KR20200083697A - 접착 필름, 이를 이용한 반도체 장치, 및 이를 포함하는 반도체 패키지 - Google Patents

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KR20200083697A
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layer
adhesive film
porous metal
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이정필
강명성
김영석
서광선
유혜인
최용원
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    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
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    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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Abstract

그의 내부에 복수의 세공들(pore)을 갖는 다공성 금속층, 상기 다공성 금속층의 일면 상에 배치되는 제 1 접착층, 상기 다공성 금속층의 상기 세공들을 채우는 접착 부재, 및 상기 제 1 접착층 내에 분산되어 있는 제 1 열전도 부재들을 포함하는 접착 필름을 제공한다.

Description

접착 필름, 이를 이용한 반도체 장치, 및 이를 포함하는 반도체 패키지{ADHESIVE FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME, and SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 접착 필름에 관한 것으로, 상세하게는 열전도성 접착 필름, 이를 이용한 반도체 장치, 및 이를 포함하는 반도체 패키지에 관한 것이다.
접착제는 사용의 용이성 때문에 시트, 필름, 라벨, 테이프 등 매우 다양한 용도로 사용되며, 피착제도 유기재료, 금속재료, 무기재료 등 광범위하다. 최근에는 여러 가지 고기능성 및 습도, 부식, 온도에 대한 내구 신뢰성이 요구되는 디스플레이, 터치 스크린, 터치 패널, 터치 렌즈, 전자 소자, 전기 전극, LED 조명 등 그 적용분야가 점차 확대되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 열전도성이 향상된 접착 필름을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 가공성이 향상된 접착 필름을 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 열 특성이 향상된 반도체 장치 및 반도체 패키지를 제공하는데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상술한 기술적 과제들을 해결하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 접착 필름은 그의 내부에 복수의 세공들(pore)을 갖는 다공성 금속층, 상기 다공성 금속층의 일면 상에 배치되는 제 1 접착층, 상기 다공성 금속층의 상기 세공들을 채우는 접착 부재, 및 상기 제 1 접착층 내에 분산되어 있는 제 1 열전도 부재들을 포함할 수 있다.
상술한 기술적 과제들을 해결하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 장치는 기판, 상기 기판 상의 발열 소자, 및 상기 기판과 상기 발열 소자 사이에 배치되는 접착 필름을 포함할 수 있다. 상기 접착 필름은 그의 내부에 복수의 세공들(pore)을 갖는 다공성 금속층, 상기 다공성 금속층의 일면 상에 배치되는 제 1 접착층, 및 상기 다공성 금속층의 상기 세공들을 채우는 접착 부재를 포함할 수 있다.
상술한 기술적 과제들을 해결하기 위한 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지는 패키지 기판, 상기 패키지 기판 상의 반도체 칩, 상기 반도체 칩을 덮는 방열부, 및 상기 반도체 칩과 상기 방열부 사이에 배치되는 접착 필름 을포함할 수 있다. 상기 접착 필름은 상기 반도체 칩의 상면 상에 배치되는 제 1 접착층, 상기 제 1 접착층의 상면 상에 배치되는 다공성 금속층, 및 상기 다공성 금속층의 내부를 채우는 접착 부재를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 접착 필름은 금속층이 다공성 형상으로 제공됨에 따라, 접착 필름의 가공성이 향상될 수 있다.
또한, 금속층의 세공 내를 채우는 접착 부재는 금속층을 제 1 접착층에 견고하게 접착시킬 수 있다. 이에 따라, 금속층이 제 1 접착층에서 박리되지 않을 수 있으며, 접착 필름의 구조적 안정성이 향상될 수 있다.
더하여, 접착 필름은 제 1 접착층 또는 접착 부재 내의 열전도 부재를 포함할 수 있으며, 접착 필름의 열전도율이 향상될 수 있다.
상기 접착 필름을 이용한 반도체 장치 및 반도체 패키지는 그의 내부로부터 발생하는 열을 효과적으로 방출시킬 수 있으며, 접착 필름은 반도체 장치 및 반도체 패키지의 열적 안정이 기여할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 접착 필름을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 A 영역을 확대 도시한 도면들이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 접착 필름을 설명하기 위한 단면도이다.
도 5는 도 4의 B 영역을 확대 도시한 도면이다.
도 6은 종래의 접착 필름의 가공을 설명하기 위한 단면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 접착 필름의 가공을 설명하기 위한 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 접착 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 12 내지 도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도들이다.
도면들 참조하여 본 발명의 개념에 따른 접착 필름을 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 접착 필름을 설명하기 위한 단면도이다. 도 2 및 도 3은 도 1의 A 영역을 확대 도시한 도면들이다.
도 1 및 도 2를 참조하여, 접착 필름(AF)은 제 1 접착층(10), 금속층(20), 접착 부재(40) 및 제 1 열전도 부재들(12)을 포함할 수 있다.
제 1 접착층(10)이 제공될 수 있다. 제 1 접착층(10)은 필름 형태를 가질 수 있다. 제 1 접착층(10)은 비전도성 물질을 포함할 수 있다. 제 1 접착층(10)은 접착성 폴리머를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 접착층(10)은 아크릴계 폴리머, 에폭시계 폴리머 또는 우레탄계 폴리머를 포함할 수 있다. 제 1 접착층(10)은 이에 한정되지 않으며, 본 기술 분야에서 알려진 임의의 접착성 폴리머를 포함할 수 있다.
제 1 접착층(10)의 일면 상에 금속층(20)이 제공될 수 있다. 금속층(20)은 필름 형태를 가질 수 있다. 금속층(20)은 열전도율이 높은 물질을 포함할 수 있다. 금속층(20)은 금속을 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속층(20)은 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe), 은(Ag), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 합금은 알루미늄-마그네슘-구리 합금(AlMg15Cu10) 또는 아연-알루미늄-마그네슘 합금(ZnAl3.3Mg3.3)을 포함할 수 있다. 그러나, 금속층(20)이 이에 한정되는 것은 아니며, 금속층(20)은 열전도율이 높은 다른 금속 또는 금속 합금을 포함할 수 있다.
