KR102581480B1 - 반도체 패키지를 위한 테스트 보드, 테스트 시스템 및 반도체 패키지의 제조 방법 - Google Patents
반도체 패키지를 위한 테스트 보드, 테스트 시스템 및 반도체 패키지의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102581480B1 KR102581480B1 KR1020160095491A KR20160095491A KR102581480B1 KR 102581480 B1 KR102581480 B1 KR 102581480B1 KR 1020160095491 A KR1020160095491 A KR 1020160095491A KR 20160095491 A KR20160095491 A KR 20160095491A KR 102581480 B1 KR102581480 B1 KR 102581480B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- test
- power
- unit
- semiconductor package
- board
- Prior art date
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 367
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 172
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 81
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 14
- 238000013102 re-test Methods 0.000 description 10
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 230000006870 function Effects 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 5
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 5
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 2
- 238000011990 functional testing Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N beryllium copper Chemical compound [Be].[Cu] DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N cadmium nickel Chemical compound [Ni].[Cd] OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005404 monopole Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000652 nickel hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/3025—Wireless interface with the DUT
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/303—Contactless testing of integrated circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2865—Holding devices, e.g. chucks; Handlers or transport devices
- G01R31/2867—Handlers or transport devices, e.g. loaders, carriers, trays
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2896—Testing of IC packages; Test features related to IC packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02J—CIRCUIT ARRANGEMENTS OR SYSTEMS FOR SUPPLYING OR DISTRIBUTING ELECTRIC POWER; SYSTEMS FOR STORING ELECTRIC ENERGY
- H02J50/00—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power
- H02J50/10—Circuit arrangements or systems for wireless supply or distribution of electric power using inductive coupling
-
- H02J7/025—
Abstract
반도체 패키지에 대한 테스트를 효율적으로 할 수 있는 반도체 패키지를 위한 테스트 보드 및 테스트 시스템 및 이를 사용하여 반도체 패키지를 제공하는 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 테스트 보드는 보드 기판, 보드 기판에 연결되며 반도체 패키지를 수용하는 DUT 소켓, 보드 기판의 일면에 부착되는 테스트 제어부, 서버와 무선 통신으로 신호를 교환하는 무선 신호부, 및 무선을 통하여 충전되며 테스트 제어부 및 DUT 소켓에 전력을 제공하는 무선 전원부을 포함하며, 테스트 제어부는 서버로부터 무선 신호부가 수신한 테스트 패턴의 명령어에 의하여, DUT 소켓에 수용된 반도체 패키지에 대하여 독자적으로 테스트를 수용한다.
Description
본 발명은 반도체 패키지를 위한 테스트 보드, 테스트 시스템 및 반도체 패키지의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 DUT(device under test)를 위한 테스트 보드, 테스트 시스템 및 이를 사용하여 반도체 패키지를 제조하는 방법에 관한 것이다.
전자 산업의 비약적인 발전 및 사용자의 요구에 따라 전자기기는 더욱 더 소형화, 고기능화 및 대용량화되고 있다. 이에 따라 전자기기에 포함되는 반도체 패키지에 대한 테스트 또한 복잡해지고 있다. 이를 위하여 반도체 패키지에 대한 테스트 시간을 단축시키기 위하여, 반도체 패키지에 대한 테스트를 위한 설비가 대형화하고 있다.
본 발명의 기술적 과제는, 반도체 패키지에 대한 테스트를 효율적으로 할 수 있는 반도체 패키지를 위한 테스트 보드 및 테스트 시스템을 제공하는 데에 있다. 또한 본 발명의 기술적 과제는 효율적인 반도체 패키지에 대한 테스트를 수행하는 단계를 가지는 반도체 패키지의 제조 방법을 제공하는 데에 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 다음과 같은 반도체 패키지를 위한 테스트 보드, 테스트 시스템 및 반도체 패키지의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 테스트 보드는 보드 기판; 상기 보드 기판에 연결되며 반도체 패키지를 수용하는 DUT 소켓; 상기 보드 기판의 일면에 부착되는 테스트 제어부; 서버와 무선 통신으로 신호를 교환하는 무선 신호부; 및 무선을 통하여 충전되며 테스트 제어부 및 DUT 소켓에 전력을 제공하는 무선 전원부;을 포함하며, 상기 테스트 제어부는 상기 서버로부터 상기 무선 신호부가 수신한 테스트 패턴의 명령어에 의하여, 상기 DUT 소켓에 수용된 상기 반도체 패키지에 대하여 독자적으로 테스트를 수용한다.
본 발명에 따른 테스트 시스템은, 서버; 및 상기 서버와 무선 통신으로 신호를 교환하는 복수의 테스트 보드;를 포함하며, 상기 복수의 테스트 보드 각각은 반도체 패키지를 수용하는 DUT 소켓; 상기 서버로부터 무선 통신으로 수신한 테스트 패턴의 명령어에 의하여, 상기 DUT 소켓에 수용된 상기 반도체 패키지에 대하여 독자적으로 테스트를 수행하는 테스트 제어부; 및 무선을 통하여 충전되며 테스트 제어부 및 DUT 소켓에 전력을 제공하는 무선 전원부;을 포함한다.
본 발명에 따른 반도체 패키지의 제조 방법은, 복수의 반도체 패키지를 제조하는 단계; 및 복수의 상기 반도체 패키지에 대하여 테스트를 수행하는 단계;를 포함하며, 상기 테스트를 수행하는 단계는, DUT 소켓, 테스트 제어부, 무선 신호부, 및 무선을 통하여 충전되며 테스트 제어부, 및 DUT 소켓에 전력을 제공하며 2차 전지를 가지는 무선 전원부를 각각 포함하는 복수의 테스트 보드를 준비하는 단계; 상기 복수의 테스트 보드의 DUT 소켓에 상기 복수의 반도체 패키지를 수용하는 단계; 및 서버로부터 상기 무선 신호부를 통하여 무선 통신으로 수신한 테스트 패턴의 명령어에 의하여 상기 DUT 소켓에 수용된 상기 반도체 패키지에 대하여 독자적으로 테스트를 수행하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 반도체 패키지를 위한 테스트 보드, 테스트 시스템 및 반도체 패키지의 제조 방법은 서버 및/또는 전력 공급부와의 유선 연결이 필요없고, 복수의 DUT를 테스트 장비와 전기적으로 접속시키기 위한 핸들러가 불필요하므로, 테스트를 위한 설비의 크기가 축소되고, 테스트를 위한 공간 활용도가 높아질 수 있다.
또한 독자적으로 테스트를 수행할 수 있는 테스트 보드를 이용하여 테스트를 수행하므로, 상대적으로 적은 개수의 DUT, 즉 반도체 패키지에 대한 테스트 또한 용이하게 실시할 수 있다. 따라서 반도체 패키지의 관리가 용이하여 반도체 패키지를 제조하여 출하하는데 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다.
또한 반도체 패키지에 대한 원인 분석 등을 하는 경우에도 작은 공간을 활용하여 독자적인 테스트의 수행이 가능할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 보드의 요부를 나타내는 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 보드의 요부를 나타내는 구성도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 보드가 가지는 테스트 제어부의 동작을 설명하기 위한 구성도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 보드가 가지는 무선 신호부의 동작을 설명하기 위한 구성도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 보드가 가지는 무선 전원부의 동작을 설명하기 위한 구성도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템이 가지는 테스트 보드 및 전력 공급부의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템의 테스트 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템의 테스트 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템이 가지는 전력 공급부 및 테스트 보드의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템이 가지는 전력 공급부 및 테스트 보드의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 보드의 요부를 나타내는 구성도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 보드가 가지는 테스트 제어부의 동작을 설명하기 위한 구성도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 보드가 가지는 무선 신호부의 동작을 설명하기 위한 구성도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 보드가 가지는 무선 전원부의 동작을 설명하기 위한 구성도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템이 가지는 테스트 보드 및 전력 공급부의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템의 테스트 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템의 테스트 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템이 가지는 전력 공급부 및 테스트 보드의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템이 가지는 전력 공급부 및 테스트 보드의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조 방법을 설명하는 흐름도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써 본 발명을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 보드의 요부를 나타내는 구성도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 패키지를 테스트하기 위한 테스트 보드(100)는 테스트 제어부(200), 무선 신호부(400), 무선 전원부(500) 및 DUT(Device Under Test) 소켓(600)을 포함한다. 테스트 보드(100)는 메모리부(300)를 더 포함할 수 있다. 일부 실시 예에서, 메모리부(300)의 전부 또는 일부는 테스트 제어부(200) 내에 내장될 수 있다. 또한 일부 실시 예에서, 무선 신호부(400) 및/또는 무선 전원부(500)를 구성하는 일부 구성 요소는 테스트 제어부(200) 내에 내장될 수 있다.
테스트 제어부(200)는 예를 들면, FPGA(Field Programmable Gate Array), ASIC(Application Specific Integrated Circuit), AP(Application Processor)와 같은 단일 반도체 칩으로 구성될 수 있다. 일부 실시 예에서, 테스트 제어부(200)는, 자일링스(Xilinx), 알테라(Altera) 래티스 세미컨덕터(Lattice Semiconductor), 마이크로 세미(Microsemi), 아크로닉스(Achronix), 퀵로직(QuickLogic), 이투비(e2v) 또는 아트멜(Atmel)의 FPGA를 이용하여 구성될 수 있다.
테스트 제어부(200)는 DUT 소켓(600)과 통신할 수 있으며, DUT 소켓(600)에 수용되는 반도체 패키지에 대하여, 독자적으로 테스트를 수행할 수 있다. 예를 들면, 테스트 제어부(200)와 DUT 소켓(600)은 시리얼 방식 프로토콜 또는 패러럴 방식 프로토콜로 통신할 수 있다.
테스트 제어부(200)는 데이터를 프로세싱할 수 있거나 또는 명령을 해석하여 실행할 수 있다. 테스트 제어부(200)에서 실행되는 테스트 프로그램은 알고리즘 패턴 발생기(도 3의 230)에 의해 생성된 신호를 테스트할 반도체 패키지(도 3의 20)에 입력하고, 반도체 패키지(20)로부터 인가된 신호를 판독하는 것과, 판독된 출력 신호를 예상 패턴(expected pattern)과 비교하는 것을 수반하는 기능 테스트를 수행할 수 있다. 출력 신호가 입력에 대한 예상 패턴과 매치하지 않으면, 테스터 제어부(200)는 DUT, 즉 테스트 대상인 반도체 패키지(20)를 결함이 있는 것으로 식별할 수 있다. 예를 들면, DUT가 DRAM 또는 NAND와 같은 반도체 메모리 소자인 경우, 테스트 프로그램은, 알고리즘 패턴 발생기(230)에 의해 생성된 데이터를, 기록 동작을 사용하여 DUT에 기록하고, 판독 동작을 사용하여 DUT로부터 데이터를 판독하여 예상 패턴을 판독 패턴과 비교할 수 있다.
