KR102399773B1 - 수집 장치를 구비한 열처리 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 복수의 기판들(10)을 수용할 수 있는 챔버(2), 상기 챔버(2)의 원위 부분에 있는 가스 유입 경로(5), 및 상기 챔버(2)의 근위 부분에 있는 열처리 동안에 생성되는 휘발성 물질 및 가스를 위한 유출 경로(6)를 포함한다. 상기 열처리 시스템(100)은 상기 유출 경로(6)와 연통하는 격실을 규정하는 상기 챔버(2)의 근위 부분에 있는 수집 장치(200)를 포함하며 상기 가스 및 휘발성 물질은 상기 수집 장치(200)의 내부 표면 상에서의 상기 휘발성 물질의 침전물(7)을 촉진하기 위해 순환하도록 의도된다.

Description

수집 장치를 구비한 열처리 시스템{THERMAL TREATMENT SYSTEM WITH COLLECTOR DEVICE}
본 발명은 복수의 기판을 수용할 수 있는 챔버를 포함하는 열처리 시스템에 관한 것이다. 본 시스템은 기판의 언로딩(unloading)하는 공정에서 챔버의 내벽상에 발생하는 특정 오염물질들 및 배출되는 가스의 일부 응축에 의한 침전을 제한하기 위한 수집장치에 관한 것이다.
일반적으로, 실리콘 또는 SOI(silicon-on-insulator) 기판은 마이크로 전자 장치의 생산에 사용된다. 그 자체로 잘 알려진 바와 같이, 이러한 기판은 지지 기판 상에 배치된 유용한 실리콘 층 및 매립 산화물을 포함한다. 상기 기판 상에서의 더 큰 트랜지스터 집적을 가능하게 하기 위해, 기본 구성 요소의 측면 치수 감소 및 에칭 두께 감소는 결정질 및 층 균일성의 관점에서 그리고 특정 오염의 관점에서 품질이 증가된 기판을 필요로 한다.
SOI 기판을 제조하기 위해, 고온 열처리가 특히 결합 계면의 고밀화 공정 또는 유용한 실리콘 층 및 매립 산화물 층의 마무리 공정 동안에 적용된다. 동시에 복수의 기판을 처리할 수 있는 열처리 시스템, 특히 수직로(vertical furnace)가 이러한 타입의 공정들에 특히 적합하다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 수직로(1)는 주로 챔버(2)(또는 튜브)로 구성되며, 이것의 내부에서는 복수의 기판(10)을 지지하는 로딩 컬럼(3)이 복수의 기판(10)을 로딩/언로딩하고 챔버(2) 내에 복수의 기판(10)을 유지하기 위해 수직 변환 이동을 수행할 수 있다. 챔버(2) 둘레에 배치된 히팅 요소들(4), 그리고 새로운 가스를 위한 적어도 하나의 유입 경로(5) 및 배출될 가스의 유출 경로(6)가 또한 이러한 타입의 노를 구성한다.
예를 들어, SOI 기판은 불활성 공기 하에서 고온 열처리(> 1100 ℃)를 받아 실리콘의 표면을 평활화하며/하거나 매립된 산화물(BOX로 지칭됨)의 전부 또는 일부를 용해시킬 수 있다. 이러한 처리 조건들 하에서는, 용해 현상으로 인해 BOX의 두께 감소된다. 기체상태의 일산화 규소(SiO)는 상기 용해 반응의 생성물이다. 일산화규소는 수직로(1)의 챔버(2) 내를 순환하는 열 전달 가스의 흐름에 의해 챔버(2)의 바닥에 위치된 노의 유출 경로(6) 쪽으로 운반(배기로 지칭됨)되기 전에, 용해 속도에 비례하는 양으로 SOI 기판의 표면으로부터 빠져 나간다. 용해 현상은 Solid State Phenomena, volume 156 - 158(2010), pages 69 - 76에 공개된, O.Kononchuck 외 공저에 의한 문헌 "Novel trends in SOI Technology for CMOS applications"에서 명시적으로 보고되어 있다.
챔버(2)의 바닥에서 가스는 히팅 요소(4)에서 멀어짐에 따라 점진적으로 냉각되어, 배기(6)를 향해서 순환한다. 일산화규소(SiO)는 열 전달 가스에 잘 용해되지 않기 때문에, 노(1) 바닥의 고체 부분 상에서는 임계 온도 이하에서 응축된다: 주로, 챔버(2)의 내벽, 유출 경로(6)의 덕트 및 기판(10)의 로딩 컬럼(3)의 하부 부분(도 1b). 상기 침전물(7)은 기판(10)의 전체 처리를 통해 두껍게 되어 수 ㎛의 두께에 도달할 수 있다. 일산화규소(SiO), 규소(Si) 및 이산화규소(SiO2)의 혼합물로 이루어지기 때문에 침전물(7)이 너무 두꺼워질 경우, 상당한 응력을 받아 부스러기의 형태로 박리된다. 도 1c를 참조할 때, 노(1)의 로딩 및 언로딩 공정들 동안, 로딩 컬럼(3)은 챔버(2)에 들어가고 또한 챔버(2)를 빠져나가며, 기판(10)은 일산화규소 침전물(7)이 존재하는 챔버(2)의 바닥 내를 직접 통과한다. 후자의 박리는 기판(10)의 특정 오염을 유발하며, 이것은 기판(10)의 최종 품질에 특히 불이익하다.
석영 보호 스크린은 챔버(2)의 바닥에 배치되어 일산화규소 침전물(7)의 대부분을 수집하기 때문에, 노(1)의 챔버(2)의 완전성을 보장한다. 이들 스크린은 일산화규소 침전물(7)을 수집함에 따라 소모된다: 이들은 교체될 수 있으며, 교체가 오래 걸리는 열처리 시스템의 매우 고가의 부분인 챔버(2)의 유효 수명을 상당히 연장시킬 수 있게 한다.
그럼에도 불구하고, 기판들(10)의 로딩 컬럼(3)은 로딩 및 언로딩 공정들 동안에 오염된 스크린 근처를 계속해서 지나가기 때문에, 이들이 매우 규칙적으로 교체되지 않는 한(이것은 경제적으로 실현 가능하지 않음), 이들 보호 스크린은 일산화규소(SiO) 침전물의 박리에 의한 기판들(10)의 특정 오염 문제에 대한 해결책이 되지 않는다.
본 발명은 전술한 문제점의 전부 또는 일부를 해결하는 것을 목적으로 한다. 본원 발명의 일 실시예는 기판 이송 영역에서 상기 시스템의 챔버 내의 침전물의 존재를 감소시키거나 제거하여, 상기 기판들의 품질에 불이익한 특정 오염을 회피할 수 있게 하는 수집 장치를 구비한 열처리 시스템이다.
본원 발명의 일 실시예는 복수의 기판들을 수용할 수 있는 챔버, 상기 기판들이 상기 챔버 내로 들어가는 영역의 반대편에 위치되는 상기 챔버의 원위 부분에 있는 가스 유입 경로, 및 상기 기판들이 상기 챔버 내로 들어가는 상기 영역의 근처에 위치되는 상기 챔버의 근위 부분에 있는, 열처리 동안에 생성되는 휘발성 물질 및/또는 가스를 위한 유출 경로를 포함하는 열처리 시스템에 관한 것이며, 상기 챔버의 상기 근위 부분에 수집 장치를 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 수집 장치는,
상기 챔버의 상기 원위 부분을 향해 배향된 제한 개구를 갖고,
상기 유출 경로와 연통하는 격실을 규정하며, 상기 격실은, 상기 가스 및 상기 휘발성 물질이 상기 제한 개구를 통해 상기 격실 내에 들어가서 상기 격실을 통과하여 상기 유출 경로에 도달하도록 구성될 수 있다. 이에 따라 상기 수집 장치의 내부 표면들 상에서의 상기 휘발성 물질의 침전을 촉진할 수 있다.
챔버 내에서 순환하는 가스 및 휘발성 물질은 챔버의 근위 부분에 있는 상기 수집 장치의 격실에서 수집되며, 여기서 휘발성 물질이 응축되어 침전물을 형성할 수가 있다. 이 침전물은, 만일 형성된다면, 적어도 부분적으로는 수집 장치의 격실의 내부 표면들 상에서 발생한다. 박리가 발생하면, 챔버가 아니라 수집 장치의 격실에서 파티클이 본질적으로 생성된다: 이것은 시스템을 로딩 및 언로딩함에 있어서, 로딩 컬럼에 배열되는 기판들의 운송 중의 특정 오염 위험성을 상당히 제한할 수 있다.
개별적으로 또는 조합하여 취해지는 본 발명의 유리한 특징들에 따르면:
상기 수집 장치는 환형 섹션(annular section)을 가진 중공 원통의 일반적 형상을 가지며, 상기 환형 섹션은 상기 격실의 섹션을 형성하고,
상기 수집 장치는 환형 섹션을 가진 중공 원통의 일반적 형상을 가지며, 상기 환형 섹션은 상기 격실의 섹션을 형성할 수 있다.
상기 격실의 섹션은 1mm 내지 10mm, 바람직하게는 5mm의 폭을 가질 수 있다.
상기 제한 개구는, 그 온도가 상기 휘발성 물질의 임계 응축 온도보다 높은 상기 챔버 내의 위치에 배치될 수 있다.
상기 격실은 상기 챔버의 내벽 곁에 배치되는 제 1 원통형 벽, 및 제 2 원통형 벽을 포함하며, 상기 제 2 원통형 벽은 적어도 하나의 퍼지 홀(purge hole)을 가질 수 있다.
상기 수집 장치는 상기 유출 경로 내에 삽입될 수 있는 팁(tip)을 포함하며, 상기 팁의 일 단부는 상기 격실과 연통될 수 있다.
상기 수집 장치는 탈착 가능할 수 있다.
상기 수집 장치는 석영, 실리콘 카바이드, 실리콘, 알루미늄 나이트라이드(aluminum nitride) 및 알루미나 중에서 선택되는 재료로 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 특징 및 이점은 첨부된 도면을 참조하여 이루어진 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1a, 도 1b 및 도 1c는 종래 기술의 수직형 노의 구성을 도시한 것이다.
도 2a 및 도 2b는 본원 발명의 일 실시예에 따른 수집 장치가 제공된 열처리 시스템을 도시한 것이다.
도 3a 및 도 3b는 본원 발명의 다른 실시예에 따른 수집 장치를 도시한 것이다.
도 4a 및 도 4b는 본원 발명의 또 다른 실시예에 따른 수집 장치를 도시한 것이다.
본 도면들은 개략 표현들이며, 제한적인 효과를 갖는 것으로 해석되어서는 안된다. 도면에서 동일한 부재 번호들은 유사한 요소들에 대해 사용될 수 있다.
본 발명은 복수의 기판들(10)을 처리할 수 있는 열처리 시스템(100)에 관한 것이다. 도 2a 및 도 2b에 도시된 바와 같이, 시스템(100)은 로딩 컬럼(loading column)(3)에 의해 지지되는 복수의 기판들(10)을 수용할 수 있는 챔버(2)를 포함한다. 이것은 챔버(2)의 원위 부분(distal portion)으로 지칭되는 제 1 부분에, 가스 또는 가스 혼합물을 위한 유입 경로(5)를 마찬가지로 포함한다. 원위 부분은 기판들(10)이 챔버(2)에 들어가는 영역의 반대편에 위치되는 챔버(2)의 단부를 지칭한다. 이것은 가스가 챔버(2)의 원위 부분으로 주입되기 위해 그 챔버가 수평형이거나 수직형인 열처리 시스템들에 있어서 일반적이다. 마찬가지로, 시스템(100)은 가스 및/또는 열처리 중에 잠재적으로 생성된 휘발성 물질을 위한 유출 경로(6)를 포함한다. 상기 유출 경로(6)는 챔버(2)의 근위 부분(proximal portion)으로 지칭되는 제 2 부분에 위치하며, 이 근위 부분은 기판들(10)이 챔버(2)로 들어가는 영역 근처에 위치된 챔버(2)의 부분이다.
예를 들어, 도입부에서 언급한 바와 같이, SOI 기판들을 평활화하기 위한 열처리 중에, 유입 경로(5)에 의해 주입되는 가스는 아르곤과 같은 불활성 가스이며; 약 1100℃의 온도에서, 매립된 산화물의 용해 현상이 나타나 휘발성 화합물인 가스상태의 일산화규소(SiO)를 생성한다. 그 후에, 일산화규소(SiO) 휘발성 물질은 유출 경로(6)를 향하는 아르곤의 흐름에 의해 운반된다.
또한, 열처리 시스템(100)은 챔버(2)의 근위 부분에 있는, 수집 장치(200)를 포함한다. 수집 장치(200)는 유출 경로(6)와 연통하는 격실(201)을 규정하며, 여기서 가스 및 휘발성 물질이 순환하여 배출되는 것으로 의도된다. 수집 장치(200)는 챔버(2)의 근위 부분에 위치하며, 여기서는 온도가 시스템(100)의 히팅 요소들(4)로부터 멀어짐에 따라 떨어지게 된다. 이 부분에서, 가스 및 휘발성 물질이 냉각될 것이다: 가스 및/또는 휘발성 물질의 전부 또는 일부는 이들이 접촉하는 요소들의 벽들에서 응축되어, 본 명세서의 나머지 부분에서 오염 침전물로 언급되는 침전물(7)을 형성할 것이다. 격실(201) 내의 가스 및 휘발성 물질의 강제 순환은 수집 장치(200)의 상기 격실(201)의 내부 표면 상에서의 오염 침전물의 형성을 촉진시킨다. 따라서, 챔버(2)의 내벽들 상에서의 및/또는 수집 장치(200)의 외부 표면들 상에서의 그리고 로딩 컬럼(3)의 하부 부분들(즉, 챔버(2)의 근위 부분에 위치된 부분들) 상에서의 상기 오염 침전물(7)의 형성을 제한하는 것이 가능하다. 박리(delamination)가 발생하면, 챔버(2)가 아니라 수집 장치(200)의 격실(201)에서 파티클이 본질적으로 생성된다: 이것은 시스템(100)을 로딩 및 언로딩할 때, 로딩 컬럼(3)에 의해 지지되는 기판들(10)의 운송 중에 있어서의 특정 오염의 위험성을 상당히 제한할 수 있다.
수집 장치(200)의 격실(201)은 챔버(2)의 원위 부분을 향하도록 배향된 제한 개구(202)를 갖는다. 격실(201)은 상기 제한 개구(202)에 의해서 챔버와 연통한다. 유입 경로(5)로부터 유출 경로(6)를 향해 챔버 내에서 순환하는 가스 및 휘발성 물질은, 제한 개구(202)를 통해서 격실(201) 내로 들어가서, 격실(201)을 통과한 후에, 격실(201)과 연통되어 있는 유출 경로(6)에 도달하게 된다. 유출 경로(6)에 도달하도록 하기 위해, 가스 및 휘발성 물질은 수집 장치(200)의 격실(201)을 통해 강제로 순환된다.
제한 개구(202)는 기판들이 로딩 컬럼(3) 내에 유지되는 챔버(2)의 중앙 영역 아래에 위치된다. 바람직하게는, 제한 개구(202)는 가스 및 휘발성 물질의 온도가 휘발성 물질의 전부 또는 일부의 임계 응축 온도(condensation temperature)보다 높은 챔버(2) 내의 위치에 위치된다. 응축의 경우, 가스가 제한 개구(202)를 통해 들어간 이후에, 오염 침전물이 격실(201)의 내벽에 침전된다. 이에 따라 상기 침전물이 챔버의 내벽에 만들어지지 못하게 됨으로써, 로딩 또는 언로딩 중에 기판들(10) 또는 로딩 칼럼(3)의 바닥 부분으로 파티컬이 떨어져 이러한 떨어진 파티컬 제거에 많은 비용이 소모되는 것을 방지할 수 있다.
도시된 수직 열처리 시스템(100)의 경우에 있어서, 제한 개구(202)가 위치되는 높이는, 격실(201)에 들어갈 때의 휘발성 물질의 온도를 규정하게 된다. 통상적으로, 이 높이는 기판들(10)의 유입구(수직로(vertical furnace)의 바닥에 있음)와 제한 개구(202) 사이의 거리에 대응한다. 챔버(2)의 내벽들 상에서의 오염 침전물(7)의 생성을 방지하기 위해, 수집 장치(200)의 높이는, 격실(201)에 들어갈 때의 휘발성 물질의 온도가 그것의 임계 응축 온도(Tc)보다 높게 되도록 선택된다.
예를 들어, 휘발성 물질인 일산화규소(SiO)의 경우, 후자는 격실(201)의 제한 개구(202)에 들어갈 때 약 1100℃의 온도가 되며, 임계 응축 온도는 1050℃ 정도이다. 예를 들어, 챔버(2)가 170cm의 길이와 35cm 직경의 단면을 갖는 수직로(100)에서, 제한 개구(202)의 높이는 약 30cm이며, 그 중앙 영역에서는 기판들(10)이 높이 45cm에서 높이 150cm까지 연장되는 로딩 칼럼(3)에 의해 지지된다.
온도 프로파일, 가스 및 휘발성 물질의 타입에 의해 규정되는 열처리 시스템(100)에 구현된 방법에 따라, 그 물질의 온도가 임계 응축 온도 보다 높게 조절되기 위해 챔버(2) 내부에 있는 수집 장치(200)의 제한 개구(202)의 높이는 달라질 수 있다. 따라서, 이 방법들에 따라, 특정 치수를 갖는 상이한 수집 장치들(200)이 존재할 수 있다.
명백하게, 수집 장치(200)의 제한 개구(202)는 바람직하게 챔버(2)의 유입 영역에 가장 가까운 기판의 높이보다 낮은 높이가 될 것이다.
마찬가지로, 동일한 방법에 있어서, 열처리 시스템(100)의 타입(그 치수, 온도 제어 등)에 따라, 수집 장치(200)의 제한 개구(202)의 높이도 또한 적응될 수가 있으며, 이는 챔버(2) 내부에 있는 열적 프로파일이 상이한 시스템에서 달라질 수 있기 때문이다.
본원 발명의 다른 실시예에 따르면, 수집 장치(200)는 환형 섹션(도 3a 및 도 3b)을 갖는 중공 원통 부분으로 이루어지는 일반적인 형상을 갖는다. 상기 환형 섹션은 격실(201)의 섹션을 형성한다. 제한 개구(202)는 환형 섹션을 갖는 부분의 형상을 갖는다. 유리하게는, 수집 장치(200)는 유출 경로(6) 내에 삽입됨으로써, 적어도 부분적으로, 유출 경로(6)의 덕트의 내벽을 오염 침전물(7)로부터 보호할 수 있는 팁(tip)(203)을 포함한다. 팁의 한쪽 단부는 격실(201)과 연통한다.
도 3b는 본 발명의 본원 발명의 다른 실시예에 따른 시스템(100)의 챔버의 근위 부분에 대한 부분도를 나타낸 것이다. 격실(201)의 제 1 원통 벽은 챔버(2)의 내벽에 붙여서 배치되며; 원통형 벽은 본 명세서에서 완전한 원통을 형성하거나 원통의 일부를 형성하는 벽을 지칭하는 것으로 이해된다. 제 2 원통형 벽은 챔버(2)의 내부를 향하여, 제 1 벽에 대향하고 있으며, 이 제 2 벽은 제 1 벽의 높이와 실질적으로 동일한 높이를 갖는다. 팁(203)은 유출 경로(6) 내에 삽입되어 있다.
일 대안예에 따르면, 챔버(2)의 내벽에 붙여서 배치된 제 1 원통형 벽은, 일부뿐만 아니라 내벽의 전체 둘레에 걸쳐 연장될 수 있는 반면, 제 2 벽은 원통 부에서만 격실을 규정한다.
도 4a 및 도 4b에 도시된 본원발명의 또 다른 실시예에 따르면, 수집 장치(200)는 환형 섹션을 가진 중공 원통의 일반적인 형상을 가지며, 상기 환형 섹션은 격실(201)의 섹션을 형성한다. 제한 개구(202)는 환형 섹션의 형상을 갖는다. 유리하게는, 수집 장치(200)는 유출 경로(6) 내로 삽입될 수 있는 팁(203)(배경에 있기 때문에 도면에는 직접 나타나 있지 않음)을 포함한다.
본원발명의 다른 실시예 및 또 다른 실시예들에서 설명된 구성들 중 어느 하나에서는, 가스 흐름이 격실(201) 내로 통과한다. 따라서, 제한 개구(202)와 챔버(2)의 유입구 사이에 위치한 챔버(2)의 근위 부분에 위치되는 가스 볼륨은 침전물(7)이 발생하지 않는 데드 볼륨(dead volume)이다. 그러나, 시스템(100)을 개방하는 도어의 열적 보호를 위해 상기 근위 부분에서 적은 흐름을 유지하는 것이 유리할 수 있다. 따라서, 일 대안예에 따르면, 격실(201)의 제 2 원통형 벽은 적어도 하나의 퍼지 홀(204)을 갖는다. 이로 인해 격실(201)의 제한 개구(202)와 챔버(2)의 유입구 사이에 위치한 가스 볼륨의 퍼지(purge)를 보장하는 것이 가능하게 된다. 그러나, 챔버(2) 내부 또는 격실(201)의 제 2 원통형 벽의 외부 표면 상에서의(즉, 챔버(2) 내부 상에서의) 오염 침전물들(7)의 형성을 최대한 제한하기 위해서는, 퍼지 홀들(204)의 전체 섹션이 제한 개구(202)의 섹션에 비해 무시할 수 있을 정도가 되는 것이 필요하다.
유리하게는, 격실(201) 및 제한 개구(202)의 섹션은 1mm 내지 10mm의 범위일 수 있고, 바람직하게는 5mm일 수 있는 폭을 갖는다. 수집 장치(200)의 두께를 규정하는 이 폭은 로딩 컬럼(3)이 챔버(2)에 들어가기 위해 제한된다.
유리하게는, 수집 장치(200)는 석영, 실리콘 카바이드, 실리콘, 알루미늄 나이트라이드 및 알루미나 중에서 선택된 재료로 형성된다.
유리하게는, 수집 장치(200)는 탈착 가능하도록 구성된다. 오염 침전물(7)은 그것을 시스템(100)으로부터 제거한 이후에 수집 장치(200)를 세정함으로써 제거될 수 있다. 그 후, 새로운 이용을 위해 열처리 시스템(100)에 이것이 재설치될 수 있다.
본 발명은 SOI 기판들을 평활화하여 BOX를 용해시키고 또한 배출될 일산화규소(SiO) 가스성 물질들을 생성시키는 열처리 동안에(이들은 냉각 처리에 의해 응축되어 벽에 침전물(7)을 형성함) 특히 유용하다.
본 발명은, 챔버(2)에 제공되는 가스성 물질들 중의 일부가 특정 온도 이하에서 응축되어 침전물(7)을 형성할 수 있으며, 후속의 박리가 처리 기판들의 품질에 불이익한 다른 타입의 열처리에 명백히 사용될 수 있다.
본 발명은 일 예로서 수직 구조(즉, 챔버의 주된 크기가 수직으로 위치됨)를 갖는 열처리 시스템을 참조하여 도시되었다. 본 발명은 또한 수평 구조를 갖는 열처리 시스템을 형성할 수도 있다.
또한, 본 발명은 설명된 실시예들에 한정되지 않으며, 청구범위에 정의된 본 발명의 범위를 벗어나지 않는다면 변형된 실시예들이 제공될 수 있다.

Claims (9)

  1. 복수의 기판들(10)을 수용할 수 있는 챔버(2);
    상기 기판들(10)이 상기 챔버 내로 들어가는 영역의 반대편에 위치되는 상기 챔버(2)의 원위 부분(distal portion)에 있는 가스 유입 경로(5); 및
    상기 기판들(10)이 상기 챔버 내로 들어가는 상기 영역의 근처에 위치되는 상기 챔버(2)의 근위 부분(proximal portion)에 있는 열처리 동안에 생성되는 휘발성 물질 및/또는 가스를 위한 유출 경로(6)를 포함하는 열처리 시스템(100)으로서
    상기 챔버(2)의 상기 근위 부분에 수집 장치(200)를 포함하는 것을 특징으로 하며
    상기 수집 장치(200)는
    상기 챔버(2)의 상기 원위 부분을 향해 배향된 제한 개구(confinement opening)(202)를 갖고,
    상기 유출 경로(6)와 연통하는 격실(201)을 규정하며,
    상기 격실은 상기 가스 및 상기 휘발성 물질이 상기 제한 개구(202)를 통해 상기 격실(201) 내에 들어가서 상기 격실을 통과하여 상기 유출 경로(6)에 도달하도록 구성되고,
    상기 격실(201)은 상기 챔버(2)의 내벽에 붙여서 배치되는 제 1 원통형 벽 및 상기 제1 원통형 벽에 대향하는 제2 원통형 벽을 포함하고,
    상기 제한 개구(202)는 상기 제1 원통형 벽 및 상기 제2 원통형 벽의 사이에 배치되는 열처리 시스템(100).
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 수집 장치(200)는 환형 섹션(annular section)을 가진 중공 원통 부분(hollow cylinder portion)의 일반적 형상을 가지며 상기 환형 섹션은 상기 격실(201)의 섹션을 형성하는 열처리 시스템(100).
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 수집 장치(200)는 환형 섹션을 가진 중공 원통의 일반적 형상을 가지며, 상기 환형 섹션은 상기 격실(201)의 섹션을 형성하는 열처리 시스템(100).
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 격실(201)의 섹션은 1mm 내지 10mm의 폭을 갖는 열처리 시스템(100).
  5. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제한 개구(202)는 그 온도가 상기 휘발성 물질의 임계 응축 온도보다 높은 상기 챔버(2) 내의 위치에 배치되는, 열처리 시스템(100).
  6. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 2 원통형 벽은 적어도 하나의 퍼지 홀(purge hole)(204)을 갖는 열처리 시스템(100).
  7. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수집 장치(200)는 상기 유출 경로(6) 내에 삽입될 수 있는 팁(tip)(203)을 포함하며 상기 팁(203)의 일 단부는 상기 격실(201)과 연통되어 있는 열처리 시스템(100).
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수집 장치(200)는 탈착 가능한 열처리 시스템(100).
  9. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 수집 장치(200)는 석영, 실리콘 카바이드, 실리콘, 알루미늄 나이트라이드 및 알루미나 중에서 선택되는 재료로 형성되는, 열처리 시스템(100).
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