KR102258027B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 기재의 기판 처리 장치는 내부 공간을 포함하는 챔버 부재; 상기 챔버 부재의 내부 공간에 위치되고, 하나 이상의 관통홀을 포함하며, 열을 발생시켜서 기판을 가열하는 가열 부재; 및 상기 관통홀을 관통하여 상기 기판을 지지하며, 상기 가열 부재에 대한 상기 기판의 높이가 변경될 수 있도록 승강되는 지지 유닛; 포함한다.

Description

기판 처리 장치{Substrate treatment apparatus}
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 웨이퍼 등의 기판을 처리하는데 사용되는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정의 포토리소그래피 공정에서는, 기판 상에 레지스트막을 도포한 후 레지스트막을 경화시키거나 세척된 기판을 건조시키는 등의 목적으로 열처리 장치에 의한 가열 처리가 진행된다.
열처리 장치는 가열원으로서 기능하는 히터를 구비하며, 히터 상에 기판 재치대가 마련된다. 따라서, 기판 재치대 상에 가열 처리의 대상이 되는 기판을 탑재해 히터로부터의 열을 기판에 부여하도록 하고 있다.
그러나 상기한 방식의 열처리 장치는 기판 재치대 상면에 기판이 밀착된 상태에서 공정을 진행하게 되므로 레지스트막에 기판 재치대의 흔적이 남는 문제나 열처리 후에 기판을 기판 재치대에서 반출할 때 박리 대전이 발생하는 등의 문제가 있었다.
이러한 문제를 해소하기 위해, 도 1 및 도 2와 같은 프록시미티(Proximity) 방식의 열처리 장치가 제안되어 있다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 프록시미티 방식의 열처리 장치는 공정 챔버(10) 내에 복수의 핀홀(21)이 형성된 핫플레이트(hot plate, 20)가 구비되어 있고, 핀홀(21)에는 기판의 승강을 위한 리프트 핀(lift pin, 30)이 승강 가능하도록 구비되어 있다. 또한, 리프트 핀(30)과 간섭되지 않는 위치에 공정을 진행하는 동안 기판이 안착되는 복수의 프록시미티 핀(proximity pin, 22)이 배치되어 있다.
따라서, 리프트 핀(30)에 의해 하강된 기판은 프록시미티 핀(22)에 안착되고, 리프트 핀(30)은 핫플레이트(20)의 하측으로 하강하게 된다. 이때, 프록시미티 핀(22)은 핫플레이트(20)의 상면에서 상방으로 일부분이 돌출된 상태로 구성되며, 이에 따라 기판은 핫플레이트(20)에서 소정 간격만큼 상측에 위치하게 된다.
이와 같은 상태에서 히터가 발열하면 그 열은 핫플레이트(20)를 가열하고, 핫플레이트(20)와 기판 사이의 공간을 통해 열이 기판으로 제공됨으로써 기판은 간접적으로 가열 처리된다.
한편, 공정 진행 후 기판 이송을 위해 프록시미티 핀(22)에 안착된 기판을 상승시킬 때, 도 3과 같이 기판과 핫플레이트(20) 사이에 순간적인 음압이 발생하여 기판의 에지 부분에 진동이나 충격 등의 스퀴즈 이펙트(squeeze effect)가 발생할 수 있다. 이러한 스퀴즈 이펙트는 기판의 위치 틀어짐에 의한 공정 에러, 가공 균일도 저하 등을 유발할 수 있다.
스퀴즈 이펙트는 기판과 핫플레이트(20) 사이의 간격이 작을수록 커지므로, 프록시미티 핀(22)의 높이를 증가시키면 스퀴즈 이펙트를 감소시킬 수 있으나, 프록시미티 핀(22)의 높이를 증가시킬 경우 핫플레이트(20)로부터 기판으로의 열전달 효과가 감소되어 공정 효율이 저하될 수 있다.
한국공개특허 제2003-0055903호
본 발명의 목적은 열처리 공정 후 기판과 핫플레이트 사이의 음압에 의한 스퀴즈 이펙트를 최소화할 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 열처리 공정 시 기판의 가공 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 일 측면에 따른 기판 처리 장치는 내부 공간을 포함하는 챔버 부재; 상기 챔버 부재의 내부 공간에 위치되고, 하나 이상의 관통홀을 포함하며, 열을 발생시켜서 기판을 가열하는 가열 부재; 및 상기 관통홀을 관통하여 상기 기판을 지지하며, 상기 가열 부재에 대한 상기 기판의 높이가 변경될 수 있도록 승강되는 지지 유닛; 포함한다.
