JP2004158517A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板あるいは半導体製造装置用マスク基板等の基板に対して処理液を供給することにより基板を処理する基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、基板の表面に付着したフォトレジストを処理液としての剥離液により剥離する基板処理装置においては、摂氏80度程度まで加熱した剥離液を基板にスプレー状に噴出することによりフォトレジストの剥離を実行している。このため、基板を処理するチャンバー内には、スプレーに起因する剥離液のミストや高温処理に起因する剥離液の蒸気が充満している。ここで、剥離液は引火性を有する危険物であることから、剥離液のミストや蒸気が装置の外部に漏洩すると大変危険となる。このため、このような基板処理装置においては、チャンバー内の雰囲気を排気する排気機構を使用して、チャンバー内に存在する剥離液のミストや蒸気が外部に漏洩することを防止している。
【0003】
このような基板処理装置においては、スプレー状に噴出された剥離液のミストや蒸気が、排気機構によりチャンバー内の雰囲気とともにチャンバー外に排出されることから、きわめて高価な剥離液の消費量が増加するという問題がある。このため、従来、このような基板処理装置においては、チャンバーからの排気量を制御することにより、剥離液の消費量を低減するようにしている(例えば、特許文献1および特許文献2参照)。
【0004】
【特許文献1】
特開平11−290793号公報
【特許文献2】
特開平11−307499号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、チャンバーからの排気量を制御することのみでは、剥離液等の処理液の消費量を十分に低減することは不可能である。近年の基板の大型化に伴い、基板の処理に必要とされる処理液の量は増加する方向にあり、その消費量の低減が要請されている。
【0006】
この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、処理液の消費量を有効に低減することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、基板に対して処理液を供給することにより基板を処理する基板処理装置において、基板を搬入または搬出するための開口部を有するチャンバーと、前記チャンバー内の雰囲気を排気する排気機構と、処理液を貯留する処理液貯留槽と、前記チャンバー内において基板に向けて処理液を吐出する処理液吐出部と、前記処理液貯留槽と前記処理液吐出部とを連結する処理液供給路と、前記処理液貯留槽に貯留された処理液を前記処理液吐出部に供給するための前記処理液供給路中に配設されたポンプと、前記チャンバーと前記処理液貯留槽とを連結する処理液回収路と、基板を処理していないときは、前記処理液吐出部に供給される処理液の供給量を基板の処理中より減少させる流量調整手段とを備えたことを特徴とする。
【0008】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、基板を処理していないときは、前記排気機構によるチャンバー内の雰囲気の排気量を基板の処理中より増加させている。
【0009】
請求項3に記載の発明は、請求項2に記載の発明において、基板の処理中においては前記チャンバーの開口部を閉鎖するシャッターを備えている。
【0010】
請求項4に記載の発明は、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の発明において、前記流量調整手段は、前記ポンプに連結されたインバータを制御することにより、基板を処理していないときは、前記処理液吐出部に供給される処理液の供給量を基板の処理中より減少させている。
【0011】
請求項5に記載の発明は、請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の発明において、前記処理液貯留部から前記ポンプを介して前記処理液貯留部に戻る循環路をさらに備え、前記流量調整手段はこの処理液循環路を循環する処理液の流量を制御することにより、基板を処理していないときは、前記処理液吐出部に供給される処理液の供給量を基板の処理中より減少させている。
【0012】
請求項6に記載の発明は、請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の発明において、前記処理液吐出部は基板に対して処理液をスプレー状に噴出する複数のノズルである。
【0013】
請求項7に記載の発明は、請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の発明において、前記処理液は基板に付着するフォトレジストを剥離するための剥離液である。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図1はこの発明の第1実施形態に係る基板処理装置の側面概要図である。
【0015】
この基板処理装置は、矩形状の液晶表示パネル用ガラス基板(以下「基板」という)11を処理するためのチャンバー13と、基板11を搬送する多数の搬送ローラ12と、この搬送ローラ12により搬送される基板11に処理液としての剥離液を供給する処理液供給機構14と、チャンバー13内の雰囲気を排気する排気機構15と、装置全体を制御する制御部16とを備える。
【0016】
チャンバー13は、基板11を搬入するための搬入口21と、基板11を搬出するための搬出口22とを備える。搬入口21と対向する位置には、シャッター23が配設されている。このシャッター23は、エアシリンダ24の駆動により、搬入口21を開放する解放位置と、搬入口22を閉鎖する閉鎖位置との間を移動する。また、搬出口22と対向する位置には、シャッター25が配設されている。このシャッター25は、エアシリンダ26の駆動により、搬出口23を開放する解放位置と、搬出口23を閉鎖する閉鎖位置との間を移動する。なお、エアシリンダ24、26は制御部16と電気的に連結されており、その駆動は制御部16により制御される。
【0017】
多数の搬送ローラ12は、矩形状の基板11を、その下面両端部を支持した状態で図1における左方向から右方向に搬送する構成となっている。このとき、多数の搬送ローラ12は、基板11の主面が水平方向に対し交差するように、基板11を若干傾斜させた状態で支持して搬送する。但し、基板11の主面を、水平方向を向けた状態で搬送するようにしてもよい。
【0018】
処理液処理機構14は、剥離液を貯留する処理液貯留槽31と、チャンバー13内において基板11に向けて剥離液をスプレー状に吐出する処理液供給ノズル32と、処理液貯留槽31と処理液供給ノズル32とを連結する処理液供給路33と、処理液貯留槽31に貯留された剥離液を処理液供給ノズル32に供給するためのポンプ34と、処理液供給路33中に配設されたフィルター35と、チャンバー13の底部と処理液貯留槽31とを連結する処理液回収路36と、ポンプ34による剥離液の送液量(すなわち、処理液供給ノズル32に供給される剥離液の供給量)を制御するためのインバータ39とを備える。このインバータ39は制御部16と電気的に連結されており、その駆動は制御部16により制御される。
【0019】
排気機構15は、チャンバー13の上部に連結された排気ダクト41と、この排気ダクトの端部に連結された排気ファン42と、排気ダクト41中に配設された排気ダンパー43とを備える。排気ダンパー43としては、その排気量を調整可能なシーケンシャルダンパーが使用される。この排気ダンパー43は、制御部16と電気的に連結されており、その駆動は制御部16により制御される。
【0020】
次に、上述した基板処理装置による基板11の処理動作について説明する。図2および図3は、上述した基板処理装置による基板の処理動作を示すフローチャートである。なお、以下の動作は、制御部16の制御により実行される。
【0021】
この基板処理装置による基板11の処理を開始する際には、最初に、排気ファン42を駆動してチャンバー13内の雰囲気を排気する。このときには、排気ダンパー43の作用により、排気量を大きくとる(ステップS1)。また、これと並行して、ポンプ34の駆動により処理液供給ノズル32から処理液を吐出する。このときには、インバータ39の制御により、処理液供給ノズル32に供給される剥離液の量は少量となっている(ステップS2)。このため、処理液供給ノズル32から吐出される剥離液の量も少量となり、チャンバー13内の雰囲気中に存在する剥離液のミストや蒸気の量も少量となることから、排気ダクト41から外部に持ち出される剥離液の量も少量となる。
【0022】
搬送ローラ12により搬送された最初の基板11が搬入口21に接近すれば、エアシリンダ24の駆動によりシャッター23を解放位置に移動させ、搬入口21を開放する(ステップS3)。そして、搬送ローラ12の駆動により基板11をチャンバー13内に搬入する(ステップS4)。
【0023】
基板11がチャンバー13内に搬入されれば、エアシリンダ24の駆動によりシャッター23を閉鎖位置に移動させ、搬入口21を閉鎖する。そして、排気ダンパー43の制御により排気量を小さくする(ステップS6)。また、インバータ39の制御により、処理液供給ノズル32に供給される剥離液の量を基板11の処理に必要な通常の量とする(ステップS7)。
【0024】
この状態で基板11の処理を実行する。基板11の処理中においては、搬送ローラ12の駆動によりチャンバー13内で図1に示す左右方向に往復移動する基板11に対し、処理液供給ノズル32から剥離液をスプレー状に供給する。この状態においては、搬入口21および搬出口22が閉鎖されており、また、排気量が少量となっていることから、排気ダクト41から外部に持ち出される剥離液の量も少量となる。
【0025】
基板11の処理に必要な時間が経過して基板11が適正に処理されれば、エアシリンダ26の駆動によりシャッター25を解放位置に移動させ、搬出口22を開放する(ステップS9)。そして、排気ダンパー43の制御により排気量を大きくする(ステップS10)。また、インバータ39の制御により、処理液供給ノズル32に供給される剥離液の量を少量とする(ステップS11)。この状態で、搬送ローラ12の駆動によりチャンバー13内から基板11を搬出する(S12)。
【0026】
このときには、処理液供給ノズル32に供給される剥離液の量は少量となっていることから、処理液供給ノズル32から吐出される剥離液の量も少量となる。このため、チャンバー13内の雰囲気中に存在する剥離液のミストや蒸気の量も少量となり、排気量を大きくした場合にも、排気ダクト41から外部に持ち出される剥離液の量は少量となる。
【0027】
基板11の搬出が完了すれば、エアシリンダ26の駆動によりシャッター25を閉鎖位置に移動させ、搬出口22を閉鎖する(ステップS13)。そして、基板11の処理が完了したか否かを判断する(ステップS14)。次に処理すべき基板11が存在する場合には、ステップS3に戻って基板11の処理を継続する。一方、基板11の処理が終了した場合には、作業を完了する。
【0028】
上述した第1実施形態に係る基板処理装置においては、基板11の処理状態に応じて、処理液供給ノズル32に供給される剥離液の量とチャンバー13内からの排気量の両方を制御することから、排気ダクト41から外部にミストや蒸気となって持ち出される剥離液の量を最小にすることが可能となる。このとき、剥離液の供給量の調整時にポンプ34をオン・オフ制御するのではなく、インバータ39を利用して剥離液の供給量を制御する構成であることから、ポンプ34に負担を与えることがなく、ポンプの寿命をより長くすることが可能となる。
【0029】
次に、この発明の他の実施形態について説明する。図4は、この発明の第2実施形態に係る基板処理装置の側面概要図である。なお、上述した第1実施形態と同一の部材については、同一の符号を付して説明を省略する。
【0030】
上述した第1実施形態においては、処理液供給ノズル32に供給する剥離液の供給量を調整するための流量調整手段として、インバータ39を使用している。これに対してこの第2実施形態に係る基板処理装置においては、このインバータ39を省略し、処理液供給路33から分岐して処理液貯留槽31に至る剥離液の循環路37を配設するとともに、この循環路37中に制御部16によりその開閉動作を制御される電磁開閉弁38を配設することにより、処理液供給ノズル32に供給する剥離液の供給量を調整している。
【0031】
この第2実施形態に係る基板処理装置においては、上述した第1実施形態に係る基板処理装置と同様、図2および図3に示すフローチャートに基づいて基板11が処理される。
【0032】
このとき、ステップS2およびステップS11のように、剥離液を少量だけ処理液供給ノズル32に供給するときには、電磁開閉弁38が開放される。これにより、ポンプ34により圧送された剥離液の一部のみが処理液供給ノズル32に供給され、剥離液の残りの大部分は剥離液の循環路37を介して処理液貯留槽31に回収される。一方、ステップS7のように、通常の量の剥離液を処理液供給ノズル32に供給するときには、電磁開閉弁38が閉止される。これにより、ポンプ34により圧送された剥離液の全てが処理液供給ノズル32に供給される。
【0033】
なお、電磁開閉弁38の代わりに流量調整弁等を使用し、剥離液の循環路37中を循環する剥離液の量を調整することにより、処理液供給ノズル32に供給される剥離液の供給量を任意に調整するようにしてもよい。
【0034】
この第2実施形態に係る基板処理装置においても、基板11の処理状態に応じて、処理液供給ノズル32に供給される剥離液の量とチャンバー13内からの排気量の両方を制御することから、排気ダクト41から外部にミストや蒸気となって持ち出される剥離液の量を最小にすることが可能となる。このとき、剥離液の供給量の調整時にポンプ34をオン・オフ制御するのではなく、循環路37と電磁開閉弁38とを利用して剥離液の供給量を制御する構成であることから、ポンプ34に負担を与えることがなく、ポンプの寿命をより長くすることが可能となる。
【0035】
なお、上述した実施形態においては、いずれも、1枚ずつチャンバー13内に搬送した基板11に剥離液を供給しながらこの基板11をチャンバー13内で往復移動させることにより、基板11を1枚ずつ処理する基板処理装置にこの発明を適用した場合について説明したが、複数の基板11を連続して一方向に搬送しながら、これらの基板11に剥離液を供給して複数の基板11を連続して処理する基板処理装置にこの発明を適用するようにしてもよい。この場合には、搬入口21および搬出口22を開放または閉鎖するシャッター23、25を省略するようにしてもよい。
【0036】
また、上述した実施形態においては、いずれも、基板11に剥離液を供給してこの基板11を処理する基板処理装置にこの発明を適用した場合について説明したが、この発明は剥離液以外の処理液を利用して基板を処理する基板処理装置に適用することも可能である。
【0037】
【発明の効果】
請求項1に記載の発明によれば、基板を処理していないときは処理液吐出部に供給される処理液の供給量を基板の処理中より減少させる流量調整手段と備えたことから、処理液の消費量を有効に低減することが可能となる。
【0038】
請求項2に記載の発明によれば、基板を処理していないときはチャンバー内の雰囲気の排気量を基板の処理中より増加させることから、処理液の拡散を防止しながら処理液の消費量を有効に低減することが可能となる。
【0039】
請求項3に記載の発明によれば、基板の処理中においてはチャンバーの開口部を閉鎖するシャッターを備えることから、チャンバー内の雰囲気の排気量が小さい場合にも処理液を拡散を防止することが可能となる。
【0040】
請求項4に記載の発明によれば、ポンプに連結されたインバータを制御することにより処理液吐出部に供給される処理液の供給量を減少させることから、ポンプ34に負担を与えることなく処理液の供給量を変更することが可能となる。
【0041】
請求項5に記載の発明によれば、処理液循環路を循環する処理液の流量を制御することにより処理液吐出部に供給される処理液の供給量を減少させることから、ポンプ34に負担を与えることなく処理液の供給量を変更することが可能となる。
【0042】
請求項6に記載の発明によれば、複数のノズルから基板に対してスプレー状に噴出された処理液から発生する処理液のミストの外部への排出量を減少させることが可能となる。
【0043】
請求項7に記載の発明によれば、その危険性から排気による回収が必要な剥離液のミストや蒸気の回収量を減少させることにより、高価な剥離液の消費量を有効に減少させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1実施形態に係る基板処理装置の側面概要図である。
【図2】基板処理装置による基板の処理動作を示すフローチャートである。
【図3】基板処理装置による基板の処理動作を示すフローチャートである。
【図4】この発明の第2実施形態に係る基板処理装置の側面概要図である。
【符号の説明】
11 基板
12 搬送ローラ
13 チャンバー
14 処理液供給機構
15 排気機構
16 制御部
21 搬入口
22 搬出口
23 シャッター
24 エアシリンダ
25 シャッター
26 エアシリンダ
31 処理液貯留槽
32 処理液供給ノズル
33 処理液供給路
34 ポンプ
35 フィルター
36 処理液回収路
37 循環路
38 電磁開閉弁
39 インバータ
41 排気ダクト
42 排気ファン
43 排気ダンパー[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid to a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display panel, or a mask substrate for a semiconductor manufacturing apparatus.
[0002]
[Prior art]
For example, in a substrate processing apparatus that removes a photoresist adhering to the surface of a substrate using a remover as a treatment liquid, the photoresist is removed by spraying a remover heated to about 80 degrees Celsius onto the substrate in a spray form. Running. Therefore, the chamber for processing the substrate is filled with the mist of the stripping solution due to the spray and the vapor of the stripping solution due to the high temperature processing. Here, since the stripping liquid is a flammable dangerous substance, it is very dangerous if mist or vapor of the stripping liquid leaks out of the apparatus. For this reason, in such a substrate processing apparatus, the mist or vapor of the stripping solution present in the chamber is prevented from leaking to the outside by using an exhaust mechanism for exhausting the atmosphere in the chamber.
[0003]
In such a substrate processing apparatus, the consumption of the extremely expensive stripping liquid increases because the mist and vapor of the stripping liquid ejected in a spray form are discharged to the outside of the chamber together with the atmosphere in the chamber by the exhaust mechanism. There is a problem of doing. Therefore, conventionally, in such a substrate processing apparatus, the exhaust amount from the chamber is controlled to reduce the consumption of the stripping solution (for example, see
[0004]
[Patent Document 1]
JP-A-11-290793 [Patent Document 2]
JP-A-11-307499
[Problems to be solved by the invention]
However, it is not possible to sufficiently reduce the consumption of the processing liquid such as the stripping liquid only by controlling the exhaust amount from the chamber. With the recent increase in the size of substrates, the amount of processing liquid required for processing substrates has been increasing, and a reduction in the consumption thereof has been demanded.
[0006]
The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide a substrate processing apparatus capable of effectively reducing the consumption of a processing liquid.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
An invention according to
[0008]
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, when the substrate is not being processed, the amount of exhaust of the atmosphere in the chamber by the exhaust mechanism is increased from that during the processing of the substrate.
[0009]
According to a third aspect of the present invention, in the second aspect of the present invention, a shutter for closing an opening of the chamber is provided during processing of the substrate.
[0010]
According to a fourth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the flow rate adjusting means does not process the substrate by controlling an inverter connected to the pump. In some cases, the supply amount of the processing liquid supplied to the processing liquid discharge unit is smaller than that during the processing of the substrate.
[0011]
The invention according to
[0012]
According to a sixth aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the processing liquid discharging unit is a plurality of nozzles for spraying the processing liquid onto the substrate in a spray shape.
[0013]
According to a seventh aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, the processing liquid is a stripping liquid for stripping a photoresist adhered to the substrate.
[0014]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic side view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
[0015]
The substrate processing apparatus includes a
[0016]
The
[0017]
A large number of
[0018]
The processing
[0019]
The
[0020]
Next, the processing operation of the substrate 11 by the above-described substrate processing apparatus will be described. FIGS. 2 and 3 are flowcharts showing the substrate processing operation by the substrate processing apparatus described above. The following operation is executed under the control of the
[0021]
When the processing of the substrate 11 by the substrate processing apparatus is started, first, the
[0022]
When the first substrate 11 conveyed by the
[0023]
When the substrate 11 is carried into the
[0024]
In this state, processing of the substrate 11 is performed. During the processing of the substrate 11, the stripping liquid is supplied in a spray form from the processing
[0025]
When the time required for processing the substrate 11 has elapsed and the substrate 11 has been properly processed, the
[0026]
At this time, since the amount of the stripping liquid supplied to the processing
[0027]
When the unloading of the substrate 11 is completed, the
[0028]
In the substrate processing apparatus according to the first embodiment, both the amount of the stripping liquid supplied to the processing
[0029]
Next, another embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 is a schematic side view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. Note that the same members as those in the above-described first embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
[0030]
In the first embodiment described above, the
[0031]
In the substrate processing apparatus according to the second embodiment, the substrate 11 is processed based on the flowcharts shown in FIGS. 2 and 3, similarly to the substrate processing apparatus according to the above-described first embodiment.
[0032]
At this time, when a small amount of the stripping liquid is supplied to the processing
[0033]
By using a flow control valve or the like instead of the electromagnetic on-off
[0034]
Also in the substrate processing apparatus according to the second embodiment, both the amount of the stripping liquid supplied to the processing
[0035]
In each of the above-described embodiments, the substrate 11 is reciprocated in the
[0036]
In each of the above-described embodiments, the case where the present invention is applied to the substrate processing apparatus for processing the substrate 11 by supplying the release liquid to the substrate 11 has been described. The present invention is also applicable to a substrate processing apparatus that processes a substrate using a liquid.
[0037]
【The invention's effect】
According to the first aspect of the present invention, since the apparatus is provided with the flow rate adjusting means for reducing the supply amount of the processing liquid supplied to the processing liquid discharge unit when the substrate is not being processed, during processing of the substrate, The liquid consumption can be effectively reduced.
[0038]
According to the second aspect of the invention, when the substrate is not being processed, the exhaust amount of the atmosphere in the chamber is increased from that during the processing of the substrate. Can be effectively reduced.
[0039]
According to the third aspect of the invention, since the shutter for closing the opening of the chamber is provided during the processing of the substrate, the diffusion of the processing liquid is prevented even when the exhaust amount of the atmosphere in the chamber is small. Becomes possible.
[0040]
According to the fourth aspect of the present invention, since the supply amount of the processing liquid supplied to the processing liquid discharge unit is reduced by controlling the inverter connected to the pump, the processing can be performed without imposing a load on the pump. The supply amount of the liquid can be changed.
[0041]
According to the fifth aspect of the present invention, the flow rate of the processing liquid circulating in the processing liquid circulation path is controlled to reduce the supply amount of the processing liquid supplied to the processing liquid discharge unit. It is possible to change the supply amount of the processing solution without giving the
[0042]
According to the sixth aspect of the present invention, it is possible to reduce the discharge amount of the processing liquid mist generated from the processing liquid ejected from the plurality of nozzles to the substrate in a spray form to the outside.
[0043]
According to the seventh aspect of the present invention, it is possible to effectively reduce the consumption of the expensive stripping solution by reducing the amount of the mist and vapor of the stripping solution that needs to be recovered by exhaust because of the danger. It becomes possible.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic side view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a flowchart illustrating a substrate processing operation performed by the substrate processing apparatus.
FIG. 3 is a flowchart illustrating a substrate processing operation performed by the substrate processing apparatus.
FIG. 4 is a schematic side view of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
REFERENCE SIGNS LIST 11
Claims (7)
基板を搬入または搬出するための開口部を有するチャンバーと、
前記チャンバー内の雰囲気を排気する排気機構と、
処理液を貯留する処理液貯留槽と、
前記チャンバー内において基板に向けて処理液を吐出する処理液吐出部と、
前記処理液貯留槽と前記処理液吐出部とを連結する処理液供給路と、
前記処理液貯留槽に貯留された処理液を前記処理液吐出部に供給するための前記処理液供給路中に配設されたポンプと、
前記チャンバーと前記処理液貯留槽とを連結する処理液回収路と、
基板を処理していないときは、前記処理液吐出部に供給される処理液の供給量を基板の処理中より減少させる流量調整手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。In a substrate processing apparatus that processes a substrate by supplying a processing liquid to the substrate,
A chamber having an opening for loading or unloading the substrate,
An exhaust mechanism for exhausting the atmosphere in the chamber,
A processing liquid storage tank for storing the processing liquid,
A processing liquid discharging unit that discharges a processing liquid toward the substrate in the chamber,
A processing liquid supply path connecting the processing liquid storage tank and the processing liquid discharge unit,
A pump disposed in the processing liquid supply path for supplying the processing liquid stored in the processing liquid storage tank to the processing liquid discharge unit,
A processing liquid recovery path connecting the chamber and the processing liquid storage tank,
When the substrate is not being processed, a flow rate adjusting unit that reduces the supply amount of the processing liquid supplied to the processing liquid discharge unit from that during the processing of the substrate,
A substrate processing apparatus comprising:
基板を処理していないときは、前記排気機構によるチャンバー内の雰囲気の排気量を基板の処理中より増加させる基板処理措置。The substrate processing apparatus according to claim 1,
A substrate processing measure for increasing the exhaust amount of the atmosphere in the chamber by the exhaust mechanism during the processing of the substrate when the substrate is not being processed.
基板の処理中においては前記チャンバーの開口部を閉鎖するシャッターを備えた基板処理装置。The substrate processing apparatus according to claim 2,
A substrate processing apparatus having a shutter for closing an opening of the chamber during processing of the substrate.
前記流量調整手段は、前記ポンプに連結されたインバータを制御することにより、基板を処理していないときは、前記処理液吐出部に供給される処理液の供給量を基板の処理中より減少させる基板処理装置。The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The flow rate adjusting unit controls an inverter connected to the pump to reduce a supply amount of the processing liquid supplied to the processing liquid discharge unit from that during processing of the substrate when the substrate is not being processed. Substrate processing equipment.
前記処理液貯留部から前記ポンプを介して前記処理液貯留部に戻る循環路をさらに備え、前記流量調整手段はこの処理液循環路を循環する処理液の流量を制御することにより、基板を処理していないときは、前記処理液吐出部に供給される処理液の供給量を基板の処理中より減少させる基板処理装置。The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3,
The apparatus further includes a circulation path returning from the processing liquid storage section to the processing liquid storage section via the pump, wherein the flow rate adjusting section controls the flow rate of the processing liquid circulating through the processing liquid circulation path to process the substrate. A substrate processing apparatus configured to reduce the supply amount of the processing liquid supplied to the processing liquid discharge unit when the processing liquid is not being processed.
前記処理液吐出部は基板に対して処理液をスプレー状に噴出する複数のノズルである基板処理装置。The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5,
The substrate processing apparatus, wherein the processing liquid discharge unit is a plurality of nozzles for spraying the processing liquid onto the substrate in a spray shape.
前記処理液は基板に付着するフォトレジストを剥離するための剥離液である基板処理装置。The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5,
A substrate processing apparatus, wherein the processing liquid is a stripping liquid for stripping a photoresist adhered to a substrate.
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