 수 있고, 표시영역(A/A)에서 사용되는 다양한 도전성물질 중 하나로 형성될 수 있으며, 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 구리(Cu), 및 은(Ag) 과 마그네슘(Mg)의 합금 등으로도 구성될 수도 있다. 그리고, 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 다양한 도전성물질을 포함하는 다층구조로 구성될 수도 있는며, 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)/티타늄(Ti) 3층구조로 구성될 수 있으며, 이에 제한되지는 않는다.The first wiring 462 and the second wiring 464 are formed of a conductive material and may be formed of a conductive material having excellent ductility to reduce the occurrence of cracks when the flexible substrate 410 is bent. The first wiring 462 and the second wiring 464 may be formed of a conductive material having excellent ductility such as gold (Au), silver (Ag), aluminum (Al) (Ni), neodymium (Nd), copper (Cu), and silver (Ag), and magnesium (Mg), and may be formed of one of various conductive materials such as molybdenum (Mo), chromium (Cr), titanium ) Alloy or the like. The first wiring 462 and the second wiring 464 may be formed of a multilayer structure including various conductive materials and may have a three-layer structure of titanium (Ti) / aluminum (Al) / titanium (Ti) But is not limited thereto.

제1 배선(462) 및 제2 배선(464)을 보호하기 위해서 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)의 하부에는 무기절연층으로 이루어지는 버퍼층이 배치될 수도 있고, 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)의 상부 및 측부를 둘러싸도록 무기절연층으로 이루어지는 패시베이션층이 형성되어 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)이 수분 등과 반응하여 부식되는 등의 현상이 방지될 수도 있다.A buffer layer made of an inorganic insulating layer may be disposed below the first wirings 462 and the second wirings 464 to protect the first wirings 462 and the second wirings 464, The first wiring 462 and the second wiring 464 are prevented from being corroded by reacting with moisture or the like by forming a passivation layer made of an inorganic insulating layer so as to surround the upper and the side of the second wiring 464 and the second wiring 464 .

벤딩영역(B/A)에 형성되는 제1 배선(462) 및 제2 배선(464)은 벤딩되는 경우 인장력을 받게 된다. 도 3에서 설명한 바와 같이, 기판(410) 상에서 벤딩방향과 동일한 방향으로 연장하는 배선이 가장 큰 인장력을 받게 되고, 크랙이 발생할 수 있으며, 크랙이 심하면 단선이 발생할 수 있다. 따라서, 벤딩방향으로 연장하도록 배선을 형성하는 것이 아니라, 벤딩영역(B/A)을 포함하여 배치되는 배선 중 적어도 일부분은 벤딩 방향과 상이한 방향인 사선 방향으로 연장하도록 형성함으로써, 인장력을 최소화하여 크랙 발생을 줄일 수 있다. 배선의 형상을 마름모 형상, 삼각파 형상, 정현파 형상, 사다리꼴 형상 등으로 구성할 수 있으며, 이에 제한되지 않는다. The first wiring 462 and the second wiring 464 formed in the bending area B / A are subjected to a tensile force when bent. As described with reference to FIG. 3, wirings extending in the same direction as the bending direction on the substrate 410 are subjected to the greatest tensile force, cracks may occur, and breakage may occur if the cracks are severe. Therefore, instead of forming the wiring to extend in the bending direction, at least a part of the wiring disposed including the bending region B / A is formed to extend in the diagonal direction different from the bending direction, thereby minimizing the tensile force, The occurrence can be reduced. The shape of the wiring can be configured as a rhombic shape, a triangular wave shape, a sinusoidal shape, a trapezoidal shape, and the like, but is not limited thereto.

기판(410) 상에 제1 배선(462)이 배치되고 제1 배선(462) 상에 제1 평탄화층(435)이 배치된다. 제1 평탄화층(435) 상에는 제2 배선(464)이 배치되고, 제2 배선(464) 상에 제2 평탄화층(437)이 배치된다. The first wiring 462 is disposed on the substrate 410 and the first planarization layer 435 is disposed on the first wiring 462. [ A second wiring 464 is disposed on the first planarization layer 435 and a second planarization layer 437 is disposed on the second wiring 464. [

제1 평탄화층(435) 및 제2 평탄화층(437)은 아크릴계 수지(Acrylic Resin), 에폭시 수지(Epoxy Resin), 페놀 수지(Phenolic Resin), 폴리아미드계 수지(Polyamides Resin), 폴리이미드계 수지(Polyimides Resin), 불포화 폴리에스테르계 수지(Unsaturated Polyesters Resin), 폴리페닐렌계 수지(Polyphenylene Resin), 폴리페닐렌설파이드계 수지(Polyphenylenesulfides Resin), 및 벤조사이클로부텐(Benzocyclobutene) 중 하나 이상의 물질로 형성될 수 있으며, 이에 제한되지 않는다.The first planarizing layer 435 and the second planarizing layer 437 may be formed of a resin such as acrylic resin, epoxy resin, phenolic resin, polyamide resin, And may be formed of one or more of polyimides resin, unsaturated polyester resin, polyphenylene resin, polyphenylenesulfide resin, and benzocyclobutene. But is not limited thereto.

제2 평탄화층(437) 상에는 마이크로 코팅층(Micro Coating Layer; 466)이 배치된다. 마이크로 코팅층(466)은 벤딩 시에 기판(410) 상에 배치되는 배선부에 인장력이 작용하여 크랙이 발생될 수 있기 때문에, 벤딩되는 위치에 얇은 두께로 레진(Resin)을 코팅하여 배선을 보호하는 역할을 한다.A micro-coating layer 466 is disposed on the second planarization layer 437. Since the micro-coating layer 466 may be cracked due to a tensile force acting on the wiring portion disposed on the substrate 410 at the time of bending, a thin resin may be coated on the bending portion to protect the wiring. It plays a role.

도 5는 본 명세서의 실시예에 따른 전계발광 표시장치 터치스크린 패널의 평면도이다.5 is a plan view of an electroluminescence display touch screen panel according to an embodiment of the present invention.

터치스크린 패널(520)은 도 3에서 설명한 플렉시블 기판(310) 상의 표시영역(A/A)과 터치전극(525)이 배치되는 터치영역(Touch Area; T/A)을 서로 대응하도록 배치된다.The touch screen panel 520 is disposed to correspond to the display area A / A on the flexible substrate 310 described in FIG. 3 and the touch area T / A where the touch electrode 525 is disposed.

