JP5035960B2 - ポリスルホンアミド誘導体とその使用 - Google Patents

Description

本発明は、新規なポリスルホンアミド誘導体に係り、より詳細には、不斉物質の分離の用に供するポリスルホンアミド誘導体とその製法、分離剤としての使用、並びに前記分離剤を充填した高速液体クロマトグラフィーカラムと、不斉物質の分離方法に関する。

医薬品、農薬およびその他の関連する分野において、光学異性体の分離の重要性が高まっている。ここで、光学異性体とは、分子中に、通例、４種類の異なった基で置換された炭素原子のようなキラル中心を、１個以上有する異性体であり、一般には、二つの鏡像異性体の生物学的活性は異なっている。たとえば、医薬品のペニシルアミンの場合は、Ｄ−異性体は有用な治療効果を示すが、Ｌ−異性体は高い毒性を示すことが知られており、医薬用としての製造工程では、ペニシルアミンの光学異性体の純度を求める分析が必要である。光学純度の分析の前提には、鏡像異性体を効果的に分離する必要があり、一般には、高速液体クロマトグラフィーにより、かかる分析が行われている。

高速液体クロマトグラフィー用充填剤には、分離能を有する物質自体を粒子状にしたもの（ビーズ状、破砕状等）、前記物質を担体に化学結合させたもの、あるいは担体に前記物質をコーティングしたもの等が知られている。とりわけ、光学異性体の分離には、光学異性体分離能を有する光学活性な物質を担体にコーティングしたものが、実際には多く使用されている（たとえば、特許文献１ないし５参照）。
特開昭５７−１５０４３２号公報 特開昭６０− ４０９５２号公報 特開昭６０− ８２８５８号公報 特開昭６０−１０８７５１号公報 特開昭６２−２１００５３号公報

しかしながら、これらの充填剤を充填したカラムを用いて分離を行った際、カラムとしての寿命が短い点や、適用可能な不斉物質の種類が限定されるなどの問題点が指摘されており、さらなる分離性能が高い分離剤の開発が望まれている。

そこで、本発明者は、さらなる高分離能を有する分離剤を鋭意検討し、光学活性なポリスルホンアミド誘導体からなる分離剤を見出し、本発明を完成するに至った。

すなわち、本発明の第一の態様では、〔１〕下記式（１）

または下記式（２）

（式中、Ｒは、置換基を有してもよい炭化水素基、または二つのＲが一緒になって、置換基を有してもよい５員もしくは６員環式基を表し、Ａｒは、置換基を有してもよい芳香環を表し、ｎは、２〜１０００の範囲の数を表す。）で表されるポリスルホンアミド誘導体を提供する。

本発明に係るポリスルホンアミド誘導体の好ましい態様では、〔２〕前記Ｒは、置換基を有してもよいアルキル基もしくはフェニル基である、または二つのＲが一緒になって、置換基を有してもよいシクロペンタン、置換基を有してもよいシクロへキサン、置換基を有してもよいピロリジン、テトラヒドロフラン、または

（ここで、Ｒ¹は、式（１）のＲと同定義である。）を形成する、前項〔１〕に記載のポリスルホンアミド誘導体である。

本発明に係るポリスルホンアミド誘導体の好ましい態様では、〔３〕前記Ｒは、置換基を有してもよいフェニル基である、前項〔１〕または〔２〕に記載のポリスルホンアミド誘導体である。

本発明に係るポリスルホンアミド誘導体の好ましい態様では、〔４〕前記Ａｒは、置換基を有してもよい下記の群から選択される、前項〔１〕ないし〔３〕のうち何れか一項に記載のポリスルホンアミド誘導体を提供する。

本発明に係るポリスルホンアミド誘導体の好ましい態様では、〔５〕前記Ａｒは、下記の群から選択される、前項〔１〕ないし〔４〕のうち何れか一項に記載のポリスルホンアミド誘導体を提供する。

また、本発明の第二の態様では、〔６〕下記式（１）または（２）のポリスルホンアミド誘導体の製造方法であって、

下記式（３）または（４）で表されるジアミンと、

下記式（５）で表されるジスルホニルクロリドとを、

（上記式中、Ｒは、置換基を有してもよい炭化水素基、または二つのＲが一緒になって、置換基を有してもよい５員もしくは６員環式基を表し、Ａｒは、置換基を有してもよい芳香環を表し、ｎは、２〜１０００の範囲の数を表す。）
水と、水と混和しない溶媒中にて、界面活性剤とアルカリ物質の存在下において反応させる工程を含む製造方法を提供する。

本発明に係る製造方法の好ましい態様では、〔７〕前記水と混和しない溶媒は、塩化メチレンまたは１，２−ジクロロエタンである、前項〔６〕に記載の製造方法である。

本発明に係る製造方法の好ましい態様では、〔８〕前記界面活性剤は、イオン性界面活性剤である、前項〔６〕または〔７〕に記載の製造方法である。

本発明に係る製造方法の好ましい態様では、〔９〕前記アルカリ物質は、炭酸ナトリウムである、前項〔６〕ないし〔８〕のうち何れか一項に記載の製造方法である。

本発明に係る製造方法の好ましい態様では、〔１０〕前記Ｒは、置換基を有してもよいアルキル基もしくはフェニル基、または二つのＲが一緒になって置換基を有してもよいシクロペンタン、置換基を有してもよいシクロへキサン、置換基を有してもよいピロリジン、テトラヒドロフラン、または

（ここで、Ｒ¹は、式（１）のＲと同定義である。）
を形成する、前項〔６〕ないし〔９〕のうち何れか一項に記載の製造方法である。

本発明に係る製造方法の好ましい態様では、〔１１〕前記Ｒは、置換基を有してもよいフェニル基である、前項〔６〕ないし〔１０〕のうち何れか一項に記載の製造方法である。

本発明に係る製造方法の好ましい態様では、〔１２〕前記Ａｒは、置換基を有してもよい下記の群から選択される、前項〔６〕ないし〔１１〕のうち何れか一項に記載の製造方法である。

本発明に係る製造方法の好ましい態様では、〔１３〕前記Ａｒは、下記の群から選択される、前項〔６〕ないし〔１２〕のうち何れか一項に記載の製造方法である。

さらに、本発明の第三の態様では、〔１４〕前項〔１〕ないし〔５〕のうち何れか一項に記載のポリスルホンアミド誘導体を担体に担持させた分離剤を提供する。

本発明に係る分離剤の好ましい態様では、〔１５〕前記担体は、シリカゲル、アルミナ、および架橋ポリスチレンからなる群から選択される、前項１４に記載の分離剤である。

さらにまた、本発明の第四の態様では、〔１６〕前項〔１４〕または〔１５〕に記載の分離剤を充填した高速液体クロマトグラフィーカラムを提供する。

くわえて、本発明の第五の態様では、〔１７〕前項〔１６〕に記載の高速液体クロマトグラフィーカラムに、不斉物質を通過させる工程を含む、不斉物質の分離方法を提供する。

なお、本明細書で用いる用語「不斉物質」とは、不斉分子または不斉イオン性物質を含む。

本発明に係るポリスルホンアミド誘導体は、不斉物質の分離剤として有用であり、光学異性体分離用の高速液体クロマトグラフィーのカラム充填剤として適用可能である。

以下の実施形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をこの実施形態にのみ限定する趣旨ではない。本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな形態で実施することができる。

本発明に係るポリスルホンアミド誘導体の構造は、下記化学式（１）または（２）で表される。

または下記式（２）

上記式（１）中、Ｒは、置換基を有してもよい炭化水素基、または二つのＲが一緒になって、置換基を有してもよい５員もしくは６員環式基を表し、Ａｒは、置換基を有してもよい芳香環を表し、ｎは、２〜１０００の範囲の数（整数）を表し、好ましくは２〜８００の数、より好ましくは２〜７００の数を表す。

本明細書で用いる用語「置換基を有してもよい炭化水素基」の「炭化水素基」としては、たとえば、脂肪族炭化水素基、単環式飽和炭化水素基および芳香族炭化水素基などが挙げられ、炭素数１ないし１０個のものが好ましい。具体的には、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、アリール基などが用いられる。「アルキル基」には、たとえば、低級アルキル基などが好ましく、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、ペンチル、ヘキシルなどのＣ_1-6アルキル基などが挙げられる。「アルケニル基」には、たとえば、低級アルケニル基などが好ましく、ビニル、１−プロペニル、アリル、イソプロペニル、ブテニル、イソブテニルなどのＣ_2-6アルケニル基などが挙げられる。「アルキニル基」には、たとえば、低級アルキニル基などが好ましく、エチニル、プロパルギル、１−プロピニルなどのＣ_2-6アルキニル基などが挙げられる。「シクロアルキル基」には、たとえば、低級シクロアルキル基などが好ましく、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどのＣ_3-6シクロアルキル基が挙げられる。「アリール基」には、たとえば、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル、ビフェニルなどのＣ_6-10アリール基などが好ましくは、置換基を有するフェニル基が挙げられる。ここで、「置換基を有するフェニル基」における「置換基」には、水酸基、ニトリル基、メチル、エチル、プロピル等のメチル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ等のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素およびヨウ素のハロゲン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ、Ｎ−メチル，Ｎ−エチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基等を挙げることができる。

また、式（１）中における二つのＲが、一緒になって５員もしくは６員環式基を形成してもよく、たとえば、置換基を有してもよいシクロペンタンや置換基を有してもよいシクロへキサン、置換基を有してもよいピロリジン、テトラヒドロフランまたは、

（ここで、Ｒ¹は、式（１）のＲと同定義である。）
を形成してもよい。ここで、「置換基を有してもよいシクロペンタン、置換基を有してもよいシクロへキサン、置換基を有してもよいピロリジン」における「置換基」は、前述の「置換基を有するフェニル基」における「置換基」と同定義であり、Ｒは、式（１）中のＲと同定義である。

「置換基を有してもよい炭化水素基」の「炭化水素基」が有してもよい置換基としては、たとえば、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素など）、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、ハロゲン化されていてもよい低級アルキル基（メチル、クロロメチル、ジフルオロメチル、トリクロロメチル、トリフルオロメチル、エチル、２−ブロモエチル、２，２，２−トリフルオロエチル、ペンタフルオロエチル、プロピル、３，３，３−トリフルオロプロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、sec-ブチル、tert-ブチル、４，４，４−トリフルオロブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、５，５，５−トリフルオロペンチル、ヘキシル、６，６，６−トリフルオロヘキシルなどのハロゲン化されていてもよいＣ_1-6アルキル基）、低級アルコキシ基（たとえば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、シクロプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、シクロブトキシ、ペンチルオキシ、シクロペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシなどのＣ_1-6アルコキシ基など）、アミノ基、モノ−低級アルキルアミノ基（たとえば、メチルアミノ、エチルアミノなどのモノ−Ｃ_1-6アルキルアミノ基など）、ジ−低級アルキルアミノ基（たとえば、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、などのジ−Ｃ_1-6アルキルアミノ基など）、カルボキシル基、低級アルキルカルボニル基（たとえば、アセチル、プロピオニルなどのＣ_1-6アルキルカルボニル基など）、低級アルコキシカルボニル基（たとえば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニルなどのＣ_1-6アルコキシカルボニル基など）、カルバモイル基、モノ−低級アルキルカルバモイル基（たとえば、メチルカルバモイル、エチルカルバモイル基など）、ジ−低級アルキルカルバモイル基（たとえば、ジメチルカルバモイル、ジエチルカルバモイルなどのジ−Ｃ_1-6アルキルカルバモイル基など）、アリールカルバモイル（たとえば、フェニルカルバモイル、ナフチルカルバモイルなどのＣ_6-10アリールカルバモイル基）、アリール基（たとえば、フェニル、ナフチルなどのＣ_6-10アリール基）、アリールオキシ基（たとえば、フェニルオキシ、ナフチルオキシなどのＣ_6-10アリールオキシ基）、ハロゲン化されていてもよい低級アルキルカルボニルアミノ基（たとえば、アセチルアミノ、トリフルオロアセチルアミノなどのハロゲン化されていてもよいＣ_1-6アルキル−カルボニルアミノ基など）などが挙げられる。前記「置換基を有していてもよい炭化水素基」の「炭化水素基」には、前記の置換基を、炭化水素基の置換可能な位置に１ないし５個、好ましくは１ないし３個有していてもよく、置換基が２個以上の場合は、各置換基は同一または異なっていてもよい。

本明細書中で用いる用語「置換基を有してもよい芳香環」の「芳香環」としては、たとえば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等の芳香族炭化水素環や、ピリジン環、ビピリジン環、フェナントロリン環、キノリン環、イソキノリン環、チオフェン環、フラン環、ピロール環などの複素芳香環が挙げられる。

本明細書中で用いる用語「置換基を有してもよい芳香環」の「置換基」としては、たとえば、水酸基、ハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素など）、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい。さらに、置換基が複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。

ここで、前記アルキル基には、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度好ましくは炭素数１〜１０であり、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられる。前記アルコキシ基には、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数１〜１０であり、その具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが挙げられる。前記アルキルチオ基には、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、炭素数が通常１〜２０程度、好ましくは炭素数１〜１０であり、その具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられる。前記アリール基には、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。前記アリール基は、通常炭素数が、通常６〜６０程度、好ましくは炭素数６〜２０であり、その具体例としては、フェニル基、Ｃ_1-12アルコキシフェニル基（Ｃ_1-12は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。たとえば、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなど）、Ｃ_1-12アルキルフェニル基（たとえば、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｉ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基など）、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示される。前記アリールオキシ基は、炭素数が、通常６〜６０程度、好ましくは６〜２０であり、その具体例としては、フェノキシ基、Ｃ_1-12アルコキシフェノキシ基（たとえば、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなど）、Ｃ_1-12アルキルフェノキシ基（たとえば、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１,３,５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、ｉ−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ｉ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基など）、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基などが例示される。前記アリールチオ基は、炭素数が通常６〜６０程度、好ましくは６〜２０であり、その具体例としては、フェニルチオ基、Ｃ_1-12アルコキシフェニルチオ基、Ｃ_1-12アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基などが例示される。前記アリールアルキル基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜２０であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ_1-12アルキル基、Ｃ_1-12アルコキシフェニル−Ｃ_1-12アルキル基、Ｃ_1-12アルキルフェニル−Ｃ_1-12アルキル基、１−ナフチル−Ｃ_1-12アルキル基、２−ナフチル−Ｃ_1-12アルキル基などが例示される。前記アリールアルコキシ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜２０であり、その具体例としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基などのフェニル−Ｃ_1-12アルコキシ基、Ｃ_1-12アルコキシフェニル−Ｃ_1-12アルコキシ基、Ｃ_1-12アルキルフェニル−Ｃ_1-12アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ_1-12アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ_1-12アルコキシ基などが例示される。前記アリールアルキルチオ基は、炭素数が通常７〜６０程度、好ましくは７〜２０であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ_1-12アルキルチオ基、Ｃ_1-12アルコキシフェニル−Ｃ_1-12アルキルチオ基、Ｃ_1-12アルキルフェニル−Ｃ_1-12アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ_1-12アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ_1-12アルキルチオ基などが例示される。前記アリールアルケニル基は、炭素数が通常８〜６０程度、好ましくは８〜２０であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ_2-12アルケニル基、Ｃ_1-12アルコキシフェニル−Ｃ_2-12アルケニル基、Ｃ_1-12アルキルフェニル−Ｃ_2-12アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ_2-12アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ_2-12アルケニル基などが例示される。前記アリールアルキニル基は、炭素数が通常８〜６０程度、好ましくは８〜２０であり、その具体例としては、フェニル−Ｃ_2-12アルキニル基、Ｃ_1-12アルコキシフェニル−Ｃ_2-12アルキニル基、Ｃ_1-12アルキルフェニル−Ｃ_2-12アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ_2-12アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ_2-12アルキニル基などが例示される。前記置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基が挙げられる。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基は、炭素数が該置換基の炭素数を含めないで通常１〜６０程度、好ましくは１〜２０であり、その具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ_1-12アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ_1-12アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ_1-12アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ_1-12アルキルアミノ基、Ｃ_1-12アルコキシフェニル−Ｃ_1-12アルキルアミノ基、Ｃ_1-12アルキルフェニル−Ｃ_1-12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ_1-12アルコキシフェニル−Ｃ_1-12アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ_1-12アルキルフェニル−Ｃ_1-12アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ_1-12アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ_1-12アルキルアミノ基などが例示される。前記アシル基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１０であり、その具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。前記アシルオキシ基は、炭素数が通常２〜２０程度、好ましくは炭素数２〜１０であり、その具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。前記アミド基は、通常炭素数２〜２０程度、好ましくは２〜１０であり、その具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基、などが例示される。前記置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基で置換されたカルボキシル基が挙げられる。置換カルボキシル基は、炭素数が通常２〜６０程度、好ましくは２〜２０であり、その具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、などが挙げられる。

本発明では、式（１）におけるＡｒとしては、特に、合成の簡便性および光学異性体の分離能の観点から、下記の群から選択される基であることが好ましく、

の群から選択される基であることがより好ましい。

本発明に係るポリスルホンアミド誘導体は、ジアミン類、とりわけ、Ｃ₂群に属する、一方の鏡像異性体であるジアミン類と、ジスルホニルクロリド類との重縮合反応により得られる（下記反応式参照）

本発明における反応では、ジアミンとジスルホニルクロリドとを、以下の方法に限定されるわけではないが、界面重縮合法を適用して高分子としてのポリスルホンアミド誘導体を容易に合成することができる。そのため、水と、水と混和しない有機溶媒とを組み合わせて、本発明に係るポリスルホンアミド誘導体を合成する。上記反応に用いる水と混和しない溶媒としては、反応に不活性な溶媒であれば特に限定するものではないが、通常は、反応に使用する原料等を十分に溶解させるハロゲン系溶媒、芳香族系溶媒等を用いることができる。具体的な溶媒としては、塩化メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタンや、トルエン、キシレン、ニトロベンゼンや、テトラメチレンスルホン等が挙げられる。また、本発明における界面重縮合反応では、界面活性剤を添加することが好ましい。具体的な界面活性剤としては、イオン性界面活性剤が挙げられ、たとえば、ドデシル硫酸ナトリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ラウリル硫酸ナトリム等を挙げることができる。

また、本発明に係るポリスルホンアミド誘導体は、前述の界面重縮合法以外の溶液重縮合法でも合成できる。その際の溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、クロロホルム−テトラメチレンスルホラン混合溶媒や、ピリジン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンやＮ−メチルピロリジンを使用することができる。

また、上記の反応では、酸として塩酸が副生するが、ジスルホニルクロリドに対して過剰のジアミン存在下で反応させるか、または酸受容体としてアルカリ物質存在下で、重縮合反応を行うことができる。アルカリ物質の具体例としては、炭酸ナトリウム等を挙げることができる。

本発明に係るポリスルホンアミド誘導体の合成反応の温度は、合成原料のジアミン類およびジスルホニルクロリド類により異なり、特に限定されるわけではないが、１０〜５０℃、より好ましくは１５℃〜４５℃、さらに好ましくは２０℃〜４０℃である。また、本発明に係るポリスルホンアミド誘導体の反応時間は、合成原料のジアミン類およびジスルホニルクロリド類により異なり、特に限定されるわけではないが、１０〜６０時間、より好ましくは１５時間〜５０時間、より好ましくは２０時間〜４５時間である。

反応終了後、反応液を、生成物の溶解度が低い溶媒、たとえば、ヘキサン、ヘプタン、メタノールなどに滴下晶析させて、上記（１）または（２）で表されるポリスルホンアミド誘導体を得る。本発明に係るポリスルホンアミド誘導体の純度を上げるために、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン等の溶媒に再溶解させてのち、再度メタノール等の溶媒に投入し、再晶析を行うこともできる。

本発明に係るポリスルホンアミド誘導体の合成に利用できるジアミン類の具体例としては、以下の化合物に限定されるわけではないが、下記化合物が挙げられる。

上記のジアミン類以外に、trans−シクロヘキサン−１，２−ジアミン等も挙げることができる。また、本発明では、上記化合物のもう一方の鏡像異性体も用いることができる。

本発明に係るポリスルホンアミド誘導体の合成に利用できるジスルホニルクロリド類の具体例としては、以下の化合物に限定されるわけではないが、下記化合物が挙げられる。

上記化合物に記載されたアルキル、アリールおよびアシル基は、前述の定義と同様である。

次に、本発明に係るポリスルホンアミド誘導体は、式（１）または（２）から明らかなように、それ自体が光学活性を有し、不斉物質の光学分割剤として利用することができる。本発明に係るポリスルホンアミド誘導体自体を分離剤として使用することもできるが、分離剤としての耐圧能力向上、溶媒置換による膨潤、収縮の防止、理論段数の向上等のため、担体に担持させることもできる。本発明において、具体的の担体としては、シリカゲル、アルミナ、架橋ポリスチレン等の多孔質担体が挙げられる。なお、架橋ポリスチレンとは、ポリスチレンジビニルベンゼン共重合体などをいう。担体の粒径としては、使用するカラムの大きさにより異なるが、特に限定されず、通常、１μｍ〜１０ｍｍ、好ましくは３〜３００μｍである。また、担体の平均孔径は、１０Å〜１００μｍ、好ましくは６０〜１００００Åである。高速液体クロマトグラフィー用のカラム充填剤の固定相として使用する場合には、粒径が１〜２００μｍ、平均細孔径が１０〜３０００Åの範囲の多孔質担体が好適である。

本発明に係るポリスルホンアミド誘導体を、担体に担持させる方法としては、特に限定されないが、物理的方法または化学的方法であってもよい。たとえば、物理的方法としては、本発明に係るポリスルホンアミド誘導体を多孔質担体と接触させる方法が挙げられる。一方、化学的方法としては、本発明に係るポリスルホンアミド誘導体の製造時に、官能基を有する原料を使用して、多孔質担体のシラノール基、該シラノール基にエチル基以上のアルキル基を介したアミノ基、ヒドロキシ基等の官能基と化学的に結合される方法が挙げられる。

本発明に係るポリスルホンアミド誘導体の担持量としては、担持させるべき担体の種類、物性により変動し、特に限定するものではないが、担体の重量に対して、１〜５０重量％の範囲であることが好ましい。

本発明では、式（１）で表される誘導体を分離剤として用いて、不斉物質を分割するが、分割方法としては、以下の方法に限定されないが、薄層クロマトグラフィー、高速液体クロマトグラフィー等のクロマトグラフィー法が挙げられ、不斉物質を容易に分離することができる。特に、本発明に係るポリスルホンアミド誘導体を含む分離剤は、高速液体クロマトグラフィー用カラムの充填剤の固定相として適し、不斉物質の溶離液としては、本発明に係るポリスルホンアミド誘導体を溶解またはこれと反応する液体を除いて限定されるものではなく、ヘキサン等を用いる順相系や、アルコール、水等を用いる逆相系のいずれにおいても適用可能である。

なお、本発明に係るポリスルホンアミド誘導体を含む分離剤を、高速液体クロマトグラフィー用のカラム充填剤として用いた場合、たとえば、β−ヒドロキシ（またはアミノ）カルボニル化合物やα−ヒドロキシカルボニル化合物などの以下の化合物群を分離することができる。

以下に、本発明に係るポリスルホンアミド誘導体の有利な効果を示すため実施例を示すが、これらは例示的なものであって、本発明はいかなる場合にも、以下の具体例に制限されるものではない。

[実施例１] ポリマー合成例
二口大型試験管に、炭酸ナトリウム０．６６２ｇ（６．２５ｍｍｏｌ）、蒸留水（２１．５ｍＬ）を入れて、前記炭酸ナトリウムを溶解させた。その側管から、１０％ラウリル硫酸ナトリウム水溶液（２．５ｍＬ）、（１Ｓ，２Ｓ）−（−）１，２−ジフェニルエタンジアミン０．６６５ｇ（３．１３．ｍｍｏｌ）、２，６−ナフタレンジスルホニルクロリド０．６８０ｇ（２．０９ｍｍｏｌ）の塩化メチレン（３０ｍＬ）溶液を順次加え、ホモジナイザーを用いて攪拌した（６５００ｒｐｍ）。
１７時間攪拌後、反応液を攪拌しながら、メタノール１００ｍＬに注ぎ込み、さらに試験管内を塩化メチレン（８０ｍＬ）で洗浄し、洗浄液を前記メタノールに加えた後、メンブレンフィルター（孔径０．５μｍ）を通して吸引濾過した。濾塊は、塩化メチレン（２０ｍＬ）、メタノール（１５ｍＬ）、蒸留水（４０ｍＬ）、アセトン（１５ｍＬ）で順次洗浄した後、真空乾燥した（１．７ｘ１０^-1ｍｍＨｇ、３時間）。
さらに、乾燥濾塊にＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下、単に「ＤＭＦ」という：８．５ｍＬ）を加え、超音波を１時間照射した後、不溶物を濾過し、濾液をメタノール（３５０ｍＬ）から再沈殿精製した。生成した白色沈殿は吸引濾過し、濾塊をメタノール（２５ｍＬ）、蒸留水（４０ｍＬ）、アセトン（２５ｍＬ）で順次洗浄した後、真空加熱乾燥した（２４時間、８０℃、２．４ｘ１０^-1ｍｍＨｇ）。収量：０．４９１ｇ、収率：５０．６％。
IR（KBr、cm^-1），装置：Perkin Elmer製 1600型：3278 cm^-1、1328 cm^-1、1155 cm^-1（第二級スルホンアミド）。
¹H−NMR（400MHz、DMF−d⁷、δ in ppm），装置：Bruker製AVANCE 400F 型
8.39 (2H, br.s)：N−H；8.01 (2H, br.d)：ArH；7.77 (2H, br.d)：ArH；7.56 (2H, br.d)：ArH；6.99 (4H, br.d)：Ph；6.71 (4H, br.t)：Ph；6.62 (2H, br.t)：Ph；4.80 (2H,br.s)：−CHPh。
¹³C−NMR（100MHz、DMF−d⁷、δ in ppm），装置：Bruker製AVANCE 400F 型
60.3 C−N；128.9, 132.3, 132.4, 133.0, 133.3, 135.6, 138.4, 143.5, 146.4：Ar。

図１は、（１Ｓ，２Ｓ）−（-）１，２−ジフェニルエタンジアミンを用いて、本発明により得られたポリスルホンアミド誘導体の各種物性の結果を示す図である。図１からわかるように、ジスルホニルクロリドの芳香環の骨格により得られる分子量の差が認められるものの、効率よく、本発明に係るポリスルホンアミド誘導体が合成された。

[実施例２] (１Ｓ，２Ｓ)−１，２−ジフェニルエタンジアミンと、１，３−ベンゼンジスルホニルクロリドとのポリマー合成
超音波洗浄機に浸し、撹拌機を取り付けた２００ｍＬ三口ナスフラスコに、蒸留水(２１．５ｍＬ)、炭酸ナトリウム０．６６２５ｇ(６．２５１ｍｍｏｌ)、１０％ラウリル硫酸ナトリウム水溶液（２．５ｍＬ）を入れた。次に、(１Ｓ，２Ｓ)−(−)−１，２−ジフェニルエタンジアミン０．６９０２ｇ（３．２５１ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（３ｍＬ）に溶解させ加えた。さらに、１，３−ベンゼンジスルホニルクロリド０．８６０２ｇ（３．１２７ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（１５ｍＬ）に溶解させ加えた。全て加え終わった後、超音波照射を止め、３０℃のオイルバスに浸し、４８時間撹拌させた。これにメタノール（１２．５ｍＬ）をゆっくり加え、反応を停止した。懸濁液を吸引濾過し、水、アルコールで３回洗浄した後、濾塊を真空加熱乾燥（８０℃、０．６４ｍｍＨｇ、３１時間）した。
濾紙を通過してしまうポリマー粒子を含んだ濾液は遠心分離機で分離を行った（１５０００ｒｐｍ、３０分間）。遠心分離後、上澄み液を除き、遠沈管に蒸留水を入れ、さらに遠心分離機で洗浄を行った（１５０００ｒｐｍ、３０分間、計３回）。その後、減圧乾燥し、残留物を得た。
初めの乾燥濾塊をＤＭＦ（５０ｍＬ）に溶解させ、蒸留メタノール（８００ｍＬ）で再沈殿精製を行った。生成した白色沈殿は吸引濾過し、濾塊を洗浄後、真空加熱乾燥（８０℃、０．４０ｍｍＨｇ、２１時間）した。この乾燥濾塊を再度ＤＭＦ（５０ｍＬ）に溶解させ、蒸留メタノール（８５０ｍＬ）で再沈殿精製を行った。生成した白色沈殿は吸引濾過し、濾塊を洗浄後、真空加熱乾燥（８０℃、０．４０ｍｍＨｇ、２１時間）した。収量：１．０４９ｇ、収率：８１%。
IR（KBr、cm^-1），装置：Perkin Elmer製 1600型
3287 cm^-1、1333 cm^-1、1153 cm^-1（第二級スルホンアミド）。
¹H−NMR（400MHz、DMF-d⁷、δ in ppm），装置：Bruker製AVANCE 400F型
8.29 (2H, br.s)：N−H；7.64 (1H, br.s)：ArH；7.27 (2H, br.s)：ArH；6.96 (1H, br.s)：ArH；6.85 (10H, br.s)：Ph；4.64 (2H, br.s)：−CHPh。
¹³C−NMR（100MHz、DMF-d⁷、δ in ppm），装置：Bruker製AVANCE 400F型
68.4 C−N；130.1, 132.6, 133.2, 133.3, 134.7, 134.8, 143.0, 147.6：Ar。

[実施例３] trans−シクロへキサン−１,２−ジアミンと、４,４’−ビフェニルジスルホニルクロリドとのポリマー合成
超音波洗浄機に浸し、撹拌機を取り付けた２００ｍＬ三口ナスフラスコに、蒸留水(３５ｍＬ)、炭酸ナトリウム１．０６１ｇ(１０．００ｍｍｏｌ)、１０％ラウリル硫酸ナトリウム水溶液（４．０ｍＬ）を入れた。次に、(１Ｓ，２Ｓ)−シクロへキサン−１,２−ジアミン０．５７２ｇ(５．００ｍｍｏｌ)を塩化メチレン（６．５ｍＬ）に溶解させ加えた。さらに、１，３−ベンゼンジスルホニルクロリド１．６９３ｇ(４．８２０ｍｍｏｌ)を塩化メチレン（３５．５ｍＬ）に溶解させ加えた。全て加え終わった後、超音波照射を止め、３０℃のオイルバスに浸し、４８時間撹拌させた。これにメタノール（２０ｍＬ）をゆっくり加え、反応を停止した。懸濁液を吸引濾過し、水、アルコールで３回洗浄した。濾塊はＤＭＦに溶解してメタノールから再沈殿後、吸引濾過し，濾塊を真空加熱乾燥（８０℃、０．１５ｍｍＨｇ、２１時間）した。収量：１．２４５ｇ、収率：６６％。
IR（KBr、cm^-1），装置：Perkin Elmer製 1600型
3276 cm^-1、1326 cm^-1、1159 cm^-1（第二級スルホンアミド）
¹H−NMR（400MHz、DMF-d⁷、δ in ppm），装置：Bruker製AVANCE 400F型
1.18，1.35，1.54，1.79(各2H、br.s)：−CH−CH ₂ −CH ₂ −CH ₂ −CH ₂ −CH−；3.15 (2H、br)：−CH₂−CHNH−CHNH−CH₂−；7.39 (2H、br)：N−H；8.05 (8H、br.s)：Ar−H
¹³C−NMR（100MHz、DMF-d⁷、δ in ppm），装置：Bruker製 AVANCE 400F型
28.6：−CH−CH₂−CH₂−CH₂−CH₂−CH−；61.2：−CH₂−CHNH−CHNH−CH₂−；133.4，133.5，147.2，148.2：Ar

[実施例４] 実施例１で得られたポリスルホンアミドポリマーを物理吸着させた高速液体クロマトグラフィー用シリカゲルの調製とカラム充填
以下の試料を用いて調製した：
高速液体クロマトグラフィー用ＯＤＳシリカゲル：
２．６５８ｇ（ナーゲル社製、孔径：１０ｎｍ、粒径：５μｍ）
光学活性ポリスルホンアミド（実施例１にて合成）：０．３９４５ｇ

実施例１にて合成された光学活性ポリスルホンアミドのＤＭＦ（２０ｍＬ）溶液を調製し、半分量をＯＤＳシリカゲルに加え、超音波洗浄機を用いて６分間超音波照射して、十分に分散させた後、ロータリーエバポレーターを用いて溶媒を加熱減圧留去した（４０℃、１．０ｍｍＨｇ）。次に、残留物に残りのポリマー溶液とＤＭＦ（２０ｍＬ）を順次加え、６分間超音波照射後、溶媒を同様に加熱減圧留去した。その後、残留物を真空乾燥し（２．３ｘ１０^-1ｍｍＨｇ、３時間、その後、２．２ｘ１０^-1ｍｍＨｇ、２４時間）、残留物として不斉識別材料を得た。
次いで、乾燥させた内径４．６ｍｍ、長さ２５０ｍｍの高速液体クロマトグラフィー用ステンレスカラムにスラリー充填器を接続し、カラムにエチレングリコール/メタノール ＝ ２：１混合溶媒１６ｍＬを加え、氷冷下、超音波洗浄機を用いて６０分間超音波照射し、さらにエチレングルコール/メタノール ＝ ２：１混合溶媒１６ｍＬを少しずつ加えた。その後、１０分間、超音波照射を継続し、シリカゲルを分散させた。
このスラリーを充填器に注ぎ込み、エチレングリコール/メタノール ＝ ２：１混合溶媒を３５０ｋｇ/ｃｍ²で定圧送液を行った。１７時間後、流速０．１３ｍＬ/分で、ほぼ流速が安定したため、送液を止め、エタノールを流速０．２５ｍＬ/分で吸光度が安定するまで送液し（２１時間、圧力３１４ｋｇｆ/ｃｍ²）、充填状態確認後、カラムエンドを装着した。その後、６０℃で４２時間熱処理を行い、室温まで放冷後、測定に使用した。

[実施例５] メチルｐ−トリルスルホキシドの高速液体クロマトグラフィーによる光学分割
実施例４にて製造した光学異性体分離用高速液体クロマトグラフィーカラムを、高速液体クロマトグラフィー（日立製Ｌ−６０００型送液ポンプとＬ−４０００型紫外線検出器）に接続し、溶離液としてエタノール：ヘキサン ＝ ５：９５混合溶液を用いて流速０．５ｍｌ/分で送液し、メチルｐ−トリルスルホキシド１５ｍｇを２ｍｌのイソプロピルアルコールに溶解した試料溶液を５μＬ注入して分析を行った。

図２は、本発明の実施例５による分析結果を示す図である。その結果によれば、保持係数ｋ₁’＝３．３４、分離係数α＝１．２７、分離度Ｒｓ＝１．６という値が得られ、完全分離が可能となった（図２参照）。

[実施例６]
実施例６では、ジスルホニルクロリドとして、実施例１にて用いた２，６−ナフタレンジスルホニルクロリドを、２，７−ナフタレンジスルホニルクロリドに代えて、実施例１および実施例４と同様にして、ポリスルホンアミド吸着ＯＤＳシリカ調製およびカラム作成を行った。なお、実施例６にて得られたポリスルホンアミドの収率３２％であり、数平均分子量（GPC，DMF，PSt換算）６０００であった。
図３は、本発明の実施例６による分析結果を示す。図３に示す結果から、図３に示す分離対象であるラセミ体に対して、ヘキサン/エタノール＝９９/１の溶離液の場合、保持係数ｋ₁’＝７．８４、分離係数α＝１．３４、分離度Ｒｓ＝１．３という値が得られ、ヘキサン/エタノール＝９０/１０の溶離液の場合、保持係数ｋ₁’＝４．５２、分離係数α＝１．６４、分離度Ｒｓ＝１．２という値が得られ、分離が可能となった。

本発明に係るポリスルホンアミド誘導体は、不斉物質の分離剤として有用であり、光学異性体分離用の高速液体クロマトグラフィーのカラム充填剤として適用可能である。

図１は、（１Ｓ，２Ｓ）−（-）１，２−ジフェニルエタンジアミンを用いて、本発明により得られたポリスルホンアミド誘導体の各種物性の結果を示す図である。 図２は、本発明の実施例５により得られた分析結果を示す図である。検出波長は２５４ｎｍであった。 図３は、本発明の実施例６により得られた分析結果を示す。流速は、０．５ｍＬ/ｍｉｎであり、実施例５と同じ装置を用いて、分析対象ラセミ体１０ｍｇをエタノール１．０ｍＬに溶解させ、５μＬ注入した。なお、図３中のＨとはヘキサンを、Ｅとはエタノールを意味する。

Claims (17)

1. 下記式（１）
   

   

   または下記式（２）
   

   

   （式中、Ｒは、置換基を有してもよい炭化水素基、または二つのＲが一緒になって、置換基を有してもよい５員もしくは６員環式基を表し、
   Ａｒは、置換基を有してもよい芳香環を表し、
   ｎは、２〜１０００の範囲の数を表す。）
   で表されるポリスルホンアミド誘導体。
2. 前記Ｒは、置換基を有してもよいアルキル基もしくはフェニル基である、または二つのＲが一緒になって、置換基を有してもよいシクロペンタン、置換基を有してもよいシクロへキサン、置換基を有してもよいピロリジン、テトラヒドロフラン、または
   

   

   （ここで、Ｒ¹は、式（１）のＲと同定義である。）
   を形成する、請求項１に記載のポリスルホンアミド誘導体。
3. 前記Ｒは、置換基を有してもよいフェニル基である、請求項１または２に記載のポリスルホンアミド誘導体。
4. 前記Ａｒは、置換基を有してもよい下記の群から選択される、請求項１ないし３のうち何れか一項に記載のポリスルホンアミド誘導体。
   

   
5. 前記Ａｒは、下記の群から選択される、請求項１ないし４のうち何れか一項に記載のポリスルホンアミド誘導体。
   

   
6. 下記式（１）または（２）のポリスルホンアミド誘導体の製造方法であって、
   

   

   

   下記式（３）または（４）で表されるジアミンと、
   

   

   

   下記式（５）で表されるジスルホニルクロリドとを、
   

   

   （上記式中、Ｒは、置換基を有してもよい炭化水素基、または二つのＲが一緒になって、置換基を有してもよい５員もしくは６員環式基を表し、Ａｒは、置換基を有してもよい芳香環を表し、ｎは、２〜１０００の範囲の数を表す。）
   水と、水と混和しない溶媒中にて、界面活性剤とアルカリ物質の存在下において反応させる工程を含む製造方法。
7. 前記水と混和しない溶媒は、塩化メチレンまたは１，２−ジクロロエタンである、請求項６に記載の製造方法。
8. 前記界面活性剤は、イオン性界面活性剤である、請求項６または７に記載の製造方法。
9. 前記アルカリ物質は、炭酸ナトリウムである、請求項６ないし８のうち何れか一項に記載の製造方法。
10. 前記Ｒは、置換基を有してもよいアルキル基もしくはフェニル基、または二つのＲが一緒になって置換基を有してもよいシクロペンタン、置換基を有してもよいシクロへキサン、置換基を有してもよいピロリジン、テトラヒドロフラン、または
    

    

    （ここで、Ｒ¹は、式（１）のＲと同定義である。）
    を形成する、請求項６ないし９のうち何れか一項に記載の製造方法。
11. 前記Ｒは、置換基を有してもよいフェニル基である、請求項６ないし１０のうち何れか一項に記載の製造方法。
12. 前記Ａｒは、置換基を有してもよい下記の群から選択される、請求項６ないし１１のうち何れか一項に記載の製造方法。
    

    
13. 前記Ａｒは、下記の群から選択される、請求項６ないし１２のうち何れか一項に記載の製造方法。
    

    
14. 請求項１ないし５のうち何れか一項に記載のポリスルホンアミド誘導体を担体に担持させた分離剤。
15. 前記担体は、シリカゲル、アルミナ、および架橋ポリスチレンからなる群から選択される、請求項１２に記載の分離剤。
16. 請求項１４または１５に記載の分離剤を充填した高速液体クロマトグラフィーカラム。
17. 請求項１６に記載の高速液体クロマトグラフィーカラムに、不斉物質を通過させる工程を含む、不斉物質の分離方法。

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