금속층(20)은 다공성(porous) 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 금속층(20)은 그의 내부에 복수의 세공들(PO, pore)을 가질 수 있다. 세공들(PO)은 금속층(20)의 내부에 형성될 수 있고, 그의 일부는 금속층(20)의 표면에 접하도록 형성될 수 있다. 즉, 세공들(PO)은 금속층(20)의 표면 상에서 노출될 수 있다. 금속층(20)의 공극률(porosity)은 30% 내지 100%일 수 있다. 여기서, 공극률이란 금속층(20) 전체의 부피에 대한 세공들(PO)의 부피의 합의 비율을 의미한다. 세공들(PO)은 구형, 타원체, 또는 터널(tunnel)과 같은 형상을 가질 수 있다. 세공들(PO)의 장축(WT1)의 길이는 5um 내지 3000um일 수 있다. 도시하지는 않았으나, 세공들(PO)은 인접한 다른 세공들(PO)과 접하여 서로 연통될 수 있다. 금속층(20)이 다공성 형상으로 제공됨에 따라, 접착 필름(AF)의 가공성이 향상될 수 있다. 예를 들어, 다공성의 금속층(20)은 휘어짐(bending) 특성, 연성 또는 절단 시의 표면 특성이 향상될 수 있다. 다공성의 금속층(20)의 절단 시의 표면 특성에 대해서는 이후 도 6 및 도 7을 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
금속층(20) 내에 접착 부재(40)가 함침(impregnate)될 수 있다. 상세하게는, 접착 부재(40)는 금속층(20)의 세공들(PO)을 채울 수 있다. 접착 부재(40)는 금속층(20)을 그의 내측(즉, 세공들(PO) 안)에서 지지하여, 금속층(20)의 형상이 과도하게 변형되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 접착 부재(40)는 금속층(20)이 함몰되는 것을 방지할 수 있다. 세공들(PO)의 일부가 금속층(20)의 표면에 접하도록 형성됨에 따라, 접착 부재(40)는 금속층(20)의 표면 상에 노출될 수 있다. 상게하게는, 접착 부재(40)는 제 1 접착층(10)과 접하는 금속층(20)의 제 1 면(20a) 상에 노출되어 제 1 접착층(10)과 접할 수 있다. 접착 부재(40)가 노출된 금속층(20)의 제 1 면(20a)은 접착성을 가질 수 있다. 접착 부재(40)는 금속층(20)을 제 1 접착층(10)에 견고하게 접착시킬 수 있다. 이에 따라, 금속층(20)이 제 1 접착층(10)에서 박리되지 않을 수 있으며, 접착 필름(AF)의 구조적 안정성이 향상될 수 있다. 접착 부재(40)는 제 1 면(20a)과 대향하는 금속층(20)의 제 2 면(20b) 상에 노출될 수 있다. 접착 부재(40)가 노출된 금속층(20)의 제 2 면(20b)은 접착성을 가질 수 있다. 이에 따라, 접착 필름(AF)은 제 1 접착층(10)의 일측과 금속층(20)의 타측 모두에서 접착성을 가질 수 있으며, 양면 접착 필름으로 이용될 수 있다. 접착 부재(40)는 접착성 폴리머를 포함할 수 있다. 접착 부재(40)는 제 1 접착층(10)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 접착 부재(40)는 아크릴계 폴리머, 에폭시계 폴리머 또는 우레탄계 폴리머를 포함할 수 있다. 접착 부재(40)가 제 1 접착층(10)과 동일한 물질로 구성되는 경우, 접착 부재(40)는 제 1 접착층(10)과 연속적인 구성을 가질 수 있고, 접착 부재(40)와 제 1 접착층(10) 사이의 경계면은 시각적으로 보이지 않을 수 있다. 즉, 접착 부재(40)와 제 1 접착층(10)은 일체로 제공될 있다. 예를 들어, 접착 부재(40)는 금속층(20)의 세공들(PO) 내로 함침된 제 1 접착층(10)의 일부일 수 있다. 이와는 다르게, 접착 부재(40)가 제 1 접착층(10)과 상이한 물질로 구성되는 경우, 접착 부재(40)와 제 1 접착층(10) 사이의 경계면은 시각적으로 나타날 수 있다.
제 1 접착층(10) 내에 제 1 열전도 부재들(12)이 제공될 수 있다. 제 1 열전도 부재들(12)은 비드(bead), 와이어(wire) 또는 로드(rod)와 같은 형태를 가질 수 있다. 제 1 열전도 부재들(12)의 크기는 금속층(20)의 세공들(PO)의 크기보다 작을 수 있다. 제 1 열전도 부재들(12)의 장축(WT2)의 길이는 1um 내지 1500um일 수 있다. 그러나, 제 1 열전도 부재들(12)의 크기가 이에 한정되는 것은 아니며, 제 1 열전도 부재들(12)의 크기는 세공들(PO)의 크기보다 클 수도 있다. 제 1 열전도 부재들(12)은 제 1 접착층(10) 내에 분산되어 있을 수 있다. 제 1 열전도 부재들(12)은 제 1 접착층(10)의 체적에 대하여 1% 내지 50%의 부피율(volume fraction)로 제공될 수 있다. 제 1 열전도 부재들(12)은 제 1 접착층(10)의 열전도율을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 접착 필름(AF)의 열전도율이 향상될 수 있다. 더하여, 제 1 열전도 부재들(12)의 크기는 세공들(PO)의 크기보다 작은 경우, 제 1 열전도 부재들(12)은 세공들(PO)을 채우는 접착 부재(40) 내에 분산되어 있을 수 있다. 이에 따라, 제 1 열전도 부재들(12)은 금속층(20)의 열전도율을 향상시킬 수 있다. 이와는 다르게, 제 1 열전도 부재들(12)은 접착 부재(40) 내에 제공되지 않을 수 있고, 또는, 도 3에 도시된 바와 같이, 접착 필름(AF) 내에 제공되지 않을 수도 있다. 이하, 도 2의 실시예를 기준으로 계속 설명한다. 제 1 열전도 부재들(12)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 제 1 열전도 부재들(12)은 열전도율이 높을 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 열전도 부재들(12)은 비정질 실리콘 산화물(amorphous-SiO2), 결정질 실리콘 산화물(crystalline-SiO2), 알루미늄 산화물(Al2O3), 마그네슘 산화물(MgO), 아연 산화물(ZnO), 실리콘 탄화물(SiC), 알루미늄 질화물(AlN), 베릴륨 산화물(BeO), 질화 붕소(BN) 또는 다이아몬드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이외에도, 제 1 열전도 부재들(12)은 열전도율이 높은 다른 절연성 물질을 포함할 수 있다.
상기 금속층(20) 및 제 1 접착층(10)을 포함하는 접착 필름(AF)의 두께(HT)는 10um 내지 10000um일 수 있다.
접착 필름(AF)은 보호층들(32, 34)을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 접착층(10)의 하면 상에 제 1 보호층(32)이 제공되고, 금속층(20)의 제 2 면(20b) 상에 제 2 보호층(34)이 제공될 수 있다. 제 1 보호층(32)은 제 1 접착층(10)의 하면을 덮을 수 있으며, 제 1 접착층(10)이 외부 이물질에 의해 오염되는 것을 막을 수 있다. 제 2 보호층(34)은 금속층(20)의 제 2 면(20b)을 덮을 수 있으며, 금속층(20)이 외부 이물질에 의해 오염되는 것을 막을 수 있다. 제 1 보호층(32) 및 제 2 보호층(34)은 각각 제 1 접착층(10)의 표면과 금속층(20)의 표면을 따라 배치되며, 사용을 위해 준비될 때까지 접착 필름(AF)을 외부 이물질로부터 보호할 수 있다. 접착 필름(AF)은 보호층들(32, 34)에 의해 외부 오염으로부터 보호될 수 있으며, 접착 필름(AF)의 사용 시 보호층들(32, 34)은 제거될 수 있다. 제 1 보호층(32) 및 제 2 보호층(34)은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 또는 종이를 포함할 수 있다. 보호층들(32, 34)은 필요에 따라 제공되지 않거나, 제 1 보호층(32) 및 제 2 보호층(34) 중 어느 하나만 제공될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 접착 필름을 설명하기 위한 단면도이다. 도 5는 도 4의 B 영역을 확대 도시한 도면이다. 설명의 편의를 위하여, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 것과의 차이점을 중심으로 설명한다.
도 4 및 도 5를 참조하여, 금속층(20) 상에 제 2 접착층(50)이 제공될 수 있다. 제 2 접착층(50)은 제 1 접착층(10)과 대향하는 금속층(20)의 일면 상에 배치될 수 있다. 즉, 금속층(20)은 제 1 접착층(10)과 제 2 접착층(50) 사이에 제공될 수 있다. 금속층(20)의 양면 상에 접착층들(10, 50)이 제공됨에 따라, 접착 필름은 양면 접착 필름으로 이용될 수 있으며, 접착성이 향상될 수 있다. 제 2 접착층(50)은 필름 형태를 가질 수 있다. 제 2 접착층(50)은 비전도성 물질을 포함할 수 있다. 제 2 접착층(50)은 접착성 폴리머를 포함할 수 있다. 제 2 접착층(50)은 제 1 접착층(10)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 접착층(50)은 아크릴계 폴리머, 에폭시계 폴리머 또는 우레탄계 폴리머를 포함할 수 있다. 제 2 접착층(50)이 접착 부재(40)와 동일한 물질로 구성되는 경우, 제 2 접착층(50)은 접착 부재(40)와 연속적인 구성을 가질 수 있고, 접착 부재(40)와 제 2 접착층(50) 사이의 경계면은 시각적으로 보이지 않을 수 있다. 즉, 접착 부재(40)와 제 2 접착층(50)은 일체로 제공될 있다. 예를 들어, 접착 부재(40)는 금속층(20)의 세공들(PO) 내로 함침된 제 2 접착층(50)의 일부일 수 있다. 제 1 접착층(10), 접착 부재(40) 및 제 2 접착층(50)이 모두 동일한 물질로 구성되는 경우, 제 1 접착층(10), 접착 부재(40) 및 제 2 접착층(50)은 일체로 제공될 수 있다. 이와는 다르게, 제 2 접착층(50)이 접착 부재(40)와 상이한 물질로 구성되는 경우, 접착 부재(40)와 제 2 접착층(50) 사이의 경계면은 시각적으로 나타날 수 있다.
제 2 접착층(50) 내에 제 2 열전도 부재들(52)이 제공될 수 있다. 제 2 열전도 부재들(52)은 비드(bead), 와이어(wire) 또는 로드(rod)와 같은 형태를 가질 수 있다. 제 2 열전도 부재들(52)의 크기는 금속층(20)의 세공들(PO)의 크기보다 작을 수 있다. 제 2 열전도 부재들(52)의 장축의 길이는 1um 내지 1500um일 수 있다. 제 2 열전도 부재들(52)의 크기는 세공들(PO)의 크기보다 클 수도 있다. 제 2 열전도 부재들(52)은 제 2 접착층(50) 내에 분산되어 있을 수 있다. 제 2 열전도 부재들(52)은 제 2 접착층(50)의 체적에 대하여 1% 내지 50%의 부피율(volume fraction)로 제공될 수 있다. 제 2 열전도 부재들(52)은 제 2 접착층(50)의 열전도율을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 접착 필름의 열전도율이 향상될 수 있다. 이와는 다르게, 제 2 열전도 부재들(52)은 제 2 접착층(50) 내에 제공되지 않을 수도 있다. 제 2 열전도 부재들(52)은 절연성 물질을 포함할 수 있다. 제 2 열전도 부재들(52)은 열전도율이 높을 물질을 포함할 수 있다. 제 2 열전도 부재들(52)은 제 1 열전도 부재들(12)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 열전도 부재들(52)은 비정질 실리콘 산화물(amorphous-SiO2), 결정질 실리콘 산화물(crystalline-SiO2), 알루미늄 산화물(Al2O3), 마그네슘 산화물(MgO), 아연 산화물(ZnO), 실리콘 탄화물(SiC), 알루미늄 질화물(AlN), 베릴륨 산화물(BeO), 질화 붕소(BN) 또는 다이아몬드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 6은 종래의 접착 필름의 가공을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6을 참조하여, 종래 기술에 따른 접착 필름이 제공될 수 있다. 접착 필름은 접착층(10') 상에 제공되는 금속층(20')을 포함할 수 있다.
접착 필름은 필요에 따라 절단되어 접착 대상에 부착되거나, 접착 대상에 부착된 후 접착 대상과 함께 절단(일 예로, 쏘잉(sawing) 공정 등)될 수 있다. 종래 기술에 따른 접착 필름은 이와 같은 접착 필름의 가공 공정 시, 금속층(20')이 변형될 수 있다. 일 예로, 도 6에 도시된 바와 같이, 접착 필름이 블레이드(BL)에 의해 절단될 수 있다. 이때, 금속층(20')과 블레이드(BL)의 마찰에 의해 금속층(20')과 블레이드(BL)의 경계 상에 전단 응력이 발생할 수 있다. 금속만으로 이루어진 금속층(20')은 전단 응력에 의해 결정들이 슬립(slip)되기 용이하며, 이에 따라 금속층(20')의 절단부가 블레이드(BL)를 따라 끌려 내려가는 버(burr) 현상 또는 픽업(pick-up) 현상이 발생할 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 접착 필름의 가공을 설명하기 위한 단면도이다.
도 7을 참조하여, 접착 필름은 필요에 따라 절단되어 접착 대상에 부착되거나, 접착 대상에 부착된 후 접착 대상과 함께 절단될 수 있다. 본 발명에 따른 접착 필름은 이와 같은 접착 필름의 가공 공정 시, 금속층(20)의 변형이 발생하지 않을 수 있다. 일 예로, 도 7에 도시된 바와 같이, 접착 필름이 블레이드(BL)에 의해 절단될 수 있다. 이때, 블레이드(BL)는 그의 진행 경로에서 금속층(20)과 세공들(PO)을 번갈아가며 만나게 된다. 이에 따라, 절단 공정에서의 금속층(20)의 버(burr) 현상 또는 픽업(pick-up) 현상이 최소화될 수 있다. 더하여, 세공들(PO) 내에 배치되는 접착 부재(40)는 세공들(PO) 내로부터 금속층(20)을 지지할 수 있으며, 금속층(20)의 변형을 막을 수 있다. 즉, 본 발명에 따르면 가공 공정 시의 표면 특성이 향상되고, 구조적 안정성이 향상된 접착 필름이 제공될 수 있다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 접착 필름의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 8을 참조하여, 다공성의 금속층(20)이 제공될 수 있다. 다공성의 금속층(20)은 더미 입자들을 포함하는 금속 필름을 형성한 후, 상기 더미 입자들을 제거하는 방법으로 형성될 수 있다. 또는, 금속 섬유를 직물 또는 부직물 형태로 제작하여 다공성의 금속층(20)이 형성될 수 있다. 다공성의 금속층(20)은 이와는 다른 다양한 방법들로 형성될 수 있다. 금속층(20)은 그의 내부에 복수의 세공들(PO, pore)을 가질 수 있다. 금속층(20)은 공극률(porosity)은 30% 내지 100%이도록 형성될 수 있다.
도 9를 참조하여, 금속층(20)의 제 1 면(20a) 상에 제 1 접착층(10)이 제공될 수 있다. 제 1 접착층(10)은 필름 형태로 제공될 수 있다. 제 1 접착층(10)은 비전도성 물질을 포함할 수 있다. 제 1 접착층(10)은 접착성 폴리머를 포함할 수 있다.
제 1 접착층(10)의 일부를 금속층(20)의 세공들(PO) 내로 함침시킬 수 있다. 예를 들어, 금속층(20)을 향하여 제 1 접착층(10)을 가압할 수 있다. 제 1 접착층(10)은 압력에 의해 변형되어 금속층(20)의 세공들(PO) 내로 주입될 수 있다. 또는, 제 1 접착층(10)을 용융시켜 금속층(20)의 세공들(PO) 내로 주입될 수 있다. 제 1 접착층(10)의 일부는 금속층(20)의 세공들(PO)로 주입되어 접착 부재(40)를 형성하고, 다른 일부는 금속층(20) 상에 잔여할 수 있다.
다른 실시예들에 따르면, 금속층(20)의 세공들(PO) 내에 접착제 용액을 함침시켜 접착 부재(40)를 형성하고, 이후 금속층(20)의 제 1 면(20a) 상에 별도의 공정으로 형성된 제 1 접착층(10)을 부착시킬 수 있다.
이후, 금속층(20) 및 제 1 접착층(10)을 덮는 제 1 및 제 2 보호층들(32, 34, 도 1 참조)을 부착하여, 도 1의 접착 필름(AF)이 제조될 수 있다.
도 10을 참조하여, 제 1 접착층(10)이 세공들(PO)을 채운 후에, 도 10의 공정이 계속될 수 있다. 예를 들어, 금속층(20)의 세공들(PO) 내로 제 1 접착층(10)을 계속 가압하거나, 용융된 제 1 접착층(10)이 계속 주입될 수 있다. 이에 따라, 금속층(20)의 제 1 면(20a) 상의 제 1 접착층(10)은 금속층(20)의 세공들(PO)을 모두 채우고, 세공들(PO)을 통해 금속층(20)의 제 2 면(20b) 상으로 토출될 수 있다. 금속층(20)의 제 2 면(20b) 상으로 토출된 제 1 접착층(10)의 일부는 제 2 접착층(50)을 형성하고, 금속층(20)의 세공들(PO)로 주입된 제 1 접착층(10)의 일부는 접착 부재(40)를 형성하고, 다른 일부는 금속층(20) 상에 잔여할 수 있다.
이후, 제 1 접착층(10) 및 제 2 접착층(50)을 덮는 제 1 및 제 2 보호층들(32, 34)을 부착하여, 도 3의 접착 필름이 제조될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 접착 필름은 다양한 반도체 장치에 이용될 수 있다. 도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 11을 참조하여, 반도체 장치는 전자 소자가 접착 필름을 이용하여 일 기재 상에 접착된 형태를 가질 수 있다.
기판(110)이 제공될 수 있다. 기판(110)은 반도체 기판 또는 인쇄 회로 기판(PCB)을 포함하는 다양한 종류의 기판일 수 있다.
기판(110) 상에 발열 소자(120)가 제공될 수 있다. 여기서, 발열 소자(120)라 함은 그의 동작에 따라 열이 발생하는 소자를 의미한다. 발열 소자(120)는 구동 중 발생하는 열에 의해 파손될 수 있으므로, 구동 중 발생하는 열을 방출하는 것이 중요하다. 발열 소자(120)는 와이어 본딩(wire bonding)과 같은 다양한 방법을 이용하여 기판(110)에 실장되거나, 또는 다른 전기적 연결을 이용하여 외부와 연결될 수 있다.
도 1 내지 도 5와 도 11을 함께 참조하여, 기판(110)과 발열 소자(120) 사이에 접착 필름(AF)이 제공될 수 있다. 접착 필름(AF)은 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 것들 중 어느 하나의 접착 필름에서 보호층들(32, 34, 도 1 또는 도 4 참조)을 제거하여 사용될 수 있다. 접착 필름(AF)은 발열 소자(120)를 기판(110)의 상면에 접착시킬 수 있다. 예를 들어, 다공성의 금속층(20)이 기판(110)의 상면에 접착되고, 제 1 접착층(10)이 발열 소자(120)에 접착될 수 있다. 혹은 반대로 제 1 접착층(10)이 기판(110)의 상면에 접착되고, 다공성의 금속층(20)이 발열 소자(120)에 접착될 수 있다. 이 경우, 발열 소자(120)와의 전기적 절연을 위하여, 금속층(20)이 접촉되는 발열 소자(120)의 일면은 비활성면일 수 있다. 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 접착 필름(AF)은 금속층(20)의 일면이 접착력을 가질 수 있으며, 이에 따라 발열 소자(120)가 기판(110) 상에 접착될 수 있다. 보다 견고한 접착이 필요한 경우, 접착 필름(AF)은 도 4 및 도 5를 참조하여 설명한 것과 동일한 접착 필름이 이용될 수 있다. 즉, 접착 필름(AF)은 금속층(20) 상에 배치되는 제 2 접착층(50, 도 4 참조)을 더 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 접착층(10)은 기판(110)의 상면에 접착되고, 제 2 접착층(50)은 발열 소자(120)의 일면에 접착될 수 있다. 이에 따라, 발열 소자(120)는 기판(110) 상에 견고하게 접착될 수 있다. 더하여, 접착 필름(AF)은 제 1 접착층(10) 내에 분산되는 제 1 열전도 부재들(12, 도 1 내지 도 5 참조)을 가질 수 있다. 이에 따라, 접착 필름(AF)은 금속층(20) 뿐만 아니라 제 1 접착층(10)의 열전도율이 높을 수 있다. 열전도율이 높은 접착 필름(AF)은 발열 소자(120)에서 발생하는 열을 기판(110)으로 빠르게 전달할 수 있으며, 발열 소자(120)의 열적 안정에 기여할 수 있다.
도 11을 참조하여 설명한 바와는 다르게, 반도체 장치는 전자 소자들을 접착 필름을 이용하여 접합시킨 형태를 가질 수 있다. 도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 12를 참조하여, 기판(210)이 제공될 수 있다. 기판(210)은 반도체 기판 또는 인쇄 회로 기판(PCB)을 포함하는 다양한 종류의 기판일 수 있다.
기판(210) 상에 제 1 반도체 칩(220)이 실장될 수 있다. 예를 들어, 제 1 반도체 칩(220)은 플립 칩 본딩(flip chip bonding) 방식으로 기판(210)의 상면에 실장될 수 있다. 기판(210)을 향하는 제 1 반도체 칩(220)의 하면은 활성면이고, 제 1 반도체 칩(220)의 상면은 비활성면일 수 있다. 제 1 반도체 칩(220)은 발열 소자일 수 있다.
제 1 반도체 칩(220) 상에 적어도 하나의 제 2 반도체 칩(230)이 배치될 수 있다. 제 2 반도체 칩(230)은 기판(210) 상에 실장될 수 있다. 예를 들어, 제 2 반도체 칩(230)은 와이어 본딩(wire bonding) 방식으로 기판(210)의 상면에 실장될 수 있다. 제 1 반도체 칩(220)을 향하는 제 2 반도체 칩(230)의 하면은 비활성면이고, 제 2 반도체 칩(230)의 상면은 활성면일 수 있다.
도 1 내지 도 5와 도 12를 함께 참조하여, 제 1 반도체 칩(220)과 제 2 반도체 칩(230) 사이에 접착 필름(AF)이 제공될 수 있다. 접착 필름(AF)은 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 것들 중 어느 하나의 접착 필름에서 보호층들(32, 34, 도 1 및 도 4 참조)을 제거하여 사용될 수 있다. 접착 필름(AF)은 제 2 반도체 칩(230)을 제 1 반도체 칩(220)의 상면에 접착시킬 수 있다. 예를 들어, 다공성의 금속층(20)이 제 1 반도체 칩(220)에 접착되고, 제 1 접착층(10)이 제 2 반도체 칩(230)에 접착될 수 있다. 본 발명에 따른 접착 필름(AF)은 금속층(20)의 일면이 접착력을 가질 수 있으며, 이에 따라 제 2 반도체 칩(230)이 제 1 반도체 칩(220) 상에 접착될 수 있다. 보다 견고한 접착이 필요한 경우, 접착 필름(AF)은 금속층(20) 상에 배치되는 제 2 접착층(50, 도 4 참조)을 더 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 접착층(10)은 제 1 반도체 칩(220)의 상면에 접착되고, 제 2 접착층(50)은 제 2 반도체 칩(230)의 하면에 접착될 수 있다. 이에 따라, 제 1 반도체 칩(220)과 제 2 반도체 칩(230)은 견고하게 접착될 수 있다.
접착 필름(AF)은 제 1 접착층(10) 내에 분산되는 제 1 열전도 부재들(12, 도 1 내지 도 5 참조)을 가질 수 있다. 이에 따라, 접착 필름(AF)은 금속층(20) 뿐만 아니라 제 1 접착층(10)의 열전도율이 높을 수 있다. 제 1 반도체 칩(220)에서 발생하는 열은 열전도율이 높은 접착 필름(AF) 및 제 2 반도체 칩(230)을 통해 빠르게 외부로 방출될 수 있으며, 반도체 패키지의 열적 안정에 기여할 수 있다.
이와는 다르게, 제 2 반도체 칩(230)이 발열 소자일 수 있다. 이 경우, 제 2 반도체 칩(230)에서 발생하는 열은 접착 필름(AF) 및 제 1 반도체 칩(220)을 통해 기판(210)으로 전달되거나, 그의 상부로 방출될 수 있다. 즉, 제 2 반도체 칩(230)에서 발생하는 열은 다양한 경로로 분산될 수 있으며, 반도체 패키지의 열적 안정에 기여할 수 있다.
도 12를 참조하여 설명한 바와는 또 다르게, 반도체 장치는 발열 소자 상에 접착 필름을 이용하여 방열 부재를 접합시킨 형태를 가질 수 있다. 도 13은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 13을 참조하여, 도 12의 반도체 장치 상에 히트 싱크(heat sink, 250)가 제공될 수 있다. 히트 싱크(250)는 제 2 접착 필름(AF2)을 이용하여 반도체 장치의 상면 상에 부착되고, 제 1 반도체 칩(220)과 제 2 반도체 칩(230)은 제 1 접착 필름(AF1)을 이용하여 서로 부착될 수 있다. 제 1 접착 필름(AF1) 및 제 2 접착 필름(AF2) 각각은 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 것들 중 어느 하나의 접착 필름에서 보호층들(32, 34, 도 1 및 도 4 참조)을 제거하여 사용될 수 있다. 제 2 접착 필름(AF2)은 히트 싱크(250)를 반도체 장치의 상면에 접착시킬 수 있다. 예를 들어, 제 2 접착 필름(AF2)의 제 1 접착층(10)이 반도체 장치에 접착되고, 제 2 접착 필름(AF2)의 다공성의 금속층(20)이 히트 싱크(250)의 후면에 접착될 수 있다. 본 발명에 따른 제 2 접착 필름(AF2)은 금속층(20)의 일면이 접착력을 가질 수 있으며, 이에 따라 히트 싱크(250)가 반도체 장치 상에 접착될 수 있다.
제 2 접착 필름(AF2)은 제 1 접착층(10) 내에 분산되는 제 1 열전도 부재들(12, 도 1 내지 도 5 참조)을 가질 수 있다. 이에 따라, 제 2 접착 필름(AF2)은 금속층(20) 뿐만 아니라 제 1 접착층(10)의 열전도율이 높을 수 있다. 반도체 장치에서 발생하는 열은 열전도율이 높은 제 2 접착 필름(AF2)을 통해 히트 싱크(250)로 빠르게 전달될 수 있으며, 반도체 장치의 방열 효과가 향상될 수 있다.
도 14는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도이다.
도 14를 참조하여, 하부 패키지가 제공될 수 있다. 하부 패키지는 하부 패키지 기판(310), 하부 반도체 칩(320) 및 하부 몰드막(330)을 포함할 수 있다.
하부 패키지 기판(310)이 제공될 수 있다. 하부 패키지 기판(310)은 상면에 신호 패턴들을 가지는 인쇄 회로 기판(PCB)일 수 있다. 또는, 하부 패키지 기판(310)은 절연막과 배선층이 교차로 적층된 구조일 수 있다.
하부 패키지 기판(310)의 아래에 외부 단자들(312)이 배치될 수 있다. 외부 단자들(312)은 솔더 볼들 또는 솔더 패드를 포함할 수 있고, 외부 단자들(312)의 종류에 따라 반도체 패키지는 볼 그리드 어레이(BGA), 파인 볼 그리드 어레이(FBGA) 또는 랜드 그리드 어레이(LGA) 형태를 포함할 수 있다.
하부 반도체 칩(320)은 하부 패키지 기판(310)의 상면 상에 실장될 수 있다. 예를 들어, 하부 반도체 칩(320)은 플립칩 본딩(flip chip bonding) 방식으로 하부 패키지 기판(310)에 실장될 수 있다. 즉, 하부 반도체 칩(320)은 솔더 볼들이나 솔더 범프와 같은 하부 칩 단자들(322)에 의해 하부 패키지 기판(310)과 전기적으로 연결될 수 있다. 그러나, 본 발명의 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니며, 하부 반도체 칩(320)은 다양한 방식으로 하부 패키지 기판(310)과 전기적으로 연결될 수 있다. 하부 반도체 칩(320)은 예를 들어, 로직 칩 또는 메모리 칩일 수 있다. 로직 칩은 로직 부분 및 메모리 부분을 포함할 수 있다. 예를 들어, 메모리 칩은 DRAM, NAND flash, NOR flash, PRAM, ReRAM 또는 MRAM일 수 있다.
하부 몰드막(330)은 하부 패키지 기판(310) 상에 배치되어, 하부 반도체 칩(320)을 감쌀 수 있다. 예를 들어, 하부 몰드막(330)은 하부 반도체 칩(320)의 상면을 노출하거나, 도시된 바와는 다르게, 하부 몰드막(330)은 하부 반도체 칩(320)의 상면을 덮도록 제공될 수도 있다. 더하여, 하부 몰드막(330)은 그를 관통하는 접합 홀들(332)을 가질 수 있다. 접합 홀들(332)은 하부 반도체 칩(320)과 이격되어 제공될 수 있다. 하부 몰드막(330)은 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)와 같은 절연성 고분자 물질을 포함할 수 있다.
연결 단자들(340)은 접합 홀들(332)에 제공되어 하부 패키지 기판(310)과 접촉할 수 있다. 연결 단자들(340)은 하부 패키지 기판(310)에 접속될 수 있다. 연결 단자들(340)은 하부 패키지 기판(310)의 상면 상에 제공되어 하부 패키지 기판(310) 및 하부 반도체 칩(320)과 전기적으로 연결될 수 있다.
하부 패키지 상에 상부 패키지가 제공될 수 있다. 상부 패키지는 상부 패키지 기판(350) 및 상부 반도체 칩들(360, 370)을 포함할 수 있다.
하부 패키지 상에 상부 패키지 기판(350)이 제공될 수도 있다. 예를 들어, 하부 반도체 칩(320) 및 하부 몰드막(330) 상에 상부 패키지 기판(350)이 배치될 수 있다. 상부 패키지 기판(350)의 하면에 연결 단자들(340)이 접속될 수 있다. 연결 단자들(340)은 상부 패키지 기판(350)의 하면 상에 제공되어 상부 패키지 기판(350)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상부 패키지 기판(350) 상에 제 1 상부 반도체 칩(360) 및 제 2 상부 반도체 칩(370)이 배치될 수 있다. 제 1 상부 반도체 칩(360) 및 제 2 상부 반도체 칩(370)은 상호 이격될 수 있다. 제 1 상부 반도체 칩(360) 및 제 2 상부 반도체 칩(370)은 각각 상부 패키지 기판(350)에 실장될 수 있다. 제 1 상부 반도체 칩(360) 및 제 2 상부 반도체 칩(370)은 상부 패키지 기판(350)의 상면 상에 플립 칩 본딩(flip chip bonding) 방법 또는 와이어 본딩(wire bonding) 방법으로 실장될 수 있다. 제 1 상부 반도체 칩(360) 및 제 2 상부 반도체 칩(370)은 발열 소자일 수 있다. 제 1 상부 반도체 칩(360) 및 제 2 상부 반도체 칩(370)은 로직 칩 또는 메모리 칩일 수 있다.
제 1 상부 반도체 칩(360) 및 제 2 상부 반도체 칩(370) 상에 방열부(380)가 제공될 수 있다. 방열부(380)는 상부 패키지 기판(350)의 주변 영역 상에 제공되며, 제 1 상부 반도체 칩(360) 및 제 2 상부 반도체 칩(370)을 둘러쌀 수 있다. 방열부(380)는 제 1 상부 반도체 칩(360) 및 제 2 상부 반도체 칩(370)을 덮도록 형성될 수 있다. 이때, 방열부(380)는 제 1 상부 반도체 칩(360)의 상면 및 제 2 상부 반도체 칩(370)의 상면과 접할 수 있다. 방열부(380)는 제 1 상부 반도체 칩(360) 및 제 2 상부 반도체 칩(370)에서 발생하는 열을 외부로 방출시킬 수 있다. 예를 들어, 방열부(380)는 히트 스프레더(heat spreader) 또는 히트 싱크(heat sink)를 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 5와 도 14를 함께 참조하여, 제 1 상부 반도체 칩(360)과 방열부(380) 사이 및 제 2 상부 반도체 칩(370)과 방열부(380) 사이에 접착 필름(AF)이 제공될 수 있다. 접착 필름(AF)은 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 것들 중 어느 하나의 접착 필름에서 보호층들(32, 34, 도 1 및 도 4 참조)을 제거하여 사용될 수 있다. 접착 필름(AF)은 제 1 상부 반도체 칩(360)의 상면 및 제 2 상부 반도체 칩(370)의 상면에 방열부(380)를 접착시킬 수 있다. 예를 들어, 제 1 접착층(10)이 제 1 상부 반도체 칩(360)의 상면 및 제 2 상부 반도체 칩(370)의 상면에 접착되고, 다공성의 금속층(20)이 방열부(380)에 접착될 수 있다. 보다 견고한 접착이 필요한 경우, 접착 필름(AF)은 금속층(20) 상에 배치되는 제 2 접착층(50, 도 4 참조)을 더 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 접착층(10)은 제 1 상부 반도체 칩(360)의 상면 및 제 2 상부 반도체 칩(370)의 상면에 접착되고, 제 2 접착층(50)은 방열부(380)에 접착될 수 있다. 이에 따라, 제 1 상부 반도체 칩(360) 및 제 2 상부 반도체 칩(370)과 방열부(380)는 견고하게 접착될 수 있다.
접착 필름(AF)은 제 1 접착층(10) 내에 분산되는 제 1 열전도 부재들(12, 도 1 내지 도 5 참조)을 가질 수 있다. 이에 따라, 접착 필름(AF)은 금속층(20) 뿐만 아니라 제 1 접착층(10)의 열전도율이 높을 수 있다. 제 1 상부 반도체 칩(360) 및 제 2 상부 반도체 칩(370)에서 발생하는 열은 열전도율이 높은 접착 필름(AF) 및 방열부(380)를 통해 빠르게 외부로 방출될 수 있으며, 반도체 패키지의 열적 안정에 기여할 수 있다.
도시하지는 않았으나, 상부 몰드막(미도시)은 상부 패키지 기판(350) 상에 배치되어, 제 1 상부 반도체 칩(360) 및 제 2 상부 반도체 칩(370)을 감쌀 수 있다. 상기 상부 몰드막(미도시)은 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC)와 같은 절연성 고분자 물질을 포함할 수 있다.
이상, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
AF: 접착 필름
10: 제 1 접착층 20: 다공성의 금속층
32, 34: 보호 필름 40: 접착 부재
50: 제 2 접착층 PO: 세공

Claims (20)

  1. 그의 내부에 복수의 세공들(pore)을 갖는 다공성 금속층;
    상기 다공성 금속층의 일면 상에 배치되는 제 1 접착층;
    상기 다공성 금속층의 상기 세공들을 채우는 접착 부재; 및
    상기 제 1 접착층 내에 분산되어 있는 제 1 열전도 부재들;
    을 포함하는 접착 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 금속층의 공극률(porosity)은 30% 내지 100%인 접착 필름
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 세공들 중 적어도 일부는 상기 다공성 금속층의 표면에 접하도록 형성되고,
    상기 세공들 중 일부 내에 채워지는 상기 접착 부재는 상기 다공성 금속층의 상기 표면 상에 노출되는 접착 필름.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 금속층과 상기 제 1 접착층의 경계 상에서, 상기 접착 부재는 상기 제 1 접착층과 접하고,
    상기 접착 부재와 상기 제 1 접착층은 동일한 물질로 이루어진 일체를 구성하는 접착 필름.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 세공의 장축의 길이는 5um 내지 3000um인 접착 필름.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 금속층은 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe) 또는 은(Ag)을 포함하는 접착 필름.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 열전도 부재들은 비드(bead), 와이어(wire) 또는 로드(rod) 형태를 갖는 접착 필름.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 열전도 부재들은 상기 제 1 접착층의 체적에 대하여 1% 내지 50%의 부피율(volume fraction)로 제공되는 접착 필름.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 열전도 부재들의 일부는 상기 접착 부재 내에 분산되어 있는 접착 필름.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 열전도 부재들은 비정질 실리콘 산화물(amorphous-SiO2), 결정질 실리콘 산화물(crystal SiO2), 알루미늄 산화물(Al2O3), 마그네슘 산화물(MgO), 아연 산화물(ZnO), 실리콘 탄화물(SiC), 알루미늄 질화물(AlN), 베릴륨 산화물(BeO), 질화 붕소(BN) 또는 다이아몬드 중 적어도 하나를 포함하는 접착 필름.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 접착층과 대향하는 상기 다공성 금속층의 다른 일면 상에 배치되는 제 2 접착층을 더 포함하는 접착 필름.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 2 접착층은 그의 내에 분산되어 있는 제 2 열전도 부재들을 포함하는 접착 필름.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 다공성 금속층을 덮는 제 1 보호층, 및 상기 제 1 접착층을 덮는 제 2 보호층 중 적어도 하나를 더 포함하는 접착 필름.

  14. 기판;
    상기 기판 상의 발열 소자; 및
    상기 기판과 상기 발열 소자 사이에 배치되는 접착 필름;
    을 포함하되,
    상기 접착 필름은:
    그의 내부에 복수의 세공들(pore)을 갖는 다공성 금속층;
    상기 다공성 금속층의 일면 상에 배치되는 제 1 접착층; 및
    상기 다공성 금속층의 상기 세공들을 채우는 접착 부재;
    를 포함하는 반도체 장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 접착 필름과 접하는 상기 발열 소자의 일면은 비활성면인 반도체 장치.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 접착 필름은 상기 제 1 접착층과 대향하는 상기 다공성 금속층의 다른 일면 상에 배치되는 제 2 접착층을 더 포함하는 반도체 장치.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 접착 필름은 상기 제 1 접착층 내에 분산되어 있는 제 1 열전도 부재들을 더 포함하는 반도체 장치.

  18. 패키지 기판;
    상기 패키지 기판 상의 반도체 칩;
    상기 반도체 칩을 덮는 방열부; 및
    상기 반도체 칩과 상기 방열부 사이에 배치되는 접착 필름;
    을 포함하되,
    상기 접착 필름은:
    상기 반도체 칩의 상면 상에 배치되는 제 1 접착층;
    상기 제 1 접착층의 상면 상에 배치되는 다공성 금속층; 및
    상기 다공성 금속층의 내부를 채우는 접착 부재;
    를 포함하는 반도체 패키지.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 접착 필름은 상기 반도체 칩의 비활성면 및 상기 방열부와 접하는 반도체 패키지.
  20. 제 18 항에 있어서,
    상기 접착 필름은 상기 제 1 접착층 내에 분산되어 있는 제 1 열전도 부재들을 더 포함하는 반도체 패키지.
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