KR102414501B1 - Glass substrate manufacturing apparatus and manufacturing method - Google Patents

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니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명에 의한 유리 기판의 제조 장치(10)는 유리 기판이 되는 판형상 유리의 한쪽의 주표면에 처리 가스(Ga)를 공급하여 소정의 표면 처리를 실시하기 위한 표면 처리 장치(11)를 구비한다. 표면 처리 장치(11)는 처리 가스 생성 장치(16)와, 처리 가스(Ga)를 판형상 유리의 한쪽의 주표면에 공급하는 급기로(17)와, 처리 가스(Ga)에 제해 처리를 실시하는 제해 장치(18)와, 한쪽의 주표면에 공급된 처리 가스(Ga)를 제해 장치(18)에 도입하는 배기로(19)와, 급기로(17)에 무해 가스(Gb)를 도입하는 무해 가스 도입로(20)를 구비한다. 무해 가스 도입로(20)와 급기로(17)의 합류 위치(P1)보다 급기로(17)의 하류측에는 무해 가스(Gb)와 처리 가스(Ga) 중 어느 한쪽이 도입 가능하게 되어 있다.The glass substrate manufacturing apparatus 10 by this invention is equipped with the surface treatment apparatus 11 for supplying the processing gas (Ga) to one main surface of the plate-shaped glass used as a glass substrate, and performing predetermined surface treatment. do. The surface treatment device 11 includes a processing gas generator 16 , an air supply passage 17 for supplying processing gas Ga to one main surface of the plate-shaped glass, and a removal treatment for processing gas Ga. a detoxifying device 18 to remove the gas, an exhaust passage 19 for introducing the process gas Ga supplied to one main surface into the detoxifying device 18 , and an exhaust passage 19 for introducing a harmless gas Gb into the supply passage 17 . A harmless gas introduction path (20) is provided. Either of the harmless gas Gb and the processing gas Ga can be introduced into the downstream side of the supply path 17 from the merging position P1 of the harmless gas introduction path 20 and the supply path 17 .

Description

유리 기판의 제조 장치 및 제조 방법Glass substrate manufacturing apparatus and manufacturing method

본 발명은 유리 기판의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것으로서, 특히, 유리 기판이 되는 판형상 유리의 표면에 대해서 처리 가스에 의한 표면 처리를 실시하기 위한 기술에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and a method for manufacturing a glass substrate, and more particularly, to a technique for performing surface treatment with a processing gas on the surface of plate-shaped glass used as a glass substrate.

이미 알고 있는 바와 같이, 최근의 화상 표시 장치에 대해서는 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이(PDP), 전계 방출 디스플레이(FED), 유기 EL 디스플레이(OLED) 등으로 대표되는 플랫 패널 디스플레이(이하, 단지 FPD라고 한다.)가 주류로 되어 있다. 이들 FPD에 대해서는 경량화가 추진되어 있기 때문에 FPD에 사용되는 유리 기판에 대해서도 박판화에 대한 요구가 높아지고 있다.As is already known, with respect to recent image display devices, flat panel displays (hereinafter, simply FPDs) typified by liquid crystal displays (LCDs), plasma displays (PDPs), field emission displays (FEDs), organic EL displays (OLEDs), etc. ) is the mainstream. Since weight reduction is promoted about these FPDs, the request|requirement with respect to thickness reduction is increasing also about the glass substrate used for FPD.

상술한 유리 기판은 예컨대 각종 다운드로우법으로 대표되는 판형상 유리의 성형 방법에 의해 띠형상으로 성형한 판형상 유리(띠형상 판유리)를 소정의 치수로 절단하고, 절단한 판형상 유리의 폭방향(띠형상 판유리의 주표면에 평행하고, 또한 길이 방향에 직교하는 방향을 말한다. 이하 동일하다.) 양단 부분을 더 절단한 후, 필요에 따라 각 절단면에 연마 가공을 실시하는 등에 의해 얻어진다.For the above-mentioned glass substrate, for example, plate-shaped glass (band-shaped plate glass) formed into a strip shape by a forming method of plate-shaped glass typified by various down-draw methods is cut to a predetermined size, and the width direction of the cut plate-shaped glass is cut. (It refers to the direction parallel to the main surface of the strip|belt-shaped plate glass and orthogonal to a longitudinal direction. The same applies hereafter.) After cutting|disconnecting both ends further, it is obtained by performing grinding|polishing process to each cut surface as needed.

그런데, 이러한 종류의 유리 기판을 제조함에 있어서는 그 제조 과정에 있어서의 정전기의 대전이 문제로 되는 일이 있다. 즉, 절연체인 유리는 매우 대전되기 쉬운 성질을 갖고 있어 유리 기판의 제조 공정에 있어서 예컨대 적재대에 유리 기판을 적재하여 소정의 가공을 실시할 때, 유리 기판과 적재대의 접촉 박리에 의해 유리 기판이 대전되는 일이 있다(이것을 박리 대전이라고 부르는 일이 있다.). 대전된 유리 기판에 도전성의 물체가 근접하면 방전이 생기고, 이 방전에 의해 유리 기판의 주표면 상에 형성된 각종 소자나 전자 회로를 구성하는 전극선의 파손, 또는 유리 기판 자체의 파손을 초래할 우려가 있다(이들을 절연 파괴 또는 정전 파괴라고 부르는 일이 있다.). 또한, 대전된 유리 기판은 적재대에 붙기 쉽고, 이것을 무리하게 떼어내는 것에 의해 유리 기판의 파손을 초래할 우려도 있다. 이들은 당연히 표시 불량의 원인이 되기 때문에 최대한 회피해야 할 사상이다.By the way, in manufacturing this kind of glass substrate, electrostatic charging in the manufacturing process may become a problem. That is, glass, which is an insulator, has a property of being very easily charged, and in the manufacturing process of a glass substrate, when, for example, a glass substrate is placed on a mounting table and subjected to a predetermined processing, the glass substrate is separated by contact separation between the glass substrate and the mounting table. It may be electrified (this may be called peeling electrification). When a conductive object approaches a charged glass substrate, a discharge is generated, and this discharge may cause damage to the electrode lines constituting various elements or electronic circuits formed on the main surface of the glass substrate, or damage to the glass substrate itself. (These are sometimes called dielectric breakdown or electrostatic breakdown). Moreover, the charged glass substrate tends to stick to a mounting table, and there exists a possibility of causing damage to a glass substrate by removing this forcibly. These are events that should be avoided as much as possible because they naturally cause display defects.

상기 사상을 회피하기 위한 수단으로서, 예컨대 유리 기판의 이면(적재대의 적재면과 접촉하는 측의 주표면)에 소정의 처리 가스를 공급해서 이면에 표면 처리를 행함으로써 이면을 조면화하는 방법이 고려된다. 유리 기판과 적재대의 접촉 면적이 클수록 박리했을 때의 대전량이 증대되는 경향이 있으므로, 적재대의 적재면과 접촉하는 유리 기판의 이면을 조면화함으로써 유리 기판과 적재대의 접촉 면적을 감소시켜서 박리시의 대전 억제를 도모할 수 있게 되는 것이 기대된다. 또한, 유리 기판의 이면이 평활할수록 적재면과 같은 평활면에 붙기 쉬운 점을 감안하여, 상술한 바와 같이, 유리 기판의 이면을 조면화해서 예컨대 상기 이면의 표면 거칠기를 적재면의 표면 거칠기보다 크게 함으로써 유리 기판을 적재면에 붙기 어렵게 할 수 있다. 이에 따라, 박리시의 유리 기판의 파손 방지가 가능하게 되는 것이 기대된다.As a means for avoiding the above event, for example, a method of roughening the back surface by supplying a predetermined processing gas to the back surface of the glass substrate (the main surface on the side in contact with the mounting surface of the loading table) and surface-treating the back surface is considered. do. The larger the contact area between the glass substrate and the mounting table, the larger the amount of charge when peeled. It is expected that suppression can be achieved. In addition, in consideration of the fact that the smoother the back surface of the glass substrate is, the easier it is to stick to a smooth surface such as a loading surface. By doing so, it can be made difficult to stick a glass substrate to a mounting surface. Thereby, it is anticipated that the damage prevention of the glass substrate at the time of peeling becomes possible.

여기서, 상기와 같은 표면 처리를 가능하게 하는 구성으로서, 예컨대 하기 특허문헌 1에는 유리 기판을 적재한 상태에서 소정의 방향으로 반송하는 반송 수단과, 불화 수소 가스를 포함하는 처리 가스를 반송 경로 상의 유리 기판의 이면을 향해서 공급하고, 또한 공급한 처리 가스를 배기계로 배출하는 인젝터를 구비한 표면 처리 장치가 기재되어 있다. 여기서, 인젝터에는 불화 수소 가스원과 접속되는 제 1 슬릿이 유리 기판의 반송방향 소정 위치에 설치됨과 아울러, 캐리어 가스원과 접속되는 제 2 슬릿이 제 1 슬릿의 상기 반송방향 양측의 소정 위치에 설치되어 있다. 또한, 배기계와 접속되는 제 3 슬릿이 제 2 슬릿의 상기 반송방향 양측의 소정 위치에 또한 설치되어 있다.Here, as a configuration that enables the surface treatment as described above, for example, in Patent Document 1 below, a conveying means for conveying a glass substrate in a predetermined direction while a glass substrate is mounted, and a processing gas containing hydrogen fluoride gas to glass on the conveying path A surface treatment apparatus provided with an injector for supplying the substrate toward the back surface and discharging the supplied processing gas to an exhaust system is described. Here, in the injector, a first slit connected to the hydrogen fluoride gas source is provided at a predetermined position in the conveyance direction of the glass substrate, and a second slit connected to the carrier gas source is provided at a predetermined position on both sides of the first slit in the conveyance direction. has been Further, a third slit connected to the exhaust system is further provided at predetermined positions on both sides of the second slit in the conveying direction.

일본 특허 공개 2014-80331호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2014-80331

이러한 종류의 표면 처리 장치가 가동하고 있는 동안에는, 특허문헌 1에 기재된 바와 같이, 불화 수소 가스원에서 생성한 불화 수소 가스를 제 1 슬릿(말하자면 급기구)을 통해서 연속적으로 유리 기판에 공급하고, 공급한 불화 수소 가스를 제 1 슬릿의 주위에 배치한 제 3 슬릿(말하자면 배기구)을 통해서 배기계를 향해 배출하는 불화 수소 가스의 흐름(급기계 및 배기계)이 형성된다. 그런데, 어떠한 사정으로 표면 처리 장치를 정지해서 유지 보수를 행하는 경우에는 표면 처리 장치의 분해에 앞서서, 우선 인체에 있어서 유해한 불화 수소 가스를 상기 급기계 및 배기계로부터 배제할 필요가 생긴다.While this type of surface treatment apparatus is in operation, as described in Patent Document 1, hydrogen fluoride gas generated from a hydrogen fluoride gas source is continuously supplied to the glass substrate through a first slit (say, air supply port), and the supply A flow of hydrogen fluoride gas (supply system and exhaust system) which discharges one hydrogen fluoride gas toward the exhaust system through a third slit (say exhaust port) arranged around the first slit is formed. However, when the surface treatment apparatus is stopped and maintenance is performed under some circumstances, prior to disassembling the surface treatment apparatus, it is necessary to first remove hydrogen fluoride gas, which is harmful to the human body, from the supply system and the exhaust system.

그러나, 특허문헌 1에 기재된 바와 같이, 불화 수소 가스원과 제 1 슬릿이 소정의 급기계를 통해서 접속된 구조를 가지는 경우, 가령 불화 수소 가스원에 의한 불화 수소 가스원의 생성 및 공급을 정지하였더라도 상기 급기계에는 불화 수소 가스가 잔존하고 있다. 그 때문에, 이 급기계에 잔존하고 있는 불화 수소 가스가 완전히 배출될 때까지 엄청난 시간이 필요하게 되어 유지 보수를 위한 대기 시간이 증대된다. 이래서는 생산성의 대폭적인 저하를 초래할 우려가 있었다.However, as described in Patent Document 1, when the hydrogen fluoride gas source and the first slit have a structure connected through a predetermined supply system, even if the generation and supply of the hydrogen fluoride gas source by the hydrogen fluoride gas source is stopped Hydrogen fluoride gas remains in the supply system. Therefore, an enormous amount of time is required until the hydrogen fluoride gas remaining in this supply system is completely discharged, and the waiting time for maintenance increases. There was a fear that this would lead to a significant decrease in productivity.

이상의 사정을 감안하여, 본 발명에서는 처리 가스를 이용하여 판형상 유리로의 표면 처리를 행하는 표면 처리 장치의 유지 보수를 안전하고 또한 단시간에 실시 가능하게 하는 것을 해결해야 할 기술적 과제로 한다.In view of the above circumstances, in the present invention, it is a technical problem to be solved to safely and in a short time perform maintenance of a surface treatment apparatus that performs surface treatment with a plate-shaped glass using a processing gas.

상기 과제의 해결은 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 장치에 의해 달성된다. 즉, 이 제조 장치는 유리 기판이 되는 판형상 유리의 한쪽의 주표면에 처리 가스를 공급하여 소정의 표면 처리를 실시하기 위한 표면 처리 장치를 구비한 것으로서, 표면 처리 장치는 처리 가스를 생성하는 처리 가스 생성 장치와, 처리 가스를 한쪽의 주표면에 공급하는 급기로와, 처리 가스에 제해(除害) 처리를 실시하는 제해 장치와, 한쪽의 주표면에 공급된 처리 가스를 제해 장치에 도입하는 배기로를 구비하고, 급기로에 무해 가스를 도입 가능하게 하는 무해 가스 도입로가 급기로에 합류하는 점으로 특징지어진다. 또한, 여기서 말하는 「무해 가스」란 대략 인체에 대해서 유해하다고 일반적으로 인식되어 있는 종류의 가스(대기오염법 등에서 규정되어 있는 유해 물질을 포함하는 가스, 유해 가스)를 제외한 가스로서, 직접적으로 또는 대기와 혼합된 상태로 인체에 접촉하거나 또는 흡입되더라도 실질적으로 무해하다고 인정되는 것을 가리킨다.The solution of the said subject is achieved by the manufacturing apparatus of the glass substrate by this invention. That is, this manufacturing apparatus is equipped with a surface treatment apparatus for supplying a processing gas to one main surface of a plate-shaped glass serving as a glass substrate to perform a predetermined surface treatment, and the surface treatment apparatus generates a processing gas. A gas generating device, a supply passage for supplying a processing gas to one main surface, a removal device for performing a removal treatment on the processing gas, and introducing the processing gas supplied to the one main surface to the removal device It is characterized in that a harmless gas introduction path having an exhaust path and enabling introduction of harmless gas into the supply path is joined to the supply path. In addition, "harmless gas" as used herein is a gas excluding a type of gas generally recognized to be harmful to the human body (gas containing harmful substances prescribed in the Air Pollution Act, etc., noxious gas), directly or in the atmosphere. It indicates that it is recognized as practically harmless even if it comes into contact with the human body or is inhaled in a mixed state.

이와 같이, 본 발명에서는 급기로에 무해 가스를 도입하는 무해 가스 도입로를 급기로에 합류시킴으로써 무해 가스 도입로와 급기로의 합류 위치보다도 급기로의 하류측에 무해 가스와 처리 가스 중 어느 한쪽을 도입 가능하게 하였다. 이 구성에 의하면, 급기로에 무해 가스만을 도입할 수 있으므로, 적어도 급기로에 잔존하고 있는 처리 가스를 무해 가스로 치환할 수 있다. 따라서, 작업자가 안전하게 표면 처리 장치를 분해해서 유지 보수를 행할 수 있다. 또한, 급기로에 무해 가스 도입로가 합류하는 형태를 취함으로써 처리 가스 생성 장치를 통과하는 일 없이 급기로에 무해 가스를 도입할 수 있다. 처리 가스 생성 장치와 같은 정밀기기를 통과시키는 경우, 무해 가스의 유량 등이 제한될 우려가 있지만, 처리 가스 생성 장치를 통과하는 일 없이 무해 가스를 도입하는 것이라면, 그 도입 조건(무해 가스의 유량, 압력, 온도 등)을 비교적 자유롭게 설정할 수 있다. 따라서, 예컨대 유량을 넉넉하게 설정함으로써 무해 가스에 의한 처리 가스의 치환을 단시간에 행할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, by merging the harmless gas introduction path for introducing harmless gas into the supply path with the supply path, either the harmless gas or the processing gas is installed on the downstream side of the supply air from the merging position of the harmless gas introduction path and the supply air. introduction was possible. According to this configuration, since only harmless gas can be introduced into the supply passage, at least the processing gas remaining in the supply passage can be replaced with harmless gas. Therefore, the operator can safely disassemble the surface treatment apparatus and perform maintenance. In addition, the harmless gas can be introduced into the supply passage without passing through the processing gas generating device by taking the form in which the harmless gas introduction passage joins the supply passage. When passing a precision device such as a processing gas generating device, there is a risk that the flow rate of the harmless gas may be limited. However, if the harmless gas is introduced without passing through the processing gas generating device, the introduction conditions (flow rate of harmless gas, pressure, temperature, etc.) can be set relatively freely. Therefore, for example, by setting the flow rate sufficiently, it is possible to replace the processing gas with the harmless gas in a short time.

또한, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 장치는 무해 가스 도입로를 개폐할 수 있는 제 1 개폐 밸브와, 합류 위치보다도 급기로의 상류측에서 급기로를 개폐할 수 있는 제 2 개폐 밸브를 더 구비한 것이여도 좋다. 또는 합류 위치에 설치되어 급기로 중 합류 위치의 상류측으로부터 하류측을 향하는 처리 가스의 흐름과, 무해 가스 도입로로부터 합류 위치의 하류측을 향하는 무해 가스의 흐름을 스위칭할 수 있는 3방향 밸브를 더 구비한 것이여도 좋다.Moreover, the manufacturing apparatus of the glass substrate by this invention is further equipped with the 1st on-off valve which can open and close the harmless gas introduction path, and the 2nd on-off valve which can open and close the supply path from the upstream side of the air supply rather than the merging position. one thing is fine or a three-way valve installed at the merging position to switch the flow of the process gas from the upstream side to the downstream side of the merging position in the supply air passage and the flow of harmless gas from the harmless gas introduction path toward the downstream side of the merging position. It may be better to have more.

이와 같이 제 1 개폐 밸브와 제 2 개폐 밸브를 설치하도록 하면, 간이하게 합류 위치보다도 급기로의 하류측에 무해 가스와 처리 가스 중 어느 한쪽을 도입할 수 있다. 또한, 합류 위치에 상기 3방향 밸브를 설치하도록 하면, 보다 간이하게 합류 위치보다도 급기로의 하류측에 무해 가스 또는 처리 가스를 도입할 수 있다.If the first on-off valve and the second on-off valve are provided in this way, either the harmless gas or the processing gas can be easily introduced into the downstream side of the air supply from the merging position. In addition, if the three-way valve is provided at the merging position, it is possible to more easily introduce a harmless gas or a processing gas to the downstream side of the air supply air from the merging position.

또한, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 장치는 합류 위치보다도 급기로의 상류측에서 분기되어 배기로에 처리 가스를 도입하는 처리 가스 분기로를 더 구비한 것이여도 좋다. 또한, 예컨대 급기로에 제 2 개폐 밸브를 구비할 경우, 처리 가스 분기로를 개폐하는 제 3 개폐 밸브를 더 구비한 것이여도 좋다.Further, the apparatus for manufacturing a glass substrate according to the present invention may further include a processing gas branching path for introducing processing gas into the exhaust passage by branching from the upstream side of the supply passage rather than the merging position. Further, for example, when the second on-off valve is provided in the supply passage, a third on-off valve for opening and closing the processing gas branch passage may be further provided.

상술한 바와 같이, 처리 가스 분기로를 설치하여 처리 가스 분기로에 처리 가스를 도입할 수 있게 함으로써(제 2 개폐 밸브를 구비할 경우, 추가로 상술한 제 3 개폐 밸브를 구비함으로써), 처리 가스를 무해 가스로 치환하는 동안, 처리 가스 생성 장치에서 생성한 처리 가스를 처리 가스 분기로를 통해서 배기로에 계속해서 보낼 수 있다. 따라서, 치환 처리의 동안, 처리 가스 생성 장치의 내부, 또는 급기로 중 처리 가스 생성 장치와 합류 위치 사이에 처리 가스가 가둬지는 것에 의한 문제의 발생을 회피해서 안전하게 치환 작업을 행할 수 있게 된다.As described above, by providing the processing gas branch path so that the processing gas can be introduced into the processing gas branch passage (when the second on-off valve is provided, by additionally providing the above-described third on-off valve), the processing gas While replacing the gas with harmless gas, the process gas generated by the process gas generating device can be continuously sent to the exhaust passage through the process gas branch passage. Accordingly, it is possible to safely perform the replacement operation while avoiding the occurrence of a problem caused by the processing gas being trapped inside the processing gas generator or between the processing gas generator and the merging position during the replacement process.

또한, 제 3 개폐 밸브를 구비하는 경우, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 장치는 처리 가스 분기로가 배기로에 합류하는 위치보다도 배기로의 상류측에 배치되어 배기로의 개폐를 행하는 제 4 개폐 밸브를 더 구비한 것이여도 좋다.In addition, when the third on-off valve is provided, the glass substrate manufacturing apparatus according to the present invention is disposed on the upstream side of the exhaust passage rather than the position where the processing gas branch passage joins the exhaust passage, and opens and closes the exhaust passage. What is further provided with a valve may be sufficient.

이와 같이, 처리 가스 분기로가 배기로에 합류하는 위치보다도 배기로의 상류측에 개폐 밸브(제 4 개폐 밸브)를 설치함으로써, 급기로 중 제 2 개폐 밸브보다 하류측의 영역과 판형상 유리의 처리 공간(처리 가스에 노출되는 공간)이 처리 가스의 유로(처리 가스 분기로 및 배기로 중 제 4 개폐 밸브보다 하류측의 영역)와 완전히 분리된 상태로 할 수 있다. 따라서, 예컨대 제 4 개폐 밸브를 개방한 상태에서 무해 가스에 의한 처리 가스의 치환을 행하고, 상술한 급기로와 판형상 유리의 처리 공간이 완전히 무해 가스로 가득 채워진 상태가 된 시점에서 제 4 개폐 밸브를 폐쇄함으로써, 처리 가스 생성 장치를 정지시키는 일 없이 처리 가스 분기로와 배기로의 일부 하류측을 제외하고 표면 처리 장치를 안전하게 분해해서 유지 보수를 행하는 것이 가능하게 된다.In this way, by providing the on-off valve (fourth on-off valve) on the upstream side of the exhaust passage rather than at the position where the processing gas branch passage joins the exhaust passage, the region downstream of the second on-off valve in the supply passage and the plate-shaped glass The processing space (a space exposed to the processing gas) may be completely separated from the processing gas flow path (a region on the downstream side of the fourth on-off valve among the processing gas branch passage and the exhaust passage). Therefore, for example, when the processing gas is replaced with a harmless gas in a state in which the fourth on/off valve is opened, the fourth on/off valve By closing the surface treatment apparatus, it becomes possible to safely disassemble and perform maintenance of the surface treatment apparatus except for a part downstream of the processing gas branch passage and the exhaust passage without stopping the processing gas generating apparatus.

또한, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 장치는 무해 가스가 클린 드라이 에어(clean dry air)이여도 좋다.In addition, as for the manufacturing apparatus of the glass substrate by this invention, clean dry air may be sufficient as harmless gas.

무해 가스로서는 인체에 실질적으로 무해한 가스이면 임의의 가스를 사용할 수 있지만, 판형상 유리에 대한 영향, 비용면 등을 종합적으로 고려했을 경우, 클린 드라이 에어가 바람직하다.As the harmless gas, any gas can be used as long as it is substantially harmless to the human body, but clean dry air is preferable when the effect on plate-shaped glass, cost, and the like are comprehensively considered.

또한, 상기 과제의 해결은 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 방법에 의해서도 달성된다. 즉, 이 제조 방법은 유리 기판이 되는 판형상 유리의 표면에 처리 가스를 공급하여 소정의 표면 처리를 실시하는 표면 처리 공정과, 표면 처리 공정을 정지하고 있는 동안에 표면 처리를 실시하기 위한 장치의 유지 보수를 행하는 유지 보수 공정을 구비한 방법으로서, 표면 처리 공정에 있어서 처리 가스 생성 장치에서 생성한 처리 가스를 급기로를 통해서 표면에 공급함과 아울러, 표면에 공급된 처리 가스를 배기로를 통해 제해 장치에 도입해서 처리 가스에 제해 처리를 실시하고, 유지 보수 공정에 있어서 급기로를 폐쇄함과 아울러 급기로를 폐쇄한 위치보다도 급기로의 하류측에서 급기로에 무해 가스를 도입함으로써 급기로를 통과하는 처리 가스를 무해 가스로 치환하는 점으로 특징지어진다.Moreover, the solution of the said subject is achieved also with the manufacturing method of the glass substrate by this invention. That is, in this manufacturing method, the surface treatment process of supplying a process gas to the surface of plate-shaped glass used as a glass substrate and performing predetermined surface treatment, and holding the apparatus for performing surface treatment while the surface treatment process is stopped A method including a maintenance process for performing maintenance, wherein in the surface treatment process, a process gas generated by a process gas generator is supplied to a surface through an air supply passage, and the process gas supplied to the surface is removed through an exhaust passage. The process gas is removed from the gas by introducing it into the air supply, and the gas supply path is closed in the maintenance process, and a harmless gas is introduced into the supply path from the downstream side of the air supply path from the position where the air supply path is closed. It is characterized in that the processing gas is replaced with a harmless gas.

이와 같이, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 방법에서는 유지 보수 공정에 있어서 급기로를 폐쇄함과 아울러 급기로를 폐쇄한 위치보다도 급기로의 하류측에서 급기로에 무해 가스를 도입함으로써 급기로를 통과하는 처리 가스를 무해 가스로 치환하도록 했으므로, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 장치와 같이 급기로에 무해 가스만을 도입할 수 있다. 이것에 의해 적어도 급기로에 잔존하고 있는 처리 가스를 무해 가스로 치환할 수 있으므로, 작업자가 안전하게 표면 처리 장치를 분해하는 것이 가능하게 된다. 또한, 급기로를 폐쇄한 위치보다도 급기로의 하류측에 무해 가스를 도입함으로써 처리 가스 생성 장치를 통과하는 일 없이 급기로에 무해 가스를 도입할 수 있다. 그 때문에, 무해 가스의 급기로로의 도입 조건(무해 가스의 유량, 압력, 온도 등)을 비교적 자유롭게 설정할 수 있고, 예컨대 유량을 넉넉하게 설정함으로써 무해 가스에 의한 처리 가스의 치환을 단시간에 행하는 것이 가능하게 된다.Thus, in the manufacturing method of the glass substrate by this invention, while closing an air supply path in a maintenance process, it passes an air supply path by introducing harmless gas into an air supply path from the downstream side of an air supply path rather than the position where the supply path was closed. Since the processing gas to be used is replaced with a harmless gas, only a harmless gas can be introduced into the supply passage like the glass substrate manufacturing apparatus according to the present invention. In this way, at least the processing gas remaining in the air supply passage can be replaced with harmless gas, so that it is possible for the operator to safely disassemble the surface treatment apparatus. In addition, by introducing the harmless gas to the downstream side of the air supply passage from the position where the supply passage is closed, it is possible to introduce the harmless gas into the supply passage without passing through the processing gas generating device. Therefore, it is possible to relatively freely set the conditions for introducing the harmless gas into the supply path (flow rate, pressure, temperature, etc. of the harmless gas). will do

또한, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 방법은 유지 보수 공정에 있어서 급기로를 폐쇄한 위치보다도 급기로의 상류측에서 급기로로부터 분기되어 배기로에 처리 가스를 도입 가능하게 한 것이여도 좋다.Moreover, in the manufacturing method of the glass substrate by this invention, the thing which branched from the air supply in the upstream of the air supply rather than the position which closed the air supply in a maintenance process, and made it possible to introduce|transduce a process gas into an exhaust passage may be sufficient.

이와 같이, 급기로를 폐쇄한 위치보다도 급기로의 상류측에서 급기로로부터 분기되어 배기로에 처리 가스를 도입 가능하게 함으로써, 급기로를 폐쇄한 상태에 있어서도, 처리 가스를 무해 가스로 치환하는 동안, 처리 가스 생성 장치에서 생성한 처리 가스를 배기로에 계속해서 보낼 수 있다. 따라서, 치환 처리의 동안, 처리 가스 생성 장치의 내부, 또는 급기로 중 처리 가스 생성 장치와 급기로를 폐쇄한 위치까지의 사이에 처리 가스가 가둬지는 것에 의한 문제의 발생을 회피하여 안전하게 치환 작업을 행할 수 있게 된다.In this way, the process gas can be introduced into the exhaust passage by branching from the supply passage on the upstream side of the air supply passage from the position where the air supply passage is closed. , the process gas generated by the process gas generating device can be continuously sent to the exhaust path. Therefore, during the replacement process, the occurrence of a problem caused by the process gas being trapped inside the process gas generating device or between the process gas generating device and the air supply path in the air supply passage until the closed position is avoided, and the replacement operation can be performed safely. be able to do

또한, 이 경우, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 방법은 유지 보수 공정에 있어서 급기로를 지나가는 처리 가스를 무해 가스로 치환한 후, 급기로로의 무해 가스의 도입을 정지함과 아울러, 급기로로부터 분기되어 처리 가스를 배기로에 도입한 위치보다도 배기로의 상류측에서 배기로를 폐쇄하는 것이여도 좋다.Further, in this case, in the method for manufacturing a glass substrate according to the present invention, after replacing the processing gas passing through the supply passage with harmless gas in the maintenance step, the introduction of the harmless gas into the supply passage is stopped and from the supply passage The exhaust passage may be closed at an upstream side of the exhaust passage rather than a branched position at which the process gas is introduced into the exhaust passage.

이와 같이, 각 유로의 개폐 동작을 행함으로써, 급기로 중 급기로를 폐쇄한 위치보다도 하류측의 영역과 판형상 유리의 처리 공간(처리 가스에 노출되는 공간)이 처리 가스의 유로(급기로로부터의 처리 가스의 분기로 및 배기로 중 배기로를 폐쇄한 위치보다도 하류측의 영역)와 완전히 분리된 상태로 할 수 있다. 따라서, 예컨대 배기로를 개방한 상태에서 무해 가스에 의한 처리 가스의 치환을 행하고, 상술한 급기로와 판형상 유리의 처리 공간이 완전히 무해 가스로 가득 채워진 상태가 된 시점에서 배기로를 폐쇄함으로써, 처리 가스의 생성 및 공급을 일단 정지시키는 일 없이 처리 가스의 상기 유로를 제외하고 표면 처리 장치를 안전하게 분해해서 유지 보수를 행하는 것이 가능하게 된다.In this way, by performing the opening/closing operation of each flow path, the region downstream from the position where the air supply passage is closed and the plate-shaped glass processing space (space exposed to the processing gas) of the processing gas flow path (from the supply passage) are opened. of the processing gas branching path and exhaust path, the region on the downstream side than the position where the exhaust path is closed) can be completely separated. Therefore, for example, by replacing the processing gas with a harmless gas in a state in which the exhaust path is opened, and closing the exhaust path when the above-described supply path and the processing space of the plate-shaped glass are completely filled with harmless gas, It becomes possible to safely disassemble and maintain the surface treatment apparatus except for the flow path of the processing gas without temporarily stopping the generation and supply of the processing gas.

또한, 이 경우, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 방법은 급기로를 개방하여 급기로에 처리 가스를 도입함과 아울러 급기로로부터 분기된 유로를 폐쇄하고 또한 배기로를 개방함으로써 무해 가스를 처리 가스로 치환하는 표면 처리의 재개 준비 공정을 더 구비한 것이여도 좋다. Further, in this case, in the method for manufacturing a glass substrate according to the present invention, the process gas is introduced into the supply passage by opening the supply passage, and the harmless gas is discharged from the processing gas by closing the flow path branched from the supply passage and opening the exhaust passage. What is further provided with the resumption preparation process of the surface treatment replacing with

급기로를 폐쇄한 상태에서 처리 가스를 배기로에 계속해서 도입할 수 있는 것이라면 적어도 치환 작업의 동안, 처리 가스의 생성을 일단 정지시키지 않아도 되게 된다. 그 때문에, 예컨대 유지 보수 등의 작업이 끝난 후, 상술한 바와 같이 무해 가스의 도입을 정지한 상태에서 급기로를 개방함과 아울러 처리 가스의 분기로를 폐쇄하고 또한 배기로를 개방함으로써 무해 가스를 처리 가스로 치환함으로써, 단시간에 급기로 및 배기로를 다시 처리 가스로 가득 채울 수 있다. 따라서, 처리 가스의 생성을 재개하고나서 처리 가스의 생성 상태가 안정될 때까지의 시간을 생략하여 유지 보수후, 조급히 표면 처리를 재개하는 것이 가능하게 된다.If the process gas can be continuously introduced into the exhaust passage while the supply passage is closed, it is not necessary to temporarily stop the production of the process gas, at least during the replacement operation. Therefore, for example, after work such as maintenance has been completed, as described above, in the state in which the introduction of the harmless gas is stopped, the supply path is opened, the branch path of the processing gas is closed, and the exhaust path is opened to release the harmless gas. By substituting with the processing gas, the supply passage and the exhaust passage can be filled again with the processing gas in a short time. Accordingly, it is possible to promptly resume the surface treatment after maintenance by omitting the time from resuming the production of the processing gas until the state of the production of the processing gas is stabilized.

또한, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 방법은 유지 보수 공정에 있어서 처리 가스 생성 장치에 의한 처리 가스의 생성을 정지함과 아울러, 처리 가스의 원료가 되는 가스의 처리 가스 생성 장치로의 공급을 정지하고, 처리 가스에 포함되는 캐리어 가스의 처리 가스 생성 장치로의 공급을 계속해서 행하는 것이여도 좋다.Moreover, in the manufacturing method of the glass substrate by this invention, while stopping the production|generation of the process gas by the process gas generator in a maintenance process, supply of the gas used as a raw material of a process gas to the process gas generator is stopped. and the carrier gas contained in the processing gas may be continuously supplied to the processing gas generating device.

처리 가스로서 불화 수소 가스를 포함하는 가스를 사용하는 경우, 이 불화 수소 가스를 생성하기 위한 장치로서 플라스마 반응을 발생시키는 것이 가능한 처리 가스 생성 장치가 사용되는 경우가 있다. 이 경우, 처리 가스 생성 장치에는 통상, 불화 수소 가스의 원료가 되는 4불화 탄소 가스 등의 가스(원료 가스)와, 물, 및 불화 수소 가스에 포함되는 질소 가스 등의 캐리어 가스가 공급된다. 따라서, 유지 보수 공정에 있어서 산성 가스의 공급을 정지하고 캐리어 가스를 계속해서 처리 가스 생성 장치에 공급함으로써 급기로뿐만 아니라 처리 가스 발생 장치의 내부의 처리 가스를 무해한 가스(캐리어 가스)로 치환할 수 있다. 따라서, 표면 처리 장치의 표면 처리를 위한 가동 정지시, 처리 가스 생성 장치의 내부가 처리 가스에 계속해서 노출되는 것에 의한 열화를 방지하여 처리 가스 생성 장치를 장기간에 걸쳐 사용할 수 있다. 또한, 처리 가스 생성 장치의 내부의 처리 가스를 캐리어 가스로 치환함으로써, 처리 가스를 처리 가스 생성 장치의 내부로부터 완전히 배제할 수 있다. 이에 따라, 처리 가스 생성 장치의 교환이 필요하게 된 경우이여도 안전하게 처리 가스 생성 장치를 급기로로부터 떼어내는 것이 가능하게 된다.When a gas containing hydrogen fluoride gas is used as the processing gas, a processing gas generator capable of generating a plasma reaction may be used as an apparatus for generating the hydrogen fluoride gas. In this case, a gas (source gas) such as carbon tetrafluoride gas serving as a raw material of hydrogen fluoride gas and a carrier gas such as water and nitrogen gas contained in the hydrogen fluoride gas are usually supplied to the processing gas generating apparatus. Therefore, in the maintenance process, by stopping the supply of the acid gas and continuously supplying the carrier gas to the process gas generator, not only the supply air passage but also the process gas inside the process gas generator can be replaced with a harmless gas (carrier gas). have. Accordingly, when the surface treatment apparatus is stopped for surface treatment, deterioration due to continuous exposure of the interior of the processing gas generator to the processing gas is prevented, and the processing gas generator can be used for a long period of time. In addition, by replacing the processing gas inside the processing gas generating apparatus with the carrier gas, the processing gas can be completely excluded from the inside of the processing gas generating apparatus. Accordingly, it is possible to safely remove the process gas generator from the air supply air even when replacement of the process gas generator is necessary.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

이상에 서술한 바와 같이, 본 발명에 의하면 처리 가스를 이용하여 판형상 유리로의 표면 처리를 행하는 표면 처리 장치의 유지 보수를 안전하고 또한 단시간에 실시하는 것이 가능하게 된다.As described above, according to the present invention, it is possible to safely and in a short time perform maintenance of a surface treatment apparatus that performs surface treatment with a plate-shaped glass using a processing gas.

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 표면 처리 장치의 유로 구성도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 표면 처리 장치를 이용한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 3은 도 1에 나타내는 표면 처리 장치를 이용한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 설명하기 위한 유로 구성도이다.
도 4는 도 1에 나타내는 표면 처리 장치를 이용한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 설명하기 위한 유로 구성도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 표면 처리 장치의 유로 구성도이다.
도 6은 도 5에 나타내는 표면 처리 장치를 이용한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 7은 도 5에 나타내는 표면 처리 장치를 이용한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 설명하기 위한 유로 구성도이다.
도 8은 도 5에 나타내는 표면 처리 장치를 이용한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 설명하기 위한 유로 구성도이다.
도 9는 도 5에 나타내는 표면 처리 장치를 이용한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 설명하기 위한 유로 구성도이다.
도 10은 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 11은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 12는 도 11에 나타내는 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 설명하기 위한 표면 처리 장치의 유로 구성도이다.
도 13은 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 표면 처리 장치의 유로 구성도이다.
도 14는 본 발명의 제 6 실시형태에 의한 표면 처리 장치의 유로 구성도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a flow path block diagram of the surface treatment apparatus by 1st Embodiment of this invention.
FIG. 2 is a flowchart showing a procedure of surface treatment and maintenance using the surface treatment apparatus shown in FIG. 1 .
FIG. 3 is a flow path configuration diagram for explaining a procedure of surface treatment and maintenance using the surface treatment apparatus shown in FIG. 1 .
4 is a flow path configuration diagram for explaining a procedure of surface treatment and maintenance using the surface treatment apparatus shown in FIG. 1 .
5 is a flow path configuration diagram of a surface treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention.
Fig. 6 is a flowchart showing a procedure of surface treatment and maintenance using the surface treatment apparatus shown in Fig. 5;
7 is a flow path configuration diagram for explaining a procedure of surface treatment and maintenance using the surface treatment apparatus shown in FIG. 5 .
FIG. 8 is a flow path configuration diagram for explaining a procedure of surface treatment and maintenance using the surface treatment apparatus shown in FIG. 5 .
FIG. 9 is a flow path configuration diagram for explaining a procedure of surface treatment and maintenance using the surface treatment apparatus shown in FIG. 5 .
Fig. 10 is a flowchart showing the procedure of surface treatment and maintenance according to the third embodiment of the present invention.
11 is a flowchart showing the procedure of surface treatment and maintenance according to the fourth embodiment of the present invention.
12 is a flow path configuration diagram of the surface treatment apparatus for explaining the procedure of the surface treatment and maintenance shown in FIG. 11 .
13 is a flow path configuration diagram of a surface treatment apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
14 is a flow path configuration diagram of a surface treatment apparatus according to a sixth embodiment of the present invention.

≪본 발명의 제 1 실시형태≫«First embodiment of the present invention»

이하, 본 발명의 제 1 실시형태를 도 1~도 4를 참조해서 설명한다. 또한, 본 실시형태에서는 판형상 유리로서 성형한 띠형상 판유리로부터 소정의 치수로 잘라낸 유리 기판의 이면에 표면 처리를 실시하는 경우를 예로 들어서 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, 1st Embodiment of this invention is described with reference to FIGS. In addition, in this embodiment, the case where surface-treating to the back surface of the glass substrate cut out to the predetermined dimension from the strip|belt-shaped plate glass shape|molded as plate-shaped glass is mentioned as an example, and it demonstrates.

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 유리 기판의 제조 장치(10)를 나타내고 있다. 이 제조 장치(10)는 유리 기판(P)의 한쪽의 주표면(Pa)(도 1에서 말하면 하면)에 소정의 표면 처리를 실시하는 표면 처리 장치(11)와, 표면 처리 장치(11)를 수용하는 처리조(12)를 구비한다.1 : has shown the manufacturing apparatus 10 of the glass substrate by 1st Embodiment of this invention. This manufacturing apparatus 10 includes a surface treatment apparatus 11 which performs a predetermined surface treatment on one major surface Pa (a lower surface in FIG. 1 ) of a glass substrate P, and a surface treatment apparatus 11 . A treatment tank 12 to accommodate is provided.

이 중, 표면 처리 장치(11)는 유리 기판(P)의 한쪽의 주표면(Pa)에 처리 가스(Ga)를 공급해서 소정의 표면 처리를 실시하는 위한 것이며, 처리 대상이 되는 유리 기판(P)이 삽입 통과되는 삽입 통과로(13)와, 삽입 통과로(13)에 개구하는 급기구(14)와, 급기구(14)와는 다른 위치에서 삽입 통과로(13)에 개구하는 배기구(15)와, 처리 가스(Ga)를 생성하는 처리 가스 생성 장치(16)와, 처리 가스 생성 장치(16)와 급기구(14)를 연결하는 급기로(17)와, 처리 가스(Ga)에 제해 처리를 실시하는 제해 장치(18)와, 배기구(15)와 제해 장치(18)를 연결하는 배기로(19)와, 무해 가스(Gb)를 급기로(17)에 도입하는 무해 가스 도입로(20)를 구비한다. 본 실시형태에서는, 표면 처리 장치(11)는 상술한 요소에 추가해서, 급기로(17)로부터 분기되어 처리 가스(Ga)를 배기로(19)에 도입하는 처리 가스 분기로(21)를 더 구비한다. 또한, 무해 가스 도입로(20)의 상류측에는 콤프레셔 등의 무해 가스 도입 장치(22)가 배치되어 있어 무해 가스(Gb)의 공급 및 정지를 조작할 수 있도록 되어 있다.Among these, the surface treatment apparatus 11 is for supplying processing gas Ga to one main surface Pa of the glass substrate P, and performing predetermined surface treatment, The glass substrate P used as a process object ) through the insertion passage 13, the air supply port 14 opened to the insertion passage 13, and the exhaust port 15 opened to the insertion passage 13 at a position different from the air supply port 14. ), a process gas generator 16 that generates the process gas Ga, an air supply passage 17 that connects the process gas generator 16 and the air supply port 14 , and the process gas Ga A detoxifying device 18 for processing, an exhaust path 19 connecting the exhaust port 15 and the detoxifying device 18 , and a harmless gas introduction path for introducing harmless gas Gb into the supply path 17 ( 20) is provided. In the present embodiment, the surface treatment apparatus 11 further includes a processing gas branch passage 21 branching from the supply passage 17 and introducing the processing gas Ga into the exhaust passage 19 in addition to the elements described above. be prepared In addition, a harmless gas introduction device 22 such as a compressor is disposed on the upstream side of the harmless gas introduction passage 20 so that supply and stop of the harmless gas Gb can be operated.

무해 가스 도입로(20)에는 무해 가스 도입로(20)를 개폐하는 제 1 개폐 밸브(23)가 배치되어 있다. 이에 따라, 무해 가스(Gb)의 급기로(17)로의 도입과 그 정지를 스위칭할 수 있도록 되어 있다.A first on-off valve 23 for opening and closing the harmless gas introduction passage 20 is disposed in the harmless gas introduction passage 20 . Thereby, the introduction of the harmless gas Gb into the supply passage 17 and the stop thereof can be switched.

또한, 급기로(17) 중 무해 가스 도입로(20)의 합류 위치(P1)보다 상류측에는 급기로(17)를 개폐하는 제 2 개폐 밸브(24)가 배치되어 있다. 이에 따라, 처리 가스(Ga)의 급기로(17)로의 도입과 그 정지를 스위칭할 수 있도록 되어 있다.Moreover, the 2nd on-off valve 24 which opens and closes the air supply passage 17 is arrange|positioned at the upstream side of the merging position P1 of the harmless gas introduction passage 20 among the supply passages 17. As shown in FIG. Accordingly, the introduction of the process gas Ga into the supply passage 17 and the stop thereof can be switched.

또한, 처리 가스 분기로(21)는 급기로(17)의 제 2 개폐 밸브(24)가 배치되어 있는 위치보다도 상류측에서 급기로(17)로부터 분기되어 배기로(19)와 연결되어 있다. 이에 따라, 처리 가스 생성 장치(16)에서 생성한 처리 가스(Ga)를 제 2 개폐 밸브(24)를 통과하는 일 없이 우회해서 배기로(19) 및 그 하류측에 위치하는 제해 장치(18)에 도입할 수 있도록 되어 있다.In addition, the processing gas branch passage 21 branches from the supply passage 17 and is connected to the exhaust passage 19 on the upstream side from the position where the second on-off valve 24 of the supply passage 17 is disposed. Accordingly, the process gas Ga generated by the process gas generator 16 is bypassed without passing through the second on-off valve 24 , and the exhaust passage 19 and the removal device 18 located on the downstream side thereof can be introduced into

본 실시형태에서는 이 처리 가스 분기로(21)에 처리 가스 분기로(21)를 개폐하는 제 3 개폐 밸브(25)가 배치되어 있다. 이에 따라, 처리 가스(Ga)의 배기로(19)로의 도입과 그 정지를 스위칭할 수 있도록 되어 있다.In the present embodiment, the third on-off valve 25 for opening and closing the processing gas branch passage 21 is disposed in the processing gas branch passage 21 . Accordingly, the introduction of the process gas Ga into the exhaust passage 19 and the stop thereof can be switched.

처리 가스(Ga)의 종류, 조성은 유리 기판(P)에 대한 소정의 표면 처리(예컨대 부식에 의한 조면화)를 가능하게 하는 한 임의이며, 예컨대 불화 수소 가스 등의 산성 가스를 포함하는 것을 사용할 수 있다. 이 경우, 처리 가스 생성 장치(16)에는 처리 가스(Ga)의 원료가 되는 가스(원료 가스)(Fa)로서의 4불화 탄소 가스와, 동일하게 원료가 되는 유체(Fc)로서의 물, 및 캐리어 가스(Fb)로서의 질소 가스가 도입된다(도 1을 참조). 그리고, 처리 가스 생성 장치(16) 내부에서 플라스마 반응을 발생시킴으로써 불화 수소 가스와 캐리어 가스(Fb)를 포함하는 처리 가스(Ga)를 생성 가능하게 하고 있다.The type and composition of the processing gas Ga are arbitrary as long as a predetermined surface treatment (for example, roughening by corrosion) on the glass substrate P is possible, for example, one containing an acid gas such as hydrogen fluoride gas may be used. can In this case, in the processing gas generating device 16 , carbon tetrafluoride gas as a gas (source gas) Fa serving as a raw material of the processing gas Ga, water as a fluid Fc serving as a raw material similarly, and a carrier gas are provided. Nitrogen gas as (Fb) is introduced (refer to Fig. 1). In addition, by generating a plasma reaction inside the processing gas generator 16 , the processing gas Ga including the hydrogen fluoride gas and the carrier gas Fb can be generated.

무해 가스(Gb)의 종류, 조성은 상술한 바와 같이 인체에 대해서 실질적으로 무해한 한 임의이며, 예컨대 청정도, 비용면 등의 관점에서 클린 드라이 에어가 바람직하게 사용된다. 물론, 클린 드라이 에어에 한정되지 않고 예컨대 질소 가스나 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 비롯해 클린 드라이 에어 이외의 처리를 실시한 공기(Dry Air)를 사용하는 것도 가능하고, 처리하지 않은 공기(외기)를 그대로 사용하는 것도 가능하다.The type and composition of the harmless gas Gb are arbitrary as long as they are substantially harmless to the human body as described above, and for example, clean dry air is preferably used from the viewpoints of cleanliness, cost, and the like. Of course, it is not limited to clean dry air, for example, inert gas such as nitrogen gas or argon gas, as well as air treated other than clean dry air (dry air) can be used, and untreated air (outside air) can be used as it is. It is also possible to use

이어서, 이상의 구성을 이루는 표면 처리 장치(11)를 이용한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 본 발명에 의한 작용 효과와 아울러 주로 도 2~도 4에 의거해서 설명한다.Next, the procedure of the surface treatment and maintenance using the surface treatment apparatus 11 which comprises the above structure is demonstrated mainly based on the operation effect by this invention, and FIGS. 2-4.

즉, 본 실시형태에 의한 유리 기판의 제조 방법은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 표면 처리 공정(S1)과 유지 보수 공정(S2)을 구비한다. 이 중, 표면 처리 공정(S1)에서는 처리 가스(Ga)를 판형상 유리로서의 유리 기판(P)에 공급해서 상기 유리 기판(P)에 소정의 표면 처리를 실시함과 아울러, 공급한 처리 가스(Ga)를 제해해서 배기하는 가스의 흐름이 형성되고, 유지 보수 공정(S2)에서는 급기로(17)(도 1을 참조)를 폐쇄하고, 급기로(17)를 폐쇄한 위치(도 1에서 말하면 제 2 개폐 밸브(24)가 배치된 위치)보다 하류측에서 급기로(17)에 무해 가스(Gb)를 도입함으로써 처리 가스(Ga)를 무해 가스(Gb)로 치환하는 가스의 흐름이 형성된다. 이하, 각 공정의 상세를 설명한다.That is, as shown in FIG. 2, the manufacturing method of the glass substrate which concerns on this embodiment is equipped with surface treatment process S1 and maintenance process S2. Among these, in the surface treatment step (S1), the processing gas (Ga) is supplied to the glass substrate (P) as plate-shaped glass and a predetermined surface treatment is performed on the glass substrate (P), and the supplied processing gas ( Ga) is removed to form a flow of exhaust gas, and in the maintenance step S2, the air supply passage 17 (refer to FIG. 1) is closed, and the air supply passage 17 is closed (as in FIG. 1 ). By introducing the harmless gas Gb into the supply passage 17 on the downstream side from the position where the second on-off valve 24 is disposed), a flow of gas that replaces the processing gas Ga with the harmless gas Gb is formed . Hereinafter, the detail of each process is demonstrated.

(S1) 표면 처리 공정(S1) surface treatment process

이 공정(S1)에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 제 1 개폐 밸브(23)를 폐쇄하고 제 2 개폐 밸브(24)를 개방함과 아울러, 제 3 개폐 밸브(25)를 폐쇄한다. 이에 따라, 처리 가스 생성 장치(16)에서 생성된 처리 가스(Ga)는 급기로(17)에 도입되어 급기로(17)의 하류단에 위치하는 급기구(14)로부터 방출된다. 급기구(14)가 면하는 삽입 통과로(13)에 도 1에 나타내는 유리 기판(P)(도 3에서는 생략)이 삽입 통과되면, 급기구(14)로부터 방출된 처리 가스(Ga)가 유리 기판(P)의 한쪽의 주표면(Pa)(급기구(14)에 면하는 하면)에 공급되고, 한쪽의 주표면(Pa)에 소정의 표면 처리가 실시된다. 유리 기판에 공급된 처리 가스(Ga)는 급기구(14)와 다른 위치에서 삽입 통과로(13)에 면하는 배기구(15)(본 실시형태에서는 2개)를 통해서 배기로(19)에 들어가고, 배기로(19)의 하류측에 위치하는 제해 장치(18)에 도입된다. 도입된 처리 가스(Ga)는 제해 장치(18)에 의해 제해되어 유해 물질을 제거한 상태로 제해 장치(18)의 외부로 배출된다.In this process S1, as shown in FIG. 3, while closing the 1st on-off valve 23 and opening the 2nd on-off valve 24, the 3rd on-off valve 25 is closed. Accordingly, the process gas Ga generated by the process gas generating device 16 is introduced into the air supply passage 17 and discharged from the air supply port 14 located at the downstream end of the air supply passage 17 . When the glass substrate P (omitted in FIG. 3) shown in FIG. 1 is inserted into the insertion passage 13 which the air supply port 14 faces, the process gas Ga discharged|emitted from the air supply port 14 is free It is supplied to one main surface Pa (lower surface facing the air supply port 14) of the board|substrate P, and predetermined|prescribed surface treatment is given to one main surface Pa. The processing gas Ga supplied to the glass substrate enters the exhaust passage 19 through the exhaust port 15 (two in this embodiment) facing the insertion passage 13 at a position different from the supply port 14 and , is introduced into the removal device 18 located downstream of the exhaust passage 19 . The introduced process gas Ga is removed by the detoxifying device 18 and discharged to the outside of the detoxifying device 18 in a state in which harmful substances are removed.

한편, 무해 가스 도입로(20)는 제 1 개폐 밸브(23)에 의해 폐쇄되어 있으므로, 도 3에 나타내는 상태에 있어서는 급기로(17)에 무해 가스(Gb)가 혼입되어 표면 처리에 영향을 미칠 우려는 없다. 또한, 처리 가스(Ga)가 무해 가스 도입로(20)를 통해서 외부로 누출될 우려도 없다.On the other hand, since the harmless gas introduction path 20 is closed by the first on/off valve 23, in the state shown in FIG. 3, the harmless gas Gb is mixed into the supply path 17 and affects the surface treatment. No worries. In addition, there is no fear that the processing gas Ga leaks to the outside through the harmless gas introduction passage 20 .

또한, 처리 가스 분기로(21)는 제 3 개폐 밸브(25)에 의해 폐쇄되어 있으므로, 도 3에 나타내는 상태에 있어서는 본래 급기로(17)에 도입되어야 할 처리 가스(Ga)의 유량이 감소하여 표면 처리에 영향을 미칠 우려는 없다.In addition, since the processing gas branch passage 21 is closed by the third on-off valve 25 , in the state shown in FIG. 3 , the flow rate of the processing gas Ga to be originally introduced into the supply passage 17 is reduced. There is no fear of affecting the surface treatment.

(S2) 유지 보수 공정(S2) maintenance process

상술한 바와 같이 표면 처리 장치(11)를 가동하고 있는 동안, 유리 기판(P)에 대해서 소정의 표면 처리가 실시된다. 한편, 어떠한 이유로 표면 처리를 정지하고 표면 처리 장치(11)를 분해할 필요가 생긴 경우에는 이하의 처리(동작)를 행한 후에 표면 처리 장치(11)의 유지 보수를 행한다. 즉, 유지 보수를 시작함에 있어서는 가동시의 상태로부터, 도 4에 나타내는 바와 같이, 우선 제 2 개폐 밸브(24)를 폐쇄함과 아울러 제 3 개폐 밸브(25)를 개방한다. 그리고, 제 1 개폐 밸브(23)를 개방한다. 이에 따라, 급기로(17) 중 적어도 제 2 개폐 밸브(24)보다 하류측을 향한 처리 가스(Ga)의 공급이 정지됨과 아울러, 합류 위치(P1)보다 하류측에서 급기로(17)에 무해 가스(Gb)가 새롭게 도입된다. 따라서, 급기로(17), 삽입 통과로(13), 및 배기로(19)에 유통하고 있었던 처리 가스(Ga)는 무해 가스(Gb)에 압출되는 형태로 제해 장치(18)에 배출되고, 이에 따라, 처리 가스 분기로(21) 내를 제외한, 표면 처리 장치(11) 중의 처리 가스(Ga)가 무해 가스(Gb)에 의해 치환된다. 따라서, 작업자가 안전하게 표면 처리 장치(11)를 분해해서 상태 확인이나 정비 등의 유지 보수를 행하는 것이 가능하게 된다. 또한, 상술한 바와 같이 무해 가스 도입로(20)를 설치함으로써 처리 가스 생성 장치(16)를 통하는 일 없이 급기로(17)에 무해 가스(Gb)를 도입할 수 있으므로, 무해 가스(Gb)의 도입 조건(유량, 압력, 온도 등)을 비교적 자유롭게 설정할 수 있다. 따라서, 예컨대 유량을 넉넉하게 설정함으로써 무해 가스(Gb)에 의한 처리 가스(Ga)의 치환을 단시간에 행하는 것이 가능하게 된다.As mentioned above, while the surface treatment apparatus 11 is operating, predetermined surface treatment is performed with respect to the glass substrate P. On the other hand, when it is necessary to stop the surface treatment and disassemble the surface treatment apparatus 11 for some reason, the maintenance of the surface treatment apparatus 11 is performed after performing the following processes (operations). That is, when starting maintenance, as shown in FIG. 4 from the state at the time of operation, first, while closing the 2nd on-off valve 24, the 3rd on-off valve 25 is opened. Then, the first on-off valve 23 is opened. As a result, supply of the process gas Ga toward the downstream side of at least the second on-off valve 24 of the supply passage 17 is stopped, and the supply passage 17 is harmless to the supply passage 17 downstream from the merging position P1. The gas Gb is newly introduced. Accordingly, the processing gas Ga flowing through the supply passage 17, the insertion passage 13, and the exhaust passage 19 is discharged to the removal device 18 in the form of being extruded into the harmless gas Gb, Accordingly, the processing gas Ga in the surface treatment apparatus 11 except for the inside of the processing gas branch passage 21 is replaced by the harmless gas Gb. Therefore, it becomes possible for an operator to safely disassemble the surface treatment apparatus 11, and to perform maintenance, such as a state check and maintenance. In addition, by providing the harmless gas introduction path 20 as described above, the harmless gas Gb can be introduced into the supply path 17 without passing through the processing gas generating device 16 , so that the harmless gas Gb Introduction conditions (flow rate, pressure, temperature, etc.) can be set relatively freely. Therefore, for example, by setting the flow rate sufficiently, it becomes possible to replace the processing gas Ga with the harmless gas Gb in a short time.

또한, 제 3 개폐 밸브(25)를 개방함으로써 급기로(17)의 제 2 개폐 밸브(24)보다 상류측에서 분기되어 있는 처리 가스 분기로(21)에 처리 가스(Ga)를 공급 가능한 상태가 된다. 따라서, 예컨대 처리 가스 생성 장치(16)에 의한 처리 가스(Ga)의 생성 및 공급을 계속 행할 경우, 도 4에 나타내는 바와 같이, 처리 가스(Ga)는 처리 가스 분기로(21)를 통해서 배기로(19) 또는 제해 장치(18)에 도입된다. 따라서, 상술한 치환 처리의 동안, 처리 가스 생성 장치(16)의 내부, 또는 급기로(17) 중 처리 가스 생성 장치(16)와 제 2 개폐 밸브(24) 사이에 처리 가스(Ga)가 가둬지는 것에 의한 문제의 발생을 회피하여 안전하게 치환 작업을 행할 수 있게 된다. In addition, by opening the third on-off valve 25 , the state in which processing gas Ga can be supplied to the processing gas branch passage 21 branched from the upstream side of the second on-off valve 24 of the supply passage 17 is obtained. do. Accordingly, for example, when the process gas generation device 16 continues to generate and supply the process gas Ga, as shown in FIG. 4 , the process gas Ga passes through the process gas branch path 21 to the exhaust path. (19) or introduced into the removal device (18). Therefore, during the above-described replacement processing, the processing gas Ga is trapped inside the processing gas generation device 16 or between the processing gas generation device 16 and the second on-off valve 24 in the supply passage 17 . It becomes possible to avoid the occurrence of a problem by losing, and to perform a replacement operation safely.

이상, 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 유리 기판의 제조 장치(10) 및 제조 방법을 설명했지만, 이들 제조 장치(10) 및 제조 방법은 당연히 본 발명의 범위 내에 있어서 임의의 형태를 채택할 수 있다.As mentioned above, although the manufacturing apparatus 10 and manufacturing method of the glass substrate which concern on 1st Embodiment of this invention were demonstrated, these manufacturing apparatus 10 and manufacturing method can take any form naturally within the scope of the present invention. have.

≪본 발명의 제 2 실시형태≫«Second embodiment of the present invention»

도 5는 제 2 실시형태에 의한 제조 장치(30)의 유로 구성도, 도 6은 이 제조 장치(30)를 이용한 제조 방법(표면 처리 및 유지 보수)의 순서를 나타내는 플로우차트를 각각 나타내고 있다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 이 제조 장치(30)는 제 1 실시형태와는 유로 구성이 다른 표면 처리 장치(31)를 구비하고 있고, 구체적으로는 배기로(19) 중 처리 가스 분기로(21)의 합류 위치(P2)보다 상류측에 배기로(19)를 개폐하는 제 4 개폐 밸브(26)가 배치되어 있다. 또한, 이 이외의 구성은 제 1 실시형태에 의한 제조 장치(10)(표면 처리 장치(11))와 동일하므로 상세한 설명을 생략한다.5 is a flow path configuration diagram of the manufacturing apparatus 30 according to the second embodiment, and FIG. 6 is a flowchart showing a procedure of a manufacturing method (surface treatment and maintenance) using the manufacturing apparatus 30, respectively. As shown in FIG. 5 , the manufacturing apparatus 30 includes a surface treatment device 31 having a flow path configuration different from that of the first embodiment, and specifically, a processing gas branch path 21 of the exhaust path 19 . ), a fourth opening/closing valve 26 for opening and closing the exhaust passage 19 is disposed on the upstream side of the merging position P2. In addition, since the structure other than this is the same as that of the manufacturing apparatus 10 (surface treatment apparatus 11) by 1st Embodiment, detailed description is abbreviate|omitted.

또한, 본 실시형태에 의한 유리 기판의 제조 방법은, 도 6에 나타내는 바와 같이, 표면 처리 공정(S1)과 유지 보수 공정(S2)을 갖는다. 이 중, 유지 보수 공정(S2)의 상세가 제 1 실시형태에 의한 제조 방법과 다르다. 즉, 본 실시형태에 의한 유지 보수 공정(S2)은 급기로(17)를 폐쇄하고 배기로(19)를 개방한 상태에서 제 2 개폐 밸브(24)보다 하류측에서 급기로(17)에 무해 가스(Gb)를 도입함으로써 처리 가스(Ga)를 무해 가스(Gb)로 치환하는 무해 가스 도입 스텝(S21)과, 무해 가스(Gb)의 공급을 정지한 후, 처리 가스 분기로(21)의 합류 위치(P2)보다 상류측에서 배기로(19)를 폐쇄함으로써 처리 가스(Ga)의 유로와 무해 가스(Gb)의 유로를 완전히 분단하는 유로 분단 스텝(S22)을 갖는다. 이하, 각 스텝의 상세를 중심으로 설명한다.Moreover, as shown in FIG. 6, the manufacturing method of the glass substrate by this embodiment has a surface treatment process S1 and a maintenance process S2. Among these, the detail of maintenance process S2 differs from the manufacturing method by 1st Embodiment. That is, the maintenance process (S2) according to the present embodiment is harmless to the air supply passage 17 on the downstream side from the second on-off valve 24 in the state where the supply passage 17 is closed and the exhaust passage 19 is opened. The harmless gas introduction step S21 for replacing the processing gas Ga with the harmless gas Gb by introducing the gas Gb, and after stopping the supply of the harmless gas Gb, There is a flow path dividing step S22 in which the flow path of the process gas Ga and the flow path of the harmless gas Gb are completely divided by closing the exhaust path 19 on the upstream side from the merging position P2. Hereinafter, it demonstrates centering around the detail of each step.

(S1) 표면 처리 공정(S1) surface treatment process

이 공정에서는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 제 1 개폐 밸브(23)를 폐쇄하고, 제 2 개폐 밸브(24)를 개방하며, 제 3 개폐 밸브(25)를 폐쇄함과 아울러 제 4 개폐 밸브(26)를 개방한 상태로 한다. 이에 따라, 처리 가스 생성 장치(16)에서 생성된 처리 가스(Ga)는 급기로(17)에 도입되어 급기로(17)의 하류단에 위치하는 급기구(14)로부터 방출된다. 급기구(14)가 면하는 삽입 통과로(13)에 도 1에 나타내는 유리 기판(P)(도 7에서는 생략)이 삽입 통과되면, 급기구(14)로부터 방출된 처리 가스(Ga)가 유리 기판(P)의 한쪽의 주표면(Pa)(급기구(14)에 면하는 하면)에 공급되어 한쪽의 주표면(Pa)에 소정의 표면 처리가 실시된다. 또한, 배기로(19) 상에 설치한 제 4 개폐 밸브(26)를 개방한 상태로 하고 있으므로, 유리 기판(P)에 공급된 처리 가스(Ga)는 급기구(14)와 다른 위치에서 삽입 통과로(13)에 면하는 배기구(15)(본 실시형태에서는 2개)를 통해서 배기로(19)에 들어가고, 배기로(19)의 하류측에 위치하는 제해 장치(18)에 도입된다. 도입된 처리 가스(Ga)는 제해 장치(18)에 의해 제해되어 유해 물질을 제거한 상태로 제해 장치(18)의 외부로 배출된다.In this process, as shown in FIG. 7, while closing the 1st on-off valve 23, opening the 2nd on-off valve 24, and closing the 3rd on-off valve 25, while closing the 4th on-off valve ( 26) is left open. Accordingly, the process gas Ga generated by the process gas generating device 16 is introduced into the air supply passage 17 and discharged from the air supply port 14 located at the downstream end of the air supply passage 17 . When the glass substrate P (omitted in FIG. 7) shown in FIG. 1 is inserted in the insertion passage 13 which the air supply port 14 faces, the process gas Ga discharged|emitted from the air supply port 14 is free. It is supplied to one main surface Pa (lower surface facing the air supply port 14) of the board|substrate P, and predetermined surface treatment is given to one main surface Pa. In addition, since the fourth on-off valve 26 provided on the exhaust passage 19 is opened, the processing gas Ga supplied to the glass substrate P is inserted at a different position from the supply port 14 . It enters the exhaust passage 19 through the exhaust port 15 (two in this embodiment) facing the passage passage 13, and is introduced into the removal device 18 located downstream of the exhaust passage 19. The introduced process gas Ga is removed by the detoxifying device 18 and discharged to the outside of the detoxifying device 18 in a state in which harmful substances are removed.

한편, 무해 가스 도입로(20)는 제 1 개폐 밸브(23)에 의해 폐쇄되어 있으므로, 도 7에 나타내는 상태에 있어서는 급기로(17)에 무해 가스(Gb)가 혼입되어 표면 처리에 영향을 미칠 우려는 없다. 또한, 처리 가스(Ga)가 무해 가스 도입로(20)를 통해서 외부로 누출될 우려도 없다.On the other hand, since the harmless gas introduction path 20 is closed by the first on/off valve 23, in the state shown in FIG. 7, the harmless gas Gb is mixed into the supply path 17 and affects the surface treatment. No worries. In addition, there is no fear that the processing gas Ga leaks to the outside through the harmless gas introduction passage 20 .

또한, 처리 가스 분기로(21)는 제 3 개폐 밸브(25)에 의해 폐쇄되어 있으므로, 도 7에 나타내는 상태에 있어서는 본래 급기로(17)에 도입되어야 할 처리 가스(Ga)의 유량이 감소하여 표면 처리에 영향을 미칠 우려는 없다.In addition, since the processing gas branch passage 21 is closed by the third on-off valve 25 , in the state shown in FIG. 7 , the flow rate of the processing gas Ga to be originally introduced into the supply passage 17 is reduced. There is no fear of affecting the surface treatment.

(S2) 유지 보수 공정(S2) maintenance process

(S21) 무해 가스 도입 스텝(S21) harmless gas introduction step

또한, 본 실시형태에 있어서, 어떠한 이유로 표면 처리를 정지하고 표면 처리 장치(31)의 유지 보수를 행하는 필요가 생긴 경우에는 이하의 처리(동작)를 행한다. 즉, 무해 가스(Gb)로 처리 가스(Ga)를 치환하는 스텝에 있어서는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 우선 제 2 개폐 밸브(24)를 폐쇄함과 아울러 제 3 개폐 밸브(25)를 개방한다. 그리고, 제 1 개폐 밸브(23)를 개방한다. 제 4 개폐 밸브(26)는 개방한 채의 상태로 한다. 이에 따라, 급기로(17) 중 적어도 제 2 개폐 밸브(24)보다 하류측을 향한 처리 가스(Ga)의 공급이 정지됨과 아울러, 합류 위치(P1)보다 하류측에 무해 가스(Gb)가 새롭게 도입된다. 따라서, 급기로(17), 삽입 통과로(13), 및 배기로(19)에 유통하고 있었던 처리 가스(Ga)는 무해 가스(Gb)에 압출되는 형태로 제해 장치(18)에 배출되고, 이에 따라, 처리 가스 분기로(21) 내를 제외한, 표면 처리 장치(11) 중의 처리 가스(Ga)가 무해 가스(Gb)에 의해 치환된다. 따라서, 작업자가 안전하게 표면 처리 장치(11)를 분해해서 유지 보수를 행하는 것이 가능하게 된다.In addition, in this embodiment, when it is necessary to stop surface treatment for some reason and perform maintenance of the surface treatment apparatus 31, the following process (operation) is performed. That is, in the step of replacing the process gas Ga with the harmless gas Gb, as shown in FIG. 8 , the second on-off valve 24 is first closed and the third on-off valve 25 is opened. . Then, the first on-off valve 23 is opened. The fourth on-off valve 26 is left open. As a result, supply of the process gas Ga toward the downstream side of at least the second on-off valve 24 of the air supply passage 17 is stopped, and the harmless gas Gb is newly introduced to the downstream side from the merging position P1. is introduced Accordingly, the processing gas Ga flowing through the supply passage 17, the insertion passage 13, and the exhaust passage 19 is discharged to the removal device 18 in the form of being extruded into the harmless gas Gb, Accordingly, the processing gas Ga in the surface treatment apparatus 11 except for the inside of the processing gas branch passage 21 is replaced by the harmless gas Gb. Therefore, it becomes possible for an operator to safely disassemble the surface treatment apparatus 11 and to perform maintenance.

또한, 제 3 개폐 밸브(25)를 개방함으로써 급기로(17)의 제 2 개폐 밸브(24)보다 상류측에서 분기되어 있는 처리 가스 분기로(21)에 처리 가스(Ga)를 공급 가능한 상태가 된다. 따라서, 예컨대 처리 가스 생성 장치(16)에 의한 처리 가스(Ga)의 생성 및 공급을 계속 행할 경우, 도 8에 나타내는 바와 같이, 처리 가스(Ga)는 처리 가스 분기로(21)를 통해서 배기로(19), 또한 제해 장치(18)에 도입된다. 따라서, 처리 가스 생성 장치(16)에 의한 처리 가스(Ga)의 생성 및 공급을 정지하는 일 없이 상술한 치환 작업을 행할 수 있다.In addition, by opening the third on-off valve 25 , the state in which processing gas Ga can be supplied to the processing gas branch passage 21 branched from the upstream side of the second on-off valve 24 of the supply passage 17 is obtained. do. Therefore, for example, when the process gas generation device 16 continues to generate and supply the process gas Ga, as shown in FIG. 8 , the process gas Ga passes through the process gas branch path 21 to the exhaust path. (19), is also introduced into the removal device (18). Accordingly, the above-described replacement operation can be performed without stopping the generation and supply of the processing gas Ga by the processing gas generator 16 .

(S22) 유로 분단 스텝(S22) Euro division step

스텝(S21)에 있어서, 급기로(17)에 무해 가스(Gb)를 도입하고, 급기로(17)와 삽입 통과로(13), 및 배기로(19)가 무해 가스(Gb)로 치환된 후, 이 스텝을 실시한다. 즉, 도 9에 나타내는 바와 같이, 제 1 개폐 밸브(23)를 폐쇄해서 무해 가스(Gb)의 급기로(17)로의 공급을 정지함과 아울러, 제 4 개폐 밸브(26)를 폐쇄해서 배기로(19) 중 처리 가스 분기로(21)의 합류 위치(P2)보다 상류측에서 배기로(19)의 흐름을 막는다. 제 2 개폐 밸브(24)는 폐쇄한 상태인 채, 및 제 3 개폐 밸브(25)는 개방한 상태인 채로 한다. 이에 따라, 급기로(17) 중 제 2 개폐 밸브(24)보다 하류측의 영역과, 유리 기판의 처리 공간이 되는 삽입 통과로(13), 및 배기로(19) 중 제 4 개폐 밸브(26)보다 상류측의 영역이, 처리 가스 분기로(21) 및 배기로(19) 중 제 4 개폐 밸브(26)보다 하류측의 영역과 완전히 분리된 상태가 된다. 바꿔 말하면, 표면 처리 장치(31)의 유로가 무해 가스(Gb)만이 존재하는 공간과 처리 가스(Ga)만이 존재하는 공간으로 분단된 상태가 된다. 예컨대 도 4에 나타내는 유로 구성을 취할 경우, 무해 가스(Gb)의 유량 또는 유체압이 처리 가스(Ga)의 유량 또는 유체압보다 대폭적으로 크게 설정되어 있으면, 처리 가스(Ga)가 처리 가스 분기로(21)의 합류 위치(P2)로부터 배기로(19)의 상류측으로 역류하는 사태를 방지하는 것은 가능하지만, 완전히 차단된 상태가 아닌 이상, 얼마 안되는 양이여도 처리 가스(Ga)가 급기로(17)측으로 흘러 들어갈 가능성을 완전히 배제하는 것은 어렵다. 이것에 대해서, 본 실시형태에 의한 제조 장치(30)에 의하면, 상술한 급기로(17)와 유리 기판의 처리 공간(삽입 통과로(13))이 완전히 무해 가스(Gb)로 가득 채워진 상태가 된 시점에서 제 4 개폐 밸브(26)를 폐쇄함으로써 처리 가스(Ga)의 생성 및 공급을 계속 행한 채로 무해 가스(Gb)의 치환을 행하는 경우이여도, 작업자가 처리 가스(Ga)에 접촉될 가능성을 완전히 배제해서 표면 처리 장치(31)를 안전하게 분해하여 확인 작업이나 유지 보수를 행하는 것이 가능하게 된다.In step S21, the harmless gas Gb is introduced into the supply passage 17, and the supply passage 17, the insertion passage 13, and the exhaust passage 19 are replaced with the harmless gas Gb. After that, this step is performed. That is, as shown in FIG. 9, while closing the 1st on-off valve 23 and stopping supply to the supply path 17 of harmless gas Gb, while closing the 4th on-off valve 26, an exhaust path In (19), the flow of the exhaust passage 19 is blocked on the upstream side from the merging position P2 of the processing gas branch passage 21 . The second on-off valve 24 remains in the closed state, and the third on-off valve 25 remains in the open state. Thereby, the 4th on-off valve 26 of the area|region on the downstream side of the 2nd on-off valve 24 of the supply passage 17, the insertion passage 13 used as the processing space of a glass substrate, and the exhaust passage 19. ), the region on the upstream side is completely separated from the region on the downstream side of the fourth on-off valve 26 among the process gas branch passage 21 and the exhaust passage 19 . In other words, the flow path of the surface treatment device 31 is divided into a space in which only the harmless gas Gb exists and a space in which only the processing gas Ga exists. For example, in the flow path configuration shown in FIG. 4 , if the flow rate or fluid pressure of the harmless gas Gb is set significantly larger than the flow rate or fluid pressure of the processing gas Ga, the processing gas Ga flows into the processing gas branch. Although it is possible to prevent a reverse flow from the merging position P2 of 21 to the upstream side of the exhaust passage 19, unless it is completely blocked, even a small amount of the process gas Ga flows into the supply passage ( 17), it is difficult to completely rule out the possibility that it will flow to the side. In contrast, according to the manufacturing apparatus 30 according to the present embodiment, the state in which the above-described air supply passage 17 and the processing space (insertion passage passage 13 ) of the glass substrate are completely filled with the harmless gas Gb. Possibility of an operator coming into contact with the processing gas Ga even when the harmless gas Gb is replaced while the production and supply of the processing gas Ga is continued by closing the fourth on-off valve 26 at the time when the processing gas Ga is replaced. It becomes possible to completely remove and safely disassemble the surface treatment device 31 to perform confirmation work and maintenance.

≪본 발명의 제 3 실시형태≫«Third embodiment of the present invention»

이어서, 본 발명의 제 3 실시형태를 주로 도 10에 의거하여 설명한다. 또한, 본 실시형태에 있어서 사용하는 제조 장치는 도 5에 나타내는 제조 장치(30)로 한다.Next, a third embodiment of the present invention will be mainly described with reference to FIG. 10 . In addition, let the manufacturing apparatus used in this embodiment be the manufacturing apparatus 30 shown in FIG.

본 실시형태에 의한 유리 기판의 제조 방법은, 도 10에 나타내는 바와 같이, 표면 처리 공정(S1)과, 유지 보수 공정(S2)과, 표면 처리의 재개 준비 공정(S3)을 구비한다. 표면 처리 공정(S1)과 유지 보수 공정(S2)은 제 2 실시형태와 동일하므로 이하에서는 표면 처리의 재개 준비 공정(S3)의 상세를 설명한다.As shown in FIG. 10, the manufacturing method of the glass substrate which concerns on this embodiment is equipped with surface treatment process S1, maintenance process S2, and resumption preparation process S3 of surface treatment. Since the surface treatment process (S1) and the maintenance process (S2) are the same as that of 2nd Embodiment, below, the detail of the resumption preparation process (S3) of a surface treatment is demonstrated.

(S3) 표면 처리의 재개 준비 공정(S3) Resumption preparation process of surface treatment

이 공정(S3)에서는 직전의 유지 보수 공정(S2)시의 상태(도 9에 나타내는 상태)로부터, 우선 제 2 개폐 밸브(24)를 개방함과 아울러 제 4 개폐 밸브(26)를 개방하고, 또한 제 3 개폐 밸브(25)를 폐쇄한다. 제 1 개폐 밸브(23)는 폐쇄한 채의 상태로 한다. 이 동안, 처리 가스 생성 장치(16)에 의한 처리 가스(Ga)의 생성 및 공급은 정지하는 일 없이 계속 행해지고 있다(모두 도 7을 참조). 이렇게 함으로써, 바로 도 7에 나타내는 바와 같이 급기로(17)에 처리 가스(Ga)가 도입되고, 급기로(17)에 유통하고 있었던 무해 가스(Gb)가 처리 가스(Ga)로 치환되므로, 단시간에 급기로(17) 및 배기로(19)를 다시 처리 가스(Ga)로 가득 채울 수 있다. 따라서, 예컨대 일단 처리 가스 생성 장치(16)를 정지한 상태로부터 재기동시켰을 경우에 생길 수 있는, 처리 가스(Ga)의 생성을 재개하고나서 처리 가스(Ga)의 생성 상태가 안정될 때까지의 대기 시간을 생략하여, 유지 보수 후, 재빠르게 표면 처리를 재개하는 것이 가능하게 된다.In this step (S3), from the state at the time of the immediately preceding maintenance step (S2) (the state shown in Fig. 9), the second on-off valve 24 is first opened and the fourth on-off valve 26 is opened, Further, the third on-off valve 25 is closed. The first on-off valve 23 is kept closed. During this time, generation and supply of the processing gas Ga by the processing gas generator 16 continues without stopping (refer to FIG. 7 for both). In this way, as shown in FIG. 7 , the process gas Ga is introduced into the air supply passage 17 , and the harmless gas Gb circulating in the air supply passage 17 is replaced with the process gas Ga in a short time. The air supply passage 17 and the exhaust passage 19 may be filled with the process gas Ga again. Therefore, for example, when the processing gas generating apparatus 16 is restarted from a stopped state, waiting for the processing gas generation state to stabilize after resuming the processing gas production. By omitting time, it becomes possible to resume surface treatment quickly after maintenance.

≪본 발명의 제 4 실시형태≫«Fourth embodiment of the present invention»

이어서, 본 발명의 제 4 실시형태를 주로 도 11 및 도 12에 의거하여 설명한다. 또한, 본 실시형태에 있어서 이용하는 제조 장치는 도 5에 나타내는 제조 장치(30)로 한다.Next, a fourth embodiment of the present invention will be mainly described with reference to Figs. In addition, let the manufacturing apparatus used in this embodiment be the manufacturing apparatus 30 shown in FIG.

본 실시형태에 의한 유리 기판의 제조 방법은, 도 11에 나타내는 바와 같이, 표면 처리 공정(S1)과 유지 보수 공정(S2)을 갖는다. 이 중, 유지 보수 공정(S2)의 상세가 제 1~제 3 실시형태에 의한 제조 방법과 다르다. 즉, 본 실시형태에 의한 유지 보수 공정(S2)은 처리 가스 생성 장치(16)에 의한 처리 가스(Ga)의 생성을 정지함과 아울러, 처리 가스(Ga)의 원료가 되는 가스(도 1 등에 나타내는 원료 가스(Fa))의 처리 가스 생성 장치(16)로의 공급을 정지하고, 처리 가스(Ga)에 포함되는 캐리어 가스(Fb)의 처리 가스 생성 장치(16)로의 공급을 계속 행하는, 캐리어 가스 도입 스텝(S23)을 갖는다. 표면 처리 공정(S1)에 대해서는 제 2 및 제 3 실시형태와 동일하므로 이하에서는 캐리어 가스 도입 스텝(S23)을 포함하는 유지 보수 공정(S2)의 상세를 도 12에 의거하여 설명한다.As shown in FIG. 11, the manufacturing method of the glass substrate by this embodiment has a surface treatment process (S1) and a maintenance process (S2). Among these, the detail of maintenance process S2 differs from the manufacturing method by 1st - 3rd embodiment. That is, in the maintenance process S2 according to the present embodiment, the process gas generating device 16 stops generation of the process gas Ga, and the gas used as a raw material of the process gas Ga (eg, in FIG. 1 ). A carrier gas in which supply of the source gas Fa shown to the processing gas generator 16 is stopped and the carrier gas Fb contained in the processing gas Ga continues to be supplied to the processing gas generator 16 . It has an introduction step (S23). Since the surface treatment step S1 is the same as in the second and third embodiments, the details of the maintenance step S2 including the carrier gas introduction step S23 will be described below with reference to FIG. 12 .

(S2) 유지 보수 공정(S2) maintenance process

(S23) 캐리어 가스 도입 스텝(S23) Carrier gas introduction step

이 유지 보수 공정(S2)에서는, 제 2 실시형태와 마찬가지로, 우선 제 2 개폐 밸브(24)를 폐쇄함과 아울러 제 3 개폐 밸브(25)를 개방한다. 그리고, 제 1 개폐 밸브(23)를 개방한다. 제 4 개폐 밸브(26)는 개방한 상태인 채로 한다. 이에 따라, 급기로(17) 중 적어도 제 2 개폐 밸브(24)보다 하류측을 향한 처리 가스(Ga)의 공급이 정지됨과 아울러, 합류 위치(P1)보다 하류측에서 급기로(17)에 무해 가스(Gb)가 새롭게 도입된다. 따라서, 급기로(17), 삽입 통과로(13), 및 배기로(19)에 유통하고 있었던 처리 가스(Ga)는 무해 가스(Gb)에 압출되는 형태로 제해 장치(18)에 배출되고, 이에 따라, 처리 가스 분기로(21) 내를 제외한, 표면 처리 장치(11) 중의 처리 가스(Ga)가 무해 가스(Gb)에 의해 치환된다. 따라서, 작업자가 안전하게 표면 처리 장치(11)를 분해해서 유지 보수를 행하는 것이 가능하게 된다.In this maintenance process (S2), similarly to 2nd Embodiment, while closing the 2nd on-off valve 24 first, the 3rd on-off valve 25 is opened. Then, the first on-off valve 23 is opened. The fourth on-off valve 26 is kept in an open state. As a result, supply of the process gas Ga toward the downstream side of at least the second on-off valve 24 of the supply passage 17 is stopped, and the supply passage 17 is harmless to the supply passage 17 downstream from the merging position P1. The gas Gb is newly introduced. Accordingly, the processing gas Ga flowing through the supply passage 17, the insertion passage 13, and the exhaust passage 19 is discharged to the removal device 18 in the form of being extruded into the harmless gas Gb, Accordingly, the processing gas Ga in the surface treatment apparatus 11 except for the inside of the processing gas branch passage 21 is replaced by the harmless gas Gb. Therefore, it becomes possible for an operator to safely disassemble the surface treatment apparatus 11 and to perform maintenance.

또한, 이 때, 도 12에 나타내는 바와 같이, 처리 가스 생성 장치(16)에 의한 처리 가스(Ga)의 생성을 정지함과 아울러, 처리 가스(Ga)의 원료가 되는 4불화 탄소 가스 등의 원료 가스(Fa)(도 1을 참조)의 처리 가스 생성 장치(16)로의 공급을 정지하고, 또한 처리 가스(Ga)에 포함되는 캐리어 가스(Fb)의 처리 가스 생성 장치(16)로의 공급을 계속 행한다. 이에 따라, 캐리어 가스(Fb)가 처리 가스 생성 장치(16)의 내부와, 급기로(17) 중 제 2 개폐 밸브(24)보다 상류측의 영역과, 처리 가스 분기로(21)를 통해서 배기로(19)에 도입된다. 따라서, 직전까지 처리 가스 생성 장치(16)의 내부에 존재하고 있었던 처리 가스(Ga)가 캐리어 가스(Fb)로 치환된다. 캐리어 가스(Fb)는 통상, 질소 가스 등의 불활성 가스이며, 적어도 공기와 혼합된 상태에서는 인체에 있어서 실질적으로 무해한 가스이다. 따라서, 표면 처리 장치(31)의 가동 정지시(유지 보수 공정(S2)시), 처리 가스 생성 장치(16)의 내부가 처리 가스(Ga)에 계속해서 노출되는 것에 의한 열화를 방지하여 처리 가스 생성 장치(16)를 장기간에 걸쳐 사용할 수 있다. 또한, 처리 가스 생성 장치(16)의 내부의 처리 가스(Ga)를 캐리어 가스(Fb)로 치환함으로써, 처리 가스(Ga)를 처리 가스 생성 장치(16)의 내부로부터 완전히 배제할 수 있다. 상술한 바와 같이 캐리어 가스(Fb)는 처리 가스(Ga)에 비해서 현격하게 안전한 가스이기 때문에, 처리 가스 생성 장치(16)의 교환이 필요하게 된 경우이여도, 안전하게 처리 가스 생성 장치(16)를 급기로(17)로부터 떼어내는 것이 가능하게 된다.At this time, as shown in FIG. 12 , generation of the process gas Ga by the process gas generator 16 is stopped and a raw material such as carbon tetrafluorocarbon gas used as a raw material of the process gas Ga The supply of the gas Fa (refer to FIG. 1 ) to the processing gas generator 16 is stopped, and the supply of the carrier gas Fb contained in the processing gas Ga to the processing gas generator 16 is continued. do Accordingly, the carrier gas Fb is exhausted through the inside of the processing gas generating device 16 , a region upstream of the second on-off valve 24 of the supply passage 17 , and the processing gas branch passage 21 . introduced into the furnace (19). Accordingly, the processing gas Ga existing in the processing gas generating device 16 until just before is replaced with the carrier gas Fb. The carrier gas Fb is usually an inert gas such as nitrogen gas, and is a gas substantially harmless to the human body at least in a mixed state with air. Therefore, when the surface treatment apparatus 31 is stopped (at the time of the maintenance process S2), deterioration due to the continuous exposure of the inside of the processing gas generating apparatus 16 to the processing gas Ga is prevented, and the processing gas The generating device 16 can be used over an extended period of time. In addition, by replacing the processing gas Ga in the processing gas generator 16 with the carrier gas Fb, the processing gas Ga can be completely excluded from the inside of the processing gas generator 16 . As described above, since the carrier gas Fb is a significantly safer gas than the processing gas Ga, the processing gas generator 16 can be safely installed even when the processing gas generator 16 needs to be replaced. It becomes possible to remove from the air supply path 17.

또한, 이상의 설명에서는 무해 가스 도입로(20) 상에 제 1 개폐 밸브(23)를 배치하고, 급기로(17) 상에 제 1 개폐 밸브(23)와는 별개로 제 2 개폐 밸브(24)를 배치한 경우를 예시했지만 특별히 이 형태로는 한정되지 않는다. 무해 가스 도입로(20)와 급기로(17)의 합류 위치(P1)보다 급기로(17)의 하류측에 무해 가스(Gb)와 처리 가스(Ga) 중 어느 한쪽을 도입 가능하게 하는 한에 있어서 다른 형태를 취하는 것도 가능하다.In addition, in the above description, the first on-off valve 23 is disposed on the harmless gas introduction passage 20 , and the second on-off valve 24 is disposed on the supply passage 17 separately from the first on-off valve 23 . Although the case of arrangement was illustrated, it is not specifically limited to this form. As long as it is possible to introduce either one of the harmless gas Gb and the processing gas Ga downstream of the supply path 17 from the merging position P1 of the harmless gas introduction path 20 and the supply path 17 . It is also possible to take other forms.

≪본 발명의 제 5 실시형태≫«Fifth embodiment of the present invention»

도 13은 그 일례(본 발명의 제 5 실시형태)에 의한 유리 기판 제조 장치(40)를 나타내고 있다. 이 제조 장치(40)는 도 1에 나타내는 제 1 개폐 밸브(23) 및 제 2 개폐 밸브(24) 대신에 무해 가스 도입로(20)와 급기로(17)의 합류 위치(P1)에 유로의 스위칭을 행하는 3방향 밸브(41)를 배치해서 이루어진다. 이 3방향 밸브(41)는 급기로(17) 중 합류 위치(P1)의 상류측으로부터 도입되어 온 처리 가스(Ga)가 합류 위치(P1)를 통과해서 급기로(17)의 하류측을 향하는 흐름과, 무해 가스 도입로(20)로부터 도입되어 온 무해 가스(Gb)가 합류 위치(P1)를 통과해서 급기로(17)의 하류측을 향하는 흐름으로 택일적으로 스위칭 가능하게 되어 있다. 그 때문에, 처리 가스(Ga)와 무해 가스(Gb)를 함께 공급하고 있을 경우이여도, 급기로(17)의 합류 위치(P1)보다 하류측에는 항상 처리 가스(Ga)와 무해 가스(Gb) 중 어느 한쪽만이 도입되어 다른쪽의 도입은 방지되도록 되어 있다.13 : has shown the glass substrate manufacturing apparatus 40 by the example (5th Embodiment of this invention). In this manufacturing apparatus 40, instead of the first on-off valve 23 and the second on-off valve 24 shown in FIG. This is achieved by arranging a three-way valve 41 for switching. This three-way valve 41 is configured to allow the process gas Ga introduced from the upstream side of the merging position P1 of the supply passage 17 to pass through the merging position P1 toward the downstream side of the supply passage 17 . The flow and the non-hazardous gas Gb introduced from the harmless gas introduction path 20 can be switched alternately to a flow toward the downstream side of the supply path 17 through the merging position P1. Therefore, even when the process gas Ga and the harmless gas Gb are both supplied, there is always one of the process gas Ga and the harmless gas Gb on the downstream side of the merging position P1 of the air supply passage 17 . Only one is introduced and the other is prevented from being introduced.

이 구성에 의하면, 상술한 바와 같이, 급기로(17)의 합류 위치(P1)보다 하류측에는 반드시 처리 가스(Ga)와 무해 가스(Gb) 중 어느 한쪽만이 도입되므로, 2종류의 가스(Ga,Gb) 중 불필요한 가스가 혼입되는 사태를 확실히 방지하여 제조 장치(40)의 신뢰성을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 된다.According to this configuration, as described above, only one of the processing gas (Ga) and the harmless gas (Gb) is always introduced into the downstream side of the merging position P1 of the supply passage 17, so that the two types of gas (Ga) , Gb), it is possible to reliably prevent a situation in which unnecessary gas is mixed, thereby further improving the reliability of the manufacturing apparatus 40 .

또한, 이상의 설명에서는 급기로(17) 상에 제 2 개폐 밸브(24)를 배치하고, 처리 가스 분기로(21) 상에 제 3 개폐 밸브(25)를 제 2 개폐 밸브(24)와는 별개로 배치한 경우를 예시했지만, 특별히 이 형태로는 한정되지 않는다. 처리 가스(Ga)를 처리 가스 분기로(21)와, 급기로(17)의 처리 가스 분기로(21)가 분기되는 위치보다도 하류측 중 어느 한쪽에 도입 가능하게 하는 한에 있어서 다른 형태를 취하는 것도 가능하다.In addition, in the above description, the second on-off valve 24 is disposed on the supply passage 17 , and the third on-off valve 25 is installed on the processing gas branch passage 21 separately from the second on-off valve 24 . Although the case of arrangement was illustrated, it is not specifically limited to this form. It takes a different form insofar as it is possible to introduce the processing gas Ga into either one of the processing gas branch passage 21 and the processing gas branch passage 21 of the supply passage 17 on the downstream side of the branching position. It is also possible

≪본 발명의 제 6 실시형태≫«Sixth embodiment of the present invention»

도 14는 그 일례(본 발명의 제 6 실시형태)에 의한 유리 기판 제조 장치(50)를 나타내고 있다. 이 제조 장치(50)는 도 1에 나타내는 제 2 개폐 밸브(24)와 제 3 개폐 밸브(25) 대신에 급기로(17)로부터의 처리 가스 분기로(21)의 분기 위치(P3)에 유로의 스위칭을 행하는 3방향 밸브(51)를 배치해서 이루어진다. 이 3방향 밸브(51)는 급기로(17) 중 분기 위치(P3)의 상류측으로부터 도입되어 온 처리 가스(Ga)가 분기 위치(P3)를 통과해서 그대로 급기로(17)의 하류측을 향하는 흐름과, 상기 처리 가스(Ga)가 분기 위치(P3)를 경유해서 처리 가스 분기로(21)를 향하는 흐름으로 택일적으로 스위칭 가능하게 되어 있다. 그 때문에, 처리 가스 생성 장치(16)로부터 처리 가스(Ga)가 공급되고 있을 경우, 항상 급기로(17)의 분기 위치(P3)보다 하류측과 처리 가스 분기로(21) 중 어느 한쪽에만 처리 가스(Ga)가 도입되어 다른쪽으로의 도입은 방지되도록 되어 있다. 상술한 이유로부터, 처리 가스(Ga)를 계속해서 생성, 공급할 경우(제 1~제 3 실시형태의 경우), 처리 가스(Ga)는 항상 급기로(17)와 처리 가스 분기로(21) 중 어느 한쪽에만 도입하면 충분하기 때문이다. 따라서, 분기 위치(P3)에 3방향 밸브(51)를 설치하여, 표면 처리 공정(S1)시에는 급기로(17)측을 개방하고, 유지 보수 공정(S2)시에는 처리 가스 분기로(21)측을 개방하도록 3방향 밸브(51)를 조작함으로써, 설비 비용을 억제하면서 안전하게 유지 보수를 행하는 것이 가능하게 된다.14 : has shown the glass substrate manufacturing apparatus 50 by the example (6th Embodiment of this invention). The manufacturing apparatus 50 has a flow path at the branch position P3 of the processing gas branch passage 21 from the supply passage 17 instead of the second on-off valve 24 and the third on-off valve 25 shown in FIG. 1 . This is achieved by arranging a three-way valve 51 for switching. The three-way valve 51 allows the process gas Ga introduced from the upstream side of the branching position P3 of the supply passage 17 to pass through the branching position P3 and directly to the downstream side of the supply passage 17 . It is possible to alternatively switch between the flow toward the processing gas and the flow of the processing gas Ga toward the processing gas branch path 21 via the branching position P3. Therefore, when the processing gas Ga is being supplied from the processing gas generating device 16 , processing is always performed only on the downstream side of the branching position P3 of the supply passage 17 and the processing gas branch passage 21 . The gas Ga is introduced so that the introduction to the other side is prevented. For the above reasons, when the process gas Ga is continuously generated and supplied (in the case of the first to third embodiments), the process gas Ga is always supplied between the supply path 17 and the process gas branch path 21 . Because it is enough to introduce only one side. Accordingly, the three-way valve 51 is installed at the branching position P3 to open the supply passage 17 side during the surface treatment step S1, and the processing gas branch passage 21 for the maintenance step S2. ) By operating the three-way valve 51 so as to open the side, it becomes possible to perform maintenance safely while holding down the equipment cost.

또한, 이상의 설명에서는 띠형상 판유리로부터 잘라낸 유리 기판(P)의 한쪽의 주표면(Pa)에 대해서 소정의 표면 처리를 실시할 경우를 설명했지만, 물론 띠형상 판유리 중 어느 한쪽의 주표면에 본 발명을 적용하는 것도 가능하다. 즉, 도면에 나타내는 것은 생략하지만, 띠형상으로 성형해서 폭방향으로 절단한 후, 그 길이 방향 일단 또는 양단을 권취한 유리 필름의 표리 한쪽의 면에만 표면 처리를 실시하는 경우에도 상술한 구성에 의한 표면 처리를 바람직하게 실시하는 것이 가능하다. 또한, 상술한 여러가지의 판유리에 대해서, 한쪽의 주표면(Pa)에만 한정하지 않고 다른쪽의 주표면(도 1에서 말하면 상측의 주표면(Pb))에도 표면 처리를 실시할 때에 본 발명을 적용하는 것도 가능하다.In addition, in the above description, although the case where predetermined surface treatment was performed with respect to one main surface Pa of the glass substrate P cut out from the strip|belt-shaped plate glass was demonstrated, of course, this invention on any one main surface of the strip|belt-shaped plate glass It is also possible to apply That is, although not shown in the drawings, after forming in a strip shape and cutting in the width direction, even when surface treatment is performed only on one side of the front and back sides of the glass film wound at one end or both ends in the longitudinal direction, the above-described configuration It is possible to preferably perform a surface treatment. In addition, with respect to the various plate glass mentioned above, this invention is applied when surface-treating not only to one main surface Pa, but to the other main surface (in Fig. 1, the upper main surface Pb) is also applied. It is also possible to

Claims (12)

유리 기판이 되는 판형상 유리의 표면에 처리 가스를 공급하여 소정의 표면 처리를 실시하기 위한 표면 처리 장치를 구비한 유리 기판의 제조 장치로서,
상기 표면 처리 장치는, 상기 처리 가스의 원료와 캐리어 가스의 도입에 의해 상기 처리 가스를 생성하는 처리 가스 생성 장치와, 상기 처리 가스를 상기 표면에 공급하는 급기로와, 상기 처리 가스에 제해 처리를 실시하는 제해 장치와, 상기 표면에 공급된 상기 처리 가스를 상기 제해 장치에 도입하는 배기로를 구비하고,
상기 급기로에 상기 캐리어 가스와는 다른 종류의 가스인 무해 가스를 도입 가능하게 하는 무해 가스 도입로가, 상기 급기로 중 상기 무해 가스 도입로의 합류 위치에서 상기 급기로에 합류하고 있는 유리 기판의 제조 장치.An apparatus for manufacturing a glass substrate provided with a surface treatment apparatus for performing predetermined surface treatment by supplying a processing gas to the surface of plate-shaped glass used as a glass substrate,
The surface treatment apparatus may include a processing gas generator for generating the processing gas by introducing a raw material of the processing gas and a carrier gas, a supply passage for supplying the processing gas to the surface, and a removal treatment for the processing gas. an exhaust path for introducing the process gas supplied to the surface into the removal device;
A harmless gas introduction path that enables introduction of a harmless gas, which is a gas of a different type from the carrier gas, into the supply path is joined to the supply path at a merging position of the harmless gas introduction path among the supply paths. manufacturing device. 제 1 항에 있어서,
상기 무해 가스 도입로를 개폐 가능한 제 1 개폐 밸브와, 상기 합류 위치보다도 상기 급기로의 상류측에서 상기 급기로를 개폐 가능한 제 2 개폐 밸브를 더 구비한 유리 기판의 제조 장치.The method of claim 1,
The manufacturing apparatus of the glass substrate further equipped with the 1st on-off valve which can open and close the said harmless gas introduction path, and the 2nd on-off valve which can open and close the said air supply passage from the upstream side of the said supply air rather than the said merging position. 제 1 항에 있어서,
상기 합류 위치에 설치되어, 상기 급기로 중 상기 합류 위치의 상류측으로부터 하류측을 향하는 상기 처리 가스의 흐름과, 상기 무해 가스 도입로로부터 상기 합류 위치의 하류측을 향하는 상기 무해 가스의 흐름을 스위칭 가능한 3방향 밸브를 더 구비한 유리 기판의 제조 장치.The method of claim 1,
It is installed at the merging position and switches the flow of the process gas from the upstream side to the downstream side of the merging position in the supply passage and the flow of the harmless gas from the harmless gas introduction path toward the downstream side of the merging position. The manufacturing apparatus of the glass substrate further provided with a possible three-way valve. 제 1 항에 있어서,
상기 합류 위치보다도 상기 급기로의 상류측에서 분기되어 상기 배기로에 상기 처리 가스를 도입 가능하게 하는 처리 가스 분기로를 더 구비한 유리 기판의 제조 장치.The method of claim 1,
The apparatus for manufacturing a glass substrate further comprising: a processing gas branch passage branching from an upstream side of the air supply passage from the merging position to enable the introduction of the processing gas into the exhaust passage. 제 4 항에 있어서,
상기 처리 가스 분기로를 개폐하는 제 3 개폐 밸브를 더 구비한 유리 기판의 제조 장치.5. The method of claim 4,
The manufacturing apparatus of the glass substrate further provided with the 3rd opening/closing valve which opens and closes the said process gas branch path. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 처리 가스 분기로가 상기 배기로에 합류하는 위치보다도 상기 배기로의 상류측에 배치되어 상기 배기로의 개폐를 행하는 제 4 개폐 밸브를 더 구비한 유리 기판의 제조 장치.6. The method according to claim 4 or 5,
and a fourth on-off valve disposed on an upstream side of the exhaust passage from a position where the processing gas branch passage joins the exhaust passage to open and close the exhaust passage. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 무해 가스는 클린 드라이 에어인 유리 기판의 제조 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The manufacturing apparatus of the glass substrate whose said harmless gas is clean dry air. 유리 기판이 되는 판형상 유리의 표면에 처리 가스를 공급하여 소정의 표면 처리를 실시하는 표면 처리 공정과, 표면 처리 공정을 정지하고 있는 동안에 상기 표면 처리를 실시하기 위한 장치의 유지 보수를 행하는 유지 보수 공정을 구비한 유리 기판의 제조 방법으로서,
처리 가스 생성 장치는, 상기 처리 가스 생성 장치에 도입된 상기 처리 가스의 원료와 캐리어 가스로부터 상기 처리 가스를 생성하고,
상기 표면 처리 공정에 있어서, 상기 처리 가스 생성 장치에서 생성한 상기 처리 가스를 급기로를 통해서 상기 표면에 공급함과 아울러, 상기 표면에 공급된 상기 처리 가스를 배기로를 통해서 제해 장치에 도입해서 상기 처리 가스에 제해 처리를 실시하고,
상기 유지 보수 공정에 있어서 상기 급기로를 폐쇄함과 아울러 상기 급기로를 폐쇄한 위치보다도 상기 급기로의 하류측에 상기 캐리어 가스와는 다른 종류의 가스인 무해 가스를 도입함으로써 상기 급기로를 지나가는 상기 처리 가스를 상기 무해 가스로 치환하는 유리 기판의 제조 방법.A surface treatment step of supplying a treatment gas to the surface of the plate-shaped glass serving as a glass substrate to perform a predetermined surface treatment, and maintenance of an apparatus for performing the surface treatment while the surface treatment step is stopped As a manufacturing method of a glass substrate provided with a process,
the processing gas generator generates the processing gas from a raw material of the processing gas and a carrier gas introduced into the processing gas generator;
In the surface treatment step, the treatment gas generated by the treatment gas generating device is supplied to the surface through an air supply passage, and the treatment gas supplied to the surface is introduced into the removal device through an exhaust passage for the treatment. The gas is detoxified and
In the maintenance step, the air supply passage is closed and a harmless gas, which is a gas of a different type from the carrier gas, is introduced downstream of the air supply passage from a position where the air supply passage is closed, thereby passing the air supply passage. The manufacturing method of the glass substrate which replaces a process gas with the said harmless gas. 제 8 항에 있어서,
상기 유지 보수 공정에 있어서 상기 급기로를 폐쇄한 위치보다도 상기 급기로의 상류측에서 상기 급기로로부터 분기되어 상기 배기로에 상기 처리 가스를 도입 가능하게 한 유리 기판의 제조 방법.9. The method of claim 8,
The manufacturing method of the glass substrate which branched from the said air supply path on the upstream side of the said air supply path rather than the position where the said air supply path was closed in the said maintenance process, and made it possible to introduce the said process gas into the said exhaust path. 제 9 항에 있어서,
상기 유지 보수 공정에 있어서 상기 급기로를 지나가는 상기 처리 가스를 상기 무해 가스로 치환한 후, 상기 급기로로의 상기 무해 가스의 도입을 정지함과 아울러, 상기 급기로로부터 분기되어 상기 처리 가스를 상기 배기로에 도입한 위치보다도 상기 배기로의 상류측에서 상기 배기로를 폐쇄하는 유리 기판의 제조 방법.10. The method of claim 9,
In the maintenance step, after replacing the process gas passing through the air supply passage with the harmless gas, the introduction of the harmless gas into the supply passage is stopped and branching from the supply passage to exhaust the process gas The manufacturing method of the glass substrate which closes the said exhaust passage on the upstream side of the said exhaust passage rather than the position introduce|transduced into the furnace. 제 10 항에 있어서,
상기 급기로를 개방하여 상기 급기로에 상기 처리 가스를 도입함과 아울러 상기 급기로로부터 분기된 유로를 폐쇄하고 또한 상기 배기로를 개방함으로써 상기 무해 가스를 상기 처리 가스로 치환하는 표면 처리의 재개 준비 공정을 더 구비한 유리 기판의 제조 방법.11. The method of claim 10,
Preparation of resumption of surface treatment to replace the harmless gas with the treatment gas by opening the air supply passage to introduce the process gas into the air supply passage, closing the flow passage branched from the supply passage, and opening the exhaust passage The manufacturing method of the glass substrate further provided with a process. 제 9 항에 있어서,
상기 유지 보수 공정에 있어서 상기 처리 가스 생성 장치에 의한 상기 처리 가스의 생성을 정지함과 아울러,
상기 처리 가스의 원료가 되는 가스의 상기 처리 가스 생성 장치로의 공급을 정지하고, 상기 처리 가스에 포함되는 캐리어 가스의 상기 처리 가스 생성 장치로의 공급을 계속해서 행하는 유리 기판의 제조 방법.10. The method of claim 9,
In the maintenance process, the generation of the processing gas by the processing gas generator is stopped, and
The manufacturing method of the glass substrate which stops supply of the gas used as the raw material of the said process gas to the said process gas generator, and continues supplying the carrier gas contained in the said process gas to the said process gas generator.
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