KR102342690B1 - 밑에 놓인 인터포저를 통해 확장되는 히트 스프레더를 갖는 반도체 다이 조립체 및 관련 기술 - Google Patents

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토마스 에이치. 킨슬리
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마이크론 테크놀로지, 인크
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Abstract

본 발명의 실시예에 따른 반도체 다이 조립체는 제1 반도체 다이, 제1 반도체 다이 밑에 놓인 패키지 기판, 패키지 기판과 제1 반도체 다이 사이의 인터포저, 및 패키지 기판과 인터포저 사이의 제2 반도체 다이를 포함한다. 반도체 다이 조립체는, 제1 높이에서 제1 반도체 다이에 열적으로 결합된 캡, 및 제1 높이와 다른 제2 높이에서 제2 반도체 다이에 열적으로 결합된 필라를 포함하는 히트 스프레더를 더 포함한다. 히트 스프레더는 각각 캡 및 필라를 통해 제1 및 제2 반도체 다이로부터 멀어지게 열을 전달하도록 구성된다. 인터포저는 제1 높이와 제2 높이 사이의 평면에서 필라의 주변의 적어도 75% 주위에서 연장된다.

Description

밑에 놓인 인터포저를 통해 확장되는 히트 스프레더를 갖는 반도체 다이 조립체 및 관련 기술
본 발명은 반도체 다이 조립체에 관한 것이다.
메모리 칩, 마이크로 프로세서 칩 및 이미저 칩(imager chip)을 포함하는 패키징된 반도체 다이는 전형적으로 반도체 기반 통합 회로를 포함하는 싱귤레이팅된 다이, 및 다이를 감싸는 플라스틱 보호 커버를 포함한다. 다이는 메모리 셀, 프로세서 회로, 및 이미저 디바이스와 같은 기능적 특징부뿐만 아니라, 기능적 특징부에 전기적으로 연결된 본드 패드(bond pad)를 포함한다. 본드 패드는 다이가 상위 레벨 회로에 연결되는 것을 가능하게 하도록 보호 커버 외부의 단자에 전기적으로 연결될 수 있다. 일부 경우에, 다수의 반도체가 다이 단일 패키지로 통합된다. 다중 다이 패키지에 있는 개별 반도체 다이는 일부 전용 패키징 특징부와, 패키지에 있는 다른 반도체 다이와 공유되는 다른 패키징 특징부를 가질 수 있다. 이러한 접근법은 작은 공간에 수용될 수 있는 처리 용량, 메모리 등을 증가시킨다.
일부 다중 다이 패키지는 수직으로 정렬된 반도체 다이의 단일 스택을 포함한다. 다른 다중 다이 패키지는 동일하거나 상이한 높이에서 서로로부터 측 방향으로 오프셋된 반도체 다이를 포함한다. 이들 및 다른 유형의 다중 다이 패키지에서, 열 방출은 때때로 상당한 설계 제약이다. 다중 다이 패키지에서 반도체 다이에 의해 발생된 조합된 열은 개별 다이가 그 최대 동작 온도보다 높은 온도에 도달하게 할 수 있다. 조합된 열은 또한 다이 사이의 전기적 상호 연결의 성능 및 신뢰성을 감소시킬 수 있다. 이들 및 다른 열 관련 문제는 전형적으로 다중 다이 패키지에서의 다이 밀도가 증가함에 따라서 더욱 심하게 된다. 따라서, 다중 다이 패키지에서의 반도체 다이로부터의 열 방출을 향상시키는 것은 성능을 개선하고, 신뢰성을 개선하며, 시장 요구를 충족시키도록 더욱 소형화를 가능하게 하는 잠재력을 가진다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 다이 조립체의 측면도.
도 2 및 도 3은 도 1에 도시된 반도체 다이 조립체의 분해 측면도.
도 4는 도 1에 도시된 반도체 다이 조립체의 하부 서브 조립체의 평면도.
도 5는 도 1에 도시된 반도체 다이 조립체의 상부 서브 조립체의 평면도.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 도 1에 도시된 반도체 다이 조립체를 제조하기 위한 방법을 예시하는 흐름도.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 도 1에 도시된 반도체 다이 조립체를 동작시키기 위한 방법을 예시하는 흐름도.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 다이 조립체의 히트 스프레더(heat spreader)의 측면도.
도 9는 도 8에 도시된 히트 스프레더의 분해 측면도.
도 10은 도 8에 도시된 히트 스프레더의 평면도.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 다이 조립체의 하부 서브 조립체의 측면도.
도 12는 도 11에 도시된 하부 서브 조립체의 평면도.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 다이 조립체를 포함하는 시스템의 개략도.
종래의 다중 다이 패키지에서, 상이한 높이에 있는 반도체 다이 사이의 인터포저(interposer)는 종종 열 방출을 방해한다. 종래의 인터포저는 주로 에폭시 수지 또는 다른 낮은 열 전도성 재료로 만들어진다. 그러므로, 상향으로 열을 방출하는 대신에, 열은 종래의 다중 다이 패키지에서 이러한 인터포저의 밑에 놓인 반도체 다이로부터 다이 위에 그리고/또는 밑에 놓인 재료의 비교적 얇은 층을 통해 측 방향으로 주로 방출된다. 예를 들어, 패키지 기판과 단열성 인터포저 밑에 놓인 다이 사이의 모세관 언더필 재료(capillary underfill material)는 다이로부터 금속 케이싱 또는 다른 유형의 외부 히트 스프레더를 향해 열을 운반하기 위한 주 경로로서 작용할 수 있다. 측 방향으로 열을 방출하는 것에 더하여, 또한 우선적으로 수직으로 열을 방출하는 것이 필요할 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 다이 조립체, 및 관련 디바이스, 시스템, 및 방법은 종래 기술과 관련된 상기 및/또는 다른 문제점을 적어도 부분적으로 해결할 수 있다. 본 발명의 적어도 일부 실시예에 따른 반도체 다이 조립체는 인터포저 위에 있는 다이에 열적으로 결합된 캡과, 인터포저 아래에 있는 다이에 열적으로 결합된 필라(pillar)를 갖는 히트 스프레더를 포함한다. 필라는 인터포저에 있는 개구를 통해 연장될 수 있다. 이러한 방식으로, 인터포저 아래에 있는 다이로부터의 수직 열 방출이 상당히 개선될 수 있다. 이러한 장점 이외의 또는 그 대신의 다른 장점이 또한 존재할 수 있다. 또한, 다음에 설명되는 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 반도체 다이 조립체 및 관련 디바이스, 시스템, 및 방법은 관련 인터포저에 있는 개구를 통과하는 열 분산 필라와 관련된 특징부 이외의 또는 그 대신의 특징을 가질 수 있다.