DUT 소켓(600)은 테스트하고자 하는 DUT, 즉 반도체 패키지의 형태와 종류에 따라서 다양한 형태를 가질 수 있다. 예를 들면, DUT 소켓(600)은 Ball grid arrays(BGAs), Plastic Leaded Chip Carrier(PLCC), Plastic Dual In-Line Package(PDIP), Ceramic Dual In-Line Package(CERDIP), Plastic MetricQuad Flat Pack(MQFP), Thin Quad Flatpack(TQFP), Small Outline(SOIC), Shrink Small Outline Package(SSOP), Thin Small Outline(TSOP) 또는 Thin Quad Flatpack(TQFP)에 대응하는 형태를 가지는 소켓이거나, 다양한 형태에 대응할 수 있는 유니버설 소켓일 수 있다. 또는 다양한 형태의 소켓을 수용할 수 있는 커넥터 형태일 수 있다.
메모리부(300)는 무선 신호부(400)를 통하여 수신한 신호, 예를 들면 테스트 패턴의 명령어를 저장하거나, DUT로부터 판독한 데이터 및 테스트 제어부(200)에 의하여 수행된 테스트의 결과를 저장할 수 있다. 메모리부(300)는 버퍼(310)와 스토리지(320)로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 버퍼(310)는 휘발성 메모리로 이루어질 수 있고, 스토리지(320)는 비휘발성 메모리로 이루어질 수 있다. 일부 실시 예에서, 버퍼(310)는 DRAM으로 이루어지고, 스토리지(320)는 플래시 메모리, SSD(Solid State Drive), 또는 HDD(Hard Disk Drive)로 이루어질 수 있다.
버퍼(310)는 무선 신호부(400)가 수신한 신호들을 임시로 저장하거나, DUT로부터 판독한 데이터 및 무선 신호부(400)를 통하여 송신할 테스트 결과를 저장할 수 있다. 스토리지(320)는 테스트 패턴의 명령어를 저장하거나, 테스트 결과를 저장할 수 있다.
무선 신호부(400)는 외부 서버(도 3의 10)로부터 무선 통신으로 신호를 교환할 수 있다. 무선 신호부(400)는 외부 서버(10)로부터 제어 신호 및/또는 테스트 패턴의 명령어를 수신할 수 있다. 또한 무선 신호부(400)는 테스트 결과를 외부 서버(10)로 송신할 수 있다.
무선 신호부(400)는 별도로 구비된 송신용 안테나 및 수신용 안테나를 포함하거나, 송수신 겸용 안테나를 포함할 수 있다. 무선 신호부(400)와 외부 서버(10) 사이의 무선 통신은 IrDA(Infrared Data Association), RFID(Radio Frequency IDentification), 지그비(Zigbee), 블루투스(Bluetooth), 와이파이(Wi-Fi) 또는 초광대역 무선(UWB, Ultra WideBand) 방식에 의하여 이루어질 수 있다. 또는 무선 신호부(400)와 외부 서버(10) 사이의 무선 통신은, 저용량의 데이터 전송에 적합한 방식(예를 들어 지그비)과 고용량의 데이터 전송에 적합한 방식(예를 들어, Wi-Fi 또는 UWB)을 결합함으로써, 저용량 데이터인 제어 신호와 고용량의 데이터인 테스트 결과의 전송을 별도로 수행하도록 이루어질 수 있다. 또는 무선 신호부(400)와 외부 서버(10) 사이의 무선 통신은, 상기 방식들과 함께 정전기 유도 또는 자기 유도 방식을 결합하여 이루어질 수 있다. 이 경우, 무선 신호부(400)와 외부 서버(10) 사이의 무선 통신은, 수 cm 이내에서만 정보의 전송이 가능한 근접 무선(proximity wireless) 방식을 구현하여 보안성을 높일 수 있다.
무선 신호부(400)에 대한 자세한 구성은 도 4를 통하여 설명하도록 한다.
무선 전원부(500)는 무선을 통하여 충전되며, 테스트 제어부(200), 메모리(300), 무선 신호부(400), DUT 소켓(600)에 전력을 제공할 수 있다.
무선 전원부(500)는 라디오 주파수(Radio frequency, RF)파 또는 초음파를 이용하는 방사형(radiative) 방식, 자기 유도(magnetic induction)를 이용하는 유도 커플링(inductive coupling) 방식, 또는 자기장 공진을 이용하는 비방사형(non-radiative) 방식을 통해 전력을 수신받을 수 있다. 상기 방사형 방식은 모노폴(monopole)이나 PIFA(planar inverted-F antenna) 등의 안테나를 이용하여, 무선으로 전력 에너지를 수신할 수 있다. 상기 방사형 방식은, 시간에 따라 변화하는 전계나 자계가 서로 영향을 주면서 방사가 일어나며, 같은 주파수의 안테나가 있을 경우 입사파의 극(polarization) 특성에 맞게 전력을 수신할 수 있다. 상기 유도 커플링 방식은 코일을 복수회 권취하여 일측 방향으로 강한 자계를 발생시키고, 유사한 범위의 주파수 내에서 공진하는 코일을 근접시켜 커플링을 발생시킴으로써, 무선으로 전력 에너지를 수신할 수 있다. 상기 비방사형 방식은, 근거리 전자장을 통해 같은 주파수로 공진하는 두 매체들 사이에서 전자파를 이동시키는 감쇄파 결합(evanescent wave coupling)을 이용함으로써, 무선으로 전력 에너지를 수신할 수 있다.
무선 전원부(500)는 전력을 수신하기 위하여 안테나, 코일, 또는 공진기 등을 포함할 수 있다. 또한 수신된 전력을 저장하기 위한 2차 전지와 같은 배터리를 포함할 수 있다. 2차 전지는 예를 들면, 니켈-카드뮴 전지(NiCd), 니켈 수소 축전지(NiMH), 리튬 이온 전지(Li-ion), 리튬 이온 폴리머 전지(Li-ion polymer) 등일 수 있다.
무선 전원부(500)에 대한 자세한 구성은 도 4를 통하여 설명하도록 한다.
테스트 보드(100)는 보드 기판(110)을 포함할 수 있다. 보드 기판(110)은 예를 들면, 인쇄회로기판, 세라믹 기판 또는 인터포저(interposer)일 수 있다. 보드 기판(110)이 인쇄회로기판인 경우, 보드 기판은 기판 베이스, 상기 기판 베이스의 상면 및 하면에 각각 형성된 상면 패드 및 하면 패드를 포함할 수 있다. 테스트 제어부(200), 메모리부(300), 무선 신호부(400), 무선 전원부(500) 및 DUT 소켓(600)은 상기 상면 패드 및/또는 상기 하면 패드를 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 기판 베이스는 페놀 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 상기 기판 베이스는 FR4, 사관능성 에폭시(Tetrafunctional epoxy), 폴레페닐렌 에테르(Polyphenylene ether), 에폭시/폴리페닐렌 옥사이드(Epoxy/polyphenylene oxide), BT(Bismaleimide triazine), 써마운트(Thermount), 시아네이트 에스터(Cyanate ester), 폴리이미드(Polyimide) 및 액정 고분자(Liquid crystal polymer) 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 상기 상면 패드 및 상기 하면 패드는 구리, 니켈, 스테인레스 스틸 또는 베릴륨구리(beryllium copper)로 이루어질 수 있다. 상기 기판 베이스 내에는 상기 상면 패드와 상기 하면 패드를 전기적으로 연결하는 내부 배선이 형성될 수 있다. 상기 상면 패드 및 상기 하면 패드는 상기 기판 베이스의 상면 및 하면에 동박(Cu foil)을 입힌 후 패터닝된 회로 배선 중 각각 솔더레지스트층에 의하여 노출된 부분일 수 있다.
보드 기판(110)이 인터포저인 경우, 보드 기판(110)은 반도체 물질로 이루어진 기판 베이스 및 상기 기판 베이스의 상면 및 하면에 각각 형성된 상면 패드 및 하면 패드를 포함할 수 있다. 상기 기판 베이스는 예를 들면, 실리콘 웨이퍼로부터 형성될 수 있다. 또한 상기 기판 베이스의 상면, 하면 또는 내부에는 배선이 형성될 수 있다. 또한 상기 기판 베이스의 내부에는 상기 상면 패드, 상기 하면 패드 및 상기 배선들 사이를 전기적으로 연결하는 관통 비아가 형성될 수 있다.
테스트 제어부(200)는 보드 기판(110)의 일면(112), 즉 상기 기판 베이스의 상면측에 부착될 수 있다. 메모리부(300) 및 무선 신호부(400)는 보드 기판(110)의 일면(112)에 부착될 수 있다. 즉, 일부 실시 예에서, 테스트 제어부(200), 메모리부(300) 및 무선 신호부(400)는 보드 기판(110)의 동일한 면 상에 부착될 수 있다.
무선 전원부(500)는 보드 기판(110)의 타면, 즉 보드 기판(110)의 일면(112)에 반대되는 면에 부착될 수 있다. 일부 실시 예에서, 무선 전원부(500)를 구성하는 일부 구성은 보드 기판(110)의 일면(112)에 부착되고, 무선 전원부(500)를 구성하는 나머지 구성은 보드 기판(110)의 상기 타면에 부착될 수 있다.
일부 실시 예에서, 무선 신호부(400)가 구비하는 안테나와 무선 전원부(500)가 구비하는 전력을 수신하기 위한 수단, 예를 들면 안테나, 코일, 또는 공진기는 보드 기판(110)의 서로 다른 면에 부착될 수 있다.
DUT 소켓(600)은 보드 기판(110)에 연결될 수 있다. 일부 실시 예에서, DUT 소켓(600)은 보드 기판(110)의 일면(112)에 부착될 수 있다. 일부 실시 예에서, DUT 소켓(600)은 보드 기판(110)의 측면에 부착된 커넥터를 통하여 보드 기판(110)에 연결될 수 있다.
일부 실시 예에서, 테스트 보드(100)는 보드 기판(110) 및 테스트 보드(100)가 포함하는 일부 구성 요소를 덮는 케이스(120)를 더 포함할 수 있다. DUT 소켓(600)이 보드 기판(110)의 일면(112)에 부착된 경우, 케이스(120)는 DUT 소켓(600)이 노출되도록 형성될 수 있다. 케이스(120)는 무선 신호부(400)가 구비하는 안테나와 무선 전원부(500)가 구비하는 전력을 수신하기 위한 수단을 외부와 절연시킬 수 있다.
테스트 보드(100)는 신호를 교환하는 서버나 전력을 공급하는 전력 공급부와는 유선으로 연결되지 않고, DUT, 즉 테스트 대상인 반도체 패키지(120)가 수용되는 DUT 소켓(600)하고만 유선으로 연결될 수 있다. 따라서 복수의 DUT를 복수의 테스트 보드(100)를 통하여 동시에 테스트하고자 하는 경우, 서버 및/또는 전력 공급부와의 유선 연결이 필요없고, 복수의 DUT를 테스트 장비와 전기적으로 접속시키기 위한 핸들러가 불필요하므로, 테스트를 위한 설비의 크기가 축소되고, 테스트를 위한 공간 활용도가 높아질 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 보드의 요부를 나타내는 구성도이다. 도 2에 대한 내용 중 도 1에 대한 설명과 중복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 2를 참조하면, 반도체 패키지를 테스트하기 위한 테스트 보드(100a)는 테스트 제어부(200), 무선 신호부(400), 무선 전원부(500) 및 DUT 소켓(600)을 포함한다. 테스트 보드(100a)는 메모리부(300)를 더 포함할 수 있다.
테스트 제어부(200)는 DUT 소켓(600)과 통신할 수 있으며, DUT 소켓(600)에 수용되는 반도체 패키지에 대하여, 독자적으로 테스트를 수행할 수 있다.
테스트 보드(100a)는 보드 기판(110)을 포함할 수 있다. 테스트 제어부(200)는 보드 기판(110)의 일면(112)에 부착될 수 있다. DUT 소켓(600)은 보드 기판(110)에 연결될 수 있다. DUT 소켓(600)은 보드 기판(110)의 일측에 부착될 수 있다. 예를 들면, DUT 소켓(600)은 보드 기판(110)의 일측에 부착된 커넥터(650)에 연결되는 형태로, 보드 기판(110)에 연결될 수 있다.
따라서 DUT 소켓(600)은 커넥터(650)로부터 분리될 수 있다. 이 경우, DUT, 즉 테스트 대상인 반도체 패키지(도 6의 20)는 DUT 소켓(600)이 커넥터(650)로부터 분리된 상태에서, DUT 소켓(600)에 수용될 수 있으며, DUT 소켓(600)은 DUT가 수용된 상태에서 커넥터(650)에 연결될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 보드가 가지는 테스트 제어부의 동작을 설명하기 위한 구성도이다.
도 3을 참조하면, 테스트 제어부(200)는 프로세서(210), 트랜시버(220), 알고리즘 패턴 발생기(230) 및 버스(240)를 포함할 수 있다. 버스(240)는 테스트 제어부(200) 내의 구성 요소, 예를 들면 프로세서(210), 트랜시버(220) 및 알고리즘 패턴 발생기(230)들 사이를 연결할 수 있다.
일부 실시 예에서, 테스트 제어부(200)는 FPGA, ASIC, AP와 같은 단일 반도체 칩으로 구성될 수 있다. 프로세서(210), 트랜시버(220), 알고리즘 패턴 발생기(230) 중 적어도 일부는 테스트 제어부(200) 내의 기능 블록일 수 있다. 기능 블록이란, 기능 블록이라 함은 IP(Intellectual Property)라고도 호칭되며, 실제로 개발될 수 있는 기능 단위로 분할되어 있는 단위 블록을 의미한다. 테스트 제어부(200)가 단일 반도체 칩인 경우, 테스트 제어부(200)는 별도로 설계를 한 기능 블록들을 배치 및 조합한 후에, 제조 공정을 수행하여 형성될 수 있다. 또는 프로세서(210), 트랜시버(220), 알고리즘 패턴 발생기(230) 중 적어도 일부는 별도로 프로그램되어, 테스트 제어부(200) 내에서 각자의 기능을 수행하도록 테스트 제어부(200) 내에 기록된 부분들일 수 있다.
일부 실시 예에서, 프로세서(210)는 ARM 아키텍쳐로 이루어질 수 있다. 일부 실시 예에서, 트랜시버(220)는 직렬 트랜시버 및 병렬 트랜시버 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일부 실시 예에서, 트랜시버(220)는 GTP 트랜시버, GTX 트랜시버, GTH 트랜시버, 또는 GTX 트랜시버로 이루어질 수 있다.
알고리즘 패턴 발생기(230)는 온 더 플라이(on the fly)로 데이터를 생성하도록 프로그램될 수 있다. 일부 실시 예에서, 알고리즘 패턴 발생기(230)는 증분적(incremental) 패턴, 의사랜덤 패턴 또는 어떤 유형의 일정한 패턴을 생성할 수 있다. 일부 실시 예에서, 알고리즘 패턴 발생기(230)는 줄무늬, 사선 줄무늬 또는 교차적 패턴이 있는 테스트 패턴을 생성할 수 있다. 일부 실시 예에서, 알고리즘 패턴 발생기(230)는, 테스트 패턴을 생성하기 위해 유한 상태 머신, 카운터 또는 선형 피드백 시프트 레지스터를 사용할 수 있다. 일부 실시 예에서, 알고리즘 패턴 발생기(230)는 더욱 복합적인 패턴을 생성하기 위해 초기 값을 제공받을 수 있다.
서버(10)로부터 무선 통신으로 송신한 신호를 무선 신호부(400)가 수신하면, 메모리부(도 1의 300)에 저장된 후 테스트 제어부(200)로 전달되거나, 직접 테스트 제어부(200)로 전달될 수 있다. 서버(10)는 제어 신호 및/또는 테스트 패턴의 명령어를 무선 통신으로 무선 신호부(400)에 전달할 수 있다. 프로세서(210)는 제어 신호에 의하여 알고리즘 패턴 발생기(230)에서 테스트 패턴의 명령어에 따라 테스트 패턴을 생성하도록 한 후, 알고리즘 패턴 발생기(230)에서 생성한 테스트 패턴을 트랜시버(220)가 DUT(20), 즉 반도체 패키지(20)에 입력하도록 할 수 있다.
이후, 반도체 패키지(20)에서 테스트 패턴에 기인하여 출력된 신호는 트랜시버(220)가 수신할 수 있다. 프로세서(210)는 트랜시버(220)가 수신한 출력 신호를 예상 패턴과 비교하는 기능 테스트를 수행할 수 있다. 이를 통하여 반도체 패키지(20)의 결함을 식별할 수 있다. 반도체 패키지(20)의 결함 여부 및/또는 반도체 패키지(20)의 출력 신호는 무선 신호부(400)에서 무선 통신으로 송신하여, 서버(10)가 수신할 수 있다.
알고리즘 패턴 발생기(230)에서 생성한 테스트 패턴, 예상 패턴, 반도체 패키지(20)의 출력 신호, 반도체 패키지(20)의 결함 여부 중 적어도 일부는 반도체 패키지(20)를 테스트하고, 결과를 서버(10)로 송신하는 과정 중에 메모리부(300)에 저장될 수 있다.
일부 실시 예에서, 서버(10)로부터 수신된 신호, 알고리즘 패턴 발생기(230)에서 생성한 테스트 패턴, 예상 패턴, 반도체 패키지(20)의 출력 신호, 반도체 패키지(20)의 결함 여부 중 적어도 일부는 반도체 패키지(20)에 대한 테스트가 완료된 이후에도 메모리부(300)에 저장되어 있을 수 있다. 메모리부(300)에 저장된 이와 같은 정보는, 이후의 다른 반도체 패키지에 대한 테스트, 또는 테스트가 완료된 반도체 패키지(20)에 대한 재 테스트 등에서 사용될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 보드가 가지는 무선 신호부의 동작을 설명하기 위한 구성도이다.
도 4를 참조하면, 서버(10)는 예를 들면, 컴퓨터 시스템일 수 있다. 그러나 서버(10)는 휴대용 컴퓨터, 개인용 휴대 단말기(PDA), 모바일 폰(mobile phone), 중계기, 억세스 포인트(AP, Access Point), 휴대용 전자장치 등 외부 장치와 데이터를 송수신할 수 있는 전자 장치인 경우에 모두 해당될 수 있다. 서버(10)가 컴퓨터 시스템일 경우, 서버(10)는 내부 버스(B)를 통하여, CPU(12), RAM(18) 및 무선 인터페이스(16) 사이의 제어 신호 및 데이터가 전달된다. 일부 실시 예에서, 무선 인터페이스(16)에는 SATA 인터페이스(SATA I/F)이거나, ATA, SATA1, SATA2, SAS 프로토콜을 지원하는 유선 표준 인터페이스 장치 및 이와 연결되는 무선 인터페이스 장치를 포함할 수 있다. 도시된 서버(10)의 구성은, 일반적인 컴퓨터 시스템을 사용하는 경우를 예를 든 것으로, 이에 한정되지 않으며, 전술한 바와 같이 외부 장치와 무선으로 데이터를 송수신할 수 있는 전자 장치인 경우에 모두 해당될 수 있다.
전원공급부(14)는 서버(10)의 일부이거나, 별도의 외부 전원공급 장치일 수 있다.
무선 신호부(400)는 무선신호 송수신부(410), 무선신호 회로부(420) 및 무선신호 제어부(430)를 포함할 수 있다. 테스트 보드(도 1의 100 또는 도 2의 100a)는 서버(10)와 무선 통신으로 신호를 송수신할 수 있고, 이를 위하여 무선신호 송수신부(410)와 무선 인터페이스(16)을 통하여 상기 신호를 무선 통신으로 송수신할 수 있다.
무선신호 송수신부(410)는 별도로 구비된 송신용 안테나 및 수신용 안테나를 포함하거나, 송수신 겸용 안테나를 포함할 수 있다. 또한, 무선 인터페이스(16)는 별도로 구비된 송신용 안테나 및 수신용 안테나를 포함하거나, 송수신 겸용 안테나를 포함할 수 있다. 또한, 무선 인터페이스(16)는 서버(10)에 장착할 수 있는 별도의 장치일 수 있고, 무선신호 송수신 기능이 내장되지 않은 기존의 호스트에 무선 송수신 기능을 가지는 장치를 별도로 연결하여 구현될 수 있다. 또는, 무선 인터페이스(16)는 서버(10)와 일체로 이루어진 장치일 수 있고, 무선신호 송수신 기능을 서버(10)에 내장하여 구현할 수 있다.
테스트 보드(도 1의 100 또는 도 2의 100a)가 서버(10)로부터 신호를 수신하는 과정을 상세하게 설명하기로 한다. 서버(10)의 무선 인터페이스(16)가 신호를 무선 통신으로 무선신호 송수신부(410)에 전송한다. 무선신호 송수신부(410)에서 수신된 상기 신호는 무선신호 제어부(430)에 의하여 무선신호 회로부(420)로 전송된다. 무선신호 회로부(420)는 수신된 신호를 테스트 보드(도 1의 100 또는 도 2의 100a)의 내부에서 가용한 형태의 신호로 변환할 수 있다. 또한, 무선신호 회로부(420)는 무선 인터페이스(16)에 의하여 무선 수신된 신호들 중에서 실제 가용한 주파수 대역의 무선 신호를 필터링하는 필터(미도시)를 포함할 수 있다. 무선신호 회로부(420)는 서버(10)와 테스트 보드(도 1의 100 또는 도 2의 100a)의 사이에서 주고받을 수 있는 신호에 대하여 미리 정의된 주파수 대역과 프로토콜에 대한 정보를 가지고 있거나, 이러한 정보를 무선신호 제어부(430)로부터 받을 수 있다. 무선신호 회로부(420)에서 변환된 신호들 중 일부는 메모리부(도 1 또는 도 2의 300)에 저장될 수 있다.
테스트 보드(도 1의 100 또는 도 2의 100a)가 서버(10)로 신호를 송신하는 과정을 상세하게 설명하기로 한다. 무선신호 제어부(430)에 의하여 메모리부(300)에 저장된 신호 또는 테스트 제어부(도 1 또는 도 2의 200)에서 생성한 신호 중 송신할 신호는 무선신호 회로부(420)로 전송될 수 있다. 무선신호 회로부(420)는 무선신호 제어부(430)에 의하여, 메모리부(300) 또는 테스트 제어부(도 1 또는 도 2의 200)로부터 전송된 데이터를 무선 송신에 적합한 신호로 변환할 수 있다. 무선신호 회로부(420)는 예를 들면, 임펄스 생성기(impulse generator)를 포함할 수 있다. 무선신호 회로부(420)에 의하여 변환된 무선 송신에 적합한 데이터는 무선신호 송수신부(410)로 전달되어 무선 통신으로 전송될 수 있다. 이후, 무선 통신으로 전송된 신호는 무선 인터페이스(16)에 의하여 수신되어, 서버(10)로 전송될 수 있다.
무선 신호부(400)와 무선 인퍼페이스(16) 사이의 무선 신호 전송은 IrDA, RFID, 지그비, 블루투스, 와이파이 또는 초광대역 무선 방식에 의하여 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 무선 신호부(400)와 무선 인퍼페이스(16) 사이의 무선 신호 전송은 다른 무선 통신 규격, 독자적인 무선 통신 규격, 또는 새로 개발되는 무선 통신 규격에 의하여 이루어질 수 있다.
무선신호 송수신부(410)는, 예를 들어 송신용 안테나와 수신용 안테나로 각각 이루어질 수 있다. 무선신호 송수신부(410)가 안테나로 이루어지는 경우에는, 송신용 안테나와 수신용 안테나는 신호 전송에 사용되는 RF의 파장을 고려하여 설계될 수 있다. 또는, 무선신호 송수신부(410)는 신호의 송수신을 위한 코일로 이루어질 수 있다. 무선신호 송수신부(410)가 코일로 이루어지는 경우에는, 송신과 수신을 동일한 코일에서 함께 할 수도 있고, 송신과 수신 각각을 위한 개별적인 코일을 구비함으로써 각각 송신과 수신을 할 수도 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 보드가 가지는 무선 전원부의 동작을 설명하기 위한 구성도이다.
도 5를 참조하면, 무선 전원부(500)는 무선으로 테스트 보드(도 1의 100 또는 도 2의 100a)에 필요한 전원을 공급받을 수 있다. 무선 전원부(500)는 RF파 또는 초음파를 이용하는 방사형 방식, 자기 유도를 이용하는 유도 커플링 방식, 또는 자기장 공진을 이용하는 비방사형 방식을 통해 전력을 수신받을 수 있다. 무선 전원부(500)는 전력 공급부(30)로부터 무선으로 전력을 공급받을 수 있다.
전력 공급부(30)는 전력 생성부(32) 및 전력 송신부(34)를 포함할 수 있다. 전력 생성부(32)는 교류 전류 또는 직류 전류를 전송 가능한 전력 신호로 변환하여 생성할 수 있다. 전력 생성부(32)는 자체적으로 전류를 발생하거나, 외부 전력 공급원으로부터 전달된 전력을 이용하여 전력 신호로 변환할 수 있다. 전력 송신부(32)는 전력 신호를 외부로 제공할 수 있다. 외부로 제공되는 전력 신호는 교류 신호일 수 있다. 전력 송신부(32)는 안테나, 코인 또는 공진기 등을 포함할 수 있다.
무선전원부(500)는 전력 수신부(510), 전력 변환부(520), 전력 저장제공부(530), 전력 검출부(540), 및 전력 제어부(550)를 포함할 수 있다.
전력 수신부(510)는 외부로부터, 예를 들어 전력 공급부(30)로부터 공급되는 전력을 수신하여 전력 변환부(520)로 전송한다. 전력 수신부(510)는 안테나, 코일, 또는 공진기 등을 포함할 수 있고, 외부로부터 공급되는 전력 신호는 교류 신호일 수 있다. 이 경우에, 상기 전력 신호는 상술한 방사형 방식, 유도 커플링 방식, 또는 비방사형 방식에 의하여 수신될 수 있다. 필요한 경우, 전력 수신부(510)는 상기 외부 전력 신호를 고주파 교류 전류로 변환하도록 구성될 수 있다.
전력 변환부(520)는 전력 수신부(510)로부터 수신된 전력 신호, 예를 들어 교류 신호를 직류 신호로 변환할 수 있다. 구체적으로, 전력 변환부(520)는 전압제한회로(미도시) 및 정류회로(미도시)를 포함할 수 있다. 상기 전압제한회로는 상기 교류 신호가 과도하게 공급되는 것을 방지하는 기능을 할 수 있다. 상기 정류회로는 상기 교류 신호를 직류 전류로 정류할 수 있다. 전력 수신부(510)로부터 직류 신호가 전달되는 경우에는, 전력 변환부(520)는 생략되거나 또는 상기 직류 신호를 소정의 전압으로 변환시키는 기능을 할 수 있다. 이어서, 전력 변환부(520)에 의해 변환된 상기 직류 신호는 전력 저장제공부(530)로 전달될 수 있다.
전력 저장제공부(530)는 커패시터와 같은 전력 저장 소자를 포함할 수 있고, 전력 변환부(520)로부터 전송된 상기 직류 신호를 저장할 수 있다. 또한 전력 저장제공부(530)는 2차 전지를 포함할 수 있다. 즉, 전력 저장제공부(530)는 전력을 테스트 보드(도 1의 100 또는 도 2의 100a)가 구동하는 동안 일시적으로 저장하거나, 전력을 장기적으로 저장할 수 있으며, 이 2가지를 함께 할 수 도 있다. 전력 저장제공부(530)는 후술할 전력 제어부(550)에 의하여 제어되어, 테스트 보드(도 1의 100 또는 도 2의 100a) 전반에 공급할 수 있다.
전력 검출부(540)는 전력 변환부(520)로부터 전력 저장제공부(530)로 공급되는 전력 값, 예를 들어 전압 값 및 전류 값을 지속적으로 측정하고, 상기 전압 값 및 상기 전류 값에 관한 정보를 전력 제어부(550)에 전달한다. 예를 들어, 전력 검출부(540)는 상기 전압 값 및 상기 전류 값을 직접 측정할 수 있는 저항소자를 포함하는 회로일 수 있다.
전력 제어부(550)는 무선전원부(500)의 전반적인 동작을 제어할 수 있다. 전력 제어부(550)는 전력 검출부(540)로부터 전송된 상기 전압 값 및 전류 값을 수신하여, 이에 따라 전력 제공부(530)의 구동을 제어할 수 있다. 예를 들어, 전력 제어부(550)는, 전력 검출부(540)에서 측정되어 전송된 상기 전압 값 및 상기 전류 값을 소정의 기준 전압 값 및 기준 전류 값과 비교함으로써, 전력 저장제공부(530)에 과전압 또는 과전류가 발생하지 않도록 제어할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참조하면, 테스트 시스템(1000)은 서버(10) 및 복수의 테스트 보드(100)를 포함할 수 있다. 일부 실시 예에서, 복수의 테스트 보드(100)는 테스트 선반(Test rack, 50)에 배치될 수 있다. 복수의 테스트 보드(100) 각각은 전력 공급부(30)로부터 무선으로 전력을 공급받을 수 있다. 복수의 테스트 보드(100) 각각은 전력 공급부(30)로부터 무선으로 전력을 받아, 전력 저장제공부(도 5의 530)를 충전시킬 수 있다.
이후, 디바이스 탈착 장치(40)에서 복수의 테스트 보드(100)에 복수의 DUT(20), 즉 반도체 패키지(20)가 접속할 수 있다. 복수의 반도체 패키지(20) 각각은 복수의 테스트 보드(100) 각각에 접속할 수 있다. 반도체 패키지(20)는 DUT 소켓(도 1의 600)에 수용되어 테스트 보드(100)에 접속할 수 있다. 즉, 복수의 테스트 보드(100)는 DUT 소켓(600)에 반도체 패키지(20)를 수용하기 전에 전력 저장제공부(530)를 충전시킬 수 있다.
각각 반도체 패키지(20)가 접속된 복수의 테스트 보드(100)는 테스트 선반(50)에 배치되어 서버(10)와의 무선 통신으로 신호를 교환하며 각각 독자적으로 반도체 패키지(20)에 대한 테스트를 동시에 독자적으로 수행할 수 있다.
반도체 패키지(20)에 대한 테스트는 예를 들면, DC 테스트, AC 테스트 또는, 기능(Function) 테스트를 포함할 수 있다. 상기 DC 테스트는 변하지 않는 아날로그 신호로 전압 또는 전류를 입력한 후, 전압 인가에 대한 전류를 측정하거나 전류 인가에 대한 전압을 측정할 수 있다. 상기 AC 테스트는 변하는 아날로그 신호로 주로 전압을 입력한 후, 기준 신호에 대하여 측정 신호가 변화는 시점을 측정할 수 있다. 기능 테스트는 변하는 디지털 신호를 입력한 후, 논리 오류 여부를 판단할 수 있다.
일부 실시 예에서, 반도체 패키지(20)에 대한 테스트는 상온 조건, 저온 조건, 고온 조건 등에서 수행될 수 있다. 반도체 패키지(20)에 대한 테스트는 건조한 조건, 다습한 조건 등에서 수행될 수 있다. 일부 실시 예에서 테스트 선반(50)은 온도 및/또는 습도 환경을 다양하게 제공할 수 있다.
일부 실시 예에서, 복수의 테스트 보드(100)가 그 자체로 최소한의 공간을 차지하도록 배치하고, 그 경우에도 DUT 소켓(600)에 수용된 반도체 패키지(20)의 손상을 방지할 수 있는 경우, 별도의 테스트 선반(50)은 사용되지 않을 수 있다. 예를 들면, 테스트 보드(100)가 가지는 케이스(120)에 의하여 복수의 테스트 보드(100)를 안정적으로 쌓아 올릴 수 있거나, DUT 소켓(600)에 수용된 반도체 패키지(20)가 다른 테스트 보드(100)와 접촉하지 않을 수 있는 경우, 별도의 테스트 선반(50)은 사용되지 않을 수 있다. 별도의 테스트 선반(50)을 사용하지 않는 경우, 테스트 시스템(1000)은 온도 및/또는 습도 환경을 변화시킬 수 있는 공간에서 수행될 수 있다.
테스트가 완료된 후, 디바이스 탈착 장치(40)에서 복수의 테스트 보드(100)에 접속된 반도체 패키지(20)를 분리할 수 있다. 일부 실시 예에서, 디바이스 탈착 장치(40)는 테스트를 통과(pass)한 반도체 패키지(20), 테스트 통과를 실패(fail)한 반도체 패키지(20)를 구분하여 테스트 보드(100)로부터 분리할 수 있다. 일부 실시 예에서, 디바이스 탈착 장치(40)는 테스트를 실패한 반도체 패키지(20) 중, 수리 가능한 반도체 패키지(20), 재 테스트(re-test)를 수행할 반도체 패키지(20) 및 폐기할 반도체 패키지(20)를 구분하여 테스트 보드(100)로부터 분리할 수 있다.
일부 실시 예에서, 재 테스트를 수행할 반도체 패키지(20)는 테스트 보드(100)로 분리되지 않고 재 테스트가 수행될 수 있다. 또는 일부 실시 예에서, 재 테스트를 수행할 반도체 패키지(20)는 테스트가 수행된 테스트 보드(100)로부터 분리된 후, 다른 테스트 보드(100)에 접속하여 재 테스트가 수행될 수 있다.
별도로 도시하지는 않았으나, 테스트 보드(100)를 도 2에 보인 테스트 보드(100a)로 대체하는 것 또한 가능하다.
도 7은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템이 가지는 테스트 보드 및 전력 공급부의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 7을 참조하면, 전력 공급부(30)는 전력 생성부(32) 및 전력 송신부(34)를 포함할 수 있다. 일부 실시 예에서, 전력 공급부(30)는 비접촉식 에너지 전송 기술로, 자기 유도를 이용하는 유도 커플링 방식으로 전력을 무선으로 공급할 수 있으며, 이 경우 전력 공급부(30)는 복수의 전력 송신부(34)를 포함할 수 있다. 복수의 전력 송신부(34)는 소정의 간격을 가지며 전력 생성부(32)와 연결될 수 있다. 복수의 전력 송신부(34)가 가지는 소정의 간격은 테스트 보드(100)의 두께보다 큰 값을 가질 수 있다. 전력 공급부(30)의 복수의 전력 송신부(34) 상에는 각각 테스트 보드(100)가 배치될 수 있다. 복수의 전력 송신부(34) 각각으로부터 무선으로 전력을 공급받은 테스트 보드(100)의 무선 전원부(500)는 전력이 저장, 즉 충전될 수 있다.
일부 실시 예에서, 전력 공급부(30)는 RF파 또는 초음파를 이용하는 방사형 방식을 통해 전력을 공급할 수 있다. 이 경우, 전력 공급부(30)는 하나의 전력 송신부(34)를 포함할 수 있다. 복수의 테스트 보드(100)는 전력 공급부(30)의 전력 송신부(34)로부터 수 미터 이내에 배치되어, 무선으로 전력을 공급받을 수 있다.
또는 자기장 공진을 이용하는 비방사형 방식을 통해 전력을 공급할 수 있다. 이 경우, 전력 공급부(30)는 다른 공진 주파수를 가지는 복수의 전력 송신부(34)를 포함할 수 있으며, 복수의 테스트 보드(100) 각각은 복수의 전력 송신부(34)가 가지는 다른 공진 주파수에 대응되는 전력 수신부(도 5의 510)를 가질 수 있다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템의 테스트 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 8을 참조하면, 반도체 패키지(20)가 접속된 복수의 테스트 보드(100)는 서버(10)와의 무선 통신으로 신호를 교환하며 각각 반도체 패키지(20)에 대한 테스트를 수행할 수 있다. 일부 실시 예에서, 복수의 테스트 보드(100)는 테스트 선반(50)에 배치될 수 있다.
복수의 테스트 보드(100) 각각은 서로 다른 인식 코드를 가질 수 있다. 예를 들면 상기 인식 코드는 맥 주소(Media Access Control address)일 수 있다. 따라서 복수의 테스트 보드(100)는 서버(10)로부터 동시에 또는 순차적으로 신호를 무선으로 받아서, 테스트를 수행할 수 있다. 또한 무선 전원부(500)가 이미 충전이 되어 있기 때문에, 복수의 테스트 보드(100) 각각은 별도의 전력 공급을 위한 연결선이 없이도 테스트가 수행될 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템의 구성 및 동작을 설명하기 위한 도면이다. 도 9에 대한 내용 중 도 6에 대한 설명과 중복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 9를 참조하면, 테스트 시스템(1000a)은 서버(10) 및 복수의 테스트 보드(100)를 포함할 수 있다. 디바이스 탈착 장치(40)에서 복수의 테스트 보드(100)에 복수의 DUT(20), 즉 반도체 패키지(20)가 접속할 수 있다. 복수의 반도체 패키지(20) 각각은 복수의 테스트 보드(100) 각각에 접속할 수 있다.
이후, 각각 반도체 패키지(20)가 접속된 복수의 테스트 보드(100)는 전력 공급부(30)로부터 무선으로 전력을 공급받으며, 서버(10)와의 무선 통신으로 신호를 교환하며 각각 반도체 패키지(20)에 대한 테스트를 수행할 수 있다.
즉, 복수의 테스트 보드(100)는 DUT 소켓(600)에 반도체 패키지(20)를 수용하여, 테스트를 수행하면서 전력 저장제공부(도 5의 530)를 충전시킬 수 있다. 일부 실시 예에서, 복수의 테스트 보드(100)는 DUT 소켓(600)에 반도체 패키지(20)를 수용하기 전에 전력 저장제공부(530)의 적어도 일부가 충전되어 있을 수 있다.
일부 실시 예에서, 복수의 테스트 보드(100)는 테스트 선반(50)에 배치될 수 있다.
테스트가 완료된 후, 디바이스 탈착 장치(40)에서 복수의 테스트 보드(100)에 접속된 반도체 패키지(20)를 분리할 수 있다.
별도로 도시하지는 않았으나, 테스트 보드(100)를 도 2에 보인 테스트 보드(100a)로 대체하는 것 또한 가능하다.
도 10은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템의 테스트 방법을 설명하기 위한 도면이다. 도 10에 대한 내용 중 도 7 및 도 8에 대한 설명과 중복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 10을 참조하면, 반도체 패키지(20)가 접속된 복수의 테스트 보드(100)는 전력 공급부(30)로부터 무선으로 전력을 공급받으며, 서버(10)와의 무선 통신으로 신호를 교환하며 각각 반도체 패키지(20)에 대한 테스트를 수행할 수 있다.
일부 실시 예에서, 전력 공급부(30)와 테스트 선반(50)은 일체로 이루어질 수 있다.
또한 무선 전원부(500)에는 복수의 테스트 보드(100) 각각이 테스트를 수행하는 과정에도 계속 무선으로 전력이 공급되므로, 복수의 테스트 보드(100) 각각은 별도의 전력 공급을 위한 연결선이 없이도 안정적인 테스트가 수행될 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템이 가지는 전력 공급부 및 테스트 보드의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 11을 참조하면, 전력 공급부(30)는 전력 생성부(32) 및 복수의 전력 송신부(34)를 포함할 수 있다. 전력 송신부(34)는 전력 신호 발생부(34a) 및 전력 신호 발생부(34a)를 감싸는 커버부(34b)를 포함할 수 있다. 전력 신호 발생부(34a)는 전력 생성부(32)와 전력 배선(36)을 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.
전력 송신부(34) 상에는 테스트 보드(100)가 배치될 수 있다. 테스트 보드(100)는 보드 기판(110), 케이스(120), 무선신호 송수신부(410), 전력 수신부(510) 및 전력 저장제공부(530)를 포함할 수 있다. 도시하지는 않았으나, 테스트 보드(100)는 도 1 및 도 3 내지 도 5에서 설명한 테스트 보드(100)의 다른 구성 요소들을 더 포함할 수 있다. 또한 테스트 보드(100)는 도 2에 보인 테스트 보드(100a)로 대체될 수 있다.
보드 기판(110)의 일면(112) 상에는 무선신호 송수신부(410)가 배치되고, 타면(114) 상에는 전력 수신부(510)가 배치될 수 있다. 일부 실시 예에서, 전력 수신부(510)는 전력 신호 발생부(34a)와의 사이에 1㎝ 내외 또는 1㎝ 이하의 간격을 가지면서 비접촉식으로 전력을 무선으로 공급받을 수 있다.
보드 기판(110)의 일면(112) 상에는 전력 저장제공부(530)가 배치될 수 있다. 또는 일부 실시 예에서, 보드 기판(110)의 일면(112) 상에는 전력 저장제공부(530)가 포함하는 2차 전지와 같은 배터리가 배치될 수 있다.
무선신호 송수신부(410)와 전력 수신부(510)는 보드 기판(110)의 서로 다른 면 상에 배치되는 바, 간섭의 영향을 최소화할 수 있다. 전력 수신부(510)는 보드 기판(110)의 타면(114)의 면적을 최대한 사용할 수 있는 바, 전력 수신 효율이 증가될 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따른 테스트 시스템이 가지는 전력 공급부 및 테스트 보드의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 도 12에 대한 내용 중 도 11에 대한 설명과 중복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 12를 참조하면, 전력 공급부(30)는 전력 생성부(32) 및 복수의 전력 송신부(34)를 포함할 수 있다. 전력 송신부(34)는 전력 신호 발생부(34a) 및 전력 신호 발생부(34a)를 감싸는 커버부(34b)를 포함할 수 있다. 전력 신호 발생부(34a)는 전력 생성부(32)와 전력 배선(36)을 통하여 전기적으로 연결될 수 있다.
전력 송신부(34) 상에는 테스트 보드(100)가 배치될 수 있다. 테스트 보드(100)는 보드 기판(110), 케이스(120), 무선신호 송수신부(410), 전력 수신부(510) 및 전력 저장제공부(530)를 포함할 수 있다.
보드 기판(110)의 일면(112) 상에는 무선신호 송수신부(410)가 배치되고, 타면(114) 상에는 전력 수신부(510)가 배치될 수 있다. 보드 기판(110)의 타면(114) 상에는 전력 저장제공부(530)가 배치될 수 있다. 또는 일부 실시 예에서, 보드 기판(110)의 타면(114) 상에는 전력 저장제공부(530)가 포함하는 2차 전지와 같은 배터리가 배치될 수 있다.
전력 수신부(510)는 보드 기판(110)의 타면(114)의 가장자리를 따라서 배치되어, 전력 저장제공부(530)를 둘러쌀 수 있다.
무선신호 송수신부(410)와 전력 수신부(510)는 보드 기판(110)의 서로 다른 면 상에 배치되는 바, 간섭의 영향을 최소화할 수 있다. 전력 수신부(510)와 전력 저장제공부(530)는 보드 기판(110)의 타면(114)에 함께 배치되는 바, 전력 수신부(510)가 수신한 전력 신호의 손실을 최소화하며 전력 저장제공부(530)을 충전시킬 수 있다. 따라서 실질적인 전력 수신 효율이 증가될 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 제조 방법을 설명하는 흐름도이다.
도 13을 도 1 내지 도 12와 함께 참조하면, 반도체 패키지(20)를 제조한다(S100).
반도체 패키지(20)를 제조하는 과정을 구체적으로 살펴보면, 우선 반도체 기판을 준비하여 반도체 소자를 제조한다. 상기 반도체 소자는 예를 들면, 시스템 LSI, 플래쉬 메모리, DRAM, SRAM, EEPROM, PRAM, MRAM, 또는 RRAM을 포함할 수 있다.
상기 반도체 기판은 예를 들면, 실리콘(Si, silicon)을 포함할 수 있다. 또는 상기 반도체 기판은 저머늄(Ge, germanium)과 같은 반도체 원소, 또는 SiC (silicon carbide), GaAs(gallium arsenide), InAs (indium arsenide), 및 InP (indium phosphide)와 같은 화합물 반도체를 포함할 수 있다. 또는 상기 반도체 기판은 SOI (silicon on insulator) 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 상기 반도체 기판은 BOX 층(buried oxide layer)을 포함할 수 있다.
이후, 상기 반도체 기판에 도전 영역 및 활성 영역들을 한정하는 소자 분리 구조를 형성한다. 상기 도전 영역, 예를 들면 불순물이 도핑된 웰(well)을 포함할 수 있다. 상기 소자 분리 구조는, 예를 들면 STI (shallow trench isolation) 구조, 또는 DTI(deep trench isolation) 구조와 같은 다양한 소자분리 구조로 이루어질 수 있다.
이후 소자 분리 구조에 의하여 한정되는 활성 영역들을 가지는 상기 반도체 기판에 다양한 종류의 복수의 개별 소자를 포함하는 반도체 소자를 형성한다. 상기 복수의 개별 소자는 다양한 미세 전자 소자 (microelectronic devices), 예를 들면 CMOS 트랜지스터 (complementary metal-insulator-semiconductor transistor) 등과 같은 MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor), 시스템 LSI (large scale integration), CIS (CMOS imaging sensor) 등과 같은 이미지 센서, MEMS (micro-electro-mechanical system), 능동 소자, 수동 소자 등을 포함할 수 있다.
상기 복수의 개별 소자는 상기 도전 영역에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 반도체 소자는 상기 복수의 개별 소자 중 적어도 2개, 또는 상기 복수의 개별 소자와 상기 도전 영역을 전기적으로 연결하는 도전성 배선 또는 도전성 플러그를 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 복수의 개별 소자는 각각 절연막에 의하여 이웃하는 다른 개별 소자들과 전기적으로 분리될 수 있다. 상기 반도체 소자는 상기 복수의 개별 소자를 구동시키기 위한 다양한 회로 요소들을 포함할 수 있다. 또한 상기 반도체 소자는 상기 복수의 개별 소자들 사이 및/또는 회로 요소들을 전기적으로 연결시키는 금속 배선 또는 금속 비아 및 금속간 절연막을 포함할 수 있다.
상기 반도체 기판에 복수의 반도체 소자를 형성한 후, 개별 반도체 소자를 분리 및 패키징하여 반도체 패키지(20)를 형성한다. 반도체 패키지(20)는 DUT 소켓(600)과 접속할 수 있는 연결 단자를 가지도록 형성될 수 있다.
일부 실시 예에서, 반도체 패키지(20)는 복수의 반도체 소자, 즉 복수의 반도체 칩 다이를 포함할 수 있다. 일부 실시 예에서 반도체 패키지(20)는 복수의 동종인 반도체 칩 다이를 포함할 수 있다. 일부 실시 예에서 반도체 패키지(20)는 복수의 이종인 반도체 칩 다이를 포함할 수 있다.
일부 실시 예에서 반도체 패키지(20)는 PoP(Package on Package), Chip scale packages(CSPs), Die in Waffle Pack, Die in Wafer Form, Chip On Board(COB), System In Package(SIP), Multi Chip Package(MCP), Wafer-level Fabricated Package(WFP), Wafer-Level Processed Stack Package(WSP)일 수 있다.
이후 제조된 반도체 패키지(20)에 대한 테스트를 수행한다(S200). 반도체 패키지(20)에 대한 테스트는 예를 들면, DC 테스트, AC 테스트 또는 기능 테스트를 포함할 수 있다. 반도체 패키지(20)에 대한 테스트를 진행하기 위하여 반도체 패키지(20)를 테스트 보드(100, 100a)의 테스트 소켓(600)에 접속한다. 이후 테스트 보드(100, 100a)는 서버(10)로부터 제어 신호 및/또는 테스트 패턴의 명령어를 무선 통신으로 수신하여, 독자적으로 반도체 패키지(20)에 대한 테스트를 수행할 수 있다. 이때, 복수의 테스트 보드(100, 100a)에 복수의 반도체 패키지(20)를 접속한 후, 복수의 반도체 패키지(20)에 대한 테스트를 복수의 테스트 보드(100, 100a)가 각각 독자적으로 동시에 수행할 수 있다. 이후 복수의 테스트 보드(100, 100a)에 접속된 복수의 반도체 패키지(20) 각각에 대한 테스트 결과는 무선 통신으로 서버(10)로 송신될 수 있다.
복수의 테스트 보드(100, 100a) 각각은 무선으로 수신하여 무선 전원부(500)에 저장된 전력을 제공받아 반도체 패키지(20)에 대한 테스트를 수행할 수 있다. 일부 실시 예에서, 복수의 테스트 보드(100, 100a) 각각은 테스트 보드(100, 100a)에 반도체 패키지(20)가 접속하기 전, 즉 테스트를 수행하기 전에 전력을 무선으로 제공받아 무선 전원부(500)의 전력 저장제공부(530)를 미리 충전시킬 수 있다. 일부 실시 예에서, 복수의 테스트 보드(100, 100a) 각각은 테스트 보드(100, 100a)에 반도체 패키지(20)가 접속하여 테스트를 수행하는 도중에, 전력을 무선으로 제공받아 테스트를 수행할 수 있다.
테스트 결과가 통과(pass)인지를 확인하여(S300), 테스트를 통과(Y)한 반도체 패키지(20)는 출하되어 시장에 공급될 수 있다(S400). 반면, 테스트 결과가 통과인지를 확인하여(S300), 테스트 통과에 실패(N)한 반도체 패키지(20)는 판단 과정을 거치게 된다(S500).
테스트를 통과한 반도체 패키지(20)는 테스트 보드(100, 100a)로부터 분리된 후에, 시장에 공급될 수 있다. 일부 실시 예에서, 테스트 보드(100, 100a)에 반도체 패키지(20)를 접속시키고 분리시키기 위하여 디바이스 탈착 장치(40)가 이용될 수 있다.
테스트 통과에 실패한 반도체 패키지(20)는 재 테스트를 수행 여부 또는 수리 여부를 판단하게 된다(S500). 이러한 판단은 테스트 결과를 분석하여 이루어질 수 있다. 예를 들면, 테스트 보드(100, 100a)의 불량이 의심되거나, 테스트 결과가 명확하지 않은 경우, 재 테스트를 수행할 수 있다. 재 테스트를 수행하는 경우, 필요에 따라서 테스트 보드(100, 100a)를 교체하여 테스트가 수행될 수 있다. 또는 테스트 결과가 수리 가능한 것으로 판단되면, 반도체 패키지(20)에 대한 수리를 실시한 후(S600), 재 테스트를 수행할 수 있다. 반면에 수리 불가능한 것으로 판단된 반도체 패키지(20) 또는 재 테스트에서도 통과에 실패한 반도체 패키지(20)는 폐기될 수 있다(S700). 일부 실시 예에서, 재 테스트에서도 통과에 실패한 반도체 패키지(20)의 경우에도 수리를 한 후에(S600) 재 테스트를 수행하거나, 바로 재 테스트를 수행할 수 있다.
본 발명에 따른 테스트 시스템(1000, 1000a)을 이용한 테스트 방법 및 이를 포함하는 반도체 패키지의 제조 방법은, 테스트를 위한 설비의 크기가 축소되어, 테스트를 위한 공간 활용도가 높아질 수 있다.
또한, 독자적으로 테스트를 수행할 수 있는 테스트 보드(100, 100a)를 이용하여 테스트를 수행하므로, 상대적으로 적은 개수의 반도체 패키지(20)에 대한 테스트 또한 용이하게 실시할 수 있다. 예를 들면, 테스트 통과에 실패하여 재 테스트를 수행할 반도체 패키지(20)의 개수가 적은 경우에도 일정 개수 이상의 테스트 대상인 반도체 패키지(20)가 준비될 때까지 기다리지 않고 바로 테스트를 수행할 수 있다. 따라서 테스트 대상 및/또는 재 테스트 대상인 반도체 패키지(20)의 관리 또한 용이하여 반도체 패키지(20)를 제조하여 출하하는데 소요되는 시간을 단축시킬 수 있다.
예를 들면, 상대적으로 소량이 생산되는 반도체 패키지(20)의 경우에는 테스트 설비를 위한 공간을 최소화하여 테스트를 수행할 수 있다. 또는 이미 출하된 반도체 패키지(20)에 대하여 클레임(claim)이 제기되어, 원인 분석 등을 하는 경우에도 작은 공간을 활용하여 독자적인 테스트의 수행이 가능할 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러가지 변형 및 변경이 가능하다.
10 : 서버, 20 : DUT/반도체 패키지, 30 : 전력 공급부, 40 : 디바이스 탈착 장치, 테스트 선반, 100, 100a : 테스트 보드, 110 : 보드 기판, 200 : 테스트 제어부, 300 : 메모리부, 400 : 무선 신호부, 500 : 무선 전원부, 600 : DUT 소켓, 1000, 1000a : 테스트 시스템
Claims (20)
- 보드 기판;
상기 보드 기판에 연결되며 반도체 패키지를 수용하는 DUT(Device Under Test) 소켓;
상기 보드 기판에 부착되는 테스트 제어부;
서버와 무선 통신으로 신호를 교환하는 무선 신호부; 및
무선을 통하여 충전되며, 테스트 제어부 및 DUT 소켓에 전력을 제공하는 무선 전원부;을 포함하며,
상기 테스트 제어부는 상기 서버로부터 상기 무선 신호부가 수신한 테스트 패턴의 명령어에 의하여, 상기 DUT 소켓에 수용된 상기 반도체 패키지에 대하여 독자적으로 테스트를 수행하고,
상기 무선 신호부는, 상기 보드 기판의 일면에 부착되는 무선신호 송수신부;를 포함하며,
상기 무선 전원부는, 상기 보드 기판의 타면에 부착되는 전력 수신부; 및 상기 전력 수신부가 수신한 전력을 저장 및 제공하며 2차 전지로 이루어지는 전력 저장제공부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 보드. - 제1 항에 있어서,
상기 테스트 제어부는, 상기 보드 기판의 상기 일면에 부착되는 것을 특징으로 하는 테스트 보드. - 제1 항에 있어서,
상기 전력 저장제공부는 상기 보드 기판의 상기 일면에 부착되는 것을 특징으로 하는 테스트 보드. - 제1 항에 있어서,
상기 전력 저장제공부는 상기 보드 기판의 상기 타면에 부착되는 것을 특징으로 하는 테스트 보드. - 제1 항에 있어서,
상기 테스트 제어부는, FPGA(Field Programmable Gate Array)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 테스트 보드. - 제5 항에 있어서,
상기 테스트 제어부는 프로세서; 테스트가 수행될 상기 반도체 패키지와 통신하는 트랜시버(transceiver); 및 상기 테스트 패턴의 명령어를 상기 반도체 패키지에 인가할 신호로 변환하는 알고리즘 패턴 발생기(Algorithmic Pattern Generator);를 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 보드. - 서버;
상기 서버와 무선 통신으로 신호를 교환하는 복수의 테스트 보드; 및
상기 복수의 테스트 보드 각각으로 무선을 통하여 전력을 공급하는 전력 공급부;
를 포함하며,
상기 복수의 테스트 보드 각각은,
보드 기판;
상기 보드 기판에 연결되며 반도체 패키지를 수용하는 DUT 소켓;
상기 서버와 무선 통신으로 신호를 교환하는 무선 신호부
상기 보드 기판에 부착되며, 상기 서버로부터 상기 무선 신호부를 통하여 무선 통신으로 수신한 테스트 패턴의 명령어에 의하여, 상기 DUT 소켓에 수용된 상기 반도체 패키지에 대하여 독자적으로 테스트를 수행하는 테스트 제어부; 및
상기 전력 공급부로부터 무선을 통하여 전력을 공급받아 충전되며, 테스트 제어부 및 DUT 소켓에 전력을 제공하는 무선 전원부;을 포함하여,
상기 DUT 소켓에 수용된 상기 반도체 패키지에 대하여 동시에 독자적으로 테스트를 수행하되,
상기 무선 신호부는, 상기 보드 기판의 일면에 부착되는 무선신호 송수신부;를 포함하며,
상기 무선 전원부는, 상기 보드 기판의 타면에 부착되는 전력 수신부; 및 상기 전력 수신부가 무선을 통하여 수신한 전력을 저장 및 제공하며 2차 전지로 이루어지는 전력 저장제공부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 시스템. - 제7 항에 있어서,
상기 전력 저장제공부는 상기 보드 기판의 상기 일면에 부착되는 것을 특징으로 하는 테스트 시스템. - 제7 항에 있어서,
상기 전력 공급부는, 상기 복수의 테스트 보드 각각이 테스트를 수행하는 도중에 상기 복수의 테스트 보드 각각의 상기 무선 전원부로 무선을 통하여 전력을 공급하는 것을 특징으로 하는 테스트 시스템. - 제7 항에 있어서,
상기 전력 공급부는, 상기 복수의 테스트 보드 각각의 상기 DUT 소켓에 상기 반도체 패키지를 수용하기 전에, 상기 복수의 테스트 보드 각각의 상기 무선 전원부로 무선을 통하여 전력을 공급하여, 상기 전력 저장제공부를 충전시키는 것을 특징으로 하는 테스트 시스템. - 제7 항에 있어서,
상기 전력 저장제공부는, 상기 보드 기판의 타면에 부착되는 것을 특징으로 하는 테스트 시스템. - 제7 항에 있어서,
상기 복수의 테스트 보드 각각의 상기 DUT 소켓에, 테스트를 수행하기 위한 상기 반도체 패키지를 탈착하는 디바이스 탈착 장치;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 시스템. - 제7 항에 있어서,
상기 DUT 소켓은, 상기 테스트 보드가 가지는 보드 기판의 일면에 부착되는 것을 특징으로 하는 테스트 시스템. - 제7 항에 있어서,
상기 DUT 소켓은, 상기 테스트 보드가 가지는 보드 기판의 일측에 부착된 커넥터에 연결되는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 테스트 시스템. - 제7 항에 있어서,
상기 복수의 테스트 보드 각각은, 상기 서버로부터 무선 통신으로 수신한 테스트 패턴의 명령어 및 상기 테스트 제어부에 의하여 수행된 테스트의 결과를 저장하는 메모리부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 시스템. - 제15 항에 있어서,
상기 메모리부는,
휘발성 메모리로 이루어지는 버퍼와 비휘발성 메모리로 이루어지는 스토리지를 포함하는 것을 특징으로 하는 테스트 시스템. - 복수의 반도체 패키지를 제조하는 단계; 및
복수의 상기 반도체 패키지에 대하여 테스트를 수행하는 단계;를 포함하며,
상기 테스트를 수행하는 단계는,
보드 기판; 상기 보드 기판에 연결되는 DUT 소켓, 상기 보드 기판에 부착되는 테스트 제어부, 무선 신호부, 및 무선을 통하여 충전되며 테스트 제어부, 및 DUT 소켓에 전력을 제공하는 무선 전원부를 각각 포함하는 복수의 테스트 보드를 준비하는 단계;
상기 복수의 테스트 보드의 DUT 소켓에 상기 복수의 반도체 패키지를 수용하는 단계; 및
서버로부터 상기 무선 신호부를 통하여 무선 통신으로 수신한 테스트 패턴의 명령어에 의하여, 상기 DUT 소켓에 수용된 상기 반도체 패키지에 대하여 독자적으로 테스트를 수행하는 단계;를 포함하여, 상기 복수의 테스트 보드 각각의 상기 DUT 소켓에 수용된 상기 반도체 패키지에 대하여 동시에 독자적으로 테스트를 수행하되,
상기 무선 신호부는, 상기 보드 기판의 일면에 부착되는 무선신호 송수신부;를 포함하며,
상기 무선 전원부는, 상기 보드 기판의 타면에 부착되는 전력 수신부; 및 상기 전력 수신부가 수신한 전력을 저장 및 제공하며 2차 전지로 이루어지는 전력 저장제공부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법. - 제17 항에 있어서,
상기 복수의 테스트 보드 각각의 2차 전지가 충전되도록, 상기 무선 전원부로 무선을 통하여 전력을 공급하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법. - 제18 항에 있어서,
상기 전력을 공급하는 단계는,
상기 DUT 소켓에 상기 복수의 반도체 패키지를 수용하는 단계 전에, 상기 2차 전지를 충전하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법. - 제18 항에 있어서,
상기 전력을 공급하는 단계는,
상기 테스트를 수행하는 단계 도중에, 상기 2차 전지를 충전하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160095491A KR102581480B1 (ko) | 2016-07-27 | 2016-07-27 | 반도체 패키지를 위한 테스트 보드, 테스트 시스템 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
| US15/455,550 US10088521B2 (en) | 2016-07-27 | 2017-03-10 | Test board for semiconductor package, test system, and method of manufacturing semiconductor package |
| CN201710319742.4A CN107664740B (zh) | 2016-07-27 | 2017-05-08 | 用于半导体封装的测试板和测试系统 |
| TW106116467A TWI750173B (zh) | 2016-07-27 | 2017-05-18 | 半導體封裝測試板與測試系統 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160095491A KR102581480B1 (ko) | 2016-07-27 | 2016-07-27 | 반도체 패키지를 위한 테스트 보드, 테스트 시스템 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180012531A KR20180012531A (ko) | 2018-02-06 |
| KR102581480B1 true KR102581480B1 (ko) | 2023-09-21 |
Family
ID=61009639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160095491A KR102581480B1 (ko) | 2016-07-27 | 2016-07-27 | 반도체 패키지를 위한 테스트 보드, 테스트 시스템 및 반도체 패키지의 제조 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10088521B2 (ko) |
| KR (1) | KR102581480B1 (ko) |
| CN (1) | CN107664740B (ko) |
| TW (1) | TWI750173B (ko) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20190148969A1 (en) * | 2017-11-15 | 2019-05-16 | Metawave Corporation | Method and apparatus for wireless charging of a mobile device |
| US10972192B2 (en) * | 2018-05-11 | 2021-04-06 | Teradyne, Inc. | Handler change kit for a test system |
| CN109031095A (zh) * | 2018-07-23 | 2018-12-18 | 清华大学 | 用于植入式医疗仪器电路板自动测试的探针接触式工装 |
| CN109388581A (zh) * | 2018-10-08 | 2019-02-26 | 郑州云海信息技术有限公司 | 一种非易失性内存储器管理方法与装置 |
| CN111190087B (zh) * | 2018-11-15 | 2022-03-15 | 京元电子股份有限公司 | 具浮动容置座的半导体元件测试载盘及其测试设备 |
| WO2021037364A1 (en) * | 2019-08-28 | 2021-03-04 | Advantest Corporation | A test arrangement, an automated test equipment and a method for testing a device under test comprising a circuit and an antenna which is coupled to the circuit |
| DE102019215126A1 (de) | 2019-10-01 | 2021-04-01 | Neuroloop GmbH | Anordnung zur Funktionsüberprüfung eines Meßobjektes |
| CN110911300A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-03-24 | 白辉 | 一种基于物联网的半导体封装结构检测系统 |
| JP7410708B2 (ja) * | 2019-12-24 | 2024-01-10 | 株式会社アドバンテスト | 電子部品試験装置、ソケット、及び、電子部品試験装置用の交換部品 |
| TWI738516B (zh) * | 2020-09-18 | 2021-09-01 | 英業達股份有限公司 | 伺服器電源供應切換控制的供電檢測系統及其方法 |
| CN112382334A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-02-19 | 润昇系统测试(深圳)有限公司 | 用于行动内存的测试装置以及测试方法 |
| GB2602000B (en) * | 2020-12-10 | 2023-12-27 | Bae Systems Plc | Improvements in and relating to electrical testing |
| CN114397560A (zh) | 2022-01-24 | 2022-04-26 | 环旭电子股份有限公司 | 测试载板的电性检测装置 |
