KR102305060B1 - 폴리카보네이트 수지 조성물 - Google Patents

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Abstract

방향족 폴리카보네이트 수지 (A) 100 질량부에 대하여, 아릴기를 갖는 인계 화합물 (B) 0.005 ∼ 1 질량부, 및 폴리옥시알킬렌 구조를 갖는 폴리에테르 화합물 (C) 0.005 ∼ 5 질량부를 함유하는 폴리카보네이트 수지 조성물로서, 상기 인계 화합물 (B) 는, 40 ℃, 습도 90 % 의 조건 하에서 방치했을 때에 1,500 시간 후에 분해되어 발생하는 페놀 구조를 갖는 화합물의 양이, 상기 인계 화합물 (B) 에 대해 5 질량% 이하가 되는 화합물인 폴리카보네이트 수지 조성물.

Description

폴리카보네이트 수지 조성물{POLYCARBONATE RESIN COMPOSITION}
본 발명은 폴리카보네이트 수지 조성물에 관한 것이다.
방향족 폴리카보네이트는 투명성, 기계적 성질, 열적 성질, 전기적 성질 및 내후성 등이 우수하고, 그 특성을 살려 도광 (導光) 판, 렌즈, 광 파이버 등의 광학 성형품에 사용되고 있다. 그러나, 그 투명성을 나타내는 지표의 하나인 광선 투과율은 폴리메틸메타크릴레이트 (PMMA) 등에 비해 낮다. 따라서, 방향족 폴리카보네이트제의 도광판과 광원으로부터 면 광원체를 구성한 경우, 휘도가 낮다는 문제가 있었다. 그 때문에, 방향족 폴리카보네이트제의 도광판에 있어서의 휘도 및 광선 투과율을 높이는 방법에 대해 개발이 진행되고 있다.
특허문헌 1 에는, 백탁이나 투과율의 저하가 없고, 투과율 및 색상이 양호한 도광판용 폴리카보네이트 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 하여, 방향족 폴리카보네이트 수지에 대하여, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜을 주체로 한 폴리옥시알킬렌글리콜 또는 그 지방산 에스테르를 함유시킨 도광판용 방향족 폴리카보네이트 수지 조성물이 개시되어 있다.
그러나, 특허문헌 1 의 방법에서는, 폴리옥시알킬렌글리콜의 내열성이 낮기 때문에, 320 ℃ 를 초과하는 온도에서 성형하거나 성형 사이클이 길거나 하면, 황변이 커지고, 휘도 및 광선 투과율이 크게 저하되어 버려, 도광 제품의 광학 성능에 악영향을 미칠 우려가 있다. 또한, 340 ℃ 를 초과하는 것과 같은 온도에서 성형한 경우에는, 폴리옥시알킬렌글리콜의 분해 가스에 의해, 성형품 표면에 실버 자국도 발생하여, 도광 제품으로서의 기능을 할 수 없게 되어 버린다. 이 때문에, 유동성을 높이기 위해서 온도를 올리는 것이 제한되어, 박육, 대면적의 도광판은 성형하지 못하고, 280 ℃ 전후의 저온에서 성형하는 일부의 소형 도광판의 성형 재료에 한정되어, 실용 범위가 좁아, 충분하지 않다.
특허문헌 2 에는, 특허문헌 1 의 방법의 결점인 내열 부족을 개선시켜, 고온에서의 성형에도 견딜 수 있는 방향족 폴리카보네이트 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 하여, 방향족 폴리카보네이트 수지에 폴리옥시테트라메틸렌폴리옥시에틸렌글리콜을 배합하여 이루어지는 방향족 폴리카보네이트 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 2 의 방법에 의하면, 280 ∼ 340 ℃ 의 온도 영역에서 황변되지 않고 성형 가능하다.
한편, 특허문헌 3 에는, 고온 성형에서의 열 안정성이 우수하고, 또, 광선 투과율 및 휘도가 우수하고, 내습열 시험 후에 변색이나 내부 크랙이 발생하지 않는 성형품을 얻을 수 있는 수지 조성물을 제공하는 것을 목적으로 하여, 방향족 폴리카보네이트 수지에 특정한 디포스파이트 화합물 및 지환식 에폭시 화합물을 함유시킨 방향족 폴리카보네이트 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 3 의 방법에 의하면, 340 ℃ 를 초과하는 온도에서 황변되지 않고 성형 가능하다.
일본 특허공보 제4069364호 국제 공개 제2011/083635호 국제 공개 제2013/088796호
최근, 도광판의 추가적인 박육화가 진행되고 있어, 340 ℃ 를 초과하는 온도, 특히 360 ℃ 를 초과하는 온도에서 성형하는 경우가 있다. 이 관점에서는, 특허문헌 2 의 방법으로는 불충분하여, 추가적인 개량이 요구되고 있다.
한편, 박육화가 불필요한 일부의 소형 도광판에 대해서는, 280 ℃ 전후의 저온에서 성형되고 있다. 그 때문에, 보다 폭 넓은 온도 영역에서 황변되지 않고 성형 가능한 방향족 폴리카보네이트 수지 조성물이 요구되고 있다. 그러나, 특허문헌 3 의 방법에서는, 고온 성형에서의 열 안정성은 우수하지만, 300 ℃ 미만의 성형 온도 영역에서는 충분한 성능을 발현할 수 없다.
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 폭 넓은 온도 영역에서 성형해도 성형시의 열화에 의한 광학 특성의 저하가 없는 폴리카보네이트 수지 조성물을 제공하는 것에 있다.
본 발명자들은 예의 연구를 거듭한 결과, 방향족 폴리카보네이트 수지에, 폴리옥시알킬렌 구조를 갖는 화합물 및 특정한 인계 화합물을 특정량 배합함으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내었다. 본 발명은, 이와 같은 지견에 기초하여 완성하기에 이른 것이다.
즉, 본 발명은 이하의 폴리카보네이트 수지 조성물 및 그것을 사용한 광학 성형품을 제공하는 것이다.
<1> 방향족 폴리카보네이트 수지 (A) 100 질량부에 대하여, 아릴기를 갖는 인계 화합물 (B) 0.005 ∼ 1 질량부, 및 폴리옥시알킬렌 구조를 갖는 폴리에테르 화합물 (C) 0.005 ∼ 5 질량부를 함유하는 폴리카보네이트 수지 조성물로서,
상기 인계 화합물 (B) 는 40 ℃, 습도 90 % 의 조건 하에서 방치했을 때에 1,500 시간 후에 분해되어 발생하는 페놀 구조를 갖는 화합물의 양이, 상기 인계 화합물 (B) 에 대해 5 질량% 이하가 되는 화합물인, 폴리카보네이트 수지 조성물.
<2> 상기 방향족 폴리카보네이트 수지 (A) 가, 주사슬이 하기 일반식 (I) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 폴리카보네이트인, 상기 <1> 에 기재된 폴리카보네이트 수지 조성물.
[화학식 1]
Figure 112016044284553-pct00001
(식 중, RA1 및 RA2 는, 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고, X 는 단결합, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬렌기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알킬리덴기, 탄소수 5 ∼ 15 의 시클로알킬렌기, 탄소수 5 ∼ 15 의 시클로알킬리덴기, -S-, -SO-, -SO2-, -O- 또는 -CO- 를 나타내고, a 및 b 는, 각각 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다)
<3> 상기 인계 화합물 (B) 가, 포스파이트 구조를 갖는 인계 화합물인, 상기 <1> 또는 <2> 에 기재된 폴리카보네이트 수지 조성물.
<4> 상기 인계 화합물 (B) 가, 하기 일반식 (II) 로 나타내는 펜타에리트리톨디포스파이트 화합물인, 상기 <1> ∼ <3> 중 어느 하나에 기재된 폴리카보네이트 수지 조성물.
[화학식 2]
Figure 112016044284553-pct00002
(식 중, Y1 ∼ Y4 는, 각각 독립적으로 탄소수 6 이상의 탄화수소기를 나타낸다)
<5> 상기 Y1 ∼ Y4 가, 각각 독립적으로 치환 또는 무치환의 쿠밀기, 페닐기, 나프틸기 또는 비페닐기인, 상기 <4> 에 기재된 폴리카보네이트 수지 조성물.
<6> 상기 인계 화합물 (B) 가, 하기 일반식 (II-1) 로 나타내는 펜타에리트리톨디포스파이트 화합물인, 상기 <1> ∼ <5> 중 어느 하나에 기재된 폴리카보네이트 수지 조성물.
[화학식 3]
Figure 112016044284553-pct00003
(식 중, RB1 ∼ RB8 은, 각각 독립적으로 알킬기 또는 알케닐기를 나타낸다. RB1 과 RB2, RB3 과 RB4, RB5 와 RB6, RB7 과 RB8 은, 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다. RB9 ∼ RB12 는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다. m1 ∼ m4 는, 각각 독립적으로 0 ∼ 5 의 정수이다. Z1 ∼ Z4 는, 각각 독립적으로 단결합 또는 탄소 원자를 나타낸다. Z1 ∼ Z4 가 단결합을 나타내는 경우, RB1 ∼ RB8 은 일반식 (II-1) 로부터 제외된다)
<7> 상기 인계 화합물 (B) 가, 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리트리톨디포스파이트인, 상기 <1> ∼ <6> 중 어느 하나에 기재된 폴리카보네이트 수지 조성물.
<8> 상기 폴리에테르 화합물 (C) 가, (RC1O)m 으로 나타내는 폴리옥시알킬렌 구조 및 (RC2O)n 으로 나타내는 폴리옥시알킬렌 구조를 갖는, 상기 <1> ∼ <7> 중 어느 하나에 기재된 폴리카보네이트 수지 조성물.
(식 중, RC1 및 RC2 는, 각각 독립적으로 탄소수 1 이상의 알킬렌기를 나타낸다. m + n 은 5 이상 300 미만이다. m 개의 RC1O 기에 있어서, 복수의 RC1 은 서로 동일하여도 되고, 탄소수가 상이한 알킬렌기이어도 된다. 또, n 개의 RC2O 기에 있어서, 복수의 RC2 는 서로 동일하여도 되고, 탄소수가 상이한 알킬렌기이어도 된다)
<9> 상기 폴리에테르 화합물 (C) 가, 하기 일반식 (III) 으로 나타내는 화합물 (C-1), 다가 알코올의 알킬렌옥사이드 부가물 및 그 에스테르 (C-2), 그리고 고리형 폴리에테르 화합물 (C-3) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인, 상기 <1> ∼ <8> 중 어느 하나에 기재된 폴리카보네이트 수지 조성물.
RC3O-(RC1O)m-A-(RC2O)n-RC4 (III)
(식 중, RC1 및 RC2 는, 각각 독립적으로 탄소수 1 이상의 알킬렌기를 나타낸다. m + n 은 5 이상 300 미만이다. m 개의 RC1O 기에 있어서, 복수의 RC1 은 서로 동일하여도 되고, 탄소수가 상이한 알킬렌기이어도 된다. 또, n 개의 RC2O 기에 있어서, 복수의 RC2 는 서로 동일하여도 되고, 탄소수가 상이한 알킬렌기이어도 된다. RC3 및 RC4 는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 30 의 탄화수소기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알카노일기, 탄소수 2 ∼ 30 의 알케노일기, 또는 글리시딜기를 나타낸다. A 는, 단결합 또는 2 가의 유기기를 나타낸다)
<10> 상기 <1> ∼ <9> 중 어느 하나에 기재된 폴리카보네이트 수지 조성물을 성형하여 이루어지는 광학 성형품.
<11> 광학 성형품이 도광판인, 상기 <10> 에 기재된 광학 성형품.
본 발명에 의하면, 폭 넓은 온도 영역에서 성형해도 성형시의 열화에 의한 광학 특성의 저하가 없는 폴리카보네이트 수지 조성물 및 그것을 사용한 광학 성형품을 제공할 수 있다.
본 발명의 폴리카보네이트 수지 조성물은, 방향족 폴리카보네이트 수지 (A) 100 질량부에 대하여, 특정한 인계 화합물 (B) 0.005 ∼ 1 질량부, 및 폴리옥시알킬렌 구조를 갖는 폴리에테르 화합물 (C) 0.005 ∼ 5 질량부를 함유한다.
본 발명자들은 내 (耐) 가수 분해성이 우수한 특정한 인계 화합물 (B) 및 폴리에테르 화합물 (C) 을 병용함으로써, 폭 넓은 온도 영역에서 성형해도 성형시의 열화에 의한 광학 특성의 저하가 없는 폴리카보네이트 수지 조성물을 얻을 수 있는 것을 알아내었다. 이 작용 기전에 대해서는 여전히 분명하지 않지만, 특정한 인계 화합물 (B) 및 폴리에테르 화합물 (C) 을 병용함으로써 수지 조성물 중에 있어서 인계 화합물 (B) 및 폴리에테르 화합물 (C) 가 균일하게 분산 내지는 특수한 구조를 형성함으로써, 산화 방지제로서의 효율, 기능을 높여, 360 ℃ 를 초과하는 고온에서 성형해도 열 분해물의 생성이 적어 성형체의 광학 특성의 저하가 발생하지 않는 한편, 300 ℃ 미만에서 성형해도 유동성이 양호하기 때문에 성형체의 광학 특성의 저하가 발생하지 않는 것으로 추정된다.
[성분 (A):방향족 폴리카보네이트 수지 (A)]
본 발명의 폴리카보네이트 수지 조성물에 함유되는 방향족 폴리카보네이트 수지 (A) 로는, 특별히 제한 없고, 공지된 방법에 의해 제조된 것을 사용할 수 있다.
예를 들어, 2 가 페놀과 카보네이트 전구체를 용액법 (계면 중축합법) 또는 용융법 (에스테르 교환법) 에 의해 제조한 것, 즉, 말단 정지제의 존재 하에, 2 가 페놀과 포스겐을 반응시키는 계면 중축합법, 또는 말단 정지제의 존재 하에, 2 가 페놀과 디페닐카보네이트 등의 에스테르 교환법 등에 의해 반응시켜 제조된 것을 사용할 수 있다.
2 가 페놀로는, 여러 가지의 것을 들 수 있지만, 특히 2,2-비스(4-하이드록시페닐)프로판[비스페놀 A], 비스(4-하이드록시페닐)메탄, 1,1-비스(4-하이드록시페닐)에탄, 2,2-비스(4-하이드록시-3,5-디메틸페닐)프로판, 4,4'-디하이드록시디페닐, 비스(4-하이드록시페닐)시클로알칸, 비스(4-하이드록시페닐)옥사이드, 비스(4-하이드록시페닐)술파이드, 비스(4-하이드록시페닐)술폰, 비스(4-하이드록시페닐)술폭사이드 및 비스(4-하이드록시페닐)케톤 등을 들 수 있다. 이 외, 하이드로퀴논, 레조르신 및 카테콜 등을 들 수도 있다. 이들은, 각각 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 조합하여 사용해도 되지만, 이들 중에서, 비스(하이드록시페닐)알칸계가 바람직하고, 특히 비스페놀 A 가 바람직하다.
카보네이트 전구체로는, 카르보닐할라이드, 카르보닐에스테르, 또는 할로포르메이트 등이며, 구체적으로는 포스겐, 2 가 페놀의 디할로포르메이트, 디페닐카보네이트, 디메틸카보네이트 및 디에틸카보네이트 등이다.
또한, 본 발명에 있어서 성분 (A) 은, 분기 구조를 가지고 있어도 되고, 분기제로는, 1,1,1-트리스(4-하이드록시페닐)에탄, α,α',α"-트리스(4-하이드록시페닐)-1,3,5-트리이소프로필벤젠, 플로로글루신, 트리멜리트산 및 1,3-비스(o-크레졸) 등이 있다.
말단 정지제로는, 1 가의 카르복실산과 그 유도체나, 1 가의 페놀을 사용할 수 있다. 예를 들어, p-tert-부틸-페놀, p-페닐페놀, p-쿠밀페놀, p-퍼플루오로노닐페놀, p-(퍼플루오로노닐페닐)페놀, p-(퍼플루오로헥실페닐)페놀, p-tert-퍼플루오로부틸페놀, 1-(p-하이드록시벤질)퍼플루오로데칸, p-[2-(1H,1H-퍼플루오로트리도데실옥시)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로필]페놀, 3,5-비스(퍼플루오로헥실옥시카르보닐)페놀, p-하이드록시벤조산퍼플루오로도데실, p-(1H,1H-퍼플루오로옥틸옥시)페놀, 2H,2H,9H-퍼플루오로노난산, 1,1,1,3,3,3-헥사플로로-2-프로판올 등을 들 수 있다.
방향족 폴리카보네이트 수지 (A) 로는, 주사슬이 하기 일반식 (I) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 폴리카보네이트인 것이 바람직하다.
[화학식 4]
Figure 112016044284553-pct00004
(식 중, RA1 및 RA2 는, 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고, X 는 단결합, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬렌기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알킬리덴기, 탄소수 5 ∼ 15 의 시클로알킬렌기, 탄소수 5 ∼ 15 의 시클로알킬리덴기, -S-, -SO-, -SO2-, -O- 또는 -CO- 를 나타내고, a 및 b 는, 각각 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다)
RA1 및 RA2 로 나타내는 알킬기로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 각종 부틸기 (「각종」이란, 직사슬형 및 모든 분기 사슬형인 것을 포함하는 것을 나타내고, 이하, 동일하다), 각종 펜틸기, 각종 헥실기를 들 수 있다.
RA1 및 RA2 로 나타내는 알콕시기로는, 알킬기 부위가 상기 알킬기인 경우를 들 수 있다.
RA1 및 RA2 로는, 모두, 바람직하게는 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 알콕시기이다.
X 로 나타내는 알킬렌기로는, 예를 들어, 메틸렌기, 에틸렌기, 트리메틸렌기, 테트라메틸렌기, 헥사메틸렌기 등을 들 수 있고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기가 바람직하다. X 로 나타내는 알킬리덴기로는, 에틸리덴기, 이소프로필리덴기 등을 들 수 있다. X 로 나타내는 시클로알킬렌기로는, 시클로펜탄디일기나 시클로헥산디일기, 시클로옥탄디일기 등을 들 수 있고, 탄소수 5 ∼ 10 의 시클로알킬렌기가 바람직하다. X 로 나타내는 시클로알킬리덴기로는, 예를 들어, 시클로 헥실리덴기, 3,5,5-트리메틸시클로헥실리덴기, 2-아다만틸리덴기 등을 들 수 있고, 탄소수 5 ∼ 10 의 시클로알킬리덴기가 바람직하고, 탄소수 5 ∼ 8 의 시클로알킬리덴기가 보다 바람직하다.
a 및 b 는, 각각 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수를 나타내고, 바람직하게는 0 ∼ 2, 보다 바람직하게는 0 또는 1 이다.
본 발명에 있어서, 방향족 폴리카보네이트 수지 (A) 는, 얻어지는 성형체의 투명성, 기계적 특성, 열적 특성 등의 관점에서, 비스페놀 A 구조를 갖는 폴리카보네이트 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 비스페놀 A 구조를 갖는 폴리카보네이트 수지로는, 구체적으로는 상기 일반식 (I) 에 있어서, X 가 이소프로필리덴기인 것을 들 수 있다. 방향족 폴리카보네이트 수지 (A) 중의 비스페놀 A 구조를 갖는 폴리카보네이트 수지의 함유량은, 바람직하게는 50 ∼ 100 질량%, 보다 바람직하게는 75 ∼ 100 질량%, 더욱 바람직하게는 85 ∼ 100 질량% 이다.
본 발명에 있어서, 성분 (A) 의 점도 평균 분자량 (Mv) 은, 유동성의 관점에서, 바람직하게는 9,000 ∼ 50,000, 보다 바람직하게는 10,000 ∼ 30,000, 더욱 바람직하게는 11,000 ∼ 25,000 이다.
본 발명에 있어서, 이 점도 평균 분자량 (Mv) 은, 우벨로데형 점도계를 사용하여, 20 ℃ 에 있어서의 염화메틸렌 용액의 점도를 측정하고, 이것으로부터 극한 점도 [η] 를 구하여, 다음 식으로 산출하는 것이다.
[η] = 1.23 × 10-5 Mv0.83
[성분 (B):아릴기를 갖는 인계 화합물 (B)]
본 발명의 폴리카보네이트 수지 조성물에 함유되는 인계 화합물 (B) 는, 40 ℃, 습도 90 % 의 조건 하에서 방치했을 때에 1,500 시간 후에 분해되어 발생하는 페놀 구조를 갖는 화합물의 양이, 상기 인계 화합물 (B) 에 대해 5 질량% 이하, 바람직하게는 3 질량% 이하, 보다 바람직하게는 1 질량% 이하, 특히 바람직하게는 0.5 질량% 이하가 되는 화합물이다. 즉, 본 발명에 사용되는 인계 화합물 (B) 는, 내가수 분해성이 우수하고, 페놀 구조를 갖는 화합물의 생성량이 적은 것이다. 또한, 상기의 페놀 구조를 갖는 화합물의 양은, 가스 크로마토그래프에 의해 정량할 수 있고, 상세하게는 실시예에 기재된 방법에 의해 측정된다.
일반적으로, 펜타에리트리톨디포스파이트 구조를 갖는 포스파이트계 산화 방지제는, 높은 내열성을 갖고, 340 ℃ 를 초과하는 고온 성형에 있어서도 가스화되지 않고 충분한 산화 방지 작용을 하지만, 포스파이트계 산화 방지제는 가수 분해되기 쉬운 경우가 많아, 도광판의 내습열 시험에 있어서, 도광판 내의 산화 방지제가 가수 분해되고, 그 분해물의 영향으로 도광판이 변색 또는 백탁되는 문제가 발생하기 쉽다. 국제 공개 제2013/088796호에는, 내열성 및 내가수 분해성의 양 요구 특성을 만족시킬 수 있는 산화 방지제로서, 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리트리톨디포스파이트로 대표되는 특정한 디포스파이트계 산화 방지제가 유효한 것이 개시되어 있다.
그러나, 국제 공개 제2013/088796호의 방법에서는, 내습열성의 관점에서 지환식 에폭시 화합물을 필요로 한다. 또, 이 방법에서는, 고온 성형에서의 열 안정성은 우수하지만, 300 ℃ 미만의 성형 온도 영역에서는 충분한 성능을 발현할 수 없다.
본 발명자들은 특정한 인계 화합물 (B) 을 폴리에테르 화합물 (C) 과 병용함으로써, 폭 넓은 온도 영역에서 성형해도 성형시의 열화에 의한 광학 특성의 저하가 없는 폴리카보네이트 수지 조성물을 얻을 수 있는 것을 알아내었다.
본 발명에 사용되는 인계 화합물 (B) 는, 바람직하게는 포스파이트 구조를 갖는 인계 화합물이며, 보다 바람직하게는 하기 일반식 (II) 로 나타내는 펜타에리트리톨디포스파이트 화합물이다.
[화학식 5]
Figure 112016044284553-pct00005
식 중, Y1 ∼ Y4 는, 각각 독립적으로 탄소수 6 이상의 탄화수소기를 나타내고, 바람직하게는 각각 독립적으로 치환 또는 무치환의 쿠밀기, 페닐기, 나프틸기 또는 비페닐기이다.
본 발명에 사용되는 인계 화합물 (B) 는, 더욱 바람직하게는 하기 일반식 (II-1) 로 나타내는 펜타에리트리톨디포스파이트 화합물이다.
[화학식 6]
Figure 112016044284553-pct00006
(식 중, RB1 ∼ RB8 은, 각각 독립적으로 알킬기 또는 알케닐기를 나타낸다. RB1 과 RB2, RB3 과 RB4, RB5 와 RB6, RB7 과 RB8 은, 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다. RB9 ∼ RB12 는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다. m1 ∼ m4 는, 각각 독립적으로 0 ∼ 5 의 정수이다. Z1 ∼ Z4 는, 각각 독립적으로 단결합 또는 탄소 원자를 나타낸다. Z1 ∼ Z4 가 단결합을 나타내는 경우, RB1 ∼ RB8 은 일반식 (II-1) 로부터 제외된다)
상기 일반식 (II) 또는 (II-1) 로 나타내는 펜타에리트리톨디포스파이트 화합물은, 삼염화인 및 펜타에리트리톨에 염소계 용제를 더하여 펜타에리트리톨디클로로포스파이트를 얻은 후, 방향족계 용제 및 유기 질소 함유 염기 화합물의 존재 하에서 가열 혼합함으로써 얻을 수 있다 (예를 들어 일본 공개특허공보 2004-018406호를 참조).
상기 일반식 (II) 또는 (II-1) 로 나타내는 펜타에리트리톨디포스파이트 화합물 중에서도, 폴리카보네이트 수지 조성물에 대해 내열성 및 내가수 분해성을 양호하게 부여할 수 있고, 또 입수가 용이한 점에서, 하기 식 (II-2) 로 나타내는 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리트리톨디포스파이트가 특히 바람직하다. 이 화합물은 시판품으로서 입수 가능하고, 예를 들어 Dover Chemical 사 제조의 「Doverphos (등록 상표) S-9228PC」를 사용할 수 있다.
[화학식 7]
Figure 112016044284553-pct00007
본 발명의 방향족 폴리카보네이트 수지에 있어서의 인계 화합물 (B) 의 함유량은, 폭 넓은 온도 영역에서 성형해도 성형시의 열화에 의한 광학 특성의 저하가 없는 폴리카보네이트 수지 조성물을 얻는 관점에서, 방향족 폴리카보네이트 수지 (A) 100 질량부에 대해, 0.005 ∼ 1 질량부이고, 바람직하게는 0.01 ∼ 0.8 질량부, 보다 바람직하게는 0.03 ∼ 0.5 질량부이다.
[성분 (C):폴리옥시알킬렌 구조를 갖는 폴리에테르 화합물 (C)]
본 발명의 폴리카보네이트 수지 조성물에 함유되는 폴리옥시알킬렌 구조를 갖는 폴리에테르 화합물 (C) 는, (RC1O)m 으로 나타내는 폴리옥시알킬렌 구조 및 (RC2O)n 으로 나타내는 폴리옥시알킬렌 구조를 갖는 것이 바람직하다. 여기서, RC1 및 RC2 는, 각각 독립적으로 탄소수 1 이상의 알킬렌기를 나타낸다. m + n 은 5 이상 300 미만이고, 바람직하게는 10 ∼ 200, 보다 바람직하게는 20 ∼ 100 이다.
RC1 및 RC2 로 나타내는 알킬렌기로는, 예를 들어, 메틸렌기, 에틸렌기, 트리 메틸렌기, 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 헥사메틸렌기 등을 들 수 있고, 탄소수 1 ∼ 5 의 알킬렌기가 바람직하다.
m 개의 RC1O 기에 있어서, 복수의 RC1 은 서로 동일한 알킬렌기이어도 되고, 탄소수가 상이한 알킬렌기이어도 된다. 즉, (RC1O)m 으로 나타내는 폴리옥시알킬렌기는, 폴리옥시에틸렌기나 폴리옥시프로필렌기 등의 단일한 옥시알킬렌 단위를 반복 단위로서 갖는 것에 한정되지 않고, 옥시에틸렌 단위 및 옥시프로필렌 단위 등 탄소수가 상이한 복수의 옥시알킬렌 단위를 반복 단위로서 갖는 것이어도 된다.
또, RC2 도 RC1 과 마찬가지로, n 개의 RC2O 기에 있어서, 복수의 RC2 는 서로 동일한 알킬렌기이어도 되고, 탄소수가 상이한 알킬렌기이어도 된다.
또, 폴리에테르 화합물 (C) 는, 하기 일반식 (III) 으로 나타내는 화합물 (C-1), 다가 알코올의 알킬렌옥사이드 부가물 및 그 에스테르 (C-2), 그리고 고리형 폴리에테르 화합물 (C-3) 로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1 종인 것이 바람직하다.
RC3O-(RC1O)m-A-(RC2O)n-RC4 (III)
(식 중, RC1 및 RC2 는, 각각 독립적으로 탄소수 1 이상의 알킬렌기를 나타낸다. m + n 은 5 이상 300 미만이다. RC3 및 RC4 는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 30 의 탄화수소기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알카노일기, 탄소수 2 ∼ 30 의 알케노일기, 또는 글리시딜기를 나타낸다. A 는 단결합 또는 2 가의 유기기를 나타낸다)
RC1 및 RC2 로 나타내는 알킬렌기에 대해서는 상기 서술한 바와 같다. 또, (RC1O)m 으로 나타내는 폴리옥시알킬렌 구조 및 (RC2O)n 으로 나타내는 폴리옥시알킬렌 구조에 대해서도 상기 서술한 바와 같다.
RC3 및 RC4 로 나타내는 탄소수 1 ∼ 30 의 탄화수소기로는, 탄소수 1 ∼ 30 의 알킬기, 탄소수 2 ∼ 30 의 알케닐기, 탄소수 6 ∼ 30 의 아릴기 또는 탄소수 7 ∼ 30 의 아르알킬기 등을 들 수 있다.
알킬기 및 알케닐기는, 직사슬형, 분기형, 고리형의 어느 것이어도 되고, 예를 들어, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 각종 부틸기, 각종 펜틸기, 각종 헥실기, 각종 옥틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 알릴기, 프로페닐기, 각종 부테닐기, 각종 헥세닐기, 각종 옥테닐기, 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기 등을 들 수 있다. 아릴기로는, 예를 들어 페닐기, 톨릴기, 자일릴기 등을 들 수 있다. 아르알킬기로는, 예를 들어 벤질기, 페네틸기, 메틸벤질기 등을 들 수 있다.
RC3 및 RC4 로 나타내는 탄소수 1 ∼ 30 의 알카노일기로는, 직사슬형이어도 되고 분기사슬형이어도 되며, 예를 들어 메타노일기, 에타노일기, n-프로파노일 기, 이소프로파노일기, n-부타노일기, t-부타노일기, n-헥사노일기, n-옥타노일기, n-데카노일기, n-도데카노일기, 벤조일기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 상용성이나, 열 안정성 및 제조 용이성의 관점에서, 탄소수 1 ∼ 20 의 알카노일기가 바람직하다.
RC3 및 RC4 로 나타내는 탄소수 2 ∼ 30 의 알케노일기로는, 직사슬형이어도 되고 분기사슬형이어도 되며, 예를 들어 에테노일기, n-프로페노일기, 이소프로페노일기, n-부테노일기, t-부테노일기, n-헥세노일기, n-옥테노일기, n-데세노일기, n-도데세노일기 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 저분자량으로 하는 관점, 상용성이나 용해성의 관점 및 제조 용이성의 관점에서, 탄소수 2 ∼ 10 의 알케노일기가 바람직하고, 탄소수 2 ∼ 6 의 알케노일기가 보다 바람직하다.
A 로 나타내는 2 가의 유기기로는, 예를 들어 하기 식 (a) 로 나타내는 기를 들 수 있다.
[화학식 8]
Figure 112016044284553-pct00008
상기 일반식 (III) 으로 나타내는 화합물 (C-1) 의 구체예로는, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리테트라메틸렌글리콜, 폴리옥시테트라메틸렌폴리옥시에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌모노메틸에테르, 폴리옥시에틸렌디메틸에테르, 폴리옥시에틸렌-비스페놀 A 에테르, 폴리옥시프로필렌-비스페놀 A 에테르, 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌-비스페놀 A 에테르, 폴리에틸렌글리콜-알릴에테르, 폴리에틸렌글리콜-디알릴에테르, 폴리프로필렌글리콜-알릴에테르, 폴리프로필렌글리콜-디알릴에테르, 폴리에틸렌글리콜-폴리프로필렌글리콜-알릴에테르, 폴리에틸렌글리콜디메타크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디메타크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜디스테아레이트 등을 들 수 있다. 이들은 시판품으로서 입수 가능하고, 예를 들어 니치유 (주) 제조의 「유니옥스 (등록 상표) 」, 「유니올 (등록 상표) 」, 「유니루브 (등록 상표) 」, 「유니세이프 (등록 상표) 」, 「폴리세린 (등록 상표) 」, 「에피올 (등록 상표) 」 등을 사용할 수 있다.
다가 알코올의 알킬렌옥사이드 부가물 및 그 에스테르 (C-2) 에 있어서의 다가 알코올로는, 글리세린, 디글리세릴에테르, 소르비톨 등을 들 수 있다.
고리형 폴리에테르 화합물 (C-3) 의 구체예로는, 18 크라운 6, 디벤조 18 크라운 6 등을 들 수 있다.
종래 기술로서, 폴리옥시알킬렌글리콜을 첨가함으로써 광 투과율이 향상되는 것은, 일본 특허공보 제4069364호 등에 개시되어 있다. 그 기술 내용에서 사용되는 폴리옥시알킬렌글리콜은, 탄소수가 1 ∼ 3 인 알킬기로 이루어지는 폴리옥시알킬렌글리콜, 혹은 그것과 특정 지방족으로 이루어지는 유도체가 사용된다. 폴리옥시에틸렌글리콜이나 폴리옥시프로필렌글리콜은, 탄소수가 작은 알킬기인 폴리옥시알킬렌글리콜이기 때문에, 친수성 폴리머이고, 폴리카보네이트 수지와의 상용성도 높다. 그러나, 한편으로 내열성이 낮아, 이것을 첨가한 폴리카보네이트 수지에서는, 320 ℃ 를 초과하는 온도에서 성형하면, 색상 저하로 휘도 및 광선 투과율의 저하가 일어나고, 340 ℃ 를 초과하는 온도에서 성형하면, 분해 가스에 의한 실버 발생으로, 도광 재료로서 사용할 수 없게 된다는 결점이 있다.
본 발명자들은, 폴리에테르 화합물 (C) 을 특정한 인계 화합물 (B) 과 병용함으로써, 폭 넓은 온도 영역에서 성형해도 성형시의 열화에 의한 광학 특성의 저하가 없는 폴리카보네이트 수지 조성물을 얻을 수 있는 것을 알아내었다.
폴리에테르 화합물 (C) 의 수평균 분자량으로는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 200 ∼ 10,000, 보다 바람직하게는 500 ∼ 8,000, 더욱 바람직하게는 1,000 ∼ 5,000 이다.
본 발명의 방향족 폴리카보네이트 수지에 있어서의 폴리에테르 화합물 (C) 의 함유량은, 폭 넓은 온도 영역에서 성형해도 성형시의 열화에 의한 광학 특성의 저하가 없는 폴리카보네이트 수지 조성물을 얻는 관점에서, 방향족 폴리카보네이트 수지 (A) 100 질량부에 대해, 0.005 ∼ 5 질량부이고, 바람직하게는 0.05 ∼ 2 질량부, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 1 질량부이다.
[첨가제]
본 발명의 폴리카보네이트 수지 조성물에는, 상기 서술한 성분 (A) ∼ (C) 외에 폴리오르가노실록산 등을 적절히 첨가할 수 있다.
폴리오르가노실록산으로는, 알콕시기, 아릴옥시기, 폴리옥시알킬렌기, 카르복실기, 실란올기, 아미노기, 메르캅토기, 에폭시기 및 비닐기 등의 관능기를 1 종 이상 갖는 화합물인 것이 바람직하다.
폴리오르가노실록산의 첨가량은, 방향족 폴리카보네이트 수지 (A) 100 질량부에 대하여, 바람직하게는 0.01 ∼ 0.15 질량부, 보다 바람직하게는 0.02 ∼ 0.15 질량부, 더욱 바람직하게는 0.05 ∼ 0.1 질량부이다. 상기 범위 내이면, 다른 성분과 협주하여, 이형성을 향상시킬 수 있고, 또한 340 ℃ 를 초과하는 고온의 성형 조건, 특히 연속 성형 조건에서도, 실버의 발생이나, 금형 부착물을 대폭 저감시킬 수 있다.
폴리오르가노실록산의 점도는, 이형성으로서의 활성 효과의 관점에서, 25 ℃ 에 있어서, 바람직하게는 10 ㎟/s 이상이고, 폴리카보네이트 수지에 대한 분산성의 관점에서, 바람직하게는 200 ㎟/s 이하이다. 상기 관점에서, 폴리오르가노실록산의 점도는, 보다 바람직하게는 20 ∼ 150 ㎟/s, 더욱 바람직하게는 40 ∼ 120 ㎟/s 의 범위이다.
폴리오르가노실록산의 굴절률은, 폴리카보네이트에 첨가했을 때에 투명성을 저하시키지 않기 위해서, 폴리카보네이트와의 굴절률의 차를 가능한 한 작게 하는 것이 바람직하다. 폴리카보네이트의 굴절률은 1.58 이기 때문에, 폴리오르가노실록산의 굴절률은, 바람직하게는 1.45 이상, 보다 바람직하게는 1.50 이상, 더욱 바람직하게는 1.52 이상이다.
[방향족 폴리카보네이트 수지 조성물 및 광학 성형품]
본 발명의 폴리카보네이트 수지 조성물의 제조 방법은 특별히 한정되지 않는다.
예를 들어 상기 성분 (A) ∼ (C) 및 필요에 따라 첨가제를 혼합하고, 용융 혼련을 실시한다. 용융 혼련은, 통상 이용되고 있는 방법, 예를 들어, 리본 블렌더, 헨셸 믹서, 밴버리 믹서, 드럼 텀블러, 단축 스크루 압출기, 2 축 스크루 압출기, 코니더, 다축 스크루 압출기 등을 사용하는 방법에 의해 실시할 수 있다. 용융 혼련에 있어서 가열 온도는, 통상 220 ∼ 300 ℃ 정도의 범위에서 적절히 선정된다.
본 발명의 폴리카보네이트 수지 조성물은, 상기의 용융 혼련물, 혹은, 얻어진 수지 펠릿을 원료로 하여, 공지된 성형 방법, 예를 들어, 중공 성형법, 사출 성형법, 사출 압축 성형법, 압출 성형법, 진공 성형법, 블로 성형법, 프레스 성형법, 압공 (壓空) 성형법, 발포 성형법, 열 굽힘 성형법, 압축 성형법, 캘린더 성형법 및 회전 성형법 등의 성형법을 적용할 수 있다.
본 발명의 폴리카보네이트 수지 조성물은, 내열 부족을 개선한 것으로, 340 ℃ 를 초과하는 고온에서의 성형에도 견딜 수 있는 점에서, 사출 성형법 등, 성형 재료에 높은 유동성을 요구하는 성형법에 바람직하다. 한편, 압출 성형법에서는, 220 ∼ 280 ℃ 정도의 저온에서 성형함으로써, 투명성이 높고, 황변이 없는 높은 광학 특성의 시트 또는 필름 등의 제품을 얻을 수 있다.
본 발명의 폴리카보네이트 수지 조성물은, 광선 투과율 및 휘도가 우수하고, 고온에서의 성형에도 견딜 수 있는 수지 조성물로서, 특히 사출 성형에 적절하다. 한편, 저온 성형 적성도 높기 때문에, 사출 성형 이외의 성형에서도, 광 투과성이 우수한 성형품을 얻을 수 있어, 광학 성형품, 특히 도광판으로서 유용하다.
도광판으로는, 특별히 제한은 없고, 수 ㎜ ∼ 수백 ㎛ 의 두께의 평판이어도 되고, 렌즈 효과를 갖는 곡면판이나 프리즘 전사판이어도 된다. 성형법도 특별히 한정되지 않고, 목적·용도에 따라 적절히, 형상이나 성형법을 선정하면 된다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[점도 평균 분자량 (Mv) 의 측정]
우벨로데형 점도계로, 20 ℃ 에 있어서의 염화메틸렌 용액의 점도를 측정하고, 이것으로부터 극한 점도 [η] 를 구한 후, 다음 식으로 산출하였다.
[η] = 1.23 × 10-5 Mv0.83
[인계 화합물의 내가수 분해 시험]
인계 화합물을 40 ℃, 습도 90 % 의 조건 하에서 1,500 시간 방치하였다. 그 후, 분해되어 발생하는 페놀 구조를 갖는 화합물의 질량을 (주) 시마즈 제작소 제조의 가스 크로마토그래프 장치 「GC-2014」를 사용하여 정량하고, 인계 화합물에 대한 비율을 측정하였다.
실시예 및 비교예에서 사용한 각 성분은 이하와 같다.
<방향족 폴리카보네이트 수지 (A)>
(A1):「터프론 FN1500」 (이데미츠 코산 (주) 제조, 비스페놀 A 폴리카보네이트 수지, 점도 평균 분자량 (Mv) = 14500)
(A2):「터프론 FN1200」 (이데미츠 코산 (주) 제조, 비스페놀 A 폴리카보네이트 수지, 점도 평균 분자량 (Mv) = 11500)
<인계 화합물 (B)>
(B1):「Doverphos S-9228PC」 (Dover Chemical 사 제조, 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리트리톨디포스파이트, 상기 내가수 분해 시험 후에 디쿠밀페놀이 0.15 질량% 생성되었다)
(B2):「아데카스타브 2112」 ((주) ADEKA 제조, 트리스(2,4-디-tert-부틸페닐)포스파이트, 상기 내가수 분해 시험 후에 2,4-다-tert-부틸페놀이 6 질량% 생성되었다)
(B3):「아데카스타브 PEP-36」 ((주) ADEKA 제조, 비스(2,6-디-tert-부틸-4-메틸페닐)펜타에리트리톨디포스파이트, 상기 내가수 분해 시험 후에 2,6-디-tert-부틸-4-메틸페놀이 45 질량% 생성되었다)
<폴리에테르 화합물 (C)>
(C1):「폴리세린 DC-1100」 (니치유 (주) 제조, 폴리옥시테트라메틸렌글리콜-폴리옥시에틸렌글리콜)
(C2):「폴리세린 DC-3000E」 (니치유 (주) 제조, 폴리옥시테트라메틸렌글리콜-폴리옥시에틸렌글리콜)
(C3):「유니옥스 GT-20IS」 (니치유 (주) 제조, 폴리옥시에틸렌-트리이소스테아르산)
(C4):「유니루브 50DB-22」 (니치유 (주) 제조, 폴리옥시에틸렌-폴리옥시 프로필렌-비스페놀 A 에테르)
(C5):「에피올 E-1000」 (니치유 (주) 제조, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르)
(C6):「유니세이프 NKL-9520」 (니치유 (주) 제조, 폴리프로필렌글리콜디스테아레이트)
(C7):「PEG-6000J」 (라이온 (주) 제조, 폴리에틸렌글리콜)
(C8):와코우 순약 공업 (주) 제조, 18 크라운 6
<그 밖의 첨가제>
「KR-511」 (신에츠 화학 공업 (주) 제조, 폴리오르가노실록산 화합물)
「셀록사이드 2021P」 (다이셀 화학 공업 (주) 제조, 3,4-에폭시시클로헥실메틸-3',4'-에폭시시클로헥산카르복시레이트)
실시예 1 ∼ 9 및 비교예 1 ∼ 4
스크루 직경 40 ㎜ 의 벤트가 부착된 단축 압출기 (타나베 플라스틱스 기계 (주) 제조「VS-40」) 를 사용하고, 실린더 온도 250 ℃ 에서 용융 혼련하고, 스트랜드 컷에 의해 펠릿을 얻었다. 얻어진 펠릿을 110 ℃ 에서 5 시간 건조시킨 후, 사출 성형기 (닛세이 수지 공업 (주) 제조「ES1000」) 를 사용하여, 280 ℃ 및 360 ℃ 의 실린더 온도 설정으로, 사이클 시간 50 초로, 두께 5 ㎜ 의 평판상 시험편을 성형하였다.
상기에서 얻어진 시험편에 대하여, 분광 광도계 ((주) 히타치 하이테크놀로지즈 제조「U-4100」) 를 사용하여, C 광원, 2 도 시야의 조건에서 YI 값을 측정하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 또한, 합격 기준은 280 ℃ 에서 성형한 시험편의 YI (280 ℃ 성형 YI) 가 1.15 이하이고, 또한 360 ℃ 에서 성형한 시험편의 YI (360 ℃ 성형 YI) 가 1.15 이하이다.
Figure 112016044284553-pct00009
내가수 분해 시험 후에 발생하는 페놀 구조를 갖는 화합물의 양이 5 질량% 를 초과하는 인계 화합물을 사용한 비교예 1, 3 및 4 에서는 360 ℃ 성형에 있어서 황변이 발생하고 있고, 특히 폴리에테르 화합물 (C) 도 사용하고 있지 않은 비교예 3 에서는 280 ℃ 및 360 ℃ 의 양방 모두 황변이 발생하고 있다. 또, 내가수 분해 시험 후에 발생하는 페놀 구조를 갖는 화합물의 양이 5 질량% 이하인 인계 화합물 (B) 을 사용하고 있어도, 폴리에테르 화합물 (C) 을 병용하고 있지 않은 비교예 2 에 있어서도 황변이 발생하고 있고, 특히 360 ℃ 성형에 있어서 현저하다.
이에 반해, 내가수 분해 시험 후에 발생하는 페놀 구조를 갖는 화합물의 양이 5 질량% 이하인 인계 화합물 (B) 및 폴리에테르 화합물 (C) 을 병용한 실시예 1 ∼ 9 에서는, 280 ℃ 및 360 ℃ 양방 모두 황변이 적어, 보다 폭 넓은 온도 영역에서 황변되지 않고 성형할 수 있는 것을 알 수 있다.
산업상 이용가능성
본 발명의 폴리카보네이트 수지 조성물은, 고온 성형에서의 열 안정성이 우수하고, 또, 폭 넓은 온도 영역에서 성형해도 성형시의 열화에 의한 광학 특성의 저하가 없는 성형품을 얻을 수 있기 때문에, 도광판 등의 광학 제품, 구체적으로는 스마트 폰이나 태블릿 PC 등의 대화면 박형의 표시 상품에 바람직한 한편, 저온 성형용의 광학 재료로서도 유용하다.

Claims (16)

  1. 방향족 폴리카보네이트 수지 (A) 100 질량부에 대하여, 아릴기를 갖는 인계 화합물 (B) 0.005 ∼ 1 질량부, 및 폴리옥시알킬렌 구조를 갖는 폴리에테르 화합물 (C) 0.005 ∼ 5 질량부를 함유하는 폴리카보네이트 수지 조성물로서,
    상기 인계 화합물 (B) 는 40 ℃, 습도 90 % 의 조건 하에서 방치했을 때에 1,500 시간 후에 분해되어 발생하는 페놀 구조를 갖는 화합물의 양이, 상기 인계 화합물 (B) 에 대해 5 질량% 이하가 되는 화합물이고,
    폴리옥시알킬렌 구조를 갖는 폴리에테르 화합물 (C) 가, 하기 일반식 (III) 으로 나타내는 화합물 (C-1), 그리고 고리형 폴리에테르 화합물 (C-3) 에서 선택되는 적어도 1 종이고,
    하기 방법으로 측정되는 폴리카보네이트 수지 조성물을 성형하여 이루어지는 성형품의 YI 가 1.15 이하인 폴리카보네이트 수지 조성물.
    스크루 직경 40 ㎜ 의 벤트가 부착된 단축 압출기를 사용하고, 실린더 온도 250 ℃ 에서 용융 혼련하고, 스트랜드 컷에 의해 펠릿을 얻는다. 얻어진 펠릿을 110 ℃ 에서 5 시간 건조시킨 후, 사출 성형기를 사용하여, 360 ℃ 의 실린더 온도 설정으로, 사이클 시간 50 초로, 두께 5 ㎜ 의 평판상 시험편을 성형한다. 얻어진 시험편에 대하여, 분광 광도계를 사용하여, C 광원, 2 도 시야의 조건에서 YI 값을 측정한다.
    RC3O-(RC1O)m-A-(RC2O)n-RC4 (III)
    (식 중, RC1 및 RC2 는, 메틸렌기, 에틸렌기, 트리메틸렌기, 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 및 헥사메틸렌기로 이루어지는 군에서 선택되는 동일한 알킬렌기 ; 각각 독립적으로 메틸렌기, 에틸렌기, 트리메틸렌기, 프로필렌기, 및 헥사메틸렌기로 이루어지는 군에서 선택되는 알킬렌기 ; 또는, 각각 독립적으로 메틸렌기, 트리메틸렌기, 프로필렌기, 테트라메틸렌기, 및 헥사메틸렌기로 이루어지는 군에서 선택되는 상이한 알킬렌기를 나타내고 그 알킬렌기가 테트라메틸렌기를 포함한다 ; 를 나타낸다.
    m + n 은 5 이상 300 미만이다.
    m 개의 RC1O 기에 있어서, 복수의 RC1 은 서로 동일하여도 되고, 탄소수가 상이한 알킬렌기이어도 되고, n 개의 RC2O 기에 있어서, 복수의 RC2 는 서로 동일하여도 되고, 탄소수가 상이한 알킬렌기이어도 된다.
    RC3 및 RC4 는, 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 30 의 탄화수소기, 탄소수 1 ∼ 30 의 알카노일기, 탄소수 2 ∼ 30 의 알케노일기, 또는 글리시딜기를 나타낸다. A 는, 단결합 또는 2 가의 유기기를 나타낸다.)
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 방향족 폴리카보네이트 수지 (A) 가, 주사슬이 하기 일반식 (I) 로 나타내는 반복 단위를 갖는 폴리카보네이트인 폴리카보네이트 수지 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112016044284553-pct00010

    (식 중, RA1 및 RA2 는, 각각 독립적으로 탄소수 1 ∼ 6 의 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고, X 는 단결합, 탄소수 1 ∼ 8 의 알킬렌기, 탄소수 2 ∼ 8 의 알킬리덴기, 탄소수 5 ∼ 15 의 시클로알킬렌기, 탄소수 5 ∼ 15 의 시클로알킬리덴기, -S-, -SO-, -SO2-, -O- 또는 -CO- 를 나타내고, a 및 b 는, 각각 독립적으로 0 ∼ 4 의 정수를 나타낸다)
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 인계 화합물 (B) 가 포스파이트 구조를 갖는 인계 화합물인 폴리카보네이트 수지 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 인계 화합물 (B) 가 하기 일반식 (II) 로 나타내는 펜타에리트리톨디포스파이트 화합물인 폴리카보네이트 수지 조성물.
    [화학식 2]
    Figure 112020125795016-pct00011

    (식 중, Y1 ∼ Y4 는, 각각 독립적으로 탄소수 6 이상의 탄화수소기를 나타낸다)
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 Y1 ∼ Y4 가, 각각 독립적으로 치환 또는 무치환의 쿠밀기, 페닐기, 나프틸기 또는 비페닐기인 폴리카보네이트 수지 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 인계 화합물 (B) 가 하기 일반식 (II-1) 로 나타내는 펜타에리트리톨디포스파이트 화합물인 폴리카보네이트 수지 조성물.
    [화학식 3]
    Figure 112020125795016-pct00012

    (식 중, RB1 ∼ RB8 은, 각각 독립적으로 알킬기 또는 알케닐기를 나타낸다. RB1 과 RB2, RB3 과 RB4, RB5 와 RB6, RB7 과 RB8 은, 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다. RB9 ∼ RB12 는, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 알킬기를 나타낸다. m1 ∼ m4 는, 각각 독립적으로 0 ∼ 5 의 정수이다. Z1 ∼ Z4 는, 각각 독립적으로 단결합 또는 탄소 원자를 나타낸다. Z1 ∼ Z4 가 단결합을 나타내는 경우, RB1 ∼ RB8 은 일반식 (II-1) 로부터 제외된다)
  7. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 인계 화합물 (B) 가 비스(2,4-디쿠밀페닐)펜타에리트리톨디포스파이트인 폴리카보네이트 수지 조성물.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 제 1 항 또는 제 6 항에 기재된 폴리카보네이트 수지 조성물을 성형하여 이루어지는 광학 성형품.
  11. 제 10 항에 있어서,
    광학 성형품이 도광판인 광학 성형품.
  12. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
    하기 방법으로 측정되는 폴리카보네이트 수지 조성물을 성형하여 이루어지는 성형품의 YI 가 1.15 이하인 폴리카보네이트 수지 조성물.
    스크루 직경 40 ㎜ 의 벤트가 부착된 단축 압출기를 사용하고, 실린더 온도 250 ℃ 에서 용융 혼련하고, 스트랜드 컷에 의해 펠릿을 얻는다. 얻어진 펠릿을 110 ℃ 에서 5 시간 건조시킨 후, 사출 성형기를 사용하여, 280 ℃ 의 실린더 온도 설정으로, 사이클 시간 50 초로, 두께 5 ㎜ 의 평판상 시험편을 성형한다. 얻어진 시험편에 대하여, 분광 광도계를 사용하여, C 광원, 2 도 시야의 조건에서 YI 값을 측정한다.
  13. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
    상기 YI 가 1.01 ∼ 1.13 인 폴리카보네이트 수지 조성물.
  14. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
    하기 방법으로 측정되는 폴리카보네이트 수지 조성물을 성형하여 이루어지는 성형품의 YI 가 0.96 ∼ 1.11 인 폴리카보네이트 수지 조성물.
    스크루 직경 40 ㎜ 의 벤트가 부착된 단축 압출기를 사용하고, 실린더 온도 250 ℃ 에서 용융 혼련하고, 스트랜드 컷에 의해 펠릿을 얻는다. 얻어진 펠릿을 110 ℃ 에서 5 시간 건조시킨 후, 사출 성형기를 사용하여, 280 ℃ 의 실린더 온도 설정으로, 사이클 시간 50 초로, 두께 5 ㎜ 의 평판상 시험편을 성형한다. 얻어진 시험편에 대하여, 분광 광도계를 사용하여, C 광원, 2 도 시야의 조건에서 YI 값을 측정한다.
  15. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
    방향족 폴리카보네이트 수지 (A) 100 질량부에 대하여, 아릴기를 갖는 인계 화합물 (B) 가 0.05 ∼ 0.1 질량부인 폴리카보네이트 수지 조성물.
  16. 제 1 항 또는 제 6 항에 있어서,
    방향족 폴리카보네이트 수지 (A) 100 질량부에 대하여, 폴리옥시알킬렌 구조를 갖는 폴리에테르 화합물 (C) 가 0.2 ∼ 0.5 질량부인 폴리카보네이트 수지 조성물.
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