KR102268485B1 - 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료, 그 제조 방법, 및 전자 재료용 수지 조성물, 그리고 실리콘 수지 재료용의 필러 - Google Patents

표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료, 그 제조 방법, 및 전자 재료용 수지 조성물, 그리고 실리콘 수지 재료용의 필러 Download PDF

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Abstract

수지 재료 중에 혼합했을 경우의 점도가 낮고 또한 유전율이나 유전 정접을 작게 할 수 있는 필러를 제공하는 것. 금속 산화물 입자 재료와, 상기 금속 산화물 입자 재료를 표면 처리하는, 일반식 (1) : (RO)3Si-(SiR2-O-)n-SiR3 (일반식 (1) 중, R 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기에서 각각 독립적으로 선택할 수 있다. n 은 10 이상 200 이하이다) 으로 나타내는 폴리오르가노실록산 화합물을 갖는 필러이다. 이 필러를 수지 중에 함유시킨 수지 조성물이 전자 재료용에 바람직하다.

Description

표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료, 그 제조 방법, 및 전자 재료용 수지 조성물, 그리고 실리콘 수지 재료용의 필러
본 발명은 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료, 그 제조 방법, 및 전자 재료용 수지 조성물, 그리고 실리콘 수지 재료용의 필러에 관한 것이다.
전자 기판이나 반도체 봉지재 (封止材) 에는, 물리적 특성, 열적 특성을 향상시키기 위해서 무기물 입자를 필러로서 수지 재료 중에 함유시킨 수지 조성물이 범용되고 있다. 특히 열적 특성에 주목하여 채용되고, 반도체 소자에 히트 싱크 등을 고정시켰을 때에 사용하는 열전도 재료 (TIM) 가 알려져 있다 (특허문헌 1 등).
수지 조성물의 물리적 특성 및 열적 특성을 향상시키기 위해서는 필러의 함유량을 많게 하는 것이 요구되지만, 수지 재료 중으로의 필러의 혼합량에는 한도가 있다. 수지 재료 중에 대량의 필러를 함유시키기 위해서는, 수지 재료 중에 필러를 함유시켰을 때의 점도를 낮게 유지하는 것이 필요하다.
종래부터, 수지 재료 중에 필러를 함유시켰을 때의 점도를 저하시키기 위해서 필러에 여러 가지 표면 처리가 실시되어 왔다.
일본 공개특허공보 2017-210518호
그런데 수지 조성물을 적용하는 전자 재료, 전자 부품으로서, 고주파 회로에 채용되는 것이 많아지고 있다. 고주파 회로에 수지 조성물을 사용하는 경우, 유전율 및 유전 정접을 작게 하는 것이 요구된다.
본 발명은 상기 실정을 감안하여 완성된 것으로, 수지 재료 중에 혼합했을 경우의 점도가 낮고 또한 유전율이나 유전 정접을 작게 할 수 있는 필러 등에 대한 응용을 기대할 수 있는 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료, 그 제조 방법, 및 그 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료를 필러로서 채용한 전자 재료용 수지 조성물, 그리고 실리콘 수지 재료용의 필러를 제공하는 것을 해결해야 할 과제로 한다.
상기 과제를 해결할 목적으로 본 발명자들이 예의 검토를 실시한 결과, 일반식 (1) : (RO)3SiO-(SiR2-O-)n-SiR3 (일반식 (1) 중, R 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기에서 각각 독립적으로 선택할 수 있다. n 은 10 이상 200 이하이다) 으로 나타내는 폴리오르가노실록산 화합물로 표면 처리를 실시한 금속 산화물 입자 재료가 수지 재료 중에서 점도가 낮고, 또한 유전율이나 유전 정접을 작게 할 수 있다는 지견을 얻고, 그 지견에 기초하여 이하의 발명을 완성하였다.
(1) 상기 과제를 해결하는 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료는, 금속 산화물 입자 재료와, 상기 금속 산화물 입자 재료를 표면 처리하는, 일반식 (1) : (RO)3SiO-(SiR2-O-)n-SiR3 (일반식 (1) 중, R 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기에서 각각 독립적으로 선택할 수 있다. n 은 10 이상 200 이하이다) 으로 나타내는 폴리오르가노실록산 화합물을 갖는다.
특히, 상기 금속 산화물 입자 재료는, 체적 평균 입경이 0.1 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하이고,
상기 폴리오르가노실록산 화합물의 양은, 상기 금속 산화물 입자 재료의 질량을 기준으로 하여, 0.05 % 이상 3.0 % 이하인 것이 바람직하다.
또한, 비닐기, 혹은 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기를 갖는 실란 화합물, 또는 오르가노실라잔으로 이루어지는 제 2 표면 처리제로 추가로 표면 처리되어 있을 수 있다.
(2) 상기 과제를 해결하는 본 발명의 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료의 제조 방법은, 체적 평균 입경이 0.1 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하인 금속 산화물 입자 재료에 대해, 상기 금속 산화물 입자 재료의 질량을 기준으로 하여, 0.05 % 이상 3.0 % 이하이고, 일반식 (1) : (RO)3SiO-(SiR2-O-)n-SiR3 (일반식 (1) 중, R 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기에서 각각 독립적으로 선택할 수 있다. n 은 10 이상 200 이하이다.) 으로 나타내는 폴리오르가노실록산 화합물을 혼합하여 혼합물을 얻는 혼합 공정과, 상기 혼합물을 5 ℃ 이상 100 ℃ 이하의 온도에서 1 시간 이상 168 시간 이하 유지하여 반응시키는 표면 처리 공정을 갖는다.
또한, 비닐기, 혹은 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기를 갖는 실란 화합물, 또는 오르가노실라잔으로 표면 처리하는 제 2 표면 처리 공정을 가질 수 있다.
(3) 상기 과제를 해결하는 본 발명의 전자 재료용 수지 조성물은, 전술한 본 발명의 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료와, 상기 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료를 분산시키는 실리콘 수지 재료를 갖는다.
본 발명의 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료는, 상기 서술한 구성을 가짐으로써, 수지 재료 중에 함유시켜 얻어지는 수지 조성물의 점도를 억제할 수 있고, 또한 그 수지 조성물의 유전율이나 유전 정접을 억제하는 것이 가능해진다.
도 1 은, 실시예에 있어서의 각 시험 시료의 점도의 시어 레이트 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 2 는, 실시예에 있어서의 각 시험 시료의 점도의 시어 레이트 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 3 은, 실시예에 있어서의 각 시험 시료의 점도의 시어 레이트 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 4 는, 실시예에 있어서의 각 시험 시료의 점도의 시어 레이트 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 5 는, 실시예에 있어서의 각 시험 시료의 점도의 처리제 첨가량 의존성을 나타내는 그래프도이다.
도 6 은, 실시예에 있어서의 각 시험 시료의 점도의 시어 레이트 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 7 은, 실시예에 있어서의 각 시험 시료의 점도의 처리제 첨가량 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 8 은, 실시예에 있어서의 각 시험 시료의 점도의 시어 레이트 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 9 는, 실시예에 있어서의 각 시험 시료의 점도의 처리제 첨가량 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 10 은, 실시예에 있어서의 각 시험 시료의 점도의 시어 레이트 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 11 은, 실시예에 있어서의 각 시험 시료의 점도의 처리제 첨가량 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 12 는, 실시예에 있어서의 각 시험 시료의 점도의 시어 레이트 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 13 은, 실시예에 있어서의 각 시험 시료의 점도의 중합도 (n) 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 14 는, 실시예에 있어서의 각 시험 시료의 점도의 시어 레이트 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 15 는, 실시예에 있어서의 각 시험 시료의 점도의 시어 레이트 의존성을 나타내는 그래프이다.
도 16 은, 실시예에 있어서의 각 시험 시료의 점도를 나타내는 그래프이다.
본 발명의 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료 및 그 제조 방법, 그리고 전자 재료용 수지 조성물에 대해 이하 실시형태에 기초하여 상세하게 설명을 실시한다.
(표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료)
본 실시형태의 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료는, 금속 산화물 입자 재료와 폴리오르가노실록산 화합물을 갖는다. 폴리오르가노실록산 화합물은 금속 산화물 입자 재료의 표면에 작용하여 표면 처리하는 화합물이다.
금속 산화물 입자 재료는, 금속의 산화물로 이루어지는 입자 재료이다. 금속 산화물로는 특별히 한정되지 않지만 알루미나, 실리카, 지르코니아, 마그네시아, 티타니아, 산화아연, 산화철, 나아가서는 복수의 금속을 포함하는 복합 산화물이나 복수 종류의 금속 산화물의 혼합물 등을 들 수 있다. 특히 알루미나가 열전도성의 높음이나 물리적·화학적 안정성의 높음의 관점 등에서 바람직하다.
금속 산화물 입자 재료는, 체적 평균 입경이 10 ㎛ 이상인 것이 바람직하다. 특히 45 ㎛ 이상, 70 ㎛ 이상, 100 ㎛ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 입경이 체적 평균 입경의 반의 값 이하의 입자를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 후막 TIM 용에서는, 입경이 큰 쪽이 이재 (異材) 계면에 의한 접촉 열저항을 저감시키는 것이 가능하고, 열전도성을 향상시키는 관점에서는 바람직하다. 체적 평균 입경의 측정은 레이저 회절·산란법으로 실시할 수 있다.
또, 금속 산화물 입자 재료는, 체적 평균 입경이 30 ㎛ 이하인 것이 바람직하다. 특히 10 ㎛ 이하, 3 ㎛ 이하, 0.2 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 입경이 체적 평균 입경의 배의 값 이상인 입자 (조립 (粗粒)) 를 함유하지 않는 것이 바람직하다. 전자 재료·전자 부품으로는 자신의 크기나 내부의 배선폭이 작아지고 있으며, 그것에 채용하기 위해서는 작게 하는 것이 요구된다. 본 실시형태의 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료는, 이들 입경의 상한 하한을 임의로 조합하여 입도 분포를 결정할 수 있다.
폴리오르가노실록산 화합물은 상기 서술한 일반식 (1) 에 개시된 화합물이다. R 로는 탄소수 3 이하인 것이 바람직하고, 탄소수가 1 또는 2 인 것이 보다 바람직하고, 탄소수가 1 인 것이 가장 바람직하다. n 에 대해서는, 10 초과인 것이 바람직하고, 30 이상인 것이 보다 바람직하고, 60 이상인 것이 더욱 바람직하다. n 의 값에 대해서는, 상이한 화합물의 혼합물이어도 된다. n 의 값의 상한으로는 200, 100 을 예시할 수 있다.
폴리오르가노실록산 화합물의 양은, 금속 산화물 입자 재료의 질량을 기준으로 하여, 0.05 % 이상 3.0 % 이하인 것이 바람직하다. 하한값으로는, 0.05 %, 0.10 % 를 예시할 수 있다. 이들 양 이상의 양으로 금속 산화물 입자 재료의 표면을 처리함으로써 충분한 점도 저하 작용을 발현할 수 있다. 상한값으로는, 2.0 %, 2.5 %, 3.0 % 를 예시할 수 있다. 이들 양 이하의 양으로 금속 산화물 입자 재료의 표면을 충분히 처리하는 것이 가능하다.
폴리오르가노실록산 화합물은, 금속 산화물 입자 재료의 표면에 존재하는 반응성 관능기 (예를 들어 OH 기) 와 반응하기 때문에, 반응성 관능기의 양에 상당하는 양에 대응하는 양으로 처리함으로써 모든 반응성 관능기에 반응시킬 수 있다. 과잉인 양의 폴리오르가노실록산 화합물은, 금속 산화물 입자 재료의 표면에 물리적으로 부착된다. 그 때문에, 폴리오르가노실록산 화합물의 양으로는 간이적으로 금속 산화물 입자 재료의 질량을 기준으로 하여 결정하는 방법 외에, 금속 산화물 입자 재료의 표면에 존재하는 반응성 관능기의 양에 대응하여 결정할 수 있다.
반응성 관능기에 대응하는 양으로는, 모든 반응성 관능기에 반응할 수 있는 양, 반응성 관능기의 90 %, 80 % 와 반응할 수 있는 양을 선택할 수 있다. 반응성 관능기를 잔존시킴으로써, 그 후에 다른 표면 처리제로 다른 목적에서의 표면 처리를 실시할 수 있다. 예를 들어 소수성을 향상시키기 위해 헥사메틸디실라잔 등의 오르가노실라잔으로 처리하거나, 비닐기나 알킬기를 갖는 실란 화합물로 이루어지는 제 2 표면 처리제로 표면 처리를 실시할 수 있다 (오르가노실록산 화합물로 표면 처리하기 전이어도 되고 후이어도 되고 어느 시점에서도 실시할 수 있다). 또한 반응성 관능기에 대응하는 양을 초과한 양의 폴리오르가노실록산 화합물로 표면 처리를 실시할 수도 있다.
(표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료의 제조 방법)
본 실시형태의 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료의 제조 방법은, 혼합 공정과 표면 처리 공정을 갖는다.
혼합 공정은 금속 산화물 입자 재료와 폴리오르가노실록산 화합물을 혼합하는 공정이다. 혼합비에 대해서는 전술한 비율을 채용할 수 있기 때문에 설명을 생략한다. 금속 산화물 입자 재료에 대해서는 전술한 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료에서 설명한 금속 산화물 입자 재료에 대해 체적 평균 입경을 한정한 것 이외에는 동일한 것이다.
금속 산화물 입자 재료는, 혼합 공정에 제공하기 전에 건조 공정을 실시할 수 있다. 건조 공정은 존재하는 물 등의 극성 용매를 제거하는 공정이고, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 가열하는 공정 (상온 (25 ℃) 이상, 50 ℃, 75 ℃, 100 ℃, 125 ℃, 150 ℃, 200 ℃, 300 ℃ 등의 온도를 채용할 수 있다.), 감압하는 공정, 비극성 용매에 침지 후 건조시키는 공정, 나아가서는 그들의 조합 등을 예시할 수 있다. 폴리오르가노실록산 화합물에 대해서도 수분 등의 극성 용매를 줄이는 공정을 거치는 것이 바람직하다. 또한, 폴리오르가노실록산 화합물에 대해서는 전술한 바와 같다.
혼합 공정은, 금속 산화물 입자 재료의 표면에 폴리오르가노실록산 화합물을 접촉시키는 공정이다. 또한, 혼합할 때에 금속 산화물 입자 재료의 표면 처리가 진행되기 때문에, 혼합 공정과 표면 처리 공정은 중복되어 실시되는 것으로 추측할 수 있다. 폴리오르가노실록산 화합물은 가능한 한 균일하게 금속 산화물 입자 재료의 표면에 접촉하는 공정을 채용하는 것이 바람직하다.
예를 들어, 금속 산화물 입자 재료와 폴리오르가노실록산 화합물을 혼합한 후, 교반함으로써 균일하게 혼합할 수 있다. 또한 폴리오르가노실록산 화합물을 적정한 용매에 분산시킨 상태로 혼합함으로써 더욱 균일하게 혼합하는 것이 가능하다. 적정한 용매로는, 헥산, 헵탄, THF (테트라하이드로푸란), 톨루엔, 자일렌 등의 비극성 용매를 채용할 수 있다.
폴리오르가노실록산 화합물은 조금씩 혼합해 갈 수 있다. 그 경우에 혼합하면서 반응을 진행시킬 수도 있다. 또, 폴리오르가노실록산 화합물은 첨가량의 전체량을 한 번에 혼합하거나, 조금씩 혼합하거나 하는 것 외에, 2 개 이상으로 분할하여 축차 혼합할 수도 있다.
표면 처리 공정은, 혼합 공정에서 얻어진 혼합물을 5 ℃ 이상 100 ℃ 이하의 온도에서 1 시간 이상 168 시간 이하 유지하여 반응시키는 공정이다. 여기서 말하는 반응이란 일반식 (1) 의 폴리오르가노실록산 화합물이 갖는 관능기가 금속 산화물 입자 재료의 표면에 갖는 관능기 (반응성 관능기) 와 반응하는 것을 의미한다. 전술한 혼합 공정에 있어서도 표면 처리 공정에 있어서의 반응이 진행되고 있는 경우가 있기 때문에, 표면 처리 공정과 혼합 공정은 동시에 진행되는 경우도 있다.
표면 처리 공정을 실시하는 온도로는 특별히 한정되지 않고, 하한값으로서 20 ℃, 30 ℃, 40 ℃, 50 ℃, 60 ℃, 70 ℃, 80 ℃, 90 ℃, 100 ℃ 등을 채용할 수 있다. 온도를 상승시킴으로써 표면 처리를 신속하게 진행할 수 있다. 온도의 상한값으로서도 특별히 한정되지 않고, 하한값과 동일한 20 ℃, 30 ℃, 40 ℃, 50 ℃, 60 ℃, 70 ℃, 80 ℃, 90 ℃, 100 ℃ 를 채용할 수 있다. 온도의 상한값와 하한값의 조합은 허용할 수 있는 표면 처리 시간, 필요한 표면 처리 시간, 허용할 수 있는 가열 비용 등의 요인에 따라 바람직한 범위가 상이하며 임의로 조합하여 설정할 수 있다.
또한 표면 처리 공정은, 한 번에 완료시킬 필요는 없고, 2 단계 이상으로 나누어 반응을 완료시켜도 된다. 예를 들어, 혼합한 폴리오르가노실록산 화합물의 일부가 반응하는 조건을 채용 후, 다른 공정을 실시하고, 그 후에 나머지 폴리오르가노실록산 화합물을 반응시켜도 된다. 또, 폴리오르가노실록산 화합물의 혼합을 한 번에 전부 실시하지 않는 경우에는, 폴리오르가노실록산 화합물을 조금씩 혼합할 때마다 표면 처리 공정을 실시할 수도 있다. 또, 후술하는 제 2 표면 처리 공정과 동시에 표면 처리 공정을 실시하는 것도 가능하다.
제 2 표면 처리 공정은, 제 2 표면 처리제로 금속 산화물 입자 재료를 표면 처리하는 공정이다. 제 2 표면 처리제로 실시하는 표면 처리는, 전술한 혼합 공정 및 표면 처리 공정이 끝난 후에 독립적으로 실시할 수 있는 것 외에, 혼합 공정의 전부터 표면 처리 공정이 완료할 때까지의 사이의 어느 시점에서 실시해도 된다. 예를 들어 제 2 표면 처리제는, 금속 산화물 입자 재료의 표면에 존재하는 반응성 관능기에도 반응할 수 있는 화합물이지만, 폴리오르가노실록산 화합물이 반응하기 전에 표면 처리를 실시함으로써 금속 산화물 입자 재료의 표면에 강고하게 결합을 생성할 수 있다.
예를 들어, 제 2 표면 처리 공정은, 폴리오르가노실록산 화합물을 금속 산화물 입자 재료 표면의 반응성 관능기의 전부에 반응시킨 후에 실시해도 되고, 폴리오르가노실록산 화합물을 금속 산화물 입자 재료 표면의 반응성 관능기의 일부에 반응시킨 후에 실시해도 되고, 폴리오르가노실록산 화합물로 표면 처리하기 전에 실시해도 된다. 또, 표면 처리 공정을 실시할 때 도중에 중단한 후, 제 2 표면 처리 공정을 실시하고, 그 후, 표면 처리 공정을 재개해도 된다.
제 2 표면 처리제로는, 비닐기, 혹은 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기를 갖는 실란 화합물, 또는 오르가노실라잔이다. 오르가노실라잔으로는 헥사메틸디실라잔을 예시할 수 있다.
(전자 재료용 수지 조성물)
본 실시형태의 전자 재료용 수지 재료는, 상기 서술한 본 실시형태의 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료와 수지 재료를 갖는다. 본 실시형태의 전자 재료용 수지 조성물은, 전자 부품을 배치하는 기판, 반도체의 봉지재, 반도체 소자와 히트 싱크를 접속하는 전열 재료 등에 사용할 수 있다.
표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료와 수지 재료의 혼합비는 특별히 한정되지 않지만, 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료를 많게 하는 편이 바람직하다. 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료의 혼합량은, 얻어진 전자 재료용 수지 조성물의 점도에 의해 결정하는 것이 바람직하다. 점도가 낮은 편이 미세한 간극 등에 대한 충전을 충분히 실시하는 것이 가능해지기 때문에, 필요한 점도 이하가 되도록 혼합량을 결정하는 것이 바람직하다.
수지 재료로는 특별히 한정되지 않지만, 실리콘 수지를 함유하는 것이 바람직하다. 실리콘 수지로는 여러 가지 중합도의 것을 채용할 수 있고, 액상, 고체상, 반응에 의해 고체화되는 것 등을 채용할 수 있다.
실시예
이하 본 발명의 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료 및 그 제조 방법, 그리고 전자 재료용 수지 조성물에 대해 실시예에 기초하여 설명을 실시한다.
(시험 1 : 폴리오르가노실록산 화합물의 효과의 확인)
·시험예 1-1
금속 산화물 입자 재료로서의 알루미나 입자 (아도마텍스 제조 : AO-509 : 체적 평균 입경 7 ∼ 13 ㎛ : 비표면적 1.0 ㎠/g ∼ 1.8 ㎠/g) 를 표면 처리한 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료 85 질량부를, 수지 재료로서의 실리콘 수지 (신에츠 화학 공업 제조 : KE-106 : 2 액형 RTV 고무) 15 질량부 중에 분산시킨 수지 조성물을 조제하여 본 시험예의 시험 시료로 하였다.
금속 산화물 입자 재료의 표면 처리는, 금속 산화물 입자 재료의 질량을 기준으로 하여 0.5 % 의 일반식 (1) 의 폴리오르가노실록산 화합물 (R 은 모두 메틸기, n 은 30) 로 실시하였다. 표면 처리는, 금속 산화물 입자 재료와 폴리오르가노실록산 화합물을 혼합한 후, 60 ℃ 에서 8 시간 가열 후, 12 시간 정치 (靜置) 시킴으로써 실시하였다. 폴리오르가노실록산 화합물의 혼합량은, 금속 산화물 입자 재료의 표면에 존재하는 반응성 관능기로서의 OH 기와 모두 반응할 수 있을 정도의 양이다.
·시험예 1-2
금속 산화물 입자 재료를 표면 처리를 실시하지 않고 그대로 사용한 것 이외에는, 시험예 1-1 과 동일하게 하여 수지 조성물을 조제하고 본 시험예의 시험 시료로 하였다.
·점도 측정
시험예 1-1 및 1-2 의 시험 시료에 대해 점도를 측정하였다. 점도 측정은, TA Instrument 제조의 레오미터 「ARES G2」 를 사용하여 실시하였다. 수지 조성물을 하측으로부터 φ75 ㎜ 의 스테이지, 상측으로부터 φ25 ㎜ 의 패러렐 플레이트 사이에 특정한 두께가 되도록 끼우고, 하부의 스테이지를 회전시켜, 시어 레이트 0.01 s-1 에서 100 s-1 까지의 범위의 점도를 측정하였다.
점도 특성을 측정할 때의 수지 조성물의 두께는, 체적 평균 입경의 10 배의 값이 0.1 ㎜ 이하인 경우에는, 0.1 ㎜ 로 하고, 체적 평균 입경의 10 배의 값이 0.1 ㎜ 이상인 경우에는, 체적 평균 입경의 10 배의 값을 두께로 한다. 결과를 도 1 에 나타낸다.
도 1 로부터 분명한 바와 같이, 시험예 1-1 의 점도는 시험예 1-2 의 점도의 5 분의 1 정도로까지 저하될 수 있는 것을 알 수 있었다.
·시험예 1-3
시험예 1-1 에 있어서의 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료를 90.5 질량부와, 수지 재료 9.5 질량부를 혼합하여 수지 조성물을 조제하고 본 시험예의 시험 시료로 하였다. 이 혼합비는, 시험예 1-2 의 시험 시료와 동일한 정도의 점도 (시어 레이트 0.05 s-1 에 있어서의 점도) 가 되도록 한 값이다. 시험예 1-3 의 시험 시료에 있어서의 점도 측정의 결과를 도 1 에 아울러 나타낸다. 시험예 1-3 의 시험 시료는, 시어 레이트 0.05 s-1 에 있어서는 시험예 1-2 의 시험 시료와 동일한 정도의 점도이지만, 그것보다 낮은 시어 레이트에 있어서는 점도가 전체적으로 낮았다.
·열전도율 측정
시험예 1-2 및 1-3 의 시험 시료에 대해 열전도율을 측정하였다. 열전도율의 측정은 각각의 시험 시료를 경화시킨 경화물을 φ20 ㎜ × 높이 30 ㎜ 의 시험편으로 잘라낸 후, 핫 디스크법으로, 교토 전자 공업 주식회사 제조 「TPS 2500S」 를 사용하여 측정하였다. 그 결과, 열전도율은, 시험예 1-2 가 1.518 W/m·K (밀도 2.69 g/㎤ : 평균값), 시험예 1-3 이 2.578 W/m·K (밀도 2.92 g/㎤ : 평균값) 가 되어, 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료를 사용한 시험예 1-3 의 시험 시료가, 금속 산화물 입자 재료를 그대로 사용한 시험예 1-2 의 시험 시료보다 70 % 이상이나 높은 열전도율을 나타내는 것이 분명해졌다. 이것은 점도의 저하 효과가 높고, 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료를 대량으로 함유시킬 수 있었기 때문으로 추측된다.
(시험 2 : 폴리오르가노실록산 화합물의 혼합량에 의한 점도의 변화)
·시험예 2-1 ∼ 2-3
금속 산화물 입자 재료로서 AO-509 대신에 AO-502 (아도마텍스 제조 : 알루미나 : 체적 평균 입경 0.2 ∼ 0.3 ㎛ : 비표면적 6.5 ∼ 9.0 ㎠/g) 를 사용하여, 폴리오르가노실록산 화합물의 혼합량을 1.0 % (시험예 2-1), 1.5 % (시험예 2-2), 2.5 % (시험예 2-3) 로 한 것 이외에는 시험예 1-1 과 동일한 방법에 의해 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료를 조제하였다.
이 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료 63.5 질량부, 수지 재료 (KE-106) 36.5 질량부를 혼합하여 얻어진 수지 조성물을 본 시험예의 시험 시료로 하였다.
·시험예 2-4
시험예 2-1 에서 사용한 금속 산화물 입자 재료 63.5 질량부, 수지 재료 36.5 질량부를 혼합하여 얻어진 수지 조성물을 본 시험예의 시험 시료로 하였다.
·점도 측정
시험예 2-1 ∼ 2-4 의 시험 시료에 대해 시험 1 과 동일하게 점도를 측정하였다. 결과를 도 2 에 나타낸다. 도 2 로부터 분명한 바와 같이, 표면 처리에 사용한 폴리오르가노실록산 화합물의 양이 많아짐에 따라 점도가 저하되는 것을 알 수 있었다. 단, 시험예 2-2 및 2-3 의 시험 시료의 점도가 거의 동등하므로 폴리오르가노실록산 화합물의 양은 1.5 % 에서 포화되어 있는 것이 추찰되었다.
·시험예 2-5
시험예 2-2 에 있어서의 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료를 76.9 질량부와, 수지 재료 23.1 질량부를 혼합하여 수지 조성물을 조제하고 본 시험예의 시험 시료로 하였다. 이 혼합비는, 시험예 2-4 의 시험 시료와 동일한 정도의 점도 (시어 레이트 0.05 s-1 에 있어서의 점도) 가 되도록 한 값이다.
·열전도율 측정
시험예 2-4 및 2-5 의 시험 시료에 대해 시험 1 과 동일하게 시험편을 제조하여 열전도율을 측정하였다. 그 결과, 열전도율은, 시험예 2-4 가 0.521 W/m·K (밀도 1.92 g/㎤ : 평균값), 시험예 2-5 가 0.756 W/m·K (밀도 2.23 g/㎤ : 평균값) 가 되어, 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료를 사용한 시험예 2-5 의 시험 시료가, 금속 산화물 입자 재료를 그대로 사용한 시험예 2-4 의 시험 시료보다 45 % 이상이나 높은 열전도율을 나타내는 것이 분명해졌다. 이것은 점도의 저하 효과가 높고, 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료를 대량으로 함유시킬 수 있었기 때문으로 추측된다.
(시험 3 : 폴리오르가노실록산 화합물의 화학 구조의 검토)
·시험예 3-1
시험예 1-1 과 동일한 방법으로 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료를 조제하여 얻어진 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료를 85 질량부, 수지 재료를 15 질량부를 혼합하여 본 시험예의 시험 시료로 하였다.
·시험예 3-2
폴리오르가노실록산 화합물 대신에, Me3SiO-(SiMe2-O)p-(SiMeX-O)q-(SiMeY-O)r-SiMe3 (식 중, X 는, -R1-(SiMe2-O)a-SiMe3 ; Y 는, -R2-Si(OEt)3 : R1 및 R2 는 알킬렌기 : 분자량은 약 5000) 을 사용한 것 이외에는 시험예 3-1 과 동일하게 하여 수지 조성물을 조제하고 본 시험예의 시험 시료로 하였다.
·시험예 3-3
폴리오르가노실록산 화합물 대신에, (MeO)3SiO-(SiMe(OMe)-O-SiMe(OMe))n-O-Si(OMe)3 (분자량은 약 2430) 을 사용한 것 이외에는 시험예 3-1 과 동일하게 하여 수지 조성물을 조제하고 본 시험예의 시험 시료로 하였다.
·시험예 3-4
표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료 대신에, 금속 산화물 입자 재료를 그대로 사용한 것 이외에는 시험예 3-1 과 동일하게 수지 조성물을 조제하고 본 시험예의 시험 시료로 하였다.
·점도 측정 및 열적 안정성의 평가
시험 1 과 동일한 방법으로 시험예 3-1 ∼ 3-4 의 시험 시료에 대해 점도를 측정하였다. 도 3 에 결과를 나타낸다. 시험예 3-3 의 시험 시료에 대해서는 점도가 매우 높아 측정할 수 없었다. 도 3 으로부터 분명한 바와 같이, 시험예 3-1 및 3-2 에 대해서는, 표면 처리를 실시하지 않은 시험예 3-4 보다 대폭 점도가 저하되는 것을 알 수 있었다.
시험예 3-1 및 3-2 의 시험 시료에 대해 열적 안정성을 평가하였다. 열적 안정성의 평가는, RIGAKU 사 제조 THRMO PLUS 시리즈 TG-DTA TG8120 을 사용하여, 25 ℃ 의 환경하에서 250 ℃ 까지 승온시켰을 때의 표면 처리제의 중량의 감소율을 구함으로써 실시하였다. 승온 속도는 5 ℃/min 으로, 100 ℃, 150 ℃, 200 ℃, 250 ℃ 에서 각각 1 시간 온도를 킵하였다. 그 결과, 시험예 3-1 에 사용한 표면 처리제의 측정 개시시의 중량은 14.660 ㎎ 이고, 측정 종료 후의 중량은 13.752 ㎎ 이었다. 감소한 중량은 0.90756 ㎎ 이기 때문에, 중량 감소율은 6.2 % 이다. 시험예 3-2 에 사용한 표면 처리제의 측정 개시시의 중량은 18.490 ㎎ 이고, 측정 종료 후의 중량은 12.726 ㎎ 이었다. 감소한 중량은 5.764 ㎎ 이기 때문에, 중량 감소율은 31 % 이다. 시험예 3-1 의 표면 처리제는 중량 감소율이 10 % 이하의 값을 나타내고 있으며, 시험예 3-2 의 표면 처리제와 비교하여 열적 안정성이 높은 것을 알 수 있었다. 이것은 시험예 3-2 에서 사용한 표면 처리제의 화학 구조에 있어서의 주사슬 중에 알킬렌기가 존재하므로, 그 알킬렌기가 열에 의해 분해되는 것에서 유래하는 것으로 추측할 수 있다.
(시험 4)
금속 산화물 입자 재료로서 알루미나로 구성된 입자 재료를 채용하였다. 체적 평균 입경은, 3 ㎛, 10 ㎛, 70 ㎛, 100 ㎛ 의 것을 채용하였다. 이들 금속 산화물 입자 재료에 대해, 폴리오르가노실록산 화합물 (시험예 1-1 의 것) 을 여러 가지 혼합량으로서 표면 처리를 실시하고, 각각의 비율로 수지 재료와 혼합한 수지 조성물에 대해 시험 1 에 기재한 방법으로 점도를 측정하였다. 또, 각각의 입경마다, 폴리오르가노실록산 화합물의 혼합량과, 시어 레이트 0.05 s-1 에 있어서의 점도를 플롯하였다. 각각 결과를 도 4 ∼ 도 11 에 나타낸다.
도 4 및 도 5 로부터 분명한 바와 같이, 입경이 3 ㎛ 에서는 폴리오르가노실록산 화합물의 혼합량이 0.25 %, 0.5 % 로 증가함에 따라 점도가 저하되는 것을 알 수 있었다. 특히 0.25 % 의 첨가에서의 점도 저하에 비해 0.5 % 첨가에서의 점도 저하가 현저하였다.
도 6 및 도 7, 도 8 및 도 9, 그리고 도 10 및 도 11 로부터 분명한 바와 같게, 입경이 10 ㎛, 70 ㎛, 및 100 ㎛ 에서는 폴리오르가노실록산 화합물의 혼합량이 0.1 % 이상이면 모두 동등한 점도를 나타내고 있고, 0.1 % 전후의 혼합량에 의해 금속 산화물 입자 재료의 표면을 충분히 개질할 수 있는 것을 알 수 있었다. 또한, 입경이 100 ㎛ 에서는 0.1 % 에서 0.5 % 에 걸친 점도가 0 % 및 1.0 % 인 경우와 비교하여 저하되어 있고, 이 첨가량에서의 점도 저하 효과가 있는 것이 시사되었다 (도 10).
(시험 5 : 표면 처리제의 화학 구조)
·시험예 5-1
폴리오르가노실록산 화합물로서 일반식 (1) 에 있어서의 n 이 10 인 것을 채용한 것 이외에는, 시험예 1-1 과 동일하게 하여 수지 조성물을 조제하고 본 시험예의 시험 시료로 하였다.
·시험예 5-2
시험예 1-1 과 동일하게 하여 수지 조성물을 조제하고 본 시험예의 시험 시료로 하였다 (일반식 (1) 에 있어서의 n 이 30).
·시험예 5-3
폴리오르가노실록산 화합물로서 일반식 (1) 에 있어서의 n 이 60 인 것을 채용한 것 이외에는, 시험예 1-1 과 동일하게 하여 수지 조성물을 조제하고 본 시험예의 시험 시료로 하였다.
·시험예 5-4
시험예 1-2 의 시험 시료를 본 시험예의 시험 시료로 하였다.
·시험예 5-5
(RO)3SiO-(SiR2-O-)10-Si(OR)3 을 표면 처리제로서 사용한 것 이외에는 시험예 1-1 과 동일한 방법으로 수지 조성물을 조제하고 본 시험예의 시험 시료로 하였다.
·점도 측정
시험 1 과 동일하게 점도를 측정하였다. 결과를 도 12 에 나타낸다. 또, 각각의 시험예마다, n 의 값과, 시어 레이트 0.05 s-1 에 있어서의 점도를 플롯하고 도 13 에 나타낸다.
도 12 및 도 13 으로부터 분명한 바와 같이, n 의 값이 커짐에 따라 점도가 저하되는 것을 알 수 있었다. 또, 시험예 5-1 의 폴리오르가노실록산 화합물의 편말단이 -SiMe3 이므로, 그 부분을 -Si(OMe)3 으로 치환한 시험예 5-5 의 시험 시료에서는 시험예 5-1 과 비교하여 점도가 수 배가 되는 것을 알 수 있었다. 양 말단 모두 반응성이 있는 -Si(OMe)3 으로 함으로써 복수 입자간을 접속하게 되어 얽힘 발생에 의한 점도 상승이 일어나는 것으로 추측할 수 있다.
(시험 6 : 표면 처리제 및 제 2 표면 처리제의 검토)
금속 산화물 입자 재료로서 시험예 1-1 에서 채용한 알루미나 입자, 표 1 에 기재된 제 1 회째의 표면 처리제 (1.5 질량%) 및 제 2 회째의 표면 처리제 (처리량은 알루미나 입자의 비표면적으로부터 알루미나를 2 층 처리하는 양을 산출) 의 순서로 시험예 1-1 의 방법으로 반응시킨 것에 대해 비유전률과 유전 정접을 측정하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다. 비유전률과 유전 정접의 측정은, 네트워크 애널라이저 (키사이트사 제조, E5071C) 와 공동 공진기 섭동법을 사용하여, 1 ㎓ 에 있어서의 비유전률, 유전 정접으로서 측정하였다. 이 측정은 ASTMD2520 (JIS C2565) 에 준거하여 실시하였다.
Figure 112020128427291-pct00001
표 1 로부터 분명한 바와 같이, 유전율은 모든 시험예에 대해 12 F/m 전후이고, 실리카의 유전율 (3.7 ∼ 3.9) 과 비교하면 충분히 높다. 또, 시험예 6-1 ∼ 6-3 및 6-7 이 유전 정접이 낮았다. 따라서, 표면 처리제로는 일반식 (1) 의 폴리오르가노실록산 화합물, 비닐실란, 및 양자를 병용하는 것이 바람직한 것을 알 수 있었다. 또한, 일반식 (1) 의 폴리오르가노실록산 화합물은 비닐실란과 비교하여 열적 안정성이 우수한 것을 확인하였다. 상기의 것으로부터 유전율은 높은 값을 유지하면서, 유전 정접이 낮은 재료인 것을 알 수 있다.
(시험 7 : 금속 산화물 입자 재료의 입경의 검토)
금속 산화물 입자 재료로서 표 2 에 나타내는 체적 평균 입경을 갖는 알루미나 입자를 시험 6 과 동일하게 하여 각각 유전율과 유전 정접을 측정하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.
시험예 7-1 및 7-4 는 순도가 99.8 %, 시험예 7-2 및 7-5 는 순도가 99.9 %, 시험예 7-3 및 7-6 은 순도가 99.99 % 이다. 시험예 7-7 ∼ 7-11 에 대해서는 순도가 99.0 % 이다.
Figure 112020128427291-pct00002
표 2 로부터 분명한 바와 같이, 시험예 7-1 ∼ 7-6 의 결과로부터 유전율 및 유전 정접은 순도에 의한 영향은 없는 것을 알 수 있었다. 또 입경이 작을수록 유전 정접이 커지는 것을 알 수 있었다. 이것은 입경이 작은 입자쪽이 비표면적이 크고, 흡착수량도 비례하여 많아져, 그 흡착수에서 기인하는 것이 원인으로 생각되고 있다. 공기 중의 수분이 입자에 흡착되는 (세공에 도입되는) 속도는 매우 빨라, 800 ℃ 정도의 고온에서 소성하여 흡착수를 제거했을 경우에도, 공기 중에 취출하면 바로 공기 중의 수분이 흡착된다. 이번에, 각각 폴리오르가노실록산 화합물에 의한 표면 처리에 의해 유전 정접이 저하되어 있는 것을 확인하고 있는데, 폴리오르가노실록산 화합물에 의해 수분의 흡착이 억제된 결과인 것으로 추측할 수 있다.
(시험 8)
·시험예 8-1 ∼ 8-3
시험예 1-1 및 1-2 의 수지 조성물을 각각 시험예 8-1 및 8-2 의 시험 시료로 하였다.
금속 산화물 입자 재료, 폴리오르가노실록산 화합물, 수지 재료를 한 번에 혼합 (인티그럴 블렌드) 하여 얻어진 수지 조성물을 시험예 8-3 의 시험 시료로 하였다.
·점도 측정
시험 1 과 동일한 방법으로 점도를 측정하였다. 결과를 도 14 에 나타낸다. 도 14 로부터 분명한 바와 같이, 시험예 8-1 과 같이, 금속 산화물 입자 재료를 미리 폴리오르가노실록산 화합물에 의해 표면 처리함으로써, 한 번에 혼합하여 얻어지는 수지 조성물과 비교하여 점도를 저하시킬 수 있는 것이 분명해졌다.
(시험 9)
시험예 6-9 (표면 처리 없음) 를 시험예 9-1, 시험예 6-1 (일반식 (1) 로 처리) 을 시험예 9-2, 시험예 6-3 (비닐실란으로 처리) 을 시험예 9-3, 시험예 6-7 (하이드로실릴기 함유 실리콘으로 처리) 을 시험예 9-4, 그리고 시험예 6-5 의 수지 조성물을 시험예 9-5 로 하여, 각각 시험 1 의 방법으로 점도를 측정하였다. 결과를 도 15 에 나타낸다. 또, 그들의 시험 시료에 대해 시어 레이트 0.05 s-1 에 있어서의 점도의 값을 도 16 에 나타낸다.
도 15 및 16 으로부터 분명한 바와 같이, 시험예 9-2 (일반식 (1) 의 폴리오르가노실록산 화합물), 시험예 9-3 (비닐실란) 의 수지 조성물의 점도가 표면 처리를 실시하지 않은 시험예 9-1 과 비교하여 저하되는 것을 알 수 있었다. 또, 시험예 9-5 (메타크릴실란 처리) 에 대해서는 표면 처리를 실시하지 않은 시험예 9-1 보다 점도가 상승해 버렸다.

Claims (8)

  1. 알루미나로 이루어지는 금속 산화물 입자 재료와,
    상기 금속 산화물 입자 재료를 표면 처리하는, 일반식 (1) : (RO)3SiO-(SiR2-O-)n-SiR3 (일반식 (1) 중, R 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기에서 각각 독립적으로 선택할 수 있다. n 은 10 이상 200 이하이다) 으로 나타내는 폴리오르가노실록산 화합물을 갖고,
    수지 재료와 혼합 가능한 상태인 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 산화물 입자 재료는, 체적 평균 입경이 0.1 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하이고,
    상기 폴리오르가노실록산 화합물의 양은, 상기 금속 산화물 입자 재료의 질량을 기준으로 하여, 0.05 % 이상 3.0 % 이하인 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    비닐기, 혹은 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기를 갖는 실란 화합물, 또는 오르가노실라잔으로 이루어지는 제 2 표면 처리제로 추가로 표면 처리되어 있는 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료.
  4. 체적 평균 입경이 0.1 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하이고 알루미나로 이루어지는 금속 산화물 입자 재료에 대해, 상기 금속 산화물 입자 재료의 질량을 기준으로 하여, 0.05 % 이상 3.0 % 이하이고, 일반식 (1) : (RO)3SiO-(SiR2-O-)n-SiR3 (일반식 (1) 중, R 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기에서 각각 독립적으로 선택할 수 있다. n 은 10 이상 200 이하이다.) 으로 나타내는 폴리오르가노실록산 화합물을 혼합하여 혼합물을 얻는 혼합 공정과,
    상기 혼합물을 5 ℃ 이상 100 ℃ 이하의 온도에서 1 시간 이상 168 시간 이하 유지하여 반응시키는 표면 처리 공정을 갖는 수지 재료와 혼합 가능한 상태의 입자를 제조하는 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료의 제조 방법.
  5. 체적 평균 입경이 0.1 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하인 금속 산화물 입자 재료에 대해, 상기 금속 산화물 입자 재료의 질량을 기준으로 하여, 0.05 % 이상 3.0 % 이하이고, 일반식 (1) : (RO)3SiO-(SiR2-O-)n-SiR3 (일반식 (1) 중, R 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기에서 각각 독립적으로 선택할 수 있다. n 은 10 이상 200 이하이다.) 으로 나타내는 폴리오르가노실록산 화합물을 혼합하여 혼합물을 얻는 혼합 공정과,
    상기 혼합물을 5 ℃ 이상 100 ℃ 이하의 온도에서 1 시간 이상 168 시간 이하 유지하여 반응시키는 표면 처리 공정을 갖고,
    또한, 비닐기, 혹은 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기를 갖는 실란 화합물, 또는 오르가노실라잔으로 이루어지는 제 2 표면 처리제로 상기 금속 산화물 입자 재료를 표면 처리하는 제 2 표면 처리 공정을 갖는 수지 재료와 혼합 가능한 상태의 입자를 제조하는 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료의 제조 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료와,
    상기 표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료를 분산시키는 실리콘 수지 재료를 갖는 전자 재료용 수지 조성물.
  7. 제 6 항에 있어서,
    비닐기, 혹은 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기를 갖는 실란 화합물, 또는 오르가노실라잔으로 이루어지는 제 2 표면 처리제로 추가로 표면 처리되어 있는 전자 재료용 수지 조성물.
  8. 금속 산화물 입자 재료와,
    상기 금속 산화물 입자 재료와 직접 결합하고 있는, 일반식 (1) : (RO)3SiO-(SiR2-O-)n-SiR3 (일반식 (1) 중, R 은 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기에서 각각 독립적으로 선택할 수 있다. n 은 10 이상 200 이하이다) 으로 나타내는 폴리오르가노실록산 화합물을 갖고,
    상기 금속 산화물 입자 재료는, 체적 평균 입경이 0.1 ㎛ 이상 200 ㎛ 이하이고,
    상기 폴리오르가노실록산 화합물의 양은, 상기 금속 산화물 입자 재료의 질량을 기준으로 하여, 0.05 % 이상 3.0 % 이하이고,
    비닐기, 혹은 탄소수 1 ∼ 3 의 알킬기를 갖는 실란 화합물, 또는 오르가노실라잔으로 이루어지는 제 2 표면 처리제로 추가로 표면 처리되어 있어도 되고,
    표면 처리가 끝난 금속 산화물 입자 재료로 이루어지는 실리콘 수지 재료용의 필러.
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