KR102277776B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법, 물품 제조 방법, 및 컴퓨터 프로그램 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법, 물품 제조 방법, 및 컴퓨터 프로그램 Download PDF

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Abstract

생산성의 관점에서 유리한 기판 처리 장치를 제공하는 것.
기판 처리 장치는, 제1 처리 장치에서 제1 처리가 행해진 복수의 기판에 대하여 각각 제2 처리를 병행하여 행하는 복수의 처리부와, 상기 복수의 처리부 중 상기 제2 처리를 정지한 처리부인 정지 처리부에 있어서 상기 제2 처리가 예정되어 있던 기판에 대한 상기 제1 처리의 실행의 금지를 하기 위한 정보를 상기 제1 처리 장치에 통지하는 통지부를 포함한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법, 물품 제조 방법, 및 컴퓨터 프로그램{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE, AND COMPUTER PROGRAM}
본 발명은, 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법, 물품 제조 방법, 및 프로그램에 관한 것이다.
각각이 패턴 형성 등의 기판 처리를 행하는 복수의 처리부를 구비하는, 소위 클러스터형의 기판 처리 장치(리소그래피 장치 등)가 있다. 물품의 회로 패턴의 미세화가 해마다 진전되어, 처리부에 대해서는 높은 정밀도가 요구되고 있다. 그러나 복수의 처리부 간에는, 설치 오차나 처리부 내의 동작이나 상태에 기기 차가 존재하기 때문에, 특정한 기판은 특정한 처리부에서밖에 처리가 실행되지 않도록 병렬 처리에 제약이 설정될 수 있다.
클러스터형 기판 처리 장치에는, 도포 현상 장치 등의 전처리 또는 후처리를 기판에 행하는 장치가 접속되며, 장치 전체에서 높은 생산성을 달성하기 위한 효율적인 제어가 요구된다. 특허문헌 1에는, 도포 현상 장치와 복수의 처리부 각각의 사이에 있어서의 정보 수수에 관한 방법이 기재되어 있다. 특허문헌 2에는, 기판의 공급 타이밍의 변화에 수반하여, 처리를 변경하는 방법이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 제2001-077009호 공보 일본 특허 공개 제2009-076581호 공보
클러스터 구조의 기판 처리 장치에 있어서는, 복수의 처리부 중 어느 처리부가 트러블 등에 의하여 메인터넌스 상태로 되더라도 생산 가동률을 가능한 한 높은 수준으로 유지하기 위해서는, 다른 처리부에는 기판 처리를 계속시키는 운용이 요망된다.
본 발명은, 예를 들어, 생산성의 관점에서 유리한 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면에 의하면, 제1 처리 장치에서 제1 처리가 행해진 복수의 기판에 대하여 각각 제2 처리를 병행하여 행하는 복수의 처리부와, 상기 복수의 처리부 중 상기 제2 처리를 정지한 처리부인 정지 처리부에 있어서 상기 제2 처리가 예정되어 있던 기판에 대한 상기 제1 처리의 실행의 금지를 하기 위한 정보를 상기 제1 처리 장치에 통지하는 통지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치가 제공된다.
본 발명에 의하면, 예를 들어, 생산성의 관점에서 유리한 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 실시 형태에 있어서의 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 도면.
도 2는 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면.
도 3은 임프린트 처리를 모식적으로 도시하는 도면.
도 4는 임프린트 장치 제어부의 구성예를 도시하는 도면.
도 5는 도포 장치 제어부의 구성예를 도시하는 도면.
도 6은 임프린트 장치의 동작의 흐름을 도시하는 도면.
도 7은 복수의 처리부의 감시 처리의 흐름을 도시하는 도면.
도 8은 도포 실행 테이블의 관리 처리의 흐름을 도시하는 도면.
도 9는 도포 장치에 있어서의 기판의 준비 및 반송 동작의 흐름을 도시하는 도면.
도 10은 리소그래피 장치의 기판 반송 동작의 흐름을 도시하는 도면.
도 11은 기판 반출순 테이블의 관리 동작을 설명하는 도면.
도 12는 도포 실행 테이블의 관리 동작을 설명하는 도면.
도 13은 기판 반출순 테이블의 관리 동작을 설명하는 도면.
도 14는 도포 실행 테이블의 관리 동작을 설명하는 도면.
도 15는 임프린트 실행 테이블의 관리 동작을 설명하는 도면.
도 16은 기판의 임프린트 처리순을 예시하는 도면.
도 17은 실시 형태에 있어서의 물품 제조 방법을 설명하는 도면.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세히 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태는 본 발명의 실시의 구체예를 나타내는 데 불과하며, 본 발명은 이하의 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하의 실시 형태 중에서 설명되어 있는 특징의 조합 모두가 본 발명의 과제 해결을 위하여 필수인 것이라고는 할 수 없다.
도 1은, 본 실시 형태에 있어서의 기판 처리 시스템(900)의 개략 구성을 도시하는 도면이다. 기판 처리 시스템(900)은, 제1 처리 장치와 제2 처리 장치를 포함할 수 있다. 제1 처리 장치는, 예를 들어, 패턴 형성을 위한 전처리로서 당해 패턴 형성을 위한 층의 형성을 기판에 행하는 장치이다. 예를 들어 제1 처리 장치는, 기판에 레지스트재(밀착재)의 도포 처리(제1 처리)를 행하는 기판 처리 장치, 즉 도포 장치(700)일 수 있다. 제2 처리 장치는, 패턴 형성 처리(제2 처리)를 행하는 기판 처리 장치로서의 리소그래피 장치(600)일 수 있다. 리소그래피 장치(600)는, 예를 들어, 제1 처리 장치에서 제1 처리가 행해진 복수의 기판에 대하여 각각 제2 처리로서 리소그래피 처리를 병행하여 행하는 복수의 처리부(101, 102, 103, 104)를 포함할 수 있다. 도포 장치(700)는, 각각 기판에 도포 처리를 행하는 복수의 도포 처리부(801, 802, 803, 804, 805, 806)를 포함할 수 있다. 리소그래피 장치(600)는, 각 처리부에서 각각의 기판에 대하여 병렬로 리소그래피 처리를 행할 수 있는 클러스터형의 구성을 취한다. 마찬가지로, 도포 장치(700)도, 각 도포 처리부에서 각각의 기판에 대하여 병렬로 도포 처리를 행할 수 있는 클러스터형의 구성을 취한다. 또한, 도포 장치(700)는, 전처리로서 기판에 도포 처리를 행하는 것 외에, 리소그래피 처리의 후처리로서 현상 처리도 행하는 도포 현상 장치(코터/디벨로퍼)여도 된다.
복수의 처리부(101, 102, 103, 104)의 각각은, 리소그래피 처리를 행하는 임프린트 장치, 노광 장치, 하전 입자선 묘화 장치 등일 수 있다. 임프린트 장치는, 기판 상에 공급된 수지 등의 임프린트재에 형(원판, 몰드)을 접촉시킨 상태에서 해당 임프린트재를 경화시킴으로써 기판 상에 패턴을 형성한다. 노광 장치는, 기판 상에 공급된 포토레지스트를 형을 통하여 노광함으로써, 해당 포토레지스트에 형의 패턴에 대응하는 잠상을 형성한다. 하전 입자선 묘화 장치는, 기판 상에 공급된 포토레지스트에 하전 입자선에 의하여 패턴을 묘화함으로써 해당 포토레지스트에 잠상을 형성한다.
이하에서는, 구체예를 제공하기 위하여, 복수의 처리부(101, 102, 103, 104)의 각각이 임프린트 장치로서 구성되는 예를 설명한다.
임프린트 장치는, 기판 상에 공급된 임프린트재를 형과 접촉시키고, 임프린트재에 경화용 에너지를 부여함으로써, 형의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성하는 장치이다. 임프린트재에는, 경화용 에너지가 부여되는 것에 의하여 경화되는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라 칭하는 경우도 있음)이 사용된다. 경화용 에너지로서는, 전자파, 열 등이 이용된다. 전자파로서는, 예를 들어, 그 파장이 10㎚ 이상 1㎜ 이하의 범위로부터 선택되는, 적외선, 가시광선, 자외선 등의 광이다. 경화성 조성물은, 광의 조사에 의하여, 또는 가열에 의하여 경화되는 조성물이다. 이 중, 광에 의하여 경화되는 광경화성 조성물은, 중합성 화합물과 광중합 개시제를 적어도 함유하며, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 함유해도 된다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면 활성제, 산화 방지제, 중합체 성분 등의 군에서 선택되는 적어도 1종이다. 임프린트재는, 스핀 코터나 슬릿 코터에 의하여 기판 상에 막상으로 부여된다. 또는 액체 분사 헤드에 의하여, 액적상, 또는 복수의 액적이 이어져서 생긴 섬상 또는 막상으로 되어 기판 상에 부여되어도 된다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는, 예를 들어 1m㎩·s 이상 100m㎩·s 이하이다. 기판에는, 유리, 세라믹스, 금속, 반도체, 수지 등이 사용되며, 필요에 따라, 그 표면에 기판과는 다른 재료를 포함하는 부재가 형성되어 있어도 된다. 기판으로서는, 구체적으로, 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리 등이 사용될 수 있다.
각각 임프린트 장치인 복수의 처리부(101, 102, 103, 104)는, 임프린트 환경을 일정한 온도 및 습도로 유지하고, 이물의 침입을 배제하기 위한 챔버(200)에 수용되어 있다. 챔버(200) 내에는, 복수의 처리부(101, 102, 103, 104)의 각각에 기판을 공급하고 회수하기 위한 반송 로봇(52)(반송부)이 설치되어 있다. 반송 로봇(52)은, 보유 지지 핸드(53)를 포함하며, 반송로(51)를 따라 이동 가능하다. 반송 로봇(52)은, 보유 지지 핸드(53)를 사용하여, 기판을 일시적으로 보관하는 기판 보관부(61)에 대하여 기판의 출납이 가능하다. 또한, 기판 보관부(61)는, 리소그래피 장치(600)의 외부에 설치되고, 리소그래피 장치(600)에 대하여 착탈 가능하게 구성되어 있어도 된다. 하지만, 착탈 가능하지 않아도 된다. 기판 보관부(61)는, 리소그래피 장치(600)의 내부에 설치되어 있어도 된다. 예를 들어, 기판 보관부(61)는, 복수의 처리부에 둘러싸인 위치에 설치되어 있어도 된다. 이 경우, 각 처리부는 기판 보관부(61)에 대한 액세스가 짧아지는 점에서 유리하다.
도포 장치(700)는, 각 도포부와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위한 반송 로봇(56)을 갖는다. 반송 로봇(56)은 반송로(57)를 따라 이동 가능하다. 또한, 도포 장치(700)는, 리소그래피 장치(600)와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위한 반송 로봇(54)을 갖는다. 반송 로봇(56)과 반송 로봇(54) 간의 기판의 수수는 수수 스테이션(55)에서 행해진다. 또한, 도포 장치(700)는, EFEM(60)와의 사이에서 기판의 수수를 행하기 위한 반송 로봇(58)을 갖는다. 반송 로봇(58)은, EFEM(60)로부터 미처리 기판을 반입하고, 리소그래피 처리 또는 현상 처리가 완료된 처리 완료 기판을 EFEM(60)에 전달할 수 있다. 도포 장치(700)는, 예를 들어 FOUP(59)를 가지며, 반송 로봇(58)과 EFEM(60) 사이의 기판의 수수는 FOUP(59)를 통하여 행해진다. 또한, FOUP는, Front Opening Unified Pod, EFEM은 Equipment Front End Module의 약어이다.
임프린트 장치 제어부(400)는, CPU나 메모리 등을 포함하며, 복수의 처리부(101 내지 104) 각각의 동작의 제어와, 외부와의 정보의 수수를 행한다. 임프린트 장치 제어부(400)의 상세에 대해서는 후술한다. 도포 장치 제어부(500)는, 임프린트 장치 제어부(400)와 마찬가지로, CPU나 메모리 등을 포함하며, 복수의 도포 처리부(801 내지 806) 각각의 동작의 제어와, 외부와의 정보의 수수를 행한다. 도포 장치 제어부(500)의 상세에 대해서는 후술한다. 임프린트 장치 제어부(400)와 도포 장치 제어부(500)는 직접 정보를 수수할 수 있도록 접속되어 있다. 또한, 임프린트 장치 제어부(400) 및 도포 장치 제어부(500)는 각각, 네트워크(301)를 통하여, 컴퓨터(300)와 접속되어 있다.
도 2는, 리소그래피 장치(600)에 있어서의 각 처리부가 구성하는 임프린트 장치(100)의 구성을 도시하는 개략도이다. 임프린트 장치(100)는, 기판(1) 상에 임프린트재를 공급하고, 해당 임프린트재에 몰드(18)(원판, 형, 템플릿이라고도 칭해짐)를 접촉시킨 상태에서 해당 임프린트재를 경화시키는 임프린트 처리를 행한다. 임프린트 장치(100)는, 본 실시 형태에서는, 임프린트재의 경화법으로서, 자외선(UV 광)의 조사에 의하여 임프린트재를 경화시키는 광경화법을 채용한다. 따라서, 임프린트 장치(100)는, 기판(1) 상에 임프린트재를 공급하고, 임프린트재와 몰드(18)(의 패턴면)를 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시킴으로써 기판(1)의 표면 상에 패턴을 형성한다. 단, 임프린트 장치(100)는, 그 외의 파장 영역의 광의 조사에 의하여 임프린트재를 경화시켜도 되고, 그 외의 에너지, 예를 들어, 열에 의하여 임프린트재를 경화시키는 열경화법을 채용해도 된다. 또한, 이하에서는, 기판 상의 임프린트재에 대하여 조사하는 자외선의 광축에 평행인 방향을 Z축이라 하고, Z축에 수직인 평면 내에서 서로 직교하는 방향을 X축 및 Y축이라 한다.
임프린트 장치(100)에 있어서, 몰드 헤드(16)는, 패턴면 P를 갖는 몰드(18)를 보유 지지하는 몰드 척(17)을 포함한다. 몰드(18)의 패턴면 P에는, 기판(1)에 형성할 패턴에 대응하는 요철 패턴이 형성되어 있다. 검출부(26)는, 예를 들어 CCD 카메라로 구성되며, 몰드(18) 및 그 주변의 화상을 취득한다. 이 취득된 화상에 의하여, 기판 상의 임프린트재에 대한 몰드(18)의 접촉 상태, 기판 상의 임프린트재의 몰드(18)에 대한 충전 상태, 기판 상의 임프린트재로부터의 몰드(18)의 이형 상태를 관찰하는 것이 가능하다. 또한, 기판 스테이지(7)가 이동함으로써, 기판 주변부와 기판 척의 위치 관계를 관찰하는 것도 가능하다.
몰드 척(17)은, 예를 들어, 진공 흡착에 의하여 몰드(18)를 보유 지지한다. 몰드 척(17)은, 몰드 척(17)으로부터의 몰드(18)의 탈락을 방지하는 구조를 갖고 있어도 된다. 본 실시 형태에서는, 몰드 척(17)은, 몰드 헤드(16)와 견고하게 결합해 있다. 몰드 헤드(16)는, 브리지 구조체(8)를 기준으로 하여, 적어도, Z, ωX 및 ωY의 3축 방향으로 이동하는 것이 가능한 기구를 갖는다. 몰드 헤드(16)는, 연결 부재(15)를 통하여, 브리지 구조체(8)에 연결되며, 브리지 구조체(8)에 의하여 지지되어 있다. 또한, 얼라인먼트 계측부(12)도 브리지 구조체(8)에 의하여 지지되어 있다.
얼라인먼트 계측부(12)는, 몰드(18)와 기판(1)의 위치 정렬(얼라인먼트)을 위한 얼라인먼트 계측을 행한다. 얼라인먼트 계측부(12)는, 본 실시 형태에서는, 몰드(18)에 설치된 마크 및 기판 스테이지(7)나 기판(1)에 설치된 마크를 검출하여 얼라인먼트 신호를 생성하는 얼라인먼트 검출계를 포함한다. 또한, 얼라인먼트 계측부(12)는, 카메라를 포함하고 있어도 되며, 검출부(26)와 마찬가지로, 자외선의 조사에 의한 기판(1) 상의 임프린트재의 경화 상태(임프린트 상태)를 관찰하는 기능을 갖고 있어도 된다. 이 경우, 얼라인먼트 계측부(12)는, 기판 상의 임프린트재의 경화 상태뿐 아니라, 기판 상의 임프린트재에 대한 몰드(18)의 접촉 상태, 기판 상의 임프린트재의 몰드(18)에 대한 충전 상태도 관찰할 수 있다. 얼라인먼트 계측부(12)는 또한, 기판 상의 임프린트재로부터의 몰드(18)의 이형 상태도 관찰하는 것이 가능하다. 연결 부재(15)의 상방에는, 하프 미러(13)가 배치되어 있다. 경화용 광원(11)으로부터의 광은, 하프 미러(13)에서 반사되고, 몰드(18)를 투과하여 기판(1) 상의 임프린트재에 조사된다. 기판(1) 상의 임프린트재는, 경화용 광원(11)으로부터의 광의 조사에 의하여 경화된다.
브리지 구조체(8)는, 바닥으로부터의 진동을 절연하기 위한 공기 스프링(19)을 통하여, 베이스 정반(20)에 지지되어 있다. 공기 스프링(19)은, 액티브 방진 기능으로서 노광 장치에서 일반적으로 채용되고 있는 구조를 갖는다. 예를 들어, 공기 스프링(19)은, 브리지 구조체(8) 및 베이스 정반(20)에 설치된 XYZ 상대 위치 측정 센서, XYZ 구동용 리니어 모터, 공기 스프링의 내부의 에어 용량을 제어하는 서보 밸브 등을 포함한다. 브리지 구조체(8)에는, 홀더(22)를 통하여, 기판(1)에 임프린트재를 공급(도포)하기 위한 노즐과, 그 공급 타이밍과 공급량을 제어하는 공급 임프린트재 제어부를 포함하는 임프린트재 공급부(23)(디스펜서)가 설치되어 있다. 임프린트재 공급부(23)는, 예를 들어, 임프린트재의 액적을 선상으로 기판(1)에 공급한다. 임프린트재 공급부(23)로부터 임프린트재를 기판(1)에 공급하면서 기판 스테이지(7)(즉, 기판(1))를 이동시킴으로써, 기판(1) 상의 직사각형 형상 등의 임의 형상의 영역에 임프린트재를 도포할 수 있다. 기판(1)은, 본 실시 형태에서는, 원 형상을 갖는다. 또한, 예를 들어 33㎜×26㎜의 하나의 샷 영역에 복수의 칩이 형성될 수 있다.
또한, 임프린트 장치(100)를 사용하는 프로세스에서는, 기판(1)의 표면 상에 형성되는 요철 패턴의 오목부에 막이 남는다. 이 막은 잔막이라 칭해진다. 잔막은, 에칭에 의하여 제거될 필요가 있다. 잔막의 두께는, RLT(Residual Layer Thickness)라 칭해진다. 필요한 RLT에 상당하는 두께의 막이 샷 영역에 형성되어 있지 않은 경우에는, 에칭에 의하여 기판(1)이 파여 버린다. 본 실시 형태에서는, 임프린트재 공급부(23)에 의한 임프린트재의 토출과 기판 스테이지(7)의 이동의 조합에 의하여, 기판(1)의 적절한 영역에 임프린트재를 도포하도록 한다.
기판 스테이지(7)는, 기판 척을 가지며, 해당 기판 척에 의하여 기판(1)을 보유 지지한다. 기판 스테이지(7)는, X, Y, Z, ωX, ωY 및 ωZ의 6축 방향으로 이동하는 것이 가능한 기구를 갖는다. 본 실시 형태에서는, 기판 스테이지(7)는, X 방향의 이동 기구를 포함하는 X 슬라이더(3) 및 Y 방향의 이동 기구를 포함하는 Y 슬라이더(5)를 통하여, 브리지 구조체(8)에 의하여 지지되어 있다. X 슬라이더(3)에는, X 슬라이더(3)와 Y 슬라이더(5)의 상대 위치를 계측하는 계측기(4)가 설치되어 있다. 또한, Y 슬라이더(5)에는, Y 슬라이더(5)와 브리지 구조체(8)의 상대 위치를 계측하는 계측기(6)가 설치되어 있다. 따라서, 계측기(4 및 6)는, 브리지 구조체(8)를 기준으로 하여, 기판 스테이지(7)의 위치를 계측한다. 계측기(4 및 6)의 각각은, 본 실시 형태에서는, 인코더(리니어 인코더)로 구성되어 있다.
기판 스테이지(7)와 브리지 구조체(8)의 Z 방향에 있어서의 거리는, 브리지 구조체(8), X 슬라이더(3) 및 Y 슬라이더(5)에 의하여 결정된다. X 슬라이더(3) 및 Y 슬라이더(5)의 Z 방향, 틸트 방향의 강성을 10㎚/N 정도로 높게 유지함으로써, 기판 스테이지(7)와 브리지 구조체(8)의 Z 방향에 있어서의 임프린트 동작의 변동을 수십 ㎚ 정도의 변동으로 억제할 수 있다.
계측기(9)는, 브리지 구조체(8)에 설치되며, 본 실시 형태에서는, 간섭계로 구성되어 있다. 계측기(9)는, 기판 스테이지(7)를 향하여 계측광(10)을 조사하고, 기판 스테이지(7)의 단부면에 설치된 간섭계용 미러에서 반사된 계측광(10)을 검출함으로써, 기판 스테이지(7)의 위치를 계측한다. 계측기(9)는, 기판 스테이지(7)의 기판(1)의 보유 지지면에 대하여 계측기(4 및 6)보다도 가까운 위치에 있어서, 기판 스테이지(7)의 위치를 계측한다. 또한, 도 1에서는, 계측기(9)로부터 기판 스테이지(7)에 조사되는 계측광(10)을 하나밖에 도시하지 않았지만, 계측기(9)는, 적어도 기판 스테이지(7)의 XY 위치, 회전량 및 틸트양을 계측할 수 있도록 구성되어 있다.
가스 공급부(21)는, 몰드(18)의 패턴에 대한 임프린트재의 충전성을 향상시키기 위하여, 몰드(18)의 근방, 구체적으로는, 몰드(18)와 기판(1) 사이의 공간에 충전용 가스를 공급한다. 충전용 가스는, 몰드(18)와 임프린트재 사이에 끼워 넣어진 충전용 가스(기포)를 신속히 저감시켜, 몰드(18)의 패턴에 대한 임프린트재의 충전을 촉진시키기 위하여, 투과성 가스 및 응축성 가스 중 적어도 하나를 포함한다. 여기서, 투과성 가스란, 몰드(18)에 대하여 높은 투과성을 갖고, 기판(1) 상의 임프린트재에 몰드(18)를 접촉시켰을 때 몰드(18)를 투과하는 가스이다. 또한, 응축성 가스란, 기판(1) 상의 임프린트재에 몰드(18)를 접촉시켰을 때 액화(즉 응축)되는 가스이다.
오프 액시스 스코프(24)는, 몰드(18)를 통하지 않고, 기판 스테이지(7)에 배치된 기준 플레이트에 설치된 기준 마크나 얼라인먼트 마크를 검출한다. 또한, 오프 액시스 스코프(24)는, 기판(1)(의 각 샷 영역)에 설치된 얼라인먼트 마크를 검출하는 것도 가능하다. 압력 센서(25)는, 본 실시 형태에서는, 기판 스테이지(7)에 설치되며, 몰드(18)를 기판(1) 상의 임프린트재에 접촉시킴으로써 기판 스테이지(7)에 작용하는 압력을 검출한다. 압력 센서(25)는, 기판 스테이지(7)에 작용하는 압력을 검출함으로써, 몰드(18)와 기판(1) 상의 임프린트재와의 접촉 상태를 검출하는 센서로서 기능한다. 또한, 압력 센서(25)는, 몰드 헤드(16)에 설치해도 되며, 몰드 헤드(16) 및 기판 스테이지(7) 중 적어도 한쪽에 설치되어 있으면 된다.
가스 공급부(21)로부터 공급되는 충전용 가스의 굴절률은, 공기의 굴절률과는 크게 상이하기 때문에, 계측기(4 및 6)가 충전용 가스에 노출되면(즉, 계측기(4 및 6)의 계측 광로에 충전용 가스가 누설되면), 계측기(4 및 6)의 계측값(계측 결과)이 변동되어 버린다. 이러한 문제는, 특히 계측 광로 길이가 긴 간섭계에 대하여 현저하며, 기판 스테이지(7)의 위치를 제어할 때 하이 게인으로 되기 때문에, 서보 에러를 일으켜 버린다. 또한, 계측 광로 길이가 짧은 인코더이더라도, 나노미터 오더의 계측 정밀도가 요구되는 임프린트 장치에서는, 그 영향을 무시할 수 없다. 단, 인코더의 계측 광로 길이는 간섭계의 계측 광로 길이보다도 짧기 때문에, 간섭계보다도 영향은 경미하다. 또한, 도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태에서는, 가스 공급부(21)(의 충전용 가스의 공급구)로부터 계측기(4 및 6)까지의 거리를 충분히 취할 수 있으며, 또한 계측기(4 및 6)를 인코더로 구성하고 있다. 따라서, 계측기(4 및 6)는, 충전용 가스에 의한 계측값의 변동의 영향을 받기 어려운 구성으로 되어 있기 때문에, 서보 에러가 일어나기 어렵게 되어 있다.
가스 공급부(21)는, 상술한 바와 같이, 임프린트 처리를 행하고 있는 동안에 있어서, 몰드(18)와 기판(1) 사이의 공간에 충전용 가스를 공급한다. 몰드(18)와 기판(1) 사이에 공급된 충전용 가스는, 몰드 헤드(16)의 상부로부터 배기 덕트(14)를 통하여 흡인되어, 임프린트 장치(100)의 외부로 배출된다. 또한, 몰드(18)와 기판(1) 사이에 공급된 충전용 가스를 외부로 배출하는 것이 아니라, 가스 회수 기구(도시하지 않음)로 회수해도 된다.
도 3에는, 임프린트 장치(100)에 의하여 행해지는 임프린트 처리가 모식적으로 도시되어 있다. 도 3의 (a)는, 임프린트재 공급부(23)에 의하여 임프린트재(27a)가 공급된 기판(1)의 샷 영역에 몰드(18)의 패턴면 P가 접촉을 개시하기 전의 상태를 도시하고 있다. 도 3의 (b)는, 몰드(18)의 패턴면 P와 기판(1)의 샷 영역 상의 임프린트재가 접촉한 상태를 도시하고 있다. 이 상태에서, 경화용 광원(11)으로부터의 광이 기판(1)의 샷 영역 상의 임프린트재에 조사된다. 이것에 의하여, 임프린트재(27b)가 경화된다. 도 3의 (c)는, 몰드 헤드(16)를 상승시켜, 기판(1)의 샷 영역 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드(18)가 분리되는 모습을 도시하고 있다. 이것에 의하여, 기판(1)의 샷 영역에는, 몰드(18)의 패턴면 P의 패턴에 대응한 임프린트재 패턴(27c)이 남는다. 도 3의 (d)는, 몰드(18)의 패턴면 P의 패턴과, 경화 후의 임프린트재를 도시하고 있다. 몰드(18)의 패턴은, 기판에 형성할 볼록 패턴에 대응하는 볼록 형성 패턴(28)과, 기판에 형성할 오목 패턴에 대한 오목 형성 패턴(36)을 갖는다. Pd는, 패턴 깊이를 나타내고, RLT는 잔막 두께(Residual Layer Thickness: RLT)를 나타낸다.
도 4는, 임프린트 장치 제어부(400)의 구성예를 도시하고 있다. 임프린트 주 제어부(401)는, 기판(1)의 반송, 임프린트재의 공급, 기판 스테이지(7)의 구동, 얼라인먼트, 경화용 광원(11), 몰드(18)의 구동 등의 임프린트 장치(100)의 동작의 전반을 제어한다. 정보 송수신부(402)는, 네트워크(301)를 통하여, 컴퓨터(300)로부터, 임프린트 처리에 필요한 정보를 수취하고, 임프린트 처리에 관계되는 정보를 전송한다. 또한, 정보 송수신부(402)는, 도포 장치(700)와의 사이에서도 정보의 수수를 행할 수 있다. 예를 들어, 정보 송수신부(402)는, 복수의 처리부 중 정지한 처리부의 정보를 도포 장치(700)에 통지하는 통지부로서 기능할 수 있다.
도 5는, 도포 장치 제어부(500)의 구성예를 도시하고 있다. 도포 주 제어부(501)는, 복수의 도포 처리부(801 내지 806)에서의 처리액의 도포 처리에 관계되는, 처리액의 온도 조정 제어, 처리액 공급 제어나, 장치 내 공조 제어, 기판 반송을 위한 반송 로봇 제어 등의 동작 전반을 제어한다. 정보 송수신부(502)는, 네트워크(301)를 통하여, 컴퓨터(300)로부터, 도포 처리에 필요한 정보를 수취하고, 도포 처리에 관계하는 정보를 전송한다. 또한, 정보 송수신부(502)는, 리소그래피 장치(600)와의 사이에서도 정보의 수수를 행할 수 있다. 또한, 도포 주 제어부(501)는, 후술하는 기판 반출순 테이블 및 도포 실행 테이블을 기억하는 메모리를 포함하며, 이들 테이블을 관리한다.
도 6을 참조하면서 임프린트 장치(100)의 동작을 설명한다. 이 동작은, 임프린트 장치 제어부(400)에 의하여 제어된다.
S101에서는, 검출기(5)를 사용하여, 몰드(18)와 기판 스테이지(7)의 위치 정렬(얼라인먼트)이 행해진다. 이때, 몰드(18)는, 몰드 반송계(도시하지 않음)에 의하여 임프린트 장치(100)에 반입되어, 몰드 척(17)에 보유 지지되어 있다. 또한, 검출기(5)에 의하여 검출되는 마크(얼라인먼트 마크)는, 전용의 기준 마크로서 기판 스테이지(7)에 설치해 두어도 되고, 전용의 얼라인먼트 기판에 설치해 두어도 된다.
S102에서는, 반송 로봇(52)에 의하여, 복수의 처리부(101, 102, 103, 104) 중 지정된 어느 임프린트 장치(100)에, 기판(1)이 반입된다. 기판(1)은 기판 스테이지(7)(기판 척)에 의하여 보유 지지된다.
S103에서는, 접액 전 얼라인먼트를 행한다. 접액 전 얼라인먼트는, 기판 교환 시의 첫 회에만 행해지는 프리얼라인먼트와, 샷마다 행해지는 얼라인먼트를 포함할 수 있다.
기판 교환 시의 첫 회에만 행해지는 프리얼라인먼트에서는, 기판 스테이지(7)를 오프 액시스 스코프(24) 아래로 이동시키고, 오프 액시스 스코프(24)에 의하여 기판 스테이지(7)에 보유 지지된 기판(1)의 위치가 계측된다. 프리얼라인먼트의 정밀도는, 몰드(18)와 기판(1)의 얼라인먼트(S107)에 있어서, 기판(1)의 각 샷 영역에 설치된 얼라인먼트 마크가 검출기(5)의 계측 레인지에 들어갈 정도의 정밀도(1㎛ 내지 2㎛ 정도)여도 된다. 이 계측 결과는, S105에 있어서, 몰드(18) 아래에 대상 샷 영역이 위치하도록 기판 스테이지(7)를 이동시킬 때 사용된다.
샷마다 행해지는 접액 전 얼라인먼트는, 검출기(5)를 사용하여, 몰드(18)와 기판(1)(대상 샷 영역)의 위치 정렬 계측을 행하는 처리이다. 샷마다 행해지는 접액 전 얼라인먼트는, 몰드(18)의 패턴면과 기판 상의 임프린트재가 접촉하기 전에, 접액 후의 얼라인먼트(S107)의 보정 구동량을 적게 할 목적으로 S107에 선행하여 행해진다.
S104에 있어서, 기판(1)의 대상 샷 영역(앞으로 임프린트 처리를 행할 샷 영역)이 임프린트재 공급부(23) 아래에 위치하도록 기판 스테이지(7)가 이동한다. 또한, 가스 공급부(21)에 의하여, 몰드(18)와 기판(1) 사이의 공간에 충전용 가스가 공급된다.
S105에서는, 임프린트재 공급부(23)에 의하여 기판(1)의 대상 샷 영역에 임프린트재가 공급된다. 구체적으로는, 임프린트재 공급부(23)는, 임프린트재 공급부(23) 아래로 이동한 기판(1)의 대상 샷 영역에 대하여, 미리 정해진 공급 패턴에 따라 임프린트재가 공급된다. 또한, 기판(1)의 대상 샷 영역에 임프린트재가 공급되면, 그 대상 샷 영역이 몰드(18) 아래에 위치하도록 기판 스테이지(7)가 이동한다.
S106에서는, 임프린트 장치 제어부(400)는, 몰드(18)와 기판 상의 임프린트재가 접촉하도록 몰드 헤드(16)(즉 몰드(18))를 하강 구동시킨다.
S107에서는, 몰드(18)의 패턴면과 기판 상의 임프린트재가 접촉한 상태에서, 검출기(5)에 의한 얼라인먼트 계측의 결과에 기초하여, 몰드(18)와 기판(1)(대상 샷 영역)의 위치 정렬(얼라인먼트)이 행해진다. 이러한 얼라인먼트는, 기판(1)의 각 샷 영역(다이)마다 행해지기 때문에, 다이 바이 다이 얼라인먼트라 칭해진다.
S108에서는, 몰드(18)의 패턴면과 기판 상의 임프린트재가 접촉한 상태에서, 경화용 광원(11)으로부터의 광이 몰드(18)를 통하여 기판(1)의 대상 샷 영역 상의 임프린트재에 조사된다.
S109에서는, 임프린트 장치 제어부(400)는, 몰드 헤드(16)를 상승시켜, 기판(1)의 대상 샷 영역 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드(18)를 분리한다(이형). 이것에 의하여, 기판(1)의 대상 샷 영역에는, 몰드(18)의 패턴면에 대응한 임프린트재의 패턴이 남는다. 즉, 몰드(18)의 패턴면에 대응한 패턴이 기판(1)의 대상 샷 영역에 형성된다. 또한, 이형 시에는, 레지스트 패턴이 파단되지 않도록, 몰드(18)의 패턴면에 가해지는 전단력이 레지스트 패턴의 파단 응력 이하로 되도록, 몰드 헤드(16)를 상승시킨다.
S110에서는, 임프린트 장치 제어부(400)는, 기판(1)의 지정된 모든 샷 영역에 패턴이 형성되었는지 여부를 판정한다. 모든 샷 영역에 패턴이 형성되어 있지는 않은 경우에는, 다음 대상 샷 영역에 패턴을 형성하기 위하여, 처리는 S103으로 이행한다. 모든 샷 영역에 패턴이 형성된 경우에는, 처리는 S111로 이행한다.
S111에서는, 반송 로봇(52)에 의하여, 모든 샷 영역에 패턴이 형성된 기판(1)이 반출된다.
S112에서는, 임프린트 장치 제어부(400)는, 모든 기판에 임프린트 처리를 행했는지 여부를 판정한다. 모든 기판에 임프린트 처리를 행하고 있지 않은 경우에는, 다음 기판에 임프린트 처리를 행하기 위하여, 처리는 S102로 이행한다. 모든 기판에 임프린트 처리를 행한 경우에는, 처리를 종료한다.
다음으로, 도 7을 참조하면서, 임프린트 장치 제어부(400)에 의한, 복수의 처리부(101, 102, 103, 104)의 감시 처리의 예를 설명한다. 또한, 이하에서는, 각 처리부를 「스테이션」이라고도 칭한다.
S201에서는, 임프린트 장치 제어부(400)는, 복수의 처리부 중에서, 실행 중인 처리를 중단한 처리부 또는 실행을 개시하지 못한 처리부(정지한 처리부)가 있는지 여부를 판단한다. 이하, 정지한 처리부를 「정지 처리부」라 한다. 정지 처리부가 있는 경우, 처리는 S202로 나아가고, 그렇지 않으면 처리는 S203으로 나아간다.
S202에서는, 정보 송수신부(402)가 도포 장치(700)에, 정지 처리부의 식별 정보 StationID를 포함하는 정지 통지를 송신한다.
또한, 당해 정지 처리부에서의 처리의 정지는, 예를 들어, 임프린트 장치에 있어서의 소정의 시퀀스(얼라인먼트 계측에 있어서의 시퀀스 등)에 이상이 발생한 경우에 일어날 수 있다. 즉, 당해 이상의 해소를 위하여 사용자에 의한 당해 장치에 대한 어시스트 조작이 필요한 경우에 일어날 수 있다. 또한, 당해 정지는, 예를 들어, 몰드의 수명에 의한 당해 몰드의 교환을 위해서도 일어날 수 있다. 또한, 당해 정지는, 예를 들어, 미리 정해진 실행 조건을 만족시키는 경우에 실행되는 임프린트 장치의 캘리브레이션(교정)을 위해서도 일어날 수 있다.
본 실시 형태에 있어서, 도포 장치(700)로부터 리소그래피 장치(600)로 기판을 반출하는 순서는, 기판 반출순 테이블에 규정된다. 이하에서는, 기판 반출순 테이블은 도포 장치 제어부(500)에서 유지 관리되는 구성으로 한다. 단, 도포 장치 제어부(500) 및 임프린트 장치 제어부(400)의 양쪽이 유지해도 되고, 컴퓨터(300)에서 유지 관리되는 구성이어도 된다. 도 11에, 기판 반출순 테이블의 예를 나타낸다. 도 11의 (a)는 리소그래피 장치(600)가 처리를 개시한 직후에 있어서의 기판 반출순 테이블의 예이다. 이 예는, 3개의 로트 d01, d02, d03의 순으로 기판이 연속되어 처리되는 경우를 나타내고 있다. 각각의 로트에서 처리할 기판의 식별 정보 WaferID와 그 기판을 처리할 처리부의 식별 정보 StationID가 관련지어져 관리된다.
여기서, 처리부(101)(StationID: A2)가 도 11의 (a)에 따라 WaferID: 4853의 기판을 처리하고 있는 도중에, 도 11의 (b)에 나타난 바와 같이, 처리부(102)(StationID: A1)가 정지한 경우를 상정한다. 처리부(102)가 정지함으로써, S202에서, 임프린트 장치 제어부(400)는 StationID: A1을 포함하는 정지 통지를 발행한다.
도포 장치 제어부(500)는 이 정지 통지를 수취하면, 정지 처리부에서 패턴 형성 처리가 예정되어 있던 기판에 대한 도포 처리의 실행 및 정지 처리부로의 해당 기판의 반송을 금지한다.
구체적으로는, 도포 장치 제어부(500)는 이 정지 통지를 수취하면, LotID: d02 및 LotID: d03에 있어서의 StationID: A1의 데이터를 기판 반출순 테이블로부터 삭제한다. 이 상태가 도 11의 (b)에 나타나 있다.
S203에서는, 임프린트 장치 제어부(400)는, 정지 처리부가 처리를 재개 가능한 상태로 변화되었는지 여부를 판단한다. 처리가 재개 가능해진 정지 처리부를 재개 처리부라 한다. 재개 처리부가 있는 경우에는 처리는 S204로 나아가고, 그렇지 않으면 처리는 S205로 나아간다.
S204에서는, 정보 송수신부(402)가 도포 장치(700)에, 재개 처리부의 식별 정보를 포함하는 재개 통지를 송신한다.
다음으로, 도 11의 (c)에 나타난 바와 같이, 처리부(104)(StationID: B1)가 WaferID: 2902의 기판을 처리하고 있는 도중에 처리부(102)(StationID: A1)가 재개 가능해진 경우를 상정한다. 처리부(102)가 재개 가능해짐으로써, S204에서, 임프린트 장치 제어부(400)는, 처리부(102)를 위한 기판의 준비(도포 처리)의 금지를 해제하기 위한, StationID: A1을 포함하는 재개 통지를 발행한다.
도포 장치 제어부(500)는 이 재개 통지를 수취하면, 기판 반출순 테이블을 갱신한다. 이 갱신에 의하여, LotID: d02의 StationID: A1, LotID: d03의 StationID: A1과 관계지어져 있는 WaferID: 2901, WaferID: 1002가 재등록된다. 이 상태가 도 11의 (c)에 나타나 있다. 이것에 의하여, 정지 처리부를 위한 기판의 준비(도포 처리) 및 정지 처리부로의 기판 반송의 금지 상태가 해제된다.
또한, 이 예에 있어서, 처리부가 정지된 시점에서, 해당 정지된 처리부에서 처리할 예정인 기판에는, 이미 해당 처리부에서의 임프린트 처리가 적어도 개시되어 있는 것으로 한다. 달리 말하면, 도포 장치(700)가 도포 처리를 종료한 후, 해당 처리부에 도착하기 전의 기판은 없는 경우가 상정되어 있다.
S205에서는, 임프린트 장치 제어부(400)는, 감시 처리를 종료할지 여부를 판단한다. 예를 들어, 반도체 디바이스의 생산을 멈추라는 요구를 수신한 경우에는, 감시 처리를 종료한다. 그렇지 않으면, 처리는 S201로 되돌아간다. 감시 처리는, 리소그래피 장치(600)와 도포 장치(700)가 접속되어 운용되는 상황에서 가동하는 경우에는, 항시 반복 실행된다. 리소그래피 장치(600)와 도포 장치(700)를 분리하여 운용하지 않을 수 없는 경우(예를 들어 보수 운용 시)에는 감시 처리의 중단이 요구된다.
본 실시 형태에 있어서, 각 기판의 레지스트재의 도포 및 반입의 상태는, 도포 장치 제어부(500)에 의하여 유지 관리되는 도포 실행 테이블에 기술된다. 이하, 도 8을 참조하면서, 도포 장치 제어부(500)에 의한 도포 실행 테이블의 관리 처리를 설명한다.
S301에서는, 도포 장치 제어부(500)는, 도 7의 S202에서 송신된 정지 통지를 수신했는지 여부를 판단한다. 정지 통지를 수신한 경우에는 처리는 S302로 나아가고, 그렇지 않으면 처리는 S303으로 나아간다.
S302에서는, 수신한 정지 통지에 포함되는 StationID에 기초하여, 도포 실행 테이블의 SkipFlag를 갱신한다. 도 12의 (a)에, 리소그래피 장치(600)가 처리를 개시한 직후에 도포 장치(700)에 유지되어 있는 도포 실행 테이블의 일례를 나타낸다. 이 도포 실행 테이블에 따라, 3개의 로트 d01, d02, d03의 순으로 복수의 기판이 연속되어 처리된다. 각각의 로트에서 처리할 기판의 식별 정보 WaferID와 그 기판을 처리할 처리부의 식별 정보 StationID가 관련지어져 관리된다.
SlotNo는, 대응하는 WaferID의 미처리 기판이 EFEM(60)의 어느 슬롯에 저장되어 있는지를 나타낸다.
SkipFlag는, 레지스트재의 도포 준비의 가부를 나타내는 플래그이다. SkipFlag가 1인 경우에는, 도포 준비가 불가인 것을 나타낸다.
CoatFlag는, 레지스트재의 도포가 완료되었는지 여부를 나타내는 플래그이다. CoatFlag가 1인 경우에는, 레지스트재의 도포가 완료된 것, 또는 도포 처리를 행하기 위한 동작을 개시한 것을 나타낸다.
ExecFlag는, 기판의 반입 준비 예정을 나타내는 플래그이며, ExecFlag가 1일 때는 반입 준비 예정, 0일 때는 반입 준비 예정 없음을 나타낸다. ExecFlag는, 레지스트재의 도포 준비가 가능(SkipFlag=0)하고, 레지스트재의 도포가 완료되지 않았을 때(CoatFlag=0), 반입 준비 예정을 나타내는 1로 세트된다. 따라서, ExecFlag는 다음 식에 의하여 나타난다.
ExecFlag = NOT(SkipFlag OR CoatFlag) … 식 1
리소그래피 장치(600)가 처리를 개시한 직후에 있어서는, SkipFlag 및 CoatFlag는 모두 0, ExecFlag는 모두 1이다. 즉, EFEM(60)에 저장되어 있는 모든 미처리 기판은 도포 장치(700)에 반입되고, 도포 준비해야 하는 상태인 것을 나타낸다. 도포 장치(700)는, 외부로부터 처리 실행 지시를 받아, 도포 실행 테이블에 따른 처리를 실행한다.
여기서, 도 12의 (a)에 따라, 처리부(101)(StationID: A2)에 의한 WaferID: 4853의 기판의 처리의 도중에, 도포 장치 제어부(500)가 처리부(102)(StationID: A1)의 정지 통지를 수신한 경우를 상정한다. 따라서 이 시점에서는, 도 12의 (b)에 나타난 바와 같이, SlotNo: 1의 WaferID: 4852 및 SlotNo: 2의 WaferID: 4853의 CoatFlag는, 도포가 완료되어 있으므로 1로 세트되어 있다. 또한 이 경우, StationID: A1에 관련지어져 있는 미처리 기판인 WaferID: 2901, WaferID: 1002의 SkipFlag가, 도포 준비의 실행이 불가인 것을 나타내는 1로 세트된다.
이 시점에서는, 식 1에 의하여 ExecFlag가 1로 계산된 WaferID: 4854, 4855, 2902, 2903, 1004의 미처리 기판이, 도포 장치(700)에 반입 준비 예정이라고 판단된다.
S303에서는, 도 7의 S204에서 송신된 재개 통지가 수신되었는지 여부를 판단한다. 재개 통지를 수신한 경우에는 처리는 S304로 나아가고, 그렇지 않으면 처리는 S305로 나아간다.
S304에서는, 수신한 재개 통지에 포함되는 StationID에 의하여 식별되는 처리부의 처리 예정 기판의 SkipFlag를 갱신한다.
S305에서는, 도포 장치 제어부(500)는, 관리 처리를 종료할지 여부를 판단한다. 예를 들어, 반도체 디바이스의 생산을 멈추라는 요구를 수신한 경우에는, 관리 처리를 종료한다. 그렇지 않으면, 처리는 S301로 되돌아간다. 관리 처리는, 리소그래피 장치(600)와 도포 현상 장치를 접속하여 운용되는 상황에서 가동하는 경우에는, 항시 반복 실행된다. 리소그래피 장치(600)와 도포 장치(700)를 분리하여 운용하지 않을 수 없는 경우(예를 들어 보수 운용 시)에는 관리 처리의 중단이 요구된다.
도 12의 (c)는 정지 처리부가 복구를 종료하여, 재개(재가동) 가능하게 된 경우의 도포 실행 테이블의 갱신 결과를 나타낸다. 처리부(102)(StationID: A1)가 정지한 후에, 처리부(104)(StationID: B1)가 WaferID: 2902의 기판의 처리 도중에 처리부(102)(StationID: A1)가 재개 가능해진 경우를 생각한다. 이 경우, 리소그래피 장치(600)로부터 수신되는 재개 통지에 포함되는 StationID는 A1로 된다.
이 정보를 받아, StationID: A1에 관련지어져 있는 SlotNo: 5 및 SlotNo: 8의 SkipFlag가 각각 0으로 클리어된다. 이 시점에서는, SlotNo: 1 내지 SlotNo: 4, 및 SlotNo: 6의 CoatFlag는 1로 세트되어 있다. 또한, 식 1에서 계산되는 ExecFlag로부터, WaferID: 2901, 2903, 1002, 1004의 미처리 기판이, 도포 장치(700)에 반입 준비 예정이라고 판단된다.
다음으로, 도 9를 참조하면서, 도포 장치 제어부(500)에 의하여 실행되는 도포 장치(700)의 기판의 준비 및 반송 동작을 설명한다.
S401에서는, 도포 장치 제어부(500)는 도포 실행 테이블을 판독한다.
S402에서는, 도포 장치 제어부(500)는, 도포 실행 테이블에 있어서, 기판의 반입 준비 예정을 나타내는 ExecFlag의 값이 1인 WaferID의 기판이 있는지 여부를 판단한다. 있는 경우에는 처리는 S403으로 나아가고, 없는 경우에는 처리는 S407로 나아간다.
S403에서는, 도포 장치 제어부(500)는, 복수의 도포 처리부(801 내지 806) 중 도포 처리를 실행할 수 있는 빈 도포 처리부가 있는지 여부를 판단한다.
S404에서는, 도포 장치 제어부(500)는, 도포 실행 테이블에 있어서의, 대상 기판의 CoatFlag를 1로 갱신한다.
S405에서는, ExecFlag가 1인 WaferID로 식별되는 기판 중에서 SlotNo의 값이 가장 작은 기판을 FOUP의 슬롯으로부터 반송 로봇(58)에 의하여 반입하고, 반송 로봇(56)에 의하여 도포 처리를 실행할 수 있는 도포 처리부로 반송한다.
S406에서는, S405에서 기판이 반송된 도포 처리부에서의 도포 처리의 실행이 개시된다. 처리는, S406에 있어서의 도포 처리의 실행 종료를 대기하지 않고 S407로 나아갈 수 있다.
S407에서는, 도포 장치 제어부(500)는, 복수의 도포 처리부(801 내지 806) 중에서 도포 처리를 완료한 기판이 있는지 여부를 판단한다. 있는 경우에는 처리는 S408로 나아간다. 없는 경우에는 처리는 S411로 나아간다.
S408에서는, 정보 송수신부(502)가, 도포 처리를 완료한 기판의 WaferID와 StationID를 포함하는 기판 정보를 리소그래피 장치(600)에 송신하고, 리소그래피 장치(600)에 기판을 전달하는 것의 허가 여부를 문의한다. 이는, 후술하는 도 10의 S504에 대응한다.
S409에서는, 정보 송수신부(502)는 리소그래피 장치(600)로부터의 기판 전달 허가 통지의 수신을 미리 지정한 시간만큼 대기한다. 지정 시간 이내에 기판 전달 허가 통지를 수신한 경우, 처리는 S410로 나아간다. 수신하지 못한 경우에는, 처리는 S412로 나아간다.
S410에서는, 반송 로봇(56)에 의하여, 도포 처리부로부터 도포가 완료된 기판을 취득하여 수수 스테이션(55)에 배치한다. 또한, 반송 로봇(54)이 수수 스테이션(55)으로부터 기판을 취득하여, 리소그래피 장치(600)에 전달한다.
S411에서는, 도포 장치 제어부(500)는, 기판 도포, 반송 처리의 전체 처리 중단 명령을 수신했는지 여부를 판단한다. 수신한 경우에는 처리는 종료된다. 수신하지 않은 경우에는 처리는 S401로 나아간다. 기판 도포, 반송 처리의 중단 명령은, 통상 처리에 있어서는 발생하는 경우는 없으며, 장치의 이상이나, 전체 처리를 도중에 중단하지 않을 수 없는 경우에 발생할 수 있다.
S412에서는, 도포 준비한 기판을 리소그래피 장치(600)에 전달할 수 없는 에러가 발생한 것을, 예를 들어 도포 장치(700)가 갖는 단말기 표시 화면(도시하지 않음)에 표시한다. 또한, 도포 장치 제어부(500)는, 네트워크(301)를 통하여, 컴퓨터(300)에 에러 발생을 전달해도 된다.
이상 설명한 바와 같이, 클러스터 구성의 리소그래피 장치와 도포 장치를 갖는 반도체 제조 시스템에 있어서, 어느 처리부가 정지한 경우, 리소그래피 장치측으로부터 도포 장치로 정지 처리부의 정보가 보내진다. 따라서, 도포 장치는, 정지 처리부와 관계되는 기판의 처리를 중단하고, 가동 가능한 처리부에서 처리할 기판을 준비, 반송할 수 있게 된다. 또한, 정지 처리부가 재가동 가능하게 된 경우, 곧바로 처리를 재개하는 것이 가능해진다. 이것에 의하여, 생산성의 저하를 최소한으로 억제하는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시 형태에서는, WaferID와 StationID를 1대1로 관련짓고 있지만, 이에 한정되지는 않는다. 특정한 기판 처리를 복수의 처리 스테이션과 관련지어 운용하는 경우에도, 복수의 처리 스테이션이 가동 정지하고, 남은 스테이션으로 가동이 가능한 상태이면, 상술한 실시 형태와 동등한 효과가 얻어진다.
또한, 본 실시 형태에서는, 정보 송수신부(402)가 도포 장치(700)로 송신하는 정보로서, 정지 처리부의 StationID를 정지 통지에 포함하여 송신하는 방법을 나타내었다. 그러나, 도포 장치(700)와 리소그래피 장치(600)에서 각 기판에 대하여 공통의 WaferID 정보를 보유하고 있으면, 정지 처리부에서 처리가 예정되어 있는 모든 기판의 WaferID를 송신하는 방법이어도 된다.
또한, 리소그래피 장치(600)와 도포 장치(700) 사이의 데이터 통신은, 양자를 직접 접속한 통신 라인을 통해도 되고, 네트워크(301)를 통해, 또는 또한 컴퓨터(300)를 통해도 되며, 그 이외의 제어 장치를 통해도 된다.
통신 방식은, 신호선 하나에 대하여 하나의 정보를 할당하고, 복수 신호를 병행하여 송수신 가능하게 한 패러렐 통신 방식이어도 되고, RS-232C로 대표되는 시리얼 통신이어도 되고, LAN 등의 네트워크 통신이어도 된다.
도 11에서는, 도포 장치(700)에 의하여, 어느 처리부에서 처리 예정인 기판의 준비를 개시 또는 완료하고, 또한 해당 처리부로의 기판 반송이 완료된 상태에서, 해당 처리부가 정지한 경우를 상정하였다. 이에 반해 이하에서는, 도포 장치(700)에 의하여, 정지 처리부에서 처리 예정인 제1 기판에 대하여 해당 정지 처리부가 패턴 형성 처리를 정지한 시점에 해당 제1 기판에 대한 도포 처리가 완료되어 있는 경우를 생각한다. 본 실시 형태에서는, 이 경우, 제1 기판을 정지 처리부로 반송하는 대신, 기판 보관부(61)로 반송한다. 그리고, 정지 처리부의 처리가 재개 가능해진 경우, 기판 보관부(61)에 보관되어 있던 제1 기판을, 해당 재개 가능해진 처리부로 반송한다. 또한, 정지 처리부가 패턴 형성 처리를 정지하고 있는 동안에는, 도포 처리가 행해진 제2 기판을 도포 장치(700)로부터 제2 기판에 대한 패턴 형성 처리가 예정되어 있는 처리부로 반송한다. 이하, 구체예를 나타낸다.
도 13의 (a)에, 리소그래피 장치(600)가 처리를 개시한 직후에 있어서의 기판 반출순 테이블의 일례를 나타낸다.
여기서, 처리부(101)(StationID: A2)가 도 13의 (a)에 따라 WaferID: 4853의 기판을 처리하고 있는 도중에, 도 13의 (b)에 나타난 바와 같이, 처리부(101)(StationID: A2) 자신이 정지한 경우를 상정한다. 처리부(101)(StationID: A2)가 정지함으로써, 임프린트 장치 제어부(400)로부터 도포 장치 제어부(500)에 대하여 A2가 정지한 것을 나타내는 정지 통지가 송신된다. 도포 장치 제어부(500)는, 이 정지 통지를 수취하면, LotID: d02 및 LotID: d03에 있어서의 StationID: A2의 데이터를 기판 반출순 테이블로부터 삭제한다. 이 상태가 도 13의 (b)에 나타나 있다.
다음으로, 도 13의 (c)에 나타난 바와 같이, 처리부(104)(StationID: B1)가 WaferID: 2902의 기판을 처리하고 있는 도중에 처리부(101)(StationID: A2)가 재개 가능해진 경우를 상정한다. 처리부(101)가 재개 가능하게 됨으로써, 임프린트 장치 제어부(400)는 A2의 재개 통지를 발행한다.
도포 장치 제어부(500)는 이 재개 통지를 수취하면, 기판 반출순 테이블을 갱신한다. 이 갱신에 의하여, LotID: d02의 StationID: A2, LotID: d03의 StationID: A2와 관계지어져 있는 WaferID: 2901, WaferID: 1002가 재등록된다. 이 상태가 도 13의 (c)에 나타나 있다.
다음으로, 상술한 도 13의 경우에 있어서의, 도포 장치 제어부(500)에 의한 도포 부착 실행 테이블의 관리 처리에 대하여 설명한다. 도 14의 (a)에, 리소그래피 장치(600)가 처리를 개시한 직후에 도포 장치(700)에 유지되어 있는 도포 실행 테이블의 일례를 나타낸다. 이는 도 12의 (a)와 동일하다.
여기서, 도 14의 (a)에 따라, 처리부(101)(StationID: A2)에 의한 WaferID: 4853의 기판의 처리의 도중에, 도포 장치 제어부(500)가 처리부(101)(StationID: A2)의 정지 통지를 수신한 경우를 상정한다. 따라서 이 시점에서는, 도 14의 (b)에 나타난 바와 같이, SlotNo: 1의 WaferID: 4852 및 SlotNo: 2의 WaferID: 4853의 CoatFlag는, 도포가 완료되어 있으므로 1로 세트되어 있다. 또한 이 경우, StationID: A2에 관련지어져 있는 미처리 기판인 WaferID: 2901, WaferID: 1002의 SkipFlag가, 도포 준비의 실행이 불가임을 나타내는 1로 세트된다.
이 시점에서는, 식 1에 의하여 ExecFlag가 1로 계산된 WaferID: 4854, 4855, 2902, 2903, 1004의 미처리 기판이, 도포 장치(700)에 반입 준비 예정이라고 판단된다.
SlotNo: 2의 StationID: A2의 WaferID: 4853의 기판은, 정지 처리부인 A2에 대응하지만, 이미 도포 장치(700)는 준비를 개시하고 있으므로, 준비 완료 후, 리소그래피 장치(600)에 해당 기판을 전달한다.
도 14의 (c)는 정지 처리부가 복구를 종료하고, 재개(재가동) 가능하게 된 경우의 도포 실행 테이블의 갱신 결과를 나타낸다. 처리부(101)(StationID: A2)가 정지한 후에, 처리부(104)(StationID: B1)가 WaferID: 2902의 기판의 처리 도중에, 처리부(101)(StationID: A2)가 재개 가능해진 경우를 생각한다. 이 경우, 리소그래피 장치(600)로부터 수신되는 재개 통지에 포함되는 StationID는 A2로 된다.
이 정보를 받아, StationID: A2에 관련지어져 있는 SlotNo: 5 및 SlotNo: 8의 SkipFlag가 각각 0으로 클리어된다. 이 시점에서는, SlotNo: 1 내지 SlotNo: 4 및 SlotNo: 6의 CoatFlag는 1로 세트되어 있다. 또한, 식 1에서 계산되는 ExecFlag로부터, WaferID: 2901, 2903, 1002, 1004의 미처리 기판이, 도포 장치(700)에 반입 준비 예정이라고 판단된다.
본 실시 형태에 있어서, 리소그래피 장치(600)에서의 각 기판의 처리의 상태는, 임프린트 장치 제어부(400)에 의하여 유지 관리되는 임프린트 실행 테이블에 기술된다. 또한, 임프린트 실행 테이블에는, 복수의 기판의 각각이 복수의 처리부 중 어느 처리부에서 처리될지가 미리 정해져 있다. 이하, 도 15를 참조하면서, 임프린트 장치 제어부(400)에 의한 임프린트 실행 테이블의 관리 처리를 설명한다. 도 15의 예는, 도 11 내지 14와 동일한 상황, 즉, 도포 장치(700)에 의하여, 어느 처리부에서 처리 예정인 기판의 준비를 개시 또는 완료했지만, 해당 처리부로의 기판 반송이 완료되지 않은 상태에서, 해당 처리부가 정지한 경우를 상정하고 있다.
도 15에 있어서, DestPos는, 그 기판의 반송처를 나타낸다.
BufPos는, 그 기판이 기판 보관부(61)에 보관되어 있는지 여부를 나타낸다.이 값이 1이면, 그 기판이 기판 보관부(61)에 보관되어 있는 것을 나타내고, 0이면 그 기판이 기판 보관부(61)에 보관되어 있지 않은 것을 나타내고 있다.
SkipFlag는, 임프린트 처리의 실행 허가 상태인지 여부를 나타내는 플래그이다. SkipFlag가 1인 경우에는, 임프린트 처리가 실행 불가 상태인 것을 나타내고, 0인 경우에는, 실행 가능 상태인 것을 나타낸다.
ImpFlag는, 임프린트 처리가 실행 완료인지 여부를 나타내는 플래그이다. ImpFlag가 1인 경우에는 임프린트 처리가 실행 완료인 것을 나타내고, 0인 경우에는, 실행이 완료되지 않은 것을 나타낸다.
ExecFlag는, 임프린트 처리 실행 예정을 나타내는 플래그이며, ExecFlag가 1일 때는 실행 예정, 0의 때는 실행 예정 없음을 나타낸다. ExecFlag는, 임프린트 처리를 실행 가능(SkipFlag=0)하고, 임프린트 처리는 실행 미완료일 때(ImpFlag=0), 실행 예정을 나타내는 1로 세트된다. 따라서, ExecFlag는 다음 식에 의하여 나타난다.
ExecFlag NOT(SkipFlag OR ImpFlag) … 식 2
도 15의 (a)는, 리소그래피 장치(600)가 처리를 개시한 직후에 있어서의 임프린트 실행 테이블의 예를 나타내고 있다. 임프린트 실행 테이블에 있어서의, WaferID와 StationID의 관계는, 도포 장치(700)가 갖는 도포 실행 테이블에 있어서의 그것과 동일하게 되어 있다. 도 15의 (a)의 예는, 3개의 로트 d01, d02, d03의 순으로 기판이 연속 처리되는 경우를 나타내고 있다. 리소그래피 장치(600)가 처리를 개시한 직후에 있어서는, SkipFlag 및 ImpFlag는 모두 0이다. 또한, ExecFlag는 모두 1이며, 즉 도포 장치(700)로부터 반입될 예정인 기판은 모두 임프린트 처리해야 하는 상태인 것을 나타내고 있다. 리소그래피 장치(600)는, 외부로부터 처리 실행 지시를 받아, 임프린트 처리해야 하는 상태의 기판을 대응하는 처리부로 반송하고, 임프린트 처리의 실행 지시를 행한다.
도 15의 (b)는, 도포 장치(700)가 WaferID: 4853의 기판을 처리하고 있는 도중에 처리부(101)(StationID: A2)가 정지한 경우의, 임프린트 실행 테이블의 갱신 결과를 나타내고 있다. 도포 장치(700)로부터 반입되는 WaferID: 4853의 기판 반송처는 DestPos의 데이터로서 저장되어 있는 「Buffer」에 대응하는 기판 보관부(61)로 된다.
이 시점에서는, 식 2에서 계산되는 ExecFlag로부터, WaferID: 4854, 4855, 2902, 2903, 1004의 미처리 기판이, 임프린트 처리의 실행 예정인 것을 나타낸다. 리소그래피 장치(600)는 미처리 기판을 대상 처리부로 반송하고, 임프린트 처리의 실행 지시를 행한다.
도 15의 (c)는, 처리부(101)(StationID: A2)가 정지한 후에 재개 가능해진 경우의 임프린트 실행 테이블의 갱신 결과의 예를 나타낸다. 이 시점에서는, 식 2에서 계산되는 ExecFlag로부터, WaferID: 4853, 2901, 2903, 1002, 1004의 미처리 기판이, 임프린트 처리의 실행 예정인 것을 나타낸다. 리소그래피 장치(600)는 미처리 기판을 대상 처리부로 반송하고, 임프린트 처리의 실행 지시를 행한다.
도 10을 참조하여, 임프린트 장치 제어부(400)에 의한, 리소그래피 장치(600)의 기판 반송 동작을 설명한다.
S501에서, 임프린트 장치 제어부(400)는, 도포 장치(700)에서 레지스트재가 도포 완료이고 임프린트 처리 대기의 기판(대기 기판)이 기판 보관부(61)에 있는지 여부를 판단한다. 이 판단은, 임프린트 실행 테이블의 BufPos에 1이 세트되어 있는지 여부로 판단될 수 있다. 이 플래그는, 도포 장치(700)에서 레지스트재가 도포 완료이지만 임프린트 처리가 미실행된 기판이 기판 보관부(61)에 배치되었을 때 1로 세트되고, 기판 보관부(61)로부터 기판이 취출되었을 때 0으로 클리어된다. 대기 기판이 기판 보관부(61)에 있는 경우에는 처리는 S502로 나아가고, 대기 기판이 없는 경우에는 처리는 S504로 나아간다.
S502에서, 임프린트 장치 제어부(400)는, 임프린트 실행 테이블로부터, 기판의 반송처의 정보인 DestPos의 값을 취득한다.
S503에서, 임프린트 장치 제어부(400)는, S502에서 취득한 기판 반송처의 처리부가 가동 가능 상태인지 여부를 판단한다. 해당 처리부가 가동 가능 상태이면 처리는 S509로 나아가고, 가동 불가이면 처리는 S504로 나아간다.
S504에서는, 정보 송수신부(402)가, 도포 처리가 완료된 기판의 WaferID와 StationID를 포함하는 기판 정보를 도포 장치(700)로부터 수신했는지 여부를 판단한다. 이는, 상술한 도 9의 S408에서 송신된 것이다. 기판 정보를 수신한 경우에는 처리는 S505로 나아가고, 수신하지 않은 경우에는 처리는 S511로 나아간다.
S505에서는, 임프린트 장치 제어부(400)는, S504에서 수신한 기판 정보와 임프린트 실행 테이블에 있어서의 정보와의 정합을 확인한다. 구체적으로는, S504에서 수신한 기판 정보인 WaferID와 StationID의 조합이 임프린트 실행 테이블에 정확하게 기술된 것인지 여부를 확인한다.
S506에서, S505의 정합이 확인된 경우, 즉, WaferID와 StationID의 조합이 임프린트 실행 테이블에 정확히 기술되어 있는 경우, 처리는 S507로 나아가고, 그렇지 않으면 처리는 S501로 되돌아간다.
S507에서는, 정보 송수신부(402)가 도포 장치(700)에 기판 전달 허가 통지를 송신한다. 이 처리는 도 9의 S409에 대응한다. S506에서 정합을 확인할 수 없으면, 도포 장치(700)는 기판 전달 허가 통지를 수신할 수 없기 때문에, 도포 장치 제어부(500)는, S412에서 에러 처리를 실행하게 된다.
S508에서는, 임프린트 장치 제어부(400)는, 수신한 StationID의 처리부가 가동 가능 상태이면, 수신한 WaferID의 기판의 반송처의 정보인 DestPos에, 수신한 StationID를 기입한다. 당해 처리부가 가동 불가이면, 임프린트 장치 제어부(400)는, 수신한 WaferID의 DestPos에, 기판 보관부(61)를 나타내는 「Buffer」를 기입한다.
S509에서는, 임프린트 장치 제어부(400)는, 반송 로봇(52)을 제어하여, 기판을 DestPos에 따른 처리부로 반송한다. 당해 DestPos가 Buffer인 경우에는, 기판 보관부(61)로 반송 종료 후, 당해 DestPos를 WaferID에 관련지어져 있던 StationID에 재기입한다.
S510에서는, 임프린트 장치 제어부(400)는, S509에서 기판이 반송된 처리부에 대하여, 임프린트 처리의 실행을 지시한다. 또한 본 실시 형태에서는, 각 처리부는 독립적으로 처리를 실행하도록 설계되어 있으며, 임프린트 처리의 종료를 대기하지 않고 S510로부터 S511로 나아갈 수 있다.
S511에서는, 임프린트 장치 제어부(400)는, 처리부에 임프린트 처리를 종료한 기판이 있는지 여부를 판단한다. 처리 완료된 기판이 있는 경우에는 처리는 S512로 나아가고, 처리 완료된 기판은 없는 경우에는 처리는 S513으로 나아간다.
S512에서는, 임프린트 장치 제어부(400)는, 반송 로봇(52)을 제어하여, 처리 완료된 기판을 반송로(51)를 통하여, 예를 들어 도포 장치(700)에 전달한다.
S513에서는, 임프린트 장치 제어부(400)는, 임프린트 처리, 반송 처리의 전체 처리 중단 명령을 수신했는지 여부를 판단한다. 수신한 경우에는 처리를 종료한다. 수신하지 않은 경우에는 처리는 S501로 되돌아간다. 전체 중단 명령은, 통상 처리에 있어서는 발생하는 일은 없으며, 장치의 이상이나, 전체 처리를 도중에 중단하지 않을 수 없는 경우에 발생할 수 있다.
도 16에, 임프린트 장치 제어부(400)에서 관리되는 리소그래피 장치(600)의 기판 처리순을 기술한 기판 처리순 테이블의 예를 나타낸다. 여기서는, 도포 장치(700)에 의하여, 어느 처리부에서 처리 예정인 기판의 준비를 개시 또는 완료했지만, 해당 처리부로의 기판 반송이 완료되지 않은 기판이 있는 경우에 있어서의 기판 처리순 테이블의 예가 나타나 있다.
처리부(101)(StationID: A2)가 정지한 시점에서, 도포 장치(700)는 A2의 처리부에서 처리 예정인 기판의 준비를 이미 개시 또는 완료하고 있다. 따라서, LotID: d01의 WaferID: 4853의 기판은, 리소그래피 장치(600)로 반송된 후, 일단, 기판 보관부(61)에 보관되고, A2의 처리부에서 처리가 재개되기까지 보유 지지된다. 이 때문에 처리 순서가 도 16에 기재된 차례로 바뀐다.
또한, LotID: d02의 WaferID: 2901도 마찬가지로 A2의 처리부에서 처리가 재개되기까지, 도포 장치(700)에서의 기판의 준비와 반송이 중단됨으로써 순서가 바뀐다.
이상의 실시 형태에 의하면, 도포 장치(700)에 의하여, 어느 처리부에서 처리 예정인 기판의 준비를 이미 개시 또는 완료했지만, 해당 처리부로의 기판 반송이 완료되지 않은 경우에도, 정지한 처리부가 재가동 가능하게 되는 대로, 곧바로 처리를 재개할 수 있다. 이것에 의하여, 반도체 제조 시스템 전체의 생산성의 저하를 최소한으로 억제하는 것이 가능해진다.
<물품 제조 방법의 실시 형태>
임프린트 장치를 사용하여 형성한 경화물의 패턴은, 각종 물품의 적어도 일부에 항구적으로, 또는 각종 물품을 제조할 때 일시적으로, 이용된다. 물품이란, 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 또는 형 등이다. 전기 회로 소자로서는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, MRAM과 같은, 휘발성 또는 불휘발성의 반도체 메모리나, LSI, CCD, 이미지 센서, FPGA와 같은 반도체 소자 등을 들 수 있다. 형으로서는, 임프린트용의 몰드 등을 들 수 있다.
경화물의 패턴은, 상기 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서, 그대로 사용되거나, 또는 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판의 가공 공정에 있어서 에칭 또는 이온 주입 등이 행해진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.
다음으로, 물품 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 17의 (a)에 도시한 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 기판 등의 기판(1z)을 준비하고, 계속해서, 잉크젯법 등에 의하여, 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 여기서는, 복수의 액적상으로 된 임프린트재(3z)가 기판 상에 부여된 모습을 도시하고 있다.
도 17의 (b)에 도시한 바와 같이, 임프린트용 형(4z)을, 그 요철 패턴이 형성된 측을 기판 상의 임프린트재(3z)를 향하여, 대향시킨다. 도 17의 (c)에 도시한 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1)과 형(4z)를 접촉시키고, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 형(4z)과 피가공재(2z)의 간극에 충전된다. 이 상태에서 경화용 에너지로서 광을 형(4z)를 통하여 조사하면, 임프린트재(3z)는 경화된다.
도 17의 (d)에 도시한 바와 같이, 임프린트재(3z)를 경화시킨 후, 형(4z)과 기판(1z)을 분리하면, 기판(1z) 상에 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다.이 경화물의 패턴은, 형의 오목부가 경화물의 볼록부에, 형의 볼록부가 경화물의 오목부에 대응한 형상으로 되어 있으며, 즉, 임프린트재(3z)에 형(4z)의 요철 패턴이 전사되게 된다.
도 17의 (e)에 도시한 바와 같이, 경화물의 패턴을 내에칭형으로 하여 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중, 경화물이 없거나 또는 얇게 잔존한 부분이 제거되어, 홈(5z)으로 된다. 도 17의 (f)에 도시한 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기서는 경화물의 패턴을 제거했지만, 가공 후에도 제거하지 않고, 예를 들어, 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용의 막, 즉, 물품의 구성 부재로서 이용해도 된다.
(다른 실시 형태)
본 발명은, 상술한 실시 형태의 하나 이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 통하여 시스템 또는 장치에 공급하고, 그 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 있어서의 하나 이상의 프로세서가 프로그램을 판독하여 실행하는 처리로도 실현 가능하다. 또한, 하나 이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들어, ASIC)에 의해서도 실현 가능하다.
본 발명이 예시적인 실시 형태에 관련하여 설명되었지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시 형태에 한정되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 이어지는 청구범위에는, 구성 및 기능의 모든 변형예 및 균등물이 포함되도록, 가장 넓은 해석이 부여되어야 한다.
900: 기판 처리 시스템
600: 리소그래피 장치
700: 도포 장치
400: 임프린트 장치 제어부
500: 도포 장치 제어부

Claims (18)

  1. 제1 처리를 기판에 행하는 제1 처리 장치와, 상기 제1 처리 장치에서 상기 제1 처리가 행해진 복수의 기판에 대하여 각각 제2 처리를 병행하여 행하는 복수의 처리부를 포함하는 제2 처리 장치를 포함하는 기판 처리 시스템이며,
    상기 제2 처리 장치는, 상기 복수의 처리부 중 상기 제2 처리를 정지한 처리부인 정지 처리부에 있어서 상기 제2 처리가 예정되어 있던 기판에 대한 상기 제1 처리의 실행의 금지를 하기 위한 정보를 상기 제1 처리 장치에 통지하는 통지부를 갖고,
    상기 제1 처리 장치는,
    상기 제1 처리 장치로부터 상기 제2 처리 장치에 기판을 반출하는 순서를 규정하는 기판 반출순 테이블을 기억하는 기억부와,
    상기 기억부에 기억된 상기 기판 반출순 테이블에 기초하여 상기 제1 처리를 제어하는 제어부를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 통지부에 의해 통지된 상기 정보가 수신된 것에 따라, 상기 기판 반출순 테이블로부터 상기 정지 처리부에 대한 기판 반출 예정의 데이터가 삭제되도록 상기 기판 반출순 테이블의 갱신을 행하고, 해당 갱신 후의 상기 기판 반출순 테이블에 기초하여, 상기 금지를 행하도록, 상기 제1 처리를 제어하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 통지부는, 상기 정지 처리부의 정보를 상기 제1 처리 장치에 통지하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 기판의 각각이 상기 복수의 처리부 중 어느 처리부에서 처리될지가 미리 정해져 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 통지부는, 상기 정지 처리부에서의 상기 제2 처리가 재개 가능해진 경우, 상기 금지를 해제하기 위한 제2 정보를 상기 제1 처리 장치에 통지하고,
    상기 제어부는, 상기 통지부에 의해 통지된 상기 제2 정보가 수신된 것에 따라, 상기 기판 반출순 테이블에 상기 제2 처리가 재개 가능해진 상기 정지 처리부에 대한 기판 반출 예정의 데이터가 등록되도록 상기 기판 반출순 테이블의 갱신을 행하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 처리 장치는,
    상기 제1 처리가 행해진 기판을 일시적으로 보관하는 보관부와 상기 복수의 처리부 사이에서 기판의 반송을 행하는 반송부와,
    상기 반송부를 제어하는 반송 제어부를 포함하고,
    상기 반송 제어부는,
    상기 정지 처리부에 있어서 상기 제2 처리가 예정되어 있던 제1 기판에 대하여 상기 정지 처리부가 상기 제2 처리를 정지한 시점에 해당 제1 기판에 대한 상기 제1 처리가 완료되어 있는 경우, 해당 제1 기판을 상기 보관부로 반송하고,
    상기 정지 처리부에서의 상기 제2 처리가 재개 가능해진 경우, 상기 보관부로 반송된 상기 제1 기판을, 상기 제2 처리가 재개 가능해진 상기 정지 처리부로 반송하도록, 상기 반송부를 제어하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 반송 제어부는, 상기 정지 처리부가 상기 제2 처리를 정지하고 있는 동안에는, 상기 제1 처리가 행해진 제2 기판을 상기 복수의 처리부 중 상기 정지 처리부 이외의 처리에 있어서 상기 제2 기판에 대한 상기 제2 처리가 예정되어 있는 처리부로 반송하도록, 상기 반송부를 제어하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 보관부는, 상기 제2 처리 장치의 외부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 보관부는, 상기 제2 처리 장치의 내부에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 보관부는, 상기 복수의 처리부에 둘러싸여 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 처리부의 각각은, 상기 제2 처리로서 패턴 형성을 기판에 행하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 복수의 처리부의 각각은, 상기 제2 처리로서 임프린트 처리를 기판에 행하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1 처리 장치는, 상기 제1 처리로서 상기 패턴 형성을 위한 전처리를 기판에 행하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 처리 장치는, 상기 제1 처리로서 상기 패턴 형성을 위한 층의 형성을 기판에 행하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 시스템.
  14. 제1 처리를 기판에 행하는 처리부와,
    상기 제1 처리가 행해진 복수의 기판에 대하여 각각 제2 처리를 병행하여 행하는, 제2 처리 장치에 있어서의 복수의 처리부 중 상기 제2 처리를 정지한 처리부인 정지 처리부에 있어서 상기 제2 처리가 예정되어 있던 기판에 대한 상기 제1 처리의 실행의 금지를 하기 위한 정보를 상기 제2 처리 장치로부터 수신하는 수신부와,
    상기 제2 처리 장치에 기판을 반출하는 순서를 규정하는 기판 반출순 테이블을 기억하는 기억부와,
    상기 수신부에 의하여 상기 정보가 수신된 것에 따라, 상기 기판 반출순 테이블로부터 상기 정지 처리부에 대한 기판 반출 예정의 데이터가 삭제되도록 상기 기판 반출순 테이블의 갱신을 행하고, 해당 갱신 후의 상기 기판 반출순 테이블에 기초하여, 상기 금지를 하도록, 상기 처리부에 의한 상기 제1 처리를 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 장치.
  15. 삭제
  16. 제1 처리 장치에서 제1 처리가 행해진 복수의 기판에 대하여 각각 복수의 처리부에서 병행하여 제2 처리를 행하고,
    상기 복수의 처리부 중 상기 제2 처리를 정지한 처리부인 정지 처리부에 있어서 상기 제2 처리가 예정되어 있던 기판에 대한 상기 제1 처리의 실행의 금지를 하기 위한 정보를 상기 제1 처리 장치에 통지하고,
    상기 제1 처리 장치에 있어서, 상기 제1 처리 장치로부터 상기 제2 처리를 행하는 제2 처리 장치에 기판을 반출하는 순서를 규정하는 기판 반출순 테이블로부터 상기 정지 처리부에 대한 기판 반출 예정의 데이터가 삭제되도록 상기 기판 반출순 테이블의 갱신을 행하는 것을 특징으로 하는, 기판 처리 방법.
  17. 제16항에 기재된 기판 처리 방법을 컴퓨터에 실행시키기 위한, 기록 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램.
  18. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 시스템을 사용하여 패턴 형성을 기판에 행하는 제1 공정과,
    상기 제1 공정에서 상기 패턴 형성이 행해진 상기 기판의 처리를 행하는 제2 공정을 포함하고,
    상기 제2 공정에서 상기 처리가 행해진 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는, 물품 제조 방법.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100273939B1 (ko) * 1995-10-27 2001-01-15 이시다 아키라 기판처리장치 및 그 제어방법
JP2009076504A (ja) 2007-09-18 2009-04-09 Tokyo Electron Ltd 処理システムの制御装置、処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
JP2015156426A (ja) 2014-02-20 2015-08-27 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、プログラム、および、基板処理方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3384292B2 (ja) * 1997-08-20 2003-03-10 株式会社日立製作所 真空処理装置の運転方法及び真空処理装置
JP2001077009A (ja) 1999-09-07 2001-03-23 Nikon Corp 基板処理システム
JP4342147B2 (ja) * 2002-05-01 2009-10-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR20040006113A (ko) * 2002-07-09 2004-01-24 삼성전자주식회사 반도체 제조에 사용되는 포토 리소그래피 시스템
TWI357095B (en) * 2003-10-27 2012-01-21 Samsung Electronics Co Ltd Lithography equipment
JP4577886B2 (ja) * 2005-01-21 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム
JP4542984B2 (ja) * 2005-11-24 2010-09-15 東京エレクトロン株式会社 基板搬送処理装置及び基板搬送処理装置における障害対策方法並びに基板搬送処理装置における障害対策用プログラム
JP2008311479A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Nikon Corp 物体処理システム、物体処理方法、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2009076581A (ja) * 2007-09-19 2009-04-09 Nikon Corp 物体処理システム、物体処理方法、処理装置、基板処理方法及びデバイス製造方法
KR101989366B1 (ko) * 2012-07-04 2019-06-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치
JP6169365B2 (ja) * 2013-02-07 2017-07-26 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法及び基板処理装置
JP6312379B2 (ja) * 2013-07-19 2018-04-18 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、リソグラフィシステム、プログラム、物品の製造方法
JP6198805B2 (ja) * 2015-02-16 2017-09-20 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、プログラム、リソグラフィシステムおよび物品製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100273939B1 (ko) * 1995-10-27 2001-01-15 이시다 아키라 기판처리장치 및 그 제어방법
JP2009076504A (ja) 2007-09-18 2009-04-09 Tokyo Electron Ltd 処理システムの制御装置、処理システムの制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
JP2015156426A (ja) 2014-02-20 2015-08-27 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、プログラム、および、基板処理方法

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