터치전극(525)은 터치스크린 패널(520)의 터치영역(T/A)에 배치된다. 터치전극(525)은 복수의 터치구동전극(Tx) 및 복수의 터치감지전극(Rx)이 교차되도록 구성될 수 있다. The touch electrode 525 is disposed in the touch area T / A of the touch screen panel 520. The touch electrode 525 may be configured to cross a plurality of touch driving electrodes Tx and a plurality of touch sensing electrodes Rx.

복수의 터치구동전극(Tx) 및 복수의 터치감지 전극(Rx)이 교차되도록 구성된 터치전극(525)으로 구성되는 상호-정전용량방식(mutual-capacitance type)이 적용될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 자기-정전용량 방식(self-capacitance type)이 적용될 수도 있다. 자기-정전용량 방식은 복수의 터치 감지 전극(Rx)들로만 배치된다. 그리고, 터치스크린 패널(520)은 저항막방식(resistive type) 또는 전자기방식(electromagnetic type) 등 다양한 방식으로 구현될 수도 있다.A mutual-capacitance type comprising a plurality of touch driving electrodes Tx and a touch electrode 525 configured to cross a plurality of touch sensing electrodes Rx may be applied. However, the present invention is not limited thereto, , A self-capacitance type may be applied. The self-capacitance method is disposed only on the plurality of touch sensing electrodes (Rx). In addition, the touch screen panel 520 may be implemented in various ways such as a resistive type or an electromagnetic type.

터치패드(530)는 터치스크린 패널(520)의 터치영역(T/A)을 두르는 외곽부의 일 측에 배치되며, 플렉시블 기판(520) 비표시영역(N/A) 상에 대응하여 배치된다. The touch pad 530 is disposed on one side of the outer frame portion covering the touch area T / A of the touch screen panel 520 and is disposed corresponding to the non-display area N / A of the flexible substrate 520.

터치연결배선(535)은 터치전극(525)과 터치패드(530)를 전기적으로 연결시키는 역할을 한다. 이때, 터치패드(530)는 플렉시블 기판(310)의 컷팅영역(C/A)에 터치회로기판(540)이 용이하게 삽입하여 벤딩되도록 컷팅영역(C/A)과 대응되는 위치에 배치한다. The touch connection wiring 535 electrically connects the touch electrode 525 and the touch pad 530. At this time, the touch pad 530 is disposed at a position corresponding to the cutting area C / A so that the touch circuit board 540 can be easily inserted into the cutting area C / A of the flexible substrate 310 and bent.

터치스크린 패널(520)의 끝단에는 터치패드(530)와 연결되며, 절연필름으로 구성된 터치회로기판(540)이 배치된다. 터치회로기판(540) 상에는 터치영역(T/A) 상에 배치되는 터치전극(525)과 서로 신호를 전달하기 위한 다양한 배선과 터치입력을 센싱하기 위한 터치센싱회로를 포함할 수 있으며, 연성인쇄회로 기판(Flexible Printed Circuit Board)으로 구성할 수 있다.At the end of the touch screen panel 520, a touch circuit board 540 formed of an insulating film is connected to the touch pad 530. The touch circuit board 540 may include a touch electrode 525 disposed on the touch area T / A and a touch sensing circuit for sensing various types of wires and touch inputs to transmit signals to each other. And a flexible printed circuit board (PCB).

터치회로기판(540)은 도 3에서 설명한 플렉시블 기판(310)의 컷팅영역(C/A)에 삽입되어 벤딩되면서 벤딩영역(B/A)에서 플렉시블 기판(310)이 벤딩되어 형성되는 비표시영역(N/A)의 폭과 동일하거나 더 좁은 폭을 가진다. The touch circuit board 540 is inserted into the cutting area C / A of the flexible substrate 310 described in FIG. 3 and bent while being bent in the bending area B / A to form the non- (N / A).

터치회로기판(540)이 벤딩될 때 플렉시블 기판(310) 상에서 벤딩되는 경우 불필요하게 비표시영역(N/A)의 폭이 늘어나게 되어 플렉시블 전계발광 표시장치의 베젤영역을 최소화 하는데 어려움이 있다. 이에 따라 본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 터치회로기판(540)이 플렉시블 기판(310) 상에 배치되는 컷팅영역(C/A)에 삽입되어 벤딩되면서 형성되는 비표시영역(N/A)의 폭을 최소화 하여 플렉시블 전계발광 표시장치의 베젤 영역을 최소화할 수 있는 효과가 있다. 상세히 설명하면, 터치회로기판(540)이 컷팅영역(C/A)에 삽입되어 벤딩영역(B/A)의 마이크로 코팅층을 포함한 플렉시블 기판(510)이 터치회로기판(540)보다 실질적으로 외곽방향으로 더 돌출되며, 이에 따라, 터치회로기판(540)으로 인해서 발생되는 불필요한 비표시영역(N/A)의 폭을 줄일수 있는 효과가 있다. The width of the non-display area N / A is unnecessarily increased when the touch circuit board 540 is bent on the flexible substrate 310, thereby making it difficult to minimize the bezel area of the flexible electro-luminescence display device. Accordingly, the flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention includes a non-display area N formed by being bent while being inserted into a cutting area C / A in which the touch circuit board 540 is disposed on the flexible substrate 310 / A is minimized, the bezel area of the flexible electroluminescence display device can be minimized. The touch substrate 540 is inserted into the cutting area C / A so that the flexible substrate 510 including the micro coating layer in the bending area B / A is substantially out of the touch direction So that the width of the unnecessary non-display area N / A generated by the touch circuit substrate 540 can be reduced.

터치스크린 패널(520)이 플렉시블 기판(310) 상에 배치되는 상세 구조에 대해서는 도 6a 및 도 6b에서 설명한다.The detailed structure in which the touch screen panel 520 is disposed on the flexible substrate 310 will be described with reference to FIGS. 6A and 6B.

도 6a 및 도 6b는 본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치스크린 및 플렉시블 기판의 평면도 및 사시도이다. 6A and 6B are a plan view and a perspective view of a touch screen and a flexible substrate of a flexible electroluminescence display device according to an embodiment of the present invention.

