KR20190098997A - Manufacturing apparatus and manufacturing method of glass substrate - Google Patents

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카즈히로 오노
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니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명에 의한 유리 기판의 제조 장치(10)는 유리 기판이 되는 판형상 유리의 한쪽의 주표면에 처리 가스(Ga)를 공급하여 소정의 표면 처리를 실시하기 위한 표면 처리 장치(11)를 구비한다. 표면 처리 장치(11)는 처리 가스 생성 장치(16)와, 처리 가스(Ga)를 판형상 유리의 한쪽의 주표면에 공급하는 급기로(17)와, 처리 가스(Ga)에 제해 처리를 실시하는 제해 장치(18)와, 한쪽의 주표면에 공급된 처리 가스(Ga)를 제해 장치(18)에 도입하는 배기로(19)와, 급기로(17)에 무해 가스(Gb)를 도입하는 무해 가스 도입로(20)를 구비한다. 무해 가스 도입로(20)와 급기로(17)의 합류 위치(P1)보다 급기로(17)의 하류측에는 무해 가스(Gb)와 처리 가스(Ga) 중 어느 한쪽이 도입 가능하게 되어 있다.The manufacturing apparatus 10 of the glass substrate by this invention is provided with the surface treatment apparatus 11 for supplying processing gas (Ga) to one main surface of plate-shaped glass used as a glass substrate, and performing predetermined surface treatment. do. The surface treatment apparatus 11 decontaminates the process gas generator 16, the air supply 17 which supplies process gas Ga to one main surface of plate-shaped glass, and the process gas Ga. To the decontamination apparatus 18, the exhaust path 19 which introduces the processing gas Ga supplied to one main surface to the decontamination apparatus 18, and the harmless gas Gb to the air supply 17. A harmless gas introduction passage 20 is provided. Any one of the harmless gas Gb and the processing gas Ga can be introduced to the downstream side of the air supply passage 17 from the joining position P1 of the harmless gas introduction passage 20 and the air supply passage 17.

Description

유리 기판의 제조 장치 및 제조 방법Manufacturing apparatus and manufacturing method of glass substrate

본 발명은 유리 기판의 제조 장치 및 제조 방법에 관한 것으로서, 특히, 유리 기판이 되는 판형상 유리의 표면에 대해서 처리 가스에 의한 표면 처리를 실시하기 위한 기술에 관한 것이다.TECHNICAL FIELD This invention relates to the manufacturing apparatus and manufacturing method of a glass substrate. Specifically, It is related with the technique for performing surface treatment by a processing gas with respect to the surface of plate-shaped glass used as a glass substrate.

이미 알고 있는 바와 같이, 최근의 화상 표시 장치에 대해서는 액정 디스플레이(LCD), 플라즈마 디스플레이(PDP), 전계 방출 디스플레이(FED), 유기 EL 디스플레이(OLED) 등으로 대표되는 플랫 패널 디스플레이(이하, 단지 FPD라고 한다.)가 주류로 되어 있다. 이들 FPD에 대해서는 경량화가 추진되어 있기 때문에 FPD에 사용되는 유리 기판에 대해서도 박판화에 대한 요구가 높아지고 있다.As is already known, for a recent image display device, a flat panel display represented by a liquid crystal display (LCD), a plasma display (PDP), a field emission display (FED), an organic EL display (OLED), or the like (hereinafter, simply FPD) Is mainstream. Since weight reduction is promoted about these FPDs, the demand for thinning also increases for the glass substrate used for FPD.

상술한 유리 기판은 예컨대 각종 다운드로우법으로 대표되는 판형상 유리의 성형 방법에 의해 띠형상으로 성형한 판형상 유리(띠형상 판유리)를 소정의 치수로 절단하고, 절단한 판형상 유리의 폭방향(띠형상 판유리의 주표면에 평행하고, 또한 길이 방향에 직교하는 방향을 말한다. 이하 동일하다.) 양단 부분을 더 절단한 후, 필요에 따라 각 절단면에 연마 가공을 실시하는 등에 의해 얻어진다.The glass substrate mentioned above cut | disconnected plate-shaped glass (strip-shaped plate glass) shape | molded in strip shape by the shaping | molding method of plate-shaped glass represented by various downdraw methods, for example to the width direction of the cut plate-shaped glass. (The direction parallel to the main surface of the strip-shaped plate glass and orthogonal to the longitudinal direction is referred to. The same applies hereinafter.) After further cutting both end portions, it is obtained by subjecting each cut surface to polishing if necessary.

그런데, 이러한 종류의 유리 기판을 제조함에 있어서는 그 제조 과정에 있어서의 정전기의 대전이 문제로 되는 일이 있다. 즉, 절연체인 유리는 매우 대전되기 쉬운 성질을 갖고 있어 유리 기판의 제조 공정에 있어서 예컨대 적재대에 유리 기판을 적재하여 소정의 가공을 실시할 때, 유리 기판과 적재대의 접촉 박리에 의해 유리 기판이 대전되는 일이 있다(이것을 박리 대전이라고 부르는 일이 있다.). 대전된 유리 기판에 도전성의 물체가 근접하면 방전이 생기고, 이 방전에 의해 유리 기판의 주표면 상에 형성된 각종 소자나 전자 회로를 구성하는 전극선의 파손, 또는 유리 기판 자체의 파손을 초래할 우려가 있다(이들을 절연 파괴 또는 정전 파괴라고 부르는 일이 있다.). 또한, 대전된 유리 기판은 적재대에 붙기 쉽고, 이것을 무리하게 떼어내는 것에 의해 유리 기판의 파손을 초래할 우려도 있다. 이들은 당연히 표시 불량의 원인이 되기 때문에 최대한 회피해야 할 사상이다.By the way, in manufacturing this kind of glass substrate, the electrostatic charge in the manufacturing process may become a problem. That is, the glass which is an insulator has the property of being very easy to charge, and when a glass substrate is mounted to a mounting table in the manufacturing process of a glass substrate, for example, and predetermined | prescribed processing is carried out, a glass substrate is contacted by the contact peeling of a glass substrate and a mounting table. It may be charged (this may be called peeling charging). When a conductive object comes close to the charged glass substrate, discharge may occur, which may cause breakage of the electrode lines constituting various elements or electronic circuits formed on the main surface of the glass substrate, or damage of the glass substrate itself. (These are called dielectric breakdown or electrostatic breakdown.) Moreover, the charged glass substrate is easy to stick to a mounting table, and there is a possibility of breaking a glass substrate by forcibly removing this. These are the ideas that should be avoided as much as possible, because they naturally cause display defects.

상기 사상을 회피하기 위한 수단으로서, 예컨대 유리 기판의 이면(적재대의 적재면과 접촉하는 측의 주표면)에 소정의 처리 가스를 공급해서 이면에 표면 처리를 행함으로써 이면을 조면화하는 방법이 고려된다. 유리 기판과 적재대의 접촉 면적이 클수록 박리했을 때의 대전량이 증대되는 경향이 있으므로, 적재대의 적재면과 접촉하는 유리 기판의 이면을 조면화함으로써 유리 기판과 적재대의 접촉 면적을 감소시켜서 박리시의 대전 억제를 도모할 수 있게 되는 것이 기대된다. 또한, 유리 기판의 이면이 평활할수록 적재면과 같은 평활면에 붙기 쉬운 점을 감안하여, 상술한 바와 같이, 유리 기판의 이면을 조면화해서 예컨대 상기 이면의 표면 거칠기를 적재면의 표면 거칠기보다 크게 함으로써 유리 기판을 적재면에 붙기 어렵게 할 수 있다. 이에 따라, 박리시의 유리 기판의 파손 방지가 가능하게 되는 것이 기대된다.As a means for avoiding the above thought, for example, a method of roughening the back surface by supplying a predetermined processing gas to the back surface of the glass substrate (the main surface of the side in contact with the loading surface of the loading table) and performing surface treatment on the back surface is considered. do. The larger the contact area of the glass substrate and the mounting table is, the more the charge amount when peeling tends to increase, so that the back surface of the glass substrate in contact with the loading surface of the mounting table is roughened, thereby reducing the contact area of the glass substrate and the mounting table, thereby charging. It is expected that the suppression can be achieved. In addition, in view of the fact that the smoother the back surface of the glass substrate is, the easier it is to stick to the same smooth surface as the mounting surface. As described above, the back surface of the glass substrate is roughened so that the surface roughness of the back surface is larger than the surface roughness of the mounting surface, for example. By doing so, the glass substrate can be made difficult to adhere to the mounting surface. Thereby, it is expected that breakage prevention of the glass substrate at the time of peeling becomes possible.

여기서, 상기와 같은 표면 처리를 가능하게 하는 구성으로서, 예컨대 하기 특허문헌 1에는 유리 기판을 적재한 상태에서 소정의 방향으로 반송하는 반송 수단과, 불화 수소 가스를 포함하는 처리 가스를 반송 경로 상의 유리 기판의 이면을 향해서 공급하고, 또한 공급한 처리 가스를 배기계로 배출하는 인젝터를 구비한 표면 처리 장치가 기재되어 있다. 여기서, 인젝터에는 불화 수소 가스원과 접속되는 제 1 슬릿이 유리 기판의 반송방향 소정 위치에 설치됨과 아울러, 캐리어 가스원과 접속되는 제 2 슬릿이 제 1 슬릿의 상기 반송방향 양측의 소정 위치에 설치되어 있다. 또한, 배기계와 접속되는 제 3 슬릿이 제 2 슬릿의 상기 반송방향 양측의 소정 위치에 또한 설치되어 있다.Here, as a structure which enables the above-mentioned surface treatment, For example, following patent document 1, the conveyance means which conveys to a predetermined direction in the state which mounted the glass substrate, and the processing gas containing hydrogen fluoride gas are carried on the glass of a conveyance path | route. The surface treatment apparatus provided with the injector which supplies toward the back surface of a board | substrate, and discharges the supplied process gas to an exhaust system is described. Here, the injector is provided with a first slit connected to a hydrogen fluoride gas source at a predetermined position in the conveying direction of the glass substrate, and a second slit connected to a carrier gas source is provided at predetermined positions on both sides of the conveying direction of the first slit. It is. Further, a third slit connected to the exhaust system is further provided at predetermined positions on both sides of the conveying direction of the second slit.

일본 특허 공개 2014-80331호 공보Japanese Patent Publication No. 2014-80331

이러한 종류의 표면 처리 장치가 가동하고 있는 동안에는, 특허문헌 1에 기재된 바와 같이, 불화 수소 가스원에서 생성한 불화 수소 가스를 제 1 슬릿(말하자면 급기구)을 통해서 연속적으로 유리 기판에 공급하고, 공급한 불화 수소 가스를 제 1 슬릿의 주위에 배치한 제 3 슬릿(말하자면 배기구)을 통해서 배기계를 향해 배출하는 불화 수소 가스의 흐름(급기계 및 배기계)이 형성된다. 그런데, 어떠한 사정으로 표면 처리 장치를 정지해서 유지 보수를 행하는 경우에는 표면 처리 장치의 분해에 앞서서, 우선 인체에 있어서 유해한 불화 수소 가스를 상기 급기계 및 배기계로부터 배제할 필요가 생긴다.While this kind of surface treatment apparatus is operating, as described in Patent Literature 1, the hydrogen fluoride gas generated from the hydrogen fluoride gas source is continuously supplied to the glass substrate through the first slit (that is, the air supply port) and supplied. A flow (hydrogen supply and exhaust system) of hydrogen fluoride gas is discharged through the third slit (that is, the exhaust port) disposed around the first slit toward the exhaust system. By the way, in the case of performing maintenance by stopping the surface treatment apparatus for some reason, it is necessary to first remove the hydrogen fluoride gas harmful to the human body from the air supply and the exhaust system before disassembling the surface treatment apparatus.

그러나, 특허문헌 1에 기재된 바와 같이, 불화 수소 가스원과 제 1 슬릿이 소정의 급기계를 통해서 접속된 구조를 가지는 경우, 가령 불화 수소 가스원에 의한 불화 수소 가스원의 생성 및 공급을 정지하였더라도 상기 급기계에는 불화 수소 가스가 잔존하고 있다. 그 때문에, 이 급기계에 잔존하고 있는 불화 수소 가스가 완전히 배출될 때까지 엄청난 시간이 필요하게 되어 유지 보수를 위한 대기 시간이 증대된다. 이래서는 생산성의 대폭적인 저하를 초래할 우려가 있었다.However, as described in Patent Literature 1, in the case where the hydrogen fluoride gas source and the first slit are connected through a predetermined air supply, even if generation and supply of the hydrogen fluoride gas source by the hydrogen fluoride gas source are stopped, Hydrogen fluoride gas remains in the air supply. Therefore, a huge amount of time is required until the hydrogen fluoride gas remaining in the air supply machine is completely discharged, and the waiting time for maintenance is increased. This may cause a significant drop in productivity.

이상의 사정을 감안하여, 본 발명에서는 처리 가스를 이용하여 판형상 유리로의 표면 처리를 행하는 표면 처리 장치의 유지 보수를 안전하고 또한 단시간에 실시 가능하게 하는 것을 해결해야 할 기술적 과제로 한다.In view of the above circumstances, it is a technical problem to solve in this invention that the maintenance of the surface treatment apparatus which performs surface treatment to plate-shaped glass using process gas can be performed safely and in a short time.

상기 과제의 해결은 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 장치에 의해 달성된다. 즉, 이 제조 장치는 유리 기판이 되는 판형상 유리의 한쪽의 주표면에 처리 가스를 공급하여 소정의 표면 처리를 실시하기 위한 표면 처리 장치를 구비한 것으로서, 표면 처리 장치는 처리 가스를 생성하는 처리 가스 생성 장치와, 처리 가스를 한쪽의 주표면에 공급하는 급기로와, 처리 가스에 제해(除害) 처리를 실시하는 제해 장치와, 한쪽의 주표면에 공급된 처리 가스를 제해 장치에 도입하는 배기로를 구비하고, 급기로에 무해 가스를 도입 가능하게 하는 무해 가스 도입로가 급기로에 합류하는 점으로 특징지어진다. 또한, 여기서 말하는 「무해 가스」란 대략 인체에 대해서 유해하다고 일반적으로 인식되어 있는 종류의 가스(대기오염법 등에서 규정되어 있는 유해 물질을 포함하는 가스, 유해 가스)를 제외한 가스로서, 직접적으로 또는 대기와 혼합된 상태로 인체에 접촉하거나 또는 흡입되더라도 실질적으로 무해하다고 인정되는 것을 가리킨다.Solution of the said subject is achieved by the manufacturing apparatus of the glass substrate by this invention. That is, this manufacturing apparatus is equipped with the surface treatment apparatus for supplying a processing gas to one main surface of plate-shaped glass used as a glass substrate, and performing a predetermined surface treatment, The surface treatment apparatus is a process which produces | generates a processing gas. A gas generating device, an air supply for supplying a processing gas to one main surface, a decontamination apparatus for decontaminating the processing gas, and a processing gas supplied to one main surface are introduced into the decontamination apparatus. A harmless gas introduction path having an exhaust path and allowing harmless gas to be introduced into the air supply path is characterized by joining the air supply path. In addition, the term "harmless gas" as used herein is a gas excluding gas of a kind generally known to be harmful to the human body (gas containing harmful substances prescribed by the Air Pollution Act, harmful gas), or directly or in the atmosphere. Refers to what is considered to be practically harmless even if it comes into contact with or inhales in humans when mixed with.

이와 같이, 본 발명에서는 급기로에 무해 가스를 도입하는 무해 가스 도입로를 급기로에 합류시킴으로써 무해 가스 도입로와 급기로의 합류 위치보다도 급기로의 하류측에 무해 가스와 처리 가스 중 어느 한쪽을 도입 가능하게 하였다. 이 구성에 의하면, 급기로에 무해 가스만을 도입할 수 있으므로, 적어도 급기로에 잔존하고 있는 처리 가스를 무해 가스로 치환할 수 있다. 따라서, 작업자가 안전하게 표면 처리 장치를 분해해서 유지 보수를 행할 수 있다. 또한, 급기로에 무해 가스 도입로가 합류하는 형태를 취함으로써 처리 가스 생성 장치를 통과하는 일 없이 급기로에 무해 가스를 도입할 수 있다. 처리 가스 생성 장치와 같은 정밀기기를 통과시키는 경우, 무해 가스의 유량 등이 제한될 우려가 있지만, 처리 가스 생성 장치를 통과하는 일 없이 무해 가스를 도입하는 것이라면, 그 도입 조건(무해 가스의 유량, 압력, 온도 등)을 비교적 자유롭게 설정할 수 있다. 따라서, 예컨대 유량을 넉넉하게 설정함으로써 무해 가스에 의한 처리 가스의 치환을 단시간에 행할 수 있게 된다.As described above, in the present invention, the harmless gas introduction path that introduces the harmless gas into the air supply line is joined to the air supply line so that any one of the harmless gas and the processing gas is disposed on the downstream side of the air supply line rather than the merging position of the harmless gas introduction path and the air supply line. Introduction was possible. According to this structure, since only a harmless gas can be introduce | transduced into an air supply line, the process gas which remain | survives in an air supply line can be replaced by a harmless gas at least. Therefore, the operator can safely disassemble and perform maintenance on the surface treatment apparatus. Moreover, by taking the form where a harmless gas introduction path joins an air supply line, a harmless gas can be introduce | transduced into an air supply line without passing through a process gas generating apparatus. In the case of passing a precision device such as a process gas generating device, there is a possibility that the flow rate of harmless gas or the like may be limited. However, if the harmless gas is introduced without passing through the processing gas generating device, the conditions for introducing the gas (the flow rate of the harmless gas, Pressure, temperature, etc.) can be set relatively freely. Therefore, for example, by setting a sufficient flow rate, the processing gas can be replaced with a harmless gas in a short time.

또한, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 장치는 무해 가스 도입로를 개폐할 수 있는 제 1 개폐 밸브와, 합류 위치보다도 급기로의 상류측에서 급기로를 개폐할 수 있는 제 2 개폐 밸브를 더 구비한 것이여도 좋다. 또는 합류 위치에 설치되어 급기로 중 합류 위치의 상류측으로부터 하류측을 향하는 처리 가스의 흐름과, 무해 가스 도입로로부터 합류 위치의 하류측을 향하는 무해 가스의 흐름을 스위칭할 수 있는 3방향 밸브를 더 구비한 것이여도 좋다.Moreover, the manufacturing apparatus of the glass substrate by this invention is further equipped with the 1st open / close valve which can open and close a harmless gas introduction path, and the 2nd open / close valve which can open and close an air supply line upstream to the air supply rather than a joining position. It may be one. Or a three-way valve which is provided at the confluence position and can switch the flow of the processing gas from the upstream side to the downstream side of the confluence position and the flow of the harmless gas from the harmless gas introduction passage toward the downstream side of the confluence position. It may be further provided.

이와 같이 제 1 개폐 밸브와 제 2 개폐 밸브를 설치하도록 하면, 간이하게 합류 위치보다도 급기로의 하류측에 무해 가스와 처리 가스 중 어느 한쪽을 도입할 수 있다. 또한, 합류 위치에 상기 3방향 밸브를 설치하도록 하면, 보다 간이하게 합류 위치보다도 급기로의 하류측에 무해 가스 또는 처리 가스를 도입할 수 있다.In this way, when the first on-off valve and the second on-off valve are provided, one of the harmless gas and the processing gas can be introduced to the downstream side of the air supply more easily than the joined position. If the three-way valve is provided at the confluence position, it is possible to introduce a harmless gas or a processing gas to the downstream side of the air supply more easily than the confluence position.

또한, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 장치는 합류 위치보다도 급기로의 상류측에서 분기되어 배기로에 처리 가스를 도입하는 처리 가스 분기로를 더 구비한 것이여도 좋다. 또한, 예컨대 급기로에 제 2 개폐 밸브를 구비할 경우, 처리 가스 분기로를 개폐하는 제 3 개폐 밸브를 더 구비한 것이여도 좋다.Moreover, the manufacturing apparatus of the glass substrate which concerns on this invention may further be provided with the process gas branching path which branches in the upstream to the air supply rather than the confluence | positioning position, and introduces a process gas into an exhaust path. For example, when providing a 2nd open / close valve in an air supply line, what may further be provided with the 3rd open / close valve which opens and closes a process gas branch path.

상술한 바와 같이, 처리 가스 분기로를 설치하여 처리 가스 분기로에 처리 가스를 도입할 수 있게 함으로써(제 2 개폐 밸브를 구비할 경우, 추가로 상술한 제 3 개폐 밸브를 구비함으로써), 처리 가스를 무해 가스로 치환하는 동안, 처리 가스 생성 장치에서 생성한 처리 가스를 처리 가스 분기로를 통해서 배기로에 계속해서 보낼 수 있다. 따라서, 치환 처리의 동안, 처리 가스 생성 장치의 내부, 또는 급기로 중 처리 가스 생성 장치와 합류 위치 사이에 처리 가스가 가둬지는 것에 의한 문제의 발생을 회피해서 안전하게 치환 작업을 행할 수 있게 된다.As described above, by providing the processing gas branching path so that the processing gas can be introduced into the processing gas branching path (when the second opening / closing valve is provided, by additionally providing the above-mentioned third opening / closing valve), the processing gas While replacing with harmless gas, the processing gas generated by the processing gas generating device can be continuously sent to the exhaust passage through the processing gas branch passage. Therefore, during the substitution process, it is possible to safely perform the replacement operation by avoiding the occurrence of a problem caused by the process gas being trapped inside the processing gas generating device or between the processing gas generating device and the confluence position in the air supply.

또한, 제 3 개폐 밸브를 구비하는 경우, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 장치는 처리 가스 분기로가 배기로에 합류하는 위치보다도 배기로의 상류측에 배치되어 배기로의 개폐를 행하는 제 4 개폐 밸브를 더 구비한 것이여도 좋다.In addition, in the case of including the third opening / closing valve, the glass substrate manufacturing apparatus according to the present invention is arranged on the upstream side of the exhaust passage rather than the position at which the processing gas branching line joins the exhaust passage, and opens and closes the exhaust passage. A valve may be further provided.

이와 같이, 처리 가스 분기로가 배기로에 합류하는 위치보다도 배기로의 상류측에 개폐 밸브(제 4 개폐 밸브)를 설치함으로써, 급기로 중 제 2 개폐 밸브보다 하류측의 영역과 판형상 유리의 처리 공간(처리 가스에 노출되는 공간)이 처리 가스의 유로(처리 가스 분기로 및 배기로 중 제 4 개폐 밸브보다 하류측의 영역)와 완전히 분리된 상태로 할 수 있다. 따라서, 예컨대 제 4 개폐 밸브를 개방한 상태에서 무해 가스에 의한 처리 가스의 치환을 행하고, 상술한 급기로와 판형상 유리의 처리 공간이 완전히 무해 가스로 가득 채워진 상태가 된 시점에서 제 4 개폐 밸브를 폐쇄함으로써, 처리 가스 생성 장치를 정지시키는 일 없이 처리 가스 분기로와 배기로의 일부 하류측을 제외하고 표면 처리 장치를 안전하게 분해해서 유지 보수를 행하는 것이 가능하게 된다.In this way, by providing the on-off valve (fourth on-off valve) upstream of the exhaust path rather than the position where the processing gas branching path joins the exhaust path, the region on the downstream side of the air supply and the plate-shaped glass The processing space (the space exposed to the processing gas) can be completely separated from the flow path of the processing gas (the area downstream from the fourth opening / closing valve in the processing gas branch passage and the exhaust passage). Thus, for example, the fourth on-off valve is replaced when the fourth gas valve is opened, and the process gas is replaced by a harmless gas, and the above-described air supply and the processing space of the plate glass are completely filled with harmless gas. By closing C, it is possible to safely disassemble and perform maintenance on the surface treatment apparatus except for a portion downstream of the treatment gas branch passage and the exhaust passage without stopping the treatment gas generating apparatus.

또한, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 장치는 무해 가스가 클린 드라이 에어(clean dry air)이여도 좋다.In addition, in the manufacturing apparatus of the glass substrate which concerns on this invention, a harmless gas may be clean dry air.

무해 가스로서는 인체에 실질적으로 무해한 가스이면 임의의 가스를 사용할 수 있지만, 판형상 유리에 대한 영향, 비용면 등을 종합적으로 고려했을 경우, 클린 드라이 에어가 바람직하다.As a harmless gas, any gas can be used as long as it is substantially harmless to a human body, but clean dry air is preferable when comprehensively considering the influence, cost, etc. on plate-shaped glass.

또한, 상기 과제의 해결은 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 방법에 의해서도 달성된다. 즉, 이 제조 방법은 유리 기판이 되는 판형상 유리의 표면에 처리 가스를 공급하여 소정의 표면 처리를 실시하는 표면 처리 공정과, 표면 처리 공정을 정지하고 있는 동안에 표면 처리를 실시하기 위한 장치의 유지 보수를 행하는 유지 보수 공정을 구비한 방법으로서, 표면 처리 공정에 있어서 처리 가스 생성 장치에서 생성한 처리 가스를 급기로를 통해서 표면에 공급함과 아울러, 표면에 공급된 처리 가스를 배기로를 통해 제해 장치에 도입해서 처리 가스에 제해 처리를 실시하고, 유지 보수 공정에 있어서 급기로를 폐쇄함과 아울러 급기로를 폐쇄한 위치보다도 급기로의 하류측에서 급기로에 무해 가스를 도입함으로써 급기로를 통과하는 처리 가스를 무해 가스로 치환하는 점으로 특징지어진다.Moreover, the solution of the said subject is also achieved by the manufacturing method of the glass substrate by this invention. That is, this manufacturing method is a surface treatment process which supplies a process gas to the surface of the plate-shaped glass used as a glass substrate, and performs a predetermined surface treatment, and hold | maintains the apparatus for surface treatment while stopping a surface treatment process. A method comprising a maintenance step of performing a repair, wherein a surface of a processing gas generated by a processing gas generating device is supplied to a surface through an air supply, and the processing gas supplied to the surface is removed through an exhaust path. Is introduced to the processing gas, the processing gas is closed, and the air supply is passed through the air supply by introducing a harmless gas into the air supply from the downstream side of the air supply rather than closing the air supply in the maintenance process. Characterized by the fact that the processing gas is replaced with a harmless gas.

이와 같이, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 방법에서는 유지 보수 공정에 있어서 급기로를 폐쇄함과 아울러 급기로를 폐쇄한 위치보다도 급기로의 하류측에서 급기로에 무해 가스를 도입함으로써 급기로를 통과하는 처리 가스를 무해 가스로 치환하도록 했으므로, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 장치와 같이 급기로에 무해 가스만을 도입할 수 있다. 이것에 의해 적어도 급기로에 잔존하고 있는 처리 가스를 무해 가스로 치환할 수 있으므로, 작업자가 안전하게 표면 처리 장치를 분해하는 것이 가능하게 된다. 또한, 급기로를 폐쇄한 위치보다도 급기로의 하류측에 무해 가스를 도입함으로써 처리 가스 생성 장치를 통과하는 일 없이 급기로에 무해 가스를 도입할 수 있다. 그 때문에, 무해 가스의 급기로로의 도입 조건(무해 가스의 유량, 압력, 온도 등)을 비교적 자유롭게 설정할 수 있고, 예컨대 유량을 넉넉하게 설정함으로써 무해 가스에 의한 처리 가스의 치환을 단시간에 행하는 것이 가능하게 된다.Thus, in the manufacturing method of the glass substrate which concerns on this invention, in a maintenance process, while closing an air supply line, it introduces a harmless gas to an air supply line from the downstream side of the air supply line rather than the position which closed the air supply line, and passes through an air supply line. Since the processing gas to be replaced with a harmless gas, only a harmless gas can be introduced into the air supply as in the apparatus for producing a glass substrate according to the present invention. As a result, since at least the process gas remaining in the air supply air can be replaced with a harmless gas, the operator can safely disassemble the surface treatment apparatus. In addition, by introducing a harmless gas to the downstream side of the air supply line from the position where the air supply line is closed, the gas can be introduced into the air supply line without passing through the processing gas generating device. Therefore, the conditions for introducing the harmless gas into the air supply (flow rate, pressure, temperature, etc. of the harmless gas) can be set relatively freely, and for example, by setting a sufficient flow rate, the process gas can be replaced by the harmless gas in a short time. Done.

또한, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 방법은 유지 보수 공정에 있어서 급기로를 폐쇄한 위치보다도 급기로의 상류측에서 급기로로부터 분기되어 배기로에 처리 가스를 도입 가능하게 한 것이여도 좋다.Moreover, the manufacturing method of the glass substrate by this invention may be what made it possible to introduce a process gas to the exhaust path branched from the supply line upstream rather than the position which closed the supply line in a maintenance process.

이와 같이, 급기로를 폐쇄한 위치보다도 급기로의 상류측에서 급기로로부터 분기되어 배기로에 처리 가스를 도입 가능하게 함으로써, 급기로를 폐쇄한 상태에 있어서도, 처리 가스를 무해 가스로 치환하는 동안, 처리 가스 생성 장치에서 생성한 처리 가스를 배기로에 계속해서 보낼 수 있다. 따라서, 치환 처리의 동안, 처리 가스 생성 장치의 내부, 또는 급기로 중 처리 가스 생성 장치와 급기로를 폐쇄한 위치까지의 사이에 처리 가스가 가둬지는 것에 의한 문제의 발생을 회피하여 안전하게 치환 작업을 행할 수 있게 된다.In this way, by allowing the processing gas to be introduced into the exhaust passage on the upstream side of the air supply rather than the position where the air supply is closed, the process gas is replaced with a harmless gas even in a state where the air supply is closed. The processing gas generated by the processing gas generating device can be continuously sent to the exhaust passage. Therefore, during the replacement process, the replacement operation can be safely performed by avoiding the problem of the process gas being trapped inside the processing gas generating device or between the processing gas generating device and the air supply to the position where the air supply is closed. It becomes possible to do it.

또한, 이 경우, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 방법은 유지 보수 공정에 있어서 급기로를 지나가는 처리 가스를 무해 가스로 치환한 후, 급기로로의 무해 가스의 도입을 정지함과 아울러, 급기로로부터 분기되어 처리 가스를 배기로에 도입한 위치보다도 배기로의 상류측에서 배기로를 폐쇄하는 것이여도 좋다.In this case, the method for manufacturing a glass substrate according to the present invention, after replacing the processing gas passing through the air supply with a harmless gas in the maintenance process, stops the introduction of the harmless gas into the air supply, The exhaust passage may be closed on the upstream side of the exhaust passage rather than the branched and introduced process gas into the exhaust passage.

이와 같이, 각 유로의 개폐 동작을 행함으로써, 급기로 중 급기로를 폐쇄한 위치보다도 하류측의 영역과 판형상 유리의 처리 공간(처리 가스에 노출되는 공간)이 처리 가스의 유로(급기로로부터의 처리 가스의 분기로 및 배기로 중 배기로를 폐쇄한 위치보다도 하류측의 영역)와 완전히 분리된 상태로 할 수 있다. 따라서, 예컨대 배기로를 개방한 상태에서 무해 가스에 의한 처리 가스의 치환을 행하고, 상술한 급기로와 판형상 유리의 처리 공간이 완전히 무해 가스로 가득 채워진 상태가 된 시점에서 배기로를 폐쇄함으로써, 처리 가스의 생성 및 공급을 일단 정지시키는 일 없이 처리 가스의 상기 유로를 제외하고 표면 처리 장치를 안전하게 분해해서 유지 보수를 행하는 것이 가능하게 된다.Thus, by performing the opening / closing operation | movement of each flow path, the process area | region (space exposed to process gas) of the downstream area | region and plate-shaped glass rather than the position which closed the middle air supply path to the air supply path (from the air supply path) Can be in a state completely separated from the branched path of the processing gas and the region downstream of the exhaust path of the exhaust gas. Thus, for example, by replacing the processing gas with a harmless gas in the state where the exhaust passage is opened, closing the exhaust passage at the time when the air supply and the processing space of the plate glass are completely filled with harmless gas. It is possible to safely disassemble and perform maintenance on the surface treatment apparatus except for the flow path of the treatment gas without stopping the generation and supply of the treatment gas once.

또한, 이 경우, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 방법은 급기로를 개방하여 급기로에 처리 가스를 도입함과 아울러 급기로로부터 분기된 유로를 폐쇄하고 또한 배기로를 개방함으로써 무해 가스를 처리 가스로 치환하는 표면 처리의 재개 준비 공정을 더 구비한 것이여도 좋다. In this case, the method for manufacturing a glass substrate according to the present invention opens the air supply path to introduce the processing gas into the air supply path, closes the flow path branched from the air supply path, and opens the exhaust path, thereby removing the harmless gas from the processing gas. It may further be provided with the resumption preparation process of the surface treatment substituted by.

급기로를 폐쇄한 상태에서 처리 가스를 배기로에 계속해서 도입할 수 있는 것이라면 적어도 치환 작업의 동안, 처리 가스의 생성을 일단 정지시키지 않아도 되게 된다. 그 때문에, 예컨대 유지 보수 등의 작업이 끝난 후, 상술한 바와 같이 무해 가스의 도입을 정지한 상태에서 급기로를 개방함과 아울러 처리 가스의 분기로를 폐쇄하고 또한 배기로를 개방함으로써 무해 가스를 처리 가스로 치환함으로써, 단시간에 급기로 및 배기로를 다시 처리 가스로 가득 채울 수 있다. 따라서, 처리 가스의 생성을 재개하고나서 처리 가스의 생성 상태가 안정될 때까지의 시간을 생략하여 유지 보수후, 조급히 표면 처리를 재개하는 것이 가능하게 된다.If the process gas can be continuously introduced into the exhaust path with the air supply closed, it is not necessary to stop the generation of the process gas at least during the replacement operation. Therefore, for example, after the maintenance and the like are finished, the air supply is opened while the introduction of the harmless gas is stopped as described above, the branching path of the processing gas is closed, and the exhaust path is opened. By replacing with the processing gas, the air supply and exhaust paths can be filled again with the processing gas in a short time. Therefore, the surface treatment can be resumed immediately after maintenance by eliminating the time from when the generation of the processing gas is resumed until the production state of the processing gas is stabilized.

또한, 본 발명에 의한 유리 기판의 제조 방법은 유지 보수 공정에 있어서 처리 가스 생성 장치에 의한 처리 가스의 생성을 정지함과 아울러, 처리 가스의 원료가 되는 가스의 처리 가스 생성 장치로의 공급을 정지하고, 처리 가스에 포함되는 캐리어 가스의 처리 가스 생성 장치로의 공급을 계속해서 행하는 것이여도 좋다.Moreover, the manufacturing method of the glass substrate by this invention stops generation | occurrence | production of the process gas by a process gas generating apparatus in a maintenance process, and stops supply of the gas used as a raw material of a process gas to the process gas generating apparatus. The supply of the carrier gas contained in the processing gas to the processing gas generating device may be continued.

처리 가스로서 불화 수소 가스를 포함하는 가스를 사용하는 경우, 이 불화 수소 가스를 생성하기 위한 장치로서 플라스마 반응을 발생시키는 것이 가능한 처리 가스 생성 장치가 사용되는 경우가 있다. 이 경우, 처리 가스 생성 장치에는 통상, 불화 수소 가스의 원료가 되는 4불화 탄소 가스 등의 가스(원료 가스)와, 물, 및 불화 수소 가스에 포함되는 질소 가스 등의 캐리어 가스가 공급된다. 따라서, 유지 보수 공정에 있어서 산성 가스의 공급을 정지하고 캐리어 가스를 계속해서 처리 가스 생성 장치에 공급함으로써 급기로뿐만 아니라 처리 가스 발생 장치의 내부의 처리 가스를 무해한 가스(캐리어 가스)로 치환할 수 있다. 따라서, 표면 처리 장치의 표면 처리를 위한 가동 정지시, 처리 가스 생성 장치의 내부가 처리 가스에 계속해서 노출되는 것에 의한 열화를 방지하여 처리 가스 생성 장치를 장기간에 걸쳐 사용할 수 있다. 또한, 처리 가스 생성 장치의 내부의 처리 가스를 캐리어 가스로 치환함으로써, 처리 가스를 처리 가스 생성 장치의 내부로부터 완전히 배제할 수 있다. 이에 따라, 처리 가스 생성 장치의 교환이 필요하게 된 경우이여도 안전하게 처리 가스 생성 장치를 급기로로부터 떼어내는 것이 가능하게 된다.In the case of using a gas containing hydrogen fluoride gas as the processing gas, a processing gas generating device capable of generating a plasma reaction may be used as an apparatus for generating the hydrogen fluoride gas. In this case, the processing gas generating device is usually supplied with a gas (raw material gas) such as tetrafluorocarbon gas as a raw material of hydrogen fluoride gas, and a carrier gas such as water and nitrogen gas contained in hydrogen fluoride gas. Therefore, in the maintenance process, the supply of the acidic gas is stopped and the carrier gas is continuously supplied to the processing gas generating device so that not only the air supply but also the processing gas inside the processing gas generating device can be replaced with a harmless gas (carrier gas). have. Therefore, when the operation stops for the surface treatment of the surface treatment apparatus, deterioration due to continuous exposure of the interior of the treatment gas generator to the treatment gas can be prevented, and the treatment gas generator can be used for a long time. Further, by replacing the processing gas inside the processing gas generating device with the carrier gas, the processing gas can be completely excluded from the inside of the processing gas generating device. As a result, even when the process gas generating device needs to be replaced, it is possible to safely detach the processing gas generating device from the air supply.

(발명의 효과)(Effects of the Invention)

이상에 서술한 바와 같이, 본 발명에 의하면 처리 가스를 이용하여 판형상 유리로의 표면 처리를 행하는 표면 처리 장치의 유지 보수를 안전하고 또한 단시간에 실시하는 것이 가능하게 된다.As mentioned above, according to this invention, it becomes possible to perform maintenance of the surface treatment apparatus which surface-treats to plate-shaped glass using a process gas safely and in a short time.

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 표면 처리 장치의 유로 구성도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 표면 처리 장치를 이용한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 3은 도 1에 나타내는 표면 처리 장치를 이용한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 설명하기 위한 유로 구성도이다.
도 4는 도 1에 나타내는 표면 처리 장치를 이용한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 설명하기 위한 유로 구성도이다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시형태에 의한 표면 처리 장치의 유로 구성도이다.
도 6은 도 5에 나타내는 표면 처리 장치를 이용한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 7은 도 5에 나타내는 표면 처리 장치를 이용한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 설명하기 위한 유로 구성도이다.
도 8은 도 5에 나타내는 표면 처리 장치를 이용한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 설명하기 위한 유로 구성도이다.
도 9는 도 5에 나타내는 표면 처리 장치를 이용한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 설명하기 위한 유로 구성도이다.
도 10은 본 발명의 제 3 실시형태에 의한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 11은 본 발명의 제 4 실시형태에 의한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 나타내는 플로우차트이다.
도 12는 도 11에 나타내는 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 설명하기 위한 표면 처리 장치의 유로 구성도이다.
도 13은 본 발명의 제 5 실시형태에 의한 표면 처리 장치의 유로 구성도이다.
도 14는 본 발명의 제 6 실시형태에 의한 표면 처리 장치의 유로 구성도이다.1 is a flow chart of a surface treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a flowchart showing a procedure of surface treatment and maintenance using the surface treatment apparatus shown in FIG. 1.
FIG. 3 is a flow chart illustrating a procedure of surface treatment and maintenance using the surface treatment apparatus shown in FIG. 1.
FIG. 4 is a flow chart illustrating the procedure of surface treatment and maintenance using the surface treatment apparatus shown in FIG. 1. FIG.
5 is a flow chart of the surface treatment apparatus according to the second embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a flowchart showing a procedure of surface treatment and maintenance using the surface treatment apparatus shown in FIG. 5.
FIG. 7 is a flow chart illustrating a procedure of surface treatment and maintenance using the surface treatment apparatus shown in FIG. 5.
FIG. 8 is a flow chart illustrating a procedure of surface treatment and maintenance using the surface treatment apparatus shown in FIG. 5.
FIG. 9 is a flow chart for explaining the procedures of surface treatment and maintenance using the surface treatment apparatus shown in FIG. 5. FIG.
It is a flowchart which shows the procedure of surface treatment and maintenance by 3rd Embodiment of this invention.
It is a flowchart which shows the procedure of surface treatment and maintenance which concerns on 4th Embodiment of this invention.
It is a flow chart of a surface treatment apparatus for demonstrating the procedure of surface treatment and maintenance shown in FIG.
It is a flow chart of the surface treatment apparatus which concerns on 5th Embodiment of this invention.
It is a channel block diagram of the surface treatment apparatus which concerns on 6th Embodiment of this invention.

≪본 발명의 제 1 실시형태≫`` First embodiment of the present invention ''

이하, 본 발명의 제 1 실시형태를 도 1~도 4를 참조해서 설명한다. 또한, 본 실시형태에서는 판형상 유리로서 성형한 띠형상 판유리로부터 소정의 치수로 잘라낸 유리 기판의 이면에 표면 처리를 실시하는 경우를 예로 들어서 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, 1st Embodiment of this invention is described with reference to FIGS. In addition, in this embodiment, the case where surface treatment is given to the back surface of the glass substrate cut out from strip | belt-shaped plate glass shape | molded as plate shape glass to predetermined | prescribed dimension is demonstrated as an example.

도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 유리 기판의 제조 장치(10)를 나타내고 있다. 이 제조 장치(10)는 유리 기판(P)의 한쪽의 주표면(Pa)(도 1에서 말하면 하면)에 소정의 표면 처리를 실시하는 표면 처리 장치(11)와, 표면 처리 장치(11)를 수용하는 처리조(12)를 구비한다.1 has shown the manufacturing apparatus 10 of the glass substrate which concerns on 1st Embodiment of this invention. This manufacturing apparatus 10 comprises the surface treatment apparatus 11 and surface treatment apparatus 11 which perform predetermined | prescribed surface treatment to one main surface Pa (bottom side in FIG. 1) of glass substrate P. FIG. The processing tank 12 which accommodates is provided.

이 중, 표면 처리 장치(11)는 유리 기판(P)의 한쪽의 주표면(Pa)에 처리 가스(Ga)를 공급해서 소정의 표면 처리를 실시하는 위한 것이며, 처리 대상이 되는 유리 기판(P)이 삽입 통과되는 삽입 통과로(13)와, 삽입 통과로(13)에 개구하는 급기구(14)와, 급기구(14)와는 다른 위치에서 삽입 통과로(13)에 개구하는 배기구(15)와, 처리 가스(Ga)를 생성하는 처리 가스 생성 장치(16)와, 처리 가스 생성 장치(16)와 급기구(14)를 연결하는 급기로(17)와, 처리 가스(Ga)에 제해 처리를 실시하는 제해 장치(18)와, 배기구(15)와 제해 장치(18)를 연결하는 배기로(19)와, 무해 가스(Gb)를 급기로(17)에 도입하는 무해 가스 도입로(20)를 구비한다. 본 실시형태에서는, 표면 처리 장치(11)는 상술한 요소에 추가해서, 급기로(17)로부터 분기되어 처리 가스(Ga)를 배기로(19)에 도입하는 처리 가스 분기로(21)를 더 구비한다. 또한, 무해 가스 도입로(20)의 상류측에는 콤프레셔 등의 무해 가스 도입 장치(22)가 배치되어 있어 무해 가스(Gb)의 공급 및 정지를 조작할 수 있도록 되어 있다.Among these, the surface treatment apparatus 11 is for supplying process gas Ga to one main surface Pa of the glass substrate P, and performing predetermined surface treatment, The glass substrate P used as a process target ) Is an insertion passage 13 through which the passage is inserted, an air supply port 14 opening in the insertion passage 13, and an exhaust port 15 opening in the insertion passage 13 at a position different from the air supply passage 14. ), The processing gas generating device 16 which generates the processing gas Ga, the air supply 17 which connects the processing gas generating device 16 and the air supply port 14, and the processing gas Ga A harmless gas introduction passage for introducing the decontamination apparatus 18 which performs the process, the exhaust path 19 which connects the exhaust port 15 and the decontamination apparatus 18, and the harmless gas Gb to the air supply 17 ( 20). In the present embodiment, the surface treatment apparatus 11 further includes a processing gas branching passage 21 branching from the air supply 17 to introduce the processing gas Ga into the exhaust passage 19 in addition to the above-described element. Equipped. In addition, a harmless gas introduction device 22 such as a compressor is arranged on the upstream side of the harmless gas introduction path 20 so that the supply and stop of the harmless gas Gb can be operated.

무해 가스 도입로(20)에는 무해 가스 도입로(20)를 개폐하는 제 1 개폐 밸브(23)가 배치되어 있다. 이에 따라, 무해 가스(Gb)의 급기로(17)로의 도입과 그 정지를 스위칭할 수 있도록 되어 있다.In the harmless gas introduction passage 20, a first on-off valve 23 for opening and closing the harmless gas introduction passage 20 is disposed. As a result, the introduction and stopping of the harmless gas Gb into the air supply 17 can be switched.

또한, 급기로(17) 중 무해 가스 도입로(20)의 합류 위치(P1)보다 상류측에는 급기로(17)를 개폐하는 제 2 개폐 밸브(24)가 배치되어 있다. 이에 따라, 처리 가스(Ga)의 급기로(17)로의 도입과 그 정지를 스위칭할 수 있도록 되어 있다.Moreover, the 2nd opening-closing valve 24 which opens and closes the air supply line 17 is arrange | positioned upstream rather than the joining position P1 of the harmless gas introduction path 20 among the air supply lines 17. As shown in FIG. As a result, the introduction of the processing gas Ga into the air supply 17 and the stop thereof can be switched.

또한, 처리 가스 분기로(21)는 급기로(17)의 제 2 개폐 밸브(24)가 배치되어 있는 위치보다도 상류측에서 급기로(17)로부터 분기되어 배기로(19)와 연결되어 있다. 이에 따라, 처리 가스 생성 장치(16)에서 생성한 처리 가스(Ga)를 제 2 개폐 밸브(24)를 통과하는 일 없이 우회해서 배기로(19) 및 그 하류측에 위치하는 제해 장치(18)에 도입할 수 있도록 되어 있다.The process gas branching passage 21 is branched from the air supply passage 17 upstream from the position where the second on-off valve 24 of the air supply passage 17 is disposed, and is connected to the exhaust passage 19. Thereby, the decontamination apparatus 18 which bypasses the process gas Ga produced | generated by the process gas generator 16 without passing through the 2nd opening / closing valve 24, and is located in the exhaust path 19 and the downstream side. It is intended to be introduced in.

본 실시형태에서는 이 처리 가스 분기로(21)에 처리 가스 분기로(21)를 개폐하는 제 3 개폐 밸브(25)가 배치되어 있다. 이에 따라, 처리 가스(Ga)의 배기로(19)로의 도입과 그 정지를 스위칭할 수 있도록 되어 있다.In this embodiment, the 3rd open / close valve 25 which opens and closes the process gas branch path 21 is arrange | positioned at this process gas branch path 21. As a result, the introduction of the processing gas Ga into the exhaust path 19 and its stop can be switched.

처리 가스(Ga)의 종류, 조성은 유리 기판(P)에 대한 소정의 표면 처리(예컨대 부식에 의한 조면화)를 가능하게 하는 한 임의이며, 예컨대 불화 수소 가스 등의 산성 가스를 포함하는 것을 사용할 수 있다. 이 경우, 처리 가스 생성 장치(16)에는 처리 가스(Ga)의 원료가 되는 가스(원료 가스)(Fa)로서의 4불화 탄소 가스와, 동일하게 원료가 되는 유체(Fc)로서의 물, 및 캐리어 가스(Fb)로서의 질소 가스가 도입된다(도 1을 참조). 그리고, 처리 가스 생성 장치(16) 내부에서 플라스마 반응을 발생시킴으로써 불화 수소 가스와 캐리어 가스(Fb)를 포함하는 처리 가스(Ga)를 생성 가능하게 하고 있다.The kind and composition of the processing gas Ga are arbitrary as long as it enables predetermined surface treatment (for example, roughening by corrosion) on the glass substrate P, and those containing acidic gas such as hydrogen fluoride gas can be used. Can be. In this case, the processing gas generating device 16 includes carbon tetrafluoride gas as the gas (raw material gas) Fa serving as the raw material of the processing gas Ga, water as the fluid Fc serving as the raw material, and a carrier gas. Nitrogen gas as (Fb) is introduced (see FIG. 1). Then, a plasma reaction is generated inside the processing gas generating device 16 to generate the processing gas Ga including the hydrogen fluoride gas and the carrier gas Fb.

무해 가스(Gb)의 종류, 조성은 상술한 바와 같이 인체에 대해서 실질적으로 무해한 한 임의이며, 예컨대 청정도, 비용면 등의 관점에서 클린 드라이 에어가 바람직하게 사용된다. 물론, 클린 드라이 에어에 한정되지 않고 예컨대 질소 가스나 아르곤 가스 등의 불활성 가스를 비롯해 클린 드라이 에어 이외의 처리를 실시한 공기(Dry Air)를 사용하는 것도 가능하고, 처리하지 않은 공기(외기)를 그대로 사용하는 것도 가능하다.The kind and composition of harmless gas Gb are arbitrary as long as it is substantially harmless to a human body as mentioned above, For example, clean dry air is used preferably from a viewpoint of a cleanliness, a cost, etc. Of course, not only clean dry air, but also inert gas such as nitrogen gas and argon gas, and dry air that has been treated other than clean dry air can be used, and untreated air (outside air) can be used as it is. It is also possible to use.

이어서, 이상의 구성을 이루는 표면 처리 장치(11)를 이용한 표면 처리 및 유지 보수의 순서를 본 발명에 의한 작용 효과와 아울러 주로 도 2~도 4에 의거해서 설명한다.Next, the order of surface treatment and maintenance using the surface treatment apparatus 11 which comprises the above structure is demonstrated based on FIG. 2 thru | or 4 mainly together with the effect and effect by this invention.

즉, 본 실시형태에 의한 유리 기판의 제조 방법은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 표면 처리 공정(S1)과 유지 보수 공정(S2)을 구비한다. 이 중, 표면 처리 공정(S1)에서는 처리 가스(Ga)를 판형상 유리로서의 유리 기판(P)에 공급해서 상기 유리 기판(P)에 소정의 표면 처리를 실시함과 아울러, 공급한 처리 가스(Ga)를 제해해서 배기하는 가스의 흐름이 형성되고, 유지 보수 공정(S2)에서는 급기로(17)(도 1을 참조)를 폐쇄하고, 급기로(17)를 폐쇄한 위치(도 1에서 말하면 제 2 개폐 밸브(24)가 배치된 위치)보다 하류측에서 급기로(17)에 무해 가스(Gb)를 도입함으로써 처리 가스(Ga)를 무해 가스(Gb)로 치환하는 가스의 흐름이 형성된다. 이하, 각 공정의 상세를 설명한다.That is, the manufacturing method of the glass substrate which concerns on this embodiment is equipped with surface treatment process (S1) and maintenance process (S2), as shown in FIG. Among them, in the surface treatment step S1, the processing gas Ga is supplied to the glass substrate P as the plate-shaped glass to perform a predetermined surface treatment on the glass substrate P, and the supplied processing gas ( The gas flow which removes Ga and exhausts is formed, and in the maintenance process S2, the air supply 17 (refer FIG. 1) is closed, and the air supply 17 is closed (the position in FIG. 1). By introducing a gas (Gb) harmlessly into the air supply (17) on the downstream side from the position where the second on-off valve (24) is disposed), a flow of gas for replacing the processing gas (Ga) with the harmless gas (Gb) is formed. . Hereinafter, the detail of each process is demonstrated.

(S1) 표면 처리 공정(S1) surface treatment process

이 공정(S1)에서는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 제 1 개폐 밸브(23)를 폐쇄하고 제 2 개폐 밸브(24)를 개방함과 아울러, 제 3 개폐 밸브(25)를 폐쇄한다. 이에 따라, 처리 가스 생성 장치(16)에서 생성된 처리 가스(Ga)는 급기로(17)에 도입되어 급기로(17)의 하류단에 위치하는 급기구(14)로부터 방출된다. 급기구(14)가 면하는 삽입 통과로(13)에 도 1에 나타내는 유리 기판(P)(도 3에서는 생략)이 삽입 통과되면, 급기구(14)로부터 방출된 처리 가스(Ga)가 유리 기판(P)의 한쪽의 주표면(Pa)(급기구(14)에 면하는 하면)에 공급되고, 한쪽의 주표면(Pa)에 소정의 표면 처리가 실시된다. 유리 기판에 공급된 처리 가스(Ga)는 급기구(14)와 다른 위치에서 삽입 통과로(13)에 면하는 배기구(15)(본 실시형태에서는 2개)를 통해서 배기로(19)에 들어가고, 배기로(19)의 하류측에 위치하는 제해 장치(18)에 도입된다. 도입된 처리 가스(Ga)는 제해 장치(18)에 의해 제해되어 유해 물질을 제거한 상태로 제해 장치(18)의 외부로 배출된다.In this step S1, as shown in FIG. 3, the first on-off valve 23 is closed, the second on-off valve 24 is opened, and the third on-off valve 25 is closed. As a result, the processing gas Ga generated by the processing gas generating device 16 is introduced into the air supply passage 17 and discharged from the air supply passage 14 positioned at the downstream end of the air supply passage 17. When the glass substrate P (not shown in FIG. 3) shown in FIG. 1 passes through the insertion path 13 which the air supply port 14 faces, the process gas Ga discharge | released from the air supply port 14 is glass. It is supplied to one main surface Pa (lower surface facing the air supply 14) of the board | substrate P, and predetermined surface treatment is given to one main surface Pa. The processing gas Ga supplied to the glass substrate enters the exhaust path 19 through an exhaust port 15 (two in this embodiment) facing the insertion passage 13 at a position different from the air supply port 14. The decontamination apparatus 18 located downstream of the exhaust path 19 is introduced. The introduced processing gas Ga is removed by the decontamination apparatus 18 and discharged to the outside of the decontamination apparatus 18 in the state which removed harmful substance.

한편, 무해 가스 도입로(20)는 제 1 개폐 밸브(23)에 의해 폐쇄되어 있으므로, 도 3에 나타내는 상태에 있어서는 급기로(17)에 무해 가스(Gb)가 혼입되어 표면 처리에 영향을 미칠 우려는 없다. 또한, 처리 가스(Ga)가 무해 가스 도입로(20)를 통해서 외부로 누출될 우려도 없다.On the other hand, since the harmless gas introduction passage 20 is closed by the first opening / closing valve 23, in the state shown in FIG. 3, the gas (Gb) is mixed in the air supply 17 to affect the surface treatment. There is no concern. In addition, there is no fear that the processing gas Ga may leak to the outside through the harmless gas introduction passage 20.

또한, 처리 가스 분기로(21)는 제 3 개폐 밸브(25)에 의해 폐쇄되어 있으므로, 도 3에 나타내는 상태에 있어서는 본래 급기로(17)에 도입되어야 할 처리 가스(Ga)의 유량이 감소하여 표면 처리에 영향을 미칠 우려는 없다.In addition, since the processing gas branching passage 21 is closed by the third opening / closing valve 25, in the state shown in FIG. 3, the flow rate of the processing gas Ga to be originally introduced into the air supply 17 decreases. There is no fear of affecting the surface treatment.

(S2) 유지 보수 공정(S2) maintenance process

상술한 바와 같이 표면 처리 장치(11)를 가동하고 있는 동안, 유리 기판(P)에 대해서 소정의 표면 처리가 실시된다. 한편, 어떠한 이유로 표면 처리를 정지하고 표면 처리 장치(11)를 분해할 필요가 생긴 경우에는 이하의 처리(동작)를 행한 후에 표면 처리 장치(11)의 유지 보수를 행한다. 즉, 유지 보수를 시작함에 있어서는 가동시의 상태로부터, 도 4에 나타내는 바와 같이, 우선 제 2 개폐 밸브(24)를 폐쇄함과 아울러 제 3 개폐 밸브(25)를 개방한다. 그리고, 제 1 개폐 밸브(23)를 개방한다. 이에 따라, 급기로(17) 중 적어도 제 2 개폐 밸브(24)보다 하류측을 향한 처리 가스(Ga)의 공급이 정지됨과 아울러, 합류 위치(P1)보다 하류측에서 급기로(17)에 무해 가스(Gb)가 새롭게 도입된다. 따라서, 급기로(17), 삽입 통과로(13), 및 배기로(19)에 유통하고 있었던 처리 가스(Ga)는 무해 가스(Gb)에 압출되는 형태로 제해 장치(18)에 배출되고, 이에 따라, 처리 가스 분기로(21) 내를 제외한, 표면 처리 장치(11) 중의 처리 가스(Ga)가 무해 가스(Gb)에 의해 치환된다. 따라서, 작업자가 안전하게 표면 처리 장치(11)를 분해해서 상태 확인이나 정비 등의 유지 보수를 행하는 것이 가능하게 된다. 또한, 상술한 바와 같이 무해 가스 도입로(20)를 설치함으로써 처리 가스 생성 장치(16)를 통하는 일 없이 급기로(17)에 무해 가스(Gb)를 도입할 수 있으므로, 무해 가스(Gb)의 도입 조건(유량, 압력, 온도 등)을 비교적 자유롭게 설정할 수 있다. 따라서, 예컨대 유량을 넉넉하게 설정함으로써 무해 가스(Gb)에 의한 처리 가스(Ga)의 치환을 단시간에 행하는 것이 가능하게 된다.As mentioned above, while operating the surface treatment apparatus 11, predetermined | prescribed surface treatment is performed with respect to glass substrate P. As shown in FIG. On the other hand, when it is necessary to stop surface treatment for some reason and disassemble the surface treatment apparatus 11, after performing the following process (operation), maintenance of the surface treatment apparatus 11 is performed. That is, at the start of maintenance, as shown in FIG. 4 from the state at the time of operation, first, the 2nd open / close valve 24 is closed and the 3rd open / close valve 25 is opened. Then, the first open / close valve 23 is opened. Accordingly, the supply of the processing gas Ga toward the downstream side of at least the second on-off valve 24 of the air supply 17 is stopped, and is harmless to the air supply 17 at the downstream side from the joining position P1. Gas Gb is newly introduced. Therefore, the processing gas Ga distributed to the air supply 17, the insertion passage 13, and the exhaust passage 19 is discharged to the decontamination apparatus 18 in the form of being extruded to the harmless gas Gb, As a result, the processing gas Ga in the surface treatment apparatus 11 except for the inside of the processing gas branch passage 21 is replaced by the harmless gas Gb. Therefore, it becomes possible for an operator to disassemble the surface treatment apparatus 11 safely, and to perform maintenance, such as a check and maintenance of a state. In addition, since the harmless gas introduction passage 20 is provided as described above, the harmless gas Gb can be introduced into the air supply 17 without passing through the process gas generating device 16, so that the Introduction conditions (flow rate, pressure, temperature, etc.) can be set relatively freely. Therefore, for example, by setting a sufficient flow rate, it becomes possible to perform the substitution of the processing gas Ga by the harmless gas Gb in a short time.

또한, 제 3 개폐 밸브(25)를 개방함으로써 급기로(17)의 제 2 개폐 밸브(24)보다 상류측에서 분기되어 있는 처리 가스 분기로(21)에 처리 가스(Ga)를 공급 가능한 상태가 된다. 따라서, 예컨대 처리 가스 생성 장치(16)에 의한 처리 가스(Ga)의 생성 및 공급을 계속 행할 경우, 도 4에 나타내는 바와 같이, 처리 가스(Ga)는 처리 가스 분기로(21)를 통해서 배기로(19) 또는 제해 장치(18)에 도입된다. 따라서, 상술한 치환 처리의 동안, 처리 가스 생성 장치(16)의 내부, 또는 급기로(17) 중 처리 가스 생성 장치(16)와 제 2 개폐 밸브(24) 사이에 처리 가스(Ga)가 가둬지는 것에 의한 문제의 발생을 회피하여 안전하게 치환 작업을 행할 수 있게 된다. Moreover, the state which can supply process gas Ga to the process gas branch path 21 branched upstream from the 2nd open / close valve 24 of the air supply 17 by opening the 3rd open / close valve 25 is do. Therefore, for example, when the generation and supply of the processing gas Ga by the processing gas generating device 16 are continued, as shown in FIG. 4, the processing gas Ga is exhausted through the processing gas branch passage 21. 19 or introduced into the removal device 18. Therefore, during the above-described substitution process, the processing gas Ga is trapped inside the processing gas generating device 16 or between the processing gas generating device 16 and the second opening / closing valve 24 in the air supply 17. The replacement operation can be performed safely by avoiding a problem caused by losing.

이상, 본 발명의 제 1 실시형태에 의한 유리 기판의 제조 장치(10) 및 제조 방법을 설명했지만, 이들 제조 장치(10) 및 제조 방법은 당연히 본 발명의 범위 내에 있어서 임의의 형태를 채택할 수 있다.As mentioned above, although the manufacturing apparatus 10 and the manufacturing method of the glass substrate which concern on the 1st Embodiment of this invention were demonstrated, these manufacturing apparatus 10 and a manufacturing method can naturally adopt arbitrary forms within the scope of the present invention. have.

≪본 발명의 제 2 실시형태≫`` Second embodiment of the present invention ''

도 5는 제 2 실시형태에 의한 제조 장치(30)의 유로 구성도, 도 6은 이 제조 장치(30)를 이용한 제조 방법(표면 처리 및 유지 보수)의 순서를 나타내는 플로우차트를 각각 나타내고 있다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 이 제조 장치(30)는 제 1 실시형태와는 유로 구성이 다른 표면 처리 장치(31)를 구비하고 있고, 구체적으로는 배기로(19) 중 처리 가스 분기로(21)의 합류 위치(P2)보다 상류측에 배기로(19)를 개폐하는 제 4 개폐 밸브(26)가 배치되어 있다. 또한, 이 이외의 구성은 제 1 실시형태에 의한 제조 장치(10)(표면 처리 장치(11))와 동일하므로 상세한 설명을 생략한다.FIG. 5 shows a flow chart of the manufacturing apparatus 30 according to the second embodiment, and FIG. 6 shows a flowchart showing the procedure of the manufacturing method (surface treatment and maintenance) using the manufacturing apparatus 30, respectively. As shown in FIG. 5, this manufacturing apparatus 30 is equipped with the surface treatment apparatus 31 from which the flow path structure differs from 1st Embodiment, and specifically, the processing gas branch path 21 in the exhaust path 19. As shown in FIG. The 4th opening-closing valve 26 which opens and closes the exhaust path 19 is arrange | positioned more upstream than the joining position P2 of (). In addition, since the structure other than this is the same as that of the manufacturing apparatus 10 (surface treatment apparatus 11) which concerns on 1st Embodiment, detailed description is abbreviate | omitted.

또한, 본 실시형태에 의한 유리 기판의 제조 방법은, 도 6에 나타내는 바와 같이, 표면 처리 공정(S1)과 유지 보수 공정(S2)을 갖는다. 이 중, 유지 보수 공정(S2)의 상세가 제 1 실시형태에 의한 제조 방법과 다르다. 즉, 본 실시형태에 의한 유지 보수 공정(S2)은 급기로(17)를 폐쇄하고 배기로(19)를 개방한 상태에서 제 2 개폐 밸브(24)보다 하류측에서 급기로(17)에 무해 가스(Gb)를 도입함으로써 처리 가스(Ga)를 무해 가스(Gb)로 치환하는 무해 가스 도입 스텝(S21)과, 무해 가스(Gb)의 공급을 정지한 후, 처리 가스 분기로(21)의 합류 위치(P2)보다 상류측에서 배기로(19)를 폐쇄함으로써 처리 가스(Ga)의 유로와 무해 가스(Gb)의 유로를 완전히 분단하는 유로 분단 스텝(S22)을 갖는다. 이하, 각 스텝의 상세를 중심으로 설명한다.In addition, the manufacturing method of the glass substrate which concerns on this embodiment has surface treatment process (S1) and maintenance process (S2), as shown in FIG. Among these, the detail of maintenance process S2 differs from the manufacturing method by 1st Embodiment. That is, the maintenance process S2 which concerns on this embodiment is harmless to the air supply line 17 from the downstream side rather than the 2nd opening-closing valve 24 in the state which closed the air supply line 17 and opened the exhaust path 19. FIG. By introducing the gas Gb, after the supply of the harmless gas introduction step S21 for replacing the processing gas Ga with the harmless gas Gb and the supply of the harmless gas Gb, the process gas branching passage 21 is stopped. By closing the exhaust path 19 on the upstream side of the joining position P2, the flow path dividing step S22 is provided to completely divide the flow path of the processing gas Ga and the flow path of the harmless gas Gb. Hereinafter, the detail of each step is demonstrated.

(S1) 표면 처리 공정(S1) surface treatment process

이 공정에서는, 도 7에 나타내는 바와 같이, 제 1 개폐 밸브(23)를 폐쇄하고, 제 2 개폐 밸브(24)를 개방하며, 제 3 개폐 밸브(25)를 폐쇄함과 아울러 제 4 개폐 밸브(26)를 개방한 상태로 한다. 이에 따라, 처리 가스 생성 장치(16)에서 생성된 처리 가스(Ga)는 급기로(17)에 도입되어 급기로(17)의 하류단에 위치하는 급기구(14)로부터 방출된다. 급기구(14)가 면하는 삽입 통과로(13)에 도 1에 나타내는 유리 기판(P)(도 7에서는 생략)이 삽입 통과되면, 급기구(14)로부터 방출된 처리 가스(Ga)가 유리 기판(P)의 한쪽의 주표면(Pa)(급기구(14)에 면하는 하면)에 공급되어 한쪽의 주표면(Pa)에 소정의 표면 처리가 실시된다. 또한, 배기로(19) 상에 설치한 제 4 개폐 밸브(26)를 개방한 상태로 하고 있으므로, 유리 기판(P)에 공급된 처리 가스(Ga)는 급기구(14)와 다른 위치에서 삽입 통과로(13)에 면하는 배기구(15)(본 실시형태에서는 2개)를 통해서 배기로(19)에 들어가고, 배기로(19)의 하류측에 위치하는 제해 장치(18)에 도입된다. 도입된 처리 가스(Ga)는 제해 장치(18)에 의해 제해되어 유해 물질을 제거한 상태로 제해 장치(18)의 외부로 배출된다.In this step, as shown in FIG. 7, the first on-off valve 23 is closed, the second on-off valve 24 is opened, the third on-off valve 25 is closed, and the fourth on-off valve ( 26) is kept open. As a result, the processing gas Ga generated by the processing gas generating device 16 is introduced into the air supply passage 17 and discharged from the air supply passage 14 positioned at the downstream end of the air supply passage 17. When the glass substrate P (not shown in FIG. 7) shown in FIG. 1 passes through the insertion path 13 which the air supply port 14 faces, the process gas Ga discharged from the air supply port 14 is glass. It is supplied to one main surface Pa (lower surface facing the air supply 14) of the board | substrate P, and predetermined surface treatment is given to one main surface Pa. In addition, since the 4th open / close valve 26 provided on the exhaust path 19 is set to the open state, the process gas Ga supplied to the glass substrate P is inserted in the position different from the air supply port 14. It enters into the exhaust path 19 through the exhaust ports 15 (two in this embodiment) facing the passageway 13, and is introduced into the decontamination apparatus 18 located downstream of the exhaust path 19. As shown in FIG. The introduced processing gas Ga is removed by the decontamination apparatus 18 and discharged to the outside of the decontamination apparatus 18 in the state which removed harmful substance.

한편, 무해 가스 도입로(20)는 제 1 개폐 밸브(23)에 의해 폐쇄되어 있으므로, 도 7에 나타내는 상태에 있어서는 급기로(17)에 무해 가스(Gb)가 혼입되어 표면 처리에 영향을 미칠 우려는 없다. 또한, 처리 가스(Ga)가 무해 가스 도입로(20)를 통해서 외부로 누출될 우려도 없다.On the other hand, since the harmless gas introduction passage 20 is closed by the first opening / closing valve 23, in the state shown in FIG. 7, harmless gas Gb is mixed into the air supply 17 to affect the surface treatment. There is no concern. In addition, there is no fear that the processing gas Ga may leak to the outside through the harmless gas introduction passage 20.

또한, 처리 가스 분기로(21)는 제 3 개폐 밸브(25)에 의해 폐쇄되어 있으므로, 도 7에 나타내는 상태에 있어서는 본래 급기로(17)에 도입되어야 할 처리 가스(Ga)의 유량이 감소하여 표면 처리에 영향을 미칠 우려는 없다.In addition, since the processing gas branching passage 21 is closed by the third opening / closing valve 25, in the state shown in FIG. 7, the flow rate of the processing gas Ga to be originally introduced into the air supply 17 decreases. There is no fear of affecting the surface treatment.

(S2) 유지 보수 공정(S2) maintenance process

(S21) 무해 가스 도입 스텝(S21) harmless gas introduction step

또한, 본 실시형태에 있어서, 어떠한 이유로 표면 처리를 정지하고 표면 처리 장치(31)의 유지 보수를 행하는 필요가 생긴 경우에는 이하의 처리(동작)를 행한다. 즉, 무해 가스(Gb)로 처리 가스(Ga)를 치환하는 스텝에 있어서는, 도 8에 나타내는 바와 같이, 우선 제 2 개폐 밸브(24)를 폐쇄함과 아울러 제 3 개폐 밸브(25)를 개방한다. 그리고, 제 1 개폐 밸브(23)를 개방한다. 제 4 개폐 밸브(26)는 개방한 채의 상태로 한다. 이에 따라, 급기로(17) 중 적어도 제 2 개폐 밸브(24)보다 하류측을 향한 처리 가스(Ga)의 공급이 정지됨과 아울러, 합류 위치(P1)보다 하류측에 무해 가스(Gb)가 새롭게 도입된다. 따라서, 급기로(17), 삽입 통과로(13), 및 배기로(19)에 유통하고 있었던 처리 가스(Ga)는 무해 가스(Gb)에 압출되는 형태로 제해 장치(18)에 배출되고, 이에 따라, 처리 가스 분기로(21) 내를 제외한, 표면 처리 장치(11) 중의 처리 가스(Ga)가 무해 가스(Gb)에 의해 치환된다. 따라서, 작업자가 안전하게 표면 처리 장치(11)를 분해해서 유지 보수를 행하는 것이 가능하게 된다.In addition, in this embodiment, when the need arises to stop surface treatment for some reason and to perform maintenance of the surface treatment apparatus 31, the following process (operation) is performed. That is, in the step of replacing the processing gas Ga with the harmless gas Gb, as shown in FIG. 8, the second opening / closing valve 24 is first closed and the third opening / closing valve 25 is opened. . Then, the first open / close valve 23 is opened. The fourth open / close valve 26 is left open. As a result, the supply of the processing gas Ga toward the downstream side of the air supply 17 at least from the second opening / closing valve 24 is stopped, and the gas Gb is newly generated downstream from the joining position P1. Is introduced. Therefore, the processing gas Ga distributed to the air supply 17, the insertion passage 13, and the exhaust passage 19 is discharged to the decontamination apparatus 18 in the form of being extruded to the harmless gas Gb, As a result, the processing gas Ga in the surface treatment apparatus 11 except for the inside of the processing gas branch passage 21 is replaced by the harmless gas Gb. Therefore, the operator can safely disassemble the surface treatment apparatus 11 and perform maintenance.

또한, 제 3 개폐 밸브(25)를 개방함으로써 급기로(17)의 제 2 개폐 밸브(24)보다 상류측에서 분기되어 있는 처리 가스 분기로(21)에 처리 가스(Ga)를 공급 가능한 상태가 된다. 따라서, 예컨대 처리 가스 생성 장치(16)에 의한 처리 가스(Ga)의 생성 및 공급을 계속 행할 경우, 도 8에 나타내는 바와 같이, 처리 가스(Ga)는 처리 가스 분기로(21)를 통해서 배기로(19), 또한 제해 장치(18)에 도입된다. 따라서, 처리 가스 생성 장치(16)에 의한 처리 가스(Ga)의 생성 및 공급을 정지하는 일 없이 상술한 치환 작업을 행할 수 있다.Moreover, the state which can supply process gas Ga to the process gas branch path 21 branched upstream from the 2nd open / close valve 24 of the air supply 17 by opening the 3rd open / close valve 25 is do. Therefore, for example, when the generation and supply of the processing gas Ga by the processing gas generating device 16 are continued, as shown in FIG. 8, the processing gas Ga is exhausted through the processing gas branch passage 21. 19, it is also introduced into the removal device 18. Therefore, the above-mentioned substitution operation can be performed without stopping the generation and supply of the processing gas Ga by the processing gas generating device 16.

(S22) 유로 분단 스텝(S22) Euro dividing step

스텝(S21)에 있어서, 급기로(17)에 무해 가스(Gb)를 도입하고, 급기로(17)와 삽입 통과로(13), 및 배기로(19)가 무해 가스(Gb)로 치환된 후, 이 스텝을 실시한다. 즉, 도 9에 나타내는 바와 같이, 제 1 개폐 밸브(23)를 폐쇄해서 무해 가스(Gb)의 급기로(17)로의 공급을 정지함과 아울러, 제 4 개폐 밸브(26)를 폐쇄해서 배기로(19) 중 처리 가스 분기로(21)의 합류 위치(P2)보다 상류측에서 배기로(19)의 흐름을 막는다. 제 2 개폐 밸브(24)는 폐쇄한 상태인 채, 및 제 3 개폐 밸브(25)는 개방한 상태인 채로 한다. 이에 따라, 급기로(17) 중 제 2 개폐 밸브(24)보다 하류측의 영역과, 유리 기판의 처리 공간이 되는 삽입 통과로(13), 및 배기로(19) 중 제 4 개폐 밸브(26)보다 상류측의 영역이, 처리 가스 분기로(21) 및 배기로(19) 중 제 4 개폐 밸브(26)보다 하류측의 영역과 완전히 분리된 상태가 된다. 바꿔 말하면, 표면 처리 장치(31)의 유로가 무해 가스(Gb)만이 존재하는 공간과 처리 가스(Ga)만이 존재하는 공간으로 분단된 상태가 된다. 예컨대 도 4에 나타내는 유로 구성을 취할 경우, 무해 가스(Gb)의 유량 또는 유체압이 처리 가스(Ga)의 유량 또는 유체압보다 대폭적으로 크게 설정되어 있으면, 처리 가스(Ga)가 처리 가스 분기로(21)의 합류 위치(P2)로부터 배기로(19)의 상류측으로 역류하는 사태를 방지하는 것은 가능하지만, 완전히 차단된 상태가 아닌 이상, 얼마 안되는 양이여도 처리 가스(Ga)가 급기로(17)측으로 흘러 들어갈 가능성을 완전히 배제하는 것은 어렵다. 이것에 대해서, 본 실시형태에 의한 제조 장치(30)에 의하면, 상술한 급기로(17)와 유리 기판의 처리 공간(삽입 통과로(13))이 완전히 무해 가스(Gb)로 가득 채워진 상태가 된 시점에서 제 4 개폐 밸브(26)를 폐쇄함으로써 처리 가스(Ga)의 생성 및 공급을 계속 행한 채로 무해 가스(Gb)의 치환을 행하는 경우이여도, 작업자가 처리 가스(Ga)에 접촉될 가능성을 완전히 배제해서 표면 처리 장치(31)를 안전하게 분해하여 확인 작업이나 유지 보수를 행하는 것이 가능하게 된다.In step S21, the harmless gas Gb is introduced into the air supply passage 17, and the air supply passage 17, the insertion passage 13, and the exhaust passage 19 are replaced with the harmless gas Gb. This step is then performed. That is, as shown in FIG. 9, while closing the 1st opening / closing valve 23 and stopping supply to the air supply 17 of harmless gas Gb, the 4th opening / closing valve 26 is closed and exhaust path The flow of the exhaust path 19 is prevented on the upstream side from the confluence position P2 of the process gas branching passage 21 in 19. The second open / close valve 24 is in a closed state, and the third open / close valve 25 is in an open state. Thereby, the 4th opening / closing valve 26 of the air passage 17 which is downstream from the 2nd opening / closing valve 24, the insertion passage 13 used as a process space of a glass substrate, and the exhaust passage 19 is provided. The region on the upstream side of the side is completely separated from the region on the downstream side of the fourth opening / closing valve 26 in the processing gas branch passage 21 and the exhaust passage 19. In other words, the flow path of the surface treatment apparatus 31 is divided into a space in which only harmless gas Gb exists and a space in which only processing gas Ga exists. For example, when the flow path structure shown in FIG. 4 is taken, if the flow rate or fluid pressure of the harmless gas Gb is set to be significantly larger than the flow rate or fluid pressure of the processing gas Ga, the processing gas Ga is the processing gas branch. Although it is possible to prevent the backflow from the confluence position P2 of 21 to the upstream side of the exhaust path 19, even if it is a small quantity, even if it is a few quantity, the process gas Ga will supply to the air supply ( It is difficult to completely rule out the possibility of flow to the side. On the other hand, according to the manufacturing apparatus 30 which concerns on this embodiment, the state where the above-mentioned air supply 17 and the process space (insertion passage 13) of a glass substrate were completely filled with harmless gas Gb, The operator may come into contact with the processing gas Ga even when the harmonic gas Gb is replaced while the generation and supply of the processing gas Ga is continued by closing the fourth opening / closing valve 26 at that time. It is possible to safely disassemble the surface treatment apparatus 31 to completely remove the surface of the surface treatment apparatus 31 so as to perform confirmation work or maintenance.

≪본 발명의 제 3 실시형태≫`` Third embodiment of the present invention ''

이어서, 본 발명의 제 3 실시형태를 주로 도 10에 의거하여 설명한다. 또한, 본 실시형태에 있어서 사용하는 제조 장치는 도 5에 나타내는 제조 장치(30)로 한다.Next, 3rd Embodiment of this invention is described mainly based on FIG. In addition, the manufacturing apparatus used in this embodiment is set to the manufacturing apparatus 30 shown in FIG.

본 실시형태에 의한 유리 기판의 제조 방법은, 도 10에 나타내는 바와 같이, 표면 처리 공정(S1)과, 유지 보수 공정(S2)과, 표면 처리의 재개 준비 공정(S3)을 구비한다. 표면 처리 공정(S1)과 유지 보수 공정(S2)은 제 2 실시형태와 동일하므로 이하에서는 표면 처리의 재개 준비 공정(S3)의 상세를 설명한다.As shown in FIG. 10, the manufacturing method of the glass substrate which concerns on this embodiment is provided with surface treatment process (S1), maintenance process (S2), and surface preparation resumption preparation process (S3). Since surface treatment process S1 and maintenance process S2 are the same as 2nd Embodiment, the detail of surface treatment resumption preparation process S3 is demonstrated below.

(S3) 표면 처리의 재개 준비 공정(S3) surface treatment resume preparation process

이 공정(S3)에서는 직전의 유지 보수 공정(S2)시의 상태(도 9에 나타내는 상태)로부터, 우선 제 2 개폐 밸브(24)를 개방함과 아울러 제 4 개폐 밸브(26)를 개방하고, 또한 제 3 개폐 밸브(25)를 폐쇄한다. 제 1 개폐 밸브(23)는 폐쇄한 채의 상태로 한다. 이 동안, 처리 가스 생성 장치(16)에 의한 처리 가스(Ga)의 생성 및 공급은 정지하는 일 없이 계속 행해지고 있다(모두 도 7을 참조). 이렇게 함으로써, 바로 도 7에 나타내는 바와 같이 급기로(17)에 처리 가스(Ga)가 도입되고, 급기로(17)에 유통하고 있었던 무해 가스(Gb)가 처리 가스(Ga)로 치환되므로, 단시간에 급기로(17) 및 배기로(19)를 다시 처리 가스(Ga)로 가득 채울 수 있다. 따라서, 예컨대 일단 처리 가스 생성 장치(16)를 정지한 상태로부터 재기동시켰을 경우에 생길 수 있는, 처리 가스(Ga)의 생성을 재개하고나서 처리 가스(Ga)의 생성 상태가 안정될 때까지의 대기 시간을 생략하여, 유지 보수 후, 재빠르게 표면 처리를 재개하는 것이 가능하게 된다.In this step S3, the second on-off valve 24 is first opened while the fourth on-off valve 26 is opened from the state (state shown in FIG. 9) at the time of the maintenance step S2 immediately before. In addition, the third open / close valve 25 is closed. The first on-off valve 23 is kept closed. In the meantime, the generation and supply of the processing gas Ga by the processing gas generating device 16 continue without stopping (all refer to FIG. 7). By doing so, as shown in FIG. 7, the processing gas Ga is introduced into the air supply passage 17, and the harmless gas Gb circulated in the air supply passage 17 is replaced with the processing gas Ga. The air supply unit 17 and the exhaust passage 19 can be filled with the processing gas Ga again. Thus, for example, the atmosphere until the generation state of the processing gas Ga is stabilized after the generation of the processing gas Ga, which may occur when the processing gas generating device 16 is restarted from the stopped state, is stabilized. By eliminating the time, it is possible to quickly resume the surface treatment after maintenance.

≪본 발명의 제 4 실시형태≫`` Fourth embodiment of the present invention ''

이어서, 본 발명의 제 4 실시형태를 주로 도 11 및 도 12에 의거하여 설명한다. 또한, 본 실시형태에 있어서 이용하는 제조 장치는 도 5에 나타내는 제조 장치(30)로 한다.Next, 4th Embodiment of this invention is described mainly based on FIG. 11 and FIG. In addition, the manufacturing apparatus used in this embodiment is set to the manufacturing apparatus 30 shown in FIG.

본 실시형태에 의한 유리 기판의 제조 방법은, 도 11에 나타내는 바와 같이, 표면 처리 공정(S1)과 유지 보수 공정(S2)을 갖는다. 이 중, 유지 보수 공정(S2)의 상세가 제 1~제 3 실시형태에 의한 제조 방법과 다르다. 즉, 본 실시형태에 의한 유지 보수 공정(S2)은 처리 가스 생성 장치(16)에 의한 처리 가스(Ga)의 생성을 정지함과 아울러, 처리 가스(Ga)의 원료가 되는 가스(도 1 등에 나타내는 원료 가스(Fa))의 처리 가스 생성 장치(16)로의 공급을 정지하고, 처리 가스(Ga)에 포함되는 캐리어 가스(Fb)의 처리 가스 생성 장치(16)로의 공급을 계속 행하는, 캐리어 가스 도입 스텝(S23)을 갖는다. 표면 처리 공정(S1)에 대해서는 제 2 및 제 3 실시형태와 동일하므로 이하에서는 캐리어 가스 도입 스텝(S23)을 포함하는 유지 보수 공정(S2)의 상세를 도 12에 의거하여 설명한다.The manufacturing method of the glass substrate which concerns on this embodiment has surface treatment process (S1) and maintenance process (S2), as shown in FIG. Among these, the detail of maintenance process S2 differs from the manufacturing method by 1st-3rd embodiment. That is, the maintenance process S2 which concerns on this embodiment stops generation | occurrence | production of the processing gas Ga by the processing gas generating apparatus 16, and also serves as a raw material of processing gas Ga (FIG. 1 etc.). The carrier gas which stops supply of the source gas Fa shown to the process gas generator 16 and continues supply of the carrier gas Fb contained in process gas Ga to the process gas generator 16. It has an introduction step S23. Since surface treatment process S1 is the same as that of 2nd and 3rd embodiment, below, the detail of maintenance process S2 including carrier gas introduction step S23 is demonstrated based on FIG.

(S2) 유지 보수 공정(S2) maintenance process

(S23) 캐리어 가스 도입 스텝(S23) carrier gas introduction step

이 유지 보수 공정(S2)에서는, 제 2 실시형태와 마찬가지로, 우선 제 2 개폐 밸브(24)를 폐쇄함과 아울러 제 3 개폐 밸브(25)를 개방한다. 그리고, 제 1 개폐 밸브(23)를 개방한다. 제 4 개폐 밸브(26)는 개방한 상태인 채로 한다. 이에 따라, 급기로(17) 중 적어도 제 2 개폐 밸브(24)보다 하류측을 향한 처리 가스(Ga)의 공급이 정지됨과 아울러, 합류 위치(P1)보다 하류측에서 급기로(17)에 무해 가스(Gb)가 새롭게 도입된다. 따라서, 급기로(17), 삽입 통과로(13), 및 배기로(19)에 유통하고 있었던 처리 가스(Ga)는 무해 가스(Gb)에 압출되는 형태로 제해 장치(18)에 배출되고, 이에 따라, 처리 가스 분기로(21) 내를 제외한, 표면 처리 장치(11) 중의 처리 가스(Ga)가 무해 가스(Gb)에 의해 치환된다. 따라서, 작업자가 안전하게 표면 처리 장치(11)를 분해해서 유지 보수를 행하는 것이 가능하게 된다.In this maintenance process S2, similarly to 2nd Embodiment, the 2nd open / close valve 24 is closed first, and the 3rd open / close valve 25 is opened. Then, the first open / close valve 23 is opened. The fourth open / close valve 26 is left open. Accordingly, the supply of the processing gas Ga toward the downstream side of at least the second on-off valve 24 of the air supply 17 is stopped, and is harmless to the air supply 17 at the downstream side from the joining position P1. Gas Gb is newly introduced. Therefore, the processing gas Ga distributed to the air supply 17, the insertion passage 13, and the exhaust passage 19 is discharged to the decontamination apparatus 18 in the form of being extruded to the harmless gas Gb, As a result, the processing gas Ga in the surface treatment apparatus 11 except for the inside of the processing gas branch passage 21 is replaced by the harmless gas Gb. Therefore, the operator can safely disassemble the surface treatment apparatus 11 and perform maintenance.

또한, 이 때, 도 12에 나타내는 바와 같이, 처리 가스 생성 장치(16)에 의한 처리 가스(Ga)의 생성을 정지함과 아울러, 처리 가스(Ga)의 원료가 되는 4불화 탄소 가스 등의 원료 가스(Fa)(도 1을 참조)의 처리 가스 생성 장치(16)로의 공급을 정지하고, 또한 처리 가스(Ga)에 포함되는 캐리어 가스(Fb)의 처리 가스 생성 장치(16)로의 공급을 계속 행한다. 이에 따라, 캐리어 가스(Fb)가 처리 가스 생성 장치(16)의 내부와, 급기로(17) 중 제 2 개폐 밸브(24)보다 상류측의 영역과, 처리 가스 분기로(21)를 통해서 배기로(19)에 도입된다. 따라서, 직전까지 처리 가스 생성 장치(16)의 내부에 존재하고 있었던 처리 가스(Ga)가 캐리어 가스(Fb)로 치환된다. 캐리어 가스(Fb)는 통상, 질소 가스 등의 불활성 가스이며, 적어도 공기와 혼합된 상태에서는 인체에 있어서 실질적으로 무해한 가스이다. 따라서, 표면 처리 장치(31)의 가동 정지시(유지 보수 공정(S2)시), 처리 가스 생성 장치(16)의 내부가 처리 가스(Ga)에 계속해서 노출되는 것에 의한 열화를 방지하여 처리 가스 생성 장치(16)를 장기간에 걸쳐 사용할 수 있다. 또한, 처리 가스 생성 장치(16)의 내부의 처리 가스(Ga)를 캐리어 가스(Fb)로 치환함으로써, 처리 가스(Ga)를 처리 가스 생성 장치(16)의 내부로부터 완전히 배제할 수 있다. 상술한 바와 같이 캐리어 가스(Fb)는 처리 가스(Ga)에 비해서 현격하게 안전한 가스이기 때문에, 처리 가스 생성 장치(16)의 교환이 필요하게 된 경우이여도, 안전하게 처리 가스 생성 장치(16)를 급기로(17)로부터 떼어내는 것이 가능하게 된다.At this time, as shown in FIG. 12, the production of the processing gas Ga by the processing gas generating device 16 is stopped, and raw materials such as tetrafluorocarbon gas which is a raw material of the processing gas Ga. Supply of the gas Fa (refer FIG. 1) to the process gas generator 16 is stopped, and supply of the carrier gas Fb contained in process gas Ga to the process gas generator 16 is continued. Do it. Accordingly, the carrier gas Fb is exhausted through the interior of the processing gas generating device 16, the region upstream of the air supply 17 from the second opening / closing valve 24, and the processing gas branch passage 21. It is introduced into the furnace 19. Therefore, the processing gas Ga which existed in the process gas generating device 16 until just before is replaced by the carrier gas Fb. The carrier gas Fb is usually an inert gas such as nitrogen gas, and is a gas that is substantially harmless to the human body at least in a mixed state with air. Therefore, when the surface treatment apparatus 31 stops operating (in the maintenance step S2), the interior of the processing gas generating device 16 is prevented from being continuously exposed to the processing gas Ga, thereby preventing the processing gas. The generating device 16 can be used for a long time. In addition, by replacing the process gas Ga in the process gas generator 16 with the carrier gas Fb, the process gas Ga can be completely removed from the inside of the process gas generator 16. As described above, since the carrier gas Fb is a significantly safer gas than the process gas Ga, even if the process gas generator 16 needs to be replaced, the process gas generator 16 is safely operated. It becomes possible to remove from the air supply 17.

또한, 이상의 설명에서는 무해 가스 도입로(20) 상에 제 1 개폐 밸브(23)를 배치하고, 급기로(17) 상에 제 1 개폐 밸브(23)와는 별개로 제 2 개폐 밸브(24)를 배치한 경우를 예시했지만 특별히 이 형태로는 한정되지 않는다. 무해 가스 도입로(20)와 급기로(17)의 합류 위치(P1)보다 급기로(17)의 하류측에 무해 가스(Gb)와 처리 가스(Ga) 중 어느 한쪽을 도입 가능하게 하는 한에 있어서 다른 형태를 취하는 것도 가능하다.In addition, in the above description, the 1st on-off valve 23 is arrange | positioned on the harmless gas introduction path 20, and the 2nd on-off valve 24 is provided on the air supply 17 separately from the 1st on-off valve 23. As shown in FIG. Although the case where it arrange | positioned was illustrated, it is not specifically limited to this form. As long as either of the harmless gas Gb and the processing gas Ga can be introduced to the downstream side of the air supply path 17 from the joining position P1 of the harmless gas introduction path 20 and the air supply path 17. It is also possible to take other forms.

≪본 발명의 제 5 실시형태≫`` Fifth Embodiment of the Invention ''

도 13은 그 일례(본 발명의 제 5 실시형태)에 의한 유리 기판 제조 장치(40)를 나타내고 있다. 이 제조 장치(40)는 도 1에 나타내는 제 1 개폐 밸브(23) 및 제 2 개폐 밸브(24) 대신에 무해 가스 도입로(20)와 급기로(17)의 합류 위치(P1)에 유로의 스위칭을 행하는 3방향 밸브(41)를 배치해서 이루어진다. 이 3방향 밸브(41)는 급기로(17) 중 합류 위치(P1)의 상류측으로부터 도입되어 온 처리 가스(Ga)가 합류 위치(P1)를 통과해서 급기로(17)의 하류측을 향하는 흐름과, 무해 가스 도입로(20)로부터 도입되어 온 무해 가스(Gb)가 합류 위치(P1)를 통과해서 급기로(17)의 하류측을 향하는 흐름으로 택일적으로 스위칭 가능하게 되어 있다. 그 때문에, 처리 가스(Ga)와 무해 가스(Gb)를 함께 공급하고 있을 경우이여도, 급기로(17)의 합류 위치(P1)보다 하류측에는 항상 처리 가스(Ga)와 무해 가스(Gb) 중 어느 한쪽만이 도입되어 다른쪽의 도입은 방지되도록 되어 있다.13 has shown the glass substrate manufacturing apparatus 40 by the example (5th Embodiment of this invention). This manufacturing apparatus 40 replaces the flow path to the joining position P1 of the harmless gas introduction passage 20 and the air supply passage 17 instead of the first opening / closing valve 23 and the second opening / closing valve 24 shown in FIG. 1. This is achieved by arranging a three-way valve 41 for switching. The three-way valve 41 has a processing gas Ga introduced from an upstream side of the confluence position P1 in the air supply passage 17 passing through the confluence position P1 and directed downstream of the air supply passage 17. The flow and the harmless gas Gb introduced from the harmless gas introduction passage 20 pass through the confluence position P1 and are alternatively switchable to the flow toward the downstream of the air supply 17. Therefore, even when the processing gas Ga and the harmless gas Gb are supplied together, the processing gas Ga and the harmless gas Gb are always downstream of the confluence position P1 of the air supply 17. Only one is introduced and the other is prevented.

이 구성에 의하면, 상술한 바와 같이, 급기로(17)의 합류 위치(P1)보다 하류측에는 반드시 처리 가스(Ga)와 무해 가스(Gb) 중 어느 한쪽만이 도입되므로, 2종류의 가스(Ga,Gb) 중 불필요한 가스가 혼입되는 사태를 확실히 방지하여 제조 장치(40)의 신뢰성을 더욱 향상시키는 것이 가능하게 된다.According to this configuration, as described above, only one of the processing gas Ga and the harmless gas Gb is always introduced to the downstream side from the confluence position P1 of the air supply 17, so that the two types of gas Ga It is possible to surely prevent a situation in which unnecessary gas is mixed in the Gb and further improve the reliability of the manufacturing apparatus 40.

또한, 이상의 설명에서는 급기로(17) 상에 제 2 개폐 밸브(24)를 배치하고, 처리 가스 분기로(21) 상에 제 3 개폐 밸브(25)를 제 2 개폐 밸브(24)와는 별개로 배치한 경우를 예시했지만, 특별히 이 형태로는 한정되지 않는다. 처리 가스(Ga)를 처리 가스 분기로(21)와, 급기로(17)의 처리 가스 분기로(21)가 분기되는 위치보다도 하류측 중 어느 한쪽에 도입 가능하게 하는 한에 있어서 다른 형태를 취하는 것도 가능하다.In addition, in the above description, the 2nd open / close valve 24 is arrange | positioned on the air supply 17, and the 3rd open / close valve 25 is provided on the process gas branch path 21 separately from the 2nd open / close valve 24. As shown in FIG. Although the case where it arrange | positioned was illustrated, it is not specifically limited to this form. The processing gas Ga takes a different form as long as it is possible to introduce the processing gas Ga into either the downstream side from the position where the processing gas branch path 21 and the processing gas branch path 21 of the air supply passage 17 branch. It is also possible.

≪본 발명의 제 6 실시형태≫<< 6th embodiment of this invention >>

도 14는 그 일례(본 발명의 제 6 실시형태)에 의한 유리 기판 제조 장치(50)를 나타내고 있다. 이 제조 장치(50)는 도 1에 나타내는 제 2 개폐 밸브(24)와 제 3 개폐 밸브(25) 대신에 급기로(17)로부터의 처리 가스 분기로(21)의 분기 위치(P3)에 유로의 스위칭을 행하는 3방향 밸브(51)를 배치해서 이루어진다. 이 3방향 밸브(51)는 급기로(17) 중 분기 위치(P3)의 상류측으로부터 도입되어 온 처리 가스(Ga)가 분기 위치(P3)를 통과해서 그대로 급기로(17)의 하류측을 향하는 흐름과, 상기 처리 가스(Ga)가 분기 위치(P3)를 경유해서 처리 가스 분기로(21)를 향하는 흐름으로 택일적으로 스위칭 가능하게 되어 있다. 그 때문에, 처리 가스 생성 장치(16)로부터 처리 가스(Ga)가 공급되고 있을 경우, 항상 급기로(17)의 분기 위치(P3)보다 하류측과 처리 가스 분기로(21) 중 어느 한쪽에만 처리 가스(Ga)가 도입되어 다른쪽으로의 도입은 방지되도록 되어 있다. 상술한 이유로부터, 처리 가스(Ga)를 계속해서 생성, 공급할 경우(제 1~제 3 실시형태의 경우), 처리 가스(Ga)는 항상 급기로(17)와 처리 가스 분기로(21) 중 어느 한쪽에만 도입하면 충분하기 때문이다. 따라서, 분기 위치(P3)에 3방향 밸브(51)를 설치하여, 표면 처리 공정(S1)시에는 급기로(17)측을 개방하고, 유지 보수 공정(S2)시에는 처리 가스 분기로(21)측을 개방하도록 3방향 밸브(51)를 조작함으로써, 설비 비용을 억제하면서 안전하게 유지 보수를 행하는 것이 가능하게 된다.14 has shown the glass substrate manufacturing apparatus 50 by the example (6th Embodiment of this invention). This manufacturing apparatus 50 flows into the branch position P3 of the process gas branch path 21 from the air supply passage 17 instead of the 2nd open / close valve 24 and the 3rd open / close valve 25 shown in FIG. This is achieved by arranging a three-way valve 51 for switching of. The three-way valve 51 passes through the branch position P3 through which the processing gas Ga, which has been introduced from the upstream side of the branch position P3 of the air supply passage 17, passes the downstream side of the air supply passage 17 as it is. It is possible to switch alternatively to the flow toward and the flow toward the process gas branch path 21 via the branch position P3. Therefore, in the case where the processing gas Ga is supplied from the processing gas generating device 16, the processing is always performed only on one of the downstream side and the processing gas branching passage 21 than the branch position P3 of the air supply passage 17. Gas (Ga) is introduced to prevent introduction into the other side. For the reason described above, when the processing gas Ga is continuously generated and supplied (in the case of the first to third embodiments), the processing gas Ga is always in the air supply 17 and the processing gas branch path 21. It is because it is enough to introduce only in either side. Therefore, the 3-way valve 51 is provided in the branch position P3, the air supply 17 side is opened at the time of surface treatment process S1, and the process gas branch path 21 at the maintenance process S2. By operating the three-way valve 51 to open the) side, it is possible to safely perform maintenance while suppressing equipment cost.

또한, 이상의 설명에서는 띠형상 판유리로부터 잘라낸 유리 기판(P)의 한쪽의 주표면(Pa)에 대해서 소정의 표면 처리를 실시할 경우를 설명했지만, 물론 띠형상 판유리 중 어느 한쪽의 주표면에 본 발명을 적용하는 것도 가능하다. 즉, 도면에 나타내는 것은 생략하지만, 띠형상으로 성형해서 폭방향으로 절단한 후, 그 길이 방향 일단 또는 양단을 권취한 유리 필름의 표리 한쪽의 면에만 표면 처리를 실시하는 경우에도 상술한 구성에 의한 표면 처리를 바람직하게 실시하는 것이 가능하다. 또한, 상술한 여러가지의 판유리에 대해서, 한쪽의 주표면(Pa)에만 한정하지 않고 다른쪽의 주표면(도 1에서 말하면 상측의 주표면(Pb))에도 표면 처리를 실시할 때에 본 발명을 적용하는 것도 가능하다.In addition, although the above description demonstrated the case where predetermined surface treatment is given to one main surface Pa of the glass substrate P cut out from strip | belt-shaped plate glass, of course, this invention is applied to either main surface of strip | belt-shaped plate glass. It is also possible to apply. That is, although it abbreviate | omits what is shown in drawing, after shape | molding in strip shape and cutting in the width direction, even when surface-treating only one surface of one side or the front and back of the glass film which wound up the longitudinal direction by the structure mentioned above, It is possible to perform surface treatment preferably. In addition, about the various plate glass mentioned above, this invention is applied when surface-treating not only to one main surface Pa but also to the other main surface (namely, the upper main surface Pb of FIG. 1). It is also possible.

Claims (12)

유리 기판이 되는 판형상 유리의 표면에 처리 가스를 공급하여 소정의 표면 처리를 실시하기 위한 표면 처리 장치를 구비한 유리 기판의 제조 장치로서,
상기 표면 처리 장치는 상기 처리 가스를 생성하는 처리 가스 생성 장치와, 상기 처리 가스를 상기 표면에 공급하는 급기로와, 상기 처리 가스에 제해 처리를 실시하는 제해 장치와, 상기 표면에 공급된 상기 처리 가스를 상기 제해 장치에 도입하는 배기로를 구비하고,
상기 급기로에 무해 가스를 도입 가능하게 하는 무해 가스 도입로가 상기 급기로에 합류하고 있는 유리 기판의 제조 장치.As a manufacturing apparatus of the glass substrate provided with the surface treatment apparatus for supplying a processing gas to the surface of plate-shaped glass used as a glass substrate, and performing a predetermined surface treatment,
The surface treatment apparatus includes a treatment gas generating device for generating the treatment gas, an air supply for supplying the treatment gas to the surface, a decontamination apparatus for decontaminating the treatment gas, and the treatment supplied to the surface. An exhaust path for introducing gas into the decontamination apparatus;
An apparatus for producing a glass substrate, in which a harmless gas introduction path allowing a harmless gas to be introduced into the air supply path joins the air supply path. 제 1 항에 있어서,
상기 무해 가스 도입로를 개폐 가능한 제 1 개폐 밸브와, 상기 합류 위치보다도 상기 급기로의 상류측에서 상기 급기로를 개폐 가능한 제 2 개폐 밸브를 더 구비한 유리 기판의 제조 장치.The method of claim 1,
And a first on-off valve capable of opening and closing the harmless gas introduction passage, and a second on-off valve capable of opening and closing the air supply passage from an upstream side to the air supply passage from the joining position. 제 1 항에 있어서,
상기 합류 위치에 설치되어, 상기 급기로 중 상기 합류 위치의 상류측으로부터 하류측을 향하는 상기 처리 가스의 흐름과, 상기 무해 가스 도입로로부터 상기 합류 위치의 하류측을 향하는 상기 무해 가스의 흐름을 스위칭 가능한 3방향 밸브를 더 구비한 유리 기판의 제조 장치.The method of claim 1,
It is provided at the said joining position, and switches the flow of the process gas toward the downstream side from the upstream of the said joining position among the said air supply, and the flow of the said harmless gas toward the downstream side of the said joining position from the said harmless gas introduction path. An apparatus for producing a glass substrate, further comprising a three-way valve capable of being used. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 합류 위치보다도 상기 급기로의 상류측에서 분기되어 상기 배기로에 상기 처리 가스를 도입 가능하게 하는 처리 가스 분기로를 더 구비한 유리 기판의 제조 장치.The method according to any one of claims 1 to 3,
The manufacturing apparatus of the glass substrate further equipped with the process gas branching path which branched from the upstream to the said air supply line rather than the said joining position, and allows the process gas to be introduced into the exhaust path. 제 4 항에 있어서,
상기 처리 가스 분기로를 개폐하는 제 3 개폐 밸브를 더 구비한 유리 기판의 제조 장치.The method of claim 4, wherein
The manufacturing apparatus of the glass substrate further equipped with the 3rd open / close valve which opens and closes the said process gas branch path. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
상기 처리 가스 분기로가 상기 배기로에 합류하는 위치보다도 상기 배기로의 상류측에 배치되어 상기 배기로의 개폐를 행하는 제 4 개폐 밸브를 더 구비한 유리 기판의 제조 장치.The method according to claim 4 or 5,
The manufacturing apparatus of the glass substrate further equipped with the 4th open / close valve which is arrange | positioned upstream of the said exhaust path rather than the position where the said process gas branching path joins the said exhaust path, and opens and closes the said exhaust path. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 무해 가스는 클린 드라이 에어인 유리 기판의 제조 장치.The method according to any one of claims 1 to 6,
The said harmless gas is a manufacturing apparatus of the glass substrate which is clean dry air. 유리 기판이 되는 판형상 유리의 표면에 처리 가스를 공급하여 소정의 표면 처리를 실시하는 표면 처리 공정과, 표면 처리 공정을 정지하고 있는 동안에 상기 표면 처리를 실시하기 위한 장치의 유지 보수를 행하는 유지 보수 공정을 구비한 유리 기판의 제조 방법으로서,
상기 표면 처리 공정에 있어서 처리 가스 생성 장치에서 생성한 상기 처리 가스를 급기로를 통해서 상기 표면에 공급함과 아울러, 상기 표면에 공급된 상기 처리 가스를 배기로를 통해서 제해 장치에 도입해서 상기 처리 가스에 제해 처리를 실시하고,
상기 유지 보수 공정에 있어서 상기 급기로를 폐쇄함과 아울러 상기 급기로를 폐쇄한 위치보다도 상기 급기로의 하류측에 무해 가스를 도입함으로써 상기 급기로를 지나가는 상기 처리 가스를 상기 무해 가스로 치환하는 유리 기판의 제조 방법.Surface treatment process which supplies a processing gas to the surface of plate-shaped glass used as a glass substrate, and performs predetermined | prescribed surface treatment, and maintenance which performs maintenance of the said apparatus for surface treatment while stopping a surface treatment process. As a manufacturing method of the glass substrate provided with a process,
In the surface treatment step, the processing gas generated by the processing gas generating device is supplied to the surface through an air supply, and the processing gas supplied to the surface is introduced into the decontamination apparatus through an exhaust path to the processing gas. Decontamination treatment,
The glass which closes the said air supply line in the said maintenance process, and introduces a harmless gas to the downstream side of the said air supply line rather than the position which closed the said air supply line, and replaces the process gas which passes through the said air supply line with the said harmless gas. Method of manufacturing a substrate. 제 8 항에 있어서,
상기 유지 보수 공정에 있어서 상기 급기로를 폐쇄한 위치보다도 상기 급기로의 상류측에서 상기 급기로로부터 분기되어 상기 배기로에 상기 처리 가스를 도입 가능하게 한 유리 기판의 제조 방법.The method of claim 8,
The manufacturing method of the glass substrate which made it possible to introduce | transmit the process gas to the said exhaust path by branching from the said air supply line upstream from the said air supply line rather than the position which closed the said air supply line in the said maintenance process. 제 9 항에 있어서,
상기 유지 보수 공정에 있어서 상기 급기로를 지나가는 상기 처리 가스를 상기 무해 가스로 치환한 후, 상기 급기로로의 상기 무해 가스의 도입을 정지함과 아울러, 상기 급기로로부터 분기되어 상기 처리 가스를 상기 배기로에 도입한 위치보다도 상기 배기로의 상류측에서 상기 배기로를 폐쇄하는 유리 기판의 제조 방법.The method of claim 9,
In the maintenance step, after replacing the process gas passing through the air supply with the harmless gas, the introduction of the harmless gas into the air supply is stopped and branched from the air supply to exhaust the process gas. The manufacturing method of the glass substrate which closes the said exhaust path from the upstream of the said exhaust path rather than the position introduce | transduced into the furnace. 제 10 항에 있어서,
상기 급기로를 개방하여 상기 급기로에 상기 처리 가스를 도입함과 아울러 상기 급기로로부터 분기된 유로를 폐쇄하고 또한 상기 배기로를 개방함으로써 상기 무해 가스를 상기 처리 가스로 치환하는 표면 처리의 재개 준비 공정을 더 구비한 유리 기판의 제조 방법.The method of claim 10,
By opening the air supply passage, introducing the processing gas into the air supply passage, closing the flow path branched from the air supply passage, and opening the exhaust passage, preparing to resume the surface treatment of replacing the harmless gas with the processing gas. The manufacturing method of the glass substrate further equipped with a process. 제 9 항에 있어서,
상기 유지 보수 공정에 있어서 상기 처리 가스 생성 장치에 의한 상기 처리 가스의 생성을 정지함과 아울러,
상기 처리 가스의 원료가 되는 가스의 상기 처리 가스 생성 장치로의 공급을 정지하고, 상기 처리 가스에 포함되는 캐리어 가스의 상기 처리 가스 생성 장치로의 공급을 계속해서 행하는 유리 기판의 제조 방법.The method of claim 9,
In the maintenance step, the generation of the processing gas by the processing gas generating device is stopped,
The manufacturing method of the glass substrate which stops supply of the gas used as a raw material of the said process gas to the said process gas generation apparatus, and continues supplying the carrier gas contained in the said process gas to the said process gas generation apparatus.
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