KR102249684B1 - 발광 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광 장치의 크로스토크 현상의 발생을 억제한다.
절연층(416)과, 상기 절연층 위에 형성된 제 1 하부 전극(421a)과, 상기 절연층 위에 형성된 제 2 하부 전극(421b)과, 상기 절연층 위에 형성되며 상기 제 1 하부 전극과 상기 제 2 하부 전극 사이에 위치되는 구조물(419)과, 상기 절연층 위에 형성되며 상기 구조물과 상기 제 1 하부 전극 사이에 위치되는 제 1 격벽(418a)과, 상기 절연층 위에 형성되며 상기 구조물과 상기 제 2 하부 전극 사이에 위치되는 제 2 격벽(418b)과, 상기 제 1 하부 전극, 상기 제 1 격벽, 상기 구조물, 상기 제 2 격벽, 및 상기 제 2 하부 전극 위에 형성된 제 1 발광 유닛(423a)과, 상기 제 1 발광 유닛 위에 형성된 중간층(424)과, 상기 중간층 위에 형성된 제 2 발광 유닛(423b)과, 상기 제 2 발광 유닛 위에 형성된 상부 전극(422)을 구비하는 발광 장치이다.
절연층(416)과, 상기 절연층 위에 형성된 제 1 하부 전극(421a)과, 상기 절연층 위에 형성된 제 2 하부 전극(421b)과, 상기 절연층 위에 형성되며 상기 제 1 하부 전극과 상기 제 2 하부 전극 사이에 위치되는 구조물(419)과, 상기 절연층 위에 형성되며 상기 구조물과 상기 제 1 하부 전극 사이에 위치되는 제 1 격벽(418a)과, 상기 절연층 위에 형성되며 상기 구조물과 상기 제 2 하부 전극 사이에 위치되는 제 2 격벽(418b)과, 상기 제 1 하부 전극, 상기 제 1 격벽, 상기 구조물, 상기 제 2 격벽, 및 상기 제 2 하부 전극 위에 형성된 제 1 발광 유닛(423a)과, 상기 제 1 발광 유닛 위에 형성된 중간층(424)과, 상기 중간층 위에 형성된 제 2 발광 유닛(423b)과, 상기 제 2 발광 유닛 위에 형성된 상부 전극(422)을 구비하는 발광 장치이다.
Description
본 발명은, 발광 소자를 갖는 발광 장치에 관한 것이다.
유기 EL 디스플레이의 상품화가 가속되고 있다. 옥외에서의 사용에도 견딜 수 있도록, 디스플레이에 요구되는 휘도는 해마다 증가되고 있다. 한편, 유기 EL 소자의 발광 휘도는 전류에 비례하여 커지는 것이 알려져 있고, 높은 휘도로 발광시키는 것이 가능하다.
하지만, 큰 전류를 흘리면 유기 EL 소자의 열화가 가속된다. 이 때문에, 적은 전류로 높은 휘도를 얻을 수 있으면 발광 소자의 수명을 길게 할 수 있다. 그래서, 적은 전류로 높은 휘도를 얻을 수 있는 발광 소자로서, 복수의 발광 유닛이 적층된 탠덤 소자가 제안되어 있다(예를 들어 특허 문헌 1 참조).
또한, 본 명세서에서, 발광 유닛이란 양단(兩端)으로부터 주입된 전자와 정공이 재결합하는 영역을 하나 갖는 층 또는 적층체를 말한다.
예를 들어, 2개의 발광 유닛을 포함하는 탠덤 소자는, 하나의 발광 유닛을 포함한 발광 소자의 절반의 밀도의 전류를 흘림으로써 동등한 발광을 얻을 수 있다. 또한, 예를 들어 전극 사이에 n개의 발광 유닛을 적층하는 구성으로 하면, 전류 밀도를 상승시키지 않아도 n배의 휘도를 실현할 수 있다.
탠덤 소자가 서로 인접하여 제공된 발광 패널에서는 크로스토크 현상의 발생이라는 문제가 있다. 크로스토크 현상이란, 복수의 부화소가 발광층과, 발광층보다 도전성이 높은 층을 공통적으로 포함하는 경우에, 인접하는 부화소에 상기 도전성이 높은 층을 통하여 전류가 누설되는 현상을 가리킨다. 예를 들어, 제 1 발광층을 포함한 제 1 발광 유닛과 제 2 발광층을 포함한 제 2 발광 유닛 사이에 제 1 발광층 및 제 2 발광층보다 도전성이 높은 층인 중간층이 제공된 탠덤 소자에서는, 인접하는 탠덤 소자에 상기 중간층을 통하여 전류가 누설된다. 또한, 캐리어 주입층(정공 주입층 또는 전자 주입층)을 공통적으로 포함하는 싱글 소자에 대해서도, 마찬가지로 크로스토크 현상의 발생이 문제이다.
탠덤 소자에서는, 도전성이 높은 중간층을 개재(介在)하여 복수의 층이 적층되고, 그 구조상, 도전성이 높은 층과 도전성이 낮은 층이 포함된다. 또한, 탠덤 소자에서는, 구동 전압의 상승을 억제하기 위하여, 유기 화합물과 금속 산화물의 혼합층이나, 도전성 고분자 등 도전성이 높은 캐리어 주입층이 사용되는 경우가 많다. 또한, 탠덤 소자는 싱글 소자에 비하여 양극과 음극 사이의 전기 저항이 높고, 인접하는 화소에 도전성이 높은 층을 통하여 전류가 확산되기 쉽다.
도 9의 (A)는, 도전성이 높은 중간층(86)으로 인하여 크로스토크 현상이 발생하는 것을 설명하기 위한 모식도이며, 백색의 빛을 발하는 3개의 탠덤 소자가 스트라이프 형상으로 제공된 발광 패널(백색 패널)에서 제 2 탠덤 소자만을 구동시킨 모양을 도시한 단면도이다.
발광 패널은 서로 인접하여 배치된 제 1 탠덤 소자 내지 제 3 탠덤 소자를 갖는다. 제 1 탠덤 소자는 상부 전극(81)과 제 1 하부 전극(82) 사이에 배치되어 있다. 제 2 탠덤 소자는 상부 전극(81)과 제 2 하부 전극(83) 사이에 배치되어 있다. 제 3 탠덤 소자는 상부 전극(81)과 제 3 하부 전극(84) 사이에 배치되어 있다.
제 1 탠덤 소자 내지 제 3 탠덤 소자 각각에서는 제 1 발광 유닛(85), 중간층(86), 및 제 2 발광 유닛(87)이 순차적으로 적층되어 있다. 예를 들어, 제 1 발광 유닛(85)은 청색의 빛을 발하는 발광층을 갖고, 제 2 발광 유닛(87)은 녹색의 빛을 발하는 발광층 및 적색의 빛을 발하는 발광층을 갖는 구성으로 하면, 백색의 발광을 얻을 수 있다.
투광성을 갖는 상부 전극을 사용하는 경우, 상부 전극 위에 대향 유리 기판(88)을 배치할 수 있고, 하부 전극으로서 반사성을 갖는 전극을 사용할 수 있다. 대향 유리 기판(88)은 도시되지 않은 청색 컬러 필터, 적색 컬러 필터, 및 녹색 컬러 필터를 갖는다. 적색 컬러 필터는 제 1 하부 전극(82)과 중첩되고, 청색 컬러 필터는 제 2 하부 전극(83)과 중첩되고, 녹색 컬러 필터는 제 3 하부 전극(84)과 중첩된다.
상기 발광 패널에서 제 2 하부 전극(83)과 상부 전극(81)에 전압을 인가하여 청색 라인(제 2 탠덤 소자)만을 구동시킬 때, 인접하는 제 1 탠덤 소자 또는 제 3 탠덤 소자에 도전성이 높은 중간층(86)을 통하여 전류가 누설됨으로써, 적색 라인(제 1 탠덤 소자) 또는 녹색 라인(제 3 탠덤 소자)이 발광하여 크로스토크 현상이 발생하는 경우가 있다.
도 9의 (B)는, 도전성이 높은 캐리어 주입층(89)(정공 주입층 또는 전자 주입층)으로 인하여 크로스토크 현상이 발생하는 것을 설명하기 위한 모식도이며, 발광 패널(백색 패널)에서 청색 라인(제 2 탠덤 소자)만을 구동시킨 모양을 도시한 도면이다.
제 1 탠덤 소자 내지 제 3 탠덤 소자 각각에서는 도전성이 높은 캐리어 주입층(89)을 포함한 제 1 발광 유닛(85), 중간층(86), 및 제 2 발광 유닛(87)이 순차적으로 적층되어 있다. 캐리어 주입층(89)으로서는 예를 들어, 유기 화합물과 금속 산화물의 혼합 재료나, 도전성 고분자 등을 사용한 도전성이 높은 층을 들 수 있다.
본 발명의 일 형태는 발광 장치의 크로스토크 현상의 발생을 억제하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 일 형태는, 절연층과, 상기 절연층 위에 형성된 제 1 하부 전극과, 상기 절연층 위에 형성된 제 2 하부 전극과, 상기 절연층 위에 형성되고 상기 제 1 하부 전극과 상기 제 2 하부 전극 사이에 위치되는 구조물과, 상기 제 1 하부 전극과 상기 구조물 사이에 배치되고 상기 제 1 하부 전극의 단부를 덮는 제 1 격벽과, 상기 제 2 하부 전극과 상기 구조물 사이에 배치되고 상기 제 2 하부 전극의 단부를 덮는 제 2 격벽과, 상기 제 1 하부 전극, 상기 제 1 격벽, 상기 구조물, 상기 제 2 격벽, 및 상기 제 2 하부 전극 위에 형성된 제 1 발광 유닛과, 상기 제 1 발광 유닛 위에 형성된 중간층과, 상기 중간층 위에 형성된 제 2 발광 유닛과, 상기 제 2 발광 유닛 위에 형성된 상부 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치이다.
본 발명의 일 형태는, 절연층과, 상기 절연층 위에 형성된 제 1 하부 전극과, 상기 절연층 위에 형성된 제 2 하부 전극과, 상기 절연층 위에 형성되고 상기 제 1 하부 전극과 상기 제 2 하부 전극 사이에 위치되는 구조물과, 상기 절연층에 형성되고 상기 제 1 하부 전극과 상기 구조물 사이 및 상기 제 2 하부 전극과 상기 구조물 사이에 위치되는 홈부와, 상기 제 1 하부 전극과 상기 구조물 사이에 배치되고 상기 제 1 하부 전극의 단부를 덮는 제 1 격벽과, 상기 제 2 하부 전극과 상기 구조물 사이에 배치되고 상기 제 2 하부 전극의 단부를 덮는 제 2 격벽과, 상기 제 1 하부 전극, 상기 제 1 격벽, 상기 구조물, 상기 제 2 격벽, 및 상기 제 2 하부 전극 위에 형성된 제 1 발광 유닛과, 상기 제 1 발광 유닛 위에 형성된 중간층과, 상기 중간층 위에 형성된 제 2 발광 유닛과, 상기 제 2 발광 유닛 위에 형성된 상부 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치이다.
