KR102313258B1 - 도전 입자 형상 평가 장치 및 도전 입자 형상 평가 방법 - Google Patents

도전 입자 형상 평가 장치 및 도전 입자 형상 평가 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102313258B1
KR102313258B1 KR1020150128870A KR20150128870A KR102313258B1 KR 102313258 B1 KR102313258 B1 KR 102313258B1 KR 1020150128870 A KR1020150128870 A KR 1020150128870A KR 20150128870 A KR20150128870 A KR 20150128870A KR 102313258 B1 KR102313258 B1 KR 102313258B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
value
dimensional image
threshold
particle
edge
Prior art date
Application number
KR1020150128870A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160034196A (ko
Inventor
히데유키 세키
Original Assignee
쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 filed Critical 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤
Publication of KR20160034196A publication Critical patent/KR20160034196A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102313258B1 publication Critical patent/KR102313258B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/24—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring contours or curvatures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/28—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring areas
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G01N2021/8887—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges based on image processing techniques
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/10—Image acquisition modality
    • G06T2207/10004—Still image; Photographic image

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Signal Processing (AREA)

Abstract

표면에 복수의 돌기부를 갖는 도전 입자의 표면 형상을 간편한 방법으로 평가하는 것을 과제로 한다. 도전 입자 형상 평가 장치(1)는, 복수의 도전 입자를 촬상한 이차원 화상을 대상으로, 도전 입자가 포함되는 대상 영역을 특정하는 영역 특정부(102)와, 이차원 화상의 대상 영역 내에 있어서의 휘도값의 도수 분포를 계산하고, 도수 분포의 휘도값에 대한 도수의 변동값을 기초로 제1 역치를 결정하는 역치 결정부(103)와, 제1 역치를 기초로 대상 영역 내의 이차원 화상을 2치화하여 2치화 화상을 생성하고, 2치화 화상의 에지를 입자 에지로서 검출하는 에지 검출부(104)와, 입자 에지를 기초로 이차원 화상 상의 도전 입자의 중심 좌표를 산출하는 중심 좌표 산출부(105)와, 중심 좌표와 입자 에지의 거리의 차분을 산출함으로써, 도전 입자의 표면에 있어서의 복수의 돌기부의 높이의 평가값을 산출하는 평가값 산출부(106)를 구비한다.

Description

도전 입자 형상 평가 장치 및 도전 입자 형상 평가 방법{AN APPARATUS FOR EVALUATING FORM OF A CONDUCTIVE PARTICLE AND A METHOD FOR EVALUATING FORM OF A CONDUCTIVE PARTICLE}
본 발명은 표면에 도전성의 복수의 돌기부를 구비한 도전 입자의 표면 형상을 평가하는 도전 입자 형상 평가 장치 및 도전 입자 형상 평가 방법에 관한 것이다.
액정 디스플레이와 테이프 캐리어 패키지(Tape Carrier Package: TCP)의 접속, 플렉시블 회로 기판(Flexible Printed Circuit: FPC)과 TCP의 접속, 또는 FPC와 프린트 배선판의 접속과 같은 회로 부재끼리의 접속에는, 접착제 중에 도전 입자를 분산시킨 회로 접속 재료(예를 들어, 이방 도전성 접착제)가 사용되고 있다. 또한, 최근에는 반도체 실리콘 칩을 기판에 실장하는 경우, 회로 부재끼리의 접속을 위하여 와이어 본드를 사용하지 않고, 반도체 실리콘 칩을 페이스 다운하여 기판에 직접 실장하는, 소위 플립 칩 실장이 행하여지고 있다. 이 플립 칩 실장에 있어서도, 회로 부재끼리의 접속에는 이방 도전성 접착제 등의 회로 접속 재료가 사용되고 있다. 이러한 회로 접속 재료에 사용되는 도전 입자로서는, 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있는, 표면에 도전성의 복수의 돌기부를 구비한 도전 입자가 사용된다(하기 특허문헌 1 참조).
상기와 같은 도전 입자를 제조할 때에는, 품질 관리의 목적으로 도전 입자의 형상을 돌기부의 형성 상태를 포함하여 평가하는 것이 중요하다. 평가의 방법으로서는, 도전 입자를 전자 현미경 등으로 촬상함으로써 2차원 화상을 취득하고, 그 2차원 화상을 대상으로 종래의 도형 인식 방법(예를 들어, 하기 특허문헌 2 참조) 등의 화상 처리를 사용하여 평가하는 것이 유효하다.
일본 특허 공개 제2006-269296호 공보 일본 특허 공개 제2003-150967호 공보
그러나, 상기한 종래의 도면 인식 방법에 따라서는, 진원이 아닌 요철을 갖는 도전 입자의 단면 형상을 인식하는 것은 곤란하다. 또한, 도전 입자의 표면의 복수의 돌기부의 불규칙한 형상을 평가하는 것도 곤란하다.
따라서, 본 발명은, 이러한 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 표면에 복수의 돌기부를 갖는 도전 입자의 표면 형상을 간편한 방법으로 평가하는 것이 가능한 도전 입자 형상 평가 장치 및 도전 입자 형상 평가 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 형태에 관한 도전 입자 형상 평가 장치는, 표면에 도전성의 복수의 돌기부를 구비한 도전 입자의 표면 형상을 평가하는 도전 입자 형상 평가 장치로서, 복수의 도전 입자를 촬상한 이차원 화상을 대상으로, 도전 입자가 포함되는 대상 영역을 특정하는 영역 특정 수단과, 이차원 화상의 대상 영역 내에 있어서의 휘도값의 도수 분포를 계산하고, 도수 분포의 휘도값에 대한 도수의 변동값을 기초로 제1 역치를 결정하는 역치 결정 수단과, 제1 역치를 기초로 대상 영역 내의 이차원 화상을 2치화하여 2치화 화상을 생성하고, 2치화 화상의 에지를 입자 에지로서 검출하는 에지 검출 수단과, 에지 검출 수단에 의해 검출된 입자 에지를 기초로 이차원 화상 상의 도전 입자의 중심 좌표를 산출하는 중심 좌표 산출 수단과, 중심 좌표와 입자 에지의 거리의 차분을 산출함으로써, 도전 입자의 표면에 있어서의 복수의 돌기부의 높이의 평가값을 산출하는 평가값 산출 수단을 구비한다.
또는, 본 발명의 다른 형태에 관한 도전 입자 형상 평가 방법은, 표면에 도전성의 복수의 돌기부를 구비한 도전 입자의 표면 형상을 평가하는 도전 입자 형상 평가 방법으로서, 영역 특정 수단이, 복수의 도전 입자를 촬상한 이차원 화상을 대상으로, 도전 입자가 포함되는 대상 영역을 특정하는 영역 특정 스텝과, 역치 결정 수단이, 이차원 화상의 대상 영역 내에 있어서의 휘도값의 도수 분포를 계산하고, 도수 분포의 휘도값에 대한 도수의 변동값을 기초로 제1 역치를 결정하는 역치 결정 스텝과, 에지 검출 수단이, 제1 역치를 기초로 대상 영역 내의 이차원 화상을 2치화하여 2치화 화상을 생성하고, 2치화 화상의 에지를 입자 에지로서 검출하는 에지 검출 스텝과, 중심 좌표 산출 수단이, 에지 검출 수단에 의해 검출된 입자 에지를 기초로 이차원 화상 상의 도전 입자의 중심 좌표를 산출하는 중심 좌표 산출 스텝과, 평가값 산출 수단이, 중심 좌표와 입자 에지의 거리의 차분을 산출함으로써, 도전 입자의 표면에 있어서의 복수의 돌기부의 높이의 평가값을 산출하는 평가값 산출 스텝을 구비한다.
이러한 도전 입자 형상 평가 장치 또는 도전 입자 형상 평가 방법에 의하면, 진원이 아닌 불규칙한 단면 형상을 갖는 도전 입자의 에지가 이차원 화상을 기초로 정확하게 검출되고, 검출된 에지를 이용한 간편한 계산 방법으로 표면에 불규칙하게 형성된 돌기부의 높이의 평가값이 산출된다. 이에 의해, 표면에 복수의 돌기부를 갖는 도전 입자의 표면 형상을 간편한 방법으로 적절하게 평가할 수 있다. 예를 들어, 이러한 평가 장치 또는 평가 방법은, 퍼스널 컴퓨터, 태블릿 단말기 등의 범용의 정보 처리 장치에 의해 용이하게 실현할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 도전 입자 형상 평가 장치(1)의 기능 구성을 도시하는 블록도이다.
도 2는 도 1의 도전 입자 형상 평가 장치(1)에 입력되고 대상 영역이 설정된 이차원 화상 데이터의 일례를 나타내는 도면이며, (a)는 도 1의 입력부(101)에 의해 입력된 이차원 화상 데이터, (b)는 도 1의 영역 특정부(102)에 의해 대상 영역이 설정된 이차원 화상 데이터를, 각각 나타낸다.
도 3은 도 1의 역치 결정부(103)에 의해 생성된 대상 영역에서의 휘도값의 도수 분포를 나타내는 그래프이다.
도 4는 도 1의 역치 결정부(103)의 처리 대상의 이차원 화상 데이터의 일부를 도시하는 도면이다.
도 5는 도 3의 휘도값의 도수 분포를 기초로 계산된 도수의 변동값의 분포를 나타내는 그래프이다.
도 6은 도 1의 역치 결정부(103)에 의해 생성된 내측 영역에서의 휘도값의 도수 분포를 나타내는 그래프이다.
도 7은 도 1의 에지 검출부(104)에 의해 생성된 2치화 화상의 이미지를 도시하는 도면이다.
도 8은 도 1의 중심 좌표 산출부(105)에 의한 중심 좌표의 검출 이미지를 도시하는 도면이다.
도 9는 도 1의 평가값 산출부(106)에 의한 높이의 평가값의 산출 이미지를 도시하는 도면이다.
도 10은 도 1의 평가값 산출부(106)에 의해 생성된 2치화 화상의 이미지를 도시하는 도면이다.
도 11은 도 1의 도전 입자 형상 평가 장치(1)에 의한 평가값 산출 처리의 수순을 나타내는 흐름도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명에 의한 도전 입자 형상 평가 장치 및 도전 입자 형상 평가 방법의 실시 형태를 상세하게 설명한다. 또한, 도면의 설명에 있어서 동일한 요소에는 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명을 생략한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 도전 입자 형상 평가 장치(1)의 기능 구성을 도시하는 블록도이다. 본 실시 형태에 의한 도전 입자 형상 평가 장치(1)는, 표면에 도전성의 복수의 돌기부를 구비한 도전 입자의 표면 형상을 평가하기 위한 정보 처리 장치이다. 평가 대상의 도전 입자로서는, 금속 입자의 표면에 도전성을 갖는 금속으로 구성된 복수의 돌기부가 형성된 것을 들 수 있다. 금속 입자 및 돌기부를 구성하는 금속은, 예를 들어 니켈, 구리, 금, 은, 코발트 등이며, 금속 입자와 돌기부는, 별도의 금속으로 구성될 수도 있고, 동일한 금속으로 구성될 수도 있다. 또한, 금속 입자는, 유기 고분자 화합물을 포함하는 핵체 상에 금속층이 형성된 것으로 할 수도 있다.
도전 입자 형상 평가 장치(1)는, 퍼스널 컴퓨터, 태블릿 단말기, 서버 장치 등으로 대표되는 정보 처리 장치이며, CPU와, 주기억 장치인 RAM 및 ROM과, 하드 디스크 장치 등의 보조 기억 장치와, 입력 디바이스인 입력 키, 마우스 등의 입력 장치와, 디스플레이, 스피커 등의 출력 장치와, 외부의 네트워크를 경유한 데이터의 송수신을 담당하는 통신 모듈을 내장한다.
이어서, 도 1을 참조하면서, 도전 입자 형상 평가 장치(1)의 기능 구성에 대하여 설명한다. 도전 입자 형상 평가 장치(1)는, 기능적 구성 요소로서, 입력부(101), 영역 특정부(영역 특정 수단)(102), 역치 결정부(역치 결정 수단)(103), 에지 검출부(에지 검출 수단)(104), 중심 좌표 산출부(중심 좌표 산출 수단)(105), 평가값 산출부(평가값 산출 수단)(106) 및 출력부(107)를 포함하여 구성된다.
입력부(101)는, 외부로부터 복수의 도전 입자가 촬상된 이차원 화상 데이터의 입력을 접수한다. 이 이차원 화상 데이터는, 예를 들어 카본 테이프 상에 채취된 복수의 도전 입자를 주사형 전자 현미경(SEM: Scanning Electron Microscope)을 사용하여 촬상함으로써 생성된 흑백의 SEM 화상이다. 또한, 이차원 화상 데이터는, 복수의 도전 입자를 나타내는 이차원의 농담상을 갖는 화상 데이터이면 되며, SEM 화상에는 한정되지 않고, 다른 종류의 현미경에 의해 취득된 것일 수도 있다. 여기서, 입력부(101)는, 이차원 화상 데이터를, 외부의 네트워크를 경유하여 입력을 접수하도록 기능할 수도 있고, 플래시 메모리, 광 디스크 등의 외부 기억 매체를 통하여 입력을 접수하도록 기능할 수도 있다.
영역 특정부(102)는, 입력부(101)에 의해 접수된 이차원 화상 데이터를 대상으로 화상 해석을 행함으로써, 1개의 도전 입자가 포함되는 이차원 화상 데이터 상의 대상 영역을 특정한다. 구체적으로는, 영역 특정부(102)는, 이차원 화상 데이터에 바림 처리를 실시한 후, 이차원 화상 데이터에 있어서의 도전 입자의 상의 위치를 매칭 처리에 의해 모든 상의 에지로부터 검출한다. 또한, 영역 특정부(102)는, 이차원 화상 상에서 검출한 에지와, 미리 설정된 템플릿 데이터의 매칭 처리를 행하여, 매칭 처리에 의해 템플릿 데이터와의 상관이 높다고 판단된 위치의 중심을 도전 입자의 대략적인 중심의 위치라고 판단한다. 또한, 영역 특정부(102)는, 이차원 화상 데이터 상의 도전 입자의 에지의 대략적인 중심 좌표를 중심으로 한 소정 반경의 원형의 범위를, 이차원 화상 데이터의 좌표 상의 1개의 도전 입자가 포함되는 대상 영역으로서 특정한다. 이 대상 영역의 반경은, 대상 영역이 1개의 도전 입자를 포함하는 값으로 설정되어 있다.
도 2는 도전 입자 형상 평가 장치(1)에 입력되고 대상 영역이 설정된 이차원 화상 데이터의 일례를 나타내는 도면이며, (a)는 입력부(101)에 의해 입력된 이차원 화상 데이터, (b)는 영역 특정부(102)에 의해 대상 영역이 설정된 이차원 화상 데이터를, 각각 나타내고 있다.
도 2의 (a)에 도시한 바와 같이, 입력되는 이차원 화상 데이터 G0 상에는, 카본 테이프의 상인 농도가 높은(흑색에 가까워 어두운) 배경상 IB와, 배경상 IB보다도 농도가 낮은(백색에 가까워 밝은) 복수의 도전 입자의 입자상 IT가 표시되어 있다. 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 이차원 화상 데이터 G0는 바림 처리가 가해짐으로써 이차원 화상 데이터 G1로 변환되어, 그 이차원 화상 데이터 G1에 있어서의 도전 입자의 에지 E1이 검출된다. 또한, 이차원 화상 데이터 G1 상에서 템플릿 데이터와의 매칭 처리 결과 얻어진 중심 위치가 도전 입자의 대략적인 중심 좌표 C1로서 검출되어, 그 중심 좌표를 중심으로 한 원형의 대상 영역 W1이 특정된다. 이러한 영역 특정부(102)에 의한 대상 영역 W1의 특정은, 이차원 화상 데이터 G1 상에서 검출된 모든 도전 입자에 관하여 반복 실행된다.
또한, 영역 특정부(102)는, 후술하는 중심 좌표 산출부(105)에 의해 산출된 도전 입자의 중심 좌표를 기준으로, 도전 입자의 에지보다도 내측의 내측 영역을 특정하는 것도 행한다. 상세하게는, 도전 입자의 중심 좌표를 중심으로 한 소정 반경의 원형 영역을 내측 영역으로서 특정한다. 이 소정 반경은, 도전 입자의 평균적인 반경의 소정 배율(예를 들어, 절반)의 길이로 설정된다. 영역 특정부(102)는, 특정한 내측 영역의 데이터를 역치 결정부(103)에 전달한다.
역치 결정부(103)는, 입력부(101)에 의해 입력된 이차원 화상 데이터와, 영역 특정부(102)에 의해 특정된 대상 영역의 데이터를 받아, 그들에 기초하여 이차원 화상 데이터의 2치화를 위한 제1 역치를 결정한다. 즉, 역치 결정부(103)는, 이차원 화상 데이터의 1개의 대상 영역에 포함되는 화소의 농담을 나타내는 휘도값의 도수 분포를 계산하고, 추가로 그 도수 분포를 기초로 휘도값에 대한 도수의 변동값의 분포도 계산한다. 그리고, 역치 결정부는, 그 도수의 변동값의 분포를 참조하여, 변동값이 음의 값으로부터 양의 값으로 변화하는 휘도값을 도출하고, 그 휘도값을 기준으로 제1 역치를 결정한다. 예를 들어, 역치 결정부(103)는 도출된 휘도값 그 자체를 제1 역치로 할 수도 있고, 휘도값에 소정의 연산(소정값을 가감하는 등)을 행하여 제1 역치로 할 수도 있다. 이와 같이 하여 검출된 휘도값은, 휘도값의 도수 분포의 극소값(극값)의 점에 대응한 휘도값으로 된다.
도 3은 역치 결정부(103)에 의해 생성된 대상 영역에서의 휘도값의 도수 분포를 나타내고 있고, 도 4는 역치 결정부(103)의 처리 대상의 이차원 화상 데이터의 일부를 나타내고 있고, 도 5는 도 3의 휘도값의 도수 분포를 기초로 계산된 도수의 변동값의 분포를 나타내고 있다. 도 3에 도시하는 도수 분포는, 휘도값을 8로 구획한 범위를 4씩 어긋나게 하면서 각각의 휘도값의 범위에서의 도수를 계산한 도수 분포의 예를 나타내고 있다. 또한, 도 5에 도시하는 분포는, 도 3에 도시하는 도수 분포를 기초로, 휘도값의 인접하는 2개의 범위간에서의 도수의 변동값의 분포를 계산한 예를 나타내고 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 이차원 화상 데이터에 있어서는, 배경상 IB의 부분이 휘도값이 비교적 낮고(농도가 높고), 도전 입자의 부분이 휘도값이 비교적 높아지는(농도가 낮아지는) 경향이 있다. 더욱 상세하게는, 도전 입자의 상 중에서는, 입자상의 에지 영역 IT1, 이 영역 IT1의 내측의 중심 근방의 입자 표면과, 돌기부의 에지를 제외한 부분을 합한 영역 IT2 및 영역 IT1의 내측 에지를 포함하는 입자 표면과, 돌기부의 에지 부분을 합한 영역 IT3의 순으로 휘도값이 높아지는(농도가 낮아지는) 경향이 있다. 따라서, 도 3에 도시하는 도수 분포에 있어서는, 휘도값의 범위 RL0에는, 배경상 IB의 부분에 포함되는 화소의 휘도값이 주로 반영되고, 휘도값의 범위 RL1, RL2, RL3에는 각각 영역 IT1, IT2, IT3에 포함되는 화소의 휘도값이 주로 반영되는 경향이 있다. 그 결과, 도수 분포에서는, 휘도값의 범위 RL0, RL2의 각각에 도수의 극대값이 존재하고, 휘도값의 범위 RL1에 도수의 극소값이 존재한다. 도 5에 도시하는 도수의 변동값의 분포에는, 이러한 성질이 반영된다. 따라서, 도전 입자의 에지를 검출하기 위한 역치를 도출하기 위해서는, 이 도수 분포의 범위 RL1에 대응하는 휘도값을 기준으로 하면 되는 것을 알 수 있다. 따라서, 역치 결정부(103)는, 도수의 변동값이 음의 값으로부터 양의 값으로 변화하는 휘도값을 도출함으로써, 휘도값의 도수 분포에 있어서의 극소값에 대응하는 휘도값을 특정하여, 그 휘도값을 기준으로 제1 역치를 결정한다.
또한, 역치 결정부(103)는, 입력부(101)에 의해 입력된 이차원 화상 데이터와, 영역 특정부(102)에 의해 특정된 내측 영역의 데이터를 받아, 그들에 기초하여 이차원 화상 데이터의 2치화를 위한 제2 역치를 결정한다. 즉, 역치 결정부(103)는, 이차원 화상 데이터의 1개의 내측 영역에 포함되는 화소의 농담을 나타내는 휘도값의 도수 분포를 계산하고, 추가로 그 도수 분포를 기초로, 도수 분포의 극대값에 대응하는 휘도값을 도출하고, 그 휘도값을 기준으로 제2 역치를 결정한다. 예를 들어, 역치 결정부(103)는, 도출된 극대값에 대응하는 휘도값과, 도수 분포의 휘도값 증가에 대한 감소율이 가장 큰 점에 대응하는 휘도값의 사이로부터 제2 역치를 선출할 수도 있고, 도출된 극대값의 소정 비율의 도수에 대응하는 휘도값을 제2 역치로 할 수도 있다.
도 6은 역치 결정부(103)에 의해 생성된 내측 영역에서의 휘도값의 도수 분포를 나타내고 있다. 전술한 바와 같이, 이차원 화상 데이터에 있어서의 도전 입자의 에지로부터 중심의 영역에서는, 입자 표면과 돌기부의 에지를 제외한 부분을 합한 영역, 및 돌기부의 에지 부분의 영역 순으로 휘도값이 높아지는(농도가 낮아지는) 경향이 있다. 따라서, 도 6에 도시하는 도수 분포에 있어서는, 휘도값의 범위 RL4에는, 입자 표면과 돌기부의 에지를 제외한 부분을 합한 영역에 포함되는 화소의 휘도값이 주로 반영되고, 휘도값의 범위 RL5에는, 돌기부의 에지 부분의 영역에 포함되는 화소의 휘도값이 주로 반영되는 경향이 있다. 그리고, 휘도값의 범위 RL4에는, 입자 표면과 돌기부의 에지를 제외한 부분을 나타내는 도수의 산이 존재하고, 휘도값의 범위 RL5에 있어서는, 휘도가 높아짐에 따라 입자 표면과 돌기부의 에지를 제외한 부분이 급격하게 적어지고 있는 것을 나타내는 도수의 감소율의 최대의 부분이 존재한다. 그 결과, 도수 분포에서는, 휘도값의 범위 RL4 내의 범위 RL5 근방의 휘도값에 도수의 극대점 P1이 존재하고, 휘도값의 범위 RL5 내의 범위 RL4 근방의 휘도값에 휘도값의 증가에 대한 도수의 감소율이 가장 큰 점 P2가 존재한다. 따라서, 돌기부의 에지를 검출하기 위한 역치를 도출하기 위해서는, 이 도수 분포의 범위 RL4에 있어서의 도수의 극대값에 대응하는 휘도값과 도수 분포의 범위 RL5에 있어서의 도수의 감소율이 최대의 부분에 대응하는 휘도값을 기준으로 하면 되는 것을 알 수 있다. 따라서, 역치 결정부(103)는, 극대값에 대응하는 휘도값과, 도수 분포의 휘도값 증가에 대한 감소율이 가장 큰 점에 대응하는 휘도값의 사이로부터 제2 역치를 선출하고 있다.
에지 검출부(104)는, 입력부(101)에 의해 입력된 이차원 화상 데이터를, 역치 결정부(103)에 의해 결정된 제1 역치를 기초로, 대상 영역 내에서 2치화함으로써 2치화 화상을 생성한다. 또한, 에지 검출부(104)는, 생성된 2치화 화상의 에지를 도전 입자의 에지인 입자 에지로서 검출한다. 도 7에는, 에지 검출부(104)에 의해 생성된 2치화 화상의 이미지를 나타내고 있다. 동일한 도면에 도시한 바와 같이, 대상 영역 W1 내의 화소가 2치화됨으로써, 도전 입자의 범위와 그 이외의 범위가 명확하게 구분된다. 이러한 2치화 화상을 대상으로 입자 에지 E2를 검출함으로써, 미세한 요철을 갖는 에지가 정확하게 검출된다.
중심 좌표 산출부(105)는, 에지 검출부(104)에 의해 검출된 입자 에지를 기초로, 이차원 화상 데이터 상의 도전 입자의 중심 좌표를 산출한다. 도 8은, 중심 좌표 산출부(105)에 의한 중심 좌표의 검출 이미지를 나타내고 있다. 구체적으로는, 중심 좌표 산출부(105)는, 입자 에지 E2를, 영역 특정부(102)에 의해 구해진 대략적인 중심 좌표 C1을 중심으로 한 극좌표에 있어서의 각도 0 내지 120도, 120 내지 240도, 240 내지 360도의 3영역으로 분할하고, 각 영역에서 대략적인 중심 좌표 C1로부터 먼 순서대로 소정 개(예를 들어, 20개)씩 표본점을 추출한다. 그리고, 중심 좌표 산출부는, 추출된 모든 표본점을 대상으로 하여 최소 제곱법으로 계산함으로써, 입자 에지 E2에 피팅하는 원을 구하고, 그 원의 중심을 도전 입자의 중심 좌표 C2로서 산출한다. 이러한 처리에 의해, 이차원 화상 데이터 상에서 인접하는 도전 입자의 에지가 겹쳐 촬상되고 있는 경우에도 도전 입자의 중심을 보다 정확하게 계산할 수 있다.
평가값 산출부(106)는, 중심 좌표 산출부(105)에 의해 산출된 중심 좌표부터 에지 검출부(104)에 의해 검출된 입자 에지까지의 거리를 계산함으로써, 도전 입자의 표면에 있어서의 복수의 돌기부의 높이의 평가값을 산출한다. 도 9는 평가값 산출부(106)에 의한 높이의 평가값의 산출 이미지를 나타내고 있다. 상세하게는, 평가값 산출부(106)는, 입자 에지 E2를, 중심 좌표 C2를 중심으로 한 극좌표에 있어서의 소정 각도의 영역(예를 들어, 각도 40도의 영역)을 소정 각도(예를 들어 20도)씩 어긋나게 한 복수(예를 들어, 18개)의 영역으로 분할한다. 그리고, 평가값 산출부(106)는, 각 영역마다의 에지 E2를 구성하는 점을 대상으로, 중심 좌표로부터의 거리를 큰 것부터 3개 선택하여, 그들의 평균을 산출한다. 마찬가지로, 평가값 산출부(106)는, 각 영역마다의 에지 E2를 구성하는 점을 대상으로, 중심 좌표로부터의 거리를 작은 것부터 3개 선택하여, 그들의 평균을 산출한다. 또한, 평가값 산출부(106)는, 각 영역마다 거리가 큰 것의 평균과 거리가 작은 것의 평균의 차분을 그 영역에서의 돌기부의 높이의 평가값으로서 산출하고, 모든 영역의 돌기부의 높이의 평가값의 평균값을, 전체의 돌기부의 높이의 평가값으로서 산출한다. 이렇게 영역으로 분할하여 평가값을 계산함으로써, 형상이 진원에 가깝지 않아도 정확하게 돌기부의 높이를 평가할 수 있다. 또한, 복수의 분할 영역을 서로 일부 겹친 상태로 설정함으로써, 돌기가 영역을 걸침으로써 높이의 평가값에 오차가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 평가값 산출부(106)는, 이차원 화상 데이터 중에 포함되는 복수의 도전 입자를 대상으로 돌기부의 높이의 평가값을 산출하고, 그들의 평균을 로트의 돌기부의 높이의 평가값으로서도 산출한다.
그 외에, 평가값 산출부(106)는 입력부(101)에 의해 입력된 이차원 화상 데이터를, 역치 결정부(103)에 의해 결정된 제2 역치를 기초로, 내측 영역 내에서 2치화함으로써 2치화 화상을 생성한다. 또한, 평가값 산출부(106)는, 생성된 2치화 화상에 있어서의 이치의 각각의 값에 대응하는 부분의 면적의 비율을, 1개의 도전 입자의 돌기부의 면적의 평가값으로서 계산한다. 도 10에는 평가값 산출부(106)에 의해 생성된 2치화 화상의 이미지를 나타내고 있다. 동일한 도면에 도시한 바와 같이, 평가값 산출부(106)에 의해, 이차원 화상 데이터는, 내측 영역 W2 내에서 흑백의 2치화 화상으로 변환되어, 백색 영역의 면적의 흑색 영역의 면적에 대한 비율이 돌기부의 면적의 평가값으로서 산출된다.
출력부(107)는, 평가값 산출부(106)에 의해 산출된 돌기부의 높이의 평가값 및 돌기부의 면적의 평가값을 출력한다. 예를 들어, 출력부(107)는, 이들 평가값을 디스플레이의 출력 장치에 출력할 수도 있고, 통신 모듈을 통하여 외부에 송신할 수도 있다.
이어서, 도 11을 참조하면서, 도전 입자 형상 평가 장치(1)에 의한 평가값 산출 처리의 수순을 설명함과 함께, 본 실시 형태에 관한 도전 입자 형상 평가 방법에 대하여 상세하게 설명한다. 도 11은, 도 1의 도전 입자 형상 평가 장치(1)에 의한 평가값 산출 처리의 수순을 나타내는 흐름도이다.