도 6a 본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치스크린 및 플렉시블 기판의 평면도이다. 도 6a의 일부 구성요소는 도 1 내지 도 5에서 설명된 구성요소와 실질적으로 동일/유사하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 6A is a plan view of a touch screen and a flexible substrate of a flexible electroluminescence display device according to an embodiment of the present invention. 6A is substantially the same as or similar to the elements described in Figs. 1 to 5, and a detailed description thereof will be omitted.

도 6을 참조하면, 플렉시블 전계발광 표시장치(600)는 플렉시블 기판(610) 상에 박막 트랜지스터 및 발광소자를 통해서 실제로 광을 발광하는 화소가 배치되는 표시영역(A/A) 및 표시영역(A/A)의 가장자리의 외곽을 둘러싸는 베젤영역인 비표시영역(N/A)을 포함한다.6, a flexible electro-luminescence display 600 includes a flexible substrate 610, a display area A / A and a display area A on which a pixel that actually emits light is disposed through a thin film transistor and a light- / Non-display area N / A which is a bezel area surrounding the periphery of the edge of the display area / A.

비표시영역(N/A)의 기판(610)의 일 측에는 금속 패턴인 패드(695)가 배치되어 외부 모듈이 본딩(Bonding) 될 수 있다.A pad 695, which is a metal pattern, may be disposed on one side of the substrate 610 in the non-display area N / A to bond the external module.

플렉시블 기판(610)의 비표시영역(N/A)의 일부를 화살표와 같은 벤딩방향으로 구부려서 벤딩영역(B/A)을 형성할 수 있다. 플렉시블 기판(610)의 비표시영역(N/A)은 화면을 구동시키기 위한 배선 및 구동회로가 배치되며, 화상이 표시되는 영역이 아니므로, 플렉시블 기판(610)의 상면에서 시인될 필요가 없다. 따라서, 플렉시블 기판(610)의 비표시영역(N/A)의 일부영역을 벤딩하여 배선 및 구동회로를 위한 면적을 확보하면서도 베젤영역을 축소시킬 수 있다.The bending area B / A can be formed by bending a part of the non-display area N / A of the flexible substrate 610 in the bending direction as indicated by the arrow. The non-display area N / A of the flexible substrate 610 is not required to be visually recognized on the upper surface of the flexible substrate 610 because the wiring and the drive circuit for driving the screen are disposed and not the area where the image is displayed . Therefore, the bezel area can be reduced while bending a part of the non-display area N / A of the flexible substrate 610 to secure the area for the wiring and the driving circuit.

플렉시블 기판(610) 상에는 다양한 배선들이 형성된다. 배선은 기판(610)의 표시 영역(A/A)에 형성될 수도 있고, 또는 비표시영역(N/A)에 형성되는 회로배선(670)은 구동회로 또는 게이트드라이버, 데이터드라이버 등을 연결하여 신호를 전달할 수 있다. Various wirings are formed on the flexible substrate 610. The wiring may be formed in the display area A / A of the substrate 610 or the circuit wiring 670 formed in the non-display area N / A may be formed by connecting a driving circuit, a gate driver, Signal.

컷팅영역(C/A)은 플렉시블 기판(610)의 비표시영역(N/A)에 터치회로기판(640)의 폭보다 큰 폭을 가지는 영역을 절개하여, 절연필름으로 구성되는 터치회로기판이 삽입되어 벤딩될수 있도록 하는 영역이다. The cutting area C / A is formed by cutting a region having a width larger than the width of the touch circuit board 640 in the non-display area N / A of the flexible substrate 610, To be inserted and bent.

터치스크린 패널(620)은 플렉시블 기판(610) 상의 표시영역(A/A)과 터치전극(625)이 배치되는 터치영역(T/A)을 서로 대응하도록 배치된다.The touch screen panel 620 is arranged to correspond to the display area A / A on the flexible substrate 610 and the touch area T / A where the touch electrode 625 is disposed.

터치전극(625)은 터치스크린 패널(620)의 터치영역(T/A)에 배치된다. 터치전극(625)은 복수의 터치구동전극(Tx) 및 복수의 터치감지전극(Rx)이 교차되도록 구성될 수 있다. The touch electrode 625 is disposed in the touch area T / A of the touch screen panel 620. The touch electrode 625 may be configured to cross a plurality of touch driving electrodes Tx and a plurality of touch sensing electrodes Rx.

터치패드(630)는 터치스크린 패널(620)의 터치영역(T/A)을 두르는 외곽부의 일 측에 배치되며, 플렉시블 기판(620) 상의 비표시영역(N/A) 상에 대응하여 배치된다. 터치연결배선(635)은 터치전극(625)과 터치패드(630)를 전기적으로 연결시키는 역할을 한다. The touch pad 630 is disposed on one side of the outer frame portion covering the touch area T / A of the touch screen panel 620 and is disposed corresponding to the non-display area N / A on the flexible substrate 620 . The touch connection wiring 635 serves to electrically connect the touch electrode 625 and the touch pad 630.

터치스크린 패널(620)의 끝단에는 터치패드(630)와 연결되며, 절연필름으로 구성된 터치회로기판(640)이 배치된다. 터치회로기판(640) 상에는 터치영역(T/A)에 배치된 터치전극(625)과 서로 신호를 전달하기 위한 다양한 배선과 터치입력을 센싱하기 위한 터치센싱회로를 포함할 수 있다.A touch circuit board 640 is connected to the touch pad 630 at an end of the touch screen panel 620. On the touch circuit board 640, a touch electrode 625 disposed in the touch area T / A may include various wires for transmitting signals to each other and a touch sensing circuit for sensing a touch input.

터치회로기판(640)은 플렉시블 기판(610)의 컷팅영역(C/A)에 삽입되어 벤딩되면서 벤딩영역(B/A)에서 플렉시블 기판(610)이 벤딩되어 형성되는 비표시영역(N/A) 폭과 동일하거나 더 좁은 폭을 가지고 벤딩되도록 하여 터치회로기판(640)이 벤딩될 때 플렉시블 기판(610) 상에서 벤딩되는 경우보다 플렉시블 전계발광 표시장치(600)의 베젤영역을 최소화할 수 있는 효과가 있다. The touch circuit board 640 is inserted into the cutting area C / A of the flexible substrate 610 and bent while bending the flexible substrate 610 in the bending area B / ) Width so that the bezel region of the flexible electro-luminescence display device 600 can be minimized when the touch circuit board 640 is bent on the flexible substrate 610 than when it is bent on the flexible substrate 610 .