본 발명의 일 형태는, 절연층과, 상기 절연층 위에 형성된 제 1 하부 전극과, 상기 절연층 위에 형성된 제 2 하부 전극과, 상기 절연층에 형성되고 상기 제 1 하부 전극과 상기 제 2 하부 전극 사이에 위치되는 홈부와, 상기 절연층 위에 있고 상기 홈부 내에 위치되는 구조물과, 상기 제 1 하부 전극의 단부를 덮도록 상기 홈부 내 및 상기 절연층 위에 형성된 제 1 격벽과, 상기 제 2 하부 전극의 단부를 덮도록 상기 홈부 내 및 상기 절연층 위에 형성된 제 2 격벽과, 상기 제 1 하부 전극, 상기 제 1 격벽, 상기 구조물, 상기 제 2 격벽, 및 상기 제 2 하부 전극 위에 형성된 제 1 발광 유닛과, 상기 제 1 발광 유닛 위에 형성된 중간층과, 상기 중간층 위에 형성된 제 2 발광 유닛과, 상기 제 2 발광 유닛 위에 형성된 상부 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치이다.
또한, 상술한 본 발명의 일 형태에서, 상기 제 1 하부 전극과 상기 제 1 발광 유닛 사이 및 상기 제 2 하부 전극과 상기 제 1 발광 유닛 사이 중 적어도 한쪽에 형성된 광학 조정층을 갖고, 상기 구조물은, 상기 제 1 하부 전극과 동일한 층으로 형성된 층과, 상기 광학 조정층과 동일한 층으로 형성된 층의 적층체이면 좋다.
또한, 상술한 본 발명의 일 형태에서, 상기 구조물의 측면 위에 위치되는 상기 중간층의, 상기 측면에 수직인 방향의 두께는, 상기 제 1 하부 전극 위에 위치되는 상기 중간층의, 상기 제 1 하부 전극에 수직인 방향의 두께보다 얇으면 좋다.
또한, 상술한 본 발명의 일 형태에서, 상기 제 1 발광 유닛은 캐리어 주입층을 갖고, 상기 구조물의 측면 위에 위치되는 상기 캐리어 주입층의, 상기 측면에 수직인 방향의 두께는, 상기 제 1 하부 전극 위에 위치되는 상기 캐리어 주입층의, 상기 제 1 하부 전극에 수직인 방향의 두께보다 얇으면 좋다.
또한, 상술한 본 발명의 일 형태에서, EL층은 상기 제 1 발광 유닛, 상기 중간층, 및 상기 제 2 발광 유닛을 갖고, 상기 구조물의 측면 위에 위치되는 상기 EL층의, 상기 측면에 수직인 방향의 두께는, 상기 제 1 하부 전극 위에 위치되는 상기 EL층의, 상기 제 1 하부 전극에 수직인 방향의 두께보다 얇으면 좋다.
또한, 상술한 본 발명의 일 형태에서, 상기 구조물의 측면과 저면이 이루는 각도는 60˚∼110˚이면 좋다.
또한, 상술한 본 발명의 일 형태에서, 상기 제 1 하부 전극과 상기 제 2 하부 전극 사이를 구획하도록 상기 구조물이 배치되어 있으면 좋다.
또한, 상술한 본 발명의 일 형태에서, 상기 구조물은 상기 제 1 하부 전극과 동일한 층으로 형성되어 있으면 좋다.
또한, 상술한 본 발명의 일 형태에서, 상기 제 1 격벽 및 상기 제 2 격벽 위에 위치되며 상기 상부 전극과 근접 또는 접하는 컬러 필터를 갖고, 상기 컬러 필터는 상기 제 1 하부 전극과 중첩되는 제 1 색의 컬러 필터와 상기 제 2 하부 전극과 중첩되는 제 2 색의 컬러 필터를 가지면 좋다.
또한, 상술한 본 발명의 일 형태에서, 상기 제 1 격벽 및 상기 제 2 격벽은 착색되어 있으면 좋다.
본 발명의 일 형태는, 절연층과, 상기 절연층 위에 형성된 복수의 하부 전극과, 상기 절연층 위에 형성되고 상기 복수의 하부 전극의 상호간에 위치되고 또한 상기 복수의 하부 전극 각각을 둘러싸도록 배치된 구조물과, 상기 절연층 위에 형성되고 상기 구조물과 상기 복수의 하부 전극 각각 사이에 위치되고 또한 상기 복수의 하부 전극 각각을 둘러싸도록 배치된 격벽과, 상기 복수의 하부 전극, 상기 격벽, 및 상기 구조물 위에 형성된 제 1 발광 유닛과, 상기 제 1 발광 유닛 위에 형성된 중간층과, 상기 중간층 위에 형성된 제 2 발광 유닛과, 상기 제 2 발광 유닛 위에 형성된 상부 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치이다.
또한, 본 명세서에서의 발광 장치는, 발광 소자를 화소(또는 부화소)에 구비하는 표시 장치를 포함하는 것으로 한다. 또한, 발광 패널은 발광 소자를 구비하는 화소가 인접하여 제공된 표시 패널을 포함하는 것으로 한다. 또한, 발광 모듈은 발광 소자를 포함하여 구성되고, 발광 소자는 발광층을 포함한 발광 유닛을 구비한다.
본 발명의 일 형태를 적용함으로써 크로스토크 현상의 발생을 억제할 수 있다.
도 1의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치에 사용할 수 있는 표시 패널의 구조를 도시한 상면도이고, 도 1의 (B)는 도 1의 (A)의 선 A-B 및 C-D를 따라 자른 단면의 구조를 도시한 측면도.
도 2의 (A)는 화소(402)의 평면도이고, 도 2의 (B)는 도 2의 (A)의 선 E-F를 따라 자른 단면도이고, 도 2의 (C)는 부화소 사이에 제공되는 구조물(419)을 확대한 도면.
도 3의 (A) 및 (B)는 화소(402)의 변형예를 도시한 평면도.
도 4의 (A)는 도 2의 (A)의 선 E-F를 따라 자른 단면에 상당하는 단면도이고, 도 4의 (B)는 도 2의 (A)의 선 E-F를 따라 자른 부화소(402B)에 상당하는 단면도.
도 5의 (A)는 도 2의 (A)의 선 E-F를 따라 자른 단면에 상당하는 단면도이고, 도 5의 (B)는 도 5의 (A)의 화소(462)의 변형예를 도시한 단면도.
도 6의 (A)는 실시예의 표시 패널에 포함되는 화소(562)의 모식도이고, 도 6의 (B)는 비교예의 표시 패널에 포함되는 화소(662)의 모식도.
도 7의 (A)는 실시예의 발광 패널의 부화소(562B) 및 부화소(562G) 사이에서의 단면 사진이고, 도 7의 (B) 및 (C)는 구조물(549)의 측면의 영역을 확대한 단면 사진이고, 도 7의 (D)는 비교예의 발광 패널의 부화소(662B) 및 부화소(662G) 사이에서의 단면 사진.
도 8은 발광 패널의 NTSC비의 휘도 의존성을 측정한 결과를 나타낸 도면.
도 9의 (A)는 도전성이 높은 중간층으로 인하여 크로스토크 현상이 발생하는 것을 설명하기 위한 모식도이고, 도 9의 (B)는 도전성이 높은 캐리어 주입층으로 인하여 크로스토크 현상이 발생하는 것을 설명하기 위한 모식도.
도 2의 (A)는 화소(402)의 평면도이고, 도 2의 (B)는 도 2의 (A)의 선 E-F를 따라 자른 단면도이고, 도 2의 (C)는 부화소 사이에 제공되는 구조물(419)을 확대한 도면.
도 3의 (A) 및 (B)는 화소(402)의 변형예를 도시한 평면도.
도 4의 (A)는 도 2의 (A)의 선 E-F를 따라 자른 단면에 상당하는 단면도이고, 도 4의 (B)는 도 2의 (A)의 선 E-F를 따라 자른 부화소(402B)에 상당하는 단면도.
도 5의 (A)는 도 2의 (A)의 선 E-F를 따라 자른 단면에 상당하는 단면도이고, 도 5의 (B)는 도 5의 (A)의 화소(462)의 변형예를 도시한 단면도.
도 6의 (A)는 실시예의 표시 패널에 포함되는 화소(562)의 모식도이고, 도 6의 (B)는 비교예의 표시 패널에 포함되는 화소(662)의 모식도.
도 7의 (A)는 실시예의 발광 패널의 부화소(562B) 및 부화소(562G) 사이에서의 단면 사진이고, 도 7의 (B) 및 (C)는 구조물(549)의 측면의 영역을 확대한 단면 사진이고, 도 7의 (D)는 비교예의 발광 패널의 부화소(662B) 및 부화소(662G) 사이에서의 단면 사진.
도 8은 발광 패널의 NTSC비의 휘도 의존성을 측정한 결과를 나타낸 도면.
도 9의 (A)는 도전성이 높은 중간층으로 인하여 크로스토크 현상이 발생하는 것을 설명하기 위한 모식도이고, 도 9의 (B)는 도전성이 높은 캐리어 주입층으로 인하여 크로스토크 현상이 발생하는 것을 설명하기 위한 모식도.
이하에서는 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 사용하여 자세히 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 그 범위에서 벗어남이 없이 그 형태 및 자세한 사항을 다양하게 변경할 수 있다는 것은 당업자이면 용이하게 이해할 수 있다. 따라서, 본 발명은 이하의 실시형태의 기재 내용에 한정되어 해석되는 것은 아니다.
(실시형태 1)
＜표시 패널의 구성＞
본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치에 사용할 수 있는 표시 패널의 구성을 도 1에 도시하였다. 도 1의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치에 사용할 수 있는 표시 패널의 구조를 도시한 상면도이고, 도 1의 (B)는 도 1의 (A)의 선 A-B 및 C-D를 따라 자른 단면의 구조를 도시한 측면도이다.
본 실시형태에서 예시하는 표시 패널(400)은 제 1 기판(410) 위에 표시부(401)를 갖고, 표시부(401)에는 복수의 화소(402)가 제공되어 있다. 또한, 화소(402)에는 복수(예를 들어 3개)의 부화소가 제공되어 있다(도 1의 (A) 참조). 또한, 제 1 기판(410) 위에는 표시부(401)를 구동하는 소스 측 구동 회로부(403s) 및 게이트 측 구동 회로부(403g)가 표시부(401)와 함께 제공되어 있다. 또한, 제 1 기판(410) 위가 아니라 외부에 구동 회로부를 형성할 수도 있다.
표시 패널(400)은 외부 입력 단자를 구비하고, FPC(Flexible Printed Circuit)(409)를 통하여 비디오 신호, 클록 신호, 스타트 신호, 리셋 신호 등을 수신한다.
제 1 기판(410)과 제 2 기판(440)은 실재(405)로 접합되고, 그들 사이에 형성된 공간(431)에 표시부(401)가 밀봉되어 있다(도 1의 (A) 및 (B) 참조).
표시 패널(400)의 단면의 구조에 대하여 도 1의 (B)를 참조하여 설명한다. 표시 패널(400)은 소스 측 구동 회로부(403s)와, 화소(402)에 포함된 부화소(402G)와, 리드 배선(408)을 구비한다. 또한, 본 실시형태에서 예시하는 표시 패널(400)의 표시부(401)는 도면 중에 도시된 화살표의 방향으로 빛을 사출하여 화상을 표시한다.
소스 측 구동 회로부(403s)는 n채널형 트랜지스터(413)와 p채널형 트랜지스터(414)를 조합한 CMOS 회로를 포함한다. 또한, 구동 회로는 이 구성에 한정되지 않고 각종 CMOS 회로, PMOS 회로, 또는 NMOS 회로로 구성되어도 좋다.
리드 배선(408)은 외부 입력 단자로부터 입력되는 신호를 소스 측 구동 회로부(403s) 및 게이트 측 구동 회로부(403g)에 전송한다.
부화소(402G)는 스위칭용 트랜지스터(411), 전류 제어용 트랜지스터(412), 제 2 발광 소자(420b), 및 컬러 필터(441G)를 갖는다. 또한, 부화소(402G)와, 부화소(402G)에 인접하는 부화소 사이에는 구조물(419)이 제공되어 있다. 트랜지스터(411) 등 위에는 절연층(416)이 형성되어 있다.
제 2 발광 소자(420b)는 제 2 하부 전극(421b), 상부 전극(422), 및 제 2 하부 전극(421b)과 상부 전극(422) 사이에 협지된 발광성 유기 화합물을 포함한 층(이하 "EL층"이라고도 함)(423)을 갖는다. 또한, 제 2 하부 전극(421b)의 단부는 제 2 격벽(418b)에 의하여 덮여 있다. 제 2 발광 소자(420b)에서 빛 사출 측에 제공되는 전극에는 EL층(423)으로부터의 발광에 대한 투광성을 갖는 전극을 사용하고, 빛 사출 측과 반대 측에 제공되는 전극에는 상기 발광에 대한 반사성을 갖는 재료를 사용한다. 또한, 빛 사출 측에는 컬러 필터(441G)가 제공되어 있다. 본 실시형태에서 예시하는 제 2 발광 소자(420b)에서는 제 2 하부 전극(421b)이 반사성을 갖고, 상부 전극(422)이 투광성을 갖는 구성으로 한다. 또한, 표시부(401)가 화상을 표시하는 방향은, 제 2 발광 소자(420b)가 발하는 빛이 추출되는 방향에 따라 결정된다.
또한, 컬러 필터(441G)를 둘러싸도록 차광성을 갖는 막(442)이 형성되어 있다. 차광성을 갖는 막(442)은 표시 패널(400)이 외광을 반사하는 현상을 방지하는 막이며, 표시부(401)가 표시하는 화상의 콘트라스트를 높이는 효과를 갖는다. 또한, 컬러 필터(441G) 및 차광성을 갖는 막(442)은 제 2 기판(440)에 형성되어 있다.
절연층(416)은, 트랜지스터(411) 등의 구조에서 유래하여 생기는 단차(段差)를 평탄화하거나, 또는 트랜지스터(411) 등으로 불순물이 확산되는 것을 억제하기 위한 절연성의 층이며, 단일 층이어도 좋고 복수의 층의 적층체이어도 좋다. 제 1 격벽 내지 제 3 격벽(418a, 418b, 418c)은 발광 소자의 하부 전극의 단부를 덮고, 하부 전극 사이에서 패터닝되고, 하부 전극의 가장자리에 형성되고, 개구부를 갖는 절연성의 층이다. 제 2 격벽(418b)은 제 2 하부 전극(421b)의 단부를 덮고 있다. 제 1 격벽(418a) 및 제 3 격벽(418c)은 부화소(420G)에 인접하는 부화소에 포함되는 발광 소자의 하부 전극의 단부를 각각 덮고 있다. 또한, 제 2 발광 소자(420b)는 제 2 격벽(418b)의 개구부에 형성되어 있다.
구조물(419)은, 제 2 격벽(418b)과 제 1 격벽(418a) 사이 및 제 2 격벽(418b)과 제 3 격벽(418c) 사이에 제공되고, 차광성을 갖는 막(442)에 중첩되는 위치에 배치되어 있다. 구조물(419)의 측면 및 상면은 EL층(423)에 접한다. 구조물(419)의 자세한 설명에 대해서는 후술한다.
＜트랜지스터의 구성＞
도 1의 (A)에 도시된 표시 패널(400)에는 톱 게이트형 트랜지스터가 적용되어 있지만, 이에 한정되지 않고, 보텀 게이트형 트랜지스터를 적용할 수도 있다. 소스 측 구동 회로부(403s), 게이트 측 구동 회로부(403g), 및 부화소에는 각종 구조의 트랜지스터를 적용할 수 있다. 또한, 이들 트랜지스터의 채널이 형성되는 영역에는 다양한 반도체를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 비정질 실리콘, 폴리 실리콘, 단결정 실리콘 외에, 산화물 반도체 등을 사용할 수 있다. 산화물 반도체의 일례로서는, 적어도 인듐(In) 또는 아연(Zn)을 포함한 산화물 반도체를 들 수 있으며, In과 Zn을 포함한 산화물 반도체가 바람직하다. 또한, 이들 산화물 반도체가 갈륨(Ga) 및 주석(Sn) 중 한쪽 또는 양쪽을 포함하면 특히 바람직하다.
트랜지스터의 채널이 형성되는 영역에 단결정 반도체를 사용하면, 트랜지스터의 사이즈를 미세화하는 것이 가능해지기 때문에, 표시부에 있어서 화소를 더 고정밀화할 수 있다.
반도체층을 구성하는 단결정 반도체로서는, 단결정 실리콘 기판 등의 반도체 기판 외에, 절연 표면 위에 단결정 반도체층이 제공된 SOI(Silicon On Insulator) 기판을 사용할 수 있다.
＜밀봉 구조＞
본 실시형태에서 예시하는 표시 패널(400)은 제 1 기판(410)과 제 2 기판(440)과 실재(405)로 둘러싸인 공간(431)에 발광 소자를 밀봉하는 구조를 구비한다(도 1 참조).
공간(431)은, 불활성 기체(질소나 아르곤 등)로 충전되는 경우 외에, 수지로 충전되는 경우도 있다. 또한, 불순물(대표적으로는 물 및/또는 산소)의 흡착재(예를 들어, 건조제 등)를 공간(431)에 도입하여도 좋다.
실재(405) 및 제 2 기판(440)은, 대기 중의 불순물(대표적으로는 물 및/또는 산소)을 가능한 한 투과시키지 않는 재료인 것이 바람직하다. 실재(405)에는 에폭시계 수지나, 글라스 프릿 등을 사용할 수 있다.
제 2 기판(440)에 사용할 수 있는 재료로서는, 유리 기판이나 석영 기판 외에, PVF(폴리비닐플루오라이드), 폴리에스테르 또는 아크릴 등으로 이루어지는 플라스틱 기판이나, FRP(Fiberglass-Reinforced Plastics) 등을 그 예로 들 수 있다.
다음에, 화소 구성의 구체적인 예에 대하여 화소 구성 1 내지 5로 나누어 설명한다.
＜화소 구성 1＞
표시부(401)에 제공된 화소(402)의 구성에 대하여 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2의 (A)는 화소(402)의 평면도이고, 도 2의 (B)는 도 2의 (A)의 선 E-F를 따라 자른 단면도이다. 또한, 도 2의 (C)는 부화소 사이에 제공되는 구조물(419)을 확대한 도면이다. 또한, 도 2의 (A)에 도시된 평면도에서는, 도면이 번잡해지는 것을 피하기 위하여 화소(402)의 구성 요소의 일부(예를 들어, 컬러 필터(441B) 내지 컬러 필터(441R) 등)를 생략하였다.
본 실시형태에서 예시하는 화소(402)는 청색의 빛(B)을 사출하는 부화소(402B), 녹색의 빛(G)을 사출하는 부화소(402G), 및 적색의 빛(R)을 사출하는 부화소(402R)를 갖는다(도 2의 (A) 참조). 부화소(402B)는 구동용 트랜지스터와, 제 1 발광 소자(420a)와, 컬러 필터(441B)를 구비한다. 부화소(402G)는 구동용 트랜지스터와, 제 2 발광 소자(420b)와, 컬러 필터(441G)를 구비한다. 부화소(402R)는 구동용 트랜지스터와, 제 3 발광 소자(420c)와, 컬러 필터(441R)를 구비한다. 제 1 발광 소자(420a)는 제 1 하부 전극(421a)과, 상부 전극(422)과, EL층(423)을 갖는다. 제 2 발광 소자(420b)는 제 2 하부 전극(421b)과, 상부 전극(422)과, EL층(423)을 갖는다. 제 3 발광 소자(420c)는 제 3 하부 전극(421c)과, 상부 전극(422)과, EL층(423)을 갖는다. 또한, 제 1 하부 전극(421a)의 단부는 제 1 격벽(418a)으로 덮이고, 제 2 하부 전극(421b)의 단부는 제 2 격벽(418b)으로 덮이고, 제 3 하부 전극(421c)의 단부는 제 3 격벽(418c)으로 덮여 있다.
EL층(423)은 발광 물질을 포함한 발광층과, 발광층보다 도전성이 높은 층을 적어도 포함하는 적층막이다. 발광층보다 도전성이 높은 층으로서는, 예를 들어 캐리어 주입층(정공 주입층 또는 전자 주입층) 또는 중간층을 들 수 있다. 본 실시형태에서, EL층(423)은 제 1 발광 유닛(423a), 제 2 발광 유닛(423b), 및 제 1 발광 유닛(423a)과 제 2 발광 유닛(423b) 사이에 제공된 중간층(424)을 적어도 포함한다(도 2의 (B) 참조). 중간층(424)은 제 1 발광 유닛(423a) 및 제 2 발광 유닛(423b)보다 도전성이 높다.
또한, 발광 유닛은 발광 물질을 포함한 발광층을 적어도 하나 이상 구비하면 좋고, 발광층 외의 층과 적층된 구조를 가져도 좋다. 발광층 외의 층으로서는, 예를 들어 정공 주입성이 높은 물질, 정공 수송성이 높은 물질, 정공 수송성이 부족한(블로킹하는) 물질, 전자 수송성이 높은 물질, 전자 주입성이 높은 물질, 및 바이폴러성(전자 및 정공의 수송성이 높은) 물질 등을 포함하는 층을 들 수 있다.
부화소(402B)는, 청색의 빛(B)을 추출할 수 있는 컬러 필터(441B)를 상부 전극(422) 측에 제 1 발광 소자(420a)와 중첩되도록 포함한다(도 2의 (B) 참조). 마찬가지로, 부화소(402G)는, 녹색의 빛(G)을 추출할 수 있는 컬러 필터(441G)를 제 2 발광 소자(420b)와 중첩되도록 포함한다. 또한, 부화소(402R)는, 적색의 빛(R)을 추출할 수 있는 컬러 필터(441R)를 제 3 발광 소자(420c)와 중첩되도록 포함한다. 각 부화소에 포함되는 제 1 발광 소자 내지 제 3 발광 소자(420a, 420b, 420c)는 같은 구성을 갖는다. 제 1 발광 소자 내지 제 3 발광 소자(420a, 420b, 420c)로서 적색, 청색, 및 녹색의 빛을 포함하여 백색으로 발광하는 발광 소자를 사용함으로써, 풀 컬러 표시가 가능한 표시 패널로 할 수 있다.
≪구조물(419)≫
절연층(416) 위에 형성된 구조물(419)은 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(421a, 421b, 421c)의 상호간에 위치되어 있고, 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(421a, 421b, 421c) 각각을 둘러싸도록 배치된다. 즉, 구조물(419)은 격자 형상으로 제공되어 있다. 바꿔 말하면, 화소(402)의 주위 및 부화소(402B, 402G, 402R) 주위에 구조물(419)이 형성되어 있다(도 2의 (A) 참조).
절연층(416) 위에 형성된 제 1 격벽 내지 제 3 격벽(418a, 418b, 418c)은, 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(421a, 421b, 421c) 각각과 구조물(419) 사이에 위치되고, 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(421a, 421b, 421c)의 단부 각각을 둘러싸도록 배치되어 있다. 바꿔 말하면, 제 1 격벽(418a)은 부화소(402B)의 주위에 형성되고, 제 2 격벽(418b)은 부화소(402G)의 주위에 형성되고, 제 3 격벽(418c)은 부화소(402R)의 주위에 형성되어 있다(도 2의 (A) 참조). 격벽(418)의 재료로서는 포지티브형이나 네거티브형의 감광성 수지를 사용할 수 있다.
구조물(419)의 측면의 테이퍼 각 θ(즉 구조물(419)의 측면과 저면이 이루는 각도)는 60˚∼110˚인 것이 바람직하다(도 2의 (C) 참조). 구조물(419)은 절연 재료이어도 좋고 도전성을 갖는 재료이어도 좋지만, 무기 재료 또는 금속 재료를 사용하면 테이퍼 각 θ를 크게 할 수 있어 바람직하다.
본 화소 구성 1에서, 구조물(419)은 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(421a, 421b, 421c)과 동일한 층으로 형성되어 있다. 여기서 말하는 "동일한 층으로 형성"이란, 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(421a, 421b, 421c)과 동일한 공정으로 형성되는 것을 가리킨다. 이로써, 포토리소그래피 공정의 마스크수를 증가시키지 않아도 구조물(419)을 형성할 수 있기 때문에, 제조 공정을 간략화할 수 있다.
또한, 제 1 격벽(418a)은 제 1 하부 전극(421a)의 단부를 덮도록 형성되고, 제 2 격벽(418b)은 제 2 하부 전극(421b)의 단부를 덮도록 형성되고, 제 3 격벽(418c)은 제 3 하부 전극(421c)의 단부를 덮도록 형성되어 있다. 그래서, 제 1 격벽 내지 제 3 격벽(418a, 418b, 418c)의, 구조물(419) 측의 사면의 고저차(高低差)는 구조물(419)과 반대 측의 사면(즉 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(421a, 421b, 421c) 측의 사면)의 고저차보다 크다. 따라서, 제 1 격벽 내지 제 3 격벽(418a, 418b, 418c)의, 구조물(419) 측의 사면은 구조물(419)과 반대 측의 사면에 비하여 큰 경사를 갖는다(도 2의 (B) 참조).
또한, 본 화소 구성 1에서는, 도 2의 (A)에 도시된 바와 같이, 부화소(402B, 402G, 402R)의 주위에 구조물(419)이 형성되어 있지만, 이 구성에 한정되지 않고, 예를 들어 도 3의 (A) 및 (B)에 도시된 바와 같이, 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(421a, 421b, 421c)의 상호간에만 구조물(419)이 형성되어도 좋다. 바꿔 말하면, 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(421a, 421b, 421c)의 상호간을 구획하도록 구조물(419)이 배치되어도 좋다. 즉, 색이 서로 다른 부화소 사이에 구조물(419)(459A, 459B)이 형성되고, 색이 서로 같은 부화소 사이에는 구조물이 형성되지 않는 구성을 채용하여도 좋다. 또한, 도 3의 (A)에 도시된 구성은 하나의 부화소에 하나의 구조물(459A)이 배치된 예이다. 또한, 도 3의 (B)는 색이 서로 다른 부화소 사이에 구조물(459B)이 스트라이프 형상으로 배치된 예이다.
제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(421a, 421b, 421c), 제 1 격벽 내지 제 3 격벽(418a, 418b, 418c), 및 구조물(419) 위에는 제 1 발광 유닛(423a)이 형성되고, 제 1 발광 유닛(423a) 위에는 중간층(424)이 형성되어 있다. 중간층(424) 위에는 제 2 발광 유닛(423b)이 형성되고, 제 2 발광 유닛(423b) 위에는 상부 전극(422)이 형성되어 있다. 또한, 상부 전극(422)은 스퍼터링법에 의하여 형성되어도 좋고, 증착법, 또는 기판 표면에 대하여 비스듬한 방향으로부터의 증착법에 의하여 형성되어도 좋다.
구조물(419)의 상면에 비하여 구조물(419)의 측면은 EL층(423)이 형성되기 어렵기 때문에, 구조물(419)의 측면 위에 위치되는 EL층(423)에는 국소적으로 막 두께가 얇은 영역(423c)이 형성된다(도 2의 (C) 참조). 상기 영역(423c)에서는 EL층(423)에 포함되는 도전성이 높은 층(예를 들어 중간층(424))의 막 두께도 얇아지기 때문에 상기 도전성이 높은 층의 저항이 높아진다. 이로써, 인접하는 부화소에 전류가 흐르기 어려워지기 때문에 크로스토크를 억제할 수 있다.
EL층(423)에서, 구조물(419)의 측면에 수직인 방향의 막 두께는 제 2 하부 전극(421b)에 수직인 방향의 막 두께보다 얇아진다. 그래서, EL층(423)에 포함되는 도전성이 높은 층(예를 들어 캐리어 주입층(423a1) 등)의 막 두께에 대해서도 마찬가지로, 구조물(419)의 측면에 수직인 방향의 막 두께는 제 2 하부 전극(421b)에 수직인 방향의 막 두께보다 얇아진다(도 2의 (C) 참조). 이로써, 도전성이 높은 층 중 구조물(419)의 측면에 중첩되는 부분에서는 전기 저항이 높아져 도전성이 손실되고, 결과적으로 도전성이 높은 층에 흐르는 전류가 억제되기 때문에, 발광 색이 서로 다른 화소간 또는 부화소간에서의 크로스토크 현상을 억제할 수 있다.
또한, 구조물(419)의 측면에 수직인 방향의 중간층(424)의 막 두께는 제 2 하부 전극(421b)에 수직인 방향의 중간층의 막 두께보다 얇아진다. 이로써, 중간층(424) 중 구조물(419)의 측면에 중첩되는 부분에서는 전기 저항이 높아져 도전성이 손실되고, 결과적으로 중간층에 흐르는 전류가 억제되기 때문에, 발광 색이 서로 다른 화소간 또는 부화소간에서의 크로스토크 현상을 억제할 수 있다.
또한, 구조물(419)의 측면 위에 위치되는 중간층(424)을 포함한 EL층(423) 및 상부 전극(422) 각각은 일부가 절단되어 있어도 좋지만, 상부 전극(422)은 절단(단절)되어 있지 않은 것이 바람직하다. 상부 전극(422)을 단절시키지 않는 구조로 하면, 인접하는 화소들에 있어서 상부 전극(422)의 전위가 같게 되고, 상부 전극(422)이 면상(面狀)으로 등전위가 되거나, 바람직하게는 상부 전극(422)의 전체가 등전위가 되고, 결과적으로 전압 강하를 억제할 수 있는 등의 효과를 갖는다.
제 1 격벽(418a) 중 구조물(419) 측의 사면 및 제 2 격벽(418b) 중 구조물(419) 측의 사면은, 제 1 하부 전극(421a) 및 제 2 하부 전극(421b)에 의하여 고저차가 커지기 때문에, EL층(423)이 형성되기 어렵다. 그 결과, 상기 사면 위에 위치되는 EL층(423)에는 국소적으로 막 두께가 얇은 영역이 형성된다(도 2의 (B) 참조).
EL층(423)에서, 제 1 격벽(418a) 중 구조물(419) 측의 사면 및 제 2 격벽(418b) 중 구조물(419) 측의 사면 각각에 수직인 방향의 막 두께는 제 2 하부 전극(421b)에 수직인 방향의 막 두께보다 얇아진다. 그래서, EL층(423)에 포함되는 도전성이 높은 층(예를 들어 캐리어 주입층 등)의 막 두께에 대해서도 마찬가지로, 상기 사면에 수직인 방향의 막 두께는 제 2 하부 전극(421b)에 수직인 방향의 막 두께보다 얇아진다(도 2의 (B) 참조). 이에 의하여, 도전성이 높은 층 중 상기 사면에 중첩되는 부분에서는 전기 저항이 높아져 도전성이 손실되고, 결과적으로 도전성이 높은 층에 흐르는 전류가 억제되기 때문에, 발광 색이 서로 다른 화소간 또는 부화소간에서의 크로스토크 현상을 억제할 수 있다.
또한, 제 1 격벽(418a) 중 구조물(419) 측의 사면 및 제 2 격벽(418b) 중 구조물(419) 측의 사면 각각에 수직인 방향의 중간층(424)의 막 두께는 제 2 하부 전극(421b)에 수직인 방향의 중간층의 막 두께보다 얇아진다. 이에 의하여, 중간층(424) 중 상기 사면에 중첩되는 부분에서는 전기 저항이 높아져 도전성이 손실되고, 결과적으로 중간층에 흐르는 전류가 억제되기 때문에, 발광 색이 서로 다른 화소간 또는 부화소간에서의 크로스토크 현상을 억제할 수 있다.
또한, 제 1 격벽(418a) 중 구조물(419) 측의 사면 및 제 2 격벽(418b) 중 구조물(419) 측의 사면 각각 위에 위치되는 중간층(424)을 포함한 EL층(423) 및 상부 전극(422) 각각은 일부가 절단되어 있어도 좋지만, 상부 전극(422)은 단절되어 있지 않은 것이 바람직하다. 상부 전극(422)을 단절시키지 않는 구조로 하면, 인접하는 화소들에 있어서 상부 전극(422)의 전위가 같게 되고, 상부 전극(422)이 면상으로 등전위가 되거나, 바람직하게는 상부 전극(422)의 전체가 등전위가 되고, 결과적으로 전압 강하를 억제할 수 있는 등의 효과를 갖는다.
또한, 구조물(419)을 제공함으로써, 한쪽 부화소로부터 다른 쪽 부화소에 흐르는 전류의 경로가 길어진다. 즉, 구조물(419)이 없는 경우에 비하여 구조물(419) 위의 중간층(424)의 길이가 길어진다. 그래서, 구조물(419) 위의 중간층(424)의 전기 저항을 높게 할 수 있다. 이에 의하여, 중간층에 흐르는 전류가 억제되기 때문에, 화소간 또는 부화소간에서의 크로스토크 현상을 억제할 수 있다. 즉, 격벽의 높이를 높게 하지 않고, 중간층(424)을 흐르는 전류의 경로를 길게 함으로써, 전기적인 크로스토크를 방지할 수 있다.
또한, 격벽(418) 위에 위치되는 상부 전극(422)에 근접 또는 접하도록 컬러 필터(441G)를 배치함으로써, 제 2 발광 소자(420b)에 근접하여 컬러 필터(441G)를 제공할 수 있다. 이로써, 부화소를 비스듬한 방향으로부터 관찰하였을 때 생기는 광학적인 크로스토크(광 누설이라고도 할 수 있음)를 방지할 수 있다.
자세히 말하면, 컬러 필터(441G)와 제 2 발광 소자(420b)의 거리가 떨어져 있으면 발광시키는 제 2 발광 소자(420b)에 인접하는 컬러 필터(441B) 및 컬러 필터(441R)에 빛이 혼입되는 현상이 일어나, 색 순도가 저하된다. 한편, 제 1 하부 전극(421a)의 단부를 덮는 제 1 격벽(418a)과, 제 2 하부 전극(421b)의 단부를 덮는 제 2 격벽(418b) 사이에 구조물(419)을 형성함으로써, 구조물(419)을 형성하지 않는 경우에 비하여, 제 1 격벽(418a) 및 제 2 격벽(418b)의 높이를 낮게 할 수 있다. 따라서, 높이를 낮게 한 제 1 격벽(418a) 및 제 2 격벽(418b) 위에 위치되는 상부 전극(422)에 근접 또는 접하는 컬러 필터(441G)를 제 2 발광 소자(420b)와 중첩되도록 제공하면, 구조물(419)을 형성하지 않는 경우에 비하여, 컬러 필터(441G)와 제 2 발광 소자(420b) 사이의 거리를 단축할 수 있기 때문에, 패널의 색 순도를 향상시킬 수 있다.
또한, 제 1 격벽(418a)과 제 2 격벽(418b) 사이에 구조물(419)을 형성하면 도파광(導波光)이 직진할 수 없기 때문에, 한쪽 화소의 빛이, 제 1 격벽(418a) 및 제 2 격벽(418b)을 통과하여 인접하는 화소까지 도달하기 어려워진다. 그 결과, 광학적인 크로스토크의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 구조물(419)을 제공하고, 격벽(418)에 가시광을 흡수하는 재료를 적용하여 격벽(418)을 착색된 것으로 함으로써, 격벽 내에 들어간 발광 소자의 도파광을 흡수할 수 있다. 따라서, 발광 소자의 한쪽으로부터 인접하는 다른 발광 소자에 빛이 누설되는 현상을 억제하는 효과를 나타낸다.
또한, 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(421a, 421b, 421c)을 포함한 하부 전극으로서 반투과·반반사막을 제 1 기판(410) 측에 제공하고, 제 1 발광 소자 내지 제 3 발광 소자(420a, 420b, 420c)가 발하는 빛을 제 1 기판(410) 측으로 추출함으로써 화상을 제 1 기판(410) 측에 표시하여도 좋다.
＜화소 구성 2＞
표시부에 제공된 화소(452)의 구성에 대하여 도 4의 (A)를 참조하여 설명한다. 도 4의 (A)는 도 2의 (A)의 선 E-F를 따라 자른 단면에 상당하는 단면도이다. 도 4의 (A)에 도시된 화소(452), 부화소(452B, 452G, 452R)는 도 2의 (A)에 도시된 화소(402), 부화소(402B, 402G, 402R)에 각각 대응한다. 또한, 도 4의 (A)에서 상기 화소 구성 1과 동일한 부분에는 동일 부호를 사용하고, 동일 부분에 대한 설명은 생략한다.
≪구조물(419)≫
제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(421a, 421b, 421c) 및 구조물(419) 각각의 하층의 절연층(416)을 에칭함으로써, 상기 절연층(416) 중 구조물(419)과 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(421a, 421b, 421c) 사이의 영역에 홈부(416a)를 형성한다. 홈부(416a)를 형성함으로써, 도 2의 (B)에 도시된 경우에 비하여 EL층(423)의 피형성면의 고저차를 크게 할 수 있다. 그 결과, EL층(423)에서, 구조물(419)의 측면, 홈부(416a)의 측면, 및 제 1 격벽 내지 제 3 격벽(418a, 418b, 418c) 중 구조물(419) 측의 사면 각각에 수직인 방향의 두께는, 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(421a, 421b, 421c)에 수직인 방향의 두께보다 얇아진다(도 4의 (A) 참조). 따라서, 발광 색이 서로 다른 화소간 또는 부화소간에서의 크로스토크 현상을 효과적으로 억제할 수 있다.
제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(421a, 421b, 421c)과 동일한 층으로 구조물(419)을 형성하는 경우에 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(421a, 421b, 421c) 및 구조물(419)을 형성하는 포토리소그래피 공정에 있어서 오버에칭을 수행함으로써 절연층(416)에 홈부(416a)를 형성하여도 좋고, 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(421a, 421b, 421c) 및 구조물(419)을 마스크로 하여 절연층(416)을 에칭함으로써 절연층(416)에 홈부(416a)를 형성하여도 좋다. 이로써, 마스크를 증가시키지 않고 홈부(416a)를 형성할 수 있어 바람직하다.
＜화소 구성 3＞
표시부에 제공된 화소의 구성에 대하여 도 4의 (B)를 참조하여 설명한다. 도 4의 (B)는 도 2의 (A)의 선 E-F를 따라 자른 부화소(402B)에 상당하는 단면도이다. 도 4의 (B)에서는 도 2의 (B)에 도시된 바와 같은 제 2 기판(440)을 도시하지 않았다. 또한, 도 4의 (B)에서 상기 화소 구성 1과 동일한 부분에는 동일 부호를 사용하고, 동일 부분에 대한 설명은 생략한다.
≪구조물(419)≫
도 4의 (B)에 도시된 바와 같이, 구동용 트랜지스터와 제 1 하부 전극(421a)을 접속시키기 위한 콘택트 홀(415a)을 절연층(416)에 형성하는 공정과 동시에, 제 1 하부 전극(421a)과 제 2 하부 전극(421b) 사이에 위치되는 홈부(415b)를 절연층(416)에 형성한다.
홈부(415b) 내에는 구조물(419)이 형성되어 있다. 홈부(415b) 내 및 절연층(416) 위에는, 구조물(419)과 제 1 하부 전극(421a) 사이에 위치되는 제 1 격벽(418a)과, 구조물(419)과 제 2 하부 전극 사이에 위치되는 제 2 격벽(418b)이 형성되어 있다. 제 1 하부 전극(421a), 제 1 격벽(418a), 구조물(419), 제 2 격벽(418b), 및 제 2 하부 전극 위에는 EL층(423)이 형성되어 있다. EL층(423) 위에는 상부 전극(422)이 형성되어 있다.
본 화소 구성 3에 의하여, 도 2의 (B)에 도시된 경우에 비하여 EL층(423)의 피형성면의 고저차를 크게 할 수 있다. 그 결과, EL층(423)에서, 구조물(419)의 측면, 및 제 1 격벽(418a) 중 구조물(419) 측의 사면 각각에 수직인 방향의 두께는, 제 1 하부 전극(421a)에 수직인 방향의 두께보다 얇아진다(도 4의 (B) 참조). 따라서, 발광 색이 서로 다른 화소간 또는 부화소간에서의 크로스토크 현상을 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 본 화소 구성 3에서는, 콘택트 홀(415a)을 절연층(416)에 형성하는 공정과 동시에 홈부(415b)를 형성하기 때문에, 마스크를 증가시키지 않고 홈부(415b)를 형성할 수 있어 바람직하다.
＜화소 구성 4＞
표시부에 제공된 화소(462) 구성에 대하여 도 5의 (A)를 참조하여 설명한다. 화소(462)는 도 2에 도시된 컬러 필터 대신에 미소 공진기를 제공한 예이다. 또한, 도 5의 (A)에서 상기 화소 구성 2와 동일한 부분에는 동일 부호를 사용하고, 동일 부분에 대한 설명은 생략한다.
도 5의 (A)는 도 2의 (A)의 선 E-F를 따라 자른 단면에 상당하는 단면도이다. 도 5의 (A)에 도시된 화소(462), 부화소(462B, 462G, 462R), 및 구조물(449) 각각은 도 2의 (A)에 도시된 화소(402), 부화소(402B, 402G, 402R), 및 구조물(419)에 대응한다. 또한, 도 5의 (A)에서 상기 화소 구성 1과 동일한 부분에는 동일 부호를 사용하고, 동일 부분에 대한 설명은 생략한다.
도 5의 (A)에 도시된 화소(462)는 청색의 빛을 사출하는 부화소(462B), 녹색의 빛을 사출하는 부화소(462G), 적색의 빛을 사출하는 부화소(462R)를 갖는다. 부화소(462B)는 구동용 트랜지스터와 제 1 발광 소자(450B)를 구비한다. 부화소(462G)는 구동용 트랜지스터와 제 2 발광 소자(450G)를 구비한다. 부화소(462R)는 구동용 트랜지스터와 제 3 발광 소자(450R)를 구비한다. 또한, 각 부화소 사이에는, 제 1 구조물(449a) 및 제 2 구조물(449b)을 포함한 구조물(449)이 제공되어 있다.
부화소(462B, 462G, 462R)에 포함되는 제 1 발광 소자 내지 제 3 발광 소자(450B, 450G, 450R)는 반사막과 반투과·반반사막을 중첩시킴으로써 미소 공진기를 형성하고, 이들 막 사이에 EL층(423)이 제공된 구성을 갖는다. 도 5의 (A)에서는, 반사성을 갖는 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(454a, 454b, 454c)을 반사막으로서 제공하고, 반투과·반반사성을 갖는 상부 전극(456)을 반투과·반반사막으로서 제공한다. 이와 같은 구성으로 함으로써, 반투과·반반사성을 갖는 상부 전극(456)으로부터 특정 파장의 빛을 효율적으로 추출할 수 있다. 또한, 추출되는 빛이 강화되도록 미소 공진기의 광학 거리를 제공하면, 빛을 추출하는 효율을 높일 수 있다. 추출하는 빛의 파장은 반사막과 반투과·반반사막 사이의 거리에 의존하고, 반사막과 반투과·반반사막 사이에 광학 조정층을 형성하여 상기 거리를 조정할 수 있다. 또한, 각 부화소는 EL층(423) 및 상부 전극(456)을 공통적으로 포함한다.
부화소(462B)에 포함되는 제 1 발광 소자(450B)는, 청색의 빛(400㎚ 이상 500㎚ 미만의 파장의 빛)이 서로 강화하도록, 반사성을 갖는 제 1 하부 전극(454a)과 반투과·반반사성을 갖는 상부 전극(456) 사이에 제 1 하부 전극(454a)과 상부 전극(456)의 광학 거리를 조정하기 위한 광학 조정층(431B)을 포함한다. 광학 조정층(431B)을 제공함으로써, 청색의 빛을 효율적으로 추출할 수 있다.
부화소(462G)에 포함되는 제 2 발광 소자(450G)는, 녹색의 빛(500㎚ 이상 600㎚ 미만의 파장의 빛)이 서로 강화하도록, 반사성을 갖는 제 2 하부 전극(454b)과 반투과·반반사성을 갖는 상부 전극(456) 사이에 제 2 하부 전극(454b)과 상부 전극(456)의 광학 거리를 조정하기 위한 광학 조정층(431G)을 포함한다. 광학 조정층(431G)을 제공함으로써, 녹색의 빛을 효율적으로 추출할 수 있다.
부화소(462R)에 포함되는 제 3 발광 소자(450R)는, 적색의 빛(600㎚ 이상 800㎚ 미만의 파장의 빛)이 서로 강화하도록, 반사성을 갖는 제 3 하부 전극(454c)과 반투과·반반사성을 갖는 상부 전극(456) 사이에 제 3 하부 전극(454c)과 상부 전극(456)의 광학 거리를 조정하기 위한 광학 조정층(431R)을 포함한다. 광학 조정층(431R)을 제공함으로써, 적색의 빛을 효율적으로 추출할 수 있다.
이와 같은 구성을 갖는 제 1 발광 소자 내지 제 3 발광 소자(450B, 450G, 450R)에서는, 반사막과 반투과·반반사막 사이에서 EL층(423)이 발하는 빛이 서로 간섭하여, 400㎚ 이상 800㎚ 미만의 파장을 갖는 빛 중 특정한 빛이 서로 강화한다.
광학 조정층에 사용할 수 있는 재료로서는, 가시광에 대한 투광성을 갖는 도전막 외에, 발광성 유기 화합물을 포함한 층을 적용할 수 있다. 예를 들어, 전하 발생 영역의 두께를 조정함으로써, 전하 발생 영역이 광학 조정층을 겸하는 구성으로 하여도 좋다. 또는, 정공 수송성이 높은 물질과, 정공 수송성 물질에 대한 억셉터성을 갖는 물질을 포함하는 영역의 두께를 조정함으로써, 상기 혼합 재료층이 광학 조정층을 겸하는 구성으로 하여도 좋고, 이 구성을 사용하면, 광학 조정층이 두꺼운 구성인 경우에도 구동 전압의 상승을 억제할 수 있기 때문에 바람직하다.
광학 조정층의 두께는 발광 소자로부터 추출하는 빛의 파장의 길이에 따라 조정한다.
≪구조물(449)≫
도 5의 (A)에서는 부화소 사이에 제공되는 구조물(449)이, 제 1 발광 소자 내지 제 3 발광 소자(450B, 450G, 450R) 각각의 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(454a, 454b, 454c)과 동일한 공정으로 제작되는 제 1 구조물(449a)과, 제 3 발광 소자(450R)의 광학 조정층(431R)과 동일한 공정으로 제작되는 제 2 구조물(449b)로 이루어지는 적층 구조를 포함한 경우를 예로 들어 기재한다. 다만, 본 발명의 실시형태는 이에 한정되지 않고, 예를 들어, 제 1 구조물(449a)과, 제 1 발광 소자(450B)의 광학 조정층(431B)과 동일한 공정으로 제작되는 전극층으로 이루어지는 적층 구조로 하여도 좋고, 제 1 구조물(449a)과, 제 2 발광 소자(450G)의 광학 조정층(431G)과 동일한 공정으로 제작되는 전극층으로 이루어지는 적층 구조로 하여도 좋다.
＜화소 구성 5＞
표시부에 제공된 화소(472)의 구성에 대하여 도 5의 (B)를 참조하여 설명한다. 도 5의 (B)에 도시된 화소(472)는 도 5의 (A)에 도시된 화소(462)의 변형예이며, 컬러 필터(441B, 441G, 441R)와 차광성을 갖는 막(442)을 제 2 기판(440) 측에 제공한 구성을 갖는다. 즉, 화소(472)는 컬러 필터와 미소 공진기의 양쪽 모두를 제공한 예이다.
도 5의 (B)에서 부화소(472B)는 구동용 트랜지스터와, 제 1 발광 소자(450B)와, 청색의 빛을 투과시키는 컬러 필터(441B)를 포함한다. 또한, 부화소(472G)는 구동용 트랜지스터와, 제 2 발광 소자(450G)와, 녹색의 빛을 투과시키는 컬러 필터(441G)를 포함한다. 또한, 부화소(472R)는 구동용 트랜지스터와, 제 3 발광 소자(450R)와, 적색의 빛을 투과시키는 컬러 필터(441R)를 포함한다.
도 5의 (A)에 도시된 구성에 컬러 필터를 더 제공함으로써, 불필요한 빛을 상기 컬러 필터가 흡수하기 때문에 색 순도를 높일 수 있다. 또한, 컬러 필터 외의 구성은 도 5의 (A)와 마찬가지이므로, 자세한 설명은 생략한다.
(실시예)
본 실시예에서는, 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널 및 비교예의 표시 패널을 제작하고, 부화소 사이에 제작된 구조물에 의한 크로스토크의 저감 효과를 확인하였다.
＜본 실시예의 표시 패널＞
도 6의 (A)는 본 실시예의 표시 패널에 포함되는 화소(562)를 도시한 모식도이다. 화소(562)는 청색의 빛을 사출하는 부화소(562B), 녹색의 빛을 사출하는 부화소(562G), 및 적색의 빛을 사출하는 부화소(562R)를 포함한다. 부화소(562B)는 컬러 필터층(541B) 및 발광 소자(550B)를 포함한다. 부화소(562G)는 컬러 필터층(541G) 및 발광 소자(550G)를 포함한다. 부화소(562R)는 컬러 필터층(541R) 및 발광 소자(550R)를 포함한다.
본 실시예의 표시 패널을 제작하는 방법에 대하여 이하에서 설명한다. 또한, 본 실시예의 표시 패널은 상기 화소 구성 5에 상당한다.
먼저, 스퍼터링법을 사용하여 유리 기판(510) 위에 하지 절연층(517)으로서 막 두께 300㎚의 산화 실리콘막을 형성하였다. 다음에, 나중에 형성되는 발광 소자의 하부 전극과 전기적으로 접속되는 배선(560a, 560b, 560c)을 형성하였다. 배선(560a, 560b, 560c)은 실시형태에 따른 전류 제어용 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극에 상당한다. 배선(560a, 560b, 560c)은 막 두께 100㎚의 티타늄막, 막 두께 900㎚의 알루미늄막, 및 막 두께 100㎚의 티타늄막을 적층한 구조로 하였다. 또한, 배선(560a)과 배선(560b)의 간격, 또는 배선(560b)과 배선(560c)의 간격은 12㎛로 하였다.
다음에, 배선(560a, 560b, 560c) 위에 절연층(516)으로서 막 두께 1.4㎛의 폴리이미드막을 형성하였다. 그 후, 스퍼터링법을 사용하여 절연층(516) 위에, 란탄을 포함한 알루미늄-니켈 합금막(Al-Ni-La)을 막 두께 200㎚로 형성하고 나서 스퍼터링법에 의하여 막 두께 6㎚의 티타늄막을 형성하였다.
형성된 Al-Ni-La막 및 티타늄막을 포토리소그래피 공정에 의하여 가공하여 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(554a, 554b, 554c) 및 구조물(549)을 형성하였다. 구조물(549)은, 부화소 사이에서 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(554a, 554b, 554c)의 상호간에 스트라이프 형상으로 제공되어 있다. 여기서, 제 1 하부 전극(554a)과 제 2 하부 전극(554b)의 간격, 또는 제 2 하부 전극(554b)과 제 3 하부 전극(554c)의 간격은 8㎛로 하였다. 또한, 도 6의 (A)에 도시된 단면도의 구조물(549)의 폭은 2㎛로 하였다. 본 실시예에 따른 구조물(549)의 테이퍼 각은 110˚를 설계값으로 하였다.
또한, 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(554a, 554b, 554c) 및 구조물(549)을 형성할 때에 오버에칭을 수행함으로써, 절연층(516) 중 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(554a, 554b, 554c) 및 구조물(549)과 중첩되지 않는 영역을 에칭하였다. 이로써, 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(554a, 554b, 554c)과 구조물(549) 사이에 홈부를 형성하였다.
다음에, 제 2 하부 전극(554b) 및 제 3 하부 전극(554c) 위에 광학 조정층을 형성하였다. 본 실시예에서는, 제 2 하부 전극(554b) 위에 광학 조정층(531G)으로서 산화 실리콘을 포함한 인듐 주석 산화물(ITSO)막을 40㎚로 형성하였다. 또한, 제 3 하부 전극(554c) 위에 광학 조정층(531R)으로서 80㎚의 ITSO막을 형성하였다. 또한, 제 1 하부 전극(554a) 위에는 광학 조정층을 형성하지 않았다.
다음에, 막 두께 1.4㎛의 폴리이미드막을 형성하고, 포토리소그래피 공정에 의하여 가공하여 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(554a, 554b, 554c)의 단부를 덮는 제 1 격벽층 내지 제 3 격벽층(518a, 518b, 518c)을 형성하였다. 본 실시예에서, 제 1 하부 전극(554a) 위의 제 1 격벽층(518a)의 단부와, 제 2 하부 전극(554b) 위의 제 2 격벽층(518b)의 단부의 간격(도 6의 (A)의 L1)은 11㎛로 하였다. 또한, 제 2 하부 전극(554b) 위의 제 2 격벽층(518b)의 단부와, 제 3 하부 전극(554c) 위의 제 3 격벽층(518c)의 단부의 간격에 대해서도 마찬가지이다. 또한, 부화소간에서 제 1 격벽층(518a)과 제 2 격벽층(518b)의 최단 거리(도 6의 (A)의 L2)는 6㎛로 하였다. 제 2 격벽층(518b)과 제 3 격벽층(518c)의 최단 거리에 대해서도 마찬가지이다.
그 후, 제 1 격벽층 내지 제 3 격벽층(518a, 518b, 518c), 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(554a, 554b, 554c), 구조물(549), 광학 조정층(531G), 및 광학 조정층(531R) 위에 EL층(522)을 막 두께 195.3㎚로 형성하였다.
EL층(522) 위에 상부 전극(523)으로서, 막 두께 1.1㎚의 마그네슘 은 합금막, 막 두께 13.9㎚의 은막, 및 막 두께 70㎚의 인듐 주석 산화물막을 형성하였다.
상술한 공정을 거쳐 발광 소자(550B, 550G, 550R)를 형성하였다.
다음에, 대향 기판(540)의 제작 방법에 대하여 이하에서 설명한다.
대향 기판(540)은, 유리 기판 위에 하지막(543)으로서 막 두께 100㎚의 산화 질화 실리콘막을 스퍼터링법으로 형성하고, 하지막(543) 위에 차광층(542)을 형성하였다. 차광층(542)의 재료에는 흑색 수지(카본 블랙)를 포함한 유기 수지를 사용하였다. 그리고, 차광층(542) 위에 컬러 필터층(541B, 541G, 541R)을 형성하였다.
유리 기판(510)을 대향 기판(540)과 접합시켜 본 실시예의 표시 패널을 제작하였다.
＜비교예의 표시 패널＞
비교예의 표시 패널에 포함되는 화소(662)의 모식도를 도 6의 (B)에 도시하였다. 화소(662)는 청색의 빛을 사출하는 부화소(662B), 녹색의 빛을 사출하는 부화소(662G), 및 적색의 빛을 사출하는 부화소(662R)를 포함하고, 부화소 사이에 구조물을 갖지 않은 점 및 하부 전극 사이에 홈부를 갖지 않은 점에서 본 실시예의 발광 패널과 상이하다. 그 외 구성은 본 실시예의 발광 패널과 같기 때문에 자세한 설명은 생략한다.
부화소(662B)는 발광 소자(650B) 및 컬러 필터층(541B)을 포함하고, 부화소(662G)는 발광 소자(650G) 및 컬러 필터층(541G)을 포함하고, 부화소(662R)는 발광 소자(650R) 및 컬러 필터층(541R)을 포함한다. 또한, 발광 소자 각각은 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(554a, 554b, 554c)과 상부 전극(623) 사이에 EL층(622)을 갖는다. 발광 소자(650G)에서는 제 2 하부 전극(554b) 위에 광학 조정층(531G)을 포함하고, 발광 소자(650R)에서는 제 3 하부 전극(554c) 위에 광학 조정층(531R)을 포함한다.
비교예의 표시 패널에서는, 제 1 하부 전극 내지 제 3 하부 전극(554a, 554b, 554c)의 단부를 덮도록 격벽층(618)이 형성된다.
제작된 본 실시예의 발광 패널의 부화소(562B) 및 부화소(562G) 사이의 단면 사진을 도 7의 (A)에 나타내었다. 또한, 구조물(549)의 측면의 영역을 확대한 단면 사진을 도 7의 (B) 및 (C)에 나타내었다. 또한, 비교예의 발광 패널의 부화소(662B) 및 부화소(662G) 사이의 단면 사진을 도 7의 (D)에 나타내었다.
도 7의 (D)의 비교예의 발광 패널에 있어서는, 상부 전극 중 격벽층(618)과 중첩되지 않으며 또한 제 2 하부 전극(554b)과 중첩되는 영역(B1)의 막 두께는 179㎚이었다. 또한, 상부 전극 중 격벽층(618)의 측면과 중첩되는 영역(B2)의 막 두께는 140㎚이었다. 또한, 상부 전극 중 제 1 하부 전극(554a)과 제 2 하부 전극(554b) 사이와 중첩되는 영역(B3)의 막 두께는 194㎚이었다. 즉, 제 1 하부 전극(554a)과 제 2 하부 전극(554b)의 모든 영역에서 비교예의 발광 패널에 포함되는 상부 전극의 막 두께는 대략 균일한 것이 확인되었다. 이에 의하여, 비교예의 발광 패널에 포함되는 EL층의 막 두께도 제 1 하부 전극(554a)과 제 2 하부 전극(554b)의 모든 영역에서 대략 균일한 것이 시사된다.
한편, 도 7의 (A) 및 (B)의 본 실시예의 발광 패널에서는, 상부 전극 중 제 2 격벽층(518b)과 중첩되지 않으며 또한 제 2 하부 전극(554b)과 중첩되는 영역(A1)의 막 두께는 180㎚이고, 상부 전극 중 제 2 격벽층(518b)의 측면과 중첩되는 영역(A2)의 막 두께는 87㎚로, 영역(A1)에 비하여 막 두께가 감소되어 있는 것이 확인되었다. 또한, 상부 전극 중 구조물(549)의 측면 주변의 영역(A3)(더 구체적으로는 구조물(549)을 마스크로 하여 에칭된 절연층(516)의 홈부에 접하는 영역)의 막 두께는 38㎚로, 영역(A2)에 비하여 막 두께가 더 감소되어 있는 것이 확인되었다. 이에 의하여, 본 실시예의 발광 패널에 포함되는 EL층에 있어서, 제 2 격벽층(518b)의 측면과 중첩되는 영역(A2) 및 구조물(549)의 측면 주변의 영역(A3)의 막 두께가 영역(A1)에 비하여 감소되어 있는 것이 시사된다. 또한, 도 7의 (C)에서 구조물(549)의 테이퍼 각은 109˚이었다.
다음에, 제작된 발광 패널의 NTSC(National Television Standards Committee)비의 휘도 의존성을 측정하였다. 측정한 결과를 도 8에 나타내었다.
도 8에서, 가로축은 휘도(cd/m2)를 나타내고 세로축은 NTSC비의 변화율(%)을 나타낸다. 또한, 도 8에서는 휘도 150cd/m2로 발광시켰을 때의 NTSC비의 값을 100%로 하여 변화율을 정규화하였다.
도 8을 보면, 비교예의 발광 패널에서는 휘도를 낮게 할수록 NTSC비가 저하된 것이 확인되었다. 한편, 본 실시예의 발광 패널에서는, 휘도를 1cd/m2로 한 경우에도, 휘도 150cd/m2로 발광시켰을 때의 97.3%의 NTSC비를 유지하였다.
따라서, 본 실시예의 발광 패널에서는, 국소적으로 막 두께가 얇은 영역을 갖는 EL층을 형성함으로써 크로스토크를 억제할 수 있고, 특히 휘도가 낮은 측의 NTSC비의 열화를 억제할 수 있는 것이 시사되었다.
81: 상부 전극 82: 제 1 하부 전극
83: 제 2 하부 전극 84: 제 3 하부 전극
85: 제 1 발광 유닛 86: 중간층
87: 제 2 발광 유닛 88: 대향 유리 기판
89: 캐리어 주입층 400: 표시 패널
401: 표시부 402: 화소
402B: 청색의 빛을 사출하는 부화소
402G: 녹색의 빛을 사출하는 부화소
402R: 적색의 빛을 사출하는 부화소
403g: 게이트 측 구동 회로부
403s: 소스 측 구동 회로부 405: 실재
408: 리드 배선 409: FPC(Flexible Printed Circuit)
410: 제 1 기판 411: 스위칭용 트랜지스터
412: 전류 제어용 트랜지스터 413: n채널형 트랜지스터
414: p채널형 트랜지스터 415a: 콘택트 홀
415b: 홈부 416: 절연층
416a: 홈부 418a: 제 1 격벽
418b: 제 2 격벽 418c: 제 3 격벽
419: 구조물 420a: 제 1 발광 소자
420b: 제 2 발광 소자 420c: 제 3 발광 소자
421a: 제 1 하부 전극 421b: 제 2 하부 전극
421c: 제 3 하부 전극 422: 상부 전극
423: EL층 423a: 제 1 발광 유닛
423b: 제 2 발광 유닛 423c: EL층의 두께가 얇은 영역
424: 중간층 431: 공간
431B: 광학 조정층 431G: 광학 조정층
431R: 광학 조정층 440: 제 2 기판
441B: 컬러 필터 441G: 컬러 필터
441R: 컬러 필터 442: 차광성을 갖는 막
449: 구조물 449a: 제 1 구조물
449b: 제 2 구조물 450B: 제 1 발광 소자
450G: 제 2 발광 소자 450R: 제 3 발광 소자
452: 화소
452B: 청색의 빛을 사출하는 부화소
452G: 녹색의 빛을 사출하는 부화소
452R: 적색의 빛을 사출하는 부화소
454a: 제 1 하부 전극 454b: 제 2 하부 전극
454c: 제 3 하부 전극 456: 상부 전극
459A: 구조물 459B: 구조물
462: 화소
462B: 청색의 빛을 사출하는 부화소
462G: 녹색의 빛을 사출하는 부화소
462R: 적색의 빛을 사출하는 부화소
472: 화소
472B: 청색의 빛을 사출하는 부화소
472G: 녹색의 빛을 사출하는 부화소
472R: 적색의 빛을 사출하는 부화소
510: 유리 기판 516: 절연층
517: 하지 절연층 518a: 제 1 격벽층
518b: 제 2 격벽층 518c: 제 3 격벽층
522: EL층 523: 상부 전극
531G: 광학 조정층 531R: 광학 조정층
540: 대향 기판 541B: 컬러 필터층
541G: 컬러 필터층 541R: 컬러 필터층
542: 차광층 543: 하지막
549: 구조물 550B: 발광 소자
550G: 발광 소자 550R: 발광 소자
554a: 제 1 하부 전극 554b: 제 2 하부 전극
554c: 제 3 하부 전극 560a: 배선
560b: 배선 560c: 배선
562: 화소
562B: 청색의 빛을 사출하는 부화소
562G: 녹색의 빛을 사출하는 부화소
562R: 적색의 빛을 사출하는 부화소
616: 절연층 618: 격벽층
622: EL층 623: 상부 전극
662: 화소
662B: 청색의 빛을 사출하는 부화소
662G: 녹색의 빛을 사출하는 부화소
662R: 적색의 빛을 사출하는 부화소
83: 제 2 하부 전극 84: 제 3 하부 전극
85: 제 1 발광 유닛 86: 중간층
87: 제 2 발광 유닛 88: 대향 유리 기판
89: 캐리어 주입층 400: 표시 패널
401: 표시부 402: 화소
402B: 청색의 빛을 사출하는 부화소
402G: 녹색의 빛을 사출하는 부화소
402R: 적색의 빛을 사출하는 부화소
403g: 게이트 측 구동 회로부
403s: 소스 측 구동 회로부 405: 실재
408: 리드 배선 409: FPC(Flexible Printed Circuit)
410: 제 1 기판 411: 스위칭용 트랜지스터
412: 전류 제어용 트랜지스터 413: n채널형 트랜지스터
414: p채널형 트랜지스터 415a: 콘택트 홀
415b: 홈부 416: 절연층
416a: 홈부 418a: 제 1 격벽
418b: 제 2 격벽 418c: 제 3 격벽
419: 구조물 420a: 제 1 발광 소자
420b: 제 2 발광 소자 420c: 제 3 발광 소자
421a: 제 1 하부 전극 421b: 제 2 하부 전극
421c: 제 3 하부 전극 422: 상부 전극
423: EL층 423a: 제 1 발광 유닛
423b: 제 2 발광 유닛 423c: EL층의 두께가 얇은 영역
424: 중간층 431: 공간
431B: 광학 조정층 431G: 광학 조정층
431R: 광학 조정층 440: 제 2 기판
441B: 컬러 필터 441G: 컬러 필터
441R: 컬러 필터 442: 차광성을 갖는 막
449: 구조물 449a: 제 1 구조물
449b: 제 2 구조물 450B: 제 1 발광 소자
450G: 제 2 발광 소자 450R: 제 3 발광 소자
452: 화소
452B: 청색의 빛을 사출하는 부화소
452G: 녹색의 빛을 사출하는 부화소
452R: 적색의 빛을 사출하는 부화소
454a: 제 1 하부 전극 454b: 제 2 하부 전극
454c: 제 3 하부 전극 456: 상부 전극
459A: 구조물 459B: 구조물
462: 화소
462B: 청색의 빛을 사출하는 부화소
462G: 녹색의 빛을 사출하는 부화소
462R: 적색의 빛을 사출하는 부화소
472: 화소
472B: 청색의 빛을 사출하는 부화소
472G: 녹색의 빛을 사출하는 부화소
472R: 적색의 빛을 사출하는 부화소
510: 유리 기판 516: 절연층
517: 하지 절연층 518a: 제 1 격벽층
518b: 제 2 격벽층 518c: 제 3 격벽층
522: EL층 523: 상부 전극
531G: 광학 조정층 531R: 광학 조정층
540: 대향 기판 541B: 컬러 필터층
541G: 컬러 필터층 541R: 컬러 필터층
542: 차광층 543: 하지막
549: 구조물 550B: 발광 소자
550G: 발광 소자 550R: 발광 소자
554a: 제 1 하부 전극 554b: 제 2 하부 전극
554c: 제 3 하부 전극 560a: 배선
560b: 배선 560c: 배선
562: 화소
562B: 청색의 빛을 사출하는 부화소
562G: 녹색의 빛을 사출하는 부화소
562R: 적색의 빛을 사출하는 부화소
616: 절연층 618: 격벽층
622: EL층 623: 상부 전극
662: 화소
662B: 청색의 빛을 사출하는 부화소
662G: 녹색의 빛을 사출하는 부화소
662R: 적색의 빛을 사출하는 부화소
Claims (21)
- 삭제
- 발광 장치에 있어서,
절연층과;
상기 절연층 위의 제 1 전극과;
상기 절연층 위의 제 2 전극과;
상기 절연층에 형성되는, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이의 홈부와;
상기 절연층 위 및 상기 홈부 내의 구조물과;
상기 제 1 전극과 상기 구조물 사이에 위치되고 상기 제 1 전극의 단부를 덮는, 상기 홈부 내의 제 1 격벽과;
상기 제 2 전극과 상기 구조물 사이에 위치되고 상기 제 2 전극의 단부를 덮는, 상기 홈부 내의 제 2 격벽과;
상기 제 1 전극, 상기 제 1 격벽, 상기 구조물, 상기 제 2 격벽, 및 상기 제 2 전극 위의 제 1 발광 유닛과;
상기 제 1 발광 유닛 위의 중간층과;
상기 중간층을 개재하여 상기 제 1 발광 유닛 위에 위치되는 제 2 발광 유닛과;
상기 제 2 발광 유닛 위의 제 3 전극을 포함하고,
상기 구조물의 측면 위의 상기 중간층의, 상기 구조물의 상기 측면에 수직인 방향의 두께는, 상기 제 1 전극 위의 상기 중간층의, 상기 제 1 전극의 상면에 수직인 방향의 두께보다 얇고,
상기 구조물은 상기 제 1 전극과 동일한 층을 사용하여 형성되는, 발광 장치. - 삭제
- 삭제
- 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 발광 유닛은 캐리어 주입층을 포함하고,
상기 구조물의 상기 측면 위의 상기 캐리어 주입층의, 상기 구조물의 상기 측면에 수직인 방향의 두께는, 상기 제 1 전극 위의 상기 캐리어 주입층의, 상기 제 1 전극의 상기 상면에 수직인 방향의 두께보다 얇은, 발광 장치. - 제 2 항에 있어서,
EL층이 상기 제 1 발광 유닛, 상기 중간층, 및 상기 제 2 발광 유닛을 포함하고,
상기 구조물의 상기 측면 위의 상기 EL층의, 상기 구조물의 상기 측면에 수직인 방향의 두께는, 상기 제 1 전극 위의 상기 EL층의, 상기 제 1 전극의 상기 상면에 수직인 방향의 두께보다 얇은, 발광 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 구조물의 상기 측면과 상기 구조물의 저면이 이루는 각도는 60˚ 이상 110˚ 이하인, 발광 장치. - 삭제
- 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 전극과 중첩되는, 상기 제 1 격벽과 상기 제 2 격벽 위의 제 1 컬러 필터와;
상기 제 2 전극과 중첩되는, 상기 제 1 격벽과 상기 제 2 격벽 위의 제 2 컬러 필터를 더 포함하는, 발광 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 격벽 및 상기 제 2 격벽은 착색되어 있는, 발광 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 구조물은 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 각각을 둘러싸고,
상기 제 1 격벽은 상기 제 1 전극을 둘러싸고, 상기 제 2 격벽은 상기 제 2 전극을 둘러싸는, 발광 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 1 발광 유닛, 상기 중간층, 및 상기 제 2 발광 유닛은 상기 구조물과 상기 제 1 격벽 사이 및 상기 구조물과 상기 제 2 격벽 사이에 제공되는, 발광 장치. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102320578B1 (ko) * | 2014-04-25 | 2021-11-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| TWI726843B (zh) | 2014-05-30 | 2021-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 觸控面板 |
| US10614204B2 (en) | 2014-08-28 | 2020-04-07 | Facetec, Inc. | Facial recognition authentication system including path parameters |
| CA2902093C (en) | 2014-08-28 | 2023-03-07 | Kevin Alan Tussy | Facial recognition authentication system including path parameters |
| US11256792B2 (en) | 2014-08-28 | 2022-02-22 | Facetec, Inc. | Method and apparatus for creation and use of digital identification |
| US12130900B2 (en) | 2014-08-28 | 2024-10-29 | Facetec, Inc. | Method and apparatus to dynamically control facial illumination |
| US10803160B2 (en) | 2014-08-28 | 2020-10-13 | Facetec, Inc. | Method to verify and identify blockchain with user question data |
| US10698995B2 (en) | 2014-08-28 | 2020-06-30 | Facetec, Inc. | Method to verify identity using a previously collected biometric image/data |
| US10915618B2 (en) | 2014-08-28 | 2021-02-09 | Facetec, Inc. | Method to add remotely collected biometric images / templates to a database record of personal information |
| WO2016132250A1 (en) | 2015-02-18 | 2016-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic compound, light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
| CN104821376A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-08-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled面板及其制造方法、显示装置 |
| USD987653S1 (en) | 2016-04-26 | 2023-05-30 | Facetec, Inc. | Display screen or portion thereof with graphical user interface |
| KR102656232B1 (ko) * | 2016-08-31 | 2024-04-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 어레이 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치 |
| JP6907008B2 (ja) * | 2017-04-17 | 2021-07-21 | キヤノン株式会社 | 有機発光装置、有機発光装置の製造方法、及び撮像装置 |
| KR102248875B1 (ko) * | 2017-06-30 | 2021-05-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광표시장치 |
| TWI840337B (zh) | 2017-11-30 | 2024-05-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示面板、顯示裝置、顯示模組、電子裝置及顯示面板的製造方法 |
| JP7349996B2 (ja) | 2018-08-21 | 2023-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器 |
| KR20200048264A (ko) | 2018-10-29 | 2020-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 |
| KR20210018105A (ko) | 2019-08-09 | 2021-02-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 유기 화합물, 발광 디바이스, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
| US20220352481A1 (en) * | 2019-10-08 | 2022-11-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
| CN114902806A (zh) | 2019-12-25 | 2022-08-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 功能面板、显示装置、输入/输出装置、数据处理装置 |
| JPWO2022003504A1 (ko) * | 2020-07-03 | 2022-01-06 | ||
| WO2022224070A1 (ja) * | 2021-04-22 | 2022-10-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
| JP2024127527A (ja) * | 2023-03-09 | 2024-09-20 | キヤノン株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006190570A (ja) | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| KR100643404B1 (ko) | 2005-09-22 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이장치 및 그 제조방법 |
| JP2008135325A (ja) | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置とその製造方法 |
| WO2010140304A1 (ja) | 2009-06-05 | 2010-12-09 | 日本ポリウレタン工業株式会社 | 車輌用シートクッション用軟質ポリウレタンフォームおよびその製造方法 |
| JP2011170981A (ja) | 2010-02-16 | 2011-09-01 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| WO2012115016A1 (en) | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using light-emitting device |
| JP2012182121A (ja) * | 2011-02-10 | 2012-09-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法、並びに照明装置及び表示装置 |
| JP2013030476A (ja) * | 2011-06-24 | 2013-02-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光パネル、発光パネルを用いた発光装置および発光パネルの作製方法 |
Family Cites Families (64)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6472557A (en) | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Seiko Instr & Electronics | Image sensor |
| JP3520396B2 (ja) | 1997-07-02 | 2004-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス基板と表示装置 |
| JP3580092B2 (ja) | 1997-08-21 | 2004-10-20 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
| US6592933B2 (en) | 1997-10-15 | 2003-07-15 | Toray Industries, Inc. | Process for manufacturing organic electroluminescent device |
| KR100577903B1 (ko) | 1998-03-17 | 2006-05-10 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 박막패터닝용 기판 및 그 표면처리 |
| JPH11339958A (ja) | 1998-05-22 | 1999-12-10 | Casio Comput Co Ltd | 電界発光素子の製造方法 |
| KR100697413B1 (ko) | 1998-07-30 | 2007-03-19 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 액정 표시 장치, 영상 디스플레이 장치, 정보 처리 장치, 및 그 제조 방법 |
| JP3078268B2 (ja) * | 1998-11-12 | 2000-08-21 | ティーディーケイ株式会社 | 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| US6469439B2 (en) | 1999-06-15 | 2002-10-22 | Toray Industries, Inc. | Process for producing an organic electroluminescent device |
| TW459275B (en) | 1999-07-06 | 2001-10-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of fabricating the same |
| JP3809758B2 (ja) | 1999-10-28 | 2006-08-16 | ソニー株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| EP1096568A3 (en) | 1999-10-28 | 2007-10-24 | Sony Corporation | Display apparatus and method for fabricating the same |
| KR100720066B1 (ko) | 1999-11-09 | 2007-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 제작방법 |
| JP2001148291A (ja) | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Sony Corp | 表示装置及びその製造方法 |
| US6821827B2 (en) | 1999-12-28 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP4132528B2 (ja) | 2000-01-14 | 2008-08-13 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
| US6559594B2 (en) | 2000-02-03 | 2003-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| TW484238B (en) | 2000-03-27 | 2002-04-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and a method of manufacturing the same |
| US20010030511A1 (en) | 2000-04-18 | 2001-10-18 | Shunpei Yamazaki | Display device |
| TW522752B (en) | 2000-10-20 | 2003-03-01 | Toshiba Corp | Self-luminous display panel and method of manufacturing the same |
| JP3695308B2 (ja) | 2000-10-27 | 2005-09-14 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリクス有機ｅｌ表示装置及びその製造方法 |
| JP2002208484A (ja) | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Tohoku Pioneer Corp | 有機ｅｌディスプレイ及びその製造方法 |
| US6720198B2 (en) | 2001-02-19 | 2004-04-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US6992439B2 (en) | 2001-02-22 | 2006-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element |
| SG118118A1 (en) | 2001-02-22 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Organic light emitting device and display using the same |
| JP4801278B2 (ja) | 2001-04-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
| JP2003059671A (ja) | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Sony Corp | 表示素子及びその製造方法 |
| JP2003123969A (ja) | 2001-10-17 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蒸着用マスクおよび有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法 |
| US6852997B2 (en) | 2001-10-30 | 2005-02-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US6815723B2 (en) | 2001-12-28 | 2004-11-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor |
| SG143063A1 (en) | 2002-01-24 | 2008-06-27 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2003243171A (ja) | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JP3481232B2 (ja) | 2002-03-05 | 2003-12-22 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法 |
| JP2003317971A (ja) | 2002-04-26 | 2003-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| US7230271B2 (en) | 2002-06-11 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof |
| US7094684B2 (en) | 2002-09-20 | 2006-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| US7792489B2 (en) | 2003-12-26 | 2010-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic appliance, and method for manufacturing light emitting device |
| JP4664604B2 (ja) | 2004-02-18 | 2011-04-06 | Ｔｄｋ株式会社 | 画像表示装置 |
| US7753751B2 (en) | 2004-09-29 | 2010-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating the display device |
| US8772783B2 (en) | 2004-10-14 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| JP5078267B2 (ja) | 2005-03-22 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US8026531B2 (en) | 2005-03-22 | 2011-09-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| CN1842232A (zh) * | 2005-03-29 | 2006-10-04 | 中华映管股份有限公司 | 有机电致发光显示面板及其制造方法 |
| TWI363437B (en) * | 2008-05-21 | 2012-05-01 | Ind Tech Res Inst | Light emitting diode package capable of providing electrostatic discharge circuit protection and process of making the same |
| EP1760776B1 (en) | 2005-08-31 | 2019-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for semiconductor device with flexible substrate |
| EP1770676B1 (en) | 2005-09-30 | 2017-05-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| JP2007141821A (ja) | 2005-10-17 | 2007-06-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| TWI460851B (zh) | 2005-10-17 | 2014-11-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置及其製造方法 |
| US20070194321A1 (en) | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device, and electronic device |
| JP2008234885A (ja) | 2007-03-19 | 2008-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光素子 |
| US7834543B2 (en) | 2007-07-03 | 2010-11-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic EL display apparatus and method of manufacturing the same |
| CN102007585B (zh) | 2008-04-18 | 2013-05-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
| KR101455317B1 (ko) | 2008-04-18 | 2014-10-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 트랜지스터 및 그 제작 방법 |
| KR101310917B1 (ko) | 2008-07-17 | 2013-09-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법 |
| TWI607670B (zh) | 2009-01-08 | 2017-12-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置及電子裝置 |
| JP2012155953A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Sony Corp | 有機ｅｌ表示装置及び電子機器 |
| JP5708152B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-04-30 | ソニー株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
| KR101920374B1 (ko) * | 2011-04-27 | 2018-11-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 그 제작 방법 |
| KR101933952B1 (ko) * | 2011-07-01 | 2018-12-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 전자 기기 및 조명 장치 |
| KR101821739B1 (ko) * | 2011-08-25 | 2018-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| JP6076683B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-02-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP6204012B2 (ja) | 2012-10-17 | 2017-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP6124584B2 (ja) | 2012-12-21 | 2017-05-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその製造方法 |
| KR102090555B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2020-03-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
-
2013
- 2013-03-08 JP JP2013046907A patent/JP6104649B2/ja active Active
-
2014
- 2014-02-27 US US14/192,062 patent/US9209355B2/en active Active
- 2014-03-06 KR KR1020140026388A patent/KR102249684B1/ko active IP Right Grant
- 2014-03-07 CN CN201410083251.0A patent/CN104037195B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006190570A (ja) | 2005-01-06 | 2006-07-20 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| KR100643404B1 (ko) | 2005-09-22 | 2006-11-10 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이장치 및 그 제조방법 |
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