TWI704018B

TWI704018B - 微影設備之清潔系統、用於清潔微影設備之集光鏡之裝置及方法

Info

Publication number: TWI704018B
Application number: TW106128931A
Authority: TW
Inventors: 簡上傑; 鐘仁陽; 吳尚穎; 羅紹維; 陳立銳; 鄭博中; 陳家楨
Original assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date: 2017-08-25
Filing date: 2017-08-25
Publication date: 2020-09-11
Also published as: TW201912263A

Abstract

本揭露提供一種用於清潔微影設備之集光鏡之裝置及方法。上述裝置包括一支撐桿、一伸縮桿、一控制單元及一黏附元件。伸縮桿具有相對的第一端及第二端，且第一端活動地連接支撐桿。控制單元配置用以控制伸縮桿相對支撐桿之運動及控制伸縮桿之伸縮。黏附元件設置於伸縮桿之第二端，用以清除集光鏡上之汙染物。

Description

微影設備之清潔系統、用於清潔微影設備之集光鏡之裝置及方法

本發明實施例關於一種半導體技術，特別係有關於一種用於清潔極紫外光(extreme ultraviolet，EUV)微影設備之集光鏡(collector)之裝置及方法。

近年來，半導體積體電路經歷了指數級的成長。在積體電路材料以及設計上的技術進步下，產生了多個世代的積體電路，其中每一世代較前一世代具有更小更複雜的電路。在積體電路發展的過程中，當幾何尺寸(亦即製程中所能產出的最小元件或者線)縮小時，功能密度(亦即每一晶片區域所具有的互連裝置的數目)通常會增加。一般而言，此種尺寸縮小的製程可提供增加生產效率以及降低製造成本的好處，然而，此種尺寸縮小的製程也增加製造與生產積體電路的複雜度。

舉例來說，使用較高解析度的微影製程的需求成長了。一種微影技術係稱為極紫外光微影技術(extreme ultraviolet lithography，EUVL)，此種技術利用了使用波長範圍約在1-100奈米的極紫外光(EUV)的掃描器(scanner)。由於極紫外光對於各種物質而言都容易被吸收，所以無法使用像習知之應用可見光或紫外光的光微影技術之折射式光學系統，因此在極紫外光微影設備中所採用的是反射式光學系統，亦即反射式光罩及反射鏡(包括收集、反射及聚焦極紫外光之一集光鏡)。一種極紫外光光源係採用雷射生成電漿(laser-produced plasma，LPP)技術，此種技術藉由將一高功率雷射光束聚焦在微小的摻錫液滴標靶上以形成高度離子化電漿，進而由高度離子化電漿發出波長約在13.5奈米的極紫外光光線。

雖然現有的極紫外光微影技術及設備已經足以應付其需求，然而仍未全面滿足。因此，需要提供一種改善極紫外光微影製程的方案。

本揭露一些實施例提供一種用於清潔微影設備之集光鏡之裝置，包括一支撐桿、一伸縮桿、一控制單元及一黏附元件。伸縮桿具有相對的一第一端及一第二端，且第一端活動地連接支撐桿。控制單元配置用以控制伸縮桿相對支撐桿之運動及控制伸縮桿之伸縮。黏附元件設置於伸縮桿之第二端，用以清除集光鏡上之汙染物。

本揭露一些實施例提供一種用於清潔微影設備之集光鏡之裝置，包括一支撐桿、一伸縮桿、一控制單元、一清潔元件及一影像擷取單元。伸縮桿具有相對的一第一端及一第二端，且第一端活動地連接支撐桿。清潔元件設置於伸縮桿之第二端，用以清除集光鏡上之汙染物。影像擷取單元配置用以朝清潔元件之方位擷取一影像資訊及回傳上述影像資訊至控制單元。控制單元配置用以基於上述影像資訊控制伸縮桿相對支撐桿之轉向及控制伸縮桿之伸縮。

本揭露一些實施例提供一種用於清潔微影設備之集光鏡之方法。上述方法包括將一清潔裝置從微影設備之外部伸入微影設備之設置集光鏡之一腔室中。上述方法還包括藉由清潔裝置清除集光鏡上之汙染物。另外，上述方法包括將清潔裝置從腔室取出。

10:微影設備

12:光源

14:照明光學系統

16:光罩台

18:光罩

20:投影光學系統

22:半導體基板

24:基板台

26:氣體供應模組

30:清潔裝置

40:方法

121:標靶液滴產生器

121A:標靶液滴

122:雷射光源

123:集光鏡

123A:窗

123B:反射表面

124:光源腔室

124A:安裝埠

301、301’:支撐桿

302:伸縮桿

302A:本體部

302B:伸縮部

302C:彈性部分

303:控制單元

304:黏附元件

305:壓力感測器

306:影像擷取單元

306A:影像感測器

306B:光纖

401~404:操作

C:汙染物

E1:第一端

E2:第二端

L:雷射光束

P1:激發區

P2:第二焦點

R:極紫外光光線

第1圖係根據一些實施例之具有極紫外光光源之微影設備的示意圖。

第2圖係第1圖中微影設備之極紫外光光源的示意圖。

第3圖係根據一些實施例之用於清潔微影設備之集光鏡之裝置的示意圖。

第4圖係根據一些實施例之用於清潔微影設備之集光鏡之方法的流程圖。

第5圖係根據一些實施例之將清潔裝置伸入微影設備之光源腔室中的示意圖。

第6圖係根據一些實施例之藉由清潔裝置清除集光鏡上之汙染物的示意圖。

第7圖係根據一些實施例之將清潔裝置從光源腔室移出的示意圖。

第8圖係根據另一些實施例之用於清潔微影設備之集光鏡之裝置的示意圖。

以下揭露內容提供許多不同的實施例或範例以實施本案的不同特徵。以下揭露內容敘述各個構件及其排列方式的特定範例，以簡化說明。當然，這些特定的範例並非用以限定。例如，若實施例中敘述了一第一特徵形成於一第二特徵之上或上方，即表示其可能包含上述第一特徵與上述第二特徵是直接接觸的情況，亦可能包含了有附加特徵形成於上述第一特徵與上述第二特徵之間，而使得上述第一特徵與第二特徵未直接接觸的情況。

在下文中所使用的空間相關用詞，例如“在...下方”、“下方”、“較低的”、“上方”、“較高的”及類似的用詞，係為了便於描述圖示中一個元件或特徵與另一個(些)元件或特徵之間的關係。除了在圖式中繪示的方位外，這些空間相關用詞也意欲包含使用中或操作中的裝置之不同方位。裝置可能被轉向不同方位(旋轉90度獲其他方位)，而在此所使用的空間相關用詞也可依此相同解釋。

此外，以下不同實施例中可能重複使用相同的元件標號及/或文字，這些重複係為了簡化與清晰的目的，並非用以限定所討論的不同實施例及/或結構之間有特定的關係。在圖式中，結構的形狀或厚度可能擴大，以簡化或便於標示。必須了解的是，未特別描述或圖示之元件可以本領域技術人士所熟知之各種形式存在。

第1圖係根據一些實施例之一微影設備10的示意圖。微影設備10係一可執行微影曝光製程的掃描器。根據一些實施例，微影設備10係一將光阻層(圖未示)暴露在極紫外光(EUV)光線下的極紫外光微影設備。上述光阻層具有對極紫外光可感光之材料，並塗佈在一半導體基板22上。半導體基板22係一半導體晶圓，例如將被圖案化的一矽晶圓或其他類晶圓。微影設備10使用一光源12(又稱為極紫外光光源)以產生波長範圍約在1奈米與100奈米之間的極紫外光光線。在一些特定實施例中，光源12產生一中心波長約在13.5奈米的極紫外光光線。關於光源12產生極紫外光光線之機制於稍後段落中將進一步描述。

微影設備10亦包括一照明光學系統(illumination system)14，其係一包括多個反射式光學元件的鏡片系統，可將光源12產生之極紫外光光線導向一固設於一光罩台(mask stage)16上之光罩18。根據一些實施例，光罩台16係一可穩固光罩18之靜電吸盤或者透過其他方式固定光罩18之光罩台。根據一些實施例，光罩18係一反射式光罩，包括沉積在一基板上之反射多層(reflective multilayers)。此反射多層包括多個薄膜對，例如鉬-矽薄膜對、鉬-鈹薄膜對、或者其他可高度反射極紫外光之合適材料。光罩18還包括一反射層，沉積在上述反射多層上並被圖案化以定義出一積體電路之一電路層。

微影設備10還包括一投影光學系統(projection optical system)20，用以將光罩18之圖案轉移(映)到半導體基板22上之光阻層。根據一些實施例，投影光學系統20係一包括多個反射式光學元件的鏡片系統。此外，半導體基板22固設於微影設備10之一基板台24上，基板台24例如係一可控制半導體基板22之曝光位置之步進機(stepper)，但不以此為限。

藉由上述配置，微影設備10依據光罩18所定義之圖案可對半導體基板22上之光阻層進行選擇性曝光。

根據一些實施例，微影設備10進一步包括其他模組。舉例來說，微影設備10可包括一氣體供應模組26，其配置用以提供氫氣至光源12，以幫助減少在光源12中的汙染。

第2圖係第1圖中微影設備10之光源12的示意圖。根據一些實施例，光源12係一雷射生成電漿(LPP)極紫外光光源，可藉由將一高功率雷射光束聚焦在微小的液滴標靶上以形成高度離子化電漿，進而由高度離子化電漿發出極紫外光光線。如第2圖所示，光源12包括一標靶液滴產生器121、一雷射光源122、一集光鏡123、及用以收容上述元件之一光源腔室124。一般而言，在產生極紫外光光線之過程中，光源腔室124係保持真空狀態，以避免極紫外光光線容易被其他物質吸收而導致光源12之輸出功率下降。根據一些實施例，一開口(圖未示)形成於光源腔室124之腔壁，並連接一真空泵，用以對光源腔室124抽真空。

標靶液滴產生器121配置用以產生複數個標靶液滴121A。根據一些實施例，標靶液滴121A係摻錫液滴(Sn droplets)，每一摻錫的標靶液滴121A的直徑約為30微米。根據一些實施例，摻錫的標靶液滴121A以約50kHz的頻率產生，且以每秒約70公尺的速度引進至光源12內的一激發區P1。根據一些實施例，標靶液滴121A所摻雜的錫可為一純錫、一錫化合物 (例如SnBr₄、SnBr₂、SnH₄)、或一錫合金(例如錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金、或上述合金之組合)。然而，標靶液滴121A亦可能包括其他材料，例如水、鋰、氙或當轉變成一電漿狀態時在極紫外光波長範圍內具有一放射線之任何材料。

另外，標靶液滴產生器121係藉由光源腔室124之腔壁上之一安裝埠(開口)124A(第5圖)而設置於光源腔室124中，且當標靶液滴產生器121之標靶原料(例如錫棒)需要補充時，亦可將標靶液滴產生器121經由安裝埠124A自光源腔室124取出以進行標靶原料的補充。根據一些實施例，一標靶液滴收集器(圖未示)可安裝於標靶液滴產生器121之對面，用以收集過多的標靶液滴121A。

雷射光源122配置用以產生一射至標靶液滴121A上的雷射光束L。根據一些實施例，雷射光源122係一二氧化碳(CO₂)雷射光源或其他可選用類型之雷射光源。根據一些實施例，雷射光源122所產生之雷射光束L更可通過一光束傳遞系統及一聚焦元件(圖未示)而射至位於激發區P1之標靶液滴121A上。激發區P1之位置對應上述聚焦元件之焦點。根據一些實施例，集光鏡123上設有一容許雷射光束L通過且到達激發區P1之窗123A(如第2圖所示)。當雷射光源122撞擊位於激發區P1之標靶液滴121A時，雷射光源122可將標靶液滴121A加熱至臨界溫度，使得標靶液滴121A脫落電子並產生高度離子化電漿，進而由高度離子化電漿發出例如波長約在13.5奈米的極紫外光光線R。

集光鏡123配置為具有適當的塗層及形狀而可用以收集、反射及聚焦極紫外光。根據一些實施例，集光鏡123係具有橢圓形的幾何形狀，且橢圓形的集光鏡123在激發區P1具有一第一焦點。根據一些實施例，集光鏡123的塗層材料係相似於光罩18之反射多層，舉例來說，集光鏡123的塗層材料包括一個多層(例如複數個鉬-矽薄膜對)且可進一步包括塗布在該多層上的一覆蓋層(如釕層)，藉以反射極紫外光光線。為了微影曝光製程的進行，集光鏡123可收集、反射上述電漿所發出之極紫外光光線R，並聚焦在橢圓形的集光鏡123之一第二焦點P2(又稱為中間焦點)，藉以將極紫外光光線R傳遞至例如微影設備10之照明光學系統14及投影光學系統20(如第1圖所示)。

在一極紫外光微影設備(例如微影設備10)中，集光鏡123的工作壽命係一個重要的考量因子，其與微影設備10的可利用性及產量密切相關。舉例來說，若集光鏡123的工作壽命縮短，會使得微影設備10維修保養的時間(亦即關機時間)增加，而造成其可利用性及產量降低。在上述產生極紫外光光線R的過程中，集光鏡123之反射表面123B會受到各種粒子、離子及射線的撞擊，且經過一段時間後，集光鏡123之反射率會因為粒子沉積、離子傷害、氧化等因素而降低，從而縮短其工作壽命。在這些因素中，粒子沉積(例如錫殘渣)之汙染物係影響集光鏡123之反射率及工作壽命之一主要的因素。

一種減少集光鏡123被汙染的習知方法係將氫氣引入激發區P1並引到靠近集光鏡123之反射表面123B的一空間。根據一些實施例，氫氣由第1圖中之氣體供應模組26所供應。由於氫氣較不會吸收極紫外光光線，且氫氣與沉積在集光鏡123之反射表面123B上之錫殘渣可發生化學反應而產生錫烷(SnH₄)，其係在極紫外光產生過程中的一種氣體副產物，只要將氣體抽掉即可忽略。然而，此種使用氫氣氣流的方法仍不能夠完全避免汙染的問題，且對於沉積在集光鏡123上之塊狀的汙染物C之清除效果亦有限。

為了進一步清除塊狀的汙染物C，一種習知方法係將集光鏡123從光源腔室124移出，再利用人工方式以鎳子等夾取工具來將塊狀的汙染物C自集光鏡123上移除。如此一來，需花費相當長之維修保養、重新架設系統及重開機的時間，而不利於微影設備10之可利用性及產量。此外，透過夾取工具來移除塊狀的汙染物C亦有傷害集光鏡123之反射表面123B的疑慮。

為了解決上述問題，本發明實施例提供一種用於清潔集光鏡123之裝置(以下簡稱清潔裝置)，能夠簡單、安全且有效地清除沉積在集光鏡123上之塊狀的汙染物C(例如錫殘渣)，以延長集光鏡123的工作壽命。除此之外，實施例之清潔裝置可以被伸入微影設備10之光源腔室124來清潔集光鏡123之反射表面123B，而不需將集光鏡123從光源腔室124取出，因此能夠大幅節省重新架設系統及重開機的時間，以改善微影設備10之可利用性(availability)及產量。

第3圖係根據一些實施例之用於清潔微影設備之集光鏡之清潔裝置30的示意圖。清潔裝置30主要包括一支撐桿301、一伸縮桿302、一控制單元303及一黏附元件304。

支撐桿301配置為具有一便於操作者拿取且可伸入光源腔室124中及靠近集光鏡123之形狀。根據一些實施例，支撐桿301係具有長桿結構。伸縮桿302配置為活動地連接支撐桿301且具有可伸縮的功能。根據一些實施例，伸縮桿302係具有一本體部302A及一可縮入或伸出本體部302A之伸縮部302B，且伸縮桿302具有相對的第一端E1(位於本體部302A較遠離伸縮部302B之一端)及第二端E2(位於伸縮部302B較遠離本體部302A之一端)，該第一端E1活動地連接支撐桿301。根據一些實施例，伸縮桿302及支撐桿301透過一圖未示之萬向接頭(universal joint)連接，使得伸縮桿302可相對支撐桿301進行任何方向的轉動。

伸縮桿302之第二端E2可進一步具有一彈性部分302C，用以順應集光鏡123之反射表面123B及其上之汙染物C的形狀而發生形變。根據一些實施例，一具有彈性的橡膠墊被固定於伸縮桿302之第二端E2而形成彈性部分302C。根據一些實施例，彈性部分302C及伸縮桿302可以一體成形方式製作。

控制單元303配置用以控制伸縮桿302相對支撐桿301之運動及控制伸縮桿302之伸縮。根據一些實施例，控制單元303係一電腦(但不以此為限)，可透過有線(例如電線、電纜或光纖)或無線(例如藍芽、wifi或近場通訊(NFC)傳輸)之方式電性連接伸縮桿302與伸縮桿302及支撐桿301之間的萬向接頭，並可產生控制信號以控制伸縮桿302相對支撐桿301之轉向及控制伸縮桿302之伸縮。

黏附元件304設置於伸縮桿302之第二端E2，用以清除集光鏡123上之汙染物C。根據一些實施例，黏附元件304係一單面膠帶、雙面膠帶或者其他可選用之膠材，固定於伸縮桿302之第二端E2(例如彈性部分302C)上，並可透過黏附方式清除集光鏡123之反射表面123B上之汙染物C。

如第3圖所示，清潔裝置30可進一步包括一壓力感測器305，配置用以感測黏附元件304作用於集光鏡123之上之壓力值及回傳上述壓力值至控制單元303。根據一些實施例，壓力感測器305係一薄膜型壓力感測器(但不以此為限)，設置於伸縮桿302之第二端E2(例如彈性部分302)及黏附元件304之間，並可透過無線(例如藍芽、wifi或近場通訊(NFC)傳輸)之方式電性連接控制單元303，以將所感測到黏附元件304作用於集光鏡123之上之壓力值回傳至控制單元303。根據一些實施例，當控制單元303判斷壓力感測器305所感測到黏附元件304作用於集光鏡123之上之壓力值超出一預設閥值時，控制單元303可控制伸縮桿302停止伸長，以避免集光鏡123之反射表面123B受損。

如第3圖所示，清潔裝置30可進一步包括一影像擷取單元306，配置用以朝黏附元件304之方位擷取一影像資訊及回傳上述影像資訊至控制單元303。根據一些實施例，影像擷取單元306包括相互耦合之一影像感測器306A及一光纖306B。其中，影像感測器306A(例如係感光耦合元件(Charge-coupled Device，CCD)或互補式金屬氧化物半導體(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，CMOS)透過例如黏附方式設置於伸縮桿302之上，用以朝黏附元件304之方位擷取影像資訊(例如拍照或錄影)。光纖306B配置通過例如支撐桿301之內部，並電性連接控制單元303。藉此，影像感測器306A所擷取到之影像資訊可即時顯示在控制單元303之一顯示幕(圖未示)上，使得操作者得知集光鏡123上之汙染物C之位置及清潔裝置30之清潔狀況。根據一些實施例，控制單元303更可以基於上述影像資訊控制伸縮桿302相對支撐桿301之轉向及控制伸縮桿302之伸縮。

影像擷取單元306亦可具有其他的實施樣態。舉例來說，影像擷取單元306之影像感測器306A可固定於另一支撐桿，且該另一支撐桿透過一托架而與支撐桿301連接及連動，使得影像感測器306A可朝黏附元件304之方位擷取影像資訊。此外，影像感測器306A亦可以採用其他有線或者無線之方式電性連接控制單元303。

接著介紹上述清潔裝置30之使用方法。第4圖係根據一些實施例之用於清潔微影設備之集光鏡之方法40的流程圖。首先，在操作401中，將一清潔裝置從微影設備之外部伸入微影設備之設置集光鏡之腔室中。根據一些實施例，如第5圖所示，在清潔裝置(例如第3圖中之清潔裝置30)從微影設備10之外部被伸入微影設備10之設置集光鏡123之光源腔室124中之前，係先對光源腔室124進行破真空，並停止雷射光源122及標靶液滴產生器121之運作，接著將標靶液滴產生器121經由光源腔室124之一安裝埠124A從光源腔室124取出。根據一些實施例，使用清潔裝置30清潔集光鏡123的時機可以配合標靶液滴產生器121之標靶原料(例如錫棒)的填補時機。在標靶液滴產生器121從光源腔室124被取出之後，即可將清潔裝置30經由安裝埠124A伸入光源腔室124中。

接著，在操作402中(第4圖)，藉由一影像擷取單元擷取集光鏡之影像資訊，以得到集光鏡上之汙染物之位置。根據一些實施例，如第5圖所示，將清潔裝置30伸入光源腔室124中之後，係先藉由一影像擷取單元306擷取集光鏡123之反射表面123B之影像資訊，以得到沉積於反射表面123B上之汙染物C(例如塊狀的錫殘渣)的位置。根據一些實施例，影像擷取單元306係清潔裝置30之部分元件。根據一些實施例，影像擷取單元306透過有線或無線方式電性連接位於光源腔室124之外之清潔裝置30之一控制單元303(第3圖)，且影像擷取單元306所擷取到的影像資訊可即時顯示在控制單元303之例如一顯示幕上以供操作者觀看。

接著，在操作403中(第4圖)，藉由清潔裝置清除集光鏡上之汙染物。根據一些實施例，如第6圖所示，在操作者透過控制單元303之顯示幕而得到集光鏡123之汙染物C的位置分布，並透過操作(移動)清潔裝置30之支撐桿301而使得清潔裝置30靠近集光鏡123上之一汙染物C之後，操作者可進一步操作控制單元303之一操作介面(例如一鍵盤或一觸控面板，但不以此為限)，並使得控制單元303產生一控制信號以控制清潔裝置30之伸縮桿302相對於支撐桿301之運動(例如轉向)及控制伸縮桿302之伸長(亦即伸縮桿302之伸縮部302B伸出本體部302A)，進而令位於伸縮桿302之端部之黏附元件304接觸上述汙染物C。

根據一些實施例，伸縮桿302之端部之一彈性部分 302C係能夠順應集光鏡123之反射表面123B及汙染物C之形狀而發生形變，如此使得汙染物C可良好地黏附於黏附元件304。當伸縮桿302之伸縮部302B縮入本體部302A時，汙染物C即可被黏附元件304從集光鏡123上清除。

根據一些實施例，清潔裝置30之一壓力感測器305係可感測黏附元件304作用於集光鏡123上之壓力值，並將此壓力值回傳至上述控制單元303。當控制單元303判斷黏附元件304作用於集光鏡123上之壓力值大於一預設閥值時，其可產生一控制信號以控制伸縮桿302停止伸長，如此能夠防止集光鏡123之反射表面123B在清潔過程中發生受損。

最後，在操作404中(第4圖)，將清潔裝置從上述腔室移出。根據一些實施例，如第7圖所示，在清潔裝置30透過黏附元件304將汙染物C從集光鏡123上清除之後，可將清潔裝置30經由光源腔室124之安裝埠124A從光源腔室124取出而完成集光鏡123上之清潔工作。根據一些實施例，為了清除集光鏡123上之多個汙染物C，只需重複上述401~404的操作並在每一操作404中進一步更換新的黏附元件304即可達成。

需要理解的是，在上述實施例中的方法之前、期間和之後可以提供額外的操作，並且對於不同實施例中的方法，可以替換或消除一些描述的操作。

另外，清潔裝置30之結構型態並不以上述實施例為限。舉例來說，如第8圖所示，清潔裝置30亦可採用一多關節式機械手臂作為其支撐桿301’，且控制單元303可進一步控制支撐桿301’之各關節之運動(轉動)。如此一來，清潔裝置30 之操作性能可以提升且更有效率地來清潔集光鏡123。

雖然上述實施例之清潔裝置30係透過一黏附元件304來黏附及清除集光鏡123上之汙染物C，但清潔裝置30亦可以透過其他清潔機制或清潔元件來清除汙染物C。舉例來說，亦可將一吸附元件(例如真空吸盤)作為一清潔元件，配置於伸縮桿302之第二端E2，以吸附及清除集光鏡123上之汙染物C。

綜上所述，本揭露實施例之用於清潔微影設備之集光鏡之裝置及方法，不需將集光鏡從光源腔室取出即可有效、安全地清除沉積於集光鏡上之塊狀的汙染物，因此能夠延長集光鏡之工作壽命，並大幅節省重新架設系統及重開機的時間，以改善微影設備之可利用性及產量。

根據一些實施例，提供一種用於清潔微影設備之集光鏡之裝置，包括一支撐桿、一伸縮桿、一控制單元及一黏附元件。伸縮桿具有相對的第一端及第二端，且第一端活動地連接支撐桿。控制單元配置用以控制伸縮桿相對支撐桿之運動及控制伸縮桿之伸縮。黏附元件設置於伸縮桿之第二端，用以清除集光鏡上之汙染物。

根據一些實施例，伸縮桿之第二端具有一彈性部分。

根據一些實施例，用於清潔微影設備之集光鏡之裝置更包括一壓力感測器，設置於伸縮桿之第二端之彈性部分及黏附元件之間，用以感測黏附元件作用於集光鏡之上之壓力值及回傳壓力值至控制單元。

根據一些實施例，用於清潔微影設備之集光鏡之裝置更包括一影像擷取單元，配置用以朝黏附元件之方位擷取一影像資訊及回傳影像資訊至控制單元。

根據一些實施例，影像擷取單元包括一影像感測器及一光纖。影像感測器設置於伸縮桿之上，用以擷取上述影像資訊。光纖配置通過支撐桿之內部並電性連接控制單元。

根據一些實施例，支撐桿為一多關節式機械手臂，且控制單元配置用以控制支撐桿之各關節之運動。

根據一些實施例，提供一種用於清潔微影設備之集光鏡之裝置，包括一支撐桿、一伸縮桿、一控制單元、一清潔元件及一影像擷取單元。伸縮桿具有相對的第一端及第二端，且第一端活動地連接支撐桿。清潔元件設置於伸縮桿之第二端，用以清除集光鏡上之汙染物。影像擷取單元配置用以朝清潔元件之方位擷取一影像資訊及回傳影像資訊至控制單元。控制單元配置用以基於上述影像資訊控制伸縮桿相對支撐桿之轉向及控制伸縮桿之伸縮。

根據一些實施例，提供一種用於清潔微影設備之集光鏡之方法。上述方法包括將一清潔裝置從微影設備之外部伸入微影設備之設置集光鏡之一腔室中。上述方法還包括藉由清潔裝置清除集光鏡上之汙染物。另外，上述方法包括將清潔裝置從腔室取出。

根據一些實施例，上述在藉由清潔裝置清除集光鏡上之汙染物之步驟之前更包括藉由一影像擷取單元擷取集光鏡之一影像資訊，以得到集光鏡上之汙染物之位置。

根據一些實施例，清潔裝置係透過黏附方式清除集光鏡上之汙染物。

以上雖然詳細描述了實施例及它們的優勢，但應該理解，在不背離所附申請專利範圍限定的本揭露的精神和範圍的情況下，對本揭露可作出各種變化、替代和修改。此外，本申請的範圍不旨在限制於說明書中所述的製程、機器、製造、物質組成、工具、方法和步驟的特定實施例。作為本領域的普通技術人員將容易地從本揭露中理解，根據本揭露，可以利用現有的或今後將被開發的、執行與在本揭露所述的對應實施例基本相同的功能或實現基本相同的結果的製程、機器、製造、物質組成、工具、方法或步驟。因此，所附申請專利範圍旨在將這些製程、機器、製造、物質組成、工具、方法或步驟包括它們的範圍內。此外，每一個申請專利範圍構成一個單獨的實施例，且不同申請專利範圍和實施例的組合都在本揭露的範圍內。