JP2011129567A - 熱処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】反応管内の温度を下げることなく、メンテナンスを実施することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】処理室43を形成する反応管42と、反応管42の下端に設置されたアダプタ44と、処理室43を閉塞する炉口シールキャップ48とを備えた熱処理装置10において、カバー(堆積遅延筒)70を炉口シールキャップ48の上に、アダプタ44に近接して対向するように配置して着脱自在に設置する。カバー70は石英を使用して、外径がアダプタ44の内径よりも小径の円筒形状に形成し、かつ、周方向において二等分割する。カバー70の円筒壁には多数個の小孔71を、カバー70全体の表面積を増加させるように形成する。
【選択図】図2
【解決手段】処理室43を形成する反応管42と、反応管42の下端に設置されたアダプタ44と、処理室43を閉塞する炉口シールキャップ48とを備えた熱処理装置10において、カバー(堆積遅延筒)70を炉口シールキャップ48の上に、アダプタ44に近接して対向するように配置して着脱自在に設置する。カバー70は石英を使用して、外径がアダプタ44の内径よりも小径の円筒形状に形成し、かつ、周方向において二等分割する。カバー70の円筒壁には多数個の小孔71を、カバー70全体の表面積を増加させるように形成する。
【選択図】図2
Description
本発明は、熱処理装置(furnace )に関する。
例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという)の製造方法において、ICが作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという)に熱処理(thermal treatment )を施す工程に使用して有効なものに関する。
例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという)の製造方法において、ICが作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという)に熱処理(thermal treatment )を施す工程に使用して有効なものに関する。
一般に、CVD(Chemical Vapor Deposition ) を熱処理装置によって実施すると、反応副生成物が反応管の下部に多量に付着することが知られていた。
従来の熱処理装置においては、このような反応副生成物をクリーニングによって除去するメンテナンスを頻繁に実施していたため、生産性の低下を招くという問題があった。
そこで、反応管下部のマニホールドに円筒形状のマニホールドカバーを設けることにより、反応副生成物の付着量を低減してメンテナンス頻度を抑制し、生産性の向上を図る熱処理装置、が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
また、耐熱材のカバーをマニホールドを覆うように設け、カバーとマニホールドとの間に不活性ガスを供給することにより、マニホールドの腐食の防止を図る熱処理装置、も提案されている(例えば、特許文献2参照)。
従来の熱処理装置においては、このような反応副生成物をクリーニングによって除去するメンテナンスを頻繁に実施していたため、生産性の低下を招くという問題があった。
そこで、反応管下部のマニホールドに円筒形状のマニホールドカバーを設けることにより、反応副生成物の付着量を低減してメンテナンス頻度を抑制し、生産性の向上を図る熱処理装置、が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
また、耐熱材のカバーをマニホールドを覆うように設け、カバーとマニホールドとの間に不活性ガスを供給することにより、マニホールドの腐食の防止を図る熱処理装置、も提案されている(例えば、特許文献2参照)。
しかしながら、前述した熱処理装置においては、カバーが反応管内側に設置されているので、カバーの取り外し時に反応管内の温度をメンテナンス可能温度まで下げる必要があり、メンテナンスの作業性が低く、また、温度を下げた際には反応副生成物付着膜の剥離によって異物の増加を招くという問題がある。
本発明は、反応管内の温度を下げることなく、メンテナンスを実施することができる熱処理装置を提供することにある。
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
処理室を形成する反応管と、
前記処理室を閉塞する炉口シールキャップと、
石英が使用されて円筒形状に形成され、前記炉口シールキャップの前記処理室側端面に前記処理室の前記炉口シールキャップ側端部に近接して設置された堆積遅延筒と、
を有することを特徴とする熱処理装置。
処理室を形成する反応管と、
前記処理室を閉塞する炉口シールキャップと、
石英が使用されて円筒形状に形成され、前記炉口シールキャップの前記処理室側端面に前記処理室の前記炉口シールキャップ側端部に近接して設置された堆積遅延筒と、
を有することを特徴とする熱処理装置。
前記手段によれば、反応管の温度を下げることなく、メンテナンスを実施することができる。
以下、本発明の一実施形態を図面に即して説明する。
図1〜図3は本発明の第一実施形態を示している。
本実施形態に係る熱処理装置10は、バッチ式縦型熱処理装置であり、主要部が配置される筺体12を有する。この筺体12の正面側にはポッドステージ14が接続されており、このポッドステージ14にはポッド16が搬送される。ポッド16には、例えば、25枚の基板としてのウエハが収納されており、ポッド16は図示しない蓋が閉じられた状態で、ポッドステージ14にセットされる。
本実施形態に係る熱処理装置10は、バッチ式縦型熱処理装置であり、主要部が配置される筺体12を有する。この筺体12の正面側にはポッドステージ14が接続されており、このポッドステージ14にはポッド16が搬送される。ポッド16には、例えば、25枚の基板としてのウエハが収納されており、ポッド16は図示しない蓋が閉じられた状態で、ポッドステージ14にセットされる。
筺体12内における正面側であって、ポッドステージ14に対向する位置には、ポッド搬送装置18が配置されている。このポッド搬送装置18の近傍には、ポッド棚20、ポッドオープナ22及び基板枚数検知器24が配置されている。ポッド棚20はポッドオープナ22の上方に配置されており、基板枚数検知器24はポッドオープナ22に隣接して配置されている。
ポッド搬送装置18はポッドステージ14とポッド棚20とポッドオープナ22との間で、ポッド16を搬送する。ポッドオープナ22はポッド16の蓋を開けるものであり、蓋が開けられたポッド16内のウエハの枚数が基板枚数検知器24により検知される。
ポッド搬送装置18はポッドステージ14とポッド棚20とポッドオープナ22との間で、ポッド16を搬送する。ポッドオープナ22はポッド16の蓋を開けるものであり、蓋が開けられたポッド16内のウエハの枚数が基板枚数検知器24により検知される。
さらに、筺体12内には基板移載機26、ノッチアライナ28及び基板支持具(ボート)30が配置されている。
基板移載機26は例えば5枚のウエハを取り出すことができるアーム(ツイーザ)32を有し、このアーム32を動かすことにより、ポッドオープナ22の位置に置かれたポッド、ノッチアライナ28及び基板支持具30間でウエハを搬送する。
ノッチアライナ28は、ウエハに形成されたノッチまたはオリエンテーションフラットを検出してウエハのノッチまたはオリエンテーションフラットを一定の位置に揃える。
基板移載機26は例えば5枚のウエハを取り出すことができるアーム(ツイーザ)32を有し、このアーム32を動かすことにより、ポッドオープナ22の位置に置かれたポッド、ノッチアライナ28及び基板支持具30間でウエハを搬送する。
ノッチアライナ28は、ウエハに形成されたノッチまたはオリエンテーションフラットを検出してウエハのノッチまたはオリエンテーションフラットを一定の位置に揃える。
さらに、筺体12内の背面側上部には反応炉40が配置されている。この反応炉40内に、複数枚のウエハを装填した基板支持具30が搬入され、熱処理が行われる。
図2は反応炉40の一例を示している。
この反応炉40は、炭化珪素(SiC)製の反応管42を有する。この反応管42は、上端部が閉塞され下端部が開放された円筒形状をしており、反応管42の開放された下端部は、フランジ状に形成されている。
この反応管42の下方には石英(SiO2 )製のアダプタ44が、反応管42を支持するように配置されている。このアダプタ44は上端部と下端部が開放された円筒形状をしており、アダプタ44の開放された上端部と下端部とはフランジ状に形成されている。アダプタ44の上端部フランジの上面には、反応管42の下端部フランジの下面が当接している。アダプタ44は反応管42と共に、処理室43を形成している。アダプタ44を除いた反応管42の周囲には、ヒータ46が配置されている。
この反応炉40は、炭化珪素(SiC)製の反応管42を有する。この反応管42は、上端部が閉塞され下端部が開放された円筒形状をしており、反応管42の開放された下端部は、フランジ状に形成されている。
この反応管42の下方には石英(SiO2 )製のアダプタ44が、反応管42を支持するように配置されている。このアダプタ44は上端部と下端部が開放された円筒形状をしており、アダプタ44の開放された上端部と下端部とはフランジ状に形成されている。アダプタ44の上端部フランジの上面には、反応管42の下端部フランジの下面が当接している。アダプタ44は反応管42と共に、処理室43を形成している。アダプタ44を除いた反応管42の周囲には、ヒータ46が配置されている。
反応炉40の下部は基板支持具30を挿入するために開放されており、この開放部分(炉口部)は、炉口シールキャップ48がOリングを挟んでアダプタ44の下端部フランジの下面に当接することにより、密閉されるようになっている。
炉口シールキャップ48は基板支持具30を支持し、基板支持具30と共に昇降可能に設けられている。
炉口シールキャップ48と基板支持具30との間には、石英製の第一断熱部材52と、第一断熱部材52の上部に配置された炭化珪素(SiC)製の第二断熱部材50とが設けられている。
基板支持具30は多数枚、例えば25〜100枚のウエハ54を略水平状態で隙間をもって多数段に支持するように構成されており、基板支持具30は反応管42内に装填されるようになっている。
炉口シールキャップ48は基板支持具30を支持し、基板支持具30と共に昇降可能に設けられている。
炉口シールキャップ48と基板支持具30との間には、石英製の第一断熱部材52と、第一断熱部材52の上部に配置された炭化珪素(SiC)製の第二断熱部材50とが設けられている。
基板支持具30は多数枚、例えば25〜100枚のウエハ54を略水平状態で隙間をもって多数段に支持するように構成されており、基板支持具30は反応管42内に装填されるようになっている。
1200℃以上の高温での処理を可能とするため、反応管42は炭化珪素(SiC)製としてある。
このSiC製の反応管42を炉口部まで延ばし、この炉口部をOリングを介して炉口シールキャップ48でシールする構造とすると、SiC製の反応管を介して伝達された熱によりシール部まで高温となるために、シール材料であるOリングを溶かしてしまう危惧がある。
Oリングを溶かさないように、SiC製の反応管42のシール部を冷却すると、SiC製の反応管42が温度差による熱膨張差により破損してしまう。
そこで、ヒータ46による加熱領域をSiC製の反応管42で構成し、ヒータ46による加熱領域から外れた部分を石英製のアダプタ44で構成することで、SiC製の反応管42からの熱の伝達を和らげることができるため、Oリングを溶かすことなく、かつ、反応管42を破損することなく、炉口部をシールすることが可能となる。
また、SiC製の反応管42と石英製のアダプタ44とのシールは、双方の面精度を良くすれば、SiC製の反応管42はヒータ46の加熱領域に配置されているために、温度差が発生せず、等方的に熱膨張する。よって、SiC製の反応管42下端部のフランジ部分は平面を保つことができ、アダプタ44との間に隙間ができないので、SiC製の反応管42を石英製のアダプタ44に載せるだけでシール性を確保することができる。
このSiC製の反応管42を炉口部まで延ばし、この炉口部をOリングを介して炉口シールキャップ48でシールする構造とすると、SiC製の反応管を介して伝達された熱によりシール部まで高温となるために、シール材料であるOリングを溶かしてしまう危惧がある。
Oリングを溶かさないように、SiC製の反応管42のシール部を冷却すると、SiC製の反応管42が温度差による熱膨張差により破損してしまう。
そこで、ヒータ46による加熱領域をSiC製の反応管42で構成し、ヒータ46による加熱領域から外れた部分を石英製のアダプタ44で構成することで、SiC製の反応管42からの熱の伝達を和らげることができるため、Oリングを溶かすことなく、かつ、反応管42を破損することなく、炉口部をシールすることが可能となる。
また、SiC製の反応管42と石英製のアダプタ44とのシールは、双方の面精度を良くすれば、SiC製の反応管42はヒータ46の加熱領域に配置されているために、温度差が発生せず、等方的に熱膨張する。よって、SiC製の反応管42下端部のフランジ部分は平面を保つことができ、アダプタ44との間に隙間ができないので、SiC製の反応管42を石英製のアダプタ44に載せるだけでシール性を確保することができる。
アダプタ44にはガス供給口56とガス排気口59とが、アダプタ44と一体に設けられている。ガス供給口56にはガス導入管60が接続されており、ガス排気口59には排気管62が接続されている。
アダプタ44の内周面は反応管42の内周面よりも内側に突出している。アダプタ44の側壁部(肉厚部)には、ガス供給口56と連通し、かつ、垂直方向に向かうガス導入経路64が設けられており、そのガス導入経路64の上部にはノズル取付孔が上方に開口するように設けられている。このノズル取付孔は、反応管42の内部におけるアダプタ44の上端部フランジ側上面で開口しており、ガス供給口56およびガス導入経路64と連通している。
このノズル取付孔にはノズル66が挿入され固定されている。すなわち、反応管42の内部におけるアダプタ44の反応管42の内周面よりも内側に突出した部分の上面にノズル66が接続されている。この構成により、ノズル接続部は熱で変形しにくく、また破損しにくくなる。また、ノズル66とアダプタ44の組立て、解体が容易になるというメリットもある。
ガス導入管60からガス供給口56に導入された処理ガスは、アダプタ44の側壁部に設けられたガス導入経路64、ノズル66を介して反応管42内に供給される。
なお、ノズル66は反応管42の内壁に沿ってウエハ配列領域の上方(基板支持具30の上方)まで延びるように構成されている。
アダプタ44の内周面は反応管42の内周面よりも内側に突出している。アダプタ44の側壁部(肉厚部)には、ガス供給口56と連通し、かつ、垂直方向に向かうガス導入経路64が設けられており、そのガス導入経路64の上部にはノズル取付孔が上方に開口するように設けられている。このノズル取付孔は、反応管42の内部におけるアダプタ44の上端部フランジ側上面で開口しており、ガス供給口56およびガス導入経路64と連通している。
このノズル取付孔にはノズル66が挿入され固定されている。すなわち、反応管42の内部におけるアダプタ44の反応管42の内周面よりも内側に突出した部分の上面にノズル66が接続されている。この構成により、ノズル接続部は熱で変形しにくく、また破損しにくくなる。また、ノズル66とアダプタ44の組立て、解体が容易になるというメリットもある。
ガス導入管60からガス供給口56に導入された処理ガスは、アダプタ44の側壁部に設けられたガス導入経路64、ノズル66を介して反応管42内に供給される。
なお、ノズル66は反応管42の内壁に沿ってウエハ配列領域の上方(基板支持具30の上方)まで延びるように構成されている。
次に、上述したように構成された熱処理装置10の作用について説明する。
まず、ポッドステージ14に複数枚のウエハ54を収容したポッド16がセットされると、ポッド搬送装置18によりポッド16をポッドステージ14からポッド棚20へ搬送し、このポッド棚20にストックする。
次に、ポッド搬送装置18はこのポッド棚20にストックされたポッド16をポッドオープナ22に搬送してセットする。
このポッドオープナ22はポッド16の蓋を開く。
基板枚数検知器24はポッド16に収容されているウエハ54の枚数を検知する。
まず、ポッドステージ14に複数枚のウエハ54を収容したポッド16がセットされると、ポッド搬送装置18によりポッド16をポッドステージ14からポッド棚20へ搬送し、このポッド棚20にストックする。
次に、ポッド搬送装置18はこのポッド棚20にストックされたポッド16をポッドオープナ22に搬送してセットする。
このポッドオープナ22はポッド16の蓋を開く。
基板枚数検知器24はポッド16に収容されているウエハ54の枚数を検知する。
次に、基板移載機26はポッドオープナ22の位置にあるポッド16からウエハ54を取り出し、ノッチアライナ28に移載する。なお、以下の説明において、熱処理装置を構成する各部の動作は、コントローラ69によって制御される。
このノッチアライナ28は基板を回転させながら、ノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数枚のウエハ54のノッチを同じ位置に整列させる。
次に、基板移載機26はノッチアライナ28からウエハ54を取り出して、基板支持具30に移載する。
このノッチアライナ28は基板を回転させながら、ノッチを検出し、検出した情報に基づいて複数枚のウエハ54のノッチを同じ位置に整列させる。
次に、基板移載機26はノッチアライナ28からウエハ54を取り出して、基板支持具30に移載する。
このようにして、1バッチ分のウエハ54が基板支持具30に移載されると、複数枚のウエハ54を装填した基板支持具30は、例えば600℃程度の温度に設定された反応炉40内に装入される。基板支持具30が上限に達すると、炉口シールキャップ48は反応炉40内を密閉する。
次に、ヒータ46は炉内温度を熱処理温度まで昇温させる。また、ガス導入管60はガス供給口56、アダプタ44側壁部に設けられたガス導入経路64及びノズル66を介して反応管42内に処理ガスを導入する。
処理ガスには、窒素(N2 )、アルゴン(Ar)、水素(H2 )、酸素(O2 )等が含まれる。ウエハ54を熱処理する際、ウエハ54は例えば1200℃程度以上の温度に加熱される。
次に、ヒータ46は炉内温度を熱処理温度まで昇温させる。また、ガス導入管60はガス供給口56、アダプタ44側壁部に設けられたガス導入経路64及びノズル66を介して反応管42内に処理ガスを導入する。
処理ガスには、窒素(N2 )、アルゴン(Ar)、水素(H2 )、酸素(O2 )等が含まれる。ウエハ54を熱処理する際、ウエハ54は例えば1200℃程度以上の温度に加熱される。
ウエハ54の熱処理が終了すると、例えば、炉内温度が600℃程度の温度に降温された後に、熱処理後のウエハ54を支持した基板支持具30が反応炉40から搬出(ボートアンローディング)される。
基板支持具30に支持された全てのウエハ54が冷えるまで、基板支持具30は所定位置で待機される。
次に、待機した基板支持具30のウエハ54が所定温度まで冷却されると、基板移載機26は基板支持具30からウエハ54を取り出し、ポッドオープナ22にセットされている空のポッド16に搬送して収容する。
次に、ポッド搬送装置18により、ウエハ54が収容されたポッド16をポッド棚20またはポッドステージ14に搬送する。
以上の作動により、一連の処理が完了する。
基板支持具30に支持された全てのウエハ54が冷えるまで、基板支持具30は所定位置で待機される。
次に、待機した基板支持具30のウエハ54が所定温度まで冷却されると、基板移載機26は基板支持具30からウエハ54を取り出し、ポッドオープナ22にセットされている空のポッド16に搬送して収容する。
次に、ポッド搬送装置18により、ウエハ54が収容されたポッド16をポッド棚20またはポッドステージ14に搬送する。
以上の作動により、一連の処理が完了する。
ところで、アルゴンアニールにおいては、アルゴンガス中の微量酸素とシリコン(Si)が反応し、SiO(g)を形成する。SiO(g)は炉口部であるアダプタ44で冷やされ、SiO(s)がアダプタ44や第一断熱部材52および第二断熱部材50に付着して堆積する。この堆積膜は、アルゴンアニールの繰り返しによって徐々に膜厚を増し、臨界点(膜厚)を超えた際に剥離し、パーティクルの原因になる。
このような膜剥離が生じた際のパーティクルを低減させるために、堆積膜を除去するメンテナンスが必要であり、基板支持具30、第一断熱部材52、第二断熱部材50、アダプタ44および反応管42等の洗浄が必要になる。
このような膜剥離が生じた際のパーティクルを低減させるために、堆積膜を除去するメンテナンスが必要であり、基板支持具30、第一断熱部材52、第二断熱部材50、アダプタ44および反応管42等の洗浄が必要になる。
そこで、本実施形態においては、堆積遅延筒(以下、カバーという)70が炉口シールキャップ48の上に、アダプタ44に近接して対向するように配置されて着脱自在に設置されている。カバー70は石英が使用されて、外径がアダプタ44の内径よりも小径の円筒形状に形成され、かつ、周方向において二等分割されている。カバー70の円筒壁には多数個の小孔71が、カバー70全体の表面積を増加させるように形成されている。
カバー70は炉口シールキャップ48上に基板支持具30と同心円に載置されている。すなわち、半円筒形状の第一分割体70aと第二分割体70bとが、基板支持具30の外側において腹合せに配置されて、炉口シールキャップ48上に載せられている。
カバー70は炉口シールキャップ48上に基板支持具30と同心円に載置されている。すなわち、半円筒形状の第一分割体70aと第二分割体70bとが、基板支持具30の外側において腹合せに配置されて、炉口シールキャップ48上に載せられている。
次に、カバー70の作用および効果を説明する。
カバー70が炉口シールキャップ48上に載置された熱処理装置10においては、前述したように、炉口シールキャップ48がアダプタ44の下端開口を閉塞すると、図2および図3に示されているように、カバー70がアダプタ44の内周に近接して対向した状態になる。したがって、SiO(s)はカバー70にも付着して堆積する。
カバー70が炉口シールキャップ48上に載置された熱処理装置10においては、前述したように、炉口シールキャップ48がアダプタ44の下端開口を閉塞すると、図2および図3に示されているように、カバー70がアダプタ44の内周に近接して対向した状態になる。したがって、SiO(s)はカバー70にも付着して堆積する。
本実施形態においては、カバー70がアダプタ44に近接して設置されていることにより、SiO(s)の堆積速度を遅くすることができるので、堆積膜を除去するためのメンテナンスの頻度を低減することができる。すなわち、SiO(s)はカバー70に優先的に付着して堆積することにより、アダプタ44および反応管42へのSiO(s)の堆積速度が遅くなるので、アダプタ44および反応管42への堆積膜を除去するためのメンテナンスの頻度を低減することができる。
しかも、本実施形態においては、カバー70は多数個の小孔71が開設されて、表面積が増大されているので、アダプタおよび反応管42へのSiO(s)の堆積速度をより一層遅くすることができ、その分だけ、メンテナンス頻度をより一層遅く低減することができる。
しかも、本実施形態においては、カバー70は多数個の小孔71が開設されて、表面積が増大されているので、アダプタおよび反応管42へのSiO(s)の堆積速度をより一層遅くすることができ、その分だけ、メンテナンス頻度をより一層遅く低減することができる。
本実施形態においては、カバー70は炉口シールキャップ48上に載置されているので、カバーをアダプタ側に設置する従来例に比較してメンテナンスの作業性を向上させることができるとともに、パーティクルの発生を抑制することができる。
すなわち、カバーがアダプタ側に設置されている場合には、カバーおよびアダプタの取り外しに際しては、反応炉内温度をメンテナンス可能温度まで下げる必要があるので、メンテナンスの作業性が極めて低い。しかも、反応炉内温度をメンテナンス可能温度まで下げると、反応炉内でカバーおよびアダプタに付着した膜の剥離によって、反応炉内のパーティクルの増加をもたらす。
しかし、本実施形態においては、カバー70は炉口シールキャップ48上に載置されているので、アイドル時またはスタンバイ時には反応炉40外に位置する。したがって、反応炉内温度を下げる必要はないので、メンテナンスの作業性はきわめて高い。また、カバー70に付着した膜の剥離は反応炉40外で起こるので、反応炉40内のパーティクルは増加しない。
すなわち、カバーがアダプタ側に設置されている場合には、カバーおよびアダプタの取り外しに際しては、反応炉内温度をメンテナンス可能温度まで下げる必要があるので、メンテナンスの作業性が極めて低い。しかも、反応炉内温度をメンテナンス可能温度まで下げると、反応炉内でカバーおよびアダプタに付着した膜の剥離によって、反応炉内のパーティクルの増加をもたらす。
しかし、本実施形態においては、カバー70は炉口シールキャップ48上に載置されているので、アイドル時またはスタンバイ時には反応炉40外に位置する。したがって、反応炉内温度を下げる必要はないので、メンテナンスの作業性はきわめて高い。また、カバー70に付着した膜の剥離は反応炉40外で起こるので、反応炉40内のパーティクルは増加しない。
しかも、本実施形態においては、カバー70は第一分割体70aと第二分割体70bとに二等分割されていることにより、基板支持具30の外側に同心円に配置されているにもかかわらず、炉口シールキャップ48上からの取り外し作業が極めて簡素であるので、メンテナンスの作業性をより一層向上させることができる。
本実施形態に係る熱処理装置10において、図2および図3に示されているように、排気管62内の排気口59近傍にはカバー80が着脱自在に嵌入されている。カバー80は石英が使用されて、外径が排気管62の内径よりも小径の円筒形状に形成されている。
本実施形態においては、排気管62によって排気されるSiO(s)は、カバー80に優先的に付着して堆積するので、カバー80のみの洗浄を行う。
本実施形態においては、排気管62によって排気されるSiO(s)は、カバー80に優先的に付着して堆積するので、カバー80のみの洗浄を行う。
図4は本発明の第二実施形態を示している。
本実施形態が前記第一実施形態と異なる点は、2つのカバー70、70が炉口シールキャップ48上に同心円に設置されている点である。
本実施形態によれば、SiO(s)の堆積速度をより一層遅くすることができるので、堆積膜を除去するためのメンテナンスの頻度をより一層低減することができる。
本実施形態が前記第一実施形態と異なる点は、2つのカバー70、70が炉口シールキャップ48上に同心円に設置されている点である。
本実施形態によれば、SiO(s)の堆積速度をより一層遅くすることができるので、堆積膜を除去するためのメンテナンスの頻度をより一層低減することができる。
なお、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
カバーは二分割に構成するに限らず、三分割以上に構成してもよい。
カバーに小孔を形成して表面積を増大するに限らず、カバーの表面に凹凸を形成したり、カバーを網目構造体に形成したりする等して、表面積を増大してもよい。
同心円に設置するカバーは2つに限らず、3つ以上であってもよい。
排気管のカバーは省略することができる。
本発明に係る熱処理装置は、アルゴンアニールに使用するに限らず、CVD、拡散、酸化等の熱処理全般に適用することができる。
以下に、好ましい実施形態を付記する。
(1)処理室を形成する反応管と、
前記処理室を閉塞する炉口シールキャップと、
石英が使用されて円筒形状に形成され、前記炉口シールキャップの前記処理室側端面に前記処理室の前記炉口シールキャップ側端部に近接して設置された堆積遅延筒と、
を有することを特徴とする熱処理装置。
(2)前記堆積遅延筒は周方向で複数に分割されていることを特徴とする(1)の熱処理装置。
(3)前記堆積遅延筒は表面積が増加されていることを特徴とする(1)(2)の熱処理装置。
(4)前記堆積遅延筒は複数個が同心円に設置されていることを特徴とする(1)(2)(3)の熱処理装置。
(5)排気管内の排気口近傍にカバーが着脱自在に嵌入されていることを特徴とする(1)(2)(3)(4)の熱処理装置。
(1)処理室を形成する反応管と、
前記処理室を閉塞する炉口シールキャップと、
石英が使用されて円筒形状に形成され、前記炉口シールキャップの前記処理室側端面に前記処理室の前記炉口シールキャップ側端部に近接して設置された堆積遅延筒と、
を有することを特徴とする熱処理装置。
(2)前記堆積遅延筒は周方向で複数に分割されていることを特徴とする(1)の熱処理装置。
(3)前記堆積遅延筒は表面積が増加されていることを特徴とする(1)(2)の熱処理装置。
(4)前記堆積遅延筒は複数個が同心円に設置されていることを特徴とする(1)(2)(3)の熱処理装置。
(5)排気管内の排気口近傍にカバーが着脱自在に嵌入されていることを特徴とする(1)(2)(3)(4)の熱処理装置。
10…熱処理装置、12…筺体、14…ポッドステージ、16…ポッド、18…ポッド搬送装置、20…ポッド棚、22…ポッドオープナ、24…基板枚数検知器、26…基板移載機、28…ノッチアライナ、30…基板支持具(ボート)、32…アーム(ツイーザ)、
40…反応炉、42…反応管、43…処理室、44…アダプタ、46…ヒータ、48…炉口シールキャップ、50…第二断熱部材、52…第一断熱部材、54…ウエハ(基板)、56…ガス供給口、59…ガス排気口、60…ガス導入管、62…排気管、64…ガス導入経路、66…ノズル、69…コントローラ、
70…カバー(堆積遅延筒)、71a…第一分割体、70b…第二分割体、71…小孔、80…カバー。
40…反応炉、42…反応管、43…処理室、44…アダプタ、46…ヒータ、48…炉口シールキャップ、50…第二断熱部材、52…第一断熱部材、54…ウエハ(基板)、56…ガス供給口、59…ガス排気口、60…ガス導入管、62…排気管、64…ガス導入経路、66…ノズル、69…コントローラ、
70…カバー(堆積遅延筒)、71a…第一分割体、70b…第二分割体、71…小孔、80…カバー。
Claims (1)
- 処理室を形成する反応管と、
前記処理室を閉塞する炉口シールキャップと、
石英が使用されて円筒形状に形成され、前記炉口シールキャップの前記処理室側端面に前記処理室の前記炉口シールキャップ側端部に近接して設置された堆積遅延筒と、
を有することを特徴とする熱処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009283973A JP2011129567A (ja) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | 熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009283973A JP2011129567A (ja) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | 熱処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011129567A true JP2011129567A (ja) | 2011-06-30 |
Family
ID=44291879
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2009283973A Pending JP2011129567A (ja) | 2009-12-15 | 2009-12-15 | 熱処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2011129567A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107919302A (zh) * | 2016-10-11 | 2018-04-17 | 索泰克公司 | 具有收集器装置的热处理系统 |
-
2009
- 2009-12-15 JP JP2009283973A patent/JP2011129567A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN107919302A (zh) * | 2016-10-11 | 2018-04-17 | 索泰克公司 | 具有收集器装置的热处理系统 |
JP2018064094A (ja) * | 2016-10-11 | 2018-04-19 | ソワテク | 回収装置を有する熱処理システム |
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JP7034656B2 (ja) | 2016-10-11 | 2022-03-14 | ソワテク | 回収装置を有する熱処理システム |
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