도 6b는 본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치스크린 및 플렉시블 기판의 사시도이다. 6B is a perspective view of a touch screen and a flexible substrate of a flexible electroluminescence display device according to an embodiment of the present invention.

도 6b의 일부 구성요소는 도 6a에서 설명된 구성요소와 실질적으로 동일/유사하며 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 6B are substantially the same as or similar to those described in FIG. 6A, and a detailed description thereof will be omitted.

도 6b를 참조하면, 도 6a에서 설명한 것처럼 터치스크린 패널(620)은 플렉시블 기판(610) 상의 표시영역(A/A)과 터치전극(625)이 배치되는 터치영역(T/A)을 서로 대응하도록 배치된다. 터치전극(625)은 터치스크린 패널(620)의 터치영역(T/A)에 배치된다. 6A, the touch screen panel 620 corresponds to the display area A / A on the flexible substrate 610 and the touch area T / A on which the touch electrode 625 is disposed . The touch electrode 625 is disposed in the touch area T / A of the touch screen panel 620.

터치스크린 패널(620) 상에 배치되는 편광판(630)은 표시영역(A/A) 상에서 외부 광의 반사를 억제한다. 플렉시블 전계발광 표시장치(600)가 외부에서 사용되는 경우, 외부 자연 광이 유입되어 전계발광소자의 애노드에 포함된 반사판에 의해 반사되거나, 전계발광소자 하부에 배치된 금속으로 구성된 전극에 의해 반사될 수 있다. 이와 같이 반사된 광들에 의해 영상이 잘 시인되지 않을 수 있다. 편광판(630)은 외부에서 유입된 광을 특정 방향으로 편광하며, 반사된 광이 다시 표시장치(600)의 외부로 방출되지 못하게 한다. 편광판(630)은 표시영역(A/A) 상에 배치될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. The polarizing plate 630 disposed on the touch screen panel 620 suppresses reflection of external light on the display area A / A. When the flexible electroluminescence display device 600 is used from the outside, the external natural light is introduced and reflected by the reflection plate included in the anode of the electroluminescent element, or reflected by the electrode composed of the metal disposed under the electroluminescent element . The reflected light may prevent the image from being visually recognized. The polarizing plate 630 polarizes the light incident from the outside in a specific direction and prevents the reflected light from being emitted to the outside of the display device 600 again. The polarizing plate 630 may be disposed on the display area A / A, but is not limited thereto.

편광판(630)은 편광자 및 이를 보호하는 보호필름으로 구성된 편광판일 수도 있고, 플렉서블리티를 위하여 편광물질을 코팅하는 방식으로 형성할 수도 있다. The polarizing plate 630 may be a polarizing plate composed of a polarizer and a protective film for protecting the polarizing plate 630, or may be formed by coating a polarizing material for flexibility.

편광판(630) 상에 접착층을 배치하여 표시장치(600)의 외관을 보호하는 커버 글라스(Cover Glass; CG)를 접착하여 배치할 수도 있다. An adhesive layer may be disposed on the polarizing plate 630 and a cover glass (CG) for protecting the appearance of the display device 600 may be adhered and disposed.

플렉시블 기판(610) 하부에는 백플레이트(650)가 배치된다. 플렉시블 기판(610)이 폴리이미드와 같은 플라스틱 물질로 이루어지는 경우, 플렉시블 기판(610) 하부에 유리로 이루어지는 지지기판이 배치된 상황에서 플렉시블 전계발광 표시장치(600) 제조공정이 진행되고, 제조공정이 완료된 후 지지기판이 분리되어 릴리즈될 수 있다. A back plate 650 is disposed under the flexible substrate 610. In the case where the flexible substrate 610 is made of a plastic material such as polyimide, the manufacturing process of the flexible electroluminescence display device 600 proceeds in a situation where a supporting substrate made of glass is disposed under the flexible substrate 610, After completion, the support substrate can be released and released.

지지기판이 릴리즈된 이후에도 플렉시블 기판(610)을 지지하기 위한 구성요소가 필요하므로, 플렉시블 기판(610)을 지지하기 위한 백플레이트(650)가 플렉시블 기판(610)의 하부에 배치될 수 있다. 백플레이트(650)는 벤딩 영역(B/A)을 제외한 플렉시블 기판(610)의 다른 영역에서 벤딩영역(B/A)에 인접하도록 배치될 수 있다. A back plate 650 for supporting the flexible substrate 610 can be disposed under the flexible substrate 610 because a component for supporting the flexible substrate 610 is required even after the supporting substrate is released. The back plate 650 may be disposed adjacent to the bending area B / A in another area of the flexible substrate 610 except for the bending area B / A.

백플레이트(650)는 폴리이미드, 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리머들, 이들 폴리머들의 조합 등으로 형성된 플라스틱 박막으로 이루어질 수 있다.The back plate 650 may be formed of a plastic film formed of polyimide, polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polymers, a combination of these polymers, and the like.

두 개의 백플레이트들(650) 사이에는 지지부재(655)가 배치되고, 지지부재(655)는 접착층에 의해 백플레이트(650)와 접착될 수 있다. A support member 655 is disposed between the two back plates 650 and the support member 655 can be bonded to the back plate 650 by an adhesive layer.

지지부재(655)는 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리머들, 이들 폴리머들의 조합 등과 같은 플라스틱 재료로 형성될 수 있다. 이러한 플라스틱 재료들로 형성된 지지부재(66)의 강도는 지지부재(655)의 두께 및 강도를 증가시키기 위한 첨가제들을 첨가하는 것에 의해 제어될 수도 있으며, 유리, 세라믹, 금속 또는 다른 강성이 있는(Rigid) 재료들 또는 전술한 재료들의 조합들로 형성될 수도 있다.The support member 655 may be formed of a plastic material such as polycarbonate (PC), polyimide (PI), polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene terephthalate (PET), polymers, The strength of the support member 66 formed of such plastic materials may be controlled by adding additives to increase the thickness and strength of the support member 655 and may be controlled by glass, ) Materials or combinations of the above-described materials.

