KR102348829B1 - 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 및 이의 제조방법 - Google Patents

테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 및 이의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이방성 결정구조를 가지는 매트릭스분말 및 판상의 템플레이트입자를 포함하는 슬러리를 테이프캐스팅 공정을 통해 상기 매트릭스분말 내 상기 탬플레이트입자가 일방향 수평 배열되게 형성하며, 소결공정을 통해 상기 템플레이트입자가 성장하여 결정배향되게 형성함으로써, 이를 통해 열전성능이 향상되고 대량제조가 용이한 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
이러한 본 발명은 테이프캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 제조방법에 있어서, 이방성 결정구조를 가지는 매트릭스분말 및 판상의 템플레이트입자를 포함하는 슬러리를 제조하는 슬러리제조단계, 상기 슬러리의 상기 템플레이트입자가 상기 매트릭스분말 내에서 일방향 수평 배열되게 형성된 후막을 형성하는 테이프캐스팅단계 및 상기 템플레이트입자가 상기 매트릭스분말로부터 용질 원소들을 제공받아 입자성장하는 소결단계를 포함한다.

Description

테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 및 이의 제조방법 {CRYSTAL ORIENTED CHALCOGENIDE THERMOELECTRIC MATERIALS USING TAPE CASTING METHOD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이방성 결정구조를 가지는 매트릭스분말 및 판상의 템플레이트입자를 포함하는 슬러리를 테이프캐스팅 공정을 통해 상기 매트릭스분말 내 상기 탬플레이트입자가 일방향 수평 배열되게 형성하며, 소결 공정을 통해 상기 템플레이트입자가 성장하여 결정배향되게 형성함으로써, 이를 통해 열전성능이 향상되고 대량제조가 용이한 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
열전현상이란 열전물질의 양단에 온도차가 있으면 기전력이 발생하거나 (제벡 효과), 또는 열전물질의 양단에 전압차를 주어 전류를 흐르게 하면 한 쪽의 온도는 하강하는 반면에 다른 쪽의 온도는 상승하는 (펠티어 효과) 현상을 지칭하며, 열전소재는 열전현상이 강하게 발생하는 물질이다. 열전소재는 전기를 온도차이로 변환시켜 냉각에 사용할 수도 있고 온도차이를 전기로 변환시켜 발전용으로도 사용 가능하다. 열전변환특성은 무차원 성능지수(dimensionless figure of merit) ZT로 정량적으로 표현할 수 있으며 식은 다음과 같다.
<식 1> : ZT = S2T/ρκ
(T : 절대온도 (K), S : 제벡계수 (V/K), ρ : 열전소재의 비저항 (Ω·cm), κ : 열전소재의 열전도도 (W/K·cm))
성능지수(ZT) 값이 클수록 열전변환특성이 우수하며, ZT는 제벡계수가 클수록, 비저항과 열전도도가 낮을수록 증가한다.
우수한 열전소재의 조건으로는 성능지수(ZT)가 높아야 한다. 또한, 열전소재의 성능지수(ZT)는 온도에 따라 변화하기 때문에 각 온도 영역에서 성능지수(ZT)가 높은 소재를 사용하여야 한다. 예를 들어, Bi-Te계 소재는 저온(상온 ~ 300℃)에서 비교적 높은 특성을 유지한다. 그러나 Bi-Te계 소재는 재료의 안정성 측면에서 300℃ 이상의 중-고온에서는 사용이 불가능하며 열전 성능도 현저히 떨어진다. 이에 따라, Bi-Te계 소재는 저온에서 주로 사용되고 있다.
종래, 각 소재별 온도에 따른 열전 성능지수(ZT)를 높이기 위한 다양한 기술이 시도되어 왔다. 이는 다수의 선행 특허문헌에도 제시되어 있다.
예를 들어, 성능지수(ZT)가 높은 다결정 열전소재의 제조방법으로서 비스무스(Bi), 텔루륨(Te), 셀레늄(Se), 안티몬(Sb)으로부터 선택된 2종 이상의 합금을 제조하고, 상기 합금을 산소 농도가 100ppm 이하의 진공 중 또는 불활성가스 중에서 분쇄하여 평균 분말 입경이 0.1마이크로미터(㎛) 이상 1마이크로미터(㎛) 미만이 되도록 분쇄한 다음, 압력을 가하면서 저항 가열에 의하여 소결하는 열전소재의 제조방법이 제시되어 있다.
또한, 성능지수(ZT)가 우수한 N형의 Bi2Te3계 열전소재의 제조방법으로서, 비스무스(Bi) 및 텔루륨(Te)을 함유하는 용탕을 회전 롤상에 공급하고 액체 급냉법에 의하여 박편 모양의 분말을 형성한 다음, 상기 분말을 다이스에 충전하여 예비 성형한 후, 압박을 가하면서 핫 프레스(HP) 처리하는 열전소재의 제조방법이 제시되어 있다.
아울러, 인듐(In), 코발트(Co) 및 안티몬(Sb)의 분말을 적정 원자 조성으로 혼합하여 분말 혼합물을 형성하고, 이를 수소/아르곤 혼합 기체 존재 하에서 590℃ 내지 620℃까지 가열한 다음, 665℃ 내지 685℃까지 더 가열하여 제1고체를 형성한 후, 상기 제1고체를 분쇄하여 제2분말을 형성하고, 상기 제2분말을 제2고체로 압축한 다음, 수소/아르곤 혼합 기체 존재 하에서 상기 제2고체를 665℃ 내지 685℃에서 가열 소결하여 성능지수 ZT가 1.0을 초과하는 고성능 열전물질 인듐-코발트-안티몬의 제조방법이 제시되어 있다.
또한, 비스무스-안티몬-텔루륨(Bi-Sb-Te) 합금, 비스무스-셀레늄-텔루륨(Bi-Se-Te) 합금, 납-텔루륨(Pb-Te) 합금, 납-셀레늄(Pb-Se) 합금 및 규소-게르마늄(Si-Ge) 합금 등의 열전 출발 물질로부터 다수의 나노 입자를 생성시키는 단계, 및 압력하에 승온에서 나노 입자를 고화(consolidation)시켜, 적어도 한 온도에서 상기 열전 출발 물질보다 높은 ZT값을 갖도록 압축시키는 단계를 포함하는 제조방법이 제시되어 있다.
위와 같이, 종래 열전소재를 제조함에 있어, 열전 성능지수(ZT)를 높이기 위한 여러 방법(예를 들어, 압축소결)을 시도하고 있다. 그러나 종래 기술은 출발 물질로 사용되는 열전재료 입자의 고밀도화를 도모하지 못하여 우수한 열전 성능지수(ZT)를 갖게 하지는 못하고 있다.
한편, 열전소재 내부의 입자 사이즈가 작아질수록 계면이 늘어나 포논 산란을 통한 열전도도가 감소하게 된다. 또한 결정 내부에 반데르발스(van der Waals) 결합을 가진 열전 물질들은 단결정에서는 그 기계적 강도가 매우 약하게 된다. 따라서 낮은 열전도도와 높은 기계적 강도를 위하여 열전소재의 입자를 분말화하여 소결 함으로써 열전소재를 만드는 것이 열전소자를 만들기 위해 주로 사용되는 방법이나 이 경우에는 열전소재의 결정방향에 따른 특성은 모두 사라지게 된다. 또한, 열전재료로서 나노 입자를 사용하는 경우, 소결 과정에서 입자 성장이 이뤄지고 있는데, 이를 방지하지 못하여 열전 성능 지수(ZT)가 저하되는 문제점이 있다.
이러한 단점을 극복하고자 고온고압의 열간성형 (Hot deformation) 방법을 이용하여 결정의 방향성을 향상시켜 열전성능을 향상시킨 결과도 보고되어 있다. 그러나 이 경우 압력과 온도에 에너지가 많이 들게 되며 배향도의 향상도 크지 않다.
또한 증착을 통한 필름 공정으로 Bi2Te3의 경우 일정한 축방향으로 배열하여 축방향에 따른 열전 특성을 연구하였으나 이 방법 또한 대량화가 어려운 단점이 있다.
따라서 이와 같은 문제점들을 해결하기 위한 방법이 요구된다.
대한민국 등록특허 제10-1051010호 대한민국 등록특허 제10-1452795호
본 발명의 기술적 과제는, 배경기술에서 언급한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 더욱 상세하게는 이방성 결정구조를 가지는 매트릭스분말 및 판상의 템플레이트입자를 포함하는 슬러리를 테이프캐스팅 공정을 통해 상기 매트릭스분말 내 상기 탬플레이트입자가 일방향 수평 배열되게 형성하며, 소결공정을 통해 상기 템플레이트입자가 성장하여 결정배향되게 형성함으로써, 이를 통해 열전성능이 향상되고 대량제조가 용이한 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
기술적 과제를 해결하기 위해 안출된 본 발명에 따른 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 제조방법은, 이방성 결정구조를 가지는 매트릭스분말 및 판상의 템플레이트입자를 포함하는 슬러리를 제조하는 슬러리제조단계, 상기 슬러리의 상기 템플레이트입자가 상기 매트릭스분말 내에서 일방향 수평 배열되게 형성된 후막을 형성하는 테이프캐스팅단계 및 상기 템플레이트입자가 상기 매트릭스분말로부터 용질 원소들을 제공받아 입자성장하는 소결단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 후막을 적층 가압하고 성형하는 성형단계를 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 소결단계는, 비활성기체 분위기 내의 300~500도 사이에서 가열가압하여 소결되는 것이 바람직할 수 있다.
또한, 상기 소결단계는, 비활성기체 분위기 내의 50~300도 사이에서 탈지되는 탈지과정을 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 슬러리는, 결합제, 분산제, 가소제 및 용매 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.
그리고, 상기 매트릭스분말은, 칼코게나이드계 열전소재 중 이방성 결정구조를 가지며 비정상 입성장 양상을 보이는 소재인 것이 바람직할 수 있다.
이때, 상기 매트릭스분말은, 비스무트-셀레늄(Bi-Se) 계열, 비스무트-텔루륨(Bi-Te) 계열, 안티몬-셀레늄(Sb-Se) 계열, 안티몬-텔루륨(Sb-Te) 계열, 비소-셀레늄(As-Se) 계열, 비소-텔루륨(As-Te) 계열 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직할 수 있다.
또한, 상기 매트릭스분말은, 저마늄-황(Ge-S) 계열, 저마늄-셀레늄(Ge-Se) 계열, 저마늄-텔루륨(Ge-Te) 계열, 주석-황(Sn-S) 계열, 주석-셀레늄(Sn-Se) 계열, 주석-텔루륨(Sn-Te) 계열, 철-황(Fe-S) 계열, 철-셀레늄(Fe-Se) 계열, 철-텔루륨(Fe-Te) 계열 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직할 수 있다.
그리고, 상기 템플레이트입자는, 상기 매트릭스분말과 동일한 결정구조 및 동일한 조성을 가지는 것이 바람직할 수 있다.
또한, 상기 템플레이트입자는, 상기 매트릭스분말과 동일한 결정구조 및 화학적 안정성을 유지하는 조성으로 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재는, 이방성 결정구조를 가지는 매트릭스분말 및 판상의 템플레이트입자를 포함하는 슬러리를 테이프캐스팅 공정을 통해 상기 매트릭스분말 내 상기 템플레이트입자가 일방향 수평 배열되게 형성하며, 소결공정을 통해 상기 템플레이트입자가 상기 매트릭스분말로부터 용질 원소들을 제공받아 입자성장하며 결정배향되는 열전소재일 수 있다.
그리고, 상기 슬러리는, 결합제, 분산제, 가소제 및 용매 중 적어도 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 매트릭스분말은, 칼코게나이드계 열전소재 중 이방성 결정구조를 가지며 비정상 입성장 양상을 보이는 소재일 수 있다.
이때, 상기 매트릭스분말은, 비스무트-셀레늄(Bi-Se) 계열, 비스무트-텔루륨(Bi-Te) 계열, 안티몬-셀레늄(Sb-Se) 계열, 안티몬-텔루륨(Sb-Te) 계열, 비소-셀레늄(As-Se) 계열, 비소-텔루륨(As-Te) 계열 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또한, 상기 매트릭스분말은, 저마늄-황(Ge-S) 계열, 저마늄-셀레늄(Ge-Se) 계열, 저마늄-텔루륨(Ge-Te) 계열, 주석-황(Sn-S) 계열, 주석-셀레늄(Sn-Se) 계열, 주석-텔루륨(Sn-Te) 계열, 철-황(Fe-S) 계열, 철-셀레늄(Fe-Se) 계열, 철-텔루륨(Fe-Te) 계열 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
한편, 상기 템플레이트입자는, 상기 매트릭스분말과 동일한 결정구조 및 동일한 조성을 가질 수 있다.
그리고, 상기 템플레이트입자는, 상기 매트릭스분말과 동일한 결정구조 및 화학적 안정성을 유지하는 조성으로 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 및 이의 제조방법에 따르면 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
이방성 결정구조를 가지는 매트릭스분말 및 판상의 템플레이트입자를 포함하는 슬러리를 테이프캐스팅 공정을 통해 상기 매트릭스분말 내 상기 탬플레이트입자가 일방향 수평 배열되게 형성하며, 소결공정을 통해 상기 템플레이트입자가 입자성장하여 결정배향되게 형성할 수 있다.
따라서, 열전소재의 열전변환 효율을 향상시키는 방향으로 결정배향하고, 이를 통해 열전성능을 향상시킬 수 있다.
그리고, 테이프캐스팅 공정을 이용한 제조를 통하여 저비용으로 대량 제조가 용이하다.
이러한 본 발명에 의한 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 제조방법의 일 실시예에 따른 순서도이다.
도 2는 본 발명에 따른 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재에서 슬러리의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 테이프캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재에서 테이프캐스팅 공정을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재에서 테이프캐스팅 공정을 통해 상기 매트릭스분말 내 상기 탬플레이트입자가 일방향 수평배열되게 형성된 슬러리의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명에 따른 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재에서 소결 공정을 통해 상기 템플레이트입자가 성장하여 결정배향된 열전소재의 모습을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은, 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.
아울러, 본 발명을 설명하는데 있어서, 전방/후방 또는 상측/하측과 같이 방향을 지시하는 용어들은 당업자가 본 발명을 명확하게 이해할 수 있도록 기재된 것들로서, 상대적인 방향을 지시하는 것이므로, 이로 인해 권리범위가 제한되지는 않는다고 할 것이다.
도 1 내지 도 5를 참조하여, 본 발명에 따른 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재의 일 실시예에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명에 따른 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 제조방법의 일 실시예에 따른 순서도이고, 도 2는 본 발명에 따른 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재에서 슬러리의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명에 따른 테이프캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재에서 테이프캐스팅 공정을 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 4는 본 발명에 따른 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재에서 테이프캐스팅 공정을 통해 상기 매트릭스분말 내 상기 탬플레이트입자가 일방향 수평배열되게 형성된 슬러리의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이며, 도 5는 본 발명에 따른 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재에서 소결 공정을 통해 상기 템플레이트입자가 성장하여 결정배향된 열전소재의 모습을 나타내는 도면이다.
먼저, 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 제조방법은 슬러리제조단계(S10), 테이프캐스팅단계(S20) 및 소결단계(S40)를 포함할 수 있다.
슬러리제조단계(S10)는 이방성 결정구조를 가지는 매트릭스분말(10) 및 판상의 템플레이트입자(20)를 포함하는 슬러리(S)를 제조하는 단계이다.
이때, 매트릭스분말(10)은 칼코게나이드(chalcogenide) 계 열전소재 중 이방성 결정구조를 가지며 비정상 입성장 양상을 보이는 소재인 것이 바람직할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 매트릭스분말(10)은, A2B3 계 열전소재로서, 비스무트-셀레늄(Bi-Se) 계열, 비스무트-텔루륨(Bi-Te) 계열, 안티몬-셀레늄(Sb-Se) 계열, 안티몬-텔루륨(Sb-Te) 계열, 비소-셀레늄(As-Se) 계열, 비소-텔루륨(As-Te) 계열 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직할 수 있다.
또는, 상기 매트릭스분말(10)은, AB 계 열전소재로서, 저마늄-황(Ge-S) 계열, 저마늄-셀레늄(Ge-Se) 계열, 저마늄-텔루륨(Ge-Te) 계열, 주석-황(Sn-S) 계열, 주석-셀레늄(Sn-Se) 계열, 주석-텔루륨(Sn-Te) 계열, 철-황(Fe-S) 계열, 철-셀레늄(Fe-Se) 계열, 철-텔루륨(Fe-Te) 계열 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직할 수 있다.
여기서, 매트릭스분말(10)이 후술하는 템플레이트입자(20)가 성장하는 원천이 될 수 있고 화학적 안정성을 유지할 수 있다면 본 실시예에 제한되지 않고 다양할 수 있다.
한편, 상기 템플레이트입자(20)는, 상기 매트릭스분말(10)과 동일한 결정구조 및 동일한 조성을 가지는 것이 바람직할 수 있다.
보다 구체적으로, Templated Grain Growth (TGG) 공정을 예로 들면, 상기 템플레이트입자(20)는 상기 매트릭스분말(10)과 동일한 조성을 가지는 판상입자인 것이 바람직할 수 있다.
이때, 상기 템플레이트입자(20)는 크기 1 ~ 100 um 및 두께 0.1 ~ 5 um를 가지는 판상형태인 것이 바람직할 수 있다.
Reactive Templated Grain Growth (RTGG) 공정을 예로 들면, 상기 템플레이트입자(20)는 상기 매트릭스분말(10)과 동일한 결정구조 및 화학적 안정성을 유지하는 조성으로 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
이때, 상기 템플레이트입자(20)는 크기 1 ~ 100 um 및 두께 0.1 ~ 5 um를 가지는 판상형태인 것이 바람직할 수 있다.
이러한 구성에서, 매트릭스분말(10)내에서 템플레이트입자(20)가 화학적 안정성을 유지할 수 있다.
여기서, 상기 템플레이트입자(20)는 슬러리 100 중량부에 대해서 템플레이트입자(20) 1~10 중량부를 가지는 것이 바람직할 수 있다.
한편, 상기 슬러리(S)는 결합제, 분산제, 가소제 및 용매(30) 중 적어도 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
여기서, 결합제, 분산제, 가소제 및 용매(30) 등은 상기 슬러리(S) 내의 매트릭스분말(10) 및 템플레이트입자(20)의 결합력을 높이고, 균일하게 분산되도록 형성하며, 성형가공을 용이하게 할 수 있도록 형성된다면 그 구성 및 물질에는 제한이 없다고 할 수 있다.
따라서, 도 2에 도시된 바와 같이, 이방성 결정구조를 가지는 매트릭스분말(10) 및 판상의 템플레이트입자(20)를 포함하는 슬러리(S)를 제조할 수 있다.
이때, 슬러리(S)에는 매트릭스분말(10)이 추가되어 혼합될 수 있으며. 후술하는 테이프캐스팅단계(S20) 및 소결단계(S40)를 통해 템플레이트결정이 매트릭스분말(10)로부터 용질 원소들을 제공받아성장하며, 결정배향될 수 있다면 그 종류 및 개수에는 제한이 없다고 할 수 있다.
테이프캐스팅단계(S20)는 상기 슬러리(S)의 상기 템플레이트입자(20)가 상기 매트릭스분말(10) 내에서 일방향 수평 배열되게 형성된 후막을 형성하는 단계이다.
도 3을 참조하면, 테이프캐스팅단계(S20)는 필름(T) 상에 도포된 슬러리(S)가 블레이드(B)를 통과하며 균일한 두께를 가진 후막을 가지도록 형성되는 단계일 수 있다.
여기서, 후막은 블레이드(B)를 통과한 슬러리(S')를 칭하며, 도 4를 참조하면, 블레이드(B)를 통과한 슬러리(S)는 템플레이트입자(20)가 매트릭스분말(10) 내에서 일방향 수평 배열되게 형성되는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 입자의 배향성을 높일 수 있다.
또한, 테이프캐스팅 공정을 이용하면 저비용으로 대량생산이 용이한 효과 역시 가질 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 테이프캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 제조방법은 성형단계(S30)를 더 포함할 수 있다.
성형단계(S30)는 상기 후막을 적층 가압하고 성형하는 단계이다.
즉, 성형단계(S30)는 상기 테이프캐스팅단계(S20)에서 블레이드(B)를 통과하며 형성된 후막을 적층가압 후 시편 성형 가공하는 단계일 수 있다.
이어서, 소결단계(S40)는 상기 템플레이트입자(20)가 상기 매트릭스분말(10)로부터 용질 원소들을 제공받아 입자성장하는 단계이다.
소결단계(S40)는 비활성기체 분위기 내의 300~500도 사이에서 가열가압하여 소결되는 것이 바람직할 수 있다.
여기서, 비활성기체는 Ar, N2, H2 및 이의 혼합으로부터 이루어진 기체일 수 있다.
이러한 과정에서, 상기 템플레이트입자(20)가 상기 매트릭스분말(10)로부터 용질 원소들을 제공받아 입자성장하고, 따라서 도 5와 같이, 최종 소결체(100)의 배향성을 높일 수 있다.
즉, 전술한 단계에서, 상기 템플레이트입자(20)가 입자성장하며 열전소재의 열전변환 효율을 향상시키는 방향으로 결정배향되는 소결체(100)를 형성하고, 이를 통해 열전소재의 열전성능을 향상시킬 수 있다.
그리고, 상기 소결단계(S40)는, 비활성기체 분위기 내의 50~300도 사이에서 탈지되는 탈지과정(S41)을 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 탈지과정(S41) 은 상기 소결단계(S40) 이전에 이루어지는 것이 바람직하며. 본 실시예에서는 상기 성형단계(S30) 및 상기 소결단계(S40) 사이에서 이루어질 수 있다.
이때, 비활성기체는 Ar, N2, H2 및 95N2-5H2 등과 같거나 이의 혼합으로부터 이루어진 기체일 수 있다.
탈지과정(S41)을 통해 상기 슬러리(S‘) 내의 결합제, 분산제, 가소제 및 용매(30) 등을 탈지할 수 있는 효과를 가질 수 있다.
이상으로 본 발명에 따른 테이프캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 제조방법의 일 실시예 대하여 설명하였으며, 이하에서는 테이프캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재에 대해 상세히 설명하도록 한다.
후술하는 테이프캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재에 대한 설명에서 테이프캐스팅 공정, 소결공정 등의 공정단계 및 구성은 전술한 테이프캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 제조방법과 같으므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
먼저, 도 2 내지 도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 테이프캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재는, 이방성 결정구조를 가지는 매트릭스분말(10) 및 판상의 템플레이트입자를 포함하는 슬러리(S)를 테이프캐스팅 공정을 통해 상기 매트릭스분말(10) 내 상기 탬플레이트입자가 일방향 수평 배열되게 형성하며, 소결공정을 통해 상기 템플레이트결정이 상기 매트릭스분말(10)로부터 용질 원소들을 제공받아 입자성장하며 결정배향되는 열전소재일 수 있다.
여기서, 상기 슬러리(S)는, 결합제, 분산제, 가소제 및 용매(30) 중 적어도 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 여기서, 결합제, 분산제, 가소제 및 용매(30) 등은 상기 슬러리(S) 내의 매트릭스분말(10) 및 템플레이트입자(20)의 결합력을 높이고, 균일하게 분산되도록 형성하며, 성형가공을 용이하게 할 수 있도록 형성된다면 그 구성 및 물질에는 제한이 없다고 할 수 있다.
이때, 상기 매트릭스분말(10)은, 칼코게나이드계 열전소재 중 이방성 결정구조를 가지며 비정상 입성장 양상을 보이는 소재인 것이 바람직할 수 있다.
그리고, 상기 매트릭스분말(10)은, 비스무트-셀레늄(Bi-Se) 계열, 비스무트-텔루륨(Bi-Te) 계열, 안티몬-셀레늄(Sb-Se) 계열, 안티몬-텔루륨(Sb-Te) 계열, 비소-셀레늄(As-Se) 계열, 비소-텔루륨(As-Te) 계열 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직할 수 있다.
또는, 상기 매트릭스분말(10)은, 저마늄-황(Ge-S) 계열, 저마늄-셀레늄(Ge-Se) 계열, 저마늄-텔루륨(Ge-Te) 계열, 주석-황(Sn-S) 계열, 주석-셀레늄(Sn-Se) 계열, 주석-텔루륨(Sn-Te) 계열, 철-황(Fe-S) 계열, 철-셀레늄(Fe-Se) 계열, 철-텔루륨(Fe-Te) 계열 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직할 수 있다.
여기서, 매트릭스분말(10)이 후술하는 템플레이트입자(20)가 성장 가능하게 하는 원천이 될 수 있다면 본 실시예에 제한되지 않고 다양할 수 있다.
한편, 상기 템플레이트입자(20)는, 상기 매트릭스분말(10)과 동일한 결정구조 및 동일한 조성을 가지는 것이 바람직할 수 있다.
보다 구체적으로, Templated Grain Growth (TGG) 공정을 예로 들면, 상기 템플레이트입자(20)는 상기 매트릭스분말(10)과 동일한 조성을 가지는 판상입자인 것이 바람직할 수 있다.
이때, 상기 템플레이트입자(20)는 크기 1 ~ 100 um 및 두께 0.1 ~ 5 um를 가지는 판상형태인 것이 바람직할 수 있다.
Reactive Templated Grain Growth (RTGG) 공정을 예로 들면, 상기 템플레이트입자(20)는 상기 매트릭스분말(10)과 동일한 결정구조 및 화학적 안정성을 유지하는 조성으로 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
이때, 상기 템플레이트입자(20)는 크기 1 ~ 100 um 및 두께: 0.1 ~ 5 um를 가지는 판상형태인 것이 바람직할 수 있다.
이러한 구성에서, 매트릭스분말(10)내에서 템플레이트입자(20)가 화학적 안정성을 유지할 수 있다.
전술한 바와 같은 구성을 통해, 도 2와 같은 이방성 결정구조를 가지는 매트릭스분말(10) 및 판상의 템플레이트입자(20)를 포함하는 슬러리(S)를 구성할 수 있으며, 테이프캐스팅 공정을 통해 도 4와 같은 상기 매트릭스분말(10) 내 상기 템플레이트입자(20)가 일방향 수평 배열되게 형성할 수 있다.
그리고, 소결공정을 통해, 도 4와 같은, 상기 템플레이트입자(20) 상기 매트릭스분말(10)로부터 용질 원소들을 제공받아 입자성장하며 결정배향되는 소결체(100)를 형성하여, 열전성능이 향상된 열전소재를 제조할 수 있다.
즉, 열전소재의 열전변환 효율을 향상시키는 방향으로 결정배향하고, 이를 통해 열전성능을 향상시킬 수 있다.
이상과 같이 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.
S10: 슬러리제조단계
S20: 테이프캐스팅단계
S30: 성형단계
S40: 소결단계
10: 매트릭스분말
20: 템플레이트입자
30: 용매
100: 소결체

Claims (17)

  1. 이방성 결정구조를 가지는 매트릭스분말 및 판상의 템플레이트입자를 포함하는 슬러리를 제조하는 슬러리제조단계;
    상기 슬러리의 상기 템플레이트입자가 상기 매트릭스분말 내에서 일방향 수평 배열되게 형성된 후막을 형성하는 테이프캐스팅단계; 및
    상기 템플레이트입자가 상기 매트릭스분말로부터 용질 원소들을 제공받아 입자성장하는 소결단계;를 포함하되,
    상기 매트릭스분말은,
    칼코게나이드계 열전소재 중 이방성 결정구조를 가지며 비정상 입성장 양상을 보이는 소재이고,
    상기 템플레이트입자는,
    상기 매트릭스분말과 동일한 결정구조 및 동일한 조성을 가지고, 크기 1 ~ 100 μm 및 두께 0.1 ~ 5 μm의 판상형태인 것을 특징으로 하는 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 후막을 적층 가압하고 성형하는 성형단계를 더 포함하는 테이프캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 제조방법
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 소결단계는,
    비활성기체 분위기 내의 300~500도 사이에서 가열가압하여 소결되는 것을 특징으로 하는 테이프캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 소결단계는,
    비활성기체 분위기 내의 50~300도 사이에서 탈지되는 탈지과정을 더 포함하는 테이프캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 슬러리는,
    결합제, 분산제, 가소제 및 용매 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 제조방법.
  6. 삭제
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 매트릭스분말은,
    비스무트-셀레늄(Bi-Se) 계열, 비스무트-텔루륨(Bi-Te) 계열, 안티몬-셀레늄(Sb-Se) 계열, 안티몬-텔루륨(Sb-Te) 계열, 비소-셀레늄(As-Se) 계열, 비소-텔루륨(As-Te) 계열 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 제조방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 매트릭스분말은,
    저마늄-황(Ge-S) 계열, 저마늄-셀레늄(Ge-Se) 계열, 저마늄-텔루륨(Ge-Te) 계열, 주석-황(Sn-S) 계열, 주석-셀레늄(Sn-Se) 계열, 주석-텔루륨(Sn-Te) 계열, 철-황(Fe-S) 계열, 철-셀레늄(Fe-Se) 계열, 철-텔루륨(Fe-Te) 계열 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재 제조방법.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 이방성 결정구조를 가지는 매트릭스분말 및 판상의 템플레이트입자를 포함하는 슬러리를 테이프캐스팅 공정을 통해 상기 매트릭스분말 내 상기 템플레이트입자가 일방향 수평 배열되게 형성하며, 소결공정을 통해 상기 템플레이트입자가 상기 매트릭스분말로부터 용질 원소들을 제공받아 입자성장하며 결정배향되는 테이프캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재에 있어서,
    상기 매트릭스분말은,
    칼코게나이드계 열전소재 중 이방성 결정구조를 가지며 비정상 입성장 양상을 보이는 소재이고,
    상기 템플레이트입자는,
    상기 매트릭스분말과 동일한 결정구조 및 동일한 조성을 가지고, 크기 1 ~ 100 μm 및 두께 0.1 ~ 5 μm의 판상형태인 것을 특징으로 하는 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 슬러리는,
    결합제, 분산제, 가소제 및 용매 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재.
  13. 삭제
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 매트릭스분말은,
    비스무트-셀레늄(Bi-Se) 계열, 비스무트-텔루륨(Bi-Te) 계열, 안티몬-셀레늄(Sb-Se) 계열, 안티몬-텔루륨(Sb-Te) 계열, 비소-셀레늄(As-Se) 계열, 비소-텔루륨(As-Te) 계열 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재.
  15. 제 11항에 있어서,
    상기 매트릭스분말은,
    저마늄-황(Ge-S) 계열, 저마늄-셀레늄(Ge-Se) 계열, 저마늄-텔루륨(Ge-Te) 계열, 주석-황(Sn-S) 계열, 주석-셀레늄(Sn-Se) 계열, 주석-텔루륨(Sn-Te) 계열, 철-황(Fe-S) 계열, 철-셀레늄(Fe-Se) 계열, 철-텔루륨(Fe-Te) 계열 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 테이프 캐스팅 공정을 이용한 결정배향된 칼코게나이드계 열전소재.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102661777B1 (ko) * 2019-11-12 2024-04-26 한국전기연구원 테이프캐스팅 공정용 이방성 열전소재 조성물
KR102217314B1 (ko) * 2020-03-18 2021-02-19 한국과학기술원 이방성을 가지는 다결정성 열전물질의 제조방법, 열전물질 및 이를 포함하는 열전소자
KR102308852B1 (ko) * 2020-12-18 2021-10-01 한국세라믹기술원 BaTiO3 씨드층을 포함한 다결정 BiScO3-PbTiO3 압전 소재 및 이의 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004087537A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Toyota Central Res & Dev Lab Inc ｐ型熱電変換材料及びその製造方法
JP2010232554A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Ube Ind Ltd 熱電変換材料の製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101452795B1 (ko) 2006-12-01 2014-10-21 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지 나노 구조의 열전 재료에서의 높은 성능 지수를 위한 방법
KR20100009455A (ko) * 2008-07-18 2010-01-27 삼성전자주식회사 열전재료 및 칼코게나이드 화합물
KR101051010B1 (ko) 2008-11-12 2011-07-26 세종대학교산학협력단 ｐ형 Ｂｉ-Ｓｂ-Ｔｅ계 열전재료의 제조방법
KR101420023B1 (ko) * 2012-12-27 2014-07-17 전자부품연구원 열전 나노컴포지트
KR101981649B1 (ko) * 2015-09-10 2019-05-23 한국기계연구원 BaTiO3계 무연 압전 세라믹스의 결정배향용 템플레이트 및 그 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004087537A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Toyota Central Res & Dev Lab Inc ｐ型熱電変換材料及びその製造方法
JP2010232554A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Ube Ind Ltd 熱電変換材料の製造方法

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