KR102283897B1 - 플럭스 조성물, 땜납 페이스트, 땜납 접합부 및 땜납 접합 방법 - Google Patents

플럭스 조성물, 땜납 페이스트, 땜납 접합부 및 땜납 접합 방법 Download PDF

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Abstract

필름 형성의 공정을 행하지 않고 도포가 가능한 플럭스 조성물, 이 플럭스 조성물을 사용한 땜납 페이스트, 땜납 접합부 및 땜납 접합 방법을 제공한다. 플럭스 조성물은, 에폭시 수지를 20wt％ 이상 50wt％ 이하, 디알릴비스페놀 A를 15wt％ 이상 45wt％ 이하, 유기산을 1wt％ 이상 30wt％ 이하 포함한다.

Description

플럭스 조성물, 땜납 페이스트, 땜납 접합부 및 땜납 접합 방법
본 발명은, 납땜에 사용되는 플럭스 조성물, 이 플럭스 조성물을 사용한 땜납 페이스트, 땜납 접합부 및 땜납 접합 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 납땜에 사용되는 플럭스는, 땜납 및 납땜의 대상으로 되는 접합 대상물의 금속 표면에 존재하는 금속 산화물을 화학적으로 제거하고, 양자의 경계에서 금속 원소의 이동을 가능하게 하는 효능을 갖는다. 이 때문에, 플럭스를 사용해서 납땜을 행함으로써, 땜납과 접합 대상물의 금속 표면 사이에 금속 간 화합물을 형성할 수 있게 되고, 강고한 접합이 얻어진다.
근년의 전자 부품의 소형화의 진전에 따라서, 전자 부품의 납땜 부위인 전극도 작아져 오고 있다. 그 때문에, 땜납 합금으로 접합할 수 있는 면적이 작아지고, 땜납 합금만으로의 접합 강도에서는, 접합 신뢰성이 불충분한 경우도 있다.
그래서, 종래, 플럭스를 사용해서 납땜을 행하고, 그 후, 세정·건조 공정을 거쳐, 언더필 등의 수지에 의해, 납땜의 접합 대상 개소를 밀봉하는 실장 기술이 알려져 있다.
또한, 최근에는, 에폭시 수지로 대표되는 열경화성 수지를 함유함으로써, 납땜 후에 잔존하는 수지 조성물을, 수지 밀봉과 동등한 효과를 갖게 하는 플럭스 조성물이 주목되고 있다.
에폭시 수지를 함유하는 플럭스 조성물에서는, 에폭시 수지의 경화를 촉진시키기 위해서, 경화제가 첨가된다. 이러한 경화제로서, 이미다졸류, 아민류, 페놀노볼락류 등의 경화제가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1, 2 참조). 또한, 경화제로서, 금속 산화물을 화학적으로 제거하는 활성을 갖는 페놀계 경화제를 사용함으로써 활성제를 첨가하지 않고, 전기적 접속을 행하는 기술이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 3 참조).
일본 특허 공개 제2018-53057호 공보 일본 특허 공개 제2017-119287호 공보 일본 특허 공개 제2002-232123호 공보
그러나, 에폭시 수지와 이미다졸류, 아민류, 페놀노볼락류 등의 경화제를 함유하는 종래의 플럭스 조성물에서는, 충분한 양의 플럭스 조성물을 도포할 수 있는지의 여부의 인쇄성, 이 플럭스 조성물을 사용한 납땜으로 땜납이 충분히 넓어지는 것인지의 여부의 납땜성, 이 플럭스 조성물을 사용한 납땜으로 플럭스 잔사가 충분히 경화하는지의 여부의 플럭스 잔사 경화성의 전체에 대해서, 효과를 얻는 것이 어려웠다. 또한, 에폭시 수지와 활성을 갖는 페놀계 경화제를 함유하는 종래의 플럭스 조성물에서는, 플럭스 조성물을 필름의 형태로 전극 등에 전사할 필요가 있고, 사전에 필름 형성의 공정이 필요하였다.
또한, 플럭스 조성물의 활성을 높이기 위해서, 유기산 등의 활성제를 더 첨가해도, 필름 형성의 공정에서 플럭스 조성물이 가열됨으로써, 활성제와 에폭시 수지가 반응하여, 활성이 상실된다는 문제가 있었다.
본 발명은, 이와 같은 과제를 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 필름 형성의 공정을 행하지 않고, 전극 등으로의 도포가 가능한 플럭스 조성물, 이 플럭스 조성물을 사용한 땜납 페이스트, 땜납 접합부 및 땜납 접합 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본원 발명의 발명자들은, 납땜에서 상정되는 온도역에서 에폭시 수지의 경화를 촉진시키는 경화제로서 기능하고, 또한, 납땜에서 상정되는 온도역에서 활성을 갖고 활성제로서 기능하는 디알릴비스페놀 A는, 상온에서 인쇄, 전사 등에 의한 도포가 가능한 점성을 플럭스 조성물에 갖게 하는 것을 발견하였다.
그래서, 본 발명은, 에폭시 수지를 20wt％ 이상 50wt％ 이하, 디알릴비스페놀 A를 15wt％ 이상 45wt％ 이하, 유기산을 1wt％ 이상 30wt％ 이하 포함하는 플럭스 조성물이다.
본 발명은, 또한 그 밖의 페놀계 경화제를 0wt％ 이상 10wt％ 이하, 아민을 0wt％ 이상 10wt％ 이하 용제를 0wt％ 이상 20wt％ 이하 포함해도 된다.
본 발명은, 또한 아민할로겐화 수소산염을 0wt％ 이상 2wt％ 이하, 유기 할로겐 화합물을 0wt％ 이상 5wt％ 이하, 틱소제를 0wt％ 이상 10wt％ 이하, 실란 커플링제를 0wt％ 이상 2wt％ 이하, 소포제를 0wt％ 이상 2wt％ 이하 포함해도 된다.