플렉시블 기판(610)의 벤딩영역(B/A) 상에는 마이크로 코팅층(660)이 배치된다. 이때, 도 6a에서 설명된 것처럼, 플렉시블 기판(610)의 일측에 절개되어 형성되는 컷팅영역(C/A) 상에는 마이크로 코팅층(660)이 배치되지 않는다. A micro-coating layer 660 is disposed on the bending region B / A of the flexible substrate 610. 6A, the micro-coating layer 660 is not disposed on the cutting area C / A formed at one side of the flexible substrate 610. In this case,

마이크로 코팅층(660)은 벤딩 시에 플렉시블 기판(610) 상에 배치되는 배선부에 인장력이 작용하여 크랙이 발생될 수 있기 때문에, 레진을 벤딩되는 위치에 얇은 두께로 코팅하여 배선을 보호하는 역할을 할 수 있다. 마이크로 코팅층(660)은 아크릴레이트 폴리머와 같은 아크릴계 물질로 구성할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.Since the micro-coating layer 660 may be cracked due to a tensile force acting on the wiring portion disposed on the flexible substrate 610 at the time of bending, the micro-coating layer 660 has a role of protecting the wiring by coating the resin to a thin thickness at the bent position can do. The micro-coating layer 660 may be formed of an acrylic material such as an acrylate polymer, but is not limited thereto.

마이크로 코팅층(660)은 벤딩영역(B/A)의 중립면을 조절할 수 있다. 중립면은 구조물이 벤딩되는 경우, 구조물에 인가되는 압축력(Compressive Force)과 인장력(Tensile Force)이 서로 상쇄되어 응력을 받지 않는 가상의 면을 의미한다. 2개 이상의 구조물이 적층되어 있는 경우, 구조물들 사이에 가상의 중립면이 형성될 수 있다. 구조물 전체가 일 방향으로 벤딩하는 경우, 중립면을 기준으로 벤딩 방향에 배치되는 구조물들은 벤딩에 의해 압축되게 되므로 압축력을 받는다. 이와 반대로 중립면을 기준으로 벤딩 방향과 반대 방향에 배치되는 구조물들은 벤딩에 의해 늘어나게 되므로 인장력을 받는다. 이때, 일반적으로 구조물들은 동일한 압축력과 인장력 중 인장력을 받는 경우에 더 취약하므로, 인장력을 받을 때 크랙이 발생할 확률이 더 높다.The micro-coating layer 660 can adjust the neutral plane of the bending area B / A. The neutral plane means a virtual surface that is not stressed because the compressive force and the tensile force applied to the structure are canceled each other when the structure is bent. If two or more structures are stacked, a virtual neutral plane may be formed between the structures. When the entire structure is bent in one direction, the structures arranged in the bending direction with respect to the neutral plane are compressed by the bending, so that they are subjected to the compressive force. On the contrary, the structures arranged in the direction opposite to the bending direction with respect to the neutral plane are stretched by bending, so that they are subjected to a tensile force. At this time, generally, structures are more susceptible to tensile force among the same compressive force and tensile force, so that there is a higher probability of cracking when subjected to tensile force.

중립면을 기준으로 하부에 배치되는 플렉시블 기판(610)은 압축되므로 압축력을 받고, 상부에 배치되는 배선들은 인장력을 받을 수 있고, 이에 따라 인장력에 의하여 크랙이 발생할 수 있다. 따라서, 배선이 받는 인장력을 최소화하기 위해서는 중립면 상에 위치시킬 수 있다.Since the flexible substrate 610 disposed at the lower side with respect to the neutral plane is compressed, the wirings disposed at the upper portion receive a compressive force and can receive a tensile force, thereby causing a crack due to the tensile force. Therefore, it can be placed on the neutral plane to minimize the tensile force applied to the wiring.

마이크로 코팅층(660)을 벤딩 영역(B/A) 상에 배치시킴으로써, 중립면을 상부 방향으로 상승시킬 수 있으며, 중립면이 배선과 동일한 위치에 형성하거나 중립면보다 높은 위치에 위치하여 벤딩 시 응력을 받지 않거나 압축력을 받게 되어 크랙 발생을 억제할 수 있다.By placing the microcoat layer 660 on the bending region B / A, the neutral plane can be raised in the upward direction, and the neutral plane can be formed at the same position as the wiring or at a higher position than the neutral plane, It is not received or is subjected to a compressive force, so that occurrence of cracks can be suppressed.

플렉시블 기판(610)의 끝단에 절연필름(680)이 연결된다. 절연필름(680) 상에는 표시영역(A/A)에 배치된 화소로 신호를 전달하기 위한 다양한 배선이 형성된다. 절연필름(680)은 휘어질 수 있도록 플렉서빌리티를 갖는 재료로 형성된다. 절연필름(680)에는 구동소자가 장착될 수 있으며, 절연필름(680)과 함께 칩 온 필름(Chip on Film; COF)과 같은 구동 패키지(Package)를 형성하며, 절연필름(680) 상에 형성된 배선에 연결되어 구동 신호 및 데이터를 표시영역(A/A)에 배치된 화소에 제공한다.An insulating film 680 is connected to an end of the flexible substrate 610. On the insulating film 680, various wirings for transmitting signals to pixels arranged in the display area A / A are formed. The insulating film 680 is formed of a material having flexibility to be bent. A driving device may be mounted on the insulating film 680 and a driving package such as a chip on film (COF) may be formed together with the insulating film 680 and may be formed on the insulating film 680 And supplies driving signals and data to the pixels arranged in the display area A / A.

절연필름(680)과 연결되는 회로기판은 외부로부터 영상신호를 입력받아 표시영역(A/A)에 배치된 화소에 다양한 신호를 인가할 수 있으며, 인쇄 회로 기판(Printed Circuit Board)일 수 있다.The circuit board connected to the insulating film 680 may apply various signals to pixels arranged in the display area A / A by receiving an image signal from the outside, and may be a printed circuit board.

터치스크린 패널(620)의 끝단에는 터치패드(630)와 연결되며, 절연필름으로 구성된 터치회로기판(640)이 배치된다. 도 6a에서 설명된 것처럼, 터치회로기판(640)은 플렉시블 기판(610)의 컷팅영역(C/A)에 삽입되어 벤딩되면서 벤딩영역(B/A)에서 플렉시블 기판(610)이 벤딩되어 형성되는 비표시영역(N/A) 폭과 동일하거나 더 좁은 폭을 가지고 벤딩되도록 하여, 터치회로기판(640)이 벤딩될 때 플렉시블 기판(610) 상에서 벤딩되는 경우보다 플렉시블 전계발광 표시장치(600)의 베젤영역을 최소화할 수 있는 효과가 있다. A touch circuit board 640 is connected to the touch pad 630 at an end of the touch screen panel 620. 6A, the touch circuit board 640 is bent and inserted into the cutting area C / A of the flexible substrate 610, and the flexible substrate 610 is bent and formed in the bending area B / A The flexible printed circuit board 640 is bent at a width equal to or narrower than the width of the non-display area N / A so that the flexible printed circuit board 640 can be bent more flexibly than when flexed on the flexible substrate 610, The bezel area can be minimized.

상세히 설명하면, 터치회로기판(540)이 컷팅영역(C/A)에 삽입되어 벤딩영역(B/A)의 마이크로 코팅층(660)을 포함한 플렉시블 기판(610)이 터치회로기판(640)보다 실질적으로 외곽방향으로 더 돌출되며, 이에 따라, 터치회로기판(640)으로 인해서 발생되는 불필요한 비표시영역(N/A)의 폭을 줄일수 있는 효과가 있다. The touch substrate 540 is inserted into the cutting area C / A so that the flexible substrate 610 including the micro coating layer 660 of the bending area B / A is substantially So that the width of the unnecessary non-display area N / A generated by the touch circuit board 640 can be reduced.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역, 표시영역의 일측에서 연장되어 벤딩된 벤딩영역, 및 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성되는 커팅영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 배치되는 박막트랜지스터 및 발광소자, 표시영역 및 벤딩영역 상에 배치되는 배선 및 평탄화층, 벤딩영역의 평탄화층 상에 배치되는 마이크로 코팅층, 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판, 및 터치스크린 기판과 연결되는 터치회로기판을 포함하고, 플렉시블 기판은 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성되는 컷팅영역을 포함하며, 터치회로기판은 컷팅영역에 삽입되어 벤딩된다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a flexible substrate including a display region, a bending region extending from one side of the display region and bent, and a cutting region formed by cutting one side of the bending region, A wiring and a planarization layer disposed on the display region and the bending region, a micro-coating layer disposed on the planarization layer of the bending region, a touch screen substrate disposed on the display region, and a touch screen substrate And the flexible substrate includes a cutting area formed by cutting one side of the bending area, and the touch circuit board is inserted into the cutting area and bent.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 컷팅영역의 폭은 터치회로기판의 폭보다 크다.The width of the cut region of the flexible electro-luminescence display device according to the embodiment of the present invention is larger than the width of the touch circuit substrate.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 터치회로기판보다 벤딩영역의 마이크로코팅층이 플렉시블기판의 외곽방향으로 더 돌출된다.In the flexible electroluminescent display device according to the embodiment of the present invention, the micro-coating layer in the bending area is protruded further toward the outer side of the flexible substrate than the touch circuit substrate.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 플렉시블 기판 상에 버퍼층이 더 배치된다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention further includes a buffer layer on a flexible substrate.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 배선은 복수의 금속층으로 구성된다.The wiring of the flexible electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention is composed of a plurality of metal layers.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 벤딩영역 상에 배치되는 배선은 마름모 형상, 삼각파 형상, 정현파 형상, 사다리꼴 형상 중 하나의 형상으로 구성된다.The wiring disposed on the bending region of the flexible electro luminescence display device according to the embodiment of the present invention has one of a rhombic shape, a triangular wave shape, a sinusoidal shape, and a trapezoidal shape.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 플렉시블 기판과 연결된 절연필름 및 절연필름에는 구동소자가 배치된다.In a flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention, a driving element is disposed on an insulating film and an insulating film connected to a flexible substrate.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 평탄화층은 복수의 유기물층으로 구성된다.The planarization layer of the flexible electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention is composed of a plurality of organic layers.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판 및 평탄화층 상에 각각 배선이 배치된다.Wirings are disposed on the flexible substrate and the planarization layer of the flexible electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 발광소자는 애노드, 발광부 및 캐소드를 포함한다.A light emitting device of a flexible electroluminescence display device according to an embodiment of the present invention includes an anode, a light emitting portion, and a cathode.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치스크린 기판 상에 편광판이 더 배치된다.The polarizing plate is further disposed on the touch screen substrate of the flexible electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판 하면에 백플레이트가 배치된다.A back plate is disposed on a flexible substrate of a flexible electroluminescence display device according to an embodiment of the present invention.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 화소를 포함하는 표시영역, 표시영역 외곽에 배치된 벤딩영역을 구비하는 비표시영역, 및 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성된 컷팅영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판 및 터치스크린 기판과 연결되는 터치회로기판을 포함하고, 플렉시블 기판의 비표시영역의 일측이 절개되어 컷팅영역이 형성되며, 터치회로기판은 컷팅영역에 삽입되어 벤딩되어 비표시영역을 최소화 할수 있다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a display region including a pixel, a non-display region having a bending region disposed outside the display region, and a flexible region including a cut region formed by cutting one side of the bending region. A touch screen substrate disposed on the display area, and a touch circuit board connected to the touch screen substrate, wherein one side of the non-display area of the flexible substrate is cut to form a cut area, So that the non-display area can be minimized.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 컷팅영역의 폭은 터치회로기판의 폭보다 크다.The width of the cut region of the flexible electro-luminescence display device according to the embodiment of the present invention is larger than the width of the touch circuit substrate.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 벤딩영역에 배치되는 마이크로코팅층을 더 포함하며, 터치회로기판보다 마이크로코팅층이 플렉시블기판의 외곽방향으로 더 돌출된다.The flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention further includes a micro-coating layer disposed in a bending region, and the micro-coating layer protrudes further toward the outside of the flexible substrate than the touch circuit substrate.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치스크린 기판 상에 편광판이 더 배치된다.The polarizing plate is further disposed on the touch screen substrate of the flexible electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 플렉시블 기판과 연결된 절연필름 및 절연필름에는 구동소자가 배치된다.In a flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention, a driving element is disposed on an insulating film and an insulating film connected to a flexible substrate.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 화소는 박막 트랜지스터 및 발광소자를 통해서 발광한다.A pixel of a flexible electroluminescence display device according to an embodiment of the present invention emits light through a thin film transistor and a light emitting element.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 발광소자는 애노드, 발광부 및 캐소드를 포함한다.A light emitting device of a flexible electroluminescence display device according to an embodiment of the present invention includes an anode, a light emitting portion, and a cathode.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 플렉시블 기판 하면에 백플레이트가 배치된다.A back plate is disposed on a flexible substrate of a flexible electroluminescence display device according to an embodiment of the present invention.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치는 표시영역, 표시영역 외곽에 배치된 벤딩영역 및 벤딩영역의 일측에 배치된 제1 영역 및 벤딩영역의 컷팅에 의해 형성된 제2 영역을 포함하는 플렉시블 기판, 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판, 및 터치스크린 기판과 연결되며, 제2 영역에 배치된 터치회로기판을 포함한다.A flexible electroluminescent display device according to an embodiment of the present invention includes a flexible region including a display region, a first region disposed on one side of a bending region disposed outside the display region, and a second region formed by cutting a bending region, A touch screen substrate disposed on the display region, and a touch circuit substrate connected to the touch screen substrate and disposed in the second region.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 제1 영역에는 표시영역에 신호를 전달하는 회로배선, 및 패드가 배치된다.In the first area of the flexible electro-luminescence display device according to the embodiment of the present invention, a circuit wiring and a pad for transmitting signals to the display area are disposed.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 터치회로기판은 벤딩영역에서 벤딩된다.The touch circuit board of the flexible electroluminescence display device according to the embodiment of the present invention is bent in the bending region.

본 명세서의 실시예에 따른 플렉시블 전계발광 표시장치의 제1 영역에 배치되는 마이크로 코팅층을 더 포함하며, 터치회로기판보다 마이크로코팅층이 플렉시블기판의 외곽방향으로 더 돌출된다.The flexible electro-luminescence display device further includes a micro-coating layer disposed in a first region of the flexible electro-luminescence display device according to an embodiment of the present invention, wherein the micro-coating layer protrudes further toward the outer edge of the flexible substrate than the touch circuit substrate.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although the embodiments of the present invention have been described in detail with reference to the accompanying drawings, it is to be understood that the present invention is not limited to those embodiments and various changes and modifications may be made without departing from the scope of the present invention. . Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. Therefore, it should be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of protection of the present invention should be construed according to the claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

100, 200, 300, 400, 500, 600: 전계발광 표시장치
110: 영상처리부
120: 타이밍 컨트롤러
130: 데이터드라이버
140: 게이트드라이버
150: 표시패널
160: 화소
220: 게이트라인
230: 데이터라인
240: 스위칭트랜지스터
250: 구동트랜지스터
260: 보상회로
270, 440: 발광소자
310, 410, 610: 플렉시블 기판
370, 670: 회로배선
390, 690: 게이트구동부
395, 695: 패드
420: 박막트랜지스터
422: 게이트전극
424: 소스전극
426: 드레인전극
428: 반도체층
431: 제1 절연층
433: 제2 절연층
435: 제1 평탄화층
437: 제2 평탄화층
442: 애노드
444: 발광부
446: 캐소드
450: 뱅크
452: 스페이서
460: 봉지부
462: 제1 배선
464: 제2 배선
466, 650: 마이크로 코팅층
520, 620: 터치스크린 기판
525, 625: 터치전극
530, 630: 터치패드
535, 635: 터치연결배선
540, 640: 터치회로기판
630: 편광판
650: 백플레이트
655: 접착층
660: 지지부재
680: 회로기판
A/A: 표시영역
N/A: 비표시영역
B/A: 벤딩영역
C/A: 컷팅영역
T/A: 터치영역
S/L: 스캔라인
100, 200, 300, 400, 500, 600: Electroluminescent display device
110:
120: Timing controller
130: Data driver
140: gate driver
150: Display panel
160: pixel
220: gate line
230: Data line
240: switching transistor
250: driving transistor
260: Compensation circuit
270, 440: Light emitting element
310, 410, 610: flexible substrate
370, 670: circuit wiring
390, 690: Gate driver
395, 695: pad
420: thin film transistor
422: gate electrode
424: source electrode
426: drain electrode
428: Semiconductor layer
431: first insulating layer
433: second insulating layer
435: first planarization layer
437: second planarization layer
442: anode
444:
446: Cathode
450: Bank
452: Spacer
460:
462: first wiring
464: Second wiring
466, 650: Micro-coating layer
520, 620: touch screen substrate
525, 625: touch electrode
530, 630: touch pad
535, 635: Touch connection wiring
540, 640: Touch circuit board
630: polarizer
650: back plate
655: Adhesive layer
660: Support member
680: circuit board
A / A: display area
N / A: Non-display area
B / A: Bending area
C / A: Cutting area
T / A: Touch area
S / L: scan line

Claims (24)

표시영역, 상기 표시영역의 일측에서 연장되어 벤딩된 벤딩영역, 및 상기 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성되는 커팅영역을 포함하는 플렉시블 기판;
상기 표시영역 상에 배치되는 박막트랜지스터 및 발광소자;
상기 표시영역 및 상기 벤딩영역 상에 배치되는 배선 및 평탄화층;
상기 벤딩영역의 상기 평탄화층 상에 배치되는 마이크로 코팅층;
상기 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판; 및
상기 터치스크린 기판과 연결되는 터치회로기판을 포함하고,
상기 플렉시블 기판은 상기 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성되는 컷팅영역을 포함하며, 상기 터치회로기판은 상기 컷팅영역에 삽입되어 벤딩되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
A flexible substrate including a display area, a bending area bent from one side of the display area, and a cutting area formed by cutting one side of the bending area;
A thin film transistor and a light emitting element arranged on the display region;
A wiring and a planarization layer disposed on the display region and the bending region;
A micro-coating layer disposed on the planarization layer of the bending region;
A touch screen substrate disposed on the display area; And
And a touch circuit board connected to the touch screen substrate,
Wherein the flexible substrate includes a cutting area formed by cutting one side of the bending area, and the touch circuit board is inserted into the cutting area and bent.
제1 항에 있어서,
상기 컷팅영역의 폭은 상기 터치회로기판의 폭보다 큰, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein a width of the cut region is larger than a width of the touch circuit board.
제1 항에 있어서,
상기 터치회로기판보다 상기 벤딩영역의 상기 마이크로코팅층이 상기 플렉시블기판의 외곽방향으로 더 돌출되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the micro-coating layer of the bending area is further projected toward the outer periphery of the flexible substrate than the touch circuit substrate.
제1 항에 있어서,
상기 플렉시블 기판 상에 버퍼층이 더 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
And a buffer layer is further disposed on the flexible substrate.
제1 항에 있어서,
상기 배선은 복수의 금속층으로 구성되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the wiring is composed of a plurality of metal layers.
제1 항에 있어서,
상기 벤딩영역 상에 배치되는 배선은 마름모 형상, 삼각파 형상, 정현파 형상, 사다리꼴 형상 중 하나의 형상으로 구성되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the wiring disposed on the bending region is formed in one of a rhombic shape, a triangular wave shape, a sinusoidal shape, and a trapezoidal shape.
제1 항에 있어서,
상기 플렉시블 기판과 연결된 절연필름; 및
상기 절연필름에는 구동소자가 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
An insulating film connected to the flexible substrate; And
And a driving element is disposed in the insulating film.
제1 항에 있어서,
상기 평탄화층은 복수의 유기물층으로 구성되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the planarizing layer is composed of a plurality of organic layers.
제7 항에 있어서,
상기 플렉시블 기판 및 상기 평탄화층 상에 각각 상기 배선이 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
8. The method of claim 7,
And the wiring is disposed on the flexible substrate and the planarization layer, respectively.
제1 항에 있어서,
상기 발광소자는 애노드, 발광부 및 캐소드를 포함하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the light emitting element includes an anode, a light emitting portion, and a cathode.
제1 항에 있어서,
상기 터치스크린 기판 상에 편광판이 더 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
And a polarizing plate is further disposed on the touch screen substrate.
제1 항에 있어서,
상기 플렉시블 기판 하면에 백플레이트가 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
The method according to claim 1,
And a back plate is disposed on a bottom surface of the flexible substrate.
화소를 포함하는 표시영역, 상기 표시영역 외곽에 배치된 벤딩영역을 구비하는 비표시영역, 및 상기 벤딩영역의 일측을 절개하여 형성된 컷팅영역을 포함하는 플렉시블 기판;
상기 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판; 및
상기 터치스크린 기판과 연결되는 터치회로기판을 포함하고,
상기 플렉시블 기판의 비표시영역의 일측이 절개되어 컷팅영역이 형성되며, 상기 터치회로기판은 상기 컷팅영역에 삽입되어 벤딩되어 비표시영역을 최소화 할수 있는, 플렉시블 전계발광.
A flexible substrate including a display area including pixels, a non-display area having a bending area disposed outside the display area, and a cutting area formed by cutting one side of the bending area;
A touch screen substrate disposed on the display area; And
And a touch circuit board connected to the touch screen substrate,
Wherein the flexible substrate is cut at one side of the non-display area to form a cut area, and the touch circuit board is inserted into the cut area and bent to minimize a non-display area.
제13 항에 있어서,
상기 컷팅영역의 폭은 상기 터치회로기판의 폭보다 큰, 플렉시블 전계발광 표시장치.
14. The method of claim 13,
Wherein a width of the cut region is larger than a width of the touch circuit board.
제13 항에 있어서,
상기 벤딩영역에 배치되는 마이크로코팅층을 더 포함하며, 상기 터치회로기판보다 상기 마이크로코팅층이 상기 플렉시블기판의 외곽방향으로 더 돌출되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
14. The method of claim 13,
Further comprising a micro-coating layer disposed on the bending region, wherein the micro-coating layer is further protruded toward the outside of the flexible substrate than the touch circuit substrate.
제13 항에 있어서,
상기 터치스크린 기판 상에 편광판이 더 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
14. The method of claim 13,
And a polarizing plate is further disposed on the touch screen substrate.
제13 항에 있어서,
상기 플렉시블 기판과 연결된 절연필름; 및
상기 절연필름에는 구동소자가 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
14. The method of claim 13,
An insulating film connected to the flexible substrate; And
And a driving element is disposed in the insulating film.
제13 항에 있어서,
상기 화소는 박막 트랜지스터 및 발광소자를 통해서 발광하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
14. The method of claim 13,
Wherein the pixel emits light through the thin film transistor and the light emitting element.
제18 항에 있어서,
상기 발광소자는 애노드, 발광부 및 캐소드를 포함하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
19. The method of claim 18,
Wherein the light emitting element includes an anode, a light emitting portion, and a cathode.
제13 항에 있어서,
상기 플렉시블 기판 하면에 백플레이트가 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
14. The method of claim 13,
And a back plate is disposed on a bottom surface of the flexible substrate.
표시영역, 상기 표시영역 외곽에 배치된 벤딩영역, 및 상기 벤딩영역의 일측에 배치된 제1 영역 및 상기 벤딩영역의 컷팅에 의해 형성된 제2 영역을 포함하는 플렉시블 기판;
상기 표시영역 상에 배치되는 터치스크린 기판; 및
상기 터치스크린 기판과 연결되며, 상기 제2 영역에 배치된 터치회로기판을 포함하는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
A flexible substrate including a display region, a bending region disposed outside the display region, and a first region disposed on one side of the bending region and a second region formed by cutting the bending region;
A touch screen substrate disposed on the display area; And
And a touch circuit board connected to the touch screen substrate and disposed in the second area.
제21 항에 있어서,
상기 제1 영역에는 상기 표시영역에 신호를 전달하는 회로배선, 및 패드가 배치되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
22. The method of claim 21,
And a circuit wiring and a pad for transmitting a signal to the display area are disposed in the first area.
제21 항에 있어서,
상기 터치회로기판은 상기 벤딩영역에서 벤딩되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
22. The method of claim 21,
And the touch circuit board is bent in the bending region.
제21 항에 있어서,
상기 제1 영역에 배치되는 마이크로 코팅층을 더 포함하며, 상기 터치회로기판보다 상기 마이크로코팅층이 상기 플렉시블기판의 외곽방향으로 더 돌출되는, 플렉시블 전계발광 표시장치.
22. The method of claim 21,
Further comprising a micro-coating layer disposed in the first region, wherein the micro-coating layer is further protruded toward the outer side of the flexible substrate than the touch circuit substrate.
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