KR102405147B1 - 합성 석영 유리 리드 및 광학 소자용 패키지 - Google Patents
합성 석영 유리 리드 및 광학 소자용 패키지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102405147B1 KR102405147B1 KR1020170096643A KR20170096643A KR102405147B1 KR 102405147 B1 KR102405147 B1 KR 102405147B1 KR 1020170096643 A KR1020170096643 A KR 1020170096643A KR 20170096643 A KR20170096643 A KR 20170096643A KR 102405147 B1 KR102405147 B1 KR 102405147B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- synthetic quartz
- quartz glass
- adhesive
- optical element
- package
- Prior art date
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 75
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 59
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 53
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 claims abstract description 33
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 10
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 10
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 2
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 2
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006750 UV protection Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000005499 meniscus Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
- C03C27/06—Joining glass to glass by processes other than fusing
- C03C27/08—Joining glass to glass by processes other than fusing with the aid of intervening metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D1/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C45/00—Amorphous alloys
- C22C45/003—Amorphous alloys with one or more of the noble metals as major constituent
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
Abstract
합성 석영 유리를 포함하는 창재 주표면의 외주연부에 접착제를 갖는 합성 석영 유리 리드이며, 상기 접착제가 텔루륨 및 은을 포함하고, 또한 텅스텐, 바나듐, 인, 바륨 및 지르코늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 저융점 금속 유리인 합성 석영 유리 리드.
본 발명에 따르면, 종래 사용되어 온 유기계 접착제에 보이는 단파장의 광에 의한 균열이나 박리, 혹은 금 주석계 등의 치밀한 금속 결정 구조를 갖는 금속계 접착제의 약점인 이종 재료 접합 시의 응력의 문제를 해결하는 것이 가능해진다. 또한, 본 합성 석영 유리 리드를 이용한 광학 소자용 패키지는, 다가올 수은 램프 대체의 광학 소자 등장 시에, 패키징재로서 유효한 것이 된다.
본 발명에 따르면, 종래 사용되어 온 유기계 접착제에 보이는 단파장의 광에 의한 균열이나 박리, 혹은 금 주석계 등의 치밀한 금속 결정 구조를 갖는 금속계 접착제의 약점인 이종 재료 접합 시의 응력의 문제를 해결하는 것이 가능해진다. 또한, 본 합성 석영 유리 리드를 이용한 광학 소자용 패키지는, 다가올 수은 램프 대체의 광학 소자 등장 시에, 패키징재로서 유효한 것이 된다.
Description
본 발명은 합성 석영 유리 리드, 예를 들어 UV-LED, 단파장의 출력이 강한 레이저 광원 등, 특히 자외선 영역의 광원을 밀봉할 때에 사용되는 합성 석영 유리를 사용한 합성 석영 유리 리드, 및 합성 석영 유리 리드를 사용한 광학 소자용 패키지에 관한 것이다.
수은 램프의 규제에 수반하여, 대체로서 짧은 파장, 특히 자외선 영역의 광을 낼 수 있는 UV-LED가 주목받고 있다. LED는 임의의 파장을 취출할 수 있고, 용도에 따른 파장의 LED가 개발되고 있다. 예를 들어, UV 영역인 265㎚의 파장은, 살균에 유효한 파장인 것이 알려져 있어, 265㎚의 파장의 광을 내는 UV-LED가 살균 용도로서 개발되고 있다. 그러나, 265㎚의 광학 소자가 안정적으로 공급되었다고 해도, 광학 소자를 패키징 없이 사용하기는 어렵고, UV-LED로부터의 광의 취출 효율을 가능한 한 높여서 패키징할 것이 요구되고 있다.
LED를 포함하여, 적외 영역 등의 장파장의 광을 내는 광학 소자를 패키징할 때에는, 창재와 광학 소자가 배치되어 있는 수용체를 접합하는 접착제가 필요하다. 접착제의 종류로서는, 에폭시 수지계나 아크릴 수지계 등의 유기계 접착제, 유리 프릿 등을 들 수 있다.
예를 들어, 일본 특허 공표 제2015-505792호 공보(특허문헌 1)에는, 태양 전지의 밀봉, 유기 LED 패키지 등을 목적으로 하고, 융점이 300℃ 정도인 강화 유리를 기재로 하고, 유리 프릿과 마이크로파 커플링제를 혼합한 페이스트를 접착제로서 사용한 무기 기재의 실링에 대해 제안되어 있다. 이 방법을 사용하면, 창재로서 사용하고 있는 강화 유리의 강도를 떨어뜨리지 않고, 마이크로파를 접착제 부분에 조사하여 기재끼리를 접착할 수 있다.