| TWI806617B (zh) * | 2022-05-19 | 2023-06-21 | 京鼎精密科技股份有限公司 | 晶圓測量裝置 |
| WO2023225225A1 (en) * | 2022-05-20 | 2023-11-23 | Octavo Systems Llc | Reliability testing using functional devices |
Family Cites Families (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001033522A (ja) * | 1999-07-19 | 2001-02-09 | Nec Eng Ltd | 論理検証システム |
| JP2002174661A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 集積回路テスト制御装置 |
| JP2003057300A (ja) * | 2001-08-09 | 2003-02-26 | Oht Inc | 集積回路、集積回路の検査装置、集積回路の検査方法、コンピュータプログラム及びコンピュータ可読記録媒体 |
| KR100471544B1 (ko) | 2002-05-30 | 2005-03-10 | 주식회사 유니테스트 | 실장과 에이티이가 통합된 반도체 소자 테스트 장치 |
| JP2005030877A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Hitachi Ltd | 無線制御テスト機能を備えた半導体集積回路装置 |
| WO2005093900A1 (en) * | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US7307433B2 (en) * | 2004-04-21 | 2007-12-11 | Formfactor, Inc. | Intelligent probe card architecture |
| TWI274166B (en) | 2004-06-18 | 2007-02-21 | Unitest Inc | Semiconductor test apparatus for simultaneously testing plurality of semiconductor devices |
| JP3912395B2 (ja) * | 2004-07-12 | 2007-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体集積回路、検査装置および半導体集積回路の検査方法 |
| US7253651B2 (en) * | 2004-12-21 | 2007-08-07 | Formfactor, Inc. | Remote test facility with wireless interface to local test facilities |
| US8373429B2 (en) * | 2006-03-07 | 2013-02-12 | Steven Slupsky | Method and apparatus for interrogating an electronic component |
| KR100817054B1 (ko) * | 2006-07-13 | 2008-03-26 | 삼성전자주식회사 | 패키지 테스트용 소켓, 테스트 소켓용 러버 및 테스트소켓용 가이드 |
| JP5137545B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2013-02-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及びその駆動方法 |
| EP2172968A1 (en) * | 2007-06-29 | 2010-04-07 | Advantest Corporation | Testing apparatus |
| JP5442950B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2014-03-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、その製造方法、当該半導体装置を用いた信号送受信方法、およびテスタ装置 |
| KR101023426B1 (ko) | 2008-09-02 | 2011-03-25 | 주식회사디아이 | 테스트 보드 |
| KR100916209B1 (ko) | 2009-03-13 | 2009-09-08 | (주) 제노맥스 | Ｄｕｔ 테스트 시스템 |
| TWI560456B (en) * | 2009-03-20 | 2016-12-01 | Bravechips Microelectronics | Method of parallel ic test and wafer containing same function dies under test and ic chips containing same function blocks under test |
| KR101534163B1 (ko) * | 2009-04-01 | 2015-07-06 | 삼성전자주식회사 | 실장 테스트에 적합한 메인 보드 및 이를 포함하는 메모리 실장 테스트 시스템 |
| KR101423133B1 (ko) * | 2010-06-10 | 2014-07-28 | 에스티에스반도체통신 주식회사 | 무선 신호 전달 및 무선 전원 구동 기능을 갖는 반도체 패키지 |
| KR20120069404A (ko) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | 삼성전자주식회사 | 테스터 및 이를 포함하는 테스트 시스템 |
| US8797056B2 (en) * | 2011-03-22 | 2014-08-05 | Advantest (Singapore) Pte Ltd | System and method for electronic testing of partially processed devices |
| CN103093829A (zh) | 2011-10-27 | 2013-05-08 | 迈实电子(上海)有限公司 | 存储器测试系统及存储器测试方法 |
| US9325435B2 (en) * | 2012-07-20 | 2016-04-26 | Litepoint Corporation | System and method for facilitating comparison of radio frequency (RF) data signals transmitted by a device under test (DUT) and received by a test system |
| WO2014089520A1 (en) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | Anayas360. Com, Llc | On-chip calibration and built-in-self-test for soc millimeter-wave integrated digital radio and modem |
| US10162007B2 (en) | 2013-02-21 | 2018-12-25 | Advantest Corporation | Test architecture having multiple FPGA based hardware accelerator blocks for testing multiple DUTs independently |
| US20140237292A1 (en) | 2013-02-21 | 2014-08-21 | Advantest Corporation | Gui implementations on central controller computer system for supporting protocol independent device testing |
| JP2015001430A (ja) * | 2013-06-14 | 2015-01-05 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体テスト装置及び半導体テスト方法 |
| US9310427B2 (en) * | 2013-07-24 | 2016-04-12 | Advantest Corporation | High speed tester communication interface between test slice and trays |
| US9588173B2 (en) * | 2013-12-17 | 2017-03-07 | Keyssa, Inc. | Waveguides for capturing close-proximity electromagnetic radiation transmitted by wireless chips during testing on automated test equipment (ATE) |
| KR102188060B1 (ko) | 2014-02-05 | 2020-12-07 | 삼성전자 주식회사 | 프로브 카드 및 상기 프로브 카드를 포함하는 테스트 시스템 |
| KR102195256B1 (ko) | 2014-11-18 | 2020-12-28 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자 장치의 테스트 장치 및 시스템 |
| US10539743B2 (en) * | 2016-07-11 | 2020-01-21 | International Business Machines Corporation | Fiber attach assembly and test automation |
-
2016
- 2016-07-27 KR KR1020160095491A patent/KR102581480B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-03-10 US US15/455,550 patent/US10088521B2/en active Active
- 2017-05-08 CN CN201710319742.4A patent/CN107664740B/zh active Active
- 2017-05-18 TW TW106116467A patent/TWI750173B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107664740B (zh) | 2021-02-19 |
| US20180031629A1 (en) | 2018-02-01 |
| TWI750173B (zh) | 2021-12-21 |
| KR20180012531A (ko) | 2018-02-06 |
| US10088521B2 (en) | 2018-10-02 |
| TW201804165A (zh) | 2018-02-01 |
| CN107664740A (zh) | 2018-02-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102581480B1 (ko) | 반도체 패키지를 위한 테스트 보드, 테스트 시스템 및 반도체 패키지의 제조 방법 | |
| CN104518276A (zh) | 用于无线充电和近场通信的共用天线解决方案 | |
| US8941401B2 (en) | Test circuit of an integrated circuit on a wafer | |
| US20100164671A1 (en) | Integrated electronic device with transceiving antenna and magnetic interconnection | |
| CN101932944A (zh) | Rf集成电路的测试方法和系统 | |
| US8004054B2 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing the same, and signal transmitting/receiving method using the semiconductor device | |
| US11671144B2 (en) | Near-field test apparatus for far-field antenna properties | |
| US11770027B2 (en) | Wireless power transmission device | |
| US11837883B2 (en) | Multi-coil wireless charger validation | |
| US10063285B2 (en) | Antenna device of electronic apparatus | |
| US8536890B2 (en) | Semiconductor inspecting device and semiconductor inspecting method | |
| Klein et al. | Verification and demonstration up to 67 GHz of an on-chip antenna pattern measurement setup | |
| US9835681B2 (en) | Probe card including wireless interface and test system including the same | |
| US9018901B2 (en) | Electrical power receiving apparatus and electrical power receiving method | |
| KR101421048B1 (ko) | 능동소자 칩이 탑재된 반도체 검사 장치 | |
| KR20220130484A (ko) | 밀리미터파 모듈 검사 시스템, 밀리미터파 모듈 검사 장치 및 밀리미터파 모듈 검사 방법 | |
| JP2014060416A (ja) | 半導体装置 | |
| KR101398962B1 (ko) | 무선 신호 송수신부 및 무선 전원 발생부를 갖는 반도체 웨이퍼 및 그의 전기적 검사방법 | |
| Berra | Analysis and Exploitation of Multiple Antennas Interaction in the Near-Field | |
| KR20110135282A (ko) | 무선을 이용하는 자동검사장비와 다이싱 장비를 포함하는 인라인 장비 및 그 운용방법. | |
| KR20110135280A (ko) | 무선 전력과 무선 주파수 신호를 이용하는 솔더 볼 부착 장치 | |
| KR20110135276A (ko) | 무선 신호 검사 기능을 가지는 비아 홀 가공용 레이저 장치 및 그 가공 방법 | |
| KR20110135278A (ko) | 무선 전력과 무선 주파수 신호를 이용하는 스크린 프린팅 장치 | |
| KR20110135141A (ko) | 주파수 신호를 이용하는 싱글레이션 장비 및 싱글레이션 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |