KR102276667B1 - 광학 조립체, 특히 플라즈마 광원 또는 euv 리소그래피 시스템 - Google Patents

광학 조립체, 특히 플라즈마 광원 또는 euv 리소그래피 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR102276667B1
KR102276667B1 KR1020167010588A KR20167010588A KR102276667B1 KR 102276667 B1 KR102276667 B1 KR 102276667B1 KR 1020167010588 A KR1020167010588 A KR 1020167010588A KR 20167010588 A KR20167010588 A KR 20167010588A KR 102276667 B1 KR102276667 B1 KR 102276667B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optical
housing
pellets
monitoring
line
Prior art date
Application number
KR1020167010588A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160062074A (ko
Inventor
모리츠 벡커
울리히 뮐러
올리버 아르프
Original Assignee
칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 filed Critical 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
Publication of KR20160062074A publication Critical patent/KR20160062074A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102276667B1 publication Critical patent/KR102276667B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
    • B08B7/0092—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes by cooling
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C1/00—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods
    • B24C1/003—Methods for use of abrasive blasting for producing particular effects; Use of auxiliary equipment in connection with such methods using material which dissolves or changes phase after the treatment, e.g. ice, CO2
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/04—Cleaning by suction, with or without auxiliary action
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
    • B24C7/00—Equipment for feeding abrasive material; Controlling the flowability, constitution, or other physical characteristics of abrasive blasts
    • B24C7/0046—Equipment for feeding abrasive material; Controlling the flowability, constitution, or other physical characteristics of abrasive blasts the abrasive material being fed in a gaseous carrier
    • B24C7/0053—Equipment for feeding abrasive material; Controlling the flowability, constitution, or other physical characteristics of abrasive blasts the abrasive material being fed in a gaseous carrier with control of feed parameters, e.g. feed rate of abrasive material or carrier
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/50—Carbon dioxide
    • C01B32/55—Solidifying
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/18—Coatings for keeping optical surfaces clean, e.g. hydrophobic or photo-catalytic films
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/0006—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 with means to keep optical surfaces clean, e.g. by preventing or removing dirt, stains, contamination, condensation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70841—Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70975—Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
    • H01J65/042—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
    • H01J65/048—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by using an excitation coil
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)

Abstract

본 발명은 광학 조립체, 특히 플라즈마 광원(1') 또는 EUV 리소그래피 시스템에 관한 것이며, 이는 내부 하우징 공간(3)을 둘러싸는 하우징(2), 상기 하우징(2) 내에 진공을 발생시키기 위한 진공 발생 유닛, 상기 하우징 내부(3)에 배치되는 하나 이상의 표면(13), 상기 표면(13)에 퇴적된 오염 물질(14)을 제거하기 위한 세정 디바이스(15), 및 상기 표면(13)을 모니터링하기 위한 모니터링 디바이스(25)를 포함하고, 상기 모니터링 디바이스(25)는 상기 표면(13)을 향해서 배향될 수 있는 모니터링 광학 유닛(26)을 갖는다. 상기 세정 디바이스(15)는 CO2를 CO2 펠릿(17) 형태로 배출함으로써 상기 퇴적된 오염 물질(14)을 제거하도록 구성된다.

Description

광학 조립체, 특히 플라즈마 광원 또는 EUV 리소그래피 시스템{OPTICAL ASSEMBLY, IN PARTICULAR PLASMA LIGHT SOURCE OR EUV LITHOGRAPHY SYSTEM}
관련 출원 참조
본 출원은 그 전체 내용이 본 명세서에 참조로 원용되는 2013년 9월 27일자 독일 특허 출원 DE 10 2013 219 585.0호의 우선권을 주장한다.
기술분야
본 발명은 광학 장치, 특히 플라즈마 광원 또는 EUV 리소그래피 기기에 관한 것이다.
US 2008/0042591 A1호는 플라즈마에 의해 광을 발광하기 위한 플라즈마 광원을 개시하고 있다. 플라즈마 광원은 플라즈마를 발생하기 위해 사용되는 이온성 매체가 수용되는 챔버를 갖는다. 이 목적을 위해서, 자기 코어와 일차 코일을 갖는 변압기에 의해 전류가 유도된다. 일차 코일은 통상적으로 구리 하우징을 가지며, 이는 자기 코어를 적어도 부분적으로 둘러싸고 도전성 접속을 제공한다. 이온성 매체로는 예를 들어 크세논, 리튬 또는 주석이 사용될 수 있으며, 이들 물질은 기체, 액체 또는 고체 형태를 취할 수 있고, 예를 들어 미세하게 분포된 고체 입자(예를 들면 주석 입자) 형태를 취할 수 있다. 이러한 고체는 예를 들어 증기 발생기에 의해 증발될 수 있고 이후 챔버에 도입될 수 있다. 챔버는 일반적으로 그 내부에 플라즈마를 격납하기 위해 금속 재료로 형성된다. 에너지는 통상 펄스 형태로 에너지 공급 디바이스에 의해 공급된다.
플라즈마 광원에 의해 발생되는 플라즈마(또는 플라즈마 공급원에 의해 발생되는 플라즈마 방전)는 다수의 용도에 사용될 수 있는 광 또는 전자기 방사선을 발생시키기 위해 사용될 수 있다. 이러한 플라즈마 광원은 특히, 예를 들어 WO 2011/161024 A1호에 기재된 계측 시스템과 같은, EUV 리소그래피용 계측 시스템에 사용될 수 있는 EUV 방사선을 발생시키도록 작용할 수 있다.
플라즈마의 단면 감소["핀칭(pinching)"]에 의한 방사선 발생에 기초하는 공지된 플라즈마 광원에 의해 방사선을 발생시킬 때는, 발생되는 방사선이 불안정하다는, 즉 하나 이상의 방사선 펄스가 때때로 탈락하는 문제가 있는 것으로 밝혀졌다. 이들 불안정성은 챔버 내에서 입자가 자유롭게 이동 가능하다거나 챔버의 내벽에 재료가 퇴적되는 것의 큰 원인이 될 수 있다. 플라즈마 방전 근처에서의 공세적인 플라즈마 환경으로 인해, 재료는 플라즈마와 대면하는 챔버 벽으로부터 제거되며 플라즈마 방전으로부터 떨어져 있는 다른 지점, 특히 챔버 벽 상의 다른 지점에 퇴적된다. 퇴적된 재료는 박편(flake) 형태로 박리되는 경향이 있으며, 이 박편은 플라즈마를 방해하고 플라즈마 광원의 상기 탈락 또는 불안정성을 초래한다.
이러한 플라즈마 광원의 세정은 통상적으로, 분리된 박편과 퇴적된 입자를 소용돌이치게 만들고 이것들을 흡인 취출 디바이스에 의해 예를 들어 진공 클리너 방식으로 취출하기 위해 예를 들어 질소와 같은 비활성 가스의 가스 스트림이 사용되는 세정 방법을 실시함으로써 이루어진다. 이 세정 방법은 시간 소모적이며 매우 비효율적이다.
WO 2009/152885 A1호는 EUV 리소그래픽 투영 노광 기기에 장착하기 위한 광학 장치로서, 그 내부에는 입자 세정 디바이스에 의해 세정될 수 있는, 즉 퇴적 입자가 제거될 수 있는 광학면을 갖는 광학 요소가 배치되는 광학 장치를 개시하고 있다. 세정 디바이스는 다양한 방식으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 광학면의 세정은, 높은 출구 속도를 초래하고 CO2 스노우, 즉 미세 고체 입자 형태의 CO2 형성과 더불어 이산화탄소의 팽창을 초래하기 위해 액체 또는 기체 CO2가 노즐을 통해서 팽창되는, 예를 들어 이산화탄소(CO2)를 사용하는 "스노우 세정(snow cleaning)"으로 지칭되는 방법을 사용하여 이루어질 수 있다. "스노우 세정" 방법은 연마적이지 않으며, 따라서 EUV 리소그래피용 반사 광학 요소와 마찬가지로 광학 코팅을 갖는 광학면을 세정하기 위해 사용될 수 있다.
본 발명의 목적은 그 표면에 퇴적된 오염 물질을 효과적으로 세정할 수 있는 광학 장치를 제공하는 것이다.
이 목적은 광학 장치, 특히 플라즈마 광원 또는 EUV 리소그래피 기기로서, 내부 하우징 공간을 둘러싸는 하우징, 상기 하우징 내에 진공을 발생시키기 위한 진공 발생 유닛, 상기 내부 하우징 공간에 배치되는 하나 이상의 표면, 및 상기 표면에 퇴적된 오염 물질을 제거하기 위한 세정 디바이스를 포함하고, 상기 세정 디바이스는 CO2를 CO2 펠릿 형태로 배출함으로써 상기 퇴적된 오염 물질을 제거하도록 구성되는 광학 장치에 의해 달성된다. 본 출원의 목적을 위해서, 내부 하우징 공간에 배치되는 표면은 내부 하우징 벽을 의미하는 것으로도 이해된다.
배출되어 세정될 표면(들) 상에 입사되는 CO2 펠릿은 표면에 단단히 부착되어 있거나 상당한 고생을 통해서만 제거될 수 있는 오염 물질이 단수 또는 복수의 표면으로부터 효과적으로 제거될 수 있게 한다. CO2 펠릿 또는 CO2 비드는 CO2 아이스의 건조 피스인 바, 즉 밀리미터 자릿수의 비교적 큰 직경 또는 평균 직경을 갖는 고형물의 입자이다. 표면에 입사된 후, CO2 펠릿은 통상적으로 (특히 내부 하우징 공간 내의 낮은 압력 하에서) 기체 상태로 넘어가며, 따라서 잔류물 없는 세정이 가능해진다. CO2 펠릿을 사용할 때의 세정 작용은 표면과의 충돌 시의 열충격과 승화 도중의 자발적인 체적 증가의 결과로서 달성된다. 이런 식으로, 비교적 두꺼운 층, 특히 수 밀리미터 범위의 층 두께를 갖는 육안상으로 두꺼운 층 조차도 비교적 시간 소비 없이 제거될 수 있다. CO2 펠릿에 의한 세정 작용은 연마적일 수도 있지만, 특히 소프트한 기재(예를 들면 알루미늄)의 경우에는 부드러운 세정이 가능한데, 그 이유는 CO2 펠릿의 충돌 에너지가 샌드블라스팅에 비해서 낮고 세정 작용이 실질적으로 전술한 효과에 기초하며 기계적 충돌에 기초하지 않기 때문이다.
CO2 펠릿에 의한 표면 세정을 위해서, CO2 펠릿은 소정 크기(대체로 0.01mm 내지 10mm)로 생성된다. CO2 펠릿은 가스 스트림(특히 비활성 가스 스트림)에 공급될 수 있으며 가스 스트림에 의해 동반 가속될 수 있다. 대안적으로, 순수하게 기계적인 가속이 이루어질 수도 있다. 어느 경우에나, CO2 펠릿은 세정될 표면 상으로 인도되거나 "발사"된다. 소정 크기의 CO2 펠릿을 생성하기 위해, 큰 피스의 CO2 아이스가 대응적으로 작은 피스의 CO2 아이스로 파괴될 수 있다. 이 목적을 위해서, 세정 디바이스는 예를 들어 대응 형성된 CO2 펠릿 처리 유닛을 포함할 수 있다. 처리 유닛은 오염 물질에 의한 더러워짐이 얼마나 심한지 또는 오염 물질이 얼마나 강력하게 표면에 부착되는지에 따라서 CO2 펠릿 크기를 변경하도록 설계될 수 있다. 또한, 세정 디바이스의 보조에 의해, 예를 들면 CO2 펠릿이 배출되는 압력 또는 이 펠릿이 동반되는 가스의 유속의 변경에 의해서, 충돌 속도 또는 출구 속도가 변경될 수 있다. 세정 디바이스는 통상적으로 CO2 소스(예를 들면 CO2 저장 용기)를 더 포함한다. 세정 디바이스는 예를 들어 어댑터 또는 서비스 콘솔에 의해 하우징에 착탈 가능하게 연결될 수 있다. 세정이 전혀 필요하지 않을 때, 세정 디바이스는 하우징으로부터 분리될 수 있으며 하우징 상의 개구는 덮개 등에 의해 폐쇄될 수 있다.
일 실시예에서, 세정 디바이스는 표면에 CO2 펠릿을 공급하기 위해 공급 디바이스를 가지며, 공급 디바이스는 CO2 펠릿을 배출하기 위한 출구 개구를 갖는 공급 라인을 포함하고, 상기 공급 라인은 출구 개구를 표면의 상이한 지점으로 인도하기 위해 하나 이상의 가요성 섹션을 갖는다. 공급 라인의 가요성 섹션은 가스 노즐의 노즐 개구로서 형성될 수 있는 출구 개구가 상이한 공간 방향으로부터 (가요적으로) 세정될 표면 상으로 인도될 수 있게 한다. 출구 개구 또는 가스 노즐의 유동 단면적은 빠져나오는 CO2 펠릿의 각도 분포를 변경하기 위해 변경될 수도 있다. 공급 디바이스 또는 공급 디바이스의 라인의 가요성 섹션은 내부 하우징 공간의 접근하기 어려운 영역 또는 비사용 공간(dead space)에도 도달할 수 있게 해준다.
따라서, 표면 상의 CO2 펠릿의 입사각 및/또는 표면으로부터 출구 개구의 거리 역시, 퇴적된 오염 물질에 의한 더러워짐이 표면의 여러 지점에서 얼마나 심한지에 따라서 변경될 수 있다.
라인의 가요성 섹션은 공급 라인의 두 개의 강성 섹션 사이에 형성될 수 있다. 그러나 라인의 가요성 섹션은 출구 개구의 영역에 공급 라인의 단부 섹션을 형성할 수도 있다. 공급 라인은 또한 라인의 추가적인 또는 다수의 추가적인 가요성 섹션을 포함할 수 있으며, 라인의 인접한 가요성 섹션 사이에는 라인의 강성 섹션이 각각 제공될 수 있다. 하나 이상의 가요성 섹션의 사용은 공급 라인이 세정될 표면의 대응 지점 상으로 모두 함께 내시경 방식으로 매우 가요적으로 인도될 수 있게 한다. 라인의 가요성 섹션의 곡률에 영향을 미치거나 이를 변경시키는 견인 및/또는 푸시 요소는 예를 들어 출구 개구를 표면의 상이한 지점 상으로 인도하도록 작용할 수 있다. 원칙적으로 공급 라인의 내부 또는 외부에서 연장될 수 있는 보덴(bowden) 케이블이 특히 견인 및/또는 푸시 요소로서 사용될 수 있다.
