KR102328686B1 - 폴리술폰아미드 재분배 조성물 및 이의 사용 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 반도체 및 반도체 패키지의 제조에 사용되는 바와 같은 재분포 층으로서 사용하기 위한 폴리술폰아미드 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 이는 재분포 적용을 위한 광이미지형성가능한 폴리술폰아미드 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 반도체 제조에서의 상기 조성물의 용도에 관한 것이다.

Description

폴리술폰아미드 재분배 조성물 및 이의 사용 방법
본 발명은 반도체 및 반도체 패키지의 제조에 사용되는 바와 같은 재분배 층(redistribution layer)으로서 사용하기 위한 폴리술폰아미드 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로 이는 재분배 적용을 위한 광이미지형성가능한(photoimageable) 폴리술폰아미드 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 또한 반도체 제조에서의 상기 조성물의 용도에 관한 것이다.
집적 회로 (IC)는 반도체, 주목할 만하게는 규소 상에 제조되는 전자 회로의 세트이다. IC는 mm2당 천만 개보다 많은 트랜지스터 또는 다른 전자 부품을 갖고 성장하며 매우 조밀하게(compact) 제조될 수 있다. 이에 따라, 트랜지스터 및 다른 부품을 마이크로회로의 나머지에 연결하는 데 사용되는 도전 라인(conducting lines) 및 상호연결부의 폭 및 크기는 기술이 진보함에 따라 점점 더 작게, 현재는 수십 나노미터로 될 필요가 있다.
일부 경우에, IC 또는 마이크로칩이 제조되는 경우, 도선(leads)이라 지칭되는 전기 접속부가 마이크로칩으로부터, 칩이 와이어 본딩(wire bonds)을 사용하여 존재하는 패키지로 부착된다. 이어서, J-윙(J-wing), 걸-윙(gull-wing) 및 땜납 범프(solder bump) 상호연결과 같은 다수의 기술을 사용하여 패키지를 회로 기판에 결합시킨다. 마이크로칩의 트랜지스터를 패키지에 그리고 기판 및 외부 세계에 상호연결하기 위해 전도성 및 비전도성 둘 모두의 재료의 다수의 층이 요구된다. 이러한 구성에서, 분배 층이 필요하다.
재분배 층은, 다른 마이크로칩 및/또는 패키지 및/또는 회로 기판으로의 마이크로칩의 전기적 상호접속을 가능하게 하는, 칩 및/또는 패키지 상의 배선(wiring)의 추가의 층이며, 가변 두께 및 해상도의 다수의 층일 수 있다. 재분배 층은 또한 칩 적층 기술에 사용된다.
예를 들어, 플립 칩 범핑(flip chip bumping) 전에 IC 본드 패드(IC bond pad)를 재분배하는 것은 상호연결을 위한 통상의 공정이 되었다. 범핑은 땜납을 사용하는 공정이며, 이는 땜납 페이스트로서 도포되고 리플로우되어(reflowed) 땜납의 원형 볼(round ball) 또는 범프(bump)를 생성한다. 재분배 층은 본래 와이어 본딩을 위해 설계된 다이(die)의 땜납 페이스트 범핑을 가능하게 한다. IC의 와이어 본딩은 오직 IC의 1차원 주변부(periphery)에 대한 연결만을 제공하지만, 재분배 층 및 범핑은 상기 연결이 IC의 2차원 표면 전체에 걸쳐 분포되는 것을 가능하게 한다. 스터드 범프(stud bump) 및 도금된 범프(plated bump)는 와이어 본드 패드(wire bond pad)의 작은 크기 및 조밀한 간격 (예를 들어, 150 마이크론 피치(pitch) 상에 100 마이크론 제곱의 패드)을 용인할 수 있지만, 땜납 페이스트는 대체적으로 상기 간격의 2배보다 더 큰 간격을 요구한다. 주변부의 와이어 본드 패드를 재분배에 의해 땜납-범프 패드의 2차원 배열(area array)로 전환시키는 것은 상기 장애물을 극복한다.
일부 적용에서, 재분배는 분배된 전력 및 접지 접점(ground contacts)을 생성하기 위한 매력적인 방법을 제공한다. 재분배된 패드는 또한 고가의 다층 기판에 대한 대안으로서, 오프-칩(off-chip) 연결을 칩 규모에서 기판 규모로 변형시킨다. 웨이퍼-수준의 칩-규모의 패키지는 종종 이들의 최종 외부 패키지 연결부로서 볼-그리드 배열(ball-grid array) 패드로 재분배된다.
보다 강력한 필요성이 재분배를 추진시켜 오고 있다. 칩 규모 패키징, 웨이퍼-수준의 패키징, 및 가장 최근에는 3-D 패키징 및 패키지 내 시스템(system-in-package)에서의 진보는 종종 재분배된 본드 패드를 요구한다.
재분배 층은, 전기도금, 기상 증착, 무전해 도금 또는 이들의 조합에 의해 가공된, 전기적 상호접속을 위한 배선으로 이루어진다. 재분배 층은 또한 상호연결 배선을 단리 및 절연시키기 위해 낮은 유전 특성을 갖는 재료를 요구한다. 칩 및 결과적으로 패키징 및 재분배 층이 점점 더 작아지도록 압박을 받음에 따라, 재료 특성은 지속적으로 상호연결부를 절연 및 단리시킬 필요가 있다. 또한, 치수가 감소함에 따라, 가공 방법은 제조의 용이성, 비용 문제, 반복성 및 제어를 해결할 필요가 있다.
다수의 경우에, 폴리이미드 뿐만 아니라 유기규소, 벤조시클로부탄 및 다른 외래 및 고가의 재료가 분배 층에 사용되며, 이들 각각은 합성 및 가공 둘 모두에서 그들 자신의 수준의 복잡성을 갖는다.
따라서, 특히 재분배의 분야에서 지속적으로 요구되는 새로운 집적 회로 기술을 층족시키도록 설계된 개선된 재료 및 개선된 방법에 대한 필요성이 있다.
재분배 층에 적합한 저 유전 재료로서 사용하기 위한 신규한 감광성 조성물이 본원에 개시 및 청구된다. 또한, 잉크 젯 및 건조 필름 적용을 포함하는, 상기 신규한 조성물의 사용 방법이 본원에 개시 및 청구된다.
제1 구현예에서, 하기 화학식 (1)을 갖는 적어도 1종의 제1 중합체 아릴 술폰아미드; 적어도 1종의 가교 성분; 적어도 1종의 광산 발생제(photoacid generator) 및 적어도 1종의 용매를 포함하는 광이미지형성가능한 조성물이 본원에 개시 및 청구되며, 상기 조성물은 가공되는 경우 4.0 미만의 유전 상수를 갖는다:
Figure 112018123793705-pct00001
상기 식에서, R1 내지 R8은 동일하거나 또는 상이하며, 수소, 쇄 내로 치환된 1종 이상의 헤테로원자를 갖거나 또는 갖지 않는 1 내지 16개의 탄소 원자의 분지형 또는 비분지형의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 방향족 기, 치환 또는 비치환된 헤테로방향족 기, 치환 또는 비치환된 접합된 방향족 또는 접합된 헤테로방향족 기, 시클릭 고리 내로 치환된 1종 이상의 헤테로원자를 갖거나 또는 갖지 않는 치환 또는 비치환된 시클로알킬 기, 할로겐, 칼코겐(chalcogen), 닉토겐(pnictogen), 황 산화물, 인 산화물, 규소 및 규소 산화물로부터 선택된 적어도 1종이고; Y는 방향족 기 또는 방향족 기들의 쇄이고, X는 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 또는 규소 산화물이다.
제2 구현예에서, Y가 하기 화학식 (2)인 상기 구현예의 조성물이 본원에 개시 및 청구된다:
Figure 112018123793705-pct00002
상기 식에서, R9 내지 R16은 동일하거나 또는 상이하며, 수소, 쇄 내로 치환된 1종 이상의 헤테로원자를 갖거나 또는 갖지 않는 1 내지 16개의 탄소 원자의 분지형 또는 비분지형의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 방향족 기, 치환 또는 비치환된 헤테로방향족 기, 치환 또는 비치환된 접합된 방향족 또는 접합된 헤테로방향족 기, 시클릭 고리 내로 치환된 1종 이상의 헤테로원자를 갖거나 또는 갖지 않는 치환 또는 비치환된 시클로알킬 기, 할로겐, 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 및 규소 산화물로부터 선택된 적어도 1종이고; Y'는 화학 결합, 카보닐 기, 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 또는 규소 산화물이다.
제3 구현예에서, 제1 중합체 아릴 술폰아미드가 약 20K 내지 200K의 MW를 갖는 상기 구현예의 조성물이 본원에 개시 및 청구되며, 상기 조성물은 코팅 및 건조되는 경우 수성 염기 중 가용성이다.
제4 구현예에서, 가요화제(flexibilizer), 용해 속도 개질제(dissolution rate modifier), 접착 촉진제 또는 이들의 조합 중 적어도 1종을 추가로 포함하는 상기 구현예의 조성물이 본원에 개시 및 청구된다.
제5 구현예에서, 화학식 (1)을 갖는 적어도 1종의 제2 중합체 아릴 술폰아미드를 추가로 포함하는 상기 구현예의 조성물이 본원에 개시 및 청구되며, 상기 식에서 X는 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 또는 규소 산화물이고; Y는 화학식 (2)이며; 여기서 R1 내지 R16은 동일하거나 또는 상이하고, 수소, 쇄 내로 치환된 1종 이상의 헤테로원자를 갖거나 또는 갖지 않는 1 내지 16개의 탄소 원자의 분지형 또는 비분지형의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 방향족 기, 치환 또는 비치환된 헤테로방향족 기, 치환 또는 비치환된 접합된 방향족 또는 접합된 헤테로방향족 기, 시클릭 고리 내로 치환된 1종 이상의 헤테로원자를 갖거나 또는 갖지 않는 치환 또는 비치환된 시클로알킬 기, 할로겐, 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 및 규소 산화물로부터 선택된 적어도 1종이고; Y'는 화학 결합, 카보닐 기, 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 또는 규소 산화물이며, 상기 적어도 1종의 제2 술폰아미드는 적어도 1종의 제1 중합체 아릴 술폰아미드보다 더 높은, 알칼리 현상액 중 용해도를 갖는다.
제6 구현예에서, 상기 구현예의 조성물이 본원에 개시 및 청구되며, 여기서 적어도 1종의 광산 발생제는 오늄 염 화합물, 술폰 이미드 화합물, 할로겐-함유 화합물, 술폰 화합물, 술포네이트 에스테르 화합물, 퀴논-디아지드 화합물, 또는 디아조메탄 화합물, 또는 트리페닐술포늄 염을 포함한다.
제7 구현예에서, 상기 구현예의 조성물이 본원에 개시 및 청구되며, 여기서 적어도 1종의 가교제는 글리시딜 에테르, 글리시딜 에스테르, 글리시딜 아민, 메톡시메틸 기, 에톡시메틸 기, 부톡시메틸 기, 벤질옥시메틸 기, 디메틸아미노 메틸 기, 디에틸아미노 메틸 기, 디부톡시메틸 기, 디메틸올 아미노 메틸 기, 디에틸올 아미노 메틸 기, 디부틸올 아미노 메틸 기, 모르폴리노 메틸 기, 아세톡시메틸 기, 벤질옥시 메틸 기, 포르밀 기, 아세틸 기, 비닐 기 또는 이소프로페닐 기, 또는 노볼락(novolac) 수지에 부착된 1종 이상의 글리시딜 에테르 기, 노볼락, 폴리히드록시스티렌, 폴리아크릴레이트 또는 말레산 무수물 에스테르-산 중합체 중 적어도 1종을 포함한다.
제8 구현예에서, 상기 구현예의 조성물이 본원에 개시 및 청구되며, 여기서 적어도 1종의 용매는 에스테르, 에테르, 에테르-에스테르, 케톤, 케토-에스테르, 탄화수소, 방향족 및 할로겐화 용매로부터 선택된 적어도 1종을 포함한다.
제9 구현예에서, 상기 구현예의 조성물이 본원에 개시 및 청구되며, 여기서 적어도 1종의 가교제는 산 민감성 단량체 또는 중합체를 포함하고, 여기서 산 불안정성 기(acid labile group)는 적어도 1종의 3급 카보닐 기, 1종의 3급 알킬 카보네이트 기 또는 1종의 비닐 에테르 기일 수 있다.
제10 구현예에서, 하기 단계를 함유하는, 재분배 층의 형성 방법이 본원에 개시 및 청구된다: 기판을 제공하는 단계, 스핀 코팅과 같은 표준 기술을 사용하여 청구범위 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 조성물을 목적하는 습윤 두께로 도포하는 단계, 코팅된 기판을 가열하여 용매의 상당 부분을 제거함으로써 목적하는 두께를 얻는 단계, 코팅을 화학 방사선(actinic radiation)에 화상 노출시키는(imagewise exposing) 단계, 코팅의 비노출된 영역을 제거하는 단계, 및 선택적으로(optionally), 남아있는 코팅을 가열하는 단계, 및 선택적으로, 코팅의 비노출된 영역을 제거하기에 앞서 화상 노출된 코팅을 가열하는 단계. 비노출된 영역은 수성 염기 현상액, 예컨대 테트라메틸암모늄 히드록시드, 또는 적합한 유기 용매 현상액을 사용하여 제거될 수 있다.
추가의 구현예에서, 조성물은 잉크-젯 기술 또는 건조 필름 기술을 사용하여 도포된다.
도 1은 실시예 1의 조성물 및 가공으로부터의 결과의 SEM 사진을 나타낸다.
도 2는 실시예 2의 조성물 및 가공으로부터의 결과의 SEM 사진을 나타낸다.
도 3은 실시예 3의 조성물 및 가공으로부터의 결과의 SEM 사진을 나타낸다.
본원에 사용된 접속사 "및"은 포함적인(inclusive) 것으로 의도되고, 접속사 "또는"은 달리 명시하지 않는 한 배타적인(exclusive) 것으로 의도되지 않는다. 예를 들어, 어구 "또는 대안적으로"는 배타적인 것으로 의도된다.
본원에 사용된 용어 "및/또는"은 단일 요소를 사용하는 것을 포함하여 상기 요소들의 임의의 조합을 지칭한다.
본원에 사용된 용어 "조성물" 및 "제제"는 상호교환가능하게 사용되며, 동일한 것을 의미한다.
본원에 사용된 용어 "용매"는, 액체 매질로서, 제제의 다양한 성분 중 1종 이상이 그 중에 가용성이거나, 콜로이드 현탁되거나 또는 유화된 액체 매질을 의미한다.
본원에 사용된 용어 "지방족"은 분지형 또는 비분지형의 포화 또는 불포화 시클릭 또는 폴리시클릭 알카닐, 알케닐 또는 알키닐 기 및 조합, 예컨대 예를 들어 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, sec-부틸, tert-부틸, 시클로헥실, 아다만틸 등을 지칭한다. 상기 언급된 기는 이의 쇄에 및/또는 이의 측기 상에 부착된 치환기를 가질 수 있다. 이들은 또한 쇄에 헤테로원자 치환기, 예컨대 예를 들어 쇄에 산소 헤테로원자를 함유하는 디에틸렌 옥시드 기를 함유할 수 있다. 헤테로원자는, 예를 들어 산소, 황, 셀레늄, 텔루륨, 질소, 인, 규소, 게르마늄, 보론, 알루미늄, 및 주기율표의 전이 원소 및 이들의 유도체, 예컨대 SO, S02, Sx, SnH2, Nx 등 (여기서, x는 2 내지 6일 수 있음)을 포함한다.
본원에 사용된 용어 "헤테로사이클"은 단독으로 또는 조합하여, 약 4 내지 약 22개의 골격 고리 원자를 함유하는, 선택적으로 치환된 방향족 모노-라디칼을 지칭하며, 고리 원자 중 1개 이상은 산소, 질소, 황, 인, 규소, 셀레늄, 텔루륨, 규소, 게르마늄, 보론, 알루미늄, 및 주기율표의 전이 원소 및 이들의 유도체, 예컨대 예를 들어 Sx, Nx, SO, S02 및 SiO2로부터 독립적으로 선택된 헤테로원자이나, 이들 원자로 제한되지 않되, 단 고리는 2개의 인접한 O 또는 S 원자를 함유하지 않는다. 2개 이상의 헤테로원자가 고리에 존재하는 경우, 일부 구현예에서 상기 2개 이상의 헤테로원자는 동일하며, 일부 구현예에서는 상기 2개 이상의 헤테로원자 중 일부 또는 모두가 상이하다. 상기 용어는 또한 적어도 1종의 헤테로원자를 갖는, 상술한 바와 같은 선택적으로 치환된 접합 및 비접합된 헤테로방향족 라디칼을 포함한다. 일부 구현예에서, 헤테로방향족 기에 대한 결합은 헤테로사이클의 탄소 원자를 통한 것이며, 일부 구현예에서는 고리의 헤테로원자를 통한 것이다. 헤테로방향족 고리는 이용가능한 경우 1개 이상의 탄소 원자 또는 1개 이상의 헤테로원자 상에서 치환될 수 있다. 접합된 헤테로방향족 고리는 2 내지 4개의 접합된 고리를 함유할 수 있다. 본 개시의 헤테로사이클은, 예를 들어 단일 고리인 피리딜; 접합된 고리인 카바졸릴, 벤즈이미다졸릴, 퀴놀리닐, 아크리디닐; 및 비접합된 비헤테로아릴, 비피리디닐을 포함한다. 추가의 예는 푸라닐, 티에닐, 옥사졸릴, 페나지닐, 벤조푸라닐, 벤족사졸릴, 벤조티아졸릴, 벤조티아디아졸릴, 벤조티페닐(benzothiphenyl), 벤족사디아졸릴, 벤조트리아졸릴, 이미다졸릴, 피리다질, 피리미딜, 피라지닐, 피롤릴, 피라졸릴, 퓨리닐, 프탈라지닐, 프테리디닐, 퀴놀리닐, 퀴나졸리닐, 퀴녹살리닐, 트리아졸릴, 테트라졸릴, 티아졸리닐, 트리아지닐, 티아디아졸릴 등 및 이들의 유도체, 예컨대 예를 들어 이들의 산화물을 포함한다.
본원에 사용된 어구 "용매의 상당 부분을 제거함"은 가열에 의해 조성물로부터, 이것이 가열된 후 용매의 적어도 92%를 제거하는 것을 지칭한다.
본원에 사용된 용어 "갖는", "함유하는", "포함하는(including)", "포함하는(comprising)" 등은, 언급된 요소 또는 특징의 존재를 나타내지만 추가의 요소 또는 특징을 배제하지 않는 개방형 용어이다. 단수 용어 및 "상기"는 문맥이 명확히 달리 명시하지 않는 한 단수형뿐만 아니라 복수형을 포함하도록 의도된다.
본 개시의 광이미지형성가능한 조성물은 하기 화학식 (1)을 갖는 적어도 1종의 제1 중합체 아릴 술폰아미드; 적어도 1종의 가교 성분; 적어도 1종의 광산 발생제 및 적어도 1종의 용매를 포함하며, 상기 조성물은 가공되는 경우 4.0 미만의 유전 상수를 갖는다:
Figure 112018123793705-pct00003
상기 식에서, R1 내지 R8은 동일하거나 또는 상이하며, 수소, 쇄 내로 치환된 1종 이상의 헤테로원자를 갖거나 또는 갖지 않는 1 내지 16개의 탄소 원자의 분지형 또는 비분지형의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 방향족 기, 치환 또는 비치환된 헤테로방향족 기, 치환 또는 비치환된 접합된 방향족 또는 접합된 헤테로방향족 기, 시클릭 고리 내로 치환된 1종 이상의 헤테로원자를 갖거나 또는 갖지 않는 치환 또는 비치환된 시클로알킬 기, 할로겐, 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 및 규소 산화물로부터 선택된 적어도 1종이고; Y는 방향족 기 또는 방향족 기들의 쇄이고, X는 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 또는 규소 산화물이다. Y는 하기 화학식 (2)일 수 있다:
Figure 112018123793705-pct00004
상기 식에서, R9 내지 R16은 동일하거나 또는 상이하며, 수소, 쇄 내로 치환된 1종 이상의 헤테로원자를 갖거나 또는 갖지 않는 1 내지 16개의 탄소 원자의 분지형 또는 비분지형의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 방향족 기, 치환 또는 비치환된 헤테로방향족 기, 치환 또는 비치환된 접합된 방향족 또는 접합된 헤테로방향족 기, 시클릭 고리 내로 치환된 1종 이상의 헤테로원자를 갖거나 또는 갖지 않는 치환 또는 비치환된 시클로알킬 기, 할로겐, 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 및 규소 산화물로부터 선택된 적어도 1종이고; Y'는 화학 결합, 카보닐 기, 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 또는 규소 산화물이다.
본 개시의 조성물은 이들이 재분배 층으로 가공된 후 약 4.0 미만의 유전 상수를 가져, 상기 층이 마이크로칩 상호연결을 위한 절연체로서 작용할 수 있도록 한다. 보다 높은 유전 상수의 조성물은 다른 분야의 마이크로칩 제조에 유용하다.
본 개시의 일부 측면에서, 감광성 조성물은, 코팅 및 건조되는 경우 그리고 수성 현상액 조성물, 일부 경우에 수성 염기 용액, 예를 들어 테트라메틸암모늄 히드록시드 (TMAH) 용액 중에의 노출 이전에 2.38% wt/wt과 같은 농도의 용해도를 나타낸다. 예를 들어, 일부 조성물은 현상액 및 이의 강도에 따라, 코팅 및 건조되는 경우 약 12.9 미만의 pKa를 갖도록 제제화된다. 성분들을 조성물에 첨가하여, 용해력을 증가시키거나 또는 용해력을 감소시키는 바람직한 pKa를 제공할 수 있다. 다른 측면에서는, 유기 용매를 사용하여 감광성 조성물을 현상할 수 있다.
제1 중합체 아릴 술폰아미드는 약 20K 내지 200K 달톤의 적합한 분자량을 가질 수 있다. 또한, 분자량을 변경하여, 표적화된 특성, 예컨대 예를 들어 현상액 중 용해력, 보다 높거나 또는 보다 낮은 유전 상수, 가요성, 환경적 안정성 등을 제공할 수 있다.
본 개시에서 유용한 광산 발생제 (PAG)는 산업에서 널리 알려져 있는 PAG 개시를 포함하며, 비제한적으로 오늄 염 화합물, 예컨대 술포늄 염, 포스포늄 염 또는 요오드늄 염, 비이온성 화합물, 술폰 이미드 화합물, 할로겐-함유 화합물, 술폰 화합물, 옥심 술포네이트, 에스테르 술포네이트 화합물, 퀴논디아지드 화합물, 디아조메탄 화합물, 디카복시미딜 술폰산 에스테르, 일리덴아미노옥시 술폰산 에스테르, 술파닐디아조메탄 또는 이들의 혼합물을 포함한다.
본 개시에 유용한 가교제는 아미노플라스트(aminoplast), 예컨대 단량체 또는 올리고머 멜라민, 구아나민, 요소, 메틸올, 단량체 또는 올리고머 글리콜우릴(glycoluril), 히드록시 알킬 아미드, 에폭시 및 에폭시 아민 수지, 블록화 이소시아네이트 및 디비닐 단량체를 포함하나, 이에 제한되지 않는다. 유용한 가교 화합물의 추가의 예는 비닐 에테르 말단 가교제로서 작용할 수 있는 다수의 비닐옥시 기를 갖는 화합물이다. 다른 유용한 가교제는 에폭시 재료, 예컨대 비스페놀 A-기재 에폭시 화합물, 비스페놀 F-기재 에폭시 화합물, 비스페놀 S-기재 에폭시 화합물, 노볼락 수지 기재 에폭시, 폴리(히드록시스티렌)-기재 에폭시 화합물을 포함한다. 가교 중합체 첨가제는 최종 필름의 목적하는 특성에 따라 단독으로 또는 서로 조합하여 사용될 수 있다. 가교 중합체는 다수의 동일하거나 또는 상이한 가교 치환기 중 임의의 것, 예컨대 예를 들어 에폭시, 히드록시, 티올, 아민, 아미드, 이미드, 에스테르, 에테르, 요소, 카복실산, 무수물 등을 함유한다. 가교 기의 다른 예는 글리시딜 에테르 기, 글리시딜 에스테르 기, 글리시딜 아미노 기, 메톡시메틸 기, 에톡시메틸 기, 벤질옥시메틸 기, 디메틸아미노 메틸 기, 디에틸아미노 메틸 기, 디메틸올 아미노 메틸 기, 디에틸올 아미노 메틸 기, 모르폴리노 메틸 기, 아세톡시메틸 기, 벤질옥시 메틸 기, 포르밀 기, 아세틸 기, 비닐 기, 이소프로페닐 기 및 비닐 에테르 기를 포함한다.
다른 유용한 가교제는 단량체 및 중합체 히드록실 화합물 뿐만 아니라 단량체 및 중합체 페놀 또는 노볼락 화합물 뿐만 아니라 폴리아크릴레이트 및 말레산 무수물 에스테르-산 중합체를 포함한다. 히드록실 기는 산 불안정성 보호 기로 보호될 수 있다. 보호 기는 산 처리에 가해지는 경우 히드록실 기로부터 제거된다. 본 개시에서, PAG는 적절한 파장의 화학 방사선에 노출되는 경우 산을 발생시킨다. 이어서, 산은 반응하여, 보호된 히드록실을 비블록화하며, 이제 이는 조성물 내로 가교되도록 자유롭다. 산 불안정성 기는 산업에서 널리 알려져 있으며, 3급 알킬 에스테르, 3급 알킬 카보닐, t-알킬 카보네이트, 예컨대 예를 들어 t-부톡시 카보네이트 등을 포함하나, 이에 제한되지 않는다.
본 개시에 유용한 용매는, 예를 들어 에스테르, 에테르, 에테르-에스테르, 케톤, 케토-에스테르, 탄화수소, 방향족 및 할로겐화 용매, 뿐만 아니라 1종 이상의 극성 관능기, 예컨대 히드록실, 에테르, 아미드, 에스테르, 케톤 및 카보네이트, 예를 들어 동일하거나 또는 상이할 수 있는 2개의 관능기, 예컨대 2개의 히드록실 기, 또는 1개의 히드록실 기 및 1개의 에테르 기를 갖는 용매를 포함한다. 폴리올, 글리콜 에테르, 디아세톤 알콜, 2-피롤리디논, N-메틸피롤리디논, 에틸 락테이트, 프로필렌 카보네이트, l,3-디메틸-2-이미다졸리딘디온 및 알킬 에스테르 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
예를 들어, 폴리올은 폴리에틸렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 폴리(에틸렌-co-프로필렌 글리콜), 폴리비닐 알콜, 트리메틸올 프로판, 에틸렌 글리콜, 글리세린, 디에틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 트리프로필렌 글리콜, 테트라에틸렌 글리콜, 펜타에틸렌 글리콜, 1,2-프로필렌 글리콜, 1,3-프로판디올, 부틸렌 글리콜, 트리에틸렌 글리콜, 1,2,6-헥산트리올, 티오디글리콜, 헥실렌 글리콜, 비스-2-히드록시에틸 에테르, 1,4-부탄디올, 1,2-부텐디올, 1,4-부텐디올, 1,3-부텐디올, 1,5-펜탄디올, 2,4-펜탄디올, 2,4-헵탄디올, 1,8-옥탄디올, 1,10-데칸디올, 1,12-도데칸디올, 1,4-시클로헥산디올, 1,4-시클로헥산디메탄올, 1,2-비스(히드록시메틸)시클로헥산, 1,2-비스(히드록시에틸)-시클로헥산, 3-메틸-1,5-펜탄디올, 2,2,4-트리메틸-l,3-펜탄디올, 네오펜틸 글리콜, 펜타에리트리톨, 소르비톨, 만니톨 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 바람직하게는 폴리올은 폴리에틸렌 글리콜, 트리메틸올 프로판, 에틸렌 글리콜, 글리세린, 디에틸렌 글리콜, 트리프로필렌 글리콜 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
글리콜 에테르는 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 프로필렌 글리콜 t-부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 디프로필렌 글리콜 t-부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 n-프로필 에테르, 트리프로필렌 글리콜 t-부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 n-부틸 에테르, 에틸 셀로솔브(cellosolve), 메틸 셀로솔브, 폴리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 폴리프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 메톡시트리글리콜, 에톡시트리글리콜, 부톡시트리글리콜, 1-부톡시에톡시-2-프로판올 및 이들의 임의의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 바람직하게는 글리콜 에테르는 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르 및 이들의 임의의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 본 발명의 구현예에서, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르는 습윤제이다.
조성물의 다른 성분들은, 예를 들어 가요화제, 용해 속도 개질제, 레벨링제(leveling agent), 계면활성제 또는 접착 촉진제 중 적어도 1종을 포함할 수 있다. 가요화제는 가변 분자량의 폴리올, 폴리에스테르, 폴리히드록시 에스테르 등을 포함한다. 접착 촉진제는 산업에 널리 알려져 있으며, 조성물이 도포되는 표면에 따라 달라진다. 예를 들어, 규소 표면을 위한 적합한 접착 촉진제는 에폭시화 실란이다. 본원에 개시된 조성물에 적합한 계면활성제 및 레벨링제는 플루오린화 계면활성제 뿐만 아니라 당업계에 널리 알려져 있는 다른 것이다.
일부 구현예에서, 용해 속도 개질제는 또한 본원에 개시된 조성물에 포함되어, 예컨대 가공되는 경우 코팅의 비노출된 영역의 현상을 보조할 수 있다. 이들은 그 범위가 수성 염기 현상액에 적합한 높은 pKa를 갖는 재료, 예컨대 예를 들어 노볼락 수지, 예컨대 크레졸-포름알데히드 수지, 및 카복실산 함유 재료, 예컨대 예를 들어 아크릴산 함유 중합체일 수 있다. 이러한 개질제는 약 100 내지 약 100,000 달톤의 분자량 범위를 가질 수 있다.
일부 구현예에서, 용해 속도 억제제는 경화된 코팅의 부분을 현상액이 공격하는 것을 방지하는 데 사용될 수 있다. 예는 말레산 함유 중합체 및 공중합체를 포함하며, 이는 에스테르 기를 포함하도록 개질될 수 있다.
다른 구현예에서, 용해 속도 개질제는 화학식 (1)을 갖는 중합체 아릴 술폰아미드를 기재로 할 수 있으며, 상기 식에서 X는 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 또는 규소 산화물이고; Y는 화학식 (2)이고; 여기서 R1 내지 R16은 동일하거나 또는 상이하며, 수소, 쇄 내로 치환된 1종 이상의 헤테로원자를 갖거나 또는 갖지 않는 1 내지 16개의 탄소 원자의 분지형 또는 비분지형의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 방향족 기, 치환 또는 비치환된 헤테로방향족 기, 치환 또는 비치환된 접합된 방향족 또는 접합된 헤테로방향족 기, 시클릭 고리 내로 치환된 1종 이상의 헤테로원자를 갖거나 또는 갖지 않는 치환 또는 비치환된 시클로알킬 기, 할로겐, 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 및 규소 산화물로부터 선택된 적어도 1종이고; Y'는 화학 결합, 카보닐 기, 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 또는 규소 산화물이며, 상기 술폰아미드는 조성물 중 베이스 중합체로서 사용된 중합체 아릴 술폰아미드보다 더 높은, 알칼리 현상액 중 용해도를 갖는다.
광이미지형성가능한 조성물의 성분들의 전형적인 범위 (%wt/wt)는 중합체 아릴 술폰아미드 (65% 내지 86%), 가교제 (8.5% 내지 22%), 존재하는 경우 가요화제 (4.0% 내지 20.0%), PAG (0.8% 내지 2.0%), 존재하는 경우 용해 개질제 (0.8% 내지 2.0%), 존재하는 경우 접착 촉진제 (0.8% 내지 1.5%) 및 존재하는 경우 계면활성제 (0.04% 내지 0.13%)를 포함한다.
다른 구현예에서, 본원에 개시된 광이미지형성가능한 조성물의 사용 방법이 본원에 개시 및 청구된다. 기판, 예컨대 예를 들어 규소 웨이퍼가 그 자체로 제공될 수 있거나, 또는 웨이퍼는 접착 촉진제, 금속 층, 산화물 층 등을 포함하는 다수의 코팅으로 처리될 수 있다. 웨이퍼는 또한 사전제조된 구조물, 예컨대 다른 유전체 층, 또는 금속 층, 예컨대 예를 들어 구리, 알루미늄, 금 등을 함유할 수 있다. 이어서, 본원의 조성물을 기판의 표면에 도포하고, 스핀 코팅, 커튼 코팅(curtain coating), 브러시 코팅(brush coating), 딥 코팅(dip coating) 등과 같은 이러한 기술을 사용하여 코팅한다. 코팅은 잉크-젯 기술에 의해 도포될 수 있으며, 이 경우 기판의 완전한 표면이 코팅될 수 있거나 또는 목적하는 경우 오직 표면의 일부만 코팅될 수 있다. 이러한 기술에서, 약 10 nm만큼 작은 구조물이 기판의 표면에 도포될 수 있다. 코팅 두께는 1 내지 15 마이크론일 수 있다. 용매는, 예컨대 예를 들어 1 내지 3분 동안 90 내지 110℃로의 가열에 의해 약 92% 미만 제거된다.
다른 구현예에서, 본 개시의 조성물은 먼저 광이미지형성가능한 건조 필름으로서 제조될 수 있다. 건조 필름의 제조 시, 롤러 코팅(roller coating) 또는 건조 필름 포토레지스트(photoresist)를 제조하는 데 사용되는 널리 알려져 있는 다른 방법과 같은 이러한 방법을 사용하여, 광이미지(photoimage) 조성물을 노출시키는 데 사용되는 목적하는 화학 방사선에 대해 50 내지 95% 투명한, 광학적으로 투명한 지지체, 예컨대 예를 들어 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET) 필름 상에 조성물을 코팅한다. 용매는 약 92% 제거된다. 이어서, 보호 폴리에틸렌 필름을 사용하여 감광성 조성물을 피복한다. 사용 시, 폴리에틸렌 필름은 제거되며, 광이미지형성가능한 조성물 측은 일반적으로 열 및 압력을 사용하여, 상술한 기판 상에 위치된다. PET 필름은 남겨져 접촉 노출될(contact exposed) 수 있거나 또는 이는 간접 인쇄(off-contact printing)를 위해 제거될 수 있다.
기판이 코팅되고 나면, 광이미지형성가능한 조성물을 화학 방사선을 사용하여 목적하는 패턴으로 노출시킨다. 방사선은 I-라인 (365 nm), G-라인, H-라인, UV, EUV, E빔, 가시광선, 또는 포토리소그래피에 사용되는 당업계에 널리 알려져 있는 다른 화학 방사선 (예를 들어, 125 내지 800 mJ/cm2)일 수 있다. 이어서, 코팅을 선택적으로 가열하여, 노출된 영역의 경화를 개선할 수 있다. 이어서, 상술한 바와 같은 적합한 현상액, 수성 또는 유기 용매를 사용하여, 비노출된 영역을 제거한다. 현상액은 실온일 수 있거나 또는 가열될 수 있다. 생성된 구조물은 선택적으로, 예를 들어 1 내지 5분 동안 175 내지 250℃로 가열되어 경화를 증가시킬 수 있다.
실시예
실시예 1:
10부의 중합체 아릴 술폰아미드 (3)를 100부의 시클로펜타논에 첨가하였다. 3.2부의 Powderlink® (Eastman Chemical Company), 2.5부의 CDR 3314 (King Industries), 0.3부의 파라-n-옥틸옥시페닐,페닐 요오드늄 헥사플루오로안티모네이트 (OPPI) 및 0.3부의 폴리(스티렌-co-말레산 무수물)을 혼합하였다. 조성물을 규소 웨이퍼 상에 9.8 마이크론으로 스핀 코팅하였다.
Figure 112018123793705-pct00005
코팅된 웨이퍼를 2분 동안 90℃에서 소프트 베이킹(soft bake)하였다. 웨이퍼를 800 mJ/cm2의 i-라인 (365 nm) 방사선에 노출시켰다. 웨이퍼를 3분 동안 105℃에서 노출후 베이킹(post exposure bake)하였다. 비노출된 영역을 실온 2.38% TMAH 용액을 사용하여 제거하였다. 이어서, 생성된 구조물을 1시간 동안 175℃에서 열 경화하여, 도 1에 나타낸 패턴을 제공하였다.
실시예 2:
10부의 중합체 아릴 술폰아미드 (3)를 50부의 시클로펜타논 및 50부의 2-헵타논의 블렌드에 첨가하고, 1.5부의 Powderlink® 1174, 1.0부의 CDR 3314, 0.3부의 Irgacure® 121, 비이온성 옥심 술포네이트 (BASF) 및 0.3부의 폴리(스티렌-co-말레산 무수물)를 혼합하였다. 조성물을 규소 웨이퍼 상에 9.8 마이크론으로 스핀 코팅하였다.
코팅된 웨이퍼를 2분 동안 90℃에서 소프트 베이킹하였다. 웨이퍼를 150 mJ/cm2의 i-라인 방사선에 노출시켰다. 웨이퍼를 5분 동안 105℃에서 노출후 베이킹하였다. 비노출된 영역을 실온 2.38% TMAH 용액을 사용하여 제거하였다. 이어서, 생성된 구조물을 1시간 동안 175℃에서 열 경화하여, 도 2에 나타낸 패턴을 제공하였다.
실시예 3:
이온성 OPPI PAG를 대신하여 Irgacure 103 비이온성 PAG를 사용하여 실시예 1을 반복하였다. 웨이퍼를 가공하고, 240 ml/cm2에 노출시키고, 3분 동안 105℃에서 노출후 베이킹하였다. 결과는 도 3에 나타냈다.
실시예의 가공된 조성물은 <250℃의 저온 경화, 1보다 더 양호한 종횡비 (일부 경우 2.5:1), 구리에 대한 강력한 접착 (구리는 상호연결을 위한 통용되는 유비쿼터스(ubiquitous) 금속이기 때문에 이는 재분배 층에서 중요함)을 나타냈다. 공정 특징들은 또한 -55℃ 내지 125℃의 환경적 시험 1000 사이클을 통과하였다.

Claims (21)

  1. 광이미지형성가능한(photoimageable) 조성물로서,
    a. 하기 화학식 (1)을 갖는 적어도 1종의 제1 중합체 아릴 술폰아미드,
    Figure 112021072671235-pct00006

    (상기 식에서, R1 내지 R8은 동일하거나 또는 상이하며, 수소, 쇄 내로 치환된 1종 이상의 헤테로원자를 갖거나 또는 갖지 않는 1 내지 16개의 탄소 원자의 분지형 또는 비분지형의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 방향족 기, 치환 또는 비치환된 헤테로방향족 기, 치환 또는 비치환된 접합된 방향족 또는 접합된 헤테로방향족 기, 시클릭 고리 내로 치환된 1종 이상의 헤테로원자를 갖거나 또는 갖지 않는 치환 또는 비치환된 시클로알킬 기, 할로겐, 칼코겐(chalcogen), 닉토겐(pnictogen), 황 산화물, 인 산화물, 규소 및 규소 산화물로부터 선택된 적어도 1종이고; Y는 방향족 기 또는 방향족 기들의 쇄이고, X는 화학 결합, 카보닐 기, 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 또는 규소 산화물임)
    b. 적어도 1종의 가교 성분,
    c. 적어도 1종의 광산 발생제(photoacid generator), 및
    d. 적어도 1종의 용매
    를 포함하며, 가공되는 경우 4.0 미만의 유전 상수를 갖는 조성물.
  2. 제1항에 있어서, Y가 하기 화학식 (2)인 조성물:
    Figure 112021072671235-pct00007

    상기 식에서, R9 내지 R16은 동일하거나 또는 상이하며, 수소, 쇄 내로 치환된 1종 이상의 헤테로원자를 갖거나 또는 갖지 않는 1 내지 16개의 탄소 원자의 분지형 또는 비분지형의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 방향족 기, 치환 또는 비치환된 헤테로방향족 기, 치환 또는 비치환된 접합된 방향족 또는 접합된 헤테로방향족 기, 시클릭 고리 내로 치환된 1종 이상의 헤테로원자를 갖거나 또는 갖지 않는 치환 또는 비치환된 시클로알킬 기, 할로겐, 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 및 규소 산화물로부터 선택된 적어도 1종이고; Y'는 화학 결합, 카보닐 기, 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 또는 규소 산화물이다.
  3. 제2항에 있어서, 상기 적어도 1종의 제1 중합체 아릴 술폰아미드가 12.9 미만의 pKa를 갖는 것인 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 적어도 1종의 제1 중합체 아릴 술폰아미드가 20K 내지 200K의 MW를 갖는 것인 조성물.
  5. 제2항에 있어서, 상기 조성물이 코팅 및 건조되는 경우, 수성 염기 중에 가용성인 조성물.
  6. 제2항에 있어서, 가요화제(flexibilizer), 용해 속도 개질제(dissolution rate modifier), 산 민감성 단량체, 올리고머 또는 중합체, 또는 접착 촉진제 중 적어도 1종을 추가로 포함하는 조성물.
  7. 제2항에 있어서, 상기 조성물이 화학식 (1)을 갖는 적어도 1종의 제2 중합체 아릴 술폰아미드를 추가로 포함하며, 상기 식에서 X는 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 또는 규소 산화물이고; Y는 화학식 (2)이고; 여기서 R1 내지 R16은 동일하거나 또는 상이하며, 수소, 쇄 내로 치환된 1종 이상의 헤테로원자를 갖거나 또는 갖지 않는 1 내지 16개의 탄소 원자의 분지형 또는 비분지형의 치환 또는 비치환된 알킬 기, 치환 또는 비치환된 방향족 기, 치환 또는 비치환된 헤테로방향족 기, 치환 또는 비치환된 접합된 방향족 또는 접합된 헤테로방향족 기, 시클릭 고리 내로 치환된 1종 이상의 헤테로원자를 갖거나 또는 갖지 않는 치환 또는 비치환된 시클로알킬 기, 할로겐, 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 및 규소 산화물로부터 선택된 적어도 1종이고; Y'는 화학 결합, 카보닐 기, 칼코겐, 닉토겐, 황 산화물, 인 산화물, 규소 또는 규소 산화물이고, 상기 적어도 1종의 제2 술폰아미드가 상기 적어도 1종의 제1 중합체 아릴 술폰아미드보다 더 높은, 알칼리 현상액 중 용해도를 갖는 것인 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 적어도 1종의 광산 발생제가 오늄 염 화합물, 술폰 이미드 화합물, 옥심 에스테르, 할로겐-함유 화합물, 술폰 화합물, 술포네이트 에스테르 화합물, 퀴논-디아지드 화합물 또는 디아조메탄 화합물을 포함하거나, 또는 상기 적어도 1종의 광산 발생제가 트리페닐술포늄 염을 포함하는 것인 조성물.
  9. 제1항에 있어서, 상기 적어도 1종의 가교제가 글리시딜 에테르, 글리시딜 에스테르, 글리시딜 아민, 메톡시메틸 기, 에톡시메틸 기, 부톡시메틸 기, 벤질옥시메틸 기, 디메틸아미노 메틸 기, 디에틸아미노 메틸 기, 디부톡시메틸 기, 디메틸올 아미노 메틸 기, 디에틸올 아미노 메틸 기, 디부틸올 아미노 메틸 기, 모르폴리노 메틸 기, 아세톡시메틸 기, 벤질옥시 메틸 기, 포르밀 기, 아세틸 기, 비닐 기 또는 이소프로페닐 기, 또는 노볼락(novolac) 수지에 부착된 1종 이상의 글리시딜 에테르 기 중 적어도 1종을 포함하는 것인 조성물.
  10. 제1항에 있어서, 상기 적어도 1종의 용매가 에스테르, 에테르, 에테르-에스테르, 케톤, 케토-에스테르, 탄화수소, 방향족 및 할로겐화 용매로부터 선택된 적어도 1종을 포함하는 것인 조성물.
  11. 제1항에 있어서, 노볼락, 폴리히드록시스티렌, 폴리아크릴레이트, 또는 말레산 무수물 에스테르-산 중합체 가교 첨가제 중 적어도 1종을 추가로 포함하는 조성물.
  12. 제6항에 있어서, 상기 용해 속도 개질제가 노볼락, 폴리히드록시스티렌, 폴리아크릴레이트, 또는 말레산 무수물 에스테르-산 중합체 첨가제 중 적어도 1종을 포함하는 것인 조성물.
  13. 제6항에 있어서, 상기 산 민감성 단량체 또는 중합체가 산 불안정성(acid labile group) 기를 함유하며, 이는 적어도 1종의 3급 카보닐 기, 1종의 3급 알킬 카보네이트 기 또는 1종의 비닐 에테르 기를 포함하는 것인 조성물.
  14. 하기 단계를 포함하는, 재분포 층(redistribution layer)의 형성 방법:
    a. 기판을 제공하는 단계,
    b. 제1항의 광이미지형성가능한 조성물을 목적하는 습윤 두께로 도포하는 단계,
    c. 코팅된 기판을 가열하여 용매 중 상당 부분을 제거함으로써 목적하는 두께를 얻는 단계,
    d. 코팅을 화학 방사선(actinic radiation)에 화상 노출시키는(imagewise exposing) 단계,
    e. 코팅의 비노출된 영역을 제거하는 단계, 및
    f. 선택적으로(optionally), 남아있는 코팅을 가열하는 단계.
  15. 제14항에 있어서, 코팅의 비노출된 영역을 제거하기에 앞서, 화상 노출된 코팅을 가열하는 단계를 추가로 포함하는 형성 방법.
  16. 제14항에 있어서, 상기 비노출된 영역이 수성 염기 현상액을 사용하여 제거되는 것인 형성 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 염기가 테트라메틸암모늄 히드록시드인 형성 방법.
  18. 제14항에 있어서, 상기 비노출된 영역이 유기 용매 현상액으로 처리함으로써 제거되는 것인 형성 방법.
  19. 제14항에 있어서, 상기 조성물이 잉크-젯 기술을 사용하여 도포되는 것인 형성 방법.
  20. 제1항의 조성물을 포함하는, 광이미지형성가능한 건조 필름.
  21. 하기 단계를 포함하는, 재분포 층의 형성 방법:
    a. 기판을 제공하는 단계,
    b. 열 및 압력을 사용하여 제20항의 광이미지형성가능한 건조 필름을 도포하는 단계,
    c. 상기 건조 필름을 화학 방사선에 화상 노출시키는 단계,
    d. 상기 건조 필름의 커버 시트(cover sheet)를 제거하는 단계,
    e. 코팅의 비노출된 영역을 제거하는 단계, 및
    f. 선택적으로, 남아있는 코팅을 가열하는 단계.
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