TW201537305A - Ｅｕｖ微影系統以及用以運輸反射光學元件的運輸裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種EUV微影系統(1)，包含：至少一個氣體噴嘴(18)，其具有用於氣流(19)之出射的噴嘴開口，以從該EUV微影系統(1)之表面(8a-14a)去除污染物質，及/或偏轉污染物質，其中該氣流(19)在該EUV微影系統(1)中形成至少一個氣體渦流。本發明亦關於一種用於為EUV微影運輸反射光學元件的運輸裝置，包含：一插接元件，其用於承接該光學元件；一移動裝置，其用於移動該插接元件；以及一流出裝置，其用於產生沿著在該光學元件之兩側上的該表面流動的氣體幕。

Description

EUV微影系統以及用以運輸反射光學元件的運輸裝置
本發明係關於一種EUV微影系統，包含：至少一個氣體噴嘴，其具有用於氣流之出射的噴嘴開口，以從配置於該EUV微影系統中的表面去除污染物質，及/或偏轉在該EUV微影系統中的污染物質。再者，本發明係關於一種用於為EUV微影系統、尤其為如上述的EUV微影系統運輸反射光學元件的運輸裝置。
在本案之意義內，EUV微影系統理解為意指用於EUV微影的光學系統，亦即可在EUV微影領域中使用的光學系統。除了用於生產半導體組件的EUV微影設備之外，該光學系統可為例如檢測系統，其用於檢測在EUV微影設備中所使用以檢測待結構化之半導體基板(以下亦指稱為晶圓)的光罩(以下亦指稱為遮罩(reticle))，或可為計量系統，其用於例如為量測投影系統量測EUV微影設備或其各部件。
用於EUV波長範圍(波長介於約5nm(奈米)與約20nm之間)的反射光學元件(例如反射鏡或光罩)具有光學表面，應受到保護以免沉積污染物質，以避免反射率降低以及避免在晶圓上的成像像差及陰影與曝光誤差。在此，該等污染物質，例如形式為(奈米)粒子，一般較佳為沉積於流動相對緩慢的氣體所流動環繞的表面上。若此種沉積在例如小擾動(壓力 變化、振動)之情況下以累積方式釋出，則這些可能積累於該等表面上並成為污染風險。
在EUV微影系統之殘餘氣體大氣中無法完全避免污染物質之存在。舉例來說，該等污染物質可為源自真空泵或從黏著劑逸出的聚合物。該等污染物質亦可為光阻之殘餘物(residues)，這些殘餘物施加於晶圓且在操作輻射之影響下從光阻逸出，並可在EUV微影系統之該等光學元件上導致碳污染。
為了防止或減少污染物質之沉積，已知應避免促進粒子沉積的表面(如尚未磨圓或僅稍微磨圓的內緣)及具有高粗糙度的表面。此外，應盡最大可能程度避免促進粒子沉積與靜電荷的材料。然而，由於設計原因，不能如此無限制實行。此外，將污染物質容易附著於其上的某些材料更換為其他材料可導致重量增加或非所需的材料性質(如剛性較低)。
WO 2008/034582 A2申請人已揭示一種在具有限制部件體積(微小環境(mini-environment))的殼體部件中有污染風險的EUV微影系統之局部殼體組件實作，該殼體部件由沖洗氣體沖洗以阻礙污染物質從該殼體部件環境進入。該微小環境內所釋出粒子預期會被該沖洗氣流帶走並運輸至該環境。
DE 10 2012 213 927 A1描述一種具有用於產生氣體幕以偏轉污染物質之裝置的EUV微影系統。尤其，該氣體幕可在介於該EUV微影系統之兩個真空腔室之間的開口處形成，以防止污染物質從一個真空腔室跨越進入另一真空腔室。在該開口之區域中可提供管狀殼體。為了產生該氣體幕，氣體噴嘴可對該管狀殼體開通。
WO 2010/115526 A1描述用於防止污染氣態物質通過在EUV微影設備之殼體中的開口的一種方法與一種裝置。該等污染氣態物質在該EUV輻射之影響下以脈衝方式產生。為了偏轉該等污染物質，以在該開口之區域中該等氣體脈衝與該等污染物質之該等脈衝在時間上重疊的方 式產生脈衝氣流。
除了偏轉污染物質之外，如同在例如WO 2009/059614 A1中由申請人加以描述，同樣已知借助於氣體噴嘴或複數氣體噴嘴從光學表面去除污染物質。為此目的，該氣體噴嘴對準待清潔的表面，且該待清潔的表面被帶至與清潔氣體的氣流接觸，例如形式為活化氫或氫基。為了最佳化該清潔程序，該氣流可能以脈衝方式產生，例如脈衝供給該清潔氣體。舉例來說，如此可能避免待清潔表面上的最高溫度超出。
該污染亦也可能在藉由為此目的所提供之運輸裝置在該EUV微影系統中運輸或處理光學元件期間發生，因為該等光學元件在製程中一般會移動穿越該EUV微影系統之該等對應污染腔室，故因此污染風險特別高。污染風險會在光學元件之未受保護的運輸期間增加，尤其在EUV微影系統之受保護的真空環境的外部，亦即例如在大氣壓力下。
EP 0 174 877 A2已揭示一種使用x射線輻射源用於x射線輻射的裝置，其配置於真空腔室中並產生發出軟x射線輻射的電漿，且亦釋出污染粒子。在目標與遮罩之間配置軟x射線輻射可穿透(transparent)的氣體之薄氣體幕，以保持粒子遠離該圖罩。藉由配置該遮罩於該氣體幕附近，但足夠遠離該後者以防止互動，該氣體幕可用於冷卻該遮罩。為了冷卻該遮罩之目的，亦可使用兩個氣體幕，且該遮罩配置於其間。
本發明之目的之一為提供一種EUV微影系統及一種運輸裝置，較佳地其能比在先前技術中的情況更有效從表面去除污染物質，及/或更有效保護免於污染物質。
根據本發明一個態樣，其目的在於藉由在本文一開始所闡述的該類型之EUV微影系統達成，其中該氣流在該EUV微影系統中形成至少一個氣體渦流(vortex)，亦即旋轉氣流。
從該噴嘴開口出射的該氣流可自行形成該渦流，亦即來自其本身的體積流量。然而，若該渦流之產生不僅藉由該氣流本身之體積流量，此外至少部分亦藉由與又一氣體(如周圍氣體)之體積流量交互作用，則該氣流在本發明之意義範圍內亦會形成渦流。該氣流之體積流量及該又一氣體之體積流量可在該程序中共同混合或流動。
由於該氣體渦流增加清潔效益(即每單位沖洗氣體量的清潔效果或每單位沖洗氣體流率的清潔效果)及冷卻效果(即每單位沖洗氣體量的冷卻效果)，因此形成該至少一個氣體渦流的該氣流可促進去除已沉積於該EUV微影系統之光學表面上的污染物質。整體而言，如此得以更有效防止粒子沉積，並更有效且更簡單使粒子從表面脫離。
該氣體渦流不僅可在該EUV微影系統之正常操作期間產生，亦可在正常操作之外產生，例如在正常操作之外所發生的沖洗程序之情況下，以更容易藉由其上的標定流動或藉由流動引導或流動操控使粒子從特定表面脫離。再者，形成該氣體渦流的該氣流可具優勢地促進污染物質之偏轉，例如在氣體幕中。以此方式所產生的氣體渦流可能以針對性的方式(targeted manner)用於增加形成該氣體幕的氣流之範圍。
在該EUV微影系統之一個具體實施例中，該氣體噴嘴體現為在穩流條件下在該氣體噴嘴內產生該氣體渦流。在本案之意義範圍內，穩流條件係理解為意指不隨時間改變的流動條件，亦即例如在該氣體噴嘴內的流動之時間恆定的壓力、溫度及速度條件。尤其，穩流條件係理解為意指無導致產生脈衝氣流的氣體之脈衝供給進入該氣體噴嘴。
在前述具體實施例之變化態樣中，該氣體噴嘴包含一流動橫截面(flow cross section)，其相對於該噴嘴縱軸非對稱地延伸。此種非對稱延伸的流動橫截面在該氣體噴嘴內促進速度或壓力梯度之產生，故因此發生具有不同規模的氣體流動；如此促進氣體渦流之形成並有助於(局部)改善清潔效益。對於該流動橫截面之非對稱形成，該氣體噴嘴，尤其該氣體噴嘴 之延伸漏斗，可具有非對稱形式，亦即該延伸漏斗不會相對於該噴嘴縱軸以旋轉對稱方式延伸。
在另一實施例中，用於產生該氣體渦流的氣體噴嘴包含流動引導元件，其尤其以螺紋狀方式延伸。該等流動引導元件已使流經該氣體噴嘴的氣流在該氣體噴嘴內(及在聯接該出口的區域中)旋轉。該旋轉的氣體渦流係造成該氣流之範圍(例如在氣體幕中使用該氣流時)可延伸，或該氣流可能以更好的方式分佈。可以此方式保護在該EUV微影系統中較大的光學表面免於粒子污染。以螺紋狀方式延伸的該等流動引導元件可具有螺旋形具體實施例，並配置於該氣體噴嘴之延伸漏斗中。環繞該氣體噴嘴之縱軸旋轉的氣體渦流係由該等流動引導元件產生。該等流動引導元件較佳為以固定或剛性方式附接於該氣體噴嘴。然而，為了能以針對性的方式影響渦流形成之程度，亦可能以可動方式體現該等流動引導元件。
在進一步變化態樣中，該氣體噴嘴包含至少一個入口(inlet)，其橫向開口進入該氣體噴嘴。氣體渦流之產生同樣藉由進入該氣體噴嘴的一個或多個橫向入口的協助，尤其若一個或多個入口相對於該噴嘴縱軸非對稱地配置，或者若相對於該噴嘴縱軸具有旋轉對稱所配置的複數入口在彼此偏離的流動條件下操作。舉例來說，進入該氣體噴嘴的第一入口可在第一壓力、溫度及/或速度條件下操作，而不同的第二入口可在從其偏離的第二壓力、溫度及/或速度條件下操作，使得在該氣體噴嘴之內部由穿越該等入口進入的該等個別流之組合所產生的該氣流在該氣體噴嘴中產生該氣體渦流。尤其，該等入口對該氣體噴嘴之延伸漏斗開通。該等兩個或多個入口可彼此間隔至不同程度，尤其在該圓周方向上，並在沿著該噴嘴縱軸的不同位置對該氣體噴嘴之延伸漏斗開通。
在該EUV微影系統之進一步具體實施例中，該氣體噴嘴體現為用於產生脈衝渦流型氣流。脈衝渦流型氣流可藉由例如在氣體供給中週期性打開及關閉的閥門產生。在此，該噴嘴之形狀可如上述。
在一實施例中，使用第拉瓦(de Laval)噴嘴以加速該氣體至超音速。在該第拉瓦噴嘴中，該氣體之壓力與溫度對速度成反比。在此，該氣體流動增加直到在該噴嘴之輸入側(Pin)與輸出側(Pout)上的壓力比超過特定值。此值(Pin/Pout)對氫為1.899且對氦為2.049。因此，藉由增加該氣體流動，可能產生具有漸增強度的高速氣體衝擊。接著，該氣體供給再次阻流(choked)。
原則上，該等上述氣體噴嘴可用穩定氣體供給操作。然而，亦可能以非定態方式操作該氣體噴嘴，亦即至該氣體噴嘴的該氣體供給可為脈衝式，因此所造成之結果可能產生個別渦流脈衝，進一步增加該渦流形成之效率。
在進一步具體實施例中，該氣體噴嘴體現為用於活化包含於該氣流中的清潔氣體，尤其用於活化氫。由於形成於該氣體噴嘴中的渦流在用於活化該清潔氣體的氣體噴嘴中比在慣用氣體噴嘴之情況下停留更久，因此有更多時間可用於活化包含於該氣流中的氣體，使得根據本具體實施例的該活化具優勢地增強。帶有渦流的氣流或氣體束亦增加該停留時間，並因此提高在該氣體噴嘴所活化並包含於該氣流中的該清潔氣體(如活化氫)待清潔的該表面上的清潔效果。
體現為活化包含於該氣流中的清潔氣體的氣體噴嘴(亦稱為「氫基產生器」)已在例如WO 2009/059614 A1中由申請人揭示。舉例來說，氫可憑藉輸送通過電熱絲的分子氫束活化，所造成之結果為該分子氫H2部分分裂成自由基H*，亦即激態個別原子。此種活化氫氣體束尤其適用於從光學表面去除碳基污染物。清潔視各別光學表面上由氣態烴污染物所造成的碳層已如何強勁地長成而定，以不規則的間隔(如數天至數月)在該EUV微影系統之操作之外進行。
體現為用於活化清潔氣體並形成至少一個氣體渦流的氣體噴嘴，亦可在該EUV微影系統之(正常)操作期間用於將沖洗氣體之氣體束引 導至尤其相對較大的光學表面上，以保護光學表面免於污染物質。
在現有技術中用於活化清潔氣體的氣體噴嘴中，一般所產生的該氣體束大體上垂直入射於待清潔之該光學表面上。大體上垂直於該表面延伸的該直線形氣體束造成氣體噴嘴中的該氣體出射不適合(或僅適用於限制範圍)用於在正常操作期間保護該光學表面免於污染物質或粒子。因為以直線延伸的氣體束所承載的粒子在該光學表面之方向上加速。相較之下，由於離心力，繞著尤其噴嘴縱軸旋轉的氣體束可能更適用於保持污染物質遠離該光學表面。用於活化該清潔氣體例如形式為細絲(filament)的裝置，在該EUV微影系統之正常操作期間關閉。
在進一步具體實施例中，用於去除該等污染物質的該氣體噴嘴配置於該光學表面旁邊，以產生帶有沿著該光學表面輸送的氣體渦流的沿著該光學表面延伸的氣流。沿著該光學表面輸送該等氣體渦流以尤其有效的方式防止粒子沉積，或使得已沉積於該表面上的污染物質尤其有效脫離。在該表面上移動的該等氣體渦流亦可影響該光學表面之局部尤其強烈加熱區域之有效熱傳輸或有效冷卻。此種區域尤其形成在該EUV輻射以高度集中(例如以大致點狀)方式入射於該光學表面上的位置。
為了實現沿著該光學表面輸送該等氣體渦流，該氣體噴嘴，尤其該氣體噴嘴之縱軸，較佳為相對於該光學表面之表面法線以介於45°與90°之間的角度對準。
進一步具體實施例包含至少一個流動引導元件，其促進渦流並配置於該氣體噴嘴外部，尤其較佳為該氣流流動於其上的錐形邊緣(tapered edge)。此種渦流促進的流動引導元件可具優勢地形成氣體渦流，其例如可用於偏轉污染物質。該氣體渦流尤其可直接緊靠著氣體幕形成以帶走並偏轉污染粒子，使得該後者無法向前進入其可能造成損壞的該EUV微影系統之區域。藉由以針對性的方式將該錐形邊緣設置位於該氣流流動穿越的該體積區域中，即可能在適當位置形成氣體渦流，例如在開口之區域 中，以防止污染粒子進入該開口。
該EUV微影系統之具體實施例還特別可包含一管狀殼體，其橫跨該氣流延伸，該噴嘴開口對該殼體開通，且用於收集該氣流的收集開口在待由該氣流橋接的距離相對於該噴嘴開口配置於該殼體上，其中該氣流流動於其上用作為流動引導元件的邊緣而形成於該收集開口與收集開口側殼體壁之間，以在該殼體中形成氣體渦流。污染物質或粒子可具優勢地由形成於該殼體中的該等一個或多個氣體渦流偏轉。尤其，該等一個或多個氣體渦流可尤其有效地防止污染物質跨越過該氣體幕。
在例如該氣體幕上方及/或下方產生的該氣體渦流係藉由切線方向(tangential)衝量轉移(impulse transfer)所形成，其來自形成該氣體幕的該氣體，或從上方與下方經由該管狀殼體所進入之該周圍氣體的該氣流；該周圍氣體含有該等污染物質。
該邊緣較佳為具有尖銳設計(具有銳角，即小於90°之角度α，尤其小於45°)，以促進渦流形成。然而，原則上，亦可能藉由流至具有相對較小磨圓邊緣形式(小圓角半徑)的邊緣上的流動產生氣體渦流。氣體渦流之形成亦可藉由在該噴嘴開口與該噴嘴開口側殼體壁之間提供錐形邊緣促進。
藉由在該噴嘴開口附近該氣體幕旁邊產生正壓區域而在該收集開口附近該氣體幕旁邊產生負壓區域，可促進該渦流的形成。如此尤其可確保該氣體渦流將污染粒子帶離該氣體幕及/或帶入該收集開口。
在該噴嘴開口附近的負壓區域與在該收集開口附近的正壓區域可由若壓力條件以合適方式選定則體現為用於產生次音速氣流的氣體噴嘴產生；參見例如在一開始所引述的DE 10 2012 213 927 A1之圖3a與圖3b。尤其，該氣體即使在超音速範圍內流動速度非常高之情況下，仍可在從收縮延伸的該氣體噴嘴之一部分內過度膨脹，使得前述氣體之靜壓變得小於在該環境中的氣體。此負壓可保持局部限制於該噴嘴開口之區域或該 氣體噴嘴之出口。正壓區域可在該收集開口之區域中形成，該正壓區域隨著該收集開口變小且限定該開口的該等邊緣之設計變尖銳或較不磨圓更加有利於渦流的形成。
在前述具體實施例之一個變化樣態中，在該收集開口的氣流之流動橫截面小於該收集開口之進入橫截面。特別是若該氣體噴嘴產生過度膨脹的氣流，亦即氣流從該氣體噴嘴出射時具有比該靜態周圍壓力更低的壓力。在如此情況下，該氣流遇到周圍氣體時會被壓縮，故因此該氣體幕僅擴大一點並由該相對收集開口完全承接。選擇性地，該氣流在此情況下可拖曳(drag)更多周圍氣體進入該收集開口，並發展出泵送(pumping)效果。以此方式，含有該等污染物質的該周圍氣體至少部分可被吸入，其中該吸入(sucking)效果仍可能由該氣體渦流提升。
尤其在產生過度膨脹的氣體束時，影響變量諸如該收集開口之尺寸、該噴嘴開口之尺寸、待橋接的距離及該流動所接近邊緣之形狀，若理想地彼此匹配，可使該氣體幕或氣流完全(即達100%)由該收集開口吸入且選擇性地周圍氣體亦一同被拖著移動。在該氣體噴嘴(該氣流從該氣體噴嘴出射之速度加快處)的該靜態周圍壓力與該出射壓力連同該等前述影響變量若彼此匹配，亦可促進用於偏轉該等污染物質的一個或多個氣體渦流之形成。
在一個變化樣態中，該EUV微影系統體現為吸入在該相對收集開口的該噴嘴開口出射的該氣流之介於50%與150%間之一部分。本發明體認到在此種吸入部分或此種通過機率之情況下有利於氣體渦流的形成。在吸入部分介於約100%與150%之間之情況下，該整個氣流與該周圍氣體之一部分透過該收集開口吸入，這可藉由前述該氣流之過度膨脹達成。在氣流膨脹不足之情況下(這一般在短氣體噴嘴及/或次音速之情況下產生)，從該氣體噴嘴出射的該氣體不會被壓縮但會強力發散，且一般未完全到達位置相對於該噴嘴開口的該收集開口。然而，若散逸進入該環境的氣體部 分(即錯過該收集開口的氣體部分)不太多並提供渦流促進邊緣，則此種氣流同樣促進該渦流形成。已超過100%由該收集開口承接或吸入的氣體幕與僅低於100%之一部分到達該收集開口的氣體幕，使得該渦流形成更加困難或可能完全妨礙該渦流形成。該氣流之吸入部分，亦即該氣流由該收集開口收集的部分，主要視待橋接距離、氣體種類、流速及流率而定。關於此方面的細節，請參照在一開始所引述的DE 10 2012 213 927 A1。
在另一個變化樣態中，在該EUV微影系統之真空環境中的靜態周圍壓力介於0.1Pa(帕)與100Pa之間。一般來說，氣體渦流僅能在該黏滯流與壓力範圍內形成。往下，此壓力範圍係由分子流動限制，且往上，此壓力範圍可能延伸遠超出在EUV微影系統中一般所使用的壓力範圍。至該分子流動範圍的邊界係由克努森數(Knudsen number)描述；其定義為該等氣體分子之平均自由徑長度與特性長度(諸如該可用空間之直徑或該渦流之直徑)的比率。渦流形成一般僅在克努森數小於一之情況下可能，亦即若該渦流直徑大於該等分子之平均自由徑長度。除了溫度與使用的氣體種類外，克努森數僅視壓力而定。在氫之情況下，在約1Pa壓力下室溫的平均自由徑長度約12mm(毫米)，因此在小通道或殼體之情況下不應有下降到低於此壓力。在可供渦流形成的相對較大光學表面或空間區域之情況下，例如0.1Pa之較小壓力亦足以供渦流形成。
為了取得具優勢之壓力區域，可例如在該EUV微影系統之第一及/或第二真空腔室中提供真空環境。此真空環境亦可為介於其間將發生污染粒子之偏轉的腔室。
該EUV微影系統之態樣包含至少一第一真空腔室與一第二真空腔室，介於其間形成用於EUV輻射通過的開口，在該開口形成用於偏轉污染物質的氣體噴嘴。該開口之尺寸(尤其寬度)一般係以可由該氣流或該氣體幕橋接的方式選定。一般來說，預期由該氣流保護免於污染物質的至少一個光學元件係配置於該等兩個真空腔室中至少一者中。由於該EUV輻 射必須通過該氣流，因此該氣流或該氣體幕因其短範圍故無法在該光束路徑中的任何隨意位置實現，亦即該氣流一般應在該EUV輻射具有小光束橫截面的位置使用。在該EUV輻射之中間焦點之區域中的情況尤其如此。該氣體噴嘴尤其可配置於用於配置圖罩或晶圓之真空腔室的開口。
本發明之第二態樣係由一種用於為EUV微影、尤其為如上述的EUV微影系統運輸反射光學元件(較佳為圖罩)的運輸裝置達成，包含：一插接元件，其用於承接該光學元件；一移動裝置，其用於移動該插接元件；以及一流出裝置，其用於產生沿著在該光學元件之兩側上的該表面流動的氣體幕。該反射光學元件尤其可為板狀光學元件，例如光罩，其用於形式為檢測系統的EUV微影系統，例如於其中可能使用反射光罩的「光化圖罩檢測工具(Actinic mask inspection tool，AIMS)」。除了反射光學元件，選擇性地透射式光學元件亦可藉由該運輸裝置運輸。
在此種圖罩之前側與後側兩者上沉積污染物質被視為不好的。沉積於該圖罩之前側上的污染物質可能在該晶圓上導致不要的結構，並藉由妨礙該干擾導致有缺陷的半導體元件，而沉積於該圖罩之後側上的污染物質可能在彼此層疊配置的複數半導體結構之疊置層中導致誤差。
借助於該運輸裝置，朝向該反射光學元件之前側及/或後側移動並即將沉積於該光學元件上的污染物質，可由該氣體幕帶走並偏轉遠離可能受到影響之該等表面。以此方式，污染物質或粒子之沉積於該反射光學元件之前側與後側表面上之風險及該等對應的負面結果之風險係消除或至少減低。
該氣體幕不僅可能在該光學元件之運輸(如從曝光位置至存放或裝備位置)期間產生，亦可能在該反射光學元件之靜止狀態下產生，亦即例如當該光學元件配置於該曝光位置或該存放或裝備位置上時。該運輸裝置之進一步優勢在於，該等兩個氣體幕沿著在該前側與後側表面上的該表面流動的同時不會擴大或大體上不會擴大的事實，這所造成之結果為在 該等表面之區域中的該氣體溫度不會局部下降，故因此在該光學元件之該等表面或在該光學元件中無溫度梯度的發生(set-in)。因此，整體而言，該運輸裝置有利於改善的污染預防及更有效且更可靠的操作。
該流出裝置之流率或體積流量尤其可能以帶走並偏轉具有特定大小(在對應的應用情況下一般所預期者)之污染物質的方式設定。為此目的，該流出裝置可能以1至500mbar l/s(毫巴升/秒)之流率或體積流量操作。該反射光學元件為了承接該光學元件係例如藉由一個或多個接點元件間接或直接安裝於該插接元件上。該插接元件一般係連接至該移動裝置。
舉例來說，該移動裝置可能體現為機器人臂，其可能關於一個或多個旋轉及/或平移軸移動該插接元件(及因此該光學元件)。該運輸裝置之至少部分，亦即至少具有該流出裝置的該插接元件，可配置於具有例如0.1至100Pa之靜態周圍壓力的真空環境(如EUV微影系統之真空腔室)中。應可理解該運輸裝置原則上亦可操作用於在正常條件下運輸光學元件，亦即在約0.9bar至1.1bar之靜態大氣壓力下。
在該運輸裝置之一個樣態中，該流出裝置包含至少一個噴嘴，其用於產生該等氣體幕。藉由該等一個或多個噴嘴，可產生並適當形成沿著在該光學元件之兩側上的該表面流動的該等氣體幕。形成該等氣體幕之流動並因此影響該等氣體幕之偏轉或發散效果，可能例如受到該等噴嘴之形狀(一般係其流動橫截面)及/或噴嘴之數量影響。原則上，可提供用於產生該等氣體幕的單一噴嘴或複數例如兩個噴嘴。尤其，該等噴嘴可能具有狹縫狀出射開口，其長邊可例如延伸越過該光學元件之整個寬度。
在一實施例中，該噴嘴在各情況下皆包含一出射開口，其用於在該光學元件之兩側上產生該等兩個氣體幕之一。該等出射開口一般係直接配置於該光學元件之側邊緣旁邊。該噴嘴之該等個別出射開口較佳為在橫跨該氣體出射方向延伸的方向上具有恆定出射橫截面。以此方式，可 達成環繞該光學元件之前側與後側的均勻且平面的流動。較佳地，該前側出射開口之出射橫截面與該後側出射開口之出射橫截面具有相同的尺寸。舉例來說，該等出射開口可能體現為具有恆定狹縫寬度的細長狹縫開口，其橫跨該噴嘴之氣體出射方向沿著該光學元件延伸。
在一實施例中，該噴嘴包含一分流中央部件與兩個外引導部件。該氣體噴嘴之該分流中央部件使其可能將個別氣流分成至少兩個分開的氣流，以產生該等兩個氣體幕。為此目的，由該中央部件分開的該等兩個氣流展開進入配置於該光學元件之兩側上的該等出射開口。為了將該氣體幕氣體引入該噴嘴，可能提供用於供給該氣體幕氣體的(單一)噴嘴入口。該等外引導部件可能相對於該分流中央部件以鏡像對稱配置。
在一實施例中，噴嘴在各情況下皆配置於用於產生該等兩個氣體幕的該光學元件之兩側上。在此實施例中，必須與用於產生該等氣體幕的氣體一起供給的噴嘴入口係在各噴嘴上提供。
在進一步具體實施例中，該等氣體幕從該流出裝置大體上沿切線方向或平行於該光學元件之該等彼此相對、一般係平面的表面出射。以此方式，該等氣體幕在垂直於該光學元件之該等表面的方向上並無受到偏轉，或幾乎沒有受到偏轉。具優勢地，如此所造成之結果為該等氣體幕以尤其穩定的表現沿著該光學元件之表面流動。
在進一步具體實施例中，該插接元件體現為框架狀支撐件。在此，該框架狀支撐件一般在其尺寸方面匹配於該反射光學元件之尺寸，亦即其係以大體上相同的尺寸體現為該後者或體現為稍微較大，其中該支撐件之該框架形狀大體上對應於該光學元件之形式或外部幾何形狀。舉例來說，若該光學元件或該圖罩同樣具有矩形形式，則該支撐件可能具有矩形設計。該框架狀支撐件不必具有封閉形式，但可能例如具有在一側上為開放的設計，例如U形設計。該反射光學元件係間接或直接安裝於該框架狀支撐件上。
該運輸裝置之進一步具體實施例包含一收集裝置，其用於收集由該流出裝置產生的該等氣體幕。該收集裝置體現為收集並吸入在該噴嘴所出射的該等氣體幕。如此首先可能防止形成該等氣體幕的該氣體之主要部分逸出進入該環境，且其次具優勢地防止沿著該光學元件之前側與後側之表面流動的該氣體幕氣體之膨脹。
在前述具體實施例之變化中，該流出裝置與該收集裝置係配置於該光學元件之相對橫向邊緣上。結果，在該光學元件之兩側上的該等氣體幕沿著最短路徑流動，從該光學元件之流出裝置側邊界沿著該光學元件之表面至位置直接與其相對的該光學元件之收集裝置側邊緣。以此方式，可能使失去氣體幕氣體至該環境之風險降低最低。該流出裝置與該收集裝置係配置於該運輸裝置之插接元件上。應可理解可能視需要免除提供收集裝置，使得該氣體幕氣體可能逸出進入該環境中。
在進一步具體實施例中，為了承接該光學元件或承接圍繞該光學元件的框架之目的，在該插接元件與該光學元件之間或在該插接元件與該框架之間提供接點(contact)元件。可能以牢固或視需要可拆卸方式直接安裝於該等接點元件或連接至該光學元件的框架上的該光學元件，可透過該等接點元件安裝於該插接元件上。較佳為，可提供用於安裝該光學元件的至少三個接點元件。舉例來說，該等接點元件可能體現為由減震及/或耐磨材料製成的銷釘，使得那裡無法生成粒子。
本發明之進一步特徵與優勢係基於在顯示出本發明必要細節的所附圖式中之該等圖示及來自諸申請專利範圍，從本發明之示例性具體實施例之以下描述顯露。該等個別特徵可能單獨個別實行，或其中若干可能在本發明之變化例中以任何組合實行。
1‧‧‧EUV微影系統
2‧‧‧光束產生系統
3‧‧‧照明系統
4‧‧‧投影系統
5‧‧‧光源
6‧‧‧EUV輻射
7‧‧‧準直儀
8‧‧‧光學元件
9、10‧‧‧光學元件
11‧‧‧光罩
12‧‧‧晶圓
13、14‧‧‧光學元件
8a、9a、10a、11a、13a、14a‧‧‧光學表面
15‧‧‧真空腔室
16a-d‧‧‧開口
17‧‧‧真空腔室
18、20‧‧‧氣體噴嘴
19‧‧‧氣流
21‧‧‧氣體幕
22‧‧‧供給裝置
23‧‧‧方向
24‧‧‧延伸漏斗
25、52‧‧‧噴嘴開口
26‧‧‧管狀殼體
27‧‧‧距離
28‧‧‧收集開口
29‧‧‧上端
30‧‧‧低端
31‧‧‧縱向
32‧‧‧主要流動方向
33‧‧‧噴嘴入口
34‧‧‧周圍氣體
35‧‧‧殼體壁
36‧‧‧邊緣
37‧‧‧氣體渦流
38‧‧‧殼體壁
39‧‧‧下部邊緣
40‧‧‧噴嘴開口側過渡區域
41‧‧‧邊緣
42‧‧‧縱軸
43‧‧‧流動橫截面
44‧‧‧進入橫截面
45a-45d、46a-46c、49a-49c‧‧‧流動線條
47‧‧‧噴嘴出射側區域
48‧‧‧過渡區域
50a、50b、51a、51b‧‧‧粒子軌跡
53‧‧‧引導元件
54‧‧‧氣體渦流
55‧‧‧表面法線
56‧‧‧入口
57‧‧‧流動方向
58‧‧‧中央氣體入口
60‧‧‧運輸裝置
61‧‧‧光學元件
63‧‧‧支撐件
64‧‧‧接點元件
65a‧‧‧邊界
65b‧‧‧邊界
66‧‧‧移動裝置
67‧‧‧流出裝置
68a、68b‧‧‧氣體幕
69a‧‧‧表面
69b‧‧‧表面
70‧‧‧噴嘴
71a、71b‧‧‧出射開口
72‧‧‧分流中央部件
73‧‧‧外引導部件
74‧‧‧氣體供應裝置
76‧‧‧噴嘴70之整個長度
77‧‧‧收集裝置
78a、78b‧‧‧進入開口
79‧‧‧整個長度
80‧‧‧光軸
81‧‧‧圓錐形延伸開口
82‧‧‧支撐表面
α‧‧‧角度
λB‧‧‧操作波長
p2、pC、p3‧‧‧靜壓
ZF‧‧‧中間焦點
示例性具體實施例在示意性圖式中描繪出，並在以下描述中 說明。詳細來說：圖1顯示一種具有用於偏轉污染物質的四個氣體噴嘴與用於清潔光學表面的一氣體噴嘴的EUV微影系統之例示圖；圖2顯示根據圖1用於偏轉污染物質的氣體噴嘴之例示圖，包含一噴嘴開口，其用於氣流之出射，其與殼體開通並包含一收集開口，其用於收集該氣流；圖3顯示又一氣體噴嘴之例示圖，包含一殼體，其以偏離圖2的方式體現；圖4顯示與殼體開通的又一氣體噴嘴之例示圖，具有該氣流之流動線條及於其上所描繪出的周圍氣體；圖5顯示類似於圖4的例示圖，具有污染粒子之軌跡，圖6顯示根據圖1的氣體噴嘴用於氣流之出射以從光學表面去除污染物質之例示圖；圖7顯示用於藉由產生沿著該光學表面移動之氣體渦流去除污染物質的又一氣體噴嘴之例示圖；圖8顯示穿越用於為EUV微影運輸反射光學元件之運輸裝置的橫截面之例示圖；圖9顯示來自圖8的該運輸裝置之俯視圖；圖10顯示來自圖8與圖9的該運輸裝置之前視圖；圖11顯示穿越用於運輸反射光學元件的運輸裝置之進一步具體實施例的橫截面之例示圖；以及圖12顯示根據圖11的該運輸裝置之俯視圖。
在所附圖式之以下描述中，相同的參考編號用於相同或功能上相同的元件。
圖1示意性顯示一種形式為EUV投影曝光設備的EUV微影系統1，其包含一光束產生系統2、一照明系統3及一投影系統4，其收藏於分開的真空殼體中，並連續配置於從在光束產生系統2中的EUV光源5發出的光束路徑6中。為了簡化之目的，用於三個系統2、3、4的參考編號以下亦用於該等各別真空殼體或形成於其中的該等真空環境。
舉例來說，電漿源、自由電子雷射或同步加速器可能用作EUV光源5。從光源5出射的波長範圍介於約5nm與約30nm之間的輻射最初聚焦於準直儀(collimator)7中。借助於後續的單色光鏡8，在本範例中約13.5nm的所需操作波長λB藉由變化入射角濾出，如由雙箭頭所指示。準直儀7與單色光鏡8體現為反射光學元件。
在光束產生系統2中鑑於波長與空間分布所處理的輻射引入照明系統3，其包含一第一與第二反射光學元件9、10。這兩個反射光學元件9、10引導該輻射至光罩11(倍縮光罩)作為又一反射光學元件，其包含一結構，其藉由投影系統4以減縮尺度成像於晶圓12上。為此目的，在投影系統4中提供第三與第四反射光學元件13、14。應可理解在個別系統2、3、4中的光學元件之數量與其配置兩者僅即將以示例性方式理解，且在實際系統中，該等光學元件之數量與配置兩者可不同於圖1所示的EUV微影系統1。
反射光學元件8、9、10、11、13、14各皆具有光學表面8a、9a、10a、11a、13a、14a，其暴露於光源5之EUV輻射6並具備反射EUV輻射6的塗層。光學元件8、9、10、11、13、14在殘餘氣體大氣中的真空條件下操作，其具有幾個帕斯卡(Pascal)之(靜態)環境壓力，在本範例中p2=10Pa。再者，為了簡化之目的，已假設靜壓p2在所有三個系統2、3、4與又一真空腔室15中皆為相同，其中配置了圖罩11。一般來說，在EUV微影系統1之真空環境(亦即個別真空殼體2、3、4、15)中的靜態環境壓力p2、pC介於0.1Pa與100Pa之間。在本範例中，在圖1中標示為p3並可為例如 約5Pa之偏離其他真空腔室2、3、4、15的較小周圍壓力，在晶圓12配置於其中的真空腔室17中為主要。在光束產生系統2中，在圖1中標示為pC的周圍壓力一般為相同數量級，但亦可大幅更大並可能高達100Pa。
由於EUV微影系統1之內部無法進行烘烤，因此無法完全避免在個別真空殼體2、3、4、15中的低壓環境下存在殘餘氣體成分。為了防止殘餘氣體成分或其他污染物質沉積於光學元件8、9、10、11、13、14之光學表面8a、9a、10a、11a、13a、14a上，並因此所造成之結果對前述光學表面相對於該EUV輻射之反射率具有不利影響，EUV微影系統1各別包含一氣體噴嘴20，其用於產生氣流21或氣體幕21，其在用於通過EUV輻射6的開口16a-d橫跨EUV光束路徑6延伸，該等開口係形成於個別第一真空腔室2、3、4、15、17與個別鄰接的第二真空腔室2、3、4、15、17之間，亦即介於光束產生系統2與照明系統3之間；介於照明系統3與具有圖罩11的腔室15之間；介於圖罩11配置於其中的腔室15與投影系統4之間；以及介於投影系統4與晶圓12配置於其中的腔室17之間。在此，介於光束產生系統2與照明系統3之間的開口16a位於中間焦點ZF之區域中，其中EUV輻射6僅具有相對較小直徑。EUV光束路徑6之相對較小直徑亦存在於其他開口16b、16c、16d。
個別形成於開口16a-16d的氣體噴嘴20在圖1中未顯示，而以下關於圖2至圖5詳細加以描述。氣流21用於偏轉污染物質(如殘餘氣體成分)並在各情況下皆在EUV微影系統1中形成至少一個氣體渦流，如以下更詳細加以描述。可能由氣流21或氣流21所形成渦流以尤其有效的方式防止污染物質在真空殼體2、3、4、15、17之間交換。
為了去除已沉積於光學元件8、9、10、11、13、14之光學表面8a、9a、10a、11a、13a、14a上的污染物質，EUV微影系統1包含更多氣體噴嘴，其中配置於照明系統3之第二光學元件10之光學表面10a前面的一個氣體噴嘴18在圖1中以示例性方式顯示。應可理解一般此種氣體 噴嘴18亦配置於各又一光學元件8、9、11、13、14或各又一光學表面8a、9a、11a、13a、14a。為了去除附著於光學表面10a的該等污染物質，氣體噴嘴18同樣產生形成至少一個氣體渦流的氣流19，如以下搭配圖6與圖7更詳細加以描述。
在所示範例中，氣體噴嘴18體現為用於活化(activating)氫。為了活化氫，氣體噴嘴18具有活化裝置(未更詳細顯示)，其用於例如藉由電場或高溫(例如可能藉由細絲產生)將分子氫H2轉換成活性氫H*。活化氫H*能以尤其有效的方式從光學表面10a去除該等污染物質。
分子氫H2可藉由供給裝置22供給至以氣密方式伸入真空殼體3的氣體噴嘴18。連同氣體噴嘴18，供給裝置22可橫跨光學表面10a在方向23上位移，以在操作期間開放EUV微影系統1之光束路徑6，並在清潔期間相對於光學表面10a位移氣體噴嘴18以確保完全清潔光學表面10a。應可理解在圖1中由虛線描繪出的氫供給裝置22之末端連接至用於存放或生成氫的貯槽(未描繪出)。
可能以氣體噴嘴18不會伸入EUV微影系統1之光束路徑6的方式定位氣體噴嘴18，但仍然將氣流19引導至光學表面10a上。在適用之情況下，氣體噴嘴18亦可能在EUV微影系統1中牢固安裝於合適位置。除了在操作暫停期間清潔光學表面10a外，氣體噴嘴18亦可能在EUV微影系統1之操作期間使用，以精確保護光學表面10a免於污染物質。在如此情況下，關閉存在於氣體噴嘴18中的活化裝置，並經由供給裝置22將沖洗氣體(如氮氣N2或其他惰性氣體)供給至氣體噴嘴18，該沖洗氣體以氣流19之形式入射於光學表面10a上。由於氣流19具有或形成氣體渦流的事實所造成之結果，污染物質被離心力向外加速並保持遠離光學表面10a。
以下基於圖2更詳細說明氣體噴嘴20之示意性設計，其用於產生形式為在開口16a-d之一區域中所產生氣體幕的氣流21。氣體噴嘴20具有配置於延伸漏斗24末端的噴嘴開口25，透過該噴嘴開口，可能出 射用於偏轉污染物質的氣流21。EUV微影系統1包含一管狀殼體26，其橫跨氣流21延伸，噴嘴開口25係與該殼體開通，且用於收集該氣流21的收集開口28在將由氣流21橋接的距離27相對於噴嘴開口25而配置於該殼體上。
舉例來說，在圖2中，管狀殼體26之上端29可能對光束產生系統2之真空殼體開通，且管狀殼體26之低端30可能對照明系統3之真空殼體開通。在圖2中，EUV光束路徑6大體上沿著管狀殼體26之縱向31(在圖2中從底部至頂部)延伸，且氣流21之主要流動方向32與其垂直(在圖2中從左至右)延伸。從相對較小噴嘴入口33開始，氣流21朝向較大噴嘴開口25延伸，且隨後沿著主要流動方向32進一步流動，直到由收集開口28收集。
一般來說，周圍氣體34(殘餘氣體)存在於在圖2中從上方聯接氣流21的殼體26之區域中。在殼體26中，，一尖銳邊緣36收集開口28與上部收集開口側殼體壁35之間形成，而氣流21流動於尖銳邊緣36上以形成配置於氣流21上方之氣體渦流37。邊緣36之流動引導效果有利於氣體渦流37之形成，這促成從氣流21至從上方進入管狀殼體26之周圍氣體34的切切線方向上的衝量(impulse)轉移(亦參見圖4與圖5)。在邊緣36之區域中，產生相對於周圍壓力pC的正壓，該正壓連同形成於噴嘴開口25之上邊界非磨圓邊緣41的負壓，同樣有利於渦流的形成。
藉由氣體渦流37，可偏轉包含於在圖2中從上方進入並沿著殼體26向下流動之周圍氣體34中的污染物質，使得這些轉而流回相對方向(朝向頂部)。以此方式，氣體渦流37可能防止污染物質跨越過殼體26。氣體噴嘴20係在穩流條件下操作。
周圍氣體34同樣存在於在圖2中從下方聯接氣流21的殼體26之區域中。在收集開口28與下部收集開口側殼體壁35之間的殼體26中所形成的過渡區域具有與上部邊緣36(於其上產生氣體渦流37)形成對比的 磨圓設計。在圖2中使用虛線描繪出會促進渦流形成的下部邊緣39之設計。相較於上部邊緣的對等部分，從氣體噴嘴20之延伸漏斗24至下部噴嘴開口側殼體壁38的噴嘴開口側過渡區域40亦磨圓。藉由相對較大程度磨圓的噴嘴開口側過渡區域40(其中有意避免邊緣形成(以虛線指示))及同樣大程度磨圓的收集開口側過渡區域防止在氣流21下方形成氣體渦流37。
如圖2所示，藉由調整在收集開口28與收集開口側殼體壁38(憑藉在那裡形成邊緣36、39(未磨圓))之間的個別過渡區域中的殼體26之幾何形狀，可有利於氣體渦流37之形成。這同樣適用於在噴嘴開口25與噴嘴開口側殼體壁38之間的過渡區域，於其上邊緣41之形成同樣有助於渦流之形成。如以下將會基於圖3加以說明，隨著邊緣36、41之設計變得更加尖銳(隨著介於殼體壁38與收集開口28之上部或下部之間的角度變小)，可更有益於氣體渦流37之形成。
在圖3中描繪出的EUV微影系統1之殼體26不同於圖2所示的殼體26，其中配置於氣體噴嘴20外部的邊緣36具有錐形型態，而氣流21流動於氣體噴嘴20上，而氣體噴嘴20作為渦流促進流動引導件。此外，對比於圖2，噴嘴出射側上部殼體壁35亦包含一邊緣41，其具有對應尖銳的設計。由於邊緣36、41體現為比在圖2中更加尖銳所造成之結果，形成於氣流21上方的氣體渦流37具有增大的偏轉動作(以更多渦流線條表示)。由邊緣36、41形成的銳角小於90°，較佳為小於45°，尤其小於30°；該後者為在圖3中的情況。為了促進該渦流形成，殼體26如圖3所示可能尤其具有凸出設計，亦即殼體壁35、38可能各別皆具有氣體渦流37可能沿著流動的向外彎曲(凸面)部分。
圖4描繪出又一氣體噴嘴20與又一殼體26，其相對於氣體噴嘴20之縱軸42對稱。在氣體噴嘴20與殼體26中的該等流動條件係以在收集開口28的氣流21之流動橫截面43小於收集開口28之進入橫截面44的方式設定。基於連續性的考量，氣流21之體積流量(參見流動線條45a 至45d)與周圍氣體34之體積流量(參見流動線條46a至46c)因此在收集開口28中混合。
對比於圖2與圖3所示的邊緣36、41，噴嘴出射側與收集開口側過渡區域47、48稍微磨圓。在圖4描繪出的流動條件下，儘管過渡區域47、48(稍微)磨圓，氣體渦流37仍可能各別形成於氣流21上方與下方。在圖4中，氣體渦流37大體上由存在於氣流21上方與下方的周圍氣體34形成(參見對應的流動線條49a至49c)。在此，氣流21藉由至周圍氣體34的切線方向衝量轉移以產生氣體渦流37。
由於在收集開口28的氣流21之流動橫截面43小於收集開口28之進入橫截面44所造成之結果，不僅整個氣流21，連同被拖曳的周圍氣體34一同被收集開口28收集(即收集開口28吸入超過氣流21之100%)。應可理解，原則上，該等流動條件亦可能以在收集開口28的氣流21之流動橫截面43大於收集開口28之進入橫截面44的方式設定，使得僅氣流21之小於100%部分被收集開口28收集，其中氣流21之剩餘部分然後例如逸入殼體26之光束產生系統側與照明系統側區域。為了形成將包含於周圍氣體34中的該等污染物質偏轉並防止該等污染物質跨越的氣體渦流37，在氣體噴嘴20或殼體26中的該等流動條件，較佳為以在噴嘴開口25出射的氣流21之介於50%與150%之間部分由相對收集開口28收集的方式設定。
圖5顯示在殼體26中的不同粒子軌跡，如可能由於根據圖4的該等流動條件。若包含於周圍氣體34中的污染物質或粒子得以進入殼體26並在氣流21之方向上移動，則這些污染物質或粒子將到達氣體渦流37其中之一，因此所造成之結果為前述粒子之移動方向在該所示範例中大體上回轉，使得這些得以返回進入光束產生系統2或照明系統3，可分別參見粒子或粒子軌跡50a與50b。進一步遠離氣體渦流37的粒子被收集開口28偏轉並收集或吸入，可分別參見粒子或粒子軌跡51a與51b。在各情況 下，皆借助於氣流21防止污染物質50a、b；51a、b通過殼體26。
圖6顯示氣體噴嘴18，其具有用於氣流19之出射的噴嘴開口52，以從在EUV微影系統1之照明系統3中的第二光學元件10之光學表面10a去除污染物質。然而，應可理解代替光學表面10a，光學元件8、9、11、13、14(參見圖1)或其他之任何其他光學表面8a、9a、11a、13a、14a，原則上，其他(非光學)表面，例如殼體內側，皆可藉由氣流19沖洗污染物質。
氣體噴嘴18具有由於以螺紋狀方式配置或延伸的流動引導元件53所造成之結果相對於噴嘴縱軸42非對稱地延伸的流動橫截面，並亦具有橫向氣體入口56。由於螺旋形流動引導元件53所造成之結果，氣體噴嘴18體現為在穩流條件下產生氣體渦流54。流出氣體噴嘴18的氣流19在EUV微影系統1中產生旋轉氣體渦流54，該氣體渦流之中心軸形成噴嘴縱軸42。氣流19之清潔效果可藉由氣體渦流54提升。氣流19尤其可能為以上述搭配圖1方式產生的活化氫H*。
在圖6所示範例中，氣體噴嘴18或其噴嘴縱軸42相對於表面法線55以約45°之角度α對準，以從光學表面10a去除該等污染物質；然而，亦可能相對於表面法線55以更陡的角度α對準，尤其以介於45°與90°之間之角度α對準。尤其，氣體噴嘴18亦可能用於產生以上述搭配圖1方式形成氣體渦流54的沖洗氣體之氣流19，該氣流用於在EUV微影系統1之操作期間保護光學表面10a。
在圖7中示意性所例示的氣體噴嘴18具有非對稱形式，並具有中央氣體入口58與附加入口56，附加入口56可能讓氣體進入且係橫向開通氣體噴嘴18，所造成之結果為在氣流19之相對側上設定不同的壓力。氣體噴嘴18因此產生脈衝氣流19，亦即流出氣體噴嘴18的氣流19在氣流19之流動方向57上形成複數連續的氣體渦流54。氣體噴嘴18配置用於去除在光學表面10a旁邊的該等污染物質，其中氣流19之流動方向57相對 於表面法線55以約70°之角度延伸，使得氣流19沿著光學表面10a延伸，且氣體渦流54沿著光學表面10a輸送。由於沿著光學表面10a移動的氣體渦流54，污染物質可能運輸遠離光學表面10a。較佳地，亦可能有借助於非靜止氣體渦流54，有效冷卻光學表面10a或是有效將熱帶離開開光學表面10a，尤其在光學表面10a因EUV輻射故局部強烈加熱之區域中。
圖8至圖10顯示用於為EUV微影運輸反射(或視需要透射式)光學元件61的運輸裝置60之示例性具體實施例之三個例示圖。當光學元件61被放入未描繪出的EUV微影系統(如測量系統或如圖1所示的EUV微影系統1)中之EUV光束路徑，則運輸裝置60可能用於將光學元件61從工作位置，例如曝光位置，運輸至在EUV光束路徑之外的存放位置。光學元件61可能體現為(曝光)圖罩或倍縮光罩，並可能藉由運輸裝置60在EUV微影系統中運輸或移動。光學元件61可能透過真空鎖(vacuum lock)從在存放位置的EUV微影系統移除。
運輸裝置60包含一插接元件，其體現為用於承接光學元件61的框架狀支撐件63(參見圖9)。為了承接光學元件61之目的，體現為耐磨銷釘的接點元件64配置於框架狀支撐件63與光學元件61之間。支撐件63具有開放式U形框架形狀，使得支撐於該存放位置上且其邊界65a、65b可無拘束接近的光學元件61可藉由框架狀支撐件63從下方接合，並抬起離開該存放位置以接著帶至或運輸至不同位置上。
圖8至圖12所示光學元件61體現為反射矩形圖罩。光學元件61可能包含一殼體，例如圍繞光學元件61的框架(未描繪出)，其保護光學元件61免於損壞並簡化由支撐件63承接。在光學元件61係由此種框架或此種殼體圍繞的情況下，接點元件64一般配置於體現為支撐件63的插接元件與光學元件61之框架或殼體之間。
為了移動體現為支撐件的插接元件63，運輸裝置60包含一移動裝置66。舉例來說，在圖8中非常示意性地描繪出的移動裝置66可包 含一機器人手臂，插接元件63扣緊於其可移動端。藉由移動裝置66，插接元件63與光學元件61可能關於在工作空間中的三個旋轉與三個平移軸移動，亦即在三維空間中，其中運輸裝置60用以移動光學元件61。舉例來說，在圖1中的真空殼體15可能形成此種工作空間。
如搭配圖1所加以描述，由於污染物質或粒子在EUV微影系統中無法完全防止，因此對此種污染物而言亦可能沉積於反射光學元件61上。原則上，此種沉積可能在工作位置與存放位置兩者上皆發生。然而，污染風險在光學元件61從第一位置(如工作位置)進入第二位置(如存放位置)之運輸移動期間較高，因為在該程序中，光學元件61移動穿越該工作空間，且在該程序中，存在於該工作空間中的更多污染物質可能沉積於前述元件上。
為了防止該等污染物質沉積於光學元件61上，運輸裝置60包含一流出裝置67，其用於產生沿著在光學元件61之兩側上的表面流動的氣體幕(以箭頭68a與68b表示)。氣體幕68a、68b帶走並將正朝向這光學元件61之第一表面69a(前側或頂側)與光學元件61之第二表面69b(後側或底側)移動而即將沉積於其上的污染物質加以偏轉。以此方式，沉積的風險係消除或至少減低。
為了產生氣體幕68a、68b，流出裝置67包含一噴嘴70，其在各情況下皆包含一出射開口71a、71b，其用於在光學元件61之兩側上產生各別氣體幕68a、68b。噴嘴70包含一分流中央部件72與兩個外引導部件73。為了產生氣體幕68a、68b，氣體供應裝置74為流出裝置67或噴嘴70供給相對於該環境在壓力下的氣體。(沖洗)氣體從氣體供應裝置74流過以狹縫狀方式延伸進入噴嘴70的供給部分74，並在出射開口71a、71b出射，其大體上延伸越過噴嘴70之整個長度76，以接著沿著在光學元件61之第一與第二側或表面69a、69b上的表面(在圖9中從左至右)流動。
噴嘴70之出射開口71a、71b體現為具有恆定狹縫寬度的細 長狹縫開口，其橫跨噴嘴70之氣體出射方向68a、68b沿著光學元件61之噴嘴側邊緣延伸。形成氣體幕68a、68b的氣體越過該表面沿著光學元件61流動，亦即均勻地越過第一與第二表面69a、69b。來自氣體幕68a、68b的氣體到達光學元件61之無拘束邊界後，會逸出進入該環境。
圖10在側視圖(具有相對於氣體幕68a、68b之流動方向的視角方向)中描繪出運輸裝置60。
圖11與圖12描繪出運輸裝置60之又一示例性具體實施例。運輸裝置60適用於運輸體現為框架狀支撐件的插接元件63，故因此反射光學元件61藉由移動裝置66從在圖11中描繪出的該工作位置(曝光位置)至另一位置(如傳送位置)。為了將光學元件61傳送至該EUV微影系統或從該EUV微影系統移除該前者，可提供為了更換或交換目的由運輸裝置60將光學元件61放置於其中的真空鎖定(未描繪出)。
對比於圖8至圖10，在圖11與圖12中的運輸裝置60不僅包含一流出裝置67，其具有噴嘴70；以及一對應的分流中央部件72與兩個外引導部件73，亦包含一收集裝置77，其用於收集由流出裝置67產生的氣體幕68a、68b。氣體幕68a、68b可能被收集裝置77完全收集或吸入。如此防止形成氣體幕68a、68b的氣體逸出進入該環境。再者，可能大幅防止氣體幕68a、68b在橫跨第一與第二側面69a、69b或光學元件61之對應表面的方向上之延伸。用於形成氣體幕68a、68b之氣體的大體上封閉迴路可能由流出裝置67與收集裝置77形成。
流出裝置67與收集裝置77係配置於光學元件61之相對橫向邊界65a、65b上。以此方式，進一步有利於越過光學元件61之表面69a、69b的氣體幕68a、68b之層流。為了促成氣體幕68a、68b之均勻吸入，收集裝置77之對應的進入開口78a、78b(參見圖11)體現為具有恆定狹縫寬度的細長狹縫開口，其越過光學元件61之邊界65b之大體上整個長度79沿著光學元件61之收集裝置側邊界65b延伸。
作為以上該等例示圖的替代例，流出裝置67可能在各情況下皆包含一噴嘴，其用於在光學元件61之兩側上產生兩個氣體幕68a、68b。氣體幕68a、68b在單一噴嘴70及複數噴嘴之兩者情況下，皆從流出裝置67切向地或平行於光學元件61之彼此相對的平面表面69a、69b出射，如此所造成之結果促進藉由氣體幕68a、68b沿著該表面的流動(在圖11與圖12中從左至右)。應可理解根據圖11與圖12的運輸裝置60亦包含一氣體供應裝置。在圖11與圖12中的光學元件61亦藉由配置於插接元件63與光學元件61之間的接點元件64(接點銷釘)安裝於插接元件63上。
用於產生氣體幕68a、68b的氣體大體上可讓用於曝光體現為圖罩的光學元件61並沿著光軸80傳遞的EUV輻射穿透，故可藉由EUV輻射曝光或影響光學元件61。在圖11中，插接元件63連同流出裝置67與收集裝置77係放置於在曝光位置的支撐表面82上，其中在前述支撐表面中形成圓錐形延伸開口81以通過EUV輻射。
在不脫離本發明精神或必要特性的情況下，可以其他特定形式來體現本發明。應將所述具體實施例各方面僅視為解說性而非限制性。因此，本發明的範疇如隨附申請專利範圍所示而非如前述說明所示。所有落在申請專利範圍之等效意義及範圍內的變更應視為落在申請專利範圍的範疇內。
1‧‧‧EUV微影系統
2‧‧‧光束產生系統
3‧‧‧照明系統
4‧‧‧投影系統
5‧‧‧EUV光源
6‧‧‧EUV輻射
7‧‧‧準直儀
8‧‧‧單色光鏡
9、10‧‧‧光學元件
11‧‧‧光罩
12‧‧‧晶圓
13、14‧‧‧光學元件
8a、9a、10a、11a、13a、14a‧‧‧光學表面
15‧‧‧真空腔室
16a-16d‧‧‧開口
17‧‧‧真空腔室
18、20‧‧‧氣體噴嘴
19‧‧‧氣流
21‧‧‧氣體幕
22‧‧‧供給裝置
23‧‧‧方向

Claims (24)

  1. 一種EUV微影系統(1)，包含：至少一個氣體噴嘴(18,20)，其具有用於出射一氣流(19,21)的一噴嘴開口(25)，以從配置於該EUV微影系統(1)中的一光學表面(8a-14a)去除污染物質，及/或偏轉在該EUV微影系統(1)中的污染物質，其特徵在於該氣流(19,21)在該EUV微影系統(1)中形成至少一氣體渦流(37；54)。
  2. 如申請專利範圍第1項之EUV微影系統，其中該氣體噴嘴(18；20)在穩流條件下產生該氣體渦流(37；54)，較佳為在該氣體噴嘴(18,20)內。
  3. 如申請專利範圍第2項之EUV微影系統，其中該氣體噴嘴(18；20)包含一流動橫截面，該流動橫截面相對於該噴嘴縱軸(42)非對稱地延伸。
  4. 如申請專利範圍第2項或第3項之EUV微影系統，其中用於產生該氣體渦流(54)的該氣體噴嘴(18)包含流動引導元件(53)，其較佳為以一螺紋狀方式延伸。
  5. 如申請專利範圍第2項至第4項之一之EUV微影系統，其中該氣體噴嘴(18)包含至少一個入口(56)，其橫向開口對該氣體噴嘴(18)開通。
  6. 如前述申請專利範圍之一之EUV微影系統，其中該氣體噴嘴(18)係用於產生一脈衝渦流型氣流(19)。
  7. 如前述申請專利範圍之一之EUV微影系統，其中該氣體噴嘴(18)係用 於活化包含於該氣流(19)中的一清潔氣體，尤其用於活化氫。
  8. 如前述申請專利範圍之一之EUV微影系統，其中用於去除該污染物質的該氣體噴嘴(18)係配置於該光學表面(8a-14a)旁邊，以產生沿著該光學表面(8a-14a)延伸的一氣流(19)，其中氣體渦流(54)沿著該光學表面(8a-14a)輸送。
  9. 如前述申請專利範圍之一之EUV微影系統，包含至少一個流動引導元件，其促進渦流並配置於該氣體噴嘴(18；20)外部，尤其較佳為該氣流(21)流動於其上的一錐形邊緣(36,41)。
  10. 如前述申請專利範圍之一之EUV微影系統，更包含：一尤其為管狀之殼體(26)，該橫跨該氣流(21)延伸，該噴嘴開口(25)與該殼體開通，且用於收集該氣流(21)的一收集開口(28)在將由該氣流(21)橋接的一距離(27)相對於該噴嘴開口(25)而配置於該殼體上，其中一邊緣(36上形成於該收集開口(28)與一收集開口側殼體壁(35)之間，而該氣流(21)流動於該邊緣(36)上，以在該殼體(26)中形成一氣體渦流(37)。
  11. 如申請專利範圍第10項之EUV微影系統，其中在該收集開口(28)的該氣流(21)之該流動橫截面(43)小於該收集開口(28)之該進入橫截面(44)。
  12. 如申請專利範圍第10項或第11項之EUV微影系統，其抽吸在該相對收集開口(28)的該噴嘴開口(25)出射的該氣流(21)之介於50%與150%間之一部分。
  13. 如申請專利範圍第10項至第12項之一之EUV微影系統，其中在該EUV微影系統(1)之一真空環境(2,3,4)下的一靜態環境壓力(p2,pC,p3)介於0.1Pa(帕)與100Pa之間。
  14. 如申請專利範圍第10項至第13項之一之EUV微影系統，更包含：至少一第一真空腔室(2,3,4,15,17)及一第二真空腔室(2,3,4,15,17)，介於其間形成用於通過EUV輻射(6)的一開口(16a-16d)，在該開口形成用於偏轉污染物質的該氣體噴嘴(20)。
  15. 一種用於為EUV微影、尤其為根據前述申請專利範圍之一的EUV微影系統(1)運輸反射光學元件(61)，較佳為圖罩，的運輸裝置(60)，包含：一插接元件(63)，其用於承接該光學元件(61)；一移動裝置(66)，其用於移動該插接元件(63)；以及一流出裝置(67)，其用於產生沿著在該光學元件(61)之兩側上的該表面流動的氣體幕(68a,68b)。
  16. 如申請專利範圍第15項之運輸裝置，其中該流出裝置(67)包含至少一個噴嘴(70)，其用於產生該等氣體幕(68a,68b)。
  17. 如申請專利範圍第16項之運輸裝置，其中該噴嘴(70)包含一出射開口(71a,71b)，其用於在該光學元件(61)之兩側上產生一氣體幕(68a,68b)。
  18. 如申請專利範圍第17項之運輸裝置，其中該噴嘴(70)包含一分流中央部件(72)及兩個外引導部件(73)。
  19. 如申請專利範圍第17項之運輸裝置，其中一噴嘴配置於用於產生該等兩個氣體幕(68a,68b)的該光學元件(61)之兩側上。
  20. 如申請專利範圍第15項至第19項之一之運輸裝置，其中該等氣體幕(68a,68b)從該流出裝置(67)切向出射至該光學元件(61)之該等彼此相對表面(69a,69b)。
  21. 如申請專利範圍第15項至第20項之一之運輸裝置，其中該插接元件(63)為一框架狀支撐件。
  22. 如申請專利範圍第15項至第21項之一之運輸裝置，更包含：一收集裝置(77)，其用於收集該流出裝置(67)所產生的該等氣體幕(68a,68b)。
  23. 如申請專利範圍第22項之運輸裝置，其中該流出裝置(67)及該收集裝置(77)配置於該光學元件(61)之相對邊緣(65a,65b)上。
  24. 如申請專利範圍第15項至第23項之一之運輸裝置，其中為了承接該光學元件(61)或承接圍繞該光學元件(61)的一框架之目的，在該插接元件(63)與該光學元件(61)之間及/或該插接元件(63)與該框架之間提供接點元件(64)。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9776218B2 (en) 2015-08-06 2017-10-03 Asml Netherlands B.V. Controlled fluid flow for cleaning an optical element
DE102015219671A1 (de) * 2015-10-12 2017-04-27 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Baugruppe, Projektionssystem, Metrologiesystem und EUV-Lithographieanlage
NL2017671A (en) 2015-11-11 2017-05-26 Asml Netherlands Bv A radiation system and optical device
DE102017213792A1 (de) 2017-08-08 2018-08-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Modul und Lithographieanlage
US20220382046A1 (en) * 2021-05-28 2022-12-01 Kla Corporation Counterflow gas nozzle for contamination mitigation in extreme ultraviolet inspection systems
DE102021117016A1 (de) 2021-07-01 2023-01-05 Asml Netherlands B.V. Optisches System, insbesondere für die EUV-Lithographie
DE102022202072A1 (de) 2022-03-01 2023-06-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Handhaben von reflektiven optischen Elementen

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4692934A (en) 1984-11-08 1987-09-08 Hampshire Instruments X-ray lithography system
DE60323927D1 (de) * 2002-12-13 2008-11-20 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE102006044591A1 (de) 2006-09-19 2008-04-03 Carl Zeiss Smt Ag Optische Anordnung, insbesondere Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie, sowie reflektives optisches Element mit verminderter Kontamination
TWI402628B (zh) * 2007-08-31 2013-07-21 Cymer Inc 控管極遠紫外線（ｅｕｖ）光微影裝置腔室間之氣體流動的系統
JP5099793B2 (ja) 2007-11-06 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 光学面から汚染層を除去するための方法、洗浄ガスを生成するための方法、ならびに対応する洗浄および洗浄ガス生成の構造
DE102009045008A1 (de) * 2008-10-15 2010-04-29 Carl Zeiss Smt Ag EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten einer Maske
KR20120003916A (ko) * 2009-04-02 2012-01-11 에테하 취리히 데브리 완화 및 냉각된 집광기 광학계를 갖는 극자외선 광원
DE102009016319A1 (de) 2009-04-06 2010-10-14 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Kontaminationsvermeidung und EUV-Lithographieanlage
US9123507B2 (en) * 2012-03-20 2015-09-01 Mapper Lithography Ip B.V. Arrangement and method for transporting radicals
DE102012213927A1 (de) 2012-08-07 2013-06-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung eines Gasvorhangs, Gasdüse und EUV-Lithographiesystem damit

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