한편, 상기 지지 유닛은, 베이스부와, 상기 베이스부에 결합되고, 상하방향으로 위치되며, 상기 관통홀을 통하여 승강되고, 기판과 접촉되는 접촉부를 포함하는 지지 부재; 상기 지지 부재를 승강시키는 구동 부재; 및 상기 구동 부재의 동작을 제어하는 제어부;를 포함할 수 있다.
한편, 상기 베이스부는 원판 형상이고, 상기 접촉부는 막대 형상이고, 상기 베이스부의 중심을 기준으로 일정 각도마다 위치될 수 있다.
한편, 상기 제어부는, 기판이 외부로부터 반입되는 경우, 상기 지지 부재의 단부가 제1 높이까지 상승하여 기판을 지지할 수 있도록 상기 구동 부재를 제어하고, 상기 가열 부재가 기판을 가열하는 경우, 상기 지지 부재의 단부가 제1 높이로부터 제2 높이로 하강하여 기판이 상기 가열 부재에 인접하게 위치되도록 상기 구동 부재를 제어할 수 있다.
한편, 상기 지지 부재에 연결되고, 상기 지지 부재가 기판을 지지한 상태에서 상기 지지 부재를 통하여 기판으로 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 가스 공급 유닛은, 상기 지지 부재 내부를 관통하고, 가스를 이송하는 가스 이송부; 및 상기 가스 이송부로 가스를 공급하는 가스 공급부;를 포함할 수 있다.
한편, 상기 가스 공급 유닛은 기판에 불활성 가스를 공급할 수 있다.
한편, 상기 불활성 가스는 아르곤, 헬륨, 네온 중 선택된 어느 하나일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 지지 유닛을 포함한다. 지지 유닛은 챔버 부재로 유입되는 기판을 지지하기도 하고, 기판을 지지하는 상태에서 공정이 실시되도록 할 수 있다.
그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 종래의 기판 처리 장치에 포함된 프록시미티 핀을 포함하지 않으므로, 전체적인 구성을 단순화시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 종래의 기판 처리 장치와 비교하여 기판에 가해지는 음압을 감소시킬 수 있으므로 공정 에러를 최소화할 수 있다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 종래의 기판 처리 장치를 도시한 평면도이다.
도 2는 종래의 기판 처리 장치를 도시한 단면도이다.
도 3은 종래의 기판 처리 장치의 문제점을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 분해사시도이다.
도 5는 기판 처리 장치에 포함된 가열 부재를 도시한 평면도이다.
도 6은 기판이 지지 유닛에 의하여 부재가 제1 높이로 상승된 상태를 도시한 도면이다.
도 7은 기판이 지지 유닛에 의하여 제2 높이로 하강된 상태를 도시한 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 의한 기판 처리 장치를 도시한 단면도이다.
도 9은, 도 8의 기판 처리 장치에 포함된 접촉부의 수평 단면의 다양한 형상들을 도시한 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 여러 실시예들에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적인 실시예에서만 설명하고, 그 외의 다른 실시예에서는 대표적인 실시예와 다른 구성에 대해서만 설명하기로 한다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐만 아니라, 다른 부재를 사이에 두고 "간접적으로 연결"된 것도 포함한다. 또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 4 내지 도 6을 참고하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 챔버 부재(110)와, 가열 부재(120) 및 지지 유닛(130)을 포함한다.
챔버 부재(110)는 일반적인 기판 처리 장치에 포함된 다양한 챔버 중 하나일 수 있다. 챔버 부재(110)는 반도체 제조 공정 중 열처리 공정을 진행하기 위한 것일 수 있다. 예를 들면, 챔버 부재(110)는 포토리소그래피 공정을 수행하는 베이크 챔버일 수 있다.
베이크 챔버는 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판을 목표 온도로 가열하여 기판 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(pre-bake) 공정이나 포토 레지스트를 기판 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft-bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행할 수 있다. 예를 들어, 기판은 베이크 챔버에서 130도 정도로 가열될 수 있다.
이하에서는 설명의 편의를 위하여 전술한 챔버 부재(110)는 일반적인 기판 처리 장치에 포함된 베이크 챔버인 것으로 한정하여 설명하기로 한다.
이와 같은 챔버 부재(110)는 기판(S)을 처리하는 내부 공간과, 상기 내부 공간으로 상기 기판(S)이 출입될 수 있게 하는 출입구(미도시)를 포함할 수 있다.
가열 부재(120)는 상기 챔버 부재(110)의 내부 공간에 위치된다. 가열 부재(120)는 하나 이상의 관통홀(121)을 포함한다. 관통홀(121)은 가열 부재(120)를 상하방향으로 관통할 수 있다. 관통홀(121)은 복수개일 수 있다. 관통홀(121)은 3개일 수 있다. 3개의 관통홀(121)은 가열 부재(120)의 중심을 기준으로 일정한 각도마다 위치될 수 있다.
후술할 지지 유닛(130)의 일부분이 관통홀(121)을 통하도록 위치된 상태에서 상승 또는 하강될 수 있다. 이러한 지지 유닛(130)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
가열 부재(120)는 열을 발생시켜서 기판(S)을 가열한다. 이를 위한 가열 부재(120)는 일례로 발열 코일(미도시)을 포함할 수 있다. 기판(S)이 후술할 지지 유닛(130)에 의해 가열 부재(120)에 일정 거리 이격된 상태에서, 가열 부재(120)에서 발생된 열이 가열 부재(120)와 기판(S) 사이의 공간을 통하여 기판(S)에 전달될 수 있다. 즉, 기판(S)은 복사열에 의해 간접적으로 가열되면서 열처리 공정이 실시될 수 있다.
이를 위한 가열 부재(120)는 일례로 기판(S)의 형상에 대응되는 평판 형상일 수 있다. 기판(S)이 원형의 웨이퍼인 경우, 가열 부재(120)도 웨이퍼와 유사한 크기의 원판 형상일 수 있다. 이와 다르게, 기판(S)이 사각형의 유리 기판인 경우, 가열 부재(120)도 유리 기판과 유사한 형상일 수 있다.
지지 유닛(130)은 상기 관통홀(121)을 관통하여 상기 기판(S)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(130)은 상기 가열 부재(120)에 대한 상기 기판(S)의 높이가 변경될 수 있도록 승강된다.
지지 유닛(130)은 상기 기판(S)의 높이를 변경할 수 있다. 즉, 지지 유닛(130)은 가열 부재(120)를 기준으로 가까워지거나 멀어지도록 기판(S)을 상하방향으로 이동시킬 수 있다.
이를 위한 지지 유닛(130)은 지지 부재(131), 구동 부재(134) 및 제어부(135)를 포함할 수 있다.
지지 부재(131)는 후술할 구동 부재(134)에 의해 관통홀(121)을 관통하여 상승 또는 하강할 수 있다. 이를 위한 지지 부재(131)는 베이스부(133)와 접촉부(132)를 포함할 수 있다.
베이스부(133)는 도면에 도시된 방향을 기준으로 가열 부재(120)보다 아래에 위치될 수 있다. 접촉부(132)는 상기 베이스부(133)에 결합되고, 상하방향으로 위치되며, 상기 관통홀(121)을 통하여 승강될 수 있다. 관통홀(121)은 베이스부(133)에 직교하도록 위치될 수 있다.
접촉부(132)의 직경은 관통홀(121)의 내경과 동일하거나 관통홀(121)의 내경보다 작게 형성될 수 있다. 접촉부(132)는 기판(S)과 접촉될 수 있다.
접촉부(132)는 가열 부재(120)의 관통홀(121)을 통해 승강하여 기판(S)을 지지한다. 기판(S)이 챔버 부재(110) 내부로 유입되면, 접촉부(132)의 상단(자유단)이 기판(S)의 하면과 접촉될 수 있다. 기판(S)은 접촉부(132)에 의해 지지되어 챔버 부재(110) 내부 공간의 특정 높이에 안정적으로 위치될 수 있다.
이와 같은 접촉부(132)의 단부의 형상은 뿔 형상 또는 반원 형상일 수 있다. 따라서, 접촉부(132)와 기판(S)의 접촉 면적을 최소화할 수 있다. 그러므로, 열처리 공정 진행 시 접촉부(132)와 기판(S) 사이의 열전도가 최소화되어 온도 균일도를 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 베이스부(133)는 일례로 원판 형상일 수 있다. 베이스부(133)는 가열 부재(120)에 대해 평행하게 위치될 수 있다. 이때, 상기 접촉부(132)는 막대 형상이고, 상기 베이스부(133)의 중심을 기준으로 일정 각도마다 위치될 수 있다. 다만, 베이스부(133)와 접촉부(132)의 형상이 이와 같은 형상으로 이루어진 것으로 한정하지는 않는다.
구동 부재(134)는 상기 지지 부재(131)를 승강시킬 수 있다. 구동 부재(134)는 일례로 유압 실린더, 공압 실린더 및 선형 모터 등 대상물을 승강시킬 수 있는 것이면 어느 것이든 무방할 수 있다.
다만, 구동 부재(134)가 지지 유닛(130)의 승강 속도를 가변적으로 조절할 수 있게 하는 스텝 모터 등을 포함하는 경우, 공정 상황에 따라 가열 부재(120)와 기판(S) 사이의 간격을 보다 용이하게 조절할 수 있다. 이에 따라, 공정 진행 후 기판(S)의 상승 구동시 상승 속도를 최적화할 수 있으므로, 종래의 기판 처리 장치와 비교하여 기판(S)에 가해지는 음압을 최소화할 수 있다.
구동 부재(134)가 지지 부재(131)를 승강시키면, 지지 부재(131)에 의해 지지된 기판(S)도 승강될 수 있다. 이와 반대로 구동 부재(134)가 지지 부재(131)를 하강시키면, 지지 부재(131)에 의해 지지된 기판(S)도 하강될 수 있다.
제어부(135)는 상기 구동 부재(134)의 동작을 제어할 수 있다. 제어부(135)는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)를 전반적으로 제어하는데 사용되는 것일 수 있다. 제어부(135)는 일례로 마이크로프로세서일 수 있다.
이와 같은 제어부(135)가 구동 부재(134)를 제어하는 과정을 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 기판(S)이 외부로부터 챔버 부재(110)의 출입구(미도시)를 통하여 반입되는 경우, 상기 제어부(135)는 상기 지지 부재(131)의 단부가 제1 높이까지 상승하여 기판(S)을 지지할 수 있도록 상기 구동 부재(134)를 제어할 수 있다.
그리고, 도 7에 도시된 바와 같이, 상기 가열 부재(120)가 기판(S)을 가열하는 경우, 상기 제어부(135)는 상기 지지 부재(131)의 단부가 제1 높이로부터 제2 높이로 하강하여 기판(S)이 상기 가열 부재(120)에 인접하게 위치되도록 상기 구동 부재(134)를 제어할 수 있다. 즉, 기판(S)이 가열 부재(120)의 상면과 일정 거리가 되면, 제어부(135)는 구동 부재(134)의 구동을 정지한다. 이후, 가열 부재(120)는 열을 발생시키고, 기판(S)이 가열되면서 열처리 공정이 진행될 수 있다.
여기서, 제1 높이는 챔버 부재(110)의 출입구(미도시)와 대응되는 높이일 수 있다. 그리고, 제2 높이는 가열 부재(120)에서 발생된 열이 기판(S)에 안정적으로 전달되어 기판(S)이 적당한 열로 가열될 수 있게 하는 높이일 수 있다. 제1 높이와 제2 높이는 기판 처리 장치(100)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있으므로, 특정 높이로 한정하지는 않는다.
전술한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 지지 유닛(130)을 포함한다. 지지 유닛(130)은 챔버 부재(110)로 유입되는 기판(S)을 지지하기도 하고, 기판(S)을 지지하는 상태에서 공정이 실시되도록 할 수 있다.
그리고, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 종래의 기판 처리 장치에 포함된 프록시미티 핀을 포함하지 않으므로, 전체적인 구성을 단순화시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(100)는 종래의 기판 처리 장치와 비교하여 기판(S)에 가해지는 음압을 감소시킬 수 있으므로 공정 에러를 최소화할 수 있다.
도 8을 참고하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 기판 처리 장치(200)는 가스 공급 유닛(140)을 더 포함할 수 있다.
가스 공급 유닛(140)은 상기 지지 부재(131)에 연결되고, 상기 지지 부재(131)가 기판(S)을 지지한 상태에서 상기 지지 부재(131)를 통하여 기판(S)으로 가스를 공급할 수 있다. 이를 위한 가스 공급 유닛(140)은 일례로 가스 이송부(141)와 가스 공급부(142)를 포함할 수 있다.
가스 이송부(141)는 상기 지지 부재(131) 내부를 관통하고, 가스를 이송할 수 잇다. 즉, 가스 이송부(141)는 베이스부(133)와 접촉부(132)의 내부를 관통할 수 있고, 접촉부(132)는 가스를 기판(S)의 저면에 토출할 수 있다. 한편, 도 9의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 접촉부(132) 내부에서의 가스 이송부(141)의 형상은 다양한 형상일 수 있으므로, 특정 형상으로 한정하지는 않는다.
도 8로 되돌아가서, 가스 공급부(142)는 상기 가스 이송부(141)로 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급부(142)는 가스를 저장하고 있다가, 기판(S)으로 가스의 분사가 필요한 경우 가스 이송부(141)를 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급부(142)는 가스를 저장하는 저장 탱크(미도시)와, 저장 탱크에 저장된 가스의 배출을 제어하는 밸브(미도시)를 포함할 수 있다.
한편, 도면에서는 가스 공급부(142)가 챔버 부재(110)의 내부에 위치된 것으로 도시하였으나, 이에 한정하지는 않으며, 가스 공급부(142)는 챔버 부재(110)의 외부에 위치되고, 가스 이송부(141)와 별도의 배관으로 연결된 것도 가능할 수 있다.
이와 같은 가스 공급 유닛(140)은 기판(S)에 불활성 가스를 공급할 수 있다. 불활성 가스는 일례로 아르곤, 헬륨, 네온 중 선택된 어느 하나일 수 있다.
기판(S)이 지지 유닛(130)에 의해 지지된 상태에서 가열 부재(120)가 기판(S)을 가열하면, 가스 공급 유닛(140)은 불활성 가스를 지지 부재(131)를 통하여 기판(S)의 저면에 공급할 수 있다. 이에 따라, 기판(S) 전체적으로 온도 균일도가 향상될 수 있고, 결과적으로 공정 수율이 증가될 수 있다.
이상에서 본 발명의 여러 실시예에 대하여 설명하였으나, 지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
100: 기판 처리 장치
110: 챔버 부재 120: 가열 부재
121: 관통홀 130: 지지 유닛
131: 지지 부재 132: 접촉부
133: 베이스부 134: 구동 부재
135: 제어부 140; 가스 공급 유닛
141: 가스 이송부 142: 가스 공급부

Claims (8)

  1. 내부 공간을 포함하는 챔버 부재;
    상기 챔버 부재의 내부 공간에 위치되고, 하나 이상의 관통홀을 포함하며, 열을 발생시켜서 기판을 가열하는 가열 부재;
    상기 관통홀을 관통하여 상기 기판을 지지하며, 상기 가열 부재에 대한 상기 기판의 높이가 변경될 수 있도록 승강되는 지지 부재와; 상기 지지 부재의 승하강을 제어하는 제어부를 포함하는 지지 유닛; 및
    상기 지지 부재에 연결되고, 상기 지지 부재를 통하여 기판으로 불활성 가스를 공급하는 가스 공급 유닛을 포함하며,
    상기 제어부가 상기 가열 부재에 인접하도록 설정된 위치로 상기 지지 부재를 통해 기판을 이동시킨 상태에서 상기 가열 부재를 통해 기판을 가열하면서 상기 가스 공급 유닛이 상기 지지 부재를 통해 기판에 선택적으로 가스를 공급함으로써 기판 전체의 온도 균일도를 유지하도록 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지 유닛은,
    베이스부와, 상기 베이스부에 결합되고, 상하방향으로 위치되며, 상기 관통홀을 통하여 승강되고, 기판과 접촉되는 접촉부를 포함하는 지지 부재;
    상기 지지 부재를 승강시키는 구동 부재; 및
    상기 구동 부재의 동작을 제어하는 제어부;를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 베이스부는 원판 형상이고,
    상기 접촉부는 막대 형상이고, 상기 베이스부의 중심을 기준으로 일정 각도마다 위치되는 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는,
    기판이 외부로부터 반입되는 경우, 상기 지지 부재의 단부가 제1 높이까지 상승하여 기판을 지지할 수 있도록 상기 구동 부재를 제어하고,
    상기 가열 부재가 기판을 가열하는 경우, 상기 지지 부재의 단부가 제1 높이로부터 제2 높이로 하강하여 기판이 상기 가열 부재에 인접하게 위치되도록 상기 구동 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 가스 공급 유닛은,
    상기 지지 부재 내부를 관통하고, 가스를 이송하는 가스 이송부; 및
    상기 가스 이송부로 가스를 공급하는 가스 공급부;를 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서,
    상기 불활성 가스는 아르곤, 헬륨, 네온 중 선택된 어느 하나인 기판 처리 장치.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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KR20030055903A (ko) 2001-12-27 2003-07-04 삼성전자주식회사 반도체 포토 공정의 베이크 장비
KR102501835B1 (ko) * 2016-06-27 2023-02-23 세메스 주식회사 베이크 유닛 및 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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