본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 다이 조립체 및 관련 디바이스, 시스템, 및 방법의 구체적인 상세가 도 1 내지 도 13을 참조하여 본 명세서에서 개시된다. 이러한 실시예가 논리 및 메모리 구성 요소를 포함하는 하이브리드 조립체와 관련하여 주로 또는 전체적으로 본 명세서에 개시될지라도, 다른 적절한 상황은 본 발명의 범위 내에 있다. 예를 들어, 개시된 하이브리드 조립체의 적절한 특징부는 메모리 전용 조립체와 관련하여 또는 논리 전용 조립체와 관련하여 실시될 수 있다. 또한, 일반적으로, 본 명세서에 개시된 것 이외의 다른 디바이스, 시스템 및 방법이 본 발명의 범위 내에 있다는 것을 이해해야 한다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 따른 디바이스, 시스템, 및 방법은 본 명세서에 개시된 것 이외의 상이한 및/또는 추가의 구성, 구성 요소, 또는 절차를 가질 수 있다. 또한, 당업자는 본 발명의 실시예에 따른 디바이스, 시스템, 및 방법이 본 발명으로부터 벗어남이 없이 본 명세서에서 개시된 구성, 구성 요소, 또는 절차없이 수행될 수 있다는 것을 이해할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 다이 조립체(100)의 측면도이고, 도 2는 반도체 다이 조립체(100)의 분해 측면도이다. 도 1 및 도 2를 함께 참조하면, 반도체 다이 조립체(100)는, 인터포저(104) 및 히트 스프레더(106)를 지지하는 패키지 기판(102)를 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 배향에서, 패키지 기판(102)은 인터포저(104)에 가까운 상부 주 표면(108), 및 인터포저(104)로부터 먼 하부 주 표면(109)을 가진다. 또한 도시된 배향에서, 인터포저(104)는 패키지 기판(102)으로부터 먼 상부 주 표면(110), 및 패키지 기판(102)에 가까운 하부 주 표면(111)을 가진다. 반도체 다이 조립체(100)는 인터포저(104)에 전기적으로 연결된 복수의 제1 디커플링 커패시터(112)(하나만 도면 부호로 지시됨), 및 패키지 기판(102)에 전기적으로 연결된 복수의 제2 디커플링 커패시터(113)(하나만 도면 부호로 지시됨)를 포함할 수 있다. 인터포저(104) 및 패키지 기판(102)은 복수의 제1 디커플링 커패시터(112) 및 복수의 제2 디커플링 커패시터(113)에 각각 동작 가능하게 연결된 내부 회로(도시되지 않음)를 포함할 수 있다.
반도체 다이 조립체(100)는 패키지 기판(102)에 (그 상부 주 표면(108)을 따라서) 인터포저(104)를 (그 하부 주 표면(111)을 따라서) 전기적으로 결합시키는 측 방향으로 이격된 제1 솔더 볼 상호 연결부(114)를 더 포함할 수 있다. 도시된 실시예에서, 제1 솔더 볼 상호 연결부(114)는 2개의 주변 열(row)(116)(도 2에서 열(116a, 116b)로서 식별됨), 및 열(116a, 116b) 사이의 중앙 열(118)(도 2)에 배열된다. 다른 실시예에서, 제1 솔더 볼 상호 연결부(114)의 대응부는 다른 적절한 배열을 가질 수 있다. 도시된 실시예에서, 반도체 다이 조립체(100)는 기판의 하부 주 표면(109)을 따라서 패키지 기판(102)에 전기적으로 결합된 측 방향으로 이격된 제2 솔더 볼 상호 연결부(120)(하나만 도면 부호로 지시됨)를 더 포함한다. 제2 솔더 볼 상호 연결부(120)는 전체 반도체 다이 조립체(100)를 상위 레벨 회로(도시되지 않음)에 전기적으로 연결하도록 구성될 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 반도체 다이 조립체(100)는 인터포저(104)에 전기적으로 결합된 복수의 제1 반도체 다이(122)를 포함할 수 있다. 반도체 다이 조립체(100)는 패키지 기판(102)에 전기적으로 결합된 제2 반도체 다이(124)를 더 포함할 수 있다. 적어도 일부 경우에, 복수의 제1 반도체 다이(122)는 인터포저(104)의 상부 주 표면(110)과 하부 주 표면(111) 모두에 전기적으로 결합된다. 예를 들어, 인터포저(104)의 상부 주 표면(110)에서, 반도체 다이 조립체(100)는 4개의 제1 반도체 다이(122)(개별적으로 제1 반도체 다이(122a-122d)로서 식별됨)를 포함할 수 있고, 인터포저(104)의 하부 주 표면(111)에서, 반도체 다이 조립체(100)는 다른 4개의 제1 반도체 다이(122)(개별적으로 제1 반도체 다이(122e-122h)로서 식별됨)를 포함한다(도 1 및 도 2에서, 제1 반도체 다이(122c, 122d, 122g, 122h)는 제1 반도체 다이(122a, 122b, 122e, 122f) 뒤에 숨겨진다). 제1 반도체 다이(122a-122d)는 하나의 높이에서 서로로부터 측 방향으로 오프셋될 수 있으며, 제1 반도체 다이(122e-122h)는 다른 높이에서 서로로부터 측 방향으로 오프셋될 수 있다. 제1 반도체 다이(122a-122h)와 인터포저(104) 사이 및 제2 반도체 다이(124)와 패키지 기판(102) 사이의 전기적 결합은 예시의 명료성을 위해 생략된다. 다른 실시예에서, 반도체 다이 조립체(100)의 대응부는 제1 반도체 다이가 관련 인터포저의 2개의 주 표면 중 단지 하나에 전기적으로 연결되는 배열과 같은 상이한 수 및/또는 배열의 제1 및 제2 반도체 다이를 포함할 수 있다.
일부 경우에, 제1 반도체 다이(122a-122h)의 일부 또는 전부는 메모리 다이이고, 제2 반도체 다이(124)는 논리 다이이다. 이들 및 다른 경우에, 제2 반도체 다이(124)에 의해 발생된 열은 반도체 다이 조립체(100)의 정상 동작 동안 복수의 제1 반도체 다이(122)에 의해 발생된 열보다 상당히 클 수 있다. 반도체 다이 조립체(100)는 반도체 다이 조립체(100)가 도시된 배향(예를 들어, 도 1에서의 패키지 기판(102)의 수평 배향에 대해 상향하는)에 있을 때 제2 반도체 다이(124)에 의해 발생된 열의 효과적인 수직 방출을 촉진하는 특징부를 포함할 수 있다. 도 2에 도시된 바와 같이, 히트 스프레더(106)는 필라(126), 및 필라(126) 주위에서 연장되는(예를 들어, 필라(126)의 주변의 적어도 75% 주위에서 연장하는) 캡(128)을 포함할 수 있다. 캡(128)은 하나의 높이에서 제1 반도체 다이(122a-122d)에 열적으로 결합되도록 위치될 수 있고, 필라(126)는 다른 높이에서 제2 반도체 다이(124)에 열적으로 결합되도록 위치될 수 있다. 반도체 다이 조립체(100)가 도시된 배향으로 있을 때, 캡(128)이 제1 반도체 다이(122a-122d)에 열적으로 결합되는 높이는 인터포저(104) 위이며, 필라(126)가 제2 반도체 다이124)에 열적으로 결합되는 높이는 인터포저(104) 아래이다. 필라(126)는 인터포저(104)에 의해 점유된 평면을 통해 연장될 수 있다(예를 들어, 필라(126)는 인터포저(104)에 있는 개구를 통해 연장될 수 있다). 예시된 실시예에서, 필라(126)와 캡(128)은 히트 스프레더(106)의 필수적인 구성 요소이다. 다른 실시예에서, 대응하는 히트 스프레더(106)는, 함께 결합된 별개의 구성 요소이거나 또는 접경하지 않은(예를 들어, 서로로부터 이격된) 필라 및 캡을 포함할 수 있다. 예를 들어, 대응하는 히트 스프레더(106)는 캡이 필라의 주변의 적어도 75% 주위에서 연장되도록 대응하는 캡에 의해 적어도 부분적으로 획정된 개구를 통해 연장되는 필라를 포함할 수 있다. 다른 접경하지 않는 구성이 또한 가능하다.
도 1 및 도 2를 다시 함께 참조하면, 반도체 다이 조립체(100)는 열 경계면 특징부(130)(도 2)를 더 포함할 수 있으며, 히트 스프레더(106)는 열 경계면 특징부를 통해 제1 반도체 다이(122a-122d) 및 제2 반도체 다이(124)에 열적으로 결합된다. 열 경계면 특징부(130)의 일부는 반도체 다이 조립체(100)가 예시된 배향으로 있을 때 제1 반도체 다이(122a-122d)의 상부 표면 및 캡(128)의 하부 표면의 대응하는 부분에 각각 직접 연결될 수 있다. 열 경계면 특징부(130) 중 다른 하나는 반도체 다이 조립체(100)가 예시된 배향으로 있을 때 제2 반도체 다이(124)의 상부 표면과 필라(126)의 하부 표면에 직접 연결될 수 있다. 히트 스프레더(106)는, 반도체 다이 조립체(100)가 예시된 배향으로 있을 때 캡(128)의 하부 표면과 필라(126)의 하부 표면 사이의 높이 차이가 제1 반도체 다이(122a-122d)의 상부 표면과 제2 반도체 다이(124)의 상부 표면 사이의 높이 차이에 대응하도록 형상화될 수 있다. 열 경계면 특징부(130)는 공동을 채워 히트 스프레더(106)와 제1 반도체 다이(122a-122d) 사이 및 히트 스프레더(106)와 제2 반도체 다이(124) 사이의 경계면에서의 불규칙성을 매끄럽게 하도록 구성될 수 있다. 도시된 실시예에서, 열 경계면 특징부(130)는 열 전도성 입자로 도핑된 실리콘계 그리스와 같은 열 경계면 페이스트(thermal interface paste)의 용적이다. 다른 실시예에서, 열 경계면 특징부(130)의 하나, 일부 또는 전부의 대응부는 열 전도성을 개선하고 및/또는 히트 스프레더(106)를 제1 반도체 다이(122a-122d) 및 제2 반도체 다이(124)에 고정하는 열 경계면 테이프의 조각일 수 있거나 또는 다른 적절한 형태를 가질 수 있다.
도 3은 반도체 다이 조립체(100)의 다른 분해 측면도이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 다이 조립체(100)는 히트 스프레더(106)와 조립되도록 구성된 하부 서브 조립체(132) 및 상부 서브 조립체(134)를 포함할 수 있다. 하부 서브 조립체(132)는 패키지 기판(102), 제2 디커플링 커패시터(113), 제2 솔더 볼 상호 연결부(120), 제2 반도체 다이(124), 및 제2 반도체 다이(124)와 관련된 열 경계면 특징부(130)를 포함할 수 있다. 상부 서브 조립체(134)는 인터포저(104), 제1 디커플링 커패시터(112), 제1 솔더 볼 상호 연결부(114), 복수의 제1 반도체 다이(122), 및 복수의 제1 반도체 다이(122)와 관련된 열 경계면 특징부(130)를 포함할 수 있다. 도 4는 하부 서브 조립체(132)의 평면도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 패키지 기판(102)은 제1 솔더 볼 상호 연결부(114)와 수직으로 정렬된 본드 헤드(136)(하나만이 도면 부호로 지시됨)를 포함할 수 있다. 제2 반도체 다이(124)는 패키지 기판(102) 상에서 중앙에 위치될 수 있다.
도 5는 상부 서브 조립체(134)의 평면도이다. 도 5에 도시된 바와 같이, 인터포저(104)는 하부 및 상부 조립체(132, 134)가 도 3에 도시된 바와 같이 배열될 때 제2 반도체 다이(124)와 수직으로 정렬되도록 구성된 개구(138)를 획정할 수 있다. 제1 반도체 다이(122a, 122c)는 개구(138)의 한쪽 측부에 있으며, 제1 반도체 다이(122b, 122d)는 개구(138)의 반대편 측부에 있다. 하부 및 상부 서브 조립체(132, 134)와 히트 스프레더(106)가 조립될 때, 필라(126)는 개구(138)를 통해 연장될 수 있다. 그러므로, 제1 반도체 다이(122a, 122c)는 한쪽 방향으로 필라(126)로부터 측 방향으로 이격될 수 있는 반면에, 제1 반도체 다이(122b, 122d)는 반대쪽 방향으로 필라(126)로부터 측 방향으로 이격된다. 도시된 실시예에서, 인터포저(104)는 직사각형 고리로서 형상화되며, 그러므로 필라(126)의 전체 주변 주위에서 연장된다. 다른 실시예에서, 인터포저(104)의 대응부는 필라(126)의 주변의 모든 것보다 작게(예를 들어, 100% 미만, 그러나 75%보다 크게) 연장될 수 있다. 하나의 예로서, 인터포저(104)의 대응부는 U-자 형상일 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 다이 조립체(100)를 제조하기 위한 방법(200)을 예시하는 흐름도이다. 도 1 내지 도 6을 함께 참조하면, 방법(200)은 제1 반도체 다이(122a-122h)를 인터포저(104)에 전기적으로 결합시키는 단계(블록 202), 및 제2 반도체 다이(124)를 패키지 기판(102)에 전기적으로 결합시키는 단계(블록 204)를 포함할 수 있다. 제1 반도체 다이(122a-122h)를 인터포저(104)에 전기적으로 결합시키는 단계는 인터포저(104)의 상부 주 표면(110)을 통해 제1 반도체 다이(122a-122d)를 전기적으로 결합시키는 단계, 및/또는 인터포저(104)의 하부 주 표면(111)을 통해 제1 반도체 다이(122e-122h)를 전기적으로 결합시키는 단계를 포함할 수 있다. 방법(200)은 인터포저(104)를 패키지 기판(102)에 전기적으로 결합시키는 단계(블록 206), 및 제1 반도체 다이(122a-122d) 및 제2 반도체 다이(124)의 각각의 것들과 직접 접촉으로 열 경계면 특징부(130)를 배치하는 단계(블록 208)를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 열 경계면 페이스트의 용적 또는 열 경계면 테이프의 조각은 제1 반도체 다이(122a-122d) 및 제2 반도체 다이(124)의 각각의 상부 표면에 배치될 수 있다. 방법(200)은 인터포저(104)에 대해 히트 스프레더(106)를 위치시키는 단계를 또한 포함하며, 이러한 것은 개구(138)를 통해 필라(126)을 연장시키는 단계(블록 210)를 포함할 수 있다. 인터포저(104)에 대해 히트 스프레더(106)를 위치시키는 단계와 함께, 방법(200)은 대응하는 열 경계면 특징부(130)를 통해, 제1 반도체 다이(122a-122d)에 캡(128)을 열적으로 결합시키는 단계(블록 212), 및 제2 반도체 다이(124)에 필라(126)를 열적으로 결합시키는 단계(블록 214)를 포함할 수 있다. 열 경계면 특징부(130)가 열 경계면 페이스트의 용적을 포함할 때, 히트 스프레더(106)는 열 경계면 페이스트의 용적을 압축하고 측 방향으로 확장시킬 수 있다. 히트 스프레더(106)가 적절히 위치된 후에, 열 경계면 페이스트의 용적은 히트 스프레더(106)를 고정하도록 경화(예를 들어, 열 경화)될 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 다이 조립체(100)를 동작시키기 위한 방법(300)을 나타내는 흐름도이다. 도 1 내지 도 5 및 도 7을 함께 참조하면, 방법(300)은 복수의 제1 반도체 다이(122)를 동작시키는 단계(블록 302)를 포함할 수 있다. 방법(300)은 복수의 제1 반도체 다이(122)를 동작시키는 것에 의해 발생된 열을 복수의 제1 반도체 다이(122)로부터 멀어지게 전달하는 단계(블록 304)를 더 포함할 수 있다. 적어도 일부의 경우에, 제1 반도체 다이(122a-122d)를 동작시키는 것에 의해 발생된 열의 대부분(예를 들어, 적어도 50% 또는 적어도 75%)이 캡(128)을 통해 방출된다. 방법(300)은 제2 반도체 다이(124)를 동작시키는 단계(블록 306)를 더 포함할 수 있다. 제2 반도체 다이(124)를 동작시키는 것에 의해 발생된 전체 열은 제1 반도체 다이(122a-122h) 중 임의의 하나를 동작시키는 것에 의해 발생된 전체 열보다 상당히 많을 수 있다(예를 들어, 적어도 4배 많다). 방법(300)은 제2 반도체 다이(124)를 동작시키는 것에 의해 발생된 열을 제2 반도체 다이(124)로부터 멀어지게 전달하는 단계(블록 308)를 더 포함할 수 있다. 적어도 일부의 경우에, 제2 반도체 다이(124)를 동작시키는 것에 의해 발생된 열의 대부분(예를 들어, 적어도 50% 또는 적어도 75%)이 필라(126) 및 개구(138)를 통해 방출된다. 다이 동작, 예를 들어, 복수의 제1 반도체 다이(122)의 동작 및 제2 반도체 다이(124)의 동작의 순서는 역순으로 및/또는 동시일 수 있다.
도 8, 도 9 및 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 다이 조립체의 히트 스프레더(400)의 측면도, 분해 측면도, 및 평면도이다. 도 8 내지 도 10을 함께 참조하면, 히트 스프레더(400)는 필라(402), 및 필라(402) 주위에서 연장되는(예를들어, 필라(402)의 주변의 적어도 75% 주위에서 연장되는) 개구(408)(점선으로 도시된)를 갖는 캡(404)을 포함할 수 있다. 히트 스프레더(400)는 필라(402)에 의해 지지되는 핀(fin)(406)을 더 포함할 수 있다. 핀(406)은 제2 반도체 다이(124)에 의해 생성된 열을 대류에 의해 전달하도록 구성될 수 있다. 히트 스프레더(106)의 필라(126) 및 캡(128)(도 1 내지 도 3)과 달리, 히트 스프레더(400)의 필라(402) 및 캡(404)은 연속하지 않을 수 있다. 예를 들어, 필라(402)는 작은 갭(g)이 필라(402)와 캡(404) 사이에 있도록 개구(408)(도 10)를 통해 연장된다. 도시된 실시예에서, 히트 스프레더(400)는 캡(404)에 의해 지지되는 핀을 포함하지 않는다. 갭은 예를 들어, 제조를 용이하게 하고 및/또는 캡(404)과 필라(402) 사이의 열 분리를 제공하는데 유용할 수 있다. 다른 실시예에서, 히트 스프레더(400)의 대응부는 필라(402)에 의해 지지되는 핀(406) 이외에 또는 그 대신에 캡(404)의 대응부에 의해 지지되는 핀을 포함할 수 있다. 또한, 다른 실시예에서 로드(rod) 또는 다른 유형의 대류 향상 구조가 핀 대신 사용될 수 있다.
도 11은 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 다이 조립체의 하부 서브 조립체(500)의 측면도이고, 도 12는 하부 서브 조립체(500)의 평면도이다. 도 11 및 도 12를 함께 참조하면, 하부 서브 조립체(500)는 패키지 기판(102)의 상부 주 표면(108)에 있는 열 전달 재료(502)를 포함할 수 있다. 적어도 일부 경우에, 열 전달 재료(502)는 패키지 기판(102) 위에 있는 금속 막이다. 열 전달 재료(502)는 본드 패드(136) 주위에 있는 컷아웃(504)(도 12)를 포함할 수 있다. 하부 서브 조립체(500)는 열 전달 재료(502) 위에 있는 부가적인 열 경계면 특징부(130)(예를 들어, 열 경계면 테이프의 조각 또는 열 경계면 페이스트의 용적)를 더 포함할 수 있다. 도 3, 도 11 및 도 12를 함께 참조하면, 하부 서브 조립체(500)는 상부 서브 조립체(134) 및 히트 스프레더(106)와 조립될 수 있다. 이렇게 조립될 때, 제1 반도체 다이(122e-122h)는 추가적인 열 경계면 특징부(130)를 통해 열 전달 재료(502)에 열적으로 결합될 수 있다. 열 전달 재료(502)는 제1 반도체 다이(122e-122h)를 동작시키는 것에 의해 발생된 열의 대부분(예를 들어, 적어도 50% 또는 적어도 75%)을 제1 반도체 다이(122e-122h)로부터 멀어지게 전달하기 위한 주 경로를 획정할 수 있다. 전달된 열은 그런 다음 인터포즈(104)의 가장자리 부분을 지나서 측 방향으로 연장되는 열 전달 재료(502)의 주변 부분에서 방출될 수 있다. 도시된 실시예에서, 하부 서브 조립체(500)는 그 주변부에 대류 향상 구조를 포함하지 않는다. 다른 실시예에서, 하부 서브 조립체(500)의 대응부는 열 전달 재료(502)의 주변 부분에 및/또는 다른 적절한 위치에 있는 핀, 필라, 또는 다른 대류 향상 구조를 포함할 수 있다. 이들 및 다른 실시예에서, 열 전달 재료(502)는 히트 스프레더(106) 없이 사용될 수 있다.
도 1 내지 도 12를 참조하여 전술한 반도체 다이 조립체 중 임의의 반도체 다이 조립체는 무수한 더욱 큰 및/또는 더욱 복잡한 시스템 중 임의의 것에 통합될 수 있으며, 그 대표적인 예는 도 13에 개략적으로 도시된 시스템(600)이다. 시스템(600)은 반도체 다이 조립체(602), 전원(604), 드라이버(606), 프로세서(608), 및/또는 다른 서브 시스템 또는 구성 요소(610)를 포함할 수 있다. 반도체 다이 조립체(602)는 전술한 반도체 다이 조립체의 특징부와 대체로 유사한 특징부를 포함할 수 있으며, 그러므로, 관련 인터포저에 의해 획정된 개구를 통과하는 열 분산 필라를 포함할 수 있다. 결과적인 시스템(600)은 메모리 저장, 데이터 처리, 및/또는 다른 적절한 기능과 같은 다양한 기능 중 임의의 것을 수행할 수 있다. 따라서, 대표적인 시스템(600)은 손 파지 디바이스(예를 들어, 이동 전화기, 태블릿, 디지털 판독기 및 디지털 오디오 플레이어), 컴퓨터, 및 가전 제품을 제한없이 포함할 수 있다. 시스템(600)의 구성 요소는 단일 유닛 내에 수용되거나 또는 복수의 상호 연결된 유닛에 걸쳐서 분산될 수 있다(예를 들어, 통신 네트워크를 통해). 시스템(600)의 구성 요소는 또한 원격 디바이스 및 임의의 다양한 컴퓨터 판독 가능 매체를 포함할 수 있다.
본 발명은 본 명세서에 개시된 정확한 형태로 본 발명을 포괄하거나 또는 한정하도록 의도되지 않는다. 비록 특정 실시예가 예시의 목적으로 본 명세서에 개시되었을지라도, 당업자가 인식할 수 있는 바와 같이, 다양한 균등한 변경이 본 발명으로부터 벗어남이 없이 가능하다. 일부의 경우에, 널리 공지된 구조 및 기능은 본 발명의 실시예의 설명을 불필요하게 모호하게 하는 것을 피하도록 상세히 도시 및/또는 설명되지 않았다. 비록 방법의 단계가 특정 순서로 본 명세서에 제시될 수 있을지라도, 대안적인 실시예에서, 단계는 다른 적절한 순서를 가질 수 있다. 유사하게, 특정 실시예와 관련하여 개시된 본 발명의 특정 양태는 다른 실시예에서 조합되거나 제거될 수 있다. 또한, 특정 실시예와 관련된 장점이 이러한 실시예와 관련하여 개시되었을 수 있지만, 다른 실시예는 또한 이러한 장점을 나타낼 수 있으며, 모든 실시예가 본 발명의 범위 내에 속하는 본 명세서에 개시된 이러한 장점 또는 다른 장점을 반드시 보일 필요는 없다.
본 명세서 전반에 걸쳐서, 단수 용어는 문맥이 달리 명확하게 나타내지 않으면 복수 지시 대상물을 포함한다. 유사하게, "또는" 이라는 단어는 2개 이상의 물품의 목록과 관련하여 다른 물품으로부터 독점적인 단일 물품만을 의미하는 것으로 명백히 제한되지 않는 한, 이러한 목록에서 "또는"의 사용은, (a) 목록에서 임의의 단일 물품, (b) 목록에서의 모든 물품, 또는 (c) 목록에서의 물품의 임의의 조합을 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 추가적으로, "포함하는" 등의 용어는 임의의 더욱 많은 수의 동일한 특징부(들) 및/또는 하나 이상의 추가 유형의 특징부가 배제되지 않도록 본 명세서에서 적어도 인용된 특징부(들)를 포함하는 것을 의미하도록 사용될 수 있다. 본 명세서에서 "상부", "하부", "전방", "후방", "수직" 및 "수평"과 같은 방향성 용어는 다양한 요소 사이의 관계를 표현하고 명확히 하도록 본 명세서에서 사용될 수 있다. 이러한 용어가 절대적인 방향을 인용하지 않는다는 것을 이해해야 한다. 본 명세서에서 "한 실시예", "실시예" 또는 유사한 형태에 대한 본 명세서에서의 참조는 실시예와 관련하여 설명된 특정 특징부, 구조, 동작 또는 특성이 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함될 수 있다는 것을 의미한다. 그러므로, 본 명세서에서 이러한 구문 또는 형태의 출현은 모두 동일한 실시예를 지칭하지 않는다. 또한, 다양한 특정 특징부, 구조, 동작 또는 특성이 본 발명의 하나 이상의 실시예에서 임의의 적절한 방식으로 조합될 수 있다.

Claims (33)

  1. 반도체 다이 조립체로서,
    제1 반도체 다이;
    상기 반도체 다이 조립체가 주어진 배향으로 있을 때 상기 제1 반도체 다이 밑에 놓인 패키지 기판;
    상기 패키지 기판과 상기 제1 반도체 다이 사이에 있으며 상기 제1 반도체 다이를 완전히 지지하는 인터포저(interposer);
    상기 패키지 기판과 상기 인터포저 사이에 있으며 상기 인터포저의 개구에 의해 노출되는 제2 반도체 다이;
    상기 제1 및 제2 반도체 다이로부터 멀어지게 열을 전달하도록 구성된 히트 스프레더(heat spreader)를 포함하되, 상기 히트 스프레더는,
    상기 반도체 다이 조립체가 상기 주어진 배향으로 있을 때 제1 높이에서 상기 제1 반도체 다이에 열적으로 결합되는 캡, 및
    상기 반도체 다이 조립체가 상기 주어진 배향으로 있을 때 상기 제1 높이와 다른 제2 높이에서 상기 제2 반도체 다이에 열적으로 결합되며 상기 개구를 통해 연장되는 필라를 포함하며, 상기 인터포저는 상기 제1 높이와 제2 높이 사이의 평면에서 상기 필라의 주변의 적어도 75% 주위에서 연장되는, 반도체 다이 조립체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 필라의 하부 표면은 상기 제2 반도체 다이의 상부 표면의 전체를 덮는, 반도체 다이 조립체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 인터포저는 상기 제1 높이와 제2 높이 사이의 상기 평면에서 직사각형 고리로서 형상화되는, 반도체 다이 조립체.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반도체 다이는 메모리 다이이며; 그리고
    상기 제2 반도체 다이는 논리 다이인, 반도체 다이 조립체.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 히트 스프레더는 대류에 의해 열을 전달하도록 구성된 핀을 포함하며; 그리고
    상기 핀은 상기 반도체 다이 조립체가 상기 주어진 배향으로 있을 때 상기 필라 위에 있는, 반도체 다이 조립체.
  6. 제1항에 있어서, 상기 캡과 상기 필라는 상기 히트 스프레더의 연속적인 구성 요소인, 반도체 다이 조립체.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반도체 다이는 상기 인터포저에 전기적으로 결합된 복수의 제1 반도체 다이 중 첫번째 제1 반도체 다이이고;
    상기 복수의 제1 반도체 다이 중 첫번째 제1 반도체 다이는 제1 방향으로 상기 필라 및 상기 개구로부터 측 방향으로 이격되며;
    상기 반도체 다이 조립체는 상기 복수의 제1 반도체 다이 중 두번째 제1 반도체 다이를 더 포함하고; 그리고
    상기 복수의 제1 반도체 다이 중 두번째 제1 반도체 다이는 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 상기 필라 및 상기 개구로부터 측 방향으로 이격되는, 반도체 다이 조립체.
  8. 제1항에 있어서, 상기 캡과 상기 필라는 상기 히트 스프레더의 불연속적인 구성 요소인, 반도체 다이 조립체.
  9. 제8항에 있어서, 상기 캡은 상기 제1 높이에서 상기 필라의 주변의 적어도 75% 주위에서 연장되는, 반도체 다이 조립체.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 캡이 상기 제1 높이에서 상기 제1 반도체 다이에 열적으로 결합되기 위해 관통하는 제1 열 경계면 특징부; 및
    상기 필라가 상기 제2 높이에서 상기 제2 반도체 다이에 열적으로 결합되기 위해 관통하는 제2 열 경계면 특징부를 더 포함하는, 반도체 다이 조립체.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2 열 경계면 특징부는 각각 열 경계면 테이프의 제1 및 제2 조각인, 반도체 다이 조립체.
  12. 제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2 열 경계면 특징부는 각각 열 경계면 페이스트의 제1 및 제2 용적인, 반도체 다이 조립체.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1 반도체 다이는 상기 인터포저에 전기적으로 결합되는 복수의 제1 반도체 다이 중 첫번째 제1 반도체 다이이며;
    상기 인터포저는,
    제1 주 표면, 및
    상기 제1 주 표면 반대편의 제2 주 표면을 갖고;
    상기 제2 반도체 다이는 상기 인터포저의 제1 주 표면보다 상기 인터포저의 제2 주 표면에 가까우며;
    상기 복수의 제1 반도체 다이 중 첫번째 제1 반도체 다이는 상기 인터포저의 제1 주 표면을 통해 상기 인터포저에 전기적으로 결합되고;
    상기 반도체 다이 조립체는 상기 복수의 제1 반도체 다이 중 두번째 제1 반도체 다이를 더 포함하며; 그리고
    상기 복수의 제1 반도체 다이 중 두번째 제1 반도체 다이는 상기 인터포저의 제2 주 표면을 통해 상기 인터포저에 전기적으로 결합되는, 반도체 다이 조립체.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 패키지 기판은,
    제1 주 표면, 및
    상기 제1 주 표면 반대편의 제2 주 표면을 갖고;
    상기 제1 반도체 다이는 상기 패키지 기판의 제2 주 표면보다 상기 패키지 기판의 제1 주 표면에 가까우며;
    상기 반도체 다이 조립체는 상기 패키지 기판의 제1 주 표면에 있는 열 전달 재료를 더 포함하며; 그리고
    상기 열 전달 재료는 상기 복수의 제1 반도체 다이 중 두번째 제1 반도체 다이에 열적으로 결합되는, 반도체 다이 조립체.
  15. 제14항에 있어서, 상기 열 전달 재료는 상기 반도체 다이 조립체가 상기 주어진 배향으로 있을 때 상기 패키지 기판 위에 있는 금속 막인, 반도체 다이 조립체.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 열 전달 재료는 상기 반도체 다이 조립체가 상기 주어진 배향으로 있을 때 상기 인터포저의 가장자리 부분을 지나서 측 방향으로 연장되는 주변 부분을 포함하고;
    상기 반도체 다이 조립체는 상기 열 전달 재료의 주변 부분에서 상기 열 전달 재료에 열적으로 결합되는 핀을 더 포함하며; 그리고
    상기 핀은 대류에 의해 열을 전달하도록 구성되는, 반도체 다이 조립체.
  17. 제14항에 있어서, 상기 열 전달 재료가 상기 제1 반도체 다이에 열적으로 결합되기 위해 관통하는 열 경계면 특징부를 더 포함하는, 반도체 다이 조립체.
  18. 제17항에 있어서, 상기 열 경계면 특징부는 열 경계면 테이프의 조각인, 반도체 다이 조립체.
  19. 제17항에 있어서, 상기 열 경계면 특징부는 열 경계면 페이스트의 용적인, 반도체 다이 조립체.
  20. 반도체 다이 조립체를 제조하기 위한 방법으로서,
    제1 반도체 다이가 개구로부터 측방으로 이격되도록 상기 개구를 획정하는 인터포저에 상기 제1 반도체 다이를 전기적으로 결합시키는 단계;
    패키지 기판에 제2 반도체 다이를 전기적으로 결합시키는 단계;
    상기 패키지 기판에 상기 인터포저를 전기적으로 결합시키는 단계로서, 상기 인터포저의 상기 개구는 상기 제2 반도체 다이를 노출시키는, 단계;
    상기 제1 반도체 다이에 히트 스프레더의 캡을 열적으로 결합시키는 단계로서, 상기 히트 스프레더는 상기 캡을 통해 상기 제1 반도체 다이로부터 멀어지게 열을 전달하도록 구성되는, 상기 히트 스프레더의 캡을 열적으로 결합시키는 단계;
    상기 인터포저가 상기 히트 스프레더의 필라의 주변의 적어도 75% 주위에서 연장되고 상기 필라가 상기 개구를 통해 연장되도록 상기 인터포저에 대해 상기 필라를 위치시키는 단계로서, 상기 히트 스프레더는 상기 필라를 통해 상기 제2 반도체 다이로부터 멀어지게 열을 전달하도록 구성되는, 상기 필라를 위치시키는 단계; 및
    상기 제2 반도체 다이에 상기 필라를 열적으로 결합시키는 단계를 포함하는, 반도체 다이 조립체를 제조하기 위한 방법.
  21. 삭제
  22. 제20항에 있어서,
    상기 제1 반도체 다이는 상기 인터포저에 전기적으로 결합되는 복수의 제1 반도체 다이 중 첫번째 제1 반도체 다이이고;
    상기 인터포저에 상기 복수의 제1 반도체 다이 중 첫번째 제1 반도체 다이를 전기적으로 결합시키는 단계는 제1 방향으로 상기 필라로부터 측 방향으로 이격된 상기 인터포저의 일부에서 상기 인터포저에 상기 복수의 제1 반도체 다이 중 첫번째 제1 반도체 다이를 전기적으로 결합시키는 단계를 포함하며; 그리고
    상기 방법은 상기 제1 방향과 반대인 제2 방향으로 상기 필라로부터 측 방향으로 이격된 상기 인터포저의 일부에서 상기 인터포저에 상기 복수의 제1 반도체 다이 중 두번째 제1 반도체 다이를 전기적으로 결합시키는 단계를 더 포함하는, 반도체 다이 조립체를 제조하기 위한 방법.
  23. 제20항에 있어서,
    상기 제1 반도체 다이와 직접 접촉으로 제1 열 경계면 특징부를 배치하는 단계; 및
    상기 제2 반도체 다이와 직접 접촉으로 제2 열 경계면 특징부를 배치하는 단계를 더 포함하되,
    상기 제1 반도체 다이에 상기 캡을 열적으로 결합시키는 단계는 상기 제1 열 경계면 특징부를 통해 상기 제1 반도체 다이에 상기 캡을 열적으로 결합시키는 단계를 포함하며, 그리고
    상기 제2 반도체 다이에 상기 필라를 열적으로 결합시키는 단계는 상기 제2 열 경계면 특징부를 통해 상기 제2 반도체 다이에 상기 필라를 열적으로 결합시키는 단계를 포함하는, 반도체 다이 조립체를 제조하기 위한 방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 제1 및 제2 열 경계면 특징부를 배치하는 단계는 열 경계면 테이프의 제1 및 제2 조각을 각각 부착하는 단계를 포함하는, 반도체 다이 조립체를 제조하기 위한 방법.
  25. 제23항에 있어서, 상기 제1 및 제2 열 경계면 특징부를 배치하는 단계는 열 경계면 페이스트의 제1 및 제2 용적을 각각 침착시키는(depositing) 단계를 포함하는, 반도체 다이 조립체를 제조하기 위한 방법.
  26. 제20항에 있어서,
    상기 인터포저는,
    제1 주 표면, 및
    상기 제1 주 표면 반대편의 제2 주 표면을 갖고;
    상기 제2 반도체 다이는 상기 인터포저의 제1 주 표면보다 상기 인터포저의 제2 주 표면에 가까우며;
    상기 제1 반도체 다이는 상기 인터포저에 전기적으로 결합된 복수의 제1 반도체 다이 중 첫번째 제1 반도체 다이이고;
    상기 인터포저에 상기 복수의 제1 반도체 다이 중 첫번째 제1 반도체 다이를 전기적으로 결합시키는 단계는 상기 인터포저의 제1 주 표면을 통해 상기 인터포저에 상기 복수의 제1 반도체 다이 중 첫번째 제1 반도체 다이를 전기적으로 결합시키는 단계를 포함하며; 그리고
    상기 방법은 상기 인터포저의 제2 주 표면을 통해 상기 인터포저에 상기 복수의 제1 반도체 다이 중 두번째 제1 반도체 다이를 전기적으로 결합시키는 단계를 더 포함하는, 반도체 다이 조립체를 제조하기 위한 방법.
  27. 제26항에 있어서,
    상기 패키지 기판은,
    제1 주 표면, 및
    상기 제1 주 표면 반대편의 제2 주 표면을 갖고;
    상기 제1 반도체 다이는 상기 패키지 기판의 제2 주 표면보다 상기 패키지 기판의 제1 주 표면에 가까우며;
    상기 방법은 상기 복수의 제1 반도체 다이 중 두번째 제1 반도체 다이에 열 전달 재료를 열적으로 결합시키는 단계를 더 포함하고; 그리고
    상기 열 전달 재료는 상기 패키지 기판의 제1 주 표면에 있는, 반도체 다이 조립체를 제조하기 위한 방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 복수의 제1 반도체 다이 중 두번째 제1 반도체 다이와 직접 접촉으로 열 경계면 특징부를 배치하는 단계를 더 포함하며, 상기 복수의 제1 반도체 다이 중 두번째 제1 반도체 다이에 상기 열 전달 재료를 열적으로 결합시키는 단게는 상기 열 경계면 특징부를 통해 상기 복수의 제1 반도체 다이 중 두번째 제1 반도체 다이에 상기 열 전달 재료를 열적으로 결합시키는 단계를 포함하는, 반도체 다이 조립체를 제조하기 위한 방법.
  29. 제28항에 있어서, 상기 열 경계면 특징부를 배치하는 단계는 열 경계면 테이프의 조각을 부착하는 단계를 포함하는, 반도체 다이 조립체를 제조하기 위한 방법.
  30. 제28항에 있어서, 상기 열 경계면 특징부를 배치하는 단계는 열 경계면 페이스트의 용적을 피착하는 단계를 포함하는, 반도체 다이 조립체를 제조하기 위한 방법.
  31. 삭제
  32. 삭제
  33. 삭제
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10062634B2 (en) * 2016-12-21 2018-08-28 Micron Technology, Inc. Semiconductor die assembly having heat spreader that extends through underlying interposer and related technology
KR102451167B1 (ko) * 2018-01-23 2022-10-06 삼성전자주식회사 반도체 패키지
KR20200083697A (ko) 2018-12-28 2020-07-09 삼성전자주식회사 접착 필름, 이를 이용한 반도체 장치, 및 이를 포함하는 반도체 패키지
US11372043B2 (en) * 2019-08-21 2022-06-28 Micron Technology, Inc. Heat spreaders for use in semiconductor device testing, such as burn-in testing

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000307042A (ja) * 1999-04-20 2000-11-02 Nec Corp 半導体チップ冷却構造
US20070170580A1 (en) * 2006-01-25 2007-07-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Cooling apparatus for memory module
JP2009129960A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
US20130032937A1 (en) * 2011-08-02 2013-02-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Semiconductor device and associated method
US20150054148A1 (en) * 2013-08-21 2015-02-26 Eon-Soo JANG Semiconductor packages including heat exhaust part

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2293487B (en) * 1994-09-21 1998-08-12 Hewlett Packard Co Method and apparatus for attaching a heat sink and a fan to an intergrated circuit package
JP2000349178A (ja) * 1999-06-08 2000-12-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2001352018A (ja) * 2000-06-07 2001-12-21 Tomohiro Kitayama 半導体装置用伝熱部材および半導体装置の冷却構造
JP2002033411A (ja) * 2000-07-13 2002-01-31 Nec Corp ヒートスプレッダ付き半導体装置及びその製造方法
JP2007505478A (ja) * 2003-08-29 2007-03-08 サーマルワークス，インコーポレイティド 膨張制約されたダイスタック
TWI239603B (en) * 2003-09-12 2005-09-11 Advanced Semiconductor Eng Cavity down type semiconductor package
TWI256707B (en) * 2004-10-21 2006-06-11 Advanced Semiconductor Eng Cavity-down multiple chip package
JP4986435B2 (ja) * 2005-10-12 2012-07-25 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント 半導体装置、半導体装置の作成方法
JP5211457B2 (ja) * 2006-09-19 2013-06-12 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP4870584B2 (ja) * 2007-01-19 2012-02-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2008218669A (ja) * 2007-03-02 2008-09-18 Nec Electronics Corp 半導体装置
US20090213541A1 (en) * 2008-02-27 2009-08-27 Matthew Allen Butterbaugh Cooling Plate Assembly with Fixed and Articulated Interfaces, and Method for Producing Same
US8273603B2 (en) * 2008-04-04 2012-09-25 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Interposers, electronic modules, and methods for forming the same
US7928562B2 (en) * 2008-07-22 2011-04-19 International Business Machines Corporation Segmentation of a die stack for 3D packaging thermal management
US9385095B2 (en) 2010-02-26 2016-07-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 3D semiconductor package interposer with die cavity
KR20120019091A (ko) * 2010-08-25 2012-03-06 삼성전자주식회사 멀티-칩 패키지 및 그의 제조 방법
US8472190B2 (en) * 2010-09-24 2013-06-25 Ati Technologies Ulc Stacked semiconductor chip device with thermal management
US9147085B2 (en) * 2010-09-24 2015-09-29 Blackberry Limited Method for establishing a plurality of modes of operation on a mobile device
CA2813749A1 (en) * 2010-10-06 2012-04-12 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Interposers, electronic modules, and methods for forming the same
JP2012114334A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Nec Casio Mobile Communications Ltd キャビティ基板を備える半導体モジュール、その不良解析方法、及び該半導体モジュールの製造方法
JP2012129335A (ja) * 2010-12-15 2012-07-05 Renesas Electronics Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
US8674519B2 (en) * 2010-12-17 2014-03-18 Intel Corporation Microelectronic package and method of manufacturing same
US8841765B2 (en) 2011-04-22 2014-09-23 Tessera, Inc. Multi-chip module with stacked face-down connected dies
US9082633B2 (en) * 2011-10-13 2015-07-14 Xilinx, Inc. Multi-die integrated circuit structure with heat sink
US9153520B2 (en) * 2011-11-14 2015-10-06 Micron Technology, Inc. Stacked semiconductor die assemblies with multiple thermal paths and associated systems and methods
US9275976B2 (en) 2012-02-24 2016-03-01 Broadcom Corporation System-in-package with integrated socket
EP2897166A4 (en) * 2012-09-14 2016-06-29 Renesas Electronics Corp METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT
US9496199B2 (en) * 2012-12-04 2016-11-15 General Electric Company Heat spreader with flexible tolerance mechanism
US9461000B2 (en) * 2013-05-21 2016-10-04 Esilicon Corporation Parallel signal via structure
US9076754B2 (en) * 2013-08-02 2015-07-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. 3DIC packages with heat sinks attached to heat dissipating rings
JP6260806B2 (ja) * 2013-09-27 2018-01-17 インテル・コーポレーション 両面ダイパッケージ
KR102245770B1 (ko) 2013-10-29 2021-04-28 삼성전자주식회사 반도체 패키지 장치
US9269694B2 (en) * 2013-12-11 2016-02-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Packages with thermal management features for reduced thermal crosstalk and methods of forming same
US9287248B2 (en) * 2013-12-12 2016-03-15 Intel Corporation Embedded memory and power management subpackage
KR20150085384A (ko) * 2014-01-15 2015-07-23 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
US9269700B2 (en) * 2014-03-31 2016-02-23 Micron Technology, Inc. Stacked semiconductor die assemblies with improved thermal performance and associated systems and methods
US10062634B2 (en) * 2016-12-21 2018-08-28 Micron Technology, Inc. Semiconductor die assembly having heat spreader that extends through underlying interposer and related technology

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000307042A (ja) * 1999-04-20 2000-11-02 Nec Corp 半導体チップ冷却構造
US20070170580A1 (en) * 2006-01-25 2007-07-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Cooling apparatus for memory module
JP2009129960A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Nec Electronics Corp 半導体装置およびその製造方法
US20130032937A1 (en) * 2011-08-02 2013-02-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Semiconductor device and associated method
US20150054148A1 (en) * 2013-08-21 2015-02-26 Eon-Soo JANG Semiconductor packages including heat exhaust part

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