바람직한 개선에서, 상기 공급 라인은 하우징의 개구를 통해서 내부 하우징 공간에 기밀하게 삽입되며, 따라서 CO2 펠릿 세정이 현장에서 이루어질 수 있다. 이것은 표면 세정을 위해 광학 장치를 분해하는 수고스러운 과정을 필요없게 만든다. 기밀한 폐쇄를 달성하기 위해서, 하우징의 개구는 그 크기(예를 들면 그 직경)와 관련하여 공급 라인의 전체 단면과 일치할 수 있다. 개구를 통해서 내부 하우징 공간에 삽입되는 공급 라인을 사용함으로써, CO2 펠릿은 하우징 외부로부터 하우징 내부로 인도된다. 개구는 원칙적으로 기밀한 폐쇄를 달성하기 위해 이 경우에 제공되어야 하는 대응 밀봉 디바이스인 공급 라인의 전체 단면보다 클 수도 있음은 말할 것도 없다.
또한 바람직한 것은 출구 개구를 인도하기 위해 공급 라인, 특히 공급 라인의 강성 섹션이 개구에 대해 변위 가능하거나 및/또는 회전 가능한 개선이다. 예를 들어, 공급 라인 또는 라인의 강성 섹션과 개구 사이의 축방향 상대 운동을 허용하는 축방향 시일이 제공될 수 있거나 및/또는 공급 라인 또는 라인의 강성 섹션과 개구 사이의 회전 상대 운동을 허용하는 반경방향 시일이 제공될 수 있다.
바람직한 실시예에서, 광학 장치는 표면을 모니터링하기 위한 모니터링 디바이스를 포함하며, 모니터링 디바이스는 표면 상으로 향할 수 있는 모니터링 광학계를 갖는다. 모니터링 광학계는 예를 들어 마이크로렌즈를 갖는 촬영 광학 유닛일 수 있으며, 이는 표면 또는 표면의 부분의 화상을 이미지 센서 상에, 예를 들면 CCD 칩 상에 투영한다. 모니터링 디바이스는 CO2 펠릿에 의해 표면의 세정을 모니터링하도록, 즉 세정 작업을 기록하거나 및/또는 세정 작업을 화면 상에서 재생하도록 설계된다. 표면의 모니터링에 기초하여, 예를 들면 표면의 초기 오염 정도를 결정할 수 있다. 마찬가지로 세정 작업 자체를 모니터링할 수 있으며 특히 세정 과정을 계속해서 체크할 수 있다. 최종적으로, 세정 작업을 중단하기 위한 시간 또한 모니터링 광학계에 의해 얻어지는 신호에 기초하여 결정될 수 있다.
바람직한 실시예에서, 모니터링 광학계는 화상 전송 라인 상에 장착되며, 화상 전송 라인은 모니터링 광학계를 표면의 상이한 지점 상으로 인도하기 위해 라인의 하나 이상의 가요성 섹션을 갖는다. 화상 전송 라인은 통상적으로 모니터링될 표면을 조명하기 위한 조명 방사선을 제공하도록 작용한다. 화상 전송 라인은 하나 이상의 추가적인 또는 다수의 추가적인 라인의 가요성 섹션을 가질 수 있으며, 라인의 인접한 가요성 섹션 사이에는 라인의 강성 섹션이 제공될 수 있다. 그 결과, 전송 라인은 전체적으로 내시경 방식으로 매우 가요적으로 사용될 수 있으며, 모니터링 광학계는 선택적 모니터링을 위해 세정될 표면의 적절한 지점 상으로 향할 수 있다. 모니터링 디바이스 또는 모니터링 디바이스의 라인의 가요성 섹션은 내부 하우징 공간의 접근하기 어려운 체적 또는 비사용 공간을 검사할 수 있게 해준다. 전송 라인은 통상적으로 하나 이상의 특히 글래스 파이버 형태의 도광부이다. 화상 전송은 아날로그 방식으로 예를 들어 마이크로렌즈의 도움으로 이루어지거나, 디지털 방식으로 이루어질 수 있다. 후자의 경우에, 모니터링 광학계는 표면과 대면하는 전송 라인의 단부 부분에 제공되는 예를 들어 CCD 또는 CMOS 칩과 같은 이미지 센서를 형성한다. 화상 전송 라인으로서 다수의 글래스 파이버를 사용할 수도 있으며, 글래스 파이버 각각은 표면의 기록된 화상의 개별 상점(image point)을 예를 들어 디스플레이 디바이스(예를 들면 모니터)에 전송하여, 세정 디바이스의 조작자가 지켜볼 수 있는 기록된 화상을 표시하는 목적을 수행한다.
바람직하게, 공급 라인과 화상 전송 라인은 상호 이웃하여 배치되며, 특히 적어도 섹션에서 상호 연결된다. 이런 식으로 공급 라인과 화상 전송 라인은 함께(일체로) 이동될 수 있으며 함께 인도될 수 있다. CO2 펠릿에 의한 현장 세정 및 모니터링 광학계에 의한 현장 모니터링은 이런 식으로 특히 용이하게 수행될 수 있다. 특히, 양 라인은 세정을 수행하기 위해 하우징 외부에 배치되는 적절한 취급 디바이스에 의해 조작자에 의해 적절하게 인도되거나 이동될 수 있다.
바람직한 개선에서, CO2 펠릿의 배출 방향과 모니터링 광학계의 모니터링 방향은 상호 평행하게 또는 상호 동축적으로 연장된다. 이런 식으로, 펠릿이 표면에 입사될 때의 펠릿의 작용은 특히 용이하게 관찰될 수 있으며, 세정 디바이스를 작동시키거나 개방-루프/폐쇄-루프 제어 하에 유지시키는 것을 더 쉽게 만든다.
바람직한 실시예에서, 세정 디바이스는 제거된 오염 물질 및/또는 CO2를 내부 하우징 공간으로부터 취출하기 위한 흡인 취출 디바이스를 포함한다. 흡인 취출 디바이스는 제거된 오염 물질이 하우징으로부터 완전히 취출될 수 있게 하여 하우징 내부에서 더 이상 오염 효과를 미칠 수 없게 할 수 있을 뿐 아니라, 내부 하우징 공간에 도입된 CO2 펠릿 또는 기체상으로 변환됨으로써 생성되는 CO2 가스가 내부 하우징 공간으로부터 완전히 취출될 수 있게 한다. 취출된 CO2 가스는 추가 CO2 펠릿을 생성하기 위해 세정 디바이스에 의해, 특히 세정 디바이스의 처리 유닛에 의해 재사용될 수도 있다. 흡인 취출 디바이스는 통상적으로 CO2 가스로부터 오염 물질을 분리하기 위한 필터 유닛을 포함한다.
바람직한 개선에서, 흡인 취출 디바이스는 내부 하우징 공간에 기밀하게 진입하는 하나 이상의 흡인 취출 라인을 갖는다. 내부 하우징 공간 내로의 CO2 펠릿용 기밀 공급 라인과 또한 내부 하우징 공간에 기밀하게 진입하는 흡인 취출 라인은 완전히 기밀한 세정 사이클이 형성될 수 있게 한다. 하나 이상의 흡인 취출 라인은 그 통과 단면이 하우징의 내부를 향해서 증가하는 연결 부분에 의해, 즉 통상적으로 깔때기-형상의 연결 부분에 의해 하우징의 내부에 기밀하게 진입하는 것이 바람직하다. 흡인 취출 라인은 또한 흡인 취출 라인의 흡인 취출 개구를 내부 하우징 공간에 적절하게 인도하거나 위치시킬 수 있도록 라인의 하나 이상의 가요성 섹션을 가질 수 있다. 이것은 특히 이하에서 추가로 설명되는 (모바일) 공간 분할 디바이스와 관련하여 바람직하다.
바람직한 개선에서, 흡인 취출 라인은 세정될 표면 영역에서 하우징의 내부에 진입한다. 이런 식으로, 제거된 오염 물질의 취출은 (표면의) 퇴적 위치에 바로 인접한 영역에서 이루어지며, 따라서 취출 도중에 오염 물질에 의해 커버될 경로가 특히 짧다. 따라서, 제거된 오염 물질은 초기에 쓸려나가서 하우징의 다른 지점에(하우징의 다른 표면 상에 또는 하우징 내의 다른 표면 상에) 퇴적될 수 없지만, 하우징의 내부로부터 즉시 제거된다. 이러한 (직접) 취출은 유리하게 일체의 교차 오염이 감소되거나 심지어 완전히 제거될 수 있게 한다.
추가 개선에서는, 하나 이상의 흡인 취출 라인이 CO2 펠릿 공급을 위한 공급 라인의 개구를 통해서 하우징의 내부에 진입하며, 따라서 특히 콤팩트한 장치가 실현될 수 있다.
또한 바람직한 것은 표면이 플라즈마 광원의 하우징의 내표면인 실시예이다. 오염 물질을 CO2 펠릿에 의해 플라즈마 광원의 내부 하우징 표면으로부터 제거하는 것은 유리하게 광원의 작동 중에 개별 방사선 펄스의 탈락이 전혀 없는 효과가 달성될 수 있게 한다. 또한 소위 소스 잔해, 즉 광원으로부터의 기체, 액체 또는 고체 이물질(예를 들면 액적 또는 입자)이 연결된 광학 디바이스, 예를 들면 조명 시스템 내로 배출되는 일이 발생하지 않거나 적어도 크게 감소되는 효과를 달성할 수도 있다.
또한 바람직한 것은 표면이 내부 하우징 공간에 배치된 (구조) 부품 상에 형성되는 실시예이다. 구조 부품의 표면의 세정은 유리하게 구조 부품의 후속 (재)조정이 요구되지 않도록 CO2 펠릿에 의해 실시될 수 있다. 구조 부품은 특히, 예를 들어 EUV 리소그래피 기기에 또는 EUV 계측 시스템에 배치될 수 있는 광학 요소, 예를 들면 EUV 미러를 위한 장착부일 수 있다. 특히, 플라즈마가 자기 봉쇄에 의해 발생되지 않고 레이저 광선, 특히 CO2 레이저 광선에 의해 발생되는 플라즈마 광원의 구조 부품 또는 하우징 부분 또한 이들 표면이 CO2 펠릿에 노출되는 전술한 방식으로 세정될 수 있다. 이런 식으로, 특히 주석 또는 주석 화합물의 퇴적물이 플라즈마 광원의 표면으로부터 제거될 수 있다.
추가 실시예에서, 상기 표면은, EUV 방사선에 대해 반사적이고 예를 들어 EUV 리소그래피 기기에 또는 EUV 계측 시스템에 배치될 수 있는 광학 요소의 광학면이다. CO2 펠릿이 연마 작용을 갖기 때문에, CO2 펠릿의 보조에 의한 세정은 광학면 또는 광학면이 형성되는 반사 코팅의 부분 제거 또는 그 손상을 초래할 수 있다. 그러나, CO2 펠릿에 의한 세정은 다른 방식으로 제거될 수 없거나 단지 상당한 노력으로는 제거될 수 없는 오염물의 제거에 적합하며, 바람직하게는 제거될 층의 두께가 그 아래에 놓이는 반사 코팅이 CO2 펠릿의 연마 작용에 노출되지 않거나 약간만 노출될 만큼 충분히 큰 광학면의 국소 영역에서 선택적으로 사용될 수 있다.
또한 바람직한 것은 상기 표면과 세정 디바이스를 특히 기밀하게 둘러싸는 공간 분할 디바이스가 내부 하우징 공간에 제공되는 실시예이다. 세정될 표면은 이 경우에 하우징의 내표면이거나 내부 하우징 공간에 배치된 부품 상에 형성되는 표면인 것이 바람직하다. 공간 분할 디바이스는 예를 들어 하우징에 대해 또는 하우징의 내표면에 대해 또는 내부 하우징 공간에 배치된 부품에 대해 놓일 수 있다. 공간 분할 디바이스가 세정 디바이스 및 세정될 표면을 특히 기밀하게 둘러싸거나 포위한다는 사실은, CO2 펠릿 또는 세정 중에 생성된 오염 물질이 공간 분할 디바이스에 의해 획정된 부분 체적의 외부에 배치되는 광학면(특히 EUV 방사선-반사 광학 요소의 표면)의 영역에 진입하는 것을 방지할 수 있음을 의미한다. 이런 식으로, 공간 분할 디바이스를 사용함으로써, CO2 펠릿에 의한 세정은 광학면을 손상시키지 않으면서 광학면의 바로 근처에서도 이루어질 수 있다.
공간 분할 디바이스는 예를 들어 반구형 캡 또는 벨(bell)의 방식으로 형성될 수 있다. 특히, 공간 분할 디바이스는 내부 하우징 공간에 이동식으로 또는 이동 가능한 방식으로, 예를 들면 변위 가능한 방식으로 장착될 수 있으며, 하우징 내의 상이한 위치에 배치된 표면이 세정될 수 있도록 하우징 내의 상이한 위치로 이동될 수 있다. 공간 분할 디바이스가 표면과 세정 디바이스를 둘러싸는 사실은 공급 디바이스와 세정 디바이스의 흡인 취출 디바이스가 공간 분할 디바이스에 의해 획정되는 부분 체적 내에 적어도 부분적으로 배치됨을 의미한다. 이런 식으로, 획정된 부분 체적 내부에 폐쇄형 세정 사이클이 수립될 수 있다.
최종적으로, 공급 라인의 출구 개구 및 흡인 취출 라인의 입구측 단부가 공간 분할 디바이스에 의해 둘러싸이는 실시예가 바람직하다. 이런 식으로, 출구 개구와 흡인 취출 라인의 입구측 단부는 둘 다 공간 분할 디바이스에 의해 획정되는 부분 체적 내에 배치되거나, 그 안으로 돌출한다. 모니터링 디바이스는 또한 통상적으로, 세정될 표면을 모니터링하기 위해, 예를 들면 증가된 오염이 존재하는 지점을 확인하거나 및/또는 세정 과정을 모니터링하기 위해 공간 분할 디바이스, 즉 적어도 모니터링 광학계에 의해 획정되는 부분 체적에 적어도 부분적으로 삽입된다.
본 발명의 추가적인 특징 및 장점은 본 발명의 예시적 실시예에 대한 하기 설명으로부터, 본 발명에 필수적인 세부사항을 도시하는 도면에 기초하여, 청구항으로부터 드러난다. 개별 특징부는 본 발명의 일 변형예에서 각각 단독으로 또는 임의의 조합으로 함께 실현될 수 있다.
예시적 실시예는 개략도에 제시되어 있으며 후속 기재에서 설명된다.
도 1은 플라즈마 광원 형태의 광학 장치의 개략도이다.
도 2는 세정 디바이스를 갖는 도 1의 플라즈마 광원의 상세도이다.
도 3은 EUV 리소그래피 기기로서 형성되는 광학 장치의 개략도이다.
도 4는 도 3의 EUV 리소그래피 기기의 상세도이다.
도 5는 도 1의 플라즈마 광원에 세정 디바이스를 장착하기 위한 추가 가능성의 개략도이다.
도 1에는 플라즈마 광원(1') 형태의 광학 장치를 통한 개략 단면도가 도시되어 있다. 플라즈마 광원(1') 또는 광학 장치는, 챔버로서 형성되고 내부 하우징 공간(3)을 둘러싸는 하우징(2)을 포함한다. 하우징(2)은 또한 이온성 매체를 갖는 플라즈마 방전 구역(4)을 둘러싼다. 이온성 매체는 플라즈마 방전 구역(4)에 플라즈마[두 개의 플라즈마 루프(5a, 5b)에 의해 표시됨]를 발생시키기 위해 사용된다. 플라즈마 광원(1')은 플라즈마 방전 구역(4)에 형성되는 두 개의 플라즈마 루프(5a, 5b)에 전류를 유도하기 위한 변압기(6)를 추가로 포함한다. 변압기(6)는 자기 코어(7)와 일차 코일(8)을 가지며, 코일(8)과 자기 코어(7) 사이에는 갭(9)이 형성된다. 두 개의 플라즈마 루프(5a, 5b)는 플라즈마 필라멘트를 형성하기 위해 중심 구역에서 함께 수렴하고 견인되는 바("핀칭"), 즉 중심 구역에서는 각각의 플라즈마 루프(5a, 5b)의 플라즈마의 단면적이 감소되고, 따라서 플라즈마의 에너지 밀도가 증가된다. 증가된 에너지 밀도의 결과로서, 플라즈마 광원(1')의 방사선(도 1에서 화살표로 도시됨)은 실질적으로 중심 구역에서 발생되며, 따라서 예를 들어 EUV 방사선, 즉 약 5nm 내지 약 30nm의 파장 범위의 방사선을 방출할 수 있는 대략 점모양의 광원이 플라즈마 광원(1')에 의해 실현될 수 있다.
플라즈마 광원(1')은 또한, 전기 에너지를 통상 펄스 형태로 일차 코일(8) 또는 자기 코어(7)에 공급할 수 있는 에너지 공급 디바이스(10)를 포함한다. 플라즈마 광원(1')의 작동 중에, 에너지 공급 디바이스(10)는 일반적으로 이 목적을 위해 일련의 에너지 펄스를 제공하며, 따라서 플라즈마에 에너지를 공급한다. 에너지 공급 디바이스(10)는 전기 접속부(11a, 11b)에 의해 에너지 펄스 또는 일련의 에너지 펄스를 제공하며, 에너지 펄스는 자기 코어(7)에 전류를 유도하고, 따라서 에너지는 플라즈마 방전 구역(4)에서 플라즈마 루프(5a, 5b)에 이용 가능하게 된다.
이온성 매체로는 이온성 유체, 즉 기체 또는 액체가 사용될 수 있다. 이온성 매체는 예를 들어 크세논, 리튬 또는 주석일 수 있다. 대안적으로, 이온성 매체는 가스 공급 라인에 의해 예를 들어 헬륨과 같은 캐리어 가스에 의해 하우징(2) 내로 인도되는 미세하게 분포된 고체 입자(예를 들면 주석 입자)로 구성될 수 있다. 증발 공정에 의해 또는 소위 "스퍼터링"에 의해 증발되는 예를 들어 주석 또는 리튬과 같은 고형물도 마찬가지로 이온성 매체로 사용될 수 있다.
플라즈마 광원(1')은 이러한 금속을 증발시키고 증발된 금속을 하우징(2) 내에 도입하는 증기 발생기(도시되지 않음)를 추가로 포함할 수 있다. 플라즈마 광원(1')은 증발된 금속을 하우징(2) 내에서 가열하기 위한 가열 디바이스(마찬가지로 도시되지 않음)를 추가로 포함할 수 있다. 하우징(2)은 통상적으로, 이온성 매체와 플라즈마를 하우징(2) 내부에 봉쇄시키는 예를 들어 구리, 텅스텐, 텅스텐-구리 합금 또는 일부 다른 재료와 같은 금속 재료에 의해 적어도 부분적으로 형성된다. 플라즈마 광원(1')은 하우징(2) 내에 진공(예로서, 약 10-9 mbar와 10 mbar 사이의 압력)을 발생시키기 위한 진공 발생 유닛(12), 및 내부 하우징 공간(3) 내에 즉 챔버 내에 배치되고 도 1에서 플라즈마 광원(1')의 하우징(2)의 내표면을 형성하는 표면(13)을 추가로 포함한다.
플라즈마 광원(1')에 의한 플라즈마 발생 중에, 그러나, 방사선 발생의 불안정성은 특히 오염 물질이 플라즈마 광원(1')에 존재하는 표면으로부터 비교적 큰 박편 형태로 급격히 분리되는 경우에 하우징(2) 내에 위치하는 오염 물질 때문에 발생할 수 있으며, 그 결과 플라즈마가 방해받고 개별 펄스 또는 일련의 펄스의 탈락이 발생할 수 있다. 오염 물질은, 예를 들어 구리를 함유하고 특히 플라즈마 방전 구역(4)에서 플라즈마와 대면하는 하우징 벽 부분이 하우징(2)으로부터 또는 아마도 일차 코일(8) 또는 그 포위체로부터 제거될 경우에 생성될 수 있다. 이들 제거된 물질은 이후 내부 하우징 공간(3)에서 확산될 수 있고 하우징(2)의 상이한 [예를 들어 표면(13) 상의] 지점에서 다시 한번 퇴적될 수 있으며 아마도 표면(13)으로부터 박편형 집합체 형태로 자발적으로 분리될 수 있다. 표면(13)에 퇴적된 물질(14)을 제거하기 위해서, 플라즈마 광원(1')은 도 2에 기초하여 보다 구체적으로 후술되는 세정 디바이스(15)를 갖는다.
플라즈마 광원(1')의 도 2에 도시된 확대도에서, 내부 하우징 공간(3)을 둘러싸는 하우징(2)은 플라즈마를 발생시키기 위해 도 1에 사용되는 부품 없이 간단한 형태로 도시되어 있다. 도 2에서, 내부 하우징 공간(3)은 그 하측에서 예를 들어 하우징 벽(16)의 내측을 형성하는 표면(13)에 의해 획정된다. 하우징 벽(16)은 통상적으로 예를 들어 구리 또는 텅스텐과 같은 금속 재료에 의해 적어도 부분적으로 형성된다.
표면(13) 상에 퇴적된 통상 금속 재료와 같은 오염 물질(14)을 제거하기 위한 세정 디바이스(15)는 CO2를 CO2 펠릿(17) 형태로 배출함으로써 퇴적된 오염 물질(14)을 제거하도록 구성된다. CO2 펠릿을 발생시키기 위해, 세정 디바이스(15)는 예를 들어 CO2 저장 디바이스를 포함할 수 있고 또한 CO2 펠릿 처리 유닛(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. CO2 펠릿 처리 유닛 또는 세정 디바이스(15)는 이후 CO2 저장 디바이스에 의해 제공되는 CO2가 CO2 펠릿(17)을 형성하는 적절한 크기의 CO2 아이스 피스로 변형될 수 있게 하며, 여기에서는 예를 들어 큰 피스의 CO2 아이스가 통상 0.01mm 내지 10mm의 크기인 소정 크기로 될 때까지 부서진다.
이어서, 세정 디바이스(15)는 비활성 가스가 고압 하에 유지되는 저장 디바이스를 가스가 떠날 때 예를 들어 압력 구배에 의해 발생될 수 있는 비활성 가스 스트림(18)에 의해 CO2 펠릿(17)을 가속시킨다. CO2 펠릿(17)은 비활성 가스 스트림(18)에 공급되고 이 가스 스트림에 의해 동반되며 출구 개구(20)에 제공된 가스 노즐에 의해 가속되고, 따라서 가스 스트림(18) 내의 CO2 펠릿(17)은 세정될 표면(13)에 (통상 마하 0.7 내지 마하 3.0의) 고속으로 입사되거나 충돌되어 오염 물질(14)을 (연마적으로) 제거한다.
CO2 펠릿(17)을 표면(13)에 공급하기 위해, 세정 디바이스(15)는 CO2 펠릿(17)을 배출하기 위해 가스 노즐의 출구 개구(20)를 갖는 공급 라인(19)을 포함하는 공급 디바이스(35)를 갖는다. 공급 라인(19)은 출구 개구(20) 또는 출구 노즐을 표면(13)의 상이한 지점으로 인도하기 위해 라인의 하나 이상의 가요성 섹션(21)을 갖는다. 출구 개구(20)를 인도하기 위해, 공급 라인(19)의 출구 개구측 단부는 (도 2의 도면 평면 내에서) 화살표(22)의 방향에 일치하는 방식으로 피봇될 수 있다. 추가로, 공급 라인(19)의 출구 개구측 단부는 또한 비활성 가스의 스트림(18)과 출구 개구(20)에서 나오는 CO2 펠릿(17)을 표면(13)의 상이한 지점 상으로 안내 또는 인도하기 위해 도 2의 도면 평면에 대해 수직적으로 배치된 평면 내에서 피봇될 수 있으며, 이러한 이유로 공급 디바이스(35)는 예를 들어 보덴 케이블 등의 형태로 실현될 수 있는 적절한 이동 디바이스를 갖는다.
공급 라인(19)은 하우징(2)의 개구(23)를 통해서 내부 하우징 공간(2)에 기밀하게 삽입된다. 출구 개구(20) 또는 출구 노즐을 표면(13)의 상이한 지점 상으로 인도하는 것은 공급 라인(19)에 의해, 보다 정확하게는 축방향으로 변위 가능하고 및/또는 개구(23)에 대해 회전 가능한(대응 화살표 36, 37 참조) 공급 라인(19)의 강성 섹션(24)에 의해 촉진된다. 상대 변위 및/또는 회전이 가능하도록, 대응 축방향 및/또는 반경방향 시일이 개구(23)와 공급 라인(19) 사이에 제공될 수 있다.
세정 디바이스(15)로부터 배출된 CO2 펠릿(17)은 유리하게, 비교적 두껍고 표면(13)에 강력하게 부착되어 있으며 따라서 제거가 어렵거나 불가능한 오염 물질(14), 통상적으로 오염 물질(14) 층이 표면(13)으로부터 효과적으로 제거될 수 있게 한다. 또한, 공급 라인(19)의 가요성 설계, 특히 공급 라인(19)의 출구 개구측 단부를 상이한 공간 방향으로 인도할 수 있음은 이상적인 경우에, 하우징(2)의 내측면 전체 또는 하우징(3)의 내부에 배치된 표면(13) 전체가 배출된 CO2 펠릿(17)에 의해 도달되어 세정될 수 있게 한다. 표면(13)은 특히, 내부 하우징 공간(3)에 배치되는 부품, 예를 들면 일차 코일(8) 또는 그 포위체의 표면일 수 있다.
플라즈마 광원(1')은 표면(13)을 모니터링하기 위한 모니터링 디바이스(25)를 추가로 포함하며, 모니터링 디바이스는 표면(13) 상으로 향할 수 있는 모니터링 광학계(26)를 갖는다. 도시된 예에서, 모니터링 디바이스(25)는 모니터링 광학계(26)가 장착되는 화상 전송 라인(27)을 포함하며, 화상 전송 라인은 모니터링 광학계(26)를 표면(13)의 상이한 지점 상으로 인도하기 위해 라인의 가요성 섹션(28)을 갖는다. 공급 라인(19)의 출구 개구측 단부와 유사하게, 라인의 가요성 섹션(28)은 모니터링 광학계(26) 역시 화살표(22) 방향에 일치하고 따라서 표면(13)의 상이한 지점에 일치하는 방식으로 상이한 공간 방향으로 인도될 수 있다는 효과를 갖는다. 공급 라인(19)과 화상 전송 라인(27)은 상호 이웃하여 배치되고 적어도 특정 섹션에서는 상호 연결되거나 상호 체결된다.
도시된 예에서, 가스 노즐 또는 출구 개구(20)를 갖는 공급 라인(19)의 출구 개구 측에서의 라인의 강성 섹션(24)과 화상 전송 라인(27)의 모니터링 광학계 측에서의 라인의 강성 섹션(29)은 상호 연결된다. 이런 식으로, 공급 라인(19)으로부터 CO2 펠릿(17)이 배출되는 방향과 모니터링 광학계(26)의 모니터링 방향은 상호 평행하게 정렬될 수 있다. 이 체결은 공급 라인(19)과 화상 전송 라인(27)이 단일 이동 디바이스에 의해 함께 이동될 수 있게 한다. 공급 라인(19)과 화상 전송 라인(27)이 반드시 상호 체결될 필요는 없다. 특히, 모니터링 광학계(26) 또는 화상 전송 라인(27)과 공급 라인(19)이 상호 독립적으로 이동될 수 있으면 유리할 수도 있다.
CO2 펠릿(17)은 규정된 이동 패턴을 따라서(예를 들면 스캐닝 운동으로) 표면(13) 상으로 점진적으로 인도될 수 있으며, 따라서 오염 물질(14)은 점진적으로 표면(13)에서 완전히 제거된다. 모니터링 디바이스(25)는 세정 작업이 조작자에 의해서 또는 아마도 전자 평가 디바이스에 의해서 시각적으로 감시될 수 있게 하며, 아마도 표면(13) 또는 그곳에 퇴적된 오염 물질(14)의 기록 화상에 따라서 예를 들어 규정된 이동 패턴으로부터 출발이 이루어진다는 점에서 세정 과정에 영향력이 발휘될 수 있게 한다.
세정 디바이스(15)는 제거된 오염 물질(14) 및/또는 CO2 또는 비활성 가스를 내부 하우징 공간(3)으로부터 취출하기 위한 흡인 취출 디바이스(30)를 추가로 포함한다. 표면(13)에 입사된 후, CO2 펠릿(17)은 통상적으로 기체 상태로 넘어가며, 흡인 취출 디바이스(30)에 의한 표면(13)으로부터의 물질(14) 제거 이후에, CO2와 이들 물질(14)의 혼합물이 하우징(2)으로부터 취출될 수 있다. 흡인 취출 디바이스(30)는 이 목적을 위해 도 2에서 세 개의 흡인 취출 라인(31)을 가지며, 이들 흡인 취출 라인은 일 단부에서 각각 내부 하우징 공간(3)에 기밀하게 진입한다. 흡인 취출 라인(31)은 타 단부에서 메인 흡인 취출 라인(32)에 취합되며, 메인 흡인 취출 라인에는 취출된 오염 물질(14)을 여과하기 위한 필터 유닛(도시되지 않음)이 장착된다. 메인 흡인 취출 라인은 예를 들어 진공 클리너와 같은 펌프와 연결된다.
이러한 필터 유닛에 의해 오염 물질(14)이 제거된 CO2는 이후 냉각되어 CO2 펠릿(17)을 생성하기 위해 재사용될 수 있다. 하우징(2) 내로의 CO2 펠릿(17)의 기밀한 공급과 흡인 취출 디바이스(30)에 의한 기밀한 취출은 밀폐식으로 밀봉 폐쇄된 세정 사이클이 형성될 수 있게 하며, 여기에서 설명되는 세정 공정이 클린룸 환경에서 실시될 수 있게 한다. 도 2에서, 세 개의 흡인 취출 라인(31) 중 가운데의 것은 개구(23)를 통해서 하우징(3) 내부에 진입하며, 상기 개구에서는 공급 라인(19) 및 화상 전송 라인(27) 또한 하우징(3)의 내부로 인도된다. 흡인 취출 라인(31) 전체도 흡인 취출 깔때기(33)로서 형성된 연결 부분에 의해 세정될 표면(13) 영역에서 하우징(3)의 내부에 진입한다.
도 2에서, 세정 사이클의 가능한 유동 경로는 라인(18)에 의해 표시된다. 제1 섹션에서, 비활성 가스와 CO2 펠릿(17)의 혼합물로서의 가스 스트림(18)은 출구 개구(20)로부터 표면(13)의 방향으로 인도된다. 그곳에서, CO2 펠릿(17)은 그 세정 작용을 수행하며 퇴적된 물질(14)을 점점 더 휩쓸어 버린다. 충돌 시에 또는 그 이후에, CO2 펠릿(17)은 거의 완전히 기체상 CO2로 변형된다. 라인(18)의 추가 유동 경로에 따르면, 제거된 물질(14)과 기체상 CO2의 혼합물은 이후 흡인 취출 깔때기(33)와 흡인 취출 라인(31)을 통해서 하우징(3)의 내부로부터 취출될 수 있다. 세정될 표면(13)의 크기에 대응하여, 통상적으로 퇴적된 물질(14) 전부를 동시에 취출하는 다수의 흡인 취출 깔때기(33) 및 대응 흡인 취출 라인(31)을 제공할 수 있음은 말할 것도 없다.
도 3에는 EUV 리소그래피 기기(1")로서 형성된 광학 장치가 도시되어 있다. EUV 리소그래피 기기(1")는 빔 발생 시스템(42), 조명 시스템(43) 및 투영 시스템(44)을 가지며, 이들 시스템은 개별 하우징(2)에 수용되고 빔 발생 시스템(42)의 EUV 광원(45)으로부터 나오는 빔 경로(46)에 차례로 배치된다. 빔 발생 시스템(42), 조명 시스템(43) 및 투영 시스템(44)은 도시되지 않은 공통 진공 하우징 내에 배치된다. 광원(45)으로부터 나오는 약 5nm 내지 약 20nm의 파장 범위의 방사선은 먼저 콜리메이터(47)에 포커싱된다. 하류 모노크로메이터(48)의 도움에 의해, 소정의 작동 파장(λB)(본 예에서는 약 13.5nm)이 양방향 화살표로 도시되는 입사각 변경에 의해 여과된다. 콜리메이터(47)와 모노크로메이터(48)는 반사 광학 요소로서 형성된다.
파장 및 공간 분포와 관련하여 빔 발생 시스템(42)에서 처리된 방사선은 제1 및 제2 반사 광학 요소(49, 50)를 갖는 조명 시스템(43)에 도입된다. 두 개의 반사 광학 요소(49, 50)는 방사선을 추가 반사 광학 요소로서의 포토마스크(51) 상으로 안내하며, 포토마스크는 투영 시스템(44)에 의해 웨이퍼(52) 상에 축소된 스케일로 촬영되는 구조를 갖는다. 이 목적을 위해서, 제3 및 제4 반사 광학 요소(53, 54)가 투영 시스템(44)에 제공된다.
반사 광학 요소(49, 50, 51, 53, 54)는 각각 광원(45)의 EUV 방사선(46)에 노출되는 광학면(13)을 갖는다. 반사 광학 요소(49, 50, 51, 53, 54)는 여기에서 진공 조건 하에, 즉 약 10-9 mbar 내지 약 10 mbar의 (전체) 압력으로 작동된다. 이러한 진공 조건을 설정하기 위해서, 진공 발생 유닛이 제공된다(도시되지 않음).
EUV 투영 조명 기기(1") 내부에서, 즉 EUV 광원(45) 내에, 빔 발생 시스템(42) 내에, 조명 시스템(43) 내에 및/또는 투영 시스템(44) 내에는 통상적으로 다양한 소스에서 유래하거나 다양한 이유로 발생하는 오염 물질(14)이 존재한다. EUV 광원(45)은 예를 들어 플라즈마 광원일 수 있으며, 여기에서는 용융 주석의 액적이 고출력 펄스형 이산화탄소 레이저에 쏘아지고, 따라서 주석 입자가 광원(45) 주위 영역에 진입할 수 있으며 이후 빔 발생 시스템(42)에서 확산될 수 있다. 또한, 모노크로메이터(48)는 양방향 화살표로 도시하듯이 빔 성형 시스템(42) 내에 기계적으로 피봇 장착된다. 그러나, 기계적 피봇 중에 기계적 연마가 발생할 수도 있으며 이는 마찬가지로 오염 물질의 형성을 초래할 수도 있다.
이들 물질의 전부는 EUV 리소그래피 기기(1")의 개별 서브조립체 내에, 예를 들면 개별 서브조립체[빔 성형 시스템(42), 조명 시스템(43), 투영 시스템(44), EUV (플라즈마) 광원(45)]를 둘러싸는 하우징(2)의 내표면(13) 상에 또한 그 곳에 존재하는 부품 상에 퇴적될 수 있으며, 하나의 서브조립체[예를 들면 빔 성형 시스템(42)]에서 다음 서브조립체[예를 들면 조명 시스템(43)]로 이동하여 EUV 리소그래피 기기(1")의 작동에 악영향을 미칠 수 있다. 오염 물질(14)은 또한 광학 요소(47, 48, 49, 50, 51, 53, 54) 자체의 광학면(13) 상에 퇴적될 수 있으며, 따라서 광학 요소(47, 48, 49, 50, 51, 53, 54)의 반사율이 불리하게 감소된다.
예시적으로 또한 도 1 및 도 2와 유사하게, 도 3에는 빔 발생 시스템(42)의 하우징(2)의 표면(13) 상에 퇴적된 물질(14)을 제거하기 위한 세정 디바이스(15)가 빔 발생 시스템(42)의 하측에 도시되어 있으며, 세정 디바이스는 표면(13)을 모니터링하기 위한 모니터링 디바이스(25)를 갖고 또한 제거된 오염 물질(14) 및/또는 공급된 CO2를 취출하기 위한 흡인 취출 디바이스(30)를 갖는다. 세정 디바이스(15), 모니터링 디바이스(25) 및 흡인 취출 디바이스(30)는 하우징(2)의 표면(13)에서 오염 물질(14), 특히 EUV 광원(45)으로부터의 주석 퇴적물이 효과적으로 세정될 수 있게 한다. 각각의 하우징(2) 내에 배치되는 비광학 부품, 예를 들면 모노크로메이터(48)의 장착부(48a)에 대해 예시적으로 도시되는 각각의 광학 요소(47, 48, 49, 50, 51, 53, 54)의 장착부도 마찬가지이다. 광학 요소(49, 50, 51, 53, 54)의 표면(13)을 특히 종래 방법에 의한 세정이 성공적이지 않거나 불가능한 지점에서 CO2 펠릿(17)에 의해 적어도 부분적으로 세정하는 것도 원칙적으로 가능하다.
빔 발생 시스템(42)의 하우징(2) 내에는 하우징(2)의 내측에 대해 기밀하게 또는 밀봉 방식으로 놓이는 공간 분할 디바이스(60) 또한 배치된다. 공간 분할 디바이스(60)는 세정 디바이스(15), 보다 정확히는 내부 하우징 공간(3) 내로 돌출하는 세정 디바이스(15)의 부분을 둘러싸고, 또한 세정될 표면(13)을 둘러싼다. 도 3에 도시된 상황에서, 공간 분할 디바이스(60)는 내부 하우징 공간(3)의 폐쇄된 부분 체적(61)을 획정하며, 따라서 CO2 펠릿(17)과 또한 세정 중에 표면(13)에서 분리된 물질은 부분 체적(61)으로부터 나머지 내부 하우징 공간(3) 내로 이동할 수 없으며 아마도 그 공간에서 광학 요소(47, 48)의 광학면(13) 상에 입사될 수 없다.
또한 도 3에서 공간 분할 디바이스(60)의 위치에 의해 획정되는 부분 체적(61) 외부에 배치되는 표면(13)을 세정 디바이스(15)에 의해 세정하기 위해서, 공간 분할 디바이스(60)는 예를 들어 화살표 62의 방향으로 예를 들어 오프셋(피봇 및/또는 이동)될 수 있다. 이 목적을 위해서, 공간 분할 디바이스(60)는 드라이브(도시되지 않음) 할당될 수 있다. 하우징(2) 내에서의 공간 분할 디바이스(60)의 이동은 예를 들어 내부 하우징 공간(3) 내에 장착되는 예를 들어 가이드 레일 형태의 가이드를 따라서 이루어질 수 있다. 공간 분할 디바이스(60)는 내부 하우징 공간(3) 내에서 세정 작업 중에 변위될 수 있는 반면에, 세정 디바이스(15)는 적소에 고정 유지되고 공급 디바이스(35)의 공급 라인(19)과 또한 모니터링 광학계(26)의 화상 전송 라인(27)만 표면(13) 상의 또는 추가 표면 상의 세정될 지점에 도달하기 위해 적절하게 이동된다.
세정 디바이스(15)는 하우징(2)에 착탈 가능하게 체결될 수 있다. 예를 들어, 세정 목적을 위해서, 세정 디바이스(15)는 어댑터 또는 개구에 의해 하우징(2)에 삽입될 수 있다. 세정이 필요하지 않으면, 세정 디바이스(15)는 제거되고 어댑터 또는 개구는 기밀하게 폐쇄된다.
도 4에는 도 3으로부터의 EUV 리소그래피 기기(1")의 상세, 정확히는 제4 반사 광학 요소(54)를 갖는 투영 시스템(44)의 상세가 도시되어 있다. 마찬가지로 투영 시스템(44)의 하우징(2) 내에 배치되는 것은 하우징(2)의 내측에 대해 기밀하게 놓이는 공간 분할 디바이스(60)이다. 공간 분할 디바이스(60)는 세정될 표면(13)과 또한 공급 라인(19)의 출구 개구(20) 및 세정 디바이스(15)의 흡인 취출 라인(31)의 입구측 단부(63)를 둘러싸며, 도 3에 도시하듯이 하우징(2)의 내측에 대해 놓이는 그 위치에서는 내부 하우징 공간(3)의 폐쇄된 부분 체적(61)을 획정하고, 따라서 공급 디바이스(35)로부터, 특히 출구 개구(20)로부터 나오는 CO2 펠릿(17)과 또한 세정 중에 표면(13)으로부터 분리된 물질은 흡인 취출 라인(31)의 입구측 단부(63)에 의해 부분 체적(61)으로부터 다시 제거될 수 있으며, 따라서 나머지 내부 하우징 공간(3)에 진입할 수 없다. 공간 분할 디바이스(60)는 반사 광학 요소(54)의 바로 근처에서도 CO2 펠릿(17)과의 접촉 없이 표면(13)의 세정을 가능하게 한다.
도 4에서 공간 분할 디바이스(60)의 위치에 의해 획정되는 부분 체적(61)의 외부에 배치되는 표면(13)을 또한 세정 디바이스(15)에 의해서 세정하기 위해, 공간 분할 디바이스(60)는 도 3과 관련하여 앞에서 더 설명했듯이 내부 하우징 공간(3) 내에서 오프셋될 수 있으며 예를 들면 하우징(2)의 추가 내측에 대해 기밀하게 놓일 수 있다. 세정 중에 가능한 최대의 가요성을 허용하기 위해서, 공급 디바이스(35)의 공급 라인(19)과 흡인 취출 디바이스(30)의 흡인 취출 라인(31)은 모두 각각 실질적으로 그 전체 길이에 걸쳐서 라인의 가요성 섹션으로 형성되며, 이들 가요성 섹션은 내부 하우징 공간(3) 내에서 공간 분할 디바이스(60)와 세정 디바이스(15)를 하우징(2)에 연결시키는 어댑터(65) 사이에서 연장된다. 전반적인 명료함의 이유로, 공급 라인(19)에 이웃하여 배치되는 화상 전송 라인은 도 4에 도시되지 않았다. 모니터링 광학계(26)는 통상 마찬가지로 공간 분할 디바이스(60)에 의해 획정되는 부분 체적(61) 내에 배치된다.
도 3에서와 같이, 세정 디바이스(15)는 하우징(2)에 착탈 가능하게 연결되는 바, 즉 공급 디바이스(35) 및 흡인 취출 디바이스(30)가 파지되는 어댑터(65)는 세정을 위해 하우징(2)에 체결될 수 있다. 세정이 전혀 필요하지 않을 때, 세정 디바이스(15)는 하우징(2)으로부터 분리될 수 있으며 하우징(2) 상의 개구(66)는 덮개 등에 의해 폐쇄될 수 있다.
도 5는 마지막으로 도 1의 플라즈마 광원(1')을 통한 개략 단면도이며, 세정 디바이스(15)는 추가로 하우징(2) 내부에, 정확히는 일차 코일(8)의 영역에 배치된다. 이 경우에, 공급 디바이스(35)와 관측 디바이스(26)는 두 개의 플라즈마 루프(5a, 5b)가 플라즈마 광원(1')의 작동 중에 수렴하는 장소인 중심 ("핀치") 구역을 통해서 인도되는 바, 즉 이 구역은 공급 라인(19)이 내부 하우징 공간(3)으로 인도될 때 통과하는 개구(23)를 형성한다. 흡인 취출 디바이스(30)의 제1 흡인 취출 깔때기(33)도 중심 구역에 배치된다. 또한, 두 개의 추가 흡인 취출 깔때기(33)가 일차 코일(8)과 하우징(2)의 내측 사이에 형성되는 채널(67)에 연결된다. 세정 디바이스(15)는 따라서 오염 물질(14)이 예를 들어 일차 코일(8)의 측부에 형성된 표면(13)으로부터 제거될 수 있게 하고 흡인 취출 디바이스(30)에 의해 취출될 수 있게 한다. 또한 본 예에서, 세정 작업은 관측 디바이스(26)를 사용함으로써 추적될 수 있다.
플라즈마 광원(1') 또는 EUV 리소그래피 기기(1") 대신에, 특히 그 안에서 플라즈마가 발생되는 다른 구조의 챔버 또는 하우징 또한 전술한 세정 방법에 의해 세정될 수도 있음은 말할 것도 없다. 이러한 구조는 또한 예를 들어 기체상 물질을 (광학)면 상에 퇴적하기 위한 챔버를 가질 수도 있다. CO2 펠릿(17)을 전술한 내시경 방식으로 공급하는 것은 또한 가요성 섹션이 전혀 제공되지 않는 일부 다른 종류의 공급 디바이스에 의해 교체될 수도 있다. 또한, 내시경과 같은 모니터링 디바이스(25) 대신에, 일부 다른 종류의 온라인 관측 또는 모니터링 디바이스가 CO2 펠릿(17) 세정을 모니터링하기 위해 사용될 수 있다.

Claims (17)

  1. 광학 장치이며,
    내부 하우징 공간(3)을 둘러싸는 하우징(2),
    상기 하우징(2) 내에 진공을 발생시키기 위한 진공 발생 유닛(12),
    상기 내부 하우징 공간(3)에 배치되는 하나 이상의 표면(13),
    상기 표면(13)에 퇴적된 오염 물질(14)을 제거하기 위한 세정 디바이스(15)로서, 상기 세정 디바이스(15)는 CO2를 CO2 펠릿(17) 형태로 배출함으로써 상기 퇴적된 오염 물질(14)을 제거하도록 구성되는, 세정 디바이스, 및
    상기 표면(13)을 모니터링하기 위한 모니터링 디바이스(25)로서, 상기 표면(13) 상으로 향할 수 있는 모니터링 광학계(26)를 갖는 모니터링 디바이스(25)를 추가로 포함하고,
    상기 세정 디바이스(15)는 표면(13)에 CO2 펠릿(17)을 공급하기 위해 공급 디바이스(35)를 가지며, 공급 디바이스는 CO2 펠릿(17)을 배출하기 위한 출구 개구(20)를 갖는 공급 라인(19)을 포함하고, 상기 공급 라인(19)은 내시경 방식으로 출구 개구(20)를 표면(13)의 상이한 지점으로 인도하기 위해 라인의 하나 이상의 가요성 섹션(21)을 가지며,
    상기 모니터링 디바이스(25)는 모니터링 광학계(26)가 장착되는 화상 전송 라인(27)을 포함하며, 상기 화상 전송 라인(27)은 모니터링 광학계(26)를 표면(13)의 상이한 지점 상으로 인도하기 위해 라인의 하나 이상의 가요성 섹션(28)을 가지며,
    상기 공급 라인(19)과 상기 화상 전송 라인(27)은 상호 이웃하여 배치되며 적어도 섹션들에서 상호 연결되는 광학 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 공급 라인(19)은 하우징(2)의 개구(23)를 통해서 내부 하우징 공간(3)에 기밀하게 삽입되는 광학 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 공급 라인(19)은 출구 개구(20)를 인도하기 위해 상기 개구(23)에 대해 변위 가능하거나 및/또는 회전 가능한 광학 장치.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, CO2 펠릿(17)의 배출 방향과 모니터링 광학계(26)의 모니터링 방향은 상호 평행하게 연장되는 광학 장치.
  8. 제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세정 디바이스(15)는 내부 하우징 공간(3)으로부터 제거된 오염 물질(14) 및/또는 CO2를 취출하기 위한 흡인 취출 디바이스(30)를 추가로 포함하는 광학 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 흡인 취출 디바이스(30)는 내부 하우징 공간(3)에 기밀하게 진입하는 하나 이상의 흡인 취출 라인(31)을 갖는 광학 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 흡인 취출 라인(31)은 세정될 표면(13) 영역에서 하우징의 내부(3)에 진입하는 광학 장치.
  11. 제9항에 있어서, 상기 흡인 취출 라인(31)은 CO2 펠릿(17) 공급을 위한 공급 라인(19)의 개구(23)를 통해서 하우징의 내부(3)에 진입하는 광학 장치.
  12. 제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 표면은 플라즈마 광원(1')의 하우징(2)의 내표면(13)인 광학 장치.
  13. 제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 표면(13)은 내부 하우징 공간(3)에 배치된 부품(48a) 상에 형성되는 광학 장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 부품(48a)은 광학 요소(48)를 위한 장착부로서 형성되는 광학 장치.
  15. 제1항, 제3항 및 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 표면(13)은 EUV 방사선(46)을 반사시키는 광학 요소(47 내지 51, 53, 54)의 광학면인 광학 장치.
  16. 제9항에 있어서, 상기 표면(13)과 세정 디바이스(15)를 적어도 부분적으로 둘러싸는 공간 분할 디바이스(60)가 내부 하우징 공간(3)에 제공되는 광학 장치.
  17. 제16항에 있어서, 공급 라인(19)의 출구 개구(20) 및 흡인 취출 라인(31)의 입구측 단부(63)는 공간 분할 디바이스(60)에 의해 둘러싸이는 광학 장치.
KR1020167010588A 2013-09-27 2014-08-18 광학 조립체, 특히 플라즈마 광원 또는 euv 리소그래피 시스템 KR102276667B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013219585.0 2013-09-27
DE201310219585 DE102013219585A1 (de) 2013-09-27 2013-09-27 Optische Anordnung, insbesondere Plasma-Lichtquelle oder EUV-Lithographieanlage
PCT/EP2014/067540 WO2015043833A1 (de) 2013-09-27 2014-08-18 Optische anordnung, insbesondere plasma-lichtquelle oder euv-lithographieanlage

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160062074A KR20160062074A (ko) 2016-06-01
KR102276667B1 true KR102276667B1 (ko) 2021-07-13

Family

ID=51355546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167010588A KR102276667B1 (ko) 2013-09-27 2014-08-18 광학 조립체, 특히 플라즈마 광원 또는 euv 리소그래피 시스템

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20160207078A1 (ko)
JP (1) JP6487908B2 (ko)
KR (1) KR102276667B1 (ko)
CN (1) CN105723282B (ko)
DE (1) DE102013219585A1 (ko)
WO (1) WO2015043833A1 (ko)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016205707A1 (de) 2016-04-06 2016-06-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Reinigungseinrichtung und optische Anordnung zur Prüfung und Reinigung von Systemen, Modulen und komplexen Geometrien
DE102016212602A1 (de) 2016-07-11 2016-09-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Reinigungsvorrichtung mit einer co2 - strahlmittelleitung
CN109426085A (zh) * 2017-08-25 2019-03-05 台湾积体电路制造股份有限公司 用于清洁光刻设备的集光镜的装置及方法
EP3707560A1 (en) * 2017-11-07 2020-09-16 ASML Netherlands B.V. Apparatus and methods for cleaning
US10719020B2 (en) * 2018-06-29 2020-07-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Droplet generator and method of servicing extreme ultraviolet radiation source apparatus
CN111239049A (zh) * 2018-11-28 2020-06-05 苏州天目光学科技有限公司 一种5工位背光板全自动清洁检测设备
KR20200133126A (ko) 2019-05-17 2020-11-26 삼성전자주식회사 소스 용기용 잔류물 제거 장치
US10942459B2 (en) * 2019-07-29 2021-03-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography system and cleaning method thereof
DE102019213914A1 (de) * 2019-09-12 2021-03-18 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Reinigung einer Oberfläche im Inneren eines optischen Systems
CN114600046A (zh) * 2019-10-22 2022-06-07 Asml荷兰有限公司 隔膜清洁设备
CN114077164B (zh) * 2020-08-21 2023-03-24 长鑫存储技术有限公司 半导体机台清洗系统及半导体机台清洗方法
KR102649715B1 (ko) * 2020-10-30 2024-03-21 세메스 주식회사 표면 처리 장치 및 표면 처리 방법
DE102021202648A1 (de) 2021-03-18 2022-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Reinigen einer Oberfläche, Reinigungsvorrichtung und optische Anordnung
DE102021207365B4 (de) 2021-07-12 2024-02-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen von Verunreinigungen von einem Bauteil für die Halbleiterfertigung
US12066761B2 (en) * 2021-08-30 2024-08-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Inspection tool for an extreme ultraviolet radiation source to observe tin residual
KR102581475B1 (ko) * 2021-12-07 2023-09-21 주식회사 금성이앤씨 쇼트 블라스트 장치
CN116593497B (zh) * 2023-07-17 2023-09-22 合肥派拓智能科技有限公司 一种高精度oled金属掩膜板视觉缺陷检测设备

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060124156A1 (en) 2004-12-13 2006-06-15 Cool Clean Technologies, Inc. Carbon dioxide snow apparatus
WO2009152885A1 (en) 2008-06-19 2009-12-23 Carl Zeiss Smt Ag Particle cleaning of optical elements for microlithography
JP2010505634A (ja) * 2006-10-06 2010-02-25 フラウンホファー ゲゼルシャフト ツール フェルドルンク デル アンゲヴァントテン フォルシュンク エー ファウ ドライアイスによる汚染物除去方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5108512A (en) * 1991-09-16 1992-04-28 Hemlock Semiconductor Corporation Cleaning of CVD reactor used in the production of polycrystalline silicon by impacting with carbon dioxide pellets
US5177911A (en) * 1991-11-15 1993-01-12 Ruemelin Charles R Abrasive blast cabinet
JPH1043700A (ja) * 1996-08-02 1998-02-17 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd ドライアイスブラスト装置
US6004400A (en) * 1997-07-09 1999-12-21 Phillip W. Bishop Carbon dioxide cleaning process
FR2771294B1 (fr) * 1997-11-27 2000-01-14 Bio Merieux Procede de decontamination d'une aiguille creuse affectee au prelevement ou a la distribution d'un liquide contaminateur et dispositif permettant la mise en oeuvre d'un tel procede
JP2003008112A (ja) * 2001-06-20 2003-01-10 Gigaphoton Inc ガスレーザ装置用洗浄装置及び洗浄方法
US6554909B1 (en) * 2001-11-08 2003-04-29 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Process for cleaning components using cleaning media
JP4172225B2 (ja) * 2002-02-07 2008-10-29 株式会社大林組 焼却灰の除去方法及び除去装置
KR100563102B1 (ko) * 2002-09-12 2006-03-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 표면들로부터 입자들을 제거함으로써 세정하는 방법,세정장치 및 리소그래피투영장치
JP2004223410A (ja) * 2003-01-23 2004-08-12 Iwatani Internatl Corp ドライアイスブラスト洗浄装置
US7307375B2 (en) 2004-07-09 2007-12-11 Energetiq Technology Inc. Inductively-driven plasma light source
US7385670B2 (en) * 2004-10-05 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus
US7355191B2 (en) * 2004-11-01 2008-04-08 Cymer, Inc. Systems and methods for cleaning a chamber window of an EUV light source
MX2007007079A (es) * 2004-12-13 2007-12-07 Cool Clean Technologies Inc Aparato de nieve carbonica.
JP2007013054A (ja) * 2005-07-04 2007-01-18 Nikon Corp 投影露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
US7522263B2 (en) * 2005-12-27 2009-04-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP4719051B2 (ja) * 2006-03-30 2011-07-06 ソニー株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US7473908B2 (en) * 2006-07-14 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Getter and cleaning arrangement for a lithographic apparatus and method for cleaning a surface
US8292698B1 (en) * 2007-03-30 2012-10-23 Lam Research Corporation On-line chamber cleaning using dry ice blasting
JP5098019B2 (ja) * 2007-04-27 2012-12-12 ギガフォトン株式会社 極端紫外光源装置
DE102010030435A1 (de) 2010-06-23 2011-12-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Metrologiesystem
DE202011108513U1 (de) * 2011-03-14 2012-01-30 Jürgen von der Ohe Vorrichtung zur Herstellung eines Strahlmittels, Vorrichtung zum Strahlen und Strahlmittel

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060124156A1 (en) 2004-12-13 2006-06-15 Cool Clean Technologies, Inc. Carbon dioxide snow apparatus
JP2010505634A (ja) * 2006-10-06 2010-02-25 フラウンホファー ゲゼルシャフト ツール フェルドルンク デル アンゲヴァントテン フォルシュンク エー ファウ ドライアイスによる汚染物除去方法
WO2009152885A1 (en) 2008-06-19 2009-12-23 Carl Zeiss Smt Ag Particle cleaning of optical elements for microlithography
US20110188011A1 (en) * 2008-06-19 2011-08-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Particle cleaning of optical elements for microlithography

Also Published As

Publication number Publication date
CN105723282B (zh) 2018-11-06
DE102013219585A1 (de) 2015-04-16
WO2015043833A1 (de) 2015-04-02
CN105723282A (zh) 2016-06-29
JP6487908B2 (ja) 2019-03-20
JP2016533517A (ja) 2016-10-27
US20160207078A1 (en) 2016-07-21
KR20160062074A (ko) 2016-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102276667B1 (ko) 광학 조립체, 특히 플라즈마 광원 또는 euv 리소그래피 시스템
JP2765787B2 (ja) ジェットスプレイによる正確な洗浄のためのシステムおよび方法
CN111406303B (zh) 高亮度lpp源和用于产生辐射并减少碎屑的方法
TWI785139B (zh) 用於清潔的設備及方法
EP0406062B1 (en) Method and apparatus for in situ cleaning of excimer laser optics
US8885141B2 (en) EUV lithography device and method for processing an optical element
JP2011524643A (ja) マイクロリソグラフィー用光学素子の粒子洗浄
JP2008103206A (ja) 極端紫外光源装置及びノズル保護装置
EP3959945A1 (en) High brightness laser-produced plasma light source
JP4763684B2 (ja) 放射線源により生じる粒子の除去
US11029613B2 (en) Droplet generator and method of servicing extreme ultraviolet radiation source apparatus
TW201537305A (zh) Ｅｕｖ微影系統以及用以運輸反射光學元件的運輸裝置
WO2016098193A1 (ja) 極端紫外光生成装置
EP2550564A1 (en) A beam line for a source of extreme ultraviolet (euv) radiation
JP2023010732A (ja) 極端紫外線光源のための供給システム
KR20200123426A (ko) 정화 장치 및 정화 방법
RU2726316C1 (ru) Высокояркостный источник коротковолнового излучения на основе лазерной плазмы
EP2910329B1 (en) Laser processing apparatus and laser processing method
TW202239268A (zh) 輻射源設備的使用方法
US10942459B2 (en) Lithography system and cleaning method thereof
NL2026646B1 (en) Membrane cleaning apparatus
JP7159290B2 (ja) 材料経路を進む材料を捕捉するためのレセプタクル
NL2020893A (en) Apparatus and methods for cleaning
US8585824B2 (en) Method of ablating a surface layer of a wall, and associated device

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant