TWI491556B - 熱電材料及其製造方法 - Google Patents
熱電材料及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI491556B TWI491556B TW101149019A TW101149019A TWI491556B TW I491556 B TWI491556 B TW I491556B TW 101149019 A TW101149019 A TW 101149019A TW 101149019 A TW101149019 A TW 101149019A TW I491556 B TWI491556 B TW I491556B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- thermoelectric
- grains
- thermoelectric material
- metal particles
- nano metal
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 33
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims description 32
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 claims description 23
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 5
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910016312 BiSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- -1 organometallic silver compound Chemical class 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 229940100890 silver compound Drugs 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000002074 melt spinning Methods 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/002—Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
- C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
本發明係有關於熱電材料，特別係有關於具有微米粒子與奈米粒子的熱電材料。
熱電發電裝置是一種具有熱與電兩種能量互相轉換特性之元件，其為固態結構，不需要運動組件。通常熱電發電裝置以塊狀之P型與N型熱電材料電性串聯、導電金屬層、銲料及電絕緣之上下基板所構成。當熱電發電裝置上下基板處於不同溫度時，即模組基板有溫差時，熱電發電裝置產生直流電。產生直流電方向由P/N熱電材料的放置順序與冷熱相對位置有關。
為了提高熱電發電裝置之熱電轉換效率，研究上無不積極在改進熱電材料的性質。
提供一種熱電材料的製造方法。方法包括以下步驟。在複數個熱電微米晶粒的表面上形成分散的複數個奈米金屬粒子之後，混合複數個熱電奈米晶粒與具有奈米金屬粒子於其上的熱電微米晶粒以形成熱電混合物。燒結熱電混合物以形成熱電材料。
提供一種熱電材料。熱電材料包括複數個熱電微米晶粒、複數個熱電奈米晶粒與複數個奈米金屬粒子混合在一起。
提供一種熱電材料。熱電材料包括由複數個熱電微米晶粒、複數個熱電奈米晶粒與複數個奈米金屬粒子混合構
成的燒結晶體。
下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
熱電材料可包括由複數個熱電微米晶粒、複數個熱電奈米晶粒與複數個奈米金屬粒子均勻混合構成的燒結晶體。
熱電材料的製造方法可包括提供熱電混合物。熱電混合物包括均勻混合的複數個熱電微米晶粒、複數個熱電奈米晶粒與複數個奈米金屬粒子。於一實施例中，熱電混合物的形成方法包括在熱電微米晶粒的表面上形成分散的奈米金屬粒子之後，混合熱電奈米晶粒與具有奈米金屬粒子於其上的熱電微米晶粒。然後，燒結熱電混合物以形成熱電材料。
熱電微米晶粒、熱電奈米晶粒可包括M2
N3
。M擇自由Bi與Sb所構成之群組。於一實施例中，舉例來說，M為Bi0.25
Sb0.75
。N擇自由Te與Se所構成之群組。於一實施例中，熱電微米晶粒、熱電奈米晶粒包括Bi0.5
Sb1.5
Te3
。
熱電微米晶粒各個的尺寸係10μm~200μm。熱電奈米晶粒各個的尺寸係10nm~100nm。奈米金屬粒子各個的尺寸係10nm~100nm。
於一實施例中，熱電奈米晶粒佔熱電混合物的5wt.%~40wt.%。熱電微米晶粒佔熱電混合物的95wt.%~60wt.%。
舉例來說，當熱電混合物(熱電材料)中熱電奈米晶粒
佔10wt.%~20wt.%時，熱電材料在30℃~200℃溫度範圍之操作特性優。當熱電混合物(熱電材料)中熱電奈米晶粒佔5wt.%~40wt.%時，熱電材料在30℃~75℃溫度範圍之操作特性優。當熱電混合物(熱電材料)中熱電奈米晶粒佔5wt.%~20wt.%時，熱電材料在30℃~125℃溫度範圍之操作特性優。
於一實施例中，金屬奈米粒子的重量佔整個熱電混合材料總重量的0.01%~1%，有優異的熱電特性；舉例來說，當金屬奈米銀粒子佔熱電混合材料總重量的0.09%~0.11%時，熱電材料的功率因子(power factor)可提高約2倍。
奈米金屬粒子可包括密度大於10g/cm3
的重金屬。舉例來說，奈米金屬粒子可包括但不限於金(Au)、銀(Ag)、鎢(W)、鉬(Mo)。
熱電混合物以形成熱電材料的燒結溫度可介於250℃~450℃。燒結時間可介於3mins~60mins。燒結壓力可介於50MPa~500MPa。燒結氣氛可為Ar或N2
等惰性氣體。
於一實施例中，熱電材料係具有P導電型。然本揭露並不限於此，在其他實施例中，熱電材料係具有N導電型。
實施例之熱電材料同時能具有高的塞貝克係數(Seebeck)係數、低熱傳導係數，並維持一定水準的導電率。熱電材料具有高的熱電優值(figure of merit；ZT)，應用在熱電轉換裝置可表現出優異的發電或致冷效能。而效能佳的熱電材料表示可以使用較少的用量於熱電轉換裝置中，因此能降低製造成本並幫助裝置往小型化發展。
為讓本發明之上述內容能更明顯易懂，下文特舉實施例作詳細說明如下：
將5N高純度Bi、Sb及Te的元素，按Bi0.5
Sb1.5
Te3
的化學計量比分別秤重，再根據這三種元素的總重量，額外秤取總重量之3wt.%的Te，依照Te、Bi及Sb的順序放入石英管中，抽真空至10-3
torr後對石英管進行封管。將封管後的石英管加熱至700℃以上，待其全部熔化後，充分搖動石英管使熔湯組成分佈均勻，再將石英管快速冷卻(淬火)，得到無偏析的化合物棒材。然後，將石英管中預熔完成的材料進行區域融熔製程(zone melting process)，棒材沿著加熱器(heater)移動方向成長為晶粒粗大(晶粒寬度3-6mm，長度10-30mm)的單方向結晶棒材。然後將單方向結晶棒材由石英管中取出。
其中額外秤取總重量之3wt.%的Te，是在製作(BiSb)2
(TeSe)3
熱電材料時，可能為了彌補材料製程中Te容易損失，或是為了製造材料內部原子缺陷等目的，額外少量過度添加Te元素，基本上它不影響(BiSb)2
(TeSe)3
材料的結構，屬於在製程中補充或微量添加。在一些情況下，這少量超額添加的Te可在0.5~5wt.%間，或甚至可以不加。
取部份的結晶棒材進行粉碎與研磨，並利用篩網，選
取尺寸在45μm~75μm的粉末(熱電微米晶粒)備用。
利用有機金屬裂解法(Metallo-organic Decomposition，MOD)，利用有機金屬銀化合物，在260℃下進行1小時的反應，在熱電微米晶粒粉末的表面沉積奈米金屬粒子(銀)，奈米銀粒子的尺寸在10-100nm間，沉積量控制在熱電材料(或熱電混合物)總重量的0.1wt.%。
對結晶棒材進行熔融紡絲(melt spinning)製程，得到快速凝固粉片。將快速凝固粉片進一步研磨成粉體(熱電奈米晶粒)。以TEM確認熱電奈米晶粒之尺寸約為20 nm~50nm。
將熱電奈米晶粒粉末與具有奈米金屬粒子於其上的熱電微米晶粒粉末以不同比例均勻混合，得到熱電混合物，然後利用真空及氣氛熱壓法將熱電混合物固結成塊材。熱壓溫度400℃，壓力100MPa，持壓30mins。熱電混合物中熱電奈米晶粒係佔5 wt.%(實施例1)、10 wt.%(實施例2)、20 wt.%(實施例3)、40 wt.%(實施例4)、0 wt.%(比較例5)。
第1圖為各熱電材料與相同組成但係傳統單方向結晶構造的棒材(比較例6)在室溫約30℃至200℃的熱電優值(Figure of merit；ZT)。從第1圖可發現，實施例1~4之熱電材料在30℃~75℃下具有比比較例5~6高的熱電優值。
在30℃~125℃下，實施例1~3之熱電材料下具有比比較例5~6、實施例4高的熱電優值。在所有的溫度範圍下(30℃~200℃)下，實施例2、3之熱電材料下具有比比較例5~6、實施例1、4高的熱電優值。
第2圖、第3圖、第4圖、第5圖分別為具有不同重量百分比(0wt.%、0.1wt.%、0.2wt.%、0.6wt.%、或1wt.%)之奈米金屬粒子(Ag)的熱電材料與塞貝克係數(Seebeck coefficient)、功率因子(power factor)、導電率(conductivity)、遷移率(mobility)的關係。其中添加0.1wt.%奈米金屬粒子(Ag)的熱電材料在各性質上同時表現出較佳的結果。
若熱電材料僅使用奈米維度材料的熱電奈米晶粒、奈米金屬粒子，而沒有使用熱電微米晶粒，奈米維度材料造成的高密度晶界與不規則的原子排列會對載子的傳輸產生散射作用，而降低導電載子的遷移率(carrier mobility)並降低導電率，會對ZT值產生負面的下降效應。此外，高密度晶界也會對聲子(phonon)產生散射效果，而降低熱傳導率。然而，材料的晶界能提供界面能量過濾效應，來過濾低能量電子，有利於提高費米能階附近的能態密度，並提高Seebeck係數，因此熱電奈米晶粒、奈米金屬粒子有使用的必要性。實施例中，熱電奈米晶粒、奈米金屬粒子搭配使用晶界密度較小的熱電微米晶粒能夠提高熱電材料的導電、熱性質。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟悉此項技藝者，在不脫離本發明之精
神和範圍內，當可做些許更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
第1圖為熱電材料與結晶棒材在室溫至200℃的熱電優值。
第2圖為具有不同重量百分比之奈米金屬粒子的熱電材料與塞貝克係數的關係。
第3圖為具有不同重量百分比之奈米金屬粒子的熱電材料與功率因子的關係。
第4圖為具有不同重量百分比之奈米金屬粒子的熱電材料與導電率的關係。
第5圖為具有不同重量百分比之奈米金屬粒子的熱電材料與遷移率的關係。
Claims (15)
- 一種熱電材料的製造方法，包括：在複數個熱電微米晶粒的表面上形成分散的複數個奈米金屬粒子之後，混合複數個熱電奈米晶粒與具有該些奈米金屬粒子於其上的該些熱電微米晶粒以形成一熱電混合物，該些奈米金屬粒子的重量佔該熱電混合物總重量的0.01%~1%；以及燒結該熱電混合物以形成一熱電材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之熱電材料的製造方法，其中該些熱電微米晶粒或該些熱電奈米晶粒包括Bi0.5 Sb1.5 Te3 。
- 如申請專利範圍第1項所述之熱電材料的製造方法，其中該些熱電微米晶粒或該些熱電奈米晶粒包括M2 N3 ，M擇自由鉍(Bi)與銻(Sb)所構成之群組，N擇自由碲(Te)與硒(Se)所構成之群組。
- 如申請專利範圍第1項所述之熱電材料的製造方法，其中該些熱電微米晶粒各個的尺寸係10μm~200μm，該些熱電奈米晶粒各個的尺寸係10nm~100nm，該些奈米金屬粒子各個的尺寸係10nm~100nm。
- 如申請專利範圍第1項所述之熱電材料的製造方法，其中該些熱電奈米晶粒佔該熱電混合物的5wt.%~40wt.%，該些熱電微米晶粒佔該熱電混合物的95wt.%~60wt.%。
- 如申請專利範圍第1項所述之熱電材料的製造方法，其中該奈米金屬粒子包括金(Au)、銀(Ag)、鎢(W)、或 鉬(Mo)。
- 一種熱電材料，包括：複數個熱電微米晶粒；複數個熱電奈米晶粒；以及複數個奈米金屬粒子，其中該些熱電微米晶粒、該些熱電奈米晶粒與該些奈米金屬粒子係混合在一起，該些奈米金屬粒子的重量佔該熱電材料之總重量的0.01%~1%。
- 如申請專利範圍第7項所述之熱電材料，其中該熱電材料係由如申請專利範圍第1~6項其中之一所述之製造方法製得。
- 一種熱電材料，包括由複數個熱電微米晶粒、複數個熱電奈米晶粒與複數個奈米金屬粒子混合構成的燒結晶體，該些奈米金屬粒子的重量佔該熱電材料之總重量的0.01%~1%。
- 如申請專利範圍第9項所述之熱電材料，其中該熱電材料係由如申請專利範圍第1~6項其中之一所述之製造方法製得。
- 如申請專利範圍第7或9項所述之熱電材料，其中該些熱電微米晶粒或該些熱電奈米晶粒包括Bi0.5 Sb1.5 Te3 。
- 如申請專利範圍第7或9項所述之熱電材料，其中該些熱電微米晶粒或該些熱電奈米晶粒包括M2 N3 ，M擇自由Bi與Sb所構成之群組，N擇自由Te與Se所構成之群組。
- 如申請專利範圍第7或9項所述之熱電材料，其 中該些熱電微米晶粒各個的尺寸係10μm~200μm，該些熱電奈米晶粒各個的尺寸係10nm~100nm，該些奈米金屬粒子各個的尺寸係10nm~100nm。
- 如申請專利範圍第7或9項所述之熱電材料，其中該些熱電奈米晶粒佔該熱電材料的5wt.%~40wt.%，該些熱電微米晶粒佔該熱電材料的95wt.%~60wt.%。
- 如申請專利範圍第7或9項所述之熱電材料，其中該些奈米金屬粒子包括Au、Ag、W、或Mo。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101149019A TWI491556B (zh) | 2012-12-21 | 2012-12-21 | 熱電材料及其製造方法 |
| CN201210579278.XA CN103887421A (zh) | 2012-12-21 | 2012-12-27 | 热电材料及其制造方法 |
| US13/944,941 US9123857B2 (en) | 2012-12-21 | 2013-07-18 | Thermoelectric material and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW101149019A TWI491556B (zh) | 2012-12-21 | 2012-12-21 | 熱電材料及其製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201425208A TW201425208A (zh) | 2014-07-01 |
| TWI491556B true TWI491556B (zh) | 2015-07-11 |
Family
ID=50956235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101149019A TWI491556B (zh) | 2012-12-21 | 2012-12-21 | 熱電材料及其製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9123857B2 (zh) |
| CN (1) | CN103887421A (zh) |
| TW (1) | TWI491556B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106328801B (zh) * | 2016-09-21 | 2019-03-01 | 国家纳米科学中心 | 一种通过界面调控法制备溶剂化纳米晶热电薄膜的方法 |
| KR20180060265A (ko) * | 2016-11-28 | 2018-06-07 | 희성금속 주식회사 | 산화도가 제어된 Bi-Te계 열전 재료의 제조 방법 |
| CN107452865B (zh) * | 2017-06-23 | 2020-07-28 | 东风商用车有限公司 | 一种金纳米颗粒包覆纳米片结构Sb2Te3热电材料的制作方法 |
| KR102395296B1 (ko) * | 2017-09-26 | 2022-05-09 | 현대자동차주식회사 | 열전재료 및 이의 제조방법 |
| JPWO2022071043A1 (zh) * | 2020-09-30 | 2022-04-07 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101347838B (zh) * | 2008-09-11 | 2010-08-04 | 清华大学 | 一种Ag纳米颗粒复合CoSb3基热电材料的制备方法 |
| TW201118041A (en) * | 2009-08-17 | 2011-06-01 | Laird Technologies Inc | Synthesis of silver, antimony, and tin doped bismuth telluride nanoparticles and bulk bismuth telluride to form bismuth telluride composites |
| CN102482766A (zh) * | 2009-06-30 | 2012-05-30 | 欧-弗莱克斯科技有限公司 | 用于制造热电层的方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4447277A (en) * | 1982-01-22 | 1984-05-08 | Energy Conversion Devices, Inc. | Multiphase thermoelectric alloys and method of making same |
| US7365265B2 (en) | 2004-06-14 | 2008-04-29 | Delphi Technologies, Inc. | Thermoelectric materials comprising nanoscale inclusions to enhance seebeck coefficient |
| US7465871B2 (en) | 2004-10-29 | 2008-12-16 | Massachusetts Institute Of Technology | Nanocomposites with high thermoelectric figures of merit |
| US7309830B2 (en) | 2005-05-03 | 2007-12-18 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | Nanostructured bulk thermoelectric material |
| CN1786229A (zh) * | 2005-11-04 | 2006-06-14 | 北京工业大学 | 纳米/微米复合晶粒结构的CoSb3热电材料制备方法 |
| CN1752241A (zh) * | 2005-11-11 | 2006-03-29 | 北京工业大学 | 纳米/微米复合晶粒结构的Lax－FeCo3Sb12热电材料制备方法 |
| US7718002B2 (en) | 2007-03-07 | 2010-05-18 | Ricoh Company, Ltd. | Crystal manufacturing apparatus |
| TWI360901B (en) | 2007-12-28 | 2012-03-21 | Ind Tech Res Inst | Thermoelectric device with thin film elements, app |
| KR101530376B1 (ko) * | 2008-10-23 | 2015-06-26 | 한국교통대학교산학협력단 | 벌크상 열전재료 및 이를 구비한 열전소자 |
| US8748726B2 (en) | 2009-08-17 | 2014-06-10 | Laird Technologies, Inc. | Synthesis of silver, antimony, and tin doped bismuth telluride nanoparticles and bulk bismuth telluride to form bismuth telluride composites |
| KR101594132B1 (ko) * | 2009-11-05 | 2016-02-16 | 삼성전자주식회사 | 나노복합체형 열전재료, 이를 포함하는 열전모듈과 열전 장치 |
| KR101791599B1 (ko) | 2010-10-08 | 2017-10-30 | 한국교통대학교산학협력단 | 벌크 나노 복합체형 열전재료, 나노 복합체형 열전재료 분체 및 그 제조방법 |
| US8568607B2 (en) | 2011-02-08 | 2013-10-29 | Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. | High-pH synthesis of nanocomposite thermoelectric material |
-
2012
- 2012-12-21 TW TW101149019A patent/TWI491556B/zh active
- 2012-12-27 CN CN201210579278.XA patent/CN103887421A/zh active Pending
-
2013
- 2013-07-18 US US13/944,941 patent/US9123857B2/en active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101347838B (zh) * | 2008-09-11 | 2010-08-04 | 清华大学 | 一种Ag纳米颗粒复合CoSb3基热电材料的制备方法 |
| CN102482766A (zh) * | 2009-06-30 | 2012-05-30 | 欧-弗莱克斯科技有限公司 | 用于制造热电层的方法 |
| TW201118041A (en) * | 2009-08-17 | 2011-06-01 | Laird Technologies Inc | Synthesis of silver, antimony, and tin doped bismuth telluride nanoparticles and bulk bismuth telluride to form bismuth telluride composites |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201425208A (zh) | 2014-07-01 |
| US9123857B2 (en) | 2015-09-01 |
| CN103887421A (zh) | 2014-06-25 |
| US20140174492A1 (en) | 2014-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Bux et al. | Nanostructured materials for thermoelectric applications | |
| US7002071B1 (en) | Thermoelectric conversion material and method of producing the same | |
| US9190593B2 (en) | Nano-complex thermoelectric material, and thermoelectric module and thermoelectric apparatus including the same | |
| US20110139208A1 (en) | Nanocomposite thermoelectric material, and thermoelectric device and thermoelectric module including the same | |
| CN102024899B (zh) | 一种纳米颗粒复合碲化铋基热电材料及其制备方法 | |
| KR101902925B1 (ko) | 열전재료, 열전소자 및 열전모듈 | |
| CA2787459C (en) | Nanocomposite thermoelectric conversion material and process for producing same | |
| TWI491556B (zh) | 熱電材料及其製造方法 | |
| JP2829415B2 (ja) | 熱電半導体材料およびその製造方法 | |
| Malik et al. | Enhanced thermoelectric performance of n-type Bi2Te3 alloyed with low cost and highly abundant sulfur | |
| KR102579987B1 (ko) | 반도체 소결체, 전기·전자 부재 및 반도체 소결체 제조방법 | |
| JP7310871B2 (ja) | 熱電変換材料、熱電変換素子および熱電変換材料の製造方法 | |
| JP2013541639A (ja) | ｐ型スクッテルダイト材料およびその製造方法 | |
| KR101094458B1 (ko) | 열전효율이 향상된 나노복합체의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 나노복합체 | |
| JP6473068B2 (ja) | 熱電変換材料および熱電変換素子 | |
| JP6279639B2 (ja) | 熱電変換材料およびその製造方法 | |
| US20220077375A1 (en) | Thermoelectric material manufacturing method | |
| KR102046142B1 (ko) | 열안정성이 개선된 열전 파우더, 열전 재료 및 그 제조 방법 | |
| JP2000261044A (ja) | 熱電変換材料とその製造方法 | |
| JP2021044424A (ja) | 熱電変換材料 | |
| US8828774B2 (en) | Method for a single precursor ionic exchange to prepare semiconductor nanocrystal n-type thermoelectric material | |
| KR102336650B1 (ko) | 복합체형 열전소재 및 이의 제조방법 | |
| Bux | Synthesis and characterization of bulk nanostructured semiconductors for thermoelectric applications | |
| KR20240104564A (ko) | Au 나노입자가 함유된 Bi-Sb-Te계 열전 복합체 및 그의 제조방법 | |
| JP2001068744A (ja) | 熱電変換材料と熱電変換素子 |