JP6432240B2 - 導電粒子形状評価装置及び導電粒子形状評価方法 - Google Patents
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Description
このような二値化画像を対象に粒子エッジE2を検出することにより、細かい凹凸を有するエッジが正確に検出される。
Claims (7)
- 表面に導電性の複数の突起部を備えた導電粒子の表面形状を評価する導電粒子形状評価装置であって、
複数の前記導電粒子を撮像した二次元画像を対象に、前記導電粒子が含まれる対象領域を特定する領域特定手段と、
前記二次元画像の前記対象領域内における輝度値の度数分布を計算し、前記度数分布の前記輝度値に対する度数の変動値を基に第1の閾値を決定する閾値決定手段と、
前記第1の閾値を基に前記対象領域内の前記二次元画像を二値化して二値化画像を生成し、前記二値化画像のエッジを粒子エッジとして検出するエッジ検出手段と、
前記エッジ検出手段によって検出された前記粒子エッジを基に前記二次元画像上の前記導電粒子の中心座標を算出する中心座標算出手段と、
前記中心座標と前記粒子エッジを構成する複数の点との距離を計算し、距離の大きいほうから所定個の平均と距離の小さいほうからの所定個の平均との差分を、距離の差分として算出することにより、前記導電粒子の表面における前記複数の突起部の高さの評価値を算出する評価値算出手段と、
を備える導電粒子形状評価装置。 - 前記閾値決定手段は、前記度数分布における前記変動値から導かれた極値の点を基準に前記第1の閾値を決定する、
請求項1記載の導電粒子形状評価装置。 - 前記評価値算出手段は、前記中心座標を基準に前記粒子エッジを複数の粒子エッジに分割し、前記複数の粒子エッジごとに前記距離の差分を算出する、
請求項1又は2記載の導電粒子形状評価装置。 - 前記評価値算出手段は、前記複数の粒子エッジに関して算出された前記距離の差分の平均値を、前記導電粒子の前記突起部の高さの評価値として算出する、
請求項3記載の導電粒子形状評価装置。 - 前記領域特定手段は、前記中心座標を基準に前記粒子エッジよりも内側の内側領域をさらに特定し、
前記閾値決定手段は、前記二次元画像の前記内側領域内における輝度値の度数分布を計算し、前記度数分布を基に第2の閾値をさらに決定し、
前記評価値算出手段は、前記第2の閾値を基に前記内側領域内の前記二次元画像を二値化し、二値化された前記二次元画像の面積の割合を前記複数の突起部の面積の評価値として算出する、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の導電粒子形状評価装置。 - 前記閾値決定手段は、前記度数分布における極値の点を基準に前記第2の閾値を決定する、
請求項5記載の導電粒子形状評価装置。 - 表面に導電性の複数の突起部を備えた導電粒子の表面形状を評価する導電粒子形状評価方法であって、
領域特定手段が、複数の前記導電粒子を撮像した二次元画像を対象に、前記導電粒子が含まれる対象領域を特定する領域特定ステップと、
閾値決定手段が、前記二次元画像の前記対象領域内における輝度値の度数分布を計算し、前記度数分布の前記輝度値に対する度数の変動値を基に第1の閾値を決定する閾値決定ステップと、
エッジ検出手段が、前記第1の閾値を基に前記対象領域内の前記二次元画像を二値化して二値化画像を生成し、前記二値化画像のエッジを粒子エッジとして検出するエッジ検出ステップと、
中心座標算出手段が、前記エッジ検出手段によって検出された前記粒子エッジを基に前記二次元画像上の前記導電粒子の中心座標を算出する中心座標算出ステップと、
評価値算出手段が、前記中心座標と前記粒子エッジを構成する複数の点との距離を計算し、距離の大きいほうから所定個の平均と距離の小さいほうからの所定個の平均との差分を、距離の差分として算出することにより、前記導電粒子の表面における前記複数の突起部の高さの評価値を算出する評価値算出ステップと、
を備える導電粒子形状評価方法。
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