KR102566232B1 - 판상형 구조를 가지는 안티몬텔룰라이드 열전재료 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 판상형 구조를 가지는 안티몬텔룰라이드 열전재료 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 안티몬텔룰라이드(Sb2Te3)를 합성하는 공정에서 반응조건을 조절하여 결정방향 C축에 수직된 방향으로 성장된 방향성을 가지는 판상형 구조를 합성하며, 이를 통해 열전도도가 저하되고 열전변환 효율이 상승되는 방향으로 배열이 가능한 판상형 구조를 가지는 열전재료 안티몬텔룰라이드(Sb2Te3) 제조방법에 관한 것이다.
이러한 본 발명은 판상형 구조를 가지는 열전재료 안티몬텔룰라이드 제조방법은 안티몬(Sb) 전구체, 텔루륨(Te) 전구체를 유기용매에 각각 용해시켜서 용액을 제조하는 용해단계, 상기 안티몬(Sb) 용액과 상기 텔루륨(Te) 용액을 혼합하고, 여기에 염기성용액을 혼합하여 혼합용액을 제조하는 혼합단계 및 상기 혼합용액을 용매열 반응기에 넣고 합성시키는 합성단계를 포함한다.
이러한 본 발명은 판상형 구조를 가지는 열전재료 안티몬텔룰라이드 제조방법은 안티몬(Sb) 전구체, 텔루륨(Te) 전구체를 유기용매에 각각 용해시켜서 용액을 제조하는 용해단계, 상기 안티몬(Sb) 용액과 상기 텔루륨(Te) 용액을 혼합하고, 여기에 염기성용액을 혼합하여 혼합용액을 제조하는 혼합단계 및 상기 혼합용액을 용매열 반응기에 넣고 합성시키는 합성단계를 포함한다.
Description
본 발명은 판상형 구조를 가지는 안티몬텔룰라이드(Sb2Te3) 열전재료 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 안티몬텔룰라이드(Sb2Te3)를 합성하는 공정에서 반응조건을 조절하여 결정방향 C축에 수직된 방향으로 성장된 방향성을 가지는 판상형 구조를 합성하며, 이를 통해 열전도도가 저하되고 열전변환 효율이 상승되는 방향으로 배열이 가능한 판상형 구조를 가지는 안티몬텔룰라이드 열전재료 및 그 제조방법에 관한 것이다.
열전현상이란 열전물질의 양단에 온도차가 있으면 기전력이 발생하거나 (제벡 효과), 또는 열전물질의 양단에 전압차를 주어 전류를 흐르게 하면 한 쪽의 온도는 하강하는 반면에 다른 쪽의 온도는 상승하는(펠티어 효과) 현상을 지칭하며, 열전소재는 열전현상이 강하게 발생하는 물질이다. 열전소재는 전기를 온도차이로 변환시켜 냉각에 사용할 수도 있고 온도차이를 전기로 변환시켜 발전용으로도 사용 가능하다. 열전변환특성은 무차원 성능지수(dimensionless figure of merit) ZT로 정량적으로 표현할 수 있으며 식은 다음과 같다.
<식 1> : ZT = S2T/ρκ
(T : 절대온도 (K), S : 제벡계수 (V/K), ρ : 열전소재의 비저항 (Ω*cm), κ : 열전소재의 열전도도 (W/K*cm))
ZT값이 클수록 열전변환특성이 우수하며, ZT는 제벡계수가 클수록, 비저항과 열전도도가 낮을수록 증가한다.
위의 식에 따르면 열전도도가 낮을수록 열전변환 효율이 높아진다. 알려진 바로는 입자의 크기가 작을수록 계면에 의한 포논 산란이 증가하여 열전도도가 낮아지게 되므로 작은 입자를 만드는 연구들이 많이 진행되어 왔다.
열전 입자의 크기를 작게 만드는 방법은 크게 두 가지로서 한 가지는 기계적인 핸드밀링 또는 볼밀링을 이용한 파쇄방법을 이용하는 것이다. 그러나 이러한 방법으로 만들어진 입자는 사이즈가 수십 마이크로 사이즈이므로 상당히 큰 편이다.
따라서 열전입자를 작게 만들기 위해 화학적으로 합성하는 방법이 연구되었다. 대표적인 열전소재인 비스무스 텔룰라이드를 화학적으로 합성하기 위하여 비스무스 클로라이드(BiCl3)와 텔루륨(Te) 분말을 녹인 후 환원시켜 열전물질인 비스무스 텔룰라이드(Bi2Te3) 나노입자를 형성하는 방법이 보고되었다. 또한 Bi, Sb 및 Te 전구체를 용매에 투입하여 Bi-Sb-Te 용액을 제조하여 삼원계 열전물질을 만들기도 한다. 또한 용매열 합성법을 이용하여 나노튜브 모양으로 합성하기도 하며, microwave heating을 통하여 Bi2Te3 나노구조를 합성하기도 한다. Bi2Te3의 결정구조는 육방정구조(hexagonal)로서 공간군은 R3m이다. Bi 및 Te이 Te(1)-Bi-Te(2)-Bi-Te(1)의 5개 원자로 이루어진 적층배열을 기본으로 하여 육방정 구조의 c축 방향으로 적층되어 있다. 이때 Te(1)-Te(1) 결합은 반데르발스(van der Waals) 결합으로 알려져 있고, 그 외의 결합은 공유결합 및 이온결합이 혼재되어 있다. 실험적으로 전기적 물성 및 열적 물성은 이방성을 갖는 것으로 알려져 있다. 예를 들어 전기전도도 및 열전도도는 육방정구조에서 기저면 방향과 평행한 방향의 전기전도도 및 열전도도가 c축 방향에 비하여 크다. 이는 Sb2Te3, Bi2Se3 등의 같은 구조를 가지는 물질에서도 동일하다.
따라서 물질의 결정 방향성은 유지하면서 나노크기를 가지는 입자의 합성을 하고 이를 결정 방향에 따라 배열한다면 방향에 따라 향상된 열전변환 성능을 가지는 열전소재를 만들 수 있으나 종래의 나노입자 합성물은 구형의 모양으로 방향성에 따라 배열하기 어려운 실정이다.
열전 물질 중 결정의 방향에 따라 전기적 특성이 다른 물질들이 있으나 이러한 물질들의 나노입자를 만들 때 계면에 의한 열전도도가 낮아져 열전변환 효율이 증가하지만, 방향성 있는 모양이 나오지 않고 둥근 구형의 모양으로 합성되어 방향성에 따른 효율 증가를 얻기가 어렵다.
따라서 이와 같은 문제점들을 해결하기 위한 방법이 요구된다.
본 발명의 기술적 과제는, 배경기술에서 언급한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 더욱 상세하게는 안티몬텔룰라이드(Sb2Te3)를 합성하는 공정에서 반응조건을 조절하여 결정방향 C축에 수직된 방향으로 성장된 방향성을 가지는 안티몬텔룰라이드 (Sb2Te3)를 합성하며, 이를 통해 열전도도가 저하되고 열전변환 효율이 상승되는 방향으로 배열이 가능한 가지는 판상형 구조를 가지는 안티몬텔룰라이드(Sb2Te3) 열전재료 및 그 제조방법과 소결체를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
기술적 과제를 해결하기 위해 안출된 본 발명에 따른 판상형 구조를 가지는 안티몬텔룰라이드 열전재료는 판상형 구조를 가지는 열전재료에 있어서, 안티몬(Sb) 전구체와 텔루륨(Te) 전구체의 합성으로 결정방향의 C축에 수직으로 성장하여 판상형 구조로 형성되는 것을 열전재료를 특징으로 한다.
한편, 본 발명 판상형 구조를 가지는 열전재료 안티몬텔룰라이드(Sb2Te3) 제조방법은 안티몬(Sb) 전구체, 텔루륨(Te) 전구체를 유기용매에 각각 용해시켜서 용액을 제조하는 용해단계, 상기 안티몬(Sb) 용액과 상기 텔루륨(Te) 용액을 혼합하고, 여기에 염기성용액을 혼합하여 혼합용액을 제조하는 혼합단계 및 상기 혼합용액을 용매열 반응기에 넣고 합성시키는 합성단계를 포함할 수 있다.
상기 혼합단계에서 고분자물질 폴리비닐피롤리돈(polyvinyl pyrrolidone, PVP)을 유기용매 디에틸렌글리콜(diethyelene glycol)에 용해시킨 용액을 더 혼합하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 안티몬(Sb)은 Sb, Sb2O3 Sb(NO3)3, SbCl3, SbCl5, SbBr3, SbF3 중에서 어느 하나 선택될 수 있으며, 상기 텔루륨(Te)은 Te, Na2TeO3, Na2TeO4, K2TeO3, Te(OC2H5)4, H6TeO6, TeCl4, H2TeO3, H2TeO4, TeCl22SC(NH2)2, TeBr4, TeI4, TeO2 중에서 어느 하나 선택될 수 있다.
한편, 상기 유기용매는, 디에틸렌글리콜(diethyelene glycol), 에틸렌글리콜 (ethyelene glycol), 올레익산(oleic acid), 올레일아민(oleylamine), 에틸렌다이아민 (ethylenediamine) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
여기서, 상기 고분자물질은, 폴리비닐피롤리돈(polyvinyl pyrrolidone, PVP), 폴리에틸렌옥사이드(Poly ethylene oxide, PEO), 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol, PVA), 폴리비닐아세테이트(Polyvinyl acetate, PVAc), 폴리에틸렌이민(polyethylene imine, PEI) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
또한, 상기 제조방법으로 얻어진 판상형 구조를 가지는 안티몬텔룰라이드를 가압소결하는 소결체 제조방법 및 그 제조방법으로 제조된 안티몬 텔룰라이드 소결체를 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 판상형 구조를 가지는 열전재료 안티몬텔룰라이드 제조방법에 따르면 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다.
제조공정이 단순하고 대량 합성이 가능한 용매열 합성법을 이용하여 판상형 구조를 가지는 안티몬텔룰라이드(Sb2Te3) 열전재료를 합성하여, 결정방향 C축에 수직된 방향으로 성장된 방향성을 가지는 나노크기의 열전재료를 얻을 수 있다.
따라서, 안티몬텔룰라이드(Sb2Te3) 열전재료를 소결한 소결체는 나노크기로 인한 열전도도 저하 효과 및 방향성에 따른 열전변환 효율 상승효과를 얻을 수 있다.
이러한 본 발명에 의한 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 육각판상형 나노구조를 가지는 Sb2Te3계 열전재료 제조방법의 순서도이다.
도 2는 본 발명에 따른 판상형 구조를 가지는 열전재료 Sb2Te3의 전자현미경 사진이다.
도 3은 본 발명에 따른 판상형 구조를 가지는 열전재료 Sb2Te3를 확대하여 촬영한 전자현미경 사진이다.
도 4는 본 발명의 실시예와 비교예에 따른 열전재료 소결체의 열전도도이다.
도 2는 본 발명에 따른 판상형 구조를 가지는 열전재료 Sb2Te3의 전자현미경 사진이다.
도 3은 본 발명에 따른 판상형 구조를 가지는 열전재료 Sb2Te3를 확대하여 촬영한 전자현미경 사진이다.
도 4는 본 발명의 실시예와 비교예에 따른 열전재료 소결체의 열전도도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. 다만, 본 발명을 설명함에 있어서, 이미 공지된 기능 혹은 구성에 대한 설명은, 본 발명의 요지를 명료하게 하기 위하여 생략하기로 한다.
아울러, 본 발명을 설명하는데 있어서, 전방/후방 또는 상측/하측과 같이 방향을 지시하는 용어들은 당업자가 본 발명을 명확하게 이해할 수 있도록 기재된 것들로서, 상대적인 방향을 지시하는 것이므로, 이로 인해 권리범위가 제한되지는 않는다고 할 것이다.
도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 판상형 구조를 가지는 열전재료 Sb2Te3 제조방법에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 첨부된 도 1은 본 발명에 따른 판상형 구조를 가지는 열전재료 Sb2Te3 제조방법의 순서도이고, 도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 판상형 구조를 가지는 열전재료 Sb2Te3의 전자현미경 사진이다.
먼저, 도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 판상형 구조를 가지는 열전재료 안티몬텔룰라이드 (Sb2Te3)조방법은 용해단계(S10), 혼합단계(S20) 및 합성단계(S30)를 포함할 수 있다.
용해단계(S10)는 안티몬(Sb) 전구체를 유기용매에 용해시켜서 안티몬(Sb)용액을 제조하고, 텔루륨(Te) 전구체를 유기용매에 용해시켜서 텔루륨(Te) 용액을 제조하는 단계이다.
여기서, 안티몬(Sb) 전구체는 Sb, Sb(NO3)3, SbCl3, SbCl5, SbBr3, SbF3, SbO2 등에서 어느 하나 선택하여 사용할 수 있다.
또한, 텔루륨(Te) 전구체는 Te, Na2TeO3, Na2TeO4, K2TeO3, Te(OC2H5)4, H6TeO6, TeCl4, H2TeO3, H2TeO4, TeCl22SC(NH2)2, TeBr4, TeI4, TeO2 등에서 어느 하나 선택하여 사용할 수 있다.
전술한 바와 같은 안티몬(Sb) 전구체 및 텔루륨(Te) 전구체는 예시에 지나지 않으며, 후술하는 혼합단계(S20) 및 합성단계(S30) 공정을 통해 판상형 구조를 가지는 열전재료 Sb2Te3를 형성할 수 있다면 본 실시예에 제한되지 않고 다양할 수 있다.
한편, 상기 유기용매는 디에틸렌글리콜(diethyelene glycol), 에틸렌글리콜 (ethyelene glycol), 올레익산(oleic acid), 올레일아민(oleylamine), 에틸렌다이아민(ethylenediamine) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하며, 이외에도 안티몬(Sb) 전구체와 텔루륨(Te) 전구체를 균일하게 용해시켜서 혼합단계(S20) 및 합성단계(S30) 공정을 통해 판상형 구조를 가지는 열전재료 Sb2Te3를 형성할 수 있다면 본 실시예에 제한되지 않고 다양할 수 있다.
혼합단계(S30)는 상기 안티몬(Sb) 용액 및 상기 텔루륨(Te) 용액을 염기성용액과 균일하게 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계이다.
상기 염기성용액은 수산화나트륨, 수산화칼륨, 수산화암모늄 등의 염기 용액일 수 있으며, 수용액일 수 있고 유기용매 용액일 수 있으며, 염기성용액이 상기 안티몬(Sb) 용액 및 상기 텔루륨(Te) 용액과 균일하게 혼합되며 후술하는 합성단계(S30) 공정을 통해 판상형 구조를 가지는 안티몬텔룰라이드(Sb2Te3) 열전재료를 형성할 수 있다면 본 실시예에 제한되지 않고 다양할 수 있다.
상기 혼합단계(S20)는 고분자물질을 상기 유기용매에 용해시킨 고분자물질 용액을 혼합하는 것을 더 포함할 수 있다. 고분자물질은 폴리비닐피롤리돈(polyvinyl pyrrolidone, PVP), 폴리에틸렌옥사이드(Poly ethylene oxide, PEO), 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol, PVA), 폴리비닐아세테이트(Polyvinyl acetate, PVAc), 폴리에틸렌이민(polyethylene imine, PEI) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이 바람직하며, 후술하는 혼합단계(S20) 및 합성단계(S30) 공정을 통해 판상형 구조를 가지는 열전재료 Sb2Te3를 형성할 수 있다면 본 실시예에 제한되지 않고 다양할 수 있다. 여기서, 상기 유기용매는 상기 안티몬(Sb) 및 텔루륨(Te)에 사용한 것과 동일하다.
합성단계(S30)는 상기 혼합용액을 용매열 반응기(Teflon-lined hydrothermal reactor)에 넣고 가열하는 단계이다. 이때, 상기 가열단계(S40)는 200 내지 250℃ 사이에서, 20~28시간 동안 가열하는 것이 바람직하다.
전술한 제조방법을 통해, 결정방향 C축에 수직된 방향으로 성장된 방향성을 가지는 나노크기의 열전재료를 얻을 수 있으며, 따라서, 나노크기로 인한 열전도도 저하 효과 및 방향성에 따른 열전변환 효율 상승효과를 얻을 수 있다. 즉, 열전재료를 합성하는 공정에서 반응조건을 조절하여 결정방향 C축에 수직된 방향으로 성장된 방향성을 가지는 열전재료를 합성하며, 이를 통해 열전도도가 저하되고 열전변환 효율이 상승되도록 방향성에 따른 배열이 가능한 판상형 구조를 가지는 열전재료 Sb2Te3를 얻을 수 있다.
상기와 같은 방법으로 제조된 안티몬텔룰라이드(Sb2Te3) 판상형 입자를 흑연 몰드에 넣고 5 분 동안 693K 및 50 MPa의 압력에서 아르곤 분위기 하에서 스파크 플라즈마 소결(SPS)에 의해 가압소결하여 방향성을 가지는 벌크 열전 소결체를 얻을 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실시예를 좀 더 상세하게 설명하기로 한다.
<제1 실시예>
안티몬클로라이드(SbCl3, Antimony chloride) 1 mmol을 6 mL의 유기용매 디에틸렌글리콜(diethylene glycol)에 용해시킨다. 포타슘 텔룰라이드 (K2TeO3, Potassium Tellurite) 1.5 mmol을 6 mL의 유기용매 디에틸렌글리콜(diethylene glycol)에 용해시킨다. 고분자물질 폴리비닐피롤리돈 (Polyvinyl Pyrrolidone, PVP, 분자량 40000) 0.2 g을 6 mL의 유기용매 디에틸렌글리콜(diethylene glycol)에 용해시킨다. 상기와 같이 용해시킨 세 가지 용액을 혼합한 후, 4 mL의 수산화나트륨 수용액 (NaOH, 4 M)을 혼합시킨다. 모두 혼합한 후 혼합용액을 용매열 반응기(Teflon-lined hydrothermal reactor)에 넣고 230도에서 24시간 가열한다. 이 후 얻어진 결과물을 원심분리기로 분리하고 에탄올로 세척한 후 건조하는 과정을 통해, 판상형 나노구조를 가지는 안티몬텔룰라이드(Sb2Te3) 열전재료를 합성하였다. 즉, 결정방향 C축에 수직된 방향으로 성장된 방향성을 가지는 육각판상형 나노구조를 가지는 안티몬텔룰라이드(Sb2Te3) 열전재료를 합성하였다.
첨부된 도 4는 본 발명의 실시예와 비교예에 따른 열전재료 Sb2Te3를 가압소결한 소결체의 열전도도로서, 비교예는 Sb, Te 원소를 각각 계량하여 밀봉한 후 녹인다(800℃ 10h). 300rm 10h 볼밀링(ball milling) 후에 체별(seiving) 한다(325mesh, 45um). 체별(seiving)한 분말을 SPS로 420℃ 50MPa 5min 소결하여 제조하였다.
<제2 실시예>
안티몬옥사이드(SbO, Antimony oxide) 0.5 mmol, 텔루륨 옥사이드(TeO, Tellurium dioxide) 1.5 mmol, 폴리비닐피롤리돈(Polyvinyl Pyrrolidone, PVP, 분자량 40000) 0.2 g을 각각 6 mL의 디에틸렌글라이콜(diethylene glycol)에 용해시킨다. 상기와 같이 용해시킨 세 가지 용액을 혼합한 후, 4 mL의 수산화나트륨 수용액(NaOH, 4 M)을 혼합시킨다. 혼합용액을 용매열 반응기(Teflon-lined hydrothermal reactor)에 넣고 230도에서 24시간 가열한다. 이 후 얻어진 결과물을 감압필터로 분리하고 에탄올로 세척한 후 건조하여 안티몬텔룰라이드(Sb2Te3) 판상형 입자를 얻었다. 안티몬텔룰라이드(Sb2Te3) 판상형 입자를 흑연 몰드에 넣고 5 분 동안 693K 및 50 MPa의 압력에서 아르곤 분위기 하에서 스파크 플라즈마 소결(SPS)에 의해 가압소결하여 방향성을 가지는 벌크 열전 소결체를 얻었다.
따라서 본 발명은 판상형 구조를 가지는 열전재료를 합성하여 열전전도 저하 효과 및 방향성에 따른 열전변환 효율 상승 효과를 얻을 수 있다.
이상과 같이 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 살펴보았으며, 앞서 설명된 실시예 이외에도 본 발명이 그 취지나 범주에서 벗어남이 없이 다른 특정 형태로 구체화될 수 있다는 사실은 해당 기술에 통상의 지식을 가진 이들에게는 자명한 것이다. 그러므로 상술된 실시예는 제한적인 것이 아니라 예시적인 것으로 여겨져야 하고, 이에 따라 본 발명은 상술한 설명에 한정되지 않고 첨부된 청구항의 범주 및 그 동등 범위 내에서 변경될 수도 있다.
Claims (9)
- 삭제
- 안티몬(Sb) 전구체, 텔루륨(Te) 전구체를 유기용매에 각각 용해시켜서 용액을 제조하는 용해단계;
상기 안티몬(Sb) 용액과 상기 텔루륨(Te) 용액을 혼합하고, 여기에 수산화나트륨 용액, 수산화칼륨 용액 및 수산화암모늄 용액으로 이루어진 군으로부터 선택되는 염기성용액을 혼합하여 혼합용액을 제조하는 혼합단계;
상기 혼합용액을 용매열 반응기에 넣고 200 내지 250℃ 온도로, 20~28시간 동안 가열하여, 결정방향 C축에 수직된 방향으로 성장된 방향성을 가지는 판상형 구조의 열전재료를 합성하는 합성단계; 및
상기 열전재료를 가압소결하는 소결단계;를 포함하되,
상기 혼합단계에서 고분자물질을 유기용매에 용해시킨 용액을 더 혼합하며,
상기 고분자물질은,
폴리비닐피롤리돈(polyvinyl pyrrolidone, PVP), 폴리에틸렌옥사이드(Poly ethylene oxide, PEO), 폴리비닐알코올(Polyvinyl alcohol, PVA), 폴리비닐아세테이트(Polyvinyl acetate, PVAc), 폴리에틸렌이민(polyethylene imine, PEI) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되고,
상기 용해단계 및 상기 혼합단계에서 상기 유기용매는,
디에틸렌글리콜(diethyelene glycol), 에틸렌글리콜(ethyelene glycol), 올레익산(oleic acid), 올레일아민(oleylamine), 에틸렌다이아민(ethylenediamine) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되며,
상기 판상형 구조는,
직경이 적어도 50μm이고, 두께가 나노 사이즈인 것을 특징으로 하는,
판상형 구조를 가지는 안티몬텔룰라이드 열전재료 제조방법.
- 삭제
- 제 2항에 있어서,
상기 안티몬(Sb)은 Sb, Sb2O3 Sb(NO3)3, SbCl3, SbCl5, SbBr3, SbF3 중에서 어느 하나 선택된 것을 특징으로 하는 판상형 구조를 가지는 안티몬텔룰라이드 열전재료 제조방법. - 제 2항에 있어서,
상기 텔루륨(Te)은 Te, Na2TeO3, Na2TeO4, K2TeO3, Te(OC2H5)4, H6TeO6, TeCl4, H2TeO3, H2TeO4, TeCl22SC(NH2)2, TeBr4, TeI4, TeO2 중에서 어느 하나 선택된 것을 특징으로 하는 판상형 구조를 가지는 안티몬텔룰라이드 열전재료 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제 2항, 제 4항 및 제 5항 중 어느 한 항에 따른 제조방법으로 제조된 판상형 구조를 가지는 안티몬텔룰라이드 열전재료.
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