TW202239268A - 輻射源設備的使用方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一種用於使用極紫外輻射源的方法。方法包括：將第一液滴產生器組裝到容器的接口上；將靶液滴從第一液滴產生器噴射到在收集器前方的激發區域；朝向激發區域發射雷射，使得靶液滴由雷射加熱以產生極紫外(EUV)輻射；停止噴射靶液滴；在停止噴射靶液滴之後，從容器的接口拆卸第一液滴產生器；在從容器的接口拆卸第一液滴產生器之後，將清洗裝置穿過接口插入容器中；以及藉由使用清洗裝置來清洗收集器。

Description

輻射源設備及其使用方法
光微影係利用光照射具有圖案的主光罩以將圖案轉移到覆蓋半導體基板的光敏材料上的製程。在半導體工業的歷史上，藉由減小光微影輻射源的曝光波長以改進光微影解析度，已經實現了較小的整合晶片最小特徵大小。使用極紫外(extreme ultraviolet；EUV)光的極紫外微影技術係用於新興技術節點的有前景的下一代微影技術解決方案。
以下揭示內容提供許多不同的實施例或實例，用於實施所提供標的的不同特徵。下文描述部件及佈置的具體實例以簡化本揭示。當然，此等僅為實例且並不意欲為限制性。舉例而言，以下描述中在第二特徵上方或第二特徵上形成第一特徵可包括以直接接觸形成第一特徵及第二特徵的實施例，且亦可包括在第一特徵與第二特徵之間形成額外特徵以使得第一特徵及第二特徵可不處於直接接觸的實施例。此外，本揭示可在各個實例中重複元件符號及/或字母。此重複係出於簡便性及清晰的目的且本身並不指示所論述的各個實施例及/或構造之間的關係。
另外，為了便於描述，本文可使用空間相對性術語（諸如「下方」、「之下」、「下部」、「之上」、「上部」及類似者）來描述諸圖中所示出的一個元件或特徵與另一元件或特徵的關係。除了諸圖所描繪的定向外，空間相對性術語意欲涵蓋使用或操作中元件的不同定向。設備可經其他方式定向（旋轉90度或處於其他定向）且由此可同樣地解讀本文所使用的空間相對性描述詞。
極紫外（extreme ultraviolet；EUV）光微影系統使用極紫外輻射。一種產生極紫外輻射的方法係將雷射發射到錫液滴。隨著將錫液滴產生到EUV輻射源容器中，雷射撞擊錫液滴並且將錫液滴加熱到臨界溫度，此臨界溫度導致錫原子釋放其電子並且變成游離錫液滴的電漿。游離錫液滴發射光子，此等光子由收集器收集並且作為EUV輻射被提供到光微影系統。收集器經設計有適宜的塗佈材料及形狀，用作EUV收集、反射及聚焦的反射鏡。
在一些實施方式中，游離錫液滴的電漿可冷卻並且變成液體及小顆粒，其分別稱為小滴（drip）及液滴（drop），並且可統稱為碎屑。碎屑可沉積到收集器的表面上，進而在其上導致污染。隨著時間的推移，收集器的反射率歸因於碎屑積累及其他因素（諸如離子損壞、氧化、及起泡）而劣化。在一些情況下，為了保持EUV輻射功率及生產率，收集器經移出用於清洗錫污染物，這可能花費大量時間。在本揭示的一些實施方式中，進行在線清洗製程，以在不移動收集器的情況下清洗收集器的表面，藉此延長收集器的壽命並且獲得大量用於生產的工具時間。
第1A圖及第1B圖係根據本揭示的一些實施方式的用於使用EUV輻射源的方法100的流程圖。方法100可包括步驟102-118。在步驟102處，將液滴產生器組裝到容器的接口（port）上。隨後，執行包括步驟104及106的微影曝光製程LEP。舉例而言，在步驟104處，液滴產生器將靶液滴（例如，錫液滴）噴射到容器中。在步驟106處，將雷射發射到靶液滴上，以從容器產生極紫外（EUV）光。在步驟108處，量測EUV光的強度。在步驟110處，偵測在液滴產生器中的噴嘴的堵塞狀況。在步驟112處，從容器的接口拆卸液滴產生器。在步驟114處，根據所量測的EUV光的強度，決定是否清洗收集器。在步驟116處，若此決定決定了收集器需要清洗，將機械臂穿過接口插入容器中。在步驟116處，藉由使用由機械臂固持的清洗裝置，來清洗收集器。在步驟118處，藉由機械臂固持的偵測器，來偵測在容器上方的錐狀結構。在步驟120處，將機械臂移動遠離容器。在步驟122處，將液滴產生器組裝到接口上。將理解，額外操作可以在第1A圖及第1B圖所示的步驟102-124之前、期間、及之後提供，且可以替代或消除下文所描述的一些操作以獲得本方法的額外實施例。操作/製程的順序係可互換的。
第2圖、第3A圖、第4圖、第5A圖至第5C圖、及第6圖示出了根據本揭示的一些實施方式的用於在不同階段使用EUV輻射源200的方法100。參見第1A圖及第2圖，方法100開始於步驟102，其中將液滴產生器240組裝到EUV輻射源200的容器210的接口210G上。
在一些實施方式中，EUV輻射源200可與掃描器（亦即，如第16圖所示的微影系統900）光學耦接。EUV輻射源200可包括容器210、雷射源220、收集器230、波紋管組件BW、靶液滴產生器240、液滴捕獲器250、及下部錐狀結構260。在一些實施方式中，容器210具有圍繞其通風系統的蓋212。蓋212可配置在收集器230周圍。雷射源220可在容器210的底側處並且在收集器230下方。在一些實施方式中，波紋管組件BW經配置為用於接收液滴產生器240，並且具有連接到容器210的接口210G的端部。液滴捕獲器250可與容器210的接口210G相對地安裝。在一些實施方式中，下部錐狀結構260具有錐體形狀，其寬基底與蓋212整合並且其窄頂部區段面向掃描器（亦即，微影系統900）。下部錐狀結構260的錐體形狀朝向容器210的出口孔210O漸縮。輻射源200可進一步包括在出口孔210O之外的中間聚焦（intermediate focus；IF）帽模組（IF-cap module）290，並且中間聚焦帽模組290用以向EUV輻射EL提供中間聚焦。
液滴產生器240可包括貯存器242及連接到貯存器242的噴嘴244。在一些實施方式中，貯存器242可含有適宜的燃料TD，當轉換為電漿狀態時此燃料TD能夠在EUV範圍中產生輻射。舉例而言，燃料TD可包括水、錫、鋰、氙、或類似者。在一些實施方式中，元素錫可以係純錫（Sn）；錫化合物，例如，SnBr 4、SnBr 2、SnH 4；錫合金，例如，錫鎵合金、錫銦合金、錫銦鎵合金、或任何其他適宜的含錫材料。在一些實施方式中，藉由將液滴產生器240組裝到容器210的接口210G上，關閉容器210中的空間。
參見第1A圖及第3A圖，方法進行到步驟104，其中液滴產生器240將燃料TD的液滴噴射到輻射源200的容器210中的空間中。在本實施例中，在貯存器242內含有的燃料TD被推出貯存器242及噴嘴244，藉此穿過噴嘴244產生燃料TD的液滴。燃料TD可以下列形式遞送：液體液滴、液體流、實體顆粒或群集、在液體液滴內含有的實體顆粒或在液體流中含有的實體顆粒。在一些實施方式中，液滴產生器240可實質上沿著X方向釋放燃料TD的液滴。
仍參見第1A圖及第3A圖，方法進行到步驟106，雷射束LB撞擊到燃料TD的液滴上，用於在容器210之外產生EUV光EL。在一些實施方式中，EUV光EL具有在約1 nm與約100 nm之間變化的波長。在某些實例中，EUV光EL具有以約13.5 nm為中心的波長範圍。在一些實施方式中，雷射源220可包括二氧化碳（CO 2）雷射源、釹摻雜的釔鋁石榴石（Nd:YAG）雷射源、或另一適宜雷射源以產生雷射束LB。將雷射束LB導引穿過與收集器230整合的輸出窗OW。輸出窗OW採用實質上對雷射束LB透明的適宜材料。導引雷射束LB以加熱燃料TD，諸如錫液滴，藉此產生高溫電漿（例如，游離的錫液滴），其進一步產生EUV光EL。將雷射源220的脈衝與液滴產生器240的液滴噴射速率控制為同步的，使得燃料TD與雷射源220的雷射脈衝一致地接收峰值功率。在一些實施方式中，EUV輻射源200採用雷射產生電漿（laser produced plasma；LPP）配置以產生電漿並且進一步由電漿產生EUV光EL。在一些替代實施方式中，輻射源200可採用雙雷射產生電漿（dual LPP）配置，其中雷射源220係多個雷射源的群集。
在一些實施方式中，雷射束LB可能或可能不撞擊燃料TD的每一個液滴。舉例而言，燃料TD的一些液滴可由雷射束LB有意地錯過。在本實施例中，液滴捕獲器250與靶液滴產生器240相對地安裝並且在燃料TD的液滴的移動方向上安裝。液滴捕獲器250用以捕獲由雷射束LB錯過的燃料TD的任何液滴。
收集器230可收集EUV光EL，並且將EUV光EL反射及聚焦到微影系統900，藉此執行微影製程，這在第16圖中示出。收集器230經設計有適宜的塗佈材料及形狀，用作EUV收集、反射及聚焦的反射鏡。在一些實例中，收集器230的塗佈材料包括反射多層（諸如複數個Mo/Si膜對）並且可進一步包括在反射多層上塗佈的覆蓋層（諸如Ru）以實質上反射EUV光。收集器230的光軸可沿著與X方向正交的z方向，液滴產生器240實質上沿著該X方向產生燃料TD的液滴，使得EUV輻射源200可實質上沿著Z方向發射EUV光EL。在一些實例中，收集器230經設計為具有橢圓幾何形狀。經由步驟104及106，EUV輻射源200可發射EUV光EL，藉此在一或多個半導體晶圓上執行一或多個微影製程。當EUV輻射源200發射EUV光EL時，由於空氣吸收EUV輻射，容器210中的空間（例如，圍繞蓋212的空間）維持在真空環境中。
在一些實施方式中，輻射源200可包括在接口210G下方的護罩（shroud）SR。護罩SR可由適宜材料（諸如陶瓷）製成。護罩SR可實質上沿著X方向延伸，液滴產生器240實質上沿著該X方向產生燃料TD的液滴。護罩SR可遮擋從液滴產生器240釋放的一些未成形的燃料TD（例如，不呈液滴形式），藉此保護收集器230不受未成形的燃料TD的污染。護罩SR可具有固定到收集器230的頂側的端部。在一些實施方式中，護罩SR的長度可小於收集器230的頂側的半徑，使得護罩SR可能不遮擋電漿形成點C1（可互換地稱為激發區域，其中液滴由雷射激發），其中雷射束LB撞擊燃料TD的液滴。舉例而言，燃料TD的靶液滴可從液滴產生器240噴射到收集器230前方的激發區域（亦即，電漿形成點C1），並且雷射束LB朝向激發區域（亦即，電漿形成點C1）發射，使得燃料TD的靶液滴藉由激發雷射加熱以產生EUV輻射。在一些實施方式中，電漿形成點C1可實質上位於收集器230沿著Z方向的光軸處。
在一些情況下，游離錫液滴可冷卻並且變成液滴及小顆粒，其統稱為碎屑。一些碎屑（後文稱為碎屑PD）可沉積到收集器230的表面上，藉此在其上導致污染。收集器的反射率歸因於碎屑積累及其他因素（諸如離子損壞、氧化、及起泡）而劣化，使得在微影製程（參見第3A圖及第16圖）中EUV光EL的強度減小，這繼而將降低微影製程（參見第3A圖及第16圖）的生產率。在一些實施方式中，在微影製程（參見第3A圖及第16圖）期間或之後，方法進行到步驟108，其中EUV光的強度藉由適宜的光強度感測器（例如，第16圖中的光強度感測器962及964）量測。可執行適宜的檢查及計算方法來計算EUV光EL的強度，以便推斷收集器230上的污染狀況。
燃料TD中的污染可能導致噴嘴244堵塞（亦即，至少部分阻擋），這可能限制噴嘴壽命。在一些實施方式中，在微影製程（參見第3A圖及第16圖）期間，偵測液滴產生器240的噴嘴244的堵塞狀況。舉例而言，參見第3B圖，噴嘴244的感測器244S可偵測噴嘴244的毛細管244C中的壓力，並且與感測器244S電氣連接的控制器PC可回應於偵測的壓力而從感測器244S接收訊號。控制器PC可根據來自感測器244S的訊號決定是否執行維護製程。舉例而言，若由感測器244S量測的壓力過高（例如，高於決定的值，諸如400 psi），則噴嘴可損壞，使得錫在其頭部堵塞，並且將進行維護製程來用新的液滴產生器替代液滴產生器240。參見第1A圖及第4圖，方法100進行到步驟112，其中從EUV輻射源200的容器210的接口210G，拆卸液滴產生器240（參見第3A圖）。舉例而言，接口210G不具有液滴產生器。在一些實施方式中，在維護製程（例如，從容器210的接口210G拆卸液滴產生器240）之前，液滴產生器240停止噴射燃料TD的靶液滴。換言之，液滴產生器240可在維護製程（例如，從容器210的接口210G拆卸液滴產生器240）之前關閉。在一些實施方式中，從接口210G拆卸液滴產生器240將破壞容器210中的真空，並且EUV輻射源200的元件可停止操作。舉例而言，雷射源220可在維護製程（例如，從容器210的接口210G拆卸液滴產生器240）之前關閉，使得雷射束LB在從接口210G拆卸液滴產生器240期間或之後可能不發射到容器210中。
控制器PC可係總體EUV輻射源200的一部分。機器人控制器PC可包括電子記憶體及用以執行在電子記憶體中儲存的程式指令的一或多個電子處理器。在一些實施方式中，機器人控制器PC可包括處理器、中央處理單元(CPU)、多處理器、分散式處理系統、特殊應用積體電路(ASIC)、或類似者。
方法100進行到步驟114（參見第3A圖），其中根據所量測的EUV光的強度決定是否清洗收集器。在一些實施方式中，控制器（例如，控制器PC）可與光強度感測器962及964（參見第16圖）電氣連接。控制器PC可從光強度感測器962及964（參見第16圖）接收訊號並且根據來自光強度感測器962及964（參見第16圖）的訊號決定是否執行清洗製程。在一些實施方式中，所量測的EUV光EL的強度與當收集器230乾淨時量測的參考值進行比較。若所偵測的EUV光EL的強度低於參考值達大於某一百分比（例如，約10%至約50%），方法100進行到步驟116-118，其中對收集器230執行清洗製程。換言之，利用清洗製程執行液滴產生器的維護製程。若所偵測的EUV光EL的強度低於參考值達小於某一百分比（例如，約10%至約50%），方法100跳過步驟116-122並且進行到步驟124，其中在不清洗收集器230的情況下將新的液滴產生器組裝到容器210的接口210G上。換言之，液滴產生器的維護製程可在沒有清洗製程的情況下執行。
參考第1B圖及第5A圖至第5C圖。第5A圖示出了根據本揭示的一些實施方式的沿著方向Y的EUV輻射源200的示意性側視圖。第5B圖示出了沿著方向X的第5A圖的EUV輻射源200的示意性側視圖，其中方向X、Y、及Z彼此正交。第5C圖係根據本揭示的一些實施方式的EUV輻射源200及機械臂300的一部分的示意圖。若此決定決定了收集器230需要清洗，則方法100進行到步驟116，其中將機械臂300穿過接口210G插入容器210中。在本實施例中，機械臂300可固持清洗裝置410（參見第5C圖）。藉由使用清洗裝置410，方法100可進行到步驟118，其中對收集器執行在線清洗製程。在一些實施方式中，在步驟116及118處，收集器230可在維護製程期間在不移動收集器230的情況下清洗，這被稱為在線清洗製程。在線清洗製程可延長收集器的壽命並且獲得用於生產的大量工具時間。為了清楚說明，將第5B圖中的EUV輻射源200示出為傾斜的，用於與掃描器（亦即，微影系統900）光學耦接。舉例而言，EUV光EL沿著其發射的方向Z關於重力方向（例如，第5B圖中的方向G）傾斜。
在一些實施方式中，機械臂300可包括延伸臂部分312及可移動臂部分314，其中可移動臂部分314可以關於延伸臂部分312旋轉。在一些實施方式中，可移動臂部分314亦可稱為耦接到延伸臂部分312的臂區段。在一些實施方式中，延伸臂部分312可包括順序連接的一或多個臂區段。舉例而言，機械臂300的可移動臂部分314的前端314E1可以從容器210中的第一位置移動到容器210中的第二位置。在一些實施方式中，當可移動臂部分314移動時，延伸臂部分312保持靜態。舉例而言，當可移動臂部分314的前端314E1從第一位置移動到第二位置時，可移動臂部分314的後端314E2可保持在相同位置。
在本揭示的一些實施方式中，為了防止可移動臂部分314撞擊護罩SR，機械臂300的延伸臂部分312長於護罩SR並且與護罩SR相比延伸得更遠。換言之，機械臂300的延伸臂部分312可延伸超出護罩SR。舉例而言，機械臂300的延伸臂部分312的長度可大於收集器230的頂側的半徑。經由此構造，機械臂300的延伸臂部分312可延伸超出電漿形成點C1，並且可移動臂部分314的後端314E2不位於電漿形成點C1處。在一些替代實施方式中，機械臂300的延伸臂部分312可與護罩SR相比延伸得更遠，但不延伸超出電漿形成點C1。在一些實施方式中，可移動臂部分314的後端314E2可位於電漿形成點C1處。
參見第5C圖，清洗裝置410用於清洗在收集器230的表面上積累的碎屑PD（參見第5A圖及第5B圖）。清洗裝置410可包括夾持在機械臂300上的抽取管412及連接到抽取管412並且在容器210外部的幫浦414。幫浦414可從與抽取管412連接的容器210抽取氣體。在一些實施方式中，抽取管412可被稱為真空管。在一些實施方式中，幫浦414可被稱為真空幫浦。將具有抽取管412的機械臂300穿過接口210G插入EUV容器210中，使得收集器230可以在不移除的情況下得到清洗。
在一些實施方式中，抽取管412可包括第一部分4122及連續連接到第一部分4122的第二部分4124，並且第一部分4122及第二部分4124分別固定到機械臂300的延伸臂部分312及可移動臂部分314。經由此構造，抽取管412的第一部分4122及第二部分4124可以與機械臂300的延伸臂部分312及可移動臂部分314的移動類似的方式移動。在一些實施方式中，藉由移動/旋轉機械臂300的可移動臂部分314，第二部分4124可以關於第一部分4122移動或旋轉。舉例而言，抽取管412的第二部分4124的前端FE可以從容器210中的第一位置移動到容器210中的第二位置。在一些實施方式中，抽取管412的開口412O可安裝在機械臂300的可移動臂部分314的前端314E1上。在一些實施方式中，藉由旋轉機械臂300的部分314，抽取管412的開口412O移動到適宜位置以向收集器230的表面提供真空吸力。藉由對收集器230的表面施加真空，清洗裝置410可移除碎屑PD（參見第5A圖及第5B圖），藉此清洗收集器230。
參見第5C圖，在一些實施方式中，機械臂300可包括在臂部分之間連接的一或多個關節。舉例而言，機械臂300包括在延伸臂部分312與可移動臂部分314之間連接的關節316。關節316允許可移動臂部分314相對於延伸臂部分312旋轉。舉例而言，關節316可包括在延伸臂部分312與可移動臂部分314之間連接的適配器。第5D圖示出了根據本揭示的一些實施方式的在具有X、Y、Z方向上的軸的三維空間中的機械臂300的移動。參見第5D圖，機械臂300的可移動臂部分314可以關於X-Y平面以可變高度角θ旋轉及/或關於大致Z方向（關於X-Z平面示出）以可變方位角φ旋轉。舉例而言，方位角φ可以在約0度至約360度的範圍中。舉例而言，高度角θ可以在約0度至約360度、或約0度至約180度的範圍中。經由此構造，機械臂300可以實現用於360度清洗的兩個自由度。藉由調節方位角φ及/或高度角θ，如從頂部觀察，可移動臂部分314的前端314E1移動或關於可移動臂部分314的後端314E2旋轉。
在一些實施方式中，當清洗收集器230的表面時，可移動臂部分314的前端314E1可移動到點C1（例如，點C1處的X-Y平面）與收集器230之間的位置。舉例而言，當清洗收集器230的表面時，可移動臂部分314關於延伸臂部分312的高度角θ可在從約0度至約180度的範圍中。經由此構造，可移動臂部分314的前端314E1可靠近收集器230，藉此容易地真空吸走收集器230的表面上的碎屑。
返回參見第5A圖至第5C圖，在一些實施方式中，機械臂300可包括耦接到機械臂300的關節316的驅動組件318，驅動組件318可具有用於旋轉的複數個驅動元件（例如，旋轉馬達）。在一些實施方式中，驅動組件318可包括耦接到機械臂300的至少兩個驅動元件（例如，旋轉馬達），用於向可移動臂部分314提供至少兩個自由度。如上文論述，移動的兩個自由度可包括可移動臂部分314繞著Z方向的旋轉（例如，具有關於第5D圖中的X-Z平面的可變方位角φ）及可移動臂部分314關於X-Y平面的旋轉（例如，具有關於第5D圖中的X-Y平面的可變高度角θ）。驅動組件318可電氣連接到機器人控制器320，機器人控制器320可控制關節316的旋轉以移動可移動臂部分314。
在一些替代實施方式中，驅動組件318可包括耦接到機械臂300的一個驅動元件（例如，旋轉馬達），用於向可移動臂部分314提供一個自由度。在一些實例中，移動的一個自由度可包括可移動臂部分314繞著Z方向的旋轉（例如，具有關於第5D圖中的X-Z平面的可變方位角φ）。在一些替代實例中，移動的一個自由度可包括可移動臂部分314關於X-Y平面的旋轉（例如，具有關於第5D圖中的X-Y平面的可變高度角θ）。
在又一些替代實施方式中，驅動組件318可包括多於兩個耦接到機械臂300的驅動元件（例如，旋轉馬達），用於向可移動臂部分314提供多於兩個自由度。舉例而言，驅動組件318可包括三個驅動元件（例如，旋轉馬達），用於向可移動臂部分314提供三個自由度。在一些實施方式中，四個或五個自由度亦可適用於可移動臂部分314的移動。在本實施例中，驅動組件318的驅動元件在機械臂300的外部處示出。在一些其他實施例中，驅動組件318的一或多個驅動元件可直接安裝在機械臂300的對應關節316上並且耦接到關節316，用於允許可移動臂部分314的移動。
機器人控制器320可係總體EUV輻射源200的一部分，機械臂300係此EUV輻射源的一部分。機器人控制器320可包括電子記憶體及用以執行在電子記憶體中儲存的程式設計指令的一或多個電子處理器，此等程式設計指令可涉及控制關節316的旋轉及機械臂300的移動的程式。在一些實施方式中，機器人控制器320可包括處理器、中央處理單元（central processing units；CPU）、多處理器、分散式處理系統、特殊應用積體電路（application specific integrated circuits；ASIC）、或類似者。
參見第5C圖，在一些另外的實施例中，機械臂300可視情況固持偵測器510。此外，藉由使用偵測器510，方法100可進行到步驟120，其中偵測下部錐狀結構260（參見第5A圖及第5B圖）的狀況。偵測器510可用於偵測影像或視訊中的下部錐狀結構260（參見第5A圖及第5B圖）上的錫污染。舉例而言，偵測器510可以係包括多個影像感測器的影像偵測器（例如，照相機）。在一些實施方式中，偵測器510可藉由適宜的固定元件（例如，夾具）安裝在機械臂300的可移動臂部分314上。經由此構造，藉由旋轉機械臂的可移動臂部分314，偵測器510可移動到適宜位置以檢查下部錐狀結構260。影像或視訊可用作參考以理解容器210中的錫污染的程度。
在一些實施方式中，當偵測下部錐狀結構上的錫污染的狀況時，固持偵測器510的可移動臂部分314可以在約0度至約360度的範圍中的方位角φ（參見第5D圖）旋轉，並且以在約0度至約360度的範圍中的高度角θ（參見第5D圖）旋轉。在一些實施方式中，當偵測下部錐狀結構上的錫污染的狀況時，可移動臂部分314的前端314E1（或偵測器510）可移動到點C1（例如，點C1處的X-Y平面）與離開孔210O之間的位置。亦即，在此等實施例中，當偵測下部錐狀結構上的錫污染的狀況時，可移動臂部分314的前端314E1（或偵測器510）可遠離收集器230，隨著清洗收集器230的表面而不靠近收集器230。在一些其他實施例中，當偵測下部錐狀結構上的錫污染的狀況時，可移動臂部分314的前端314E1（或偵測器510）可移動到點C1（例如，點C1處的X-Y平面）與收集器230之間的位置。亦即，在此等實施例中，隨著偵測下部錐狀結構上的錫污染的狀況，可移動臂部分314的前端314E1（或偵測器510）可靠近收集器230。
在一些實施方式中，可移動臂部分314的前端314E1可以從容器210中的第一位置移動到容器210中的第二位置，其中第二位置不同於第一位置。舉例而言，在第一位置處具有前端314E1的可移動臂部分314的方位角φ（參見第5D圖）不同於在第二位置處具有前端314E1的可移動臂部分314的方位角φ。或者，例如，在第一位置處具有前端314E1的可移動臂部分314的高度角θ（參見第5D圖）不同於在第二位置處具有前端314E1的可移動臂部分314的高度角θ。在可移動臂部分314的前端314E1處的偵測器510可拍攝在容器210中的第一位置處的下部錐狀結構260的第一影像，並且拍攝在容器210中的第二位置處的下部錐狀結構260的第二影像。下部錐狀結構260的第一及第二影像可顯示關於下部錐狀結構260上的錫污染的狀況的更詳細資訊。
在本實施例中，抽取管412及偵測器510可安裝在機械臂300的相同可移動臂部分314上。在一些其他實施例中，抽取管412及偵測器510可安裝在機械臂300的不同部分上。在一些實施方式中，下部錐狀結構260的偵測（亦即，第1B圖中的步驟120）可在在線清洗製程（亦即，第1B圖中的步驟118）之前、期間、或之後執行。在一些實施方式中，可省略偵測下部錐狀結構260（亦即，第1B圖中的步驟120）。
在一些實施方式中，輻射源200可包括用於支撐收集器230的支撐結構SE。支撐結構SE可包括容納一些輔助模組的剛性框架或盒，輔助模組諸如用於控制雷射源220的溫度的冷卻模組。在一些實施方式中，在在線清洗製程及/或偵測下部錐狀結構260（參見第5A圖及第5B圖）的狀況期間，收集器230保持由支撐結構SE支撐。換言之，在在線清洗製程及/或偵測下部錐狀結構260（參見第5A圖及第5B圖的狀況）期間，收集器230不移出EUV輻射源200。
返回參見第5A圖，在一些實施方式中，延伸臂部分312具有在容器210中的第一臂區段312a及在容器210外部的第二臂區段312b。在一些實施方式中，第一臂區段312a實質上與X方向平行，並且第二臂區段312b沿著波紋管組件BW的縱向方向延伸。在一些實施方式中，為了適配波紋管組件BW及容器210的構造，第一臂區段312a的縱向方向可關於第二臂區段312b的縱向方向傾斜。在一些另外的實施例中，第一臂區段312a可移動或關於第二臂區段312b旋轉，使得在第一臂區段312a與第二臂區段312b的縱向方向之間的角度可以經調節用於適配波紋管組件BW及容器210的構造。在一些其他實施例中，在第一臂區段312a與第二臂區段312b的縱向方向之間的角度可以係固定並且不可調節。
在一些實施方式中，在將機械臂300穿過波紋管組件BW插入容器210中之前，可移動臂部分314的前端314E1可旋轉到適宜位置，藉此縮小機械臂300的橫截面的大小。經由此構造，在不損壞接口210G或波紋管組件BW的情況下，機械臂300可以穿過波紋管組件BW移動到容器210中。舉例而言，可移動臂部分314可實質上與延伸臂部分312對準，或旋轉以與延伸臂部分312具有小角度，使得機械臂300可以容易地穿過接口210G及波紋管組件BW移動。
參見第1B圖及第6圖，方法100進行到步驟122，其中將機械臂300從容器210及波紋管組件BW中抽出。舉例而言，接口212G不具有機械臂300。在一些實施方式中，在將機械臂300從容器210及波紋管組件BW中抽出之前，可移動臂部分314的前端314E1可旋轉到適宜位置，藉此縮小機械臂300的橫截面的大小。經由此構造，在不損壞接口210G或波紋管組件BW的情況下，機械臂300可以移出容器210及波紋管組件BW。舉例而言，可移動臂部分314實質上與延伸臂部分312對準，或旋轉以與延伸臂部分312具有小角度，使得機械臂300可以容易地穿過接口210G及波紋管組件BW移動。
參見第1B圖及第7圖，方法100進行到步驟124，其中將液滴產生器240’組裝到接口210G上。在一些實施方式中，液滴產生器240’可不同於第2圖的液滴產生器240。舉例而言，在一些實施方式中，第2圖的液滴產生器240的噴嘴244堵塞，液滴產生器240’的噴嘴244不堵塞。隨後，如第3A圖中示出，藉由重複步驟104及106，EUV輻射源200可發射EUV光EL。
在本揭示的一些實施方式中，執行在線清洗製程以清洗收集器230的表面，用於延長收集器的壽命。在線清洗製程可以在不將收集器230移出容器210的情況下執行，藉此節省替換成本並且獲得用於生產的大量工具時間。舉例而言，在方法100的步驟112-124期間，收集器230保持由支撐結構SE（第5C圖）支撐，並且不移出EUV輻射源200。
在本實施例中，將對收集器230的清洗製程示出為在線清洗製程，此在線清洗製程在用新的液滴產生器替代液滴產生器240期間執行。在一些替代實施方式中，對收集器230的清洗製程可單獨執行，而不連同用新的液滴產生器替代液滴產生器240的維護製程一起。舉例而言，在第7圖中，在清洗收集器230之後，可將已使用的液滴產生器240（如第2圖中示出）組裝回到接口210G。此外，用於使用偵測器510偵測下部錐狀結構260的狀況的方法可單獨執行，而不連同用新的液滴產生器替代液滴產生器240的維護製程一起。舉例而言，在第7圖中，在偵測下部錐狀結構260的狀況之後，可將已使用的液滴產生器240（如第2圖中示出）組裝回到接口210G。
返回參考第2圖至第3A圖。在一些實施方式中，輻射源200可包括用以向EUV輻射EL提供中間聚焦的中間聚焦帽模組290。收集器230可朝向中間聚焦帽模組290聚焦由電漿產生的EUV光EL。中間聚焦帽模組290位於EUV輻射源容器210與包括光學元件的掃描器（亦即，微影系統100）之間，此等光學元件用以將EUV光EL導引至工件（例如，半導體基板）。在一些實施方式中，中間聚焦帽模組290可包含錐形孔，此錐形孔用以提供在EUV輻射源210與掃描器（亦即，微影系統100）之間的壓力分離。在一些實施方式中，中間聚焦帽模組290可延伸到掃描器（亦即，微影系統100）中。輻射源200可包括經設計且用以遮擋雷射束LB的水平遮擋條OB，藉此防止雷射束LB穿過離開孔210O發射出容器210。水平遮擋條OB可具有固定到錐狀結構260的下側的端部。
在一些實施方式中，蓋212由適宜的固體材料（諸如不鏽鋼）製成。容器210的蓋212可收集碎屑。舉例而言，蓋212可包括在錐形蓋212周圍隔開的複數個葉片212a。在一些實施方式中，輻射源200進一步包括在蓋212的部分周圍設置的加熱單元。加熱單元用於將蓋212內部的溫度維持在碎屑的熔點之上，使得碎屑不在蓋212的內表面上固化。當碎屑蒸汽與葉片接觸時，碎屑蒸汽可凝結成液體形式，並且流動到蓋212的下部區段中。蓋212的下部區段可提供用於將碎屑液體排洩出蓋212的孔洞212H（參見第5C圖），例如，排洩到燃料容器400（參見第5B圖）。燃料容器400可以收集液體碎屑。在一些實施方式中，EUV輻射源200的傾斜可經設計為使得燃料容器400處於與液滴產生器240及液滴捕獲器250的位置相比較低的位置，這亦可促進錫收集。
在一些實施方式中，輻射源200進一步包括氣流機構，包括氣體供應模組270、排氣系統280、及用於整合氣流機構與收集器240的各種管線。氣體供應模組270用以將氣體GA提供到容器210中並且特別地提供到鄰近收集器230的反射表面的空間中。在一些實施方式中，氣體GA係氫氣，其對EUV輻射具有較少的吸收。提供氣體GA用於各種保護功能，此等功能包括有效保護收集器230不受錫顆粒的污染。可替代地或額外地使用其他適宜氣體。可經由一或多個氣體管線將氣體GA穿過輸出窗OW附近的開口（或間隙）引入收集器240中。
在一些實施方式中，排氣系統280包括一或多個排氣線282及一或多個幫浦284。排氣線282可連接到容器210的壁用於接收排氣。在一些實施方式中，蓋212經設計為具有錐體形狀，其寬基底與收集器240整合並且其窄頂部區段面向照射器910。為了進一步實施此等實施例，排氣線282在其頂部區段處連接到蓋212。幫浦284將氣流從容器210抽出到排氣線282中用於有效地幫浦出氣體GA。氣體GA亦可用於攜帶一些碎屑遠離收集器230及蓋212並且攜帶到排氣系統280中。在一些實施方式中，排氣系統280可包括在排氣線282的入口處設置的氣體出口結構286。氣體出口結構286可係洗滌器，此洗滌器可在氣體從容器210釋放之前洗滌氣體蒸汽或稀釋離開的氣體。
在一些實施方式中，輻射源200可在容器210的內側壁上包括多個燃料接收元件FR。舉例而言，在蓋212附近的燃料接收元件FR的第一部分FR1可包括葉片（例如，第5C圖中的葉片212a），在氣體出口結構286附近的燃料接收元件FR的第二部分FR2可包括多個葉片，在下部錐狀結構260附近的燃料接收元件FR的第三部分FR3可包括多個葉片，並且在中間聚焦帽模組290附近的燃料接收元件FR的第四部分FR4可包括適宜的塗層。第一至第三部分FR1-FR3的葉片的形狀及密度可彼此不同。舉例而言，第二部分FR2的葉片的密度大於第一部分FR1的葉片的密度（例如，第5C圖中的葉片212a）。在一些實施方式中，第三部分FR3的葉片可係橫向引導液體碎屑的且為螺旋狀的。接收元件FR可接受液體碎屑並且將液體碎屑導引至流動到燃料容器400（參見第5B圖）中。
第8圖係根據本揭示的一些實施方式的固持抽取管412的機械臂300的示意圖。在一些實施方式中，機械臂300的臂部分312及/或314包括空腔300O，並且抽取管412可在空腔300O中設置。在本實施例中將空腔300O示出為溝槽。在一些其他實施例中，空腔300O可係藉由機械臂300的實體壁封閉的空間，並且機械臂300的實體臂可圍繞抽取管412。偵測器510可位於機械臂300的臂部分312及/或314的橫向外側上，並且具有向上的影像接收表面510S，藉此偵測下部錐狀結構260（參見第5A圖及第5B圖）的狀況。舉例而言，偵測器510可位於機械臂300的臂部分312及/或314上。在一些實施方式中，抽取管412及偵測器510可藉由適宜的固定元件（例如，夾具）固定到機械臂300的臂部分312及/或314。在一些實施方式中，可省略抽取管412及偵測器510之一。
第9圖係根據本揭示的一些實施方式的固持抽取管412的機械臂300的示意圖。本實施例類似於第8圖的實施例，不同之處在於抽取管412及偵測器510可位於機械臂300的臂部分312及/或314的外側上。舉例而言，抽取管412及偵測器510可分別位於機械臂300的臂部分312及/或314的相對橫向外側上。或者，抽取管412及偵測器510可分別位於機械臂300的臂部分312及/或314的橫向外側及頂部外側上。在本實施例中，機械臂300的臂部分312及/或314可不具有第8圖所示的空腔300O。在一些替代實施方式中，機械臂300的臂部分312及/或314可具有第8圖所示的空腔300O。在一些實施方式中，可省略抽取管412及偵測器510之一。
第10圖係根據本揭示的一些實施方式的EUV輻射源200及機械臂300的一部分的示意圖。本實施例類似於第5C圖的實施例，不同之處在於可省略偵測器510。在本實施例中，可省略第1B圖中的步驟120。本實施例的其他細節類似於第5C圖中示出的彼等，並且由此本文不再重複。
第11圖係根據本揭示的一些實施方式的EUV輻射源200及機械臂300的一部分的示意圖。本實施例類似於第5C圖的彼等，不同之處在於抽取管412及偵測器510可安裝在機械臂300的兩個不同的可移動臂部分314上。機械臂300的兩個可移動臂部分314可以獨立地移動或旋轉，使得抽取管412的開口412O可以移動到第一位置以清洗收集器230，並且偵測器510可以移動到與第一位置不同的第二位置以檢查下部錐狀結構260。本實施例的其他細節類似於第5C圖中示出的彼等，並且由此本文不再重複。
第12圖係根據本揭示的一些實施方式的EUV輻射源200及機械臂300的一部分的示意圖。本實施例類似於第5C圖的彼等，不同之處在於可省略清洗裝置410（例如，抽取管412及幫浦414）。在本實施例中，可省略第1B圖中的步驟118（亦即，在線清洗製程）。本實施例的其他細節類似於第5C圖中示出的彼等，並且由此本文不再重複。
第13圖至第14圖示出了根據本揭示的一些實施方式的用於在不同階段使用EUV輻射源的方法。本實施例類似於第2圖至第7圖的實施例，不同之處在於在本實施例中，當波紋管組件BW經調諧為具有與其中固持液滴產生器的波紋管BW的長度相比為短的長度時，將機械臂300插入接口210G中。在一些實施方式中，波紋管組件BW係撓性管，此撓性管具有第一端及可以相對於第一端移動的第二端以改變其長度。舉例而言，波紋管組件BW可具有馬達以相對於波紋管組件BW的第一端移動波紋管組件BW的第二端。
參見第13圖，在從容器210（參見第4圖）的接口210G拆卸液滴產生器240之後，波紋管組件BW經調諧為具有短的長度。舉例而言，折疊波紋管組件BW，藉此減小其長度。在本實施例中，折疊的波紋管組件BW的短長度小於其中固持液滴產生器的波紋管組件BW的長度（如第7圖所示）。
隨後，參見第14圖，將機械臂300穿過折疊的波紋管組件BW插入接口210G中。在本實施例中，藉由折疊波紋管組件BW，第一臂區段312a及第二臂區段312b可以在不適配波紋管組件BW及容器210的構造的情況下設計。舉例而言，第一臂區段312a的縱向方向可與第二臂區段312b的縱向方向平行或關於其傾斜。在一些實施方式中，在第一臂區段312a與第二臂區段312b的縱向方向之間的角度可以係固定的並且不可調節。
如第2圖至第7圖的實施例中示出，機械臂300可在在線清洗製程中或偵測錐狀結構260的狀況時使用。在在線清洗製程及/或偵測錐狀結構260的狀況之後，機械臂300從容器210中抽出，並且隨後波紋管組件BW可經調諧為具有長的長度（作為第6圖中的長度）。舉例而言，未折疊波紋管組件BW，藉此增加其長度。液滴產生器（如第7圖所示）可隨後安裝到具有長的長度的未折疊的波紋管組件BW上。本實施例的其他細節類似於第2圖至第7圖的實施例的彼等，並且由此本文不再重複。
第15圖係根據本揭示的一些實施方式的用於移動液滴產生器及移動清洗裝置的機械臂的示意圖。在一些實施方式中，可採用示例性機械臂600來自動地移動液滴產生器240。舉例而言，機械臂600可用於將液滴產生器240組裝到容器210（參見第2圖至第7圖）上，及/或從容器210（參見第2圖至第7圖）拆卸液滴產生器240。
在一些實施方式中，機械臂600包括可旋轉基底610、可旋轉臂620、可旋轉前臂630、可旋轉腕部構件640、夾持器650及機器人控制器660。基底610、臂620、前臂630及腕部構件640的旋轉以夾持器650可以三維方式移動的此種方式由機器人控制器660控制。舉例而言，基底610可繞著軸A1旋轉，臂620以臂620可繞著軸A2旋轉的此種方式經由旋轉關節或樞轉關節連接到基底610，A2垂直於軸A1。前臂630以前臂630可繞著軸A3旋轉的此種方式經由旋轉關節或樞轉關節連接到臂620，軸A3與軸A1平行。腕部構件640以腕部構件640可繞著軸A4旋轉的此種方式經由旋轉關節或樞轉關節連接到前臂630，軸A4垂直於軸A1-A3。夾持器650連接到離前臂630最遠的腕部構件640的端部，使得夾持器650可以藉由使用由基底610、臂620、前臂630、及腕部構件640執行的旋轉運動來以三維方式移動。
因此，在維護製程中，夾持器650可以移動以夾持液滴產生器240並且隨後從容器210的接口212G拆卸液滴產生器240（參見第3A圖及第4圖）。另一方面，在維護製程中，夾持液滴產生器240’的夾持器650可以移動回到容器210並且隨後將液滴產生器240’組裝到容器210的接口212G（參見第7圖）。
儘管第15圖中描繪的實施例使用機械臂600來自動地移動液滴產生器240（及/或第7圖中的液滴產生器240’），在一些其他實施例中，液滴產生器240（及/或第7圖中的液滴產生器240’）可以由一或多個有經驗的人類使用者（例如，技術人員及/或工程師）移動。在此種實施例中，有經驗的人類使用者可在液滴產生器冷卻之後手動地固持及移動液滴夾持器240（及/或第7圖中的液滴產生器240’）。
在一些實施方式中，機器人控制器320（參見第5A圖）及機器人控制器660經程式設計以按順序使用機械臂600來從容器210拆卸液滴產生器240（參見第3A圖及第4圖）、將機械臂300插入容器210中（參見第5A圖至第5C圖）、使用機械臂300清洗收集器230（參見第5A圖至第5C圖）、從容器210中抽出機械臂300（參見第6圖）、並且將液滴產生器240’組裝到容器210上（參見第7圖）。舉例而言，在一些實施方式中，回應於在機器人控制器660的控制下藉由機械臂600將液滴產生器移動遠離容器210（參見第3A圖及第4圖），機器人控制器320（參見第5A圖至第5C圖）可控制機械臂300將清洗裝置410移動到容器210中並且清洗收集器230。在一些實施方式中，獨立地控制機械臂600及機械臂300。換言之，機械臂300不受機器人控制器660的控制，並且機械臂600不受機器人控制器320的控制（參見第5A圖）。
機器人控制器660可係總體EUV輻射源200的一部分，機械臂600係此EUV輻射源的一部分。機器人控制器660可包括電子記憶體及用以執行在電子記憶體中儲存的程式設計指令的一或多個電子處理器，此等程式設計指令可涉及控制機械臂300的移動的程式。在一些實施方式中，機器人控制器660可包括處理器、中央處理單元(CPU)、多處理器、分散式處理系統、特殊應用積體電路(ASIC)、或類似者。在一些實施方式中，機器人控制器660、機器人控制器320（參見第5A圖）、及控制器PC（參見第4圖）在相同的處理器中。在一些其他實施例中，機器人控制器660、機器人控制器320（參見第5A圖）、及控制器PC（參見第4圖）分別在不同的獨立處理器中。
第16圖係根據本揭示的一些實施方式的微影系統900的示意圖。微影系統900亦可稱為掃描器，此掃描器可操作以執行具有相應輻射源及曝光模式的微影曝光製程。在一些實施方式中，微影系統900係經設計為由EUV光EL曝光阻劑層的極紫外微影系統。阻劑層係對EUV光敏感的材料。在一些實施方式中，EUV微影系統900採用輻射源200來產生EUV光EL。
微影系統900亦採用照射器（illuminator）910。在一些實施方式中，照射器910包括各個反射光學器件，諸如單個反射鏡或具有多個反射鏡的反射鏡系統，以便將EUV光EL從輻射源200導引至遮罩台920上，特別地導引至固定在遮罩台920上的遮罩930。
微影系統900亦包括用以固定遮罩930的遮罩台920。在一些實施方式中，遮罩台920包括用於固定遮罩930的靜電夾盤（e-chuck）。在此上下文中，術語遮罩、光罩、及主光罩可互換地使用。在本實施例中，微影系統900係EUV微影系統，並且遮罩930係反射遮罩。遮罩930的一個示例性結構包括具有低熱膨脹材料（low thermal expansion material；LTEM）的基板。舉例而言，LTEM可包括TiO 2摻雜的SiO2、或具有低熱膨脹的其他適宜材料。遮罩930包括在基板上沉積的反射多層。反射多層包括多個膜對，諸如鉬-矽（Mo/Si）膜對（例如，在每個膜對中，鉬層在矽層之上或之下）。或者，反射多層可包括鉬-鈹（Mo/Be）膜對、或可用以高度反射EUV光EL的其他適宜材料。遮罩930可進一步包括在反射多層上設置而用於保護的覆蓋層，諸如釕（Ru）。遮罩18進一步包括在反射多層上方沉積的吸收層，諸如氮化鉭硼（TaBN）層。吸收層經圖案化以定義積體電路（integrated circuit；IC）的層。在各個實施例中，遮罩930可具有其他結構或構造。
微影系統900亦包括投影光學模組（或投影光學盒（projection optics box；POB））940，用於將遮罩930的圖案成像到固定在微影系統900的基板台（或晶圓台）950上的半導體基板W上。在本實施例中，POB 940包括反射光學器件。從遮罩930導引並且攜帶在遮罩930上定義的圖案的影像的光EL由POB 940收集。照射器910及POB 940可統稱為微影系統900的光學模組。
在本實施例中，半導體基板W係半導體晶圓，諸如矽晶圓或待圖案化的其他類型的晶圓。在本實施例中，半導體基板W用對EUV光EL敏感的阻劑層塗佈。包括上文描述的彼等的各個部件整合在一起並且可操作以執行微影曝光製程。
在本實施例中，微影系統900進一步包括多個光強度感測器。舉例而言，光強度感測器962在遮罩台920附近安裝並且光強度感測器964在基板台950上安裝。在一些實施方式中，影像感測器（諸如照相機）可安裝在基板台950上。在一些實施方式中，如先前示出，控制器（例如，控制器PC）可與光強度感測器962及964電氣連接。
基於以上論述，可以看到本揭示提供了優點。然而，應當理解，其他實施例可提供額外優點，並且在本文中並非必須揭示所有優點，並且所有實施例並非需要特定優點。一個優點係執行在線清洗製程以清洗收集器的表面，藉此延長收集器的壽命。另一優點係用於清洗收集器的表面的在線清洗製程可以在不移動收集器的情況下執行，藉此節省替換成本並且獲得用於生產的大量工具時間。又一優點係固持影像偵測器的機械臂可插入EUV容器中，藉此偵測頂部的錐狀結構的狀況。
根據本揭示的一些實施方式，提供了一種用於使用極紫外輻射源的方法。方法包括：將一第一液滴產生器組裝到一容器的一接口上；將一靶液滴從該第一液滴產生器噴射到在一激發區域，其中該激發區域在位於該容器的一端部處的一收集器的前方；朝向該激發區域發射一雷射，使得該靶液滴由該雷射加熱以產生極紫外輻射；停止該靶液滴的該噴射；在停止該靶液滴的該噴射之後，從該容器的該接口拆卸該第一液滴產生器；在從該容器的該接口拆卸該第一液滴產生器之後，將一清洗裝置穿過該接口插入該容器中；以及藉由使用該清洗裝置，清洗該收集器。
根據本揭示的一些實施方式，提供了一種使用極紫外輻射源的方法。方法包括：將第一液滴產生器組裝到容器的接口上；藉由第一液滴產生器將靶液滴噴射到容器中；藉由將雷射發射到靶液滴上產生極紫外輻射；關閉第一液滴產生器；從容器的接口拆卸第一液滴產生器；將機械臂穿過接口插入容器中，其中機械臂固持偵測器；以及藉由偵測器偵測在容器的頂部處的錐狀結構上的錫污染物。
根據本揭示的一些實施方式，極紫外輻射設備包括容器、收集器、液滴產生器、第一機械臂、第一機器人控制器、清洗裝置、第二機械臂、及第二機器人控制器。收集器在容器的端部處。液滴產生器可拆卸地安裝在容器上。第一機器人控制器控制第一機械臂將液滴產生器移動遠離容器。回應於將液滴產生器移動遠離容器，第二機器人控制器控制第二機械臂將清洗裝置移動到容器中並且清洗收集器。
上文概述若干實施例的特徵，使得熟習此項技術者可更好地理解本揭示的態樣。熟習此項技術者應瞭解，可輕易使用本揭示作為設計或修改其他製程及結構的基礎，以便執行本文所介紹的實施例的相同目的及/或實現相同優點。熟習此項技術者亦應認識到，此類等效構造並未脫離本揭示的精神及範疇，且可在不脫離本揭示的精神及範疇的情況下產生本文的各種變化、取代及更改。
100:方法 102:步驟 104:步驟 106:步驟 108:步驟 110:步驟 112:步驟 114:步驟 116:步驟 118:步驟 120:步驟 122:步驟 124:步驟 200:EUV輻射源 210:容器 210G:接口 210O:出口孔 212:蓋 212a:葉片 212H:孔洞 220:雷射源 230:收集器 240:液滴產生器 240':液滴產生器 242:貯存器 244:噴嘴 244C:毛細管 244S:感測器 250:液滴捕獲器 260:下部錐狀結構 270:氣體供應模組 280:排氣系統 282:排氣線 284:幫浦 286:氣體出口結構 290:中間聚焦帽模組 300:機械臂 300O:空腔 312:臂部分 312/314:臂部分 312a:第一臂區段 312b:第二臂區段 314:臂部分 314-E1:前端 314-E2:後端 318:驅動組件 320:機器人控制器 400:燃料容器 412:抽取管 412O:開口 414:幫浦 510:偵測器 510S:影像接收表面 600:機械臂 610:可旋轉基底 620:可旋轉臂 630:可旋轉前臂 640:可旋轉腕部構件 650:夾持器 660:機器人控制器 900:微影系統 910:照射器 920:遮罩台 930:遮罩 950:基板台 962:光強度感測器 964:光強度感測器 4122:第一部分 4124:第一部分 A1:軸 A2:軸 A3:軸 A4:軸 BW:波紋管組件 C1:電漿形成點 EL:EUV光 FE:前端 FR:燃料接收元件 FR1:第一部分 FR2:第二部分 FR3:第三部分 FR4:第四部分 LB:雷射束 LEP:微影曝光製程 OB:水平遮擋條 OW:窗 PC:控制器 PD:碎屑 SE:支撐結構 SR:護罩 TD:燃料 W:半導體基板 X:方向 Y:方向 Z:方向
當結合隨附圖式閱讀時，自以下詳細描述將最好地理解本揭示的態樣。應注意，根據工業中的標準實務，各個特徵並非按比例繪製。事實上，出於論述清晰的目的，可任意增加或減小各個特徵的尺寸。 第1A圖及第1B圖係根據本揭示的一些實施方式的用於使用EUV輻射源的方法的流程圖。 第2圖、第3A圖、第4圖、第5A圖至第5B圖、第6圖、及第7圖示出了根據本揭示的一些實施方式的用於在不同階段使用EUV輻射源的方法。 第3B圖示出了根據本揭示的一些實施方式的液滴產生器的放大視圖。 第5C圖係根據本揭示的一些實施方式的EUV輻射源及機械臂的一部分的示意圖。 第5D圖示出了根據本揭示的一些實施方式的機械臂在三維空間中的移動。 第8圖及第9圖係根據本揭示的一些實施方式的固持抽取管的機械臂的示意圖。 第10圖係根據本揭示的一些實施方式的EUV輻射源及機械臂的一部分的示意圖。 第11圖係根據本揭示的一些實施方式的EUV輻射源及機械臂的一部分的示意圖。 第12圖係根據本揭示的一些實施方式的EUV輻射源及機械臂的一部分的示意圖。 第13圖至第14圖示出了根據本揭示的一些實施方式的用於在不同階段使用EUV輻射源的方法。 第15圖係根據本揭示的一些實施方式的用於移動液滴產生器及移動清洗裝置的機械臂的示意圖。 第16圖係根據本揭示的一些實施方式的微影系統的示意圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
200:EUV輻射源
210:容器
210G:接口
210O:出口孔
212:蓋
220:雷射源
230:收集器
250:液滴捕獲器
260:下部錐狀結構
270:氣體供應模組
280:排氣系統
290:中間聚焦帽模組
300:機械臂
312:臂部分
312a:第一臂區段
312b:第二臂區段
314:臂部分
314-E1:前端
314-E2:後端
318:驅動組件
320:機器人控制器
900:微影系統
C1:電漿形成點
FR:燃料接收元件
OW:窗
OB:水平遮擋條
PD:碎屑
SR:護罩
X:方向
Y:方向
Z:方向

Claims (20)

  1. 一種方法，包含： 將一第一液滴產生器組裝到一容器的一接口上； 將一靶液滴從該第一液滴產生器噴射到在一激發區域，其中該激發區域在位於該容器的一端部處的一收集器的前方； 朝向該激發區域發射一雷射，使得該靶液滴由該雷射加熱以產生極紫外(extreme ultraviolet；EUV)輻射； 停止該靶液滴的該噴射； 在停止該靶液滴的該噴射之後，從該容器的該接口拆卸該第一液滴產生器； 在從該容器的該接口拆卸該第一液滴產生器之後，將一清洗裝置穿過該接口插入該容器中；以及 藉由使用該清洗裝置，清洗該收集器。
  2. 如請求項1所述的方法，其中清洗該收集器包含： 將該清洗裝置的一前端從該容器中的一第一位置移動到該容器中的一第二位置。
  3. 如請求項1所述的方法，其中清洗該收集器包含： 相對該清洗裝置的一第二部分，旋轉該清洗裝置的一第一部分，其中該清洗裝置的該第二部分連接該清洗裝置的該第一部分。
  4. 如請求項1所述的方法，其中清洗該收集器包含： 向該收集器的一表面提供一真空吸力。
  5. 如請求項1所述的方法，其中將該清洗裝置插入該容器中包含： 將一機械臂穿過該接口插入該容器中，其中該機械臂固持該清洗裝置的一抽取管。
  6. 如請求項5所述的方法，更包含： 藉由一偵測器偵測該容器的一頂部處的一錐狀結構上的一錫污染物，其中該偵測器安裝在該機械臂上。
  7. 如請求項1所述的方法，其中當該收集器由該容器下方的一支撐結構支撐時，執行清洗該收集器。
  8. 如請求項1所述的方法，更包含： 在清洗該收集器之後，將一第二液滴產生器組裝到該容器的該接口上。
  9. 如請求項1所述的方法，其中執行將該清洗裝置插入該容器中，使得該清洗裝置延伸超出該容器的該接口下方的一護罩。
  10. 如請求項1所述的方法，其中執行將該第一液滴產生器組裝到該容器的該接口上，使得該第一液滴產生器藉由連接到該容器的一波紋管組件固持，該方法更包含： 在將該清洗裝置穿過該接口插入該容器中之前，減小該波紋管組件的一長度。
  11. 一種方法，包含： 將一第一液滴產生器組裝到一容器的一接口上； 藉由該第一液滴產生器將一靶液滴噴射到該容器中； 藉由將一雷射發射到該靶液滴上產生極紫外輻射； 關閉該第一液滴產生器； 從該容器的該接口拆卸該第一液滴產生器； 將一機械臂穿過該接口插入該容器中，其中該機械臂固持一偵測器；以及 藉由該偵測器，偵測該容器的一頂部處的一錐狀結構上的一錫污染物。
  12. 如請求項11所述的方法，更包含： 在將該機械臂插入該容器中之後，將該機械臂的一前端從該容器中的一第一位置移動到該容器中的一第二位置。
  13. 如請求項11所述的方法，其中該偵測器係一影像偵測器，並且偵測該錐狀結構上的該錫污染物包含： 拍攝一第一位置處的一第一影像；以及 拍攝一第二位置處的一第二影像。
  14. 如請求項11所述的方法，更包含： 在將該機械臂插入該容器中之後，相對於該機械臂的一第二部分，旋轉該機械臂的一第一部分，其中該機械臂的該第二部分連接的該機械臂的該第一部分。
  15. 如請求項11所述的方法，其中當一收集器由該容器下方的一支撐結構支撐時，執行偵測該錐狀結構的該錫污染物。
  16. 如請求項11所述的方法，更包含： 在偵測該錐狀結構上的該錫污染物之後，將一第二液滴產生器組裝到該容器的該接口上。
  17. 一種設備，包含： 一容器； 一收集器，在該容器的一端部處； 一液滴產生器，可拆卸地安裝在該容器上； 一第一機械臂； 一第一機器人控制器，控制該第一機械臂以將該液滴產生器移動遠離該容器； 一清洗裝置； 一第二機械臂；以及 一第二機器人控制器，回應於將該液滴產生器移動遠離該容器，控制該第二機械臂將該清洗裝置移動到該容器中並且清洗該收集器。
  18. 如請求項17所述的設備，其中該清洗裝置包含一真空管。
  19. 如請求項17所述的設備，其中該第二機械臂包含一第一臂區段及一第二臂區段，該第二臂區段具有連接到該第一臂區段的一第一端部，並且該第二機器人控制器進一步控制該第二臂區段的一第二端部以相對該第二臂區段的該第一端部旋轉。
  20. 如請求項17所述的設備，更包含： 一影像偵測器，其中該第二機器人控制器進一步控制該第二機械臂將該影像偵測器移動到該容器中。
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