먼저, 입력부(101)에 의해 이차원 화상 데이터의 입력이 접수되면, 영역 특정부(102)에 의해 이차원 화상 데이터에 있어서의 대상 영역이 특정된다(스텝 S101). 이어서, 역치 결정부(103)에 의해, 이차원 화상 데이터의 대상 영역 내의 화소를 대상으로 휘도값의 도수 분포가 산출되고, 그 도수 분포를 기초로 이차원 화상 데이터의 2치화를 위한 제1 역치가 결정된다(스텝 S102). 그 후, 에지 검출부(104)에 의해, 제1 역치를 사용하여 이차원 화상 데이터가 대상 영역 내에서 2치화되어, 2치화 화상이 생성되고, 그 2치화 화상을 이용하여 입자 에지가 검출된다(스텝 S103). 또한, 중심 좌표 산출부(105)에 의해, 입자 에지에 피팅하는 원의 중심이 구해짐으로써 처리 대상의 도전 입자의 중심 좌표가 산출된다(스텝 S104). 그리고, 평가값 산출부(106)에 의해, 도전 입자의 중심 좌표부터 입자 에지까지의 거리가 계산되고, 그 거리를 기초로 도전 입자의 표면의 복수의 돌기부의 높이에 관한 평가값이 산출된다(스텝 S105).
한편, 역치 결정부(103)에 의해, 이차원 화상 데이터의 내측 영역 내의 휘도값의 도수 분포가 계산되고, 그 도수 분포를 기초로 이차원 화상 데이터의 2치화를 위한 제2 역치가 결정된다(스텝 S106). 그 후, 평가값 산출부(106)에 의해, 제2 역치를 사용하여 이차원 화상 데이터가 내측 영역 내에서 2치화됨으로써 2치화 화상이 생성되고, 그 2치화 화상을 기초로 도전 입자의 표면의 복수의 돌기부의 면적에 관한 평가값이 산출된다(스텝 S107). 스텝 S105, S107에서 산출된 평가값은, 출력부(107)에 의해 출력된다.
상기한 스텝 S101 내지 S107의 처리는, 이차원 화상 데이터에 포함되는 복수의 도전 입자를 대상으로 하여 반복 실행된다. 그것에 의하여, 복수의 도전 입자가 포함되는 로트마다의 품질 평가가 가능해진다.
이상 설명한 도전 입자 형상 평가 장치(1), 또는 도전 입자 형상 평가 장치(1)를 사용한 도전 입자 형상 평가 방법에 의하면, 진원이 아닌 불규칙한 단면 형상을 갖는 도전 입자의 에지가 이차원 화상 데이터를 기초로 정확하게 검출되고, 검출된 에지를 이용한 간편한 계산 방법으로 표면에 불규칙하게 형성된 돌기부의 높이의 평가값이 산출된다. 이에 의해, 표면에 복수의 돌기부를 갖는 도전 입자의 표면 형상을 간편한 방법으로 적절하게 평가할 수 있다. 예를 들어, 이러한 평가 장치 또는 평가 방법은, 퍼스널 컴퓨터, 태블릿 단말기 등의 범용의 정보 처리 장치에 의해 용이하게 실현할 수 있다.
또한, 이차원 화상 상에서 도전 입자의 에지의 내측에 나타나는 복수의 돌기부의 부분과, 당해 이차원 화상 상의 에지의 내측의 그 이외의 부분을, 2치화 화상에 의해 특정할 수 있고, 이 2치화 화상에 의해, 도전 입자의 에지의 내측에 나타나는 복수의 돌기부의 면적을 평가할 수 있다. 그 결과, 표면에 복수의 돌기부를 갖는 도전 입자의 표면 형상을 보다 적절하게 평가할 수 있다.
상기한 실시 형태에서는, 역치 결정 수단은, 도수 분포에 있어서의 변동값으로부터 유도된 극값의 점을 기준으로 제1 역치를 결정하는 것이 적합하다. 이렇게 하면, 불규칙한 형상을 갖는 도전 입자의 표면 근방의 휘도값에 대응하는 역치를 적절하게 도출할 수 있다. 그 결과, 도전 입자의 에지를 정확하게 검출할 수 있다.
또한, 평가값 산출 수단은, 중심 좌표를 기준으로 입자 에지를 복수의 입자 에지로 분할하여, 복수의 입자 에지마다 거리의 차분을 산출하는 것도 적합하다. 이러한 구성을 취하면, 도전 입자의 표면에 불규칙하게 형성된 돌기부의 높이를 영역마다 나누어 평가할 수 있다. 이에 의해, 도전 입자의 단면 형상이 진원이 아닌 경우도 돌기의 높이를 정확하게 평가할 수 있다.
또한, 평가값 산출 수단은, 복수의 입자 에지에 관하여 산출된 거리의 차분 평균값을, 도전 입자의 돌기부의 높이의 평가값으로서 산출하는 것도 적합하다. 이 경우, 도전 입자의 전체 돌기의 높이를 효율적으로 평가할 수 있다.
역치 결정 수단은, 도수 분포에 있어서의 극값의 점을 기준으로 제2 역치를 결정하는 것도 적합하다. 이러한 구성을 취하면, 불규칙한 형상을 갖는 도전 입자의 돌기부 휘도값에 대응하는 역치를 적절하게 도출할 수 있다. 그 결과, 이차원 화상 상에서 도전 입자의 에지의 내측에 나타나는 복수의 돌기부의 부분을 정확하게 검출할 수 있다.

Claims (11)

  1. 표면에 도전성의 복수의 돌기부를 구비한 도전 입자의 표면 형상을 평가하는 도전 입자 형상 평가 장치로서,
    복수의 상기 도전 입자를 촬상한 이차원 화상을 대상으로, 상기 도전 입자가 포함되는 대상 영역을 특정하는 영역 특정 수단과,
    상기 이차원 화상의 상기 대상 영역 내에 있어서의 휘도값의 도수 분포를 계산하고, 상기 도수 분포의 상기 휘도값에 대한 도수의 변동값을 기초로 제1 역치를 결정하는 역치 결정 수단과,
    상기 제1 역치를 기초로 상기 대상 영역 내의 상기 이차원 화상을 2치화하여 2치화 화상을 생성하고, 상기 2치화 화상의 에지를 입자 에지로서 검출하는 에지 검출 수단과,
    상기 에지 검출 수단에 의해 검출된 상기 입자 에지를 기초로 상기 이차원 화상 상의 상기 도전 입자의 중심 좌표를 산출하는 중심 좌표 산출 수단과,
    상기 중심 좌표와 상기 입자 에지를 구성하는 복수의 점과의 거리를 계산하고, 거리가 큰 것부터 소정 개의 평균과 거리가 작은 것부터의 소정 개의 평균의 차분을, 거리의 차분으로서 산출함으로써, 상기 도전 입자의 표면에 있어서의 상기 복수의 돌기부의 높이의 평가값을 산출하는 평가값 산출 수단
    을 구비하는, 도전 입자 형상 평가 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 역치 결정 수단은, 상기 도수 분포에 있어서의 상기 변동값으로부터 유도된 극값의 점을 기준으로 상기 제1 역치를 결정하는, 도전 입자 형상 평가 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 평가값 산출 수단은, 상기 중심 좌표를 기준으로 상기 입자 에지를 복수의 입자 에지로 분할하여, 상기 복수의 입자 에지마다 상기 거리의 차분을 산출하는, 도전 입자 형상 평가 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 평가값 산출 수단은, 상기 복수의 입자 에지에 관하여 산출된 상기 거리의 차분 평균값을, 상기 도전 입자의 상기 돌기부의 높이의 평가값으로서 산출하는, 도전 입자 형상 평가 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 영역 특정 수단은, 상기 중심 좌표를 기준으로 상기 입자 에지보다도 내측의 내측 영역을 추가로 특정하고,
    상기 역치 결정 수단은, 상기 이차원 화상의 상기 내측 영역 내에 있어서의 휘도값의 도수 분포를 계산하고, 상기 도수 분포를 기초로 제2 역치를 추가로 결정하며,
    상기 평가값 산출 수단은, 상기 제2 역치를 기초로 상기 내측 영역 내의 상기 이차원 화상을 2치화하고, 2치화된 상기 이차원 화상의 면적의 비율을 상기 복수의 돌기부의 면적의 평가값으로서 산출하는, 도전 입자 형상 평가 장치.
  6. 제3항에 있어서, 상기 영역 특정 수단은, 상기 중심 좌표를 기준으로 상기 입자 에지보다도 내측의 내측 영역을 추가로 특정하고,
    상기 역치 결정 수단은, 상기 이차원 화상의 상기 내측 영역 내에 있어서의 휘도값의 도수 분포를 계산하고, 상기 도수 분포를 기초로 제2 역치를 추가로 결정하며,
    상기 평가값 산출 수단은, 상기 제2 역치를 기초로 상기 내측 영역 내의 상기 이차원 화상을 2치화하고, 2치화된 상기 이차원 화상의 면적의 비율을 상기 복수의 돌기부의 면적의 평가값으로서 산출하는, 도전 입자 형상 평가 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 영역 특정 수단은, 상기 중심 좌표를 기준으로 상기 입자 에지보다도 내측의 내측 영역을 추가로 특정하고,
    상기 역치 결정 수단은, 상기 이차원 화상의 상기 내측 영역 내에 있어서의 휘도값의 도수 분포를 계산하고, 상기 도수 분포를 기초로 제2 역치를 추가로 결정하며,
    상기 평가값 산출 수단은, 상기 제2 역치를 기초로 상기 내측 영역 내의 상기 이차원 화상을 2치화하고, 2치화된 상기 이차원 화상의 면적의 비율을 상기 복수의 돌기부의 면적의 평가값으로서 산출하는, 도전 입자 형상 평가 장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 역치 결정 수단은, 상기 도수 분포에 있어서의 극값의 점을 기준으로 상기 제2 역치를 결정하는, 도전 입자 형상 평가 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 역치 결정 수단은, 상기 도수 분포에 있어서의 극값의 점을 기준으로 상기 제2 역치를 결정하는, 도전 입자 형상 평가 장치.
  10. 제7항에 있어서, 상기 역치 결정 수단은, 상기 도수 분포에 있어서의 극값의 점을 기준으로 상기 제2 역치를 결정하는, 도전 입자 형상 평가 장치.
  11. 표면에 도전성의 복수의 돌기부를 구비한 도전 입자의 표면 형상을 평가하는 도전 입자 형상 평가 방법으로서,
    영역 특정 수단이, 복수의 상기 도전 입자를 촬상한 이차원 화상을 대상으로, 상기 도전 입자가 포함되는 대상 영역을 특정하는 영역 특정 스텝과,
    역치 결정 수단이, 상기 이차원 화상의 상기 대상 영역 내에 있어서의 휘도값의 도수 분포를 계산하고, 상기 도수 분포의 상기 휘도값에 대한 도수의 변동값을 기초로 제1 역치를 결정하는 역치 결정 스텝과,
    에지 검출 수단이, 상기 제1 역치를 기초로 상기 대상 영역 내의 상기 이차원 화상을 2치화하여 2치화 화상을 생성하고, 상기 2치화 화상의 에지를 입자 에지로서 검출하는 에지 검출 스텝과,
    중심 좌표 산출 수단이, 상기 에지 검출 수단에 의해 검출된 상기 입자 에지를 기초로 상기 이차원 화상 상의 상기 도전 입자의 중심 좌표를 산출하는 중심 좌표 산출 스텝과,
    평가값 산출 수단이, 상기 중심 좌표와 상기 입자 에지를 구성하는 복수의 점과의 거리를 계산하고, 거리가 큰 것부터 소정 개의 평균과 거리가 작은 것부터의 소정 개의 평균의 차분을, 거리의 차분으로서 산출함으로써, 상기 도전 입자의 표면에 있어서의 상기 복수의 돌기부의 높이의 평가값을 산출하는 평가값 산출 스텝
    을 구비하는, 도전 입자 형상 평가 방법.