또한, 본 발명은, 상술한 플럭스 조성물과, 땜납 분말을 혼합한 땜납 페이스트이다. 또한, 본 발명은, 상술한 플럭스 조성물을 사용한 땜납 접합부이다. 또한, 본 발명은, 상술한 플럭스 조성물을 사용한 땜납 접합 방법이다.
디알릴비스페놀 A를 15wt％ 이상 45wt％ 이하, 에폭시 수지를 20wt％ 이상 50wt％ 이하, 유기산을 1wt％ 이상 30wt％ 이하 포함하는 플럭스 조성물은, 상온에서 인쇄, 전사 등에 의한 도포가 가능한 점성을 갖는다. 이에 의해, 플럭스 조성물을 도포하는 행정에서, 플럭스 조성물을 가열할 필요가 없고, 유기산과 에폭시 수지의 반응을 억제할 수 있다.
또한, 디알릴비스페놀 A는, 납땜에서 상정되는 온도역에서 활성을 갖고 활성제로서 기능한다. 이에 의해, 플럭스 조성물에 소정량의 디알릴비스페놀 A와 유기산을 포함함으로써, 땜납을 습윤 확산되게 할 수 있다.
또한, 디알릴비스페놀 A는, 납땜에서 상정되는 온도역에서 에폭시 수지의 경화를 촉진시키는 경화제로서 기능한다. 이에 의해, 에폭시 수지가 경화하여 플럭스 잔사가 됨으로써, 땜납에 의한 납땜 개소를, 에폭시 수지를 주성분으로 한 플럭스 잔사로 밀봉할 수 있다.
도 1은, 본 실시 형태의 땜납 접합부의 일례를 도시하는 구성도이다.
도 2a는, 본 실시 형태의 땜납 접합 방법의 일례를 도시하는 설명도이다.
도 2b는, 본 실시 형태의 땜납 접합 방법의 일례를 도시하는 설명도이다.
도 2c는, 본 실시 형태의 땜납 접합 방법의 일례를 도시하는 설명도이다.
도 2d는, 본 실시 형태의 땜납 접합 방법의 일례를 도시하는 설명도이다.
도 2e는, 본 실시 형태의 땜납 접합 방법의 일례를 도시하는 설명도이다.
도 2f는, 본 실시 형태의 땜납 접합 방법의 일례를 도시하는 설명도이다.
도 2g는, 본 실시 형태의 땜납 접합 방법의 일례를 도시하는 설명도이다.
<본 실시 형태의 플럭스 조성물의 일례>
본 실시 형태의 플럭스 조성물은, 페놀계 경화제로서 디알릴비스페놀 A를 포함한다. 또한, 본 실시 형태의 플럭스 조성물은, 에폭시 수지와 유기산을 포함한다.
디알릴비스페놀 A는, 알릴기와 페놀성 수산기를 갖는 화합물이다. 디알릴비스페놀 A는, 납땜에서 상정되는 온도역에서 에폭시 수지의 경화를 촉진시키는 경화제로서 기능한다. 또한, 디알릴비스페놀 A는, 납땜에서 상정되는 온도역에서 활성을 갖고 활성제로서 기능한다. 또한, 디알릴비스페놀 A는, 상온에서 인쇄, 전사 등에 의한 도포가 가능한 점성을 플럭스 조성물에 갖게 한다.
디알릴비스페놀 A 이외의 페놀계 경화제를, 에폭시 수지의 경화제로서 포함하는 플럭스 조성물에서는, 기판 등에 플럭스 조성물을 도포하는 행정에서, 플럭스 조성물을 가열하여 필름을 형성할 필요가 있다. 플럭스 조성물이 가열되면, 에폭시 수지와 활성제의 반응이 촉진되고, 활성제와 에폭시 수지가 반응하면, 땜납이 젖기 전에 에폭시 수지가 경화할 가능성이 있다. 또한, 활성제와 에폭시 수지가 반응하면, 금속 산화물을 화학적으로 제거하는 활성이 충분하지 않게 되어, 땜납의 습윤성이 악화된다.
그래서, 본 실시 형태의 플럭스 조성물은, 페놀계 경화제로서 디알릴비스페놀 A를, 플럭스 조성물의 전체를 100으로 한 경우, 15wt％ 이상 45wt％ 이하, 바람직하게는 30wt％ 이상 40wt％ 이하 포함한다.
본 실시 형태의 플럭스 조성물은, 에폭시 수지를 20wt％ 이상 50wt％ 이하, 바람직하게는 25wt％ 이상 45wt％ 이하 포함한다. 또한, 본 실시 형태의 플럭스는, 유기산을 1wt％ 이상 30wt％ 이하, 바람직하게는 5wt％ 이상 20wt％ 이하 포함한다.
또한, 본 실시 형태의 플럭스 조성물은, 소정량의 디알릴비스페놀 A를 포함하는 것이라면, 다른 페놀계 경화제를 포함해도 되고, 다른 페놀계 경화제를 0wt％ 이상 10wt％ 이하 포함한다.
또한, 본 실시 형태의 플럭스 조성물은, 아민을 0wt％ 이상 10wt％ 이하, 아민할로겐 수소산염을 0wt％ 이상 2wt％ 이하, 유기 할로겐 화합물을 0wt％ 이상 5wt％ 이하, 틱소제를 0wt％ 이상 10wt％ 이하, 그 밖의 첨가제로서 실란 커플링제를 0wt％ 이상 2wt％ 이하, 소포제를 0wt％ 이상 2wt％ 이하, 용제를 0wt％ 이상 20wt％ 이하 포함한다.
에폭시 수지로서는, 비스페놀형으로서, 비스페놀 A형, 비스페놀 AP형, 비스페놀 AF형, 비스페놀 B형, 비스페놀 BP형, 비스페놀 C형, 비스페놀 E형, 비스페놀 F형, 비스페놀 G형, 비스페놀 M형, 비스페놀 S형, 비스페놀 P형, 비스페놀 PH형, 비스페놀 TMC형, 비스페놀 Z형, 비페닐형 에폭시 수지, 디페닐에테르형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 아미노페놀형 에폭시 수지, 3',4'-에폭시시클로헥산카르복실산3,4-에폭시시클로헥실메틸 등을 들 수 있다.
유기산으로서는, 글루타르산, 아디프산, 아젤라산, 에이코산이산, 시트르산, 글리콜산, 숙신산, 살리실산, 디글리콜산, 디피콜린산, 디부틸아닐린디글리콜산, 수베르산, 세바스산, 티오글리콜산, 이소프탈산, 테레프탈산, 도데칸이산, 파라히드록시페닐아세트산, 피콜린산, 페닐숙신산, 프탈산, 푸마르산, 말레산, 말론산, 라우르산, 벤조산, 타르타르산, 이소시아누르산트리스(2-카르복시에틸), 글리신, 1,3-시클로헥산디카르복실산, 2,2-비스(히드록시메틸)프로피온산, 2,2-비스(히드록시메틸)부탄산, 2,3-디히드록시벤조산, 2,4-디에틸글루타르산, 2-퀴놀린카르복실산, 3-히드록시벤조산, 말산, p-아니스산, 스테아르산, 12-히드록시스테아르산, 올레산, 리놀레산, 리놀렌산 등을 들 수 있다.
또한, 유기산으로서는, 모노카르복실산을 2량체화시킨 다이머산, 다이머산에 수소를 첨가한 수소 첨가물인 수소 첨가 다이머산, 모노카르복실산을 3량체화시킨 트리머산, 트리머산에 수소를 첨가한 수소 첨가물인 수소 첨가 트리머산을 들 수 있다.
다이머산, 트리머산, 및 그것들의 수소 첨가물로서는, 예를 들어 올레산과 리놀레산의 반응물인 다이머산, 올레산과 리놀레산의 반응물인 트리머산, 아크릴산의 반응물인 다이머산, 아크릴산의 반응물인 트리머산, 메타크릴산의 반응물인 다이머산, 메타크릴산의 반응물인 트리머산, 아크릴산과 메타크릴산의 반응물인 다이머산, 아크릴산과 메타크릴산의 반응물인 트리머산, 올레산의 반응물인 다이머산, 올레산의 반응물인 트리머산, 리놀레산의 반응물인 다이머산, 리놀레산의 반응물인 트리머산, 리놀렌산의 반응물인 다이머산, 리놀렌산의 반응물인 트리머산, 아크릴산과 올레산의 반응물인 다이머산, 아크릴산과 올레산의 반응물인 트리머산, 아크릴산과 리놀레산의 반응물인 다이머산, 아크릴산과 리놀레산의 반응물인 트리머산, 아크릴산과 리놀렌산의 반응물인 다이머산, 아크릴산과 리놀렌산의 반응물인 트리머산, 메타크릴산과 올레산의 반응물인 다이머산, 메타크릴산과 올레산의 반응물인 트리머산, 메타크릴산과 리놀레산의 반응물인 다이머산, 메타크릴산과 리놀레산의 반응물인 트리머산, 메타크릴산과 리놀렌산의 반응물인 다이머산, 메타크릴산과 리놀렌산의 반응물인 트리머산, 올레산과 리놀렌산의 반응물인 다이머산, 올레산과 리놀렌산의 반응물인 트리머산, 리놀레산과 리놀렌산의 반응물인 다이머산, 리놀레산과 리놀렌산의 반응물인 트리머산, 상술한 각 다이머산의 수소 첨가물인 수소 첨가 다이머산, 상술한 각 트리머산의 수소 첨가물인 수소 첨가 트리머산 등을 들 수 있다.
디알릴비스페놀 A 이외의 페놀계 경화제로서는, 페놀노볼락형 경화제 등을 들 수 있다.
아민으로서는, 모노에탄올아민, 디페닐구아니딘, 디톨릴구아니딘, 에틸아민, 트리에틸아민, 에틸렌디아민, 트리에틸렌테트라민, 2-메틸이미다졸, 2-이소데실이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 2,3-디히드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린, 2,4-디아미노-6-비닐-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-비닐-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2,4-디아미노-6-메타크릴로일옥시에틸-s-트리아진, 에폭시-이미다졸 어덕트, 2-메틸벤조이미다졸, 2-옥틸벤조이미다졸, 2-펜틸벤조이미다졸, 2-(1-에틸펜틸)벤조이미다졸, 2-노닐벤조이미다졸, 2-(4-티아졸릴)벤조이미다졸, 벤조이미다졸, 2-(2'-히드록시-5'-메틸페닐)벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-3'-tert-부틸-5'-메틸페닐)-5-클로로벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-3',5'-디-tert-아밀페닐)벤조트리아졸, 2-(2'-히드록시-5'-tert-옥틸페닐)벤조트리아졸, 2,2'-메틸렌비스[6-(2H-벤조트리아졸-2-일)-4-tert-옥틸페놀], 6-(2-벤조트리아졸릴)-4-tert-옥틸-6'-tert-부틸-4'-메틸-2,2'-메틸렌비스페놀, 1,2,3-벤조트리아졸, 1-[N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸]벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 1-[N,N-비스(2-에틸헥실)아미노메틸]메틸벤조트리아졸, 2,2'-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노]비스에탄올, 1-(1',2'-디카르복시에틸)벤조트리아졸, 1-(2,3-디카르복시프로필)벤조트리아졸, 1-[(2-에틸헥실아미노)메틸]벤조트리아졸, 2,6-비스[(1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]-4-메틸페놀, 5-메틸벤조트리아졸, 5-페닐테트라졸 등을 들 수 있다.
할로겐으로서의 아민할로겐화 수소산염은, 아민과 할로겐화 수소를 반응시킨 화합물이고, 아닐린염화수소, 아닐린브롬화수소 등을 들 수 있다. 아민할로겐화 수소산염의 아민으로서는, 상술한 아민을 사용할 수 있고, 에틸아민, 에틸렌디아민, 트리에틸아민, 메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸 등을 들 수 있고, 할로겐화 수소로서는, 염소, 브롬, 요오드, 불소의 수소화물(염화수소, 브롬화수소, 요오드화수소, 불화수소)을 들 수 있다. 또한, 아민할로겐화 수소산염 대신에, 혹은 아민할로겐화 수소산염과 합쳐서 붕불화물을 포함해도 되고, 붕불화물로서 붕불화수소산 등을 들 수 있다.
할로겐으로서의 유기 할로겐 화합물로서는, trans-2,3-디브로모-2-부텐-1,4-디올, trans-2,3-디브로모-1,4-부텐디올, 트리알릴이소시아누레이트6브롬화물, 1-브로모-2-부탄올, 1-브로모-2-프로판올, 3-브로모-1-프로판올, 3-브로모-1,2-프로판디올, 1,4-디브로모-2-부탄올, 1,3-디브로모-2-프로판올, 2,3-디브로모-1-프로판올, 2,3-디브로모-1,4-부탄디올, 2,3-디브로모-2-부텐-1,4-디올 등을 들 수 있다.
틱소제로서는, 왁스계 틱소제, 아미드계 틱소제를 들 수 있다. 왁스계 틱소제로서는 예를 들어 경화 피마자유 등을 들 수 있다. 아미드계 틱소제로서는 라우르산아미드, 팔미트산아미드, 스테아르산아미드, 베헨산아미드, 히드록시스테아르산아미드, 포화지방산아미드, 올레산아미드, 에루크산아미드, 불포화지방산아미드, p-톨루엔메탄아미드, 방향족 아미드, 메틸렌비스스테아르산아미드, 에틸렌비스라우르산아미드, 에틸렌비스히드록시스테아르산아미드, 포화지방산비스아미드, 메틸렌비스올레산아미드, 불포화지방산비스아미드, m-크실릴렌비스스테아르산아미드, 방향족 비스아미드, 포화지방산폴리아미드, 불포화지방산폴리아미드, 방향족 폴리아미드, 치환 아미드, 메틸올스테아르산아미드, 메틸올아미드, 지방산에스테르아미드 등을 들 수 있다.
실란 커플링제로서는, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, p-스티릴트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실릴-N-(1,3-디메틸-부틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, 트리스-(트리메톡시실릴프로필)이소시아누레이트, 3-우레이도프로필트리에톡시실란, 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란, 3-머캅토프로필트리메톡시실란, 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라술피드, 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다.
소포제로서는, 아크릴 폴리머, 비닐에테르 폴리머, 부타디엔 폴리머 등을 들 수 있다.
용제로서는, 알코올계 용제, 글리콜에테르계 용제, 테르피네올류 등을 들 수 있다. 알코올계 용제로서는 에탄올, 공업용 에탄올(에탄올에 메탄올 및/또는 이소프로필알코올을 첨가한 혼합 용제), 이소프로필알코올, 1,2-부탄디올, 이소보르닐시클로헥산올, 2,4-디에틸-1,5-펜탄디올, 2,2-디메틸-1,3-프로판디올, 2,5-디메틸-2,5-헥산디올, 2,5-디메틸-3-헥신-2,5-디올, 2,3-디메틸-2,3-부탄디올, 1,1,1-트리스(히드록시메틸)에탄, 2-에틸-2-히드록시메틸-1,3-프로판디올, 2,2'-옥시비스(메틸렌)비스(2-에틸-1,3-프로판디올), 2,2-비스(히드록시메틸)-1,3-프로판디올, 1,2,6-트리히드록시헥산, 비스[2,2,2-트리스(히드록시메틸)에틸]에테르, 1-에티닐-1-시클로헥산올, 1,4-시클로헥산디올, 1,4-시클로헥산디메탄올, 에리트리톨, 트레이톨, 구아야콜글리세롤에테르, 3,6-디메틸-4-옥틴-3,6-디올, 2,4,7,9-테트라메틸-5-데신-4,7-디올 등을 들 수 있다. 글리콜에테르계 용제로서는, 헥실디글리콜, 디에틸렌글리콜모노-2-에틸헥실에테르, 에틸렌글리콜모노페닐에테르, 2-메틸펜탄-2,4-디올, 디에틸렌글리콜모노헥실에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸디글리콜에테르 등을 들 수 있다.
<본 실시 형태의 땜납 페이스트의 일례>
본 실시 형태의 땜납 페이스트는, 상술한 플럭스 조성물과, 금속 분말을 포함한다. 금속 분말은, Pb를 포함하지 않는 땜납인 것이 바람직하고, Sn 단체, 또는, Sn-Ag계, Sn-Cu계, Sn-Ag-Cu계, Sn-Bi계, Sn-In계 등, 혹은, 이들의 합금에 Sb, Bi, In, Cu, Zn, As, Ag, Cd, Fe, Ni, Co, Au, Ge, P 등을 첨가한 땜납의 분체로 구성된다.
<본 실시 형태의 땜납 접합부의 일례>
도 1은, 본 실시 형태의 땜납 접합부의 일례를 도시하는 구성도이다. 본 실시 형태의 땜납 접합부(1A)는, 상술한 플럭스 조성물을 사용하여, 전자 부품(10)과 기판(11)이 땜납 H로 접합된 것이다. 상술한 본 실시 형태의 플럭스 조성물은, 에폭시 수지가 경화하여 납땜 후에 잔존함으로써, 땜납 H에 의한 납땜 개소가, 에폭시 수지가 경화한 수지 조성물에 의한 플럭스 잔사 Fr로 밀봉된다.
땜납 H는, 땜납에 의한 땜납 볼, Cu 등의 핵을 해당 땜납으로 피복한 핵 볼, 상술한 플럭스 조성물과 땜납에 의한 금속 분말을 포함하는 페이스트 등을 사용한 것이다. 여기서, 땜납은, Sn-Ag계 합금, Sn-Cu계 합금, Sn-Ag-Cu계 합금, Sn-Bi계 합금, Sn-In계 합금 등, 혹은, Sn 단체, 또는, 이들의 합금에 Sb, Bi, In, Cu, Zn, As, Ag, Cd, Fe, Ni, Co, Au, Ge, P 등을 첨가한 것이다.
<본 실시 형태의 땜납 접합 방법의 일례>
도 2a, 도 2b, 도 2c, 도 2d, 도 2e, 도 2f 및 도 2g는, 본 실시 형태의 땜납 접합 방법의 일례를 도시하는 설명도이다. 먼저, 도 2a의 공정 1에 나타내는 바와 같이, 전자 부품(10)의 전극(10a)에, 상술한 플럭스 조성물 F를 전사, 인쇄 등에 의해 도포한다.
이어서, 도 2b의 공정 2에 나타내는 바와 같이, 플럭스 조성물 F에, 상술한 땜납에 의한 땜납 볼 HB를 얹는다. 또한, 핵 볼을 사용해도 된다. 이어서, 도 2c의 공정 3에 나타내는 바와 같이, 리플로우 장치를 사용하여 땜납을 용융시켜, 전자 부품(10)의 전극(10a)에 땜납 범프 HBp를 형성한다. 땜납 범프 HBp를 형성하는 행정에서, 플럭스 조성물 F 중의 에폭시 수지가 경화하여 플럭스 잔사 Fr이 된다.
이어서, 도 2d의 공정 4에 나타내는 바와 같이, 기판(11)의 전극(11a)에, 상술한 플럭스 조성물 F를 전사, 인쇄 등에 의해 도포하고, 도 2e의 공정 5에 나타내는 바와 같이, 기판(11)의 전극(11a)에 도포한 플럭스 조성물 F에, 전자 부품(10)의 땜납 범프 HBp를 얹는다.
이어서, 도 2f의 공정 6에 나타내는 바와 같이, 리플로우 장치를 사용하여 땜납을 용융시켜, 전자 부품(10)과 기판(11)을 땜납 H로 접합한다. 상술한 본 실시 형태의 플럭스 조성물은, 에폭시 수지가 경화하여 납땜 후에 잔존함으로써, 땜납 H에 의한 납땜 개소가, 에폭시 수지가 경화한 수지 조성물에 의한 플럭스 잔사 Fr로 밀봉된다.
또한, 도 2g의 공정 7에 나타내는 바와 같이, 전자 부품(10)과 기판(11) 사이에 에폭시 수지 등의 열경화성의 수지 R을 충전하고, 가열에 의해 수지 R을 경화시켜서, 전자 부품(10)과 기판(11) 사이를 밀봉한다.
<본 실시 형태의 플럭스 조성물, 땜납 페이스트, 땜납 접합부 및 땜납 접합 방법의 작용 효과예>
디알릴비스페놀 A를 15wt％ 이상 45wt％ 이하, 에폭시 수지를 20wt％ 이상 50wt％ 이하, 유기산을 1wt％ 이상 30wt％ 이하 포함하는 플럭스 조성물은, 상온에서 인쇄, 전사 등에 의한 도포가 가능한 점성을 갖는다.
이에 의해, 상술한 땜납 접합 방법으로, 전자 부품(10)의 전극(10a) 및 기판(11)의 전극(11a)에 플럭스 조성물을 도포하는 행정에서, 플럭스 조성물을 가열할 필요가 없고, 유기산과 에폭시 수지의 반응을 억제할 수 있다.
또한, 디알릴비스페놀 A는, 납땜에서 상정되는 온도역에서 활성을 갖고 활성제로서 기능한다. 이에 의해, 플럭스 조성물에 소정량의 디알릴비스페놀 A와 유기산을 포함함으로써, 상술한 땜납 접합 방법으로, 땜납 H를 전자 부품(10)의 전극(10a) 및 기판(11)의 전극(11a)에 습윤 확산되게 할 수 있다.
또한, 디알릴비스페놀 A는, 납땜에서 상정되는 온도역에서 에폭시 수지의 경화를 촉진시키는 경화제로서 기능한다. 이에 의해, 상술한 땜납 접합 방법으로, 에폭시 수지가 경화하여 플럭스 잔사 Fr이 됨으로써, 땜납 H에 의한 납땜 개소를, 에폭시 수지를 주성분으로 한 플럭스 잔사 Fr로 밀봉할 수 있다.
실시예
이하의 표 1에 나타내는 조성으로 실시예와 비교예의 플럭스 조성물을 조합하고, 납땜성, 인쇄성 및 플럭스 잔사 경화성에 대하여 검증하였다. 또한, 표 1에 있어서의 조성률은, 플럭스 조성물의 전량을 100으로 한 경우의 wt(중량)％이다. 또한, 표 1에 있어서 페놀계 경화제로서 개시된 디알릴비스페놀 A의 CAS No.는 1745-89-7이다.
<납땜성의 평가>
(1) 검증 방법
납땜성의 평가는, Cu판 상에 각 실시예, 각 비교예의 플럭스 조성물을 도포하고, Cu판 상에 도포한 플럭스 조성물 상에 땜납 볼을 탑재하고, 리플로우를 행한 후, 땜납 번짐 직경을 측정하였다. 리플로우 공정은, 피크 온도를 250℃로 설정한 리플로우 장치를 사용하여, 35℃에서 1초마다 1℃씩 250℃까지 온도를 상승시켜 가고, 250℃에 달한 후 30초간 가열 처리를 행하였다. 땜납 볼은, Sn-3Ag-0.5Cu로 표기되는 조성이고, Ag를 3.0wt％, Cu를 0.5wt％ 포함하고, 잔부가 Sn(96.5wt％)이다. 땜납 볼의 직경은, 0.3mm이다.
(2) 판정 기준
○: 땜납의 확장 직경이 510㎛ 이상이었다.
×: 땜납의 확장 직경이 510㎛ 미만이었다.
<인쇄성의 평가>
(1) 검증 방법
개구 직경 0.24mm, 두께 0.1mm의 메탈 마스크와 메탈 스퀴지를 사용하여, Cu판 상에 각 실시예, 각 비교예의 플럭스 조성물을 도포하고, 그 후, 플럭스 조성물의 도포량을 측정하였다.
(2) 판정 기준
○: 플럭스의 도포량이 80％ 이상이었다.
×: 플럭스의 도포량이 80％ 미만이었다.
<플럭스 잔사 경화성의 평가>
(1) 검증 방법
Cu판 상에 각 실시예, 각 비교예의 플럭스 조성물을 도포하고, 리플로우를 행한 후, 플럭스 잔사 경화성을 확인하였다. 리플로우 공정은, 피크 온도를 250℃로 설정한 리플로우 장치를 사용하여, 35℃에서 1초마다 1℃씩 250℃까지 온도를 상승시켜도 가고, 250℃에 달한 후 30초간 가열 처리를 행하였다.
(2) 판정 기준
○: 잔사가 경화되어 있었다(고체화).
×: 잔사가 경화되어 있지 않았다(액상 또는 페이스트상).
<종합 평가>
○: 납땜성, 인쇄성 및 플럭스 잔사 경화성의 평가 모두가 ○였다.
×: 납땜성, 인쇄성 및 플럭스 잔사 경화성의 평가의 어느 하나, 또는 전부가 ×였다.
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디알릴비스페놀 A를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 35wt％ 포함하고, 에폭시 수지를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 40wt％ 포함하고, 유기산으로서 글루타르산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 유기산으로서 다이머산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 10wt％ 포함하고, 유기산의 합계가 본 발명에서 규정되는 범위 내이고, 또한, 아민으로서 디톨릴구아니딘을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 용제로서 헥실디글리콜을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하는 실시예 1에서는, 땜납의 확장 직경이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 납땜성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 조성물의 도포량이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 인쇄성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 잔사의 경화의 정도가 상술한 판정 기준을 만족시키고, 플럭스 잔사 경화성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다.
디알릴비스페놀 A를, 본 발명에서 규정되는 범위 내의 상한에서 45wt％ 포함하고, 에폭시 수지를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 40wt％ 포함하고, 유기산으로서 글루타르산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 유기산으로서 다이머산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 유기산의 합계가 본 발명에서 규정되는 범위 내이고, 또한, 아민으로서 디톨릴구아니딘을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 2wt％ 포함하고, 용제로서 헥실디글리콜을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 3wt％ 포함하는 실시예 2에서도, 땜납의 확장 직경이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 납땜성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 조성물의 도포량이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 인쇄성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 잔사의 경화의 정도가 상술한 판정 기준을 만족시키고, 플럭스 잔사 경화성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다.
디알릴비스페놀 A를, 본 발명에서 규정되는 범위 내의 하한으로 15wt％ 포함하고, 에폭시 수지를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 35wt％ 포함하고, 유기산으로서 글루타르산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 유기산으로서 다이머산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 10wt％ 포함하고, 유기산의 합계가 본 발명에서 규정되는 범위 내이고, 또한, 아민으로서 디톨릴구아니딘을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 틱소제로서 경화 피마자유를 5wt％, 비스아미드계 틱소제를 5wt％ 포함하고, 틱소제의 합계가 본 발명에서 규정되는 범위 내이고, 용제로서 헥실디글리콜을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 20wt％ 포함하는 실시예 3에서도, 땜납의 확장 직경이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 납땜성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 조성물의 도포량이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 인쇄성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 잔사의 경화의 정도가 상술한 판정 기준을 만족시키고, 플럭스 잔사 경화성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다.
디알릴비스페놀 A를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 25wt％ 포함하고, 그 밖의 페놀계 경화제로서, 페놀노볼락형 경화제를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 10wt％ 포함하고, 에폭시 수지를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 40wt％ 포함하고, 유기산으로서 글루타르산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 유기산으로서 다이머산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 10wt％ 포함하고, 유기산의 합계가 본 발명에서 규정되는 범위 내이고, 또한, 아민으로서 디톨릴구아니딘을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 용제로서 헥실디글리콜을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하는 실시예 4에서도, 땜납의 확장 직경이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 납땜성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 조성물의 도포량이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 인쇄성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 잔사의 경화의 정도가 상술한 판정 기준을 만족시키고, 플럭스 잔사 경화성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다.
디알릴비스페놀 A를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 30wt％ 포함하고, 에폭시 수지를, 본 발명에서 규정되는 범위 내의 상한에서 50wt％ 포함하고, 유기산으로서 글루타르산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 3.5wt％ 포함하고, 유기산으로서 다이머산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 3.5wt％ 포함하고, 유기산의 합계가 본 발명에서 규정되는 범위 내이고, 또한, 아민으로서 디톨릴구아니딘을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 10wt％ 포함하고, 용제로서 헥실디글리콜을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 3wt％ 포함하는 실시예 5에서도, 땜납의 확장 직경이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 납땜성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 조성물의 도포량이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 인쇄성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 잔사의 경화의 정도가 상술한 판정 기준을 만족시키고, 플럭스 잔사 경화성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다.
디알릴비스페놀 A를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 35wt％ 포함하고, 에폭시 수지를, 본 발명에서 규정되는 범위 내의 하한에서 20wt％ 포함하고, 유기산으로서 글루타르산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 유기산으로서 다이머산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 10wt％ 포함하고, 유기산의 합계가 본 발명에서 규정되는 범위 내이고, 또한, 아민으로서 디톨릴구아니딘을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 틱소제로서 비스아미드계 틱소제를 5wt％ 포함하고, 용제로서 헥실디글리콜을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 20wt％ 포함하는 실시예 6에서도, 땜납의 확장 직경이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 납땜성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 조성물의 도포량이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 인쇄성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 잔사의 경화의 정도가 상술한 판정 기준을 만족시키고, 플럭스 잔사 경화성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다.
디알릴비스페놀 A를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 25wt％ 포함하고, 에폭시 수지를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 35wt％ 포함하고, 유기산으로서 아젤라산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 유기산으로서 다이머산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 25wt％ 포함하고, 유기산의 합계가 본 발명에서 규정되는 범위 내이고, 또한, 아민으로서 디톨릴구아니딘을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 용제로서 헥실디글리콜을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하는 실시예 7에서도, 땜납의 확장 직경이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 납땜성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 조성물의 도포량이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 인쇄성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 잔사의 경화의 정도가 상술한 판정 기준을 만족시키고, 플럭스 잔사 경화성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다.
디알릴비스페놀 A를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 35wt％ 포함하고, 에폭시 수지를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 40wt％ 포함하고, 유기산으로서 글루타르산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 유기산으로서 다이머산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 1wt％ 포함하고, 유기산의 합계가 본 발명에서 규정되는 범위 내이고, 또한, 아민으로서 디톨릴구아니딘을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 7wt％ 포함하고, 아민할로겐화 수소산염으로서 에틸아민·HBr을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 2wt％ 포함하고, 유기 할로겐 화합물로서, trans-2,3-디브로모-2-부텐-1,4-디올을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 용제로서 헥실디글리콜을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하는 실시예 8에서도, 땜납의 확장 직경이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 납땜성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 조성물의 도포량이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 인쇄성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 잔사의 경화의 정도가 상술한 판정 기준을 만족시키고, 플럭스 잔사 경화성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다.
디알릴비스페놀 A를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 35wt％ 포함하고, 에폭시 수지를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 40wt％ 포함하고, 유기산으로서 글루타르산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 유기산으로서 다이머산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 10wt％ 포함하고, 유기산의 합계가 본 발명에서 규정되는 범위 내이고, 또한, 아민으로서 디톨릴구아니딘을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 2.5wt％ 포함하고, 아민인 이미다졸로서 2-이소데실이미다졸을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 2.5wt％ 포함하고, 아민의 합계가 본 발명에서 규정되는 범위 내이고, 용제로서 헥실디글리콜을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하는 실시예 9에서도, 땜납의 확장 직경이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 납땜성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 조성물의 도포량이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 인쇄성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 잔사의 경화의 정도가 상술한 판정 기준을 만족시키고, 플럭스 잔사 경화성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다.
디알릴비스페놀 A를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 35wt％ 포함하고, 에폭시 수지를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 40wt％ 포함하고, 유기산으로서 글루타르산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 유기산으로서 다이머산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 6wt％ 포함하고, 유기산의 합계가 본 발명에서 규정되는 범위 내이고, 또한, 아민으로서 디톨릴구아니딘을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 첨가제인 실란 커플링제로서 N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 2wt％ 포함하고, 첨가제인 기소제로서 아크릴 폴리머를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 2wt％ 포함하고, 첨가제의 합계가 본 발명에서 규정되는 범위 내이고, 용제로서 헥실디글리콜을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하는 실시예 10에서도, 땜납의 확장 직경이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 납땜성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 조성물의 도포량이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 인쇄성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 잔사의 경화의 정도가 상술한 판정 기준을 만족시키고, 플럭스 잔사 경화성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다.
디알릴비스페놀 A를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 40wt％ 포함하고, 에폭시 수지를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 40wt％ 포함하고, 유기산으로서 글루타르산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 유기산으로서 다이머산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 10wt％ 포함하고, 유기산의 합계가 본 발명에서 규정되는 범위 내이고, 또한, 아민으로서 디톨릴구아니딘을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 용제를 포함하지 않는 실시예 11에서도, 땜납의 확장 직경이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 납땜성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 조성물의 도포량이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 인쇄성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 잔사의 경화의 정도가 상술한 판정 기준을 만족시키고, 플럭스 잔사 경화성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다.
이에 비해, 디알릴비스페놀 A를, 본 발명에서 규정되는 범위를 하회하는 5wt％ 포함하고, 에폭시 수지를, 본 발명에서 규정되는 범위를 초과해서 60wt％ 포함하고, 유기산으로서 글루타르산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 유기산으로서 다이머산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 10wt％ 포함하고, 유기산의 합계가 본 발명에서 규정되는 범위 내이고, 또한, 아민으로서 디톨릴구아니딘을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 용제로서 헥실디글리콜을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 15wt％ 포함하는 비교예 1에서는, 땜납의 확장 직경이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 납땜성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 다른 페놀계 경화제를 포함하지 않기 때문에, 플럭스 조성물의 도포량이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 인쇄성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 그러나, 에폭시 수지에 대하여 경화제의 양이 적기 때문에, 디알릴비스페놀 A를 포함하는 경우에도, 플럭스 잔사의 경화의 정도가 상술한 판정 기준을 만족시키지 않고, 플럭스 잔사 경화성에 대하여 효과를 얻지 못하였다.
또한, 디알릴비스페놀 A를 포함하지 않고, 에폭시 수지를, 본 발명에서 규정되는 범위를 초과해서 60wt％ 포함하고, 유기산으로서 글루타르산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 유기산으로서 다이머산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 10wt％ 포함하고, 유기산의 합계가 본 발명에서 규정되는 범위 내이고, 또한, 아민으로서 디톨릴구아니딘을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 용제로서 헥실디글리콜을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 20wt％ 포함하는 비교예 2에서도, 땜납의 확장 직경이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 납땜성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 다른 페놀계 경화제를 포함하지 않기 때문에, 플럭스 조성물의 도포량이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 인쇄성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 그러나, 디알릴비스페놀 A, 다른 페놀계 경화제의 어느 것도 포함하지 않기 때문에, 플럭스 잔사의 경화의 정도가 상술한 판정 기준을 만족시키지 않고, 플럭스 잔사 경화성에 대하여 효과를 얻지 못하였다.
또한, 디알릴비스페놀 A를, 본 발명에서 규정되는 범위를 초과해서 60wt％ 포함하고, 에폭시 수지를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 20wt％ 포함하고, 유기산으로서 글루타르산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 유기산으로서 다이머산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 유기산의 합계가 본 발명에서 규정되는 범위 내이고, 또한, 아민으로서 디톨릴구아니딘을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 용제로서 헥실디글리콜을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하는 비교예 3에서도, 땜납의 확장 직경이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 납땜성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 다른 페놀계 경화제를 포함하지 않기 때문에, 플럭스 조성물의 도포량이 상술한 판정 기준을 만족시키고, 인쇄성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 그러나, 에폭시 수지에 대하여 경화제의 양이 많기 때문에, 디알릴비스페놀 A를 포함하는 경우에도, 플럭스 잔사의 경화의 정도가 상술한 판정 기준을 만족시키지 않고, 플럭스 잔사 경화성에 대하여 효과를 얻지 못하였다.
또한, 디알릴비스페놀 A를 포함하지 않고, 그 밖의 페놀계 경화제로서, 페놀노볼락형 경화제를, 본 발명에서 규정되는 범위를 초과해서 35wt％ 포함하고, 에폭시 수지를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 40wt％ 포함하고, 유기산으로서 글루타르산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 유기산으로서 다이머산을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 10wt％ 포함하고, 유기산의 합계가 본 발명에서 규정되는 범위 내이고, 또한, 아민으로서 디톨릴구아니딘을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하고, 용제로서 헥실디글리콜을, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 5wt％ 포함하는 비교예 4에서는, 플럭스 잔사의 경화의 정도가 상술한 판정 기준을 만족시키고, 플럭스 잔사 경화성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 그러나, 디알릴비스페놀 A를 포함하지 않기 때문에, 활성제의 양이 부족하고, 땜납의 확장 직경이 상술한 판정 기준을 만족시키지 않고, 납땜성에 대하여 효과를 얻지 못하였다. 또한, 디알릴비스페놀 A를 포함하지 않음으로써, 다른 페놀계 경화제의 함유량을 종래 필요해진 양으로 하면, 플럭스 조성물의 도포량이 상술한 판정 기준을 만족시키지 않고, 인쇄성에 대하여 효과를 얻지 못하였다.
이상으로부터, 디알릴비스페놀 A를 15wt％ 이상 45wt％ 이하, 에폭시 수지를 20wt％ 이상 50wt％ 이하, 유기산을 1wt％ 이상 30wt％ 이하 포함하는 플럭스 조성물 및 이 플럭스 조성물을 사용한 땜납 페이스트, 땜납 접합부 및 땜납 접합 방법에서는, 납땜성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 인쇄성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다. 또한, 플럭스 잔사 경화성에 대하여 충분한 효과가 얻어졌다.
이들 효과는, 다른 페놀계 경화제, 아민, 아민할로겐화 수소산염, 유기 할로겐 화합물, 틱소제, 첨가제를, 본 발명에서 규정되는 범위 내에서 포함하는 것으로도 저해되지 않았다.

Claims (7)

  1. 에폭시 수지를 20wt％ 이상 50wt％ 이하,
    디알릴비스페놀 A를 15wt％ 이상 45wt％ 이하,
    유기산을 1wt％ 이상 30wt％ 이하 포함하는
    것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 또한 그 밖의 페놀계 경화제를 0wt％ 이상 10wt％ 이하,
    아민을 0wt％ 이상 10wt％ 이하
    용제를 0wt％ 이상 20wt％ 이하 포함하는
    것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 또한 아민할로겐화 수소산염을 0wt％ 이상 2wt％ 이하,
    유기 할로겐 화합물을 0wt％ 이상 5wt％ 이하,
    틱소제를 0wt％ 이상 10wt％ 이하,
    실란 커플링제를 0wt％ 이상 2wt％ 이하,
    소포제를 0wt％ 이상 2wt％ 이하 포함하는
    것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
  4. 제2항에 있어서, 또한 아민할로겐화 수소산염을 0wt％ 이상 2wt％ 이하,
    유기 할로겐 화합물을 0wt％ 이상 5wt％ 이하,
    틱소제를 0wt％ 이상 10wt％ 이하,
    실란 커플링제를 0wt％ 이상 2wt％ 이하,
    소포제를 0wt％ 이상 2wt％ 이하 포함하는
    것을 특징으로 하는 플럭스 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 플럭스 조성물과 땜납 분말을 혼합한
    것을 특징으로 하는 땜납 페이스트.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 플럭스 조성물을 사용한
    것을 특징으로 하는 땜납 접합부.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 플럭스 조성물을 사용한
    것을 특징으로 하는 땜납 접합 방법.
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