KR102537236B1 - 전자 장치 하우징, 전자 장치, 및 복합체 - Google Patents

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Abstract

전자 장치 하우징, 전자 장치 및 복합체가 제공된다. 전자 장치 하우징은 프레임; 상기 프레임의 외부 표면의 적어도 일부에 배치되고, 순차적으로 라미네이트된 복수의 서브-실링층을 포함하는 실링층; 및 실링층에 의해 프레임에 부착된 백 케이스를 포함하고, 2개의 인접한 서브-실링층은 다른 조성을 갖는다.

Description

전자 장치 하우징, 전자 장치, 및 복합체
본 출원은 2018년 9월 30일에 중국 국가 지적재산권 관리국(PRC)에 제출된 중국 특허 출원 번호 201811161748.4의 우선권 및 이익을 주장하며, 상기 특허 출원은 그 전체가 본원에 참조로 포함된다.
본 출원은 전자 장치, 특히 전자 장치 하우징, 전자 장치 및 복합체(compound body)에 관한 것이다.
최근, 5G 및 무선 충전 기술의 부상으로, 전자 장치는 신호에 대한 높은 요구 사항이 증가하고 있다. 현재, 휴대폰 하우징과 같은 전자 장치 하우징은 대부분 금속 재료로 제조된다. 금속은 전자기 신호에 대한 강력한 차폐 효과가 있어서, 신호가 전자 장치 하우징을 효과적으로 통과하지 못하며, 이로 인하여 기존 전자 장치 하우징이 사용자의 소비자 체험을 충족시키지 못한다.
따라서, 기존의 전자 장치 하우징은 여전히 개선이 필요하다.
본 출원은 전자 장치 하우징을 제안한다. 전자 장치 하우징에서, 다른 재료의 프레임과 백 케이스가 실링층(sealing layer)에 의해 결합(bond)된다. 결합 효과가 우수하고, 외관이 미적이며, 신호 차폐 효과가 약하며, 기계적 특성이 우수하다. 따라서, 전자 장치 하우징은 적용 범위가 넓거나 수명이 길며, 사용자의 소비자 체험을 충족시킬 수 있다.
본 출원의 일 측면에서, 본 출원은 전자 장치 하우징을 제공한다. 본 출원의 일 구현예에 따르면, 전자 장치 하우징은 프레임; 상기 프레임의 외부 표면의 적어도 일부에 배치되고, 순차적으로 라미네이트된 복수의 서브-실링층을 포함하는 실링층; 및 실링층에 의해 프레임에 부착된, 백 케이스를 포함하고, 2개의 인접한 서브-실링층은 다른 조성을 갖는다. 본 발명자들은 전자 장치 하우징의 백 케이스와 프레임이 견고하게 결합되고, 기계적 특성이 우수하고, 외관이 미적이라는 것을 발견하였다. 다른 재료로 형성되고 열팽창계수의 차이가 큰 프레임과 백 케이스는 각각 조성이 다른 서브-실링층을 갖는 실링층에 의해 서로 견고하게 결합될 수 있다. 2개의 인접한 층 구조물의 열팽창계수의 차이가 작고, 일치도(degree of match)가 높으며, 온도 변화로 인한 고장 가능성이 크게 감소하고, 사용 수명이 길고, 사용 중 신호 요구 사항이 충분히 충족되어 신호 차폐 문제가 방지된다. 따라서, 본 출원은 보다 더 증대하고 있는 사용자의 미적 요구 사항을 충족시킬 수 있을 뿐만 아니라 보다 우수한 유용성을 갖는 것으로 사용자 체험을 향상시킬 수 있다.
본 출원의 다른 측면에서, 본 출원은 전자 장치를 제공한다. 본 출원의 일 구현예에 따르면, 전자 장치는 상기한 전자 장치 하우징을 포함한다. 본 발명자들은 전자 장치의 구조가 단순하고, 구현하기 쉽고, 5G 및 무선 충전 기능을 획득할 수 있고, 신호 수신 또는 전송 능력이 강하고, 사용 수명이 길며, 상기한 전자 장치 하우징의 모든 특징과 장점을 가지며, 따라서 높은 시장 경쟁력을 가짐을 발견하였다.
본 출원은 복합체(compound body)를 제공한다. 본 출원의 일 구현예에 따르면, 복합체는: 제1 워크피스; 상기 제1 워크피스의 외부 표면의 적어도 일부에 배치되고, 순차적으로 라미네이트된 복수의 서브-실링층을 포함하는 실링층으로서, 2개의 인접한 서브-실링층이 다른 조성을 갖는 실링층; 및 실링층에 의해 제1 워크피스에 부착된 제2 워크피스을 포함한다. 본 발명자들은 복합체에서 제1 워크피스와 제2 워크피스 사이의 결합력이 강하다는 것을 발견하였다. 다른 재료로 형성되고 열팽창계수의 차이가 큰 제1 워크피스 및 제2 워크피스는 각각 다른 조성을 갖는 서브-실링층을 갖는 실링층에 의해 서로 견고하게 결합된다. 2개의 인접한 구조물(structures)의 열팽창계수의 차이가 작고, 일치도가 높으며, 온도 변화로 인한 복합체의 고장 가능성이 크게 감소하고, 기계적 특성이 바람직하며, 사용 수명이 길고, 외관이 미적이며, 강도가 높고, 신호 차폐 효과가 약하다. 따라서, 더 우수한 사용 효과를 갖는 복합체가 얻어지고, 이는 전자 장치 하우징의 제조에 사용하기에 적합하다.
도 1은 본 출원의 구현예에 따른 전자 장치 하우징의 개략적인 구조도이다.
도 2는 본 출원의 일 구현예에 따른 전자 장치의 개략적인 구조도이다.
도 3은 본 출원의 다른 구현예에 따른 전자 장치 하우징의 개략적인 구조도이다.
도 4는 본 출원의 일부 구현예에 따른 전자 장치 하우징의 개략적인 구조도이다.
도 5는 본 출원의 일 구현예에 따른 복합체의 개략적인 구조도이다.
도 6은 본 출원의 다른 구현예에 따른 복합체의 개략적인 구조도이다.
도 7은 본 출원의 일 구현예에 따른 복합체를 제조하는 방법의 개략적인 플로우 차트이다.
도 8은 본 출원의 일 구현예에 따른 프레임과 백 케이스의 결합 강도(bonding strength) 테스트의 개략도이다.
도 9는 본 출원의 일 구현예에 따른 실링층의 단면의 주사 전자 현미경(SEM) 이미지이다.
도 10은 본 출원의 일 구현예에 따른 보로실리케이트(borosilicate) 유리 분말을 함유하는 서브-실링층의 SEM 라인-스캔 프로파일이다.
도 11은 본 출원의 일 구현예에 따른 포스페이트 유리 분말을 함유하는 서브-실링층의 SEM 라인-스캔 프로파일이다.
본 출원의 구현예를 아래에서 상세하게 기술한다. 이하에 기술되는 구현예는 예시적인 것이며, 본 출원에 대한 제한으로서 해석되기 보다는 단지 본 출원을 설명하기 위한 것이다. 특정한 기술 또는 조건을 예에 나타내지 않은 경우, 절차는 해당 분야의 문헌에 기술된 기술 또는 조건 또는 제품 사양에 따라 수행된다. 제조업체가 명시되지 않은 시약 또는 기기는 모두 시장에서 상업적으로 이용가능한 모두 일반적인 제품임을 나타낸다.
본 출원은 본 발명자들의 다음과 같은 지식과 발견에 기초하여 달성된다.
현재, 휴대폰 하우징과 같은 전자 장치 하우징은 대부분 모든 금속 부품(all-metal pieces)을 가공하고, 금속 부품에 무기물 부품(inorganic piece)(예컨대 유리 또는 세라믹)을 주입(injection)하고, 터치 패널(TP)과 프레임 사이에 접착제를 도포하여 금속 부품과 무기물 부품(예컨대 유리 또는 세라믹과 같은)을 결합(bonding)하여 제조된다. 제조된 전자 장치 하우징은 금속 부품과 무기물 부품 사이의 강도가 낮고 결합력이 약하고, 손상되기 쉽고, 사용 수명이 짧다. 상기 기술적 문제점을 감안하여, 본 발명자들은 심층 연구 끝에, 금속 부품과 무기물 부품의 결합력을 향상시키기 위해, 금속 부품과 무기물 부품 사이의 실링층이 다층 구조가 되도록 할 수 있고, 그리고 다른 조성을 갖는 각각의 서브-실링층에 의해, 2개의 인접한 구조의 열팽창계수의 차이를 조절할 수 있으므로, 인접한 2개의 인접한 구조물 사이의 일치도가 높고, 손상 가능성이 크게 감소하며, 이에 따라 결합력이 향상된다. 또한, 금속 부품을 먼저 전처리하여 표면에 결합 촉진층과 실링층 사이의 보다 강한 결합력을 갖는 결합 촉진층을 얻음으로써, 금속 부품과 무기물 부품 사이의 보다 강한 결합력이 달성될 수 있다.
본 출원의 일 측면에서, 본 출원은 전자 장치 하우징을 제공한다. 도 1(도 1은 도 2의 A-A'선을 따른 단면도에 해당함) 및 도 2를 참고한, 본 출원의 일 구현예에 따르면, 전자 장치 하우징은 프레임(10); 프레임(10)의 외부 표면의 적어도 일부에 배치되고, 순차적으로 라미네이트된 복수의 서브-실링층을 포함하는 실링층(200)(여기서, 2개의 서브-실링층(210 및 220)은 도 1에서 설명을 위한 예로서 취해진다)으로서, 2개의 인접한 서브-실링층이 다른 조성을 갖는 실링층(200); 및 실링층(200)에 의해 프레임(10)에 부착된 백 케이스(20)를 포함한다. 본 발명자들은 전자 장치 하우징의 백 케이스와 프레임이 견고하게 결합(bond)되고, 기계적 특성이 우수하며, 외관이 미적이라는 것을 발견하였다. 서브-실링층과 백 케이스 또는 프레임의 열팽창계수의 친화성(compatibility)은 조성이 다른 서브-실링층에 의해 유연하게 조절될 수 있다. 따라서, 다른 재료로 형성되고 열팽창계수의 차이가 큰 프레임과 백 케이스가 실링층에 의해 서로 견고하게 결합될 수 있다. 2개의 인접한 구조물(structure)의 열팽창계수의 차이가 작고, 일치도(degree of match)가 높으며, 온도 변화로 인한 고장 가능성이 현저히 감소하고, 결합 강도가 높으며, 사용 수명(service life)이 길며, 사용 중 신호에 대한 요구 사항이 충분히 충족되어 신호 차폐 문제를 방지할 수 있다. 따라서, 본 출원은 점점 더 높아지는 사용자의 미적 요구 사항을 충족시킬 수 있을뿐만 아니라, 더 우수한 유용성을 갖는 것으로 사용자 체험을 향상시킬 수 있다.
본원에서 사용된 표현, "인접한 2개의 구조물"은 전자 장치 하우징 또는 후술하는 복합체의 임의의 2개의 인접한 층을 지칭하며, 이로써 제한하는 것은 아니지만, 예를 들어, 프레임 및 이에 인접한 서브-실링층, 2개의 인접한 서브-실링층, 백 케이스 및 이에 인접한 서브-실링층을 포함한다. "2개의 인접한 서브-실링층은 다른 조성을 갖는다"는 표현은 2개의 인접한 서브-실링층에 함유된 성분이 다르고/다르거나 각 성분의 함량이 다르다는 것을 의미한다. "2개의 인접한 구조물의 열팽창계수의 차이가 ±10% 이내이다"라는 표현은 2개의 인접한 구조물의 열팽창계수의 차이를 2개의 인접한 구조물의 열팽창계수 중 더 큰 것으로 나눈 값이 10% 이하임을 의미한다. 구체적으로, 도 1을 참고하면, 프레임(10)과 서브-실링층(220)은 2개의 인접한 구조물이다. 둘의 열팽창계수의 차이 = (프레임(10)의 열팽창계수 - 서브-실링층(220)의 열팽창계수)/프레임(10)과 서브-실링층(220)의 열팽창계수 중 큰 열팽창계수이다. "프레임, 실링층 및 백 케이스의 분포 방향(direction of distribution)"이라는 표현은 프레임, 실링층 및 백 케이스의 배열(또는 라미네이션) 방향을 지칭하며, 구체적으로, 도 1에서 화살표로 표시된 방향을 참조할 수 있고, 기타 유사한 기재사항은 동일한 의미를 갖는다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 전자 장치 하우징에서 다른 층 구조물간의 열팽창계수가 높은 일치도(degree of match)를 갖도록 하기 위해, 실링층(200)의 열팽창계수는 프레임(10)과 백 케이스(20)의 열팽창계수 사이이고, 프레임(10), 복수의 서브-실링층 및 백 케이스(20)의 인접한 2개의 구조물의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이다. 그 결과, 각 층 구조물의 열팽창계수가 잘 일치하고, 프레임과 백 케이스 사이의 결합력이 보다 강하다. 본 출원의 일부 구현예에서, 프레임(10), 실링층(200) 및 백 케이스(20)의 분포 방향(도 1에서 화살표로 나타낸 방향 참조)에서, 복수의 서브-실링층의 열팽창계수는 변화율이 증가하거나 감소한다. 그 결과, 각 층 구조물의 열팽창계수가 점차적으로 변화하고 잘 일치하며, 프레임과 백 케이스 사이의 결합력이 보다 강해져, 백 케이스와 프레임 사이의 불일치하는 열팽창계수를 잘 완충(buffer)하고, 열충격으로 인한 다양한 고장 및 결함을 더욱 향상된다. 따라서, 전자 장치 하우징의 기계적 특성이 보다 우수하고, 손상 가능성이 크게 감소한다. 구체적으로, 프레임의 열팽창계수가 백 케이스의 열팽창계수보다 큰 경우, 복수의 서브-실링층의 열팽창계수는 위 방향으로 변화율(gradient)이 감소한다. 프레임의 열팽창계수가 백 케이스의 열팽창계수보다 작을 경우, 복수의 서브-실링층의 열팽창계수는 위 방향으로 변화율이 증가한다. 따라서, 프레임으로부터 백 케이스 방향으로 열팽창계수를 점진적으로 증가 또는 감소될 수 있어서, 열팽창으로 인한 각종 문제를 크게 개선할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 프레임은 금속 프레임이고, 백 케이스는 무기물 백 케이스이다. 도 3을 참조하면, 금속 프레임(10)과 실링층(200) 사이에 결합 촉진층(30)이 추가로 제공된다. 그 결과, 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 접착이 명백하게 촉진되고, 구속력(binding force)이 강하고, 심리스(seamless) 및 스텝리스(stepless) 접착이 실현되고, 하우징의 기계적 특성이 우수하고, 외관이 미적이다. 본 출원의 일 구현예에 따르면, 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 결합력을 더욱 향상시키기 위해, 결합 촉진층(bonding promotion layer)이 결합 촉진층 및 실링층과 유사하고 혼화가능(intermiscible)하고, 금속 프레임으로부터 떨어져 있는(away from the metal frame) 결합 촉진층의 표면이 요철 구조(concave-convex structure)를 가지며; 결합 촉진층은 다공성 구조를 갖는 조건 중 적어도 하나를 충족한다. 따라서, 유사하고 혼화가능한 것은 결합 촉진층과 실링층 사이의 우수한 침투성(infiltrability)이 되도록 하고, 요철 구조는 결합 촉진층과 실링층 사이의 결합력을 효과적으로 증가시킬 수 있고, 다공성 구조는 실링층의 일부가 다공성 구조를 충전하도록 하여, 결합 촉진층과 실링층 사이의 결합력을 더욱 증가시킨다. 따라서, 얻어진 하우징은 보다 우수한 결합 강도 및 보다 우수한 유용성을 갖는다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 금속 프레임을 형성하는 재료는 알루미늄 합금 또는 스테인리스 스틸을 포함한다. 이와 같이, 재료는 널리 사용 가능하며, 가격이 보다 저렴하고, 강도가 보다 높으며, 유용성이 보다 우수하다. 본 출원의 일부 구현예에서, 스테인리스 스틸은 SUS301 스테인리스 스틸, SUS304 스테인리스 스틸 및 SUS316L 스테인리스 스틸 중 적어도 하나로부터 선택될 수 있거나, 스테인리스 스틸 명칭 S30110, S30408, S31603 및 "GB/T 20878-2007 스테인리스 및 내열강 - 명칭 및 화학 조성(Stainless and heat-resisting steels - Designation and chemical composition)"의 기타 중 적어도 하나로부터 선택될 수 있다. 알루미늄 합금은 5052 알루미늄 합금, 5182 알루미늄 합금, 6063 알루미늄 합금, 6061 알루미늄 합금, 6013 알루미늄 합금, 아연 함량이 1%-10% 범위인 7 시리즈 알루미늄 합금 등으로부터 선택될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 결합 촉진층은 M 또는 MxOn(여기서 M은 Al, Ti, Ni 및 Mo로부터 선택된 적어도 하나이며, x는 1, 2 또는 3이고, n은 1 내지 6의 정수이다)를 포함한다. 구체적으로, 일부 구현예에서, 결합 촉진층은 금속 층, 구체적으로, Al 층, Ti 층, Ni 층 또는 Mo 층일 수 있다. 일부 다른 구현예에서, 결합 촉진층은 금속 산화물층, 특히 철 산화물, 알루미나, 티타니아, 니켈 산화물 또는 몰리브덴 산화물일 수 있다. 그 결과, 결합 촉진층은 금속 프레임에 대한 결합력이 강하고 탈락하기 어렵고, 결합 촉진층과 실링층은 침투성이 우수하고 결합력이 강하여, 우수한 결합 효과의 전자 장치 하우징을 얻는데 유리하다. 또한, 상기 언급된 조성의 결합 촉진층은 실링층과 유사하고 혼화가능한 것으로 그 사이에 보다 우수한 혼화성 결합(intermiscible bonding)을 형성할 수 있을뿐만 아니라, 잘 형성된 요철 구조 및 다공성 구조를 갖는 것으로 하우징의 결합 강도 및 유용성이 더욱 향상된다. 결합 촉진층의 특정한 조성은 금속 프레임의 재료에 따라 또한 달라질 수 있음을 당업자는 이해할 수 있다. 예를 들어, 금속 프레임을 형성하는 상응하는 금속의 산화물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속 프레임이 알루미늄 합금인 경우, 결합 촉진층은 알루미늄 합금에 합금 원소의 산화물 또는 알루미나를 함유할 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 결합 촉진층의 두께는 1-10 마이크로미터이고, 예를 들어 결합 촉진층의 두께는 1 마이크로미터, 2 마이크로미터, 3 마이크로미터, 4 마이크로미터, 5 마이크로미터, 6 마이크로미터, 7 마이크로미터, 8 마이크로미터, 9 마이크로미터, 10 마이크로미터 등 일 수 있다. 따라서, 결합 촉진층은 적절한 두께와 미적 외관을 가지며, 이를 통해 금속 프레임과 실링층이 서로 견고히 결합될 수 있다. 또한, 결합 촉진층은 온도의 영향 하에서 현저하게 팽창하지 않으므로, 전자 장치 하우징의 사용 수명을 연장하는데 이롭다. 전술한 두께 범위에 비해, 결합 촉진층의 두께가 너무 얇으면, 전처리가 상대적으로 불충분하여, 결합 촉진층이 본질적으로 금속 프레임의 결합 거동(bonding behavior)에 근사하지만, 무기물 백 케이스(예컨대 유리 또는 세라믹)의 결합 거동이 불충분하며, 무기물 백 케이스에 대한 결합력이 상대적으로 불충분하다. 결합 촉진층의 두께가 너무 크면, 전처리가 상대적으로 과도하여, 결합 촉진층이 본질적으로 무기물 백 케이스의 결합 거동에 근사하지만, 금속 프레임의 결합 거동이 불충분하며, 밀봉(seal)될 때 무기물 백 케이스에 완전히 용해되는 경향이 있으며, 금속 프레임에 대한 결합력은 상대적으로 불충분하다.
본 출원의 일부 구현예에서, 프레임의 미적 범위를 향상시키기 위해, 프레임은 예를 들어 폴리싱, 샌드 블라스팅, 와이어 드로잉, 물리적 기상 증착(physical vapor deposition, PVD)에 의한 코팅, 레이저 조각(laser carving), 스프레이 및 지문-방지 코팅(AF 코팅) 중 적어도 하나에 의해 프레임을 처리함으로써 장식되어, 보다 우수한 장식 효과가 있는 프레임을 얻을 수 있고, 프레임의 미적 범위와 유용성을 더욱 향상시킬 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 무기물 백 케이스를 형성하는 재료는 유리 또는 세라믹을 포함한다. 따라서, 재료를 쉽게 이용할 수 있고, 강도가 높으며, 신호가 거의 차폐되지 않아, 5G 및 무선 충전 기능을 실현하는데 이롭다. 본 출원의 일부 구현예에서, 무기물 백 케이스를 형성하는 재료는 화학적으로 그리고 물리적으로 강화된 고-알루미나 유리, 상변태 강화 특성(phase transformation toughening property)을 갖는 ZrO2(3Y) 세라믹, 및 상변태 강화 특성을 갖는 ZrO2(3Y)-Al2O3 세라믹으로부터 선택된 적어도 하나이다. 본 출원의 일 구현예에 따르면, 유리 백 케이스를 형성하는 재료는 화학적으로 그리고 물리적으로 강화된 고-알루미나 유리를 포함한다. 그 결과, 무기물 백 케이스의 강도(strength)가 높아 사용 요구 사항을 보다 우수하게 충족시키며, 사용 수명이 보다 길어지고, 신호 전송 레이트(signal transmission rate)가 보다 높아진다.
본 출원의 일부 구현예에서, 백 케이스의 미적 범위를 향상시키기 위해, 백 케이스는 예를 들어, 글레이징(glazing), 레이저 조각, PVD에 의한 코팅, AF 코팅, 와이어 드로잉(wire drawing) 및 폴리싱 중 적어도 하나에 의해 백 케이스를 처리함으로써 장식되어, 장식 효과가 보다 우수한 백 케이스를 얻을 수 있고, 백 케이스의 미적 범위 및 유용성이 더욱 향상될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 백 케이스의 형상은 2 차원, 2.5 차원, 또는 3 차원 등일 수 있으며, 따라서 백 케이스는 미적 외관을 가질 수 있다.
본 출원의 일부 구현예에 따르면, 프레임은 세라믹 프레임이고, 백 케이스는 유리 백 케이스이다. 구체적으로, 세라믹 프레임을 형성하는 재료는 상변태 강화 특성을 갖는 ZrO2(3Y) 세라믹, 및 상변태 강화 특성을 갖는 ZrO2(3Y)-Al2O3 세라믹으로부터 선택된 적어도 하나이며, 유리 백 케이스를 형성하는 재료는 화학적으로 그리고 물리적으로 강화된 고-알루미나 유리 등으로부터 선택된다. 그 결과, 사용 요구 사항을 보다 잘 충족시킬 수 있고, 외관이 미적이며, 사용 수명이 보다 길고, 신호 전송 레이트가 보다 높다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 서브-실링층을 형성하는 재료는 각각 독립적으로: 유리 분말 및 바인더를 포함하며, 여기서 2개의 인접한 서브-실링층의 유리 분말은 다른 조성을 갖는다. 예를 들어, 실링층이 2개의 서브-실링층을 포함하는 경우, 하나의 서브-실링층은 보로실리케이트 산화물계 유리 분말을 포함할 수 있고, 다른 서브-실링층은 포스페이트 산화물계 유리 분말을 포함할 수 있으며; 하나의 서브-실링층은 설파이드계 유리 분말을 포함할 수 있고, 다른 서브-실링층은 보로실리케이트 산화물계 유리 분말을 포함할 수 있고; 하나의 서브-실링층은 할라이드계 유리 분말을 포함할 수 있고, 다른 서브-실링층은 보로실리케이트 산화물계 유리 분말을 포함할 수 있거나; 또는 하나의 서브-실링층은 보레이트계 유리 분말을 포함할 수 있고, 다른 서브-실링층은 실리케이트 산화물계 유리 분말을 포함할 수 있다. 일부 다른 구현예에서, 두 서브-실링층은 동일한 일련의 유리 분말(예컨대 보로실리케이트 산화물계 유리 분말)을 포함할 수 있으나, 유리 분말은 다른 성분 및/또는 함량을 갖는다. 구체적으로, 산화물 및/또는 다른 물질이 동일한 유형이지만, 다양한 산화물 및/또는 기타 물질의 함량이 다른 보로실리케이트 산화물계 유리 분말일 수 있거나, 산화물 및/또는 다른 물질이 다른 유형인 보로실리케이트 산화물계 유리 분말일 수 있다. 그 결과, 실링층은 프레임과 백 케이스를 서로 효과적으로 견고하게 결합할 수 있다. 더욱이, 각 서브-실링층의 조성은 층 구조물의 열팽창계수간의 더 높은 수준의 일치 및 친화성(compatibility)이 되도록 조절되어 보다 우수한 유용성 및 보다 긴 사용 수명을 갖는 전자 장치 하우징을 얻을 수 있다. 한편, 복수의 서브-실링층의 다층 구조는 SEM 라인 스캔으로 쉽게 관찰될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 프레임과 백 케이스 사이의 결합 강도를 더욱 향상시키기 위해, 서브-실링층을 형성하는 재료에서 유리 분말 대 바인더의 중량비는 88-92:8-12이다. 이와 같이, 성분이 상기 함량 범위 내에 있는 경우에, 프레임과 백 케이스 사이의 결합 강도가 보다 높아져서, 프레임과 백 케이스 사이의 통합(integration), 및 이에 따른 프레임과 백 케이스 사이의 심리스 및 스텝리스 결합에 더욱 기여하여, 전자 장치 하우징의 외관이 보다 미적이고 아름답게 된다. 더욱이, 실링층의 성분이 상기 범위 내에 있는 경우, 실링층과 프레임 또는 백 케이스 사이의 열팽창계수가 높은 일치도를 갖게 된다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 서브-실링층을 제조하는 공정에서, 유리 분말, 바인더 및 용매를 혼합하여 실링 슬러리를 형성한 후, 실링 슬러리는 서브-실링층으로 형성된다. 용매의 구체적인 양은 특별히 한정되지 않으며, 서브-실링층을 형성하는 실링 슬러리의 유동성에 따라 당업자에 의해 적정량의 용매가 결정될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 유리 분말은 납을 함유하지 않는다. 그 결과, 유리 분말은 인체에 거의 유해하지 않고 환경 친화적이어서, 소비자가 선호할 가능성이 보다 높다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 유리 분말은 실리케이트 산화물계 유리 분말(예컨대 고-실리카 유리, 소다-석회 유리, 알루미노실리케이트 유리, 및 보로실리케이트 유리), 포스페이트계 유리 분말, 보레이트계 유리 분말, 설파이드계 유리 분말 및 할라이드계 유리 분말 중 적어도 하나를 포함한다. 따라서, 유리 분말은 쉽게 이용가능하며, 강한 결합력, 적절한 팽창계수 및 보다 우수한 유용성을 갖는다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 백 케이스가 유리 백 케이스인 경우, 보다 우수한 성능 및 보다 평평하고 보다 심미적인 외관을 갖는 전자 장치 하우징을 얻기 위해, 실링층의 유리 분말은 저-융점 유리 분말이다. 구체적으로, 유리 분말이 완전히 용융되는 온도는 유리 백 케이스의 연화점보다 낮다. 따라서, 프레임과 백 케이스가 밀봉되면, 온도가 유리 백 케이스의 연화점에 도달하지 않고, 유리 백 케이스는 연화(softened) 및 변형되지 않을 것이므로, 전자 장치의 평탄도, 외관 및 광학 성능이 영향을 받지 않을 것이며, 너무 높은 온도로 인한 고장 및 결함이 발생하지 않을 것이다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 프레임이 금속 프레임인 경우, 유리 분말과 결합 촉진층을 유사하고 혼화가능하게(intermiscible)하고, 결합 강도를 향상시키기 위해, 결합 촉진층 및 실링층의 특정한 조성은 필요에 따라 조절될 수 있다. 본 출원의 일부 특정한 구현예에서, 결합 촉진층은 금속 산화물층(즉, MxOn, 여기서 M은 Fe, Al, Ti, Ni 및 Mo 중 적어도 하나이고, x는 1, 2 또는 3이고, n은 1 내지 6의 정수이다) 또는 금속층(즉, M, 여기서 M은 Al, Ti, Ni 및 Mo 중 적어도 하나이다)을 포함한다. 이에 따라, 유리 분말은 실리케이트 산화물계 유리 분말(예컨대 고-실리카 유리, 소다-석회 유리, 알루미노실리케이트 유리, 보로실리케이트 유리), 포스페이트계 유리 분말, 보레이트계 유리 분말, 설파이드계 유리 분말 및 할라이드계 유리 분말로부터 선택된 적어도 하나일 수 있다. 따라서, 실링층 및 결합 촉진층은 유사하고 혼화가능하게 될 수 있으며, 이는 실링층과 결합 촉진층 사이의 보다 우수한 상호 확산 및 침투에 기여하고 둘 사이가 보다 견고하게 결합되도록 하여, 실링층과 결합 촉진층 사이의 결합 강도의 개선을 용이하게 한다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 바인더는 실리케이트 무기 바인더(예를 들어, 물유리(water glass) 등을 포함하지만 이에 한정되지 않음) 및 수계(water-based) 폴리우레탄 중 적어도 하나를 포함한다. 따라서, 바인더는 유리 분말이 효과적으로 실링 슬러리로 형성되어 결합 촉진층의 표면에 실링 슬러리의 코팅을 돕는, 강한 결합 효과를 갖는다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 용매는 에탄올 및 물 중 적어도 하나를 포함한다. 그 결과, 바인더 및 유리 분말이 상기한 용매에 균일하게 분산되어, 실링층, 결합 촉진층 및 백 케이스 사이에 견고한 결합을 형성할 수 있다.
본 출원의 구현예에 따른 전자 장치 하우징에서, 다른 성분을 갖는 복수의 서브-실링층에 의한 이행(transition)에 의해, 다른 재료로 형성되고 열팽창계수의 차이가 큰 백 케이스와 프레임은 효과적으로 결합되고, 하우징은 우수한 결합력을 갖는다. 더욱이, 다양한 복잡한 형상 및 구조가 달성될 수 있다. 구체적으로, 도 4(도면에 실링층은 도시되지 않음)에서, 전자 장치 하우징에서 프레임(10)과 백 케이스(20)가 결합되는 위치는 내부 직각 구조(도 4의 a), 내부 계단 구조(도 4의 b), 외부 표면의 곡면 구조(도 4의 c) 또는 내부 표면이 바깥쪽으로 돌출된 곡면 구조(도 4의 f)를 가질 수 있고, 프레임의 내부 표면은 점차적으로 안쪽으로 경사진 구조(도 4의 d), 점차적으로 바깥쪽으로 경사진 구조(도 4의 e), 또는 안쪽으로 돌출된 곡선 구조(도 4의 g)를 가질 수 있다. 이러한 방식으로, 다양한 복잡한(complex) 형상이 달성되어, 내부 구성 요소와 용이하게 조립될 수 있거나, 특별한 빛과 그림자 효과가 실현될 수 있다.
본 출원의 다른 측면에서, 본 출원은 전자 장치를 제공한다. 본 출원의 일 구현예에 따르면, 전자 장치는 상기한 바와 같은 복합체(compound body) 또는 전자 장치 하우징을 포함한다. 본 발명자들은 전자 장치가 구조가 단순하고, 구현하기 용이하고, 5G 및 무선 충전 기능을 얻을 수 있으며, 신호를 수신 또는 전송하는 강력한 기능, 긴 사용 수명, 상기한 바와 같은 전자 장치 하우징 또는 복합체의 모든 특징 및 장점, 및 이에 따른 높은 시장 경쟁력을 가지고 있음을 발견하였다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 전자 장치는 휴대폰, 태블릿 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, VR(가상 현실) 장치, AR(증강 현실) 장치, 웨어러블 장치 및 게임 콘솔 중 적어도 하나를 포함한다. 따라서, 적용 범위가 넓고 소비자의 소비 체험을 충족시킬 수 있다.
상기한 전자 장치 하우징뿐만 아니라, 전자 장치가 또한 종래의 전자 장치가 가져야 하는 구조를 포함할 수 있다는 점에 유의해야 한다. 예를 들어, 전자 장치가 휴대폰인 경우, 도 2를 참조하여, 지문 모듈(21), 카메라 모듈(22), 제어 모듈(23), CPU, 연결 회로 및 패키징 구조 등을 또한 포함할 수 있으며, 이는 여기서 반복하지 않을 것이다.
본 출원은 복합체를 제공한다. 도 5를 참조한, 본 출원의 일 구현예에 따르면, 복합체는: 제1 워크피스(100); 제1 워크피스(100)의 외부 표면에 배치되고, 순차적으로 라미네이트된 복수의 서브-실링층을 포함하는 실링층(200)(도 5에서 설명을 위해 2개의 서브-실링층(210, 220)이 예시됨)으로서, 2개의 인접한 서브-실링층이 다른 조성을 갖는, 실링층(200); 및 실링층(200)에 의해 제1 워크피스(100)에 부착된 제2 워크피스(300)를 포함한다. 본 발명자들은 복합체에서 제1 워크피스와 제2 워크피스 사이의 결합력이 강한 것을 발견하였다. 다른 조성을 갖는 복수의 서브-실링층을 제공함으로써, 서브-실링층의 조성을 조절하여 열팽창계수를 유연하게 조절하여 열팽창계수의 차이가 작은 서브-실링층을 형성할 수 있다. 이는 열팽창계수가 제1 워크피스로부터 제2 워크피스로 점진적으로 이행되도록, 그리고 높은 일치도를 갖도록 한다. 온도 변화로 인한 복합체의 고장 가능성이 현저하게 감소되고, 기계적 특성이 바람직하며, 사용 수명이 길고, 외관이 미적이며, 강도가 높고, 복합체의 신호 차폐 효과가 약하다. 따라서, 복합체는 전자 장치 하우징의 제조에 사용하기 적합하다.
도 6을 참조한, 본 출원의 일 구현예에 따르면, 제1 워크피스는 금속 부품이고, 제2 워크피스은 무기물 부품이고, 금속 부품과 실링층 사이에 결합 촉진층(30)이 또한 제공된다. 그 결과, 금속 부품과 실링층 사이의 친화성(compatibility)이 보다 우수하고, 결합력이 보다 크며, 이는 보다 우수한 성능의 하우징을 얻는데 기여한다. 본 출원의 일부 구현예에서, 금속 부품을 형성하는 재료는 스테인리스 스틸 또는 알루미늄 합금을 포함한다. 따라서, 금속 부품은 쉽게 이용가능한 공급원, 저가, 고강도 및 적절한 팽창계수를 가지며, 전자 장치 하우징용 프레임의 제조에 사용하기 적합하다. 본 출원의 일부 구현예에서, 스테인리스 스틸은 SUS301 스테인리스 스틸, SUS304 스테인리스 스틸 및 SUS316L 스테인리스 스틸 중 적어도 하나로부터 선택되거나, 스테인리스 스틸 명칭(designations) S30110, S30408, S31603 및 "GB/T 20878-2007 스테인리스 및 내열강-명칭 및 화학 조성"의 다른 것 중 적어도 하나로부터 선택된다. 알루미늄 합금은 5052 알루미늄 합금, 5182 알루미늄 합금, 6063 알루미늄 합금, 6061 알루미늄 합금, 6013 알루미늄 합금, 아연 함량이 1%-10% 범위에 있는 7 시리즈 알루미늄 합금 등으로부터 선택될 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 무기물 부재를 형성하는 재료는 유리 또는 세라믹을 포함한다. 따라서, 무기물 부품은 쉽게 이용가능한 공급원, 낮은 가격, 적절한 팽창계수, 및 거의 없는 신호 차폐 효과를 가지므로, 5G 및 무선 충전 기능의 실현을 용이하게 하는 전자 장치 하우징용 백 케이스의 제조에 사용하기 적합하다. 무기물 부품 및 실링층은 유사하고 혼화가능하며, 밀봉될 때, 둘 사이에 확산과 침투가 일어날 수 있다. 실링 효과가 보다 우수하고, 결합 강도가 보다 강하여, 심리스 결합 및 통합(integration)에 이롭다. 본 출원의 일부 구현예에서, 무기물 부품을 형성하는 재료는 화학적으로 그리고 물리적으로 강화된 고-알루미나 유리, 상변태 강화 특성을 갖는 ZrO2(3Y) 세라믹, 및 상변태 강화 특성을 갖는 ZrO2(3Y)-Al2O3 세라믹으로부터 선택된 적어도 하나이다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 결합 촉진층은 금속 부품의 표면을 전처리하여 얻을 수 있다. 보다 우수한 성능의 결합 촉진층을 얻기 위해, 전처리는 화학적 기상 증착(chemical vapor deposition) 및 용융 염 전기분해 중 적어도 하나를 포함하다. 따라서, 결합 촉진층을 형성하는 방법이 간단하고, 편리하며, 구현하기 쉽다. 결합 촉진층의 조성, 두께 등은 상기한 결합 촉진층과 동일하므로, 여기서 반복하지 않을 것이다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 제1 워크피스는 세라믹 부품이고, 제2 워크피스는 유리 부품이다. 구체적으로, 세라믹 부품을 형성하는 재료는 상변태 강화 특성을 갖는 ZrO2(3Y) 세라믹 및 상변태 강화 특성을 갖는 ZrO2(3Y)-Al2O3 세라믹으로부터 선택된 적어도 하나이며, 유리 부품을 형성하는 재료는 화학적으로 그리고 물리적으로 강화된 고-알루미나 유리를 포함한다. 그 결과, 제1 워크피스 및 제2 워크피스는 보다 적절한 팽창계수 및 보다 높은 강도를 기지며, 사용의 요구 사항을 보다 잘 충족하고, 사용 수명이 보다 길고, 신호 전송 레이트가 보다 높다.
본 출원의 다른 측면에서, 본 출원은 복합체의 제조방법을 제공한다. 도 7을 참조한, 본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 방법은 다음을 포함한다:
S100: 실링 슬러리로 제1 워크피스의 외부 표면의 적어도 일부에 실링층을 형성한다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 실링 슬러리는 유리 분말을 함유한다. 따라서, 실링 슬러리에 의해 형성된 실링층은 강한 결합력을 가지며, 이는 제1 워크피스과 제2 워크피스 사이의 결합 강도의 향상에 유리하다. 유리 분말은 상기한 바와 같으며, 여기서 반복하지 않을 것이다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 실링 슬러리는 유리 분말, 바인더, 및 용매를 혼합하여 형성된다. 유리 분말, 바인더 및 용매는 상기한 바와 같으며, 여기서 반복하지 않을 것이다. 본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 실링 슬러리는 유리 분말 88-92 중량부, 바인더 8-12 중량부, 및 용매를 적정량 포함한다. 본 출원의 일 구현예에 따르면, 용매의 구체적인 양은 특별히 제한되지 않으며, 실링층을 형성하는 실링 슬러리의 유동성에 따라 당업자에 의해 적정량의 용매가 결정될 수 있다. 따라서, 실링 슬러리는 우수한 혼합 효과와 높은 점도를 가지며, 이는 결합 촉진층의 표면에 실링 슬러리의 코팅을 촉진한다.
본 출원의 일부 구현예에서, 각각의 서브-실링층은 대응하는 외부 표면(제1 워크피스 또는 다른 서브-실링층의 외부 표면)에 실링 슬러리를 코팅하는 단계에 의해 서브-실링층을 얻음으로써 형성된다. 상기 작업을 여러번 반복하여 복수의 서브-실링층을 포함하는 실링층을 얻는다. 따라서, 작업이 간단하고, 편리하며, 구현이 용이하고, 성능이 보다 우수한 실링층을 얻을 수 있다. 본 출원의 다른 구현예에서, 실링 슬러리층을 얻기 위해 각각의 서브-실링층은 상응하는 외부 표면(제1 워크피스 또는 다른 서브-실링층의 외부 표면)에 실링 슬러리를 코팅하는 단계; 및 실링 슬러리층을 가열하여 용융시킨 후, 용융된 실링 슬러리층을 고화시켜서(solidifying) 서브-실링층을 얻는 단계에 의해 형성된다. 코팅하는 단계를 여러번 반복하여 복수의 실링 슬러리층을 형성한 후, 복수의 실링 슬러리층을 가열하여 용융시킨 다음 고화시켜 복수의 서브-실링층을 함유하는 실링층을 얻는다. 이와 같이, 작업이 간단하고, 편리하며, 구현하기 쉽다. 실링층과 제1 워크피스 사이의 결합 강도가 보다 강하고, 제1 워크피스과 제2 워크피스 사이의 심리스 결합이 보다 용이하게 된다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 제1 워크피스가 금속 워크피스인 경우, 상기 방법은 실링층을 형성하기 전에, 제1 워크피스를 전처리하여 제1 워크피스의 표면의 적어도 일부에 결합 촉진층을 형성하는 단계를 추가로 포함한다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 상기 방법은 제1 워크피스의 전처리 전에, 제1 워크피스를 탈지, 세척 및 건조하는 단계를 추가로 포함할 수 있다. 따라서, 제1 워크피스의 표면의 깨끗한 표면이 얻어지며, 이는 제1 워크피스의 표면에 대한 전처리에 이롭다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 제1 워크피스 및 결합 촉진층은 상기한 바와 같으며, 여기서 반복하지 않을 것이다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 전처리는 제1 워크피스에 대한 산화 처리 및 코팅 처리 중 적어도 하나를 포함한다. 따라서, 작업이 간단하고, 편리하며, 구현하기 쉽다. 적절한 팽창계수를 갖고 실링층과 유사하고 혼화가능한 결합 촉진층이 형성되어, 제1 워크피스과 제2 워크피스 사이의 연속적인 심리스 결합을 용이하게 한다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 코팅 처리는 화학적 기상 증착 및 용융 염 전기분해 중 적어도 하나에 의해 수행될 수 있다. 따라서, 작업이 간단하고, 편리하며, 구현하기 쉽다. 보다 우수한 성능의 결합 촉진층을 얻을 수 있다. 본 출원의 일 구현예에 따르면, 전처리가 화학 기상 증착에 의해 수행되는 경우, 금속층 또는 금속 산화물층이 제1 워크피스의 표면에 증착(deposite)된다. 따라서, 결합 촉진층과 제1 워크피스와 실링층 사이의 결합력이 보다 강하다. 본 출원의 일 구현예에 따르면, 용융 염 전기분해에 의해 전처리가 수행되는 경우, 제1 워크피스의 표면에만 금속층이 형성된다. 그 결과, 형성된 결합 촉진층은 보다 우수한 성능을 가지며, 제1 워크피스와 제2 워크피스의 심리스 결합 및 통합(integration)을 더욱 용이하게 한다.
본 출원의 일부 구현예에서, 용융 염 전기분해에 의해 결합 촉진층을 형성하기 위한 특정 작업은 용융 염에 캐소드로서 제1 워크피스를 침지시키는 단계, 및 용융 염을 전기분해하여 제1 워크피스의 표면에 이종의 금속 코팅의 박층을 얻는 단계를 포함할 수 있다. 따라서, 작업이 간단하고, 편리하고, 구현하기 쉽고, 보다 우수한 성능의 결합 촉진층을 얻을 수 있다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 산화 처리는 이 기술분야에 공지된 금속 산화 처리 방법일 수 있으며, 이에 의해 금속 부품의 외부 표면이 직접 산화되어 금속 산화물층을 형성한다. 그 결과, 결합 강도가 훨씬 더 높고 얻어진 하우징의 성능이 훨씬 더 우수하다.
S200: 제2 워크피스를 실링층과 접촉시키고, 실링층을 가열하여 용융시킨 후, 용융된 실링층을 고화시켜서 복합체를 얻는다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 제2 워크피스는 상기한 바와 같으며, 여기서 반복하지 않을 것이다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 실링층이 완전히 용융되는 온도는 제2 워크피스의 연화 온도보다 낮아, 실링층과 제2 워크피스 사이에 확산 및 침투가 일어난다. 따라서, 실링 효과가 보다 우수하고, 제2 워크피스의 손상이 거의 없이 보다 우수한 결합 효과가 달성될 수 있어, 복합체의 외관이 보다 미적이다. 실링층이 완전히 용융되는 온도는 실링층이 완전히 용융될 때의 최저 온도를 지칭하고, 제2 워크피스의 연화 온도는 제2 워크피스가 연화되기 시작하는 온도를 지칭한다.
본 출원의 일 구현예에 따르면, 복합체의 제조 방법은 간단하고, 편리하며, 구현하기 쉽다. 결합 촉진층은 실링층에 견고하게 부착되어, 제1 워크피스와 제2 워크피스을 함께 견고하게 결합할 수 있다. 얻어진 복합체는 상기 언급한 모든 특징과 이점을 가지며, 이는 여기서 반복하지 않을 것이다. 더욱이, 이 방법은 또한 제1 워크피스가 프레임이고 제2 워크피스가 백 케이스인 한, 전자 장치 하우징의 제조에 사용하기에 적합하다. 특정한 작업은 완전히 동일하다.
이하, 본 출원의 구현예를 상세히 설명한다.
달리 명시되지 않는 한, 하기 구현예 및 비교 구현예에서, 전자 장치 하우징의 성능은 다음 방법에 의해 테스트된다.
성능 테스트 방법:
결합 강도 시험: 인장력 테스트(pull force test).
구체적인 작업은 다음과 같다:
장비: 만능 테스트기(Universal Test Machine)
샘플: 제1 워크피스 및 제2 워크피스는 각각 30mm * 12mm * 0.7mm의 샘플로 절단된다. 제1 워크피스과 제2 워크피스의 결합된 영역(또는 실링층 영역)은 6mm * 12mm이다.
테스트 방법: 테스트 샘플을 테스트 벤치에 고정하고, 만능 테스트기는, 제1 워크피스 또는 제2 워크피스의 비-결합 부분이 파손되거나 결합 표면이 떨어질 때까지 5mm/min의 속도로 로드(load)된다. 테스트는 도 8에 개략적으로 도시되어 있다.
복수의 서브-실링층의 특성 평가: SEM 라인 스캔.
구현예 1
전자 장치 하우징의 구조:
금속 프레임: 이는 스테인리스 스틸로 형성된다. 표면의 결합 촉진층은 금속 산화물층(알루미나층)이고, 결합 촉진층의 두께는 1 미크론이며, 결합 촉진층을 형성하는 방법은 화학 기상 증착이다.
서브-실링층(1): 이는 보로실리케이트 산화물계 유리 분말 92 중량부, 실리케이트계 무기 바인더 8 중량부, 및 에탄올을 적정량 포함한다. 서브-실링층(1)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 결합 촉진층의 외부 표면에 코팅하고; 가열, 용융 및 고화시켜서 유리화된(vitrified) 서브-실링층(1)을 얻는 것이다.
서브-실링층(2): 이는 포스페이트 산화물계 유리 분말 92 중량부, 수계(water-based) 폴리우레탄 8 중량부, 및 물을 적정량 포함한다. 서브-실링층(2)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 유리화된 서브-실링층(1)의 외부 표면에 코팅하는 것이다.
무기물 백 케이스: 이는 고-알루미나 유리로 형성된다.
결합 촉진층과 금속 프레임의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 결합 촉진층과 서브-실링층(1) 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이며, 서브-실링층(1)과 서브-실링층(2)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(2)과 무기물 백 케이스의 열팽창계수의 차이는 ±10 이내%이고, 금속 프레임, 서브-실링층(1), 서브-실링층(2) 및 무기물 백 케이스의 열팽창계수는 점진적으로 감소한다.
본 구현예의 전자 장치 하우징의 외관은 미적이며, 아름답다. 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 심리스 및 스텝리스 결합이 실현되고, 신호가 거의 차단되지 않는다. 전자 장치 하우징의 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 결합 강도는 100N 이상이다.
쉘은 도 3에 도시된 것과 유사한 단면을 얻도록 절단된다. 실링층에 해당하는 위치는 주사 전자 현미경(SEM)으로 관찰된다. 도 9는 SEM 이미지를 나타낸다. 도 9에서, 수평선 위의 부분은 서브-실링층(2)에 해당하고, 수평선 아래 부분은 서브-실링층(1)에 해당하다. 라인 스캔은 서브-실링층(1) 및 서브 실링 층(2)에 대하여 각각 수행된다. 스캔 프로파일은 도 10 및 11에 각각 도시되어 있다. 도 9, 10 및 11로부터 확대하여 관찰되는 바와 같이, 밀봉 위치에서 밀봉 흔적이 없고, 다른 조성의 서브-실링층이 SEM 라인 스캔에 의해 검출되고 특성이 확인될 수 있음을 알 수 있다.
구현예 2
전자 장치 하우징의 구조:
금속 프레임: 이는 알루미늄 합금으로 형성된다. 표면의 결합 촉진층은 금속 산화물층(티타니아층)이고, 결합 촉진층의 두께는 1 미크론이며, 결합 촉진층을 형성하는 방법은 화학 기상 증착이다.
서브-실링층(1): 이는 보로실리케이트 산화물계 유리 분말 88 중량부, 실리케이트계 무기 바인더 12 중량부, 및 에탄올을 적정량 포함한다. 서브-실링층(1)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 결합 촉진층의 외부 표면에 코팅하고; 가열하여 용융시키고, 고화시켜서 서브-실링층(1)을 얻는 것이다.
서브-실링층(2): 이는 포스페이트 산화물계 유리 분말 88 중량부, 수계 폴리우레탄 12 중량부, 및 물을 적정량 포함한다. 서브-실링층(2)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 유리화된 서브-실링층(1)의 외부 표면에 코팅하는 것이다.
무기물 백 케이스: 이는 고-알루미나 유리로 형성된다.
결합 촉진층과 금속 프레임의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 결합 촉진층과 서브-실링층(1)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(1)과 서브-실링층(2)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(2)과 무기물 백 케이스의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이다.
본 구현예의 전자 장치 하우징의 외관은 미적이며, 아름답다. 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 심리스 및 스텝리스 결합이 실현되고, 신호가 거의 차단되지 않는다. 전자 장치 하우징의 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 결합 강도는 100N 이상이다.
구현예 3
전자 장치 하우징의 구조:
금속 프레임: 이는 스테인리스 스틸으로 형성된다. 표면의 결합 촉진층은 금속 산화물층(니켈 산화물)이고, 결합 촉진층의 두께는 5 미크론이며, 결합 촉진층을 형성하는 방법은 화학 기상 증착이다.
서브-실링층(1): 이는 보로실리케이트 산화물계 유리 분말 90 중량부, 실리케이트계 무기 바인더 10 중량부, 및 에탄올을 적정량 포함한다. 서브-실링층(1)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 결합 촉진층의 외부 표면에 코팅하고; 가열, 용융 및 고화시켜서 유리화된 서브-실링층(1)을 얻는 것이다.
서브-실링층(2): 이는 포스페이트 산화물계 유리 분말 90 중량부, 수계 폴리우레탄 10 중량부, 및 물을 적정량 포함한다. 서브-실링층(2)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 유리화된 서브-실링층(1)의 외부 표면에 코팅하는 것이다.
무기물 백 케이스: 이는 ZrO2(3Y) 세라믹으로 형성된다.
결합 촉진층과 금속 프레임의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 결합 촉진층과 서브-실링층(1)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이며, 서브-실링층(1)과 서브-실링층(2)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(2)과 무기물 백 케이스의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이다.
본 구현예의 전자 장치 하우징의 외관은 미적이며, 아름답다. 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 심리스 및 스텝리스 결합이 실현되고, 신호가 거의 차단되지 않는다. 전자 장치 하우징의 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 결합 강도는 100N 이상이다.
구현예 4
전자 장치 하우징의 구조:
금속 프레임: 이는 알루미늄 합금으로 형성된다. 표면의 결합 촉진층은 금속 산화물층(몰리브덴 산화물)이고, 결합 촉진층의 두께는 1 미크론이며, 결합 촉진층을 형성하는 방법은 화학 기상 증착이다.
서브-실링층(1): 이는 보로실리케이트 산화물계 유리 분말 90 중량부, 실리케이트계 무기 바인더 10 중량부, 및 에탄올을 적정량 포함한다. 서브-실링층(1)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 결합 촉진층의 외부 표면에 코팅하고; 가열, 용융 및 고화시켜서 유리화된 서브-실링층(1)을 얻는 것이다.
서브-실링층(2): 이는 포스페이트 산화물계 유리 분말 90 중량부, 수계 폴리우레탄 10 중량부, 및 물을 적정량 포함한다. 서브-실링층(2)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 유리화된 서브-실링층(1)의 외부 표면에 코팅하는 것이다.
무기물 백 케이스: 이는 ZrO2(3Y) 세라믹으로 형성된다.
결합 촉진층과 금속 프레임의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 결합 촉진층과 서브-실링층(1)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(1)과 서브-실링층(2)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(2)과 무기물 백 케이스의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이다.
본 구현예의 전자 장치 하우징의 외관은 미적이며, 아름답다. 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 심리스 및 스텝리스 결합이 실현되고, 신호가 거의 차단되지 않는다. 전자 장치 하우징의 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 결합 강도는 100N 이상이다.
구현예 5
전자 장치 하우징의 구조:
금속 프레임: 이는 알루미늄 합금으로 형성된다. 표면의 결합 촉진층은 금속층(알루미늄층)이고, 결합 촉진층의 두께는 1 미크론이며, 결합 촉진층을 형성하는 방법은 화학 기상 증착이다.
서브-실링층(1): 이는 설파이드계 유리 분말 90 중량부, 수인성(waterborne) 폴리우레탄 10 중량부, 및 물을 적정량 포함한다. 서브-실링층(1)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 결합 촉진층의 외부 표면에 코팅하고, 가열, 용융 및 고화시켜서 유리화된 서브-실링층(1)을 얻는 것이다.
서브-실링층(2): 이는 보로실리케이트 산화물계 유리 분말 90 중량부, 실리케이트계 무기 바인더 10 중량부, 및 에탄올을 적정량 포함한다. 서브-실링층(2)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 유리화된 서브-실링층(1)의 외부 표면에 코팅하는 것이다.
무기물 백 케이스: 이는 ZrO2(3Y)-Al2O3 세라믹으로 형성된다.
결합 촉진층과 금속 프레임의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 결합 촉진층과 서브-실링층(1)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이며, 서브-실링층(1)과 서브-실링층(2)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(2)과 무기물 백 케이스의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이다.
본 구현예의 전자 장치 하우징의 외관은 미적이며, 아름답다. 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 심리스 및 스텝리스 결합이 실현되고, 신호가 거의 차단되지 않는다. 전자 장치 하우징의 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 결합 강도는 100N 이상이다.
구현예 6
전자 장치 하우징의 구조:
금속 프레임: 이는 알루미늄 합금으로 형성된다. 표면의 결합 촉진층은 금속층(티타늄층)이고, 결합 촉진층의 두께는 10 미크론이며, 결합 촉진층을 형성하는 방법은 용융 염 전기분해이다.
서브-실링층(1): 이는 할라이드계 유리 분말 90 중량부, 수인성 폴리우레탄 10 중량부, 및 물을 적정량 포함한다. 서브-실링층(1)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 결합 촉진층의 외부 표면에 코팅하고, 가열, 용융 및 고화시켜서 유리화된 서브-실링층(1)을 얻는 것이다.
서브-실링층(2): 이는 보로실리케이트 산화물계 유리 분말 90 중량부, 실리케이트계 무기 바인더 10 중량부, 및 에탄올을 적정량 포함한다. 서브-실링층(2)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 유리화된 서브-실링층(1)의 외부 표면에 코팅하는 것이다.
무기물 백 케이스: 이는 ZrO2(3Y)-Al2O3 세라믹으로 형성된다.
결합 촉진층과 금속 프레임의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 결합 촉진층과 서브-실링층(1)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이며, 서브-실링층(1)과 서브-실링층(2)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(2)과 무기물 백 케이스의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이다.
본 구현예의 전자 장치 하우징의 외관은 미적이며, 아름답다. 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 심리스 및 스텝리스 결합이 실현되고, 신호가 거의 차단되지 않는다. 전자 장치 하우징의 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 결합 강도는 100N 이상이다.
구현예 7
전자 장치 하우징의 구조:
금속 프레임: 이는 스테인리스 스틸로 형성된다. 표면의 결합 촉진층은 금속층(니켈층)이고, 결합 촉진층의 두께는 10 미크론이며, 결합 촉진층의 형성 방법은 화학 기상 증착이다.
서브-실링층(1): 이는 포스페이트계 유리 분말 90 중량부, 수인성 폴리우레탄 10 중량부, 및 물을 적정량 포함한다. 서브-실링층(1)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 결합 촉진층의 외부 표면에 코팅하고, 가열, 용융 및 고화시켜서 유리화된 서브-실링층(1)을 얻는 것이다.
서브-실링층(2): 보로실리케이트 산화물계 유리 분말 90 중량부, 실리케이트계 무기 바인더 10 중량부, 및 에탄올을 적정량 포함한다. 서브-실링층(2)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 유리화된 서브-실링층(1)의 외부 표면에 코팅하는 것이다.
무기물 백 케이스: 이는 ZrO2(3Y)-Al2O3 세라믹으로 형성된다.
결합 촉진층과 금속 프레임의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 결합 촉진층과 서브-실링층(1)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이며, 서브-실링층(1)과 서브-실링층(2)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(2)과 무기물 백 케이스의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이다.
본 구현예의 전자 장치 하우징의 외관은 미적이며, 아름답다. 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 심리스 및 스텝리스 결합이 실현되고, 신호가 거의 차단되지 않는다. 전자 장치 하우징의 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 결합 강도는 100N 이상이다.
구현예 8
전자 장치 하우징의 구조:
금속 프레임: 이는 스테인리스 스틸로 형성된다. 표면의 결합 촉진층은 금속층(몰리브덴층)이고, 결합 촉진층의 두께는 10 미크론이며, 결합 촉진층을 형성하는 방법은 용융 염 전기분해이다.
서브-실링층(1): 이는 보레이트계 유리 분말 90 중량부, 수인성 폴리우레탄 10 중량부, 및 물을 적정량 포함한다. 서브-실링층(1)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 결합 촉진층의 외부 표면에 코팅하고, 가열, 용융 및 고화시켜서 유리화된 서브-실링층(1)을 얻는 것이다.
서브-실링층(2): 이는 실리케이트 산화물계 유리 분말 90 중량부, 실리케이트계 무기 바인더 10 중량부, 및 에탄올을 적정량 포함한다. 서브-실링층(2)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 유리화된 서브-실링층(1)의 외부 표면에 코팅하는 것이다.
무기물 백 케이스: 이는 ZrO2(3Y)-Al2O3 세라믹으로 형성된다.
결합 촉진층과 금속 프레임의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 결합 촉진층과 서브-실링층(1)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(1)과 서브-실링층(2)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(2)과 무기물 백 케이스의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이다.
본 구현예의 전자 장치 하우징의 외관은 미적이며, 아름답다. 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 심리스 및 스텝리스 결합이 실현되고, 신호가 거의 차단되지 않는다. 전자 장치 하우징의 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 결합 강도는 100N 이상이다.
구현예 9
전자 장치 하우징의 구조:
금속 프레임: 이는 스테인리스 스틸로 형성된다. 표면의 결합 촉진층은 금속층(몰리브덴층)이고, 결합 촉진층의 두께는 10 미크론이며, 결합 촉진층을 형성하는 방법은 용융 염 전기분해이다.
서브-실링층(1): 이는 보레이트계 유리 분말 90 중량부, 수인성 폴리우레탄 10 중량부, 및 물을 적정량 포함한다. 서브-실링층(1)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 결합 촉진층의 외부 표면에 코팅하고, 가열, 용융 및 고화시켜서 유리화된 서브-실링층(1)을 얻는 것이다.
서브-실링층(2): 이는 실리케이트 산화물계 유리 분말 90 중량부, 실리케이트계 무기 바인더 10 중량부, 및 에탄올을 적정량 포함한다. 서브-실링층(2)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 유리화된 서브-실링층(1)의 외부 표면에 코팅하는 것이다.
서브-실링층(3): 이는 포스페이트계 유리 분말 90 중량부, 수계 폴리우레탄 10 중량부, 및 물을 적정량 포함한다. 서브-실링층(3)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 유리화된 서브-실링층(2)의 외부 표면에 코팅하는 것이다.
무기물 백 케이스: 이는 ZrO2(3Y)-Al2O3 세라믹으로 형성된다.
결합 촉진층과 금속 프레임의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 결합 촉진층과 서브-실링층(1)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이며, 서브-실링층(1)과 서브-실링층(2)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(2)과 서브-실링층(3)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(3)과 무기물 백 케이스의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이다.
본 구현예의 전자 장치 하우징의 외관은 미적이며, 아름답다. 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 심리스 및 스텝리스 결합이 실현되고, 신호가 거의 차단되지 않는다. 전자 장치 하우징의 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 결합 강도는 100N 이상이다.
구현예 10
전자 장치 하우징의 구조:
금속 프레임: 이는 스테인리스 스틸로 형성된다. 표면의 결합 촉진층은 금속 산화물층(알루미나층)이고, 결합 촉진층의 두께는 1 미크론이며, 결합 촉진층을 형성하는 방법은 화학 기상 증착이다.
서브-실링층(1): 이는 보로실리케이트 산화물계 유리 분말 92 중량부, 실리케이트계 무기 바인더 8 중량부, 및 에탄올을 적정량 포함한다. 서브-실링층(1)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 결합 촉진층의 외부 표면에 코팅하고; 가열, 용융 및 고화시켜서 유리화된 서브-실링층(1)을 얻는 것이다.
서브-실링층(2): 이는 보로실리케이트 산화물계 유리 분말(서브-실링층(1)에서 사용된 것과 동일한 유리 분말) 88 중량부, 실리케이트계 무기 바인더 12 중량부, 및 에탄올을 적정량 포함한다. 서브-실링층(2)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 유리화된 서브-실링층(1)의 외부 표면에 코팅하는 것이다.
무기물 백 케이스: 이는 고-알루미나 유리로 형성된다.
결합 촉진층과 금속 프레임의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 결합 촉진층과 서브-실링층(1)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이며, 서브-실링층(1)과 서브-실링층(2)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(2)과 무기물 백 케이스의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이다.
본 구현예의 전자 장치 하우징의 외관은 미적이며, 아름답다. 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 심리스 및 스텝리스 결합이 실현되고, 신호가 거의 차단되지 않는다. 전자 장치 하우징의 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 결합 강도는 100N 이상이다.
구현예 11
전자 장치 하우징의 구조:
금속 프레임: 이는 스테인리스 스틸로 형성된다. 표면의 결합 촉진층은 금속 산화물층(알루미나층)이고, 결합 촉진층의 두께는 1 미크론이며, 결합 촉진층을 형성하는 방법은 화학 기상 증착이다.
서브-실링층(1): 이는 알루미노실리케이트 산화물계 유리 분말 92 중량부, 실리케이트계 무기 바인더 8 중량부, 및 에탄올을 적정량 포함한다. 서브-실링층(1)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 결합 촉진층의 외부 표면에 코팅하고; 가열, 용융 및 고화시켜서 유리화된 서브-실링층(1)을 얻는 것이다.
서브-실링층(2): 이는 보로실리케이트 산화물계 유리 분말 92 중량부, 실리케이트계 무기 바인더 8 중량부, 및 에탄올을 적정량 포함한다. 서브-실링층(2)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 유리화된 서브-실링층(1)의 외부 표면에 코팅하는 것이다.
무기물 백 케이스: 이는 고-알루미나 유리로 형성된다.
결합 촉진층과 금속 프레임의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 결합 촉진층과 서브-실링층(1)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이며, 서브-실링층(1)과 서브-실링층(2)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(2)과 무기물 백 케이스의 열팽창계수의 차이는 ±10 이내%이다.
본 구현예의 전자 장치 하우징의 외관은 미적이며, 아름답다. 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 심리스 및 스텝리스 결합이 실현되고, 신호가 거의 차단되지 않는다. 전자 장치 하우징의 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 결합 강도는 100N 이상이다.
구현예 12
전자 디바이스 하우징의 구조는 본 구현예의 금속 프레임이 표면에 결합 촉진층을 포함하지 않는 것을 제외하고는, 구현예 1의 구조와 동일하다.
서브-실링층(1)과 금속 프레임의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(1)과 서브-실링층(2)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(2)와 무기물 백 케이스의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이다.
본 구현예의 전자 장치 하우징의 외관은 미적이다. 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 심리스 및 스텝리스 결합이 실현되고, 신호가 거의 차단되지 않는다. 전자 장치 하우징의 금속 프레임과 무기물 백 케이스 사이의 결합 강도는 60-80N이다.
구현예 13
전자 장치 하우징의 구조:
세라믹 프레임: 이는 ZrO2(3Y)-Al2O3 세라믹으로 형성된다.
서브-실링층(1): 이는 보레이트계 유리 분말 90 중량부, 수인성 폴리우레탄 10 중량부, 및 물을 적정량 포함한다. 서브-실링층(1)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 세라믹 부품의 외부 표면에 코팅하고; 가열, 용융 및 고화시켜서 유리화된 서브-실링층(1)을 얻는 것이다.
서브-실링층(2): 이는 실리케이트 산화물계 유리 분말 90 중량부, 실리케이트계 무기 바인더 10 중량부, 및 에탄올을 적정량 포함한다. 서브-실링층(2)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 유리화된 서브-실링층(1)의 외부 표면에 코팅하는 것이다.
유리 백 케이스: 이는 고-알루미나 유리로 형성된다.
세라믹 프레임과 서브-실링층(1)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(1)과 서브-실링층(2)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(2)과 유리 백 케이스의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이다.
본 구현예의 전자 장치 하우징의 외관은 미적이며, 아름답다. 세라믹 프레임과 유리 백 케이스 사이의 심리스 및 스텝리스 결합이 실현되고, 신호가 거의 차단되지 않는다. 전자 장치 하우징의 세라믹 프레임과 유리 백 케이스 사이의 결합 강도는 100N 이상이다.
구현예 14
전자 장치 하우징의 구조:
세라믹 프레임: 이는 ZrO2(3Y) 세라믹으로 형성된다.
서브-실링층(1): 이는 보레이트계 유리 분말 90 중량부, 수인성 폴리우레탄 10 중량부, 및 물을 적정량 포함한다. 서브-실링층(1)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 세라믹 부품의 외부 표면에 코팅하고; 가열, 용융 및 고화시켜서 유리화된 서브-실링층(1)을 얻는 것이다.
서브-실링층(2): 이는 실리케이트 산화물계 유리 분말 90 중량부, 실리케이트계 무기 바인더 10 중량부, 및 에탄올을 적정량 포함한다. 서브-실링층(2)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 유리화된 서브-실링층(1)의 외부 표면에 코팅하는 것이다.
유리 백 케이스: 이는 고-알루미나 유리로 형성된다.
세라믹 프레임과 서브-실링층(1)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(1)과 서브-실링층(2)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(2)과 유리 백 케이스의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이다.
본 구현예의 전자 장치 하우징의 외관은 미적이며, 아름답다. 세라믹 프레임과 유리 백 케이스 사이의 심리스 및 스텝리스 접착이 실현되고, 신호가 거의 차단되지 않는다. 전자 장치 하우징의 세라믹 프레임과 유리 백 케이스 사이의 결합 강도는 100N 이상이다.
구현예 15
전자 장치 하우징의 구조:
세라믹 프레임: 이는 ZrO2(3Y)-Al2O3 세라믹으로 형성된다.
서브-실링층(1): 이는 보레이트계 유리 분말 90 중량부, 수인성 폴리우레탄 10 중량부, 및 물을 적정량 포함한다. 서브-실링층(1)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 세라믹 부품의 외부 표면에 코팅하고; 가열, 용융 및 고화시켜서 유리화된 서브-실링층(1)을 얻는 것이다.
서브-실링층(2): 이는 실리케이트 산화물계 유리 분말 90 중량부, 실리케이트계 무기 바인더 10 중량부, 및 에탄올을 적정량 포함한다. 서브-실링층(2)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 유리화된 서브-실링층(1)의 외부 표면에 코팅하는 것이다.
서브-실링층(3): 이는 포스페이트계 유리 분말 90 중량부, 수계 폴리우레탄 10 중량부, 및 물을 적정량 포함한다. 서브-실링층(3)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 유리화된 서브-실링층(2)의 외부 표면에 코팅하는 것이다.
유리 백 케이스: 이는 고-알루미나 유리로 형성된다.
세라믹 프레임과 서브-실링층(1)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(1)과 서브-실링층(2)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(2)과 서브-실링층(3)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(3)과 유리 백 케이스의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 세라믹 프레임, 서브-실링층(1), 서브-실링층(2), 서브-실링층(3) 및 유리 백 케이스의 열팽창계수는 점차적으로 감소한다.
본 구현예의 전자 장치 하우징의 외관은 미적이며, 아름답다. 세라믹 프레임과 유리 백 케이스 사이의 심리스 및 스텝리스 접착이 실현되고, 신호가 거의 차단되지 않는다. 전자 장치 하우징의 세라믹 프레임과 유리 백 케이스 사이의 결합 강도는 100N 이상이다.
구현예 16
전자 장치 하우징의 구조:
세라믹 프레임: 이는 ZrO2(3Y) 세라믹으로 형성된다.
서브-실링층(1): 이는 보레이트계 유리 분말 90 중량부, 수인성 폴리우레탄 10 중량부, 및 물을 적정량 포함한다. 서브-실링층(1)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 세라믹 부품의 외부 표면에 코팅하고; 가열, 용융 및 고화시켜서 유리화된 서브-실링층(1)을 얻는 것이다.
서브-실링층(2): 이는 보레이트계 유리 분말(서브-실링층(1)에서 사용된 것과 동일한 유리 분말) 92 중량부, 수인성 폴리우레탄 8 중량부 및 물을 적정량 포함한다. 서브-실링층(2)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 유리화된 서브-실링층(1)의 외부 표면에 코팅하는 것이다.
유리 백 케이스: 이는 고-알루미나 유리로 형성된다.
세라믹 프레임과 서브-실링층(1)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(1)과 서브-실링층(2)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(2)과 유리 백 케이스의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이다.
본 구현예의 전자 장치 하우징의 외관은 미적이며, 아름답다. 세라믹 프레임과 유리 백 케이스 사이의 심리스 및 스텝리스 접착이 실현되고, 신호가 거의 차단되지 않는다. 전자 장치 하우징의 세라믹 프레임과 유리 백 케이스 사이의 결합 강도는 100N 이상이다.
구현예 17
전자 장치 하우징의 구조:
세라믹 프레임: 이는 ZrO2(3Y) 세라믹으로 형성된다.
서브-실링층(1): 이는 보로실리케이트 산화물계 유리 분말 90 중량부, 수인성 폴리우레탄 10 중량부, 및 물을 적정량 포함한다. 서브-실링층(1)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 세라믹 부품의 외부 표면에 코팅하고; 가열, 용융 및 고화시켜서 유리화된 서브-실링층(1)을 얻는 것이다.
서브-실링층(2): 이는 알루미노실리케이트 산화물계 유리 분말 90 중량부, 수계 폴리우레탄 10 중량부 및 물을 적정량 포함한다. 서브-실링층(2)을 형성하는 방법은 원료를 혼합하여 실링 슬러리를 형성하고, 이를 유리화된 서브-실링층(1)의 외부 표면에 코팅하는 것이다.
유리 백 케이스: 이는 고-알루미나 유리로 형성된다.
세라믹 프레임과 서브-실링층(1)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(1)과 서브-실링층(2)의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이고, 서브-실링층(2)과 유리 백 케이스의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이다.
본 구현예의 전자 장치 하우징의 외관은 미적이고, 아름답다. 세라믹 프레임과 유리 백 케이스 사이의 심리스 및 스텝리스 접착이 실현되고, 신호가 거의 차단되지 않는다. 전자 장치 하우징의 세라믹 프레임과 유리 백 케이스 사이의 결합 강도는 100N 이상이다.
비교 구현예 1
본 비교 구현예는 실링층이 보로실리케이트 유리 분말을 포함하는 단일층 구조이고, 금속 프레임이 알루미늄 합금이고, 금속 프레임과 실링층의 열팽창계수의 차이가 30%이며, 실링층과 무기물 백 케이스의 열팽창계수의 차이가 20%인 것을 제외하고는, 구현예 1과 동일하다. 본 비교 구현예에서 얻은 하우징은, 금속 프레임과 백 케이스의 열팽창계수의 차이가 너무 커서, 밀봉 후 균열이 발생하는 경향이 있다.
본 출원의 설명에서, 용어 "제1" 및 "제2"는 단지 설명의 목적으로 사용되며, 상대적 중요성을 나타내거나 의미하거나, 나타낸 기술적 특징의 수량을 의미하는 것으로 해석되어서는 안 된다는 것이 이해될 것이다. 따라서, "제1" 또는 "제2"에 의해 한정되는 특징은 하나 이상의 특징을 명시적으로 또는 암시적으로 포함할 수 있다. 본 출원의 설명에서, "복수"는 달리 명확하고 구체적으로 제한되지 않는 한, 둘 이상을 의미한다.
본 명세서의 설명에서, "구현예", "일부 구현예", "예", "특정 예," 또는 "일부 예"와 같은 참조 용어에 대한 설명은, 구현예 또는 예를 참조하여 기술된 특징, 구조, 재료 또는 특성이 본 출원의 적어도 하나의 구현예 또는 예에 포함되는 것을 의미한다. 본 명세서에서, 상기한 용어에 대한 개략적인 설명이 반드시 동일한 구현예 또는 예에 대한 것은 아니다. 또한, 기술된 특정한 특징, 구조, 재료 또는 특성은 임의의 하나 이상의 구현예 또는 예에서 적절한 방식으로 조합될 수 있다. 또한, 당업자는 서로 모순되지 않는 한, 명세서에서 기술된 다른 구현예 또는 예 및 다른 구현예 또는 예의 특징을 통합하거나 조합할 수 있다.
본 출원의 구현예가 위에서 도시되고 기술되었지만, 상기한 구현예는 예시 적인 것이며, 본 출원에 대한 제한으로서 이해되어서는 안되는 것이 이해될 수 있다. 당업자는 본 출원의 범위 내에서 상기한 구현예를 변경, 수정, 대체 또는 변형할 수 있다.

Claims (15)

  1. 전자 장치 하우징으로서,
    프레임;
    상기 프레임의 외부 표면의 적어도 일부에 배치되는 실링층으로서, 상기 실링층은 순차적으로 라미네이트된 복수의 서브-실링층을 포함하는 실링층;
    상기 실링층에 의해 프레임에 부착된, 백 케이스를 포함하며,
    2개의 인접한 서브-실링층은 다른 조성을 가지며, 상기 2개의 인접한 서브-실링층은 서로 닿아 있도록 배치되며,
    상기 실링층의 열팽창계수는 상기 프레임과 상기 백 케이스의 열팽창계수 사이이고, 상기 프레임, 상기 복수의 서브-실링층 및 상기 백 케이스의 인접한 2개의 구조물의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이며, 상기 프레임, 상기 복수의 서브-실링층 및 상기 백 케이스의 인접한 2개의 구조물은 서로 닿아 있도록 배치되며, 그리고
    상기 프레임, 상기 실링층 및 상기 백 케이스의 분포 방향에서, 상기 복수의 서브-실링층의 열팽창계수는 변화율이 증가 또는 감소하는, 전자 장치 하우징.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 프레임은 금속 프레임이고, 상기 백 케이스는 무기물 백 케이스이고;
    상기 금속 프레임과 상기 실링층 사이에 결합 촉진층이 추가로 제공되는, 전자 장치 하우징.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 결합 촉진층은,
    상기 결합 촉진층과 상기 실링층이 혼화가능하고;
    상기 금속 프레임으로부터 떨어져 있는 결합 촉진층의 표면은 요철 구조를 가지며;
    상기 결합 촉진층은 다공성 구조를 가지며;
    상기 결합 촉진층은 M 또는 MxOn(여기서 M은 Fe, Al, Ti, Ni 및 Mo로부터 선택된 적어도 하나이고, x는 1, 2 또는 3이고, n은 1 내지 6의 정수이다)를 포함하고;
    상기 결합 촉진층의 두께는 1-10 μm인,
    조건 중 적어도 하나를 충족하는, 전자 장치 하우징.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 금속 프레임을 형성하는 재료는 스테인리스 스틸 또는 알루미늄 합금을 포함하고;
    상기 무기물 백 케이스를 형성하는 재료는 유리 또는 세라믹을 포함하는, 전자 장치 하우징.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 프레임은 세라믹 프레임이고, 상기 백 케이스는 유리 백 케이스인, 전자 장치 하우징.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 서브-실링층을 형성하는 재료는 각각 독립적으로:
    유리 분말; 및
    바인더를 포함하며,
    상기 유리 분말 대 상기 바인더의 중량비는 88-92:8-12이고, 2개의 인접한 서브-실링층에서 유리 분말은 다른 조성을 가지며, 그리고 상기 2개의 인접한 서브-실링층은 서로 닿아 있도록 배치된, 전자 장치 하우징.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 유리 분말은,
    상기 유리 분말에 납이 없고;
    상기 유리 분말은 실리케이트 산화물계, 포스페이트계 및 보레이트계 유리 분말, 설파이드계 유리 분말 및 할라이드계 유리 분말 중 적어도 하나를 포함하는,
    조건 중 적어도 하나를 충족하는, 전자 장치 하우징.
  10. 제1항 및 제4항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 전자 장치 하우징을 포함하는 전자 장치.
  11. 복합체(compound body)로서,
    제1 워크피스;
    상기 제1 워크피스의 외부 표면의 적어도 일부에 배치되고, 순차적으로 라미네이트된 복수의 서브-실링층을 포함하는 실링층으로서, 2개의 인접한 서브-실링층은 다른 조성을 가지며, 상기 2개의 인접한 서브-실링층은 서로 닿아 있도록 배치된, 실링층; 및
    상기 실링층에 의해 상기 제1 워크피스에 부착된 제2 워크피스를 포함하며,
    상기 실링층의 열팽창계수는 상기 제1 워크피스와 상기 제2 워크피스의 열팽창계수 사이이고, 상기 제1 워크피스, 상기 복수의 서브-실링층 및 상기 제2 워크피스의 인접한 2개의 구조물의 열팽창계수의 차이는 ±10% 이내이며, 상기 제1 워크피스, 상기 복수의 서브-실링층 및 상기 제2 워크피스의 인접한 2개의 구조물은 서로 닿아 있도록 배치되며,
    상기 제1 워크피스, 상기 실링층 및 상기 제2 워크피스의 분포 방향에서, 상기 복수의 서브-실링층의 열팽창계수는 변화율이 증가 또는 감소하며, 그리고
    상기 실링층은 제1항, 제8항 또는 제9항 중 어느 한 항에 따른 실링층인, 복합체.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제11항에 있어서,
    상기 제1 워크피스는 금속 부품이고, 상기 제2 워크피스는 무기물 부품이고, 결합 촉진층이 상기 금속 부품과 상기 실링층 사이에 추가로 제공되며,
    상기 결합 촉진층은,
    상기 결합 촉진층과 상기 실링층이 혼화가능하고;
    상기 금속 부품으로부터 떨어져 있는 결합 촉진층의 표면은 요철 구조를 가지며;
    상기 결합 촉진층은 다공성 구조를 가지며;
    상기 결합 촉진층은 M 또는 MxOn(여기서 M은 Fe, Al, Ti, Ni 및 Mo로부터 선택된 적어도 하나이고, x는 1, 2 또는 3이고, n은 1 내지 6의 정수이다)를 포함하고;
    상기 결합 촉진층의 두께는 1-10 μm인,
    조건 중 적어도 하나를 충족하는, 복합체.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 제1 워크피스는 세라믹 부품이고, 상기 제2 워크피스는 유리 부품인, 복합체.
KR1020217009467A 2018-09-30 2019-05-16 전자 장치 하우징, 전자 장치, 및 복합체 KR102537236B1 (ko)

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