KR1020150128870A 2014-09-19 2015-09-11 도전 입자 형상 평가 장치 및 도전 입자 형상 평가 방법 KR102313258B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2014-191376 2014-09-19
JP2014191376A JP6432240B2 (ja) 2014-09-19 2014-09-19 導電粒子形状評価装置及び導電粒子形状評価方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160034196A KR20160034196A (ko) 2016-03-29
KR102313258B1 true KR102313258B1 (ko) 2021-10-14

Family

ID=55661996

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150128870A KR102313258B1 (ko) 2014-09-19 2015-09-11 도전 입자 형상 평가 장치 및 도전 입자 형상 평가 방법

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP6432240B2 (ko)
KR (1) KR102313258B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114479712A (zh) 2017-04-28 2022-05-13 昭和电工材料株式会社 粘接剂组合物及连接体的制造方法
CN110472472B (zh) * 2019-05-30 2022-04-19 北京市遥感信息研究所 基于sar遥感图像的机场检测方法与装置
CN113112396B (zh) * 2021-03-25 2023-12-01 苏州华兴源创科技股份有限公司 导电粒子的检测方法
CN114359174B (zh) * 2021-12-16 2024-06-18 苏州镁伽科技有限公司 导电粒子识别方法、装置、电子设备及存储介质

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003108997A (ja) 2001-09-28 2003-04-11 Keyence Corp 二値化処理におけるしきい値設定方法、二値化処理回路および二値化処理プログラムならびにコンピュータで読み取り可能な記録媒体
JP2007207665A (ja) 2006-02-03 2007-08-16 Sekisui Chem Co Ltd 導電性粒子の製造方法、導電性粒子及び異方性導電材料
JP2012066896A (ja) 2010-09-22 2012-04-05 Tokai Rubber Ind Ltd 紙送り用ローラ
JP2012113850A (ja) 2010-11-22 2012-06-14 Nippon Chem Ind Co Ltd 導電性粉体、それを含む導電性材料及びその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2113752C (en) * 1994-01-19 1999-03-02 Stephen Michael Rooks Inspection system for cross-sectional imaging
JPH096957A (ja) * 1995-06-23 1997-01-10 Toshiba Corp 濃度画像の２値化方法および画像２値化装置
JP2003150967A (ja) 2001-11-15 2003-05-23 Ricoh Co Ltd 図形認識装置
JP4674096B2 (ja) * 2005-02-15 2011-04-20 積水化学工業株式会社 導電性微粒子及び異方性導電材料
JP2006269296A (ja) 2005-03-24 2006-10-05 Sekisui Chem Co Ltd 突起粒子の製造方法、突起粒子、導電性突起粒子及び異方性導電材料
JP2007184115A (ja) * 2006-01-04 2007-07-19 Noge Denki Kogyo:Kk 導電性微粒子の製造方法
JP5198298B2 (ja) * 2009-01-20 2013-05-15 三菱電線工業株式会社 突起付長尺体測定方法
JP5530225B2 (ja) * 2010-03-09 2014-06-25 オリンパス株式会社 内視鏡装置およびプログラム
JP5651428B2 (ja) * 2010-10-27 2015-01-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン測定方法，パターン測定装置及びそれを用いたプログラム
KR101375298B1 (ko) * 2011-12-20 2014-03-19 제일모직주식회사 전도성 미립자 및 이를 포함하는 이방 전도성 필름

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003108997A (ja) 2001-09-28 2003-04-11 Keyence Corp 二値化処理におけるしきい値設定方法、二値化処理回路および二値化処理プログラムならびにコンピュータで読み取り可能な記録媒体
JP2007207665A (ja) 2006-02-03 2007-08-16 Sekisui Chem Co Ltd 導電性粒子の製造方法、導電性粒子及び異方性導電材料
JP2012066896A (ja) 2010-09-22 2012-04-05 Tokai Rubber Ind Ltd 紙送り用ローラ
JP2012113850A (ja) 2010-11-22 2012-06-14 Nippon Chem Ind Co Ltd 導電性粉体、それを含む導電性材料及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6432240B2 (ja) 2018-12-05
KR20160034196A (ko) 2016-03-29
JP2016061722A (ja) 2016-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20240144467A1 (en) Hot spot defect detecting method and hot spot defect detecting system
JP5981838B2 (ja) 検査画像内の欠陥を検出するためのシステム、方法及びコンピュータプログラム製品
KR102313258B1 (ko) 도전 입자 형상 평가 장치 및 도전 입자 형상 평가 방법
CN105092598B (zh) 一种基于连通域的大幅面pcb板缺陷快速识别方法及系统
US8712184B1 (en) Method and system for filtering noises in an image scanned by charged particles
US8897600B1 (en) Method and system for determining vanishing point candidates for projective correction
JP2016516245A (ja) モバイル装置を用いた画像内のオブジェクトの分類
KR101434484B1 (ko) 영상 분할을 이용한 비전 검사 장치 및 비전 검사 방법
KR101417696B1 (ko) 패턴 측정 방법, 패턴 측정 장치 및 기록 매체
JP2013160629A (ja) 欠陥検査方法、欠陥検査装置、プログラムおよび出力部
JP2006066478A (ja) パターンマッチング装置及びそれを用いた走査型電子顕微鏡
KR20060125525A (ko) 조사 영역 추출 방법 및 화상 처리 장치
US8913836B1 (en) Method and system for correcting projective distortions using eigenpoints
US20110199491A1 (en) Calibration index determination device, calibration device, calibration performance evaluation device, system, method, and program
Said et al. Automated detection and classification of non-wet solder joints
US10533952B2 (en) Method of inspecting a terminal of a component mounted on a substrate and substrate inspection apparatus
CN111160477A (zh) 一种基于特征点检测的图像模板匹配方法
JPWO2004055531A1 (ja) 位置検出装置、位置検出方法、及び電子部品搬送装置
JP2016529598A (ja) 文書内バーコード配置特定
JP2019002888A (ja) 電極抽出装置、電極抽出方法および電極抽出プログラム
JP2004062519A (ja) レーンマーク検出装置
KR102075872B1 (ko) 투과영상 기반의 비파괴검사 방법 및 이를 위한 장치
JP5408377B2 (ja) 気泡率演算方法及び気泡率演算装置
JP5417804B2 (ja) 気泡率演算方法及び気泡率演算装置
KR101297209B1 (ko) 반도체용 웨이퍼 결함 검사방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant