KR102573777B1 - 접착제 조성물 및 접속체의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명의 일측면은, 접착제 성분과 도전성 입자를 함유하고, 도전성 입자가 플라스틱 입자 및 해당 플라스틱 입자를 피복하는 금속층을 갖고, 도전성 입자의 표면에는 복수의 돌기부가 형성되어 있고, 복수의 돌기부의 높이가 평균으로 85 내지 1200nm인 접착제 조성물이다.

Description

접착제 조성물 및 접속체의 제조 방법

본 발명은 접착제 조성물 및 접속체의 제조 방법에 관한 것이다.

근년, 전자 부품의 소형화, 박형화 및 고성능화가 진행되고 있으며, 그와 더불어 고밀도 실장 기술의 개발이 활발하게 행해지고 있다. 이러한 고밀도 실장에 있어서, 전자 부품과 미세 회로 전극의 접속을 종래의 땜납 및 고무 커넥터에 의해 대응하기가 곤란하다. 그래서, 분해능이 우수한 이방 도전성의 접착제 및 그 필름을 사용하는 접속 방법이 다용되고 있다. 이 접속 방법에서는, 예를 들어 액정 디스플레이(Liquid Cristal Display)의 유리 기판과, 플렉시블 회로 기판(FPC; Flexible Print Circuit)과 같은 회로 부재를 접속할 때, 도전성 입자를 함유하는 이방 도전성 접착 필름을 대향하는 전극간에 끼워 가열 및 가압함으로써, 동일한 기판 상의 인접하는 전극끼리의 절연성을 유지하면서, 양쪽 기판의 전극끼리를 전기적으로 접속하여, 미세 전극을 갖는 전자 부품과 회로 부재가 접착 고정된다.

또한, 모듈의 경량화 및 박형화의 요구로부터, 상기 유리 기판 대신에, 플라스틱 기판 등의 플렉시블 기판을 사용할 것이 요망되고 있다. 이러한 기판을 사용한 부재끼리를 이방 도전성 접착 필름으로 접속하는 경우, 접속 저항을 저감시키기 위해서, 이방 도전성 접착 필름에 포함되는 도전성 입자의 표면에 돌기를 형성하는 것이 검토되고 있으며, 그러한 도전성 입자의 형상의 평가도 행해지고 있다(특허문헌 1 참조).

일본 특허 공개 제2016-61722호 공보

플렉시블 기판 또는 유리 기판의 전극으로서는, 예를 들어 금속 산화물 등으로 형성된 투명 전극이 사용된다. 이들 금속 산화물 등의 전극을 갖는 회로 부재에 FPC와 같은 회로 부재를 접속하는 경우, 충분한 전기적 접속을 확보하기 어려운 경향이 있다. 특히, 도전성 입자를 포함하는 접착제를 사용하여 접속하는 경우, 전극간의 전기적 접속의 신뢰성에 대하여 개량의 여지가 있다.

그래서, 본 발명의 주목적은, 플렉시블 기판 또는 유리 기판을 갖는 회로 부재를, 도전성 입자를 함유하는 접착제에 의해 접속하는 경우에 있어서, 보다 신뢰성이 높은 전기적 접속을 얻는 것에 있다.

본 발명의 일측면은, 접착제 성분과 도전성 입자를 함유하고, 도전성 입자가 플라스틱 입자 및 해당 플라스틱 입자를 피복하는 금속층을 갖고, 도전성 입자의 표면에는 복수의 돌기부가 형성되어 있고, 복수의 돌기부의 높이가 평균으로 85 내지 1200nm인 접착제 조성물이다.

본 발명의 다른 일측면은, 제1 기판 및 해당 제1 기판 상에 마련된 제1 접속 단자를 갖는 제1 회로 부재와, 제1 회로 부재와 대향하여 배치되고, 제2 기판 및 해당 제2 기판 상에 마련된 제2 접속 단자를 갖는 제2 회로 부재 사이에 회로 접속 재료를 배치하여 적층체를 제작하고, 적층체를 가열 및 가압하여, 제1 회로 부재와 제2 회로 부재를 서로 전기적으로 접속하는 공정을 구비하고, 회로 접속 재료가 접착제 성분과 도전성 입자를 함유하고, 도전성 입자가 플라스틱 입자 및 해당 플라스틱 입자를 피복하는 금속층을 갖고, 도전성 입자의 표면에는 복수의 돌기부가 형성되어 있고, 복수의 돌기부의 높이가 평균으로 85 내지 1200nm인 접속체의 제조 방법이다.

상기 각 측면에서는, 도전성 입자의 투영상에 있어서, 도전성 입자 표면의 면적에 대한 돌기부의 면적의 비율은 8 내지 60％여도 된다. 도전성 입자는 금속층으로서, 도전성 입자의 최표면에 Pd로 형성되어 있는 층을 갖고 있어도 된다. Pd로 형성되어 있는 층의 두께는 2 내지 200nm이면 된다.

상기 접착제 조성물은, 제1 기판 및 해당 제1 기판 상에 마련된 제1 접속 단자를 갖는 제1 회로 부재와, 제2 기판 및 해당 제2 기판 상에 마련된 제2 접속 단자를 갖는 제2 회로 부재를, 서로 전기적으로 접속하기 위해 사용되어도 된다. 이 경우, 제1 기판이 IC 칩 또는 플렉시블 기판이며, 제2 기판이, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트 및 폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 열가소성 수지를 포함하는 플렉시블 기판이면 된다. 제1 기판이 IC 칩 또는 플렉시블 기판이며, 제2 기판이, 유리 기판, 또는 유리 기판 및 해당 유리 기판 상에 마련된 절연막을 갖는 복합 기판이어도 된다.

상기 접속체의 제조 방법에서는, 제1 기판이 IC 칩 또는 플렉시블 기판이며, 제2 기판이, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트 및 폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 열가소성 수지를 포함하는 플렉시블 기판이면 된다. 제1 기판이 IC 칩 또는 플렉시블 기판이며, 제2 기판이, 유리 기판, 또는 유리 기판 및 해당 유리 기판 상에 마련된 절연막을 갖는 복합 기판이어도 된다.

본 발명에 따르면, 플렉시블 기판 또는 유리 기판을 갖는 회로 부재를, 도전성 입자를 함유하는 접착제에 의해 접속하는 경우에 있어서, 보다 신뢰성이 높은 전기적 접속을 얻을 수 있다.

도 1은 접착제 조성물의 일 실시 형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도전성 입자의 일 실시 형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 접속체의 제조 방법의 일 실시 형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 일 실시 형태의 접속체의 주요부를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 종래의 접속체의 주요부를 모식적으로 나타내는 단면도이다.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.

일 실시 형태에 따른 접착제 조성물은, 필름상으로 형성된 접착제 필름이다. 다른 일 실시 형태에서는, 접착제 조성물은 필름상 이외의 상태(예를 들어 페이스트상)여도 된다.

도 1은, 일 실시 형태에 따른 필름상의 접착제 조성물(접착제 필름)을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 접착제 필름(1)은 일 실시 형태에 있어서, 접착제 성분(절연성 접착제)(2)과 접착제 성분(2) 중에 분산된 도전성 입자(3)를 구비하고 있다. 접착제 필름(1)의 두께는, 예를 들어 10 내지 50㎛이면 된다.

접착제 성분은 일 실시 형태에 있어서 절연성을 갖고, 열 또는 광에 의해 경화되는 경화성 성분을 함유한다. 접착제 성분은 접착제 조성물 중의 도전성 입자 이외의 고형분으로서 정의된다.

경화성 성분은, 라디칼 중합성 물질 및 유리 라디칼 발생제를 포함하고 있어도 되고, 열경화성 수지를 포함하고 있어도 되고, 라디칼 중합성 물질, 유리 라디칼 발생제 및 열경화성 수지를 포함하고 있어도 된다.

라디칼 중합성 물질은, 라디칼에 의해 중합하는 관능기를 갖는 물질이며, 예를 들어 아크릴레이트, 메타크릴레이트 및 말레이미드 화합물을 들 수 있다. 라디칼 중합성 물질의 함유량은 접착제 성분 전체량을 기준으로 하여, 예를 들어 50 내지 80질량％이면 된다.

아크릴레이트 및 메타크릴레이트로서는, 예를 들어 우레탄아크릴레이트, 우레탄메타크릴레이트, 메틸아크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 이소프로필아크릴레이트, 이소부틸아크릴레이트, 에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 디메틸올트리시클로데칸디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 2-히드록시-1,3-디아크릴록시프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시메톡시)페닐]프로판, 2,2-비스[4-(아크릴옥시폴리에톡시)페닐]프로판, 디시클로펜테닐아크릴레이트, 트리시클로데카닐아크릴레이트, 비스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트, ε-카프로락톤 변성 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트 및 트리스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트를 들 수 있다. 라디칼 중합성 물질은 이들을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다. 라디칼 중합성 물질은 접착성의 관점에서는, 바람직하게는 우레탄아크릴레이트 또는 우레탄메타크릴레이트이다.

라디칼 중합성 물질로서는, 내열성을 향상시키는 관점에서, 우레탄아크릴레이트 또는 우레탄메타크릴레이트와, 유기 과산화물로 가교된, 단독으로 100℃ 이상의 Tg를 나타내는 라디칼 중합성 물질을 병용하는 것이 특히 바람직하다. 이러한 라디칼 중합성 물질은 디시클로펜테닐기, 트리시클로데카닐기 및/또는 트리아진환을 갖고 있어도 되고, 바람직하게는 트리시클로데카닐기 또는 트리아진환을 갖는다.

라디칼 중합성 물질은, 25℃에 있어서의 점도가 100000 내지 1000000mPa·s인 라디칼 중합성 물질 중 적어도 1종이어도 되고, 바람직하게는 100000 내지 500000mPa·s인 라디칼 중합성 물질 중 적어도 1종이면 된다. 라디칼 중합성 물질의 점도는 시판되고 있는 E형 점도계를 사용하여 측정할 수 있다.

유리 라디칼 발생제는 가열 또는 광에 의해 분해되어 유리 라디칼을 발생하는 화합물이며, 예를 들어 과산화 화합물 또는 아조계 화합물이다. 유리 라디칼 발생제는 목적으로 하는 접속 온도, 접속 시간, 가용 시간 등에 의해 적절히 선정된다. 유리 라디칼 발생제는, 예를 들어 벤조일퍼옥시드, 디아실퍼옥시드, 퍼옥시디카르보네이트, 퍼옥시에스테르, 퍼옥시케탈, 디알킬퍼옥시드 및 히드로퍼옥시드로부터 선택되는 1종 이상이어도 된다. 고반응성과 가용 시간의 관점에서는, 유리 라디칼 발생제는 바람직하게는 반감기 10시간의 온도가 40℃ 이상이며, 또한 반감기 1분의 온도가 180℃ 이하인 유기 과산화물이다. 유리 라디칼 발생제는 분해 촉진제, 억제제 등을 조합하여 사용되어도 된다. 유리 라디칼 발생제의 함유량은 접착제 성분 전체량을 기준으로 하여, 예를 들어 0.05 내지 15질량％이면 된다.

접착제 성분이 라디칼 경화형 재료를 함유하는 경우, 중합 금지제를 더 포함하고 있어도 된다. 중합 금지제는 히드로퀴논, 메틸에테르 히드로퀴논류 등이면 된다. 중합 금지제의 함유량은 접착제 성분 전체량을 기준으로 하여, 0.05 내지 5질량％이면 된다.

열경화성 수지는, 예를 들어 에폭시 수지, 시아네이트에스테르 수지, 말레이미드 수지, 알릴나디이미드 수지, 페놀 수지, 우레아 수지, 멜라민 수지, 알키드 수지, 아크릴 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 디알릴프탈레이트 수지, 실리콘 수지, 레조르시놀포름알데히드 수지, 크실렌 수지, 푸란 수지, 폴리우레탄 수지, 케톤 수지, 트리알릴시아누레이트 수지, 폴리이소시아네이트 수지, 트리스(2-히드록시에틸)이소시아누레이트를 함유하는 수지, 트리아릴트리멜리테이트를 함유하는 수지, 시클로펜타디엔으로부터 합성된 열경화성 수지, 방향족 디시안아미드의 3량화에 의한 열경화성 수지 등을 들 수 있다. 열경화성 수지는 이들을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용된다. 열경화성 수지의 함유량은 접착제 성분 전체량을 기준으로 하여, 예를 들어 20 내지 50질량％이면 된다.

접착제 성분이 열경화성 수지를 함유하는 경우, 접착제 성분은 경화제를 더 함유해도 된다. 경화제는 멜라민 및 그의 유도체, 히드라지드계 경화제, 3불화붕소-아민 착체, 술포늄염, 아민이미드, 디아미노말레오니트릴, 폴리아민염, 디시안디아미드 등, 또는 이들의 변성물이면 되고, 이들을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용되어도 된다. 경화제는 그 밖에도 폴리아민류, 폴리머캅탄, 폴리페놀, 산무수물 등의 중부가형 경화제여도 되고, 중부가형의 경화제와 촉매형 경화제를 병용할 수도 있다. 경화제의 함유량은 접착제 성분 전체량을 기준으로 하여, 0.5 내지 15질량％이면 된다.

이들 경화제를 폴리우레탄계, 폴리에스테르계 등의 고분자 물질, 또는 Ni, Cu 등의 금속 박막 및 규산칼슘 등의 무기물로 피복하여 마이크로캡슐화한 것은, 가사 시간을 연장할 수 있기 때문에 바람직하다.

접착제 성분은 실리콘 입자 등의 충전재, 연화제, 촉진제, 노화 방지제, 착색제, 난연화제, 틱소트로픽제, 커플링제 등을 더 함유해도 된다.

접착제 조성물을 필름상으로 형성시키는 경우, 필름 형성성을 높이기 위해서, 접착제 성분은 수산기 등의 관능기를 갖는 수지를 포함하고 있어도 된다. 이러한 수지는 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 폴리비닐부티랄, 폴리비닐포르말, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리에스테르, 폴리염화비닐, 폴리페닐렌옥시드, 요소 수지, 멜라민 수지, 페놀 수지, 크실렌 수지, 에폭시 수지, 폴리이소시아네이트 수지, 페녹시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리에스테르우레탄 수지, 폴리우레탄 수지 등이면 되고, 접속 신뢰성을 더욱 높이는 관점에서는, 고속 액체 크로마토그래피(HPLC)로부터 구해지는 중량 평균 분자량이 10000 이상인 고분자량 에폭시 수지 또는 페녹시 수지이면 된다. 접착제 성분은 이들 수지가 라디칼 중합성 관능기로 변성된 것을 함유해도 되고, 용융 점도 조정 등을 위해서, 이들 수지와, 스티렌계 수지 또는 아크릴 수지의 혼합물을 함유해도 된다. 다른 실시 형태로서, 접착제 성분은 필름 형성성을 높이기 위해 고무를 함유해도 된다.

도 2는, 접착제 필름(1)에 포함되는 도전성 입자(3)의 일 실시 형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 2의 (a)에 나타내는 바와 같이, 도전성 입자(3A)는 일 실시 형태에 있어서, 플라스틱 입자(31) 및 플라스틱 입자(31)를 피복하는 금속층(32A)을 갖는다.

플라스틱 입자(31)의 표면의 실질적으로 전체가 금속층(32A)으로 피복되어 있는 것이 바람직하지만, 회로 접속 재료로서의 기능(회로 부재끼리를 전기적으로 접속하는 기능)이 유지되는 범위에서, 플라스틱 입자(31)의 표면의 일부가 금속층(32A)으로 피복되지 않고 노출되어 있어도 된다.

플라스틱 입자(31)는, 예를 들어 스티렌 및 디비닐벤젠으로부터 선택되는 적어도 1종의 모노머를 모노머 단위로서 포함하는 중합체를 포함하는 입자이면 된다. 당해 중합체는 모노머 단위로서, (메트)아크릴레이트를 더 포함하고 있어도 된다.

플라스틱 입자(31)의 직경은 바람직하게는 평균으로 1㎛ 이상이면 되고, 40㎛ 이하이면 된다. 고밀도 실장의 관점에서, 플라스틱 입자(31)의 직경은 보다 바람직하게는 평균으로 1㎛ 이상이며, 30㎛ 이하이다. 전극의 표면 요철의 변동이 있을 경우에 보다 안정되게 접속 상태를 유지하는 관점에서는, 플라스틱 입자(31)의 직경은 보다 바람직하게는 평균으로 2㎛ 이상이며, 20㎛ 이하이다.

금속층(32A)은, 예를 들어 1층의 금속층을 포함하고 있다. 금속층(32A)은, 예를 들어 Ni, Cu, NiB, Ag 또는 Ru로 형성되어 있다. 금속층(32A)의 두께는, 예를 들어 50nm 이상이면 되고, 300nm 이하이면 된다. 금속층(32A)의 두께는, 후술하는 돌기부가 형성되지 않은 금속층의 부분에 있어서의 두께를 의미한다. 금속층(32A)의 두께는 전자 현미경에 의해 측정할 수 있다.

도 2의 (b)에 나타내는 바와 같이, 다른 일 실시 형태의 도전성 입자(3B)에서는, 금속층(32B)은 제1 금속층(32a) 및 제2 금속층(32b)의 2층을 포함하는 금속층이면 된다. 즉, 다른 일 실시 형태에 따른 도전성 입자(3B)는, 플라스틱 입자(31)와, 플라스틱 입자(31)를 피복하는 제1 금속층(32a)과, 제1 금속층(32a)을 피복하는 제2 금속층(32b)을 구비하고 있다.

제1 금속층(32a)은, 예를 들어 Ni로 형성되어 있다. 제2 금속층(32b)은, 예를 들어 Au 또는 Pd로 형성되어 있어도 되고, 신뢰성을 더욱 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 Pd로 형성되어 있다. 즉, 도전성 입자(3B)는 금속층으로서, 도전성 입자(3B)의 최표면에, Au 또는 Pd로 형성되어 있는 층을 갖고 있어도 되고, 신뢰성을 더욱 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 Pd로 형성되어 있는 층을 갖는다.

제1 금속층(32a)의 두께는, 예를 들어 50nm 이상이면 되고, 300nm 이하이면 된다. 제2 금속층(32b)의 두께는, 예를 들어 2nm 이상, 5nm 이상 또는 10nm 이상이면 되고, 200nm 이하, 100nm 이하 또는 50nm 이하이면 되고, 2 내지 200nm, 2 내지 100nm, 2 내지 50nm, 5 내지 200nm, 5 내지 100nm, 5 내지 50nm, 10 내지 200nm, 10 내지 100nm, 또는 10 내지 50nm이면 된다. 제1 금속층(32a) 및 제2 금속층(32b)의 두께는, 각각 후술하는 돌기부가 형성되지 않은 금속층의 부분에 있어서의 두께를 의미한다. 제1 금속층(32a) 및 제2 금속층(32b)의 두께는 전자 현미경에 의해 측정할 수 있다.

도전성 입자(3)의 표면에는, 복수의 돌기부(33)가 형성되어 있다. 도 2의 (a)에 나타낸 도전성 입자(3A)에서는, 돌기부(33A)는, 1층을 포함하는 금속층(32A)으로 구성되어 있다. 도 2의 (b)에 나타낸 도전성 입자(3B)에서는, 돌기부(33B)는, 제1 금속층(32a) 및 제2 금속층(32b)의 2층을 포함하는 금속층(32B)으로 구성되어 있다.

돌기부(33)의 높이는, 전기적 접속의 신뢰성을 향상시키는 관점에서, 85nm 이상, 90nm 이상 또는 100nm 이상이며, 1200nm 이하, 1000nm 이하, 600nm 이하, 500nm 이하, 400nm 이하, 300nm 이하 또는 200nm 이하이다. 동일한 관점에서, 돌기부(33)의 높이는 85 내지 1200nm, 85 내지 1000nm, 85 내지 600nm, 85 내지 500nm, 85 내지 400nm, 85 내지 300nm, 85 내지 200nm, 90 내지 1200nm, 90 내지 1000nm, 90 내지 600nm, 90 내지 500nm, 90 내지 400nm, 90 내지 300nm, 90 내지 200nm, 100 내지 1200nm, 100 내지 1000nm, 100 내지 600nm, 100 내지 500nm, 100 내지 400nm, 100 내지 300nm, 또는 100 내지 200nm이면 된다.

여기서, 돌기부(33)의 높이는, 도전성 입자의 투영상을 포함하는 이차원 화상을 분석함으로써 결정된다. 이차원 화상의 분석은 일본 특허 공개 제2016-61722호 공보에 기재된 방법에 따라서 행할 수 있다.

구체적으로는, 예를 들어 복수의 도전성 입자가 촬상된 이차원 화상에 있어서의 각 도전성 입자의 투영상과 기타 영역의 경계인 입자 에지를 검출하는 공정과, 입자 에지를 기초로 이차원 화상 상의 도전성 입자의 중심 좌표를 산출하는 공정과, 중심 좌표의 주위의 소정의 각도마다, 입자 에지를 복수의 입자 에지 부분(예를 들어 12개)으로 분할하고, 복수의 입자 에지 부분마다, 중심 좌표와 입자 에지의 거리의 최댓값과 최솟값의 차분을 산출하여, 그들의 차분의 평균값을 돌기의 높이로서 산출하는 공정과, 복수의 도전성 입자(예를 들어 5 내지 100개의 임의의 개수)에 대하여 산출된 돌기의 높이의 평균값을 산출하는 공정을 구비하는 방법에 의해, 결정할 수 있다.

상기 이차원 화상의 분석에 있어서, 입자 에지는, 도전성 입자의 이차원 투영상의, 돌기부에서 유래하는 요철을 포함하는 외주에 실질적으로 상당한다. 이차원 화상으로부터 얻어지는 휘도의 도수 분포는, 일반적으로 입자 에지의 부분을 반영한 극솟값을 나타낸다. 이 극솟값에 대응하는 휘도를 제1 역치로서 이차원 화상을 2치화하여, 2치화 화상을 생성한다. 얻어진 2치화 화상에 있어서 형성된 에지가, 입자 에지로서 검출된다. 입자 에지를 기초로, 이차원 화상 상의 도전성 입자의 중심 좌표가 산출된다. 입자 에지에 피팅하는 원을 최소 제곱법으로 구하고, 그 원의 중심이 도전성 입자의 중심 좌표가 된다.

도전성 입자(3)의 표면 투영상의 전체에 대한 돌기부(33)의 면적의 비율(돌기부(33)의 면적률)은, 전기적 접속의 신뢰성을 더욱 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 8％ 이상, 9％ 이상 또는 20％ 이상이며, 바람직하게는 60％ 이하 또는 50％ 이하이며, 바람직하게는 8 내지 60％, 8 내지 50％, 9 내지 60％, 9 내지 50％, 20 내지 60％ 또는 20 내지 50％이다.

돌기부의 면적률도, 일본 특허 공개 제2016-61722호 공보에 기재된 방법에 따라서, 도전성 입자의 이차원 화상을 분석함으로써 결정할 수 있다. 돌기부의 면적률은, 예를 들어 입자 에지의 내측 영역에 있어서의 휘도의 도수 분포로부터, 돌기부와 그 이외의 부분의 경계에 대응하는 제2 역치를 산출하는 공정과, 얻어진 제2 역치에 의해 입자 에지의 내측 영역을 2치화하여 2치화 화상을 생성하는 공정과, 얻어진 2치화 화상에 있어서, 입자 에지의 내측의 면적에 대한, 돌기부에 대응하는 영역의 면적의 비율을, 돌기부의 면적률로서 산출하는 공정을 구비하는 방법에 의해, 결정할 수 있다.

상술한 바와 같은 돌기부를 갖는 도전성 입자(3)은, 예를 들어 플라스틱 입자(31)의 표면 상에 금속 도금에 의해 금속층(32A, 32B)을 형성함으로써 얻을 수 있다. 금속 도금 시, 도금 조건을 변경하여, 금속층(32A, 32B)의 두께를 변화시킴으로써, 돌기부(33)를 형성할 수 있다. 예를 들어, 금속 도금의 과정에서, 도금액의 농도를 단계적으로 높여감으로써, 돌기부(33)를 형성할 수 있다.

또는, 도금액의 pH를 조절하는 것, 예를 들어 니켈 도금액의 pH를 6으로 함으로써도, 혹상의 돌기부를 갖는 금속층을 형성할 수 있다(모치즈키 등, 표면 기술, Vol.48, No.4, 429 내지 432페이지, 1997 참조). 도금욕의 안정성에 기여하는 착화제로서 글리신을 사용한 경우, 평탄한 표면을 갖는 금속층이 형성되는 것에 비해, 착화제로서 타르타르산 또는 DL-말산을 사용한 경우, 혹상의 돌기부가 형성된다(예를 들어, 오기하라 등, 비정질 도금, Vol.36, 제35 내지 37페이지, 1994; 오기하라 등, 회로 실장학회지, Vol.10, No.3, 148 내지 152페이지, 1995 참조). 이들 방법을 채용함으로써, 원하는 높이 및 면적률의 돌기부(33)를 갖는 금속층(32A, 32B)을 형성할 수 있다.

도 2의 (b)에 나타낸 도전성 입자(3B)를 제작하는 경우에는, 예를 들어 상기 방법에 의해 돌기부를 갖는 제1 금속층(32a)을 형성한 후, 치환 도금에 의해 Au 또는 Pd의 층을 형성함으로써, 제2 금속층(32b)을 얻을 수 있다.

접착제 필름(1)에 포함되는 도전성 입자(3)의 함유량은, 접속하는 전극의 정세도(精細度) 등에 따라서 결정된다. 도전성 입자(3)의 함유량은, 예를 들어 접착제 성분 100체적부에 대하여 1체적부 이상이어도 되고, 50체적부 이하여도 되고, 절연성 및 제조 비용의 관점에서, 바람직하게는 30체적부 이하이다.

접착제 조성물은 다층의 필름상(다층 접착제 필름)이어도 된다. 다층 접착제 필름은, 예를 들어 도전성 입자를 포함하는 층과, 도전성 입자를 포함하지 않는 층으로 구성되는 2층 구성이면 되고, 도전성 입자를 포함하는 층과, 그 양측에 마련된 도전성 입자를 포함하지 않는 층으로 구성되는 3층 구성이어도 된다. 다층 접착제 필름은 도전성 입자를 포함하는 층을 복수 구비하고 있어도 된다. 다층 접착제 필름은 회로 부재와의 접착성을 고려하여, 접속되는 회로 부재에 대하여 높은 접착성을 나타내는 접착층을 구비하고 있어도 된다. 이들 다층 접착제 필름을 사용한 경우, 접속 전극 상에 효율적으로 도전성 입자를 포획할 수 있기 때문에, 협소 피치의 회로 부재의 접속에 유리하다.

이상 설명한 접착제 조성물(접착제 필름)은 회로 부재끼리를 접속하기 위한 재료(회로 접속 재료)로서 적합하게 사용되고, 회로 부재끼리를 접속하기 위한 이방 도전성 접착제 조성물(이방 도전성 접착제 필름)로서 특히 적합하게 사용된다.

이어서, 접착제 필름(1)을 사용한, 접속체의 제조 방법을 설명한다. 도 3은 일 실시 형태에 따른 접속체의 제조 방법을 모식적으로 나타내는 단면도이다. 먼저, 도 3의 (a)에 나타내는 바와 같이, 제1 회로 부재(4), 제2 회로 부재(5) 및 접착제 필름 (1)(회로 접속 재료)을 준비한다. 제1 회로 부재(4)는, 제1 기판(6) 및 제1 기판(6)의 일면(6a) 상에 마련된 제1 접속 단자(7)를 갖는다. 제2 회로 부재(5)는, 제2 기판(8) 및 제2 기판(8)의 일면(8a) 상에 마련된 제2 접속 단자(9)를 갖는다.

이어서, 제1 회로 부재(4)와 제2 회로 부재(5)를 제1 접속 단자(7)와 제2 접속 단자(9)가 대향하도록 배치하고, 제1 회로 부재(4)와 제2 회로 부재(5) 사이에 접착제 필름(1)을 배치하여 적층체를 제작한다.

그리고, 도 3의 (a)에 있어서 화살표로 나타낸 방향으로 적층체 전체를 가압하면서, 접착제 필름(1)을 경화시킨다. 가압 시의 압력은, 예를 들어 총 접속 면적당 1 내지 10MPa이면 된다. 접착제 필름(1)을 경화시키는 방법은, 가열에 의한 방법이면 되고, 가열에 더하여 광 조사를 병용하는 방법이어도 된다. 가열은, 예를 들어 100 내지 170℃에서 행해져도 된다. 가압 및 가열(필요에 따라서 광 조사)은, 예를 들어 1 내지 160초간 행해져도 된다. 이에 의해, 제1 회로 부재(4)와 제2 회로 부재(5)가, 접착제 필름(1)을 구성하는 접착제 조성물의 경화물을 통해 압착된다.

본 실시 형태에서는, 제1 회로 부재(4)와 제2 회로 부재(5) 사이에 접착제 필름(1)을 배치하였지만, 다른 실시 형태로서, 접착제 필름 대신에 페이스트상의 접착제 조성물을, 제1 회로 부재(4) 또는 제2 회로 부재(5) 상에 또는 그의 양쪽에 도포해도 된다.

이와 같이 하여 얻어지는, 일 실시 형태에 따른 접속체(10)는, 도 3의 (b)에 나타내는 바와 같이, 제1 기판(6) 및 제1 기판(6) 상에 마련된 제1 접속 단자(7)를 갖는 제1 회로 부재(4)와, 제2 기판(8) 및 제2 기판(8) 상에 마련된 제2 접속 단자(9)를 갖는 제2 회로 부재(5)와, 제1 회로 부재(4)와 제2 회로 부재(5) 사이에 마련되며, 제1 회로 부재(4)(제1 접속 단자(7))와 제2 회로 부재(5)(제2 접속 단자(9))를 서로 전기적으로 접속하는 접속부(11)를 구비한다. 접속부(11)는 접착제 조성물의 경화물에 의해 구성되어 있고, 접착제 성분(2)의 경화물(12)과, 해당 경화물(12) 중에 분산된 도전성 입자(3)를 포함하고 있다. 접속체(10)에서는, 도전성 입자(3)가 제1 접속 단자(7)와 제2 접속 단자(9) 사이에 개재함으로써, 제1 접속 단자(7)와 제2 접속 단자(9)가 서로 전기적으로 접속되어 있다.

제1 기판(6)은 예를 들어 IC 칩 또는 플렉시블 기판이면 된다. 제2 기판(8)은, 예를 들어 플렉시블 기판, 유리 기판, 또는 유리 기판 및 해당 유리 기판 상에 마련된 절연막을 갖는 복합 기판이면 된다.

제1 기판(6) 및 제2 기판(8)의 조합으로서, 보다 구체적으로는 제1 기판(6)이 IC 칩 또는 플렉시블 기판이며, 제2 기판(8)이 플렉시블 기판이어도 된다. 또는, 제1 기판(6)이 IC 칩 또는 플렉시블 기판이며, 제2 기판(8)이 유리 기판 또는 복합 기판이어도 된다. 바꾸어 말하면, 제2 기판(8)이 플렉시블 기판일 때, 제1 기판(6)은 IC 칩이어도 되고, 플렉시블 기판이어도 된다. 제1 기판(6)이 IC 칩이며, 제2 기판(8)이 플렉시블 기판일 때, COP(Chip on Plastic substrate) 접속을 위해 상술한 접착제 필름(1)이 사용된다. 제1 기판(6) 및 제2 기판(8)이 플렉시블 기판일 때, FOP(Film on Plastic substrate) 접속을 위해 상술한 접착제 필름(1)이 사용된다.

플렉시블 기판은, 예를 들어 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카르보네이트(PC) 및 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN)로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 열가소성 수지를 포함한다.

플렉시블 기판은, 유기 기재의 표면 상에 형성된, 광학 및 기계적 특성을 향상하기 위한 하드 코팅 등의 개질 처리 막 및/또는 보호막 등을 더 갖고 있어도 된다. 플렉시블 기판의 취급 및 반송을 용이하게 하기 위해서, 유리 기재 및 SUS 등으로부터 선택되는 보강재가 유기 기재에 접합되어 있어도 된다.

플렉시블 기판의 두께는, 기판 단체에서 필름으로서의 강도 및 굽힘 용이성을 확보하는 점에서, 바람직하게는 10㎛ 이상이며, 200㎛ 이하 또는 125㎛ 이하이다.

종래의 회로 접속 재료를 사용하면, 회로 부재끼리의 압착을 위한 가열 및 가압에 의해, 플렉시블 기판 상의 전극이 파단되거나, 크랙을 발생하거나 하기 쉬운 경우가 있었다. 또한, 충분한 전기적 접속을 형성하기 어려운 전극의 접속에 대하여는, 전극의 파손을 억제하기 위해서, 보다 저온 또는 보다 저응력의 조건에서 회로 부재를 압착할 필요가 있다. 본 실시 형태의 회로 접속 재료(접착제 필름)는, 이들 점에 있어서도 종래의 재료와 비교하여 유리한 효과를 가질 수 있다.

유리 기판은 소다 유리, 석영 유리 등으로 형성되어 있어도 되고, 외부로부터의 응력에 의한 파손 방지의 관점에서는, 이들에 화학 강화 처리가 실시된 기판이어도 된다. 복합 기판은, 유리 기판과, 유리 기판의 표면에 마련된, 폴리이미드 또는 장식을 위한 가색(加色)의 유기 재료 또는 무기 재료로 구성되는 절연막을 가져도 되고, 복합 기판에 있어서, 전극은 그 절연막 상에 형성되어도 된다.

제2 기판(8)이 플렉시블 기판인 경우, 제1 기판(6)은 반도체 칩, 트랜지스터, 다이오드, 사이리스터 등의 능동 소자, 콘덴서, 저항체, 코일 등의 수동 소자 등의 전자 부품, 프린트 기판 등이어도 된다. 제1 기판(6)이 IC 칩인 경우, 도금으로 형성되는 범프 또는 금 와이어의 선단을 토치 등에 의해 용융시켜, 금 볼을 형성하고, 이 볼을 전극 패드 상에 압착한 후, 와이어를 절단하여 얻어지는 와이어 범프 등의 돌기 전극(제1 접속 단자(7))을 마련하고, 이것을 제1 회로 부재(4)로서 사용할 수 있다.

제1 접속 단자(7) 및 제2 접속 단자(9)를 형성하는 전극 재료로서는, Ag 페이스트, Ni, Al, Au, Cu, Ti, Mo 등의 금속, ITO, IZO 등의 금속 산화물, 은 나노와이어, 카본 나노튜브 등의 도전체 등을 들 수 있다. 제1 접속 단자(7) 및 제2 접속 단자(9)는 서로 동일한 소재로 형성되어 있어도 다른 소재로 형성되어 있어도 되지만, 바람직하게는 동일한 소재이다. 제1 접속 단자(7) 상 및 제2 접속 단자(9) 상에는, 단선 방지의 관점에서, 산화물, 질화물, 합금, 유기물 등으로 형성된 표면층을 추가로 마련해도 된다. 제1 회로 부재(4) 및 제2 회로 부재(5)에는, 제1 접속 단자(7) 또는 제2 접속 단자(9)가 각각 하나씩 마련되어 있어도 되지만, 바람직하게는 소정의 간격을 형성하여 다수 마련되어 있다.

상기 회로 접속 재료(접착제 필름)를 사용하면, 제1 회로 부재(4)가 FPC 회로 기판이며, 제2 회로 부재(5)에 있어서의 제2 접속 단자(9)가, 충분한 전기적 접속을 확보하기 어려운 경향이 있는 금속 산화물로 형성되어 있는 경우에도, 보다 높은 신뢰성의 전기적 접속을 얻을 수 있다.

도 4는, 일 실시 형태의 접속체(10)의 주요부를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 도전성 입자(3)의 돌기부(33)의 높이가 소정의 범위에 있음으로써, 회로 부재끼리를 접속할 때에 제1 접속 단자(7)와 제2 접속 단자(9) 사이에 개재하는 도전성 입자(3)가, 돌기부(33)에 의해 제1 접속 단자(7)와 제2 접속 단자(9)(및 제2 기판(8))에 충분한 압력을 가할 수 있기 때문에, 더 높은 신뢰성의 전기적 접속을 얻을 수 있고, 예를 들어 고온 고습 하에서의 접속 저항의 상승이 일어나기 어렵다고 생각된다.

한편, 도 5(종래의 접속체의 주요부를 모식적으로 나타내는 단면도)에 나타내는 바와 같이, 종래의 접속체(20)에서는, 도전성 입자(23)가 비교적 낮은 돌기부(23a)를 갖고 있기 때문에, 제1 접속 단자(7)와 제2 접속 단자(9)(및 제2 기판(8))에 충분한 압력을 가할 수 없다. 따라서, 종래의 접속체(20)는 전기적 접속의 신뢰성의 점에서 떨어진다.

실시예

이하, 실시예를 들어 본 발명에 대하여 더욱 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명이 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.

(도전성 입자의 제작)

(1) 플라스틱 입자

테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 디비닐벤젠 및 스티렌을 모노머로서 사용하여, 이들을, 중합 개시제(벤조일퍼옥시드)을 사용한 현탁 중합에 의해 중합함으로써, 플라스틱 입자를 얻었다.

(2-1) 도전성 입자 1-1 내지 1-3

얻어진 플라스틱 입자를 무전해 Ni 도금 처리함으로써, 돌기부를 갖고, Ni로 형성된 금속층(Ni층, 두께 0.2㎛)을 구비하는 도전성 입자 1 내지 3을 얻었다. Ni 도금 처리 시, 도금액의 투입량, 처리 온도 및 처리 시간을 적절히 조정하여 Ni층의 두께를 변경함으로써, 높이 및 면적률이 다른 돌기부를 형성하였다.

(2-2) 도전성 입자 1-4 내지 1-6

도전성 입자 1 내지 3 각각의 Ni층 상에, 치환 도금에 의해 돌기부를 갖는 Au로 형성된 층(Au층)을 형성시켜, 도전성 입자 4 내지 6을 각각 얻었다.

(2-3) 도전성 입자 1-7

얻어진 플라스틱 입자 상에 평탄한 표면을 갖는 Ni층을 형성하고, Ni층 상에 평탄한 표면을 갖는 Au층을 더 형성하여, 도전성 입자를 제작하였다.

(2-4) 도전성 입자 2-1 내지 2-4

얻어진 플라스틱 입자를 무전해 Ni 도금 처리함으로써, 돌기부를 갖는 Ni층(두께 0.2㎛)을 갖는 도전성 입자를 얻었다. Ni 도금 처리 시, 도금액의 투입량, 처리 온도 및 처리 시간을 적절히 조정하여 도금 두께를 변경함으로써, 높이 및 면적률이 다른 돌기부를 형성하였다. 이들 도전성 입자의 Ni층 상에, 치환 도금에 의해 돌기부를 갖는 Pd로 형성된 층(Pd층)을 형성하여, 도전성 입자 2-1 내지 2-4를 각각 얻었다.

(3) 돌기부의 높이 및 면적률

각 도전성 입자를 포함하는 이차원 화상을, 주사형 전자 현미경에 의해 취득하였다. 얻어진 이차원 좌(座) 화상을 일본 특허 공개 제2016-61722호 공보에 기재된 방법으로 분석함으로써, 100개의 도전성 입자의 돌기부의 높이 및 면적률을 산출하고, 그들의 평균값을 구하였다.

(접착제 필름(회로 접속 재료)의 제작)

라디칼 중합성 물질인 우레탄아크릴레이트(제품명: UA-5500T, 신나까무라 가가꾸 고교 가부시키가이샤제) 20질량부, 비스(아크릴옥시에틸)이소시아누레이트(제품명: M-215, 도아 고세 가부시키가이샤제) 15질량부, 디메틸올트리시클로데칸디아크릴레이트(제품명: DCP-A, 교에샤 가가꾸 교에샤화사제) 5질량부 및 2-메타크릴로일옥시에틸애시드포스페이트(제품명: P-2M, 교에샤 가가꾸 교에샤화사제) 1질량부와, 벤조일퍼옥시드(제품명: 나이퍼 BMT-K, 니찌유 가부시끼가이샤제) 8질량부와, 폴리에스테르우레탄 수지(제품명: UR4800, 도요 보세끼 가부시키가이샤제)를 포함하는 농도 40질량％의 용액 60질량부를 혼합하고 교반하여, 결합제 수지의 용액을 얻었다. 폴리에스테르우레탄 수지의 용액은, 폴리에스테르우레탄 수지를 톨루엔/메틸에틸케톤=50/50의 혼합 용제에 용해시켜 조제하였다.

조제한 결합제 수지의 용액에, 각 도전성 입자를, 결합제 수지 100체적부에 대하여 10체적부의 비율로 분산시켰다. 여기에, 평균 입경 2㎛의 실리콘 미립자(제품명: KMP-605, 신에쯔 가가꾸 고교 가부시키가이샤제)를 결합제 수지 100질량부에 대하여 20질량부의 비율로 분산시켜, 결합제 수지, 도전성 입자 및 실리콘 미립자를 포함하는 도공액을 얻었다. 이 도공액을, 편면을 표면 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 50㎛)에, 도공 장치를 사용하여 도포하였다. 도막을 70℃의 열풍 건조에 의해 건조시켜, 회로 접속 재료로서의 이방 도전성 접착제 필름(두께 18㎛)을 제작하였다.

(회로 부재의 준비)

·유리 부재

유리 기판과, 해당 유리 기판 상에 순서대로 적층된 Cu막(두께 30nm) 및 아몰퍼스 ITO의 접속 단자(두께 40nm)를 갖는 유리 부재를 준비하였다.

·플렉시블 부재

폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(25℃에 있어서의 탄성률: 4600MPa)과, PET 필름 상에 형성된 ITO의 접속 단자(두께 20nm)를 갖는 플렉시블 부재를 준비하였다.

·플렉시블 회로 기판(FPC)

폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)를 기재로 한 수지 필름 기재와, 해당 수지 필름 기재 상에 마련된 배선을 갖는 FPC를 준비하였다. 이 FPC의 배선은, 피치 0.3mm(스페이스 0.15mm, 전극 폭 0.15mm, 높이 18㎛)의 Cu층과, Cu층 상에 순서대로 형성된 두께 3㎛의 Ni 도금층 및 두께 0.03㎛의 Au 도금층을 포함하는 접속 단자를 갖는다.

플렉시블 부재와 FPC 사이에, 이방 도전성 접착제 필름을 끼웠다. 이 상태에서, 이방 도전성 접착제 필름의 도달 온도가 160℃가 되게 가열하면서, 총 접속 면적당 2MPa의 압력에서 10초간 전체를 가압하여, 플렉시블 부재와 FPC가 접속된 플렉시블/FPC 접속체를 얻었다.

동일하게, 유리 부재와 FPC를, 이들 사이에 이방 도전성 접착 필름을 끼움으로써 접속하여, 유리/FPC의 접속체를 얻었다.

얻어진 각 접속체를, 85℃, 85％RH, 72시간의 신뢰성 시험에 제공하였다. 시험 전후의 접속체에 대하여, 대향하는 회로 부재간의 접속 저항을 측정하였다.

얻어진 각 도전성 입자의 최표면층, 돌기 높이, 돌기 면적률 등의 특성 및 평가 결과를 표 1, 2에 나타낸다.

1…접착제 필름, 2…접착제 성분, 3…도전성 입자, 4…제1 회로 부재, 5…제2 회로 부재, 6…제1 기판, 7…제1 접속 단자, 8…제2 기판, 9…제2 접속 단자, 10…접속체, 11…접속부, 31…플라스틱 입자, 32A, 32B…금속층, 33, 33A, 33B…돌기부.

Claims (12)

1. 접착제 성분과 도전성 입자를 함유하고,
   상기 도전성 입자가, 플라스틱 입자 및 해당 플라스틱 입자를 피복하는 금속층을 갖고,
   상기 도전성 입자의 표면에는 복수의 돌기부가 형성되어 있고, 상기 복수의 돌기부의 높이가 평균으로 85 내지 1200nm이고,
   상기 도전성 입자의 투영상에 있어서, 상기 도전성 입자 표면의 면적에 대한 상기 돌기부의 면적의 비율이 8 내지 60％인 접착제 조성물.
2. 제1항에 있어서, 상기 도전성 입자가, 상기 금속층으로서, 상기 도전성 입자의 최표면에 Pd로 형성되어 있는 층을 갖는 접착제 조성물.
3. 제2항에 있어서, 상기 Pd로 형성되어 있는 층의 두께가 2 내지 200nm인 접착제 조성물.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 기판 및 해당 제1 기판 상에 마련된 제1 접속 단자를 갖는 제1 회로 부재와, 제2 기판 및 해당 제2 기판 상에 마련된 제2 접속 단자를 갖는 제2 회로 부재를, 서로 전기적으로 접속하기 위해 사용되고,
   상기 제1 기판이 IC 칩 또는 플렉시블 기판이며,
   상기 제2 기판이, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트 및 폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 열가소성 수지를 포함하는 플렉시블 기판인 접착제 조성물.
5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 기판 및 해당 제1 기판 상에 마련된 제1 접속 단자를 갖는 제1 회로 부재와, 제2 기판 및 해당 제2 기판 상에 마련된 제2 접속 단자를 갖는 제2 회로 부재를, 서로 전기적으로 접속하기 위해 사용되고,
   상기 제1 기판이 IC 칩 또는 플렉시블 기판이며,
   상기 제2 기판이, 유리 기판, 또는 유리 기판 및 해당 유리 기판 상에 마련된 절연막을 갖는 복합 기판인 접착제 조성물.
6. 제1 기판 및 해당 제1 기판 상에 마련된 제1 접속 단자를 갖는 제1 회로 부재와, 상기 제1 회로 부재와 대향하여 배치되고, 제2 기판 및 해당 제2 기판 상에 마련된 제2 접속 단자를 갖는 제2 회로 부재 사이에 회로 접속 재료를 배치하여 적층체를 제작하고, 상기 적층체를 가열 및 가압하여, 상기 제1 회로 부재와 상기 제2 회로 부재를 서로 전기적으로 접속하는 공정을 구비하고,
   상기 회로 접속 재료가 접착제 성분과 도전성 입자를 함유하고,
   상기 도전성 입자가, 플라스틱 입자 및 해당 플라스틱 입자를 피복하는 금속층을 갖고,
   상기 도전성 입자의 표면에는 복수의 돌기부가 형성되어 있고, 상기 복수의 돌기부의 높이가 평균으로 85 내지 1200nm이고,
   상기 도전성 입자의 투영상에 있어서, 상기 도전성 입자 표면의 면적에 대한 상기 돌기부의 면적의 비율이 8 내지 60％인 접속체의 제조 방법.
7. 제6항에 있어서, 상기 도전성 입자가, 상기 금속층으로서, 상기 도전성 입자의 최표면에 Pd로 형성되어 있는 층을 갖는 접속체의 제조 방법.
8. 제7항에 있어서, 상기 Pd로 형성되어 있는 층의 두께가 2 내지 200nm인 접속체의 제조 방법.
9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 기판이 IC 칩 또는 플렉시블 기판이며,
   상기 제2 기판이, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트 및 폴리에틸렌나프탈레이트로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 열가소성 수지를 포함하는 플렉시블 기판인 접속체의 제조 방법.
10. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 기판이 IC 칩 또는 플렉시블 기판이며,
    상기 제2 기판이, 유리 기판, 또는 유리 기판 및 해당 유리 기판 상에 마련된 절연막을 갖는 복합 기판인 접속체의 제조 방법.
11. 삭제
12. 삭제

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