또한, 일본 특허 공개 제2008-219854호 공보(특허문헌 2)에는, 마이크로 렌즈를 접착시킬 때, 자외선 경화형 아크릴계 액상 수지 혹은 열경화성 수지를 접착제로서 사용하는 것이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2015-149533호 공보(특허문헌 3)에는, 베이스 기판 및 리드의 선 열팽창 계수에 더 가까운 선 열팽창 계수를 갖는 바나듐계의 저융점 유리를 접착제로 사용하여, 전자 디바이스를 패키징하는 방법이 기재되어 있다. 이 방법을 사용하면, 기밀성이 높은 패키징을 행할 수 있다.
그러나, 특허문헌 1은, 강화 유리의 강도의 관점에서 사용할 수 있는 온도가300℃까지로 제약되고 있어, 파장이 짧은 발열하기 쉬운 광원에 대해 장시간 사용하기는 어렵다. 또한, 유리 프릿은 순수한 SiO2 유리 성분만으로 구성되어 있는 것이 아니고, 단파장의 광이 갖는 에너지에 의한 손상이 내UV성을 낮추어, 단파장 영역에서는 사용하기 어렵다.
또한, 특허문헌 2는, 자외선으로 경화시키는 접착제를 사용하고 있지만, 자외선 경화형 접착제여도, 자외선을 계속하여 쬐면 접착제를 구성하고 있는 수지의 내부의 가교가 너무 증가해서, 접착제가 물러진다.
특허문헌 3에서는, 치밀한 결정 구조를 갖는 소재이며, 또한 열팽창 계수가 다른 기재를 접합하면, 적지 않게 응력이 발생하고, 장시간 사용하면 금속 결정 구조 내에 있어서의 결함이나 금속 입계에 의해 시일이 붕괴되는 것이 추정된다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 단파장, 특히 280㎚ 이하의 파장 영역의 광학 소자에 대해 장기간 안정적이고, 이종 재료 접합 시의 응력의 문제 해결이 가능한 합성 석영 유리 리드 및 광학 소자용 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위하여, 합성 석영 유리 상에 도포하는 접착제로서 텔루륨 및 은을 필수의 금속 원소로 하고, 이 2종류의 금속 원소를 포함하는 3종류 이상의 금속 원소로 구성된, 무질서한 결정 구조를 구성하고 있는 합금을 사용하는 것에 착안했다. 이 저융점 금속 유리를 사용함으로써, 다른 열팽창 계수를 갖는 기재를 접합했을 때의 응력을 무질서한 결정 구조가 흡수하고, 장기간 안정적으로 광학 소자를 시일하는 패키지를 공급할 수 있는 것을 알아내었다.
이 경우, 단파장(300㎚ 이하), 특히 280㎚ 이하의 파장을 안정적으로 투과할 수 있는 창재로서 합성 석영 유리를 사용함으로써 자외선을 취출할 수 있다. 또한, 자외선에 대해 내성이 높은 물질이며, 또한 다른 선 열팽창 계수를 갖는 합성 석영 유리에서 발생하는 응력을 흡수할 수 있는 결정 구조를 갖는 저융점 금속 유리를 접착제로서 사용하는 것, 특히 해당 저융점 금속 유리를 접착제로서 사용한 합성 석영 유리 리드에 의해, 단파장의 광학 소자에 대해 장기간 안정된 패키지가 된다. 그리고, 접착제 중에 다양한 산화수를 취할 수 있으며, 또한 원자의 크기가 큰 특징을 갖는 텔루륨, 또한 큰 연성을 갖는 은을 사용함으로써, 장시간의 사용이 가능하게 된다.
따라서, 본 발명은 하기의 합성 석영 유리 리드 및 광학 소자용 패키지를 제공한다.
〔1〕
합성 석영 유리를 포함하는 창재의 주표면의 외주연부에 접착제를 갖는 합성 석영 유리 리드이며, 상기 접착제가 텔루륨 및 은을 포함하고, 또한 텅스텐, 바나듐, 인, 바륨 및 지르코늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 저융점 금속 유리인 것을 특징으로 하는 합성 석영 유리 리드.
〔2〕
상기 저융점 금속 유리 중에 있어서의 텔루륨 및 은의 비율이 50 내지 70질량％인 〔1〕에 기재된 합성 석영 유리 리드
〔3〕
상기 저융점 금속 유리의 유리 전이 온도가 100 내지 450℃인 〔1〕또는 〔2〕에 기재된 합성 석영 유리 리드.
〔4〕
상기 창재는, 판상, 요철 형상을 갖는 구면상 또는 요철 형상을 갖는 비구면상 중 어느 것인 〔1〕 내지 〔3〕 중 어느 것에 기재된 합성 석영 유리 리드.
〔5〕
상기 창재의 두께가 0.1 내지 5㎜인 〔1〕 내지 〔4〕중 어느 것에 기재된 합성 석영 유리 리드.
〔6〕
광학 소자가 수용되어 있는 상자 형상의 수용체에, 해당 수용체의 상단 개방부를 덮는 〔1〕 내지 〔5〕중 어느 것에 기재된 합성 석영 유리 리드의 상기 창재를 상기 접착제에 의해 접합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광학 소자용 패키지.
〔7〕
상기 광학 소자가 300㎚ 이하의 파장의 광을 발광 가능한 소자인 〔6〕에 기재된 광학 소자용 패키지.
본 발명에 따르면, 종래 사용되어 온 유기계 접착제에 보이는 단파장의 광에 의한 균열이나 박리, 혹은 금 주석계 등의 치밀한 금속 결정 구조를 갖는 금속계 접착제의 약점인 이종 재료 접합 시의 응력의 문제를 해결하는 것이 가능해진다. 또한, 본 합성 석영 유리 리드를 사용한 광학 소자용 패키지는, 다가올 수은 램프 대체의 광학 소자 등장 시에, 패키징재로서 유효한 것이 된다.
도 1은 본 발명에 있어서의 광학 소자용 패키지의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명에 있어서의 합성 석영 유리 리드의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명에 있어서의 합성 석영 유리 리드의 일례를 나타내는 평면도이다.
이하, 본 발명에 대해 상세하게 설명한다.
본 발명의 광학 소자용 패키지는, 도 1에 도시한 바와 같이, 예를 들어 사각 상자 형상으로 형성된 수용체(1) 저부 중앙부에 단차(2)를 설치하고, 그 중앙부에 광학 소자(3)가 배치되어 있다.
LED에서 보이는 바와 같이, 광학 소자에서 생성되는 열이 패키징 내에 들어가서 고온 상태가 되면, 광학 소자의 발광 효율의 퍼포먼스가 저하된다. 따라서, 고출력을 목표로 삼고 있는 광학 소자용 패키지에서의 수용체는, 방열성이 좋은 알루미나계 세라믹스, 질화 알루미나계 세라믹스 또는 그들에 금이나 구리 등의 금속 도금을 한 것이 바람직하다.
본 발명의 광학 소자용 패키지는, 합성 석영 유리를 포함하는 창재(4)의 주표면의 외주연부에 접착제(5)를 갖는 합성 석영 유리 리드(6)가, 상기 수용체(1)의 상단 개방부를 덮으며 배치되어, 해당 창재(4)가, 수용체(1)의 상단부면(프레임부)에 접착제(5)를 통하여 접합되어 있는 것이다.
창재가 되는 합성 석영 유리의 형상은, 판상, 요철 형상을 갖는 구면상, 요철 형상을 갖는 비구면상 중 어느 것일 수도 있다. 광학 소자가 배치되어 있는 수용체를 단순하게 밀봉할 목적이면, 비용면 및 취급의 편의성의 관점에서, 판상인 것이 바람직하다. 한편, 광학 소자에서 발해지는 광을 효율적으로 취출하려고 하는 경우에는, 광학 계산에 기초하여 설계된 요철 형상을 갖는 단순한 평 볼록 렌즈 형상, 평 오목 렌즈 형상, 볼록 메니스커스 렌즈 형상 등의 구면상이나 비구면상인 것이 바람직하다. 창재의 두께는, 창재의 외측, 즉, 광학 소자용 패키지 외측과의 압력(기압 또는 수압) 차에 의해, 적절히 선택할 수 있고, 강도의 관점에서, 0.1㎜ 이상, 특히 0.2㎜ 이상이고, 5㎜ 이하, 특히 4㎜ 이하인 것이 바람직하다.
또한, 접착제로서는 저융점 금속 유리를 사용하고, 도 2에 도시한 바와 같이 창재(4)의 프레임부에 폭 300 내지 500㎛, 높이(두께) 30 내지 100㎛로 도포하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 소재가 다른, 창재(합성 석영 유리)와 수용체의 접합에 있어서 생기는 응력의 흡수 및 저파장의 광에 의한 구조의 파괴를 저감시켜, 장기에 걸쳐 안정적인 광학 소자용 패키지가 된다. 본 발명에 있어서, 창재인 합성 석영 유리에 도포되는 접착제로서 사용되는 저융점 금속 유리는, 적어도 텔루륨 및 은을 포함하고, 또한 텅스텐, 바나듐, 인, 바륨 및 지르코늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함한다.
합성 석영 유리는, SiO2를 포함하는 비정질이다. 합성 석영 유리를 이용한 창재를 제작할 때, 접착제로서 결정 구조가 규칙적인 단독의 금속 원자나 2종류의 금속 원자를 포함하는 합금을 선택하면, 합성 석영 유리의 표면과의 계면에 있어서 밀착성이 나빠진다. 이것은, 패키징으로서 사용하는 경우에, 내수성이나 외부로부터의 충격에 대한 안정성이 낮은 것을 시사하고 있어, 패키징의 붕괴로 이어진다.
여기서, 본 발명의 저융점 금속 유리는, 금속을 주성분으로 하면서도 결정 구조를 갖지 않고, 3종류 이상의 금속 원자가 무질서하게 모여서 굳어져 있는 금속이기 때문에, 금속 유리가 갖는 나노 레벨의 무질서 원자 배열이 합성 석영 유리의 표면에 유연성을 갖고 밀착되는 것으로 생각된다. 따라서, 합성 석영 유리와 접착제 사이에 견고한 결합을 만들어 낼 수 있고, 내수성이나 외부로부터의 충격에 대해 강해질 수 있다.
접착제에 대해, 밀착성의 관점에서 생각하면, 합성 석영 유리의 SiO2와 접착제가 가상적으로 공유 결합을 만들 수 있는 금속 원소가 바람직하다. 또한, 저융점 금속 유리의 결정 구조의 나노 레벨의 무질서 원자 배열에 의한 유연성을 생각하면, 금속 유리를 구성하는 각각의 금속 원자의 반경에 차가 있는 것이 바람직하다. 나노 레벨의 무질서 원자 배열의 결정 구조를 갖는 저융점 금속 유리를 사용하면, 결정 구조 내에서의 원자를 조금 이동할 수 있기 때문에, 합성 석영 유리와 수용체의 접합에서 생기는 응력을 접착제 부분에서 흡수할 수 있다. 이 두 조건을 만족시킬 수 있는 금속 원소로서 입수의 용이함까지 생각하면, 본 발명에 사용되는 금속 유리를 구성하는 필수 원소로서, 안정적으로 +4가의 산화수를 취할 수 있고, 원자의 크기가 큰 텔루륨이 필수 원소 중 하나가 된다.
또한, 창재인 합성 석영 유리와 수용체를, 접착제를 통하여 접합시킬 때, 접착제가 늘어나면 접착층에 있어서의 조밀한 구조를 만들 수 있다. 이 때, 금속 유리 중에 은을 섞어 두면, 은이 갖는 큰 연성에 의해 접착제로서의 저융점 금속 유리가, 하중이나 열 등의 접합 조건에 의해 임의의 접착 폭을 형성하는 것이 가능해진다. 접착 폭을 제어함으로써, 창재의 창 유효 부분의 크기를 자유롭게 변화시킬 수 있어, 취출하고자 하는 광의 출력을 제어할 수 있다.
합성 석영 유리에 대한 밀착ㆍ접착성, 다른 소재인 합성 석영 유리와 수용체의 접합에서 생기는 응력의 흡수 및 완화, 접착제의 연신을 종합적으로 고려하면, 금속 유리 중에 있어서의 텔루륨 및 은의 합계량의 비율은, 바람직하게는 50 내지 70질량％, 더욱 바람직하게는 55 내지 70질량％, 특히 바람직하게는 55 내지 65질량％이다. 이 때, 이 두 성분 중의 합계량 중에서의 텔루륨과 은의 비율(텔루륨:은)은, 금속 유리의 유연성을 고려하면, 질량비로서 1:1 내지 3:1인 것이 바람직하다.
또한, 금속 유리의 결정 구조 내에서 유연성을 갖게 하기 위하여, 상기 텔루륨 및 은은 원자의 크기가 크게 다른 원소를 저융점 금속 유리에 혼합하는 것이 바람직하다. 열적 특성, 방사성 등의 관점으로부터 감안하면, 텅스텐, 바나듐, 인, 바륨 및 지르코늄으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 것이 바람직하다. 이들 금속의 함유량은, 텔루륨 및 은의 함유량의 잔부이지만, 이들 중에서 지르코늄이 바람직하고, 지르코늄을 10 내지 30질량％ 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 텅스텐은 0 내지 15질량％, 특히 5 내지 10질량％, 바나듐은 0 내지 30질량％, 특히 5 내지 20질량％, 인은 0 내지 15질량％, 특히 1 내지 10질량％, 바륨은 0 내지 15질량％, 특히 1 내지 10질량％가 바람직하다.
접착제로서 사용되는 금속 유리의 유리 전이 온도, 즉 접착제로서의 효능이 얻어지는 온도는, 저융점 금속 유리의 유동성 및 광학 소자의 내열성의 관점에서, 바람직하게는 100 내지 450℃, 더 바람직하게는 150 내지 400℃, 더욱 바람직하게는 200 내지 400℃이다.
창재의 합성 석영 유리에 접착제인 저융점 금속 유리를 스크린 인쇄, 디스펜스, 스탬핑 등의 방법에 의해 도포할 수 있지만, 합성 석영 유리의 형상이 판상인 경우에는, 스크린 인쇄에 의해 고정밀도로 대량 생산할 수 있고, 요철 형상을 갖는 구면상이나 요철 형상을 갖는 비구면상인 경우에는, 스탬핑에 의해 접착제를 도포할 수 있다.
본 발명에 적용되는 광학 소자는, 300㎚ 이하의 파장의 광을 발광 가능한 소자이다. 300㎚ 이하의 파장 광을 발광 가능한 소자의 예로서는, UV-LED, ArF 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저, YAG FHG 레이저 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서의 패키지의 제조 방법으로서는, 합성 석영 유리의 주표면의 외주연부에, 접착제를 갖는 합성 석영 유리 리드를 사용하고, 창재인 합성 석영 유리와, 광학 소자가 배치된 수용체를 접합하는 방법이 일반적이다. 또한, 패키지는, 본 발명의 접착제인 저융점 금속 유리를 사용하고, 접착제를 광학 소자가 배치된 수용체측에 도포하여, 창재인 합성 석영 유리를 접합시키는 방법에 의해 제조하는 것도 가능하다.
[실시예]
이하, 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 하기의 실시예에 제한되는 것은 아니다.
[실시예 1]
슬라이스된 합성 석영 유리 웨이퍼 기판(6인치φ, 두께 0.2㎜)을, 유성 운동을 행하는 양면 래핑기로 래핑한 후, 유성 운동을 행하는 양면 폴리싱기에서 조(粗)연마를 행하여, 원료 기판으로 했다. 연마 가공된 웨이퍼 기판을 한 변이 3.5mm인 정사각형으로 다이싱 커트했다. 텔루륨 45 질량％, 은 25질량％, 지르코늄 30질량％를 포함하는 합금을 포함하는 저융점 금속 유리(유리 전이 온도 300℃)를 스크린 인쇄로 합성 석영 유리 웨이퍼 기판(창재) 상에 도포했다. 도포는, 선 폭 400㎛, 막 두께 50 내지 70㎛가 되도록 도포하고, 저융점 금속 유리가 반경화인 상태로 하여 합성 석영 유리 리드를 제작했다. 파장 265㎚의 광을 낼 수 있는 LED 발광 소자가 설치된 알루미나계 세라믹스의 수용체에 대해, 상기의 합성 석영 유리 리드를 390℃에서 무게 2kg/㎠의 하중을 가하면서 60분간 가압함으로써, 수용체와 창재의 접합을 행하여, 광학 소자용 패키지를 제작했다.
제작된 광학 소자용 패키지를 사용하여, 파장 265㎚의 광을 3,000시간 이상 발광시킨 결과, 알루미나계 세라믹스 또는 합성 석영 유리의 응력에 의한 접착제 부분의 박리는 없고, 또한 265㎚의 단파장에 의한 저융점 금속 유리의 손상도 보이지 않아, 단파장용의 광학 소자용 패키지로서 충분한 기능을 나타냈다.
[실시예 2]
슬라이스된 합성 석영 유리 웨이퍼 기판(6인치φ, 두께 0.3㎜)을, 유성 운동을 행하는 양면 래핑기로 래핑한 후, 유성 운동을 행하는 양면 폴리싱기에서 조연마를 행하여, 원료 기판으로 했다. 연마 가공된 웨이퍼 기판을 한 변이 4.0mm인 정사각형으로 다이싱 커트했다. 텔루륨 36질량％, 은 26질량％, 인 3질량％, 바륨 10질량％, 텅스텐 10질량％, 지르코늄 15질량％를 포함하는 합금을 포함하는 저융점 금속 유리(유리 전이 온도 350℃)를 스크린 인쇄로 합성 석영 유리 웨이퍼 기판(창재) 상에 도포했다. 도포는, 선 폭 300㎛, 막 두께 30 내지 50㎛가 되도록 도포하고, 저융점 금속 유리가 반경화인 상태로 하여 합성 석영 유리 리드를 제작했다. 파장 280㎚의 광을 낼 수 있는 LED 발광 소자가 설치된 질화 알루미나계 세라믹스의 수용체에 대해, 상기의 합성 석영 유리 리드를 330℃에서 무게 1kg/㎠의 하중을 가하면서 25분간 가압함으로써, 수용체와 창재의 접합을 행하여, 광학 소자용 패키지를 제작했다.
제작된 광학 소자용 패키지를 사용하여, 파장 280㎚의 광을 3,000시간 이상 발광시킨 결과, 질화 알루미나계 세라믹스 또는 합성 석영 유리의 응력에 의한 접착제 부분의 박리는 없고, 또한 280㎚의 단파장에 의한 저융점 금속 유리의 손상도 보이지 않아, 단파장용의 광학 소자용 패키지로서 충분한 기능을 나타냈다.
[비교예 1]
실시예 1과 같은 한 변이 3.5mm인 정사각형으로 다이싱 커트된 합성 석영 유리 기판(창재) 상에, 아크릴 수지계의 자외선 경화형 수지의 접착제 UVX-8400(덴키 가가꾸 고교(주)제)을 디스펜서로 실시예 1과 마찬가지로 도포를 행하고, 접착제가 반경화인 상태로 하여 합성 석영 유리 리드를 제작했다. 파장 265㎚의 광을 낼 수 있는 LED 발광 소자가 설치된 알루미나계 세라믹스의 수용체에 대해, 상기의 합성 석영 유리 리드를 150℃에서 무게 1kg/㎠의 하중을 가하면서 30분간 가압함으로써, 수용체와 창재의 접합을 행하여, 광학 소자용 패키지를 제작했다.
제작된 광학 소자용 패키지를 사용하여, 265㎚의 파장의 광을 350시간 발광시킨 결과, 접착제 부분이 박리되고, 합성 석영 유리와 알루미나계 세라믹스의 수용체가 분리되었다. 박리된 접착제 부분을 관찰하면, 단파장에 의해 구조 내에 가교가 증가했다고 추정되는 접착제의 균열이 보였다.
[비교예 2]
실시예 1과 같은 한 변이 3.5mm인 정사각형으로 다이싱 커트된 합성 석영 유리 기판(창재) 상에, 금 주석 합금 페이스트 Au-20Sn(미쯔비시 마테리알(주)제)을 스크린 인쇄로 실시예 1과 마찬가지로 도포를 행하여, 접착제가 부착된 합성 석영 유리 리드를 제작했다. 파장 280㎚의 광을 낼 수 있는 LED 발광 소자가 설치된 알루미나계 세라믹스의 수용체에 대해, 상기의 합성 석영 유리 리드를 280℃에서 무게 1kg/㎠의 하중을 가하면서 20분간 가압함으로써, 수용체와 창재의 접합을 행하여, 광학 소자용 패키지를 제작했다.
제작된 광학 소자용 패키지를 사용하여, 280㎚의 파장의 광을 500시간 발광시킨 결과, 접착제 부분이 박리되어, 합성 석영 유리와 알루미나계 세라믹스가 분리되었다.
1: 수용체
2: 단차
3: 광학 소자
4: 창재
5: 접착제
6: 합성 석영 유리 리드
2: 단차
3: 광학 소자
4: 창재
5: 접착제
6: 합성 석영 유리 리드
Claims (7)
- 합성 석영 유리를 포함하는 창재의 주표면의 외주연부에 접착제를 갖는 합성 석영 유리 리드이며, 상기 접착제가 텔루륨 및 은을 포함하고, 또한 텅스텐, 인, 바륨 및 지르코늄으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 저융점 금속 유리인 것을 특징으로 하는 합성 석영 유리 리드.
- 제1항에 있어서, 상기 저융점 금속 유리 중에 있어서의 텔루륨 및 은의 비율이 50 내지 70질량％인, 합성 석영 유리 리드.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 저융점 금속 유리의 유리 전이 온도가 100 내지 450℃인, 합성 석영 유리 리드.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 창재는, 판상, 요철 형상을 갖는 구면상 또는 요철 형상을 갖는 비구면상 중 어느 것인, 합성 석영 유리 리드.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 창재의 두께가 0.1 내지 5㎜인, 합성 석영 유리 리드.
- 광학 소자가 수용되어 있는 상자 형상의 수용체에, 해당 수용체의 상단 개방부를 덮는 제1항 또는 제2항에 기재된 합성 석영 유리 리드의 상기 창재를 상기 접착제에 의해 접합하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 광학 소자용 패키지.
- 제6항에 있어서, 상기 광학 소자가 300㎚ 이하의 파장의 광을 발광 가능한 소자인, 광학 소자용 패키지.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016152495 | 2016-08-03 | ||
| JPJP-P-2016-152495 | 2016-08-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180015580A KR20180015580A (ko) | 2018-02-13 |
| KR102405147B1 true KR102405147B1 (ko) | 2022-06-07 |
Family
ID=59569130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020170096643A KR102405147B1 (ko) | 2016-08-03 | 2017-07-31 | 합성 석영 유리 리드 및 광학 소자용 패키지 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10756239B2 (ko) |
| EP (1) | EP3281923B1 (ko) |
| JP (1) | JP6690607B2 (ko) |
| KR (1) | KR102405147B1 (ko) |
| CN (1) | CN107689411B (ko) |
| TW (1) | TWI734815B (ko) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3599414A1 (en) * | 2018-07-23 | 2020-01-29 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Synthetic quartz glass cavity member, synthetic quartz glass cavity lid, optical device package, and making methods |
| JP7168903B2 (ja) * | 2018-09-06 | 2022-11-10 | 日本電気硝子株式会社 | 気密パッケージ |
| JP6879512B2 (ja) | 2018-09-20 | 2021-06-02 | 協立化学産業株式会社 | 封止用組成物 |
| JP2021012961A (ja) * | 2019-07-08 | 2021-02-04 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置、および、その製造方法 |
| CN110808321A (zh) * | 2019-10-12 | 2020-02-18 | 深圳市柔升科技有限公司 | 紫外光led封装结构 |
| DE102020117186A1 (de) | 2020-06-30 | 2021-12-30 | Schott Ag | Gehäustes optoelektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110114954A1 (en) | 2009-11-19 | 2011-05-19 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus |
| JP2012146707A (ja) | 2011-01-06 | 2012-08-02 | Tohoku Univ | パッケージ及びその製造方法 |
| US20150279700A1 (en) * | 2012-11-09 | 2015-10-01 | Hitachi, Ltd. | Bonded Structure and Production Method Therefor |
| JP2016050136A (ja) | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 日立化成株式会社 | 無鉛低融点ガラス組成物並びにこれを含む低温封止用ガラスフリット、低温封止用ガラスペースト、導電性材料及び導電性ガラスペースト並びにこれらを利用したガラス封止部品及び電気電子部品 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3369159A (en) * | 1964-12-21 | 1968-02-13 | Texas Instruments Inc | Printed transistors and methods of making same |
| JPS5683050A (en) * | 1979-12-12 | 1981-07-07 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| EP1434281A3 (en) * | 2002-12-26 | 2007-10-24 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Manufacturing method of thin-film transistor, thin-film transistor sheet, and electric circuit |
| JP2005109289A (ja) * | 2003-10-01 | 2005-04-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| US7837009B2 (en) * | 2005-04-01 | 2010-11-23 | Buckeye Technologies Inc. | Nonwoven material for acoustic insulation, and process for manufacture |
| US20070207284A1 (en) * | 2006-03-02 | 2007-09-06 | Mcclintic Shawn A | Barrier article and method |
| JP2007317807A (ja) * | 2006-05-24 | 2007-12-06 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光装置およびその製造方法 |
| WO2008038924A1 (en) * | 2006-09-28 | 2008-04-03 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Ultraviolet light emitting diode package |
| US8013350B2 (en) | 2007-02-05 | 2011-09-06 | Panasonic Corporation | Optical device and method for manufacturing optical device, and camera module and endoscope module equipped with optical device |
| JP2008219854A (ja) | 2007-02-05 | 2008-09-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学デバイス，光学デバイスウエハおよびそれらの製造方法、ならびに光学デバイスを搭載したカメラモジュールおよび内視鏡モジュール |
| JP2008238233A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | 非鉛系の合金接合材、接合方法および接合体 |
| JP5176492B2 (ja) * | 2007-11-06 | 2013-04-03 | 住友金属鉱山株式会社 | 近赤外線吸収粘着体、プラズマディスプレイパネル用近赤外線吸収フィルターおよびプラズマディスプレイパネル |
| JP5243806B2 (ja) * | 2008-01-28 | 2013-07-24 | パナソニック株式会社 | 紫外光発光装置 |
| JP2015505792A (ja) | 2011-11-02 | 2015-02-26 | フエロ コーポレーション | 低融点ガラス系を用いた無機基材のマイクロ波シーリング |
| JP5947238B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2016-07-06 | 株式会社日立製作所 | ペースト、アルミニウム電線体、アルミニウム電線体の製造方法、モータ及びモータの製造方法 |
| JP2014236202A (ja) * | 2013-06-05 | 2014-12-15 | 旭硝子株式会社 | 発光装置 |
| KR101590227B1 (ko) * | 2013-06-05 | 2016-01-29 | 제일모직주식회사 | 태양전지 전극 형성용 조성물 및 이로부터 제조된 전극 |
| JP2015018872A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 日機装株式会社 | 窓部材、半導体モジュールおよび窓部材の製造方法 |
| EP3078643A4 (en) * | 2013-12-04 | 2017-07-26 | Hitachi, Ltd. | Sealed structure, multi-layer heat-insulating glass and glass container |
| JP6213271B2 (ja) * | 2014-01-31 | 2017-10-18 | 住友化学株式会社 | Ｕｖ−ｌｅｄ用ポリシルセスキオキサン系封止材組成物及びそのためのアセチルアセトネート系触媒の使用 |
| JP6343947B2 (ja) * | 2014-01-31 | 2018-06-20 | 住友化学株式会社 | Ｕｖ−ｌｅｄ用ポリシルセスキオキサン系封止材組成物及びそのための金属アルコキシドの使用 |
| JP6213270B2 (ja) * | 2014-01-31 | 2017-10-18 | 住友化学株式会社 | Ｕｖ−ｌｅｄ用ポリシルセスキオキサン系封止材組成物及びそのための溶媒の使用 |
| JP2015149533A (ja) | 2014-02-05 | 2015-08-20 | セイコーエプソン株式会社 | パッケージの製造方法、電子デバイスの製造方法および電子デバイス |
| KR102252156B1 (ko) * | 2014-07-08 | 2021-05-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| JP6350126B2 (ja) * | 2014-08-29 | 2018-07-04 | 日立化成株式会社 | 無鉛低融点ガラス組成物並びにこれを含む低温封止用ガラスフリット、低温封止用ガラスペースト、導電性材料及び導電性ガラスペースト並びにこれらを利用したガラス封止部品及び電気電子部品 |
| JP6666723B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2020-03-18 | Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 | 銀被覆テルル粉及びその製造方法、並びに導電性ペースト |
| CN104979035B (zh) * | 2015-06-26 | 2017-05-03 | 武汉优乐光电科技有限公司 | 一种无铅复合玻璃粘结剂太阳能电池正银浆料 |
| US9564569B1 (en) * | 2015-07-10 | 2017-02-07 | Maxim Integrated Products, Inc. | Hermetic solution for thermal and optical sensor-in-package |
| CN205319182U (zh) * | 2015-11-18 | 2016-06-15 | 佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心 | 一种紫外led器件 |
| CN105428472A (zh) * | 2015-11-18 | 2016-03-23 | 佛山市南海区联合广东新光源产业创新中心 | 一种紫外led器件的制造方法 |
| US20190019911A1 (en) * | 2015-11-24 | 2019-01-17 | PLANT PV, Inc. | Multi-layer metal film stacks for shingled silicon solar cell arrays |
-
2017
- 2017-07-18 JP JP2017138898A patent/JP6690607B2/ja active Active
- 2017-07-27 TW TW106125223A patent/TWI734815B/zh active
- 2017-07-28 EP EP17183748.7A patent/EP3281923B1/en active Active
- 2017-07-31 KR KR1020170096643A patent/KR102405147B1/ko active IP Right Grant
- 2017-08-02 US US15/666,896 patent/US10756239B2/en active Active
- 2017-08-03 CN CN201710653709.5A patent/CN107689411B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110114954A1 (en) | 2009-11-19 | 2011-05-19 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus |
| JP2012146707A (ja) | 2011-01-06 | 2012-08-02 | Tohoku Univ | パッケージ及びその製造方法 |
| US20150279700A1 (en) * | 2012-11-09 | 2015-10-01 | Hitachi, Ltd. | Bonded Structure and Production Method Therefor |
| JP2016050136A (ja) | 2014-08-29 | 2016-04-11 | 日立化成株式会社 | 無鉛低融点ガラス組成物並びにこれを含む低温封止用ガラスフリット、低温封止用ガラスペースト、導電性材料及び導電性ガラスペースト並びにこれらを利用したガラス封止部品及び電気電子部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107689411A (zh) | 2018-02-13 |
| JP6690607B2 (ja) | 2020-04-28 |
| TWI734815B (zh) | 2021-08-01 |
| TW201823176A (zh) | 2018-07-01 |
| KR20180015580A (ko) | 2018-02-13 |
| US20180040777A1 (en) | 2018-02-08 |
| JP2018026548A (ja) | 2018-02-15 |
| EP3281923B1 (en) | 2019-05-15 |
| EP3281923A1 (en) | 2018-02-14 |
| CN107689411B (zh) | 2022-09-09 |
| US10756239B2 (en) | 2020-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102405147B1 (ko) | 합성 석영 유리 리드 및 광학 소자용 패키지 | |
| US9831399B2 (en) | Light emitting component | |
| JP4837045B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
| KR101596001B1 (ko) | 변환되지 않은 광의 방출이 감소된 파장 변환형 발광 다이오드 | |
| EP3001466B1 (en) | Light-emitting module | |
| US20180237337A1 (en) | Sealed devices and methods for making the same | |
| KR20180111539A (ko) | 발광 장치의 제조 방법 | |
| US10903266B2 (en) | Ultra-smooth sidewall pixelated array LEDs | |
| CN110752188A (zh) | 合成石英玻璃空腔件、合成石英玻璃空腔盖、光学装置封装体和制造方法 | |
| KR102421332B1 (ko) | 합성 석영 유리 리드용 기재 및 합성 석영 유리 리드, 그리고 그것들의 제조 방법 | |
| JP6220461B2 (ja) | オプトエレクトロニクス部品、オプトエレクトロニクス装置、光学要素の製造方法、およびオプトエレクトロニクス部品の製造方法 | |
| JP6557970B2 (ja) | 発光装置 | |
| EP4180856A1 (en) | Window material for optical element, lid for optical element package, optical element package, and optical device | |
| JP5825376B2 (ja) | 発光装置 | |
| EA014889B1 (ru) | Способ припаивания электронных компонентов | |
| JP2019176192A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |